JP2005179099A - Heater device for producing single crystal semiconductor - Google Patents
Heater device for producing single crystal semiconductor Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005179099A JP2005179099A JP2003419694A JP2003419694A JP2005179099A JP 2005179099 A JP2005179099 A JP 2005179099A JP 2003419694 A JP2003419694 A JP 2003419694A JP 2003419694 A JP2003419694 A JP 2003419694A JP 2005179099 A JP2005179099 A JP 2005179099A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heater
- electrode
- base
- heaters
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 18
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 32
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 8
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Resistance Heating (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Description
本発明は、単結晶シリコンなどの単結晶半導体を製造するために用いられるヒータ装置に関するものである。 The present invention relates to a heater device used for manufacturing a single crystal semiconductor such as single crystal silicon.
図13は従来の単結晶引上げ装置1の構成の一例を示している。
FIG. 13 shows an example of the configuration of a conventional single
単結晶引上げ用容器2つまりCZ炉2内には石英るつぼ3が設けられている。この石英るつぼ3内で多結晶シリコン(Si)が加熱され溶融される。溶融が安定化すると、引上げ機構4によって石英るつぼ3内のシリコン融液5から単結晶シリコン6が、CZ法によって引き上げられる。引上げの際、石英るつぼ3は回転軸9によって回転する。
A
単結晶引上げのプロセス(1バッチ)の間で、容器2内には種々の蒸発物が発生する。そこで単結晶引上げ用容器2にアルゴン(Ar)ガスを供給して容器2外に蒸発物とともに排気して容器2内から蒸発物を除去しクリーンにしている。アルゴンガスの供給流量は1バッチ中の各工程ごとに設定する。
Various evaporates are generated in the
また石英るつぼ3の上方にあって、単結晶シリコン6の周囲には、単結晶引上げ容器2内のガスを整流して融液5の表面5aに導くとともに、単結晶シリコン6を熱源から遮蔽する熱遮蔽板8a(ガス整流筒)が設けられている。熱遮蔽板8aの下端と融液表面5aとの間隙の距離は適宜設定する。
Further, above the
引上げ成長した単結晶シリコン6中には、酸素が固溶している。酸素は石英るつぼ3からシリコン融液5中に溶け込み、単結晶シリコン6の引上げ時に単結晶シリコン6中に取り込まれる。単結晶シリコン6中の酸素濃度は、素子、デバイスの特性に重大な影響を与えるとともに、素子、デバイスの製造工程において、その歩留まりに重大な影響を与える。
In the
また単結晶シリコンの成長の過程でグローイン欠陥と呼ばれる結晶欠陥が発生する。グローイン欠陥の発生挙動は成長条件V/G(V:成長速度、G:単結晶シリコンの融点近傍での軸方向温度勾配)によって変化することが知られている。 Crystal defects called glow-in defects occur during the growth of single crystal silicon. It is known that the growth behavior of glow-in defects changes depending on the growth condition V / G (V: growth rate, G: axial temperature gradient near the melting point of single crystal silicon).
石英るつぼ3の側面には、円環状のヒータ10が設けられている。ヒータ10が発熱することにより、石英るつぼ3内の融液5が加熱される。ヒータ10の発熱量は、上記単結晶シリコン6中の酸素濃度および結晶欠陥の発生挙動に影響を与える。
An
しかし単一のヒータ10を用いて、要求される酸素濃度および結晶欠陥の発生挙動をそれぞれ独立して制御するには、限界がある。すなわち結晶欠陥の数を少なくしようとすると熱遮蔽板8aの断熱性能を良くして結晶6の軸方向の温度勾配Gを大きくする必要があるが、そうすると石英るつぼ3の温度をも上昇させることになり酸素濃度の高い結晶しか製造できない。
However, there is a limit in independently controlling the required oxygen concentration and the generation behavior of crystal defects using a
逆に、酸素濃度の低い結晶を製造しようとすると、熱遮蔽板8aからの放熱を良くする必要があり結晶への熱の拡散が大きくなってしまい結晶欠陥の大きな徐冷タイプの結晶しか製造できない。 Conversely, when trying to manufacture a crystal with a low oxygen concentration, it is necessary to improve the heat dissipation from the heat shielding plate 8a, and the diffusion of heat to the crystal increases, so that only a slow-cooled type crystal with large crystal defects can be manufactured. .
複数のヒータからなるヒータ装置に関して以下に示す従来技術がある。 There is a conventional technique described below regarding a heater device including a plurality of heaters.
(従来技術1)
下記特許文献1には、石英るつぼ3の側面の上下2段にそれぞれヒータが設けられたヒータ装置が開示されている。
(Prior art 1)
The following
(従来技術2)
下記特許文献2には、石英るつぼ3の側面と底面それぞれにヒータが設けられたヒータ装置が開示されている。
本出願人は、石英るつぼ3の側面の上下2段にヒータを設けるとともに、更にそれよりも下段の石英るつぼ3の底面にヒータを設けた、3段のヒータからなるヒータ装置に関する発明を、特許出願している。このようにヒータを3段設けて、各ヒータの発熱量を制御することにより、単結晶シリコン6中の酸素濃度と結晶欠陥を独立して制御することが可能となる。
The present applicant has patented an invention relating to a heater device comprising a three-stage heater in which heaters are provided on the upper and lower two stages of the side surface of the
図8は、図13に対応させて、ヒータ10の上面からみた各電極の配置関係を示している。
FIG. 8 shows the positional relationship of the electrodes as viewed from the upper surface of the
単一のヒータ10はヒータ側プラス電極11とヒータ側マイナス電極12とがヒータ10の直径方向に対向して設けられている。石英るつぼ3の下方のベース40にはベース側プラス電極41とベース側マイナス電極44とが設けられている。そしてヒータ側プラス電極11とベース側プラス電極41とが電気的に接続されるとともにヒータ側マイナス電極12とベース側マイナス電極44とが電気的に接続されている。ベース側プラス電極41は電源に電気的に接続されており、ベース側マイナス電極44は接地している。電源の電圧がベース側プラス電極41を介してヒータ側プラス電極11に印加されることによってヒータ10に電流が流れ発熱する。
In the
ここで単一のヒータ10からなるヒータ装置を、3段のヒータからなるヒータ装置に変更するには、電極の数を増やさなければならない。ここで、複数のヒータからなるヒータ装置を実現するに際して、電極の数を極力少なくして部品点数を減らしコストを低減させることが要請されている。
Here, in order to change the heater device composed of a
本発明はこうした実状に鑑みてなされたものであり、複数のヒータからなるヒータ装置を実現するに際して、電極の数を極力少なくして部品点数を減らしコストを低減させることを、第1の解決課題とするものである。 The present invention has been made in view of such a situation, and in realizing a heater device composed of a plurality of heaters, the first problem to be solved is to reduce the number of parts and reduce the cost by reducing the number of electrodes as much as possible. It is what.
図6(a)はヒータ10を斜視図にて示している。ヒータ側プラス電極11とヒータ側マイナス電極12は、ヒータ10を下方で支持する脚部として機能する。ヒータ側プラス電極11とヒータ側マイナス電極12は、ヒータ10の直径方向に対向して設けられているため、ヒータ10は機械的に安定して支持されることになる。
FIG. 6A shows the
図6(b)はヒータ10に流れる電流経路を示している。ヒータ10は円環状に形成されているため、ヒータ側プラス電極11とヒータ側マイナス電極12との間の電流経路は、ヒータ10の半円周長さの2つの経路に分岐されている。各電流経路における抵抗R0は同じで通電される電流i0も同じである。このためヒータ10の周方向における温度分布は均一なものとなる。
FIG. 6B shows a current path flowing through the
これに対して図7(a)に示すように、ヒータ側プラス電極11とヒータ側マイナス電極12とがヒータ10の直径方向に対向して設けられていない場合には、ヒータ側プラス電極11とヒータ側マイナス電極12が、ヒータ10を片持ちで支持することになり、機械的に不安定な支持構造となる。
On the other hand, as shown in FIG. 7A, when the heater side
この場合の各電流経路は、図7(b)に示すように、周方向で長さが異なるものとなり、一方の電流経路では抵抗rが小さくなり大きな電流Iが流れることになり、他方の電流経路経路では抵抗Rが大きくなり小さな電流iが流れることにになる(I>>i)。このためヒータ10の周方向における温度分布がバラツキ、石英るつぼ3内の融液5の温度分布に影響を与える。
Each current path in this case has a different length in the circumferential direction, as shown in FIG. 7B. In one current path, the resistance r decreases and a large current I flows, and the other current In the path, the resistance R increases and a small current i flows (I >> i). Therefore, the temperature distribution in the circumferential direction of the
本発明は、第1の解決課題を達成しつつも、図6(a)に示すヒータの構造を維持して、ヒータを安定して支持できるようにし、ヒータの温度分布を均一にすることを、第2の解決課題とするものである。 The present invention achieves the first problem and maintains the heater structure shown in FIG. 6A so that the heater can be stably supported, and the heater temperature distribution is made uniform. This is a second problem to be solved.
第1発明は、第1の解決課題を達成するために、
るつぼの上下方向に沿って、円環状のヒータが複数段備えられ、各ヒータにはそれぞれ極性の異なる一対のヒータ側電極が設けられ、るつぼの下方のベースには極性の異なる一対のベース側電極が設けられ、極性を同じくするヒータ側電極とベース側電極とが電気的に接続されている単結晶半導体製造用ヒータ装置において、
ベースには、全ヒータに共通する1個の一方の極性のベース側電極が設けられ、
前記共通のベース側電極が、この共通のベース側電極と極性を同じくする全ヒータの複数個のヒータ側電極に電気的に接続されていること
を特徴とする。
In order to achieve the first solution, the first invention provides:
A plurality of annular heaters are provided along the vertical direction of the crucible, each heater is provided with a pair of heater-side electrodes having different polarities, and a pair of base-side electrodes having different polarities is provided at the base below the crucible. In the heater device for manufacturing a single crystal semiconductor, wherein the heater side electrode and the base side electrode having the same polarity are electrically connected,
The base is provided with a base electrode of one polarity common to all heaters,
The common base side electrode is electrically connected to a plurality of heater side electrodes of all heaters having the same polarity as the common base side electrode.
第1発明によれば、図1に示すように、ベース40には、全ヒータ10、20、30に共通する1個のベース側マイナス電極44が設けられ、この共通のベース側マイナス電極44が、全ヒータ10、20、30の複数個のヒータ側マイナス電極12、22、32に電気的に接続される。
According to the first invention, as shown in FIG. 1, the
第1発明によれば、図9(a)または図9(b)に示すように、ベース40側のマイナス電極44を、各ヒータ10、20、30に共通に設けるようにしたので、図9(c)に示すようにベース40側のマイナス電極42、46、44を、各ヒータ10、20、30毎に設けた場合と比較して電極の数を減らすことができる。このため複数のヒータ10、20、30からなるヒータ装置を実現するに際して、電極の数が少なくなり部品点数が減りコストが低減する。
According to the first invention, as shown in FIG. 9 (a) or FIG. 9 (b), the
第2発明は、第1発明において、
ヒータにはそれぞれヒータ側プラス電極とヒータ側マイナス電極とが当該ヒータの直径方向に対向して設けられ、
前記共通のベース側電極が、ヒータの周方向に延在された形状に形成されていること
を特徴とする。
The second invention is the first invention,
Each heater has a heater-side plus electrode and a heater-side minus electrode facing each other in the diameter direction of the heater,
The common base side electrode is formed in a shape extending in a circumferential direction of the heater.
第2発明によれば、図9(a)に示すように、ヒータ10、20、30にはそれぞれヒータ側プラス電極11、21、31とヒータ側マイナス電極12、22、32とが当該ヒータ10、20、30の直径方向に対向して設けられ、共通のベース側マイナス電極53が、ヒータ10、20、30の周方向に延在された形状とされる。各ヒータ10、20、30を図6(a)に示す構造にできるため、ヒータ10、20、30が安定して支持され、ヒータ10、20、30の温度分布が均一となる。
According to the second aspect of the invention, as shown in FIG. 9A, the
第3発明は、第2の解決課題を達成するために、
るつぼの上下方向に沿って、円環状のヒータが複数段備えられ、各ヒータにはそれぞれ極性の異なる一対のヒータ側電極が設けられ、るつぼの下方のベースには極性の異なる一対のベース側電極が設けられ、極性を同じくするヒータ側電極とベース側電極とが電気的に接続されている単結晶半導体製造用ヒータ装置において、
ヒータにはそれぞれヒータ側プラス電極とヒータ側マイナス電極とが当該ヒータの直径方向に対向して設けられ、
ベースには、全ヒータに共通する1個の一方の極性のベース側電極が設けられ、
ヒータの周方向に延在されて、前記共通のベース側電極と極性を同じくする電極用延長部材が設けられ、
この電極用延長部材が前記共通のベース側電極に電気的に接続されるとともに、この共通のベース側電極と極性を同じくする全ヒータの複数個のヒータ側電極に電気的に接続されていること
を特徴とする。
In order to achieve the second solution, the third invention provides
A plurality of annular heaters are provided along the vertical direction of the crucible, each heater is provided with a pair of heater-side electrodes having different polarities, and a pair of base-side electrodes having different polarities is provided at the base below the crucible. In the heater device for manufacturing a single crystal semiconductor, wherein the heater side electrode and the base side electrode having the same polarity are electrically connected,
Each heater has a heater-side plus electrode and a heater-side minus electrode facing each other in the diameter direction of the heater,
The base is provided with a base electrode of one polarity common to all heaters,
An electrode extension member is provided that extends in the circumferential direction of the heater and has the same polarity as the common base-side electrode,
The electrode extension member is electrically connected to the common base side electrode and is electrically connected to a plurality of heater side electrodes of all heaters having the same polarity as the common base side electrode. It is characterized by.
第4発明は、第2の解決課題を達成するために、
るつぼの上下方向に沿って、円環状のヒータが3段備えられ、これら3段の各ヒータにはそれぞれ極性の異なる一対のヒータ側電極が設けられ、るつぼの下方のベースには極性の異なる一対のベース側電極が設けられ、
極性を同じくするヒータ側電極とベース側電極とが電気的に接続されている単結晶半導体製造用ヒータ装置において、
前記3段の各ヒータにはそれぞれヒータ側プラス電極とヒータ側マイナス電極とが当該ヒータの直径方向に対向して設けられ、
ベースには、極性を同じくする各ヒータのヒータ側電極に対応して、当該ヒータ側電極と同一極性の3個のベース側電極と、これら3個のベース側電極と異なる極性であって、全ヒータに共通する1個のベース側電極とが、ヒータの周方向に沿って略均等間隔に設けられ、
ヒータの周方向に延在されて、前記共通のベース側電極と極性を同じくする第1の電極用延長部材と、前記共通のベース側電極と極性の異なる少なくとも2個の第2の電極用延長部材とが設けられ、
前記第1の電極用延長部材が前記共通のベース側電極に電気的に接続されるとともに、極性を同じくする全ヒータの複数個のヒータ側電極に電気的に接続され、
少なくとも2個の第2の電極用延長部材が、極性を同じくする少なくとも2個のベース側電極に電気的にそれぞれ接続されるとともに、少なくとも2個のヒータ側電極にそれぞれ電気的に接続されていること
を特徴とする。
In order to achieve the second solution, the fourth invention provides
Three annular heaters are provided along the vertical direction of the crucible. Each of the three heaters is provided with a pair of heater-side electrodes having different polarities, and a pair of different polarities is provided on the base below the crucible. Base side electrodes are provided,
In the heater device for manufacturing a single crystal semiconductor in which the heater side electrode and the base side electrode having the same polarity are electrically connected,
Each of the three-stage heaters is provided with a heater-side plus electrode and a heater-side minus electrode facing each other in the diameter direction of the heater,
The base has three base-side electrodes having the same polarity as the heater-side electrode, and different polarities from the three base-side electrodes, corresponding to the heater-side electrodes of the heaters having the same polarity. One base side electrode common to the heater is provided at substantially equal intervals along the circumferential direction of the heater,
A first electrode extension member extending in a circumferential direction of the heater and having the same polarity as the common base side electrode; and at least two second electrode extensions having a polarity different from the common base side electrode. Members are provided,
The first electrode extension member is electrically connected to the common base side electrode, and is electrically connected to a plurality of heater side electrodes of all heaters having the same polarity,
At least two second electrode extension members are electrically connected to at least two base-side electrodes having the same polarity, and are electrically connected to at least two heater-side electrodes, respectively. It is characterized by this.
第3発明、第4発明によれば、図1に示すように、第1発明と同様に、ベース40には、全ヒータ10、20、30に共通する1個のベース側マイナス電極44が設けられ、この共通のベース側マイナス電極44が、全ヒータ10、20、30の複数個のヒータ側マイナス電極12、22、32に電気的に接続される。第3発明、第4発明によれば、図3(あるいは図9(a))に示すように、ベース40側のマイナス電極44を、各ヒータ10、20、30に共通に設けるようにしたので、図9(c)に示すようにベース40側のマイナス電極42、46、44を、各ヒータ10、20、30毎に設けた場合と比較して電極の数を減らすことができる。このため第1発明と同様に、複数のヒータ10、20、30からなるヒータ装置を実現するに際して、電極の数が少なくなり部品点数が減りコストが低減する。
According to the third and fourth inventions, as shown in FIG. 1, the
更に第3発明、第4発明によれば、図3(あるいは図9(a))に示すように、ヒータ10、20、30にはそれぞれヒータ側プラス電極11、21、31とヒータ側マイナス電極12、22、32とが当該ヒータ10、20、30の直径方向に対向して設けられ、ベース40の共通のベース側マイナス電極44がマイナス電極用延長部材53を介して、各ヒータ10、20、30のヒータ側マイナス電極12、22、32に電気的に接続される。各ヒータ10、20、30を図6(a)に示す構造にできるため、ヒータ10、20、30が安定して支持され、ヒータ10、20、30の温度分布が均一となる。
Further, according to the third and fourth inventions, as shown in FIG. 3 (or FIG. 9 (a)), the
さらに第4発明では、図3(あるいは図9(a))に示すように、ベース40には、3個のベース側プラス電極41、42、43、共通のベース側マイナス電極44が、ヒータ10、20、30の周方向に沿って略均等間隔に設けられる。そして、少なくとも2個のプラス電極用延長部材51、52が設けられ、これら少なくとも2個のプラス電極用延長部材51、52が、少なくとも2個のベース側プラス電極41、42に電気的にそれぞれ接続されるとともに、少なくとも2個のヒータ側プラス電極11、21にそれぞれ電気的に接続される。このため電極41、42、43、44が周方向に等間隔で配置されている既存のベース40に大幅な改造を加えることなく、そのまま利用して複数のヒータからなるヒータ装置を構築することが可能となる。
Furthermore, in the fourth invention, as shown in FIG. 3 (or FIG. 9A), the
第5発明は、
第3発明の電極用延長部材または第4発明の第1の電極用延長部材は、複数のヒータを支持するとともに、これら複数のヒータの荷重の重心位置で、前記共通のベース側電極によって支持されていること
を特徴とする。
The fifth invention
The electrode extension member of the third invention or the first electrode extension member of the fourth invention supports a plurality of heaters and is supported by the common base side electrode at the center of gravity of the load of the plurality of heaters. It is characterized by
第5発明によれば、図12に示すように、マイナス電極用延長部材53は、複数のヒータ10、20、30を支持するとともに、これら複数のヒータ10、20、30の荷重の重心位置で、共通のベース側マイナス電極44によって支持されている。マイナス電極用延長部材53には、複数のヒータ側プラス電極12、22、32(各ヒータ10、20、30の脚部)を介して各ヒータ10、20、30の荷重が下向きに作用している。マイナス電極用延長部材53は、これら各ヒータ10、20、30の荷重の重心位置で、共通のベース側マイナス電極44によって支持されたため、ヒータ10、20、30を機械的に安定して支持することができる。
According to the fifth aspect of the present invention, as shown in FIG. 12, the negative
第6発明は、第1発明または第3発明または第4発明において、
上段のヒータの電極は、下段のヒータの内側に位置されていること
を特徴とする。
The sixth invention is the first invention, the third invention or the fourth invention,
The upper heater electrode is located inside the lower heater.
なお第1発明〜第6発明における共通のベース側の電極の極性は、マイナスにしてもよく、プラスにしてもよい。 Note that the polarity of the common base-side electrode in the first to sixth inventions may be negative or positive.
第7発明は、
るつぼの上下方向に沿って、円環状のヒータが複数段備えられ、各ヒータにはそれぞれ極性の異なる一対のヒータ側電極が設けられ、るつぼの下方のベースには極性の異なる一対のベース側電極が設けられ、極性を同じくするヒータ側電極とベース側電極とが電気的に接続されている単結晶半導体製造用ヒータ装置において、
上段のヒータの電極は、下段のヒータの内側に位置されていること
を特徴とする。
第6発明、第7発明によれば、図4に示すように、上段のヒータ10の電極11、12は、下段のヒータ20の内側に位置されている。このため図5に示すように、ヒータ10の外側の場積を小さくすることができ、CZ炉2自体を小型化することができる。またCZ炉2内の他の部材と干渉することなく、他の部材の改造(たとえば保温筒8bに逃げ部を形成するなどの改造)を要しない。
The seventh invention
A plurality of annular heaters are provided along the vertical direction of the crucible, each heater is provided with a pair of heater-side electrodes having different polarities, and a pair of base-side electrodes having different polarities is provided at the base below the crucible. In the heater device for manufacturing a single crystal semiconductor, wherein the heater side electrode and the base side electrode having the same polarity are electrically connected,
The upper heater electrode is located inside the lower heater.
According to the sixth and seventh inventions, as shown in FIG. 4, the
以下図面を参照して実施形態のヒータ装置について説明する。 Hereinafter, a heater device according to an embodiment will be described with reference to the drawings.
図2は単結晶引上げ装置1の構成を側面からみた図である。実施形態のヒータ装置はこの単結晶引上げ装置1に組み込まれている。
同図2に示すように、実施形態の単結晶引上げ装置1は、単結晶引上げ用容器としてのCZ炉(チャンバ)2を備えている。
FIG. 2 is a side view of the configuration of the single
As shown in FIG. 2, the single
CZ炉2内には、多結晶シリコンの原料を溶融して融液5として収容する石英るつぼ3が設けられている。石英るつぼ3は、その外側が黒鉛るつぼ7によって覆われている。るつぼ3、7の周囲には、石英るつぼ3内の多結晶シリコン原料を加熱して溶融する側面上段ヒータ10、側面下段ヒータ20、底面ヒータ30が設けられている。側面上段ヒータ10、側面下段ヒータ20は、石英るつぼ3の外周に沿って、円環状に形成されている。側面上段ヒータ10、側面下段ヒータ20は、石英るつぼ3の側面の上下方向に沿って上下2段にそれぞれ配置されている。
In the
側面下段ヒータ20の更に下段にあって、るつぼ3、7の底面には、円環状の底面ヒータ30が設けられている。
An
これら3段のヒータ10、20、30は、各ヒータ10、20、30に印加される電圧を独立して調整することによって発熱量、つまり石英るつぼ3に対する加熱量を独立して調整することができる。
These three-
これら3段のヒータ10、20、30は、後述するようにベース40上で支持されている。
These three stages of
側面上段ヒータ10、側面下段ヒータ20とCZ炉2の内壁との間には、保温筒8bが設けられている。
A
石英るつぼ3の上方には引上げ機構4が設けられている。引上げ機構4は、引上げ軸4aと種結晶4bを含む。
A pulling
石英るつぼ3内での溶融が安定化すると、引上げ軸4aが鉛直方向に移動し種結晶4bが融液5に浸漬されて融液5から単結晶シリコンのインゴット6が、CZ法により引き上げられる。引上げの際、石英るつぼ3は回転軸9によって回転する。ベース40には、回転軸9が挿通される軸孔49が形成されている。
When the melting in the
CZ炉2内と外気を遮断することで炉2内は真空(たとえば20Torr程度)に維持される。すなわちCZ炉2には不活性ガスとしてのアルゴンガスが供給され、CZ炉2の排気口からポンプによって排気される。これにより炉2内は所定の圧力に減圧される。
By shutting off the outside air from the
単結晶引上げのプロセス(1バッチ)の間で、CZ炉2内には種々の蒸発物が発生する。そこでCZ炉2にアルゴンガスを供給してCZ炉2外に蒸発物とともに排気してCZ炉2内から蒸発物を除去しクリーンにしている。アルゴンガスの供給流量は1バッチ中の各工程ごとに設定する。
Various evaporants are generated in the
石英るつぼ3の上方にあって、単結晶シリコン6の周囲には、熱遮蔽板8a(ガス整流筒)が設けられている。熱遮蔽板8aは、保温筒8bに支持されている。熱遮蔽板8aは、CZ炉2内に上方より供給されるキャリアガスとしてのアルゴンガスを、融液表面5aの中央に導き、さらに融液表面5aを通過させて融液表面5aの周縁部に導く。そして、アルゴンガス7は、融液5から蒸発したガスとともに、CZ炉2の下部に設けた排気口から排出される。このため融液5から蒸発される酸素を安定に保ち液面上のガス流速を安定化することができる。
Above the
また熱遮蔽板8aは、単結晶シリコン6を、石英るつぼ3、融液5、ヒータ10、20、30などの熱源で発生する輻射熱から、断熱、遮蔽する。また熱遮蔽板8aは、単結晶シリコン6に、炉内で発生した不純物(たとえばシリコン酸化物)等が付着して、単結晶育成を阻害することを防止する。熱遮蔽板8aの下端と融液表面5aとの間隙の距離の大きさは、回転軸9を上昇下降させ、るつぼ3の上下方向位置を変化させることで調整することができる。
The heat shielding plate 8a insulates and shields the
図1は図2からヒータ装置を抜き出して、その構成を斜視図にて示している。図1はヒータ装置を各構成要素に分解した組立図にて示している。 FIG. 1 is a perspective view of the heater device extracted from FIG. FIG. 1 shows an exploded view in which the heater device is disassembled into each component.
同図1に示すように、側面上段ヒータ10にはヒータ側プラス電極11とヒータ側マイナス電極12とが設けられている。ヒータ側プラス電極11とヒータ側マイナス電極12とは当該ヒータ10の直径方向に対向して設けられている。ヒータ側プラス電極11、ヒータ側マイナス電極12は側面上段ヒータ10と一体に形成されている。ヒータ側プラス電極11、ヒータ側マイナス電極12はL字状に形成されており、下段の側面下段ヒータ20の外側に位置される。
As shown in FIG. 1, the side
また側面下段ヒータ20にはヒータ側プラス電極21とヒータ側マイナス電極22とが設けられており、ヒータ側プラス電極21とヒータ側マイナス電極22とは当該ヒータ20の直径方向に対向して設けられている。ヒータ側プラス電極21、ヒータ側マイナス電極22は側面下段ヒータ20と一体に形成されている。
The side
また底面ヒータ30にはヒータ側プラス電極31とヒータ側マイナス電極32とが設けられており、ヒータ側プラス電極31とヒータ側マイナス電極32とは当該ヒータ30の直径方向に対向して設けられている。ヒータ側プラス電極31、ヒータ側マイナス電極32は底面ヒータ30とは別体の部材であり、底面ヒータ30にボルト等の締結部材によって締結されている。
The
一方、ベース40には、3個のベース側プラス電極41、42、43と1個のベース側マイナス電極44とが設けられている。これら3個のベース側プラス電極41、42、43、1個のベース側マイナス電極44は、ヒータ10、20、30の周方向に沿って均等間隔に(90゜毎に)設けられている。
On the other hand, the
マイナス電極用延長部材53は、ヒータ10、20、30の周方向に延在するように形成されている。同様にプラス電極用延長部材51は、ヒータ10の周方向に延在するように形成されており、プラス電極用延長部材52は、ヒータ20の周方向に延在するように形成されている。なお延長部材51、52、53の材質としては、ヒータ、電極と同じ導電性のある材質、たとえばカーボン、C.C.M(カーボン.カーボン.ファイバ複合材料)が用いられる。
The negative
ベース側マイナス電極44には、マイナス電極用延長部材53が、ヒータ側マイナス電極32と共にボルト等によって締結されている。またベース側プラス電極43には、ヒータ側プラス電極31がボルト等によって締結されている。これによりベース側マイナス電極44がマイナス電極用延長部材53を介してヒータ側マイナス電極32に電気的に接続されるとともに、ベース側プラス電極43がヒータ側プラス電極31に電気的に接続され、底面ヒータ30が通電可能となる。またベース40上で、底面ヒータ30が支持される。
A negative
マイナス電極用延長部材53には、ヒータ側マイナス電極12がボルト等によって締結されている。ベース側プラス電極41には、プラス電極用延長部材51がボルト等によって締結されている。プラス電極用延長部材51には、ヒータ側プラス電極11がボルト等によって締結されている。これによりベース側マイナス電極44がマイナス電極用延長部材53を介してヒータ側マイナス電極12に電気的に接続されるとともに、ベース側プラス電極41がプラス電極用延長部材51を介してヒータ側プラス電極11に電気的に接続され、側面上段ヒータ10が通電可能となる。またベース40上で、側面上段ヒータ10が支持される。
The heater-side
マイナス電極用延長部材53には、ヒータ側マイナス電極22がボルト等によって締結されている。ベース側プラス電極42には、プラス電極用延長部材52がボルト等によって締結されている。プラス電極用延長部材52には、ヒータ側プラス電極21がボルト等によって締結されている。これによりベース側マイナス電極44がマイナス電極用延長部材53を介してヒータ側マイナス電極22に電気的に接続されるとともに、ベース側プラス電極42がプラス電極用延長部材52を介してヒータ側プラス電極21に電気的に接続され、側面下段ヒータ20が通電可能となる。またベース40上で、側面下段ヒータ20が支持される。
The heater-side
ベース側プラス電極41、42、43はそれぞれ独立した各電源に電気的に接続されており、各電極に印加される電圧を独立して変化させることができる。ベース側マイナス電極44は接地している。このため側面上段ヒータ10用電源の電圧がベース側プラス電極41、プラス電極用延長部材51を介してヒータ側プラス電極11に印加されることによって側面上段ヒータ10に電流が流れ、発熱する。側面上段ヒータ10用電源の電圧を変化させることで、側面上段ヒータ10の発熱量が調整され、石英るつぼ3の加熱量が制御される。
The base-side plus
同様に側面下段ヒータ20用電源の電圧がベース側プラス電極42、プラス電極用延長部材52を介してヒータ側プラス電極21に印加されることによって側面下段ヒータ20に電流が流れ、発熱する。側面下段ヒータ20用電源の電圧を変化させることで、側面下段ヒータ20の発熱量が調整され、石英るつぼ3の加熱量が制御される。
Similarly, when the voltage of the power source for the
同様に底面ヒータ30用電源の電圧がベース側プラス電極43を介してヒータ側プラス電極31に印加されることによって底面ヒータ30に電流が流れ、発熱する。底面ヒータ30用電源の電圧を変化させることで、底面ヒータ30の発熱量が調整され、石英るつぼ3の加熱量が制御される。
Similarly, when the voltage of the power source for the
図3は図1に示すヒータ装置を、上面からみた図であり、各電極の接続態様と各電極と各ヒータとの接続態様を示している。 FIG. 3 is a top view of the heater device shown in FIG. 1, and shows the connection mode of each electrode and the connection mode of each electrode and each heater.
また図9(a)は図3に対応させて同じくヒータ装置を上面からみた図であり、ヒータ10、20、30の外形と各電極との位置関係を示している。
FIG. 9A is a view of the heater device as seen from above corresponding to FIG. 3, and shows the positional relationship between the outer shapes of the
また図9(c)は図9(a)に対応させて従来技術を示す図である。図9(c)は、ベース40側に、各ヒータ10、20、30毎に、マイナス電極42、46、44を設けた場合を示している。図9(c)では、側面上段ヒータ10のヒータ側プラス電極11がベース側プラス電極41に電気的に接続され、ヒータ側マイナス電極12がベース側マイナス電極42に電気的に接続される。また側面下段ヒータ20のヒータ側プラス電極21がベース側プラス電極45に電気的に接続され、ヒータ側マイナス電極22がベース側マイナス電極46に電気的に接続される。また底面ヒータ30のヒータ側プラス電極31がベース側プラス電極43に電気的に接続され、ヒータ側マイナス電極32がベース側マイナス電極44に電気的に接続される。
FIG. 9 (c) is a diagram showing the prior art corresponding to FIG. 9 (a). FIG. 9C shows a case where
図1に示すヒータ装置によれば、図3(あるいは図9(a))に示すように、ベース40側のマイナス電極44を、各ヒータ10、20、30に共通に設けるようにしたので、図9(c)に示すような、ベース40側のマイナス電極42、46、44を、各ヒータ10、20、30毎に設けた場合と比較して、電極の数を減らすことができる。このため3段のヒータ10、20、30からなるヒータ装置を実現するに際して、電極の数が少なくなり部品点数が減りコストが低減する。
According to the heater device shown in FIG. 1, as shown in FIG. 3 (or FIG. 9A), the
更に図1のヒータ装置によれば、図3(あるいは図9(a))に示すように、ヒータ10、20、30にはそれぞれヒータ側プラス電極11、21、31とヒータ側マイナス電極12、22、32とが当該ヒータ10、20、30の直径方向に対向して設けられ、ベース40の共通のベース側マイナス電極44がマイナス電極用延長部材53を介して、各ヒータ10、20、30のヒータ側マイナス電極12、22、32に電気的に接続される。各ヒータ10、20、30を、図6(a)に示すような、脚部11、12が対向された構造にできるため、図7(a)に示すような、脚部11、12が片持ちとなる構造と比較して、ヒータ10、20、30が安定して支持される。また各ヒータ10、20、30の両分岐電流経路を図6(b)に示すような、電流i0、抵抗R0が同じとなる経路にできるため、図7(b)に示すような、各分岐電流経路で電流、抵抗が異なる場合と比較して、ヒータ10、20、30の温度分布を均一にでき、石英るつぼ3の周方向の温度分布を均一にすることができる。
Further, according to the heater device of FIG. 1, as shown in FIG. 3 (or FIG. 9 (a)), the
さらに図1のヒータ装置によれば、図3(あるいは図9(a))に示すように、ベース40には、3個のベース側プラス電極41、42、43、共通のベース側マイナス電極44が、ヒータ10、20、30の周方向に沿って均等間隔で(90゜ごとに)設けられる。そして、2個のプラス電極用延長部材51、52が設けられ、これら2個のプラス電極用延長部材51、52が、2個のベース側プラス電極41、42に電気的にそれぞれ接続されるとともに、2個のヒータ側プラス電極11、21にそれぞれ電気的に接続される。各電極44(33)、22、41、11、43(31)、21、42、12の配置間隔は、ヒータ10、20、30の周方向に沿って等間隔(60゜)となる。
Further, according to the heater device of FIG. 1, as shown in FIG. 3 (or FIG. 9A), the
ここで図8は、単一のヒータ10からなる従来のヒータ装置に用いられるベース40を示している。既存のベース40には、各電極41、42、43、44が等間隔で(90゜毎に)設けられている。
Here, FIG. 8 shows a base 40 used in a conventional heater device composed of a
このため既存のベース40の電極41、42、43、44の配置を変えることなく、つまり大幅な改造を加えることなくそのまま利用して、3段のヒータ10、20、30からなるヒータ装置を構築することが可能となる。
For this reason, a heater device comprising three stages of
図1のヒータ装置には、種々の変形が可能である。 The heater device of FIG. 1 can be variously modified.
図3(あるいは図9(a))に示すように、図1のヒータ装置では、円弧状のマイナス電極用延長部材53が、その円弧の略中心でベース側マイナス電極44によって支持されている。しかし、図12に示すように、マイナス電極用延長部材53が、その重心位置でベース側電極44によって支持される構造としてもよい。すなわちマイナス電極用延長部材53は、3段のヒータ10、20、30を支持しているが、マイナス電極用延長部材53は、これら3段のヒータ10、20、30の荷重の重心位置で、共通のベース側マイナス電極44によって支持される。
As shown in FIG. 3 (or FIG. 9A), in the heater device of FIG. 1, the arc-shaped minus
これにより図3(あるいは図9(a))に示す場合と比較して、マイナス電極用延長部材53によってヒータ10、20、30を、より機械的に安定して支持できるようになる。
As a result, compared to the case shown in FIG. 3 (or FIG. 9A), the
また図1のヒータ装置では、マイナス電極用延長部材53を、ベース40側のマイナス電極44と別体としているが、マイナス電極用延長部材53を、ベース側マイナス電極44と一体に形成してもよい。すなわちベース側マイナス電極44自体の形状を、図3(あるいは図9(a))に示す円弧状の形状とすることによって、図1のマイナス装置と同様の効果を得ることができる。
In the heater device of FIG. 1, the minus
同様にベース側プラス電極41自体の形状を、プラス電極用延長部材51と同様の円弧形状にしてもよく、ベース側プラス電極42自体の形状を、プラス電極用延長部52と同様の円弧形状にしてもよい。
Similarly, the shape of the base-side plus
図1のヒータ装置では、延長部材53を設けることによって、各ヒータの電極を対向配置可能にしているが、各ヒータの電極を対向配置させない実施も可能である。
In the heater device of FIG. 1, the electrodes of the heaters can be arranged to face each other by providing the extending
図9(b)は図9(a)に対応する図であり、延長部材51、52、53を設けることなく1個の共通のベース側マイナス電極44を設けた場合の構成を示している。
FIG. 9B is a diagram corresponding to FIG. 9A, and shows a configuration in which one common base side
図9(b)は、図9(a)とヒータ側の各電極とベース側の各電極との配置態様は同じであり、側面上段ヒータ10、側面下段ヒータ20、底面ヒータ30の各ヒータ側マイナス電極12、22、32が、ベース40側の1個の共通のマイナス電極44に電気的に接続されている。しかしマイナス電極用延長部材53が設けられていないため、側面上段ヒータ10のヒータ側プラス電極11、ヒータ側マイナス電極12を対向配置させることはできない。同様に側面下段ヒータ20のヒータ側プラス電極21、ヒータ側マイナス電極22を対向配置させることはできない。
9B is the same as FIG. 9A in the arrangement of the heater-side electrodes and the base-side electrodes, and the heater side of the side
ところで図1のヒータ装置では、側面上段ヒータ10のヒータ側プラス電極11、ヒータ側マイナス電極12はL字状に形成されており、下段の側面下段ヒータ20の外側に位置されている。このため図2に示すように、側面上段ヒータ10の外側の場積が大きくなり、CZ炉2自体が大型化せざるを得ない。またCZ炉2内の他の部材と干渉することを避けるために、他の部材の改造を要することがある。たとえば保温筒8bに逃げ部を形成するなどの改造を要することになる。
By the way, in the heater device of FIG. 1, the heater side
つぎに図1のヒータ装置を改良した構造を、図4に示す。 Next, FIG. 4 shows a structure obtained by improving the heater device shown in FIG.
図4のヒータ装置では、側面上段ヒータ10のヒータ側プラス電極11、ヒータ側マイナス電極12は、内側に曲げられ、下段の側面下段ヒータ20の内側に位置されている。
In the heater device of FIG. 4, the heater side
図5は図2に対応する単結晶引上げ装置1の側面図であり、図4のヒータ装置が組み込まれた単結晶引上げ装置1の構成を示している。
FIG. 5 is a side view of the single
図5に示すように、側面上段ヒータ10のヒータ側プラス電極11、ヒータ側マイナス電極12は、下段の側面下段ヒータ20の内側に位置されている。このためヒータ10の外側の場積を小さくすることができ、CZ炉2自体を小型化することができる。またCZ炉2内の他の部材と干渉することなく、他の部材の改造を要しない。たとえば保温筒8bに逃げ部を形成するなどの改造を要しない。
As shown in FIG. 5, the heater side
上述した実施形態では、3段のヒータ10、20、30のうち最下段のヒータ30を、るつぼ3、7の底面に配置しているが、最下段のヒータ30を他のヒータ10、20と同様に、るつぼ3、7の側面に配置してもよい。
In the above-described embodiment, the
また上述した実施形態では、3段のヒータからなるヒータ装置を想定して説明したが、2段のヒータからなるヒータ装置、4段以上のヒータからなるヒータ装置に同様に適用してもよい。 In the above-described embodiment, the description has been made on the assumption that the heater device is composed of three stages of heaters. However, the present invention may be similarly applied to a heater apparatus composed of two stages of heaters and four or more stages of heaters.
図10(a)は、2段のヒータ10、20からなるヒータ装置に適用した場合の構成を、図9(a)に対応させて示している。
FIG. 10 (a) shows a configuration corresponding to FIG. 9 (a) when applied to a heater device including two stages of
図10(a)に示すヒータ装置では、ヒータ10のヒータ側プラス電極11がベース側プラス電極41に電気的に接続され、ヒータ側マイナス電極12がマイナス電極用延長部材53を介して共通のベース側マイナス電極44に電気的に接続されている。またヒータ20のヒータ側プラス電極21がベース側プラス電極42に電気的に接続され、ヒータ側マイナス電極22がマイナス電極用延長部材53を介して共通のベース側マイナス電極44に電気的に接続されている。
10A, the heater side
図10(b)は、2段のヒータ10、20からなるヒータ装置に適用した場合の構成を、図9(b)に対応させて示している。
FIG. 10B shows a configuration in the case of being applied to a heater device including two stages of
図10(b)に示すヒータ装置では、ヒータ10のヒータ側プラス電極11がベース側プラス電極41に電気的に接続され、ヒータ側マイナス電極12が共通のベース側マイナス電極44に電気的に接続されている。またヒータ20のヒータ側プラス電極21がベース側プラス電極42に電気的に接続され、ヒータ側マイナス電極22が共通のベース側マイナス電極44に電気的に接続されている。
In the heater device shown in FIG. 10B, the heater-side plus
図10(c)は、2段のヒータ10、20からなるヒータ装置の従来技術の構成を、図9(c)に対応させて示している。
FIG. 10C shows the configuration of the prior art of the heater device composed of the two-
図10(c)に示すヒータ装置では、ヒータ10のヒータ側プラス電極11がベース側プラス電極41に電気的に接続され、ヒータ側マイナス電極12がベース側マイナス電極43に電気的に接続されている。またヒータ20のヒータ側プラス電極21がベース側プラス電極42に電気的に接続され、ヒータ側マイナス電極22がベース側マイナス電極44に電気的に接続されている。
In the heater device shown in FIG. 10C, the heater side
このため図10(a)、図10(b)のヒータ装置によれば、図10(c)に示す従来のヒータ装置と比較して、電極の数が少なくなり部品点数が減りコストが低減する。 For this reason, according to the heater device of FIG. 10A and FIG. 10B, compared with the conventional heater device shown in FIG. 10C, the number of electrodes is reduced, the number of parts is reduced, and the cost is reduced. .
更に図10(a)のヒータ装置によれば、ヒータ10、20のヒータ側プラス電極11、21とヒータ側マイナス電極12、22とをそれぞれ当該ヒータ10、20の直径方向に対向して設けることができ、ヒータ10、20を機械的に安定して支持できるとともに、ヒータ10、20の温度分布を均一にでき石英るつぼ3の周方向の温度分布を均一にすることができる。
Furthermore, according to the heater device of FIG. 10A, the heater-side plus
図11(a)は、4段のヒータ10、20、30、140からなるヒータ装置に適用した場合の構成を、図9(a)に対応させて示している。
FIG. 11A shows a configuration in the case of being applied to a heater device including four stages of
図11(a)に示すヒータ装置では、ヒータ10のヒータ側プラス電極11がベース側プラス電極41に電気的に接続され、ヒータ側マイナス電極12がマイナス電極用延長部材53を介して共通のベース側マイナス電極44に電気的に接続されている。またヒータ20のヒータ側プラス電極21がベース側プラス電極42に電気的に接続され、ヒータ側マイナス電極22がマイナス電極用延長部材53を介して共通のベース側マイナス電極44に電気的に接続されている。またヒータ30のヒータ側プラス電極31がベース側プラス電極43に電気的に接続され、ヒータ側マイナス電極32がマイナス電極用延長部材53を介して共通のベース側マイナス電極44に電気的に接続されている。またヒータ140のヒータ側プラス電極141がベース側プラス電極45に電気的に接続され、ヒータ側マイナス電極142がマイナス電極用延長部材53を介して共通のベース側マイナス電極44に電気的に接続されている。
In the heater device shown in FIG. 11A, the heater-side plus
図11(b)は、4段のヒータ10、20、30、140からなるヒータ装置に適用した場合の構成を、図9(b)に対応させて示している。
FIG. 11B shows a configuration when applied to a heater device including four stages of
図11(b)に示すヒータ装置では、ヒータ10のヒータ側プラス電極11がベース側プラス電極41に電気的に接続され、ヒータ側マイナス電極12が共通のベース側マイナス電極44に電気的に接続されている。またヒータ20のヒータ側プラス電極21がベース側プラス電極42に電気的に接続され、ヒータ側マイナス電極22が共通のベース側マイナス電極44に電気的に接続されている。またヒータ30のヒータ側プラス電極31がベース側プラス電極43に電気的に接続され、ヒータ側マイナス電極32が共通のベース側マイナス電極44に電気的に接続されている。またヒータ140のヒータ側プラス電極141がベース側プラス電極45に電気的に接続され、ヒータ側マイナス電極142が共通のベース側マイナス電極44に電気的に接続されている。
In the heater device shown in FIG. 11B, the heater-side plus
図11(c)は、4段のヒータ10、20、30、140からなるヒータ装置の従来技術の構成を、図9(c)に対応させて示している。
FIG. 11C shows the configuration of the prior art of the heater device composed of four stages of
図11(c)に示すヒータ装置では、ヒータ10のヒータ側プラス電極11がベース側プラス電極41に電気的に接続され、ヒータ側マイナス電極12がベース側マイナス電極46に電気的に接続されている。またヒータ20のヒータ側プラス電極21がベース側プラス電極42に電気的に接続され、ヒータ側マイナス電極22がベース側マイナス電極47に電気的に接続されている。またヒータ30のヒータ側プラス電極31がベース側プラス電極43に電気的に接続され、ヒータ側マイナス電極32がベース側マイナス電極44に電気的に接続されている。またヒータ140のヒータ側プラス電極141がベース側プラス電極45に電気的に接続され、ヒータ側マイナス電極142がベース側マイナス電極48に電気的に接続されている。
In the heater device shown in FIG. 11C, the heater-side plus
このため図11(a)、図11(b)のヒータ装置によれば、図11(c)に示す従来のヒータ装置と比較して、電極の数が少なくなり部品点数が減りコストが低減する。 Therefore, according to the heater device of FIGS. 11 (a) and 11 (b), the number of electrodes is reduced, the number of parts is reduced, and the cost is reduced as compared with the conventional heater device shown in FIG. 11 (c). .
更に図11(a)のヒータ装置によれば、ヒータ10、20、30、140のヒータ側プラス電極11、21、31、141とヒータ側マイナス電極12、22、32、142とをそれぞれ当該ヒータ10、20、30、140の直径方向に対向して設けることができ、ヒータ10、20、30、140を機械的に安定して支持できるとともに、ヒータ10、20、30、140の温度分布を均一にでき石英るつぼ3の周方向の温度分布を均一にすることができる。
Further, according to the heater device of FIG. 11A, the heater side
以上のように本発明によれば、n段(n=2、3、4…)のヒータからなるヒータ装置において、ベース40側の電極の数をn+1個にすることができ、従来のn段のヒータ装置で必要される電極の数2n個よりも、電極数を減らすことができる。また延長部材を設けた場合には、ベース40側の電極数を減らしつつもヒータの安定した支持、ヒータの均一な温度分布を実現することができる。 As described above, according to the present invention, in the heater device composed of n-stage (n = 2, 3, 4...) Heaters, the number of electrodes on the base 40 side can be made n + 1. The number of electrodes can be reduced as compared with the number 2n of electrodes required in the heater device. Further, when the extension member is provided, it is possible to realize stable support of the heater and uniform temperature distribution of the heater while reducing the number of electrodes on the base 40 side.
ところでヒータ10、20、30のプラス電極とマイナス電極との間の電圧が高いと、CZ炉2内の真空に近いアルゴンガス雰囲気中では、アース電位となっているチャンバ内壁との間で放電が生じやすくなる。したがって対アース間の放電は、これを防止する必要がある。対アース間の放電を防止するためには、対アース間の電圧の絶対値を低下させる必要がある。
By the way, if the voltage between the positive electrode and the negative electrode of the
本実施形態では図14に示すようにヒータ抵抗H1のヒータ10、ヒータ抵抗H2のヒータ20、ヒータ抵抗H3のヒータ30毎に、電源が設けられている。そして各ヒータ10、20、30の各電源から各ヒータ10、20、30に印加される電圧E1、E2、E3が独立して制御される。この場合、各ヒータ10、20、30に印加される電圧はそれぞれ異なり、いずれのヒータで最大電圧になるかは不定である。しかも各ヒータ10、20、30のマイナス電極は共通の電極44でありこの共通電極44の電位を各ヒータ10、20、30で同一にしなければならない。
In the present embodiment, as shown in FIG. 14, a power source is provided for each
そこで本実施形態では、最大電圧が加わるヒータの両電極間の電圧の中点をアース電位とすることで、対アース間の電圧の絶対値を低下させるようにしている。たとえば図14においてヒータ30の印加電圧E3が最大電圧Emaxであるとすると、そのヒータ30の電極間の電圧の中点がアース電位とされ、対アース間の電圧の絶対値を、+1/2Emaxまでに低下させることができる。
Therefore, in this embodiment, the absolute value of the voltage between the ground and the ground is reduced by setting the midpoint of the voltage between the two electrodes of the heater to which the maximum voltage is applied as the ground potential. For example, in FIG. 14, when the applied voltage E3 of the
図15はこれを実現するための回路構成を例示している。 FIG. 15 illustrates a circuit configuration for realizing this.
図15において、r1はヒータ10の両電極間の電圧を分圧する分圧抵抗であり、ヒータ10の中点電圧Ec1を生成するために使用される。中点電圧Ec1は抵抗r11によって検出される。またr2はヒータ20の両電極間の電圧を分圧する分圧抵抗であり、ヒータ20の中点電圧Ec2を生成するために使用される。中点電圧Ec2は抵抗r22によって検出される。またr3はヒータ30の両電極間の電圧を分圧する分圧抵抗であり、ヒータ30の中点電圧Ec3を生成するために使用される。中点電圧Ec3は抵抗r33によって検出される。
In FIG. 15,
検出された各中点電圧Ec1、Ec2、Ec3は最大電圧検出部100に入力され、プラス側の最大電圧+1/2Emaxが検出される。共通電極電位ドライブ部200は、プラス側最大電圧+1/2Emaxを入力し、これを反転してプラス側最大電圧と絶対値が等しいマイナス側最大電圧−1/2Emaxを出力して共通電極44をドライブする。これにより共通電極44の電位が、最大電圧Emaxが印加されているヒータ(たとえばヒータ30)の中点電圧Ec3を0Vとするような電位(−1/2Emax)にされる。
The detected midpoint voltages Ec1, Ec2, and Ec3 are input to the maximum
いずれかのヒータが地絡すると、対アースのインピーダンスが低下するため、共通電極電位ドライブ部200と共通電極44との間(抵抗R1)で電圧降下が増大する。抵抗R1の両端の極性をコンパレータ300で検出することにより、地絡を検出することができる。
When any of the heaters has a ground fault, the impedance to ground is reduced, so that the voltage drop increases between the common electrode
なお以上した説明では、共通のベース側電極44の極性がマイナスであることを想定して説明したが、共通のベース側電極44の極性をプラスに代えた場合であっても同様にして構成することができる。
In the above description, it is assumed that the polarity of the common
10 側面上段ヒータ
20 側面下段ヒータ
30 底面ヒータ
11、21、32 ヒータ側プラス電極
12、22、32 ヒータ側マイナス電極
40 ベース
41、42、43 ベース側プラス電極
44 ベース側マイナス電極
51、52 プラス電極用延長部材
53 マイナス電極用延長部材
DESCRIPTION OF
Claims (7)
ベースには、全ヒータに共通する1個の一方の極性のベース側電極が設けられ、
前記共通のベース側電極が、この共通のベース側電極と極性を同じくする全ヒータの複数個のヒータ側電極に電気的に接続されていること
を特徴とする単結晶半導体製造用ヒータ装置。 A plurality of annular heaters are provided along the vertical direction of the crucible, each heater is provided with a pair of heater-side electrodes having different polarities, and a pair of base-side electrodes having different polarities is provided at the base below the crucible. In the heater device for manufacturing a single crystal semiconductor, wherein the heater side electrode and the base side electrode having the same polarity are electrically connected,
The base is provided with a base electrode of one polarity common to all heaters,
The heater device for manufacturing a single crystal semiconductor, wherein the common base side electrode is electrically connected to a plurality of heater side electrodes of all heaters having the same polarity as the common base side electrode.
前記共通のベース側電極が、ヒータの周方向に延在された形状に形成されている
を特徴とする請求項1記載の単結晶半導体製造用ヒータ装置。 Each heater has a heater-side plus electrode and a heater-side minus electrode facing each other in the diameter direction of the heater,
The heater device for manufacturing a single crystal semiconductor according to claim 1, wherein the common base side electrode is formed in a shape extending in a circumferential direction of the heater.
ヒータにはそれぞれヒータ側プラス電極とヒータ側マイナス電極とが当該ヒータの直径方向に対向して設けられ、
ベースには、全ヒータに共通する1個の一方の極性のベース側電極が設けられ、
ヒータの周方向に延在されて、前記共通のベース側電極と極性を同じくする電極用延長部材が設けられ、
この電極用延長部材が前記共通のベース側電極に電気的に接続されるとともに、この共通のベース側電極と極性を同じくする全ヒータの複数個のヒータ側電極に電気的に接続されていること
を特徴とする単結晶半導体製造用ヒータ装置。 A plurality of annular heaters are provided along the vertical direction of the crucible, each heater is provided with a pair of heater-side electrodes having different polarities, and a pair of base-side electrodes having different polarities is provided at the base below the crucible. In the heater device for manufacturing a single crystal semiconductor, wherein the heater side electrode and the base side electrode having the same polarity are electrically connected,
Each heater has a heater-side plus electrode and a heater-side minus electrode facing each other in the diameter direction of the heater,
The base is provided with a base electrode of one polarity common to all heaters,
An electrode extension member is provided that extends in the circumferential direction of the heater and has the same polarity as the common base-side electrode,
The electrode extension member is electrically connected to the common base side electrode and is electrically connected to a plurality of heater side electrodes of all heaters having the same polarity as the common base side electrode. A heater device for manufacturing a single crystal semiconductor.
極性を同じくするヒータ側電極とベース側電極とが電気的に接続されている単結晶半導体製造用ヒータ装置において、
前記3段の各ヒータにはそれぞれヒータ側プラス電極とヒータ側マイナス電極とが当該ヒータの直径方向に対向して設けられ、
ベースには、極性を同じくする各ヒータのヒータ側電極に対応して、当該ヒータ側電極と同一極性の3個のベース側電極と、これら3個のベース側電極と異なる極性であって、全ヒータに共通する1個のベース側電極とが、ヒータの周方向に沿って略均等間隔に設けられ、
ヒータの周方向に延在されて、前記共通のベース側電極と極性を同じくする第1の電極用延長部材と、前記共通のベース側電極と極性の異なる少なくとも2個の第2の電極用延長部材とが設けられ、
前記第1の電極用延長部材が前記共通のベース側電極に電気的に接続されるとともに、極性を同じくする全ヒータの複数個のヒータ側電極に電気的に接続され、
少なくとも2個の第2の電極用延長部材が、極性を同じくする少なくとも2個のベース側電極に電気的にそれぞれ接続されるとともに、少なくとも2個のヒータ側電極にそれぞれ電気的に接続されていること
を特徴とする単結晶半導体製造用ヒータ装置。 Three annular heaters are provided along the vertical direction of the crucible. Each of the three heaters is provided with a pair of heater-side electrodes having different polarities, and a pair of different polarities is provided on the base below the crucible. Base side electrodes are provided,
In the heater device for manufacturing a single crystal semiconductor in which the heater side electrode and the base side electrode having the same polarity are electrically connected,
Each of the three-stage heaters is provided with a heater-side plus electrode and a heater-side minus electrode facing each other in the diameter direction of the heater,
The base has three base-side electrodes having the same polarity as the heater-side electrode, and different polarities from the three base-side electrodes, corresponding to the heater-side electrodes of the heaters having the same polarity. One base side electrode common to the heater is provided at substantially equal intervals along the circumferential direction of the heater,
A first electrode extension member extending in a circumferential direction of the heater and having the same polarity as the common base side electrode; and at least two second electrode extensions having a polarity different from the common base side electrode. Members are provided,
The first electrode extension member is electrically connected to the common base side electrode, and is electrically connected to a plurality of heater side electrodes of all heaters having the same polarity,
At least two second electrode extension members are electrically connected to at least two base-side electrodes having the same polarity, and are electrically connected to at least two heater-side electrodes, respectively. A heater device for manufacturing a single crystal semiconductor.
を特徴とする請求項3または4記載の単結晶半導体製造用ヒータ装置。 The electrode extension member according to claim 3 or the first electrode extension member according to claim 4 supports a plurality of heaters, and at the position of the center of gravity of the load of the plurality of heaters by the common base side electrode. The heater device for manufacturing a single crystal semiconductor according to claim 3 or 4, wherein the heater device is supported.
を特徴とする請求項1または3または4記載の単結晶半導体製造用ヒータ装置。 The heater device for manufacturing a single crystal semiconductor according to claim 1, wherein the electrode of the upper heater is positioned inside the lower heater.
上段のヒータの電極は、下段のヒータの内側に位置されていること
を特徴とする単結晶半導体製造用ヒータ装置。 A plurality of annular heaters are provided along the vertical direction of the crucible, each heater is provided with a pair of heater-side electrodes having different polarities, and a pair of base-side electrodes having different polarities is provided at the base below the crucible. In the heater device for manufacturing a single crystal semiconductor, in which the heater side electrode and the base side electrode having the same polarity are electrically connected,
A heater device for manufacturing a single crystal semiconductor, wherein an electrode of an upper heater is positioned inside a lower heater.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003419694A JP4497913B2 (en) | 2003-12-17 | 2003-12-17 | Heater device for single crystal semiconductor manufacturing |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003419694A JP4497913B2 (en) | 2003-12-17 | 2003-12-17 | Heater device for single crystal semiconductor manufacturing |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005179099A true JP2005179099A (en) | 2005-07-07 |
JP4497913B2 JP4497913B2 (en) | 2010-07-07 |
Family
ID=34781510
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003419694A Expired - Lifetime JP4497913B2 (en) | 2003-12-17 | 2003-12-17 | Heater device for single crystal semiconductor manufacturing |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4497913B2 (en) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20130020565A (en) | 2011-08-17 | 2013-02-27 | 소니 주식회사 | Semiconductor apparatus, method of manufacturing semiconductor apparatus, and electronic apparatus |
JP2013220954A (en) * | 2012-04-13 | 2013-10-28 | Ibiden Co Ltd | Graphite heater |
KR101464561B1 (en) * | 2013-01-17 | 2014-12-01 | 주식회사 엘지실트론 | Sapphire ingot growing apparatus and rod heater using the same |
DE112009003601B4 (en) * | 2008-12-05 | 2017-06-22 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Single crystal manufacturing plant and process for producing single crystal |
CN116926657A (en) * | 2023-08-24 | 2023-10-24 | 清电光伏科技有限公司 | Thermal field mechanism and single crystal furnace with same |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101885210B1 (en) * | 2016-11-30 | 2018-09-11 | 웅진에너지 주식회사 | Heating unit and Apparatus for growing a ingot including the unit |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55131091U (en) * | 1979-03-12 | 1980-09-17 | ||
JPH08333187A (en) * | 1995-06-06 | 1996-12-17 | Kobe Steel Ltd | Vertical type apparatus for producing single crystal |
JPH09227286A (en) * | 1996-02-24 | 1997-09-02 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | Apparatus for single crystal |
JP2000233989A (en) * | 1999-02-10 | 2000-08-29 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | Heater fitting structure for single crystal pulling-up device |
JP2001039792A (en) * | 1999-07-26 | 2001-02-13 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | Polyfunctional heater for growing single crystal and device for pulling up the single crystal |
-
2003
- 2003-12-17 JP JP2003419694A patent/JP4497913B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55131091U (en) * | 1979-03-12 | 1980-09-17 | ||
JPH08333187A (en) * | 1995-06-06 | 1996-12-17 | Kobe Steel Ltd | Vertical type apparatus for producing single crystal |
JPH09227286A (en) * | 1996-02-24 | 1997-09-02 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | Apparatus for single crystal |
JP2000233989A (en) * | 1999-02-10 | 2000-08-29 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | Heater fitting structure for single crystal pulling-up device |
JP2001039792A (en) * | 1999-07-26 | 2001-02-13 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | Polyfunctional heater for growing single crystal and device for pulling up the single crystal |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE112009003601B4 (en) * | 2008-12-05 | 2017-06-22 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Single crystal manufacturing plant and process for producing single crystal |
KR20130020565A (en) | 2011-08-17 | 2013-02-27 | 소니 주식회사 | Semiconductor apparatus, method of manufacturing semiconductor apparatus, and electronic apparatus |
US9105625B2 (en) | 2011-08-17 | 2015-08-11 | Sony Corporation | Semiconductor apparatus, method of manufacturing semiconductor apparatus, and electronic apparatus |
JP2013220954A (en) * | 2012-04-13 | 2013-10-28 | Ibiden Co Ltd | Graphite heater |
KR101464561B1 (en) * | 2013-01-17 | 2014-12-01 | 주식회사 엘지실트론 | Sapphire ingot growing apparatus and rod heater using the same |
CN116926657A (en) * | 2023-08-24 | 2023-10-24 | 清电光伏科技有限公司 | Thermal field mechanism and single crystal furnace with same |
CN116926657B (en) * | 2023-08-24 | 2024-05-31 | 清电硅业有限公司 | Thermal field mechanism and single crystal furnace with same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4497913B2 (en) | 2010-07-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5343272B2 (en) | Single crystal semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method | |
US7390361B2 (en) | Semiconductor single crystal manufacturing apparatus and graphite crucible | |
US5766347A (en) | Apparatus for fabricating a semiconductor single crystal | |
KR101574749B1 (en) | Upper heater for manufacturing single crystal, single crystal manufacturing apparatus and single crystal manufacturing method | |
JP2010520644A (en) | Plasma spraying of semiconductor grade silicon | |
JP4497913B2 (en) | Heater device for single crystal semiconductor manufacturing | |
US10287706B2 (en) | Heating unit comprised of ring heaters with ring support units disposed between the ring heaters and ingot growing device including the same | |
US20030033976A1 (en) | Silicon carbide sublimation systems and associated methods | |
US9187844B2 (en) | Single crystal manufacturing apparatus | |
US20230332325A1 (en) | Ingot growing apparatus | |
JP6571550B2 (en) | Heater and semiconductor manufacturing apparatus using the same | |
JP3979291B2 (en) | Semiconductor single crystal manufacturing apparatus and manufacturing method | |
JP5512941B2 (en) | Silicon purification apparatus and purification method | |
JP2009286650A (en) | Split heater and single crystal pulling device using the same | |
JP2014055077A (en) | Silicon carbide single crystal producing apparatus and method for producing silicon carbide single crystal using the same | |
WO2024209753A1 (en) | Silicon single crystal production method and silicon single crystal production apparatus | |
JP2004299968A (en) | Carbon heater for pulling single crystal | |
JP2024147945A (en) | Silicon single crystal manufacturing method and silicon single crystal manufacturing apparatus | |
KR101964999B1 (en) | Casting apparatus and casting method | |
JP2002317261A (en) | SiC COATED CARBON HEATER FURNACE AND FILM DEPOSITION SYSTEM | |
JP2013241307A (en) | METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL, AND SiC SINGLE CRYSTAL | |
JPS63159286A (en) | Device for pulling up silicon single crystal | |
KR20060114762A (en) | Apparatus for fabrication of single ctystal ingot |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060920 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080702 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090804 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090924 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100406 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100413 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130423 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4497913 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140423 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |