JP2005116805A

JP2005116805A - Ｔｃｐ型半導体装置、その製造方法及び製造装置

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Publication number: JP2005116805A
Application number: JP2003349609A
Authority: JP
Inventors: Akinori Shindo; 昭則進藤
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2003-10-08
Filing date: 2003-10-08
Publication date: 2005-04-28

Abstract

【課題】封止樹脂の形状や厚さを所望の状態にすることが可能なＴＣＰ型半導体装置の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】封止装置２の樹脂塗布部４０において、ステージ４２の上方には、キャリッジ４３が備えられている。キャリッジ４３は、図示しない３つのキャリッジ駆動モータ４３ｘ，４３ｙ，４３ｚによって駆動され、それぞれＸ方向（テープ幅方向）、Ｙ方向（テープ長尺方向）、Ｚ方向（上下方向）に移動可能になっている。また、キャリッジ４３には、３つのインクジェットヘッド（以下、ヘッドという）４４ａ，４４ｂ，４４ｃが備えられている。各ヘッド４４ａ，４４ｂ，４４ｃは、Ｘ方向に１列並んだ多数のノズル孔（図示せず）をそれぞれ有しており、これらのノズル孔から、ステージ４２上のＴＣＰ型半導体装置１に対して、インクジェット方式によって液体を吐出することができる。
【選択図】図４

Description

本発明は、ＴＣＰ型半導体装置、その製造方法及び製造装置に関する。

従来、半導体チップをテープキャリアのインナーリードに接合したＴＣＰ（Tape Carrier Package）型半導体装置において、インナーリード部や半導体チップ表面は、ポッティング方式等によりエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を塗布することで封止される（例えば特許文献１）。

テープキャリアには、半導体チップの外形よりも大きなデバイスホールが形成されており、テープキャリア上でパターニングされた配線の一端は、インナーリードとしてデバイスホール内に延出している。このテープキャリアに半導体チップを実装する際には、デバイスホール内に半導体チップが載置され、半導体チップ上に形成されたバンプと、前記インナーリードとが熱圧力接合される。

その後、接合部や半導体チップ表面の物理的な保護、電気的絶縁、遮光等を目的として、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂が塗布される。半導体チップの表面側から塗布された樹脂の一部は、重力によって半導体チップの外周から下方に回り込むことによって、インナーリードの裏面側や半導体チップの側面をも被覆する。

特開２００１−１９１０００号公報

ところが、ポッティング方式による樹脂封止では、塗布後の封止樹脂の形状や厚さを所望の状態にすることが困難であるという問題を有する。

例えば、封止樹脂がインナーリードの裏面側にも十分に回り込んで、インナーリードの露出が起きないようにし、さらに、応力が集中しやすいデバイスホール際部を補強するためには、少なくともインナーリードの近傍では、比較的多量の封止樹脂を塗布する必要がある。しかし、塗布する樹脂が多すぎると半導体チップの裏面にまで樹脂が至り、厚さが規格を超えたり、外観不良となったりする。さらに、インナーリード近傍で吐出された多量の樹脂は、表面側で凸部を形成するとともに、その一部は外側に向かって流れ出すため、厚さが厚くなりやすいと同時に、塗布範囲が大きくなりやすいという問題を有する。実際には、塗布後の流れ出し等を考慮して樹脂を塗布することになるが、その予測は困難であるうえ、形状が不安定になりやすい。

本発明は上記問題を鑑みてなされたものであり、その目的は、塗布後の封止樹脂の形状や厚さを所望の状態にすることが可能なＴＣＰ型半導体装置、その製造方法及び製造装置を提供することである。

本発明のＴＣＰ型半導体装置の製造方法は、半導体チップをテープキャリアのインナーリードに接合したＴＣＰ型半導体装置の製造方法であって、前記半導体チップの表面とその周辺部とからなる封止領域に封止樹脂を塗布する際に、前記封止領域の少なくとも一部には、インクジェット方式によって封止樹脂を塗布することを特徴とする。

これによれば、封止樹脂の塗布方法が、小径の液滴を均一に塗布するインクジェット方式であるため、吐出後の樹脂の流動を前提とするポッティング方式と比べて、樹脂が極端な凸部を形成したり、封止領域の外側に流れ出したりするのを抑制することが可能となる。従って、塗布後の封止樹脂の形状や厚さを所望の状態にすることが可能となる。

このＴＣＰ型半導体装置の製造方法において、前記封止領域内の位置に応じて、異なる量の封止樹脂を塗布してもよい。

これによれば、封止領域の位置によって塗布したい封止樹脂の量が異なる場合に、位置に応じて適切な量の樹脂を塗布することが可能となる。例えば、封止領域の外周部には、比較的多量の封止樹脂を塗布することにより、インナーリードの裏面側にも十分に封止樹脂が回りこみ、インナーリードが露出するのを防ぐことが可能となる。また、封止領域の中央部には、少量の封止樹脂を塗布することにより、封止領域の外側に必要以上の樹脂が流れ出したり、塗布された封止樹脂が極端な凸部を形成したりするのを抑制することが可能となる。

このＴＣＰ型半導体装置の製造方法において、前記封止領域内の位置に応じて、粘度の異なる封止樹脂を塗布してもよい。

これによれば、位置に応じて適切な粘度の封止樹脂を塗布することが可能となる。例えば、半導体チップ表面に、比較的粘度の低い封止樹脂を塗布すれば、塗布後に隙間なく広がりやすくなるため、薄くても確実な封止を行うことが可能となる。また、封止領域の外周部に、比較的粘度の高い封止樹脂を塗布すれば、封止領域の外側に必要以上の樹脂が流れ出したり、封止樹脂が半導体チップの裏面にまで至ってしまったりするのを抑制することが可能となる。

このＴＣＰ型半導体装置の製造方法において、前記封止領域の外周部に封止樹脂を塗布する際に、前記インナーリードの有無又は粗密に応じて、異なる量の封止樹脂を塗布してもよい。

これによれば、インナーリードの有無や粗密に応じて適切な量の封止樹脂を塗布することが可能となる。例えば、インナーリードが密に存在している領域には、インナーリードのない領域やインナーリードが粗く存在している領域よりも少ない封止樹脂を塗布することにより、インナーリード上に極端な凸部が形成されるのを抑制することが可能となる。また、粘度の低い封止樹脂を用いた場合でも、封止樹脂が封止領域の外側に流れ出たり、半導体チップの裏面に至ってしまったりするのを抑制することが可能となる。

このＴＣＰ型半導体装置の製造方法において、前記封止領域の外周部に封止樹脂を塗布する際に、前記インナーリードの有無又は粗密に応じて、異なる粘度の封止樹脂を塗布してもよい。

これによれば、インナーリードの有無や粗密に応じて適切な粘度の封止樹脂を塗布することが可能となる。例えば、インナーリードが密に存在している領域には、インナーリードがない領域やインナーリードが粗く存在している領域よりも低い粘度の封止樹脂を塗布することにより、インナーリード裏面側にも十分に樹脂が回りこむことが可能となる。

本発明のＴＣＰ型半導体装置の製造方法は、半導体チップをテープキャリアのインナーリードに接合したＴＣＰ型半導体装置の製造方法であって、前記半導体チップの表面とその周辺部とからなる封止領域に封止樹脂を塗布する際に、前記封止領域のうち、一部の領域にはインクジェット法によって封止樹脂を塗布し、他の領域にはポッティング法によって封止樹脂を塗布することを特徴とする。

これによれば、封止領域の位置や、インナーリードの有無や粗密等の状況に応じて、適切な方法の塗布を行うことが可能となる。例えば、半導体チップとデバイスホールの隙間や、各インナーリード間の隙間が、インクジェットヘッドのノズル径に対して大きい場合には、封止領域の外周部をポッティング方式によって封止すれば、吐出された封止樹脂がその隙間から貫通することはない。また、塗布後の封止樹脂の形状や厚さの制約が緩い場合には、ポッティング方式により簡単に封止樹脂を塗布することが可能となる。

このＴＣＰ型半導体装置の製造方法において、前記封止領域の外周部には、インクジェット方式によって封止樹脂を塗布し、前記封止領域の中央部には、ポッティング方式によって封止樹脂を塗布してもよい。

これによれば、封止領域の外周部に対する封止樹脂の塗布方法が、小径の液滴を均一に塗布するインクジェット方式であるため、吐出後の樹脂の流動を前提とするポッティング方式と比べて、樹脂が極端な凸部を形成したり、封止領域の外側に流れ出したりするのを抑制することが可能となる。従って、塗布後の封止樹脂の形状や厚さを所望の状態にすることが可能となる。

これによれば、インナーリードの有無や粗密に応じて適切な量の封止樹脂を塗布することが可能となる。例えば、インナーリードが密に存在している領域には、インナーリードがない領域やインナーリードが粗く存在している領域よりも少ない封止樹脂を塗布することにより、インナーリード上に極端な凸部が形成されるのを抑制することが可能となる。また、粘度の低い封止樹脂を用いた場合でも、封止樹脂が封止領域の外側に流れ出たり、半導体チップの裏面に至ってしまったりするのを抑制することが可能となる。

このＴＣＰ型半導体装置の製造方法において、前記封止領域の外周部には、ポッティング方式によって封止樹脂を塗布し、前記封止領域の中央部には、インクジェット方式によって封止樹脂を塗布してもよい。

これによれば、封止領域の外周部には、ポッティング方式で封止樹脂を塗布するため、半導体チップとデバイスホールの隙間や、各インナーリード間の隙間が、インクジェットヘッドのノズル径に対して大きい場合にも、吐出された封止樹脂がその隙間から貫通することはない。さらに、中央部Ｒｉには、インクジェット方式により、必要最小限の封止樹脂を薄く塗布することが可能となるため、中央部Ｒｉに塗布された封止樹脂が外周部や、さらにはその外側に流れ出すのを抑制することが可能となる。

このＴＣＰ型半導体装置の製造方法において、ＴＣＰ型半導体装置上にインクジェット方式によって文字や図形を印刷してもよい。

これよれば、ロットナンバ等の製品情報を印刷するための装置や工程が不要となるため、製造時間を短縮し、コストを削減することが可能となる。

このＴＣＰ型半導体装置の製造方法において、前記封止領域内に封止樹脂を塗布した後に、前記封止領域内にインクジェット方式によって文字や図形を印刷してもよい。

これによれば、ベースフィルム上の他の場所にロットナンバ等の製品情報を印刷するための領域が不要になるため、デバイスを小型化することが可能となる。

本発明のＴＣＰ型半導体装置は、先に記載のＴＣＰ型半導体装置の製造方法によって製造されたＴＣＰ型半導体装置であって、前記半導体チップの表面とその周辺部とからなる封止領域の少なくとも一部には、封止樹脂がインクジェット方式によって塗布されていることを特徴とする。

これによれば、前記製造方法による効果と同様の効果が得られる。

本発明のＴＣＰ型半導体装置の製造装置は、半導体チップをテープキャリアのインナーリードに接合したＴＣＰ型半導体装置の製造装置であって、前記半導体チップの表面とその周辺部とからなる封止領域に封止樹脂を塗布する際に、前記封止領域の少なくとも一部には、インクジェット方式によって封止樹脂を塗布することを特徴とする。

このＴＣＰ型半導体装置の製造装置において、前記封止領域内の位置に応じて、異なる量の封止樹脂を塗布するようにしてもよい。

このＴＣＰ型半導体装置の製造装置において、前記封止領域内の位置に応じて、粘度の異なる封止樹脂を塗布するようにしてもよい。

このＴＣＰ型半導体装置の製造装置において、前記封止領域の外周部に封止樹脂を塗布する際に、前記インナーリードの有無又は粗密に応じて、異なる量の封止樹脂を塗布するようにしてもよい。

このＴＣＰ型半導体装置の製造装置において、前記封止領域の外周部に封止樹脂を塗布する際に、前記インナーリードの有無又は粗密に応じて、異なる粘度の封止樹脂を塗布するようにしてもよい。

本発明のＴＣＰ型半導体装置の製造装置は、半導体チップをテープキャリアのインナーリードに接合したＴＣＰ型半導体装置の製造装置であって、前記半導体チップの表面とその周辺部とからなる封止領域に封止樹脂を塗布する際に、前記封止領域のうち、一部の領域にはインクジェット方式によって封止樹脂を塗布し、他の領域にはポッティング方式によって封止樹脂を塗布することを特徴とする。

このＴＣＰ型半導体装置の製造装置において、ＴＣＰ型半導体装置上にインクジェット方式によって文字や図形を印刷するようにしてもよい。

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。なお、以下に示す実施形態は、特許請求の範囲に記載された発明の内容を何ら限定するものではない。また、以下の実施形態に示す構成のすべてが、特許請求の範囲に記載された発明の解決手段として必須であるとは限らない。

（第１実施形態）
本発明の第１実施形態に係るＴＣＰ型半導体装置を、図１〜図３を用いて説明する。図１は、ＴＣＰ型半導体装置の平面図であり、多数のデバイスが連なった長尺のＴＣＰ型半導体装置のうちの一部（デバイス３つ分）を示している。図２は、その要部（１つのデバイス）の拡大図であり、図３は、そのＡ−Ａ断面図である。なお、いずれの図においても、半導体チップの表面やその周辺を樹脂封止する前の状態を示している。

図１に示すように、ＴＣＰ型半導体装置１は、テープ状のポリイミドフィルム等からなるベースフィルム１０と、ベースフィルム１０上に積層されたＣｕ等からなる金属膜をパターニングして形成された配線１１とを有するテープキャリア１２に対して、半導体チップ１３を搭載することにより形成される。テープキャリア１２は、所定の間隔で同一のパターニングがなされており、半導体チップ１３も同一の間隔で搭載されている。また、テープキャリア１２の両端には、多数のスプロケットホール１４が設けられ、製造時の搬送等に用いられる。

図２に示すように、ベースフィルム１０には、半導体チップ１３よりも大きなデバイスホール１５が設けられ、その内側に半導体チップ１３が搭載されている。また、ベースフィルム１０上にパターニングされた配線１１の一端は、インナーリード１１ａとして、デバイスホール１５の内側に延出しており、ＳｎやＡｕ等のメッキ処理がなされている。本実施形態では、半導体チップ１３の上辺側及び下辺側において、比較的粗いピッチでインナーリード１１ａが延出している。インナーリード１１ａは、半導体チップ１３上に形成されたはんだやＡｕ等からなるバンプ１６（図３参照）と熱圧着により接合されている。配線１１の他端側は、ベースフィルム１０上に設けられた開口部１７を横切るように配置されている。開口部１７上の配線１１は、ＳｎやＡｕ等のメッキ処理がなされ、他の回路基板等へ接続されるアウターリード１１ｂとなる。

上記のように構成されたＴＣＰ型半導体装置１は、半導体チップ１３とインナーリード１１ａとが熱圧着により接合された後、半導体チップ１３上及びその周辺部からなる封止領域Ｒｚに、エポキシ樹脂等の液状の樹脂からなる封止樹脂が塗布される。その後、境界線１８に沿って外形が切断されて、電子機器等へ実装される。

次に、上記のＴＣＰ型半導体装置１に封止樹脂を塗布する製造装置としての封止装置について、図４〜図６を用いて説明する。図４は、本発明の第１実施形態に係る封止装置の概略構成を示す模式図である。また、図５は封止装置に備えられたヘッドの斜視図であり、図６はその側断面図である。

図４に示すように、封止装置２は、テープ供給部３０、樹脂塗布部４０、仮キュア部５０及びテープ巻取部６０を備えている。以下に、封止装置２の構成をＴＣＰ型半導体装置１の流れに沿って説明する。

テープ供給部３０には、長尺のＴＣＰ型半導体装置１が保護用のスペーサ３１に重ね合わせて巻き付けられたリール３２が搭載されている。ＴＣＰ型半導体装置１は、後述するテープ駆動モータ６３の駆動によって樹脂塗布部４０に送り出されるとともに、スペーサ３１は、モータ３４により他のリール３５に巻き取られる。

樹脂塗布部４０では、テープ供給部３０から送り出されたＴＣＰ型半導体装置１が、ガイドローラ４１を経てステージ４２上に導かれる。ステージ４２は、複数の半導体チップ１３が搭載できるように十分な長さを持ち、さらに、これらの半導体チップ１３の裏面を真空で吸着することができるようになっている。

ステージ４２の上方には、キャリッジ４３が備えられている。キャリッジ４３は、図示しない３つのキャリッジ駆動モータ４３ｘ，４３ｙ，４３ｚによって駆動され、それぞれＸ方向（テープ幅方向）、Ｙ方向（テープ長尺方向）、Ｚ方向（上下方向）に移動可能になっている。また、キャリッジ４３には、３つのインクジェットヘッド（以下、ヘッドという）４４ａ，４４ｂ，４４ｃが備えられている。各ヘッド４４ａ，４４ｂ，４４ｃは、Ｘ方向に１列並んだ多数のノズル孔（図示せず）をそれぞれ有しており、これらのノズル孔から、ステージ４２上のＴＣＰ型半導体装置１に対して、インクジェット方式によって液体を吐出することができる。各ヘッド４４ａ，４４ｂ，４４ｃはチューブ４５ａ，４５ｂ，４５ｃを介してタンク４６ａ，４６ｂ，４６ｃとそれぞれ連通しており、タンク４６ａ，４６ｂ，４６ｃ内からヘッド４４ａ，４４ｂ，４４ｃに対して液体が供給される。また、タンク４６ａ，４６ｂ，４６ｃは、ヘッド４４ａ，４４ｂ，４４ｃの各ノズルから液体が漏出するのを防ぐため、ヘッド４４ａ，４４ｂ，４４ｃよりも低い位置に設置されている。なお、本実施形態では、タンク４６ａには、粘度がやや高い液体の封止樹脂Ｌａが収容されており、ヘッド４４ａから吐出される。また、タンク４６ｂには、粘度がやや低い液体の封止樹脂Ｌｂが収容されており、ヘッド４４ｂから吐出される。一方、タンク４６ｃには、ロットナンバ印字用のインクＬｃが収容されており、ヘッド４４ｃから吐出される。なお、キャリッジ４３の駆動や、各ヘッド４４ａ，４４ｂ，４４ｃからの封止樹脂Ｌａ，ＬｂやインクＬｃの吐出は、制御部９０（図７参照）によって制御されている。また、キャリッジ４３には、位置検出センサ８９（図７参照）が備えられており、ステージ４２上にあるデバイスの位置を検出することができるようになっている。本実施形態では、位置検出センサ８９として、ＣＣＤカメラを用いており、ベースフィルム１０上に配線１１等と同時にパターニングされて形成される認識マーク（図示せず）を検出することによって、デバイスの位置を特定することができる。樹脂塗布部４０で封止樹脂等が塗布されたＴＣＰ型半導体装置１は、仮キュア部５０に送られる。

仮キュア部５０では、ＴＣＰ型半導体装置１は、２つのガイドローラ５１，５２を順次通過し、塗布された封止樹脂等が図示しないヒータによって熱せられて仮乾燥される。その後、ＴＣＰ型半導体装置１は、さらに２つのガイドローラ５３，５４を通過した後に、テープ巻取部６０に送られる。

テープ巻取部６０では、仮乾燥されたＴＣＰ型半導体装置１が、リール６１から供給されるスペーサ６２と重ね合わされて、テープ駆動モータ６３の駆動によりリール６４に巻き取られる。

なお、ＴＣＰ型半導体装置１の前後には十分な長さのダミーテープが接続されているため、先頭から最後尾の全てのデバイスに対して樹脂を塗布することが可能となっている。

ここで、本実施形態に用いるヘッド４４ａ，４４ｂ，４４ｃの構造の一例を図５及び図６に示す。ヘッド４４ａは、図５に示すように、例えばステンレス製のノズルプレート７１と振動板７２とを備え、両者は仕切部材（リザーバプレート）７３を介して接合されている。ノズルプレート７１と振動板７２との間には、仕切部材７３によって複数の空間７４と液溜まり７５とが形成されている。各空間７４と液溜まり７５の内部は液体の封止樹脂Ｌａで満たされており、各空間７４と液溜まり７５とは供給口７６を介して連通している。さらに、ノズルプレート７１には、各空間７４から液体の封止樹脂Ｌａを噴射するためのノズル孔７７が設けられている。一方、振動板７２には、タンク４６ａからチューブ４５ａを介して、液溜まり７５に封止樹脂Ｌａを供給するための孔７８が形成されている。

また、図６に示すように、振動板７２の空間７４に対向する面と反対側の面上には圧電素子７９が接合されている。この圧電素子７９は一対の電極８０の間に位置し、通電すると圧電素子７９が外側に突出するように撓曲し、同時に圧電素子７９が接合されている振動板７２も一体となって外側に撓曲する。これによって空間７４の容積が増大する。したがって、空間７４内に増大した容積分に相当する封止樹脂Ｌａが液溜まり７５から供給口７６を介して流入する。次に、圧電素子７９への通電を解除すると、圧電素子７９と振動板７２はともに元の形状に戻る。これにより、空間７４も元の容積に戻るため、空間７４内部の封止樹脂Ｌａの圧力が上昇し、ノズル孔７７からＴＣＰ型半導体装置１に向けて封止樹脂Ｌａの液滴が吐出される。

なお、ヘッド４４ｂ及びヘッド４４ｃについても、内部に収容される液体がそれぞれ封止樹脂Ｌｂ及び印字用のインクＬｃであること以外は、ヘッド４４ａとほぼ同一の構成になっている。

次に、封止装置２の制御方法について図７〜図９を用いて説明する。図７は、封止装置２の樹脂塗布部４０の制御に係る回路ブロック図である。また、図８は、図１及び図２に示したＴＣＰ型半導体装置１に封止樹脂を塗布する様子を示す説明図であり、図９は、そのＢ−Ｂ断面図である。

図７に示すように、制御部９０は、ＣＰＵ８１、ＲＯＭ８２、ＲＡＭ８３を有しており、これらはマイクロコンピュータ８４を構成している。ＲＯＭ８２には、ＣＰＵ８１により実行される制御プログラムが記憶されており、ＲＡＭ８３には、ＣＰＵ８１の制御プログラム（ソフトウェア）実行による処理の前後のデータ等が一時記憶される。さらに、制御部９０は、ヘッド４４ａ，４４ｂ，４４ｃの圧電素子をそれぞれ駆動するヘッド駆動回路８６ａ，８６ｂ，８６ｃ、キャリッジ駆動モータ４３ｘ，４３ｙ，４３ｚをそれぞれ駆動するキャリッジ駆動回路８７ｘ，８７ｙ，８７ｚ及びＴＣＰ型半導体装置１の搬送を行うテープ駆動モータ６３を駆動するためのテープ駆動回路８８を有している。これらの駆動回路８６ａ，８６ｂ，８６ｃ，８７ｘ，８７ｙ，８７ｚ，８８はＣＰＵ８１に接続されており、ＣＰＵ８１からの命令に従ってテープの搬送、キャリッジの移動、封止樹脂等の吐出が行われる。また、ＣＰＵ８１には、キーボード等の入力手段８５が接続されており、ＴＣＰ型半導体装置１の各種情報が入力される。さらに、ＣＰＵ８１には、キャリッジ上に備えられた位置検出センサ８９が接続され、ステージ４２上のデバイスの位置を知ることができる。

上記の制御部９０によって、封止装置２は以下のように制御される。

まず、オペレータがＴＣＰ型半導体装置１に関する情報を入力手段８５により入力する。ここで、入力する情報とは、半導体チップ１３の位置・サイズ・搭載ピッチ、半導体チップ１３の各辺に接続されるインナーリード１１ａの本数・ピッチ・ギャップ、そして、印字するロットナンバ等の情報である。ＣＰＵ８１は、入力手段８５から上記の情報を受け取ると、半導体チップ１３の位置やサイズから、封止樹脂を塗布する封止領域Ｒｚを決定する。さらに、インナーリード１１ａの本数、ピッチ、ギャップ等の情報から、封止領域Ｒｚの外周部Ｒｏに塗布すべき封止樹脂の粘度を選定し、その吐出量（１ヶ所あたりへの吐出回数）を決定する。ＣＰＵ８１によって決定されたこれらの制御データはＲＡＭ８３に記憶される。なお、本実施形態では、１度に３個の半導体チップ１３がステージ４２上に搭載可能である。また、封止領域Ｒｚの外周部Ｒｏには、粘度の高い封止樹脂Ｌａを多量に（１ヶ所に数滴）塗布することがＣＰＵ８１によって決定される。一方、封止領域Ｒｚの中央部Ｒｉには、粘度の低い封止樹脂Ｌｂを少量（１ヶ所に１滴）塗布することが予め設定されている。

次に、ＣＰＵ８１は、テープ駆動回路８８に信号を送り、テープ駆動モータ６３を駆動して、先頭の３個のデバイスをステージ４２上に誘導する。そして、キャリッジ４３上の位置検出センサ８９で確認しながら、各半導体チップ１３をステージ４２上の所定の位置に設置し、裏面を真空で吸引して位置を固定する。次に、キャリッジ駆動回路８７ｘ，８７ｙに信号を送り、キャリッジ駆動モータ４３ｘ，４３ｙを駆動させ、ヘッド４４ａのノズルが先頭のデバイスの走査開始位置２０（図８参照）上にくるようにキャリッジ４３を移動させる。次いで、キャリッジ駆動回路８７ｚに信号を送り、キャリッジ駆動モータ４３ｚを駆動することで、キャリッジ４３を半導体チップ１３に近づけて、封止樹脂を塗布可能な状態とする。

次に、封止樹脂の塗布を開始する。走査開始位置２０は、封止領域Ｒｚの外周部Ｒｏに位置し、すべて高粘度の封止樹脂Ｌａを塗布する領域であるため、ＣＰＵ８１はヘッド駆動回路８６ａに信号を送り、ヘッド４４ａの圧電素子を駆動して、ヘッド４４ａのすべてのノズル孔７７から封止樹脂Ｌａを吐出する。次に、キャリッジ４３を反Ｙ方向に所定の距離だけ走査させ、同様に封止樹脂Ｌａを吐出する。これを何度か繰り返して、隙間がないように封止樹脂Ｌａを塗布していく。途中でヘッド４４ａが封止領域Ｒｚの外周部Ｒｏと中央部Ｒｉにまたがる位置に来た時は、外周部Ｒｏ上にあるノズル孔７７のみから封止樹脂Ｌａを吐出し、ヘッド４４ｂのノズル孔７７がこの位置に来た時には、中央部Ｒｉ上にあるノズル孔７７のみから封止樹脂Ｌｂを吐出する。このようにして封止領域Ｒｚの端部まで塗布が終われば、キャリッジ４３をＸ方向に移動させ、同様に、封止樹脂Ｌａ，Ｌｂを選択的に吐出しながらキャリッジ４３をＹ方向に走査する。上記の動作を繰り返すことにより、封止領域Ｒｚのすべての範囲に封止樹脂Ｌａ，Ｌｂが塗布される。

次に、キャリッジ４３を再度走査開始位置２０に移動し、同様にキャリッジ４３を走査しながら、封止領域Ｒｚに封止樹脂の塗布を行う。ただし、ここでは中央部Ｒｉには、すでに所定量（１ヶ所に１滴）の封止樹脂Ｌｂが塗布されているため、封止樹脂Ｌａを多量に（１ヶ所に数滴）塗布する領域（外周部Ｒｏ）にのみ塗布を行う。これを数回繰り返すことにより、外周部Ｒｏにも所定量（１ヶ所に数滴）の封止樹脂Ｌｂが塗布された時点で封止樹脂の塗布を終了する。

続いて、文字や図形としてのロットナンバ１９の印字を行う。キャリッジ４３をロットナンバ１９の先頭文字側の印字開始位置（図示せず）に移動し、キャリッジを反Ｙ方向に走査しながらヘッド４４ｃからインクＬｃを吐出することで、事前に入力されたロットナンバ１９がベースフィルム１０上に印字される。

次に、ヘッド４４ａが先頭から２番目のデバイスの走査開始位置２０にくるようにキャリッジ４３を移動させ、同様に封止樹脂Ｌａ，Ｌｂの塗布及びロットナンバ１９の印刷を行い、その後、３番目のデバイスに対しての塗布・印刷を行う。これが終わると、テープ駆動モータ６３を駆動し、次の３個のデバイスをステージ４２上に導き、同様の動作を繰り返す。これを最後尾のデバイスまで繰り返すことにより、リール３２に巻かれたＴＣＰ型半導体装置１の樹脂封止が完了する。

図９に示すように、上記のように塗布された封止樹脂は、外周部Ｒｏで多量の封止樹脂が塗布されるため、デバイスの裏面側の領域Ｒｌにも十分に樹脂が回りこむことができる。さらに、外周部Ｒｏには、粘度の高い封止樹脂Ｌａを用いているため、樹脂が封止領域Ｒｚの外側に流れ出たり、半導体チップ１３の裏面１３ａに至ったりするのを抑制することができる。

以上説明したように、本実施形態のＴＣＰ型半導体装置、その製造方法及び製造装置によれば、以下の効果を得ることができる。

（１）本実施形態によれば、封止樹脂の塗布方法が、小径の液滴を均一に吐出するインクジェット方式であるため、吐出後の樹脂の流動を前提とするポッティング方式と比べて、塗布後の封止樹脂の形状や厚さを所望の状態にすることが可能となる。例えば、位置に応じて適量の樹脂を塗布することが可能となるため、封止領域Ｒｚの外側に封止樹脂が流れ出すのを抑制することが可能となるうえ、封止領域Ｒｚ内に留まった封止樹脂が極端な凸部を形成したり、半導体チップ１３の裏面１３ａに至ったりするのを抑制することが可能となる。従って、塗布された封止樹脂の範囲や高さを最小限に抑えたＴＣＰ型半導体装置を得ることができる。

（２）本実施形態によれば、封止領域Ｒｚの外周部Ｒｏでは、多量の封止樹脂を塗布し、中央部Ｒｉでは、少量の封止樹脂を塗布している。このため、外周部Ｒｏでは、デバイスの裏面側の領域Ｒｌにも十分に樹脂が回り込むことが可能となるうえ、中央部Ｒｉには少量の樹脂しか塗布されないので、中央部Ｒｉに塗布された封止樹脂が外周部Ｒｏや、さらにはその外側に流れ出すのを抑制することが可能となる。

（３）本実施形態によれば、封止領域Ｒｚの外周部Ｒｏには、粘度がやや高い封止樹脂Ｌａを塗布しているため、樹脂が封止領域Ｒｚの外側に流れ出たり、半導体チップ１３の裏面１３ａに至ったりするのを抑制することが可能となる。一方、封止領域Ｒｚの中央部Ｒｉには、粘度がやや低い封止樹脂Ｌｂを塗布しているため、塗布後に隙間なく広がりやすく、少ない樹脂量で確実な封止をすることが可能となる。

（４）本実施形態によれば、樹脂封止の装置がロットナンバの印字の機能をも備えているため、印字のための装置や工程が不要となり、製造時間を短縮し、コストを削減することが可能となる。

（第２実施形態）
本発明の第２実施形態を、図１０及び図１１を用いて説明する。なお、第１実施形態と同一の構成要素には同一の符号を付し、その説明は省略する。図１０及び図１１は、ＴＣＰ型半導体装置の要部（１つのデバイス）の平面図であり。図１０は、樹脂封止する前の状態を、図１１は、樹脂封止した後の状態を示している。

図１０に示すように、このＴＣＰ型半導体装置１において、半導体チップ１３の下辺側では、第１実施形態と同様、インナーリード１１ａが粗いピッチでデバイスホール１５の内側に延出しており、半導体チップ１３に接続されている。一方、半導体チップ１３の上辺側では、多数の配線２１が形成されており、これらのインナーリード２１ａが狭いピッチでデバイスホール１５の内側に延出され、半導体チップ１３に接続されている。なお、ベースフィルム１０上に形成されたアウターリード２１ｂには、ＳｎやＡｕ等のメッキ処理がなされており、外形切断後に液晶表示パネル等に接続される。

このＴＣＰ型半導体装置１に封止樹脂を塗布する際には、第１実施形態と同様の装置で行われ、制御部９０によって以下のような制御がなされる。

ＣＰＵ８１は、入力手段８５からこのＴＣＰ型半導体装置１の情報を受け取ると、封止領域Ｒｚの外周部Ｒｏの中でも、インナーリード１１ａのピッチが粗い下辺側の領域Ｒｃ（図１１参照）と、インナーリードがない左右の領域Ｒｂ，Ｒｄには、第１実施形態と同様に、粘度の高い封止樹脂Ｌａを多量に（１ヶ所に数滴）塗布するよう決定する。しかし、インナーリード２１ａのピッチが狭い上辺側の領域Ｒａには、中央部Ｒｉと同様に、粘度の低い封止樹脂Ｌｂを塗布するように決定する。また、領域Ｒａへの塗布量は、中央部Ｒｉへの塗布量（１ヶ所に１滴）よりも多いが、他の外周部の領域Ｒｂ，Ｒｃ，Ｒｄへの塗布量（１ヶ所に数滴）よりは少なく設定する。

上記以外は、第１実施形態と同様の制御により、図１１に示すＴＣＰ型半導体装置が完成する。

以上説明したように、本実施形態のＴＣＰ型半導体装置、その製造方法及び製造装置によれば、上記第１実施形態の効果に加えて、以下の効果を得ることができる。

（１）本実施形態によれば、封止領域Ｒｚの外周部Ｒｏにおいて、インナーリードのピッチが粗い領域Ｒｃやインナーリードがない領域Ｒｂ，Ｒｄには、高い粘度の封止樹脂Ｌａを用い、多数のインナーリードが狭いピッチで存在する領域Ｒａには、低い粘度の封止樹脂Ｌｂを用いている。このため、インナーリードが密に存在している領域Ｒａの裏面にも十分に樹脂が回りこむことが可能となる。

（２）本実施形態によれば、封止領域Ｒｚの外周部Ｒｏにおいて、インナーリードのピッチが粗い領域Ｒｃやインナーリードがない領域Ｒｂ，Ｒｄには、多量の封止樹脂を塗布し、多数のインナーリードが狭いピッチで存在する領域Ｒａには、それよりも少ない量の封止樹脂を塗布している。このため、インナーリードが密に存在する領域Ｒａ上に、極端な凸部が形成されるのを抑制することが可能になるうえ、粘度が低い封止樹脂Ｌｂを用いても、封止樹脂が封止領域Ｒｚの外側へ流れ出したり、半導体チップ１３の裏面１３ａへ至ったりするのを抑制することが可能となる。

（第３実施形態）
本発明の第３実施形態を、図１２〜図１４を用いて説明する。なお、第１又は第２実施形態と同一の構成要素には同一の符号を付し、その説明は省略する。図１２は、本発明の第３実施形態に係る製造装置としての封止装置の概略構成を示す模式図であり、図１３は、この封止装置の樹脂塗布部４０の制御に係る回路ブロック図である。

図１２に示すように、封止装置２は、樹脂塗布部４０のキャリッジ４３上に、ポッティング用のシリンジ４７を有している。シリンジ４７にはヘッド４４ｂと同様、比較的粘度の低い封止樹脂Ｌｂが収容されており、同一の封止樹脂Ｌｂが収容されたタンク４６ｄからチューブ４５ｄを介して封止樹脂を補充できるようになっている。また、樹脂塗布部４０には、ディスペンサ４８が備えられており、ディスペンサ４８からエアチューブ４９を介してシリンジ４７内に圧力を加えることにより、シリンジ４７の先端のノズルから封止樹脂が吐出される。また、図１３に示すように、制御部９０の構成は、ほぼ第１実施形態と同等であるが、ＣＰＵ８１がディスペンサ４８を制御できるようになっている。

次に、この封止装置２を用いた封止樹脂の塗布について説明する。図１４は、図１０（第２実施形態）に示したＴＣＰ型半導体装置に封止樹脂を塗布する様子を示す説明図である。

ＣＰＵ８１は、入力手段８５からこのＴＣＰ型半導体装置１の情報を受け取ると、第２実施形態と同様、封止領域Ｒｚの外周部の中でも、インナーリード１１ａのピッチが粗い下辺側の領域Ｒｃと、インナーリードがない左右の領域Ｒｂ，Ｒｄには、粘度の高い封止樹脂Ｌａを多量に（１ヶ所に数滴）塗布するよう決定し、インナーリード２１ａのピッチが狭い上辺側の領域Ｒａには、粘度の低い封止樹脂Ｌｂを塗布するように決定する。また、領域Ｒａへの塗布量は、他の領域Ｒｂ，Ｒｃ，Ｒｄへの塗布量（１ヶ所に数滴）よりは少なく設定する。そして、ヘッド４４ａ，４４ｂから、インクジェット方式により封止領域Ｒｚに封止樹脂Ｌａ，Ｌｂを選択的に塗布する。ただし、本実施形態では、インクジェット方式で封止樹脂を塗布するのは、外周部Ｒｏ（領域Ｒａ，Ｒｂ，Ｒｃ，Ｒｄ）のみであり、中央部Ｒｉには塗布しない。そのため、インクジェット方式による塗布が終了した時点では、封止樹脂は枠状に塗布され、中央部Ｒｉが露出した状態となる。

次に、露出した中央部Ｒｉに対してポッティング方式により封止樹脂Ｌｂを塗布する。ポッティング用のシリンジ４７のノズルが、ポッティング開始位置２２の上方にくるようにキャリッジ４３を移動させ、さらにキャリッジ４３を下方に下げてノズルをデバイスに近づける。次いで、ＣＰＵ８１は、ディスペンサ４８に対して信号を送り、封止樹脂Ｌｂの吐出を始めるとともに、吐出をしながらキャリッジ４３をＸ方向に移動させる。そして、ノズルが中央部ＲｉのＸ方向端まできたら、吐出を止め、キャリッジ４３を所定量だけ反Ｙ方向に移動させる。その後、再度封止樹脂を吐出しながらキャリッジ４３を反Ｘ方向に移動させて、中央部Ｒｉへの封止樹脂Ｌｂの塗布を完了する。

以上説明したように、本実施形態のＴＣＰ型半導体装置、その製造方法及び製造装置によれば、上記第１及び第２実施形態の効果に加えて、以下の効果を得ることができる。

本実施形態によれば、中央部Ｒｉには、ポッティング方式で封止樹脂を塗布しているため、簡単に樹脂封止を行うことが可能となる。一方、外周部Ｒｏには、インクジェット方式で封止樹脂を塗布しているため、封止領域Ｒｚの外側に封止樹脂が流れ出すのを抑制することが可能となるうえ、封止領域Ｒｚ内に留まった封止樹脂が極端な凸部を形成したり、半導体チップ１３の裏面１３ａに至ったりするのを抑制することが可能となる。

（第４実施形態）
本発明の第４実施形態を、図１５を用いて説明する。なお、第１〜第３実施形態と同一の構成要素には同一の符号を付し、その説明は省略する。図１５は、図１及び図２（第１実施形態）に示したＴＣＰ型半導体装置１に封止樹脂を塗布する様子を示す説明図である。封止装置２やその制御部９０は、第３実施形態と同一のものを使用するが、ポッティング用のシリンジ４７やタンク４６ｄには、比較的粘度の高い封止樹脂Ｌａが収容されている。

本実施形態による樹脂封止は、封止領域Ｒｚの外周部Ｒｏにはポッティング方式で行い、中央部Ｒｉには、インクジェット方式によって行う。まず、ポッティング用のシリンジ４７のノズルが、ポッティング開始位置２２の上方にくるようにキャリッジ４３を移動させ、さらにキャリッジ４３を下方に下げてノズルをデバイスに近づける。次いで、ＣＰＵ８１は、ディスペンサ４８に対して信号を送り、封止樹脂Ｌａの吐出を始めるとともに、吐出をしながらキャリッジ４３をＸ方向に移動させる。そして、ノズルが外周部ＲｏのＸ方向端まできたら、キャリッジ４３を反Ｙ方向に移動し、その後、反Ｘ方向、Ｙ方向と順次移動させて、再びポッティング開始位置２２の近傍に戻ったところで吐出を止める。これにより、封止領域Ｒｚの外周部Ｒｏの塗布が完了する。次に、中央部Ｒｉを、第１実施形態と同様、粘度の低い封止樹脂Ｌｂをインクジェット方式によって少量（１ヶ所に１滴）塗布する。

上記のように、封止樹脂の塗布が終了した後に、文字や図形としてのロットナンバ１９の印刷を行う。本実施形態では、ベースフィルム１０上ではなく、樹脂封止した封止領域Ｒｚ内に印刷を行っている。

以上説明したように、本実施形態のＴＣＰ型半導体装置、その製造方法及び製造装置によれば、上記第１〜第３実施形態の効果に加えて、以下の効果を得ることができる。

（１）本実施形態によれば、外周部Ｒｏには、ポッティング方式で封止樹脂を塗布している。このため、半導体チップ１３とデバイスホール１５の隙間や、各インナーリード１１ａ間の隙間が、ヘッド４４ａ，４４ｂのノズル径に対して大きい場合にも、吐出された封止樹脂がその隙間から貫通することはない。さらに、中央部Ｒｉには、少量の封止樹脂をインクジェット方式で塗布しているため、中央部Ｒｉに塗布された封止樹脂が外周部Ｒｏや、さらにはその外側に流れ出すのを抑制することが可能となる。

（２）本実施形態によれば、ロットナンバ１９の印刷を、ベースフィルム１０上ではなく、封止領域Ｒｚ内に行っている。このため、ベースフィルム１０上に印刷のためのスペースが不要となり、デバイスを小型化することが可能となる。

（変形例）
なお、本発明の実施形態は、以下のように変更してもよい。

・前記実施形態では、図８に示すように、キャリッジ４３を４回の走査（２往復）で、封止領域Ｒｚ内を塗布しているが、より多数のノズル孔７７を備えたインクジェットヘッドを用いれば、封止領域Ｒｚ内を１回の走査で塗布することも可能である。

・前記実施形態では、封止樹脂を多量に（１ヶ所に数滴）塗布する際に、封止領域Ｒｚ内の全面に１滴ずつ塗布する工程を繰り返しているが、これを、１度に数滴ずつ塗布しながらキャリッジ４３を走査してもよい。或いは、走査開始位置２０から反Ｙ方向に１滴ずつ塗布し終わった後に、キャリッジ４３をＸ方向に移動させず、Ｙ方向、反Ｙ方向を往復移動しながら１滴ずつ塗布し、所定量の塗布が完了した後にキャリッジ４３をＸ方向に移動させてもよい。

・前記実施形態では、封止樹脂を塗布する際に、キャリッジ４３を走査開始位置２０に移動し、その後、封止樹脂の吐出とキャリッジ４３の走査を繰り返しているが、これを、走査開始位置２０よりもＹ方向に離れた位置から走査を開始し、キャリッジ４３を一定速度で走査しながら、所定の位置への吐出をしてもよい。これによれば、封止樹脂の塗布に要する時間を短縮することが可能となる。

・前記実施形態では、ヘッド４４ａ，４４ｂ，４４ｃは、それぞれ１列のノズル孔７７を備えているが、それぞれ複数列のノズル孔７７を備えていてもよい。これによれば、キャリッジ４３が一定速度で走査しながら封止樹脂の吐出をする場合でも、１回の走査で多量（１ヶ所に数滴）の封止樹脂を塗布することも可能となり、封止樹脂の塗布に要する時間をさらに短縮することが可能となる。

・前記実施形態では、ＴＣＰ型半導体装置１上にロットナンバ１９の印刷を行っているが、これは、製品名称やロゴマーク等、他の文字や記号、図形等であってもよい。

・前記実施形態のステージ４２は、ＴＣＰ型半導体装置１を加熱する機能を備えていてもよい。これによれば、塗布された封止樹脂をより早く乾燥することが可能となる。

・前記実施形態では、封止領域Ｒｚは単純な長方形形状をしているが、これを、他の形状にしてもよい。インクジェット方式による塗布では、複雑な形状にすることも容易に実現可能である。

・前記実施形態では、封止領域Ｒｚを中央部Ｒｉと外周部Ｒｏの大きく２つに区分しているが、より細かな区分をして塗布量や粘度を使い分ければ、より本発明の効果を発揮させることができる。

・前記実施形態では、圧電素子の撓曲を利用してインクを吐出する構造のインクジェットヘッド４４ａ，４４ｂ，４４ｃを用いたが、他の任意の構造のインクジェットヘッド、例えば加熱により発生するバブルによりインクを吐出する方式のインクジェットヘッドなどを用いることもできる。

次に、前記実施形態及び変形例から把握できる技術的思想について、それらの効果とともに以下に追記する。

（１）請求項１９に記載のＴＣＰ型半導体装置の製造装置において、前記封止領域の外周部には、インクジェット方式によって封止樹脂を塗布し、前記封止領域の中央部には、ポッティング方式によって封止樹脂を塗布することを特徴とするＴＣＰ型半導体装置の製造装置。

これによれば、封止領域の外周部への塗布方法が、小径の液滴を均一に塗布するインクジェット方式であるため、吐出後の樹脂の流動を前提とするポッティング方式と比べて、樹脂が極端な凸部を形成したり、封止領域の外側に流れ出したりするのを抑制することが可能となる。従って、塗布後の封止樹脂の形状や厚さを所望の状態にすることが可能となる。

（２）前記技術的思想（１）に記載のＴＣＰ型半導体装置の製造装置において、前記封止領域の外周部に封止樹脂を塗布する際に、前記インナーリードの有無又は粗密に応じて、異なる量の封止樹脂を塗布することを特徴とするＴＣＰ型半導体装置の製造装置。

これによれば、インナーリードの有無や粗密に応じて適切な量の封止樹脂を塗布することが可能となる。例えば、インナーリードが密に存在している領域には、インナーリードがない領域やインナーリードが粗く存在している領域よりも少ない封止樹脂を塗布することにより、インナーリード上に極端な凸部が形成されるのを抑制することが可能となる。さらに、粘度の低い封止樹脂を用いた場合にも、封止樹脂が封止領域の外側に流れ出たり、半導体チップの裏面に至ってしまったりするのを抑制することが可能となる。

（３）前記技術的思想（１）又は（２）に記載のＴＣＰ型半導体装置の製造装置において、前記封止領域の外周部に封止樹脂を塗布する際に、前記インナーリードの有無又はピッチに応じて、異なる粘度の封止樹脂を塗布することを特徴とするＴＣＰ型半導体装置の製造装置。

（４）請求項１９に記載のＴＣＰ型半導体装置の製造装置において、前記封止領域の外周部には、ポッティング方式によって封止樹脂を塗布し、前記封止領域の中央部には、インクジェット方式によって封止樹脂を塗布することを特徴とするＴＣＰ型半導体装置の製造装置。

（５）請求項２０に記載のＴＣＰ型半導体装置の製造装置において、前記封止領域内に封止樹脂を塗布した後に、前記封止領域内にインクジェット方式によって文字や図形を印刷することを特徴とするＴＣＰ型半導体装置の製造装置。

第１実施形態のＴＣＰ型半導体装置の平面図。図１の要部の拡大図。図２のＡ−Ａ断面図。第１実施形態の封止装置の概略構成を示す模式図。封止装置に備えられたヘッドの斜視図。図５の側断面図。第１実施形態の封止装置の樹脂塗布部の制御に係る回路ブロック図。第１実施形態のＴＣＰ型半導体装置に封止樹脂を塗布する様子を示す説明図。図８のＢ−Ｂ断面図。第２実施形態のＴＣＰ型半導体装置における樹脂封止前の要部の平面図。第２実施形態のＴＣＰ型半導体装置における樹脂封止後の要部の平面図。第３実施形態の封止装置の概略構成を示す模式図。第３実施形態の封止装置の樹脂塗布部の制御に係る回路ブロック図。第３実施形態のＴＣＰ型半導体装置に封止樹脂を塗布する様子を示す説明図。第４実施形態のＴＣＰ型半導体装置に封止樹脂を塗布する様子を示す説明図。

符号の説明

１…ＴＣＰ型半導体装置、２…製造装置としての封止装置、１０…ベースフィルム、１１，２１…配線、１１ａ，２１ａ…インナーリード、１１ｂ，２１ｂ…アウターリード、１２…テープキャリア、１３…半導体チップ、１３ａ…半導体チップの裏面、１４…スプロケットホール、１５…デバイスホール、１６…バンプ、１７…開口部、１８…境界線、１９…文字や図形としてのロットナンバ、２０…走査開始位置、２２…ポッティング開始位置、３０…テープ供給部、３１，６２…スペーサ、３２，３５，６１，６４…リール、３４…モータ、４０…樹脂塗布部、４１，５１，５２，５３，５４…ガイドローラ、４２…ステージ、４３…キャリッジ、４３ｘ，４３ｙ，４３ｚ…キャリッジ駆動モータ、４４ａ，４４ｂ，４４ｃ…インクジェットヘッド、４５ａ，４５ｂ，４５ｃ，４５ｄ…チューブ、４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄ…タンク、４７…シリンジ、４８…ディスペンサ、４９…エアチューブ、５０…仮キュア部、６０…テープ巻取部、６３…テープ駆動モータ、７１…ノズルプレート、７２…振動板、７３…仕切部材、７４…空間、７５…液溜まり、７６…供給口、７７…ノズル孔、７８…孔、７９…圧電素子、８０…電極、８１…ＣＰＵ、８２…ＲＯＭ、８３…ＲＡＭ、８４…マイクロコンピュータ、８５…入力手段、８６ａ，８６ｂ，８６ｃ…ヘッド駆動回路、８７ｘ，８７ｙ，８７ｚ…キャリッジ駆動回路、８８…テープ駆動回路、８９…位置検出センサ、９０…制御部、Ｌａ，Ｌｂ…封止樹脂、Ｌｃ…インク、Ｒｚ…封止領域、Ｒｉ…中央部、Ｒｏ…外周部、Ｒａ，Ｒｂ，Ｒｃ，Ｒｄ、Ｒｌ…領域。

Claims

半導体チップをテープキャリアのインナーリードに接合したＴＣＰ型半導体装置の製造方法であって、前記半導体チップの表面とその周辺部とからなる封止領域に封止樹脂を塗布する際に、前記封止領域の少なくとも一部には、インクジェット方式によって封止樹脂を塗布することを特徴とするＴＣＰ型半導体装置の製造方法。
請求項１に記載のＴＣＰ型半導体装置の製造方法において、前記封止領域内の位置に応じて、異なる量の封止樹脂を塗布することを特徴とするＴＣＰ型半導体装置の製造方法。
請求項１又は２に記載のＴＣＰ型半導体装置の製造方法において、前記封止領域内の位置に応じて、粘度の異なる封止樹脂を塗布することを特徴とするＴＣＰ型半導体装置の製造方法。
請求項１〜３のいずれか１項に記載のＴＣＰ型半導体装置の製造方法において、前記封止領域の外周部に封止樹脂を塗布する際に、前記インナーリードの有無又は粗密に応じて、異なる量の封止樹脂を塗布することを特徴とするＴＣＰ型半導体装置の製造方法。
請求項１〜４のいずれか１項に記載のＴＣＰ型半導体装置の製造方法において、前記封止領域の外周部に封止樹脂を塗布する際に、前記インナーリードの有無又は粗密に応じて、異なる粘度の封止樹脂を塗布することを特徴とするＴＣＰ型半導体装置の製造方法。
半導体チップをテープキャリアのインナーリードに接合したＴＣＰ型半導体装置の製造方法であって、前記半導体チップの表面とその周辺部とからなる封止領域に封止樹脂を塗布する際に、前記封止領域のうち、一部の領域にはインクジェット法によって封止樹脂を塗布し、他の領域にはポッティング法によって封止樹脂を塗布することを特徴とするＴＣＰ型半導体装置の製造方法。
請求項６に記載のＴＣＰ型半導体装置の製造方法において、前記封止領域の外周部には、インクジェット方式によって封止樹脂を塗布し、前記封止領域の中央部には、ポッティング方式によって封止樹脂を塗布することを特徴とするＴＣＰ型半導体装置の製造方法。
請求項７に記載のＴＣＰ型半導体装置の製造方法において、前記封止領域の外周部に封止樹脂を塗布する際に、前記インナーリードの有無又は粗密に応じて、異なる量の封止樹脂を塗布することを特徴とするＴＣＰ型半導体装置の製造方法。
請求項７又は８に記載のＴＣＰ型半導体装置の製造方法において、前記封止領域の外周部に封止樹脂を塗布する際に、前記インナーリードの有無又は粗密に応じて、異なる粘度の封止樹脂を塗布することを特徴とするＴＣＰ型半導体装置の製造方法。
請求項６に記載のＴＣＰ型半導体装置の製造方法において、前記封止領域の外周部には、ポッティング方式によって封止樹脂を塗布し、前記封止領域の中央部には、インクジェット方式によって封止樹脂を塗布することを特徴とするＴＣＰ型半導体装置の製造方法。
請求項１〜１０のいずれか１項に記載のＴＣＰ型半導体装置の製造方法において、ＴＣＰ型半導体装置上にインクジェット方式によって文字や図形を印刷することを特徴とするＴＣＰ型半導体装置の製造方法。
請求項１１に記載のＴＣＰ型半導体装置の製造方法において、前記封止領域内に封止樹脂を塗布した後に、前記封止領域内にインクジェット方式によって文字や図形を印刷することを特徴とするＴＣＰ型半導体装置の製造方法。
請求項１〜１２のいずれか１項に記載のＴＣＰ型半導体装置の製造方法によって製造されたＴＣＰ型半導体装置であって、前記半導体チップの表面とその周辺部とからなる封止領域の少なくとも一部には、封止樹脂がインクジェット方式によって塗布されていることを特徴とするＴＣＰ型半導体装置。
半導体チップをテープキャリアのインナーリードに接合したＴＣＰ型半導体装置の製造装置であって、前記半導体チップの表面とその周辺部とからなる封止領域に封止樹脂を塗布する際に、前記封止領域の少なくとも一部には、インクジェット方式によって封止樹脂を塗布することを特徴とするＴＣＰ型半導体装置の製造装置。
請求項１４に記載のＴＣＰ型半導体装置の製造装置において、前記封止領域内の位置に応じて、異なる量の封止樹脂を塗布することを特徴とするＴＣＰ型半導体装置の製造装置。
請求項１４又は１５に記載のＴＣＰ型半導体装置の製造装置において、前記封止領域内の位置に応じて、粘度の異なる封止樹脂を塗布することを特徴とするＴＣＰ型半導体装置の製造装置。
請求項１４〜１６のいずれか１項に記載のＴＣＰ型半導体装置の製造装置において、前記封止領域の外周部に封止樹脂を塗布する際に、前記インナーリードの有無又は粗密に応じて、異なる量の封止樹脂を塗布することを特徴とするＴＣＰ型半導体装置の製造装置。
請求項１４〜１７のいずれか１項に記載のＴＣＰ型半導体装置の製造装置において、前記封止領域の外周部に封止樹脂を塗布する際に、前記インナーリードの有無又は粗密に応じて、異なる粘度の封止樹脂を塗布することを特徴とするＴＣＰ型半導体装置の製造装置。
半導体チップをテープキャリアのインナーリードに接合したＴＣＰ型半導体装置の製造装置であって、前記半導体チップの表面とその周辺部とからなる封止領域に封止樹脂を塗布する際に、前記封止領域のうち、一部の領域にはインクジェット方式によって封止樹脂を塗布し、他の領域にはポッティング方式によって封止樹脂を塗布することを特徴とするＴＣＰ型半導体装置の製造装置。
請求項１４〜１９のいずれか１項に記載のＴＣＰ型半導体装置の製造装置において、ＴＣＰ型半導体装置上にインクジェット方式によって文字や図形を印刷することを特徴とするＴＣＰ型半導体装置の製造装置。