JP2005135292A - Counter device and image forming apparatus provided with counter device - Google Patents
Counter device and image forming apparatus provided with counter device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005135292A JP2005135292A JP2003372735A JP2003372735A JP2005135292A JP 2005135292 A JP2005135292 A JP 2005135292A JP 2003372735 A JP2003372735 A JP 2003372735A JP 2003372735 A JP2003372735 A JP 2003372735A JP 2005135292 A JP2005135292 A JP 2005135292A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- storage area
- word
- input data
- data
- written
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
Abstract
Description
本発明は,書き換え回数に制限がある不揮発性メモリに順次加算或いは減算されるデータを書き込むカウンタ装置に関し,特に,制限された書き換え回数の下で上記不揮発性メモリの利用効率を高めることが可能なカウンタ装置及びこれを備えた画像形成装置に関するものである。 The present invention relates to a counter device that writes data that is sequentially added to or subtracted from a non-volatile memory with a limited number of rewrites, and in particular, can improve the use efficiency of the non-volatile memory under a limited number of rewrites. The present invention relates to a counter device and an image forming apparatus including the counter device.
フラッシュメモリやEEPROM等の不揮発性メモリ(以下単に「メモリ」という)は,データの書き換えが可能であり,メモリへの供給電源が遮断されても書き込まれたデータが消滅しないという特徴を有し,現在広く利用されている。しかし,ある書き換え回数を超えると,メモリの記憶特性が劣化し,メモリの信頼性が低下するため,メモリの種類に応じて書換回数に制限(寿命)が設けられている。尚,一般に,EPROMでは約100回の書き換え,フラッシュメモリ及びEEPROMでは約105回の書き換え,FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory)では約108回の書き換えが可能である。従来,メモリの書換回数が制限を超えた場合は,メモリへのアクセスを禁止し,メモリを使用不能状態としていた。この場合,他に使用可能な領域が残っていてもメモリの一部の領域において上記書換回数が制限を超えたことによりメモリ全体が使用不能とされていたため,メモリ全体が有効利用されないという問題がある。 Non-volatile memories such as flash memory and EEPROM (hereinafter simply referred to as “memory”) have the feature that data can be rewritten, and the written data will not disappear even if the power supply to the memory is cut off. Currently widely used. However, if the number of rewrites exceeds a certain number, the storage characteristics of the memory deteriorate and the reliability of the memory decreases. Therefore, there is a limit (lifetime) on the number of rewrites depending on the type of memory. In general, the EPROM can be rewritten about 100 times, the flash memory and the EEPROM can be rewritten about 10 5 times, and the FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) can be rewritten about 10 8 times. Conventionally, when the number of memory rewrites exceeds the limit, access to the memory is prohibited and the memory is disabled. In this case, even if other usable areas remain, the entire memory is disabled because the number of times of rewriting exceeds the limit in a part of the memory, so that the entire memory cannot be effectively used. is there.
このような問題を解決する手法に,メモリの特定領域の書換回数が寿命回数に達した場合に,メモリへの書き込み領域を他の未使用領域にシフトするという周知の書換方法がある。具体的には,例えば制限回数が105回(10万回)のメモリに3×105回(30万回)の書き換えを行う場合は,0〜105回まではアドレス0番地からデータが書き込まれ,105回〜2×105回まではアドレス4番地から新たな未使用領域にデータが書き込まれ,2×105〜3×105回まではアドレス8番地から新たな未使用領域にデータが書き込まれる。
また,特許文献1には,メモリ全領域に対する全消去コマンドが入力されると,メモリアドレスを反転させるメモリ制御装置が開示されている。これは,メモリが書き換えられる際にメモリデータが一旦消去されることを利用して,メモリアドレスを反転させることにより,同一のメモリアドレスの記憶領域へのデータの書き換えの発生確率を低減させて,書き換え先を適宜分散させることでメモリの書換回数を増加させて,メモリの有効利用が図られている。
Further,
しかし,上記周知の書換方法では,例えば4byte(32bit)で表現されるデータを16bit(1word)幅のメモリに書き込む場合は,メモリの記憶領域が充分に活用されないため,データを書き込むために多くのメモリ容量を必要とするという問題がある。即ち,複写機等でカウントされる印字枚数等のカウント値(最大カウント数を3×105回と仮定する。尚,3×105は4byteで表される。)を順次1つずつ16bit幅のメモリに書き込む場合は,上記カウント値は,0〜105回まではアドレス0番地から4byteの領域に書き込まれ,105回〜2×105回まではアドレス4番地から4byteの領域に書き込まれ,2×105〜3×105回まではアドレス8番地から4byteの領域に書き込まれることになる。これにより,4byte×3=12byte(6word)のメモリ容量が必要となる。105は16進数で[0001_86A0](2ワード(4byte))と表されるところ,上記の従来周知の書換方法では,上位のword領域(2byte,[0001]が書き込まれる領域)では1回の書き換えしか行われていないにもかかわらず,下位のword領域(2byte,[86A0]が書き換えられる領域)で105回の書き換えが行われたため,書き込み領域が次の未使用領域(アドレス4番地から4byte)にシフトされる。そのため,上位のword領域の有効利用が図れず,その分,メモリ容量を多く必要としていた。これは,書き込み領域のシフトが,書き込むデータサイズ相当分の記憶領域を1単位としてなされることに起因する。
また,上記特許文献1のメモリ制御装置では,メモリアドレス切り替えが全消去コマンドの入力により開始されるため,一部の領域のデータのみを書き換える場合には適用することができない。
従って,本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり,その目的とするところは,制限された書換回数の下で,順次加算或いは減算されるデータを不揮発性メモリに書き込む場合に,メモリの書換回数を略均一化して,メモリの記憶領域の利用効率を高めることが可能なカウンタ装置及びこれを備えた画像形成装置を提供することにある。
However, in the known rewriting method, for example, when data expressed in 4 bytes (32 bits) is written in a 16-bit (1 word) width memory, the storage area of the memory is not fully utilized. There is a problem of requiring memory capacity. That is, a count value such as the number of printed sheets counted by a copying machine or the like (assuming that the maximum count is 3 × 10 5 times, where 3 × 10 5 is represented by 4 bytes) is sequentially 16 bits wide. when writing of the memory, the count value is 0 to 5 times is written in the area of 4byte from
Further, in the memory control device of
Accordingly, the present invention has been made in view of the above circumstances, and the object of the present invention is to write data that is sequentially added or subtracted to a nonvolatile memory under a limited number of times of rewriting. An object of the present invention is to provide a counter device capable of increasing the use efficiency of a storage area of a memory by making the number of rewrites substantially uniform and an image forming apparatus including the counter device.
上記目的を達成するために本発明は,1ワードNビット(但し,Nは1以上の整数)単位でアクセス可能な不揮発性メモリと,順次1ずつ加算又は減算されるaワード(但し,aは2以上の整数)の入力データを予め指定されたアドレス情報を参照して上記不揮発性メモリ内の入力データ記憶領域に書き込むことにより該入力データ記憶領域内のデータを書き換える制御装置と,を備えたカウンタ装置において,上記不揮発性メモリとして,上記入力データ記憶領域が少なくとも(a+1)ワードに相当する記憶領域を備えたものを用い,上記制御装置が,上記入力データ記憶領域に書き込まれた上記入力データを構成するa個のワードのうち最も下位に位置づけされた最下位ワードW1が記憶された最下位ワード記憶領域が上記制御装置により所定回数書き換えられたことを条件に,上記入力データを構成するa個のワードのうち最も上位に位置づけされた最上位ワードWaをその一つ下位のワードWa-1が記憶されていた記憶領域に書き込み,上記ワードWa-1を更にその下位のワードWa-2が記憶されていた記憶領域に書き込み,このような書き込みを,上記最下位ワードW1が上記最下位ワード記憶領域の1つ下位のアドレスに設けられた記憶領域に書き込まれるまで繰り返し実行することを特徴とするカウンタ装置として構成されるものである。
これにより,記憶領域の書換回数が略均一化されるため,メモリの利用効率を向上させることが可能となる。
In order to achieve the above object, the present invention provides a non-volatile memory accessible in units of one word and N bits (where N is an integer of 1 or more), and a word that is added or subtracted one by one (where a is A controller that rewrites the data in the input data storage area by writing the input data of an integer of 2 or more) into the input data storage area in the nonvolatile memory with reference to address information designated in advance In the counter device, as the non-volatile memory, the input data storage area having a storage area corresponding to at least (a + 1) words is used, and the control device writes the input data written in the input data storage area. the lowest stored least significant word W 1, which is located in the least significant word storage regions are the control device of a number of words that make up the Ri a predetermined number rewritten that condition, the word W a-1 of the next lower most significant word W a which is positioned uppermost among a number of words constituting the input data is stored Write to the storage area, write the word W a-1 further to the storage area in which the lower word W a-2 was stored, and write the write to the lowest word W 1 to the lowest word storage area. It is configured as a counter device that is repeatedly executed until it is written in a storage area provided at a lower address.
As a result, the number of times the storage area is rewritten is made substantially uniform, so that the memory utilization efficiency can be improved.
この場合,上記制御装置により実行される書き込みは,上記入力データ記憶領域内において上記入力データを構成する所定のワードが記憶されたワード記憶領域の1つ下位のアドレスに記憶領域が存在しない場合は,当該ワードを上記入力データ記憶領域内の最上位のアドレスに位置する記憶領域に書き込むものであることが望ましい。
これにより,最下位ワードW1の記憶領域が上記入力データ記憶領域内の最下位アドレスに位置する記憶領域にある場合は,最下位ワードW1の記憶領域が最上位アドレスに位置する記憶領域にシフトされるため,上記制御装置による書き込み処理が継続して繰り返し実行され,その結果,記憶領域全域の書換回数を略均一化することが可能となる。
In this case, the write executed by the control device is performed when there is no storage area at the address one level lower than the word storage area in which the predetermined word constituting the input data is stored in the input data storage area. The word is preferably written in a storage area located at the highest address in the input data storage area.
As a result, when the storage area of the lowest word W 1 is in the storage area located at the lowest address in the input data storage area, the storage area of the lowest word W 1 is stored in the storage area located at the highest address. Since the shift is performed, the writing process by the control device is continuously executed repeatedly. As a result, the number of rewrites in the entire storage area can be made substantially uniform.
また,上記制御装置による書込処理がなされた後は,入力データをシフト後の記憶領域に書き込む必要があるため,上記制御装置は,該制御装置により上記入力データが書き込まれる記憶領域が変更された場合は,上記アドレス情報を変更された記憶領域を示すアドレス情報に更新するものであることが望ましい。 In addition, after the write processing by the control device is performed, it is necessary to write the input data to the storage area after the shift. Therefore, the control device changes the storage area in which the input data is written by the control device. In this case, it is desirable to update the address information to address information indicating the changed storage area.
また,上記アドレス情報は,上記最上位ワードWaが記憶される記憶領域のアドレス,上記入力データを構成するワードと該ワードの1つ下位のワードとを関連づける情報,上記最下位ワードW1を上記最上位ワードWaに関連づける情報により構成されるものであれば,最上位ワードが記憶される記憶領域のアドレスを参照するだけで,a個のワードからなる入力データを記憶する記憶領域を特定することが可能となる。 Further, the address information, the address of the storage area in which the most significant word W a is stored, information that associates the one lower word of the word and the word constituting the input data, the least significant word W 1 as long as it is constituted by the information to be associated with the most significant word W a, only refers to the address of the storage area the most significant word is stored, identifying a storage area for storing input data consisting of a number of words It becomes possible to do.
また,上記入力データが,時刻を示すデータ,日付を示すデータ,或いは所定のイベント発生回数を示すデータであってもよい。
更にまた,上記カウンタ装置を備えてなる画像形成装置であっても,前記課題を解決することが可能である。
Further, the input data may be data indicating time, data indicating date, or data indicating a predetermined number of event occurrences.
Furthermore, even the image forming apparatus provided with the counter device can solve the above-mentioned problems.
以上説明したように,本発明によれば,カウンタ装置に,1ワードNビット(但し,Nは1以上の整数)単位でアクセス可能な不揮発性メモリと,順次1ずつ加算又は減算されるaワード(但し,aは2以上の整数)の入力データを予め指定されたアドレス情報を参照して上記不揮発性メモリ内の入力データ記憶領域に書き込むことにより該入力データ記憶領域内のデータを書き換える制御装置と,が設けられ,上記不揮発性メモリとして,上記入力データ記憶領域が少なくとも(a+1)ワードに相当する記憶領域を備えたものが用いられ,上記制御装置によって,上記入力データ記憶領域に書き込まれた上記入力データを構成するa個のワードのうち最も下位に位置づけされた最下位ワードW1が記憶された最下位ワード記憶領域が上記制御装置により所定回数書き換えられたことを条件に,上記入力データを構成するa個のワードのうち最も上位に位置づけされた最上位ワードWaをその一つ下位のワードWa-1が記憶されていた記憶領域に書き込まれ,上記ワードWa-1を更にその下位のワードWa-2が記憶されていた記憶領域に書き込まれ,このような書き込み処理が,上記最下位ワードW1が上記最下位ワード記憶領域の1つ下位のアドレスに設けられた記憶領域に書き込まれるまで繰り返し実行される。そのため,上記不揮発性メモリの記憶領域の書換回数が略均一化され,メモリの利用効率を高めることが可能となる。 As described above, according to the present invention, the counter device can be accessed in units of one word and N bits (where N is an integer of 1 or more), and a word that is sequentially added or subtracted one by one. A control device for rewriting data in the input data storage area by writing input data (where a is an integer of 2 or more) to the input data storage area in the nonvolatile memory with reference to address information designated in advance. As the non-volatile memory, the input data storage area having a storage area corresponding to at least (a + 1) words is used, and is written into the input data storage area by the control device. least significant word storage area most significant word W 1, which is positioned lower is stored among a number of words constituting the input data is the On condition that it has been rewritten a predetermined number of times by control device, the word W a-1 of the next lower most significant word W a which is positioned uppermost among a number of words constituting the input data is stored The word W a-1 is written to the storage area where the lower word W a-2 is stored, and such a writing process is performed so that the lowest word W 1 is It is repeatedly executed until it is written in a storage area provided at an address one level lower than the lowest-order word storage area. Therefore, the number of times of rewriting the storage area of the non-volatile memory is made substantially uniform, and the memory utilization efficiency can be improved.
以下添付図面を参照しながら,本発明の実施の形態及び実施例について説明し,本発明の理解に供する。尚,以下の実施の形態及び実施例は,本発明を具体化した一例であって,本発明の技術的範囲を限定する性格のものではない。
ここに,図1は本発明の実施の形態に係るカウンタ装置Aの概略構成を示すブロック図,図2はフラッシュメモリ30に設けられた入力データ記憶領域の構成を示す模式図,図3はCPU10により実行されるデータ書換処理の手順を示すフローチャート,図4は4ワードで構成される入力データ記憶領域の印字枚数に応じた記憶状態を示す模式図,図5は3ワードで構成される入力データ記憶領域の印字枚数に応じた記憶状態を示す模式図である。
Hereinafter, embodiments and examples of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings so that the present invention can be understood. It should be noted that the following embodiments and examples are examples embodying the present invention, and do not limit the technical scope of the present invention.
1 is a block diagram showing a schematic configuration of the counter device A according to the embodiment of the present invention, FIG. 2 is a schematic diagram showing a configuration of an input data storage area provided in the
ここで,図1のブロック図を用いて,本発明の実施の形態に係るカウンタ装置Aの概略構成について説明する。尚,本実施形態例では,上記カウンタ装置Aをプリンタ装置や複写機等の画像形成装置において印字出力される用紙の枚数を1枚ずつカウント(計数)するための装置として説明するが,特にこれに限定されることはなく,例えば,時刻や日付をカウントする装置,或いは感光体の回転回数やコピー使用回数等のような所定のイベントの発生回数をカウントする装置であってもかまわない。もちろん,本カウンタ装置Aは画像形成装置以外の装置にも適用され得るものである。
図1に示されるように,本カウンタ装置Aは,CPU10(制御装置)と,バッファメモリ20と,プログラムメモリ30と,フラッシュメモリ40(不揮発性メモリ)と,外部インターフェース(I/F)60とがそれぞれデータバス70に接続されて構成されている。また,上記カウンタ装置Aは,上記I/F60を介して印字枚数を示すデータ(以下「印字枚数データ」という。)を受信するべく複写機1とデータ通信可能に接続されている。
Here, the schematic configuration of the counter device A according to the embodiment of the present invention will be described with reference to the block diagram of FIG. In the present embodiment, the counter device A is described as a device for counting (counting) the number of sheets printed out in an image forming apparatus such as a printer or a copying machine. For example, a device that counts the time and date, or a device that counts the number of occurrences of a predetermined event such as the number of rotations of the photoconductor and the number of times of use of the copy may be used. Of course, the counter apparatus A can be applied to apparatuses other than the image forming apparatus.
As shown in FIG. 1, the counter device A includes a CPU 10 (control device), a
ここで,上記カウンタ装置Aを構成する各構成部分について説明する。
上記バッファメモリ20は,上記複写機1から上記I/F60に入力された印字枚数データを効率的に処理するために一時的に読み込んでおく作業領域であって,RAM,DRAM,SDRAM等の半導体メモリである。
上記プログラムメモリ30は,上記CPU10により実行されるデータ書換処理,シフト書込処理,アドレス情報更新処理を実現するためのプログラムを記憶するROM等の半導体メモリである。尚,上記データ書換処理,上記シフト書込処理,上記アドレス情報更新処理の詳細については後段においてフローチャートを用いて詳説する。
Here, each component constituting the counter device A will be described.
The
The
上記フラッシュメモリ40は,1ワードNビット(但し,Nは1以上の整数)単位でアクセス可能な不揮発性の半導体メモリの一例である。この不揮発性半導体メモリの他の例としては,EEPROM,FeRAM等が該当する。尚,本実施形態例では,上記フラッシュメモリ40を1ワード16ビット(2バイト)単位でアクセス可能なメモリ,即ち16ビット幅のフラッシュメモリとして説明するが,これは一例であって,1ワードNビット単位でアクセス可能な不揮発性メモリであってもよい。
上記フラッシュメモリ40内には,上記印字枚数データが書き込まれる印字枚数データ記憶領域(入力データ記憶領域に相当)が設けられている。この印字枚数データは,順次1ずつ加算又は減算されるaワード(但し,aは2以上の整数)の入力データの一例であって,例えば,2ワード(4バイト)で表現される印字枚数データである。また,上記印字枚数データ記憶領域は,少なくとも(a+1)ワードに相当する記憶領域により構成され,例えば上記印字枚数データが最大2ワードで表現されるものであれば,上記印字枚数データ記憶領域は,3ワード以上の記憶領域により構成されることになる。
上記CPU10は,上記カウンタ装置Aの各構成部分を統括制御する中央演算処理装置,即ち制御装置の一例である。このCPU10により上記プログラムメモリ30に格納されプログラムが読み込まれて所定の演算処理が行われることにより,上記データ書換処理,上記シフト書込処理,上記アドレス情報更新処理が実行される。尚,CPU10は制御装置の一例であり,ASICやメモリコントローラ等のようにCPUが搭載されたIC等の制御装置,或いは制御回路であってもかまわない。
The
In the
The
ここで,図2の模式図を用いて,上記印字枚数データ記憶領域50の構成について簡単に説明する。尚,図2は4ワードの記憶領域からなる上記印字枚数データ記憶領域50の概略構成を示す模式図である。
この上記印字枚数データ記憶領域50は,最も上位のアドレスA0に位置する1ワードの記憶領域51と,次順のアドレスA2に位置する1ワードの記憶領域52と,更に次順のアドレスA4に位置する1ワードの記憶領域53と,最下位のアドレスA6に位置する1ワードの記憶領域54の合わせて4ワードに相当する記憶領域により構成されている。尚,上記アドレスは上記アドレスA0を先頭に16ビットごとに割り当てられている。図2に示す印字枚数データ記憶領域50は,初期化された状態(データが書き込まれていない状態)を示し,即ち,いずれの記憶領域51〜54においてデータがない状態を示す[0000](16ビット表記)が書き込まれている。
Here, the configuration of the print count
The number-of-printed-
続いて,図3のフローチャート及び図4の模式図を用いて,2ワード(4バイト)で表現される印字枚数データを4ワード(8バイト)の記憶領域を有する印刷枚数データ記憶領域50に書き込む場合に,本カウンタ装置AのCPU10により実行されるデータ書換処理の手順について説明する。図3中のS10,S20…は処理手順(ステップ)の番号を示す。処理は,上記印刷枚数データ記憶領域50が初期化された状態(データが書き込まれていない状態(図2に示す状態))において,ステップS10より開始される。尚,以下の説明において,上記2ワードの印字枚数データのうち最も下位に位置づけられたワード部分を下位桁ワード(最下位ワードW1に相当),最も上位に位置づけられたワード部分を上位桁ワード(最上位ワードWaに相当)と称し,例えば,[0001_24F8]で表される2ワードの印字枚数データであれば,[0001]の部分を上位桁ワード,[24F8]の部分を下位桁ワードと称す。
Subsequently, using the flowchart of FIG. 3 and the schematic diagram of FIG. 4, the print number data expressed by 2 words (4 bytes) is written in the print number
複写機1において初めて印字出力がなされて,該複写機1から出力された印字枚数データが上記I/F60に入力されると,該I/F60では印字枚数データが入力されたことを示すフラグがアサートされる。上記CPU10はこのアサートされたフラグを検出することにより,印字枚数データが入力されたかどうかを判断する(S10)。かかる判断処理はデータが入力されるまで繰り返し行われる。このとき入力される印字枚数データは,「印字枚数1枚」を示すデータ(4バイト表記で[0000_0001])である。尚,入力された印字枚数データは一時的に前記バッファメモリ20(図1)に格納される。
ステップS10において印字枚数データが入力されたと判断されると,続いて,上記CPU10は,上記フラッシュメモリ40内の不図示のアドレス情報記憶領域に予め記憶(指定)されたアドレス情報を参照する(読み出す)(S20)。即ち,上記CPU10により入力されたデータの書込先のアドレスが参照される。この不図示のアドレス情報記憶領域には,データを上記印字枚数データ記憶領域50の最上位アドレスに位置する記憶領域51に書き込むため,上記上位桁ワードの書込先アドレスA0(図4),及び,上記印字枚数データを構成する上記上位桁ワードと該ワードの1つ下位のワードである上記下位桁ワードとを関連づける情報が記憶されている。このような上記書込先アドレスや上記関連づける情報を上記CPU10が参照することにより,上記CPU10は上記上位桁ワードの記憶領域だけでなく上記下位桁ワードの記憶領域にアクセスすることが可能となる。
続いて,ステップS30では,CPU10により,上記印字枚数データ記憶領域50に書き込まれた上記印字枚数データを構成する2個のワード(上位桁ワードと下位桁ワード)のうち最も下位に位置づけされた下位桁ワードが記憶された記憶領域52(図4)が所定回数(本実施形態例では75000回)書き換えられたかどうかが判断される。具体的には,上記アドレス情報を参照してアクセスされた記憶領域51,52(図4)に書き込まれた印字枚数データに基づき求められた印字枚数を書換回数とみなし,この印字枚数が「75000枚」であるかどうかが判断される。現時点では上記印字枚数データ記憶領域50には何も書き込まれていないため,処理はステップS30のNo側に進む。
次に,ステップS50において,入力された印字枚数データ,即ち,「印字枚数1枚」を示すデータ[0000_0001]が上記アドレス情報(書込アドレスA0)を参照してアクセスされた上記印字枚数データ記憶領域50の記憶領域51,52に書き込まれることにより,該印字枚数データ記憶領域50内のデータが書き換えられる。これによりデータの書換処理が終了する。
When a print output is first made in the copying
If it is determined in step S10 that the print sheet number data has been input, then the
Subsequently, in step S30, the lower rank position positioned at the lowest position among the two words (upper digit word and lower digit word) constituting the print number data written in the print number
Next, in step S50, the input print number data, that is, the data [0000 — 0001] indicating “
その後,上記複写機1から印字枚数データが入力されるたびに,上記ステップS30において,書換回数が「75000」であると判断されるまで,即ち,上記記憶領域51,52に書き込まれた印字枚数データが「75000枚」であると判断されるまで,上述のステップS10→S20→S30→S50の手順でデータの書換処理が行われる。
次に,上記複写機1から,「印字枚数75001枚」を示す印字枚数データ[0001_24F9]が入力されると,ステップS30のおける判断処理はステップS30のYes側に進む。即ち,「印字枚数75001枚」を示す印字枚数データが入力された時点では,上記記憶領域51,52には75000枚を示す印字枚数データ[0001_24F8]が書き込まれている。従って,上記CPU10は上記記憶領域51,52に書き込まれた印字枚数データが示す印字枚数75000枚を書換回数とみなして上記ステップS30の判断を行う。
続いてステップS40において,上記CPU10によりシフト書込処理が実行される。即ち,上記入力された印字枚数データ[0001_24F8]を構成する2個のワードのうち最も上位に位置づけされた上位桁ワード([0001]の部分)をその一つ下位の下位桁ワードが記憶されていた記憶領域52(図4)に書き込み,上記下位桁ワード([24F8]の部分)は更にその1つ下位に設けられた未書込記憶領域53に書き込む処理が実行される(図4(a)参照)。但し,上記印字枚数データ記憶領域50内において上記下位桁ワードが記憶された記憶領域より1つ下位のアドレスに記憶領域が存在しない場合(図4(c)参照)は,上記下位桁ワードが上記印字枚数データ記憶領域50内の最上位のアドレスに位置する記憶領域51に書き込まれる。
その後,ステップS60において,CPU10によりアドレス情報更新処理が実行される。かかる処理が実行されることにより,ステップS40のシフト書込処理によって,入力された印字枚数データが書き込まれる記憶領域が変更されたこと,つまり,これまで上記上位桁ワードが記憶されていた記憶領域51が記憶領域52に変更されたことを条件に,上記アドレス情報記憶領域(不図示)に記憶されたアドレス情報(記憶領域51を示すアドレスA0)が,変更された後の記憶領域52を示すアドレス情報(記憶領域52を示すアドレスA2)に更新(変更)される。
Thereafter, every time print number data is input from the copying
Next, when print number data [0001 — 24F9] indicating “
Subsequently, in step S40, the
Thereafter, in step S60, the
また,「印字枚数150001枚」を示す印字枚数データ[0002_49F1]が入力された場合,及び,「印字枚数2250001枚」を示す印字枚数データ[0003_6EE9]が入力された場合も,上述の処理手順と同様にして,上記CPU10により書換回数の判断がなされ(S30),その後,上記シフト書込処理がなされる(S40)。尚,この場合,上記ステップS30の書換回数の判断処理は,いずれの場合も,印字枚数データの記憶領域が変更された後からの印字枚数が75000枚であるかどうかを判断することにより書換回数が判断される。
このように,4ワードの記憶領域を備えた印字枚数データ記憶領域50の,上記下位桁ワード記憶領域が所定回数(75000回)書き換えられたことを条件に,上記上位桁ワードがその一つ下位の下位桁ワードが記憶されていた記憶領域に書き込まれ,下位桁ワードが更にその下位の設けられた未書込記憶領域に書き込まれ,これが繰り返し行われることにより,上記印字枚数データ記憶領域50における書換回数が略均一化される。即ち,上記記憶領域51及び52の書換回数は共に75002回,また,記憶領域53,54の書換回数は共に75005回となる。これにより,メモリの記憶領域を効率よく利用することが可能となり,その結果,上記従来周知のデータ書換方法では3×105回書き換えを行うために12バイトのメモリ容量を必要としていたが,本発明に係るカウンタ装置Aによれば8バイトのメモリ容量で書き換えを行うことが可能となる。
In addition, when the print number data [0002 — 49F1] indicating “print number of 150001” and the print number data [0003 — 6EE9] indicating “print number of 2250001” are input, Similarly, the
As described above, the upper digit word is one lower order on the condition that the lower digit word storage area of the print number
上述の実施形態例の説明では,2ワード(4バイト)で表現される印字枚数データを4ワード(8バイト)の記憶領域を有する印刷枚数データ記憶領域50に書き込む場合にCPU10により行われるシフト書込処理について説明した。しかし,上記印字枚数データを3ワード(6バイト),或いはそれ以上のワードの記憶領域を有する印刷枚数データ記憶領域に書き込む場合も,上述と同様の処理手順によりシフト書込処理(図3のS40)を行うことにより,メモリの書換回数が略均一化され,メモリの記憶領域を効率よく利用することが可能となる。尚,2ワードの印字枚数データが3ワードで構成される印字枚数データ記憶領域に書き込まれたときの該印字枚数データ記憶領域の記憶状態を図5に示す。
また,上記印字枚数データが3ワード(6バイト)のワードで表現される印字枚数データを,その3ワードを超える4ワード(8バイト),或いはそれ以上ののワードの記憶領域を有する印刷枚数データ記憶領域に書き込む場合も,上記シフト書込処理(図3のS40)を適用させることが可能である。
In the above description of the embodiment, the shift document executed by the
In addition, the print number data in which the print number data is expressed by 3 words (6 bytes), the print number data having a storage area of 4 words (8 bytes) exceeding 3 words or more. The above shift writing process (S40 in FIG. 3) can also be applied when writing to the storage area.
1…複写機
10…CPU(制御装置)
20…バッファメモリ
30…プログラムメモリ
40…フラッシュメモリ(不揮発性メモリ)
50…印字枚数データ記憶領域
60…外部インターフェース
70…データバス
1 ...
20 ...
50 ... Number of printed
Claims (6)
順次1ずつ加算又は減算されるaワード(但し,aは2以上の整数)の入力データを予め指定されたアドレス情報を参照して上記不揮発性メモリ内の入力データ記憶領域に書き込むことにより該入力データ記憶領域内のデータを書き換える制御装置と,
を備えたカウンタ装置において,
上記不揮発性メモリとして,上記入力データ記憶領域が少なくとも(a+1)ワードに相当する記憶領域を備えたものを用い,
上記制御装置が,上記入力データ記憶領域に書き込まれた上記入力データを構成するa個のワードのうち最も下位に位置づけされた最下位ワードW1が記憶された最下位ワード記憶領域が上記制御装置により所定回数書き換えられたことを条件に,
上記入力データを構成するa個のワードのうち最も上位に位置づけされた最上位ワードWaをその一つ下位のワードWa-1が記憶されていた記憶領域に書き込み,
上記ワードWa-1を更にその下位のワードWa-2が記憶されていた記憶領域に書き込み,
このような書き込みを,上記最下位ワードW1が上記最下位ワード記憶領域の1つ下位のアドレスに設けられた記憶領域に書き込まれるまで繰り返し実行することを特徴とするカウンタ装置。 A non-volatile memory accessible in units of 1 word N bits (where N is an integer of 1 or more);
The input data of a word (where a is an integer of 2 or more) sequentially added or subtracted by 1 is written in the input data storage area in the non-volatile memory by referring to predetermined address information. A controller for rewriting data in the data storage area;
In a counter device comprising
As the nonvolatile memory, the input data storage area is provided with a storage area corresponding to at least (a + 1) words,
The control device has a least significant word storage area in which the lowest word W 1 positioned at the lowest position among the a words constituting the input data written in the input data storage area is stored in the control device. On the condition that it has been rewritten a predetermined number of times
Write the most significant word W a positioned at the top of the a words constituting the input data to the storage area in which the word W a-1 that is one lower level is stored,
Write the word W a-1 in the storage area where the lower word W a-2 is stored,
Such writing, the counter device in which the least significant word W 1, characterized in that the repeatedly executed until written to the storage area provided in one lower address of the least significant word storage area.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003372735A JP2005135292A (en) | 2003-10-31 | 2003-10-31 | Counter device and image forming apparatus provided with counter device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003372735A JP2005135292A (en) | 2003-10-31 | 2003-10-31 | Counter device and image forming apparatus provided with counter device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005135292A true JP2005135292A (en) | 2005-05-26 |
Family
ID=34649026
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003372735A Pending JP2005135292A (en) | 2003-10-31 | 2003-10-31 | Counter device and image forming apparatus provided with counter device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005135292A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110321073A (en) * | 2019-04-11 | 2019-10-11 | 深圳市德名利电子有限公司 | The date storage method and device and equipment of a kind of flash memory |
-
2003
- 2003-10-31 JP JP2003372735A patent/JP2005135292A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110321073A (en) * | 2019-04-11 | 2019-10-11 | 深圳市德名利电子有限公司 | The date storage method and device and equipment of a kind of flash memory |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4844639B2 (en) | MEMORY CONTROLLER, FLASH MEMORY SYSTEM HAVING MEMORY CONTROLLER, AND FLASH MEMORY CONTROL METHOD | |
US20080250188A1 (en) | Memory Controller, Nonvolatile Storage, Nonvolatile Storage System, and Memory Control Method | |
JP4666081B2 (en) | MEMORY CONTROLLER, FLASH MEMORY SYSTEM HAVING MEMORY CONTROLLER, AND FLASH MEMORY CONTROL METHOD | |
JP2005190288A (en) | Memory controller, flash memory system therewith, and method for controlling flash memory | |
JP2005157528A (en) | Memory device | |
US7221468B2 (en) | Nonvolatile memory life prolonging circuit and image forming apparatus | |
JP2007034581A (en) | Memory controller, flash memory system and method for controlling flash memory | |
JP4366420B2 (en) | MEMORY CONTROLLER, FLASH MEMORY SYSTEM HAVING MEMORY CONTROLLER, AND FLASH MEMORY CONTROL METHOD | |
KR100837273B1 (en) | Flash memory device | |
JP2007331356A (en) | Image formation device | |
JP2008117299A (en) | Storage medium control apparatus | |
JP2007257283A (en) | Memory controller and flash memory system | |
JP2005135292A (en) | Counter device and image forming apparatus provided with counter device | |
JP4609406B2 (en) | MEMORY CONTROLLER, FLASH MEMORY SYSTEM PROVIDED WITH MEMORY CONTROLLER, AND FLASH MEMORY CONTROL METHOD | |
JP5520880B2 (en) | Flash memory device | |
JP2005316793A (en) | Flash memory system and control method of flash memory | |
JP4000124B2 (en) | MEMORY CONTROLLER, FLASH MEMORY SYSTEM PROVIDED WITH MEMORY CONTROLLER, AND FLASH MEMORY CONTROL METHOD | |
JP4818453B1 (en) | Electronic device and data reading method | |
JP2005190289A (en) | Memory controller, flash memory system therewith, and method for controlling flash memory | |
JP2006504202A (en) | Method for driving a memory structure | |
JP2006338481A (en) | Memory controller, flash memory system, and method for controlling flash memory | |
JP2014081825A (en) | Image forming apparatus, image forming method, and program | |
JP4304167B2 (en) | Memory controller, flash memory system, and flash memory control method | |
JP2012037971A (en) | Memory controller, nonvolatile memory system provided with memory controller, and method for controlling nonvolatile memory | |
JP2006331233A (en) | Memory controller, flash memory system, and control method for flash memory |