JP2005149438A

JP2005149438A - 半導体装置

Info

Publication number: JP2005149438A
Application number: JP2003390254A
Authority: JP
Inventors: Shigeo Chatani; 茂雄茶谷; Hidekazu Sadayuki; 英一定行
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2003-11-20
Filing date: 2003-11-20
Publication date: 2005-06-09

Abstract

【課題】紫外線、可視光線、電子線、Ｘ線等の照射による回路動作の不正な解析を阻止し、内部データの漏洩や改竄、複製を防止する。
【解決手段】半導体基板上に形成された集積回路に対して照射される電磁波または放射線を検出する第一の不揮発性メモリを含む検出回路１１２と、データを記憶する不揮発性メモリ１０８と、第一の不揮発性メモリの記憶情報を読み出す読出し回路１１０と、読出し回路１１０の出力値と所定の値とが一致しない場合は以降の動作を停止するＣＰＵ１０４及びソフトウェアを実装した読み出し専用メモリ１０６を含む制御手段とを備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、不揮発性メモリに保存されたデータの漏洩や改竄、複製などを防止する半導体装置に関するものである。

近年、ＩＣカードは認証手段や電子マネーとして実用化の範囲を広げつつあり、それに使用される半導体装置には高度なセキュリティ技術が要求されている。

ＩＣカード内部の不揮発性メモリには、個人情報や認証データ、ＣＰＵ等の暗号化装置のための暗号鍵データなどが保存されるため、これらのデータが悪意のある第三者により解読されたり改竄されたりする可能性があれば、個人や社会の財産の損害はもとより、ネットワーク社会全体が崩壊する危険にさらされることにもなりかねない。

ＩＣカードなどから不正にデータを引き出す方法の一つとして、回路の動作を外部から直接観察する方法がある。これは、半導体装置内部の配線に電極を当てて動作波形を読み取ったり、またより下層の配線ならば、電子ビームを当てて、電位に応じて発生する二次電子のエネルギーから電位を観察したりして回路動作を読み取るものである。回路動作を不正に解析できないようにすることは半導体装置の暗号回路の動作を守る上で重要である。

一方、不正にデータを引き出す別の方法として、半導体装置を通常の使用範囲外の条件下で誤動作させる方法がある。その条件とは高電圧、低電圧、高周波数、低周波数、高温、低温など、通常の使用環境から外れた物理条件である。メモリ内部の認証用データや暗号鍵データなど、秘匿性の極めて高いデータを保護するためには、上記のような不正な暗号解析を防止することが重要である。

特開平０９−２３２６１４号公報（第４頁、第１図）

ところで、従来のセキュリティ保護とは、通信中のデータ盗聴を防止するものであり、送受信データそのものは保護されるが記憶装置自体に格納されたデータを保護するものではなかった。つまり、ＩＣカード用の半導体装置の回路動作を解析したり、誤動作を誘発させたりして、その結果得られる情報から機密情報の推測や暗号解析、データの改竄等を行うという不正行為に対しては無防備であった。

例えば、これまで放射線の照射量を検出する半導体装置は提案されているが（例えば、特許文献１参照）、照射量の測定を目的としているためＭＯＮＯＳ型の半導体素子が使用されており、照射による回路動作の不正な解析を防止するものではなかった。更に、放射線検出用に使用するＭＯＮＯＳ型半導体装置は、光や電子線などの局所的な照射に対しては感度が低いという課題もあった。

また、仕様外の使用条件下で半導体装置を誤動作させて不正にデータを引き出す方法に対しては、既に各種技術が提案されており、ＰＬＬ回路を用いて仕様外の使用条件を検出して内部データを保護する手法もその一例である。しかし、仕様外の使用条件下では動作しないが、仕様内の使用条件に戻せば再び動作するため、解析や改竄の機会を多く与えることとなり、機密データが流出する可能性が高いという課題があった。

本発明は上記の課題に鑑みてなされたもので、紫外線、可視光線、電子線、Ｘ線等の照射による回路動作の不正な解析を阻止し、内部データの漏洩や改竄、複製を防止することができる半導体装置を提供することを目的とする。

また、本発明は、使用範囲外の高温下に曝して回路を誤動作させることによる回路動作の解析を阻止し、内部データの漏洩や改竄、複製を防止することができる半導体装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明の半導体装置は、半導体基板上に形成された集積回路に対して照射される電磁波または放射線を検出する第一の不揮発性メモリを含む検出手段と、データを記憶する第二の不揮発性メモリと、前記第一の不揮発性メモリの記憶情報を読み出す読出し手段と、前記読出し手段の出力値と所定の値とが一致しない場合は以降の動作を停止するＣＰＵ及びソフトウェアを実装した読み出し専用メモリを含む制御手段とを備える。この構成によれば、紫外線、可視光線、Ｘ線等の電磁波または電子線等の放射線を検出するとＣＰＵが以降の動作を停止するため、照射による回路動作の不正な解析を阻止することができる。

本発明の半導体装置において、前記第一の不揮発性メモリは、フローティングゲート型トランジスタである。この構成によれば、電磁波または放射線の照射によりフローティングゲート中に蓄積された電子が放出され、トランジスタの閾値が変化するため、照射の有無を検知することができる。

本発明の半導体装置において、前記第一の不揮発性メモリと前記第二の不揮発性メモリは同一のメモリであり、アドレス信号によって区別して選択される。この構成によれば、データ記憶用のメモリアレイの一部をそのまま使用でき、更に、データ記憶用の不揮発性メモリのロウデコーダ及びワード線ドライバも共用可能となるため、回路構成を簡略化できる。

さらに、本発明の半導体装置は、前記読出し手段及び前記制御手段を半導体装置の起動シーケンス時に動作させる手段を備える。この構成によれば、電源投入時などにおいて、電磁波または放射線の照射の有無を検出することができる。

さらに、本発明の半導体装置は、前記読出し手段及び前記制御手段を半導体装置の動作中に所定周期で動作させる手段を備える。この構成によれば、半導体装置の動作中に所定の周期で、電磁波または放射線の照射の有無を検出することができる。

また、本発明の半導体装置は、半導体基板上に形成された集積回路に対して照射される電磁波または放射線を検出する不揮発性メモリを含む検出手段と、前記不揮発性メモリの記憶情報を読み出す読出し手段と、前記読出し手段の出力値が所定の値とが一致しない場合は以降の半導体装置の動作を停止させる制御手段とを備える。この構成によれば、紫外線、可視光線、Ｘ線等の電磁波または電子線等の放射線を検出すると以降の半導体装置の動作が停止するため、照射による回路動作の不正な解析を阻止することができる。

本発明の半導体装置において、前記不揮発性メモリは、フローティングゲート型トランジスタである。この構成によれば、電磁波または放射線の照射によりフローティングゲート中に蓄積された電子が放出され、トランジスタの閾値が変化するため、照射の有無を検知することができる。

本発明の半導体装置において、前記不揮発性メモリは、半導体装置の表面に複数配置される。この構成によれば、電磁波または放射線の局所的な照射に対しても高い精度で照射を検出できるため、照射による回路動作の不正な解析を阻止することができる。

本発明の半導体装置において、前記制御手段は、半導体装置の内部回路の信号出力の停止により半導体装置の動作を停止させる。この構成によれば、内部回路の信号出力が停止されるため、照射による回路動作の不正な解析を阻止することができる。

本発明の半導体装置において、前記制御手段は、半導体装置の内部回路への電源供給の遮断により半導体装置の動作を停止させる。この構成によれば、内部回路への電源供給が遮断されるため、照射による回路動作の不正な解析を阻止することができる。

また、本発明の半導体装置は、半導体基板上に形成された集積回路が通常使用範囲を越える温度に曝されたことを検出する第一の不揮発性メモリを含む検出手段と、データを記憶する第二の不揮発性メモリと、前記第一の不揮発性メモリの記憶情報を読み出す読出し手段と、前記読出し手段の出力値と所定の値とが一致しない場合は以降の動作を停止するＣＰＵ及びソフトウェアを実装した読み出し専用メモリを含む制御手段とを備える。この構成によれば、半導体装置が異常な高温下にあることを検知するとＣＰＵが以降の動作を停止するため、誤動作の誘発による回路動作の不正な解析を阻止することができる。

本発明の半導体装置において、前記第一の不揮発性メモリは、強誘電体キャパシタを含む強誘電体メモリである。この構成によれば、温度上昇に伴って強誘電体キャパシタの分極量が変化し、温度検出回路の出力電位が変化するため、異常な高温下にあることを検知することができる。

本発明の半導体装置において、前記第一の不揮発性メモリと前記第二の不揮発性メモリは同一のメモリであり、アドレス信号によって区別して選択される。この構成によれば、データ記憶用のメモリアレイの一部がそのまま使用でき、更に、データ記憶用の不揮発性メモリのロウデコーダ及びワード線ドライバなども共用可能となるため、回路構成を簡略化できる。

本発明の半導体装置において、前記制御手段は、前記読出し手段の出力値に対して、正データの保持状態及び逆データの書き込み状態を判定する。この構成によれば、データの保持状態と所謂焼き付きの両方について判定を行うことにより、異常な高温下に有るか否かを確実に判定することができる。

さらに、本発明の半導体装置は、前記読出し手段及び前記制御手段を起動シーケンス時に動作させる手段を備える。この構成によれば、電源投入時などにおいて、異常な高温下に有るか否かを検出することができる。

さらに、本発明の半導体装置は、前記読出し手段及び前記制御手段を半導体装置の動作中に所定周期で動作すさせる手段を備える。この構成によれば、半導体装置の動作中に所定の周期で、異常な高温下に有るか否かを検出することができる。

また、本発明の半導体装置は、半導体基板上に形成された集積回路が通常使用範囲を越える温度に曝されたことを検出する不揮発性メモリを含む検出手段と、前記不揮発性メモリの記憶情報を読み出す読出し手段と、前記読出し手段の出力値と所定の値とが一致しない場合は以降の半導体装置の動作を停止せせる制御手段とを備える。この構成によれば、半導体装置が異常な高温下にあることを検知すると以降の半導体装置の動作が停止するため、誤動作の誘発による回路動作の不正な解析を阻止することができる。

本発明の半導体装置において、前記不揮発性メモリは、強誘電体キャパシタを含む強誘電体メモリである。この構成によれば、温度上昇に伴って強誘電体キャパシタの分極量が変化し、温度検出回路の出力電位が変化するため、異常な高温下にあることを検知できる。

本発明の半導体装置において、前記制御手段は、前記読出し手段の出力値に対して、正データの保持状態及び逆データの書き込み状態を判定する。この構成によれば、データの保持状態と所謂焼き付きの両方について判定を行うことにより、異常な高温下に有るか否かを確実に判定できる。

さらに、本発明の半導体装置は、前記読出し手段及び前記制御手段を半導体装置の起動シーケンス時に動作させる手段を備える。この構成によれば、電源投入時などにおいて、異常な高温下に有るか否かを検出することができる。

さらに、本発明の半導体装置は、前記読出し手段及び前記制御手段を半導体装置の動作中に所定周期で動作させる手段を備える。この構成によれば、半導体装置の動作中に所定の周期で、異常な高温下に有るか否かを検出ですることができる。

本発明の半導体装置において、前記制御手段は、半導体装置の内部回路の信号出力の停止により半導体装置の動作を停止させる。この構成によれば、内部回路の信号出力が停止されるため、高温下で誤動作を誘発させることによる回路動作の不正な解析を阻止することができる。

本発明の半導体装置において、前記制御手段は、半導体装置の内部回路への電源供給の遮断により半導体装置の動作を停止させる。この構成によれば、内部回路への電源供給が遮断されるため、高温下で誤動作を誘発させることによる回路動作の不正な解析が完全に阻止される。

本発明の半導体装置によれば、紫外線、可視光線、電子線、Ｘ線等の照射に対して半導体装置が動作を停止し、照射終了後も動作しないため、回路動作の解析を阻止し、内部データの漏洩や改竄、複製を防止することができる。

また、本発明の半導体装置によれば、高温下での使用に対して半導体装置が動作を停止し、その後も動作しないため、回路動作の解析を阻止し、内部データの漏洩や改竄、複製を防止することができる。

（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１における半導体装置の構成を示す図である。半導体装置１００は、ＣＰＵ１０４と、プログラムが格納されている読出し専用メモリ１０６と、プログラムやデータを記憶する不揮発性メモリ１０８と、読出し回路１１０と、紫外線、可視光線、Ｘ線等の電磁波または電子線等の放射線の照射を検出する照射検出回路１１２とを含む内部回路１０２と、パワーオンリセット回路１１４、タイマ回路１１６とを備える。

図２は、照射検出回路１１２の具体的な構成例を示す図である。照射検出回路１１２は、抵抗器１２０とフローティングゲート型トランジスタ１２２とを備える。フローティングゲート中に蓄積された電子は、紫外線、可視光線、電子線、Ｘ線等の照射を受けることでエネルギーを得て、フローティングゲートから放出される。これによりトランジスタ１２２の閾値が変化し、インバータ回路の出力レベルが変化する。このレベルを読出し回路１１０が検知して増幅する。

ＣＰＵ１０４は、読出し回路１１０の出力信号を判定して、所定の電位にない場合、動作を停止する。パワーオンリセット回路１１４は、電源投入時にＣＰＵ１０４への起動信号を出力し、照射検出回路１１２と読出し回路１１０を動作させる。また、タイマ回路１１６は、ＣＰＵ１０４の動作中に所定周期で割り込み信号を出力し、照射検出回路１１２と読出し回路１１０を動作させる。いずれの場合も半導体装置１００への紫外線、可視光線、電子線、Ｘ線等の照射を検出し、異常が判定されればその時点でＣＰＵ１０４はその動作を停止する。読出し信号の出力は、外部から固定されないようにパルス動作させることが重要である。

図３は、紫外線、可視光線、電子線、Ｘ線等の検出用に使用する不揮発性メモリとプログラムやデータを記憶する不揮発性メモリを連続的に形成した例を示す図である。不揮発性メモリ１０８と紫外線、可視光線、電子線、Ｘ線等の検出用に使用する不揮発性メモリ２０２が連続的に形成されており、また、フローティング型トランジスタを検出用素子に使用するため、プログラム領域と同じロウデコーダおよびワード線ドライバ２０４が使用可能となり、新たな回路の追加がほとんど不要となる。

（実施の形態２）
図４は、本発明の実施の形態２における半導体装置の構成を示す図である。半導体装置３００は、内部回路３０２、紫外線、可視光線、Ｘ線等の電磁波または電子線等の放射線の照射を検出する検出回路３０４、読出し回路３０６、読み出し回路の出力を判定して内部回路の動作を停止するための制御回路３０８を備える。

図５は、検出回路３０４と読出し回路３０６の具体的な構成例を示す図である。検出回路３０４は、抵抗器４０４とフローティングゲート型トランジスタ４０６で構成される。フローティングゲート中に蓄積された電子は紫外線、可視光線、電子線、Ｘ線の照射を受けることによりエネルギーを得て、フローティングゲートから放出される。これによりトランジスタ４０６の閾値が変化し、インバータ回路の出力レベルが変化する。読み出し回路３０６は、比較器４０８で構成され、検出回路３０４の出力信号を所定の基準電位ＲＥＦ１と比較した結果を出力する。制御回路３０８は、読出し回路３０６の出力信号を判定し、所定の電位にない場合、内部回路３０２の動作を停止させる。

尚、検出回路３０４は、半導体装置３００の中で、解読されたくない重要回路の近傍に配置することが好ましい。更に、検出回路３０４を複数配置することで、より解読されにくい回路を構成することができる。また実施の形態１と同様、読出し信号の出力や制御信号の出力は、外部から固定されないようにパルス動作させることが重要である。

（実施の形態３）
図６は、本発明の実施の形態３における半導体装置の構成を示す図である。半導体装置５００は、ＣＰＵ５０４と、プログラムが格納されている読出し専用メモリ５０６と、プログラムまたはデータを記憶する不揮発性メモリ５０８と、読出し回路５１０と、高温下に曝されたことを検出する温度検出回路５１２とを含む内部回路５０２と、パワーオンリセット回路５１４、タイマ回路５１６とを備える。

温度検出回路５１２の強誘電体キャパシタに使用される強誘電体材料は温度がキュリー点に近づくにしたがい分極データの保持ができなくなる。またそれ以下の高温条件下では焼きつきと称する分極が反転しなくなる現象が発生する。したがって、強誘電体キャパシタを用いた温度検出回路５１２の判定では、正データの保持状態と逆データの書き込み具合の双方を検出する必要がある。強誘電体キャパシタの分極量によって温度検出回路５１２の出力電位が変化する。この電位を読出し回路５１０が検知して増幅する。

ＣＰＵ５０４は、読出し回路５１０の出力信号を判定して、所定の電位にない場合、その動作を停止する。パワーオンリセット回路５１４は、電源投入時にＣＰＵ５０４への起動信号を出力し、温度検出回路５１２と読出し回路５１０を動作させる。また、タイマ回路５１６は、ＣＰＵ５０４の動作中に割り込み信号を出力し、検出回路５１２と読出し回路５１０を動作させる。いずれの場合も半導体装置５００の温度を検出し、異常が判定されればその時点でＣＰＵ５０４はその動作を停止する。

強誘電体キャパシタの情報は一度消滅したり、焼きつきを起こしたりすると、そのままでは回復しないので、常温に戻した後も半導体装置５００は動作しない。つまり、不正に高温に曝された半導体装置を二度と使用できないようにすることができる。尚、実施の形態１と同様、読出し信号の出力は、外部から固定されないようにパルス動作させることが重要である。

図７は、温度検出用に使用する不揮発性メモリとプログラムやデータを記憶する不揮発性メモリを連続的に形成した例を示す図である。不揮発性メモリ５０８と温度検出用に使用する不揮発性メモリ６０２が連続的に形成されており、また、強誘電体メモリを検出用素子として使用するため、プログラム領域と同じロウデコーダ及びワード線ドライバ６０４、セルプレートドライバ６１０が使用可能となり、新たな回路の追加がほとんど不要となる。

（実施の形態４）
図８は、本発明の実施の形態４における半導体装置の構成を示す図である。半導体装置７００は、内部回路７０２、高温下に曝されたことを検出する温度検出回路７０４、読出し回路７０６、読み出し回路の出力を判定して内部回路の動作を停止するための制御回路７０８を備える。

図９は、温度検出回路７０４と読出し回路７０６の具体的な構成例を示す図である。温度検出回路７０４は、強誘電体キャパシタ８０４とアクセストランジスタ８０６で構成される。温度の上昇により強誘電体キャパシタ８０４の分極量が変化すると、アクセストランジスタ８０６の閾値が変化して、インバータ回路の出力レベルが変化する。読み出し回路７０６は、比較器８０８で構成され、検出回路７０４の出力信号を所定の基準電位ＲＥＦ２と比較した結果を出力する。制御回路７０８は、読出し回路７０６の出力信号を判定し、所定の電位にない場合、内部回路７０２の動作を停止させる。尚、実施の形態１と同様、読出し信号の出力や制御信号の出力は、外部から固定されないようにパルス動作させることが重要である。

本発明の半導体装置は、紫外線、可視光線、電子線、Ｘ線等の照射に対して半導体装置が動作を停止し、照射終了後も動作しないため、回路動作の解析を阻止し、内部データの漏洩や改竄、複製を防止することができるという効果、また、高温下での使用に対して半導体装置が動作を停止し、その後も動作しないため、回路動作の解析を阻止し、内部データの漏洩や改竄、複製を防止することができるという効果を有し、不揮発性メモリに保存されたデータの漏洩や改竄、複製などを防止する半導体装置等として有用である。

本発明の実施の形態１における半導体装置の構成を示す図である。検出回路の具体的な構成例を示す図である。紫外線、可視光線、電子線、Ｘ線等の検出用に使用する不揮発性メモリとプログラムやデータを記憶する不揮発性メモリを連続的に形成した例を示す図である。本発明の実施の形態２における半導体装置の構成を示す図である。検出回路と読出し回路の具体的な構成例を示す図である。本発明の実施の形態３における半導体装置の構成を示す図である。温度検出用に使用する不揮発性メモリとプログラムやデータを記憶する不揮発性メモリを連続的に形成した例を示す図である。本発明の実施の形態４における半導体装置の構成を示す図である。温度検出回路と読出し回路の具体的な構成例を示す図である。

符号の説明

１０４、５０４ＣＰＵ
１０８、５０８不揮発性メモリ
１１２、３０４照射検出回路
１２２、４０６フローティングゲート型トランジスタ
２０４、６０４ロウデコーダ及びワード線ドライバ
２０６、６０６カラムデコーダ
２０８、６０８センスアンプ
２０２紫外線、可視光線、電子線、Ｘ線等検出用不揮発性メモリ
５１２、７０４温度検出回路
６０２温度検出用不揮発性メモリ
６１０セルプレートドライバ
８０４強誘電体キャパシタ
８０６アクセストランジスタ

Claims

半導体基板上に形成された集積回路に対して照射される電磁波または放射線を検出する第一の不揮発性メモリを含む検出手段と、データを記憶する第二の不揮発性メモリと、前記第一の不揮発性メモリの記憶情報を読み出す読出し手段と、前記読出し手段の出力値と所定の値とが一致しない場合は以降の動作を停止するＣＰＵ及びソフトウェアを実装した読み出し専用メモリを含む制御手段と、を備える半導体装置。
前記第一の不揮発性メモリは、フローティングゲート型トランジスタである請求項１記載の半導体装置。
前記第一の不揮発性メモリと前記第二の不揮発性メモリは同一のメモリであり、アドレス信号によって区別して選択される請求項１記載の半導体装置。
前記読出し手段及び前記制御手段を半導体装置の起動シーケンス時に動作させる手段を備える請求項１記載の半導体装置。
前記読出し回路及び前記制御装置を半導体装置の動作中に所定周期で動作させる手段を備える請求項１記載の半導体装置。
半導体基板上に形成された集積回路に対して照射される電磁波または放射線を検出する不揮発性メモリを含む検出手段と、前記不揮発性メモリの記憶情報を読み出す読出し手段と、前記読出し手段の出力値が所定の値とが一致しない場合は以降の半導体装置の動作を停止させる制御手段と、を備える半導体装置。
前記不揮発性メモリは、フローティングゲート型トランジスタである請求項６記載の半導体装置。
前記不揮発性メモリは、半導体装置の表面に複数配置される請求項６記載の半導体装置。
前記読出し手段及び前記制御手段を半導体装置の起動シーケンス時に動作させる手段を備える請求項６記載の半導体装置。
前記読出し手段及び前記制御手段を半導体装置の動作中に所定周期で動作させる手段を備える請求項６記載の半導体装置。
前記制御手段は、半導体装置の内部回路の信号出力の停止により半導体装置の動作を停止させる請求項６記載の半導体装置。
前記制御手段は、半導体装置の内部回路への電源供給の遮断により半導体装置の動作を停止させる請求項６記載の半導体装置。
半導体基板上に形成された集積回路が通常使用範囲を越える温度に曝されたことを検出する第一の不揮発性メモリを含む検出手段と、データを記憶する第二の不揮発性メモリと、前記第一の不揮発性メモリの記憶情報を読み出す読出し手段と、前記読出し手段の出力値と所定の値とが一致しない場合は以降の動作を停止するＣＰＵ及びソフトウェアを実装した読み出し専用メモリを含む制御手段と、を備える半導体装置。
前記第一の不揮発性メモリは、強誘電体キャパシタを含む強誘電体メモリである請求項１３記載の半導体装置。
前記第一の不揮発性メモリと前記第二の不揮発性メモリは同一のメモリであり、アドレス信号によって区別して選択される請求項１３記載の半導体装置。
前記制御装置は、前記読出し手段の出力値に対して、正データの保持状態及び逆データの書き込み状態を判定する請求項１３記載の半導体装置。
前記読出し手段及び前記制御手段を起動シーケンス時に動作させる手段を備える請求項１３記載の半導体装置。
前記読出し手段及び前記制御手段を半導体装置の動作中に所定周期で動作させる手段を備える請求項１３記載の半導体装置。
半導体基板上に形成された集積回路が通常使用範囲を越える温度に曝されたことを検出する不揮発性メモリを含む検出手段と、前記不揮発性メモリの記憶情報を読み出す読出し手段と、前記読出し手段の出力値と所定の値とが一致しない場合は以降の半導体装置の動作を停止せせる制御手段と、を備える半導体装置。
前記不揮発性メモリは、強誘電体キャパシタを含む強誘電体メモリである請求項１９記載の半導体装置。
前記制御手段は、前記読出し回路の出力値に対して、正データの保持状態及び逆データの書き込み状態を判定する請求項１９記載の半導体装置。
前記読出し手段及び前記制御手段を半導体装置の起動シーケンス時に動作させる手段を備える請求項１９記載の半導体装置。
前記読出し手段及び前記制御手段を半導体装置の動作中に所定周期で動作させる手段を備える請求項１９記載の半導体装置。
前記制御手段は、半導体装置の内部回路の信号出力の停止により半導体装置の動作を停止させる請求項１９記載の半導体装置。
前記制御手段は、半導体装置の内部回路への電源供給の遮断により半導体装置の動作を停止させる請求項１９記載の半導体装置。