JP2005167231A - Polishing composite and polishing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板を研磨する研磨組成物、研磨方法、基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a polishing composition for polishing a substrate, a polishing method, and a method for manufacturing a substrate.
ＩＣ（Integrated circuit；集積回路）やＬＳＩ（Large Scale Integration；大規模集積回路）における技術の進歩により、それらの動作速度や集積規模が向上し、例えばマイクロプロセッサの高性能化やメモリチップの大容量化が急速に達成されている。これら高性能化には微細加工技術が大きく寄与をしている。この微細加工技術のひとつとして平坦化技術である、化学機械研磨法がある。多層配線工程における、層間絶縁膜、金属プラグ、配線金属の平坦化に使用されている。 With advances in technology in IC (Integrated Circuit) and LSI (Large Scale Integration), their operating speed and integration scale have improved, for example, higher performance of microprocessors and larger capacity of memory chips. Is rapidly achieved. Microfabrication technology greatly contributes to these high performances. One of the fine processing techniques is a chemical mechanical polishing method which is a flattening technique. It is used for planarization of interlayer insulating films, metal plugs, and wiring metals in a multilayer wiring process.
このうち配線金属は、近年、配線遅延の問題などから銅または銅合金を使用する試みがなされている。銅または銅合金を用いた配線の製造方法としては層間絶縁膜にあらかじめ溝を形成しておき、必要があれば、タンタル、窒化タンタルなどのバリヤ膜を薄く形成し、ダマシン法などにより銅または銅合金を堆積する。この時銅または銅合金は層間絶縁膜上部に余分に堆積しているために平坦化を行いながら余分な銅または銅合金を除去していく研磨を行うことにより配線を形成する。 Of these, in recent years, an attempt has been made to use copper or a copper alloy as a wiring metal because of a problem of wiring delay. As a method of manufacturing wiring using copper or a copper alloy, grooves are formed in the interlayer insulating film in advance, and if necessary, a barrier film such as tantalum or tantalum nitride is formed thinly, and copper or copper is formed by a damascene method or the like. Deposit the alloy. At this time, since copper or copper alloy is excessively deposited on the upper part of the interlayer insulating film, wiring is formed by performing polishing to remove the excess copper or copper alloy while performing planarization.
また、磁気記録媒体として注目を浴びている磁気記憶装置（ＭＲＡＭ）がある。ＭＲＡＭ では、素子アレイのうち、特定のビットに情報を記録するために、アレイを縦横に横切るビット書き込み線とワード書き込み線とを設け、その交差領域に位置する素子のみを使用して選択書き込みを行う方法（例えば特許文献１参照）が知られている。この中に金属配線が形成されるが、金属配線はアルミニウムまたはアルミニウム合金、銅または銅合金から成る導体層とこれを囲むようにニッケル−鉄（パーマロイ）などの強磁性層からなる。必要があれば、タンタル、窒化タンタルなどのバリヤ膜を強磁性層を挟むように薄く形成する。この金属配線はダマシン法で形成されるが、余分な導体層、強磁性層およびバリヤ膜は、研磨を行いながら平坦化し除去される。 In addition, there is a magnetic storage device (MRAM) that is attracting attention as a magnetic recording medium. In MRAM, in order to record information in a specific bit of an element array, a bit write line and a word write line are provided across the array vertically and horizontally, and selective writing is performed using only elements located in the intersection region. A method (for example, see Patent Document 1) is known. A metal wiring is formed therein, and the metal wiring is composed of a conductor layer made of aluminum or aluminum alloy, copper or copper alloy, and a ferromagnetic layer such as nickel-iron (permalloy) so as to surround the conductor layer. If necessary, a barrier film such as tantalum or tantalum nitride is formed thin so as to sandwich the ferromagnetic layer. This metal wiring is formed by the damascene method, but the extra conductor layer, ferromagnetic layer and barrier film are planarized and removed while polishing.
このような研磨を行いながら平坦化する方法として、砥粒を含有する研磨剤で処理する方法が考えられるが、研磨剤のみで処理した場合には、銅または銅合金は一般的に柔らかいのでスクラッチと呼ばれる傷がつきやすく歩留まりが非常に低くなる。また、銅はエッチング剤により溶解することからエッチング剤を添加した研磨剤が考えられ得るが、凸部ばかりではなく凹部もエッチングし、平坦化が出来ないばかりか金属配線部が削れたディッシングという現象が発生してしまう。 As a method of flattening while performing such polishing, a method of treating with an abrasive containing abrasive grains is conceivable. However, when treated only with an abrasive, copper or a copper alloy is generally soft and scratches. Yield is very low because it is easily scratched. In addition, since copper dissolves with an etchant, an abrasive with an etchant added can be considered, but not only the convex part but also the concave part is etched, flattening is not possible, and the phenomenon of dishing where the metal wiring part is shaved Will occur.
このような現象を防止する銅または銅合金から成る金属膜を研磨する研磨組成物として、過酸化水素、ベンゾトリアゾール、アミノ酢酸を含有し、必要があれば砥粒を含有している組成物が特許文献２に開示されている。ここでベンゾトリアゾールは酸化された金属膜と反応保護膜を形成し、凸部を優先的に機械研磨し平坦性が高まると共に低ディッシングに寄与していると記述されている。
As a polishing composition for polishing a metal film made of copper or a copper alloy for preventing such a phenomenon, a composition containing hydrogen peroxide, benzotriazole, aminoacetic acid, and if necessary, containing abrasive grains. It is disclosed in
さらに、特許文献３には、銅と反応して水に難溶性で、かつ銅よりも機械的に脆弱な銅錯体を生成する、２−キノリンカルボン酸、を添加する研磨組成物を開示している。
Furthermore,
一方、特許文献４には、メモリーハードディスクに使用される磁気ディスク用基盤の研磨用組成物であって、（ａ）水と、（ｂ）ポリオキシエチレンアルキルエーテルリン酸およびポリオキシエチレンアリールエーテルリン酸からなる群より選択される少なくとも１種類のリン酸エステル化合物と、（ｃ）前記（ｂ）のリン酸エステル化合物以外の無機酸、有機酸およびそれらの塩類からなる群より選択される少なくとも１種類の研磨促進剤と、（ｄ）酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、窒化ケイ素および二酸化マンガンからなる群より選択される少なくとも１種類の研磨材とを含んでなる研磨用組成物が開示されている。 On the other hand, Patent Document 4 discloses a polishing composition for a magnetic disk substrate used for a memory hard disk, wherein (a) water, (b) polyoxyethylene alkyl ether phosphate and polyoxyethylene aryl ether phosphorus are used. At least one phosphate ester compound selected from the group consisting of acids, and (c) at least one selected from the group consisting of inorganic acids other than the phosphate ester compounds of (b), organic acids and salts thereof Polishing comprising: a kind of polishing accelerator; and (d) at least one abrasive selected from the group consisting of aluminum oxide, silicon dioxide, cerium oxide, zirconium oxide, titanium oxide, silicon nitride and manganese dioxide A composition is disclosed.
特許文献２に記載の研磨組成物は、銅及び銅合金に対する防食作用が非常に強いベンゾトリアゾールを必須成分とするため研磨速度を低下することが考えられる。そのため研磨速度を向上するためにベンゾトリアゾールの添加濃度を低減すると平坦性やディッシングは悪化することも考えられる。
Since the polishing composition described in
また、特許文献３に記載の２−キノリンカルボン酸を用いた研磨組成物では、２−キノリンカルボン酸が著しく高価であるので、工業的に使用することは難しいものと考えられる。
Further, in the polishing composition using 2-quinolinecarboxylic acid described in
特許文献４はメモリーハードディスクに使用される研磨液であり、本発明に於ける金属配線形成については記載されていない。 Patent Document 4 is a polishing liquid used for a memory hard disk, and does not describe the formation of metal wiring in the present invention.
近年、銅配線の寄生容量の関係から層間絶縁膜としてＬｏｗκ材の使用が検討されている。Ｌｏｗκ材としては無機系、有機系さまざまな材料が開発されているが、次世代のＬｏｗκ材としては、誘電率２．３未満程度のものが必要とされている。この誘電率を達成する為にはＬｏｗκ材のポーラス化が必須と言われている。非特許文献１によれば、このような材料は機械的強度が弱く、従来用いられているようなＣＭＰ研磨圧では破壊されてしまう問題点があり、低圧での研磨が求められている。しかしながら、上記記載の従来技術では高圧研磨を想定しており、低圧での高速研磨は検討されてこなかった。
In recent years, the use of a low κ material as an interlayer insulating film has been studied in view of the parasitic capacitance of copper wiring. A variety of inorganic and organic materials have been developed as the Low κ material, but the next generation Low κ material is required to have a dielectric constant of less than 2.3. In order to achieve this dielectric constant, it is said that making the Low κ material porous is essential. According to Non-Patent
更に、近年配線が細くなる傾向があり、細い配線が高密度で存在する場合、バリヤ膜及び相関絶縁膜が研磨されくぼみができるエロージョンと言う現象がおこる。これはディッシングと同様配線抵抗を落とすばかりか配線ショートの原因にもなり、抑制することが望まれている。 Furthermore, in recent years, there has been a tendency for wiring to become thin, and when thin wiring exists at a high density, a phenomenon called erosion in which the barrier film and the correlation insulating film are polished and dents occur. Similar to dishing, this not only reduces the wiring resistance but also causes a wiring short, and it is desired to suppress this.
本発明は、ディッシング、エロージョンを抑制し金属膜の平坦性を維持したまま高速に研磨できる研磨組成物を提供すると共にこの研磨組成物を用いた金属膜の研磨方法、およびこの研磨組成物で平坦化する工程を含む基板の製造方法を提供することを目的としたものである。 The present invention provides a polishing composition capable of polishing at high speed while suppressing dishing and erosion and maintaining the flatness of the metal film, and a method for polishing a metal film using the polishing composition, and a flatness with the polishing composition It aims at providing the manufacturing method of the board | substrate including the process to convert.
本発明者らは、上記課題の解決について鋭意検討した結果、凹部を有する基板上に凹部を覆うように埋め込まれた金属膜を平坦化するために水、炭素数６以上のアルキル基を有するリン酸エステル及び前記金属のエッチング剤を含有し、pHが5〜11である研磨組成物が前記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。 As a result of intensive studies on the solution of the above problems, the present inventors have found that water and phosphorus having an alkyl group having 6 or more carbon atoms are used to planarize a metal film embedded on the substrate having a recess so as to cover the recess. The inventors have found that a polishing composition containing an acid ester and the metal etching agent and having a pH of 5 to 11 can solve the above problems, and has completed the present invention.
すなわち、本発明は以下の［１］〜［３７］に示される。
〔１〕 凹部を有する基板上に凹部を覆うように埋め込まれた金属膜を平坦化するための研磨組成物であって、前記研磨組成物は水、分子中に炭素数６以上のアルキル基を有するリン酸エステル及び前記金属のエッチング剤を含有し、ｐHが５〜１１であることを特徴とする研磨組成物。
〔２〕 リン酸エステルが、分子中に炭素数６〜２２のアルキル基を有するリン酸エステルである〔１〕に記載の研磨組成物。
〔３〕 分子中に炭素数６以上のアルキル基を有するリン酸エステルの含有量が０．０００１〜２質量％である〔１〕または〔２〕に記載の研磨組成物。
〔４〕 エッチング剤が酸及び／または塩基と、酸化剤とを含む〔１〕〜〔３〕のいずれか１項に記載の研磨組成物。
〔５〕 酸及び／または塩基の含有量が０．０１〜１０質量％である〔４に記載の研磨組成物。
〔６〕 酸化酸の含有量が０．０１〜３０質量％である〔４に記載の研磨組成物。
〔７〕 さらに砥粒を含む〔１〕〜〔６〕のいずれか１項に記載の研磨組成物。
〔８〕 砥粒を３０質量％以下含む〔７〕に記載の研磨組成物。
〔９〕 さらに界面活性剤を含む〔１〕〜〔８〕のいずれか１項に記載の研磨組成物。
〔１０〕 界面活性剤の含有量が５質量％以下である〔９に記載の研磨組成物。
〔１１〕 さらにアゾール基を分子中に２個以上含む化合物をさらに含む〔１〕〜〔１０〕のいずれか１項に記載の研磨組成物。
〔１２〕 アゾール基を分子中に２個以上含む化合物の含有量が０．００１〜１質量％である〔１１〕に記載の研磨組成物。
〔１３〕 さらにアミノ酸を含む〔１〕〜〔１２〕のいずれか１項に記載の研磨組成物。
〔１４〕 アミノ酸の含有量が０．００１〜１０質量％である〔１３〕に記載の研磨組成物。
〔１５〕 アゾール基を分子中に１個含む化合物をさらに含む〔１〕〜〔１４〕のいずれか１項に記載の研磨組成物。
〔１６〕 アゾール基を分子中に１個含む化合物の含有量が０．００１〜５質量％である〔１５〕に記載の研磨組成物。
〔１７〕 炭素数６以上のアルキル基を有する脂肪酸をさらに含む〔１〕〜〔１６〕のいずれか１項に記載の研磨組成物。
〔１８〕 炭素数６以上のアルキル基を有する脂肪酸の含有量が０．００１〜５質量％である〔１７〕に記載の研磨組成物。
〔１９〕 酸が、無機酸またはカルボン酸である〔４〕〜〔１８〕のいずれか１項に記載の研磨組成物。
〔２０〕 酸が、硫酸、燐酸、ホスホン酸、硝酸、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、２−メチル酪酸、ｎ−ヘキサン酸、３，３−ジメチル酪酸、２−エチル酪酸、４−メチルペンタン酸、ｎ−ヘプタン酸、２−メチルヘキサン酸、ｎ−オクタン酸、２−エチルヘキサン酸、安息香酸、グリコ−ル酸（ヒドロキシ酢酸）、サリチル酸、グリセリン酸、蓚酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、マレイン酸、フタル酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、乳酸、ニコチン酸、キナルジン酸、アントラニル酸から選ばれるいずれか１種以上である〔４〕〜〔１９〕のいずれか１項に記載の研磨組成物。
〔２１〕 塩基が、アンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム、炭酸水素アンモニウム、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、イソプロピルアミン、ブチルアミン、イソブチルアミン、ｔ−ブチルアミン、アミルアミン、アリルアミン、２−エチルヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、ベンジルアミン、フルフリルアミンなどのアルキルモノアミン、Ｏ−アミノフェノール、エタノールアミン、３−アミノ−１−プロパノール、２−アミノ−１−プロパノールなどのヒドロキシル基を有するモノアミン、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ペンタエチレンヘキサミン、Ｏ−フェニレンジアミン、トリメチレンジアミン、２，２−ジアミノジｎ−プロピルアミン、２−メチル−２−（２−ベンジルチオエチル）エチレンジアミン、１，５−ジアミノ−３−ペンタノール、１，３−ジアミノ−２−プロパノール、キシレンジアミン、ビスアミノプロピルポリアルキレンエーテルなどのジアミン、ポリアリルアミン、ポリエチレンイミンなどのポリアミン〕のいずれか１種以上である〔４〕〜〔２０〕のいずれか１項に記載の研磨組成物。
〔２２〕 酸化剤が、酸素、過酸化水素、オゾン、アルキルパーオキサイド、過酸、過マンガン酸塩、過硫酸塩、ポリオキソ酸、次亜塩素酸塩、過ヨウ素酸塩のいずれか１種以上である〔４〕〜〔２１〕のいずれか１項に記載の研磨組成物。
〔２３〕 砥粒が、シリカ、酸化セリウム、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、二酸化チタン、有機砥粒のいずれか１種以上である〔８〕〜〔２２〕のいずれか１項に記載の研磨組成物。
〔２４〕 界面活性剤が、アニオン性、カチオン性、ノニオン性、両性界面活性剤のいずれか１種以上である〔１０〕〜〔２３〕のいずれか１項に記載の研磨組成物。
〔２５〕 界面活性剤が、アルキル芳香族スルホン酸またはその塩である〔１０〕〜〔２４〕のいずれか１項に記載の研磨組成物。
〔２６〕 アゾール基を分子中に２個以上含む化合物が、ビニル基を含むアゾール重合体である〔１２〕〜〔２５〕のいずれか１項に記載の研磨組成物。
〔２７〕 アゾール基を分子中に２個以上含む化合物が、質量平均分子量で2000〜500000である重合体である〔１２〕〜〔２６〕のいずれか１項に記載の研磨組成物。
〔２８〕 アミノ酸が、グリシン、アラニン、β−アラニン、２−アミノ酪酸、ノルバリン、バリン、ロイシン、ノルロイシン、イソロイシン、アロイソロイシン、フェニルアラニン、プロリン、サルコシン、オルニチン、リシン、タウリン、セリン、トレオニン、アロトレオニン、ホモセリン、チロシン、３，５−ジヨ−ド−チロシン、β−（３，４−ジヒドロキシフェニル）−アラニン、チロキシン、４−ヒドロキシ−プロリン、システィン、メチオニン、エチオニン、ランチオニン、シスタチオニン、シスチン、システィン酸、アスパラギン酸、グルタミン酸、Ｓ−（カルボキシメチル）−システィン、４−アミノ酪酸、アスパラギン、グルタミン、アザセリン、アルギニン、カナバニン、シトルリン、δ−ヒドロキシ−リシン、クレアチン、キヌレニン、ヒスチジン、１−メチル−ヒスチジン、３−メチル−ヒスチジン、エルゴチオネイン、トリプトファンのいずれか１種以上である〔１３〕〜〔２７〕のいずれか１項に記載の研磨組成物。
〔２９〕 アゾール基を分子中に１個含む化合物が、ベンズイミダゾール−２−チオール、２−［２−（ベンゾチアゾリル）］チオプロピオン酸、２−［２−（ベンゾチアゾリル）チオブチル酸、２−メルカプトベンゾチアゾール、１，２，３−トリアゾール、１，２，４−トリアゾール、３−アミノ−１Ｈ−１，２，４−トリアゾール、ベンゾトリアゾール、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール、１−ジヒドロキシプロピルベンゾトリアゾール、２，３−ジカルボキシプロピルベンゾトリアゾール、４−ヒドロキシベンゾトリアゾール、４−カルボキシル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、４−メトキシカルボニル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、４−ブトキシカルボニル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、４−オクチルオキシカルボニル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、５−ヘキシルベンゾトリアゾール、Ｎ−（１，２，３−ベンゾトリアゾリル−１−メチル）−Ｎ−（１，２，４−トリアゾリル−１−メチル）−２−エチルヘキシルアミン、トリルトリアゾール、ナフトトリアゾール、ベンズイミダゾール、テトラゾール、ヒドロキシベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾールのいずれか１種以上である〔１５〕〜〔２８〕のいずれか１項に記載の研磨組成物。
〔３０〕 希釈して〔１〕〜〔２９〕のいずれか１項に記載の研磨組成物となる組成物。
〔３１〕 複数の組成物のキットであって、それらの組成物を混合することにより、または混合および希釈することにより〔１〕〜〔２９〕のいずれか１項に記載の研磨組成物となるキット。
〔３２〕 凹部を有する基板上に凹部を覆うように埋め込まれた金属膜を〔１〕〜〔２９〕のいずれか１項に記載の研磨組成物で平坦化することを特徴とする研磨方法。
〔３３〕 金属膜が、銅または銅を含有する合金である〔３２〕に記載の研磨方法。
〔３４〕 金属膜が、少なくともバリヤ層と配線金属層の２層に積層されている〔３３〕に記載の研磨方法。
〔３５〕 バリヤ層が、タンタル、タンタル合金、窒化タンタル、チタン、チタン合金のいずれか１種以上からなる〔３４〕に記載の研磨方法。
〔３６〕 〔３０〕に記載の組成物を輸送または保存用組成物として用いる方法。
〔３７〕 〔３１〕に記載のキットを輸送または保存用組成物として用いる方法。
That is, the present invention is shown in the following [1] to [37].
[1] A polishing composition for planarizing a metal film embedded on a substrate having a recess so as to cover the recess, wherein the polishing composition contains water and an alkyl group having 6 or more carbon atoms in the molecule. A polishing composition comprising a phosphoric acid ester having the above and an etching agent for the metal, and having a pH of 5 to 11.
[2] The polishing composition according to [1], wherein the phosphate ester is a phosphate ester having an alkyl group having 6 to 22 carbon atoms in the molecule.
[3] The polishing composition according to [1] or [2], wherein the content of the phosphate ester having an alkyl group having 6 or more carbon atoms in the molecule is 0.0001 to 2% by mass.
[4] The polishing composition according to any one of [1] to [3], wherein the etching agent comprises an acid and / or a base and an oxidizing agent.
[5] The acid and / or base content is 0.01 to 10% by mass [the polishing composition according to [4].
[6] The content of oxidized acid is 0.01 to 30% by mass [the polishing composition according to 4].
[7] The polishing composition according to any one of [1] to [6], further comprising abrasive grains.
[8] The polishing composition according to [7], which contains 30% by mass or less of abrasive grains.
[9] The polishing composition according to any one of [1] to [8], further comprising a surfactant.
[10] The surfactant content is 5% by mass or less [the polishing composition according to 9.
[11] The polishing composition according to any one of [1] to [10], further comprising a compound containing two or more azole groups in the molecule.
[12] The polishing composition according to [11], wherein the content of the compound containing two or more azole groups in the molecule is 0.001 to 1% by mass.
[13] The polishing composition according to any one of [1] to [12], further comprising an amino acid.
[14] The polishing composition according to [13], wherein the amino acid content is 0.001 to 10% by mass.
[15] The polishing composition according to any one of [1] to [14], further comprising a compound containing one azole group in the molecule.
[16] The polishing composition according to [15], wherein the content of the compound containing one azole group in the molecule is 0.001 to 5% by mass.
[17] The polishing composition according to any one of [1] to [16], further comprising a fatty acid having an alkyl group having 6 or more carbon atoms.
[18] The polishing composition according to [17], wherein the content of a fatty acid having an alkyl group having 6 or more carbon atoms is 0.001 to 5 mass%.
[19] The polishing composition according to any one of [4] to [18], wherein the acid is an inorganic acid or a carboxylic acid.
[20] Acid is sulfuric acid, phosphoric acid, phosphonic acid, nitric acid, formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, valeric acid, 2-methylbutyric acid, n-hexanoic acid, 3,3-dimethylbutyric acid, 2-ethylbutyric acid, 4 -Methylpentanoic acid, n-heptanoic acid, 2-methylhexanoic acid, n-octanoic acid, 2-ethylhexanoic acid, benzoic acid, glycolic acid (hydroxyacetic acid), salicylic acid, glyceric acid, succinic acid, malonic acid, succinic acid It is any one or more selected from acids, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, maleic acid, phthalic acid, malic acid, tartaric acid, citric acid, lactic acid, nicotinic acid, quinaldic acid, and anthranilic acid [4] to [4] [19] The polishing composition according to any one of [19].
[21] The base is ammonia, sodium hydroxide, potassium hydroxide, potassium carbonate, potassium bicarbonate, ammonium bicarbonate, methylamine, ethylamine, propylamine, isopropylamine, butylamine, isobutylamine, t-butylamine, amylamine, allylamine Alkylamines such as 2-ethylhexylamine, cyclohexylamine, benzylamine, furfurylamine, monoamines having a hydroxyl group such as O-aminophenol, ethanolamine, 3-amino-1-propanol, 2-amino-1-propanol, Ethylenediamine, diethylenetriamine, triethylenetetramine, tetraethylenepentamine, pentaethylenehexamine, O-phenylenediamine, trimethylenediamine, 2 , 2-diaminodi-n-propylamine, 2-methyl-2- (2-benzylthioethyl) ethylenediamine, 1,5-diamino-3-pentanol, 1,3-diamino-2-propanol, xylenediamine, bisamino The polishing composition according to any one of [4] to [20], which is at least one of diamines such as propylpolyalkylene ether, and polyamines such as polyallylamine and polyethyleneimine.
[22] The oxidizing agent is at least one of oxygen, hydrogen peroxide, ozone, alkyl peroxide, peracid, permanganate, persulfate, polyoxoacid, hypochlorite, periodate The polishing composition according to any one of [4] to [21].
[23] The polishing composition according to any one of [8] to [22], wherein the abrasive grains are one or more of silica, cerium oxide, aluminum oxide, aluminum hydroxide, titanium dioxide, and organic abrasive grains. Stuff.
[24] The polishing composition according to any one of [10] to [23], wherein the surfactant is at least one of anionic, cationic, nonionic, and amphoteric surfactants.
[25] The polishing composition according to any one of [10] to [24], wherein the surfactant is an alkyl aromatic sulfonic acid or a salt thereof.
[26] The polishing composition according to any one of [12] to [25], wherein the compound containing two or more azole groups in the molecule is an azole polymer containing a vinyl group.
[27] The polishing composition according to any one of [12] to [26], wherein the compound having two or more azole groups in the molecule is a polymer having a mass average molecular weight of 2,000 to 500,000.
[28] The amino acid is glycine, alanine, β-alanine, 2-aminobutyric acid, norvaline, valine, leucine, norleucine, isoleucine, alloisoleucine, phenylalanine, proline, sarcosine, ornithine, lysine, taurine, serine, threonine, allothreonine. , Homoserine, tyrosine, 3,5-diiodo-tyrosine, β- (3,4-dihydroxyphenyl) -alanine, thyroxine, 4-hydroxy-proline, cysteine, methionine, ethionine, lanthionine, cystathionine, cystine, cysteic acid , Aspartic acid, glutamic acid, S- (carboxymethyl) -cysteine, 4-aminobutyric acid, asparagine, glutamine, azaserine, arginine, canavanine, citrulline, δ-hydroxy-lysine, creaty The polishing composition according to any one of [13] to [27], which is at least one of chloroquine, kynurenine, histidine, 1-methyl-histidine, 3-methyl-histidine, ergothioneine, and tryptophan.
[29] Compounds containing one azole group in the molecule are benzimidazole-2-thiol, 2- [2- (benzothiazolyl)] thiopropionic acid, 2- [2- (benzothiazolyl) thiobutyric acid, 2-mercaptobenzo Thiazole, 1,2,3-triazole, 1,2,4-triazole, 3-amino-1H-1,2,4-triazole, benzotriazole, 1-hydroxybenzotriazole, 1-dihydroxypropylbenzotriazole, 2, 3-dicarboxypropylbenzotriazole, 4-hydroxybenzotriazole, 4-carboxyl-1H-benzotriazole, 4-methoxycarbonyl-1H-benzotriazole, 4-butoxycarbonyl-1H-benzotriazole, 4-octyloxycarbonyl-1H -Ben Zotriazole, 5-hexylbenzotriazole, N- (1,2,3-benzotriazolyl-1-methyl) -N- (1,2,4-triazolyl-1-methyl) -2-ethylhexylamine, tolyl The polishing composition according to any one of [15] to [28], which is at least one of triazole, naphthotriazole, benzimidazole, tetrazole, hydroxybenzotriazole, and carboxybenzotriazole.
[30] A composition that is diluted to become the polishing composition according to any one of [1] to [29].
[31] A kit of a plurality of compositions, wherein the polishing composition according to any one of [1] to [29] is obtained by mixing, or mixing and diluting the compositions. kit.
[32] A polishing method comprising planarizing a metal film embedded on a substrate having a recess so as to cover the recess with the polishing composition according to any one of [1] to [29].
[33] The polishing method according to [32], wherein the metal film is copper or an alloy containing copper.
[34] The polishing method according to [33], wherein the metal film is laminated on at least two layers of a barrier layer and a wiring metal layer.
[35] The polishing method according to [34], wherein the barrier layer is made of one or more of tantalum, tantalum alloy, tantalum nitride, titanium, and titanium alloy.
[36] A method of using the composition according to [30] as a composition for transportation or storage.
[37] A method of using the kit according to [31] as a composition for transportation or storage.
金属膜、特に銅膜の研磨においてリン酸エステルはディッシングを低減することが可能になる。さらに、界面活性剤、アゾール基を２個以上含む化合物、アミノ酸、アゾール基を1個含む化合物、炭素数６以上のアルキル基を有する脂肪酸の少なくとも１種と組み合わせることによって、よりディッシングを低減することができる。 In polishing metal films, particularly copper films, phosphate esters can reduce dishing. Further, dishing can be further reduced by combining with a surfactant, a compound containing two or more azole groups, an amino acid, a compound containing one azole group, or a fatty acid having an alkyl group having 6 or more carbon atoms. Can do.
さらに、本発明の研磨組成物を用いる研磨方法および基板の製造方法により平坦性の優れた基板を製造することが容易になる。 Furthermore, it becomes easy to manufacture a substrate having excellent flatness by the polishing method and the substrate manufacturing method using the polishing composition of the present invention.
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.
本発明は凹部を有する基板上に凹部を覆うように埋め込まれた金属膜を平坦化するための研磨組成物に関する。前記研磨組成物は水、分子中に炭素数６以上のアルキル基を有するリン酸エステル及び前記金属のエッチング剤を含有し、pHが5〜11の範囲内である。 The present invention relates to a polishing composition for planarizing a metal film embedded on a substrate having a recess so as to cover the recess. The polishing composition contains water, a phosphate ester having an alkyl group having 6 or more carbon atoms in the molecule, and the metal etching agent, and has a pH in the range of 5 to 11.
本発明の研磨組成物に含まれる構造中に炭素数６以上のアルキル基を有するリン酸エステルは、ディッシングを低減する効果を有する。 The phosphate ester having an alkyl group having 6 or more carbon atoms in the structure contained in the polishing composition of the present invention has an effect of reducing dishing.
本発明に於けるリン酸エステルは、炭素数６以上のアルキル基を有していればその構造は限定されない。したがって構造中にアルキル基以外を有していても構わない、例えばオキシアルキレン鎖、フェニレン鎖、フェニル基等が挙げられる。リン酸エステルは一置換、二置換、三置換の三種があるがそのいずれでも構わない。リン酸エステルは、研磨組成物で十分溶解あるいは分散できることが好ましく、炭素数として６〜２２が好ましい。 The structure of the phosphate ester in the present invention is not limited as long as it has an alkyl group having 6 or more carbon atoms. Therefore, the structure may have other than an alkyl group, and examples thereof include an oxyalkylene chain, a phenylene chain, and a phenyl group. There are three types of phosphate esters: mono-substituted, di-substituted, and tri-substituted. It is preferable that the phosphate ester can be sufficiently dissolved or dispersed in the polishing composition, and preferably has 6 to 22 carbon atoms.
また、カリウム塩、アンモニウム塩等のリン酸エステル塩であっても構わない。該リン酸エステルは、市販品を用いる事もできるし水酸基を有する化合物から公知の方法等で合成して用いることもできる。 Moreover, you may be phosphate ester salts, such as potassium salt and ammonium salt. The phosphoric acid ester can be a commercially available product or can be synthesized from a compound having a hydroxyl group by a known method or the like.
上記リン酸エステルとしては、オクチルリン酸、デシルリン酸、ラウリルリン酸、ミリスチルリン酸、セチルリン酸、ステアリルリン酸、2級アルキル（平均炭素数13）リン酸、2-エチルヘキシルリン酸、オレイルリン酸、モノステアリルグリセリルエーテルリン酸、モノセチルグリセリルエーテルリン酸、モノオレイルグリセリルエーテルリン酸、イソステアリルグリセリルエーテルリン酸、ポリオキシエチレンオクチルエーテルリン酸、ポリオキシエチレンデシルエーテルリン酸、ポリオキシエチレンラウリルエーテルリン酸、ポリオキシエチレンミリスチルエーテルリン酸、ポリオキシエチレンセチルエーテルリン酸、ポリオキシエチレンステアリルエーテルリン酸、ポリオキシエチレン2級アルキル（平均炭素数13）エーテルリン酸、ポリオキシエチレン2-エチルヘキシルエーテルリン酸、ポリオキシエチレン2オレイルエーテルリン酸、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテルリン酸等が挙げられる。好ましくはオクチルリン酸、ラウリルリン酸、ステアリルリン酸等の炭素数８〜１８のアルキルリン酸エステルやポリオキシエチレンラウリルエーテルリン酸、ポリオキシエチレン2級アルキル（平均炭素数13）エーテルリン酸のように構造中にオキシエチレン鎖を有するものである。
Examples of the phosphate ester include octyl phosphate, decyl phosphate, lauryl phosphate, myristyl phosphate, cetyl phosphate, stearyl phosphate, secondary alkyl (average 13 carbon atoms) phosphate, 2-ethylhexyl phosphate, oleyl phosphate, Monostearyl glyceryl ether phosphate, monocetyl glyceryl ether phosphate, monooleyl glyceryl ether phosphate, isostearyl glyceryl ether phosphate, polyoxyethylene octyl ether phosphate, polyoxyethylene decyl ether phosphate, polyoxyethylene lauryl ether phosphate Acid, polyoxyethylene myristyl ether phosphate, polyoxyethylene cetyl ether phosphate, polyoxyethylene stearyl ether phosphate, polyoxyethylene secondary alkyl (average 13 carbon atoms) ether phosphate, Polyoxyethylene 2-ethylhexyl ether phosphate,
本発明で使用される炭素数６以上のアルキル基を有するリン酸エステルは、一種を添加しても良いし、二種以上を混合して添加しても良い。研磨組成物中の含有量としては、０．０００１〜２質量％が好ましい。より好ましくは、０.００１〜１質量％である。少量ではディッシング抑制の効果が少なく、多量に添加する場合にはディッシングは低減できるが高い研磨速度が要求されるところには実用性能上適用しがたい。場合によっては液の安定性が得がたいこともある。 One kind of phosphate ester having an alkyl group having 6 or more carbon atoms used in the present invention may be added, or two or more kinds may be mixed and added. As content in polishing composition, 0.0001-2 mass% is preferable. More preferably, it is 0.001 to 1% by mass. When the amount is small, the effect of suppressing dishing is small, and when it is added in a large amount, the dishing can be reduced, but it is difficult to apply it to practical use where a high polishing rate is required. In some cases, it may be difficult to obtain liquid stability.
本発明の研磨組成物に含まれるエッチング剤は研磨を促進すると共に安定した研磨を行うためのものである。該エッチング剤は被研磨金属をエッチングできるものであれば良く、これらの組成は被研磨金属種によって適宜選択する。たとえば銅の場合は酸及び／または塩基と、酸化剤を含むものが挙げられる。 The etching agent contained in the polishing composition of the present invention is for accelerating polishing and performing stable polishing. The etching agent is not particularly limited as long as it can etch the metal to be polished. For example, in the case of copper, an acid and / or a base and an oxidizing agent are included.
上記酸としては、硫酸、燐酸、ホスホン酸、硝酸などの無機酸、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、２−メチル酪酸、ｎ−ヘキサン酸、３，３−ジメチル酪酸、２−エチル酪酸、４−メチルペンタン酸、ｎ−ヘプタン酸、２−メチルヘキサン酸、ｎ−オクタン酸、２−エチルヘキサン酸、安息香酸、グリコ−ル酸（ヒドロキシ酢酸）、サリチル酸、グリセリン酸、蓚酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、マレイン酸、フタル酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、乳酸、ニコチン酸、キナルジン酸、アントラニル酸などのカルボン酸が挙げられる。 Examples of the acid include inorganic acids such as sulfuric acid, phosphoric acid, phosphonic acid, nitric acid, formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, valeric acid, 2-methylbutyric acid, n-hexanoic acid, 3,3-dimethylbutyric acid, 2-ethyl Butyric acid, 4-methylpentanoic acid, n-heptanoic acid, 2-methylhexanoic acid, n-octanoic acid, 2-ethylhexanoic acid, benzoic acid, glycolic acid (hydroxyacetic acid), salicylic acid, glyceric acid, succinic acid, malon Examples thereof include carboxylic acids such as acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, maleic acid, phthalic acid, malic acid, tartaric acid, citric acid, lactic acid, nicotinic acid, quinaldic acid, and anthranilic acid.
上記塩基としては、アンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム、炭酸水素アンモニウム、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、イソプロピルアミン、ブチルアミン、イソブチルアミン、ｔ−ブチルアミン、アミルアミン、アリルアミン、２−エチルヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、ベンジルアミン、フルフリルアミンなどのアルキルモノアミン、Ｏ−アミノフェノール、エタノールアミン、３−アミノ−１−プロパノール、２−アミノ−１−プロパノールなどのヒドロキシル基を有するモノアミン、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ペンタエチレンヘキサミン、Ｏ−フェニレンジアミン、トリメチレンジアミン、１，２−ジアミノプロパン、２，２−ジアミノジｎ−プロピルアミン、２−メチル−２−（２−ベンジルチオエチル）エチレンジアミン、１，５−ジアミノ−３−ペンタノール、１，３−ジアミノ−２−プロパノール、キシレンジアミン、ビスアミノプロピルポリアルキレンエーテルなどのジアミン、ポリアリルアミン、ポリエチレンイミンなどの塩基性官能基を有するポリマーが挙げられる。これらのうち、好ましくは、アンモニア、エチレンジアミンである。 Examples of the base include ammonia, sodium hydroxide, potassium hydroxide, potassium carbonate, potassium bicarbonate, ammonium bicarbonate, methylamine, ethylamine, propylamine, isopropylamine, butylamine, isobutylamine, t-butylamine, amylamine, allylamine, Alkyl monoamines such as 2-ethylhexylamine, cyclohexylamine, benzylamine, furfurylamine, monoamines having hydroxyl groups such as O-aminophenol, ethanolamine, 3-amino-1-propanol, 2-amino-1-propanol, ethylenediamine , Diethylenetriamine, triethylenetetramine, tetraethylenepentamine, pentaethylenehexamine, O-phenylenediamine, trimethylenediamine, , 2-diaminopropane, 2,2-diaminodi-n-propylamine, 2-methyl-2- (2-benzylthioethyl) ethylenediamine, 1,5-diamino-3-pentanol, 1,3-diamino-2- Examples include diamines such as propanol, xylenediamine, and bisaminopropylpolyalkylene ether, and polymers having basic functional groups such as polyallylamine and polyethyleneimine. Of these, ammonia and ethylenediamine are preferable.
これら酸、塩基はそれぞれ単独であっても良いし、複数種類を併用しても構わない。従って、上記酸、塩基からなる塩を用いてもよい。添加量としては研磨組成物がpHが5〜11であれば特に規定しないが、好ましくは0.01〜10質量％である。少ないと適切な研磨速度が出ず、多いと金属または金属合金のエッチング速度が速く、平坦化ができずディッシングも抑制することが難しくなることがある。ｐＨは5未満や11を越えると液の安定性を損なう恐れがある。 These acids and bases may be used alone or in combination. Therefore, a salt comprising the above acid or base may be used. The addition amount is not particularly limited if the polishing composition has a pH of 5 to 11, but is preferably 0.01 to 10% by mass. If the amount is too small, an appropriate polishing rate cannot be obtained. If the amount is too large, the etching rate of the metal or metal alloy is high, flattening cannot be performed, and dishing may be difficult to suppress. If the pH is less than 5 or more than 11, the stability of the liquid may be impaired.
上記酸化剤としては、酸素、オゾン、過酸化水素、ｔ−ブチルハイドロパーオキサイド、エチルベンゼンハイドロパーオキサイドなどのアルキルパーオキサイド、過酢酸、過安息香酸などの過酸、過マンガン酸カリウムなどの過マンガン酸塩、過ヨウ素酸カリウムなどの過ヨウ素酸塩、過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウムなどの過硫酸塩、ポリオキソ酸、次亜塩素酸カリウムなどの次亜塩素酸塩などが挙げられる。これらの酸化剤のうち、取り扱いやすい過酸化水素、過硫酸塩、次亜塩素酸塩が好ましい。 Examples of the oxidizing agent include oxygen, ozone, hydrogen peroxide, alkyl peroxides such as t-butyl hydroperoxide and ethylbenzene hydroperoxide, peracids such as peracetic acid and perbenzoic acid, and permanganates such as potassium permanganate. Acid salts, periodates such as potassium periodate, persulfates such as ammonium persulfate and potassium persulfate, and hypochlorites such as polyoxoacids and potassium hypochlorite. Of these oxidizing agents, hydrogen peroxide, persulfate, and hypochlorite that are easy to handle are preferred.
酸化剤の含有量としては、被研磨金属種や液のｐＨ等によって異なり、それぞれに最適な量の範囲があるので特に規定しないが、研磨組成物に対して好ましくは０．０１〜３０質量％である。更に好ましくは、０．０５〜２０質量％であり、特に好ましくは、０．１〜１０質量％である。少ない場合や多い場合に十分な研磨速度を得ることが難しくなる懸念がある。多い場合にはさらに研磨廃液の処理に多大なコストが発生する懸念がある。 The content of the oxidizing agent varies depending on the metal species to be polished, the pH of the liquid, etc., and is not particularly specified because there is an optimum amount range for each, but is preferably 0.01 to 30% by mass with respect to the polishing composition. It is. More preferably, it is 0.05-20 mass%, Most preferably, it is 0.1-10 mass%. There is a concern that it is difficult to obtain a sufficient polishing rate when the amount is small or large. When the amount is large, there is a concern that a great amount of cost is generated in the treatment of the polishing waste liquid.
本発明の研磨組成物は、砥粒なしで使用することも出来るが、研磨速度を十分に上げたりする目的で砥粒を含有することも出来る。砥粒としては、シリカ、酸化セリウム、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、二酸化チタン、有機砥粒が挙げられる。これら砥粒は一種を含有しても良いし、二種以上を混合して含有しても良い。また、上記砥粒成分を二種以上複合した砥粒であっても良い。含有量は研磨組成物に対して好ましくは３０質量％以下である。より好ましくは２０質量％以下であり、特に好ましくは１０質量％以下である。含有量が多いと、ディッシングの悪化やスクラッチ増大の原因になる。 The polishing composition of the present invention can be used without abrasive grains, but can also contain abrasive grains for the purpose of sufficiently increasing the polishing rate. Examples of the abrasive grains include silica, cerium oxide, aluminum oxide, aluminum hydroxide, titanium dioxide, and organic abrasive grains. These abrasive grains may contain one kind or a mixture of two or more kinds. Moreover, the abrasive grain which compounded 2 or more types of the said abrasive grain component may be sufficient. The content is preferably 30% by mass or less with respect to the polishing composition. More preferably, it is 20 mass% or less, Most preferably, it is 10 mass% or less. If the content is large, dishing deteriorates and scratches increase.
本発明の研磨組成物に界面活性剤を含有するとディッシングがより改善される。 When a surfactant is contained in the polishing composition of the present invention, dishing is further improved.
界面活性剤としては、カチオン性、アニオン性及び非イオン性のいずれも使用することができる。カチオン性界面活性剤としては、脂肪族アミンまたはその塩、脂肪族アンモニウム塩などが挙げられる。また、アニオン性界面活性剤としては、脂肪酸石鹸、アルキルエーテルカルボン酸またはその塩、アルファオレフィンスルホン酸またはその塩、アルキルベンゼンスルホン酸またはその塩、アルキルナフタレンスルホン酸またはその塩などのスルホン酸化合物、高級アルコール硫酸エステル、アルキル（フェニル）エーテル硫酸またはその塩などの硫酸エステル化合物。非イオン性界面活性剤としては、ポリオキシエチレンアルキルエーテルなどのエーテル型、グリセリンエステルのポリオキシエチレンエーテルなどのエーテルエステル型、ポリエチレングリコール脂肪酸エステル、グリセリンエステル、ソルビタンエステルなどのエステル型が挙げられる。これらの内、スルホン酸化合物界面活性剤が好ましい。更に好ましくは、アルキル基を有するアルキル芳香族スルホン酸またはその塩である。 As the surfactant, any of cationic, anionic and nonionic can be used. Examples of the cationic surfactant include aliphatic amines or salts thereof, and aliphatic ammonium salts. Examples of the anionic surfactant include fatty acid soaps, alkyl ether carboxylic acids or salts thereof, alpha olefin sulfonic acids or salts thereof, alkylbenzene sulfonic acids or salts thereof, sulfonic acid compounds such as alkylnaphthalene sulfonic acids or salts thereof, Sulfur ester compounds such as alcohol sulfate, alkyl (phenyl) ether sulfate or salts thereof. Examples of the nonionic surfactant include ether types such as polyoxyethylene alkyl ether, ether ester types such as glycerol ester polyoxyethylene ether, and ester types such as polyethylene glycol fatty acid ester, glycerol ester, and sorbitan ester. Of these, sulfonic acid compound surfactants are preferred. More preferred is an alkyl aromatic sulfonic acid having an alkyl group or a salt thereof.
これら界面活性剤はそれぞれ単独であっても良いし、複数種類を併用しても構わない。 These surfactants may be used alone or in combination of a plurality of types.
界面活性剤の含有量は、研磨組成物に対してそれぞれ５質量％以下であることが好ましい。より好ましくは０．０００１〜１質量％であり、特に好ましくは０．０００１〜０．５質量％である。 The content of the surfactant is preferably 5% by mass or less with respect to the polishing composition. More preferably, it is 0.0001-1 mass%, Most preferably, it is 0.0001-0.5 mass%.
本発明の研磨組成物は、アゾール基を分子中に２個以上含む化合物をさらに含むことで、ディッシィングを低減する効果がある。 The polishing composition of the present invention has an effect of reducing dishing by further containing a compound containing two or more azole groups in the molecule.
本発明におけるアゾール基を分子中に２個以上含む化合物は、種々の方法で製造できる。アゾールにはイミダゾール、トリアゾール、テトラゾール、チアゾールがあるが、この中にヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基などの反応性置換基を含んでいるものがある。例えば、４−カルボキシル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、４−ヒドロキシベンゾトリアゾール、２−アミノイミダゾールなどが挙げられる。この内カルボキシル基は、多価アルコール、多価アミンと反応して、それぞれエステル、アミドを生成する。この時多価アルコール、多価アミンとして２価以上の化合物を用いることによって、２個以上のアゾールを有する化合物を製造することができる。同様にヒドロキシル基、アミノ基を有するアゾールからそれらと反応する部位を有する化合物と反応することにより、分子中に２個以上のアゾール基を有する化合物を製造することもできる。 The compound containing two or more azole groups in the molecule of the present invention can be produced by various methods. Azoles include imidazole, triazole, tetrazole, and thiazole, and some of them contain reactive substituents such as hydroxyl group, carboxyl group, and amino group. For example, 4-carboxyl-1H-benzotriazole, 4-hydroxybenzotriazole, 2-aminoimidazole, etc. are mentioned. Of these, the carboxyl group reacts with a polyhydric alcohol and a polyamine to produce an ester and an amide, respectively. At this time, a compound having two or more azoles can be produced by using a compound having two or more valences as the polyhydric alcohol or polyvalent amine. Similarly, a compound having two or more azole groups in the molecule can be produced by reacting from an azole having a hydroxyl group or an amino group with a compound having a site that reacts with them.
また、ビニル基を有するアゾールを重合することによって、分子中に２個以上のアゾール基を有する化合物を製造することもできる。ビニル基を有するアゾールとしては、１−ビニルイミダゾール、２−［３−（２H−ベンゾトリアゾール−１−イル）−４−ヒドロキシフェニル］エチルメタクリレートなどが挙げられる。 Moreover, the compound which has a 2 or more azole group in a molecule | numerator can also be manufactured by superposing | polymerizing the azole which has a vinyl group. Examples of the azole having a vinyl group include 1-vinylimidazole and 2- [3- (2H-benzotriazol-1-yl) -4-hydroxyphenyl] ethyl methacrylate.
これら２個以上のアゾール基を有する化合物のうち、ビニル基を有するアゾールを重合して得られた化合物は工業的に製造しやすく、一分子中に含まれるアゾール基の数を調整しやすい、分子量の調整も行いやすいといった利点があるので好ましい。これらは単独で重合しても構わないし、その他のビニル化合物と共重合しても構わない。 Among these compounds having two or more azole groups, a compound obtained by polymerizing an azole having a vinyl group is easy to produce industrially, and the molecular weight is easy to adjust the number of azole groups contained in one molecule. This is preferable because there is an advantage that the adjustment is easy. These may be polymerized alone or may be copolymerized with other vinyl compounds.
ビニル基を有するアゾールと共重合できるビニル化合物としては、次の化合物を例示することができる。アクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリルアミド、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド、ダイアセトンアクリルアミド、Ｎ−ｔ−オクチルアクリルアミド、N−ビニルアセトアミド、N−ビニルホルムアミド、アクリロイルモルホリン、N−ビニルピロリドン、酢酸ビニル、スチレンなどが挙げられる。 Examples of the vinyl compound that can be copolymerized with an azole having a vinyl group include the following compounds. Acrylic acid, methacrylic acid, methyl acrylate, methyl methacrylate, acrylamide, N-isopropylacrylamide, diacetone acrylamide, Nt-octylacrylamide, N-vinylacetamide, N-vinylformamide, acryloylmorpholine, N-vinylpyrrolidone, Examples thereof include vinyl acetate and styrene.
このようなビニル化合物の重合方法としては、水溶液、有機溶媒中でのラジカル重合が一般的である。アゾビスイソブチロニトリルなどのラジカル開始剤を用いて重合するが、ドデシルメルカプタン、トリメチロールプロパントリス（3-メルカプトプロピオネート）、メルカプトエタノール、α−メチルスチレンダイマーなどの連鎖移動剤で分子量を調整することもできる。 As a method for polymerizing such a vinyl compound, radical polymerization in an aqueous solution or an organic solvent is generally used. Polymerizes using radical initiators such as azobisisobutyronitrile, but the molecular weight is increased with chain transfer agents such as dodecyl mercaptan, trimethylolpropane tris (3-mercaptopropionate), mercaptoethanol, and α-methylstyrene dimer. It can also be adjusted.
このような重合物の分子量としては、質量平均分子量として３００〜５００００００のものが使用することが好ましい。より好ましくは１０００〜１００００００であり、特に好ましくは２０００〜５０００００である。 The molecular weight of such a polymer is preferably 300 to 5000000 as the weight average molecular weight. More preferably, it is 1000-1 million, Most preferably, it is 2000-500000.
本発明で使用されるアゾール基を分子中に２個以上含む化合物は１種を含有しても良いし、二種以上を含有さえても良い。含有量としては、０．００１〜１質量％が好ましい。より好ましくは、０．００１〜０．５質量％であり、特に好ましくは、０．００１〜０．１質量％である。少量ではディッシング低減の効果が少なく、多量に含有してもディッシング低減効果のそれ以上の向上は少なく、場合によっては、研磨組成物の砥粒の凝集を促進することにもなりかねない。 The compound containing two or more azole groups used in the present invention may contain one kind or even two or more kinds. As content, 0.001-1 mass% is preferable. More preferably, it is 0.001-0.5 mass%, Most preferably, it is 0.001-0.1 mass%. If the amount is small, the effect of reducing dishing is small, and even if it is contained in a large amount, the further improvement of the effect of reducing dishing is small, and in some cases, aggregation of abrasive grains of the polishing composition may be promoted.
本発明におけるアミノ酸は、グリシン、アラニン、β−アラニン、２−アミノ酪酸、ノルバリン、バリン、ロイシン、ノルロイシン、イソロイシン、アロイソロイシン、フェニルアラニン、プロリン、サルコシン、オルニチン、リシン、タウリン、セリン、トレオニン、アロトレオニン、ホモセリン、チロシン、３，５−ジヨ−ド−チロシン、β−（３，４−ジヒドロキシフェニル）−アラニン、チロキシン、４−ヒドロキシ−プロリン、システィン、メチオニン、エチオニン、ランチオニン、シスタチオニン、シスチン、システィン酸、アスパラギン酸、グルタミン酸、Ｓ−（カルボキシメチル）−システィン、４−アミノ酪酸、アスパラギン、グルタミン、アザセリン、アルギニン、カナバニン、シトルリン、δ−ヒドロキシ−リシン、クレアチン、キヌレニン、ヒスチジン、１−メチル−ヒスチジン、３−メチル−ヒスチジン、エルゴチオネイン、トリプトファンなどのアミノ酸が挙げられる。これらのうちで好ましくはグリシン、アラニン、ロイシン、バリン、ヒスチジン、セリンである。 The amino acids in the present invention are glycine, alanine, β-alanine, 2-aminobutyric acid, norvaline, valine, leucine, norleucine, isoleucine, alloisoleucine, phenylalanine, proline, sarcosine, ornithine, lysine, taurine, serine, threonine, allothreonine. , Homoserine, tyrosine, 3,5-diiodo-tyrosine, β- (3,4-dihydroxyphenyl) -alanine, thyroxine, 4-hydroxy-proline, cysteine, methionine, ethionine, lanthionine, cystathionine, cystine, cysteic acid , Aspartic acid, glutamic acid, S- (carboxymethyl) -cysteine, 4-aminobutyric acid, asparagine, glutamine, azaserine, arginine, canavanine, citrulline, δ-hydroxy-lysine, Achin, kynurenine, histidine, 1-methyl - histidine, 3-methyl - histidine, ergothioneine, include amino acids such as tryptophan. Of these, glycine, alanine, leucine, valine, histidine, and serine are preferable.
これらのアミノ酸は、一種を含有させても良いし、二種以上を含有させても良い。含有量としては、研磨組成物に対して０．００１〜１０質量％が好ましい。より好ましくは０．００１〜５質量％であり、特に好ましくは、０．００１〜２質量％である。含有量が多すぎると液の安定性を損なう場合がある。 These amino acids may contain 1 type, and may contain 2 or more types. As content, 0.001-10 mass% is preferable with respect to polishing composition. More preferably, it is 0.001-5 mass%, Most preferably, it is 0.001-2 mass%. If the content is too large, the stability of the liquid may be impaired.
本発明の研磨組成物は、アゾール基を分子中に１個含む化合物をさらに含むことで、ディッシングを低減する効果がある。 The polishing composition of the present invention has an effect of reducing dishing by further including a compound containing one azole group in the molecule.
本発明におけるアゾール基を分子中に１個含む化合物は、ベンズイミダゾール−２−チオール、２−［２−（ベンゾチアゾリル）］チオプロピオン酸、２−［２−（ベンゾチアゾリル）チオブチル酸、２−メルカプトベンゾチアゾール、１，２，３−トリアゾール、１，２，４−トリアゾール、３−アミノ−１Ｈ−１，２，４−トリアゾール、ベンゾトリアゾール、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール、１−ジヒドロキシプロピルベンゾトリアゾール、２，３−ジカルボキシプロピルベンゾトリアゾール、４−ヒドロキシベンゾトリアゾール、４−カルボキシル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、４−メトキシカルボニル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、４−ブトキシカルボニル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、４−オクチルオキシカルボニル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール、５−ヘキシルベンゾトリアゾール、Ｎ−（１，２，３−ベンゾトリアゾリル−１−メチル）−Ｎ−（１，２，４−トリアゾリル−１−メチル）−２−エチルヘキシルアミン、トリルトリアゾール、ナフトトリアゾール、ベンズイミダゾール、テトラゾールなどが挙げられる。これらの内で好ましくは、ベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、ヒドロキシベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、ベンズイミダゾール、テトラゾール、ヒスチジンである。 Compounds containing one azole group in the present invention include benzimidazole-2-thiol, 2- [2- (benzothiazolyl)] thiopropionic acid, 2- [2- (benzothiazolyl) thiobutyric acid, 2-mercaptobenzoic acid. Thiazole, 1,2,3-triazole, 1,2,4-triazole, 3-amino-1H-1,2,4-triazole, benzotriazole, 1-hydroxybenzotriazole, 1-dihydroxypropylbenzotriazole, 2, 3-dicarboxypropylbenzotriazole, 4-hydroxybenzotriazole, 4-carboxyl-1H-benzotriazole, 4-methoxycarbonyl-1H-benzotriazole, 4-butoxycarbonyl-1H-benzotriazole, 4-octyloxycarbonyl-1H Benzotriazole, 5-hexylbenzotriazole, N- (1,2,3-benzotriazolyl-1-methyl) -N- (1,2,4-triazolyl-1-methyl) -2-ethylhexylamine, tolyl Examples include triazole, naphthotriazole, benzimidazole, and tetrazole. Among these, benzotriazole, tolyltriazole, hydroxybenzotriazole, carboxybenzotriazole, benzimidazole, tetrazole and histidine are preferable.
これらは、一種を含有させても良いし、二種以上を含有させても良い。含有量としては、研磨組成物に対して０．００１〜５質量％が好ましい。より好ましくは０．００１〜２質量％であり、特に好ましくは０．００１〜０．５質量％である。含有量が多すぎると液の安定性を損なう場合がある。 These may contain 1 type, and may contain 2 or more types. As content, 0.001-5 mass% is preferable with respect to polishing composition. More preferably, it is 0.001-2 mass%, Most preferably, it is 0.001-0.5 mass%. If the content is too large, the stability of the liquid may be impaired.
本発明の研磨組成物に炭素数６以上のアルキル基を有する脂肪酸を含むことで、ディッシィングを低減する効果を有する。 By containing the fatty acid having an alkyl group having 6 or more carbon atoms in the polishing composition of the present invention, it has an effect of reducing dishing.
本発明における炭素数６以上のアルキル基を有する脂肪酸は、研磨組成物中で溶解あるいは分散できることが出来れば炭素数、カルボキシル基数、そのほかの官能基有無や分岐等の構造は特に限定されない。炭素数として好ましくは６〜２２個の範囲である。例示すると、オクタン酸、デカン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、イソステアリン酸、１２−ヒドロキシステアリン酸、セバシン酸、オレイン酸、リノール酸などが挙げられる。 In the present invention, the fatty acid having an alkyl group having 6 or more carbon atoms can be dissolved or dispersed in the polishing composition, and the structure such as the number of carbon atoms, the number of carboxyl groups, the presence or absence of other functional groups, and branching is not particularly limited. The number of carbon atoms is preferably in the range of 6-22. Illustrative examples include octanoic acid, decanoic acid, lauric acid, myristic acid, palmitic acid, stearic acid, isostearic acid, 12-hydroxystearic acid, sebacic acid, oleic acid, linoleic acid and the like.
これらは、一種を含有させても良いし、二種以上を含有さえても良い。含有量としては、研磨組成物に対して０．００１〜５質量％が好ましい。より好ましくは０．００１〜２質量％であり、特に好ましくは０．００１〜０．５質量％である。含有量が多すぎると液の安定性を損なう場合がある。 These may contain 1 type, and may even contain 2 or more types. As content, 0.001-5 mass% is preferable with respect to polishing composition. More preferably, it is 0.001-2 mass%, Most preferably, it is 0.001-0.5 mass%. If the content is too large, the stability of the liquid may be impaired.
本発明で用いられる研磨組成物は、使用する室温近辺で供給することが温度調整機が不要になるので一般的に好ましいが、研磨速度を調整するなどの目的などで研磨組成物の温度を調節して研磨機に供給することも可能である。好ましくは０〜１００℃である。更に好ましくは１０〜５０℃であり、特に好ましくは、１５℃〜４０℃である。温度が低すぎると研磨速度が上がらず、０℃より低い温度であると氷ってしまうこともある。また、温度が高いと好ましくない副反応が起こったりすることも考えられる。 The polishing composition used in the present invention is generally preferable to supply near the room temperature to be used because a temperature adjusting machine is not necessary, but the temperature of the polishing composition is adjusted for the purpose of adjusting the polishing rate. It is also possible to supply it to a polishing machine. Preferably it is 0-100 degreeC. More preferably, it is 10-50 degreeC, Most preferably, it is 15-40 degreeC. If the temperature is too low, the polishing rate does not increase, and if the temperature is lower than 0 ° C., ice may be formed. In addition, an undesirable side reaction may occur when the temperature is high.
本発明で用いられる研磨組成物の研磨機への供給量は、研磨機、ウエハの大きさによって決定される。８インチウエハを用いた時には、１０〜１０００ｍｌ／分で使用することが好ましい。より好ましくは５０〜５００ｍｌ／分であり、特に好ましくは１００〜４００ｍｌ／分である。これらの供給量は研磨途中で変化させてもかまわない。例えば研磨時間の１／２の時間で供給量を上げるあるいは下げるなどの方法が挙げられる。 The supply amount of the polishing composition used in the present invention to the polishing machine is determined by the size of the polishing machine and the wafer. When an 8-inch wafer is used, it is preferably used at 10 to 1000 ml / min. More preferably, it is 50-500 ml / min, Especially preferably, it is 100-400 ml / min. These supply amounts may be changed during polishing. For example, there is a method of increasing or decreasing the supply amount in half the polishing time.
本発明の研磨組成物を用いた研磨方法は、研磨定盤の研磨布上に本発明の研磨組成物を供給しながら、被研磨金属膜を有する基板を研磨布に押し当てた状態で研磨定盤と基板を相対的に動かすことによって被研磨金属膜を研磨する方法である。研磨する装置としては、半導体基板を保持するホルダーと研磨布を貼り付けた定盤を有する一般的な研磨装置が使用できる。研磨定盤の周速度は、研磨機の構造、大きさによって全く異なるのでここで規定することは難しいが、一般的な研磨機を用いた場合１０〜５００ｍ／分で研磨が行うことが好ましい。より好ましくは２０〜３００ｍ／分であり、特に好ましくは３０〜１５０ｍ／分である。研磨定盤が回転することにより基板研磨の均一性を維持するために、基板を回転する必要がある。基板は、研磨定盤とほぼ同じ回転数にするが、均一性を得るために若干、回転数を少なくしたり多くしたりすることがある。また、基板はホルダーを通して研磨布に圧力をかけて押し付けるが、この時の圧力は、０．１〜１００ＫＰａで行うことが好ましい。研磨定盤の回転速度が速いと圧力が低い傾向があったりするので、規定することは難しいが、より好ましくは、０．１〜８０ＫＰａであり、特に好ましくは、０．１〜５０ＫＰａである。これらの研磨条件は研磨途中で変化させてもかまわない。例えば研磨時間の１／２の時間で回転速度を上げるあるいは下げるなどの方法が挙げられる。 The polishing method using the polishing composition of the present invention is a polishing method in which the substrate having a metal film to be polished is pressed against the polishing cloth while supplying the polishing composition of the present invention onto the polishing cloth of the polishing surface plate. In this method, the metal film to be polished is polished by relatively moving the board and the substrate. As a polishing apparatus, a general polishing apparatus having a holder for holding a semiconductor substrate and a surface plate on which a polishing cloth is attached can be used. Since the peripheral speed of the polishing platen is completely different depending on the structure and size of the polishing machine, it is difficult to define it here. However, when a general polishing machine is used, polishing is preferably performed at 10 to 500 m / min. More preferably, it is 20-300 m / min, Especially preferably, it is 30-150 m / min. In order to maintain the uniformity of substrate polishing by rotating the polishing platen, it is necessary to rotate the substrate. The substrate has the same rotational speed as the polishing surface plate, but the rotational speed may be slightly reduced or increased in order to obtain uniformity. In addition, the substrate is pressed against the polishing cloth through a holder, and the pressure at this time is preferably 0.1 to 100 KPa. Since the pressure tends to be low when the rotation speed of the polishing platen is high, it is difficult to specify, but it is more preferably 0.1 to 80 KPa, and particularly preferably 0.1 to 50 KPa. These polishing conditions may be changed during the polishing. For example, a method of increasing or decreasing the rotation speed in half the polishing time can be mentioned.
研磨布としては、一般的な不織布、発泡ポリウレタンなどが使用できる。研磨布には、研磨速度を上げたり、スラリーの排出を良くしたりする目的で溝をつけているものが多い。縦横に溝を付けている物（ＸＹグルーブ）、同心円状に溝を付けている物（Ｋグルーブ）などがあるが、本発明の研磨組成物はいずれも用いることができる。また、研磨布は目詰まりを防止し、安定した研磨を行うために、ダイヤモンドなどが付いたドレッサーでドレスするが、一般的に知られている方法を使用することができる。 As the polishing cloth, a general nonwoven fabric, foamed polyurethane, or the like can be used. Many polishing cloths have grooves for the purpose of increasing the polishing rate and improving the discharge of slurry. Although there are an article having grooves vertically and horizontally (XY groove) and an article having grooves concentrically (K groove), any of the polishing compositions of the present invention can be used. Moreover, in order to prevent clogging and to perform stable polishing, the polishing cloth is dressed with a dresser with diamond or the like, and a generally known method can be used.
研磨定盤の研磨布上に本発明の研磨組成物を供給する方法としては、ポンプなどで連続的に供給する。この時研磨組成物は全ての成分を含んだ１液で供給されてもよく、更には、液の安定性を考慮して複数種の液に分けて供給することもできる。例えば、過酸化水素の溶液とその他の溶液。また、砥粒を使用する場合に砥粒を主体とする研磨液とその他の溶液等が挙げられる。これらの場合、研磨布直前に１液にして供給することも出来る。このとき複数のラインを接合した形でもよいし、研磨組成物を混合する一時溜め等の複数液を混合する装置を経由した形でも良い。また、別ラインでそのまま研磨布上に供給することも可能である。このとき、それぞれの液の流量を研磨途中で変化してもかまわない。例えば、２種の液に分けて供給するときに研磨時間の１／２の時間でどちらか一方の液の滴下量を上げるあるいは下げるなどの方法が挙げられる。
本発明の研磨組成物は液の安定性等の取り扱いの利便性を考慮して輸送時や保存時に複数種に分けておよび／または濃厚な組成物として保存しても良い。例えば、酸化剤とその他の溶液の2種に分ける。砥粒を用いる場合には砥粒を主体とするものとその他の溶液に分ける等が挙げられる。また、本発明の研磨組成物は、使用時より濃厚な研磨組成物とし、研磨時に水等で希釈して研磨に適した濃度にして使用してもかまわない。このように分けた組成物を組み合せ、それら組成物を混合および必要なら希釈することにより本発明の研磨組成物となるキットを構成してもよい。
As a method for supplying the polishing composition of the present invention onto the polishing cloth of the polishing surface plate, it is continuously supplied with a pump or the like. At this time, the polishing composition may be supplied as one liquid containing all the components, and further, the polishing composition can be supplied separately into a plurality of kinds of liquids in consideration of the stability of the liquid. For example, hydrogen peroxide solution and other solutions. Moreover, when using an abrasive grain, the polishing liquid which mainly has an abrasive grain, another solution, etc. are mentioned. In these cases, it can be supplied as a single solution just before the polishing cloth. At this time, a shape in which a plurality of lines are joined may be used, or a shape in which a plurality of liquids such as a temporary reservoir for mixing the polishing composition are mixed may be used. It is also possible to supply it on the polishing cloth as it is on another line. At this time, the flow rate of each liquid may be changed during the polishing. For example, there is a method of increasing or decreasing the dripping amount of one of the liquids in half of the polishing time when the liquids are supplied separately.
The polishing composition of the present invention may be divided into a plurality of types and / or stored as a thick composition at the time of transportation or storage in consideration of convenience of handling such as liquid stability. For example, oxidizer and other solutions are divided into two types. In the case where abrasive grains are used, the abrasive grains are mainly divided into other solutions. Further, the polishing composition of the present invention may be a thicker polishing composition than that used, and may be diluted with water at the time of polishing to a concentration suitable for polishing. A kit that becomes the polishing composition of the present invention may be constituted by combining the compositions thus divided, and mixing and diluting the compositions if necessary.
本発明の研磨組成物での研磨が好適に行なえる金属膜は、基板表面に設けた凹部を覆うように埋め込まれた金属膜であり、この基板を平坦化研磨することで凹部内に埋め込まれた配線層としての金属膜を得るものである。この配線金属膜と基板の間にはバリヤ層が存在し得るが、その場合には一般的に金属膜とともにバリヤ層も研磨の対象にされる。このような金属膜としては、アルミニウム、銅、鉄、タングステン、ニッケル、タンタル、ルテニウムや白金などの白金族金属またはこれら金属の合金が挙げられる。バリヤ層としてはタンタル、チタン等の金属又は窒化タンタル、窒化チタン等の金属化合物が挙げられる。好ましくは多層配線部の配線部分あるいは配線部分を覆うようになる金属膜であり、凹部を有する基板上に凹部を覆うように埋めこまれる。更に好ましくは、多層配線部の配線部分になる銅または銅合金、鉄または鉄合金に使用することが出来る。この工程を素子上に配線を形成する方法として更に説明する。まず、基板上の層間絶縁膜に配線を形成する溝および開口部を開け、絶縁膜上に薄くバリヤ層を形成する。更に、前記溝および開口部を埋め込むようにメッキなどの方法により銅などの配線金属層を形成させる。この金属膜を研磨し、必要があればバリヤ層および層間絶縁膜層をさらに研磨平坦化を行うことにより金属膜が平坦化された基板を製造することが出来る。バリヤ層としてはタンタルまたはタンタルを含有する合金、チタンまたはチタンを含有する合金、さらには窒化タンタルなどが好ましい。 The metal film that can be suitably polished with the polishing composition of the present invention is a metal film embedded so as to cover the recess provided on the surface of the substrate, and is embedded in the recess by planarizing and polishing this substrate. A metal film as a wiring layer is obtained. A barrier layer may be present between the wiring metal film and the substrate. In this case, however, the barrier layer is generally subjected to polishing together with the metal film. Examples of such a metal film include platinum group metals such as aluminum, copper, iron, tungsten, nickel, tantalum, ruthenium and platinum, or alloys of these metals. Examples of the barrier layer include metals such as tantalum and titanium, and metal compounds such as tantalum nitride and titanium nitride. Preferably, it is a metal film that covers the wiring part or the wiring part of the multilayer wiring part, and is embedded on the substrate having the concave part so as to cover the concave part. More preferably, it can be used for copper or copper alloy, iron or iron alloy which becomes the wiring part of the multilayer wiring part. This process will be further described as a method of forming wiring on the element. First, a groove and an opening for forming a wiring are opened in the interlayer insulating film on the substrate, and a thin barrier layer is formed on the insulating film. Further, a wiring metal layer such as copper is formed by a method such as plating so as to fill the groove and the opening. By polishing this metal film and, if necessary, further polishing and flattening the barrier layer and the interlayer insulating film layer, a substrate on which the metal film is flattened can be manufactured. As the barrier layer, tantalum or an alloy containing tantalum, titanium, an alloy containing titanium, or tantalum nitride is preferable.
ここでいう層間絶縁膜とは、酸化ケイ素膜、ヒドロキシセルシスキオキサン（ＨＳＱ）、メチルシルセスキオキサン（ＭＳＱ）などのケイ素を多量に含む無機系の層間絶縁膜やベンゾシクロブテンからなる膜のような有機系層間絶縁膜であり、また、これらに空孔を持たせた低誘電率層間絶縁膜も用いることが出来る。 The interlayer insulating film here is an inorganic interlayer insulating film containing a large amount of silicon, such as a silicon oxide film, hydroxy celsiskioxane (HSQ), or methylsilsesquioxane (MSQ), or a film made of benzocyclobutene. Such an organic interlayer insulating film can also be used, and a low dielectric constant interlayer insulating film in which pores are provided can also be used.
次に、ＭＲＡＭにおける配線形成方法について説明する。金属配線はアルミニウムまたはアルミニウム合金、銅または銅合金から成る導体層とこれを囲むようにニッケル−鉄（パーマロイ）などの強磁性層からなる。必要があれば、タンタル、窒化タンタルなどのバリヤ膜を強磁性層を挟むように薄く形成する。この金属配線はダマシン法で形成されるが、余分な導体層、強磁性層およびバリヤ膜は、研磨を行いながら平坦化し除去される。 Next, a wiring forming method in the MRAM will be described. The metal wiring is composed of a conductor layer made of aluminum or aluminum alloy, copper or copper alloy, and a ferromagnetic layer such as nickel-iron (permalloy) so as to surround the conductor layer. If necessary, a barrier film such as tantalum or tantalum nitride is formed thin so as to sandwich the ferromagnetic layer. This metal wiring is formed by the damascene method, but the extra conductor layer, ferromagnetic layer and barrier film are planarized and removed while polishing.
以下、実施例をあげて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例になんら限定されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, although an Example is given and this invention is demonstrated further in detail, this invention is not limited to these Examples at all.
〈ウエハ〉
ブランケット：銅膜及びタンタル膜が均一に付いたシリコンウエハ
パターン：図１に示すように、溝２深さが５００ｎｍで、１００μm/１００μm（あるいは９μｍ/１μｍ）のライン２’/スペース３の銅配線パターン形成用シリコンウエハ１に、２５ｎｍの厚さのタンタルをバリヤ膜４として形成し、全面に１０００ｎｍの銅膜５を付けたシリコンウエハ。
<Wafer>
Blanket: A silicon wafer with a uniform copper film and tantalum film Pattern: As shown in FIG. 1, a copper wiring of a
〈４×４ｃｍに切断したウエハの研磨〉
基板と研磨定盤との相対速度：７０ｍ／分
研磨パッド：ロデールニッタ社製IC１４００
研磨組成物供給速度：１３ｍｌ／分
研磨圧力：１５KPa
〈エッチングテスト〉
２ｃｍ×２ｃｍの銅板を研磨組成物に浸け、銅板の減少量から、１分間当たりのエッチング速度を計算した。
<Polishing a wafer cut to 4 × 4 cm>
Relative speed between substrate and polishing platen: 70 m / min Polishing pad: IC1400 manufactured by Rodel Nitta
Polishing composition supply rate: 13 ml / min Polishing pressure: 15 KPa
<Etching test>
A 2 cm × 2 cm copper plate was immersed in the polishing composition, and the etching rate per minute was calculated from the reduced amount of the copper plate.
〈研磨特性評価〉
段差の測定：触診式の段差測定計を用いた。
<Polishing property evaluation>
Step measurement: A palpation type step meter was used.
ブランケット銅、タンタル膜厚測定：シート抵抗から測定した。 Blanket copper, tantalum film thickness measurement: Measured from sheet resistance.
パターン銅膜厚測定：評価する部位近傍のパターンのない銅膜のシート抵抗から測定した。 Pattern copper film thickness measurement: It measured from the sheet resistance of the copper film without the pattern of the site | part vicinity to evaluate.
研磨速度の測定：研磨前後の電気抵抗値から銅膜、バリヤ膜厚を測定し、研磨時間から換算した。 Measurement of polishing rate: The copper film and the barrier film thickness were measured from the electrical resistance values before and after polishing, and converted from the polishing time.
ディッシング評価：パターンウエハを約３００ｎｍの銅が残るように研磨した時の研磨速度を基準にして、同じ条件で１５００ｎｍを研磨できる時間ポリッシュ（初期銅膜厚に対して５０％オーバーポリッシュ）した時に図２に示されるように１００μｍスペース部３”と１００μｍライン部２”との段差ｄをディッシングとして評価した。
Dishing evaluation: The figure shows when polishing the pattern wafer for a time that can polish 1500 nm under the same conditions (50% overpolish with respect to the initial copper film thickness), based on the polishing rate when polishing the patterned wafer so that copper of about 300 nm remains. As shown in FIG. 2, the step d between the 100
エロージョン測定：パターンウエハを約３００ｎｍの銅が残るように研磨した時の研磨速度を基準にし、計算上初期銅膜厚に対して５０％オーバーポリッシュされる条件（時間）でポリッシュした時に、図３の如く、９μｍ／１μｍライン／スペースのスペース部のバリヤ膜および層間絶縁膜の目減りｅをエロージョンとして測定した。 Erosion measurement: Based on the polishing rate when the patterned wafer is polished so that copper of about 300 nm remains, the polishing is performed under the condition (time) in which 50% overpolishing with respect to the initial copper film thickness is calculated. As described above, the reduction e of the barrier film and the interlayer insulating film in the space portion of 9 μm / 1 μm line / space was measured as erosion.
（実施例１〜１１、比較例１〜３）
研磨組成物の組成を表１〜４にしめす。
(Examples 1-11, Comparative Examples 1-3)
The composition of the polishing composition is shown in Tables 1-4.
ここで、ポリオキシエチレン2級アルキルエーテルリン酸は平均炭素数13の2級アルコールに平均3molのエチレンオキシドを付加したアルコールを原料にリン酸エステル化したもの、ポリオキシエチレンオクチルエーテルリン酸、ポリオキシエチレンオレイルリン酸、ポリオキシエチレンラウリルリン酸も同様なリン酸エステルである。
ＤＢＳはドデシルベンゼンスルホン酸、ＡＰＳは過硫酸アンモニウム、ＢＴＡはベンゾトリアゾールをあらわす。
Here, polyoxyethylene secondary alkyl ether phosphoric acid is a product obtained by phosphoric esterification using alcohol obtained by adding an average of 3 mol of ethylene oxide to secondary alcohol having an average carbon number of 13, polyoxyethylene octyl ether phosphate, polyoxyethylene Ethylene oleyl phosphate and polyoxyethylene lauryl phosphate are similar phosphate esters.
DBS represents dodecylbenzenesulfonic acid, APS represents ammonium persulfate, and BTA represents benzotriazole.
コロイダルシリカＡは一次粒子径３０〜４０ｎｍ、二次粒子径７０ｎｍのものを用いた。コロイダルシリカＢは一次粒子径６５〜７５ｎｍ、二次粒子径１２０ｎｍのものを用いた。コロイダルシリカＣは一次粒子径９５〜１０５ｎｍ、二次粒子径２１０ｎｍのものを用いた。アゾール基を２個以上含む化合物として用いたＶＰＩ５５Ｋ１８Ｐ（ＢＡＳＦ社製）は、１−ビニルイミダゾールと１−ビニルビロリドンとの１：１共重合体である、ＧＰＣ測定の結果、ポリエチレングリコール換算で質量平均分子量は５０００、数平均分子量２３００であった。SokalanHP56（ＢＡＳＦ社製）は、１−ビニルイミダゾールと１−ビニルビロリドンとの１：１共重合体である、ＧＰＣ測定の結果、ポリエチレングリコール換算で質量平均分子量は１８０００、数平均分子量６６００であった。化合物A、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅの合成方法は下記に示す。 Colloidal silica A having a primary particle diameter of 30 to 40 nm and a secondary particle diameter of 70 nm was used. Colloidal silica B having a primary particle diameter of 65 to 75 nm and a secondary particle diameter of 120 nm was used. Colloidal silica C having a primary particle size of 95 to 105 nm and a secondary particle size of 210 nm was used. VPI55K18P (manufactured by BASF) used as a compound containing two or more azole groups is a 1: 1 copolymer of 1-vinylimidazole and 1-vinylpyrrolidone. As a result of GPC measurement, mass average molecular weight in terms of polyethylene glycol Was 5000 and the number average molecular weight was 2300. SokalanHP56 (manufactured by BASF) is a 1: 1 copolymer of 1-vinylimidazole and 1-vinylpyrrolidone. As a result of GPC measurement, the weight average molecular weight was 18000 and the number average molecular weight was 6600 in terms of polyethylene glycol. A method for synthesizing compounds A, B, C, D, and E is shown below.
（化合物Ａ）
温度計、攪拌装置、窒素導入管および還流冷却管を取付けた１００ｍｌのフラスコに、1-ビニルイミダゾールを10.0g、水を30g仕込んだ後に、２，２’−アゾビス｛２−メチル−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）−プロピオンアミド｝0.61gを加え攪拌して溶解する。窒素雰囲気下にて攪拌しながら昇温し10０℃に３時間保った後、２，２’−アゾビス｛２−メチル−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）−プロピオンアミド｝0.61gを溶解した水２０．０ｇを加えさらに３時間反応を続けた。室温まで冷却後、約６０gの茶色透明溶液を得た。ＧＰＣ測定の結果、ポリエチレングリコール換算で質量平均分子量は110000、数平均分子量２７０００であった。
（化合物Ｂ）
温度計、攪拌装置、窒素導入管および還流冷却管を取付けた５００ｍｌのフラスコに、2−プロパノール４０ｇを仕込み窒素雰囲気下にて攪拌しながら７５℃まで昇温する。ここに1-ビニルイミダゾール４６．３１ｇとＮ−ビニルピロリドン４３．６９ｇを２−プロパノール７８ｇに溶解した液（以下モノマー溶液とする）、及び、ジメチル２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）４．０８ｇを２−プロパノール１６３．９２ｇに溶解した液（以下開始剤溶液１とする）をそれぞれ定量ポンプで添加していく。添加時間はモノマー溶液が４時間、開始剤溶液１が６時間である。開始剤溶液添加後反応溶液を還流温度（約８３℃）まで昇温する。ジメチル２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）２．０４ｇを２−プロパノール３８．７６ｇに溶解した液を添加し（以下開始剤溶液２とする）さらに７．５時間反応を続けた。室温まで冷却後、約４１５gの茶色透明溶液を得た。この茶色透明溶液をロータリーバキュームエバポレーターを用いて濃縮、水溶解を2回繰り返し溶媒を２−プロパノールから水に置換した。ＧＰＣ測定の結果、ポリエチレングリコール換算で質量平均分子量は１０５００、数平均分子量４７００であった。
（化合物Ｃ）
温度計、攪拌装置、窒素導入管および還流冷却管を取付けた５００ｍｌのフラスコに、2−プロパノール４０ｇを仕込み窒素雰囲気下にて攪拌しながら還流温度（約８３℃）まで昇温する。ここに1-ビニルイミダゾール４６．３１ｇとＮ−ビニルピロリドン４３．６９ｇを２−プロパノール７８ｇに溶解した液（以下モノマー溶液とする）、及び、ジメチル２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）０．８２ｇを２−プロパノール１６７．１８ｇに溶解した液（以下開始剤溶液１とする）をそれぞれ定量ポンプで添加していく。添加時間はモノマー溶液が４時間、開始剤溶液１が７時間である。開始剤溶液１添加後１時間反応を続けた後ジメチル２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）０．２１ｇを２−プロパノール６．５９ｇに溶解した液（以下開始剤溶液２とする）を添加しさらに５時間反応を続けた。室温まで冷却後、約３８０gの茶色透明溶液を得た。この茶色透明溶液をロータリーバキュームエバポレーターを用いて濃縮、水溶解を2回繰り返し溶媒を２−プロパノールから水に置換した。ＧＰＣ測定の結果、ポリエチレングリコール換算で質量平均分子量は１４２００、数平均分子量５８００であった。
（化合物Ｄ）
温度計、攪拌装置、窒素導入管および還流冷却管を取付けた５００ｍｌのフラスコに、ｎ−プロパノール３０ｇを仕込み窒素雰囲気下にて攪拌しながら還流温度（約９８℃）まで昇温する。ここに1-ビニルイミダゾール１５．７２ｇ、Ｎ−ビニルピロリドン７４．２８ｇと２−メルカプトエタノール０．０６６ｇをｎ−プロパノール２９．９３ｇに溶解した液（以下モノマー溶液とする）、及び、ジメチル２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）０．７７ｇをｎ−プロパノール２１５．２３ｇに溶解した液（以下開始剤溶液１とする）をそれぞれ定量ポンプで添加していく。添加時間は両方の液共に４時間である。モノマー溶液、開始剤溶液１添加後１時間反応を続けた後ジメチル２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）０．７７ｇをｎ−プロパノール１４．６３ｇに溶解した液（以下開始剤溶液２とする）を添加する。その後に５時間反応を続けた。室温まで冷却後、約３８０gの茶色透明溶液を得た。この茶色透明溶液をロータリーバキュームエバポレーターを用いて濃縮、水溶解を2回繰り返し溶媒を２−プロパノールから水に置換した。ＧＰＣ測定の結果、ポリエチレングリコール換算で質量平均分子量は５５００、数平均分子量２９００であった。
（化合物Ｅ）
モノマー溶液を1-ビニルイミダゾール５９．７６ｇ、Ｎ−ビニルピロリドン３０．２４ｇとα−メチルスチレンダイマー１．０７ｇをｎ−プロパノール７６．９ｇに溶解した液。開始剤溶液１をジメチル２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）１．２５ｇをｎ−プロパノール１６６．７５ｇに溶解した液。開始剤溶液２をジメチル２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）０．４２ｇをｎ−プロパノール７．９４ｇに溶解した液。開始剤追加添加操作を３回繰り返した他は化合物Ｄの合成方法と同様の操作を行った。ＧＰＣ測定の結果、ポリエチレングリコール換算で質量平均分子量は９３００、数平均分子量４５００であった。
(Compound A)
After charging 10.0 g of 1-vinylimidazole and 30 g of water into a 100 ml flask equipped with a thermometer, a stirrer, a nitrogen inlet tube and a reflux condenser, 2,2′-azobis {2-methyl-N— ( Add 2-hydroxyethyl) -propionamide} 0.61 g and dissolve by stirring. The temperature was increased while stirring under a nitrogen atmosphere, and the temperature was maintained at 100 ° C. for 3 hours, and then water 20 containing 2,1′-azobis {2-methyl-N- (2-hydroxyethyl) -propionamide} 0.61 g was dissolved. 0.0 g was added and the reaction was continued for another 3 hours. After cooling to room temperature, about 60 g of a brown transparent solution was obtained. As a result of GPC measurement, the weight average molecular weight was 110000 and the number average molecular weight was 27,000 in terms of polyethylene glycol.
(Compound B)
A 500 ml flask equipped with a thermometer, a stirrer, a nitrogen inlet tube and a reflux condenser is charged with 40 g of 2-propanol and heated to 75 ° C. with stirring in a nitrogen atmosphere. A solution prepared by dissolving 46.31 g of 1-vinylimidazole and 43.69 g of N-vinylpyrrolidone in 78 g of 2-propanol (hereinafter referred to as a monomer solution), and
(Compound C)
A 500 ml flask equipped with a thermometer, a stirrer, a nitrogen inlet tube and a reflux condenser is charged with 40 g of 2-propanol and heated to the reflux temperature (about 83 ° C.) with stirring in a nitrogen atmosphere. A solution prepared by dissolving 46.31 g of 1-vinylimidazole and 43.69 g of N-vinylpyrrolidone in 78 g of 2-propanol (hereinafter referred to as a monomer solution), and
(Compound D)
A 500 ml flask equipped with a thermometer, a stirrer, a nitrogen inlet tube and a reflux condenser is charged with 30 g of n-propanol and heated to the reflux temperature (about 98 ° C.) while stirring in a nitrogen atmosphere. Here, 15.72 g of 1-vinylimidazole, 74.28 g of N-vinylpyrrolidone and 0.066 g of 2-mercaptoethanol were dissolved in 29.93 g of n-propanol (hereinafter referred to as a monomer solution), and
(Compound E)
A monomer solution prepared by dissolving 59.76 g of 1-vinylimidazole, 30.24 g of N-vinylpyrrolidone and 1.07 g of α-methylstyrene dimer in 76.9 g of n-propanol. A solution obtained by dissolving 1.25 g of
結果を表５に示す。いずれの実施例でもほとんどエッチングが起こっておらず、ディッシング、エロージョンは著しく良いことが分かる。これに比較してリン酸エステルを添加しない比較例１〜３ではディッシングが全く抑制されておらず、エロージョンも満足するものではない。 The results are shown in Table 5. In any of the examples, almost no etching occurs, and it can be seen that dishing and erosion are remarkably good. Compared to this, in Comparative Examples 1 to 3 in which no phosphate ester was added, dishing was not suppressed at all, and erosion was not satisfactory.
１ シリコンウェハ
２、２’、２” ライン
３、３’、３” スペース
ｄ ディッシィング
ｅ エロージョン
1
Claims (37)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004330433A JP4667013B2 (en) | 2003-11-14 | 2004-11-15 | Polishing composition and polishing method |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003385253 | 2003-11-14 | ||
| JP2004330433A JP4667013B2 (en) | 2003-11-14 | 2004-11-15 | Polishing composition and polishing method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005167231A true JP2005167231A (en) | 2005-06-23 |
| JP4667013B2 JP4667013B2 (en) | 2011-04-06 |
Family
ID=34741787
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004330433A Active JP4667013B2 (en) | 2003-11-14 | 2004-11-15 | Polishing composition and polishing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4667013B2 (en) |
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007026863A1 (en) * | 2005-09-02 | 2007-03-08 | Fujimi Incorporated | Polishing method |
| WO2007026862A1 (en) * | 2005-09-02 | 2007-03-08 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
| JP2007095841A (en) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Fujifilm Corp | Chemical mechanical polishing method |
| JP2007095843A (en) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Fujifilm Corp | Polishing method |
| JP2007150264A (en) * | 2005-10-27 | 2007-06-14 | Hitachi Chem Co Ltd | Organic insulating material, polishing material for copper film compound material, and polishing method |
| JP2007242984A (en) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Fujifilm Corp | Polishing solution for metals, and chemical-mechanical polishing method |
| JP2007258451A (en) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Fujifilm Corp | Polishing solution for metal |
| WO2008013226A1 (en) * | 2006-07-28 | 2008-01-31 | Showa Denko K.K. | Polishing composition |
| JP2008091573A (en) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Fujifilm Corp | Polishing composition and polishing method |
| WO2008155987A1 (en) * | 2007-06-20 | 2008-12-24 | Asahi Glass Co., Ltd. | Polishing composition, method for polishing the surface of semiconductor integrated circuit, and method for production of copper interconnect for semiconductor integrated circuit |
| JPWO2007060869A1 (en) * | 2005-11-24 | 2009-05-07 | Jsr株式会社 | Chemical mechanical polishing aqueous dispersion and chemical mechanical polishing method |
| JP2009123880A (en) * | 2007-11-14 | 2009-06-04 | Showa Denko Kk | Polishing composition |
| JP2010518601A (en) * | 2007-02-01 | 2010-05-27 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | Polishing of tungsten-containing substrates |
| JPWO2009034764A1 (en) * | 2007-09-10 | 2010-12-24 | 住友金属鉱山株式会社 | Printed wiring board manufacturing method and printed wiring board obtained by the manufacturing method |
| KR101190034B1 (en) | 2005-08-09 | 2012-10-12 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | Chemical mechanical polishing composition for metal circuit comprising aluminium hydroxide |
| WO2013021946A1 (en) * | 2011-08-09 | 2013-02-14 | 株式会社 フジミインコーポレーテッド | Composition for polishing compound semiconductor |
| JP2013102176A (en) * | 2012-12-25 | 2013-05-23 | Showa Denko Kk | Polishing composition |
| JP2014507799A (en) * | 2011-01-11 | 2014-03-27 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | Chemical mechanical polishing composition and method for passivating metals |
| KR20140065771A (en) * | 2012-11-21 | 2014-05-30 | 삼성전자주식회사 | Etching composition and method of manufacturing semiconductor devices using the same |
| CN104250816A (en) * | 2013-06-27 | 2014-12-31 | 气体产品与化学公司 | Chemical mechanical polishing slurry compositions and method using same for copper and through-silicon via applications |
| US8956430B2 (en) | 2005-08-30 | 2015-02-17 | Kao Corporation | Polishing composition |
| JP2016035040A (en) * | 2014-08-01 | 2016-03-17 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | Polishing composition |
| WO2021065225A1 (en) * | 2019-09-30 | 2021-04-08 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | Polishing composition |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000252243A (en) * | 1998-12-28 | 2000-09-14 | Hitachi Chem Co Ltd | Polishing liquid for metal and polishing method using the same |
| JP2002231666A (en) * | 2001-01-31 | 2002-08-16 | Fujimi Inc | Composition for polishing, and polishing method using the composition |
| JP2005123482A (en) * | 2003-10-17 | 2005-05-12 | Fujimi Inc | Polishing method |
-
2004
- 2004-11-15 JP JP2004330433A patent/JP4667013B2/en active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000252243A (en) * | 1998-12-28 | 2000-09-14 | Hitachi Chem Co Ltd | Polishing liquid for metal and polishing method using the same |
| JP2002231666A (en) * | 2001-01-31 | 2002-08-16 | Fujimi Inc | Composition for polishing, and polishing method using the composition |
| JP2005123482A (en) * | 2003-10-17 | 2005-05-12 | Fujimi Inc | Polishing method |
Cited By (39)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101190034B1 (en) | 2005-08-09 | 2012-10-12 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | Chemical mechanical polishing composition for metal circuit comprising aluminium hydroxide |
| US8956430B2 (en) | 2005-08-30 | 2015-02-17 | Kao Corporation | Polishing composition |
| WO2007026863A1 (en) * | 2005-09-02 | 2007-03-08 | Fujimi Incorporated | Polishing method |
| WO2007026862A1 (en) * | 2005-09-02 | 2007-03-08 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
| KR101278666B1 (en) * | 2005-09-02 | 2013-06-25 | 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 | Polishing composition |
| JPWO2007026862A1 (en) * | 2005-09-02 | 2009-03-12 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | Polishing composition |
| JP2007095841A (en) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Fujifilm Corp | Chemical mechanical polishing method |
| JP2007095843A (en) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Fujifilm Corp | Polishing method |
| JP2007150264A (en) * | 2005-10-27 | 2007-06-14 | Hitachi Chem Co Ltd | Organic insulating material, polishing material for copper film compound material, and polishing method |
| JPWO2007060869A1 (en) * | 2005-11-24 | 2009-05-07 | Jsr株式会社 | Chemical mechanical polishing aqueous dispersion and chemical mechanical polishing method |
| JP2007242984A (en) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Fujifilm Corp | Polishing solution for metals, and chemical-mechanical polishing method |
| JP2007258451A (en) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Fujifilm Corp | Polishing solution for metal |
| WO2008013226A1 (en) * | 2006-07-28 | 2008-01-31 | Showa Denko K.K. | Polishing composition |
| JPWO2008013226A1 (en) * | 2006-07-28 | 2009-12-17 | 昭和電工株式会社 | Polishing composition |
| CN101496143B (en) * | 2006-07-28 | 2011-04-06 | 昭和电工株式会社 | Polishing composition |
| JP2008091573A (en) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Fujifilm Corp | Polishing composition and polishing method |
| JP2010518601A (en) * | 2007-02-01 | 2010-05-27 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | Polishing of tungsten-containing substrates |
| JP2014045207A (en) * | 2007-02-01 | 2014-03-13 | Cabot Microelectronics Corp | Polishing composition for tungsten-containing substrate |
| WO2008155987A1 (en) * | 2007-06-20 | 2008-12-24 | Asahi Glass Co., Ltd. | Polishing composition, method for polishing the surface of semiconductor integrated circuit, and method for production of copper interconnect for semiconductor integrated circuit |
| JPWO2009034764A1 (en) * | 2007-09-10 | 2010-12-24 | 住友金属鉱山株式会社 | Printed wiring board manufacturing method and printed wiring board obtained by the manufacturing method |
| JP4986082B2 (en) * | 2007-09-10 | 2012-07-25 | 住友金属鉱山株式会社 | Method for manufacturing printed wiring board |
| US8425276B2 (en) | 2007-11-14 | 2013-04-23 | Showa Denko K.K. | Polishing composition |
| JP2009123880A (en) * | 2007-11-14 | 2009-06-04 | Showa Denko Kk | Polishing composition |
| JP2014507799A (en) * | 2011-01-11 | 2014-03-27 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | Chemical mechanical polishing composition and method for passivating metals |
| KR20140047015A (en) * | 2011-01-11 | 2014-04-21 | 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션 | Metal-passivating cmp compositions and methods |
| KR102077618B1 (en) * | 2011-01-11 | 2020-02-14 | 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션 | Metal-passivating cmp compositions and methods |
| KR102017133B1 (en) * | 2011-01-11 | 2019-09-02 | 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션 | Metal-passivating cmp compositions and methods |
| KR20180123167A (en) * | 2011-01-11 | 2018-11-14 | 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션 | Metal-passivating cmp compositions and methods |
| JPWO2013021946A1 (en) * | 2011-08-09 | 2015-03-05 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | Compound semiconductor polishing composition |
| WO2013021946A1 (en) * | 2011-08-09 | 2013-02-14 | 株式会社 フジミインコーポレーテッド | Composition for polishing compound semiconductor |
| KR101980668B1 (en) | 2012-11-21 | 2019-05-22 | 삼성전자주식회사 | Etching composition and method of manufacturing semiconductor devices using the same |
| KR20140065771A (en) * | 2012-11-21 | 2014-05-30 | 삼성전자주식회사 | Etching composition and method of manufacturing semiconductor devices using the same |
| JP2013102176A (en) * | 2012-12-25 | 2013-05-23 | Showa Denko Kk | Polishing composition |
| JP2015029083A (en) * | 2013-06-27 | 2015-02-12 | エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドＡｉｒ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ Ａｎｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | Chemical mechanical polishing slurry compositions and method using the same for copper and through-silicon via applications |
| CN104250816A (en) * | 2013-06-27 | 2014-12-31 | 气体产品与化学公司 | Chemical mechanical polishing slurry compositions and method using same for copper and through-silicon via applications |
| JP2016035040A (en) * | 2014-08-01 | 2016-03-17 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | Polishing composition |
| WO2021065225A1 (en) * | 2019-09-30 | 2021-04-08 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | Polishing composition |
| JP2021057453A (en) * | 2019-09-30 | 2021-04-08 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | Polishing composition |
| JP7391589B2 (en) | 2019-09-30 | 2023-12-05 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | polishing composition |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4667013B2 (en) | 2011-04-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071023 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100521 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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