JP2005136273A - 半導体レーザダイオード及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】活性層4の成長後、p型クラッド層5成長開始後のしばらくの間は十分なMg原料を供給しながらp型クラッド層(第一部分5a)を成長させ、途中で一時的にMg原料の供給を停止したままp型クラッド層の成長(第二部分5b)を続行し、再びMg原料を供給しながらp型クラッド層(第三部分5c)を成長し、最後にZn−GaAsコンタクト層6を成長する。
【選択図】 図1
Description
コンタクト層のp型ドーパントとしてMgを用いるのは、前述の問題があるため好ましくないため、Mgよりも拡散定数が大きいが高キャリア濃度を得やすいZn−GaAsをコンタクト層とすればよいと考えられる。また一般にZn−GaAsは従来より広く用いられてきている。
2 バッファ層
3 n型クラッド層
4 活性層
5 p型クラッド層
5a 第一部分
5b 第二部分
5c 第三部分
6 p型コンタクト層
Claims (5)
- n型のGaAs基板と、該基板上に形成したAlGaInPからなるn型クラッド層と、該n型クラッド層上に形成した活性層と、該活性層上に形成したAlGaInPからなるp型クラッド層と、該p型クラッド層上に形成したp型コンタクト層を備えたAlGaInP系半導体レーザダイオードにおいて、
上記p型コンタクト層がZnドープGaAs層からなり、
上記p型クラッド層が、Mgがドープされた第一部分と、Mgがドープされていないか又はMg濃度が前記第一部分よりも低い領域である第二部分と、Mgがドープされた第三部分とを有することを特徴とする半導体レーザダイオード。 - 請求項1記載の半導体レーザダイオードにおいて、
上記第2クラッド層及びp型コンタクト層がリッジ構造を有しており、該リッジ構造の左右に電流ブロック層を具備していることを特徴とする半導体レーザダイオード。 - MOVPE法により、n型GaAs基板上に、AlGaInPからなるn型クラッド層、活性層、MgドープのAlGaInPからなるp型クラッド層、ZnドープGaAsからなるp型コンタクト層を順次成長させるAlGaInP系半導体レーザダイオードの製造方法において、
上記p型クラッド層の成長時に、Mg原料を一時的に供給停止したまま成長する工程を含むことを特徴とする半導体レーザダイオードの製造方法。 - 請求項3記載の半導体レーザダイオードの製造方法において、
活性層の成長後、p型クラッド層成長開始後のしばらくの間はMg原料を供給しながらp型クラッド層を成長させ、途中で一時的にMg原料の供給を停止したままp型クラッド層の成長を続行し、再びMg原料を供給しながらp型クラッド層を成長し、最後にZn−GaAsコンタクト層を成長することを特徴とする半導体レーザダイオードの製造方法。 - 請求項3又は4記載の半導体レーザダイオードの製造方法において、
Mg原料としてシクロペンタジエニルマグネシウム(Cp2Mg)を用いることを特徴とする半導体レーザダイオードの製造方法。
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