JP2005179099A - Heater device for producing single crystal semiconductor - Google Patents

Heater device for producing single crystal semiconductor Download PDF

Info

Publication number
JP2005179099A
JP2005179099A JP2003419694A JP2003419694A JP2005179099A JP 2005179099 A JP2005179099 A JP 2005179099A JP 2003419694 A JP2003419694 A JP 2003419694A JP 2003419694 A JP2003419694 A JP 2003419694A JP 2005179099 A JP2005179099 A JP 2005179099A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heater
electrode
base
heaters
electrodes
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2003419694A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4497913B2 (en
Inventor
Yutaka Shiraishi
裕 白石
Takehiro Komatsu
健浩 小松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumco Techxiv Corp
Original Assignee
Komatsu Electronic Metals Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Komatsu Electronic Metals Co Ltd filed Critical Komatsu Electronic Metals Co Ltd
Priority to JP2003419694A priority Critical patent/JP4497913B2/en
Publication of JP2005179099A publication Critical patent/JP2005179099A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4497913B2 publication Critical patent/JP4497913B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Resistance Heating (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To decrease the number of electrodes to decrease the number of parts and the cost for realizing a heater device comprising a plurality of heaters, to mechanically stably support the heater and to obtain uniform temperature distribution of the heater. <P>SOLUTION: In the heater device for producing a single crystal semiconductor, a base 40 is provided with one base side negative electrode 44 common for the all heaters 10, 20, 30, and the base side negative electrode 44 is electrically connected to a plurality of heater side negative electrodes 12, 22, 32 of the all heaters 10, 20, 30, respectively. The heaters 10, 20, 30 are provided with heater side positive electrodes 11, 21, 31 and with the negative electrodes 12, 22, 32, respectively, opposing to each other in the diameter direction of the heaters 10, 20, 30. The common base side negative electrode 44 common in the base 40 is electrically connected to the heater side negative electrodes 12, 22, 32 of the heaters 10, 20, 30 via an extension member 53 for the negative electrode. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、単結晶シリコンなどの単結晶半導体を製造するために用いられるヒータ装置に関するものである。   The present invention relates to a heater device used for manufacturing a single crystal semiconductor such as single crystal silicon.

図13は従来の単結晶引上げ装置1の構成の一例を示している。   FIG. 13 shows an example of the configuration of a conventional single crystal pulling apparatus 1.

単結晶引上げ用容器2つまりCZ炉2内には石英るつぼ3が設けられている。この石英るつぼ3内で多結晶シリコン(Si)が加熱され溶融される。溶融が安定化すると、引上げ機構4によって石英るつぼ3内のシリコン融液5から単結晶シリコン6が、CZ法によって引き上げられる。引上げの際、石英るつぼ3は回転軸9によって回転する。   A quartz crucible 3 is provided in the single crystal pulling vessel 2, that is, the CZ furnace 2. In this quartz crucible 3, polycrystalline silicon (Si) is heated and melted. When the melting is stabilized, the single crystal silicon 6 is pulled up from the silicon melt 5 in the quartz crucible 3 by the pulling mechanism 4 by the CZ method. At the time of pulling up, the quartz crucible 3 is rotated by the rotating shaft 9.

単結晶引上げのプロセス(1バッチ)の間で、容器2内には種々の蒸発物が発生する。そこで単結晶引上げ用容器2にアルゴン(Ar)ガスを供給して容器2外に蒸発物とともに排気して容器2内から蒸発物を除去しクリーンにしている。アルゴンガスの供給流量は1バッチ中の各工程ごとに設定する。   Various evaporates are generated in the container 2 during the single crystal pulling process (one batch). Therefore, argon (Ar) gas is supplied to the single crystal pulling container 2 and exhausted together with the evaporated substance outside the container 2 to remove the evaporated substance from the container 2 and clean it. The supply flow rate of argon gas is set for each process in one batch.

また石英るつぼ3の上方にあって、単結晶シリコン6の周囲には、単結晶引上げ容器2内のガスを整流して融液5の表面5aに導くとともに、単結晶シリコン6を熱源から遮蔽する熱遮蔽板8a(ガス整流筒)が設けられている。熱遮蔽板8aの下端と融液表面5aとの間隙の距離は適宜設定する。   Further, above the quartz crucible 3 and around the single crystal silicon 6, the gas in the single crystal pulling vessel 2 is rectified and guided to the surface 5a of the melt 5 and the single crystal silicon 6 is shielded from the heat source. A heat shielding plate 8a (gas rectifying cylinder) is provided. The distance of the gap between the lower end of the heat shielding plate 8a and the melt surface 5a is set as appropriate.

引上げ成長した単結晶シリコン6中には、酸素が固溶している。酸素は石英るつぼ3からシリコン融液5中に溶け込み、単結晶シリコン6の引上げ時に単結晶シリコン6中に取り込まれる。単結晶シリコン6中の酸素濃度は、素子、デバイスの特性に重大な影響を与えるとともに、素子、デバイスの製造工程において、その歩留まりに重大な影響を与える。   In the single crystal silicon 6 that has been pulled and grown, oxygen is dissolved. Oxygen dissolves into the silicon melt 5 from the quartz crucible 3 and is taken into the single crystal silicon 6 when the single crystal silicon 6 is pulled up. The oxygen concentration in the single crystal silicon 6 has a significant influence on the characteristics of the element and the device, and also has a significant influence on the yield in the manufacturing process of the element and the device.

また単結晶シリコンの成長の過程でグローイン欠陥と呼ばれる結晶欠陥が発生する。グローイン欠陥の発生挙動は成長条件V/G(V:成長速度、G:単結晶シリコンの融点近傍での軸方向温度勾配)によって変化することが知られている。   Crystal defects called glow-in defects occur during the growth of single crystal silicon. It is known that the growth behavior of glow-in defects changes depending on the growth condition V / G (V: growth rate, G: axial temperature gradient near the melting point of single crystal silicon).

石英るつぼ3の側面には、円環状のヒータ10が設けられている。ヒータ10が発熱することにより、石英るつぼ3内の融液5が加熱される。ヒータ10の発熱量は、上記単結晶シリコン6中の酸素濃度および結晶欠陥の発生挙動に影響を与える。   An annular heater 10 is provided on the side surface of the quartz crucible 3. When the heater 10 generates heat, the melt 5 in the quartz crucible 3 is heated. The amount of heat generated by the heater 10 affects the oxygen concentration in the single crystal silicon 6 and the generation behavior of crystal defects.

しかし単一のヒータ10を用いて、要求される酸素濃度および結晶欠陥の発生挙動をそれぞれ独立して制御するには、限界がある。すなわち結晶欠陥の数を少なくしようとすると熱遮蔽板8aの断熱性能を良くして結晶6の軸方向の温度勾配Gを大きくする必要があるが、そうすると石英るつぼ3の温度をも上昇させることになり酸素濃度の高い結晶しか製造できない。   However, there is a limit in independently controlling the required oxygen concentration and the generation behavior of crystal defects using a single heater 10. That is, to reduce the number of crystal defects, it is necessary to improve the heat insulation performance of the heat shielding plate 8a and increase the temperature gradient G in the axial direction of the crystal 6, but this also increases the temperature of the quartz crucible 3. Only crystals with high oxygen concentration can be produced.

逆に、酸素濃度の低い結晶を製造しようとすると、熱遮蔽板8aからの放熱を良くする必要があり結晶への熱の拡散が大きくなってしまい結晶欠陥の大きな徐冷タイプの結晶しか製造できない。   Conversely, when trying to manufacture a crystal with a low oxygen concentration, it is necessary to improve the heat dissipation from the heat shielding plate 8a, and the diffusion of heat to the crystal increases, so that only a slow-cooled type crystal with large crystal defects can be manufactured. .

複数のヒータからなるヒータ装置に関して以下に示す従来技術がある。   There is a conventional technique described below regarding a heater device including a plurality of heaters.

(従来技術1)
下記特許文献1には、石英るつぼ3の側面の上下2段にそれぞれヒータが設けられたヒータ装置が開示されている。
(Prior art 1)
The following Patent Document 1 discloses a heater device in which heaters are provided in two upper and lower stages on the side surface of the quartz crucible 3, respectively.

(従来技術2)
下記特許文献2には、石英るつぼ3の側面と底面それぞれにヒータが設けられたヒータ装置が開示されている。
特許第3000923号公報 特許第2681115号公報
(Prior art 2)
Patent Document 2 below discloses a heater device in which a heater is provided on each of a side surface and a bottom surface of a quartz crucible 3.
Japanese Patent No. 3000923 Japanese Patent No. 2681115

本出願人は、石英るつぼ3の側面の上下2段にヒータを設けるとともに、更にそれよりも下段の石英るつぼ3の底面にヒータを設けた、3段のヒータからなるヒータ装置に関する発明を、特許出願している。このようにヒータを3段設けて、各ヒータの発熱量を制御することにより、単結晶シリコン6中の酸素濃度と結晶欠陥を独立して制御することが可能となる。   The present applicant has patented an invention relating to a heater device comprising a three-stage heater in which heaters are provided on the upper and lower two stages of the side surface of the quartz crucible 3 and further provided on the bottom surface of the lower quartz crucible 3. I have applied. Thus, by providing three stages of heaters and controlling the heat generation amount of each heater, the oxygen concentration and crystal defects in the single crystal silicon 6 can be controlled independently.

図8は、図13に対応させて、ヒータ10の上面からみた各電極の配置関係を示している。   FIG. 8 shows the positional relationship of the electrodes as viewed from the upper surface of the heater 10 in correspondence with FIG.

単一のヒータ10はヒータ側プラス電極11とヒータ側マイナス電極12とがヒータ10の直径方向に対向して設けられている。石英るつぼ3の下方のベース40にはベース側プラス電極41とベース側マイナス電極44とが設けられている。そしてヒータ側プラス電極11とベース側プラス電極41とが電気的に接続されるとともにヒータ側マイナス電極12とベース側マイナス電極44とが電気的に接続されている。ベース側プラス電極41は電源に電気的に接続されており、ベース側マイナス電極44は接地している。電源の電圧がベース側プラス電極41を介してヒータ側プラス電極11に印加されることによってヒータ10に電流が流れ発熱する。   In the single heater 10, a heater-side plus electrode 11 and a heater-side minus electrode 12 are provided to face each other in the diameter direction of the heater 10. A base 40 on the lower side of the quartz crucible 3 is provided with a base-side plus electrode 41 and a base-side minus electrode 44. The heater-side plus electrode 11 and the base-side plus electrode 41 are electrically connected, and the heater-side minus electrode 12 and the base-side minus electrode 44 are electrically connected. The base-side plus electrode 41 is electrically connected to a power source, and the base-side minus electrode 44 is grounded. When the voltage of the power source is applied to the heater side positive electrode 11 via the base side positive electrode 41, a current flows through the heater 10 to generate heat.

ここで単一のヒータ10からなるヒータ装置を、3段のヒータからなるヒータ装置に変更するには、電極の数を増やさなければならない。ここで、複数のヒータからなるヒータ装置を実現するに際して、電極の数を極力少なくして部品点数を減らしコストを低減させることが要請されている。   Here, in order to change the heater device composed of a single heater 10 to a heater device composed of a three-stage heater, the number of electrodes must be increased. Here, when realizing a heater device composed of a plurality of heaters, it is required to reduce the number of electrodes as much as possible to reduce the number of parts and to reduce the cost.

本発明はこうした実状に鑑みてなされたものであり、複数のヒータからなるヒータ装置を実現するに際して、電極の数を極力少なくして部品点数を減らしコストを低減させることを、第1の解決課題とするものである。   The present invention has been made in view of such a situation, and in realizing a heater device composed of a plurality of heaters, the first problem to be solved is to reduce the number of parts and reduce the cost by reducing the number of electrodes as much as possible. It is what.

図6(a)はヒータ10を斜視図にて示している。ヒータ側プラス電極11とヒータ側マイナス電極12は、ヒータ10を下方で支持する脚部として機能する。ヒータ側プラス電極11とヒータ側マイナス電極12は、ヒータ10の直径方向に対向して設けられているため、ヒータ10は機械的に安定して支持されることになる。   FIG. 6A shows the heater 10 in a perspective view. The heater-side plus electrode 11 and the heater-side minus electrode 12 function as legs that support the heater 10 below. Since the heater-side plus electrode 11 and the heater-side minus electrode 12 are provided opposite to each other in the diameter direction of the heater 10, the heater 10 is supported mechanically and stably.

図6(b)はヒータ10に流れる電流経路を示している。ヒータ10は円環状に形成されているため、ヒータ側プラス電極11とヒータ側マイナス電極12との間の電流経路は、ヒータ10の半円周長さの2つの経路に分岐されている。各電流経路における抵抗R0は同じで通電される電流i0も同じである。このためヒータ10の周方向における温度分布は均一なものとなる。   FIG. 6B shows a current path flowing through the heater 10. Since the heater 10 is formed in an annular shape, the current path between the heater-side plus electrode 11 and the heater-side minus electrode 12 is branched into two paths having a semicircular length of the heater 10. The resistance R0 in each current path is the same, and the current i0 that is energized is also the same. For this reason, the temperature distribution in the circumferential direction of the heater 10 is uniform.

これに対して図7(a)に示すように、ヒータ側プラス電極11とヒータ側マイナス電極12とがヒータ10の直径方向に対向して設けられていない場合には、ヒータ側プラス電極11とヒータ側マイナス電極12が、ヒータ10を片持ちで支持することになり、機械的に不安定な支持構造となる。   On the other hand, as shown in FIG. 7A, when the heater side positive electrode 11 and the heater side negative electrode 12 are not provided opposite to each other in the diameter direction of the heater 10, the heater side positive electrode 11 The heater-side negative electrode 12 supports the heater 10 in a cantilevered manner, resulting in a mechanically unstable support structure.

この場合の各電流経路は、図7(b)に示すように、周方向で長さが異なるものとなり、一方の電流経路では抵抗rが小さくなり大きな電流Iが流れることになり、他方の電流経路経路では抵抗Rが大きくなり小さな電流iが流れることにになる(I>>i)。このためヒータ10の周方向における温度分布がバラツキ、石英るつぼ3内の融液5の温度分布に影響を与える。   Each current path in this case has a different length in the circumferential direction, as shown in FIG. 7B. In one current path, the resistance r decreases and a large current I flows, and the other current In the path, the resistance R increases and a small current i flows (I >> i). Therefore, the temperature distribution in the circumferential direction of the heater 10 varies and affects the temperature distribution of the melt 5 in the quartz crucible 3.

本発明は、第1の解決課題を達成しつつも、図6(a)に示すヒータの構造を維持して、ヒータを安定して支持できるようにし、ヒータの温度分布を均一にすることを、第2の解決課題とするものである。   The present invention achieves the first problem and maintains the heater structure shown in FIG. 6A so that the heater can be stably supported, and the heater temperature distribution is made uniform. This is a second problem to be solved.

第1発明は、第1の解決課題を達成するために、
るつぼの上下方向に沿って、円環状のヒータが複数段備えられ、各ヒータにはそれぞれ極性の異なる一対のヒータ側電極が設けられ、るつぼの下方のベースには極性の異なる一対のベース側電極が設けられ、極性を同じくするヒータ側電極とベース側電極とが電気的に接続されている単結晶半導体製造用ヒータ装置において、
ベースには、全ヒータに共通する1個の一方の極性のベース側電極が設けられ、
前記共通のベース側電極が、この共通のベース側電極と極性を同じくする全ヒータの複数個のヒータ側電極に電気的に接続されていること
を特徴とする。
In order to achieve the first solution, the first invention provides:
A plurality of annular heaters are provided along the vertical direction of the crucible, each heater is provided with a pair of heater-side electrodes having different polarities, and a pair of base-side electrodes having different polarities is provided at the base below the crucible. In the heater device for manufacturing a single crystal semiconductor, wherein the heater side electrode and the base side electrode having the same polarity are electrically connected,
The base is provided with a base electrode of one polarity common to all heaters,
The common base side electrode is electrically connected to a plurality of heater side electrodes of all heaters having the same polarity as the common base side electrode.

第1発明によれば、図1に示すように、ベース40には、全ヒータ10、20、30に共通する1個のベース側マイナス電極44が設けられ、この共通のベース側マイナス電極44が、全ヒータ10、20、30の複数個のヒータ側マイナス電極12、22、32に電気的に接続される。   According to the first invention, as shown in FIG. 1, the base 40 is provided with one base-side negative electrode 44 common to all the heaters 10, 20, 30. The heaters 10, 20, 30 are electrically connected to a plurality of heater side negative electrodes 12, 22, 32.

第1発明によれば、図9(a)または図9(b)に示すように、ベース40側のマイナス電極44を、各ヒータ10、20、30に共通に設けるようにしたので、図9(c)に示すようにベース40側のマイナス電極42、46、44を、各ヒータ10、20、30毎に設けた場合と比較して電極の数を減らすことができる。このため複数のヒータ10、20、30からなるヒータ装置を実現するに際して、電極の数が少なくなり部品点数が減りコストが低減する。   According to the first invention, as shown in FIG. 9 (a) or FIG. 9 (b), the negative electrode 44 on the base 40 side is provided in common to the heaters 10, 20, 30. As shown in (c), the number of electrodes can be reduced as compared with the case where the negative electrodes 42, 46, 44 on the base 40 side are provided for each heater 10, 20, 30. For this reason, when realizing a heater device composed of a plurality of heaters 10, 20, and 30, the number of electrodes is reduced, the number of parts is reduced, and the cost is reduced.

第2発明は、第1発明において、
ヒータにはそれぞれヒータ側プラス電極とヒータ側マイナス電極とが当該ヒータの直径方向に対向して設けられ、
前記共通のベース側電極が、ヒータの周方向に延在された形状に形成されていること
を特徴とする。
The second invention is the first invention,
Each heater has a heater-side plus electrode and a heater-side minus electrode facing each other in the diameter direction of the heater,
The common base side electrode is formed in a shape extending in a circumferential direction of the heater.

第2発明によれば、図9(a)に示すように、ヒータ10、20、30にはそれぞれヒータ側プラス電極11、21、31とヒータ側マイナス電極12、22、32とが当該ヒータ10、20、30の直径方向に対向して設けられ、共通のベース側マイナス電極53が、ヒータ10、20、30の周方向に延在された形状とされる。各ヒータ10、20、30を図6(a)に示す構造にできるため、ヒータ10、20、30が安定して支持され、ヒータ10、20、30の温度分布が均一となる。   According to the second aspect of the invention, as shown in FIG. 9A, the heaters 10, 20, and 30 are respectively provided with heater side positive electrodes 11, 21, and 31 and heater side negative electrodes 12, 22, and 32. , 20, 30 are opposed to each other in the diameter direction, and a common base-side negative electrode 53 is extended in the circumferential direction of the heaters 10, 20, 30. Since each heater 10, 20, and 30 can be made into the structure shown to Fig.6 (a), the heater 10,20,30 is supported stably and the temperature distribution of the heater 10,20,30 becomes uniform.

第3発明は、第2の解決課題を達成するために、
るつぼの上下方向に沿って、円環状のヒータが複数段備えられ、各ヒータにはそれぞれ極性の異なる一対のヒータ側電極が設けられ、るつぼの下方のベースには極性の異なる一対のベース側電極が設けられ、極性を同じくするヒータ側電極とベース側電極とが電気的に接続されている単結晶半導体製造用ヒータ装置において、
ヒータにはそれぞれヒータ側プラス電極とヒータ側マイナス電極とが当該ヒータの直径方向に対向して設けられ、
ベースには、全ヒータに共通する1個の一方の極性のベース側電極が設けられ、
ヒータの周方向に延在されて、前記共通のベース側電極と極性を同じくする電極用延長部材が設けられ、
この電極用延長部材が前記共通のベース側電極に電気的に接続されるとともに、この共通のベース側電極と極性を同じくする全ヒータの複数個のヒータ側電極に電気的に接続されていること
を特徴とする。
In order to achieve the second solution, the third invention provides
A plurality of annular heaters are provided along the vertical direction of the crucible, each heater is provided with a pair of heater-side electrodes having different polarities, and a pair of base-side electrodes having different polarities is provided at the base below the crucible. In the heater device for manufacturing a single crystal semiconductor, wherein the heater side electrode and the base side electrode having the same polarity are electrically connected,
Each heater has a heater-side plus electrode and a heater-side minus electrode facing each other in the diameter direction of the heater,
The base is provided with a base electrode of one polarity common to all heaters,
An electrode extension member is provided that extends in the circumferential direction of the heater and has the same polarity as the common base-side electrode,
The electrode extension member is electrically connected to the common base side electrode and is electrically connected to a plurality of heater side electrodes of all heaters having the same polarity as the common base side electrode. It is characterized by.

第4発明は、第2の解決課題を達成するために、
るつぼの上下方向に沿って、円環状のヒータが3段備えられ、これら3段の各ヒータにはそれぞれ極性の異なる一対のヒータ側電極が設けられ、るつぼの下方のベースには極性の異なる一対のベース側電極が設けられ、
極性を同じくするヒータ側電極とベース側電極とが電気的に接続されている単結晶半導体製造用ヒータ装置において、
前記3段の各ヒータにはそれぞれヒータ側プラス電極とヒータ側マイナス電極とが当該ヒータの直径方向に対向して設けられ、
ベースには、極性を同じくする各ヒータのヒータ側電極に対応して、当該ヒータ側電極と同一極性の3個のベース側電極と、これら3個のベース側電極と異なる極性であって、全ヒータに共通する1個のベース側電極とが、ヒータの周方向に沿って略均等間隔に設けられ、
ヒータの周方向に延在されて、前記共通のベース側電極と極性を同じくする第1の電極用延長部材と、前記共通のベース側電極と極性の異なる少なくとも2個の第2の電極用延長部材とが設けられ、
前記第1の電極用延長部材が前記共通のベース側電極に電気的に接続されるとともに、極性を同じくする全ヒータの複数個のヒータ側電極に電気的に接続され、
少なくとも2個の第2の電極用延長部材が、極性を同じくする少なくとも2個のベース側電極に電気的にそれぞれ接続されるとともに、少なくとも2個のヒータ側電極にそれぞれ電気的に接続されていること
を特徴とする。
In order to achieve the second solution, the fourth invention provides
Three annular heaters are provided along the vertical direction of the crucible. Each of the three heaters is provided with a pair of heater-side electrodes having different polarities, and a pair of different polarities is provided on the base below the crucible. Base side electrodes are provided,
In the heater device for manufacturing a single crystal semiconductor in which the heater side electrode and the base side electrode having the same polarity are electrically connected,
Each of the three-stage heaters is provided with a heater-side plus electrode and a heater-side minus electrode facing each other in the diameter direction of the heater,
The base has three base-side electrodes having the same polarity as the heater-side electrode, and different polarities from the three base-side electrodes, corresponding to the heater-side electrodes of the heaters having the same polarity. One base side electrode common to the heater is provided at substantially equal intervals along the circumferential direction of the heater,
A first electrode extension member extending in a circumferential direction of the heater and having the same polarity as the common base side electrode; and at least two second electrode extensions having a polarity different from the common base side electrode. Members are provided,
The first electrode extension member is electrically connected to the common base side electrode, and is electrically connected to a plurality of heater side electrodes of all heaters having the same polarity,
At least two second electrode extension members are electrically connected to at least two base-side electrodes having the same polarity, and are electrically connected to at least two heater-side electrodes, respectively. It is characterized by this.

第3発明、第4発明によれば、図1に示すように、第1発明と同様に、ベース40には、全ヒータ10、20、30に共通する1個のベース側マイナス電極44が設けられ、この共通のベース側マイナス電極44が、全ヒータ10、20、30の複数個のヒータ側マイナス電極12、22、32に電気的に接続される。第3発明、第4発明によれば、図3(あるいは図9(a))に示すように、ベース40側のマイナス電極44を、各ヒータ10、20、30に共通に設けるようにしたので、図9(c)に示すようにベース40側のマイナス電極42、46、44を、各ヒータ10、20、30毎に設けた場合と比較して電極の数を減らすことができる。このため第1発明と同様に、複数のヒータ10、20、30からなるヒータ装置を実現するに際して、電極の数が少なくなり部品点数が減りコストが低減する。   According to the third and fourth inventions, as shown in FIG. 1, the base 40 is provided with one base-side negative electrode 44 common to all the heaters 10, 20, and 30, as in the first invention. The common base side negative electrode 44 is electrically connected to the plurality of heater side negative electrodes 12, 22, 32 of all the heaters 10, 20, 30. According to the third and fourth inventions, as shown in FIG. 3 (or FIG. 9A), the negative electrode 44 on the base 40 side is provided in common to the heaters 10, 20, and 30. 9C, the number of electrodes can be reduced as compared with the case where the negative electrodes 42, 46, 44 on the base 40 side are provided for each of the heaters 10, 20, 30 as shown in FIG. For this reason, similarly to the first invention, in realizing a heater device including a plurality of heaters 10, 20, and 30, the number of electrodes is reduced, the number of parts is reduced, and the cost is reduced.

更に第3発明、第4発明によれば、図3(あるいは図9(a))に示すように、ヒータ10、20、30にはそれぞれヒータ側プラス電極11、21、31とヒータ側マイナス電極12、22、32とが当該ヒータ10、20、30の直径方向に対向して設けられ、ベース40の共通のベース側マイナス電極44がマイナス電極用延長部材53を介して、各ヒータ10、20、30のヒータ側マイナス電極12、22、32に電気的に接続される。各ヒータ10、20、30を図6(a)に示す構造にできるため、ヒータ10、20、30が安定して支持され、ヒータ10、20、30の温度分布が均一となる。   Further, according to the third and fourth inventions, as shown in FIG. 3 (or FIG. 9 (a)), the heaters 10, 20, and 30 have heater-side positive electrodes 11, 21, 31 and heater-side negative electrodes, respectively. 12, 22, and 32 are provided to face each other in the diameter direction of the heaters 10, 20, and 30, and a common base side negative electrode 44 of the base 40 is connected to each heater 10, 20 via a negative electrode extension member 53. , 30 are electrically connected to the heater side negative electrodes 12, 22, 32. Since each heater 10, 20, and 30 can be made into the structure shown to Fig.6 (a), the heater 10,20,30 is supported stably and the temperature distribution of the heater 10,20,30 becomes uniform.

さらに第4発明では、図3(あるいは図9(a))に示すように、ベース40には、3個のベース側プラス電極41、42、43、共通のベース側マイナス電極44が、ヒータ10、20、30の周方向に沿って略均等間隔に設けられる。そして、少なくとも2個のプラス電極用延長部材51、52が設けられ、これら少なくとも2個のプラス電極用延長部材51、52が、少なくとも2個のベース側プラス電極41、42に電気的にそれぞれ接続されるとともに、少なくとも2個のヒータ側プラス電極11、21にそれぞれ電気的に接続される。このため電極41、42、43、44が周方向に等間隔で配置されている既存のベース40に大幅な改造を加えることなく、そのまま利用して複数のヒータからなるヒータ装置を構築することが可能となる。   Furthermore, in the fourth invention, as shown in FIG. 3 (or FIG. 9A), the base 40 is provided with three base side positive electrodes 41, 42, 43 and a common base side negative electrode 44. , 20, 30 are provided at substantially equal intervals along the circumferential direction. At least two positive electrode extension members 51 and 52 are provided, and these at least two positive electrode extension members 51 and 52 are electrically connected to at least two base-side positive electrodes 41 and 42, respectively. At the same time, it is electrically connected to at least two heater-side positive electrodes 11, 21 respectively. For this reason, it is possible to construct a heater device composed of a plurality of heaters by using the existing base 40 in which the electrodes 41, 42, 43, 44 are arranged at equal intervals in the circumferential direction without making significant modifications. It becomes possible.

第5発明は、
第3発明の電極用延長部材または第4発明の第1の電極用延長部材は、複数のヒータを支持するとともに、これら複数のヒータの荷重の重心位置で、前記共通のベース側電極によって支持されていること
を特徴とする。
The fifth invention
The electrode extension member of the third invention or the first electrode extension member of the fourth invention supports a plurality of heaters and is supported by the common base side electrode at the center of gravity of the load of the plurality of heaters. It is characterized by

第5発明によれば、図12に示すように、マイナス電極用延長部材53は、複数のヒータ10、20、30を支持するとともに、これら複数のヒータ10、20、30の荷重の重心位置で、共通のベース側マイナス電極44によって支持されている。マイナス電極用延長部材53には、複数のヒータ側プラス電極12、22、32(各ヒータ10、20、30の脚部)を介して各ヒータ10、20、30の荷重が下向きに作用している。マイナス電極用延長部材53は、これら各ヒータ10、20、30の荷重の重心位置で、共通のベース側マイナス電極44によって支持されたため、ヒータ10、20、30を機械的に安定して支持することができる。   According to the fifth aspect of the present invention, as shown in FIG. 12, the negative electrode extension member 53 supports the plurality of heaters 10, 20, 30 and is located at the center of gravity of the load of the plurality of heaters 10, 20, 30. , And is supported by a common base side negative electrode 44. The load of the heaters 10, 20, and 30 acts downward on the negative electrode extension member 53 via the plurality of heater-side positive electrodes 12, 22, and 32 (leg portions of the heaters 10, 20, and 30). Yes. The negative electrode extension member 53 is supported by the common base-side negative electrode 44 at the center of gravity of the load of each of the heaters 10, 20, and 30, so that the heaters 10, 20, and 30 are supported mechanically and stably. be able to.

第6発明は、第1発明または第3発明または第4発明において、
上段のヒータの電極は、下段のヒータの内側に位置されていること
を特徴とする。
The sixth invention is the first invention, the third invention or the fourth invention,
The upper heater electrode is located inside the lower heater.

なお第1発明〜第6発明における共通のベース側の電極の極性は、マイナスにしてもよく、プラスにしてもよい。   Note that the polarity of the common base-side electrode in the first to sixth inventions may be negative or positive.

第7発明は、
るつぼの上下方向に沿って、円環状のヒータが複数段備えられ、各ヒータにはそれぞれ極性の異なる一対のヒータ側電極が設けられ、るつぼの下方のベースには極性の異なる一対のベース側電極が設けられ、極性を同じくするヒータ側電極とベース側電極とが電気的に接続されている単結晶半導体製造用ヒータ装置において、
上段のヒータの電極は、下段のヒータの内側に位置されていること
を特徴とする。
第6発明、第7発明によれば、図4に示すように、上段のヒータ10の電極11、12は、下段のヒータ20の内側に位置されている。このため図5に示すように、ヒータ10の外側の場積を小さくすることができ、CZ炉2自体を小型化することができる。またCZ炉2内の他の部材と干渉することなく、他の部材の改造(たとえば保温筒8bに逃げ部を形成するなどの改造)を要しない。
The seventh invention
A plurality of annular heaters are provided along the vertical direction of the crucible, each heater is provided with a pair of heater-side electrodes having different polarities, and a pair of base-side electrodes having different polarities is provided at the base below the crucible. In the heater device for manufacturing a single crystal semiconductor, wherein the heater side electrode and the base side electrode having the same polarity are electrically connected,
The upper heater electrode is located inside the lower heater.
According to the sixth and seventh inventions, as shown in FIG. 4, the electrodes 11 and 12 of the upper heater 10 are positioned inside the lower heater 20. For this reason, as shown in FIG. 5, the field outside the heater 10 can be reduced, and the CZ furnace 2 itself can be downsized. Further, the other members in the CZ furnace 2 do not interfere with each other, and no modification of other members (for example, a modification such as forming an escape portion in the heat insulating cylinder 8b) is required.

以下図面を参照して実施形態のヒータ装置について説明する。   Hereinafter, a heater device according to an embodiment will be described with reference to the drawings.

図2は単結晶引上げ装置1の構成を側面からみた図である。実施形態のヒータ装置はこの単結晶引上げ装置1に組み込まれている。
同図2に示すように、実施形態の単結晶引上げ装置1は、単結晶引上げ用容器としてのCZ炉(チャンバ)2を備えている。
FIG. 2 is a side view of the configuration of the single crystal pulling apparatus 1. The heater device of the embodiment is incorporated in the single crystal pulling device 1.
As shown in FIG. 2, the single crystal pulling apparatus 1 according to the embodiment includes a CZ furnace (chamber) 2 as a single crystal pulling container.

CZ炉2内には、多結晶シリコンの原料を溶融して融液5として収容する石英るつぼ3が設けられている。石英るつぼ3は、その外側が黒鉛るつぼ7によって覆われている。るつぼ3、7の周囲には、石英るつぼ3内の多結晶シリコン原料を加熱して溶融する側面上段ヒータ10、側面下段ヒータ20、底面ヒータ30が設けられている。側面上段ヒータ10、側面下段ヒータ20は、石英るつぼ3の外周に沿って、円環状に形成されている。側面上段ヒータ10、側面下段ヒータ20は、石英るつぼ3の側面の上下方向に沿って上下2段にそれぞれ配置されている。   In the CZ furnace 2, there is provided a quartz crucible 3 for melting a polycrystalline silicon raw material and storing it as a melt 5. The quartz crucible 3 is covered with a graphite crucible 7 on the outside. Around the crucibles 3 and 7, there are provided an upper side heater 10, a lower side heater 20, and a bottom heater 30 that heat and melt the polycrystalline silicon material in the quartz crucible 3. The side upper heater 10 and the side lower heater 20 are formed in an annular shape along the outer periphery of the quartz crucible 3. The upper side heater 10 and the lower side heater 20 are respectively arranged in two upper and lower stages along the vertical direction of the side surface of the quartz crucible 3.

側面下段ヒータ20の更に下段にあって、るつぼ3、7の底面には、円環状の底面ヒータ30が設けられている。   An annular bottom heater 30 is provided on the bottom surface of the crucibles 3 and 7 in the lower stage of the side lower heater 20.

これら3段のヒータ10、20、30は、各ヒータ10、20、30に印加される電圧を独立して調整することによって発熱量、つまり石英るつぼ3に対する加熱量を独立して調整することができる。   These three-stage heaters 10, 20, and 30 can independently adjust the amount of heat generated, that is, the amount of heat applied to the quartz crucible 3, by independently adjusting the voltage applied to each heater 10, 20, and 30. it can.

これら3段のヒータ10、20、30は、後述するようにベース40上で支持されている。   These three stages of heaters 10, 20, and 30 are supported on a base 40 as will be described later.

側面上段ヒータ10、側面下段ヒータ20とCZ炉2の内壁との間には、保温筒8bが設けられている。   A heat insulating cylinder 8b is provided between the side upper heater 10, the side lower heater 20, and the inner wall of the CZ furnace 2.

石英るつぼ3の上方には引上げ機構4が設けられている。引上げ機構4は、引上げ軸4aと種結晶4bを含む。   A pulling mechanism 4 is provided above the quartz crucible 3. The pulling mechanism 4 includes a pulling shaft 4a and a seed crystal 4b.

石英るつぼ3内での溶融が安定化すると、引上げ軸4aが鉛直方向に移動し種結晶4bが融液5に浸漬されて融液5から単結晶シリコンのインゴット6が、CZ法により引き上げられる。引上げの際、石英るつぼ3は回転軸9によって回転する。ベース40には、回転軸9が挿通される軸孔49が形成されている。   When the melting in the quartz crucible 3 is stabilized, the pulling shaft 4a moves in the vertical direction, the seed crystal 4b is immersed in the melt 5, and the single crystal silicon ingot 6 is pulled up from the melt 5 by the CZ method. At the time of pulling up, the quartz crucible 3 is rotated by the rotating shaft 9. A shaft hole 49 through which the rotation shaft 9 is inserted is formed in the base 40.

CZ炉2内と外気を遮断することで炉2内は真空(たとえば20Torr程度)に維持される。すなわちCZ炉2には不活性ガスとしてのアルゴンガスが供給され、CZ炉2の排気口からポンプによって排気される。これにより炉2内は所定の圧力に減圧される。   By shutting off the outside air from the CZ furnace 2, the inside of the furnace 2 is maintained in a vacuum (for example, about 20 Torr). That is, argon gas as an inert gas is supplied to the CZ furnace 2 and is exhausted from the exhaust port of the CZ furnace 2 by a pump. Thereby, the inside of the furnace 2 is depressurized to a predetermined pressure.

単結晶引上げのプロセス(1バッチ)の間で、CZ炉2内には種々の蒸発物が発生する。そこでCZ炉2にアルゴンガスを供給してCZ炉2外に蒸発物とともに排気してCZ炉2内から蒸発物を除去しクリーンにしている。アルゴンガスの供給流量は1バッチ中の各工程ごとに設定する。   Various evaporants are generated in the CZ furnace 2 during the single crystal pulling process (one batch). Therefore, argon gas is supplied to the CZ furnace 2 and exhausted together with the evaporated substance outside the CZ furnace 2 to remove the evaporated substance from the CZ furnace 2 and clean it. The supply flow rate of argon gas is set for each process in one batch.

石英るつぼ3の上方にあって、単結晶シリコン6の周囲には、熱遮蔽板8a(ガス整流筒)が設けられている。熱遮蔽板8aは、保温筒8bに支持されている。熱遮蔽板8aは、CZ炉2内に上方より供給されるキャリアガスとしてのアルゴンガスを、融液表面5aの中央に導き、さらに融液表面5aを通過させて融液表面5aの周縁部に導く。そして、アルゴンガス7は、融液5から蒸発したガスとともに、CZ炉2の下部に設けた排気口から排出される。このため融液5から蒸発される酸素を安定に保ち液面上のガス流速を安定化することができる。   Above the quartz crucible 3 and around the single crystal silicon 6, a heat shielding plate 8a (gas rectifying cylinder) is provided. The heat shielding plate 8a is supported by the heat insulating cylinder 8b. The heat shielding plate 8a guides argon gas as a carrier gas supplied from above into the CZ furnace 2 to the center of the melt surface 5a, and further passes through the melt surface 5a to the peripheral portion of the melt surface 5a. Lead. The argon gas 7 is discharged together with the gas evaporated from the melt 5 from an exhaust port provided in the lower part of the CZ furnace 2. For this reason, the oxygen evaporated from the melt 5 can be kept stable, and the gas flow rate on the liquid surface can be stabilized.

また熱遮蔽板8aは、単結晶シリコン6を、石英るつぼ3、融液5、ヒータ10、20、30などの熱源で発生する輻射熱から、断熱、遮蔽する。また熱遮蔽板8aは、単結晶シリコン6に、炉内で発生した不純物(たとえばシリコン酸化物)等が付着して、単結晶育成を阻害することを防止する。熱遮蔽板8aの下端と融液表面5aとの間隙の距離の大きさは、回転軸9を上昇下降させ、るつぼ3の上下方向位置を変化させることで調整することができる。   The heat shielding plate 8a insulates and shields the single crystal silicon 6 from radiant heat generated by a heat source such as the quartz crucible 3, the melt 5, and the heaters 10, 20, and 30. The heat shielding plate 8a prevents the single crystal silicon 6 from being impeded by impurities (for example, silicon oxide) generated in the furnace and hindering the single crystal growth. The distance between the lower end of the heat shielding plate 8a and the melt surface 5a can be adjusted by raising and lowering the rotary shaft 9 and changing the vertical position of the crucible 3.

図1は図2からヒータ装置を抜き出して、その構成を斜視図にて示している。図1はヒータ装置を各構成要素に分解した組立図にて示している。   FIG. 1 is a perspective view of the heater device extracted from FIG. FIG. 1 shows an exploded view in which the heater device is disassembled into each component.

同図1に示すように、側面上段ヒータ10にはヒータ側プラス電極11とヒータ側マイナス電極12とが設けられている。ヒータ側プラス電極11とヒータ側マイナス電極12とは当該ヒータ10の直径方向に対向して設けられている。ヒータ側プラス電極11、ヒータ側マイナス電極12は側面上段ヒータ10と一体に形成されている。ヒータ側プラス電極11、ヒータ側マイナス電極12はL字状に形成されており、下段の側面下段ヒータ20の外側に位置される。   As shown in FIG. 1, the side upper heater 10 is provided with a heater-side plus electrode 11 and a heater-side minus electrode 12. The heater side plus electrode 11 and the heater side minus electrode 12 are provided to face each other in the diameter direction of the heater 10. The heater side plus electrode 11 and the heater side minus electrode 12 are formed integrally with the side surface upper stage heater 10. The heater-side plus electrode 11 and the heater-side minus electrode 12 are formed in an L shape, and are positioned outside the lower side surface lower heater 20.

また側面下段ヒータ20にはヒータ側プラス電極21とヒータ側マイナス電極22とが設けられており、ヒータ側プラス電極21とヒータ側マイナス電極22とは当該ヒータ20の直径方向に対向して設けられている。ヒータ側プラス電極21、ヒータ側マイナス電極22は側面下段ヒータ20と一体に形成されている。   The side lower heater 20 is provided with a heater-side plus electrode 21 and a heater-side minus electrode 22, and the heater-side plus electrode 21 and the heater-side minus electrode 22 are provided to face each other in the diameter direction of the heater 20. ing. The heater side plus electrode 21 and the heater side minus electrode 22 are formed integrally with the side lower heater 20.

また底面ヒータ30にはヒータ側プラス電極31とヒータ側マイナス電極32とが設けられており、ヒータ側プラス電極31とヒータ側マイナス電極32とは当該ヒータ30の直径方向に対向して設けられている。ヒータ側プラス電極31、ヒータ側マイナス電極32は底面ヒータ30とは別体の部材であり、底面ヒータ30にボルト等の締結部材によって締結されている。   The bottom heater 30 is provided with a heater-side plus electrode 31 and a heater-side minus electrode 32, and the heater-side plus electrode 31 and the heater-side minus electrode 32 are provided to face each other in the diameter direction of the heater 30. Yes. The heater-side plus electrode 31 and the heater-side minus electrode 32 are separate members from the bottom heater 30 and are fastened to the bottom heater 30 by fastening members such as bolts.

一方、ベース40には、3個のベース側プラス電極41、42、43と1個のベース側マイナス電極44とが設けられている。これら3個のベース側プラス電極41、42、43、1個のベース側マイナス電極44は、ヒータ10、20、30の周方向に沿って均等間隔に(90゜毎に)設けられている。   On the other hand, the base 40 is provided with three base side positive electrodes 41, 42, 43 and one base side negative electrode 44. These three base-side plus electrodes 41, 42, 43 and one base-side minus electrode 44 are provided at equal intervals (every 90 °) along the circumferential direction of the heaters 10, 20, 30.

マイナス電極用延長部材53は、ヒータ10、20、30の周方向に延在するように形成されている。同様にプラス電極用延長部材51は、ヒータ10の周方向に延在するように形成されており、プラス電極用延長部材52は、ヒータ20の周方向に延在するように形成されている。なお延長部材51、52、53の材質としては、ヒータ、電極と同じ導電性のある材質、たとえばカーボン、C.C.M(カーボン.カーボン.ファイバ複合材料)が用いられる。   The negative electrode extension member 53 is formed to extend in the circumferential direction of the heaters 10, 20, 30. Similarly, the plus electrode extension member 51 is formed so as to extend in the circumferential direction of the heater 10, and the plus electrode extension member 52 is formed so as to extend in the circumferential direction of the heater 20. The extension members 51, 52, and 53 are made of the same conductive material as the heater and electrodes, such as carbon, C.I. C. M (carbon.carbon.fiber composite material) is used.

ベース側マイナス電極44には、マイナス電極用延長部材53が、ヒータ側マイナス電極32と共にボルト等によって締結されている。またベース側プラス電極43には、ヒータ側プラス電極31がボルト等によって締結されている。これによりベース側マイナス電極44がマイナス電極用延長部材53を介してヒータ側マイナス電極32に電気的に接続されるとともに、ベース側プラス電極43がヒータ側プラス電極31に電気的に接続され、底面ヒータ30が通電可能となる。またベース40上で、底面ヒータ30が支持される。   A negative electrode extension member 53 is fastened to the base negative electrode 44 together with the heater negative electrode 32 by a bolt or the like. The heater side positive electrode 31 is fastened to the base side positive electrode 43 with bolts or the like. As a result, the base side negative electrode 44 is electrically connected to the heater side negative electrode 32 via the negative electrode extension member 53, and the base side positive electrode 43 is electrically connected to the heater side positive electrode 31. The heater 30 can be energized. A bottom heater 30 is supported on the base 40.

マイナス電極用延長部材53には、ヒータ側マイナス電極12がボルト等によって締結されている。ベース側プラス電極41には、プラス電極用延長部材51がボルト等によって締結されている。プラス電極用延長部材51には、ヒータ側プラス電極11がボルト等によって締結されている。これによりベース側マイナス電極44がマイナス電極用延長部材53を介してヒータ側マイナス電極12に電気的に接続されるとともに、ベース側プラス電極41がプラス電極用延長部材51を介してヒータ側プラス電極11に電気的に接続され、側面上段ヒータ10が通電可能となる。またベース40上で、側面上段ヒータ10が支持される。   The heater-side negative electrode 12 is fastened to the negative electrode extension member 53 with a bolt or the like. A positive electrode extension member 51 is fastened to the base-side positive electrode 41 with a bolt or the like. The heater-side positive electrode 11 is fastened to the positive electrode extension member 51 with a bolt or the like. Thus, the base side negative electrode 44 is electrically connected to the heater side negative electrode 12 via the negative electrode extension member 53, and the base side positive electrode 41 is connected to the heater side positive electrode via the positive electrode extension member 51. 11 and is electrically connected to the side upper heater 10. In addition, the upper side heater 10 is supported on the base 40.

マイナス電極用延長部材53には、ヒータ側マイナス電極22がボルト等によって締結されている。ベース側プラス電極42には、プラス電極用延長部材52がボルト等によって締結されている。プラス電極用延長部材52には、ヒータ側プラス電極21がボルト等によって締結されている。これによりベース側マイナス電極44がマイナス電極用延長部材53を介してヒータ側マイナス電極22に電気的に接続されるとともに、ベース側プラス電極42がプラス電極用延長部材52を介してヒータ側プラス電極21に電気的に接続され、側面下段ヒータ20が通電可能となる。またベース40上で、側面下段ヒータ20が支持される。   The heater-side negative electrode 22 is fastened to the negative electrode extension member 53 with a bolt or the like. A plus electrode extension member 52 is fastened to the base side plus electrode 42 by a bolt or the like. The heater-side plus electrode 21 is fastened to the plus electrode extension member 52 by a bolt or the like. As a result, the base side negative electrode 44 is electrically connected to the heater side negative electrode 22 via the negative electrode extension member 53, and the base side positive electrode 42 is connected to the heater side positive electrode via the positive electrode extension member 52. It is electrically connected to 21 and the side lower heater 20 can be energized. Further, the side lower heater 20 is supported on the base 40.

ベース側プラス電極41、42、43はそれぞれ独立した各電源に電気的に接続されており、各電極に印加される電圧を独立して変化させることができる。ベース側マイナス電極44は接地している。このため側面上段ヒータ10用電源の電圧がベース側プラス電極41、プラス電極用延長部材51を介してヒータ側プラス電極11に印加されることによって側面上段ヒータ10に電流が流れ、発熱する。側面上段ヒータ10用電源の電圧を変化させることで、側面上段ヒータ10の発熱量が調整され、石英るつぼ3の加熱量が制御される。   The base-side plus electrodes 41, 42, 43 are electrically connected to independent power sources, and the voltage applied to each electrode can be changed independently. The base side negative electrode 44 is grounded. Therefore, when the voltage of the power source for the upper side heater 10 is applied to the heater side positive electrode 11 via the base side positive electrode 41 and the positive electrode extension member 51, a current flows through the upper side heater 10 to generate heat. By changing the voltage of the power supply for the upper side heater 10, the amount of heat generated by the upper side heater 10 is adjusted, and the heating amount of the quartz crucible 3 is controlled.

同様に側面下段ヒータ20用電源の電圧がベース側プラス電極42、プラス電極用延長部材52を介してヒータ側プラス電極21に印加されることによって側面下段ヒータ20に電流が流れ、発熱する。側面下段ヒータ20用電源の電圧を変化させることで、側面下段ヒータ20の発熱量が調整され、石英るつぼ3の加熱量が制御される。   Similarly, when the voltage of the power source for the lower side heater 20 is applied to the heater side positive electrode 21 via the base side positive electrode 42 and the positive electrode extension member 52, a current flows through the lower side heater 20 to generate heat. By changing the voltage of the power source for the lower side heater 20, the heat generation amount of the lower side heater 20 is adjusted, and the heating amount of the quartz crucible 3 is controlled.

同様に底面ヒータ30用電源の電圧がベース側プラス電極43を介してヒータ側プラス電極31に印加されることによって底面ヒータ30に電流が流れ、発熱する。底面ヒータ30用電源の電圧を変化させることで、底面ヒータ30の発熱量が調整され、石英るつぼ3の加熱量が制御される。   Similarly, when the voltage of the power source for the bottom heater 30 is applied to the heater side positive electrode 31 via the base side positive electrode 43, a current flows through the bottom heater 30 to generate heat. By changing the voltage of the power supply for the bottom heater 30, the amount of heat generated by the bottom heater 30 is adjusted, and the heating amount of the quartz crucible 3 is controlled.

図3は図1に示すヒータ装置を、上面からみた図であり、各電極の接続態様と各電極と各ヒータとの接続態様を示している。   FIG. 3 is a top view of the heater device shown in FIG. 1, and shows the connection mode of each electrode and the connection mode of each electrode and each heater.

また図9(a)は図3に対応させて同じくヒータ装置を上面からみた図であり、ヒータ10、20、30の外形と各電極との位置関係を示している。   FIG. 9A is a view of the heater device as seen from above corresponding to FIG. 3, and shows the positional relationship between the outer shapes of the heaters 10, 20, and 30 and the respective electrodes.

また図9(c)は図9(a)に対応させて従来技術を示す図である。図9(c)は、ベース40側に、各ヒータ10、20、30毎に、マイナス電極42、46、44を設けた場合を示している。図9(c)では、側面上段ヒータ10のヒータ側プラス電極11がベース側プラス電極41に電気的に接続され、ヒータ側マイナス電極12がベース側マイナス電極42に電気的に接続される。また側面下段ヒータ20のヒータ側プラス電極21がベース側プラス電極45に電気的に接続され、ヒータ側マイナス電極22がベース側マイナス電極46に電気的に接続される。また底面ヒータ30のヒータ側プラス電極31がベース側プラス電極43に電気的に接続され、ヒータ側マイナス電極32がベース側マイナス電極44に電気的に接続される。   FIG. 9 (c) is a diagram showing the prior art corresponding to FIG. 9 (a). FIG. 9C shows a case where negative electrodes 42, 46, 44 are provided for each heater 10, 20, 30 on the base 40 side. In FIG. 9C, the heater side positive electrode 11 of the side surface upper stage heater 10 is electrically connected to the base side positive electrode 41, and the heater side negative electrode 12 is electrically connected to the base side negative electrode 42. Further, the heater side positive electrode 21 of the lower side heater 20 is electrically connected to the base side positive electrode 45, and the heater side negative electrode 22 is electrically connected to the base side negative electrode 46. Further, the heater side positive electrode 31 of the bottom heater 30 is electrically connected to the base side positive electrode 43, and the heater side negative electrode 32 is electrically connected to the base side negative electrode 44.

図1に示すヒータ装置によれば、図3(あるいは図9(a))に示すように、ベース40側のマイナス電極44を、各ヒータ10、20、30に共通に設けるようにしたので、図9(c)に示すような、ベース40側のマイナス電極42、46、44を、各ヒータ10、20、30毎に設けた場合と比較して、電極の数を減らすことができる。このため3段のヒータ10、20、30からなるヒータ装置を実現するに際して、電極の数が少なくなり部品点数が減りコストが低減する。   According to the heater device shown in FIG. 1, as shown in FIG. 3 (or FIG. 9A), the negative electrode 44 on the base 40 side is provided in common to each heater 10, 20, 30. Compared with the case where the negative electrodes 42, 46, 44 on the base 40 side are provided for each of the heaters 10, 20, 30 as shown in FIG. 9C, the number of electrodes can be reduced. For this reason, when realizing a heater device including three stages of heaters 10, 20, and 30, the number of electrodes is reduced, the number of parts is reduced, and the cost is reduced.

更に図1のヒータ装置によれば、図3(あるいは図9(a))に示すように、ヒータ10、20、30にはそれぞれヒータ側プラス電極11、21、31とヒータ側マイナス電極12、22、32とが当該ヒータ10、20、30の直径方向に対向して設けられ、ベース40の共通のベース側マイナス電極44がマイナス電極用延長部材53を介して、各ヒータ10、20、30のヒータ側マイナス電極12、22、32に電気的に接続される。各ヒータ10、20、30を、図6(a)に示すような、脚部11、12が対向された構造にできるため、図7(a)に示すような、脚部11、12が片持ちとなる構造と比較して、ヒータ10、20、30が安定して支持される。また各ヒータ10、20、30の両分岐電流経路を図6(b)に示すような、電流i0、抵抗R0が同じとなる経路にできるため、図7(b)に示すような、各分岐電流経路で電流、抵抗が異なる場合と比較して、ヒータ10、20、30の温度分布を均一にでき、石英るつぼ3の周方向の温度分布を均一にすることができる。   Further, according to the heater device of FIG. 1, as shown in FIG. 3 (or FIG. 9 (a)), the heaters 10, 20, and 30 have heater-side positive electrodes 11, 21, 31 and heater-side negative electrodes 12, respectively. 22 and 32 are provided opposite to each other in the diametrical direction of the heaters 10, 20, and 30, and a common base side negative electrode 44 of the base 40 is connected to each heater 10, 20, 30 via a negative electrode extension member 53. Are electrically connected to the heater side negative electrodes 12, 22, 32. Since each of the heaters 10, 20, and 30 can have a structure in which the legs 11 and 12 face each other as shown in FIG. 6A, the legs 11 and 12 as shown in FIG. The heaters 10, 20, and 30 are stably supported as compared with the holding structure. Further, since both the branch current paths of the heaters 10, 20, and 30 can be made to have the same current i0 and resistance R0 as shown in FIG. 6B, each branch as shown in FIG. Compared to the case where the current and resistance are different in the current path, the temperature distribution of the heaters 10, 20, and 30 can be made uniform, and the temperature distribution in the circumferential direction of the quartz crucible 3 can be made uniform.

さらに図1のヒータ装置によれば、図3(あるいは図9(a))に示すように、ベース40には、3個のベース側プラス電極41、42、43、共通のベース側マイナス電極44が、ヒータ10、20、30の周方向に沿って均等間隔で(90゜ごとに)設けられる。そして、2個のプラス電極用延長部材51、52が設けられ、これら2個のプラス電極用延長部材51、52が、2個のベース側プラス電極41、42に電気的にそれぞれ接続されるとともに、2個のヒータ側プラス電極11、21にそれぞれ電気的に接続される。各電極44(33)、22、41、11、43(31)、21、42、12の配置間隔は、ヒータ10、20、30の周方向に沿って等間隔(60゜)となる。   Further, according to the heater device of FIG. 1, as shown in FIG. 3 (or FIG. 9A), the base 40 has three base side positive electrodes 41, 42, 43 and a common base side negative electrode 44. Are provided at equal intervals (every 90 °) along the circumferential direction of the heaters 10, 20, and 30. Two plus electrode extension members 51 and 52 are provided, and these two plus electrode extension members 51 and 52 are electrically connected to the two base side plus electrodes 41 and 42, respectively. The two heater-side positive electrodes 11 and 21 are electrically connected to each other. The arrangement intervals of the electrodes 44 (33), 22, 41, 11, 43 (31), 21, 42, 12 are equal intervals (60 °) along the circumferential direction of the heaters 10, 20, 30.

ここで図8は、単一のヒータ10からなる従来のヒータ装置に用いられるベース40を示している。既存のベース40には、各電極41、42、43、44が等間隔で(90゜毎に)設けられている。   Here, FIG. 8 shows a base 40 used in a conventional heater device composed of a single heater 10. The existing base 40 is provided with electrodes 41, 42, 43, and 44 at regular intervals (every 90 °).

このため既存のベース40の電極41、42、43、44の配置を変えることなく、つまり大幅な改造を加えることなくそのまま利用して、3段のヒータ10、20、30からなるヒータ装置を構築することが可能となる。   For this reason, a heater device comprising three stages of heaters 10, 20, and 30 is constructed without changing the arrangement of the electrodes 41, 42, 43, and 44 of the existing base 40, that is, without any significant modification. It becomes possible to do.

図1のヒータ装置には、種々の変形が可能である。   The heater device of FIG. 1 can be variously modified.

図3(あるいは図9(a))に示すように、図1のヒータ装置では、円弧状のマイナス電極用延長部材53が、その円弧の略中心でベース側マイナス電極44によって支持されている。しかし、図12に示すように、マイナス電極用延長部材53が、その重心位置でベース側電極44によって支持される構造としてもよい。すなわちマイナス電極用延長部材53は、3段のヒータ10、20、30を支持しているが、マイナス電極用延長部材53は、これら3段のヒータ10、20、30の荷重の重心位置で、共通のベース側マイナス電極44によって支持される。   As shown in FIG. 3 (or FIG. 9A), in the heater device of FIG. 1, the arc-shaped minus electrode extension member 53 is supported by the base-side minus electrode 44 at the approximate center of the arc. However, as shown in FIG. 12, the negative electrode extension member 53 may be supported by the base-side electrode 44 at the center of gravity. That is, the minus electrode extension member 53 supports the three-stage heaters 10, 20, and 30, but the minus electrode extension member 53 is located at the center of gravity of the load of the three-stage heaters 10, 20, and 30. It is supported by a common base side negative electrode 44.

これにより図3(あるいは図9(a))に示す場合と比較して、マイナス電極用延長部材53によってヒータ10、20、30を、より機械的に安定して支持できるようになる。   As a result, compared to the case shown in FIG. 3 (or FIG. 9A), the heaters 10, 20, and 30 can be more mechanically and stably supported by the negative electrode extension member 53.

また図1のヒータ装置では、マイナス電極用延長部材53を、ベース40側のマイナス電極44と別体としているが、マイナス電極用延長部材53を、ベース側マイナス電極44と一体に形成してもよい。すなわちベース側マイナス電極44自体の形状を、図3(あるいは図9(a))に示す円弧状の形状とすることによって、図1のマイナス装置と同様の効果を得ることができる。   In the heater device of FIG. 1, the minus electrode extension member 53 is separated from the minus electrode 44 on the base 40 side, but the minus electrode extension member 53 may be formed integrally with the base side minus electrode 44. Good. That is, by making the shape of the base-side minus electrode 44 itself an arc shape shown in FIG. 3 (or FIG. 9A), the same effect as that of the minus device of FIG. 1 can be obtained.

同様にベース側プラス電極41自体の形状を、プラス電極用延長部材51と同様の円弧形状にしてもよく、ベース側プラス電極42自体の形状を、プラス電極用延長部52と同様の円弧形状にしてもよい。   Similarly, the shape of the base-side plus electrode 41 itself may be an arc shape similar to that of the plus electrode extension member 51, and the shape of the base-side plus electrode 42 itself may be an arc shape similar to that of the plus electrode extension portion 52. May be.

図1のヒータ装置では、延長部材53を設けることによって、各ヒータの電極を対向配置可能にしているが、各ヒータの電極を対向配置させない実施も可能である。   In the heater device of FIG. 1, the electrodes of the heaters can be arranged to face each other by providing the extending member 53, but it is also possible to perform the arrangement in which the electrodes of the heaters are not arranged to face each other.

図9(b)は図9(a)に対応する図であり、延長部材51、52、53を設けることなく1個の共通のベース側マイナス電極44を設けた場合の構成を示している。   FIG. 9B is a diagram corresponding to FIG. 9A, and shows a configuration in which one common base side negative electrode 44 is provided without providing the extension members 51, 52, 53.

図9(b)は、図9(a)とヒータ側の各電極とベース側の各電極との配置態様は同じであり、側面上段ヒータ10、側面下段ヒータ20、底面ヒータ30の各ヒータ側マイナス電極12、22、32が、ベース40側の1個の共通のマイナス電極44に電気的に接続されている。しかしマイナス電極用延長部材53が設けられていないため、側面上段ヒータ10のヒータ側プラス電極11、ヒータ側マイナス電極12を対向配置させることはできない。同様に側面下段ヒータ20のヒータ側プラス電極21、ヒータ側マイナス電極22を対向配置させることはできない。   9B is the same as FIG. 9A in the arrangement of the heater-side electrodes and the base-side electrodes, and the heater side of the side upper heater 10, the side lower heater 20, and the bottom heater 30 is the same. The negative electrodes 12, 22, 32 are electrically connected to one common negative electrode 44 on the base 40 side. However, since the negative electrode extension member 53 is not provided, the heater-side positive electrode 11 and the heater-side negative electrode 12 of the upper side heater 10 cannot be disposed to face each other. Similarly, the heater-side plus electrode 21 and the heater-side minus electrode 22 of the side lower heater 20 cannot be disposed opposite to each other.

ところで図1のヒータ装置では、側面上段ヒータ10のヒータ側プラス電極11、ヒータ側マイナス電極12はL字状に形成されており、下段の側面下段ヒータ20の外側に位置されている。このため図2に示すように、側面上段ヒータ10の外側の場積が大きくなり、CZ炉2自体が大型化せざるを得ない。またCZ炉2内の他の部材と干渉することを避けるために、他の部材の改造を要することがある。たとえば保温筒8bに逃げ部を形成するなどの改造を要することになる。   By the way, in the heater device of FIG. 1, the heater side positive electrode 11 and the heater side negative electrode 12 of the upper side heater 10 are formed in an L shape and are positioned outside the lower side lower heater 20. For this reason, as shown in FIG. 2, the field of the outside of the side upper stage heater 10 becomes large, and the CZ furnace 2 itself must be enlarged. Moreover, in order to avoid interfering with the other member in CZ furnace 2, the modification of another member may be required. For example, modification such as forming an escape portion in the heat insulating cylinder 8b is required.

つぎに図1のヒータ装置を改良した構造を、図4に示す。   Next, FIG. 4 shows a structure obtained by improving the heater device shown in FIG.

図4のヒータ装置では、側面上段ヒータ10のヒータ側プラス電極11、ヒータ側マイナス電極12は、内側に曲げられ、下段の側面下段ヒータ20の内側に位置されている。   In the heater device of FIG. 4, the heater side positive electrode 11 and the heater side negative electrode 12 of the side surface upper stage heater 10 are bent inward and are positioned inside the lower side surface lower heater 20.

図5は図2に対応する単結晶引上げ装置1の側面図であり、図4のヒータ装置が組み込まれた単結晶引上げ装置1の構成を示している。   FIG. 5 is a side view of the single crystal pulling apparatus 1 corresponding to FIG. 2, and shows the configuration of the single crystal pulling apparatus 1 in which the heater apparatus of FIG. 4 is incorporated.

図5に示すように、側面上段ヒータ10のヒータ側プラス電極11、ヒータ側マイナス電極12は、下段の側面下段ヒータ20の内側に位置されている。このためヒータ10の外側の場積を小さくすることができ、CZ炉2自体を小型化することができる。またCZ炉2内の他の部材と干渉することなく、他の部材の改造を要しない。たとえば保温筒8bに逃げ部を形成するなどの改造を要しない。   As shown in FIG. 5, the heater side positive electrode 11 and the heater side negative electrode 12 of the upper side heater 10 are located inside the lower side heater 20 on the lower side. For this reason, the field outside the heater 10 can be reduced, and the CZ furnace 2 itself can be downsized. Further, it is not necessary to modify other members without interfering with other members in the CZ furnace 2. For example, there is no need for modification such as forming an escape portion in the heat insulating cylinder 8b.

上述した実施形態では、3段のヒータ10、20、30のうち最下段のヒータ30を、るつぼ3、7の底面に配置しているが、最下段のヒータ30を他のヒータ10、20と同様に、るつぼ3、7の側面に配置してもよい。   In the above-described embodiment, the lowermost heater 30 among the three-stage heaters 10, 20, 30 is arranged on the bottom surface of the crucibles 3, 7, but the lowermost heater 30 is connected to the other heaters 10, 20. Similarly, you may arrange | position on the side surface of the crucibles 3 and 7. FIG.

また上述した実施形態では、3段のヒータからなるヒータ装置を想定して説明したが、2段のヒータからなるヒータ装置、4段以上のヒータからなるヒータ装置に同様に適用してもよい。   In the above-described embodiment, the description has been made on the assumption that the heater device is composed of three stages of heaters. However, the present invention may be similarly applied to a heater apparatus composed of two stages of heaters and four or more stages of heaters.

図10(a)は、2段のヒータ10、20からなるヒータ装置に適用した場合の構成を、図9(a)に対応させて示している。   FIG. 10 (a) shows a configuration corresponding to FIG. 9 (a) when applied to a heater device including two stages of heaters 10 and 20. FIG.

図10(a)に示すヒータ装置では、ヒータ10のヒータ側プラス電極11がベース側プラス電極41に電気的に接続され、ヒータ側マイナス電極12がマイナス電極用延長部材53を介して共通のベース側マイナス電極44に電気的に接続されている。またヒータ20のヒータ側プラス電極21がベース側プラス電極42に電気的に接続され、ヒータ側マイナス電極22がマイナス電極用延長部材53を介して共通のベース側マイナス電極44に電気的に接続されている。   10A, the heater side positive electrode 11 of the heater 10 is electrically connected to the base side positive electrode 41, and the heater side negative electrode 12 is connected to the common base via the negative electrode extension member 53. The side negative electrode 44 is electrically connected. Further, the heater side positive electrode 21 of the heater 20 is electrically connected to the base side positive electrode 42, and the heater side negative electrode 22 is electrically connected to the common base side negative electrode 44 via the negative electrode extension member 53. ing.

図10(b)は、2段のヒータ10、20からなるヒータ装置に適用した場合の構成を、図9(b)に対応させて示している。   FIG. 10B shows a configuration in the case of being applied to a heater device including two stages of heaters 10 and 20 corresponding to FIG. 9B.

図10(b)に示すヒータ装置では、ヒータ10のヒータ側プラス電極11がベース側プラス電極41に電気的に接続され、ヒータ側マイナス電極12が共通のベース側マイナス電極44に電気的に接続されている。またヒータ20のヒータ側プラス電極21がベース側プラス電極42に電気的に接続され、ヒータ側マイナス電極22が共通のベース側マイナス電極44に電気的に接続されている。   In the heater device shown in FIG. 10B, the heater-side plus electrode 11 of the heater 10 is electrically connected to the base-side plus electrode 41, and the heater-side minus electrode 12 is electrically connected to the common base-side minus electrode 44. Has been. Further, the heater side positive electrode 21 of the heater 20 is electrically connected to the base side positive electrode 42, and the heater side negative electrode 22 is electrically connected to the common base side negative electrode 44.

図10(c)は、2段のヒータ10、20からなるヒータ装置の従来技術の構成を、図9(c)に対応させて示している。   FIG. 10C shows the configuration of the prior art of the heater device composed of the two-stage heaters 10 and 20 corresponding to FIG. 9C.

図10(c)に示すヒータ装置では、ヒータ10のヒータ側プラス電極11がベース側プラス電極41に電気的に接続され、ヒータ側マイナス電極12がベース側マイナス電極43に電気的に接続されている。またヒータ20のヒータ側プラス電極21がベース側プラス電極42に電気的に接続され、ヒータ側マイナス電極22がベース側マイナス電極44に電気的に接続されている。   In the heater device shown in FIG. 10C, the heater side positive electrode 11 of the heater 10 is electrically connected to the base side positive electrode 41, and the heater side negative electrode 12 is electrically connected to the base side negative electrode 43. Yes. Further, the heater side positive electrode 21 of the heater 20 is electrically connected to the base side positive electrode 42, and the heater side negative electrode 22 is electrically connected to the base side negative electrode 44.

このため図10(a)、図10(b)のヒータ装置によれば、図10(c)に示す従来のヒータ装置と比較して、電極の数が少なくなり部品点数が減りコストが低減する。   For this reason, according to the heater device of FIG. 10A and FIG. 10B, compared with the conventional heater device shown in FIG. 10C, the number of electrodes is reduced, the number of parts is reduced, and the cost is reduced. .

更に図10(a)のヒータ装置によれば、ヒータ10、20のヒータ側プラス電極11、21とヒータ側マイナス電極12、22とをそれぞれ当該ヒータ10、20の直径方向に対向して設けることができ、ヒータ10、20を機械的に安定して支持できるとともに、ヒータ10、20の温度分布を均一にでき石英るつぼ3の周方向の温度分布を均一にすることができる。   Furthermore, according to the heater device of FIG. 10A, the heater-side plus electrodes 11 and 21 and the heater-side minus electrodes 12 and 22 of the heaters 10 and 20 are provided to face each other in the diameter direction of the heaters 10 and 20, respectively. The heaters 10 and 20 can be supported mechanically and stably, the temperature distribution of the heaters 10 and 20 can be made uniform, and the temperature distribution in the circumferential direction of the quartz crucible 3 can be made uniform.

図11(a)は、4段のヒータ10、20、30、140からなるヒータ装置に適用した場合の構成を、図9(a)に対応させて示している。   FIG. 11A shows a configuration in the case of being applied to a heater device including four stages of heaters 10, 20, 30, and 140, corresponding to FIG. 9A.

図11(a)に示すヒータ装置では、ヒータ10のヒータ側プラス電極11がベース側プラス電極41に電気的に接続され、ヒータ側マイナス電極12がマイナス電極用延長部材53を介して共通のベース側マイナス電極44に電気的に接続されている。またヒータ20のヒータ側プラス電極21がベース側プラス電極42に電気的に接続され、ヒータ側マイナス電極22がマイナス電極用延長部材53を介して共通のベース側マイナス電極44に電気的に接続されている。またヒータ30のヒータ側プラス電極31がベース側プラス電極43に電気的に接続され、ヒータ側マイナス電極32がマイナス電極用延長部材53を介して共通のベース側マイナス電極44に電気的に接続されている。またヒータ140のヒータ側プラス電極141がベース側プラス電極45に電気的に接続され、ヒータ側マイナス電極142がマイナス電極用延長部材53を介して共通のベース側マイナス電極44に電気的に接続されている。   In the heater device shown in FIG. 11A, the heater-side plus electrode 11 of the heater 10 is electrically connected to the base-side plus electrode 41, and the heater-side minus electrode 12 is connected to the common base via the minus electrode extension member 53. The side negative electrode 44 is electrically connected. Further, the heater side positive electrode 21 of the heater 20 is electrically connected to the base side positive electrode 42, and the heater side negative electrode 22 is electrically connected to the common base side negative electrode 44 via the negative electrode extension member 53. ing. Further, the heater side positive electrode 31 of the heater 30 is electrically connected to the base side positive electrode 43, and the heater side negative electrode 32 is electrically connected to the common base side negative electrode 44 via the negative electrode extension member 53. ing. Further, the heater side plus electrode 141 of the heater 140 is electrically connected to the base side plus electrode 45, and the heater side minus electrode 142 is electrically connected to the common base side minus electrode 44 through the minus electrode extension member 53. ing.

図11(b)は、4段のヒータ10、20、30、140からなるヒータ装置に適用した場合の構成を、図9(b)に対応させて示している。   FIG. 11B shows a configuration when applied to a heater device including four stages of heaters 10, 20, 30, and 140, corresponding to FIG. 9B.

図11(b)に示すヒータ装置では、ヒータ10のヒータ側プラス電極11がベース側プラス電極41に電気的に接続され、ヒータ側マイナス電極12が共通のベース側マイナス電極44に電気的に接続されている。またヒータ20のヒータ側プラス電極21がベース側プラス電極42に電気的に接続され、ヒータ側マイナス電極22が共通のベース側マイナス電極44に電気的に接続されている。またヒータ30のヒータ側プラス電極31がベース側プラス電極43に電気的に接続され、ヒータ側マイナス電極32が共通のベース側マイナス電極44に電気的に接続されている。またヒータ140のヒータ側プラス電極141がベース側プラス電極45に電気的に接続され、ヒータ側マイナス電極142が共通のベース側マイナス電極44に電気的に接続されている。   In the heater device shown in FIG. 11B, the heater-side plus electrode 11 of the heater 10 is electrically connected to the base-side plus electrode 41, and the heater-side minus electrode 12 is electrically connected to the common base-side minus electrode 44. Has been. Further, the heater side positive electrode 21 of the heater 20 is electrically connected to the base side positive electrode 42, and the heater side negative electrode 22 is electrically connected to the common base side negative electrode 44. Further, the heater side positive electrode 31 of the heater 30 is electrically connected to the base side positive electrode 43, and the heater side negative electrode 32 is electrically connected to the common base side negative electrode 44. Further, the heater side plus electrode 141 of the heater 140 is electrically connected to the base side plus electrode 45, and the heater side minus electrode 142 is electrically connected to the common base side minus electrode 44.

図11(c)は、4段のヒータ10、20、30、140からなるヒータ装置の従来技術の構成を、図9(c)に対応させて示している。   FIG. 11C shows the configuration of the prior art of the heater device composed of four stages of heaters 10, 20, 30, 140 corresponding to FIG. 9C.

図11(c)に示すヒータ装置では、ヒータ10のヒータ側プラス電極11がベース側プラス電極41に電気的に接続され、ヒータ側マイナス電極12がベース側マイナス電極46に電気的に接続されている。またヒータ20のヒータ側プラス電極21がベース側プラス電極42に電気的に接続され、ヒータ側マイナス電極22がベース側マイナス電極47に電気的に接続されている。またヒータ30のヒータ側プラス電極31がベース側プラス電極43に電気的に接続され、ヒータ側マイナス電極32がベース側マイナス電極44に電気的に接続されている。またヒータ140のヒータ側プラス電極141がベース側プラス電極45に電気的に接続され、ヒータ側マイナス電極142がベース側マイナス電極48に電気的に接続されている。   In the heater device shown in FIG. 11C, the heater-side plus electrode 11 of the heater 10 is electrically connected to the base-side plus electrode 41, and the heater-side minus electrode 12 is electrically connected to the base-side minus electrode 46. Yes. Further, the heater side plus electrode 21 of the heater 20 is electrically connected to the base side plus electrode 42, and the heater side minus electrode 22 is electrically connected to the base side minus electrode 47. Further, the heater side positive electrode 31 of the heater 30 is electrically connected to the base side positive electrode 43, and the heater side negative electrode 32 is electrically connected to the base side negative electrode 44. Further, the heater side plus electrode 141 of the heater 140 is electrically connected to the base side plus electrode 45, and the heater side minus electrode 142 is electrically connected to the base side minus electrode 48.

このため図11(a)、図11(b)のヒータ装置によれば、図11(c)に示す従来のヒータ装置と比較して、電極の数が少なくなり部品点数が減りコストが低減する。   Therefore, according to the heater device of FIGS. 11 (a) and 11 (b), the number of electrodes is reduced, the number of parts is reduced, and the cost is reduced as compared with the conventional heater device shown in FIG. 11 (c). .

更に図11(a)のヒータ装置によれば、ヒータ10、20、30、140のヒータ側プラス電極11、21、31、141とヒータ側マイナス電極12、22、32、142とをそれぞれ当該ヒータ10、20、30、140の直径方向に対向して設けることができ、ヒータ10、20、30、140を機械的に安定して支持できるとともに、ヒータ10、20、30、140の温度分布を均一にでき石英るつぼ3の周方向の温度分布を均一にすることができる。   Further, according to the heater device of FIG. 11A, the heater side positive electrodes 11, 21, 31, 141 and the heater side negative electrodes 12, 22, 32, 142 of the heaters 10, 20, 30, 140 are respectively connected to the heaters. 10, 20, 30, 140 can be provided facing each other in the diameter direction, and the heaters 10, 20, 30, 140 can be supported mechanically and stably, and the temperature distribution of the heaters 10, 20, 30, 140 can be The temperature distribution in the circumferential direction of the quartz crucible 3 can be made uniform.

以上のように本発明によれば、n段(n=2、3、4…)のヒータからなるヒータ装置において、ベース40側の電極の数をn+1個にすることができ、従来のn段のヒータ装置で必要される電極の数2n個よりも、電極数を減らすことができる。また延長部材を設けた場合には、ベース40側の電極数を減らしつつもヒータの安定した支持、ヒータの均一な温度分布を実現することができる。   As described above, according to the present invention, in the heater device composed of n-stage (n = 2, 3, 4...) Heaters, the number of electrodes on the base 40 side can be made n + 1. The number of electrodes can be reduced as compared with the number 2n of electrodes required in the heater device. Further, when the extension member is provided, it is possible to realize stable support of the heater and uniform temperature distribution of the heater while reducing the number of electrodes on the base 40 side.

ところでヒータ10、20、30のプラス電極とマイナス電極との間の電圧が高いと、CZ炉2内の真空に近いアルゴンガス雰囲気中では、アース電位となっているチャンバ内壁との間で放電が生じやすくなる。したがって対アース間の放電は、これを防止する必要がある。対アース間の放電を防止するためには、対アース間の電圧の絶対値を低下させる必要がある。   By the way, if the voltage between the positive electrode and the negative electrode of the heaters 10, 20, and 30 is high, in the argon gas atmosphere close to the vacuum in the CZ furnace 2, a discharge is generated between the chamber inner wall which is at the ground potential. It tends to occur. Therefore, it is necessary to prevent the discharge between the earth and the ground. In order to prevent discharge between the ground and the ground, it is necessary to reduce the absolute value of the voltage between the ground and the ground.

本実施形態では図14に示すようにヒータ抵抗H1のヒータ10、ヒータ抵抗H2のヒータ20、ヒータ抵抗H3のヒータ30毎に、電源が設けられている。そして各ヒータ10、20、30の各電源から各ヒータ10、20、30に印加される電圧E1、E2、E3が独立して制御される。この場合、各ヒータ10、20、30に印加される電圧はそれぞれ異なり、いずれのヒータで最大電圧になるかは不定である。しかも各ヒータ10、20、30のマイナス電極は共通の電極44でありこの共通電極44の電位を各ヒータ10、20、30で同一にしなければならない。   In the present embodiment, as shown in FIG. 14, a power source is provided for each heater 10 having a heater resistance H1, heater 20 having a heater resistance H2, and heater 30 having a heater resistance H3. The voltages E1, E2, and E3 applied to the heaters 10, 20, and 30 from the power sources of the heaters 10, 20, and 30 are independently controlled. In this case, the voltages applied to the heaters 10, 20, and 30 are different from each other, and it is indeterminate which heater has the maximum voltage. In addition, the negative electrodes of the heaters 10, 20, and 30 are the common electrode 44, and the potential of the common electrode 44 must be the same for each of the heaters 10, 20, and 30.

そこで本実施形態では、最大電圧が加わるヒータの両電極間の電圧の中点をアース電位とすることで、対アース間の電圧の絶対値を低下させるようにしている。たとえば図14においてヒータ30の印加電圧E3が最大電圧Emaxであるとすると、そのヒータ30の電極間の電圧の中点がアース電位とされ、対アース間の電圧の絶対値を、+1/2Emaxまでに低下させることができる。   Therefore, in this embodiment, the absolute value of the voltage between the ground and the ground is reduced by setting the midpoint of the voltage between the two electrodes of the heater to which the maximum voltage is applied as the ground potential. For example, in FIG. 14, when the applied voltage E3 of the heater 30 is the maximum voltage Emax, the midpoint of the voltage between the electrodes of the heater 30 is the ground potential, and the absolute value of the voltage between the ground and the ground voltage is + 1 / 2Emax. Can be lowered.

図15はこれを実現するための回路構成を例示している。   FIG. 15 illustrates a circuit configuration for realizing this.

図15において、r1はヒータ10の両電極間の電圧を分圧する分圧抵抗であり、ヒータ10の中点電圧Ec1を生成するために使用される。中点電圧Ec1は抵抗r11によって検出される。またr2はヒータ20の両電極間の電圧を分圧する分圧抵抗であり、ヒータ20の中点電圧Ec2を生成するために使用される。中点電圧Ec2は抵抗r22によって検出される。またr3はヒータ30の両電極間の電圧を分圧する分圧抵抗であり、ヒータ30の中点電圧Ec3を生成するために使用される。中点電圧Ec3は抵抗r33によって検出される。   In FIG. 15, r 1 is a voltage dividing resistor that divides the voltage between both electrodes of the heater 10, and is used to generate a midpoint voltage Ec 1 of the heater 10. The midpoint voltage Ec1 is detected by the resistor r11. R2 is a voltage dividing resistor that divides the voltage between both electrodes of the heater 20, and is used to generate a midpoint voltage Ec2 of the heater 20. The midpoint voltage Ec2 is detected by the resistor r22. R3 is a voltage dividing resistor that divides the voltage between both electrodes of the heater 30, and is used to generate a midpoint voltage Ec3 of the heater 30. The midpoint voltage Ec3 is detected by the resistor r33.

検出された各中点電圧Ec1、Ec2、Ec3は最大電圧検出部100に入力され、プラス側の最大電圧+1/2Emaxが検出される。共通電極電位ドライブ部200は、プラス側最大電圧+1/2Emaxを入力し、これを反転してプラス側最大電圧と絶対値が等しいマイナス側最大電圧−1/2Emaxを出力して共通電極44をドライブする。これにより共通電極44の電位が、最大電圧Emaxが印加されているヒータ(たとえばヒータ30)の中点電圧Ec3を0Vとするような電位(−1/2Emax)にされる。   The detected midpoint voltages Ec1, Ec2, and Ec3 are input to the maximum voltage detection unit 100, and the maximum positive voltage + 1 / 2Emax is detected. The common electrode potential drive unit 200 inputs the plus-side maximum voltage + 1 / 2Emax, inverts it, and outputs the minus-side maximum voltage -1 / 2Emax whose absolute value is equal to the plus-side maximum voltage to drive the common electrode 44. To do. As a result, the potential of the common electrode 44 is set to a potential (−1/2 Emax) so that the midpoint voltage Ec3 of the heater (for example, the heater 30) to which the maximum voltage Emax is applied is 0V.

いずれかのヒータが地絡すると、対アースのインピーダンスが低下するため、共通電極電位ドライブ部200と共通電極44との間(抵抗R1)で電圧降下が増大する。抵抗R1の両端の極性をコンパレータ300で検出することにより、地絡を検出することができる。   When any of the heaters has a ground fault, the impedance to ground is reduced, so that the voltage drop increases between the common electrode potential drive unit 200 and the common electrode 44 (resistor R1). A ground fault can be detected by detecting the polarities of both ends of the resistor R1 with the comparator 300.

なお以上した説明では、共通のベース側電極44の極性がマイナスであることを想定して説明したが、共通のベース側電極44の極性をプラスに代えた場合であっても同様にして構成することができる。   In the above description, it is assumed that the polarity of the common base side electrode 44 is negative. However, even when the polarity of the common base side electrode 44 is changed to positive, the same configuration is adopted. be able to.

図1は実施形態のヒータ装置の構成を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing the configuration of the heater device of the embodiment. 図2は図1のヒータ装置が組み込まれた単結晶引上げ装置の構成を示す側面図である。FIG. 2 is a side view showing a configuration of a single crystal pulling apparatus in which the heater device of FIG. 1 is incorporated. 図3は図1のヒータ装置の各ヒータと各電極との配置関係を上面からみた図である。FIG. 3 is a view of the positional relationship between each heater and each electrode of the heater device of FIG. 1 as viewed from above. 図4は図1とはヒータ脚部の形状が異なるヒータ装置の構成を示す斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing a configuration of a heater device having a heater leg shape different from that of FIG. 図5は図4のヒータ装置が組み込まれた単結晶引上げ装置の構成を示す側面図である。FIG. 5 is a side view showing a configuration of a single crystal pulling apparatus in which the heater device of FIG. 4 is incorporated. 図6(a)はヒータ脚部が直径方向に対向しているヒータの構成を示す斜視図であり、図6(b)は図6(a)に対応させてヒータの電流経路を示した図である。FIG. 6A is a perspective view showing the configuration of the heater with the heater legs facing in the diameter direction, and FIG. 6B shows the current path of the heater corresponding to FIG. It is. 図7(a)はヒータ脚部が直径方向に対向していないヒータの構成を示す斜視図であり、図7(b)は図7(a)に対応させてヒータの電流経路を示した図である。FIG. 7A is a perspective view showing a configuration of a heater in which the heater leg portions are not opposed to each other in the diameter direction, and FIG. 7B is a diagram showing a current path of the heater corresponding to FIG. It is. 図8は従来の単一のヒータ装置に用いられるベースを示す上面図である。FIG. 8 is a top view showing a base used in a conventional single heater device. 図9(a)、(b)は3段のヒータからなるヒータ装置の電極の配置を示す上面図であり、図9(c)は3段のヒータからなるヒータ装置の従来技術による電極の配置を示す上面図である。FIGS. 9A and 9B are top views showing the arrangement of electrodes of a heater device composed of three stages of heaters, and FIG. 9C is the arrangement of electrodes according to the prior art of the heater apparatus composed of three stages of heaters. FIG. 図10(a)、(b)は2段のヒータからなるヒータ装置の電極の配置を示す上面図であり、図10(c)は2段のヒータからなるヒータ装置の従来技術による電極の配置を示す上面図である。FIGS. 10A and 10B are top views showing the arrangement of electrodes of a heater device composed of two stages of heaters, and FIG. 10C is the arrangement of electrodes according to the prior art of a heater apparatus composed of two stages of heaters. FIG. 図11(a)、(b)は4段のヒータからなるヒータ装置の電極の配置を示す上面図であり、図11(c)は4段のヒータからなるヒータ装置の従来技術による電極の配置を示す上面図である。FIGS. 11A and 11B are top views showing the arrangement of electrodes of a heater device composed of four stages of heaters, and FIG. 11C is the arrangement of electrodes according to the prior art of a heater apparatus composed of four stages of heaters. FIG. 図12はマイナス電極用延長部材の構成例を示す上面図である。FIG. 12 is a top view showing a configuration example of the minus electrode extension member. 図13は従来の単結晶引上げ装置の構成を示す側面図である。FIG. 13 is a side view showing a configuration of a conventional single crystal pulling apparatus. 図14は各ヒータの動作を説明するために用いた電気回路図である。FIG. 14 is an electric circuit diagram used for explaining the operation of each heater. 図15は実施形態のヒータ装置の電気回路図である。FIG. 15 is an electric circuit diagram of the heater device of the embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

10 側面上段ヒータ
20 側面下段ヒータ
30 底面ヒータ
11、21、32 ヒータ側プラス電極
12、22、32 ヒータ側マイナス電極
40 ベース
41、42、43 ベース側プラス電極
44 ベース側マイナス電極
51、52 プラス電極用延長部材
53 マイナス電極用延長部材
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Side surface upper stage heater 20 Side surface lower stage heater 30 Bottom surface heater 11, 21, 32 Heater side plus electrode 12, 22, 32 Heater side minus electrode 40 Base 41, 42, 43 Base side plus electrode 44 Base side minus electrode 51, 52 Plus electrode Extension member 53 Negative electrode extension member

Claims (7)

るつぼの上下方向に沿って、円環状のヒータが複数段備えられ、各ヒータにはそれぞれ極性の異なる一対のヒータ側電極が設けられ、るつぼの下方のベースには極性の異なる一対のベース側電極が設けられ、極性を同じくするヒータ側電極とベース側電極とが電気的に接続されている単結晶半導体製造用ヒータ装置において、
ベースには、全ヒータに共通する1個の一方の極性のベース側電極が設けられ、
前記共通のベース側電極が、この共通のベース側電極と極性を同じくする全ヒータの複数個のヒータ側電極に電気的に接続されていること
を特徴とする単結晶半導体製造用ヒータ装置。
A plurality of annular heaters are provided along the vertical direction of the crucible, each heater is provided with a pair of heater-side electrodes having different polarities, and a pair of base-side electrodes having different polarities is provided at the base below the crucible. In the heater device for manufacturing a single crystal semiconductor, wherein the heater side electrode and the base side electrode having the same polarity are electrically connected,
The base is provided with a base electrode of one polarity common to all heaters,
The heater device for manufacturing a single crystal semiconductor, wherein the common base side electrode is electrically connected to a plurality of heater side electrodes of all heaters having the same polarity as the common base side electrode.
ヒータにはそれぞれヒータ側プラス電極とヒータ側マイナス電極とが当該ヒータの直径方向に対向して設けられ、
前記共通のベース側電極が、ヒータの周方向に延在された形状に形成されている
を特徴とする請求項1記載の単結晶半導体製造用ヒータ装置。
Each heater has a heater-side plus electrode and a heater-side minus electrode facing each other in the diameter direction of the heater,
The heater device for manufacturing a single crystal semiconductor according to claim 1, wherein the common base side electrode is formed in a shape extending in a circumferential direction of the heater.
るつぼの上下方向に沿って、円環状のヒータが複数段備えられ、各ヒータにはそれぞれ極性の異なる一対のヒータ側電極が設けられ、るつぼの下方のベースには極性の異なる一対のベース側電極が設けられ、極性を同じくするヒータ側電極とベース側電極とが電気的に接続されている単結晶半導体製造用ヒータ装置において、
ヒータにはそれぞれヒータ側プラス電極とヒータ側マイナス電極とが当該ヒータの直径方向に対向して設けられ、
ベースには、全ヒータに共通する1個の一方の極性のベース側電極が設けられ、
ヒータの周方向に延在されて、前記共通のベース側電極と極性を同じくする電極用延長部材が設けられ、
この電極用延長部材が前記共通のベース側電極に電気的に接続されるとともに、この共通のベース側電極と極性を同じくする全ヒータの複数個のヒータ側電極に電気的に接続されていること
を特徴とする単結晶半導体製造用ヒータ装置。
A plurality of annular heaters are provided along the vertical direction of the crucible, each heater is provided with a pair of heater-side electrodes having different polarities, and a pair of base-side electrodes having different polarities is provided at the base below the crucible. In the heater device for manufacturing a single crystal semiconductor, wherein the heater side electrode and the base side electrode having the same polarity are electrically connected,
Each heater has a heater-side plus electrode and a heater-side minus electrode facing each other in the diameter direction of the heater,
The base is provided with a base electrode of one polarity common to all heaters,
An electrode extension member is provided that extends in the circumferential direction of the heater and has the same polarity as the common base-side electrode,
The electrode extension member is electrically connected to the common base side electrode and is electrically connected to a plurality of heater side electrodes of all heaters having the same polarity as the common base side electrode. A heater device for manufacturing a single crystal semiconductor.
るつぼの上下方向に沿って、円環状のヒータが3段備えられ、これら3段の各ヒータにはそれぞれ極性の異なる一対のヒータ側電極が設けられ、るつぼの下方のベースには極性の異なる一対のベース側電極が設けられ、
極性を同じくするヒータ側電極とベース側電極とが電気的に接続されている単結晶半導体製造用ヒータ装置において、
前記3段の各ヒータにはそれぞれヒータ側プラス電極とヒータ側マイナス電極とが当該ヒータの直径方向に対向して設けられ、
ベースには、極性を同じくする各ヒータのヒータ側電極に対応して、当該ヒータ側電極と同一極性の3個のベース側電極と、これら3個のベース側電極と異なる極性であって、全ヒータに共通する1個のベース側電極とが、ヒータの周方向に沿って略均等間隔に設けられ、
ヒータの周方向に延在されて、前記共通のベース側電極と極性を同じくする第1の電極用延長部材と、前記共通のベース側電極と極性の異なる少なくとも2個の第2の電極用延長部材とが設けられ、
前記第1の電極用延長部材が前記共通のベース側電極に電気的に接続されるとともに、極性を同じくする全ヒータの複数個のヒータ側電極に電気的に接続され、
少なくとも2個の第2の電極用延長部材が、極性を同じくする少なくとも2個のベース側電極に電気的にそれぞれ接続されるとともに、少なくとも2個のヒータ側電極にそれぞれ電気的に接続されていること
を特徴とする単結晶半導体製造用ヒータ装置。
Three annular heaters are provided along the vertical direction of the crucible. Each of the three heaters is provided with a pair of heater-side electrodes having different polarities, and a pair of different polarities is provided on the base below the crucible. Base side electrodes are provided,
In the heater device for manufacturing a single crystal semiconductor in which the heater side electrode and the base side electrode having the same polarity are electrically connected,
Each of the three-stage heaters is provided with a heater-side plus electrode and a heater-side minus electrode facing each other in the diameter direction of the heater,
The base has three base-side electrodes having the same polarity as the heater-side electrode, and different polarities from the three base-side electrodes, corresponding to the heater-side electrodes of the heaters having the same polarity. One base side electrode common to the heater is provided at substantially equal intervals along the circumferential direction of the heater,
A first electrode extension member extending in a circumferential direction of the heater and having the same polarity as the common base side electrode; and at least two second electrode extensions having a polarity different from the common base side electrode. Members are provided,
The first electrode extension member is electrically connected to the common base side electrode, and is electrically connected to a plurality of heater side electrodes of all heaters having the same polarity,
At least two second electrode extension members are electrically connected to at least two base-side electrodes having the same polarity, and are electrically connected to at least two heater-side electrodes, respectively. A heater device for manufacturing a single crystal semiconductor.
請求項3の前記電極用延長部材または請求項4の前記第1の電極用延長部材は、複数のヒータを支持するとともに、これら複数のヒータの荷重の重心位置で、前記共通のベース側電極によって支持されていること
を特徴とする請求項3または4記載の単結晶半導体製造用ヒータ装置。
The electrode extension member according to claim 3 or the first electrode extension member according to claim 4 supports a plurality of heaters, and at the position of the center of gravity of the load of the plurality of heaters by the common base side electrode. The heater device for manufacturing a single crystal semiconductor according to claim 3 or 4, wherein the heater device is supported.
上段のヒータの電極は、下段のヒータの内側に位置されていること
を特徴とする請求項1または3または4記載の単結晶半導体製造用ヒータ装置。
The heater device for manufacturing a single crystal semiconductor according to claim 1, wherein the electrode of the upper heater is positioned inside the lower heater.
るつぼの上下方向に沿って、円環状のヒータが複数段備えられ、各ヒータにはそれぞれ極性の異なる一対のヒータ側電極が設けられ、るつぼの下方のベースには極性の異なる一対のベース側電極が設けられ、極性を同じくするヒータ側電極とベース側電極とが電気的に接続されている単結晶半導体製造用ヒータ装置において、
上段のヒータの電極は、下段のヒータの内側に位置されていること
を特徴とする単結晶半導体製造用ヒータ装置。
A plurality of annular heaters are provided along the vertical direction of the crucible, each heater is provided with a pair of heater-side electrodes having different polarities, and a pair of base-side electrodes having different polarities is provided at the base below the crucible. In the heater device for manufacturing a single crystal semiconductor, in which the heater side electrode and the base side electrode having the same polarity are electrically connected,
A heater device for manufacturing a single crystal semiconductor, wherein an electrode of an upper heater is positioned inside a lower heater.
JP2003419694A 2003-12-17 2003-12-17 Heater device for single crystal semiconductor manufacturing Expired - Lifetime JP4497913B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003419694A JP4497913B2 (en) 2003-12-17 2003-12-17 Heater device for single crystal semiconductor manufacturing

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003419694A JP4497913B2 (en) 2003-12-17 2003-12-17 Heater device for single crystal semiconductor manufacturing

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005179099A true JP2005179099A (en) 2005-07-07
JP4497913B2 JP4497913B2 (en) 2010-07-07

Family

ID=34781510

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003419694A Expired - Lifetime JP4497913B2 (en) 2003-12-17 2003-12-17 Heater device for single crystal semiconductor manufacturing

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4497913B2 (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130020565A (en) 2011-08-17 2013-02-27 소니 주식회사 Semiconductor apparatus, method of manufacturing semiconductor apparatus, and electronic apparatus
JP2013220954A (en) * 2012-04-13 2013-10-28 Ibiden Co Ltd Graphite heater
KR101464561B1 (en) * 2013-01-17 2014-12-01 주식회사 엘지실트론 Sapphire ingot growing apparatus and rod heater using the same
DE112009003601B4 (en) * 2008-12-05 2017-06-22 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Single crystal manufacturing plant and process for producing single crystal
CN116926657A (en) * 2023-08-24 2023-10-24 清电光伏科技有限公司 Thermal field mechanism and single crystal furnace with same

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101885210B1 (en) * 2016-11-30 2018-09-11 웅진에너지 주식회사 Heating unit and Apparatus for growing a ingot including the unit

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55131091U (en) * 1979-03-12 1980-09-17
JPH08333187A (en) * 1995-06-06 1996-12-17 Kobe Steel Ltd Vertical type apparatus for producing single crystal
JPH09227286A (en) * 1996-02-24 1997-09-02 Komatsu Electron Metals Co Ltd Apparatus for single crystal
JP2000233989A (en) * 1999-02-10 2000-08-29 Mitsubishi Materials Silicon Corp Heater fitting structure for single crystal pulling-up device
JP2001039792A (en) * 1999-07-26 2001-02-13 Mitsubishi Materials Silicon Corp Polyfunctional heater for growing single crystal and device for pulling up the single crystal

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55131091U (en) * 1979-03-12 1980-09-17
JPH08333187A (en) * 1995-06-06 1996-12-17 Kobe Steel Ltd Vertical type apparatus for producing single crystal
JPH09227286A (en) * 1996-02-24 1997-09-02 Komatsu Electron Metals Co Ltd Apparatus for single crystal
JP2000233989A (en) * 1999-02-10 2000-08-29 Mitsubishi Materials Silicon Corp Heater fitting structure for single crystal pulling-up device
JP2001039792A (en) * 1999-07-26 2001-02-13 Mitsubishi Materials Silicon Corp Polyfunctional heater for growing single crystal and device for pulling up the single crystal

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE112009003601B4 (en) * 2008-12-05 2017-06-22 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Single crystal manufacturing plant and process for producing single crystal
KR20130020565A (en) 2011-08-17 2013-02-27 소니 주식회사 Semiconductor apparatus, method of manufacturing semiconductor apparatus, and electronic apparatus
US9105625B2 (en) 2011-08-17 2015-08-11 Sony Corporation Semiconductor apparatus, method of manufacturing semiconductor apparatus, and electronic apparatus
JP2013220954A (en) * 2012-04-13 2013-10-28 Ibiden Co Ltd Graphite heater
KR101464561B1 (en) * 2013-01-17 2014-12-01 주식회사 엘지실트론 Sapphire ingot growing apparatus and rod heater using the same
CN116926657A (en) * 2023-08-24 2023-10-24 清电光伏科技有限公司 Thermal field mechanism and single crystal furnace with same
CN116926657B (en) * 2023-08-24 2024-05-31 清电硅业有限公司 Thermal field mechanism and single crystal furnace with same

Also Published As

Publication number Publication date
JP4497913B2 (en) 2010-07-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5343272B2 (en) Single crystal semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method
US7390361B2 (en) Semiconductor single crystal manufacturing apparatus and graphite crucible
US5766347A (en) Apparatus for fabricating a semiconductor single crystal
KR101574749B1 (en) Upper heater for manufacturing single crystal, single crystal manufacturing apparatus and single crystal manufacturing method
JP2010520644A (en) Plasma spraying of semiconductor grade silicon
JP4497913B2 (en) Heater device for single crystal semiconductor manufacturing
US10287706B2 (en) Heating unit comprised of ring heaters with ring support units disposed between the ring heaters and ingot growing device including the same
US20030033976A1 (en) Silicon carbide sublimation systems and associated methods
US9187844B2 (en) Single crystal manufacturing apparatus
US20230332325A1 (en) Ingot growing apparatus
JP6571550B2 (en) Heater and semiconductor manufacturing apparatus using the same
JP3979291B2 (en) Semiconductor single crystal manufacturing apparatus and manufacturing method
JP5512941B2 (en) Silicon purification apparatus and purification method
JP2009286650A (en) Split heater and single crystal pulling device using the same
JP2014055077A (en) Silicon carbide single crystal producing apparatus and method for producing silicon carbide single crystal using the same
WO2024209753A1 (en) Silicon single crystal production method and silicon single crystal production apparatus
JP2004299968A (en) Carbon heater for pulling single crystal
JP2024147945A (en) Silicon single crystal manufacturing method and silicon single crystal manufacturing apparatus
KR101964999B1 (en) Casting apparatus and casting method
JP2002317261A (en) SiC COATED CARBON HEATER FURNACE AND FILM DEPOSITION SYSTEM
JP2013241307A (en) METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL, AND SiC SINGLE CRYSTAL
JPS63159286A (en) Device for pulling up silicon single crystal
KR20060114762A (en) Apparatus for fabrication of single ctystal ingot

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060920

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20080702

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090804

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090924

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100406

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100413

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130423

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4497913

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140423

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term