JP2005099851A - Pattern forming method and method for manufacturing integrated circuit - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pattern forming method capable of reducing deformation of a pattern under an influence of optical proximity effect in a process of manufacturing an integrated circuit. <P>SOLUTION: The method comprises: (a) generating design data for a circuit pattern; (b) generating an optical projection image in pattern transfer according to the design data, predicting the size of a pattern to be transferred to a wafer according to the projection image, calculating the difference between the predicted size of the pattern and the size of a pattern based upon the design data, and using the calculated difference as a correction quantity to correct the design data, and thus generating corrected data wherein optical proximity effect generated in pattern transfer to a wafer is corrected; (c) forming a mask pattern based upon the corrected data; (d) transferring the mask pattern to the wafer by performing exposure through the mask pattern; and (e) processing the wafer according to the transferred mask pattern. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

この発明は、集積回路等の製造に用いられる設計データの光近接効果を補正してパタンを形成するパタン形成方法に関する。また、この発明は、このようなパタン形成方法を用いた集積回路の製造方法にも関する。   The present invention relates to a pattern forming method for correcting a light proximity effect of design data used for manufacturing an integrated circuit or the like to form a pattern. The present invention also relates to a method of manufacturing an integrated circuit using such a pattern forming method.

図29を参照して従来のLSI製造工程を説明する。まず、CAD等を用いて図29(a)に示されるようなLSIの設計データを作成する。ここでは、設計データとして複数の矩形パタン291が形成されている。次に、設計データを基にして電子ビーム(EB)描画することにより、図29(b)に示されるように複数のパタン292を有するマスクを形成する。このマスクを紫外線(UV光)により一括露光してマスクのパタン292をウエハに転写する。このとき、図29(c)に示されるように、光の回折効果に起因してウエハ上の転写パタン293は矩形のマスクパタン292から変形し、角が丸まった形状となる。この転写パタン293に基づいてウエハにエッチング等の加工を施すと、図29(d)に示される加工後のパタン294はマイクロローディング効果によりさらに変形したものとなる。その後、例えばLOCOS分離に用いられる酸化工程を施すと、いわゆるバーズビーク効果によりさらにパタン形状の変形が積算されることとなる。   A conventional LSI manufacturing process will be described with reference to FIG. First, LSI design data as shown in FIG. 29A is created using CAD or the like. Here, a plurality of rectangular patterns 291 are formed as design data. Next, an electron beam (EB) is drawn based on the design data, thereby forming a mask having a plurality of patterns 292 as shown in FIG. The mask pattern 292 is transferred onto the wafer by batch exposure of the mask with ultraviolet rays (UV light). At this time, as shown in FIG. 29C, the transfer pattern 293 on the wafer is deformed from the rectangular mask pattern 292 due to the light diffraction effect, and becomes a shape with rounded corners. When processing such as etching is performed on the wafer based on the transfer pattern 293, the processed pattern 294 shown in FIG. 29D is further deformed by the microloading effect. Thereafter, when an oxidation step used for LOCOS separation, for example, is performed, the deformation of the pattern shape is further accumulated by the so-called bird's beak effect.

以上のように、LSI等の集積回路の製造においては、多数の製造プロセスを経ることによりパタンの変形が積算されるので、パタンの仕上がり寸法は設計データとは一致しないことが多い。   As described above, in the manufacture of an integrated circuit such as an LSI, pattern deformation is accumulated through a number of manufacturing processes, so that the finished dimensions of the pattern often do not match the design data.

近年の集積回路のパタン寸法の微細化に伴い、より高精度の寸法制御が要求されており、上述したような製造プロセスにおけるパタン変形によりデバイスの電気的特性及び各種マージンが無視できない影響を受けてしまうという問題点があった。   With the recent miniaturization of integrated circuit pattern dimensions, more precise dimension control is required, and the electrical characteristics and various margins of the device are not negligible due to pattern deformation in the manufacturing process as described above. There was a problem of end.

この発明はこのような問題点を解消するためになされたもので、集積回路の製造プロセスにおいて光近接効果の影響によるパタンの変形を軽減することができるパタン形成方法を提供することを目的とする。
また、この発明は、このようなパタン形成方法を用いた集積回路の製造方法を提供することも目的としている。
The present invention has been made to solve such problems, and an object of the present invention is to provide a pattern forming method capable of reducing deformation of a pattern due to the influence of an optical proximity effect in an integrated circuit manufacturing process. .
Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing an integrated circuit using such a pattern forming method.

この発明に係るパタン形成方法は、回路パタンの設計データを作成し、設計データに基づいてパタン転写の際の光学的投影像を作成し、この投影像に基づいてウエハに転写されるパタンの寸法を予測し、予測されたパタンの寸法と設計データによるパタンの寸法との差分を算出し、算出された差分を補正量として設計データを補正することによりウエハへのパタン転写の際に生じる光近接効果を補正した補正データを作成し、補正データに基づいてマスクパタンを形成し、マスクパタンを通して露光することによりウエハにマスクパタンを転写し、転写されたマスクパタンに従ってウエハを加工する方法である。   The pattern forming method according to the present invention creates circuit pattern design data, creates an optical projection image at the time of pattern transfer based on the design data, and dimensions of the pattern transferred to the wafer based on the projection image The optical proximity generated when transferring the pattern to the wafer by calculating the difference between the predicted pattern size and the pattern size based on the design data, and correcting the design data using the calculated difference as a correction amount. In this method, correction data with corrected effects is created, a mask pattern is formed based on the correction data, exposure is performed through the mask pattern, the mask pattern is transferred to the wafer, and the wafer is processed according to the transferred mask pattern.

請求項2のパタン形成方法は、請求項1の方法において、設計データの補正量が許容範囲内であるか否かを判定し、許容範囲外のときには補正データに基づき再び光学的投影像を作成して補正データをさらに補正する方法である。
請求項3のパタン形成方法は、請求項1または2の方法において、補正データは、設計データによるパタンに補助的なパタンを付加した形状を有するデータである方法である。
The pattern forming method according to claim 2 is the method according to claim 1, wherein it is determined whether or not the correction amount of the design data is within an allowable range. If the design data is out of the allowable range, an optical projection image is created again based on the correction data. Thus, the correction data is further corrected.
A pattern forming method according to a third aspect is the method according to the first or second aspect, wherein the correction data is data having a shape obtained by adding an auxiliary pattern to the pattern based on the design data.

請求項4のパタン形成方法は、請求項1の方法において、設計データを複数のデータブロックに分割し、データブロック毎に光学的投影像を作成して補正データを作成する方法である。
請求項5のパタン形成方法は、請求項4の方法において、各データブロックの周囲にバッファ領域を設定し、バッファ領域内にそのデータブロックの図形要素と近接効果を生じるような図形要素が存在するか否かを判別し、判別結果に応じてデータブロック内の補正対象となる辺を決定する方法である。
請求項6のパタン形成方法は、請求項4の方法において、各データブロック内の図形要素が所定値以下の間隔で互いに対向する辺を有するか否かを検査し、有する場合にはそのデータブロックを補正対象とし、有しない場合にはそのデータブロックを補正対象外とする方法である。
A pattern forming method according to a fourth aspect is the method according to the first aspect, wherein the design data is divided into a plurality of data blocks, and an optical projection image is created for each data block to create correction data.
The pattern forming method according to claim 5 is the method according to claim 4, wherein a buffer area is set around each data block, and a graphic element that produces a proximity effect with the graphic element of the data block exists in the buffer area. This is a method of determining whether or not to determine a side to be corrected in the data block according to the determination result.
The pattern forming method according to claim 6 is the method according to claim 4, wherein it is checked whether or not the graphic elements in each data block have sides facing each other at intervals of a predetermined value or less. Is a correction target, and if not, the data block is excluded from the correction target.

請求項7のパタン形成方法は、請求項4の方法において、図形要素の辺が存在するデータブロックのみを補正対象とし、辺が存在しないデータブロックを補正対象外とする方法である。
請求項8のパタン形成方法は、請求項5の方法において、複数のデータブロックに同一の図形要素が存在する場合にそのうちの一つのデータブロックのみを補正対象とし、その補正結果を他のデータブロックに流用する方法である。
請求項9のパタン形成方法は、請求項4の方法において、メモリセルアレイの設計データに対してデータブロックの分割周期をメモリセルの周期に合わせる方法である。
請求項10のパタン形成方法は、請求項4の方法において、各データブロック内において互いに隣接する複数の図形要素を合わせて多角形を形成する方法である。
請求項11のパタン形成方法は、請求項4の方法において、各データブロック内において複数の図形要素を合わせることにより生じる中抜き図形を、外周を定義する図形要素と中抜き部を定義する図形要素とにより表現する方法である。
A pattern forming method according to a seventh aspect is the method according to the fourth aspect, wherein only a data block in which a side of a graphic element exists is subject to correction, and a data block having no side is excluded from correction.
The pattern forming method according to claim 8 is the method according to claim 5, wherein when the same graphic element exists in a plurality of data blocks, only one of the data blocks is to be corrected, and the correction result is set as another data block. It is a method to divert.
A pattern forming method according to a ninth aspect is the method according to the fourth aspect, wherein the division cycle of the data block is matched to the cycle of the memory cell with respect to the design data of the memory cell array.
A pattern forming method according to a tenth aspect is the method according to the fourth aspect, wherein a plurality of graphic elements adjacent to each other in each data block are combined to form a polygon.
The pattern forming method according to claim 11 is the method according to claim 4, wherein a hollow graphic generated by combining a plurality of graphic elements in each data block is divided into a graphic element defining an outer periphery and a graphic element defining a hollow portion. It is a method to express by.

請求項12のパタン形成方法は、請求項4の方法において、露光装置に変形照明法を適用する場合、3光束干渉のカットオフ周波数に対応する周期以下の大きさの遮光パタンを補正対象外とする方法である。
請求項13のパタン形成方法は、請求項6の方法において、露光装置に変形照明法を適用する場合、前記所定値以下で且つ3光束干渉のカットオフ周波数に対応する周期以上の大きさの間隔で互いに対向する辺に対しては一定の補正量を加える方法である。
A pattern forming method according to a twelfth aspect is the method according to the fourth aspect, wherein when the modified illumination method is applied to the exposure apparatus, a light shielding pattern having a size equal to or smaller than a period corresponding to the cutoff frequency of the three-beam interference is excluded from the correction target. It is a method to do.
A pattern forming method according to a thirteenth aspect is the method according to the sixth aspect, in which, when the modified illumination method is applied to the exposure apparatus, an interval that is equal to or smaller than the predetermined value and equal to or larger than a period corresponding to a cutoff frequency of three-beam interference. In this method, a fixed amount of correction is applied to the sides facing each other.

請求項14のパタン形成方法は、請求項1の方法において、転写パタンの寸法の予測工程で、所定の光強度をしきい値として投影像からマスクエッジを予測し、転写パタンの寸法を予測する方法である。   A pattern forming method according to a fourteenth aspect is the method according to the first aspect, wherein in the transfer pattern dimension predicting step, a mask edge is predicted from a projection image using a predetermined light intensity as a threshold value, and the transfer pattern dimension is predicted. Is the method.

請求項15のパタン形成方法は、請求項14の方法において、補正対象の図形要素の辺の周辺部の光強度に応じてしきい値を調整する方法である。
請求項16のパタン形成方法は、請求項14の方法において、補正対象の辺の周辺部の2次元的な光強度分布に応じてしきい値を調整する方法である。
請求項17のパタン形成方法は、請求項14の方法において、補正対象の辺に近接する図形要素の存在の有無に応じてしきい値を調整する方法である。
請求項18のパタン形成方法は、請求項14の方法において、ベストフォーカス時の光学像の光強度に対するデフォーカス時の光学像の光強度に応じてしきい値を調整する方法である。
A pattern forming method according to a fifteenth aspect is the method according to the fourteenth aspect, wherein the threshold value is adjusted according to the light intensity in the peripheral portion of the side of the graphic element to be corrected.
A pattern forming method according to a sixteenth aspect is the method according to the fourteenth aspect, wherein the threshold value is adjusted in accordance with the two-dimensional light intensity distribution in the periphery of the side to be corrected.
A pattern forming method according to a seventeenth aspect is the method according to the fourteenth aspect, wherein the threshold value is adjusted in accordance with the presence / absence of a graphic element close to the side to be corrected.
A pattern forming method according to an eighteenth aspect is the method according to the fourteenth aspect, wherein the threshold value is adjusted according to the light intensity of the optical image at the time of defocusing with respect to the light intensity of the optical image at the time of the best focus.

請求項19のパタン形成方法は、請求項14の方法において、パタンが転写される下地基板の反射率に応じてしきい値を調整する方法である。
請求項20のパタン形成方法は、請求項14の方法において、パタンが転写される下地基板に形成された段差に応じてしきい値を調整する方法である。
請求項21のパタン形成方法は、請求項14の方法において、パタンが転写される下地基板表面で生じるハレーションに応じてしきい値を調整する方法である。
A pattern forming method according to a nineteenth aspect is the method according to the fourteenth aspect, wherein the threshold value is adjusted according to the reflectance of the base substrate to which the pattern is transferred.
A pattern forming method according to a twentieth aspect is the method according to the fourteenth aspect, wherein the threshold value is adjusted according to a step formed on the base substrate onto which the pattern is transferred.
A pattern forming method according to a twenty-first aspect is the method according to the fourteenth aspect, wherein the threshold value is adjusted in accordance with halation generated on the surface of the base substrate to which the pattern is transferred.

請求項22のパタン形成方法は、請求項14の方法において、標準パタンを実際に露光して得られたレジストパタンと、標準マスクデータから算出された標準パタンの光学像との相関関係に基づいてしきい値を調整する方法である。
請求項23のパタン形成方法は、請求項14の方法において、標準パタンを実際に露光し且つエッチングして得られたエッチングパタンと、標準マスクデータから標準パタンの光学像を算出した後この光学像から算出されたエッチングパタンとの相関関係に基づいてしきい値を調整する方法である。
The pattern forming method according to claim 22 is based on the correlation between the resist pattern obtained by actually exposing the standard pattern and the optical image of the standard pattern calculated from the standard mask data in the method according to claim 14. This is a method of adjusting the threshold value.
The pattern forming method according to claim 23 is the method according to claim 14, wherein an optical image of the standard pattern is calculated from the etching pattern obtained by actually exposing and etching the standard pattern and the standard mask data. The threshold value is adjusted based on the correlation with the etching pattern calculated from the above.

請求項24のパタン形成方法は、請求項14の方法において、標準マスクデータを実際に電子ビーム描画して得られた標準パタンと、標準マスクデータから算出された電子ビーム描画パタンとの相関関係に基づいてしきい値を調整する方法である。
請求項25のパタン形成方法は、請求項14の方法において、標準マスクデータを実際にレーザ描画して得られた標準パタンと、標準マスクデータから算出されたレーザ描画パタンとの相関関係に基づいてしきい値を調整する方法である。
A pattern forming method according to a twenty-fourth aspect is the method according to the fourteenth aspect, wherein a correlation between a standard pattern actually obtained by electron beam drawing of standard mask data and an electron beam drawing pattern calculated from the standard mask data is obtained. This is a method of adjusting the threshold value based on this.
A pattern forming method according to a twenty-fifth aspect is the method according to the fourteenth aspect, based on a correlation between a standard pattern actually obtained by laser drawing of standard mask data and a laser drawing pattern calculated from the standard mask data. This is a method of adjusting the threshold value.

請求項26のパタン形成方法は、請求項14の方法において、標準パタンを実際に露光して得られたレジストパタンと、標準パタンを測定して得られたパタン寸法から算出された光学像との相関関係に基づいてしきい値を調整する方法である。
請求項27のパタン形成方法は、請求項14の方法において、標準パタンを実際に露光してレジストパタンを形成した後このレジストパタンをエッチングして得られたエッチングパタンと、レジストパタンを測定して得られたパタン寸法から算出されたエッチングパタンとの相関関係に基づいてしきい値を調整する方法である。
A pattern forming method according to a twenty-sixth aspect is the method according to the fourteenth aspect, wherein a resist pattern obtained by actually exposing a standard pattern and an optical image calculated from a pattern size obtained by measuring the standard pattern are provided. This is a method of adjusting the threshold based on the correlation.
A pattern forming method according to a twenty-seventh aspect is the method according to the fourteenth aspect, wherein the standard pattern is actually exposed to form a resist pattern, and then the resist pattern is etched, and the resist pattern is measured. In this method, the threshold value is adjusted based on the correlation with the etching pattern calculated from the obtained pattern size.

請求項28のパタン形成方法は、請求項14の方法において、標準マスクデータを実際に電子ビーム描画して標準パタンを形成した後この標準パタンを露光して得られたレジストパタンと、標準マスクデータから電子ビーム描画パタンを算出した後この電子ビーム描画パタンから算出された光学像との相関関係に基づいてしきい値を調整する方法である。
請求項29のパタン形成方法は、請求項14の方法において、標準マスクデータを実際にレーザ描画して標準パタンを形成した後この標準パタンを露光して得られたレジストパタンと、標準マスクデータからレーザ描画パタンを算出した後このレーザ描画パタンから算出された光学像との相関関係に基づいてしきい値を調整する方法である。
A pattern forming method according to a twenty-eighth aspect is the method according to the fourteenth aspect, wherein a resist pattern obtained by exposing the standard pattern after the standard pattern is formed by actually drawing the standard mask data by electron beam drawing, and the standard mask data. Then, after calculating the electron beam drawing pattern, the threshold value is adjusted based on the correlation with the optical image calculated from the electron beam drawing pattern.
A pattern forming method according to a twenty-ninth aspect is the method according to the fourteenth aspect, wherein the standard mask data is actually laser-drawn to form a standard pattern and then the standard pattern is exposed and the resist pattern obtained by exposing the standard pattern and the standard mask data. In this method, after the laser drawing pattern is calculated, the threshold value is adjusted based on the correlation with the optical image calculated from the laser drawing pattern.

請求項30のパタン形成方法は、請求項14の方法において、標準パタンを実際に露光し且つエッチングして得られたエッチングパタンと、標準パタンを測定して得られたパタン寸法から光学像を算出した後この光学像から算出されたエッチングパタンとの相関関係に基づいてしきい値を調整する方法である。   The pattern forming method of claim 30 is the method of claim 14, wherein an optical image is calculated from an etching pattern obtained by actually exposing and etching a standard pattern, and a pattern size obtained by measuring the standard pattern. Then, the threshold value is adjusted based on the correlation with the etching pattern calculated from the optical image.

請求項31のパタン形成方法は、請求項14の方法において、標準マスクデータを実際に電子ビーム描画して標準パタンを形成した後この標準パタンを露光し且つエッチングして得られたエッチングパタンと、標準マスクデータから電子ビーム描画パタンを算出すると共にこの電子ビーム描画パタンから光学像を算出した後この光学像から算出されたエッチングパタンとの相関関係に基づいてしきい値を調整する方法である。
請求項32のパタン形成方法は、請求項14の方法において、標準マスクデータを実際にレーザ描画して標準パタンを形成した後この標準パタンを露光し且つエッチングして得られたエッチングパタンと、標準マスクデータからレーザ描画パタンを算出すると共にこのレーザ描画パタンから光学像を算出した後この光学像から算出されたエッチングパタンとの相関関係に基づいてしきい値を調整する方法である。
The pattern forming method of claim 31 is the method of claim 14, wherein the standard mask data is actually drawn with an electron beam to form a standard pattern, and then the standard pattern is exposed and etched. In this method, an electron beam drawing pattern is calculated from the standard mask data, an optical image is calculated from the electron beam drawing pattern, and then the threshold value is adjusted based on the correlation with the etching pattern calculated from the optical image.
The pattern forming method according to claim 32 is the method according to claim 14, wherein an etching pattern obtained by exposing and etching the standard pattern after forming the standard pattern by actually laser drawing the standard mask data, In this method, a laser drawing pattern is calculated from mask data, an optical image is calculated from the laser drawing pattern, and then a threshold value is adjusted based on a correlation with an etching pattern calculated from the optical image.

請求項33のパタン形成方法は、請求項14の方法において、所定の光強度をしきい値として光学的投影像からマスクエッジを推測し、このマスクエッジにおける光学的投影像の傾きからしきい値を調整した後、調整後のしきい値によりマスクエッジを予測し、予測されたマスクエッジに基づいて転写されるパタンの寸法を予測する方法である。
請求項34のパタン形成方法は、請求項1の方法において、ウエハ表面のレジストの現像シミュレーションを行い、そのエッジ位置から転写されるパタンの寸法を予測する方法である。
請求項35のパタン形成方法は、請求項1の方法において、光学的投影像をウエハ表面のレジストの現像時間の分布に変換し、この現像時間を一次元的に積分することにより疑似現像を行い、そのエッジ位置から転写パタンの寸法を予測する方法である。
A pattern forming method according to a thirty-third aspect is the method according to the fourteenth aspect, wherein a mask edge is estimated from an optical projection image using a predetermined light intensity as a threshold value, and a threshold value is determined from an inclination of the optical projection image at the mask edge. After adjusting the mask, the mask edge is predicted based on the adjusted threshold value, and the size of the pattern to be transferred is predicted based on the predicted mask edge.
A pattern forming method according to a thirty-fourth aspect is the method according to the first aspect, wherein a development simulation of the resist on the wafer surface is performed and the size of the pattern transferred from the edge position is predicted.
A pattern forming method according to a thirty-fifth aspect is the method according to the first aspect, wherein the optical projection image is converted into a resist development time distribution on the wafer surface, and pseudo development is performed by integrating the development time one-dimensionally. In this method, the size of the transfer pattern is predicted from the edge position.

請求項36のパタン形成方法は、請求項1の方法において、光学的投影像の作成に際し、i=1〜4として4点Pi(xi,yi)の光強度Iiからこれら4点で囲まれる四角形内部の点P(x,y)における光強度IをI=Σi(Wi・Ii)、Wi=(1−│xi−x│)(1−│yi−y│)により内挿する方法である。   A pattern forming method according to a thirty-sixth aspect is the method according to the first aspect, wherein when an optical projection image is created, a quadrangle surrounded by four points Pi (xi, yi) from four points Pi (xi, yi) at the four points Pi In this method, the light intensity I at an internal point P (x, y) is interpolated by I = Σi (Wi · Ii), Wi = (1- | xi-x |) (1- | yi-y |). .

請求項37のパタン形成方法は、請求項1の方法において、設計データの補正に際し、補正する辺を複数の線分に分割し、各分割点にはその分割点を共有する双方の線分に対応して2つのデータを発生させる方法である。
請求項38のパタン形成方法は、請求項1の方法において、設計データの補正に際し、各辺をその辺に垂直な方向に補正する方法である。
請求項39のパタン形成方法は、請求項1の方法において、設計データの補正に際し、図形要素の辺上における投影像の傾きが所定値以下のときにその辺を補正対象外とする方法である。
請求項40のパタン形成方法は、請求項1の方法において、設計データの補正に際し、図形要素の辺上における投影像の光強度が所定値以下のときにその辺を補正対象外とする方法である。
請求項41のパタン形成方法は、請求項1の方法において、設計データの補正に際し、補正量の上限値を設け、算出された補正量が上限値を越えるときには上限値を補正量として補正を行う方法である。
請求項42のパタン形成方法は、請求項1の方法において、設計データの補正に際し、補正対象の図形要素の各辺を補正した後、同一直線上に存在する冗長点を削除する方法である。
A pattern forming method according to a thirty-seventh aspect is the method according to the first aspect, wherein when the design data is corrected, a side to be corrected is divided into a plurality of line segments, and each division point is divided into both line segments sharing the division point. This is a method of generating two data correspondingly.
A pattern forming method according to a thirty-eighth aspect is the method according to the first aspect, wherein each side is corrected in a direction perpendicular to the side when the design data is corrected.
A pattern forming method according to a thirty-ninth aspect is the method according to the first aspect, wherein when the design data is corrected, the side is excluded from correction when the inclination of the projected image on the side of the graphic element is equal to or smaller than a predetermined value. .
The pattern forming method according to claim 40 is the method according to claim 1, wherein, when the design data is corrected, when the light intensity of the projected image on the side of the graphic element is not more than a predetermined value, the side is excluded from the correction target. is there.
The pattern forming method according to claim 41 is the method according to claim 1, wherein when the design data is corrected, an upper limit value of the correction amount is provided, and when the calculated correction amount exceeds the upper limit value, the upper limit value is used as the correction amount. Is the method.
A pattern forming method of claim 42 is a method of deleting redundant points existing on the same straight line after correcting each side of the graphic element to be corrected in correcting the design data in the method of claim 1.

請求項43のパタン形成方法は、請求項1の方法において、設計データの補正に際し、補正対象の全ての辺を互いに独立に補正した後、補正量が許容範囲内か否かを判定し、許容範囲外のときには補正データに基づいて再び投影像を形成して補正データをさらに補正する方法である。
請求項44のパタン形成方法は、請求項43の方法において、設計データを複数のデータブロックに分割し、データブロック毎に補正量の判定を行い、補正量が許容範囲外のデータブロックを別ファイルに抽出して補正後のデータに基づいて再びデータの補正を行う方法である。
請求項45のパタン形成方法は、請求項5の方法において、各データブロックの周囲に設定されたバッファ領域を削除した補正データを作成する方法である。
The pattern forming method according to claim 43 is the method according to claim 1, wherein, when correcting the design data, after all the sides to be corrected are corrected independently of each other, it is determined whether or not the correction amount is within an allowable range. This is a method of further correcting the correction data by forming a projection image again based on the correction data when out of the range.
The pattern formation method according to claim 44 is the method according to claim 43, wherein the design data is divided into a plurality of data blocks, a correction amount is determined for each data block, and a data block whose correction amount is outside the allowable range is stored in a separate file. This is a method of correcting the data again based on the data extracted and corrected.
A pattern forming method according to a 45th aspect is the method according to the fifth aspect, wherein correction data is created by deleting a buffer area set around each data block.

請求項46の集積回路の製造方法は、請求項1〜45のいずれか一項に記載のパタン形成方法を用いる方法である。   An integrated circuit manufacturing method according to a 46th aspect is a method using the pattern forming method according to any one of the 1st to 45th aspects.

請求項1に記載のパタン形成方法は、回路パタンの設計データを作成し、設計データに基づいてパタン転写の際の光学的投影像を作成し、この投影像に基づいてウエハに転写されるパタンの寸法を予測し、予測されたパタンの寸法と設計データによるパタンの寸法との差分を算出し、算出された差分を補正量として設計データを補正することによりウエハへのパタン転写の際に生じる光近接効果を補正した補正データを作成し、補正データに基づいてマスクパタンを形成し、マスクパタンを通して露光することによりウエハにマスクパタンを転写し、転写されたマスクパタンに従ってウエハを加工するので、光近接効果の影響による変形が軽減されたパタンを形成することができる。   The pattern forming method according to claim 1 creates circuit pattern design data, creates an optical projection image upon pattern transfer based on the design data, and transfers the pattern transferred to the wafer based on the projection image. This occurs when the pattern is transferred to the wafer by calculating the difference between the predicted pattern dimension and the pattern dimension based on the design data, and correcting the design data using the calculated difference as a correction amount. Since the correction data for correcting the optical proximity effect is created, a mask pattern is formed based on the correction data, and the mask pattern is transferred to the wafer by exposing through the mask pattern, and the wafer is processed according to the transferred mask pattern. A pattern in which deformation due to the influence of the optical proximity effect is reduced can be formed.

請求項2に記載のパタン形成方法は、請求項1の方法において、設計データの補正量が許容範囲内であるか否かを判定し、許容範囲外のときには補正データに基づき再び光学的投影像を作成して補正データをさらに補正するので、補正の信頼性が向上する。
請求項3のパタン形成方法は、請求項1または2の方法において、補正データが、設計データによるパタンに補助的なパタンを付加した形状を有するデータであるので、ウエハ上の転写パタンは補助的なパタンが削られた形状となる。
A pattern forming method according to claim 2 is the method according to claim 1, wherein it is determined whether or not the correction amount of the design data is within an allowable range. If the design data is out of the allowable range, the optical projection image is again generated based on the correction data. Since the correction data is further corrected by correcting the correction data, the reliability of the correction is improved.
The pattern forming method according to claim 3 is the method according to claim 1 or 2, wherein the correction data is data having a shape in which an auxiliary pattern is added to the pattern based on the design data. It becomes a shape with a sharp pattern.

請求項4のパタン形成方法は、請求項1の方法において、設計データを複数のデータブロックに分割し、データブロック毎に光学的投影像を作成して補正データを作成するので、図形とデータブロックとの関連性に応じて設計データを容易に圧縮することができるようになる。
請求項5のパタン形成方法は、請求項4の方法において、各データブロックの周囲にバッファ領域を設定し、バッファ領域内にそのデータブロックの図形要素と近接効果を生じるような図形要素が存在するか否かを判別し、判別結果に応じてデータブロック内の補正対象となる辺を決定するので、各データブロックの独立性が確保され、並列演算等による処理の高速化が可能となる。
The pattern forming method according to claim 4 is the method according to claim 1, wherein the design data is divided into a plurality of data blocks, and an optical projection image is created for each data block to create correction data. The design data can be easily compressed according to the relevance.
The pattern forming method according to claim 5 is the method according to claim 4, wherein a buffer area is set around each data block, and a graphic element that produces a proximity effect with the graphic element of the data block exists in the buffer area. Since the side to be corrected in the data block is determined according to the determination result, the independence of each data block is ensured, and the processing speed by parallel calculation or the like can be increased.

請求項6のパタン形成方法は、請求項4の方法において、各データブロック内の図形要素が所定値以下の間隔で互いに対向する辺を有しない場合に、そのデータブロックを補正対象外とするので、データが圧縮され、処理の高速化が可能となる。
請求項7のパタン形成方法は、請求項4の方法において、図形要素の辺が存在しないデータブロックを補正対象外とするので、データが圧縮され、処理の高速化が図られる。
請求項8のパタン形成方法は、請求項5の方法において、複数のデータブロックが同一の図形要素を有する場合に、そのうちの一つのデータブロックのみを補正対象とし、その補正結果を他のデータブロックに流用するので、データが圧縮され、処理の高速化が可能となる。
請求項9のパタン形成方法は、請求項4の方法において、メモリセルアレイの設計データに対してメモリセルの周期に合わせてデータブロックを分割するので、データの圧縮が可能となり、処理の高速化がなされる。
請求項10のパタン形成方法は、請求項4の方法において、互いに隣接する複数の図形要素を合わせて多角形を形成するので、図形内部から冗長な辺が除去され、処理の高速化が可能となる。
請求項11のパタン形成方法は、請求項4の方法において、中抜き図形をその外周を定義する図形要素と中抜き部を定義する図形要素とにより表現するので、データが圧縮され、処理の高速化が可能となる。
The pattern forming method according to claim 6 is the method according to claim 4, wherein when the graphic elements in each data block do not have sides facing each other at intervals of a predetermined value or less, the data block is excluded from correction. The data is compressed, and the processing speed can be increased.
According to the pattern forming method of claim 7, in the method of claim 4, since the data block having no graphic element side is excluded from the correction target, the data is compressed and the processing speed is increased.
The pattern forming method according to claim 8 is the method according to claim 5, wherein when a plurality of data blocks have the same graphic element, only one of the data blocks is to be corrected, and the correction result is used as another data block. Therefore, the data is compressed and the processing speed can be increased.
The pattern forming method according to claim 9 is the method according to claim 4, wherein the data block is divided in accordance with the cycle of the memory cell with respect to the design data of the memory cell array, so that the data can be compressed and the processing speed is increased. Made.
The pattern forming method according to claim 10 is the method according to claim 4, wherein a plurality of graphic elements adjacent to each other are combined to form a polygon, so that redundant sides are removed from the inside of the graphic, and the processing speed can be increased. Become.
The pattern forming method according to claim 11 is the method according to claim 4, wherein the hollow graphic is expressed by graphic elements defining the outer periphery and graphic elements defining the hollow portion, so that the data is compressed and the processing speed is high. Can be realized.

請求項12のパタン形成方法は、請求項4の方法において、露光装置に変形照明法を適用する場合に3光束干渉のカットオフ周波数に対応する周期以下の大きさの遮光パタンを補正対象外とするので、処理の高速化が図られる。
請求項13のパタン形成方法は、請求項6の方法において、露光装置に変形照明法を適用する場合に所定値以下で且つ3光束干渉のカットオフ周波数に対応する周期以上の大きさの間隔で互いに対向する辺に対しては一定の補正量を加えるので、補正作業が簡単化され、処理の高速化が図られる。
A pattern forming method according to a twelfth aspect is the method according to the fourth aspect, wherein when a modified illumination method is applied to the exposure apparatus, a light shielding pattern having a size equal to or less than a period corresponding to the cutoff frequency of the three-beam interference is excluded from correction. Therefore, the processing speed can be increased.
A pattern forming method according to a thirteenth aspect is the method according to the sixth aspect, wherein when the modified illumination method is applied to the exposure apparatus, the pattern forming method has a predetermined value or less and an interval equal to or larger than a period corresponding to the three-beam interference cutoff frequency. Since a fixed amount of correction is applied to the sides facing each other, the correction work is simplified and the processing speed is increased.

請求項14のパタン形成方法は、請求項1の方法において、所定の光強度のしきい値を用いて投影像からマスクエッジを予測するので、容易に且つ高速で転写パタンの寸法を予測することができる。また、請求項15のパタン形成方法では、請求項14の方法において、補正対象の図形要素の辺の周辺部の光強度に応じてしきい値が調整されるので、より高精度の予測が可能となる。請求項16のパタン形成方法では、請求項14の方法において、補正対象の辺の周辺部の2次元的な光強度分布に応じてしきい値が調整されるので、高精度のパタン予測が可能となる。請求項17のパタン形成方法では、請求項14の方法において、補正対象の辺に近接する図形要素の存在の有無に応じてしきい値が調整されるので、高精度の予測が可能となる。請求項18のパタン形成方法では、請求項14の方法において、ベストフォーカス時の光学像の光強度に対するデフォーカス時の光学像の光強度に応じてしきい値が調整されるので、実効上のフォーカスマージンの拡大を図ることができる。   The pattern forming method of claim 14 predicts the size of the transfer pattern easily and at high speed in the method of claim 1 because the mask edge is predicted from the projection image using a predetermined threshold value of light intensity. Can do. According to the pattern forming method of claim 15, in the method of claim 14, the threshold value is adjusted according to the light intensity at the periphery of the side of the graphic element to be corrected, so that more accurate prediction is possible. It becomes. In the pattern forming method according to claim 16, in the method according to claim 14, the threshold value is adjusted according to the two-dimensional light intensity distribution around the correction target side, so that highly accurate pattern prediction is possible. It becomes. In the pattern forming method according to the seventeenth aspect, in the method according to the fourteenth aspect, the threshold value is adjusted according to the presence / absence of a graphic element adjacent to the side to be corrected, so that highly accurate prediction is possible. According to the pattern forming method of claim 18, in the method of claim 14, the threshold value is adjusted according to the light intensity of the optical image at the time of defocusing with respect to the light intensity of the optical image at the time of best focus. The focus margin can be increased.

請求項19のパタン形成方法では、請求項14の方法において、パタンが転写される下地基板の反射率に応じてしきい値が調整されるので、高精度のパタン予測ができる。請求項20のパタン形成方法では、請求項14の方法において、パタンが転写される下地基板に形成された段差に応じてしきい値が調整されるので、高精度の予測が可能となる。請求項21のパタン形成方法では、請求項14の方法において、パタンが転写される下地基板表面で生じるハレーションに応じてしきい値が調整されるので、パタン予測がより高精度となる。   According to the pattern forming method of the nineteenth aspect, in the method of the fourteenth aspect, since the threshold value is adjusted according to the reflectance of the base substrate to which the pattern is transferred, the pattern can be predicted with high accuracy. According to the pattern forming method of the twentieth aspect, in the method of the fourteenth aspect, since the threshold value is adjusted according to the step formed on the base substrate to which the pattern is transferred, high-precision prediction is possible. According to the pattern forming method of the twenty-first aspect, in the method of the fourteenth aspect, the threshold value is adjusted according to the halation generated on the surface of the base substrate to which the pattern is transferred, so that the pattern prediction becomes more accurate.

請求項22のパタン形成方法では、請求項14の方法において、標準パタンを実際に露光して得られたレジストパタンと、標準マスクデータから算出された標準パタンの光学像との相関関係に基づいてしきい値が調整されるので、レジストやプロセスの変更に伴う変動に柔軟に対応でき、高精度の補正が可能となる。請求項23のパタン形成方法では、請求項14の方法において、標準パタンを実際に露光し且つエッチングして得られたエッチングパタンと、標準マスクデータから標準パタンの光学像を算出した後この光学像から算出されたエッチングパタンとの相関関係に基づいてしきい値が調整されるので、エッチングに伴う変動に柔軟に対応でき、高精度の補正が可能となる。   The pattern forming method according to claim 22 is based on the correlation between the resist pattern obtained by actually exposing the standard pattern and the optical image of the standard pattern calculated from the standard mask data in the method of claim 14. Since the threshold value is adjusted, it is possible to flexibly cope with variations accompanying changes in the resist and process, and high-precision correction is possible. The pattern forming method of claim 23 is the method of claim 14, wherein an optical image of the standard pattern is calculated from the etching pattern obtained by actually exposing and etching the standard pattern and the standard mask data. Since the threshold value is adjusted on the basis of the correlation with the etching pattern calculated from the above, it is possible to flexibly cope with the variation caused by the etching and to perform highly accurate correction.

請求項24のパタン形成方法は、請求項14の方法において、標準マスクデータを実際に電子ビーム描画して得られた標準パタンと、標準マスクデータから算出された電子ビーム描画パタンとの相関関係に基づいてしきい値を調整するので、電子ビーム近接効果を補正に取り込むことができる。
請求項25のパタン形成方法は、請求項14の方法において、標準マスクデータを実際にレーザ描画して得られた標準パタンと、標準マスクデータから算出されたレーザ描画パタンとの相関関係に基づいてしきい値を調整するので、レーザ描画近接効果を補正に取り込むことができる。
A pattern forming method according to a twenty-fourth aspect is the method according to the fourteenth aspect, wherein a correlation between a standard pattern actually obtained by electron beam drawing of standard mask data and an electron beam drawing pattern calculated from the standard mask data is obtained. Since the threshold value is adjusted based on this, the electron beam proximity effect can be taken into the correction.
A pattern forming method according to a twenty-fifth aspect is the method according to the fourteenth aspect, based on a correlation between a standard pattern actually obtained by laser drawing of standard mask data and a laser drawing pattern calculated from the standard mask data. Since the threshold value is adjusted, the laser drawing proximity effect can be taken into the correction.

請求項26のパタン形成方法は、請求項14の方法において、標準パタンを実際に露光して得られたレジストパタンと、標準パタンを測定して得られたパタン寸法から算出された光学像との相関関係に基づいてしきい値を調整するので、光転写時に生じる光近接効果を補正に取り込むことができる。
請求項27のパタン形成方法は、請求項14の方法において、標準パタンを実際に露光してレジストパタンを形成した後このレジストパタンをエッチングして得られたエッチングパタンと、レジストパタンを測定して得られたパタン寸法から算出されたエッチングパタンとの相関関係に基づいてしきい値を調整するので、エッチング時に生じるマイクロローディング効果を補正に取り込むことができる。
A pattern forming method according to a twenty-sixth aspect is the method according to the fourteenth aspect, wherein a resist pattern obtained by actually exposing a standard pattern and an optical image calculated from a pattern size obtained by measuring the standard pattern are provided. Since the threshold value is adjusted based on the correlation, the optical proximity effect generated at the time of optical transfer can be taken into the correction.
A pattern forming method according to a twenty-seventh aspect is the method according to the fourteenth aspect, wherein the standard pattern is actually exposed to form a resist pattern, and then the resist pattern is etched, and the resist pattern is measured. Since the threshold value is adjusted based on the correlation with the etching pattern calculated from the obtained pattern size, the microloading effect generated during etching can be taken into the correction.

請求項28のパタン形成方法は、請求項14の方法において、標準マスクデータを実際に電子ビーム描画して標準パタンを形成した後この標準パタンを露光して得られたレジストパタンと、標準マスクデータから電子ビーム描画パタンを算出した後この電子ビーム描画パタンから算出された光学像との相関関係に基づいてしきい値を調整するので、電子ビーム描画時の電子ビーム近接効果及び光転写時の光近接効果を複合的に補正に取り込むことができる。
請求項29のパタン形成方法は、請求項14の方法において、標準マスクデータを実際にレーザ描画して標準パタンを形成した後この標準パタンを露光して得られたレジストパタンと、標準マスクデータからレーザ描画パタンを算出した後このレーザ描画パタンから算出された光学像との相関関係に基づいてしきい値を調整するので、レーザ描画時のレーザ描画近接効果及び光転写時の光近接効果を複合的に補正に取り込むことができる。
A pattern forming method according to a twenty-eighth aspect is the method according to the fourteenth aspect, wherein a resist pattern obtained by exposing the standard pattern after the standard pattern is formed by actually drawing the standard mask data by electron beam drawing, and the standard mask data. After calculating the electron beam drawing pattern from the electron beam, the threshold value is adjusted based on the correlation with the optical image calculated from the electron beam drawing pattern, so that the electron beam proximity effect at the time of electron beam drawing and the light at the time of light transfer are adjusted. Proximity effects can be incorporated into corrections.
A pattern forming method according to a twenty-ninth aspect is the method according to the fourteenth aspect, wherein the standard mask data is actually laser-drawn to form a standard pattern and then the standard pattern is exposed and the resist pattern obtained by exposing the standard pattern and the standard mask data. After calculating the laser drawing pattern, the threshold is adjusted based on the correlation with the optical image calculated from this laser drawing pattern, so the laser drawing proximity effect during laser drawing and the optical proximity effect during light transfer are combined. Can be incorporated into the correction.

請求項30のパタン形成方法は、請求項14の方法において、標準パタンを実際に露光し且つエッチングして得られたエッチングパタンと、標準パタンを測定して得られたパタン寸法から光学像を算出した後この光学像から算出されたエッチングパタンとの相関関係に基づいてしきい値を調整するので、光転写時の光近接効果及びエッチング時のマイクロローディング効果を複合的に補正に取り込むことができる。   The pattern forming method of claim 30 is the method of claim 14, wherein an optical image is calculated from an etching pattern obtained by actually exposing and etching a standard pattern, and a pattern size obtained by measuring the standard pattern. After that, the threshold value is adjusted based on the correlation with the etching pattern calculated from this optical image, so that the optical proximity effect at the time of light transfer and the microloading effect at the time of etching can be combined and incorporated into the correction. .

請求項31のパタン形成方法は、請求項14の方法において、標準マスクデータを実際に電子ビーム描画して標準パタンを形成した後この標準パタンを露光し且つエッチングして得られたエッチングパタンと、標準マスクデータから電子ビーム描画パタンを算出すると共にこの電子ビーム描画パタンから光学像を算出した後この光学像から算出されたエッチングパタンとの相関関係に基づいてしきい値を調整するので、電子ビーム描画時の電子ビーム近接効果、光転写時の光近接効果及びエッチング時のマイクロローディング効果を複合的に補正に取り込むことができる。
請求項32のパタン形成方法は、請求項14の方法において、標準マスクデータを実際にレーザ描画して標準パタンを形成した後この標準パタンを露光し且つエッチングして得られたエッチングパタンと、標準マスクデータからレーザ描画パタンを算出すると共にこのレーザ描画パタンから光学像を算出した後この光学像から算出されたエッチングパタンとの相関関係に基づいてしきい値を調整するので、レーザ描画時のレーザ描画近接効果、光転写時の光近接効果及びエッチング時のマイクロローディング効果を複合的に補正に取り込むことができる。
The pattern forming method of claim 31 is the method of claim 14, wherein the standard mask data is actually drawn with an electron beam to form a standard pattern, and then the standard pattern is exposed and etched. Since the electron beam drawing pattern is calculated from the standard mask data and the optical image is calculated from the electron beam drawing pattern, the threshold value is adjusted based on the correlation with the etching pattern calculated from the optical image. The electron beam proximity effect at the time of drawing, the optical proximity effect at the time of light transfer, and the microloading effect at the time of etching can be incorporated in the correction.
The pattern forming method according to claim 32 is the method according to claim 14, wherein an etching pattern obtained by exposing and etching the standard pattern after forming the standard pattern by actually laser drawing the standard mask data, Since the laser drawing pattern is calculated from the mask data and the optical image is calculated from the laser drawing pattern, the threshold value is adjusted based on the correlation with the etching pattern calculated from the optical image. The drawing proximity effect, the optical proximity effect during light transfer, and the microloading effect during etching can be combined and incorporated into correction.

請求項33のパタン形成方法は、請求項1の方法において、所定の光強度をしきい値として光学的投影像からマスクエッジを推測し、このマスクエッジにおける光学的投影像の傾きからしきい値を調整した後、調整後のしきい値によりマスクエッジを予測し、予測されたマスクエッジに基づいて転写されるパタンの寸法を予測するので、さらに精度の高い寸法予測が可能となる。
請求項34のパタン形成方法は、請求項1の方法において、ウエハ表面のレジストの現像シミュレーションを行ってエッジ位置を予測するので、露光量及び現像時間等のプロセス条件の変更にも容易に対応でき、より高精度の予測が可能となる。
請求項35のパタン形成方法は、請求項1の方法において、ウエハ表面のレジストの現像時間による疑似現像を行ってエッジ位置を予測するので、高精度且つ高速で予測を行うことができる。
A pattern forming method according to a thirty-third aspect is the method according to the first aspect, wherein a mask edge is estimated from an optical projection image using a predetermined light intensity as a threshold value, and the threshold value is determined from an inclination of the optical projection image at the mask edge. Then, the mask edge is predicted based on the adjusted threshold value, and the dimension of the pattern to be transferred is predicted based on the predicted mask edge, so that the dimension can be predicted with higher accuracy.
The pattern forming method of claim 34 is the method of claim 1, wherein the edge position is predicted by performing development simulation of the resist on the wafer surface, so that it can easily cope with changes in process conditions such as exposure amount and development time. Therefore, prediction with higher accuracy becomes possible.
The pattern forming method of claim 35 is the method of claim 1, wherein the edge position is predicted by performing pseudo development by the development time of the resist on the wafer surface, so that the prediction can be performed with high accuracy and at high speed.

請求項36のパタン形成方法は、請求項1の方法において、i=1〜4として4点Pi(xi,yi)の光強度Iiからこれら4点で囲まれる四角形内部の点P(x,y)における光強度IをI=Σi(Wi・Ii)、Wi=(1−│xi−x│)(1−│yi−y│)により内挿するので、高精度に投影像を得ることができる。   A pattern forming method according to a thirty-sixth aspect is the method according to the first aspect, wherein i = 1 to 4 and the light intensity Ii of the four points Pi (xi, yi) is set to a point P (x, y ) Is interpolated by I = Σi (Wi · Ii) and Wi = (1- | xi-x |) (1- | yi-y |), so that a projection image can be obtained with high accuracy. it can.

請求項37のパタン形成方法は、請求項1の方法において、補正する辺を複数の線分に分割し、各分割点に2つのデータを発生させるので、隣接する線分に影響を及ぼすことなく各線分の補正を行うことができ、補正がし易くなる。
請求項38のパタン形成方法は、請求項1の方法において、辺の補正方向をその辺に垂直な方向とするので、斜めの辺がなくなり、データが圧縮されると共に電子ビーム描画等を高速で処理できる光近接補正データが得られる。
請求項39のパタン形成方法は、請求項1の方法において、図形要素の辺上における投影像の傾きが所定値以下のときにその辺を補正対象外とするので、異常補正の発生を未然に防ぐことができ、補正の信頼性が向上する。
請求項40のパタン形成方法は、請求項1の方法において、図形要素の辺上における投影像の光強度が所定値以下のときにその辺を補正対象外とするので、異常補正の発生を未然に防ぐことができ、補正の信頼性が向上する。
請求項41のパタン形成方法は、請求項1の方法において、算出された補正量が上限値を越えるときに上限値を補正量として補正を行うので、異常補正が発生したときにこれを修正することができ、補正の信頼性が向上する。
請求項42のパタン形成方法は、請求項1の方法において、補正後の図形要素の同一直線上に存在する冗長点を削除するので、データの圧縮がなされ、反復計算をする場合に、計算時間の短縮が図られる。
A pattern forming method according to a thirty-seventh aspect is the method according to the first aspect, wherein the side to be corrected is divided into a plurality of line segments and two data are generated at each division point, so that the adjacent line segments are not affected. Each line segment can be corrected, and the correction becomes easy.
A pattern forming method according to a thirty-eighth aspect is the method according to the first aspect, wherein the correction direction of the side is a direction perpendicular to the side, so that the oblique side is eliminated, the data is compressed, and the electron beam drawing or the like is performed at a high speed. Optical proximity correction data that can be processed is obtained.
The pattern forming method according to claim 39 is the method according to claim 1, wherein when the inclination of the projected image on the side of the graphic element is equal to or less than a predetermined value, the side is excluded from the correction target. Can be prevented, and the reliability of correction is improved.
The pattern forming method according to claim 40 is the method according to claim 1, wherein when the light intensity of the projected image on the side of the graphic element is equal to or less than a predetermined value, the side is excluded from the correction target. Therefore, the reliability of correction is improved.
The pattern forming method according to claim 41 is the method according to claim 1, wherein when the calculated correction amount exceeds the upper limit value, the upper limit value is used as the correction amount, so that correction is performed when abnormality correction occurs. This improves the reliability of the correction.
The pattern forming method according to claim 42 is the method according to claim 1, wherein redundant points existing on the same straight line of the corrected graphic element are deleted. Therefore, when the data is compressed and the calculation is repeated, the calculation time is reduced. Is shortened.

請求項43のパタン形成方法は、請求項1の方法において、補正対象の全ての辺を補正した後、補正量が許容範囲外のときに補正後のデータに基づいて再び投影像を形成して補正を行うので、補正の信頼性が向上する。
請求項44のパタン形成方法は、請求項43の方法において、設計データを複数のデータブロックに分割し、データブロック毎に補正量の判定を行い、補正量が許容範囲外のデータブロックを別ファイルに抽出して補正後のデータに基づいて再びデータの補正を行うので、補正の効率を向上させることができる。
The pattern forming method according to claim 43 is the method according to claim 1, wherein after correcting all the sides to be corrected, a projection image is formed again based on the corrected data when the correction amount is outside the allowable range. Since the correction is performed, the reliability of the correction is improved.
The pattern formation method according to claim 44 is the method according to claim 43, wherein the design data is divided into a plurality of data blocks, a correction amount is determined for each data block, and a data block whose correction amount is outside the allowable range is stored in a separate file. Since the data is corrected again on the basis of the data extracted and corrected, the correction efficiency can be improved.

請求項45のパタン形成方法は、請求項5の方法において、各データブロックの周囲に設定されたバッファ領域を削除した補正データを作成するので、データの圧縮が図られる。   The pattern forming method of claim 45 is the method of claim 5, wherein the correction data is created by deleting the buffer area set around each data block, so that the data is compressed.

請求項46の集積回路の製造方法は、請求項1〜45のいずれか一項に記載のパタン形成方法を用いて集積回路を製造するので、光近接効果の影響による変形が軽減された集積回路が得られる。   The integrated circuit manufacturing method according to claim 46 is manufactured by using the pattern forming method according to any one of claims 1 to 45, so that the deformation due to the influence of the optical proximity effect is reduced. Is obtained.

以下、この発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。
実施形態1.
図1はこの発明の実施形態1に係るパタン形成方法を工程順に示す図である。まず、CAD等を用いて図1(a)に示されるようなLSIの設計データを作成する。ここでは、設計データとして複数の矩形パタン11が形成されている。次に、後述する光近接補正方法により設計データに光近接補正を施して図1(b)に示される光近接補正データを作成する。この光近接補正データは、設計データの矩形パタン11に対応する複数のパタン12を有しているが、各パタン12は、後のウエハ転写時における光の回折効果によるパタン変形を考慮して矩形の図形の四隅にそれぞれ補助的な図形121が付加された形状を有している。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
Embodiment 1. FIG.
FIG. 1 is a diagram showing a pattern forming method according to Embodiment 1 of the present invention in the order of steps. First, LSI design data as shown in FIG. 1A is created using CAD or the like. Here, a plurality of rectangular patterns 11 are formed as design data. Next, the optical proximity correction is performed on the design data by the optical proximity correction method described later to create optical proximity correction data shown in FIG. This optical proximity correction data has a plurality of patterns 12 corresponding to the rectangular pattern 11 of the design data. Each pattern 12 is rectangular in consideration of pattern deformation due to the light diffraction effect during subsequent wafer transfer. The auxiliary figure 121 is added to each of the four corners of the figure.

この光近接補正データを用いて電子ビーム描画することにより、図1(c)に示されるように複数のパタン13を有するマスクを形成する。このマスクを紫外線により一括露光してマスクのパタン13をウエハに転写する。このとき、図1(d)に示されるように、ウエハ上の転写パタン14は光の回折効果により四隅の補助的な図形が削られて矩形の形状となる。この転写パタン14に基づいてウエハにエッチング等の加工を施すと、図1(e)に示されるようなパタン15が得られる。加工後のパタン15は、マイクロローディング効果により図1(d)の転写パタン14より変形したものとなるが、図29(d)に示した従来の方法によるパタン294と比べると、変形量は小さく、設計データにより近いパタンを得ることができる。その後、LOCOS分離に用いられる酸化工程等を施すと、さらにパタン形状が変形するが、従来例と比べて寸法精度の高いパタンを形成することができる。   By performing electron beam drawing using the optical proximity correction data, a mask having a plurality of patterns 13 is formed as shown in FIG. The mask pattern 13 is transferred to the wafer by exposing the mask together with ultraviolet rays. At this time, as shown in FIG. 1D, the transfer pattern 14 on the wafer has a rectangular shape with the auxiliary figures at the four corners being cut by the diffraction effect of light. When processing such as etching is performed on the wafer based on the transfer pattern 14, a pattern 15 as shown in FIG. 1E is obtained. The processed pattern 15 is deformed from the transfer pattern 14 in FIG. 1D due to the microloading effect, but the deformation amount is small compared to the pattern 294 by the conventional method shown in FIG. 29D. A pattern closer to the design data can be obtained. Thereafter, when an oxidation process or the like used for LOCOS separation is performed, the pattern shape is further deformed, but a pattern with higher dimensional accuracy can be formed as compared with the conventional example.

実施形態2.
上述した実施形態1のパタン形成方法で用いられた光近接補正方法を実施する光近接補正装置の構成を図2に示す。CAD等を用いて作成された集積回路の設計データを取り入れる設計データ入力部1に前処理としてデータの圧縮を行うデータ圧縮部2が接続され、データ圧縮部2にウエハ転写の際の投影像を算出するための光学像算出部3が接続されている。光学像算出部3に、ウエハ転写により形成されるレジストパタンを予測するパタン予測部4が接続され、このパタン予測部4及び設計データ入力部1に予測パタンと設計データとの比較を行う比較部5が接続されている。比較部5には光近接補正を行う補正部6が接続され、補正部6に補正量が許容範囲内であるか否かを判定する判定部7が接続されている。この判定部7にデータを展開するデータ展開部8が接続され、さらにデータ展開部8に補正データ出力部9が接続されている。また、判定部7に光学像算出部3が接続されている。光学像算出部3は請求項1の光学像形成部を構成している。
Embodiment 2. FIG.
FIG. 2 shows the configuration of an optical proximity correction apparatus that implements the optical proximity correction method used in the pattern formation method of Embodiment 1 described above. A data compression unit 2 that compresses data as preprocessing is connected to a design data input unit 1 that takes in design data of an integrated circuit created using CAD or the like, and a projection image at the time of wafer transfer is connected to the data compression unit 2. An optical image calculation unit 3 for calculation is connected. A pattern prediction unit 4 for predicting a resist pattern formed by wafer transfer is connected to the optical image calculation unit 3, and a comparison unit for comparing the predicted pattern and the design data to the pattern prediction unit 4 and the design data input unit 1. 5 is connected. The comparison unit 5 is connected to a correction unit 6 that performs optical proximity correction, and the correction unit 6 is connected to a determination unit 7 that determines whether the correction amount is within an allowable range. A data expansion unit 8 that expands data is connected to the determination unit 7, and a correction data output unit 9 is further connected to the data expansion unit 8. The optical image calculation unit 3 is connected to the determination unit 7. The optical image calculation unit 3 constitutes the optical image forming unit of claim 1.

このような構成の光近接補正装置を用いた補正方法について図3のフローチャートを参照して説明する。まず、CAD等を用いて作成された設計データが設計データ入力部1から取り込まれると、前処理としてデータ圧縮部2により設計データの圧縮が行われる(ステップS1)。次に、光学像算出部3により圧縮データに基づいてウエハに転写されるパタンの投影像が算出される(ステップS2)。さらに、この投影像に基づいてパタン予測部4により転写パタンの仕上がり寸法が予測される(ステップS3)。このようにして予測された転写パタンの仕上がり寸法は、比較部5において、設計データ入力部1に入力された設計データによる寸法と比較され、これらの差分が補正量として算出される(ステップS4)。比較部5で算出された補正量に基づいて補正部6で圧縮データの補正が行われる(ステップS5)。   A correction method using the optical proximity correction apparatus having such a configuration will be described with reference to the flowchart of FIG. First, when design data created using CAD or the like is fetched from the design data input unit 1, the data compression unit 2 compresses the design data as preprocessing (step S1). Next, a projected image of the pattern transferred to the wafer is calculated by the optical image calculation unit 3 based on the compressed data (step S2). Further, the finished size of the transfer pattern is predicted by the pattern predicting unit 4 based on this projection image (step S3). The finished size of the transfer pattern predicted in this way is compared with the size based on the design data input to the design data input unit 1 in the comparison unit 5, and the difference between these is calculated as a correction amount (step S4). . Based on the correction amount calculated by the comparison unit 5, the correction unit 6 corrects the compressed data (step S5).

その後、判定部7において、補正量が予め設定された許容範囲内であるか否かが判定され(ステップS6)、許容範囲外である場合には、まだ十分な補正がなされていないと判断し、ステップS2に戻って再び投影像が算出され、ステップS3〜S5に従ってデータの補正が実施される。このようにして、補正量が許容範囲内の値となるまでステップS2〜S6が繰り返される。ステップS6で補正量が許容範囲内と判定されると、適正な光近接補正が完了したと判断され、データ展開部8で圧縮されていたデータの展開が行われた後(ステップS7)、補正データ出力部9から補正データが出力される(ステップS8)。この補正データは、マスクを形成するための電子ビーム描画装置(図示せず)に入力される。   Thereafter, the determination unit 7 determines whether or not the correction amount is within a preset allowable range (step S6). If the correction amount is out of the allowable range, it is determined that sufficient correction has not yet been performed. Returning to step S2, the projection image is calculated again, and the data is corrected according to steps S3 to S5. In this way, steps S2 to S6 are repeated until the correction amount becomes a value within the allowable range. If it is determined in step S6 that the correction amount is within the allowable range, it is determined that the appropriate optical proximity correction has been completed, and after the data decompressed by the data decompressing unit 8 is performed (step S7), the correction is performed. Correction data is output from the data output unit 9 (step S8). This correction data is input to an electron beam lithography apparatus (not shown) for forming a mask.

上述したように、データ圧縮部2でデータの圧縮を施した後に予測パタンと設計データとの比較に基づいてデータの補正を行うので、補正計算の高速化が図られる。また、補正量が許容範囲内となるまで反復計算するので、仕上がり寸法の精度が向上する。   As described above, since the data correction is performed based on the comparison between the predicted pattern and the design data after the data compression unit 2 compresses the data, the speed of the correction calculation can be increased. In addition, since the calculation is repeatedly performed until the correction amount is within the allowable range, the accuracy of the finished dimension is improved.

実施形態3.
図4に実施形態3に係る光近接補正装置のブロック図を示す。この実施形態3の装置は、図2に示した実施形態1の装置において、光学像算出部3の代わりに請求項1の光学像形成部として光学像測定部10を設けたものである。光学像測定部10は、光学系を有しており、設計データに基づいて作成されたマスクの投影像を測定するものである。上記の実施形態2では、ステップS2において光学像算出部3が圧縮データに基づいてウエハに転写されるパタンの投影像をソフトウエア的に算出したが、実施形態3では、図5に示されるように、ステップS1でデータの圧縮が行われた後、ステップS9で光学像測定部10によりハードウエア的に投影像を測定する。図5において、ステップS1、S3〜S8はそれぞれ図3に示した実施形態2の対応するステップと同様である。
Embodiment 3. FIG.
FIG. 4 shows a block diagram of an optical proximity correction apparatus according to the third embodiment. The apparatus according to the third embodiment is different from the apparatus according to the first embodiment shown in FIG. 2 in that an optical image measuring unit 10 is provided as an optical image forming unit according to claim 1 instead of the optical image calculating unit 3. The optical image measurement unit 10 has an optical system, and measures a projected image of a mask created based on design data. In the second embodiment, the optical image calculation unit 3 calculates the projected image of the pattern transferred to the wafer based on the compressed data in step S2 by software. In the third embodiment, as shown in FIG. In addition, after the data is compressed in step S1, the optical image measuring unit 10 measures the projection image by hardware in step S9. In FIG. 5, steps S1, S3 to S8 are the same as the corresponding steps of the second embodiment shown in FIG.

なお、光学像測定部10の光学系は、ウエハ転写を行うステッパに対して次のような条件を満たすものが用いられる。すなわち、ステッパの使用波長λ1、空間コヒーレンシーσ1、倍率m1及び開口数NA1に対して光学像測定部10の光学系の使用波長λ2、空間コヒーレンシーσ2、倍率m2及び開口数NA2が、λ1=λ2、σ1=σ2、m1・NA1=m2・NA2の関係を満たすように設定される。このような光学系を用いることにより、転写時の光の回折効果を精度よく測定することができ、補正計算の高速化を図ることが可能となる。   As the optical system of the optical image measuring unit 10, an optical system that satisfies the following conditions is used for a stepper that performs wafer transfer. That is, for the use wavelength λ1, the spatial coherency σ1, the magnification m1 and the numerical aperture NA1, the use wavelength λ2, the spatial coherency σ2, the magnification m2 and the numerical aperture NA2 of the optical image measurement unit 10 are λ1 = λ2. It is set so as to satisfy the relationship of σ1 = σ2 and m1 · NA1 = m2 · NA2. By using such an optical system, it is possible to accurately measure the diffraction effect of light at the time of transfer, and it is possible to increase the speed of correction calculation.

実施形態4.
実施形態2あるいは3のデータ圧縮工程において、データ圧縮部2は、図6に示されるように、設計データを複数のデータブロック6a〜6iに分割してもよい。このデータブロック毎に光近接補正が施される。さらに、各データブロックの周囲にそれぞれバッファ領域を設定する。バッファ領域は、対応するデータブロック内の図形要素を補正する際に周辺のデータブロック内の図形要素との関連性を考慮するために設定される。例えば、図6において、データブロック6eの周囲にバッファ領域60eが設定されており、バッファ領域60e内にデータブロック6eの図形要素と近接効果を生じるような図形要素が存在するか否かが判別され、その結果に応じてデータブロック6e内の補正対象となる辺が決定される。このようにすることにより、各データブロックの独立性が確保され、データブロック毎に並列演算する等の補正処理の高速化が可能となる。
Embodiment 4 FIG.
In the data compression process of the second or third embodiment, the data compression unit 2 may divide the design data into a plurality of data blocks 6a to 6i as shown in FIG. Optical proximity correction is performed for each data block. Further, a buffer area is set around each data block. The buffer area is set in order to consider the relevance with the graphic elements in the surrounding data blocks when correcting the graphic elements in the corresponding data block. For example, in FIG. 6, a buffer area 60e is set around the data block 6e, and it is determined whether or not a graphic element that causes a proximity effect with the graphic element of the data block 6e exists in the buffer area 60e. The sides to be corrected in the data block 6e are determined according to the result. By doing so, the independence of each data block is ensured, and it is possible to speed up the correction process such as performing a parallel operation for each data block.

実施形態5.
データ圧縮部2は、実施形態4における各データブロック内において、図形要素の各辺とこれに対向する辺までの距離を算出し、所定値以下の間隔で互いに対向する辺の存在が検出された場合に、そのデータブロックを補正対象とする。このような辺が存在しない場合には、そのデータブロックは補正対象から外される。例えば、図7(a)に示されるように、データブロック内に図形7a及び7bが存在する場合、距離Aが十分大きくても、距離B及びCが所定値より小さくて光近接補正を行う必要があるので、このデータブロックは補正対象とされる。一方、図7(b)に示されるデータブロックは、図形7cの長さAが十分に大きく、所定値以下の間隔で対向する辺が存在しないので、補正の必要はないと判断され、補正対象外とされる。このようにしてデータブロック毎に補正の要否を判断することにより、補正処理の高速化を図ることができる。
Embodiment 5. FIG.
The data compression unit 2 calculates the distance between each side of the graphic element and the side facing the side in each data block in the fourth embodiment, and the presence of sides facing each other is detected at an interval equal to or less than a predetermined value. In this case, the data block is a correction target. When such a side does not exist, the data block is excluded from the correction target. For example, as shown in FIG. 7A, when figures 7a and 7b exist in the data block, even if the distance A is sufficiently large, the distances B and C are smaller than a predetermined value and it is necessary to perform optical proximity correction. Therefore, this data block is a correction target. On the other hand, in the data block shown in FIG. 7B, since the length A of the figure 7c is sufficiently large and there are no sides facing each other at an interval equal to or smaller than a predetermined value, it is determined that there is no need for correction and the correction target It is assumed to be outside. By determining whether or not correction is necessary for each data block in this way, it is possible to speed up the correction process.

実施形態6.
露光装置に変形照明法を適用した場合、2次光源面上に遮光部が形成されるので、露光装置の瞳面上に光源の回折像が形成される。例えば、図41(a)及び(b)は、それぞれ直線状及び十字状の遮光部を有する変形照明によるもので、瞳面410上に0次光源像411、421と一方の1次光源像412、422との間の2光束干渉が成立する限界点における回折パタンを示している。このような2光束干渉のカットオフ周波数に対応する周期L2はL2=λ/(σ+1)NAで表される。ただし、λは光の波長、σは空間コヒーレンシー、NAは開口数を示す。すなわち、周期L2より大きなパタンでは、少なくとも2光束の干渉が成立する。
Embodiment 6. FIG.
When the modified illumination method is applied to the exposure apparatus, a light-shielding portion is formed on the secondary light source surface, so that a diffraction image of the light source is formed on the pupil plane of the exposure apparatus. For example, FIGS. 41A and 41B are obtained by modified illumination having linear and cross-shaped light-shielding portions, respectively, and zero-order light source images 411 and 421 and one primary light source image 412 on the pupil plane 410. 4 shows a diffraction pattern at a limit point where two-beam interference with 422 occurs. The period L2 corresponding to such a two-beam interference cutoff frequency is represented by L2 = λ / (σ + 1) NA. Where λ is the wavelength of light, σ is spatial coherency, and NA is the numerical aperture. That is, at a pattern longer than the period L2, interference of at least two light beams is established.

また、図41(c)及び(d)は、それぞれ直線状及び十字状の遮光部を有する変形照明によるもので、瞳面410上に0次光源像411、421と±1次光源像412及び413、422及び423との間の3光束干渉が成立する限界点における回折パタンを示している。このような3光束干渉のカットオフ周波数に対応する周期L3はL3=λ/(1−σb)NAで表される。ただし、σbは光源像の遮光部に関する空間コヒーレンシーである。すなわち、周期L3より大きなパタンでは3光束干渉が成立する。   FIGS. 41C and 41D show modified illuminations having linear and cross-shaped light shielding portions, respectively. Zero-order light source images 411 and 421 and ± primary light source images 412 and The diffraction pattern at the limit point where the three-beam interference between 413, 422 and 423 is established is shown. The period L3 corresponding to such a three-beam interference cutoff frequency is represented by L3 = λ / (1-σb) NA. Where σb is the spatial coherency regarding the light-shielding part of the light source image. That is, three-beam interference is established with a pattern longer than the cycle L3.

通常照明法において、種々のスペース幅に対する0.35μm幅のラインの仕上り寸法及び種々のライン幅に対する0.35μm幅のスペースの仕上り寸法を測定したところ、光近接効果は図42(a)及び(b)のように生じることがわかった。図中の小パタンは周期L2以下の大きさのパタンであり、この小パタンを用いて条件だしが行われる。このため、小パタンでは仕上りライン及び仕上りスペースの寸法が光近接効果の影響を受けず、ずれていない。中パタンは周期L2からL3までの大きさのパタン、大パタンは周期L3より大きなパタンで、共に仕上りライン及び仕上りスペースの寸法がずれている。従って、図44(a)に○印で示されるように、ラインあるいはスペースが中パタンあるいは大パタンのときに光近接効果に対する補正が必要となる。   In the normal illumination method, when the finished size of a 0.35 μm wide line for various space widths and the finished size of a 0.35 μm wide space for various line widths were measured, the optical proximity effect is shown in FIGS. It was found that this occurred as in b). The small pattern in the figure is a pattern having a size of the period L2 or less, and condition reading is performed using this small pattern. For this reason, in the small pattern, the dimensions of the finishing line and the finishing space are not affected by the optical proximity effect and are not shifted. The middle pattern is a pattern having a size from the period L2 to L3, and the large pattern is a pattern larger than the period L3, and the dimensions of the finishing line and the finishing space are both shifted. Therefore, as shown by a circle in FIG. 44 (a), it is necessary to correct the optical proximity effect when the line or space is a medium pattern or a large pattern.

同様の測定を変形照明法で行ったところ、光近接効果は図43(a)及び(b)のように生じた。図中の小パタン、中パタン及び大パタンは、上述した通常照明法の場合と同様に、それぞれ周期L2以下の大きさのパタン、周期L2からL3までの大きさのパタン、周期L3より大きなパタンを示している。小パタンを用いて条件だしが行われるため、小パタンでは仕上りライン及び仕上りスペースの寸法が光近接効果の影響を受けず、ずれていない。また、変形照明法では、2光束干渉を生じる中パタンのスペースに対する仕上りライン幅も光近接効果の影響を受けず、ずれないことがわかった。その他のパタンでは仕上り寸法がずれている。このため、図44(b)に○印で示されるように、ラインが中パタンあるいは大パタンのとき、及びスペースが大パタンのときには光近接効果に対する補正が必要となるが、スペースが中パタンの場合には補正を必要としない。   When the same measurement was performed by the modified illumination method, the optical proximity effect was generated as shown in FIGS. 43 (a) and 43 (b). The small pattern, the medium pattern, and the large pattern in the figure are similar to the above-described normal illumination method. Is shown. Since the condition setting is performed using a small pattern, the dimensions of the finishing line and the finishing space are not affected by the optical proximity effect and are not shifted in the small pattern. In the modified illumination method, it was also found that the finished line width with respect to the space of the middle pattern causing the two-beam interference is not affected by the optical proximity effect and does not shift. In other patterns, the finished dimensions are shifted. For this reason, as indicated by a circle in FIG. 44 (b), when the line is a medium pattern or a large pattern and when the space is a large pattern, correction for the optical proximity effect is required. In some cases, no correction is required.

そこで、変形照明法を使用する場合に、データ圧縮工程において、3光束干渉のカットオフ周波数に対応する周期L3以下の大きさの遮光パタンを補正対象外とすることができる。   Therefore, when the modified illumination method is used, in the data compression step, a light shielding pattern having a size equal to or less than the period L3 corresponding to the three-beam interference cutoff frequency can be excluded from the correction target.

また、図43(a)に示されるように、大パタンのスペースに対する仕上りライン幅のずれ量はほぼ一定である。そこで、所定値以下の大きさで光近接補正を行う必要があり且つ3光束干渉のカットオフ周波数に対応する周期L3以上の大きさの間隔で互いに対向する辺に対しては、一定の補正量を加えることで容易に良好なパタン補正が可能となる。   Further, as shown in FIG. 43A, the deviation amount of the finished line width with respect to the large pattern space is substantially constant. Therefore, it is necessary to perform optical proximity correction with a magnitude equal to or smaller than a predetermined value, and a certain correction amount is applied to sides facing each other at intervals of a magnitude greater than or equal to the period L3 corresponding to the cutoff frequency of three-beam interference. By adding, good pattern correction can be easily performed.

実施形態7.
データ圧縮工程において、図8(a)に示されるように複数のデータブロックにわたる巨大な図形を処理する場合には、図8(b)に示されるように図形の辺が存在するデータブロック8a〜8sのみを補正対象とし、図形の辺が存在しないデータブロックは補正対象外とする。図形の辺が存在しなければ、光近接効果が生じないからである。このようにすることにより、補正の不要なデータブロックを補正計算から除外でき、補正処理の高速化が図られる。
Embodiment 7. FIG.
In the data compression process, when processing a huge figure extending over a plurality of data blocks as shown in FIG. 8A, the data blocks 8a to 8B having the sides of the figure as shown in FIG. Only 8s is a correction target, and a data block having no graphic side is not a correction target. This is because the optical proximity effect does not occur if there is no side of the figure. In this way, data blocks that do not need to be corrected can be excluded from the correction calculation, and the correction process can be speeded up.

実施形態8.
データ圧縮工程において、複数のデータブロックに同一の図形要素が存在する場合、それらのデータブロックのうちの一つを補正対象とし、残りのデータブロックを補正対象外とする。例えば、図9(a)の上部に示される横長の図形はデータブロック9a〜9eにわたっているが、これらのデータブロックのうち、データブロック9b、9c及び9dには互いに同一の図形要素が存在している。そこで、図9(b)に示されるように、データブロック9b〜9dのうちデータブロック9bのみを補正対象とし、補正後にその補正結果をデータブロック9c及び9dに流用する。実施形態7によれば、図9(a)に示す図形に対して、図9(b)に示されるデータブロック9a、9b、9e〜9mのみを補正対象とすればよいこととなる。従って、補正処理の高速化が可能となる。
Embodiment 8. FIG.
In the data compression step, when the same graphic element exists in a plurality of data blocks, one of the data blocks is set as a correction target, and the remaining data blocks are not set as correction targets. For example, the horizontally long graphic shown in the upper part of FIG. 9A extends over the data blocks 9a to 9e. Among these data blocks, the data blocks 9b, 9c and 9d have the same graphic elements. Yes. Therefore, as shown in FIG. 9B, of the data blocks 9b to 9d, only the data block 9b is targeted for correction, and the correction result is diverted to the data blocks 9c and 9d after correction. According to the seventh embodiment, only the data blocks 9a, 9b, and 9e to 9m shown in FIG. 9B need be corrected with respect to the graphic shown in FIG. 9A. Therefore, the correction process can be speeded up.

実施形態9.
データ圧縮工程において、処理しようとする図形が同一のセルを連続させたアレイ部を有する場合には、まず、図10(a)に示される一つのセルの図形100を光近接補正して図10(b)のような図形101を作成し、その後図10(c)に示されるようにアレイ展開する。このようにすることにより、補正処理の高速化が図られる。
Embodiment 9. FIG.
In the data compression step, when the figure to be processed has an array portion in which the same cells are continuous, first, the figure 100 of one cell shown in FIG. A figure 101 as shown in FIG. 10B is created, and then the array is developed as shown in FIG. In this way, the correction process can be speeded up.

実施形態10.
図11に示されるように、メモリセルの図形110が連続するメモリセルアレイの設計データに対しては、データ圧縮工程において、メモリセルの周期に合わせてデータブロック11aを分割する。すなわち、データブロック11aの分割周期をメモリセルの周期に合わせる。このようにすることにより、周期境界条件を用いることができるようになるので、図6に示したようなバッファ領域の設定は不要となる。また、高速フーリエ変換(FFT)を有効に使用することができるので、処理の高速化が図られる。
Embodiment 10 FIG.
As shown in FIG. 11, for the design data of the memory cell array in which the memory cell graphics 110 are continuous, the data block 11a is divided in accordance with the cycle of the memory cells in the data compression step. That is, the division cycle of the data block 11a is matched with the cycle of the memory cell. By doing so, the periodic boundary condition can be used, so that it is not necessary to set the buffer area as shown in FIG. In addition, since the fast Fourier transform (FFT) can be used effectively, the processing speed can be increased.

実施形態11.
図12(a)に示されるように、データブロック内に複数の図形要素121〜125が互いに隣接して存在する場合、データ圧縮工程において、これらの図形要素121〜125を合わせて図12(b)に示される一つの多角形126を形成する。このような多角形処理をすることにより、データの圧縮がなされ、また図形内部に冗長な辺が存在しなくなるので、誤った補正処理をすることが回避される。
Embodiment 11. FIG.
As shown in FIG. 12A, when a plurality of graphic elements 121 to 125 are adjacent to each other in the data block, in the data compression process, these graphic elements 121 to 125 are combined to form FIG. ) Is formed. By performing such polygon processing, data is compressed and redundant sides do not exist inside the figure, so that erroneous correction processing is avoided.

実施形態12.
図13(a)に示されるように、データブロック内に複数の図形要素131〜137により中抜き図形が形成されている場合、図13(b)に示されるように、データ圧縮工程において、これら図形要素131〜137全体の外周を定義する図形要素138と中抜き部を定義する図形要素139a及び139bとにより表現する。このようにすることにより、中抜き図形の補正処理が容易となる。
Embodiment 12 FIG.
As shown in FIG. 13A, when a hollow graphic is formed by a plurality of graphic elements 131 to 137 in the data block, as shown in FIG. The graphic elements 131 to 137 are expressed by graphic elements 138 that define the outer periphery of the graphic elements 131 and 137, and graphic elements 139a and 139b that define hollow portions. By doing so, it is easy to correct the hollow graphic.

実施形態13.
図2の光学像算出部3を、図14に示されるように、互いに並列に接続された複数のCPU141〜145から構成することができる。データ圧縮部2で圧縮された設計データを分割して、CPU141〜145によりそれぞれ別個に並列演算した後、計算結果を合わせて補正データを作成する。このような並列演算を用いることにより、高速処理が可能となる。例えば、図14に示したように5台のCPUを用いれば、1台のCPUによる場合と比べて5倍の高速処理が可能になる。
Embodiment 13. FIG.
As shown in FIG. 14, the optical image calculation unit 3 in FIG. 2 can include a plurality of CPUs 141 to 145 connected in parallel to each other. The design data compressed by the data compression unit 2 is divided, and each of the CPUs 141 to 145 performs a parallel operation separately, and then the correction result is created by combining the calculation results. By using such a parallel operation, high-speed processing is possible. For example, as shown in FIG. 14, if five CPUs are used, the processing speed can be increased five times as compared with the case where one CPU is used.

また、CPU141を親プロセッサとしてこれにより図2のデータ圧縮部2、データ展開部8及び補正データ出力部9を構成し、CPU142〜145を複数の子プロセッサとしてこれらにより図2の光学像算出部3、パタン予測部4、比較部5、補正部6及び判定部7を構成させることもできる。この場合の演算処理方法を図30に示す。まず、親プロセッサに設計データとしてマスクパタンのCADデータが入力されると、親プロセッサはCADデータを複数のデータブロックに分割し、データ間の重複を除去してデータ圧縮を行った後、各データブロックの周囲にバッファ領域を設定する。次に、親プロセッサに、図示しない露光系の光学データが入力されると共に標準パタンの露光結果が入力される。親プロセッサは、標準パタンの露光結果から標準パタンとその光学像、特にパタン予測するために設定される光強度のしきい値との相関関係を求めると共に各データブロックに共通の演算を行い、これら相関関係及び共通の演算結果を複数の子プロセッサに送信する。   2 constitutes the data compression unit 2, the data expansion unit 8, and the correction data output unit 9 shown in FIG. 2, and the CPUs 142 to 145 serve as a plurality of child processors, whereby the optical image calculation unit 3 shown in FIG. The pattern prediction unit 4, the comparison unit 5, the correction unit 6, and the determination unit 7 can be configured. The calculation processing method in this case is shown in FIG. First, when CAD data having a mask pattern is input as design data to the parent processor, the parent processor divides the CAD data into a plurality of data blocks, removes duplication between the data, and compresses the data. Set the buffer area around the block. Next, the optical data of the exposure system (not shown) is input to the parent processor and the exposure result of the standard pattern is input. The parent processor obtains the correlation between the standard pattern from the exposure result of the standard pattern and its optical image, in particular, the threshold value of the light intensity set for pattern prediction, and performs common operations for each data block. The correlation and the common calculation result are transmitted to a plurality of child processors.

親プロセッサは、子プロセッサと同期をとった後、子プロセッサから信号を受信するまで待機する。そして、子プロセッサから処理待ち信号を受け取ると、処理開始信号と共にその子プロセッサに対応するデータブロックのデータを子プロセッサへ送信する。一方、子プロセッサから計算終了信号を受け取ると、続いて子プロセッサから計算結果を受け取って格納し、全てのデータの処理が終了した場合には各子プロセッサへ終了信号を送信して全ての処理を終了する。未処理データがある場合には子プロセッサから次の信号を受信するまで待機する。   After synchronizing with the child processor, the parent processor waits until a signal is received from the child processor. When a processing wait signal is received from the child processor, the data block data corresponding to the child processor is transmitted to the child processor together with the processing start signal. On the other hand, when the calculation end signal is received from the child processor, the calculation result is subsequently received and stored from the child processor, and when the processing of all data is completed, the end signal is transmitted to each child processor to perform all processing. finish. If there is unprocessed data, it waits until the next signal is received from the child processor.

一方、子プロセッサは、親プロセッサから処理開始信号及び対応するデータブロックのデータを受け取ると、光学計算及び補正計算を行い、補正量が許容範囲内になったところで補正データを圧縮し、親プロセッサへ計算終了信号と共に計算結果を送信する。
このようにして、図3に示したフローチャートの最外周ループに対して複数の子プロセッサにより並列演算を行うことにより、著しい高速化が達成される。
On the other hand, when the child processor receives the processing start signal and the data of the corresponding data block from the parent processor, the child processor performs optical calculation and correction calculation, and compresses the correction data when the correction amount is within the allowable range, to the parent processor. The calculation result is transmitted together with the calculation end signal.
In this way, a significant speed increase is achieved by performing parallel operations on the outermost loop of the flowchart shown in FIG. 3 by a plurality of child processors.

実施形態14.
実施形態13において、標準パタンの露光結果から標準パタンとその光学像との相関関係を次のようにして求めることができる。図31に示されるように、まず、標準パタンを実際に露光して得られたレジストパタンの寸法を測定する。親プロセッサは、標準マスクデータから算出された標準パタンの光学像を計算し、周囲の光強度Ixを検索する。次に、レジストパタンの寸法の測定値と標準パタンの寸法とのずれ量△を求め、標準パタンの光学像の△だけずれた位置の光強度Iyを検索する。さらに、親プロセッサは、光強度IxとIyとの相関関係を最小自乗フィッティングで求める。子プロセッサは、親プロセッサで得られた相関関係に基づき、周囲の光強度Ixに応じて異なるしきい値を算出し、このしきい値を用いて補正計算を行う。
このようにすることで、レジストの変更及びプロセスの変更等に伴う変動にも柔軟に対応でき、高精度の補正を行うことが可能となる。
Embodiment 14 FIG.
In the thirteenth embodiment, the correlation between the standard pattern and its optical image can be obtained from the exposure result of the standard pattern as follows. As shown in FIG. 31, first, the dimension of the resist pattern obtained by actually exposing the standard pattern is measured. The parent processor calculates an optical image of the standard pattern calculated from the standard mask data, and searches for the ambient light intensity Ix. Next, a deviation amount Δ between the measured value of the resist pattern and the standard pattern is obtained, and the light intensity Iy at a position shifted by Δ of the optical image of the standard pattern is retrieved. Further, the parent processor obtains a correlation between the light intensities Ix and Iy by least square fitting. The child processor calculates a different threshold according to the ambient light intensity Ix based on the correlation obtained by the parent processor, and performs correction calculation using this threshold.
By doing so, it is possible to flexibly cope with variations accompanying changes in the resist and processes, and to perform highly accurate correction.

また、図32に示されるように、レジストパタンの寸法の代わりに、標準パタンを露光した後にエッチングして得られたエッチングパタンの寸法を用いることもできる。このようにすれば、エッチングに伴う変動にも対応でき、高精度の補正を行うことができる。   As shown in FIG. 32, the dimension of the etching pattern obtained by etching after exposing the standard pattern can be used instead of the dimension of the resist pattern. In this way, it is possible to cope with fluctuations associated with etching and to perform highly accurate correction.

実施形態15.
実施形態13において、標準パタンとその光学像との相関関係を求める代わりに、標準マスクデータとマスク製造後のマスクパタンとの相関関係を求めることもできる。図45に示されるように、まず、標準マスクデータを実際に電子ビーム描画して得られた標準パタンの寸法を測定する。一方、親プロセッサは、標準マスクデータから電子ビーム描画パタンを算出し、マスクエッジ周囲の電子ビーム描画パタンIxを検索する。次に、標準パタンの寸法の測定値と電子ビーム描画パタンの寸法とのずれ量△を求め、△だけずれた位置の電子ビーム描画パタンIyを検索する。さらに、親プロセッサは、IxとIyとの相関関係を最小自乗フィッティングで求める。子プロセッサは、親プロセッサで得られた相関関係に基づき、周囲の電子ビーム描画パタンIxに応じて異なるしきい値を算出し、このしきい値を用いて補正計算を行う。
このようにすることで、マスクを電子ビーム描画する際の電子ビーム近接効果のみを評価して補正に取り込むことができる。
Embodiment 15. FIG.
In the thirteenth embodiment, instead of obtaining the correlation between the standard pattern and its optical image, the correlation between the standard mask data and the mask pattern after manufacturing the mask can be obtained. As shown in FIG. 45, first, the size of a standard pattern obtained by actually writing standard mask data with an electron beam is measured. On the other hand, the parent processor calculates an electron beam drawing pattern from the standard mask data, and searches for an electron beam drawing pattern Ix around the mask edge. Next, a deviation amount Δ between the measured value of the standard pattern dimension and the dimension of the electron beam drawing pattern is obtained, and the electron beam drawing pattern Iy at a position shifted by Δ is searched. Further, the parent processor obtains the correlation between Ix and Iy by least square fitting. The child processor calculates a different threshold according to the surrounding electron beam drawing pattern Ix based on the correlation obtained by the parent processor, and performs correction calculation using this threshold.
In this way, only the electron beam proximity effect when the mask is drawn with the electron beam can be evaluated and incorporated into the correction.

また、図46に示されるように、電子ビーム描画の代わりにレーザ描画を用い、標準マスクデータを実際にレーザ描画して得られた標準パタンと、標準マスクデータから算出されたレーザ描画パタンとの相関関係を求めてもよい。このようにすれば、マスクをレーザ描画する際の近接効果のみを評価して補正に取り込むことができる。   Also, as shown in FIG. 46, using laser drawing instead of electron beam drawing, a standard pattern obtained by actually performing laser drawing of standard mask data, and a laser drawing pattern calculated from the standard mask data. A correlation may be obtained. In this way, only the proximity effect when the mask is laser-drawn can be evaluated and incorporated into the correction.

実施形態16.
実施形態13において、標準パタンとその光学像との相関関係を求める代わりに、標準パタンのパタン寸法と標準パタンを露光して得られたレジストパタンのパタン寸法との相関関係を求めることもできる。図47に示されるように、例えば実施形態15で得られた標準パタンを実際に露光してレジストパタンを形成し、このレジストパタンの寸法を測定する。一方、親プロセッサは、標準パタンを測定して得られたパタン寸法から光学像を算出し、マスクエッジ周囲の光学像Ixを検索する。次に、レジストパタンの寸法の測定値と標準パタンの寸法とのずれ量△を求め、△だけずれた位置の光学像Iyを検索する。さらに、親プロセッサは、IxとIyとの相関関係を最小自乗フィッティングで求める。子プロセッサは、親プロセッサで得られた相関関係に基づき、周囲の光学像Ixに応じて異なるしきい値を算出し、このしきい値を用いて補正計算を行う。
このようにすることで、マスクの光転写時に生じる光近接効果のみを評価して補正に取り込むことができる。
Embodiment 16. FIG.
In the thirteenth embodiment, instead of obtaining the correlation between the standard pattern and its optical image, the correlation between the pattern size of the standard pattern and the pattern size of the resist pattern obtained by exposing the standard pattern can be obtained. As shown in FIG. 47, for example, the standard pattern obtained in the fifteenth embodiment is actually exposed to form a resist pattern, and the dimension of this resist pattern is measured. On the other hand, the parent processor calculates an optical image from the pattern size obtained by measuring the standard pattern, and searches for the optical image Ix around the mask edge. Next, a deviation amount Δ between the measured value of the resist pattern and the standard pattern is obtained, and the optical image Iy at a position shifted by Δ is searched. Further, the parent processor obtains the correlation between Ix and Iy by least square fitting. The child processor calculates a different threshold according to the surrounding optical image Ix based on the correlation obtained by the parent processor, and performs correction calculation using this threshold.
By doing so, it is possible to evaluate and incorporate only the optical proximity effect generated during the optical transfer of the mask into the correction.

実施形態17.
実施形態13において、標準パタンとその光学像との相関関係を求める代わりに、レジストパタンの寸法とレジストパタンをエッチングして得られたエッチングパタンの寸法との相関関係を求めることもできる。図48に示されるように、例えば実施形態16で得られた標準レジストパタンを実際にエッチングしてエッチングパタンを形成し、このエッチングパタンの寸法を測定する。一方、親プロセッサは、標準レジストパタンを測定して得られたパタン寸法からエッチングパタンを算出し、レジストエッジ周囲のエッチャント濃度Ixを検索する。次に、エッチングパタンの寸法の測定値と標準レジストパタンの寸法とのずれ量△を求め、△だけずれた位置のエッチャント濃度Iyを検索する。さらに、親プロセッサは、IxとIyとの相関関係を最小自乗フィッティングで求める。子プロセッサは、親プロセッサで得られた相関関係に基づき、周囲のエッチャント濃度Ixに応じて異なるしきい値を算出し、このしきい値を用いて補正計算を行う。
このようにすることで、エッチング時に生じるマイクロローディング効果のみを評価して補正に取り込むことができる。
Embodiment 17. FIG.
In the thirteenth embodiment, instead of obtaining the correlation between the standard pattern and its optical image, the correlation between the dimension of the resist pattern and the dimension of the etching pattern obtained by etching the resist pattern can be obtained. As shown in FIG. 48, for example, the standard resist pattern obtained in Embodiment 16 is actually etched to form an etching pattern, and the dimension of this etching pattern is measured. On the other hand, the parent processor calculates the etching pattern from the pattern dimension obtained by measuring the standard resist pattern, and searches for the etchant concentration Ix around the resist edge. Next, a deviation amount Δ between the measured value of the etching pattern dimension and the standard resist pattern dimension is obtained, and the etchant concentration Iy at a position shifted by Δ is searched. Further, the parent processor obtains the correlation between Ix and Iy by least square fitting. The child processor calculates a different threshold according to the surrounding etchant concentration Ix based on the correlation obtained by the parent processor, and performs correction calculation using this threshold.
In this way, only the microloading effect that occurs during etching can be evaluated and incorporated into the correction.

実施形態18.
実施形態13において、標準パタンとその光学像との相関関係を求める代わりに、標準マスクデータと電子ビーム描画及び光転写後のレジストパタンとの相関関係を求めることもできる。図49に示されるように、まず、標準マスクデータを実際に電子ビーム描画して標準パタンを形成し、さらにこの標準パタンを露光して得られたレジストパタンの寸法を測定する。一方、親プロセッサは、標準マスクデータから電子ビーム描画パタンを算出し、さらに光学像を算出した後、マスクエッジ周囲の光学像Ixを検索する。次に、レジストパタンの寸法の測定値と標準マスクデータとのずれ量△を求め、△だけずれた位置の光学像Iyを検索する。さらに、親プロセッサは、IxとIyとの相関関係を最小自乗フィッティングで求める。子プロセッサは、親プロセッサで得られた相関関係に基づき、周囲の光学像Ixに応じて異なるしきい値を算出し、このしきい値を用いて補正計算を行う。
このようにすることで、標準マスクデータから電子ビーム描画してさらに光転写する際の電子ビーム近接効果及び光近接効果を複合的に評価して補正に取り込むことができる。
Embodiment 18. FIG.
In the thirteenth embodiment, instead of obtaining the correlation between the standard pattern and its optical image, the correlation between the standard mask data and the resist pattern after electron beam drawing and light transfer can be obtained. As shown in FIG. 49, first, standard mask data is actually drawn with an electron beam to form a standard pattern, and the dimension of the resist pattern obtained by exposing the standard pattern is measured. On the other hand, the parent processor calculates an electron beam drawing pattern from the standard mask data, calculates an optical image, and then searches for an optical image Ix around the mask edge. Next, a deviation amount Δ between the measured value of the resist pattern and the standard mask data is obtained, and the optical image Iy at a position shifted by Δ is searched. Further, the parent processor obtains the correlation between Ix and Iy by least square fitting. The child processor calculates a different threshold according to the surrounding optical image Ix based on the correlation obtained by the parent processor, and performs correction calculation using this threshold.
By doing so, the electron beam proximity effect and the optical proximity effect when the electron beam is drawn from the standard mask data and further optically transferred can be evaluated in a composite manner and taken into the correction.

また、図50に示されるように、電子ビーム描画の代わりにレーザ描画を用い、標準マスクデータを実際にレーザ描画して標準パタンを形成した後この標準パタンを露光して得られたレジストパタンと、標準マスクデータからレーザ描画パタンを算出した後このレーザ描画パタンから算出された光学像との相関関係を求めてもよい。このようにすれば、標準マスクデータからレーザ描画してさらに光転写する際のレーザ描画近接効果及び光近接効果を複合的に評価して補正に取り込むことができる。   Further, as shown in FIG. 50, a resist pattern obtained by using laser drawing instead of electron beam drawing, forming a standard pattern by actually drawing the standard mask data by laser drawing, and exposing the standard pattern After calculating the laser drawing pattern from the standard mask data, the correlation with the optical image calculated from the laser drawing pattern may be obtained. In this way, the laser drawing proximity effect and the optical proximity effect when laser drawing is performed from the standard mask data and optical transfer is performed can be combined and evaluated for incorporation.

実施形態19.
実施形態13において、標準パタンとその光学像との相関関係を求める代わりに、標準パタンの寸法と標準パタンを露光し且つエッチングして得られたエッチングして得られたエッチングパタンの寸法との相関関係を求めることもできる。図51に示されるように、例えば実施形態15で得られた標準パタンを実際に露光した後、エッチングしてエッチングパタンを形成し、このエッチングパタンの寸法を測定する。一方、親プロセッサは、標準パタンを測定して得られたパタン寸法から光学像を算出した後、この光学像からエッチングパタンを算出し、レジストエッジ周囲のエッチャント濃度Ixを検索する。次に、エッチングパタンの寸法の測定値と標準パタンの寸法とのずれ量△を求め、△だけずれた位置のエッチャント濃度Iyを検索する。さらに、親プロセッサは、IxとIyとの相関関係を最小自乗フィッティングで求める。子プロセッサは、親プロセッサで得られた相関関係に基づき、周囲のエッチャント濃度Ixに応じて異なるしきい値を算出し、このしきい値を用いて補正計算を行う。
このようにすることで、光転写時及びエッチング時に生じる光近接効果及びマイクロローディング効果を複合的に評価して補正に取り込むことができる。
Embodiment 19. FIG.
In the thirteenth embodiment, instead of obtaining the correlation between the standard pattern and its optical image, the correlation between the size of the standard pattern and the size of the etching pattern obtained by exposing and etching the standard pattern. You can also ask for relationships. As shown in FIG. 51, for example, after the standard pattern obtained in the fifteenth embodiment is actually exposed, an etching pattern is formed by etching, and the dimension of this etching pattern is measured. On the other hand, the parent processor calculates an optical image from the pattern size obtained by measuring the standard pattern, calculates an etching pattern from this optical image, and searches for the etchant concentration Ix around the resist edge. Next, the amount of deviation Δ between the measured value of the etching pattern and the standard pattern is obtained, and the etchant concentration Iy at the position shifted by Δ is searched. Further, the parent processor obtains the correlation between Ix and Iy by least square fitting. The child processor calculates a different threshold according to the surrounding etchant concentration Ix based on the correlation obtained by the parent processor, and performs correction calculation using this threshold.
By doing in this way, the optical proximity effect and the microloading effect generated at the time of optical transfer and etching can be evaluated in a composite manner and taken into correction.

実施形態20.
実施形態13において、標準パタンとその光学像との相関関係を求める代わりに、標準マスクデータと電子ビーム描画、光転写及びエッチング後のエッチングパタンとの相関関係を求めることもできる。図52に示されるように、まず、標準マスクデータを実際に電子ビーム描画して標準パタンを形成し、さらにこの標準パタンを露光した後、エッチングして得られたエッチングパタンの寸法を測定する。一方、親プロセッサは、標準マスクデータから電子ビーム描画パタンを算出し、さらに光学像を算出した後、この光学像からエッチングパタンを算出し、レジストエッジ周囲のエッチャント濃度Ixを検索する。次に、エッチングパタンの寸法の測定値と標準マスクデータとのずれ量△を求め、△だけずれた位置のエッチャント濃度Iyを検索する。さらに、親プロセッサは、IxとIyとの相関関係を最小自乗フィッティングで求める。子プロセッサは、親プロセッサで得られた相関関係に基づき、周囲のエッチャント濃度Ixに応じて異なるしきい値を算出し、このしきい値を用いて補正計算を行う。
このようにすることで、電子ビーム描画時、光転写時及びエッチング時に生じる電子ビーム近接効果、光近接効果及びマイクロローディング効果を複合的に評価して補正に取り込むことができる。
Embodiment 20. FIG.
In the thirteenth embodiment, instead of obtaining the correlation between the standard pattern and its optical image, the correlation between the standard mask data and the etching pattern after electron beam drawing, optical transfer, and etching can be obtained. As shown in FIG. 52, first, standard mask data is actually drawn by an electron beam to form a standard pattern, and after the standard pattern is exposed, the dimension of the etching pattern obtained by etching is measured. On the other hand, the parent processor calculates an electron beam drawing pattern from the standard mask data, calculates an optical image, calculates an etching pattern from the optical image, and searches for an etchant concentration Ix around the resist edge. Next, a deviation amount Δ between the measured value of the etching pattern dimension and the standard mask data is obtained, and the etchant concentration Iy at a position shifted by Δ is searched. Further, the parent processor obtains the correlation between Ix and Iy by least square fitting. The child processor calculates a different threshold according to the surrounding etchant concentration Ix based on the correlation obtained by the parent processor, and performs correction calculation using this threshold.
By doing in this way, the electron beam proximity effect, the optical proximity effect, and the microloading effect that are generated at the time of electron beam drawing, light transfer, and etching can be evaluated in a composite manner and incorporated into correction.

また、図53に示されるように、電子ビーム描画の代わりにレーザ描画を用い、標準マスクデータを実際にレーザ描画して標準パタンを形成した後この標準パタンを露光し且つエッチングして得られたエッチングパタンと、標準マスクデータからレーザ描画パタン及び光学像を順次算出した後この光学像から算出されたエッチングパタンとの相関関係を求めてもよい。このようにすれば、レーザ描画時、光転写時及びエッチング時に生じるレーザ描画近接効果、光近接効果及びマイクロローディング効果を複合的に評価して補正に取り込むことができる。   Further, as shown in FIG. 53, laser drawing was used instead of electron beam drawing, and standard mask data was actually laser drawn to form a standard pattern, which was then exposed and etched. After sequentially calculating the laser drawing pattern and the optical image from the standard mask data, the correlation between the etching pattern and the etching pattern calculated from the optical image may be obtained. In this way, the laser drawing proximity effect, the optical proximity effect, and the microloading effect that occur during laser drawing, light transfer, and etching can be evaluated and incorporated into correction.

実施形態21.
図4の光学像測定部10を、図15に示されるように、複数の光学系151〜155から構成することができる。データ圧縮部2で圧縮された設計データを分割して、光学系151〜155によりそれぞれ別個に並列測定した後、測定結果を合わせて補正データを作成する。このような並列測定を用いることにより、高速処理が可能となる。例えば、図15に示したように五つの光学系を用いれば、一つの光学系による場合と比べて5倍の高速処理が可能になる。
Embodiment 21. FIG.
As shown in FIG. 15, the optical image measurement unit 10 in FIG. 4 can be configured from a plurality of optical systems 151 to 155. The design data compressed by the data compression unit 2 is divided and separately measured in parallel by the optical systems 151 to 155, and then correction data is created by combining the measurement results. By using such parallel measurement, high-speed processing becomes possible. For example, if five optical systems are used as shown in FIG. 15, a high-speed processing 5 times faster than that using a single optical system can be achieved.

実施形態22.
図16に示されるように、設計データに基づいたマスクパタン161から投影像を形成した後、転写パタン予測工程において、パタン予測部4は所定のしきい値ITHの光強度Iを有する位置によってマスクエッジを予測し、これによりウエハ表面のレジスト等に転写されたパタン162の寸法を予測する。このとき、設計データに基づくマスクパタン161のマスクエッジと予測されたマスクエッジとの距離Dが補正量となる。なお、しきい値ITHは、境界部の存在しない平坦なパタンにおける光強度を1として0.20〜0.40程度の光強度に設定される。このように、しきい値ITHを用いてマスクエッジを予測することにより、レジストの現像計算を省略することができ、高速処理が可能となる。
Embodiment 22. FIG.
As shown in FIG. 16, after the projection image is formed from the mask pattern 161 based on the design data, in the transfer pattern prediction step, the pattern prediction unit 4 performs masking according to the position having the light intensity I of the predetermined threshold value ITH. The edge is predicted, and thereby the size of the pattern 162 transferred to the resist or the like on the wafer surface is predicted. At this time, the distance D between the mask edge of the mask pattern 161 based on the design data and the predicted mask edge is the correction amount. The threshold value ITH is set to a light intensity of about 0.20 to 0.40, where the light intensity in a flat pattern having no boundary portion is 1. Thus, by predicting the mask edge using the threshold value ITH, the resist development calculation can be omitted, and high-speed processing is possible.

実施形態23.
実施形態22において、補正対象の図形要素の辺の周辺部の光強度に応じてしきい値ITHを調整することもできる。例えば、図17(a)に示されるようなマスクパタン171を用いると、光の透過部分が小さいので、補正対象の辺の周辺部の光強度は十分に強いものではない。この場合には、しきい値ITHを高く設定する。一方、図17(b)、図18(a)及び(b)に示されるようなマスクパタン173、181及び183を用いると、光の透過部分が大きいので、補正対象の辺の周辺部の光強度が十分に強く、この場合には、しきい値ITHを低く設定する。このようにすることにより、補正対象の辺の周辺部の状況を反映して転写パタン172、174、182及び184の予測ができるので、高速且つ高精度なパタン予測が可能となる。
Embodiment 23. FIG.
In the twenty-second embodiment, the threshold value ITH can be adjusted according to the light intensity at the periphery of the side of the graphic element to be corrected. For example, when a mask pattern 171 as shown in FIG. 17A is used, the light transmission portion is small, so that the light intensity at the periphery of the correction target side is not sufficiently strong. In this case, the threshold value ITH is set high. On the other hand, when mask patterns 173, 181 and 183 as shown in FIG. 17B, FIG. 18A and FIG. 18B are used, the light transmission part is large. In this case, the threshold value ITH is set low. By doing so, the transfer patterns 172, 174, 182 and 184 can be predicted reflecting the state of the periphery of the side to be corrected, so that high-speed and high-precision pattern prediction is possible.

実施形態24.
実施形態22において、補正対象の辺の周辺部の2次元的な光強度分布に応じてしきい値ITHを調整することもできる。例えば、図33に示されるような矩形の図形を補正する際、矩形パタン330の角部に位置する点Paと辺部に位置する点Pbとではその周辺部の光強度分布が異なるため、補正量も異なる。そこで、各点Pa及びPbの周囲に複数のモニタ点Pmを設けて2次元的な光強度分布をモニタし、点Pa及びPbが角部に位置するか、辺部に位置するかを識別する。角部に位置していれば、図34に示されるように、エッチング、現像等の影響を考慮して辺部の補正量D3より大きい補正量D4を設定する必要があるので、しきい値ITHを低く設定する。このようにすることにより、パタン周辺の2次元的な環境の影響を反映させることができ、高精度なパタン予測が可能となる。
Embodiment 24. FIG.
In the twenty-second embodiment, the threshold value ITH can be adjusted in accordance with the two-dimensional light intensity distribution around the correction target side. For example, when correcting a rectangular figure as shown in FIG. 33, the point Pa located at the corner of the rectangular pattern 330 and the point Pb located at the side have different light intensity distributions at the periphery thereof, so correction is performed. The amount is also different. Therefore, a plurality of monitor points Pm are provided around each point Pa and Pb to monitor the two-dimensional light intensity distribution, and it is identified whether the points Pa and Pb are located at corners or sides. . If it is located at the corner, as shown in FIG. 34, it is necessary to set a correction amount D4 larger than the side correction amount D3 in consideration of the influence of etching, development, etc. Set low. By doing so, it is possible to reflect the influence of the two-dimensional environment around the pattern, and it is possible to predict the pattern with high accuracy.

実施形態25.
実施形態22において、補正対象の辺に近接する図形要素の存在の有無に応じてしきい値ITHを調整することもできる。例えば、図35(a)に示されるようなマスクパタン351では補正対象の辺351aの近傍に隣の図形要素が存在しないが、図35(b)に示されるようなマスクパタン353では補正対象の辺353aの近傍に隣の図形要素が存在する。このため、マスクパタン353を用いると辺353aの右側で光強度が減少している。そこで、補正対象の辺の左右にそれぞれモニタ点Pmを設けて隣の図形要素が近接しているかどうかを識別する。マスクパタン351のように左右のモニタ点Pmにおける光強度の和が大きい場合には、近接する図形要素は存在しないと判断してしきい値ITHを高く設定する。一方、マスクパタン353のように左右のモニタ点Pmにおける光強度の和が小さい場合には、近接する図形要素が存在すると判断してしきい値ITHを低く設定する。このようにすることにより、高精度なパタン予測が可能となる。
Embodiment 25. FIG.
In the twenty-second embodiment, the threshold value ITH can be adjusted according to the presence / absence of a graphic element close to the side to be corrected. For example, in the mask pattern 351 as shown in FIG. 35A, there is no adjacent graphic element in the vicinity of the side 351a to be corrected, but in the mask pattern 353 as shown in FIG. There is an adjacent graphic element in the vicinity of the side 353a. For this reason, when the mask pattern 353 is used, the light intensity decreases on the right side of the side 353a. Therefore, monitor points Pm are provided on the left and right sides of the correction target side to identify whether adjacent graphic elements are close to each other. When the sum of the light intensities at the left and right monitor points Pm is large as in the mask pattern 351, it is determined that there is no adjacent graphic element, and the threshold value ITH is set high. On the other hand, when the sum of the light intensities at the left and right monitor points Pm is small as in the mask pattern 353, it is determined that there is an adjacent graphic element, and the threshold value ITH is set low. In this way, highly accurate pattern prediction is possible.

実施形態26.
実施形態22において、ベストフォーカス時の光学像の光強度に対するデフォーカス時の光学像の光強度に応じてしきい値ITHを調整することもできる。図36に示されるように、デフォーカス時の光学像の光強度Idを算出し、この光強度Idがベストフォーカス時の光学像の光強度Ibより大きいかどうかを判別する。デフォーカス時の光強度Idがベストフォーカス時の光強度Ibより大きい場合には、レジストが小さく形成されるため、しきい値ITHを下げてレジストを大きく仕上げるようにし、逆に小さい場合には、レジストが大きく形成されるため、しきい値ITHを上げてレジストを小さく仕上げるようにする。このようにすることによって、実効上のフォーカスマージンを拡大することができる。
Embodiment 26. FIG.
In the twenty-second embodiment, the threshold value ITH can be adjusted according to the light intensity of the optical image at the time of defocusing with respect to the light intensity of the optical image at the time of best focus. As shown in FIG. 36, the light intensity Id of the optical image at the time of defocus is calculated, and it is determined whether or not this light intensity Id is larger than the light intensity Ib of the optical image at the time of best focus. When the light intensity Id at the time of defocusing is larger than the light intensity Ib at the time of best focus, the resist is formed small. Therefore, the threshold value ITH is lowered to finish the resist large. Since the resist is formed large, the threshold value ITH is increased to finish the resist small. By doing so, the effective focus margin can be expanded.

実施形態27.
実施形態22において、予測されたマスクエッジにおける投影像の傾きに基づいてしきい値ITHを調整し、その後調整されたしきい値ITHによってマスクエッジを再び予測するようにしてもよい。図19(a)及び(b)に示されるように、マスクパタン191及び193の一旦予測されたマスクエッジにおける投影像の傾きに応じてしきい値ITHを調整し、新たなしきい値ITHにより改めて投影像におけるマスクエッジを予測し、転写パタン192及び194を予測する。この方法によれば、投影像の傾き、すなわち光強度の傾きを反映させることができるので、より高精度のパタン予測が可能となる。
Embodiment 27. FIG.
In the twenty-second embodiment, the threshold value ITH may be adjusted based on the tilt of the projected image at the predicted mask edge, and then the mask edge may be predicted again using the adjusted threshold value ITH. As shown in FIGS. 19A and 19B, the threshold value ITH is adjusted in accordance with the inclination of the projected image at the mask edges once predicted for the mask patterns 191 and 193, and the new threshold value ITH is used again. The mask edge in the projected image is predicted, and the transfer patterns 192 and 194 are predicted. According to this method, since the inclination of the projected image, that is, the inclination of the light intensity can be reflected, more accurate pattern prediction can be performed.

実施形態28.
図20に示されるように、マスクパタン201に基づいて投影像を形成した後、パタン予測部4は、投影像に基づいてウエハ表面のレジストの現像シミュレーションを行い、その結果から転写パタン202を予測するようにしてもよい。この方法によれば、露光量及び現像時間等のプロセス条件の変更にも容易に対応でき、さらに高精度なパタン予測が可能となる。
Embodiment 28. FIG.
As shown in FIG. 20, after forming a projected image based on the mask pattern 201, the pattern predicting unit 4 performs a resist development simulation on the wafer surface based on the projected image, and predicts the transfer pattern 202 from the result. You may make it do. According to this method, it is possible to easily cope with changes in process conditions such as exposure amount and development time, and it is possible to predict patterns with higher accuracy.

実施形態29.
図21に示されるように、マスクパタン211に基づいて投影像を形成した後、パタン予測部4は、投影像をウエハ表面のレジストの必要な現像時間の分布212に変換し、この分布212を一次元的に積分することにより疑似的な現像を行い、その結果から転写パタン213を予測するようにしてもよい。この方法によれば、現像シミュレーションを行うよりも容易に且つ高速にパタン予測が行われる。
Embodiment 29. FIG.
As shown in FIG. 21, after forming a projection image based on the mask pattern 211, the pattern predicting unit 4 converts the projection image into a distribution 212 of the required development time of the resist on the wafer surface. It is also possible to perform pseudo development by integrating one-dimensionally and predict the transfer pattern 213 from the result. According to this method, pattern prediction is performed more easily and faster than development simulation.

実施形態30.
設計データに基づいたマスクパタンから投影像を形成した後、転写パタン予測工程において、パタンが転写される下地基板の反射率に応じてしきい値ITHを調整するようにすることもできる。図37(a)に示されるように、下地基板として例えばWSi等の反射率が低い基板371を用いる場合には、基板371からの反射光による露光の影響が少ないので、ポジレジストではレジスト寸法が大きく仕上がる。一方、図37(b)に示されるように、下地基板として例えばAl等の反射率が高い基板372を用いる場合には、基板372からの反射光によっても露光されるので、ポジレジストではレジスト寸法が小さく仕上がる。そこで、図37(a)のように反射率が低い下地基板に対してはしきい値ITHを高く設定し、逆に図37(b)のように反射率が高い下地基板に対してはしきい値ITHを低く設定する。このようにすることによって、下地基板の反射率の影響を考慮して転写パタンを予測することができ、高速且つ高精度なパタン予測が可能となる。
Embodiment 30. FIG.
After the projection image is formed from the mask pattern based on the design data, the threshold value ITH can be adjusted in the transfer pattern prediction step according to the reflectance of the base substrate to which the pattern is transferred. As shown in FIG. 37A, when a substrate 371 having a low reflectance such as WSi is used as the base substrate, the influence of exposure by the reflected light from the substrate 371 is small, so that the resist dimensions of the positive resist are small. Finished greatly. On the other hand, as shown in FIG. 37 (b), when a substrate 372 having a high reflectance such as Al is used as the base substrate, exposure is also performed by reflected light from the substrate 372. Is finished small. Therefore, the threshold ITH is set high for the base substrate having a low reflectivity as shown in FIG. 37 (a), and conversely, the threshold value ITH is set to be high for the base substrate having a high reflectivity as shown in FIG. 37 (b). Set threshold ITH low. By doing so, the transfer pattern can be predicted in consideration of the influence of the reflectance of the base substrate, and the pattern can be predicted with high speed and high accuracy.

実施形態31.
設計データに基づいたマスクパタンから投影像を形成した後、転写パタン予測工程において、パタンが転写される下地基板に形成された段差に応じてしきい値ITHを調整するようにすることもできる。図38(a)に示されるように下地基板381の段差あるいは開口部382を覆うようにレジスト383が形成され、開口部382のレジスト膜厚が、図38(b)に示されるような他の部分のレジスト膜厚より厚くなっている場合には、しきい値ITHを高く設定する。このようにすることによって、下地基板の段差の状況及びレジストの膜厚の局所的な変動を考慮して転写パタンを予測することができ、高精度なパタン予測が可能となる。
Embodiment 31. FIG.
After the projection image is formed from the mask pattern based on the design data, the threshold value ITH can be adjusted in the transfer pattern prediction step in accordance with the level difference formed on the base substrate to which the pattern is transferred. As shown in FIG. 38A, a resist 383 is formed so as to cover the step of the base substrate 381 or the opening 382, and the resist film thickness of the opening 382 is different from that shown in FIG. If it is thicker than the resist film thickness of the portion, the threshold value ITH is set high. By doing so, the transfer pattern can be predicted in consideration of the level difference of the base substrate and the local variation of the resist film thickness, and the pattern can be predicted with high accuracy.

実施形態32.
設計データに基づいたマスクパタンから投影像を形成した後、転写パタン予測工程において、パタンが転写される下地基板の表面で生じるハレーションに応じてしきい値ITHを調整するようにすることもできる。例えば、図39(a)に示されるように、メモリセル部391と周辺回路部392との境界には通常大きな段差393が形成される。この段差393をまたいでメモリセル部391から周辺回路部392にわたってビット線394が形成される場合、図39(b)に示されるように、段差393の部分でハレーションを生じ、横方向への反射光が発生する。そこで、図39(c)に示されるように、段差部分のしきい値ITHを他の部分より低く設定する。このようにすることによって、下地基板の段差に伴うハレーションの影響を考慮して転写パタンを予測することができ、高精度なパタン予測が可能となる。
Embodiment 32. FIG.
After the projection image is formed from the mask pattern based on the design data, the threshold value ITH can be adjusted in the transfer pattern prediction step according to the halation generated on the surface of the base substrate to which the pattern is transferred. For example, as shown in FIG. 39A, a large step 393 is usually formed at the boundary between the memory cell portion 391 and the peripheral circuit portion 392. When the bit line 394 is formed across the step 393 from the memory cell portion 391 to the peripheral circuit portion 392, as shown in FIG. 39B, halation occurs at the portion of the step 393, and the reflection in the lateral direction. Light is generated. Therefore, as shown in FIG. 39C, the threshold value ITH of the step portion is set lower than the other portions. By doing so, the transfer pattern can be predicted in consideration of the influence of halation due to the level difference of the base substrate, and the pattern can be predicted with high accuracy.

実施形態33.
実施形態2の光学像算出部3における投影像の計算において、まず予め設定されたメッシュの交点上の光強度を算出し、その後図22に示されるように、i=1〜4として既に算出された4点Pi(xi,yi)の光強度Iiからこれら4点で囲まれる四角形内部の点P(x,y)における光強度Iを、式I=Σi(Wi・Ii)に従って内挿することができる。ただし、Wi=(1−│xi−x│)(1−│yi−y│)である。このようにして投影像を計算すれば、メッシュの境界線上でも光強度を算出でき、高精度な投影像を得ることができる。
Embodiment 33. FIG.
In the calculation of the projection image in the optical image calculation unit 3 according to the second embodiment, first, the light intensity at the intersection point of the preset mesh is calculated, and then already calculated as i = 1 to 4 as shown in FIG. Further, the light intensity I at the point P (x, y) inside the quadrangle surrounded by these four points is interpolated from the light intensity Ii of the four points Pi (xi, yi) according to the equation I = Σi (Wi · Ii). Can do. However, Wi = (1- | xi-x |) (1- | yi-y |). If the projected image is calculated in this way, the light intensity can be calculated even on the boundary line of the mesh, and a highly accurate projected image can be obtained.

実施形態34.
実施形態2あるいは3のデータ補正工程において、補正部6は、図23(a)に示される補正前の図形231の各辺を、図23(b)に示されるように複数の線分に分割した後、各線分毎に補正することができる。このとき、各分割点232にはその分割点を共有する双方の線分に対応して2つのデータを発生させるようにする。このようにすれば、一つの線分を補正したときに、隣の線分にその影響が及ぶのが防止され、高精度の補正が可能となる。
Embodiment 34. FIG.
In the data correction process of the second or third embodiment, the correction unit 6 divides each side of the figure 231 before correction shown in FIG. 23 (a) into a plurality of line segments as shown in FIG. 23 (b). After that, each line segment can be corrected. At this time, each division point 232 is caused to generate two data corresponding to both line segments sharing the division point. In this way, when one line segment is corrected, the influence on the adjacent line segment is prevented, and high-accuracy correction is possible.

実施形態35.
データ補正工程において、補正部6は、補正対象となる各辺の補正方向をその辺に垂直な方向に限定して補正を行うことができる。例えば、図24(a)に示される補正前の図形241の辺242を、この辺242に垂直な方向に補正して、図24(b)に示される辺244とし、補正後の図形243を得る。このようにすれば、補正により斜め方向の辺が形成されることがなく、データの圧縮がなされる。このため、電子ビーム描画時に高速処理が可能となる。
Embodiment 35. FIG.
In the data correction step, the correction unit 6 can perform correction by limiting the correction direction of each side to be corrected to a direction perpendicular to the side. For example, the side 242 of the figure 241 before correction shown in FIG. 24A is corrected in a direction perpendicular to the side 242 to form a side 244 shown in FIG. 24B, and the figure 243 after correction is obtained. . In this way, the side of the diagonal direction is not formed by the correction, and the data is compressed. For this reason, high-speed processing becomes possible at the time of electron beam drawing.

実施形態36.
データ補正工程において、補正部6は、投影像のパタンエッジにおける傾きが所定値以下である場合に、その辺を補正対象から外すようにすることができる。例えば、図25に示されるように、マスクパタン251が細か過ぎる場合には、転写パタン252が不明瞭となり正確なパタン転写ができなくなる。このような場合、マスクパタン251の投影像のパタンエッジにおける傾きは小さなものとなる。そこで、投影像のパタンエッジにおける傾きが所定値以下の場合にその辺を補正対象外とすることにより、異常補正の発生を未然に防ぐことができ、信頼性の高い光近接補正処理が可能となる。
Embodiment 36. FIG.
In the data correction step, the correction unit 6 can exclude the side from the correction target when the inclination at the pattern edge of the projection image is equal to or less than a predetermined value. For example, as shown in FIG. 25, when the mask pattern 251 is too fine, the transfer pattern 252 becomes unclear and accurate pattern transfer cannot be performed. In such a case, the inclination at the pattern edge of the projected image of the mask pattern 251 is small. Therefore, when the inclination at the pattern edge of the projected image is equal to or less than a predetermined value, the side is excluded from the correction target, so that the occurrence of abnormal correction can be prevented in advance, and highly reliable optical proximity correction processing can be performed. .

実施形態37.
データ補正工程において、補正部6は、投影像の光強度が所定値以下である場合に、その辺を補正対象から外すようにすることができる。例えば、図26(a)の部分262に示される図形261の内部の辺263は光近接補正を施す必要がない辺であり、補正対象外とすべきである。このような辺263は図形261の内部に位置するので、投影像の光強度は図26(b)に示されるように極めて小さな値を有する。そこで、投影像の光強度が所定値I〓以下である場合に、その辺を補正対象外とすることにより、異常補正の発生を未然に防ぐことができ、信頼性の高い光近接補正処理が可能となる。
Embodiment 37. FIG.
In the data correction process, when the light intensity of the projection image is a predetermined value or less, the correction unit 6 can exclude the side from the correction target. For example, the side 263 inside the figure 261 shown in the portion 262 of FIG. 26A is a side that does not need to be subjected to optical proximity correction and should not be corrected. Since such a side 263 is located inside the figure 261, the light intensity of the projected image has an extremely small value as shown in FIG. Therefore, when the light intensity of the projected image is less than or equal to the predetermined value I〓, the occurrence of abnormality correction can be prevented in advance by excluding that side from the correction target, and highly reliable optical proximity correction processing is performed. It becomes possible.

実施形態38.
データ補正工程において、補正部6は、補正量の上限値を設け、算出された補正量がこの上限値を越える場合に、異常補正と判断し、上限値を補正量として補正を行うようにすることができる。例えば、図27(a)に示されるように、図形271の辺272の補正量D1が上限値D2を越えた場合には、図27(b)の図形273のように、補正量を上限値D2に置き換えて新たな辺274を形成する。このようにすれば、異常補正が発生しても、これを回避することができ、信頼性の高い光近接補正処理が可能となる。
Embodiment 38. FIG.
In the data correction step, the correction unit 6 sets an upper limit value of the correction amount, and when the calculated correction amount exceeds the upper limit value, determines that the correction is abnormal, and performs correction using the upper limit value as the correction amount. be able to. For example, as illustrated in FIG. 27A, when the correction amount D1 of the side 272 of the graphic 271 exceeds the upper limit value D2, the correction amount is set to the upper limit value as illustrated in the graphic 273 of FIG. A new side 274 is formed by replacing D2. In this way, even if abnormality correction occurs, this can be avoided, and highly reliable optical proximity correction processing can be performed.

実施形態39.
データ補正工程において、補正部6は、補正対象の各辺を補正した後、同一直線上に存在する冗長点を削除するようにしてもよい。例えば、図28(a)に示される補正後の図形281において、点282〜285はそれぞれ直線の途中に位置する冗長点であり、補正後のデータとしては不要なものである。そこで、補正部6は、これらの点282〜285を除去して、図28(b)に示されるような図形とする。このようにすることにより、データの圧縮がなされ、反復して補正計算する際に計算時間の短縮を図ることができる。
Embodiment 39. FIG.
In the data correction step, the correction unit 6 may delete redundant points existing on the same straight line after correcting each side to be corrected. For example, in the corrected figure 281 shown in FIG. 28A, the points 282 to 285 are redundant points located in the middle of the straight line, and are unnecessary as corrected data. Therefore, the correction unit 6 removes these points 282 to 285 to obtain a figure as shown in FIG. By doing so, the data is compressed, and the calculation time can be shortened when the correction calculation is repeated.

実施形態40.
実施形態2あるいは3のステップS6において、補正量が許容範囲外である場合に、再び投影像を形成して補正を行うが、このとき、補正対象の各辺を補正する毎にその補正量を判定して反復補正するのではなく、全ての辺を互いに独立に補正してから補正量の判定を行い、必要に応じて反復補正する。このようにすることにより、補正処理が高速化される。また、各辺の補正の独立性を保っているので、非対称な補正が生じにくく、補正の信頼性が向上する。
Embodiment 40. FIG.
In step S6 of the second or third embodiment, when the correction amount is outside the allowable range, the projection image is formed again to perform correction. At this time, the correction amount is changed every time each side to be corrected is corrected. Instead of determining and repetitively correcting, the correction amount is determined after correcting all sides independently of each other, and iteratively correcting as necessary. In this way, the correction process is speeded up. In addition, since the independence of the correction of each side is maintained, asymmetric correction is unlikely to occur, and the correction reliability is improved.

実施形態41.
実施形態2あるいは3において、設計データを複数のデータブロックに分割し、データブロック毎に補正量を計算してその補正量の判定を行い、補正量が許容範囲外であるデータブロックを別ファイルに抽出するようにしてもよい。なお、補正量が許容範囲内であるデータブロックに対しては補正データが出力される。例えば、図54に示されるように、マスクデータを前処理した後、光学計算してレジストパタンを予測し、予測されたパタンをマスクデータと比較することにより評価する。予測されたパタンの寸法とマスクデータによる寸法との差分が補正量として算出され、この補正量が最小寸法の10%、例えば0.03μm以上の場合にそのデータブロックを別ファイルに抽出する。
Embodiment 41. FIG.
In the second or third embodiment, the design data is divided into a plurality of data blocks, a correction amount is calculated for each data block, the correction amount is determined, and a data block whose correction amount is outside the allowable range is stored in a separate file. You may make it extract. Note that correction data is output for a data block whose correction amount is within an allowable range. For example, as shown in FIG. 54, after pre-processing the mask data, optical calculation is performed to predict a resist pattern, and evaluation is performed by comparing the predicted pattern with the mask data. A difference between the predicted pattern dimension and the dimension based on the mask data is calculated as a correction amount. When the correction amount is 10% of the minimum dimension, for example, 0.03 μm or more, the data block is extracted into another file.

これにより、巨大なデータが必要なLSIパタン等の中から補正が必要な領域、プロセスマージンの少ない領域のみが取り出される。ランダムロジックの場合には、この機能を用いることで開発効率が向上する。このようにして抽出された要補正データは光学パラメータを用いて前処理され、そのマスクデータが表示されると共に投影像が算出されて表示される。先に許容範囲内のデータブロックに対して出力された補正データを参考にしつつ、表示された投影像から補正が必要か否か判定する。補正が必要であれば、手補正した後、再びマスクデータ及び投影像を表示し、判定を行う。このようにして補正が必要でなくなるまで、手補正、マスクデータ及び投影像の表示を繰り返す。もはや補正が必要でないと判定されると、補正データが出力される。   As a result, only an area requiring correction and an area having a small process margin are extracted from an LSI pattern that requires huge data. In the case of random logic, development efficiency is improved by using this function. The correction-required data extracted in this way is preprocessed using the optical parameters, and the mask data is displayed and the projection image is calculated and displayed. Whether correction is necessary or not is determined from the displayed projection image while referring to the correction data previously output for the data block within the allowable range. If correction is necessary, after manual correction, the mask data and the projected image are displayed again to make a determination. Thus, manual correction, mask data, and display of the projected image are repeated until correction is not necessary. If it is determined that correction is no longer necessary, correction data is output.

このように、データブロック毎の補正を行うフルオートの光近接補正システムに加えて、抽出されたデータを手補正するセミオートの光近接補正システムを構成することにより、フルオートシステムが未成熟な場合、特殊なパタンの場合、逐次光学像をモニタしたい場合等に融通性に富んだ補正を効率よく行うことができ、有効である。   In this way, in addition to a fully automatic optical proximity correction system that performs correction for each data block, a semi-auto optical proximity correction system that manually corrects the extracted data is used, so that the fully automatic system is immature In the case of special patterns, flexible correction can be efficiently performed when it is desired to monitor an optical image sequentially, which is effective.

実施形態42.
実施形態2あるいは3において、図40(a)に示されるように設計データを複数のデータブロックに分割すると共に各データブロック401の周囲にバッファ領域402を設定して補正計算をした後、ステップS7のデータ展開工程で図40(b)に示されるように各データブロック403のバッファ領域を削除してからこの補正データを格納し、さらに図40(c)に示されるように展開すれば、補正データの圧縮がなされる。
Embodiment 42. FIG.
In the second or third embodiment, as shown in FIG. 40A, the design data is divided into a plurality of data blocks, and the buffer area 402 is set around each data block 401 to perform correction calculation, and then step S7. If the buffer area of each data block 403 is deleted as shown in FIG. 40 (b) in the data development process in FIG. 40 (b), then the correction data is stored and further developed as shown in FIG. 40 (c). Data is compressed.

この発明の実施形態1に係るパタン形成方法を工程順に示す図である。It is a figure which shows the pattern formation method which concerns on Embodiment 1 of this invention in order of a process. 実施形態2における光近接補正装置を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the optical proximity correction apparatus in Embodiment 2. 実施形態2の動作を示すフローチャートである。10 is a flowchart illustrating the operation of the second embodiment. 実施形態3における光近接補正装置を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the optical proximity correction apparatus in Embodiment 3. 実施形態3の動作を示すフローチャートである。10 is a flowchart showing the operation of the third embodiment. 実施形態4に係る補正方法を示す図である。It is a figure which shows the correction method which concerns on Embodiment 4. FIG. 実施形態5に係る補正方法を示す図である。It is a figure which shows the correction method which concerns on Embodiment 5. FIG. 実施形態7に係る補正方法を示す図である。It is a figure which shows the correction method which concerns on Embodiment 7. FIG. 実施形態8に係る補正方法を示す図である。It is a figure which shows the correction method which concerns on Embodiment 8. FIG. 実施形態9に係る補正方法を示す図である。It is a figure which shows the correction method which concerns on Embodiment 9. FIG. 実施形態10に係る補正方法を示す図である。It is a figure which shows the correction method which concerns on Embodiment 10. FIG. 実施形態11に係る補正方法を示す図である。It is a figure which shows the correction method which concerns on Embodiment 11. FIG. 実施形態12に係る補正方法を示す図である。FIG. 20 is a diagram illustrating a correction method according to a twelfth embodiment. 実施形態13に係る補正装置の光学像算出部を示す図である。It is a figure which shows the optical image calculation part of the correction apparatus which concerns on Embodiment 13. FIG. 実施形態21に係る補正装置の光学像測定部を示す図である。FIG. 22 is a diagram illustrating an optical image measurement unit of a correction apparatus according to a twenty-first embodiment. 実施形態22に係る補正方法を示す図である。FIG. 22 is a diagram illustrating a correction method according to a twenty-second embodiment. 実施形態23に係る補正方法を示す図である。It is a figure which shows the correction method which concerns on Embodiment 23. FIG. 実施形態23に係る補正方法を示す図である。It is a figure which shows the correction method which concerns on Embodiment 23. FIG. 実施形態27に係る補正方法を示す図である。FIG. 38 shows a correction method according to Embodiment 27. 実施形態28に係る補正方法を示す図である。FIG. 29 is a diagram illustrating a correction method according to Embodiment 28. 実施形態29に係る補正方法を示す図である。FIG. 32 shows a correction method according to Embodiment 29. 実施形態33に係る補正方法を示す図である。It is a figure which shows the correction method which concerns on Embodiment 33. FIG. 実施形態34に係る補正方法を示す図である。It is a figure which shows the correction method which concerns on Embodiment 34. FIG. 実施形態35に係る補正方法を示す図である。FIG. 38 shows a correction method according to Embodiment 35. 実施形態36に係る補正方法を示す図である。It is a figure which shows the correction method which concerns on Embodiment 36. FIG. 実施形態37に係る補正方法を示す図である。FIG. 38 shows a correction method according to Embodiment 37. 実施形態38に係る補正方法を示す図である。FIG. 38 shows a correction method according to Embodiment 38. 実施形態39に係る補正方法を示す図である。It is a figure which shows the correction method which concerns on Embodiment 39. FIG. 従来のパタン形成方法を工程順に示す図である。It is a figure which shows the conventional pattern formation method in process order. 実施形態13に係る補正方法を示す図である。It is a figure which shows the correction method which concerns on Embodiment 13. FIG. 実施形態14に係る補正方法を示す図である。It is a figure which shows the correction method which concerns on Embodiment 14. FIG. 実施形態14に係る補正方法の変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification of the correction method which concerns on Embodiment 14. FIG. 実施形態24に係る補正方法を示す図である。FIG. 25 is a diagram illustrating a correction method according to a twenty-fourth embodiment. 実施形態24に係る補正方法を示す図である。FIG. 25 is a diagram illustrating a correction method according to a twenty-fourth embodiment. 実施形態25に係る補正方法を示す図である。FIG. 25 is a diagram illustrating a correction method according to a twenty-fifth embodiment. 実施形態26に係る補正方法を示す図である。FIG. 32 is a diagram illustrating a correction method according to a twenty-sixth embodiment. 実施形態30に係る補正方法を示す図である。FIG. 22 is a diagram illustrating a correction method according to a thirtieth embodiment. 実施形態31に係る補正方法を示す図である。It is a figure which shows the correction method concerning Embodiment 31. 実施形態32に係る補正方法を示す図である。It is a figure which shows the correction method which concerns on Embodiment 32. FIG. 実施形態42に係る補正方法を示す図である。It is a figure which shows the correction method which concerns on Embodiment 42. FIG. 実施形態6に係る補正方法の原理を示す図である。It is a figure which shows the principle of the correction method which concerns on Embodiment 6. FIG. 実施形態6に係る補正方法の原理を示す図である。It is a figure which shows the principle of the correction method which concerns on Embodiment 6. FIG. 実施形態6に係る補正方法の原理を示す図である。It is a figure which shows the principle of the correction method which concerns on Embodiment 6. FIG. 実施形態6に係る補正方法の原理を示す図である。It is a figure which shows the principle of the correction method which concerns on Embodiment 6. FIG. 実施形態15に係る補正方法を示す図である。FIG. 18 is a diagram illustrating a correction method according to Embodiment 15. 実施形態15に係る補正方法の変形例を示す図である。FIG. 22 is a diagram illustrating a modification of the correction method according to the fifteenth embodiment. 実施形態16に係る補正方法を示す図である。FIG. 18 is a diagram illustrating a correction method according to Embodiment 16. 実施形態17に係る補正方法を示す図である。FIG. 18 is a diagram illustrating a correction method according to Embodiment 17. 実施形態18に係る補正方法を示す図である。FIG. 19 is a diagram illustrating a correction method according to an eighteenth embodiment. 実施形態18に係る補正方法の変形例を示す図である。FIG. 22 is a diagram illustrating a modification of the correction method according to the eighteenth embodiment. 実施形態19に係る補正方法を示す図である。FIG. 20 is a diagram illustrating a correction method according to a nineteenth embodiment. 実施形態20に係る補正方法を示す図である。It is a figure which shows the correction method which concerns on Embodiment 20. FIG. 実施形態20に係る補正方法の変形例を示す図である。FIG. 32 is a diagram illustrating a modification of the correction method according to the twentieth embodiment. 実施形態41に係る補正方法を示す図である。42 is a diagram illustrating a correction method according to Embodiment 41. FIG.

符号の説明Explanation of symbols

1 設計データ入力部、2 データ圧縮部、3 光学像算出部、4 パタン予測部、5 比較部、6 補正部、7 判定部、8 データ展開部、9 補正データ出力部、10 光学像測定部、141〜145 CPU、151〜155 光学系、6a〜6i,8a〜8s,9a〜9m,11a データブロック、60e バッファ領域。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Design data input part, 2 Data compression part, 3 Optical image calculation part, 4 Pattern prediction part, 5 Comparison part, 6 Correction part, 7 Judgment part, 8 Data expansion part, 9 Correction data output part, 10 Optical image measurement part 141-145 CPU, 151-155 optical system, 6a-6i, 8a-8s, 9a-9m, 11a data block, 60e buffer area.

Claims (46)

回路パタンの設計データを作成し、
設計データに基づいてパタン転写の際の光学的投影像を作成し、この投影像に基づいてウエハに転写されるパタンの寸法を予測し、予測されたパタンの寸法と設計データによるパタンの寸法との差分を算出し、算出された差分を補正量として設計データを補正することによりウエハへのパタン転写の際に生じる光近接効果を補正した補正データを作成し、
補正データに基づいてマスクパタンを形成し、
マスクパタンを通して露光することによりウエハにマスクパタンを転写し、
転写されたマスクパタンに従ってウエハを加工する
ことを特徴とするパタン形成方法。
Create circuit pattern design data,
An optical projection image at the time of pattern transfer is created based on the design data, and the size of the pattern transferred to the wafer is predicted based on this projection image. The predicted pattern size and the pattern size based on the design data The correction data is corrected to correct the optical proximity effect generated when the pattern is transferred to the wafer by correcting the design data using the calculated difference as a correction amount.
Create a mask pattern based on the correction data,
The mask pattern is transferred to the wafer by exposing through the mask pattern,
A pattern forming method comprising processing a wafer according to a transferred mask pattern.
設計データの補正量が許容範囲内であるか否かを判定し、
許容範囲外のときには補正データに基づき再び光学的投影像を作成して補正データをさらに補正する
ことを特徴とする請求項1に記載のパタン形成方法。
Determine whether the correction amount of design data is within the allowable range,
The pattern forming method according to claim 1, wherein when the value is outside the allowable range, an optical projection image is created again based on the correction data, and the correction data is further corrected.
補正データは、設計データによるパタンに補助的なパタンを付加した形状を有するデータであることを特徴とする請求項1または2に記載のパタン形成方法。   3. The pattern forming method according to claim 1, wherein the correction data is data having a shape obtained by adding an auxiliary pattern to a pattern based on design data. 設計データを複数のデータブロックに分割し、データブロック毎に光学的投影像を作成して補正データを作成することを特徴とする請求項1のパタン形成方法。   2. The pattern forming method according to claim 1, wherein the design data is divided into a plurality of data blocks, and an optical projection image is created for each data block to create correction data. 各データブロックの周囲にバッファ領域を設定し、バッファ領域内にそのデータブロックの図形要素と近接効果を生じるような図形要素が存在するか否かを判別し、判別結果に応じてデータブロック内の補正対象となる辺を決定することを特徴とする請求項4のパタン形成方法。   A buffer area is set around each data block, and it is determined whether there is a graphic element that causes a proximity effect with the graphic element of the data block in the buffer area, and in the data block according to the determination result 5. The pattern forming method according to claim 4, wherein a side to be corrected is determined. 各データブロック内の図形要素が所定値以下の間隔で互いに対向する辺を有するか否かを検査し、有する場合にはそのデータブロックを補正対象とし、有しない場合にはそのデータブロックを補正対象外とすることを特徴とする請求項4のパタン形成方法。   Checks whether graphic elements in each data block have sides facing each other at intervals of a predetermined value or less, and if so, sets that data block as a correction target, and if not, sets that data block as a correction target 5. The pattern forming method according to claim 4, wherein the pattern is formed outside. 図形要素の辺が存在するデータブロックのみを補正対象とし、辺が存在しないデータブロックを補正対象外とすることを特徴とする請求項4のパタン形成方法。   5. The pattern forming method according to claim 4, wherein only a data block having a side of a graphic element is to be corrected, and a data block having no side is not to be corrected. 複数のデータブロックに同一の図形要素が存在する場合にそのうちの一つのデータブロックのみを補正対象とし、その補正結果を他のデータブロックに流用することを特徴とする請求項5のパタン形成方法。   6. The pattern forming method according to claim 5, wherein when the same graphic element exists in a plurality of data blocks, only one of the data blocks is set as a correction target, and the correction result is used for another data block. メモリセルアレイの設計データに対してデータブロックの分割周期をメモリセルの周期に合わせることを特徴とする請求項4のパタン形成方法。   5. The pattern forming method according to claim 4, wherein the division cycle of the data block is matched with the cycle of the memory cell with respect to the design data of the memory cell array. 各データブロック内において互いに隣接する複数の図形要素を合わせて多角形を形成することを特徴とする請求項4のパタン形成方法。   5. The pattern forming method according to claim 4, wherein a plurality of graphic elements adjacent to each other in each data block are combined to form a polygon. 各データブロック内において複数の図形要素を合わせることにより生じる中抜き図形を、外周を定義する図形要素と中抜き部を定義する図形要素とにより表現することを特徴とする請求項4のパタン形成方法。   5. The pattern forming method according to claim 4, wherein a hollow graphic generated by combining a plurality of graphic elements in each data block is expressed by a graphic element defining an outer periphery and a graphic element defining a hollow portion. . 露光装置に変形照明法を適用する場合、3光束干渉のカットオフ周波数に対応する周期以下の大きさの遮光パタンを補正対象外とすることを特徴とする請求項4のパタン形成方法。   5. The pattern forming method according to claim 4, wherein when the modified illumination method is applied to the exposure apparatus, a light shielding pattern having a size equal to or less than a period corresponding to a cutoff frequency of three-beam interference is excluded from correction. 露光装置に変形照明法を適用する場合、前記所定値以下で且つ3光束干渉のカットオフ周波数に対応する周期以上の大きさの間隔で互いに対向する辺に対しては一定の補正量を加えることを特徴とする請求項6のパタン形成方法。   When the modified illumination method is applied to the exposure apparatus, a certain correction amount is applied to sides facing each other at intervals of a size equal to or smaller than the predetermined value and equal to or larger than a period corresponding to the cutoff frequency of the three-beam interference. The pattern forming method according to claim 6. 所定の光強度をしきい値として光学的投影像からマスクエッジを予測し、
予測されたマスクエッジに基づいて転写されるパタンの寸法を予測する
ことを特徴とする請求項1に記載のパタン形成方法。
A mask edge is predicted from an optical projection image with a predetermined light intensity as a threshold,
The pattern forming method according to claim 1, wherein the size of the pattern to be transferred is predicted based on the predicted mask edge.
補正対象の図形要素の辺の周辺部の光強度に応じてしきい値を調整することを特徴とする請求項14のパタン形成方法。   15. The pattern forming method according to claim 14, wherein the threshold value is adjusted in accordance with the light intensity at the periphery of the side of the graphic element to be corrected. 補正対象の辺の周辺部の2次元的な光強度分布に応じてしきい値を調整することを特徴とする請求項14のパタン形成方法。   15. The pattern forming method according to claim 14, wherein the threshold value is adjusted in accordance with a two-dimensional light intensity distribution in the peripheral portion of the side to be corrected. 補正対象の辺に近接する図形要素の存在の有無に応じてしきい値を調整することを特徴とする請求項14のパタン形成方法。   15. The pattern forming method according to claim 14, wherein the threshold value is adjusted according to the presence / absence of a graphic element adjacent to the side to be corrected. ベストフォーカス時の光学像の光強度に対するデフォーカス時の光学像の光強度に応じてしきい値を調整することを特徴とする請求項14のパタン形成方法。   15. The pattern forming method according to claim 14, wherein the threshold value is adjusted according to the light intensity of the optical image at the time of defocusing with respect to the light intensity of the optical image at the time of best focus. パタンが転写される下地基板の反射率に応じてしきい値を調整することを特徴とする請求項14のパタン形成方法。   15. The pattern forming method according to claim 14, wherein the threshold value is adjusted according to the reflectance of the base substrate onto which the pattern is transferred. パタンが転写される下地基板に形成された段差に応じてしきい値を調整することを特徴とする請求項14のパタン形成方法。   15. The pattern forming method according to claim 14, wherein the threshold value is adjusted in accordance with a step formed on the base substrate to which the pattern is transferred. パタンが転写される下地基板表面で生じるハレーションに応じてしきい値を調整することを特徴とする請求項14のパタン形成方法。   15. The pattern forming method according to claim 14, wherein the threshold value is adjusted according to halation occurring on the surface of the base substrate to which the pattern is transferred. 標準パタンを実際に露光して得られたレジストパタンと、標準マスクデータから算出された標準パタンの光学像との相関関係に基づいてしきい値を調整することを特徴とする請求項14のパタン形成方法。   15. The pattern according to claim 14, wherein the threshold value is adjusted based on a correlation between a resist pattern obtained by actually exposing the standard pattern and an optical image of the standard pattern calculated from the standard mask data. Forming method. 標準パタンを実際に露光し且つエッチングして得られたエッチングパタンと、標準マスクデータから標準パタンの光学像を算出した後この光学像から算出されたエッチングパタンとの相関関係に基づいてしきい値を調整することを特徴とする請求項14のパタン形成方法。   Based on the correlation between the etching pattern obtained by actually exposing and etching the standard pattern and the optical image of the standard pattern calculated from the standard mask data, and the etching pattern calculated from this optical image. The pattern forming method according to claim 14, wherein the pattern is adjusted. 標準マスクデータを実際に電子ビーム描画して得られた標準パタンと、標準マスクデータから算出された電子ビーム描画パタンとの相関関係に基づいてしきい値を調整することを特徴とする請求項14のパタン形成方法。   15. The threshold value is adjusted based on a correlation between a standard pattern actually obtained by electron beam drawing of standard mask data and an electron beam drawing pattern calculated from the standard mask data. Pattern formation method. 標準マスクデータを実際にレーザ描画して得られた標準パタンと、標準マスクデータから算出されたレーザ描画パタンとの相関関係に基づいてしきい値を調整することを特徴とする請求項14のパタン形成方法。   15. The pattern according to claim 14, wherein the threshold value is adjusted based on a correlation between a standard pattern actually obtained by laser drawing of the standard mask data and a laser drawing pattern calculated from the standard mask data. Forming method. 標準パタンを実際に露光して得られたレジストパタンと、標準パタンを測定して得られたパタン寸法から算出された光学像との相関関係に基づいてしきい値を調整することを特徴とする請求項14のパタン形成方法。   The threshold value is adjusted based on a correlation between a resist pattern obtained by actually exposing a standard pattern and an optical image calculated from a pattern size obtained by measuring the standard pattern. The pattern formation method of Claim 14. 標準パタンを実際に露光してレジストパタンを形成した後このレジストパタンをエッチングして得られたエッチングパタンと、レジストパタンを測定して得られたパタン寸法から算出されたエッチングパタンとの相関関係に基づいてしきい値を調整することを特徴とする請求項14のパタン形成方法。   There is a correlation between the etching pattern obtained by actually exposing a standard pattern to form a resist pattern and then etching the resist pattern, and the etching pattern calculated from the pattern size obtained by measuring the resist pattern. 15. The pattern forming method according to claim 14, wherein the threshold value is adjusted based on the threshold value. 標準マスクデータを実際に電子ビーム描画して標準パタンを形成した後この標準パタンを露光して得られたレジストパタンと、標準マスクデータから電子ビーム描画パタンを算出した後この電子ビーム描画パタンから算出された光学像との相関関係に基づいてしきい値を調整することを特徴とする請求項14のパタン形成方法。   Calculate the electron beam drawing pattern from the resist pattern obtained by exposing this standard pattern after forming the standard pattern by actually writing the standard mask data with the electron beam, and then calculating from this electron beam drawing pattern. 15. The pattern forming method according to claim 14, wherein the threshold value is adjusted based on the correlation with the optical image. 標準マスクデータを実際にレーザ描画して標準パタンを形成した後この標準パタンを露光して得られたレジストパタンと、標準マスクデータからレーザ描画パタンを算出した後このレーザ描画パタンから算出された光学像との相関関係に基づいてしきい値を調整することを特徴とする請求項14のパタン形成方法。   Standard mask data is actually laser-drawn to form a standard pattern, and then a resist pattern obtained by exposing the standard pattern. After calculating the laser drawing pattern from the standard mask data, the optical calculated from the laser drawing pattern 15. The pattern forming method according to claim 14, wherein the threshold value is adjusted based on the correlation with the image. 標準パタンを実際に露光し且つエッチングして得られたエッチングパタンと、標準パタンを測定して得られたパタン寸法から光学像を算出した後この光学像から算出されたエッチングパタンとの相関関係に基づいてしきい値を調整することを特徴とする請求項14のパタン形成方法。   There is a correlation between the etching pattern obtained by actually exposing and etching the standard pattern, and the etching pattern calculated from this optical image after calculating the optical image from the pattern size obtained by measuring the standard pattern. 15. The pattern forming method according to claim 14, wherein the threshold value is adjusted based on the threshold value. 標準マスクデータを実際に電子ビーム描画して標準パタンを形成した後この標準パタンを露光し且つエッチングして得られたエッチングパタンと、標準マスクデータから電子ビーム描画パタンを算出すると共にこの電子ビーム描画パタンから光学像を算出した後この光学像から算出されたエッチングパタンとの相関関係に基づいてしきい値を調整することを特徴とする請求項14のパタン形成方法。   The standard mask data is actually drawn with an electron beam to form a standard pattern, and then the standard pattern is exposed and etched, and the electron beam drawing pattern is calculated from the standard mask data and the electron beam drawing. 15. The pattern forming method according to claim 14, wherein after the optical image is calculated from the pattern, the threshold value is adjusted based on the correlation with the etching pattern calculated from the optical image. 標準マスクデータを実際にレーザ描画して標準パタンを形成した後この標準パタンを露光し且つエッチングして得られたエッチングパタンと、標準マスクデータからレーザ描画パタンを算出すると共にこのレーザ描画パタンから光学像を算出した後この光学像から算出されたエッチングパタンとの相関関係に基づいてしきい値を調整することを特徴とする請求項14のパタン形成方法。   The standard mask data is actually laser-drawn to form a standard pattern, and then the standard pattern is exposed and etched, and the laser drawing pattern is calculated from the standard mask data, and the optical pattern is calculated from the laser drawing pattern. 15. The pattern forming method according to claim 14, wherein after the image is calculated, the threshold value is adjusted based on the correlation with the etching pattern calculated from the optical image. 所定の光強度をしきい値として光学的投影像からマスクエッジを推測し、
このマスクエッジにおける光学的投影像の傾きからしきい値を調整した後、調整後のしきい値によりマスクエッジを予測し、
予測されたマスクエッジに基づいて転写されるパタンの寸法を予測する
ことを特徴とする請求項14のパタン形成方法。
Estimate the mask edge from the optical projection image with a predetermined light intensity as a threshold,
After adjusting the threshold from the inclination of the optical projection image at this mask edge, predict the mask edge by the adjusted threshold,
The pattern forming method according to claim 14, wherein the size of a pattern to be transferred is predicted based on the predicted mask edge.
ウエハ表面のレジストの現像シミュレーションを行い、
そのエッジ位置から転写されるパタンの寸法を予測する
ことを特徴とする請求項1のパタン形成方法。
Perform development simulation of resist on wafer surface,
The pattern forming method according to claim 1, wherein the size of the pattern transferred from the edge position is predicted.
光学的投影像をウエハ表面のレジストの現像時間の分布に変換し、
この現像時間を一次元的に積分することにより疑似現像を行い、
そのエッジ位置から転写されるパタンの寸法を予測する
ことを特徴とする請求項1のパタン形成方法。
Convert the optical projection image into the development time distribution of the resist on the wafer surface,
Perform pseudo-development by integrating this development time one-dimensionally,
The pattern forming method according to claim 1, wherein the size of the pattern transferred from the edge position is predicted.
光学的投影像の作成に際し、i=1〜4として4点Pi(xi,yi)の光強度Iiからこれら4点で囲まれる四角形内部の点P(x,y)における光強度IをI=Σi(Wi・Ii)、Wi=(1−│xi−x│)(1−│yi−y│)により内挿することを特徴とする請求項1のパタン形成方法。   When creating an optical projection image, the light intensity I at the point P (x, y) inside the rectangle surrounded by the four points Pi (xi, yi) from the light intensity Ii at the four points Pi (xi, yi) is set as I = 1-4. The pattern forming method according to claim 1, wherein interpolation is performed by Σi (Wi · Ii), Wi = (1− | xi−x |) (1− | yi−y |). 設計データの補正に際し、補正する辺を複数の線分に分割し、各分割点にはその分割点を共有する双方の線分に対応して2つのデータを発生させることを特徴とする請求項1のパタン形成方法。   The design data is corrected by dividing a side to be corrected into a plurality of line segments, and generating two pieces of data corresponding to both line segments sharing the division point at each division point. 1 pattern formation method. 設計データの補正に際し、各辺をその辺に垂直な方向に補正することを特徴とする請求項1のパタン形成方法。   2. The pattern forming method according to claim 1, wherein when the design data is corrected, each side is corrected in a direction perpendicular to the side. 設計データの補正に際し、図形要素の辺上における投影像の傾きが所定値以下のときにその辺を補正対象外とすることを特徴とする請求項1のパタン形成方法。   2. The pattern forming method according to claim 1, wherein when the design data is corrected, when the inclination of the projected image on the side of the graphic element is not more than a predetermined value, the side is excluded from the correction target. 設計データの補正に際し、図形要素の辺上における投影像の光強度が所定値以下のときにその辺を補正対象外とすることを特徴とする請求項1のパタン形成方法。   2. The pattern forming method according to claim 1, wherein when the design data is corrected, when the light intensity of the projected image on the side of the graphic element is not more than a predetermined value, the side is excluded from the correction target. 設計データの補正に際し、補正量の上限値を設け、算出された補正量が上限値を越えるときには上限値を補正量として補正を行うことを特徴とする請求項1のパタン形成方法。   2. The pattern forming method according to claim 1, wherein when the design data is corrected, an upper limit value of the correction amount is provided, and when the calculated correction amount exceeds the upper limit value, correction is performed using the upper limit value as the correction amount. 設計データの補正に際し、補正対象の図形要素の各辺を補正した後、同一直線上に存在する冗長点を削除することを特徴とする請求項1のパタン形成方法。   2. The pattern forming method according to claim 1, wherein, in correcting the design data, after correcting each side of the graphic element to be corrected, redundant points existing on the same straight line are deleted. 設計データの補正に際し、補正対象の全ての辺を互いに独立に補正した後、補正量が許容範囲内か否かを判定し、許容範囲外のときには補正データに基づいて再び投影像を形成して補正データをさらに補正することを特徴とする請求項1のパタン形成方法。   When correcting the design data, after correcting all the sides to be corrected independently of each other, it is determined whether the correction amount is within the allowable range. 2. The pattern forming method according to claim 1, further comprising correcting the correction data. 設計データを複数のデータブロックに分割し、
データブロック毎に補正量の判定を行い、
補正量が許容範囲外のデータブロックを別ファイルに抽出して補正後のデータに基づいて再びデータの補正を行う
ことを特徴とする請求項43のパタン形成方法。
Divide design data into multiple data blocks,
Determine the correction amount for each data block,
44. The pattern forming method according to claim 43, wherein a data block whose correction amount is outside the allowable range is extracted into another file, and the data is corrected again based on the corrected data.
各データブロックの周囲に設定されたバッファ領域を削除した補正データを作成することを特徴とする請求項5のパタン形成方法。   6. The pattern forming method according to claim 5, wherein correction data is created by deleting a buffer area set around each data block. 請求項1〜45のいずれか一項に記載のパタン形成方法を用いたことを特徴とする集積回路の製造方法。   An integrated circuit manufacturing method using the pattern forming method according to any one of claims 1 to 45.
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