JP2005121711A - 電気光学装置、その製造方法、および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】 表示される画像の変更に要するコストを低減する。
【解決手段】 電気光学装置１００は、面状に配列された複数の画素電極１１と、電気光学素子を挟んで複数の画素電極１１に対向する対向電極１５とを有する。複数の画素電極１１のうち所定の画像を構成する画素電極１１は配線１２を介して電源回路８と電気的に接続されている。これに対し、複数の画素電極１１のうち所定の画像を構成する画素電極１１以外の画素電極１１は電源回路８から電気的に絶縁されている。
【選択図】 図１

Description

本発明は、電流の供給や電圧の印加といった電気的な作用を輝度（階調）や透過率の変化といった光学的な作用に変換する電気光学素子を用いて画像を表示する技術に関する。

有機発光ダイオード（以下「ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode）」という）素子などの電気光学素子を用いて画像を表示する装置は、マトリクス状に配列された複数の画素により多様な画像を表示するドットマトリクス型と、特定の画像を固定的に表示するセグメント型とに大別される。このうちセグメント型の電気光学装置においては、例えば特許文献１に示されるように、表示されるべき画像の形状となるようにパターニングされた電極によって電気光学素子が駆動される。

特開２００１−２４４０８１（段落００２７および第１図）

しかしながら、このセグメント型の電気光学装置においては、電極をパターニングするためのフォトマスクを表示されるべき画像ごとに作成する必要があるため、画像が異なる電気光学装置を新たに製造するために多大なコストを要するという問題がある。本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、表示される画像の変更に要するコストを低減することにある。

この目的を達成するために、本発明に係る電気光学装置の第１の特徴は、面状に配列された複数の画素電極と、各々が前記各画素電極の面上に設けられた複数の電気光学素子と、前記各電気光学素子を挟んで前記複数の画素電極に対向する対向電極と、前記複数の画素電極のうち所定の画像に応じて選定された１以上の画素電極と電源回路との間に選択的に設けられて当該１以上の画素電極と前記電源回路とを導通させる導通部とを具備することにある。この構成によれば、所望の画像に応じて選択された画素電極と電源回路とを導通させる導通部が選択的に設けられるから、異なる画像を表示する電気光学装置を製造する場合であっても、各電極を画像に応じた形状にパターニングするためのフォトマスクを用意する必要はない。したがって、本発明によれば、それぞれ異なる画像を表示する電気光学装置を製造するコストを低減することができる。なお、本発明における電気光学素子とは、電流の供給や電圧の印加といった電気的な作用を輝度（発光量）や透過率の変化といった光学的な特性の変化に変換するための素子である。電気光学素子の典型的な例は、有機エレクトロルミネッセンス素子や発光ポリマーなどの有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）素子である。

この発明の他の態様においては、電源回路に接続された配線が設けられる一方、導通部が前記１以上の画素電極と配線との間に設けられる。この態様によれば、複数の画素電極の各々について電源回路に対する電気的な接続の有無を選定することができるから、より多様な画像を表示することができる。なお、この態様の具体的な形態については第１実施形態として後に詳述されている。一方、本発明の別の態様においては、各々に１または複数の画素電極が接続された複数の配線が設けられる一方、導通部は、複数の配線のうち所定の画像に応じて選定された１以上の画素電極に接続された各配線と電源回路との間に設けられる。この態様によれば、各配線に対して共通に接続された１または複数の画素電極ごとに電源回路に対する電気的な接続の有無が選定されるから構成の簡略化が図られる。なお、この態様の具体的な形態については第２実施形態として後に詳述されている。

また、本発明に係る電気光学装置の第２の特徴は、面状に配列された複数の画素電極と、各々が前記各画素電極の面上に設けられた複数の電気光学素子と、前記各電気光学素子を挟んで前記複数の画素電極に対向する対向電極と、各々が前記画素電極と電源回路との間に設けられて当該画素電極と前記電源回路とを導通させる複数の導通部であって各々の抵抗値が所定の画像に応じて選定された複数の導通部とを具備することにある。この構成によれば、各画素電極と電源回路との間に介在する導通部の抵抗値を適宜に選定することによって所望の画像（特に多階調の画像）が表示される。したがって、異なる画像を表示する電気光学装置を製造する場合であっても各電極を画像に応じた形状にパターニングするためのフォトマスクを用意する必要はないから、それぞれ異なる画像を表示する電気光学装置を製造するコストを低減することができる。

この第２の特徴に係る電気光学装置の他の態様においては、電源回路に接続された配線が設けられる一方、複数の導通部の各々が各画素電極と配線との間に設けられる。この態様によれば、複数の画素電極の各々について当該画素電極から電源回路に至る経路の抵抗値を選定することができるから、より多様な画像を表示することができる。なお、この態様の具体的な形態については第３実施形態として後に詳述されている。また、この態様において、各導通部の抵抗値は、各画素電極と配線とを接続する導通部の本数や導通部を形成する導電性材料の種類といった各種の要素によって定められる。一方、本発明の別の態様においては、各々に１または複数の画素電極が接続された複数の配線が設けられ、複数の導通部の各々が各配線と電源回路との間に設けられる。この態様によれば、各配線に対して共通に接続された１または複数の画素電極ごとに電源回路に至る経路の抵抗値が選定されるから構成の簡略化が図られる。

なお、上記第１および第２の特徴を有する電気光学装置の望ましい態様においては、所定の抵抗率を有する導電性材料により形成されて前記画素電極と前記対向電極との間に介在する抵抗層が設けられる。この態様によれば、いずれかの画素電極と対向電極とが何らかの原因によって仮に短絡したとしても、その画素電極と導通する他の画素電極に当該短絡の影響が及ぶことが抑えられる。この態様においては、抵抗層が電気光学素子からみて観察側（すなわち表示される画像を視認する観察者が位置する側）とは反対側に設けられることが望ましい。こうすれば、電気光学素子から発せられた光（または電気光学素子を透過した光）を、抵抗層を経由させることなく観察側に出射させることができるから、光の損失を抑えて良好な表示品位を維持することができる。

また、本発明に係る電気光学装置において、基材の面上に開口部を有する膜体が設けられ、導通部が当該開口部の内周縁により囲まれた領域内に設けられた構成も採用され得る。この構成によれば、導電性材料を含む液滴を開口部により囲まれた領域内に着弾させることによって導通部を形成する比較的安価な方法（液滴吐出法）を利用することができる。もっとも、これ以外の方法によっても導通部は形成され得る。

上記目的を達成するために、本発明に係る製造方法の第１の特徴は、複数の画素電極を面状に配列させて形成する工程と、前記各画素電極の面状に電気光学素子を形成する工程と、前記各電気光学素子を挟んで前記複数の画素電極に対向する対向電極を形成する工程と、前記複数の画素電極のうち所定の画像に応じて選定された１以上の画素電極と電源回路とを導通させる導通部を選択的に形成する工程とを有することにある。この方法によれば、画素電極と電源回路とを導通させる導通部を選択的に形成することによって所定の画像を表示する電気光学装置が得られるから、表示すべき画像ごとに異なるフォトマスクを用意する必要はない。したがって、本発明によれば、それぞれ異なる画像を表示する電気光学装置を製造するコストを低減することができる。

さらに、本発明に係る製造方法の第２の特徴は、複数の画素電極を面状に配列させて形成する工程と、前記各画素電極の面状に電気光学素子を形成する工程と、前記各電気光学素子を挟んで前記複数の画素電極に対向する対向電極を形成する工程と、各々が所定の画像に応じて選定された抵抗値をもって前記各画素電極と前記電源回路とを導通させる複数の導通部を形成する工程とを有する。この方法によれば、画素電極と電源回路との間に介在する各導通部の抵抗値を適宜に選定することによって所定の画像を表示する電気光学装置が得られるから、表示すべき画像ごとに異なるフォトマスクを用意する必要はない。したがって、本発明によれば、それぞれ異なる画像を表示する電気光学装置を製造するコストを低減することができる。

上記第１および第２の特徴を有する製造方法のうち導通部を形成する工程においては、導電性材料を含む液滴を吐出口から吐出し、この液滴を着弾させることによって前記導通部を形成することが望ましい。この方法によれば、導通部をフォトリソグラフィ技術などを用いて形成する場合と比較して製造コストを低減することができる。

なお、上記第１および第２の特徴に係る製造方法において各工程が実施される順番は任意である。例えば、第１の特徴に係る製造方法において、複数の画素電極を形成する工程と電気光学素子を形成する工程と対向電極を形成する工程と導通部を形成する工程とはいかなる順番で実施されてもよい。

図面を参照しながら本発明を実施するための具体的な形態を説明する。以下では、ＯＬＥＤ素子の一例である有機エレクトロルミネッセンス素子を電気光学素子として用いた電気光学装置に本発明が適用された形態を例示するが、本発明の適用され得る範囲をこの装置に限定する趣旨ではない。また、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。

＜Ａ：第１実施形態＞
＜Ａ−１：電気光学装置の構成＞
図１は、本実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。同図に示されるように、この電気光学装置１００は表示パネル１と電源回路８とを有する。図１および表示パネル１の断面図である図２に示されるように、表示パネル１はガラスやプラスチックなどからなる平板状の基材１０を有する。本実施形態に係る表示パネル１は、後述するＯＬＥＤ素子２１から発せられた光が基材１０を透過して観察側（図２における下側）に出射されるボトムエミッション型のパネルである。

基材１０の板面上には、Ｘ方向およびＹ方向にわたって複数の画素電極１１がマトリクス状に配置されている。各画素電極１１はＯＬＥＤ素子２１の陽極として機能する略矩形状の電極であり、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）などの光透過性を有する導電性材料により形成されている。さらに、基材１０と垂直な方向からみてＸ方向に隣接する各画素電極１１の間隙に相当する領域には、Ｙ方向に延在して一端が電源回路８に接続された配線１２が設けられている。

図２に示されるように、基材１０の板面上には隔壁１４が設けられている。この隔壁１４は、Ｘ方向またはＹ方向にわたって相互に隣接する各画素電極１１の間隙と重なるように格子状に設けられて基材１０の板面（より詳細には、後述する第２絶縁層３２の表面）から突出する。上述した配線１２は、図２に示されるように、格子状の隔壁１４のうちＹ方向に延在する部分と重なり合う。電気光学素子たるＯＬＥＤ素子２１は、画素電極１１の面上にあって隔壁１４により四方を囲まれた空間（窪み）に入り込むように設けられている。各ＯＬＥＤ素子２１は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層および電子注入層が画素電極１１側からみてこの順に積層された構造を有し、赤色、緑色および青色のいずれかの色に対応する波長の光を発する。各ＯＬＥＤ素子２１には、所定の抵抗率を有する導電性材料からなる抵抗層２３が積層されている。

隔壁１４およびＯＬＥＤ素子２１が設けられた基材１０の板面は電源回路８に接続された対向電極１５によって覆われている。この対向電極１５は、各ＯＬＥＤ素子２１を挟んで複数の画素電極１１と対向するように設けられた単一の電極であり、ＯＬＥＤ素子２１の陰極として機能する。本実施形態における対向電極１５は、アルミニウムや銀などの単体金属やこれらの金属を主成分として含む合金など光反射性を有する導電性材料によって形成されている。この構成によれば、ＯＬＥＤ素子２１から観察側とは反対側（図２における上側）に発せられた光を対向電極１５によって観察側に反射させることができる。対向電極１５が形成された基材１０の板面はその全域にわたり封止層１７によって覆われている。この封止層１７は、基材１０上に形成された対向電極１５などの各要素を保護するための層である。

一方、電源回路８は、各配線１２および対向電極１５に電力を供給するための回路である。さらに詳述すると、電源回路８は、配線１２に対して電源電圧の高位側を印加する一方、対向電極１５に対して電源電圧の低位側（接地電位）を印加する。このように各画素電極１１と対向電極１５との間に電圧が印加されるとＯＬＥＤ素子２１に電流が流れて当該ＯＬＥＤ素子２１が発光する。すなわち、画素電極１１および対向電極１５と両電極に挟まれたＯＬＥＤ素子２１とによって画素が構成される。ここで、各画素電極１１と対向電極１５との間に抵抗層２３を設けない構成においては、ある画素電極１１と対向電極１５とが何らかの原因（例えばＯＬＥＤ素子２１の欠陥）により短絡した場合に配線１２の電位が対向電極１５の電位まで低下し、この影響が当該画素電極１１に配線１２を介して接続された他の画素電極１１にも及ぶこととなる。これに対し、本実施形態のように抵抗層２３が設けられた構成のもとでは、仮にひとつの画素電極１１と対向電極１５とが短絡したとしても、その画素電極１１に配線１２を介して接続された他の画素電極１１（Ｙ方向に並ぶ画素電極１１）の画素に対して当該短絡により与えられる影響を抑えることができる。なお、図２に示されるように、本実施形態においては抵抗層２３をＯＬＥＤ素子２１と対向電極１５との間に介在させた構成が例示されているが、この抵抗層２３を画素電極１１とＯＬＥＤ素子２１との間に介在させた構成も採用され得る。ただし、ボトムエミッション型の表示パネル１においてはＯＬＥＤ素子２１から発せられた光が画素電極１１から基材１０を介して観察側に出射するから、光の損失を抑えて輝度を確保するという観点からすると、図２に示されるように抵抗層２３をＯＬＥＤ素子２１からみて観察側とは反対側に設けた構成（すなわちＯＬＥＤ素子２１から発せられた光が抵抗層２３を経由することなく基材１０側に出射する構成）が望ましいと言える。

本実施形態に係る電気光学装置１００は特定の画像（以下「対象画像」という）を固定的に表示する装置である。この表示を実現するために、多数の画素のなかから対象画像を構成するものとして選択された複数の画素（以下「表示画素」という場合がある）に対してのみ電源回路８から電力が供給されるようになっている。本実施形態においては、図１に示されるように、複数の画素電極１１のうち表示画素の画素電極１１は配線１２と電気的に導通する一方、それ以外の画素（以下「非表示画素」という場合がある）の画素電極１１は配線１２から絶縁されている。この構成のもとで電源回路８から配線１２に電圧が印加されると、この配線１２に沿って列をなす複数の画素電極１１のうち表示画素の画素電極１１に対してのみ当該配線１２を介して選択的に電圧が印加される。この結果、表示画素のＯＬＥＤ素子２１のみが発光して対象画像が表示されるのである。

ここで、図３は、各画素に関わる要素を拡大して示す平面図である。図３に拡大して示された２つの画素電極１１のうち上方の画素電極１１は表示画素を構成する画素電極１１であり、下方の画素電極１１は非表示画素を構成する画素電極１１である。また、図４は図３におけるIV−IV線からみた断面図であり、図５は図３におけるV−V線からみた断面図である。図３に示されるように、Ｙ方向に延在する各配線１２は、画素電極１１側（Ｘ方向）に突出する突出部１２１を有する。さらに、図４および図５に示されるように、配線１２が形成された基材１０の板面はその全域にわたり第１絶縁層３１によって覆われている。この第１絶縁層３１は樹脂材料などの絶縁性材料により形成された膜体であり、当該第１絶縁層３１を厚さ方向に貫通するように開口した部分（以下「導通用開口部」という）３１１が画素ごとに設けられている。基材１０の板面に垂直な方向からみると、図３に示されるように、導通用開口部３１１は、その一部が配線１２の突出部１２１と重なり合うとともにＸ方向に延在する形状となっている。そして、図３および図４に示されるように、複数の画素のうち表示画素に対応する導通用開口部３１１内には、画素電極１１と配線１２（ひいては電源回路８）とを導通させるための導通部３４（図３においてハッチングが施された部分）が設けられている。さらに詳述すると、導通部３４は、基材１０を底面として導通用開口部３１１の内周縁により囲まれた空間（窪み）に入り込むように（すなわち導通用開口部３１１を埋めるように）形成される。この導通部３４は、金や銅など各種の導電性材料によって形成されている。上述したように配線１２の突出部１２１は導通用開口部３１１の内周縁から内側に張り出すように設けられているから、この突出部１２１と導通用開口部３１１に設けられた導通部３４とは接触する。一方、図３および図５に示されるように、複数の画素のうち非表示画素に対応する導通用開口部３１１には導通部３４が設けられていない。

第１絶縁層３１の表面は第２絶縁層３２によって覆われている。この第２絶縁層３２は第１絶縁層３１と同様に樹脂材料などの絶縁性材料により形成された膜体である。図４に示されるように、第２絶縁層３２のうち表示画素に対応する部分は導通部３４を覆うように設けられる。これに対し、図５に示されるように、第２絶縁層３２のうち非表示画素に対応する部分は、基材１０を底面として導通用開口部３１１の内周縁により囲まれた空間に入り込む（すなわち導通用開口部３１１を埋める）ように設けられる。図３に示されるように、第２絶縁層３２には、基材１０に垂直な方向からみて導通用開口部３１１の領域内であって配線１２の突出部１２１と重ならない位置に当該第２絶縁層３２を厚さ方向に貫通する開口部３２１が設けられている。

一方、画素電極１１は、第２絶縁層３２の開口部３２１と重なるように延出した延出部１１１を有する。図４に示されるように、表示画素を構成する画素電極１１の延出部１１１は開口部３２１に入り込んで底面たる導通部３４に到達する。この構成により、表示画素を構成する画素電極１１は、導通部３４を介して配線１２および電源回路８と電気的に導通する。一方、図５に示されるように、非表示画素には導通部３４が設けられていないから、非表示画素を構成する画素電極１１の延出部１１１は開口部３２１に入り込んで基材１０の板面に到達する。したがって、非表示画素を構成する画素電極１１は、第２絶縁層３２によって配線１２から電気的に絶縁された状態となる。画素電極１１よりも上層の構成は図２を参照して説明した通りである。このように、表示画素と非表示画素とは導通部３４の有無のみが異なる。

＜Ａ−２：電気光学装置の製造方法＞
次に、上述した電気光学装置１００の製造方法を説明する。なお、以下では、配線１２の形成から画素電極１１の形成までの工程を図４の断面図に対応する図６を参照して説明する一方、隔壁１４の形成から電気光学装置１００の完成までの工程を図２の断面図に対応する図７を参照して説明する。

まず、図６（ａ）に示されるように、突出部１２１を有する配線１２が基材１０の板面上に形成される。より具体的には、アルミニウムや銀、銅などからなる導電性の薄膜をスパッタリングなどの成膜技術により形成した後、この薄膜に対してフォトリソグラフィ技術を用いたパターニング処理を施すことによって配線１２が得られる。続いて、図６（ｂ）に示されるように、導通用開口部３１１を有する第１絶縁層３１が基材１０の板面を覆うように形成される。具体的には、ポリイミドやアクリル、ポリアミドといった感光性の有機材料を基材１０上に塗布した後に加熱により硬化させ、この薄膜に対して所定のフォトマスクを用いた露光と現像とを施すことによって第１絶縁層３１が得られる。

次いで、図６（ｃ）に示されるように、第１絶縁層３１に設けられた複数の導通用開口部３１１のうち表示画素に対応するものに対して選択的に導通部３４が形成される。この形成には液滴吐出法（インクジェット法）が用いられる。すなわち、図６（ｃ）に示されるように、多数の導通用開口部３１１のうち表示画素に対応する導通用開口部３１１の上方に吐出口７１を移動させたうえで、この吐出口７１から導電性材料を含む液滴を吐出して導通用開口部３１１内に着弾させる。これを表示画素の総てについて繰り返したうえで乾燥させることによって表示画素のみに選択的に導通部３４が形成される。一方、非表示画素に対応する導通用開口部３１１には導通部３４となる液滴が吐出されない。なお、この工程において吐出口７１から吐出される液滴の材料としては、金属材料（例えば金、銀、銅、パラジウムまたはニッケルなど）、導電性ポリマーまたは超伝導材料など各種の導電性材料からなる微粒子（以下「導電性粒子」という）を水などの液体中に分散させたものが採用され得る。吐出口７１から吐出される関係上、導電性粒子の粒径は５０ｎｍ（ナノメートル）から０．１μｍ（マイクロメートル）程度であることが望ましい。また、導電性粒子を液体中に効率よく分散させるために、各導電性粒子の表面を有機材料によってコーティングしてもよい。例えば、金からなる直径１０ｎｍ程度の微粒子が分散されたトルエンにキシレンを添加し、その粘度を３ｍＰａ・ｓ（ミリパスカル秒）程度とした液体を吐出口７１から吐出させることによって導通部３４が形成される。

次に、図６（ｄ）に示されるように、開口部３２１を有する第２絶縁層３２が第１絶縁層３１の表面を覆うように形成される。この第２絶縁層３２は、第１絶縁層３１と同様の工程において共通の材料により形成される。さらに、図６（ｅ）に示されるように、延出部１１１を有する画素電極１１が表示画素および非表示画素の各々に対応するように第２絶縁層３２の面上に形成される。この画素電極１１は、インジウム錫酸化物や酸化インジウム、酸化亜鉛系アモルファスなどからなる導電性および光透過性を有する薄膜をスパッタリングなどの成膜技術によって形成した後、この薄膜に対してフォトリソグラフィ技術を用いたパターニング処理を施すことによって得られる。これにより得られた画素電極１１の延出部１１１は第２絶縁層３２の開口部３２１に入り込み、表示画素においては導通部３４と接触する一方、非表示画素においては第１絶縁層３１の導通用開口部３１１を介して基材１０の表面に至る。なお、表示パネル１がトップエミッション型である場合には、画素電極１１に光透過性は要求されないから、アルミニウムや銀などの単体金属やこれらを主成分として含む合金など光反射性を有する導電性材料（あるいは光透過性を有さない導電性材料）によって画素電極１１が形成される。

続いて、図７（ａ）に示されるように、第２絶縁層３２の面上に隔壁１４が形成される。具体的には、ポリイミドやアクリル、ポリアミドといった感光性の有機材料を第２絶縁層３２上に塗布した後に加熱により硬化させ、この薄膜に対して所定のフォトマスクを用いた露光と現像とを施すことによって格子状の隔壁１４が得られる。さらに、隔壁１４に対してＣＦ_４、ＳｉＦ_４またはＢＦ_３などのガスを反応ガスとしたプラズマ処理が施されて、その表面が撥液性（撥水性）を呈するように改質される。なお、隔壁１４の表面を改質するのではなく、隔壁１４となる有機材料に弗化物を添加することにより隔壁１４自体に撥液性を持たせるようにしてもよい。

次に、図７（ｂ）に示されるように、隔壁１４により区画された多数の領域の各々にＯＬＥＤ素子２１が形成される。この形成には液滴吐出法（インクジェット法）が用いられる。すなわち、図７（ｂ）に示されるように、ＯＬＥＤ素子２１が形成されるべき領域の上方に吐出口７２を移動させたうえで、この吐出口７２から電気光学物質を含む液滴を吐出して画素電極１１の表面に着弾させる。これを総ての画素について繰り返したうえで乾燥させることによりＯＬＥＤ素子２１が得られる。なお、ＯＬＥＤ素子２１の正孔輸送層は、例えば、ポリチオフェン誘導体やポリピロール誘導体、あるいはこれらにドーピングを施した材料により形成される。より具体的には、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンを溶媒としてのポリスチレンスルフォン酸に分散させたうえで水を加えた分散液（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳの分散液）が吐出口７２から吐出されて正孔輸送層が形成される。また、ＯＬＥＤ素子２１の発光層は、例えば、ポリフルオレン誘導体（ＰＶ）、ポリパラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリジアルキルフルオレン（ＰＤＡＦ）、ポリフルオレンベンゾチアジアゾール（ＰＦＢＴ）、ポリアルキルチオフェン（ＰＡＴ）、あるいはポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）など公知である各種の材料により形成される。また、これらの高分子材料に対し、ペリレン系色素、クマリン系色素またはローダミン系色素といった高分子材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６またはキナクリドンといった低分子材料をドープした材料によっても発光層は形成され得る。

上述したように隔壁１４の表面は撥液性を呈するから、電気光学物質を含む液滴は隔壁１４により囲まれた空間（窪み）内に効率よく滞留する。なお、図６（ｅ）に示される工程において、液滴の着弾地点となる画素電極１１を表面が親液性を呈する材料により形成すれば、吐出口７２から吐出された液滴を画素電極１１の表面に効率よく着弾させることができる。また、隔壁１４により仕切られた空間の底部に液滴を効率よく滞留させるという観点からすると、親液性を呈する第１層と撥液性を呈する第２層とを基材１０側からみてこの順番に積層した薄膜を成形することによって隔壁１４を形成する方法も好適である。あるいは、ＳｉＯ_２などの無機材料からなる第１層とアクリルやポリイミドなどの有機材料からなる第２層とを基材１０側からみてこの順番に積層した薄膜を成形することによって隔壁１４を形成し、この隔壁１４に対してプラズマ処理を施す方法も採用され得る。この方法によれば、第１層と第２層とで表面の改質の度合いが異なる（第２層が第１層よりも高い撥液性を呈する）から、液滴を効率的に滞留させることができる。

次いで、図７（ｃ）に示されるように、各ＯＬＥＤ素子２１と重なるように抵抗層２３が形成される。この抵抗層２３は、ポリシリコンなどの半導体材料、または、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）の分散液や有機珪素材料など所定の抵抗率を有する各種の導電性材料により形成される。抵抗層２３が半導体材料により形成される場合には、その厚さや不純物の注入量を適宜に調整することによって抵抗値を各画素ごとに任意に制御することができる。また、導通部３４と同様に、金、銀、銅、パラジウム、ニッケルといった各種の金属、あるいは導電性ポリマーや超伝導体など各種の導電性材料からなる微粒子が分散された液体材料によって抵抗層２３を形成してもよい。この場合には抵抗層２３の形成に液滴吐出法を用いることができる。すなわち、導電性の微粒子が分散された液滴を吐出口（図示略）から基材１０に向けて吐出してＯＬＥＤ素子２１の表面に着弾させることより抵抗層２３が形成される。この方法においては、溶媒に対する導電性粒子の分散量（濃度）や液滴量を適宜に調整することによって抵抗層２３の抵抗値を任意に制御することができる。

続いて、図７（ｄ）に示されるように、基材１０の全面を覆うように（すなわち隔壁１４とＯＬＥＤ素子２１とを覆うように）対向電極１５が形成される。この形成には、真空蒸着やスパッタリングなど各種の成膜技術が用いられる。この対向電極１５は、アルミニウム、マグネシウム、リチウムまたはカルシウムといった各種の単体材料や、これらの材料を主成分として含む合金など各種の導電性材料によって形成される。なお、各々が異なる材料からなる複数の層を積層することによって対向電極１５を形成してもよい。例えば、Ｌｉ_２ＯとＡｌとの積層や、ＬｉＦとＡｌとの積層、あるいはＭｇＦ_２とＡｌとの積層などにより対向電極１５が形成され得る。また、トップエミッション型の表示パネル１であれば、ＯＬＥＤ素子２１から観察側（基材１０とは反対側）に向かう光の損失を抑えるために、インジウム錫酸化物などの光透過性を有する導電性材料によって対向電極１５が形成される。

この後、基材１０の全面を覆うように封止層１７が形成される（図２参照）。この封止層１７は、各種の無機化合物により形成されるものであり、好ましくは珪素化合物、すなわち珪素窒化物や珪素酸窒化物、珪素酸化物などによって形成される。ただし、これ以外の材料、例えばアルミナや酸化タンタル、酸化チタン、さらには他のセラミックスなどによって封止層１７が形成されてもよい。このように封止層１７が無機化合物により形成されれば、特に陰極１５が無機化合物により形成される場合に封止層１７と陰極１５との密着性が高まり、これにより封止層１７が欠陥のない緻密な層となって酸素や水分に対するバリア性がより良好になる。

また、上述した各種の珪素化合物のなかから選択された異なる材料からなる複数の層を積層することによって封止層１７を形成してもよい。より具体的には、珪素化合物からなる層と珪素酸窒化物からなる層とを陰極１５側からみてこの順番に積層し、あるいは珪素酸窒化物からなる層と珪素酸化物からなる層とを陰極１５側からみてこの順番に積層することによって封止層１７を形成することが望ましい。一方、トップエミッション型の表示パネル１においては封止層１７が光透過性を有する必要がある。このため、封止層１７の材質や膜厚を適宜に調整することにより、封止層１７に可視光領域に属する光を照射したときの光線透過率を８０％以上とすることが望ましい。また、基材１０の全面を覆うように封止部材（図示略）が不活性ガス雰囲気中にて貼り合わされた構成としてもよい。この構成のもとで封止部材と基材１０とにより囲まれた密閉空間にＯＬＥＤ素子２１を配置すれば、ＯＬＥＤ素子２１を大気中の酸素や水分から隔離することができる。

上述した封止層１７が形成された後、基材１０のうち縁辺の近傍に電源回路８が実装されて電気光学装置１００が得られる。本実施形態に係る電気光学装置１００によれば、画素ごとに薄膜トランジスタなどのスイッチング素子が設けられたアクティブマトリクス駆動方式の一般的な電気光学装置と比較して極めて簡易な構成にも拘わらず（すなわち画像の表示のために最小限必要な構成要素のみを設けた構成にも拘わらず）、高品位かつ高精細な表示が実現される。

このように、本実施形態によれば、多数の画素電極１１のうち対象画像を構成する画素に対応した画素電極１１のみが導通部３４を介して選択的に電源回路８に接続される。したがって、導通部３４の形成の有無を対象画像の内容に応じて適宜に選定することにより、所望の対象画像を表示する電気光学装置１００が得られ、画素電極１１やＯＬＥＤ素子２１といった基材１０上の各要素を形成する工程は対象画像の内容に関わらず共通化される。特に、画素電極１１を形成するためのフォトマスクを対象画像の内容に応じて変更する必要はない。したがって、本実施形態によれば、各々が異なる対象画像を表示するための表示パネル１を作成するためのコストが著しく低減される。換言すると、製造コストを増大させることなく、利用者の要望に応じた種々の対象画像を表示し得る表示パネル１を作成することができる。しかも、本実施形態においては、導通部３４が比較的安価な液滴吐出法により形成されるという利点もある。

＜Ｂ：第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態に係る電気光学装置の構成を説明する。上記第１実施形態においては、画素電極１１のうち表示画素を構成する画素電極１１のみを選択的に配線１２に接続する構成を例示した。これに対し、本実施形態に係る電気光学装置１０１においては、図８に示されるように、総ての画素電極１１が配線１２に接続される一方、これらの配線１２のうち表示画素を構成する画素電極１１に接続された配線１２（以下「表示配線」という場合がある）のみが導通部３４を介して選択的に電源回路８に接続されるようになっている。この構成によれば、Ｙ方向に配列された複数の画素の発光により対象画像が表示されることとなる。

図９は、表示配線１２と電源回路８から引き出された配線（以下「電源配線」という）８１との関係を示す断面図であり、図１０は、複数の配線１２のうち表示配線以外の配線１２（以下「非表示配線」という場合がある）と電源配線８１との関係を示す断面図である。これらの図に示されるように、基材１０のうち電源回路８が実装された領域の近傍には、電源配線８１と、Ｙ方向に配列された画素電極１１が共通に接続された配線１２とが、各々の端部を向かい合わせた状態で相互に離間して設けられている。

電源配線８１および配線１２が形成された基材１０の表面は第１絶縁層３１によって覆われている。この第１絶縁層３１のうち電源配線８１の端部と配線１２の端部とが接近する部分には当該第１絶縁層３１を厚さ方向に貫通する導通用開口部３１１が設けられている。ここで、図１１は、電源配線８１と配線１２とが近接する部分を拡大して示す平面図である。同図に示されるように、基材１０の板面に垂直な方向からみると、電源配線８１の端部と配線１２の端部とは導通用開口部３１１の内周縁から張り出して当該導通用開口部３１１の内部に至る形状となっている。そして、図９に示されるように、複数の配線１２のうち表示配線１２に対応する導通用開口部３１１には各種の導電性材料からなる導通部３４が設けられる。さらに詳述すると、導通部３４は、基材１０を底面として導通用開口部３１１により包囲された空間（窪み）に入り込むように（すなわち導通用開口部３１１を埋めるように）形成される。上述したように電源配線８１および配線１２の各端部は導通用開口部３１１の内周縁から内側に張り出すように設けられているから、表示配線１２は導通部３４を介して電源配線８１と導通することとなる。これに対し、図１０に示されるように、非表示配線１２に対応する導通用開口部３１１には導通部３４が設けられていない。したがって、非表示配線１２は電源回路８から電気的に絶縁された状態となる。第１絶縁層３１の表面は第２絶縁層３２によって覆われている。この構成のもとで電源回路８から電源配線８１に電圧が印加されると、複数の配線１２のうち表示配線１２に沿って配列する画素電極１１のみに対して選択的に電圧が印加される。この結果、表示画素（すなわち表示配線１２に接続された画素）のＯＬＥＤ素子２１のみが発光して対象画像が表示されることとなる。なお、本実施形態における第１絶縁層３１および第２絶縁層３２ならびに導通部３４は、上記第１実施形態における第１絶縁層３１および第２絶縁層３２ならびに導通部３４とそれぞれ同様の材料により同様の工程にて形成され得る。例えば、導通部３４は、導電性材料を含む液滴を吐出口７１から吐出して導通用開口部３１１内に着弾させることによって得られる。

一方、各画素と配線１２との関係は表示画素であるか非表示画素であるかを問わず共通である。すなわち、基材１０上に形成された配線１２を覆う第１絶縁層３１および第２絶縁層３２に開口部が設けられ、第２絶縁層３２の面上に設けられた画素電極１１はこの開口部を介して配線１２と導通する。画素電極１１よりも上層の構成は上記第１実施形態と同様である。

以上に説明したように、本実施形態によれば、導通部３４の形成の有無を対象画像の内容に応じて適宜に選定することによって所望の対象画像を表示する電気光学装置１０１が得られるから、上記第１実施形態と同様に、各々が異なる対象画像を表示するための表示パネル１を作成するためのコストが著しく低減される。なお、本実施形態においては配線１２と電源配線８１との導通の有無が選定されるため、共通の配線１２に接続された複数の画素の各々について導通と非導通とを区分することはできない。しかしながら、この構成にあっても、抵抗層２３の抵抗値を画素ごとに異ならせることによって多階調による高精細な表示が可能である。また、本実施形態においてはＹ方向に並ぶ複数の画素電極１１の総てを配線１２に接続する構成を例示したが、上記第１実施形態と同様に、表示配線１２に対する各画素電極１１の導通および非導通を対象画像に応じて適宜に選定してもよい。

＜Ｃ：第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態に係る電気光学装置の構成を説明する。上記第１実施形態および第２実施形態においては、各画素電極１１と電源回路８との間の導通の有無を適宜に選定する構成を例示した。これに対し、本実施形態においては、複数の画素電極１１の各々が電源回路８と電気的に接続される一方、各画素電極１１と電源回路８との間の抵抗値が対象画像の内容に応じて適宜に選定されている。

図１２は、本実施形態に係る電気光学装置１０２の構成を示すブロック図である。同図に示されるように、基材１０上にマトリクス状に配列された複数の画素電極１１の各々は、Ｙ方向に延在して一端が電源回路８に接続された配線１２に抵抗体３５を介して接続されている。各抵抗体３５の抵抗値は対象画像の内容に応じて適宜に選定されている。具体的には、対象画像のうち輝度の高い画素の画素電極１１に接続された抵抗体３５の抵抗値は、輝度の低い画素の画素電極１１に接続された抵抗体３５の抵抗値よりも低い。この構成によれば、抵抗値の低い抵抗体３５に接続された画素電極１１に印加される電圧は、抵抗値の高い抵抗体３５に接続された画素電極１１に印加される電圧よりも高くなるから、前者に係る画素電極１１により構成される画素の輝度は後者に係る画素電極１１により構成される画素の輝度よりも高くなり、この結果として対象画像が多階調により表示されることとなる。

ここで、図１３は画素に関わる要素を拡大して示す平面図であり、図１４は図１３におけるXIV−XIV線からみた断面図である。これらの図に示されるように、本実施形態における画素電極１１近傍の構成は、基材１０の板面上に形成された配線１２が第１絶縁層３１および第２絶縁層３２によって覆われるとともに延出部１１１が第２絶縁層３２の開口部３２１に入り込むように画素電極１１が形成されている点で前掲図３に示された電気光学装置１００と共通する。一方、本実施形態の構成は、ひとつの画素について３つの導通用開口部３１１が形成されている点で第１実施形態に係る電気光学装置１００とは異なっている。本実施形態においては、これら３つの導通用開口部３１１のうち対象画像の輝度に応じて選択された１ないし３つの導通用開口部３１１に対して選択的に導通部３４（図１３においてハッチングが施された部分）が設けられる。この導通部３４は、画素電極１１と配線１２（ひいては電源回路８）とを導通させるためのものである。図１３においては、同図における上方に位置する２つの導通用開口部３１１のみに導通部３４が形成された構成が例示されている。一方、同図における下方に位置するひとつの導通用開口部３１１には、図１４に示されるように導通部３４が形成されていない。この構成においては、画素電極１１と配線１２（ひいては電源回路８）とが２つの導通部３４のみを介して電気的に接続されることとなる。このように、画素電極１１と配線１２とを導通させるための導通部３４の個数を対象画像の内容に応じて画素ごとに選定することにより、画素電極１１と配線１２との間の抵抗値が調整されるのである。例えば、３つ総ての導通用開口部３１１に導通部３４が設けられた画素電極１１と配線１２との間の抵抗値は、ひとつの導通用開口部３１１のみに導通部３４が設けられた画素電極１１と配線１２との間の抵抗値よりも低くなる。すなわち、図１２に示された抵抗体３５は、対象画像の内容に応じて個数が適宜に選定された導通部３４に相当する。なお、この構成の電気光学装置１００の製造方法は前掲図６および図７を参照して説明した方法と同様である。ただし、前掲図６（ｂ）に示される工程において、ひとつの画素について３つの導通用開口部３１１が形成される一方、同図（ｃ）に示される工程において、対象画像の内容に応じた個数の導通用開口部３１１に対して導電性材料を含む液滴が吐出口７１から吐出されることによって導通部３４が形成されることとなる。

このように、本実施形態においては、多数の画素電極１１の各々と電源回路８との間に介在するように、それぞれ対象画像の内容（より具体的には対象画像を構成する各画素の階調）に応じて抵抗値が選定された抵抗体３５が設けられる。したがって、画素電極１１など種々の構成要素を形成する工程は対象画像の内容に拘わらず共通化される。したがって、本実施形態によれば、上記第１および第２実施形態と同様に、各々が異なる対象画像を表示するための表示パネル１を作成するためのコストが著しく低減される。

＜Ｄ：変形例＞
以上に説明した実施形態はあくまでも例示である。この形態に対しては本発明の趣旨から逸脱しない範囲で種々の変形が加えられ得る。具体的には、以下のような変形例が考えられる。

（１）上記第１ないし第３実施形態に示した構成は適宜に組み合わせて採用され得る。例えば、上記第３実施形態において、第１実施形態と同様に、対象画像を構成しない非表示画素については３つの導通用開口部３１１のいずれにも導通部３４を形成せず、当該非表示画素の画素電極１１と電源回路８とを電気的に絶縁させる構成としてもよい。また、第２実施形態に示したように電源回路８の電源配線８１と配線１２との間に第３実施形態に示した複数の導通用開口部３１１を形成するとともに、このうち一部または全部の導通用開口部３１１に選択的に導通部３４を設けることによって各配線１２と電源回路８との間の抵抗値を対象画像の内容に応じて異ならせるようにしてもよい。

（２）上記第３実施形態においては３つの導通用開口部３１１が形成された構成を例示したが、画素ごとの導通用開口部３１１の個数は任意である。この導通用開口部３１１の個数が多いほど画素電極１１への印加電圧が多様化されるから、より多階調の対象画像が表示され得る。また、上記第３実施形態においては導通部３４の個数に応じて画素電極１１と電源回路８との間の抵抗値を調整する構成を例示したが、画素ごとにひとつの導通用開口部３１１および導通部３４を設ける一方、その導通部３４の抵抗値自体を対象画像の内容に応じて適宜に異ならせる構成としてもよい。例えば、各々が異なる低効率を有する複数の導電性材料のいずれかを選択して導通部３４を形成することによって各画素の導通部３４の抵抗値を異ならせるようにしてもよい。また、液滴吐出法により導通部３４を形成する場合には、液滴に含まれる導電性材料の濃度や液滴の容量を適宜に調整することによって各画素の導通部３４の抵抗値を異ならせるようにしてもよい。

（３）導通部３４やＯＬＥＤ素子２１を形成する方法は液滴吐出法に限られない。例えば、ＯＬＥＤ素子２１は、これを構成する材料をレーザにより基材１０上に転写する方法によっても形成され得る。また、蒸着法やスピンコート法などにより表示領域の全体にわたってＯＬＥＤ素子２１を形成してもよい。このようにＯＬＥＤ素子２１が基材１０の全面にわたって形成された場合であっても、導通部３４を選択的に形成することによって多様な画像の表示が実現される。すなわち、特定の画素について選択的に導通部３４を形成することによって表示画素と非表示画素とを区別することができ、表示画素から観察側に出射する光量（または他の電気光学物質を透過して観察側に出射する光量）を表示画素に対応する導通部３４の抵抗値を適宜に異ならせることによって任意に調整することができる。

（４）上記実施形態においてはボトムエミッション型の表示パネル１を例示したが、トップエミッション型の表示パネル１にも本発明が適用されることはもちろんである。ここで、ボトムエミッション型の表示パネル１においては出射光量の損失を抑える観点からＯＬＥＤ素子２１と対向電極１５との間に抵抗層２３を介在させた構成を例示したが、トップエミッション型の表示パネル１においては画素電極１１とＯＬＥＤ素子２１との間に抵抗層２３を介在させた構成が望ましい。

（５）本発明はＯＬＥＤ素子以外の電気光学素子を用いた電気光学装置にも適用され得る。本発明が適用され得る電気光学装置としては、ヘリウムやネオンなどの高圧ガスを電気光学素子として用いたプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）や、蛍光体を電気光学素子として用いたフィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）などが挙げられる。

＜Ｅ：電子機器＞
次に、本発明に係る電気光学装置を有する電子機器について説明する。図１５は、本発明を適用した電気光学装置を有する携帯電話機の構成を示す斜視図である。この図に示されるように、携帯電話機１２００は、利用者により操作される複数の操作ボタン１２０２、他の端末装置から受信した音声を出力する受話口１２０４、および他の端末装置に送信される音声を入力する送話口１２０６のほかに、各種の画像を表示する電気光学装置１００（または電気光学装置１０１もしくは１０２）を有する。この電気光学装置１００の表示領域は第１領域１００１と第２領域１００２とに区分される。このうち第１領域１００１は、ドットマトリクス型の表示方式により各種の画像が適宜に変化しつつ表示される領域である。一方、第２領域１００２は、本発明の適用により対象画像を固定的に表示する領域である。すなわち、第２領域１００２においては、複数の画素のうち対象画像を構成するものとして選択された表示画素のみが電源回路８と電気的に接続されている。

なお、本発明に係る電気光学装置が利用され得る電子機器としては、図１５に示される携帯電話機のほかにも、ノートパソコンや、液晶テレビ、ビューファインダ型（またはモニタ直視型）のビデオレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。

本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。 同電気光学装置のうち表示パネルの構成を示す断面図である。 同表示パネルにおける画素電極近傍の構成を拡大して示す平面図である。 図３におけるIV−IV線からみた断面図であって表示画素に関わる構成を示す図である。 図３におけるV−V線からみた断面図であって非表示画素に関わる構成を示す図である。 同電気光学装置の製造方法を示す工程図である。 同電気光学装置の製造方法を示す工程図である。 本発明の第２実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。 同電気光学装置のうち表示パネルの断面図であって表示配線に関わる構成を示す図である。 同表示パネルの断面図であって非表示配線に関わる構成を示す図である。 同表示パネルのうち電源配線と配線とを拡大して示す平面図である。 本発明の第３実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。 同電気光学装置のうち表示パネルにおける画素電極近傍の構成を拡大して示す平面図である。 図１３におけるXIV−XIV線からみた断面図である。 本発明に係る電子機器の一例たる携帯電話機の構成を示す斜視図である。

符号の説明

１００，１０１，１０２……電気光学装置、１……表示パネル、１０……基材、１１……画素電極、１１１……延出部、１２……配線、１２１……突出部、１４……隔壁、１５……対向電極、１７……封止層、２１……ＯＬＥＤ素子、２３……抵抗層、３１……第１絶縁層、３１１……導通用開口部、３２……第２絶縁層、３２１……開口部、３４……導通部、３５……抵抗体、７１，７２……吐出口、８……電源回路、８１……電源配線。

Claims (16)

1. 面状に配列された複数の画素電極と、
   各々が前記各画素電極の面上に設けられた複数の電気光学素子と、
   前記各電気光学素子を挟んで前記複数の画素電極に対向する対向電極と、
   前記複数の画素電極のうち所定の画像に応じて選定された１以上の画素電極と電源回路との間に選択的に設けられて当該１以上の画素電極と前記電源回路とを導通させる導通部と
   を具備する電気光学装置。
2. 前記電源回路に接続された配線を具備し、
   前記導通部は、前記１以上の画素電極と前記配線との間に設けられている
   請求項１に記載の電気光学装置。
3. 各々に前記画素電極が接続された複数の配線を具備し、
   前記導通部は、前記複数の配線のうち所定の画像に応じて選定された１以上の画素電極に接続された各配線と前記電源回路との間に設けられている
   請求項１に記載の電気光学装置。
4. 面状に配列された複数の画素電極と、
   各々が前記各画素電極の面上に設けられた複数の電気光学素子と、
   前記各電気光学素子を挟んで前記複数の画素電極に対向する対向電極と、
   各々が前記画素電極と電源回路との間に設けられて当該画素電極と前記電源回路とを導通させる複数の導通部であって各々の抵抗値が所定の画像に応じて選定された複数の導通部と
   を具備する電気光学装置。
5. 前記電源回路に接続された配線を具備し、
   前記複数の導通部の各々は、前記各画素電極と前記配線との間に設けられている
   請求項４に記載の電気光学装置。
6. 前記各導通部の抵抗値は、前記各画素電極と前記配線とを接続する導通部の本数に応じた値である
   請求項５に記載の電気光学装置。
7. 前記各導通部の抵抗値は、当該導通部を形成する導電性材料の種類に応じた値である
   請求項５に記載の電気光学装置。
8. 各々に前記画素電極が接続された複数の配線を具備し、
   前記複数の導通部の各々は、前記各配線と前記電源回路との間に設けられている
   請求項４に記載の電気光学装置。
9. 所定の抵抗率を有する導電性材料により形成されて前記画素電極と前記対向電極との間に介在する抵抗層
   を具備する請求項１または４に記載の電気光学装置。
10. 前記抵抗層は、前記電気光学素子からみて観察側とは反対側に設けられている
    請求項９に記載の電気光学装置。
11. 前記基材の面上に設けられて開口部を有する膜体を具備し、
    前記導通部は、前記膜体の開口部の内周縁により囲まれた領域内に設けられている
    請求項１または４に記載の電気光学装置。
12. 前記電気光学素子は有機発光ダイオード素子である
    請求項１から１１のいずれかに記載の電気光学装置。
13. 請求項１から１２のいずれかに記載の電気光学装置を有する電子機器。
14. 複数の画素電極を面状に配列させて形成する工程と、
    前記各画素電極の面状に電気光学素子を形成する工程と、
    前記各電気光学素子を挟んで前記複数の画素電極に対向する対向電極を形成する工程と、
    前記複数の画素電極のうち所定の画像に応じて選定された１以上の画素電極と電源回路とを導通させる導通部を選択的に形成する工程と
    を有する電気光学装置の製造方法。
15. 複数の画素電極を面状に配列させて形成する工程と、
    前記各画素電極の面状に電気光学素子を形成する工程と、
    前記各電気光学素子を挟んで前記複数の画素電極に対向する対向電極を形成する工程と、
    各々が所定の画像に応じて選定された抵抗値をもって前記各画素電極と前記電源回路とを導通させる複数の導通部を形成する工程と
    を有する電気光学装置の製造方法。
16. 前記導通部を形成する工程においては、導電性材料を含む液滴を吐出口から吐出し、この液滴を着弾させることによって前記導通部を形成する
    請求項１４または１５に記載の電気光学装置の製造方法。
    

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