JP2005158493A - Organic electroluminescence device and electronic equipment - Google Patents

Organic electroluminescence device and electronic equipment Download PDF

Info

Publication number
JP2005158493A
JP2005158493A JP2003395612A JP2003395612A JP2005158493A JP 2005158493 A JP2005158493 A JP 2005158493A JP 2003395612 A JP2003395612 A JP 2003395612A JP 2003395612 A JP2003395612 A JP 2003395612A JP 2005158493 A JP2005158493 A JP 2005158493A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
common cathode
electrode
layer
organic
organic electroluminescence
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003395612A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yuji Kayano
祐治 茅野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2003395612A priority Critical patent/JP2005158493A/en
Publication of JP2005158493A publication Critical patent/JP2005158493A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic electroluminescence device having a structure by which narrower picture framing is attained after securing current supply capability to a cathode. <P>SOLUTION: The organic electroluminescence device includes a pixel electrode 111, a functional layer having a light emitting layer comprising at least an organic material, and a common cathode in this order on a substrate, a light emitting display region in which a plurality of organic EL elements are arranged in a matrix-like form, and wiring for the common cathode to supply a current to the common cathode, wherein a contact hole 30 for the common cathode which electrically connects the common cathode to the wiring for the common cathode is arranged only within the light emitting display region. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス(Electro-Luminescence, 以下、ELと略記する)装置および電子機器に関する。   The present invention relates to an organic electroluminescence (Electro-Luminescence, hereinafter abbreviated as EL) device and an electronic apparatus.

電界発光を利用した有機EL素子は、自己発光のため視認性が高く、かつ耐衝撃性に優れるなどの優れた特徴を有することから、各種表示装置における発光素子としての利用が注目されている。有機EL素子は、例えばトップエミッション型有機EL素子の場合、反射性金属膜からなる第1の電極(陽極)と、有機発光層を含む機能層と、透明導電膜よりなる第2の電極(陰極)とを設けた構造が一般的である。特にEL素子を駆動する薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor, 以下、TFTと略記する)等のスイッチング素子を備えたアクティブマトリクス型EL素子において、上記第1の電極は各TFTに接続された画素電極であり、上記第2の電極はマトリクス状に配置された複数の画素で共有するベタ状の共通電極である。よって、第1の電極(画素電極)にはTFTを通じて駆動電流が供給される一方、第2の電極(共通電極)には共通電極と接続された共通陰極用配線を通じて駆動電流が供給される。共通陰極用配線の例としては、矩形状の基板の4辺のうち、外部接続端子が配置された1辺を除く他の3辺に沿ってコ字状に共通陰極用配線を配置したものが提案されている(例えば、特許文献1参照)。
特開2003−216064号公報
An organic EL element using electroluminescence has excellent features such as high visibility due to self-emission and excellent impact resistance, and thus has attracted attention as a light emitting element in various display devices. For example, in the case of a top emission type organic EL element, the organic EL element includes a first electrode (anode) made of a reflective metal film, a functional layer including an organic light emitting layer, and a second electrode (cathode) made of a transparent conductive film. ) Is generally used. In particular, in an active matrix EL element having a switching element such as a thin film transistor (hereinafter abbreviated as TFT) for driving an EL element, the first electrode is a pixel electrode connected to each TFT, The second electrode is a solid common electrode shared by a plurality of pixels arranged in a matrix. Therefore, a driving current is supplied to the first electrode (pixel electrode) through the TFT, while a driving current is supplied to the second electrode (common electrode) through the common cathode wiring connected to the common electrode. As an example of the common cathode wiring, among the four sides of the rectangular substrate, the common cathode wiring is arranged in a U shape along the other three sides excluding one side where the external connection terminals are arranged. It has been proposed (see, for example, Patent Document 1).
Japanese Patent Laid-Open No. 2003-216064

上述した特許文献1においては、共通陰極が基板の略全面にベタ状に形成されるとともに、共通陰極用配線が基板周縁部の非表示領域に形成されている。そして、共通陰極と共通陰極用配線とは異なるレイヤーで形成されている。このような構成から、基板の周縁部で共通陰極のパターンと共通陰極用配線のパターンとが平面的に重なる領域に、これら共通陰極と共通陰極用配線とを電気的に接続するためのコンタクト部を設けていた。しかしながら、共通陰極には発光輝度に応じた電流を供給しなければならないという要求があり、基板上に数箇所のみの陰極コンタクト部を設ける構成では各々がある程度の大きさを持った陰極コンタクト部が必要であった。   In Patent Document 1 described above, the common cathode is formed in a solid shape on substantially the entire surface of the substrate, and the common cathode wiring is formed in the non-display area at the peripheral edge of the substrate. The common cathode and the common cathode wiring are formed in different layers. With such a configuration, a contact portion for electrically connecting the common cathode and the common cathode wiring to a region where the common cathode pattern and the common cathode wiring pattern overlap in a plane at the peripheral portion of the substrate. Was established. However, there is a requirement that the current corresponding to the emission luminance must be supplied to the common cathode, and in the configuration in which only a few cathode contact portions are provided on the substrate, each cathode contact portion has a certain size. It was necessary.

一方、有機EL表示装置は、近年、携帯電話等の携帯用電子機器への応用が進んでおり、携帯用電子機器の小型化に伴い小型化への要求が強まっている。より具体的には、所定の表示領域の面積を確保した上で非表示面積の面積を小さくする、すなわち狭額縁化への要求がある。ところが、上記のような構成では基板の非表示領域、すなわち表示領域の外側の額縁部分に占有面積の大きな陰極コンタクト部を配置しなければならず、狭額縁化に限界があった。あるいは、陰極コンタクト部を形成しなくて済む方法としては、陰極を基板端部まで延ばしておき、陰極の端部を駆動回路と直接接続する方法が考えられる。しかしながら、この方法でも、陰極を非表示領域に大きく形成する必要があり、やはり狭額縁化には限界があった。   On the other hand, in recent years, organic EL display devices have been applied to portable electronic devices such as mobile phones, and the demand for downsizing has increased with the downsizing of portable electronic devices. More specifically, there is a demand for reducing the area of the non-display area after securing the area of the predetermined display area, that is, reducing the frame. However, in the configuration as described above, a cathode contact portion having a large occupied area must be disposed in a non-display area of the substrate, that is, a frame portion outside the display area, and there is a limit to narrowing the frame. Alternatively, as a method that does not require the formation of the cathode contact portion, a method in which the cathode is extended to the end portion of the substrate and the end portion of the cathode is directly connected to the driving circuit can be considered. However, even in this method, it is necessary to form a large cathode in the non-display area, and there is a limit to narrowing the frame.

本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、陰極への電流供給能を確保した上で狭額縁化が可能な構造を持つ有機EL装置、およびそれを用いた電子機器を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and has an organic EL device having a structure capable of narrowing a frame while ensuring a current supply capability to a cathode, and an electronic apparatus using the same The purpose is to provide.

上記の目的を達成するために、本発明の有機EL装置は、第1の電極と少なくとも有機材料からなる発光層を有する機能層と第2の電極とが基板上にこの順に設けられ、複数の有機EL素子がマトリクス状に配置されてなる発光表示領域を備えた有機EL装置であって、前記第2の電極に対して電流を供給するための導電部が設けられ、前記第2の電極と前記導電部とを電気的に接続する接続部が前記発光表示領域内にのみ配置されたことを特徴とする。
すなわち、本発明の有機EL装置は、第2の電極と導電部とを電気的に接続する接続部(従来技術で言うところの陰極コンタクト部)が発光表示領域内にのみ配置されており、基板周縁部の非表示領域には配置されていない構成である。そのため、上記接続部の占有面積を必要としない分、狭額縁化を図ることができる。また、接続部を発光表示領域内に設ける構成では例えば各画素毎に接続部を設けることもでき、陰極への電流供給能を十分に確保することができる。
In order to achieve the above object, the organic EL device of the present invention includes a first electrode, a functional layer having at least a light emitting layer made of an organic material, and a second electrode provided in this order on a substrate, An organic EL device having a light emitting display region in which organic EL elements are arranged in a matrix, wherein a conductive portion for supplying current to the second electrode is provided, and the second electrode and A connection portion that electrically connects the conductive portion is disposed only in the light emitting display region.
That is, in the organic EL device of the present invention, the connection portion (cathode contact portion in the prior art) that electrically connects the second electrode and the conductive portion is disposed only in the light emitting display region, and the substrate It is the structure which is not arrange | positioned in the non-display area | region of a peripheral part. Therefore, the frame can be narrowed because the area occupied by the connecting portion is not required. Further, in the configuration in which the connection portion is provided in the light emitting display region, for example, the connection portion can be provided for each pixel, and the current supply capability to the cathode can be sufficiently ensured.

より具体的な構成として、断面構造の中で導電部をどの位置(レイヤー)に配置するかはいくつかのパターンが考えられる。
例えば前記有機EL素子を駆動する複数のスイッチング素子を設けるとともに、前記導電部を前記スイッチング素子の下層側に層状に形成し、前記第2の電極と前記導電部とをこれらの間に介在する絶縁層を貫通するコンタクトホールを介して電気的に接続した構成を採用することができる。この場合、前記第1の電極を光透過性を有する材料で形成し、前記導電部を金属膜で形成する構成を採ることが望ましい。
この構成によれば、導電部がスイッチング素子および有機EL素子の下層側に位置するので、これら素子の構造と干渉することなく、層状(ベタ状)の導電部を形成することができる。その結果、導電部を低抵抗の電流供給用配線として機能させることができ、高効率の有機EL装置を実現することができる。特に第1の電極を光透過性材料で形成するとトップエミッション型の有機EL装置となり、下方に光を取り出さないため、導電部を不透明の金属膜で形成することができる。その場合、透明導電膜で形成した場合と比べてより低抵抗の電流供給用配線となる。
As a more specific configuration, several patterns can be considered as to which position (layer) the conductive portion is arranged in the cross-sectional structure.
For example, a plurality of switching elements for driving the organic EL element are provided, the conductive portion is formed in a layer on the lower layer side of the switching element, and the second electrode and the conductive portion are interposed between them. A configuration in which the layers are electrically connected through a contact hole penetrating the layers can be employed. In this case, it is desirable to adopt a configuration in which the first electrode is formed of a light transmissive material and the conductive portion is formed of a metal film.
According to this configuration, since the conductive part is located on the lower layer side of the switching element and the organic EL element, a layered (solid) conductive part can be formed without interfering with the structure of these elements. As a result, the conductive portion can function as a low-resistance current supply wiring, and a highly efficient organic EL device can be realized. In particular, when the first electrode is formed of a light-transmitting material, a top emission type organic EL device is obtained, and light is not extracted downward, so that the conductive portion can be formed of an opaque metal film. In this case, the current supply wiring has a lower resistance than that of the transparent conductive film.

あるいは、前記導電部を前記第2の電極の下層側に形成し、前記第2の電極と前記導電部とを直接接触させることによりこれらを電気的に接続する構成を採用することができる。
この構成は、導電部が第2の電極の直下に位置し、第2の電極と導電部とが直接接触した状態で電気的に接続されたものであり、コンタクトホールが不要な構成である。そのため、第2の電極と導電部との接触面積が大きく取れ、電気的導通の信頼性が高いものとなる。また、コンタクトホールの占有面積を要しない分、実効的な発光表示領域の面積が広くなり、有機EL素子の輝度を向上することができる。
Alternatively, it is possible to employ a configuration in which the conductive portion is formed on the lower layer side of the second electrode, and the second electrode and the conductive portion are brought into direct contact with each other so as to be electrically connected.
In this configuration, the conductive portion is located immediately below the second electrode, and the second electrode and the conductive portion are electrically connected in direct contact with each other, and a contact hole is unnecessary. Therefore, the contact area between the second electrode and the conductive portion can be increased, and the reliability of electrical continuity is high. In addition, since the area occupied by the contact hole is not required, the area of the effective light emitting display region is increased, and the luminance of the organic EL element can be improved.

あるいは、前記導電部を前記第1の電極と同層で形成し、前記第2の電極と前記導電部とをこれらの間に介在する絶縁層を貫通するコンタクトホールを介して電気的に接続する構成を採用することができる。
この構成によれば、導電部を第1の電極と同層、すなわち同一工程で形成できるので、特別な導電部形成工程を必要とせず、製造プロセスが複雑化することがない。
Alternatively, the conductive portion is formed in the same layer as the first electrode, and the second electrode and the conductive portion are electrically connected through a contact hole penetrating an insulating layer interposed therebetween. A configuration can be employed.
According to this configuration, since the conductive portion can be formed in the same layer as the first electrode, that is, in the same process, a special conductive portion forming step is not required, and the manufacturing process is not complicated.

あるいは、前記有機EL素子を駆動する複数のスイッチング素子を設けるとともに、前記導電部を前記スイッチング素子の上層側でかつ前記第1の電極の下層側に形成し、前記第2の電極と前記導電部とをこれらの間に介在する絶縁層を貫通するコンタクトホールを介して電気的に接続する構成を採用することができる。
この構成によれば、前記導電部を、他の配線等との干渉を避けた上で略層状(ベタ状)に形成することができ、上記構成と同様、低抵抗の電流供給用配線を実現することができる。また、導電部がスイッチング素子の上層側に位置しており、スイッチング素子を形成した後に導電部を形成するため、スイッチング素子形成工程における導電部の悪影響(例えば金属等からなる導電部が存在する状態で結晶化アニールを行うと、熱が逃げやすく、アニール効率が低下する等)を排除することができる。
Or while providing the some switching element which drives the said organic EL element, the said electroconductive part is formed in the upper layer side of the said switching element, and the lower layer side of the said 1st electrode, The said 2nd electrode and the said electroconductive part Can be electrically connected via a contact hole penetrating an insulating layer interposed therebetween.
According to this configuration, the conductive portion can be formed in a substantially layer shape (solid shape) while avoiding interference with other wirings, and a low-resistance current supply wiring is realized as in the above configuration. can do. In addition, since the conductive portion is located on the upper layer side of the switching element and the conductive portion is formed after the switching element is formed, the conductive portion is adversely affected in the switching element formation process (for example, there is a conductive portion made of metal or the like). If the crystallization annealing is performed, the heat can be easily escaped, and the annealing efficiency can be eliminated.

また、前記導電部を基板の周縁部にまで延在させ、そのまま実装端子を構成してもよい。
この構成によれば、実装端子を形成するのに別の導電層を形成する必要がなく、導電層と実装端子とのコンタクト等の接続部も不要となる。その結果、実装端子の形成を簡単に行うことができる。
Further, the conductive portion may extend to the peripheral edge of the substrate, and the mounting terminal may be configured as it is.
According to this configuration, it is not necessary to form another conductive layer to form the mounting terminal, and a connection portion such as a contact between the conductive layer and the mounting terminal is not necessary. As a result, the mounting terminals can be easily formed.

本発明の電子機器は、上記本発明の有機EL装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、狭額縁の有機EL装置を備えているため、電子機器の小型化を図ることができる。
An electronic apparatus according to the present invention includes the organic EL device according to the present invention.
According to this configuration, since the organic EL device with a narrow frame is provided, the electronic device can be downsized.

[第1の実施の形態]
以下、本発明の第1の実施の形態について図1〜図4を参照して説明する。なお、以下の全ての図において、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材の縮尺は実際のものと異なるように表している。
[First Embodiment]
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In all the following drawings, the scale of each layer and each member is shown to be different from the actual scale so that each layer and each member has a size that can be recognized on the drawings.

図1は本実施形態の有機EL表示装置の配線構造を示す等価回路図である。
本実施形態の有機EL表示装置1は、図1に示すように、複数の走査線101と、走査線101に対して交差する方向に延びる複数の信号線102と、信号線102に並列に延びる複数の電源線103とがそれぞれ格子状に配線されている。そして、走査線101と信号線102とにより区画された領域が画素領域として構成されている。
信号線102には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオラインおよびアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路104が接続されている。また、走査線101には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路105が接続されている。
FIG. 1 is an equivalent circuit diagram showing a wiring structure of the organic EL display device of this embodiment.
As shown in FIG. 1, the organic EL display device 1 according to the present embodiment includes a plurality of scanning lines 101, a plurality of signal lines 102 extending in a direction intersecting the scanning lines 101, and the signal lines 102 extending in parallel. A plurality of power supply lines 103 are wired in a grid pattern. An area partitioned by the scanning line 101 and the signal line 102 is configured as a pixel area.
The signal line 102 is connected to a data side driving circuit 104 including a shift register, a level shifter, a video line, and an analog switch. Further, a scanning side driving circuit 105 including a shift register and a level shifter is connected to the scanning line 101.

各画素領域には、走査線101を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用TFT112と、このスイッチング用TFT112を介して信号線102から供給される画素信号を保持する保持容量capと、保持容量capによって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用TFT123と、この駆動用TFT123を介して電源線103に電気的に接続したときに当該電源線103から駆動電流が流れ込む画素電極111(第1の電極)と、陰極12(第2の電極)と、この画素電極111と陰極12との間に挟持された機能層110とが設けられている。画素電極111と陰極12と機能層110により発光部Aが構成され、有機EL表示装置1は、この発光部Aをマトリクス状に複数備えて発光表示領域が構成されている。   In each pixel region, a switching TFT 112 to which a scanning signal is supplied to the gate electrode via the scanning line 101, a holding capacitor cap for holding a pixel signal supplied from the signal line 102 via the switching TFT 112, A driving TFT 123 to which a pixel signal held by the holding capacitor cap is supplied to a gate electrode, and a pixel electrode into which a driving current flows from the power supply line 103 when electrically connected to the power supply line 103 via the driving TFT 123 111 (first electrode), a cathode 12 (second electrode), and a functional layer 110 sandwiched between the pixel electrode 111 and the cathode 12 are provided. The pixel electrode 111, the cathode 12, and the functional layer 110 constitute a light emitting portion A. The organic EL display device 1 includes a plurality of light emitting portions A in a matrix to form a light emitting display region.

この構成によれば、走査線101が駆動されてスイッチング用TFT112がオンになると、そのときの信号線102の電位が保持容量capに保持され、保持容量capの状態に応じて、駆動用TFT123のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用TFT123のチャネルを介して、電源線103から画素電極111に電流が流れ、さらに機能層110を介して陰極12に電流が流れる。機能層110は、ここを流れる電流量に応じた輝度で発光する。   According to this configuration, when the scanning line 101 is driven and the switching TFT 112 is turned on, the potential of the signal line 102 at that time is held in the holding capacitor cap, and the driving TFT 123 of the driving TFT 123 is changed according to the state of the holding capacitor cap. The on / off state is determined. Then, current flows from the power supply line 103 to the pixel electrode 111 through the channel of the driving TFT 123, and further current flows to the cathode 12 through the functional layer 110. The functional layer 110 emits light with a luminance corresponding to the amount of current flowing therethrough.

図2は本有機EL表示装置1の平面模式図、図3は発光表示領域を構成する各画素のパターン構成を示す平面図、図4は各画素の断面構造を拡大視した、図3のA−A’線に沿う断面図である。
図4に示すように、本実施形態の有機EL表示装置1は、基板2上に回路素子部14と表示素子部10が順に積層され、この積層体の形成された基板面が封止部によって封止された構造を有する。表示素子部10は、画素電極111(陽極、第1の電極)と、画素電極111上に積層された機能層110を含む発光素子部11と、発光素子部11上に形成された共通陰極(第2の電極)12とからなる。共通陰極12および封止部は透光性を有しており、本実施形態の有機EL表示装置1は、発光層から発した表示光が封止部側から出射される、いわゆるトップエミッション型の有機EL表示装置として構成されている。
2 is a schematic plan view of the organic EL display device 1, FIG. 3 is a plan view showing the pattern configuration of each pixel constituting the light emitting display region, and FIG. 4 is an enlarged view of the cross-sectional structure of each pixel. It is sectional drawing which follows the -A 'line.
As shown in FIG. 4, in the organic EL display device 1 of the present embodiment, a circuit element unit 14 and a display element unit 10 are sequentially stacked on a substrate 2, and the substrate surface on which the stacked body is formed is sealed by a sealing unit. It has a sealed structure. The display element unit 10 includes a pixel electrode 111 (anode, first electrode), a light emitting element unit 11 including a functional layer 110 stacked on the pixel electrode 111, and a common cathode (on the light emitting element unit 11). Second electrode) 12. The common cathode 12 and the sealing part have translucency, and the organic EL display device 1 of the present embodiment is a so-called top emission type in which display light emitted from the light emitting layer is emitted from the sealing part side. It is configured as an organic EL display device.

基板2は、図2に示すように、基板中央に位置する発光表示領域2aと、基板周縁に位置して発光表示領域2aを囲む非表示領域2bとに区画されている。
発光表示領域2aは、マトリクス状に配置された複数の画素Aによって形成される領域であり、発光表示領域2aの外側を囲むように非表示領域2bが形成されている。そして、非表示領域2bには、発光表示領域2aに隣接するダミー表示領域が形成されるとともに、データ側駆動回路(図示略)、走査側駆動回路105等が形成されている。回路素子部14には、図2および図3に示すように、前述の走査線101、信号線102、保持容量cap、スイッチング用TFT112、駆動用TFT123等が備えられており、発光表示領域2aに配置された各画素Aを駆動するようになっている。データ側駆動回路、走査側駆動回路105等に入力される信号を供給する配線の一端はフレキシブル基板5上の配線5aに接続されている。また、配線5aは、フレキシブル基板5上に備えられた駆動用IC6(駆動回路)に接続されている。
As shown in FIG. 2, the substrate 2 is partitioned into a light emitting display region 2a located at the center of the substrate and a non-display region 2b surrounding the light emitting display region 2a located at the periphery of the substrate.
The light emitting display area 2a is an area formed by a plurality of pixels A arranged in a matrix, and a non-display area 2b is formed so as to surround the light emitting display area 2a. In the non-display area 2b, a dummy display area adjacent to the light emitting display area 2a is formed, and a data side driving circuit (not shown), a scanning side driving circuit 105, and the like are formed. As shown in FIGS. 2 and 3, the circuit element unit 14 includes the scanning line 101, the signal line 102, the holding capacitor cap, the switching TFT 112, the driving TFT 123, and the like. The arranged pixels A are driven. One end of a wiring for supplying a signal input to the data side driving circuit, the scanning side driving circuit 105 and the like is connected to a wiring 5 a on the flexible substrate 5. The wiring 5a is connected to a driving IC 6 (driving circuit) provided on the flexible substrate 5.

また、回路素子部14の非表示領域2bには、前述の電源線103(103R、103G、103B)が配線されている。
また、図2における発光表示領域2aの両側には、前述の走査側駆動回路105、105が配置されている。この走査側駆動回路105、105はダミー領域の下側の回路素子部14内に設けられている。さらに回路素子部14内には、走査側駆動回路105、105に接続される駆動回路用制御信号配線105aと駆動回路用電源配線105bとが設けられている。さらに表示領域2aの図2中上側には検査回路106が配置されている。
Further, the above-described power supply lines 103 (103R, 103G, 103B) are wired in the non-display area 2b of the circuit element unit 14.
Further, the above-described scanning side drive circuits 105 and 105 are arranged on both sides of the light emitting display region 2a in FIG. The scanning side drive circuits 105 and 105 are provided in the circuit element section 14 below the dummy area. Further, in the circuit element section 14, a drive circuit control signal wiring 105a and a drive circuit power supply wiring 105b connected to the scanning side drive circuits 105 and 105 are provided. Further, an inspection circuit 106 is disposed above the display area 2a in FIG.

各画素を拡大視すると、図3に示すように、電源線103と信号線102とが平行に図中縦方向に延在して配置され、これらと直交するように走査線101が配置されている。スイッチング用TFT112の半導体層20(ソース)がコンタクトホール21を介して信号線102に接続される一方、スイッチング用TFT112の半導体層20(ドレイン)がコンタクトホール22を介して第1中継導電層23に接続されている。また、駆動用TFT123の半導体層25(ソース)がコンタクトホール26を介して電源線103に接続される一方、駆動用TFT123の半導体層25(ドレイン)がコンタクトホール27を介して第2中継導電層24に接続されている。さらに、画素電極111がコンタクトホール28を介して第2中継導電層24に接続されている。第1中継導電層23は、駆動用TFT123の半導体層25と交差する部分が駆動用TFT123のゲート電極として機能するとともに、電源線103と重なるように配置された部分が保持容量capの一方の電極として機能する。符号30は、後述する共通陰極12と共通陰極用配線とを電気的に接続する共通陰極用コンタクトホールである。   When each pixel is enlarged, as shown in FIG. 3, the power supply line 103 and the signal line 102 are arranged to extend in the vertical direction in the drawing in parallel, and the scanning line 101 is arranged to be orthogonal to these. Yes. The semiconductor layer 20 (source) of the switching TFT 112 is connected to the signal line 102 through the contact hole 21, while the semiconductor layer 20 (drain) of the switching TFT 112 is connected to the first relay conductive layer 23 through the contact hole 22. It is connected. The semiconductor layer 25 (source) of the driving TFT 123 is connected to the power supply line 103 via the contact hole 26, while the semiconductor layer 25 (drain) of the driving TFT 123 is connected to the second relay conductive layer via the contact hole 27. 24. Further, the pixel electrode 111 is connected to the second relay conductive layer 24 through the contact hole 28. The first relay conductive layer 23 functions as a gate electrode of the driving TFT 123 at a portion where the semiconductor layer 25 of the driving TFT 123 intersects, and a portion arranged so as to overlap with the power supply line 103 is one electrode of the storage capacitor cap. Function as. Reference numeral 30 denotes a common cathode contact hole for electrically connecting a common cathode 12 (to be described later) and a common cathode wiring.

次に、断面構造について図4を用いて説明する。
本実施形態の有機EL表示装置1はトップエミッション型であるから、基板2には、透明基板、半透明基板、不透明基板のいずれを用いることもできる。透明または半透明な基板としては、例えばガラス、石英、樹脂(プラスチック、プラスチックフィルム)等が挙げられる。不透明な基板としては、例えばアルミナ等のセラミックやステンレススチール等の金属シートに表面酸化等の絶縁処理を施したものの他、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等が挙げられる。
Next, a cross-sectional structure will be described with reference to FIG.
Since the organic EL display device 1 of the present embodiment is a top emission type, any of a transparent substrate, a translucent substrate, and an opaque substrate can be used for the substrate 2. Examples of the transparent or translucent substrate include glass, quartz, and resin (plastic and plastic film). As the opaque substrate, for example, a ceramic sheet such as alumina or a metal sheet such as stainless steel subjected to an insulation treatment such as surface oxidation, a thermosetting resin, a thermoplastic resin, or the like can be given.

基板2上に、シリコン酸化膜等からなる第1保護膜31、任意の金属材料からなる共通陰極用配線32(導電部)、シリコン酸化膜等からなる第2保護膜33が積層されている。本実施の形態において、共通陰極用配線32は、配線と呼んでいるものの、基板2の略全面にベタ状に形成された配線層である。図3には駆動用TFT123のみが図示されているが、第2保護膜33上に駆動用TFT123を構成する半導体層25(シリコン層)、シリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜35、ゲート電極となる第1中継導電層23が形成されている。そして、駆動用TFT123を覆うように第1層間絶縁膜36が形成され、第1層間絶縁膜36上に電源線103および第2中継導電層24が形成されている。電源線103は第1層間絶縁膜36を貫通するコンタクトホール26を介して駆動用TFT123の半導体層25(ソース)に接続される一方、第2中継導電層24は第1層間絶縁膜36を貫通するコンタクトホール25を介して駆動用TFT123の半導体層25(ドレイン)に接続されている。   A first protective film 31 made of a silicon oxide film or the like, a common cathode wiring 32 (conductive portion) made of an arbitrary metal material, and a second protective film 33 made of a silicon oxide film or the like are laminated on the substrate 2. In the present embodiment, the common cathode wiring 32 is a wiring layer formed in a solid shape on substantially the entire surface of the substrate 2 although it is called a wiring. Although only the driving TFT 123 is shown in FIG. 3, the semiconductor layer 25 (silicon layer) constituting the driving TFT 123, the gate insulating film 35 made of a silicon oxide film, and the gate electrode are formed on the second protective film 33. A first relay conductive layer 23 is formed. A first interlayer insulating film 36 is formed so as to cover the driving TFT 123, and the power supply line 103 and the second relay conductive layer 24 are formed on the first interlayer insulating film 36. The power line 103 is connected to the semiconductor layer 25 (source) of the driving TFT 123 through a contact hole 26 that penetrates the first interlayer insulating film 36, while the second relay conductive layer 24 penetrates the first interlayer insulating film 36. The contact hole 25 is connected to the semiconductor layer 25 (drain) of the driving TFT 123.

第1層間絶縁膜36上に、電源線103および第2中継導電層24を覆うようにシリコン酸化膜からなる第2層間絶縁膜37が形成され、その上にアクリル樹脂等からなる平坦化絶縁膜38が形成されている。平坦化絶縁膜38上にアルミニウム、銀等の光反射性の高い金属からなる画素電極111が形成されている。これにより、基板2側に発した光を上方の封止部側に効率的に出射させるようになっている。本実施の形態の場合、駆動用TFT123の下層側に共通陰極用配線32がベタ状に形成されているので、共通陰極用配線32の材料に光反射性の高い金属を用いることによりこれをトップエミッション型における反射層として機能させることもできる。その場合には、画素電極111の材料はITO等の透明導電膜でも良い。また、画素電極111は平坦化絶縁膜38および第2層間絶縁膜37を貫通するコンタクトホール28を介して第2中継導電層24に接続されている。この構成により、画素電極111は第2中継導電層24を介して駆動用TFT123の半導体層25(ドレイン)に電気的に接続されている。画素電極111の周縁部は表層絶縁膜39に覆われている。   A second interlayer insulating film 37 made of a silicon oxide film is formed on the first interlayer insulating film 36 so as to cover the power supply line 103 and the second relay conductive layer 24, and a planarized insulating film made of acrylic resin or the like is formed thereon. 38 is formed. A pixel electrode 111 made of a metal having high light reflectivity such as aluminum or silver is formed on the planarization insulating film 38. Thereby, the light emitted to the substrate 2 side is efficiently emitted to the upper sealing portion side. In the case of the present embodiment, the common cathode wiring 32 is formed in a solid shape on the lower layer side of the driving TFT 123, so that the top of the common cathode wiring 32 can be obtained by using a highly light reflective metal. It can also function as a reflection layer in the emission type. In that case, the material of the pixel electrode 111 may be a transparent conductive film such as ITO. The pixel electrode 111 is connected to the second relay conductive layer 24 through a contact hole 28 that penetrates the planarization insulating film 38 and the second interlayer insulating film 37. With this configuration, the pixel electrode 111 is electrically connected to the semiconductor layer 25 (drain) of the driving TFT 123 via the second relay conductive layer 24. A peripheral portion of the pixel electrode 111 is covered with a surface insulating film 39.

発光素子部11は、画素電極111上に積層された機能層110と、隣接する画素電極111および機能層110の間に備えられて各機能層110を仕切るバンク層41(隔壁)とを主体として構成されている。機能層110上にはITO等の透明導電膜を含む共通陰極12が配置されており、これら画素電極111、機能層110および共通陰極12によって発光部が構成されている。機能層110は、画素電極111上に積層された正孔注入/輸送層と、正孔注入/輸送層上に形成された発光層とから構成されている。正孔注入/輸送層は、例えばポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸等の混合物を用いることができる。また、発光層は、赤色(R)に発光する赤色発光層、緑色(G)に発光する緑色発光層、および青色(B)に発光する青色発光層の3種類を有し、各色の発光層がストライプ配置されている。この発光層の材料としては、赤色発光層としてシアノピリフェニレンビニレン、緑色発光層および青色発光層としてポリフェニレンビニレンなどを用いることができる。また、バンク層41は、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等からなり、画素電極111の形成位置に対応して開口部41dが形成されている。よって、バンク層41の開口部41dが、実質的に表示に寄与する有効表示領域となる。また、バンク層41は、上記の機能層材料をインクジェット法などの液滴吐出法で形成する際の隔壁として必要なものである。   The light emitting element unit 11 mainly includes a functional layer 110 stacked on the pixel electrode 111 and a bank layer 41 (partition) provided between the adjacent pixel electrode 111 and the functional layer 110 to partition each functional layer 110. It is configured. A common cathode 12 including a transparent conductive film such as ITO is disposed on the functional layer 110, and the pixel electrode 111, the functional layer 110, and the common cathode 12 constitute a light emitting unit. The functional layer 110 includes a hole injection / transport layer stacked on the pixel electrode 111 and a light emitting layer formed on the hole injection / transport layer. For the hole injection / transport layer, for example, a mixture of a polythiophene derivative such as polyethylene dioxythiophene (PEDOT) and polystyrene sulfonic acid can be used. The light emitting layer has three types, a red light emitting layer that emits red (R), a green light emitting layer that emits green (G), and a blue light emitting layer that emits blue (B). Are arranged in stripes. As the material of the light emitting layer, cyanopyriphenylene vinylene can be used as the red light emitting layer, and polyphenylene vinylene can be used as the green light emitting layer and the blue light emitting layer. The bank layer 41 is made of acrylic resin, polyimide resin, or the like, and has an opening 41d corresponding to the position where the pixel electrode 111 is formed. Therefore, the opening 41d of the bank layer 41 becomes an effective display area that substantially contributes to display. The bank layer 41 is necessary as a partition wall when the functional layer material is formed by a droplet discharge method such as an ink jet method.

共通陰極12は、機能層110上に形成されたバソフェンセシウム等からなる電子注入層と、その上層に積層されたITO等の透明導電膜の2層構造となっている。発光表示領域2a内において、共通陰極用配線32以外の各種電極、配線等の導電層、半導体層、および機能層が存在しない領域に、第2保護膜33、ゲート絶縁膜35、第1層間絶縁膜36、第2層間絶縁膜37、平坦化絶縁膜38、表層絶縁膜39、およびバンク層41を全て貫通し、共通陰極用配線32に達する共通陰極用コンタクトホール30(接続部)が形成されている。そして、ベタ状の共通陰極12が共通陰極用コンタクトホール30の内壁面に沿って形成され、コンタクトホール底部で共通陰極用配線32と接触することにより電気的に接続されている。共通陰極12の上層は、酸素や水分の浸入を防止するための透明封止樹脂膜43で覆われ、さらに接着層44を介してカバーガラス45が設けられている。   The common cathode 12 has a two-layer structure of an electron injection layer made of bathophencesium or the like formed on the functional layer 110 and a transparent conductive film made of ITO or the like laminated thereon. In the light emitting display region 2 a, the second protective film 33, the gate insulating film 35, and the first interlayer insulation are provided in a region where various electrodes other than the common cathode wiring 32, conductive layers such as wiring, semiconductor layers, and functional layers do not exist. A common cathode contact hole 30 (connection portion) is formed so as to penetrate all of the film 36, the second interlayer insulating film 37, the planarizing insulating film 38, the surface insulating film 39, and the bank layer 41 and reach the common cathode wiring 32. ing. The solid common cathode 12 is formed along the inner wall surface of the common cathode contact hole 30 and is electrically connected by contacting the common cathode wiring 32 at the bottom of the contact hole. The upper layer of the common cathode 12 is covered with a transparent sealing resin film 43 for preventing intrusion of oxygen and moisture, and a cover glass 45 is further provided via an adhesive layer 44.

図4において、破断線より右側は、基板端部の実装端子47を示している。この図に示すように、基板端部では、共通陰極用配線32より上層の第2保護膜33、ゲート絶縁膜35、第1層間絶縁膜36、第2層間絶縁膜37、平坦化絶縁膜38、表層絶縁膜39、およびバンク層41等の絶縁層、半導体層25、ゲート電極23、電源線103、第2中継導電層24等の導電層が全て除去されており、共通陰極用配線32が露出している。すなわち、本実施の形態の場合、共通陰極用配線32がそのまま基板2の端部にまで延在し、実装端子47として機能する。   In FIG. 4, the right side of the broken line shows the mounting terminal 47 at the end of the board. As shown in this figure, at the substrate end, a second protective film 33, a gate insulating film 35, a first interlayer insulating film 36, a second interlayer insulating film 37, and a planarizing insulating film 38, which are higher than the common cathode wiring 32, are formed. The insulating layer 39, the insulating layer such as the bank layer 41, the semiconductor layer 25, the gate electrode 23, the power supply line 103, the conductive layer such as the second relay conductive layer 24 are all removed, and the common cathode wiring 32 is formed. Exposed. That is, in the case of the present embodiment, the common cathode wiring 32 extends as it is to the end of the substrate 2 and functions as the mounting terminal 47.

本実施形態の有機EL表示装置1の構成上の特徴点は、共通陰極12と共通陰極用配線32とを電気的に接続する共通陰極用コンタクトホール30が発光表示領域2a内にのみ配置されており、基板周縁部の非表示領域2bには配置されていない構成である。そのため、非表示領域2bに従来の陰極コンタクト部の占有面積を必要としない分、狭額縁化を図ることができる。また、共通陰極用コンタクトホール30が各画素毎に有効表示領域外に設けられているため、共通陰極12への電流供給能を十分に確保することができるとともに、開口率(輝度)を低下させることがない。特に本実施の形態の場合、共通陰極用配線32がTFTおよび有機EL素子の下層側に位置するので、これら素子の構造と干渉することなく、層状(ベタ状)の共通陰極用配線32を形成することができる。その結果、共通陰極用配線32を低抵抗の電流供給用配線として機能させることができ、高効率の有機EL表示装置を実現することができる。     The structural feature of the organic EL display device 1 of the present embodiment is that the common cathode contact hole 30 for electrically connecting the common cathode 12 and the common cathode wiring 32 is disposed only in the light emitting display region 2a. And is not arranged in the non-display area 2b at the peripheral edge of the substrate. For this reason, it is possible to reduce the frame because the non-display area 2b does not require the area occupied by the conventional cathode contact portion. Further, since the common cathode contact hole 30 is provided outside the effective display area for each pixel, it is possible to sufficiently ensure the current supply capability to the common cathode 12 and to reduce the aperture ratio (luminance). There is nothing. In particular, in the case of the present embodiment, since the common cathode wiring 32 is located on the lower layer side of the TFT and the organic EL element, the layered (solid) common cathode wiring 32 is formed without interfering with the structure of these elements. can do. As a result, the common cathode wiring 32 can function as a low-resistance current supply wiring, and a highly efficient organic EL display device can be realized.

[第2の実施の形態]
以下、本発明の第2の実施の形態を図5を用いて説明する。
本実施の形態の有機EL表示装置の基本構成は第1の実施の形態と同様であり、断面構造における共通陰極用配線の形成位置が異なるのみである。
図5は本実施の形態の有機EL表示装置の断面構造を示す図であり、第1の実施の形態の図4に相当する図である。図5において図4と共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
[Second Embodiment]
Hereinafter, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
The basic configuration of the organic EL display device of the present embodiment is the same as that of the first embodiment, and only the common cathode wiring formation position in the cross-sectional structure is different.
FIG. 5 is a diagram showing a cross-sectional structure of the organic EL display device of the present embodiment, and corresponds to FIG. 4 of the first embodiment. In FIG. 5, the same components as those in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

第1の実施の形態の場合、共通陰極用配線32がTFTよりも下層側に配置されていたのに対し、本実施の形態の有機EL表示装置50の場合、図5に示すように、共通陰極用配線51がバンク層41の上面に配置されている。共通陰極用配線51は、例えばクロム(Cr)/金(Au)、チタン(Ti)/銅(Cu)/窒化チタン(TiN)等の金属から構成されている。よって、本実施の形態の場合、共通陰極用配線51を基板全面にベタ状に形成するわけにはいかず、共通陰極用配線51が有効表示領域を避けてバンク層41の上面にのみ所定のパターンで形成されている。また、第1の実施の形態の場合、バンク層41の上層側には共通陰極12が配置されていたが、本実施の形態の場合、バンク層41の上面に共通陰極用配線51が配置されているため、共通陰極12と共通陰極用配線51とが直接接触することになる。よって、本実施形態の構成は、共通陰極用コンタクトホールが不要な構成となる。   In the case of the first embodiment, the common cathode wiring 32 is disposed on the lower layer side than the TFT, whereas in the case of the organic EL display device 50 of the present embodiment, as shown in FIG. The cathode wiring 51 is disposed on the upper surface of the bank layer 41. The common cathode wiring 51 is made of a metal such as chromium (Cr) / gold (Au), titanium (Ti) / copper (Cu) / titanium nitride (TiN), for example. Therefore, in the case of the present embodiment, the common cathode wiring 51 cannot be formed in a solid shape on the entire surface of the substrate, and the common cathode wiring 51 avoids an effective display area and has a predetermined pattern only on the upper surface of the bank layer 41. It is formed with. In the case of the first embodiment, the common cathode 12 is arranged on the upper layer side of the bank layer 41. However, in the case of this embodiment, the common cathode wiring 51 is arranged on the upper surface of the bank layer 41. Therefore, the common cathode 12 and the common cathode wiring 51 are in direct contact with each other. Therefore, the configuration of this embodiment is a configuration that does not require a common cathode contact hole.

図5において、破断線より右側は、基板端部の実装端子47を示している。この図に示すように、基板端部では、第1層間絶縁膜36、第2層間絶縁膜37、平坦化絶縁膜38、表層絶縁膜39、およびバンク層41等の絶縁層、半導体層25、ゲート電極23、電源線103、第2中継導電層24等の導電層が全て除去されており、共通陰極用配線51が露出している。すなわち、本実施の形態の場合、共通陰極用配線51がそのまま基板の端部にまで延在し、実装端子47として機能する。   In FIG. 5, the right side of the broken line shows the mounting terminal 47 at the end of the board. As shown in this figure, at the substrate end, the first interlayer insulating film 36, the second interlayer insulating film 37, the planarizing insulating film 38, the surface insulating film 39, the insulating layer such as the bank layer 41, the semiconductor layer 25, The conductive layers such as the gate electrode 23, the power supply line 103, and the second relay conductive layer 24 are all removed, and the common cathode wiring 51 is exposed. That is, in the case of the present embodiment, the common cathode wiring 51 extends as it is to the end of the substrate and functions as the mounting terminal 47.

本実施の形態においては、共通陰極用コンタクトホールが存在せず、ある程度広い接触面積をもって共通陰極12と共通陰極用配線51とが接合されているため、共通陰極12への電流供給能を十分に確保することができるとともに、狭額縁化を図ることができる。特に本実施の形態の場合、共通陰極用コンタクトホールの占有面積を要しない分、有効表示領域の面積(バンク層の開口部)を広くすることができ、有機EL素子の輝度を向上することができる。また、共通陰極用配線51が金属材料から構成されているため、配線の低抵抗化を図ることができる。   In the present embodiment, since the common cathode contact hole does not exist and the common cathode 12 and the common cathode wiring 51 are joined with a certain wide contact area, the current supply capability to the common cathode 12 is sufficiently high. It can be secured and the frame can be narrowed. In particular, in the case of the present embodiment, the area of the effective display region (the opening of the bank layer) can be widened as much as the area occupied by the common cathode contact hole is not required, and the luminance of the organic EL element can be improved. it can. Moreover, since the common cathode wiring 51 is made of a metal material, the resistance of the wiring can be reduced.

[第3の実施の形態]
以下、本発明の第3の実施の形態を図6を用いて説明する。
本実施の形態の有機EL表示装置の基本構成は第1の実施の形態と同様であり、断面構造における共通陰極用配線の形成位置が異なるのみである。
図6は本実施の形態の有機EL表示装置の断面構造を示す図であり、第1の実施の形態の図4に相当する図である。図6において図4と共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
[Third Embodiment]
Hereinafter, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
The basic configuration of the organic EL display device of the present embodiment is the same as that of the first embodiment, and only the common cathode wiring formation position in the cross-sectional structure is different.
FIG. 6 is a diagram showing a cross-sectional structure of the organic EL display device of the present embodiment, and corresponds to FIG. 4 of the first embodiment. In FIG. 6, the same components as those in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

第1の実施の形態の場合、共通陰極用配線32がTFTよりも下層側に配置されており、第2の実施の形態の場合、共通陰極用配線51がバンク層の上面に配置されていたのに対し、本実施の形態の有機EL表示装置60の場合、図6に示すように、共通陰極用配線61がバンク層41の下層側に配置されている。すなわち、共通陰極用配線61は、画素電極111と同一レイヤーで同一工程で形成されており、例えばITO等の透明導電膜から構成されている。そして、発光表示領域2a内において、共通陰極用配線61以外の各種電極、配線等の導電層、半導体層25、および機能層110が存在しない領域に、表層絶縁膜39とバンク層41とを貫通し、共通陰極用配線61に達する共通陰極用コンタクトホール62が形成されている。そして、ベタ状の共通陰極12が共通陰極用コンタクトホール62の内壁面に沿って形成され、コンタクトホール底部で共通陰極用配線61と接触することにより電気的に接続されている。   In the case of the first embodiment, the common cathode wiring 32 is arranged on the lower layer side than the TFT, and in the case of the second embodiment, the common cathode wiring 51 is arranged on the upper surface of the bank layer. On the other hand, in the case of the organic EL display device 60 of the present embodiment, the common cathode wiring 61 is disposed on the lower layer side of the bank layer 41 as shown in FIG. That is, the common cathode wiring 61 is formed in the same layer and in the same process as the pixel electrode 111 and is made of a transparent conductive film such as ITO, for example. In the light emitting display region 2 a, the surface insulating film 39 and the bank layer 41 are penetrated in a region where various electrodes other than the common cathode wiring 61, conductive layers such as wiring, the semiconductor layer 25, and the functional layer 110 do not exist. A common cathode contact hole 62 reaching the common cathode wiring 61 is formed. The solid common cathode 12 is formed along the inner wall surface of the common cathode contact hole 62 and is electrically connected by contacting the common cathode wiring 61 at the bottom of the contact hole.

図6において、破断線より右側は、基板端部の実装端子47を示している。この図に示すように、基板端部では、第1層間絶縁膜36、第2層間絶縁膜37、平坦化絶縁膜38、表層絶縁膜39、およびバンク層41等の絶縁層、半導体層25、ゲート電極23、電源線103、第2中継導電層24等の導電層が全て除去されており、共通陰極用配線61が露出している。すなわち、本実施の形態の場合、共通陰極用配線61がそのまま基板の端部にまで延在し、実装端子47として機能する。   In FIG. 6, the right side of the broken line shows the mounting terminal 47 at the end of the board. As shown in this figure, at the substrate end, the first interlayer insulating film 36, the second interlayer insulating film 37, the planarizing insulating film 38, the surface insulating film 39, the insulating layer such as the bank layer 41, the semiconductor layer 25, The conductive layers such as the gate electrode 23, the power supply line 103, and the second relay conductive layer 24 are all removed, and the common cathode wiring 61 is exposed. That is, in the case of the present embodiment, the common cathode wiring 61 extends as it is to the end of the substrate and functions as the mounting terminal 47.

本実施の形態においても、各画素毎に共通陰極用コンタクトホール62が設けられているため、共通陰極12への電流供給能を十分に確保することができるとともに、基板周縁部に陰極用コンタクトが要らない分、狭額縁化を図ることができる。特に本実施の形態の場合、共通陰極用配線61を画素電極111と同一レイヤー、同一工程で形成できるので、特別な配線形成工程を必要とせず、製造プロセスが複雑化することがない。   Also in the present embodiment, since the common cathode contact hole 62 is provided for each pixel, it is possible to sufficiently ensure the current supply capability to the common cathode 12 and the cathode contact is provided on the peripheral edge of the substrate. Narrow frame can be achieved because it is not necessary. In particular, in the case of the present embodiment, the common cathode wiring 61 can be formed in the same layer and in the same process as the pixel electrode 111, so that a special wiring forming process is not required and the manufacturing process is not complicated.

[第4の実施の形態]
以下、本発明の第4の実施の形態を図7を用いて説明する。
本実施の形態の有機EL表示装置の基本構成は第1の実施の形態と同様であり、断面構造における共通陰極用配線の形成位置が異なるのみである。
図7は本実施の形態の有機EL表示装置の断面構造を示す図であり、第1の実施の形態の図4に相当する図である。図7において図4と共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
[Fourth Embodiment]
The fourth embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.
The basic configuration of the organic EL display device of the present embodiment is the same as that of the first embodiment, and only the common cathode wiring formation position in the cross-sectional structure is different.
FIG. 7 is a diagram showing a cross-sectional structure of the organic EL display device of the present embodiment, and corresponds to FIG. 4 of the first embodiment. In FIG. 7, the same components as those in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

本実施の形態の有機EL表示装置70の場合、図7に示すように、共通陰極用配線71が第2層間絶縁膜37と平坦化絶縁膜38との間に配置されている。共通陰極用配線71は、TFT123および電源線103、第2中継導電層24の形成領域を除く基板の略全面にベタ状に形成することができ、任意の金属材料で構成することができる。そして、発光表示領域2a内において、共通陰極用配線71以外の各種電極、配線等の導電層、半導体層25、および機能層110が存在しない領域に、平坦化絶縁膜38、表層絶縁膜39、バンク層41を全て貫通し、共通陰極用配線71に達する共通陰極用コンタクトホール72が形成されている。そして、ベタ状の共通陰極12が共通陰極用コンタクトホール72の内壁面に沿って形成され、コンタクトホール底部で共通陰極用配線71と接触することにより電気的に接続されている。   In the case of the organic EL display device 70 of the present embodiment, as shown in FIG. 7, the common cathode wiring 71 is disposed between the second interlayer insulating film 37 and the planarizing insulating film 38. The common cathode wiring 71 can be formed in a solid shape on substantially the entire surface of the substrate excluding the formation region of the TFT 123, the power supply line 103, and the second relay conductive layer 24, and can be composed of any metal material. Then, in the light emitting display region 2 a, the planarization insulating film 38, the surface insulating film 39, and the conductive layer such as various electrodes other than the common cathode wiring 71, wiring, and the like, the semiconductor layer 25, and the functional layer 110 are not present. A common cathode contact hole 72 that penetrates all of the bank layer 41 and reaches the common cathode wiring 71 is formed. A solid common cathode 12 is formed along the inner wall surface of the common cathode contact hole 72 and is electrically connected by contacting the common cathode wiring 71 at the bottom of the contact hole.

図7において、破断線より右側は、基板端部の実装端子47を示している。この図に示すように、基板端部では、第1層間絶縁膜36、第2層間絶縁膜37、平坦化絶縁膜38、表層絶縁膜39、およびバンク層41等の絶縁層、半導体層25、ゲート電極23、電源線103、第2中継導電層24等の導電層が全て除去されており、共通陰極用配線71が露出している。すなわち、本実施の形態の場合、共通陰極用配線71がそのまま基板の端部にまで延在し、実装端子47として機能する。   In FIG. 7, the right side of the broken line shows the mounting terminal 47 at the end of the board. As shown in this figure, at the substrate end, the first interlayer insulating film 36, the second interlayer insulating film 37, the planarizing insulating film 38, the surface insulating film 39, the insulating layer such as the bank layer 41, the semiconductor layer 25, The conductive layers such as the gate electrode 23, the power supply line 103, and the second relay conductive layer 24 are all removed, and the common cathode wiring 71 is exposed. That is, in the case of the present embodiment, the common cathode wiring 71 extends as it is to the end of the substrate and functions as the mounting terminal 47.

本実施の形態においても、各画素毎に共通陰極用コンタクトホール72が設けられているため、共通陰極12への電流供給能を十分に確保することができるとともに、基板周縁部に陰極用コンタクトが要らない分、狭額縁化を図ることができる。特に本実施の形態の場合、共通陰極用配線71を略ベタ状に形成できるので、第1の実施の形態と同様、低抵抗の電流供給用配線を実現することができる。また、共通陰極用配線71がTFT123の上層側に位置しており、TFT123を形成した後に共通陰極用配線71を形成するため、TFT形成工程における共通陰極用配線71の悪影響(例えば金属等からなる共通陰極用配線が存在する状態でTFTのSi層の結晶化アニールを行うと、熱が逃げやすく、アニール効率が低下する等の問題)を排除することができる。さらに、第1の実施の形態ほど、共通陰極用コンタクトホール72を深く形成する必要がないため、共通陰極用コンタクトホール72の形成プロセス上の不具合や電気的接続上の信頼性低下を招くことがない。   Also in the present embodiment, since the common cathode contact hole 72 is provided for each pixel, it is possible to sufficiently ensure the current supply capability to the common cathode 12 and the cathode contact is provided on the peripheral edge of the substrate. Narrow frame can be achieved because it is not necessary. In particular, in the case of the present embodiment, the common cathode wiring 71 can be formed in a substantially solid shape, so that a low-resistance current supply wiring can be realized as in the first embodiment. Further, since the common cathode wiring 71 is positioned on the upper layer side of the TFT 123 and the common cathode wiring 71 is formed after the TFT 123 is formed, the common cathode wiring 71 is adversely affected (for example, made of metal or the like) in the TFT forming process. If crystallization annealing of the Si layer of the TFT is performed in the presence of the common cathode wiring, it is possible to eliminate problems such as heat that easily escapes and annealing efficiency decreases. Further, since it is not necessary to form the common cathode contact hole 72 as deeply as in the first embodiment, there is a problem in the formation process of the common cathode contact hole 72 and a decrease in reliability in electrical connection. Absent.

[第5の実施の形態]
以下、本発明の第5の実施の形態を図8を用いて説明する。
本実施の形態の有機EL表示装置の基本構成は第1の実施の形態と同様であり、断面構造における共通陰極用配線の形成位置が異なるのみである。
図8は本実施の形態の有機EL表示装置の断面構造を示す図であり、第1の実施の形態の図4に相当する図である。図8において図4と共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
[Fifth Embodiment]
Hereinafter, a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
The basic configuration of the organic EL display device of the present embodiment is the same as that of the first embodiment, and only the common cathode wiring formation position in the cross-sectional structure is different.
FIG. 8 is a diagram showing a cross-sectional structure of the organic EL display device of the present embodiment, and corresponds to FIG. 4 of the first embodiment. In FIG. 8, the same components as those in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

本実施の形態の有機EL表示装置80の場合、図8に示すように、平坦化絶縁膜が第1平坦化絶縁膜38aと第2平坦化絶縁膜38bの2層構造となっており、共通陰極用配線81が第1平坦化絶縁膜38aと第2平坦化絶縁膜38bとの間に配置されている。共通陰極用配線81は、TFT123および電源線103、第2中継導電層24の形成領域を除く基板の略全面にベタ状に形成することができ、任意の金属材料で構成することができる。そして、発光表示領域2a内において、共通陰極用配線81以外の各種電極、配線等の導電層、半導体層25、および機能層110が存在しない領域に、第2平坦化絶縁膜38b、表層絶縁膜39、バンク層41を全て貫通し、共通陰極用配線81に達する共通陰極用コンタクトホール82が形成されている。そして、ベタ状の共通陰極12が共通陰極用コンタクトホール82の内壁面に沿って形成され、コンタクトホール底部で共通陰極用配線81と接触することにより電気的に接続されている。   In the case of the organic EL display device 80 of the present embodiment, as shown in FIG. 8, the planarization insulating film has a two-layer structure of a first planarization insulating film 38a and a second planarization insulating film 38b. A cathode wiring 81 is disposed between the first planarization insulating film 38a and the second planarization insulating film 38b. The common cathode wiring 81 can be formed in a solid shape on substantially the entire surface of the substrate excluding the formation region of the TFT 123, the power supply line 103, and the second relay conductive layer 24, and can be made of any metal material. Then, in the light emitting display region 2a, the second planarization insulating film 38b, the surface layer insulating film are formed in a region where various electrodes other than the common cathode wiring 81, conductive layers such as wiring, the semiconductor layer 25, and the functional layer 110 are not present. 39, a common cathode contact hole 82 that penetrates all of the bank layer 41 and reaches the common cathode wiring 81 is formed. The solid common cathode 12 is formed along the inner wall surface of the common cathode contact hole 82 and is electrically connected by contacting the common cathode wiring 81 at the bottom of the contact hole.

図8において、破断線より右側は、基板端部の実装端子47を示している。この図に示すように、基板端部では、第1層間絶縁膜36、第2層間絶縁膜37、第1平坦化絶縁膜38a、第2平坦化絶縁膜38b、表層絶縁膜39、およびバンク層41等の絶縁層、半導体層25、ゲート電極23、電源線103、第2中継導電層24等の導電層が全て除去されており、共通陰極用配線81が露出している。すなわち、本実施の形態の場合、共通陰極用配線81がそのまま基板の端部にまで延在し、実装端子47として機能する。   In FIG. 8, the right side of the broken line shows the mounting terminal 47 at the end of the board. As shown in this figure, at the substrate edge, a first interlayer insulating film 36, a second interlayer insulating film 37, a first planarizing insulating film 38a, a second planarizing insulating film 38b, a surface insulating film 39, and a bank layer Conductive layers such as the insulating layer 41, the semiconductor layer 25, the gate electrode 23, the power supply line 103, the second relay conductive layer 24, and the like are all removed, and the common cathode wiring 81 is exposed. That is, in the case of the present embodiment, the common cathode wiring 81 extends as it is to the end of the substrate and functions as the mounting terminal 47.

本実施の形態においても、各画素毎に共通陰極用コンタクトホール82が設けられているため、共通陰極12への電流供給能を十分に確保することができるとともに、基板周縁部に陰極用コンタクトが要らない分、狭額縁化を図ることができる。また、共通陰極用配線81を略ベタ状に形成できるので、低抵抗の電流供給用配線を実現することができる、TFT123を形成した後に共通陰極用配線81を形成するため、TFT形成工程における共通陰極用配線の悪影響を排除できる等、第4の実施の形態と同様の効果を得ることができる。   Also in the present embodiment, since the common cathode contact hole 82 is provided for each pixel, it is possible to sufficiently secure the current supply capability to the common cathode 12 and the cathode contact is provided on the peripheral edge of the substrate. Narrow frame can be achieved because it is not necessary. Further, since the common cathode wiring 81 can be formed in a substantially solid shape, a low-resistance current supply wiring can be realized. Since the common cathode wiring 81 is formed after the TFT 123 is formed, the common cathode wiring 81 is common. The same effects as in the fourth embodiment can be obtained, such as eliminating the adverse effects of the cathode wiring.

[電子機器]
以下、本発明の上記実施形態の有機EL表示装置を備えた電子機器の具体例について説明する。
図9は、有機ELテレビジョン1200の一例を示した斜視図である。図9において、符号1202はテレビジョン本体、符号1203はスピーカーを示し、符号1201は上記有機EL表示装置を用いた表示部を示している。このような電子機器の表示部に上記実施形態の有機EL表示装置を用いた場合、狭額縁の表示部を備えた電子機器を実現することができる。
[Electronics]
Hereinafter, specific examples of the electronic apparatus including the organic EL display device according to the embodiment of the present invention will be described.
FIG. 9 is a perspective view showing an example of the organic EL television 1200. In FIG. 9, reference numeral 1202 denotes a television body, reference numeral 1203 denotes a speaker, and reference numeral 1201 denotes a display unit using the organic EL display device. When the organic EL display device of the above embodiment is used for the display unit of such an electronic device, an electronic device including a display unit with a narrow frame can be realized.

なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば上記実施の形態で用いた共通陰極用配線の平面形状、材料、共通陰極用コンタクトホールの配置等の具体的な構成は適宜変更が可能である。さらに、R、G、Bの各発光層をストライプ配置した場合について説明したが、本発明はこれに限られず、さまざまな配置構造を採用することができる。例えばストライプ配置の他、モザイク配置や、デルタ配置とすることもできる。
The technical scope of the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
For example, the specific configuration such as the planar shape and material of the common cathode wiring used in the above embodiment, the arrangement of the common cathode contact holes, and the like can be changed as appropriate. Furthermore, although the case where the R, G, and B light emitting layers are arranged in stripes has been described, the present invention is not limited to this, and various arrangement structures can be adopted. For example, in addition to the stripe arrangement, a mosaic arrangement or a delta arrangement may be used.

本発明の第1実施形態の有機EL表示装置の等価回路図である。1 is an equivalent circuit diagram of an organic EL display device according to a first embodiment of the present invention. 同、有機EL表示装置の平面図である。2 is a plan view of the organic EL display device. FIG. 同、有機EL表示装置の一画素のパターンを示す平面図である。It is a top view which shows the pattern of one pixel of an organic electroluminescent display apparatus similarly. 図3のA−A‘線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the AA 'line of FIG. 本発明の第2実施形態の有機EL表示装置の断面図である。It is sectional drawing of the organic electroluminescence display of 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第3実施形態の有機EL表示装置の断面図である。It is sectional drawing of the organic electroluminescence display of 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第4実施形態の有機EL表示装置の断面図である。It is sectional drawing of the organic electroluminescence display of 4th Embodiment of this invention. 本発明の第5実施形態の有機EL表示装置の断面図である。It is sectional drawing of the organic electroluminescence display of 5th Embodiment of this invention. 本発明の電子機器の一例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows an example of the electronic device of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1,50,60,70,80…有機EL表示装置(有機EL装置)、2…基板、12…共通陰極(第2の電極)、30,62,72,82…共通陰極用コンタクトホール(接続部)、32,51,61,71,81…共通陰極用配線(導電部)、110…機能層、111…画素電極(第1の電極)   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,50,60,70,80 ... Organic EL display device (organic EL device), 2 ... Board | substrate, 12 ... Common cathode (2nd electrode), 30, 62, 72, 82 ... Common cathode contact hole (connection) Part), 32, 51, 61, 71, 81 ... common cathode wiring (conductive part), 110 ... functional layer, 111 ... pixel electrode (first electrode)

Claims (8)

第1の電極と少なくとも有機材料からなる発光層を有する機能層と第2の電極とが基板上にこの順に設けられ、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子がマトリクス状に配置されてなる発光表示領域を備えた有機エレクトロルミネッセンス装置であって、
前記第2の電極に対して電流を供給するための導電部が設けられ、
前記第2の電極と前記導電部とを電気的に接続する接続部が前記発光表示領域内にのみ配置されたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
A functional layer having a first electrode, at least a light emitting layer made of an organic material, and a second electrode are provided on the substrate in this order, and a light emitting display region in which a plurality of organic electroluminescent elements are arranged in a matrix is provided. An organic electroluminescence device,
A conductive portion for supplying a current to the second electrode is provided;
An organic electroluminescence device, wherein a connection portion for electrically connecting the second electrode and the conductive portion is disposed only in the light emitting display region.
前記有機エレクトロルミネッセンス素子を駆動する複数のスイッチング素子が設けられるとともに、前記導電部が前記スイッチング素子の下層側に層状に形成され、前記第2の電極と前記導電部とがこれらの間に介在する絶縁層を貫通するコンタクトホールを介して電気的に接続されたことを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。   A plurality of switching elements for driving the organic electroluminescence element are provided, the conductive portion is formed in a layer on the lower layer side of the switching element, and the second electrode and the conductive portion are interposed therebetween. The organic electroluminescence device according to claim 1, wherein the organic electroluminescence device is electrically connected through a contact hole penetrating the insulating layer. 前記第1の電極が光透過性を有する材料からなり、前記導電部が金属膜からなることを特徴とする請求項2に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。   The organic electroluminescence device according to claim 2, wherein the first electrode is made of a light-transmitting material, and the conductive portion is made of a metal film. 前記導電部が前記第2の電極の下層側に形成され、前記第2の電極と前記導電部とが直接接触することにより電気的に接続されたことを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。   2. The organic material according to claim 1, wherein the conductive portion is formed on a lower layer side of the second electrode, and the second electrode and the conductive portion are electrically connected by direct contact. Electroluminescence device. 前記導電部が前記第1の電極と同層で形成され、前記第2の電極と前記導電部とがこれらの間に介在する絶縁層を貫通するコンタクトホールを介して電気的に接続されたことを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。   The conductive portion is formed in the same layer as the first electrode, and the second electrode and the conductive portion are electrically connected via a contact hole penetrating an insulating layer interposed therebetween. The organic electroluminescence device according to claim 1. 前記有機エレクトロルミネッセンス素子を駆動する複数のスイッチング素子が設けられるとともに、前記導電部が前記スイッチング素子の上層側でかつ前記第1の電極の下層側に形成され、前記第2の電極と前記導電部とがこれらの間に介在する絶縁層を貫通するコンタクトホールを介して電気的に接続されたことを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。   A plurality of switching elements for driving the organic electroluminescence element are provided, and the conductive part is formed on an upper layer side of the switching element and on a lower layer side of the first electrode, and the second electrode and the conductive part The organic electroluminescent device according to claim 1, wherein and are electrically connected through a contact hole penetrating an insulating layer interposed therebetween. 前記導電部が基板の周縁部にまで延在し、実装端子を構成していることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。   The organic electroluminescence device according to claim 1, wherein the conductive portion extends to a peripheral portion of the substrate to constitute a mounting terminal. 請求項1ないし7のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えたことを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the organic electroluminescence device according to any one of claims 1 to 7.
JP2003395612A 2003-11-26 2003-11-26 Organic electroluminescence device and electronic equipment Pending JP2005158493A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003395612A JP2005158493A (en) 2003-11-26 2003-11-26 Organic electroluminescence device and electronic equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003395612A JP2005158493A (en) 2003-11-26 2003-11-26 Organic electroluminescence device and electronic equipment

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005158493A true JP2005158493A (en) 2005-06-16

Family

ID=34721335

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003395612A Pending JP2005158493A (en) 2003-11-26 2003-11-26 Organic electroluminescence device and electronic equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2005158493A (en)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006278128A (en) * 2005-03-29 2006-10-12 Fuji Photo Film Co Ltd Organic electroluminescence display
US7488977B2 (en) 2005-10-08 2009-02-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
JP2010153183A (en) * 2008-12-25 2010-07-08 Casio Computer Co Ltd Light-emitting device
US7843130B2 (en) 2007-08-27 2010-11-30 Canon Kabushiki Kaisha Organic light-emitting apparatus
WO2013031076A1 (en) * 2011-09-02 2013-03-07 パナソニック株式会社 Organic el display panel and method for manufacturing same
KR20160101097A (en) * 2014-01-21 2016-08-24 애플 인크. Organic light-emitting diode display with bottom shields
EP3120213B1 (en) * 2014-03-21 2020-09-30 Apple Inc. Flexible displays with strengthened pad area
JP2021064795A (en) * 2015-04-30 2021-04-22 株式会社半導体エネルギー研究所 Display device
JP2021089434A (en) * 2015-05-29 2021-06-10 株式会社半導体エネルギー研究所 Display device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001230086A (en) * 2000-02-16 2001-08-24 Idemitsu Kosan Co Ltd Active drive organic electroluminescence device and its manufacturing method
JP2002318556A (en) * 2001-04-20 2002-10-31 Toshiba Corp Active matrix type planar display device and manufacturing method therefor
JP2003303687A (en) * 2002-02-06 2003-10-24 Hitachi Ltd Organic luminous display device
JP2005031645A (en) * 2003-06-16 2005-02-03 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Display device and its manufacturing method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001230086A (en) * 2000-02-16 2001-08-24 Idemitsu Kosan Co Ltd Active drive organic electroluminescence device and its manufacturing method
JP2002318556A (en) * 2001-04-20 2002-10-31 Toshiba Corp Active matrix type planar display device and manufacturing method therefor
JP2003303687A (en) * 2002-02-06 2003-10-24 Hitachi Ltd Organic luminous display device
JP2005031645A (en) * 2003-06-16 2005-02-03 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Display device and its manufacturing method

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006278128A (en) * 2005-03-29 2006-10-12 Fuji Photo Film Co Ltd Organic electroluminescence display
US7488977B2 (en) 2005-10-08 2009-02-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
US8049217B2 (en) 2005-10-08 2011-11-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Display device
US7843130B2 (en) 2007-08-27 2010-11-30 Canon Kabushiki Kaisha Organic light-emitting apparatus
JP2010153183A (en) * 2008-12-25 2010-07-08 Casio Computer Co Ltd Light-emitting device
JPWO2013031076A1 (en) * 2011-09-02 2015-03-23 パナソニック株式会社 Organic EL display panel and manufacturing method thereof
WO2013031076A1 (en) * 2011-09-02 2013-03-07 パナソニック株式会社 Organic el display panel and method for manufacturing same
US9006718B2 (en) 2011-09-02 2015-04-14 Panasonic Corporation Organic electroluminescence display panel and manufacturing method
KR20160101097A (en) * 2014-01-21 2016-08-24 애플 인크. Organic light-emitting diode display with bottom shields
KR101869625B1 (en) * 2014-01-21 2018-06-20 애플 인크. Organic light-emitting diode display with bottom shields
EP3120213B1 (en) * 2014-03-21 2020-09-30 Apple Inc. Flexible displays with strengthened pad area
JP2021064795A (en) * 2015-04-30 2021-04-22 株式会社半導体エネルギー研究所 Display device
JP7008781B2 (en) 2015-04-30 2022-01-25 株式会社半導体エネルギー研究所 Display device
JP2021089434A (en) * 2015-05-29 2021-06-10 株式会社半導体エネルギー研究所 Display device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3778176B2 (en) LIGHT EMITTING DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE
US9991462B2 (en) Organic light emitting display device
KR101073552B1 (en) Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same
KR20180047536A (en) Organic light emitting display device
US8643272B2 (en) Organic light emitting diode display
US20090273279A1 (en) Organic electroluminescence device
KR20100047796A (en) Organic el display and method of manufacturing the same
JP2008192477A (en) Organic el device, manufacturing method of organic el device, and electronic equipment
JP2019106331A (en) Organic el display device
JP3933169B2 (en) LIGHT EMITTING DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE
JP2005158493A (en) Organic electroluminescence device and electronic equipment
KR102638314B1 (en) Organic light emitting display device
JP4639662B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
JP3912413B2 (en) LIGHT EMITTING DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE
US11610960B2 (en) Organic light emitting diode display device
CN114730545B (en) Display substrate, preparation method thereof and display device
WO2019073680A1 (en) Display device
JP2004200034A (en) Electro-optical device and its process of manufacture as well as electronic equipment
JP2004200041A (en) Organic el display device
KR20220091134A (en) Display panel
JP4720115B2 (en) Self-luminous device and electronic device
JP2004055530A (en) Light-emitting device and electronic apparatus
JP2006018084A (en) Self light emitting apparatus and electronic device
CN100573905C (en) Light-emitting device and electronic instrument
JP2008140573A (en) Electroluminescent device its manufacturing method, and electroluminescent device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20051129

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20070403

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090123

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090127

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090326

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20100406