JP2005191307A - Wiring board - Google Patents

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JP2005191307A
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Toshiya Asano
俊哉 浅野
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Niterra Co Ltd
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NGK Spark Plug Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high reliability wiring board, in which stripping is unlikely to take place between a core substrate and a build-up resin insulating layer. <P>SOLUTION: In the wiring board 1, where resin insulation layers 7 and 9 and conductor layers 8 and 10 are laid in layers on a core substrate 2 principally comprising ceramic, following relations are satisfied: the linear expansion coefficient α of the core substrate 2 in the temperature range of -55°C to 125°C is between 3-20 ppm/°C, the linear expansion coefficient β of the build-up resin insulation layer 7 contiguous with the core substrate 2 is between 5-30 ppm/°C, and 0.5≤β/α≤1.5. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、配線基板に関する。特に、セラミック製のコア基板上に樹脂絶縁層と導体層とをビルドアップした配線基板に関する。   The present invention relates to a wiring board. In particular, the present invention relates to a wiring board in which a resin insulating layer and a conductor layer are built up on a ceramic core board.

従来から、たとえば集積回路チップ搭載用のパッケージ基板としては、大別してオーガニック配線基板とセラミック配線基板がある。近年、オーガニック配線基板の分野においては、コア基板上に樹脂絶縁層と導体層とを、一層ずつ作りこんでいくビルドアップ法が主流になりつつある。ビルドアップ法は、配線のファインピッチ化に有利であるとともに、生産性に優れる。他方、セラミック配線基板には、高周波特性に優れること、放熱性に優れることなど、オーガニック配線基板に比して優位な特徴がある。   Conventionally, for example, as a package substrate for mounting an integrated circuit chip, there are roughly classified an organic wiring substrate and a ceramic wiring substrate. In recent years, in the field of organic wiring substrates, a build-up method in which a resin insulating layer and a conductor layer are formed one by one on a core substrate is becoming mainstream. The build-up method is advantageous for finer wiring and has excellent productivity. On the other hand, ceramic wiring boards have advantages over organic wiring boards, such as excellent high frequency characteristics and heat dissipation.

昨今は、両者の特徴を生かすことができる構造の配線基板、すなわち、セラミック製のコア基板上に、樹脂絶縁層および導体層をビルドアップ法によって形成した配線基板の開発が進められている(たとえば下記特許文献1)。
特開2001−284805号公報
In recent years, development of a wiring board having a structure that can make use of the characteristics of both, that is, a wiring board in which a resin insulating layer and a conductor layer are formed on a ceramic core board by a build-up method has been promoted (for example, Patent Document 1) below.
JP 2001-284805 A

ところで、多層構造を有する配線基板には、加熱と冷却を繰り返したとき、層間で剥離やクラックが発生しないことが求められる。もちろん、こうした信頼性の問題は、セラミック製のコア基板上に樹脂絶縁層(以下、ビルドアップ樹脂絶縁層ともいう)および導体層を形成した配線基板にも及ぶ。セラミック配線基板では、全ての層を積層したのちに同時焼成するので、層間での剥離の問題は本質的に生じ難い。また、オーガニック配線基板では、コア基板も樹脂製なので、該コア基板とビルドアップ樹脂絶縁層との密着性は、比較的容易に確保できる。   By the way, a wiring board having a multilayer structure is required not to cause peeling or cracking between layers when heating and cooling are repeated. Of course, such a reliability problem extends to a wiring board in which a resin insulating layer (hereinafter also referred to as a build-up resin insulating layer) and a conductor layer are formed on a ceramic core substrate. In a ceramic wiring board, since all the layers are laminated and fired simultaneously, the problem of delamination between layers hardly occurs. Further, in the organic wiring substrate, since the core substrate is also made of a resin, the adhesion between the core substrate and the build-up resin insulating layer can be relatively easily ensured.

ところが、セラミック製のコア基板上にビルドアップ樹脂絶縁層を形成した配線基板においては、コア基板とビルドアップ樹脂絶縁層との間で剥離が生じやすい。そのため、コア基板とビルドアップ樹脂絶縁層との間の剥離を防止することが、当該製品の信頼性を高める上で急務となっている。   However, in a wiring board in which a build-up resin insulation layer is formed on a ceramic core board, peeling is likely to occur between the core board and the build-up resin insulation layer. Therefore, preventing peeling between the core substrate and the build-up resin insulation layer is an urgent need for improving the reliability of the product.

本発明の目的は、セラミック製のコア基板とビルドアップ樹脂絶縁層との剥離が生じ難く、高い信頼性を持った配線基板を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a highly reliable wiring board in which peeling between a ceramic core substrate and a build-up resin insulating layer hardly occurs.

課題を解決するための手段および発明の効果Means for Solving the Problems and Effects of the Invention

上記課題を解決するために本発明は、コア基板上に樹脂絶縁層と導体層とを積層した配線基板において、コア基板がセラミックを主体として構成され、−55℃以上125℃以下の温度範囲で、コア基板の線膨張係数αが3ppm/℃以上20ppm/℃以下、コア基板に隣接する樹脂絶縁層の線膨張係数βが5ppm/℃以上30ppm/℃以下であり、かつ0.5≦β/α≦1.5を満足することを主要な特徴とする。   In order to solve the above-described problems, the present invention provides a wiring board in which a resin insulating layer and a conductor layer are laminated on a core board, the core board is mainly composed of ceramic, and is in a temperature range of −55 ° C. or more and 125 ° C. or less. The linear expansion coefficient α of the core substrate is 3 ppm / ° C. or more and 20 ppm / ° C. or less, the linear expansion coefficient β of the resin insulating layer adjacent to the core substrate is 5 ppm / ° C. or more and 30 ppm / ° C. or less, and 0.5 ≦ β / The main feature is that α ≦ 1.5 is satisfied.

上記本発明によれば、コア基板の線膨張係数αと、コア基板上の樹脂絶縁層(以下、「ビルドアップ樹脂絶縁層」ともいう)の線膨張係数βとが近接する構成となる。ビルドアップ樹脂絶縁層が剥離する主な原因は、配線基板が加熱および冷却されたときに、コア基板とビルドアップ樹脂絶縁層の線膨張係数の相違に基づいて両者の界面近傍に引張り、圧縮等の応力が生ずることにあると考えられる。本発明者らは、線膨張係数の異なる種々の材料で作った試験品につき、冷熱サイクル試験での剥離の有無を詳細に調べ、線膨張係数が上記関係を満足する場合に、剥離が極めて生じ難いという知見を得た。その結果、本発明を完成させるに至った。すなわち、コア基板の線膨張係数αと、ビルドアップ樹脂絶縁層の線膨張係数βが上記関係を満足するように、セラミックおよびビルドアップ樹脂絶縁層の組成等を調整する。こうすることにより、コア基板とビルドアップ樹脂絶縁層との剥離が生じ難い、高信頼性を持つ配線基板を容易に製造できる。   According to the present invention, the linear expansion coefficient α of the core substrate and the linear expansion coefficient β of a resin insulating layer (hereinafter also referred to as “build-up resin insulating layer”) on the core substrate are close to each other. The main cause of peeling of the buildup resin insulation layer is that when the wiring board is heated and cooled, it is pulled near the interface between the core board and the buildup resin insulation layer based on the difference in linear expansion coefficient, compression, etc. It is thought that this is due to the generation of stress. The present inventors investigated in detail the presence or absence of delamination in a thermal cycle test for test products made of various materials having different linear expansion coefficients. When the linear expansion coefficient satisfies the above relationship, delamination occurred extremely. I learned that it was difficult. As a result, the present invention has been completed. That is, the composition and the like of the ceramic and the buildup resin insulation layer are adjusted so that the linear expansion coefficient α of the core substrate and the linear expansion coefficient β of the buildup resin insulation layer satisfy the above relationship. By doing so, it is possible to easily manufacture a highly reliable wiring board in which peeling between the core substrate and the build-up resin insulating layer hardly occurs.

一つの好適な態様においては、コア基板は、第1主表面上の一部を覆う表面導体と、第2主表面の一部を覆う裏面導体と、それら表面導体と裏面導体の両者を導通するビア導体とを有し、それら表面導体、裏面導体およびビア導体がCu、Cu合金、Au、Ni、AgおよびAg合金からなる良導性金属群より選択される1種の金属により構成され、セラミックが低温焼成セラミックで構成される。低温焼成セラミックによれば、上記した良導性金属で導体層を構成できるので好適である。   In one preferable aspect, the core substrate is electrically connected to the surface conductor covering a part on the first main surface, the back conductor covering a part of the second main surface, and both the surface conductor and the back conductor. A via conductor, and the front conductor, the back conductor and the via conductor are made of one kind of metal selected from the group of highly conductive metals made of Cu, Cu alloy, Au, Ni, Ag and Ag alloy, and ceramic. Is composed of a low-temperature fired ceramic. The low-temperature fired ceramic is suitable because the conductor layer can be composed of the above-described highly conductive metal.

また、上記した樹脂絶縁層としては、無機フィラーを混入したエポキシ系樹脂またはポリイミド系樹脂を主体とし、その線膨張係数βが5ppm/℃以上30ppm/℃以下の範囲内に調整された材料で構成されていることが、セラミックとの線膨張係数のマッチングを考慮する上で好適である。エポキシ系樹脂およびポリイミド系樹脂は、使用実績が十分あり信頼性に優れる。また、材料コストも低廉である。   The above-mentioned resin insulation layer is mainly composed of an epoxy resin or a polyimide resin mixed with an inorganic filler, and is composed of a material whose linear expansion coefficient β is adjusted within a range of 5 ppm / ° C. to 30 ppm / ° C. It is preferable to consider the linear expansion coefficient matching with the ceramic. Epoxy resins and polyimide resins have a sufficient track record and are excellent in reliability. In addition, the material cost is low.

同様の理由から、液晶ポリマーを主体とし、その線膨張係数βが5ppm/℃以上10ppm/℃以下の範囲内に調整された材料にて樹脂絶縁層を構成することもできる。さらに同様の理由で、樹脂絶縁層がフッ素系樹脂を主体とし、その線膨張係数βが10ppm/℃以上20ppm/℃以下の範囲内に調整された材料にて樹脂絶縁層を構成することもできる。   For the same reason, the resin insulating layer can be made of a material mainly composed of a liquid crystal polymer and having a linear expansion coefficient β adjusted within a range of 5 ppm / ° C. to 10 ppm / ° C. Further, for the same reason, the resin insulation layer can be composed of a material whose resin insulation layer is mainly composed of a fluororesin and whose linear expansion coefficient β is adjusted within a range of 10 ppm / ° C. or more and 20 ppm / ° C. or less. .

なお、本明細書中では、特に断りが無い限り線膨張係数は−55℃以上125℃以下の温度範囲、かつ基板面内方向の線膨張係数を示すものとする。また、「主体とする」若しくは「主体として含む」とは、質量%で最も多く含有することを意味する。また、コア基板は、ビア導体、面導体などの導体を備え、導体の厚さにより熱膨張係数が若干変わるが、セラミックの体積が圧倒的に大きいため、ここでは、セラミックの線膨張係数をコア基板の線膨張係数とする。   In the present specification, unless otherwise specified, the linear expansion coefficient indicates a linear expansion coefficient in the temperature range of −55 ° C. or more and 125 ° C. or less and in the in-plane direction of the substrate. In addition, “mainly” or “including as a main body” means containing the largest amount by mass%. In addition, the core substrate includes conductors such as via conductors and surface conductors, and the coefficient of thermal expansion slightly changes depending on the thickness of the conductor. The coefficient of linear expansion of the substrate.

以下、添付の図面を参照しつつ本発明の実施形態について説明する。
図1は本発明の一実施形態に係る配線基板1の断面構造を模式的に示すものである。配線基板1は、セラミック誘電体層50,51,52と導体層60,61,62,63とが交互に積層された多層構造を有するコア基板2と、該コア基板2の第1主表面CP側において、該コア基板2上に配置されたビルドアップ配線積層部3とを備えている。ビルドアップ配線積層部3は、ビルドアップ樹脂絶縁層7,9および導体層8,10を備える。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 schematically shows a cross-sectional structure of a wiring board 1 according to an embodiment of the present invention. The wiring substrate 1 includes a core substrate 2 having a multilayer structure in which ceramic dielectric layers 50, 51, 52 and conductor layers 60, 61, 62, 63 are alternately stacked, and a first main surface CP of the core substrate 2. On the side, a build-up wiring laminated portion 3 disposed on the core substrate 2 is provided. The buildup wiring laminated portion 3 includes buildup resin insulation layers 7 and 9 and conductor layers 8 and 10.

コア基板2には、導体層60〜63を導通する複数のビア導体4が、セラミック誘電体層50〜52の各々を厚さ方向に貫く形で設けられている。これらビア導体4により、層間の電気的接続がなされている。コア基板2の第2主表面DP側の導体層60は、実装用ピン14がロー材16(半田を含む)によりロー付けされ、他の実装基板等との電気的接続のための実装パッドとして利用されている。また、図示するように、コア基板2にはロー材20,20によりチップキャパシタ18等の受動素子が実装されていてもよい。本実施形態では、コア基板2の片面側にのみ樹脂絶縁層および導体層を積層した片面配線板を示すが、コア基板2の両面側に樹脂絶縁層および導体層を積層することも可能である。   The core substrate 2 is provided with a plurality of via conductors 4 conducting the conductor layers 60 to 63 so as to penetrate each of the ceramic dielectric layers 50 to 52 in the thickness direction. These via conductors 4 provide electrical connection between layers. The conductor layer 60 on the second main surface DP side of the core substrate 2 has the mounting pins 14 brazed with a brazing material 16 (including solder), and serves as a mounting pad for electrical connection with another mounting substrate or the like. It's being used. Further, as shown in the figure, a passive element such as a chip capacitor 18 may be mounted on the core substrate 2 with brazing materials 20 and 20. In the present embodiment, a single-sided wiring board in which a resin insulating layer and a conductor layer are laminated only on one side of the core substrate 2 is shown, but a resin insulating layer and a conductor layer can be laminated on both sides of the core substrate 2. .

第1ビルドアップ樹脂絶縁層7は、コア基板2の第1主表面CPを覆うように配置されており、セラミック誘電体層52に接する部分と、導体層63に接する部分とを持つ。さらにその第1ビルドアップ樹脂絶縁層7の主表面には、導体層8がCuメッキにより形成される。該導体層8と、コア基板2の導体層63とは、ビア34により層間接続がなされている。図1のビア34は、孔内がCuメッキで充填されたフィルドビアを示している。ただし、孔の内壁にのみCuメッキを施したコンフォーマルビアも採用できる。   The first buildup resin insulation layer 7 is disposed so as to cover the first main surface CP of the core substrate 2 and has a portion in contact with the ceramic dielectric layer 52 and a portion in contact with the conductor layer 63. Further, a conductor layer 8 is formed on the main surface of the first buildup resin insulation layer 7 by Cu plating. The conductor layer 8 and the conductor layer 63 of the core substrate 2 are connected to each other by a via 34. The via 34 in FIG. 1 shows a filled via in which the hole is filled with Cu plating. However, conformal vias in which Cu plating is applied only to the inner walls of the holes can also be employed.

導体層8の上には、さらに第2ビルドアップ樹脂絶縁層9が設けられている。この第2ビルドアップ樹脂絶縁層9は、第1ビルドアップ樹脂絶縁層7と同じ組成の樹脂組成物で構成できる。第2ビルドアップ樹脂絶縁層9の主表面には、さらにCuメッキによる導体層10が形成されている。この導体層10の一部または全部は、金属端子パッドとして利用されている。第2ビルドアップ樹脂絶縁層9の上下に配された導体層8と導体層10とは、第2ビルドアップ樹脂絶縁層9を上下に貫くフィルドビア34により層間接続がなされている。   A second buildup resin insulation layer 9 is further provided on the conductor layer 8. The second buildup resin insulation layer 9 can be composed of a resin composition having the same composition as the first buildup resin insulation layer 7. On the main surface of the second buildup resin insulation layer 9, a conductor layer 10 is further formed by Cu plating. Part or all of the conductor layer 10 is used as a metal terminal pad. The conductor layer 8 and the conductor layer 10 disposed above and below the second buildup resin insulation layer 9 are connected to each other by filled vias 34 penetrating the second buildup resin insulation layer 9 vertically.

また、第2ビルドアップ樹脂絶縁層9は、導体層10が露出するように開口が形成されたソルダーレジスト層SR1で被覆されている。ソルダーレジスト層SR1の開口から露出する導体層10には、Ni/Auメッキが施されるとともに、Sn−Pb共晶半田やSn−Ag、Sn−Cu、Sn−Ag−Cu、Sn−Sbなど実質的にPbを含有しない半田による半田バンプ11が設けられる。なお、同様のソルダーレジスト層SR2がコア基板2の第2主表面DP側に形成される。   The second buildup resin insulation layer 9 is covered with a solder resist layer SR1 having an opening so that the conductor layer 10 is exposed. The conductor layer 10 exposed from the opening of the solder resist layer SR1 is subjected to Ni / Au plating, Sn-Pb eutectic solder, Sn-Ag, Sn-Cu, Sn-Ag-Cu, Sn-Sb, etc. Solder bumps 11 made of solder substantially containing no Pb are provided. A similar solder resist layer SR2 is formed on the second main surface DP side of the core substrate 2.

ビルドアップ樹脂絶縁層7,9およびソルダーレジスト層SR1,SR2は、たとえば以下のようにして製造されたものである。すなわち、感光性樹脂組成物ワニスをフィルム化した感光性接着フィルムをラミネートし、ビア34に対応したパターンを有する透明マスク(たとえばガラスマスクである)を重ねて露光する。ビア34以外のフィルム部分は、この露光により硬化する一方、ビア34の部分は未硬化のまま残留するので、これを溶剤に溶かして除去すれば、所期のパターンにてビア34を簡単に形成することができる(いわゆるフォトビアプロセス)。なお、フォトビアプロセスの代わりにレーザで穿孔するレーザビアプロセスを採用することもできる。   Build-up resin insulation layers 7 and 9 and solder resist layers SR1 and SR2 are manufactured, for example, as follows. That is, a photosensitive adhesive film obtained by forming a photosensitive resin composition varnish into a film is laminated, and a transparent mask (for example, a glass mask) having a pattern corresponding to the via 34 is overlaid and exposed. The film portion other than the via 34 is cured by this exposure, while the via 34 portion remains uncured, so if it is removed by dissolving it in a solvent, the via 34 can be easily formed in the desired pattern. (So-called photovia process). Note that a laser via process of drilling with a laser may be employed instead of the photo via process.

ビルドアップ樹脂絶縁層7,9は、液晶ポリマー、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂およびフッ素系樹脂のグループから選択される1種の樹脂を主体とする樹脂組成物で構成される。こうした樹脂組成物は、基質となる樹脂に、必要に応じて硬化剤、安定剤などの添加剤、フィラーなどを配合したものである。フィラーには、シリカ粉末やガラス繊維等の無機フィラーを例示できる。フィラーの混入量に応じて、線膨張係数が変化する。ビルドアップ樹脂絶縁層7の線膨張係数がコア基板2に近い場合、該ビルドアップ樹脂絶縁層7は、優れた耐剥離性を備えることとなる。すなわち、半田バンプ11を介して実装される集積回路チップ等からの受熱と放熱とが繰り返されたときに、ビルドアップ樹脂絶縁層7とコア基板2との剥離が生じ難い。なお、上記した樹脂組成物は、感光性および熱硬化性のいずれも採用できる。また、予めフィルム化した樹脂組成物をコア基板2等にラミネートする手法と、液状の樹脂組成物をコア基板2等に塗布する手法との、いずれの手法も採用できる。   The build-up resin insulation layers 7 and 9 are made of a resin composition mainly composed of one kind of resin selected from the group consisting of a liquid crystal polymer, a polyimide resin, an epoxy resin, and a fluorine resin. Such a resin composition is obtained by blending a resin as a substrate with additives such as a curing agent and a stabilizer, a filler, and the like as necessary. Examples of the filler include inorganic fillers such as silica powder and glass fiber. The linear expansion coefficient changes according to the amount of filler mixed. When the linear expansion coefficient of the buildup resin insulation layer 7 is close to the core substrate 2, the buildup resin insulation layer 7 has excellent peeling resistance. That is, the build-up resin insulation layer 7 and the core substrate 2 are unlikely to peel off when heat reception and heat dissipation from an integrated circuit chip or the like mounted via the solder bumps 11 are repeated. In addition, both photosensitive and thermosetting can be employ | adopted for the above-mentioned resin composition. In addition, any of a technique of laminating a resin composition formed into a film on the core substrate 2 or the like and a technique of applying a liquid resin composition to the core substrate 2 or the like can be employed.

コア基板2を構成するセラミック誘電体層50〜52としては、アルミナ質セラミック、ムライト質セラミック、窒化アルミニウムセラミック、窒化珪素セラミック、炭化珪素セラミック、ガラスセラミック、低温焼成セラミック等、高周波領域においても誘電損失が小さい材質が本発明に好適に使用される。特に、誘電体基板表面の焼き上げ時の表面平滑性に優れる点において、ガラスとガラス以外のセラミックフィラーとの複合材料(以下、これをガラスセラミックという)や高純度アルミナ質セラミックを使用することが望ましい。   The dielectric layers 50 to 52 constituting the core substrate 2 include dielectric loss even in a high frequency region such as alumina ceramic, mullite ceramic, aluminum nitride ceramic, silicon nitride ceramic, silicon carbide ceramic, glass ceramic, low temperature fired ceramic, etc. Is preferably used in the present invention. In particular, it is desirable to use a composite material of glass and a ceramic filler other than glass (hereinafter referred to as glass ceramic) or a high-purity alumina ceramic in terms of excellent surface smoothness upon baking of the dielectric substrate surface. .

セラミック誘電体層50〜52は、−55℃以上125℃以下の温度範囲における線膨張係数が3ppm/℃以上20ppm/℃以下となるように構成されている。コア基板2の導体層60〜63は、セラミック誘電体層50〜52と同時焼成可能な金属で構成される。具体的には、高温での焼成が必要な場合には、W、Moなどの高融点金属が採用される。セラミック誘電体層50〜52が低温焼成セラミックで構成される場合には、Ag、Ag合金(たとえばAg−Pt、Ag−Pd)、Au、Ni、CuおよびCu合金などの良導性金属を採用できる。また、導体層63は、第1主表面CPの一部を覆う形で設けられた表面導体で構成される。同じく導体層60は、第2主表面DPの一部を覆う形で設けられた裏面導体で構成される。   The ceramic dielectric layers 50 to 52 are configured such that the linear expansion coefficient in the temperature range of −55 ° C. or more and 125 ° C. or less is 3 ppm / ° C. or more and 20 ppm / ° C. or less. The conductor layers 60 to 63 of the core substrate 2 are made of a metal that can be fired simultaneously with the ceramic dielectric layers 50 to 52. Specifically, when firing at a high temperature is required, a refractory metal such as W or Mo is employed. When the ceramic dielectric layers 50 to 52 are composed of a low-temperature fired ceramic, a highly conductive metal such as Ag, Ag alloy (eg, Ag—Pt, Ag—Pd), Au, Ni, Cu, and Cu alloy is employed. it can. The conductor layer 63 is formed of a surface conductor provided so as to cover a part of the first main surface CP. Similarly, the conductor layer 60 is composed of a back conductor provided so as to cover a part of the second main surface DP.

なお、図1に示すコア基板2の導体層60〜63は、一定の面積を有する面導体パターンを含むものを想定しているが、コア基板2に面導体パターンを作りこまないようにすることも可能である。つまり、コア基板2の内部の導体層61,62については、ビア導体4と厚さ方向において重なり合うビアパッドとしてのみ設けるか、あるいは全く省略することも可能である。その場合には、上下のビア導体4,4同士が直に接する配置とすることができる。   The conductor layers 60 to 63 of the core substrate 2 shown in FIG. 1 are assumed to include a surface conductor pattern having a certain area. However, the surface conductor pattern should not be formed on the core substrate 2. Is also possible. That is, the conductor layers 61 and 62 inside the core substrate 2 can be provided only as via pads that overlap the via conductor 4 in the thickness direction, or can be omitted at all. In that case, the upper and lower via conductors 4 and 4 can be arranged in direct contact with each other.

以下、配線基板1の製造工程について説明する。
まず、コア基板2を作製する。コア基板2はセラミックグリーンシートを用いて製造される。該セラミックグリーンシートは、公知のドクターブレード法により製造することができる。まず、誘電体セラミックからなる原料セラミック粉末(たとえば、ガラスセラミック粉末の場合、ホウケイ酸ガラス粉末と、アルミナ、BaTiO等のセラミックフィラー粉末との混合粉末:平均粒径は0.3μm以上1μm以下程度)に溶剤(アセトン、メチルエチルケトン、ジアセトン、メチルイソブチルケトン、ベンゼン、ブロムクロロメタン、エタノール、ブタノール、プロパノール、トルエン、キシレンなど)、結合剤(アクリル系樹脂(たとえば、ポリアクリル酸エステル、ポリメチルメタクリレート)、セルロースアセテートブチレート、ポリエチレン、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラールなど)、可塑剤(ブチルベンジルフタレート、ジブチルフタレート、ジメチルフタレート、フタル酸エステル、ポリエチレングリコール誘導体、トリクレゾールホスフェートなど)、解膠剤(脂肪酸(グリセリントリオレートなど)、界面活性剤(ベンゼンスルホン酸など)、湿潤剤(アルキルアリルポリエーテルアルコール、ポチエチレングリコールエチルエーテル、ニチルフェニルグリコール、ポリオキシエチレンエステルなど)などの添加剤を配合して混練し、スラリーを作る。このスラリーを、ドクターブレードを用いてPETなどのバックシート上に塗布し、適度に乾燥させることにより、セラミックグリーンシートを得る。
Hereinafter, the manufacturing process of the wiring board 1 will be described.
First, the core substrate 2 is produced. The core substrate 2 is manufactured using a ceramic green sheet. The ceramic green sheet can be produced by a known doctor blade method. First, raw material ceramic powder made of dielectric ceramic (for example, in the case of glass ceramic powder, mixed powder of borosilicate glass powder and ceramic filler powder such as alumina, BaTiO 3, etc .: average particle size is about 0.3 μm to 1 μm ) Solvent (acetone, methyl ethyl ketone, diacetone, methyl isobutyl ketone, benzene, bromochloromethane, ethanol, butanol, propanol, toluene, xylene, etc.), binder (acrylic resin (eg polyacrylic acid ester, polymethyl methacrylate)) , Cellulose acetate butyrate, polyethylene, polyvinyl alcohol, polyvinyl butyral, etc.), plasticizer (butyl benzyl phthalate, dibutyl phthalate, dimethyl phthalate, phthalate ester, polyethylene Glycol derivatives, tricresol phosphate, etc.), peptizers (fatty acids (glycerin triolates, etc.), surfactants (benzenesulfonic acid, etc.), wetting agents (alkyl allyl polyether alcohol, polyethylene glycol ethyl ether, nithyl phenyl glycol, A mixture of additives such as polyoxyethylene ester) is kneaded to form a slurry, which is applied onto a back sheet such as PET using a doctor blade and dried appropriately, thereby producing a ceramic green sheet. Get.

次に、ビア導体形成用のメタライズペースト(以下、ビア導体用ペーストという)を調製する。使用する金属粉末は、前述した良導性金属とすることができ、平均粒径が2μm以上20μm以下の範囲で調整されたものが好適である。この金属粉末に、ブチルカルビトール等の有機溶剤を、適度な粘度が得られるように配合・調製することによりビア導体用ペーストが得られる。   Next, a metallized paste for forming via conductors (hereinafter referred to as via conductor paste) is prepared. The metal powder to be used can be the above-described highly conductive metal, and those having an average particle diameter adjusted in the range of 2 μm to 20 μm are preferable. A via conductor paste can be obtained by blending and preparing an organic solvent such as butyl carbitol in the metal powder so as to obtain an appropriate viscosity.

次に、導体層60〜63の形成に使用するメタライズペースト(以下、導体層用ペーストという)を調製する。使用する金属粉末は、ビア導体用ペーストで用いたものと同種類、かつ平均粒径が0.1μm以上3μm以下と小さく調整されたものが好適である。この金属粉末に、平均粒径500nm以下(望ましくは100nm以下、さらに望ましくは50nm以下)の無機化合物粉末を0.5質量%以上30質量%以下の範囲にて配合し、さらに、エチルセルロース等の有機バインダと、ブチルカルビトール等の有機溶剤を、適度な粘度が得られるように配合・調製することにより導体層用ペーストが得られる。なお、上記の無機化合物粉末には、セラミックグリーンシートの原料セラミック粉末を使用してもよいし、酸化アルミニウム(Al)、二酸化珪素(SiO)および酸化チタン(TiO)の少なくとも1種からなる無機化合物粉末(平均粒径100nm以下、望ましくは50nm以下)を配合して使用してもよい。 Next, a metallized paste (hereinafter referred to as a conductor layer paste) used for forming the conductor layers 60 to 63 is prepared. The metal powder to be used is preferably the same type as that used in the via conductor paste and having an average particle size adjusted to be as small as 0.1 μm to 3 μm. To this metal powder, an inorganic compound powder having an average particle size of 500 nm or less (preferably 100 nm or less, more preferably 50 nm or less) is blended in the range of 0.5% by mass or more and 30% by mass or less. A conductor layer paste can be obtained by blending and preparing a binder and an organic solvent such as butyl carbitol so as to obtain an appropriate viscosity. The inorganic compound powder may be a ceramic green sheet raw material ceramic powder, or at least one of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), silicon dioxide (SiO 2 ), and titanium oxide (TiO 2 ). You may mix | blend and use the inorganic compound powder (average particle diameter of 100 nm or less, desirably 50 nm or less) which consists of seeds.

ここで、10ppm/℃以上に及ぶ高線膨張係数を持つセラミックの製造方法について、補足的な説明をする。まず、ビルドアップ樹脂絶縁層7に使用される樹脂として、先にいくつか列挙した。それらの樹脂は、フィラー添加によっても線膨張係数を調整できる範囲に制限がある。たとえば、液晶ポリマーやフッ素系樹脂は、低線膨張係数(たとえば10ppm/℃前後あるいはそれ以下)の実現が可能であるが、ポリイミド系樹脂やエポキシ系樹脂では、フィラーを相当量混入しても困難である。   Here, a supplementary description will be given of a method for producing a ceramic having a high linear expansion coefficient of 10 ppm / ° C. or more. First, some of the resins used for the buildup resin insulating layer 7 are listed above. These resins are limited in the range in which the linear expansion coefficient can be adjusted by addition of fillers. For example, liquid crystal polymers and fluororesins can achieve a low linear expansion coefficient (for example, around 10 ppm / ° C. or less), but it is difficult to mix a considerable amount of filler with polyimide resins and epoxy resins. It is.

従来のセラミック配線基板を構成するセラミック誘電体は、線膨張係数が10ppm/℃を下回るのが普通である。こうしたセラミック誘電体でコア基板2を構成した場合、コア基板2とビルドアップ樹脂絶縁層7との線膨張係数のマッチングを図るためには、10ppm/℃近傍ないしそれ以下の線膨張係数を実現可能な液晶ポリマーやフッ素系樹脂をビルドアップ材として採用すればよい。ところが、これらの樹脂はエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂に比して高価である。エポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂は使用実績が十分ある反面、低線膨張係数の実現が困難であるため、それらをビルドアップ材に使用するには、高線膨張係数を持つセラミックでコア基板2を構成することが必要になってくる。   The ceramic dielectric constituting the conventional ceramic wiring board usually has a linear expansion coefficient of less than 10 ppm / ° C. When the core substrate 2 is composed of such a ceramic dielectric, in order to match the linear expansion coefficient between the core substrate 2 and the buildup resin insulation layer 7, a linear expansion coefficient of about 10 ppm / ° C. or less can be realized. What is necessary is just to employ | adopt a liquid crystal polymer and fluorine resin as a buildup material. However, these resins are more expensive than epoxy resins and polyimide resins. Epoxy resins and polyimide resins have a good track record, but it is difficult to achieve low linear expansion coefficients. To use them as build-up materials, the core substrate 2 is made of ceramic with a high linear expansion coefficient. It will be necessary to configure.

低温焼成セラミックの線膨張係数は、具体的に次のような措置を講じることにより高めることができる。
(i)高熱膨張ガラス(たとえばBaO−SiO)または高熱膨張の結晶化ガラスに、高熱膨張のフィラー(たとえば石英、フォルステライト)を混合する。
(ii)高熱膨張のSiO(石英)をベースに、アルカリ土類金属の酸化物(BaO、SrO、CaOなど)と低融点の焼結助剤(B、アルカリ金属酸化物、Bi、Vなど)を混合し、仮焼成(たとえば800℃)と本焼成(950℃から1000℃)を行なう。
Specifically, the linear expansion coefficient of the low-temperature fired ceramic can be increased by taking the following measures.
(I) A high thermal expansion filler (for example, quartz, forsterite) is mixed with a high thermal expansion glass (for example, BaO—SiO 2 ) or a high thermal expansion crystallized glass.
(Ii) Based on high thermal expansion SiO 2 (quartz), alkaline earth metal oxides (BaO, SrO, CaO, etc.) and low melting point sintering aids (B 2 O 3 , alkali metal oxides, Bi 2 O 2 , V 2 O 5, etc.) are mixed, and pre-baking (for example, 800 ° C.) and main baking (950 to 1000 ° C.) are performed.

たとえば、線膨張係数が5ppm/℃〜8ppm/℃のガラスセラミックを得るには、SiOを25質量部、Bを3質量部、Alを3質量部、NaOを1質量部、PbOを16質量部、KOを1質量部、CaOを2質量部の組成を有するガラス粉末とアルミナフィラー50質量部とを混合したセラミック原料粉末を使用することができる。同様に、線膨張係数が8ppm/℃〜12ppm/℃のガラスセラミックを得るには、SiOを45質量部、Alを9質量部、SrOを8質量部、BaOを12質量部の組成を有するガラスセラミック原料粉末を使用することができる。また、VやCoOを加えることもできる。もちろん、これらの組成は一例であり、組成を適宜調整することで、所望の線膨張係数が得られる。 For example, to obtain a glass ceramic having a linear expansion coefficient of 5 ppm / ° C. to 8 ppm / ° C., 25 parts by mass of SiO 2 , 3 parts by mass of B 2 O 3 , 3 parts by mass of Al 2 O 3 , and Na 2 O A ceramic raw material powder obtained by mixing glass powder having a composition of 1 part by mass, 16 parts by mass of PbO, 1 part by mass of K 2 O, and 2 parts by mass of CaO and 50 parts by mass of alumina filler can be used. Similarly, to obtain a glass ceramic having a linear expansion coefficient of 8 ppm / ° C. to 12 ppm / ° C., 45 parts by mass of SiO 2 , 9 parts by mass of Al 2 O 3 , 8 parts by mass of SrO, and 12 parts by mass of BaO A glass ceramic raw material powder having a composition can be used. V 2 O 5 and CoO can also be added. Of course, these compositions are examples, and a desired linear expansion coefficient can be obtained by appropriately adjusting the composition.

上記(i)(ii)の方法によって組成等を調整することにより、線膨張係数が3ppm/℃以上20ppm/℃以下に調整された種々の低温焼成セラミックを作製でき、本発明の配線基板1に好適に採用できる。なお、コア基板2の第1主表面CPは、シランカップリング剤またはチタネート系カップリング剤を用いて表面処理を施すことが、ビルドアップ樹脂絶縁層7とコア基板2との密着性向上の観点から望ましい。   Various low-temperature fired ceramics having a linear expansion coefficient adjusted to 3 ppm / ° C. or more and 20 ppm / ° C. or less can be produced by adjusting the composition and the like by the method (i) and (ii) above. It can be suitably employed. The first main surface CP of the core substrate 2 is subjected to a surface treatment using a silane coupling agent or a titanate coupling agent in order to improve the adhesion between the build-up resin insulating layer 7 and the core substrate 2. Desirable from.

上記のようにしてコア基板2を作製したのち、公知のビルドアップ法により、板状コア2の第1主表面CP側に、ビルドアップ配線積層部3を形成する。図1の実施形態では、ビルドアップ配線積層部3を樹脂絶縁層7,9と導体層8,10の2層積層構造としているが、1層または3層以上の積層構造を採用することも可能である。ビルドアップ配線積層部3の形成終了後、ソルダーレジスト層SR1,SR2の形成と、半田バンプ11の形成とを順次行なうことにより、図1の配線基板1が得られる。   After producing the core substrate 2 as described above, the build-up wiring laminated portion 3 is formed on the first main surface CP side of the plate-like core 2 by a known build-up method. In the embodiment of FIG. 1, the build-up wiring laminated portion 3 has a two-layer laminated structure of the resin insulating layers 7 and 9 and the conductor layers 8 and 10, but it is also possible to adopt a laminated structure of one layer or three or more layers. It is. 1 is obtained by sequentially forming the solder resist layers SR1 and SR2 and forming the solder bumps 11 after the formation of the build-up wiring laminated portion 3 is completed.

なお、セラミック誘電体層50,51,52の線膨張係数αと、ビルドアップ樹脂絶縁層7,9の線膨張係数βとの大小関係は、(1)α>βの場合、(2)α<βの場合、のいずれも考え得る。ただし、高線膨張係数のセラミックの生産が比較的困難なことを理由として、(2)のケースが好ましいといえる。なお、α=βの場合も、当然考えられる。   The magnitude relationship between the linear expansion coefficient α of the ceramic dielectric layers 50, 51, 52 and the linear expansion coefficient β of the build-up resin insulation layers 7, 9 is as follows: (1) α> β, (2) α Any of <β is conceivable. However, it can be said that the case (2) is preferable because it is relatively difficult to produce a ceramic having a high linear expansion coefficient. Of course, the case of α = β is also conceivable.

コア基板2上に形成したビルドアップ樹脂絶縁層7の耐剥離性を調べるため、以下の試験を行なった。まず、焼成品の線膨張係数が3ppm/℃から20ppm/℃の範囲となるように、原料粉末の配合比を調整した複数種類のセラミック原料粉末に、バインダ(アクリル樹脂)、可塑剤(ジブチルフタレート(DBP))および溶剤(トルエン)を添加し、混練してスラリーを調合した。各スラリーをドクターブレード法により、焼成後の厚さが100μmとなるようにセラミックグリーンシートを作製した。このグリーンシートを所定形状に打ち抜いたシート片を同種の同士8枚づつ熱圧着により積層し、950℃で焼成した。こうして作製された焼成品を切断し、35mm×35mm×800μmに成形されたいくつかの種類のセラミック板状体を得た。   In order to examine the peel resistance of the buildup resin insulation layer 7 formed on the core substrate 2, the following test was performed. First, a binder (acrylic resin) and a plasticizer (dibutyl phthalate) are added to a plurality of types of ceramic raw material powders, in which the mixing ratio of the raw material powders is adjusted so that the linear expansion coefficient of the fired product is in the range of 3 ppm / ° C. to 20 ppm / ° C. (DBP)) and a solvent (toluene) were added and kneaded to prepare a slurry. Ceramic green sheets were prepared by a doctor blade method so that the thickness after firing of each slurry was 100 μm. Sheet pieces obtained by punching the green sheets into a predetermined shape were laminated by thermocompression bonding of 8 pieces of the same kind, and fired at 950 ° C. The fired product thus produced was cut to obtain several types of ceramic plate-like bodies molded to 35 mm × 35 mm × 800 μm.

次に、これらセラミック板状体に、厚さ45μmのフィルム状に成形した、いくつかの種類のビルドアップ材を貼着することにより、セラミック板状体および/またはビルドアップ材の線膨張係数が相違する複数種類の試験品(No.1〜No.25)を得た。各試験品は、10ピースを1単位として準備した。ビルドアップ材は、線膨張係数10ppm/℃未満とするものについては液晶ポリマー(クラレ社製)、線膨張係数10ppm/℃以上30ppm/℃以下とするものについてはビスフェノールA型エポキシ樹脂(油化シェル社製)を使用した。また、線膨張係数を調整するためのフィラーには、シリカフィラー(龍森社製)を使用した。   Next, by sticking several types of build-up materials formed into a film having a thickness of 45 μm to these ceramic plates, the linear expansion coefficient of the ceramic plates and / or build-up materials is increased. Different types of test products (No. 1 to No. 25) were obtained. Each test article was prepared with 10 pieces as one unit. The build-up material is a liquid crystal polymer (made by Kuraray Co., Ltd.) for those having a linear expansion coefficient of less than 10 ppm / ° C., and a bisphenol A type epoxy resin (oiled shell) for those having a linear expansion coefficient of 10 ppm / ° C. to 30 ppm / ° C. Used). A silica filler (manufactured by Tatsumori Co., Ltd.) was used as a filler for adjusting the linear expansion coefficient.

なお、セラミック板状体およびビルドアップ材の線膨張係数は、示差膨張式熱機械分析装置(株式会社リガク社製、型式「TMA8140C」)を用い、−55℃から125℃まで昇温条件にて測定した。ビルドアップ材の線膨張係数は、硬化させた後のシート面内方向の値である。   In addition, the linear expansion coefficient of the ceramic plate-like body and the build-up material was measured under a temperature rising condition from −55 ° C. to 125 ° C. using a differential expansion thermomechanical analyzer (manufactured by Rigaku Corporation, model “TMA8140C”). It was measured. The linear expansion coefficient of the build-up material is a value in the in-sheet direction after being cured.

上記のごとく作製した各試験品について、熱衝撃試験を行なった。具体的には、−55℃×1分→昇温→125℃×1分→降温を1サイクルとして、500サイクルの冷熱サイクルを全試験品にかけた。その後、目視にて剥離の有無を確認し、各試験品の良否判定を行なった。良否判定の基準は、剥離が発生したものが10ピース中半数以上の試験品を(×)、剥離が発生したものが10ピース中2以上5未満の試験品を(△)、剥離が発生したものが10ピース中1以下の試験品を(○)とした。結果を表1に示す。   A thermal shock test was performed on each test product prepared as described above. Specifically, 500 cycles of cooling / heating cycles were applied to all the test products, with -55 ° C. × 1 minute → temperature increase → 125 ° C. × 1 minute → temperature decrease as one cycle. Then, the presence or absence of peeling was confirmed visually and the quality of each test product was determined. The criteria for pass / fail judgment were that the test product with peeling occurred in half or more of 10 pieces (×), the test product with peeling was 2 or more in 5 pieces and less than 5 (△), and peeling occurred. A test product having 1 or less of 10 pieces was defined as (◯). The results are shown in Table 1.

Figure 2005191307
Figure 2005191307

ここで、横軸にビルドアップ材の線膨張係数(CTE)、縦軸にセラミックの線膨張係数を取り、表1をプロットしたのが図2の散布図である。この散布図について、本発明者らが鋭意検討したところ、ある範囲に良品が集中していることを発見した。すなわち、図2の散布図に示す実線および破線で囲われる領域内の試験品は、領域外の試験品に比して、極めて高い良品率を示した。そして、図2中に示す2本の実線の傾きを、セラミック板状体の線膨張係数をα、ビルドアップ材の線膨張係数をβとして求めたところ、それぞれ0.5と1.5であった。   Here, the horizontal axis represents the linear expansion coefficient (CTE) of the build-up material, the vertical axis represents the linear expansion coefficient of the ceramic, and Table 1 is plotted in the scatter diagram of FIG. As a result of intensive studies by the present inventors on this scatter diagram, it has been found that non-defective products are concentrated in a certain range. That is, the test product in the region surrounded by the solid line and the broken line shown in the scatter diagram of FIG. 2 showed a very high yield rate compared to the test product outside the region. Then, the slopes of the two solid lines shown in FIG. 2 were determined with the coefficient of linear expansion of the ceramic plate-like body as α and the coefficient of linear expansion of the build-up material as β, which were 0.5 and 1.5, respectively. It was.

以上の結果より、図1に示すごとく、コア基板2の線膨張係数αと、該セラミック誘電体層52に接するビルドアップ樹脂絶縁層7の線膨張係数βとが、少なくとも0.5≦β/α≦1.5を満足するように製造された配線基板1であれば、ビルドアップ樹脂絶縁層7は優れた耐剥離性を示すといえる。   From the above results, as shown in FIG. 1, the linear expansion coefficient α of the core substrate 2 and the linear expansion coefficient β of the build-up resin insulating layer 7 in contact with the ceramic dielectric layer 52 are at least 0.5 ≦ β / If the wiring board 1 is manufactured so as to satisfy α ≦ 1.5, it can be said that the build-up resin insulation layer 7 exhibits excellent peeling resistance.

本発明にかかる配線基板の断面模式図。The cross-sectional schematic diagram of the wiring board concerning this invention. 表1をプロットした散布図。A scatter diagram in which Table 1 is plotted.

符号の説明Explanation of symbols

1 配線基板
2 コア基板
7,9 ビルドアップ樹脂絶縁層
8,10 導体層
1 Wiring board 2 Core board 7, 9 Build-up resin insulation layer 8, 10 Conductor layer

Claims (5)

コア基板上に樹脂絶縁層と導体層とを積層した配線基板において、前記コア基板がセラミックを主体として構成され、−55℃以上125℃以下の温度範囲で、前記コア基板の線膨張係数αが3ppm/℃以上20ppm/℃以下、前記コア基板に隣接する前記樹脂絶縁層の線膨張係数βが5ppm/℃以上30ppm/℃以下であり、かつ0.5≦β/α≦1.5を満足することを特徴とする配線基板。   In a wiring board in which a resin insulating layer and a conductor layer are laminated on a core substrate, the core substrate is mainly composed of ceramic, and a linear expansion coefficient α of the core substrate is in a temperature range of −55 ° C. or more and 125 ° C. or less. 3 ppm / ° C. to 20 ppm / ° C., the coefficient of linear expansion β of the resin insulating layer adjacent to the core substrate is 5 ppm / ° C. to 30 ppm / ° C., and satisfies 0.5 ≦ β / α ≦ 1.5 A wiring board characterized by: 前記コア基板は、第1主表面上の一部を覆う表面導体と、第2主表面の一部を覆う裏面導体と、それら表面導体と裏面導体の両者を導通するビア導体とを有し、それら表面導体、裏面導体およびビア導体がCu、Cu合金、Au、Ni、AgおよびAg合金からなる良導性金属群より選択される1種の金属により構成され、前記セラミックが低温焼成セラミックで構成されている請求項1記載の配線基板。   The core substrate has a surface conductor that covers a part on the first main surface, a back conductor that covers a part of the second main surface, and a via conductor that conducts both the surface conductor and the back conductor, These surface conductors, back conductors and via conductors are composed of one kind of metal selected from the group of highly conductive metals consisting of Cu, Cu alloy, Au, Ni, Ag and Ag alloy, and the ceramic is composed of a low-temperature fired ceramic. The wiring board according to claim 1. 前記樹脂絶縁層が無機フィラーを混入したエポキシ系樹脂またはポリイミド系樹脂を主体として構成されるとともに、その線膨張係数βが5ppm/℃以上30ppm/℃以下の範囲内に調整されている請求項1または2記載の配線基板。   2. The resin insulation layer is mainly composed of an epoxy resin or a polyimide resin mixed with an inorganic filler, and its linear expansion coefficient β is adjusted within a range of 5 ppm / ° C. to 30 ppm / ° C. Or the wiring board of 2. 前記樹脂絶縁層が液晶ポリマーを主体として構成されるとともに、その線膨張係数βが5ppm/℃以上10ppm/℃以下の範囲内に調整されている請求項1または2記載の配線基板。   3. The wiring board according to claim 1, wherein the resin insulating layer is mainly composed of a liquid crystal polymer, and has a linear expansion coefficient β adjusted within a range of 5 ppm / ° C. to 10 ppm / ° C. 前記樹脂絶縁層がフッ素系樹脂を主体として構成されるとともに、その線膨張係数βが10ppm/℃以上20ppm/℃以下の範囲内に調整されている請求項1または2記載の配線基板。
3. The wiring board according to claim 1, wherein the resin insulating layer is mainly composed of a fluorine-based resin, and the linear expansion coefficient β thereof is adjusted within a range of 10 ppm / ° C. or more and 20 ppm / ° C. or less.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2015126182A (en) * 2013-12-27 2015-07-06 エルナー株式会社 Printed wiring board
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