JP2005084513A - Electrooptical device and electronic apparatus equipped therewith - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、画像表示領域内で各色に対応するサブ画素がマトリクス状に多数、配列された電気光学装置、およびそれを用いた電子機器に関するものである。 The present invention relates to an electro-optical device in which a large number of sub-pixels corresponding to each color are arranged in a matrix within an image display region, and an electronic apparatus using the same.
マトリクス型の液晶表示装置や有機エレクトロルミネセンス型表示装置などといった電気光学装置では、図12に示すように、各色(赤R、緑G、青B)に対応する同一サイズのサブ画素11がマトリクス状に多数、等ピッチで配列されている。ここに示す色配列は、ストライプ配列であり、各色R、G、Bに対応するサブ画素11が縦方向に並んでいる(例えば、特許文献1参照)。
In an electro-optical device such as a matrix type liquid crystal display device or an organic electroluminescence type display device, as shown in FIG. 12,
このような電気光学装置は、一般に、遮光膜で形成された枠状の見切り50によって矩形の画像表示領域1aが規定され、画像表示領域1aの外周側は、額縁領域1bと称せられ、画像の表示には直接、寄与することはない。
このように構成した電気光学装置では、赤R、緑G、青Bの3つのサブ画素11が一つの画素を構成しており、各色のサブ画素11から出射された色光が合成される結果、カラー画像を表示する。
In the electro-optical device configured in this way, the three
しかながら、画像表示領域1aの周縁1c(見切り50の内周縁55)に位置するサブ画素11′では、画像表示領域1aの中央側のサブ画素11と違って、3方にしかサブ画素11が存在しない。このため、画像表示領域1aの周縁1cに位置するサブ画素11′から出射された色光は、隣接するサブ画素11から出射された色光と十分、合成されないことになる。その結果、白色画面を表示したとき、図12に示すカラー配列の例では、画像表示領域1aの周縁1cのうち、左側の端に緑色のスジが見え、右側の端に青色のスジが見えてしまうという問題点がある。
However, in the
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、画像表示領域の周縁にスジが見えることを防止可能な電気光学装置、およびそれを備えた電子機器を提供することにある。 In view of the above problems, an object of the present invention is to provide an electro-optical device capable of preventing streaks from being seen at the periphery of an image display region, and an electronic apparatus including the electro-optical device.
上記課題を解決するために、本発明では、画像表示領域内で各色に対応するサブ画素がマトリクス状に多数、配列された電気光学装置において、前記画像表示領域の周縁のうち、少なくとも対向する2辺に沿って並ぶサブ画素は、その他のサブ画素と比較して表示光の出射光量が低いことを特徴とする。 In order to solve the above problems, according to the present invention, in an electro-optical device in which a large number of sub-pixels corresponding to each color are arranged in a matrix in an image display area, at least two of the peripheral edges of the image display area are opposed to each other. The sub-pixels arranged along the side are characterized in that the amount of emitted display light is lower than that of the other sub-pixels.
本発明は、前記2辺に沿って並ぶサブ画素は、一列分がすべて同一の色に対応している電気光学装置に適用すると特に効果的である。 The present invention is particularly effective when applied to an electro-optical device in which the sub-pixels arranged along the two sides all correspond to the same color in one row.
本発明において、前記多数のサブ画素は、通常、いずれも同一サイズで構成される。 In the present invention, the plurality of sub-pixels are usually configured to have the same size.
本発明において、前記多数のサブ画素のいずれもが、周囲が遮光膜によって囲まれている場合、前記2辺に沿って並ぶサブ画素の出射光量を低下させるには、前記2辺に沿って並ぶサブ画素については、その他のサブ画素に比較して、前記遮光膜で囲まれた領域を狭くすればよい。 In the present invention, when any of the plurality of sub-pixels is surrounded by a light-shielding film, the plurality of sub-pixels are arranged along the two sides in order to reduce the amount of light emitted from the sub-pixels arranged along the two sides. As for the sub-pixels, the region surrounded by the light-shielding film may be made narrower than other sub-pixels.
本発明において、前記多数のサブ画素のいずれにも反射表示用の光反射層を形成すれば、電気光学装置を反射型電気光学装置として構成できる。 In the present invention, the electro-optical device can be configured as a reflective electro-optical device by forming a light reflective layer for reflective display on any of the large number of sub-pixels.
本発明において、前記多数のサブ画素のいずれにも、透過表示用の光透過窓が形成された反射表示用の光反射層を形成し、少なくとも前記光透過窓と平面的に重なる領域に透過表示用の透明電極層を形成すれば、半透過反射型の電気光学装置を構成することができる。この場合、前記2辺に沿って並ぶサブ画素は、その他のサブ画素に比較して、前記光透過窓の面積が狭く、かつ、前記遮光膜で囲まれた前記光反射膜の面積が狭くすれば、反射モードおよび透過モードのいずれにおいても、前記2辺に沿って並ぶサブ画素の出射光量を低下させることができる。 In the present invention, a light reflective layer for reflective display in which a light transmissive window for transmissive display is formed is formed in any of the large number of sub-pixels, and transmissive display is performed at least in a region overlapping with the light transmissive window. If a transparent electrode layer is formed, a transflective electro-optical device can be configured. In this case, the sub-pixels arranged along the two sides have a smaller area of the light transmission window and a smaller area of the light reflection film surrounded by the light-shielding film than the other sub-pixels. For example, in both the reflection mode and the transmission mode, the amount of light emitted from the sub-pixels arranged along the two sides can be reduced.
本発明において、電気光学装置を透過電気光学装置として構成する場合、前記多数のサブ画素のいずれにも、透過表示用の透明電極層を形成すればよい。 In the present invention, when the electro-optical device is configured as a transmissive electro-optical device, a transparent electrode layer for transmissive display may be formed on any of the large number of sub-pixels.
本発明において、電気光学装置を液晶装置として構成する場合、前記多数のサブ画素のいずれにも、光変調用の液晶セルを形成する。 In the present invention, when the electro-optical device is configured as a liquid crystal device, a liquid crystal cell for light modulation is formed in any of the large number of subpixels.
本発明において、電気光学装置をエレクトロルミネッセンス装置として構成する場合、前記多数のサブ画素のいずれにも、光変調用のエレクトロルミネッセンス素子を構成する。 In the present invention, when the electro-optical device is configured as an electroluminescence device, an electroluminescence element for light modulation is configured in any of the large number of sub-pixels.
本発明に係る電気光学装置は、携帯電話機、モバイルコンピュータなどの電子機器において表示部として用いることができる。 The electro-optical device according to the present invention can be used as a display unit in electronic devices such as a mobile phone and a mobile computer.
本発明では、画像表示領域内でマトリクス状に配列されたサブ画素のうち、画像表示領域の周縁の少なくとも対向する2辺に沿って並ぶサブ画素については、その他のサブ画素と比較して表示光の出射光量を低くしてあるため、このようなサブ画素から出射された色光が隣接するサブ画素から出射された色光と十分、合成されない場合でも、スジとして目立つことがない。 In the present invention, among the sub-pixels arranged in a matrix in the image display area, the sub-pixels arranged along at least two opposite sides of the periphery of the image display area are compared with the other sub-pixels. Therefore, even if the color light emitted from such a sub-pixel is not sufficiently combined with the color light emitted from the adjacent sub-pixel, it does not stand out as a streak.
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。 Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[実施の形態1]
(全体構成)
図1および図2は、本形態の電気光学装置の全体構成を示す平面図、およびその電気的構成を示すブロック図である。図3および図4はそれぞれ、図1に示す電気光学装置の構成を示す分解斜視図、およびその一部を拡大して示す拡大断面図である。図5は、電気光学装置において、TFD素子を含む数画素分のレイアウトを示す平面図であり、図6は、そのA−A’線に沿って示す断面図である。なお、図4および図5には、電気光学装置の画像表示領域の周縁で縦方向に並ぶサブ画素、およびその他のサブ画素を図示してある。
[Embodiment 1]
(overall structure)
FIG. 1 and FIG. 2 are a plan view showing the overall configuration of the electro-optical device of this embodiment, and a block diagram showing the electrical configuration. 3 and 4 are an exploded perspective view showing the configuration of the electro-optical device shown in FIG. 1 and an enlarged cross-sectional view showing a part thereof, respectively. FIG. 5 is a plan view showing a layout for several pixels including a TFD element in the electro-optical device, and FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line AA ′. 4 and 5 illustrate the sub-pixels arranged in the vertical direction at the periphery of the image display area of the electro-optical device, and other sub-pixels.
図1に示す電気光学装置100は、ネマチック液晶を用いたアクティブマトリクス型の半透過反射型液晶装置であり、各色(赤R、緑G、青B)に対応する同一サイズのサブ画素11がマトリクス状に多数、配列されている。ここに示す色配列は、ストライプ配列であり、各色R、G、Bに対応するサブ画素11が縦方向に並んでいる。
An electro-
このような電気光学装置100では、一般に、遮光膜で形成された見切り50によって、矩形の画像表示領域1aが規定されており、画像表示領域1aの外周側は、額縁領域1bと称せられ、画像の表示には直接、寄与することはない。
In such an electro-
図2に示すように、本形態の電気光学装置100では、複数本の走査線31が行(X)方向に形成され、複数本のデータ線21が列(Y)方向に形成されている。また、走査線31とデータ線21との各交差部分には、サブ画素11が形成されている。各サブ画素11では、ネマチック液晶からなる液晶層12(液晶セル)と、二端子型アクティブ素子たるTFD素子40とが直列接続している。ここに示す例では、液晶層12が走査線31の側に接続され、TFD素子40がデータ線21の側に接続されている。各走査線31は、走査線駆動回路350によって駆動される一方、各データ線21は、データ線駆動回路250によって駆動される構成となっている。
As shown in FIG. 2, in the electro-
図3に示すように、電気光学装置100では、一対の透光性基板を所定の間隙を介して貼り合わされた液晶パネル10が用いられているとともに、上側偏光板2、第1の上側位相差板3、第2の上側位相差板4、液晶パネル10、第1の下側位相差板5、第2の下側位相差板6、およびバックライト装置9が上方から下方にこの順に重ねて配置されている。
As shown in FIG. 3, the electro-
液晶パネル10において、一方の透光性基板は、アクティブ素子が形成される素子側基板20であり、他方の透光性基板は、素子側基板20に対向する対向基板30である。素子側基板20と対向基板30とは、スペーサ(図示省略)を含むシール材14によって一定の間隙を保って接合されるとともに、この間隙に、液晶層12が封入、保持された構成となっている。
In the
電気光学装置100では、例えば、COG(Chip On Glass)技術により、素子側基板20の表面に直接、データ線駆動回路250を構成する液晶駆動用IC(ドライバ)が実装され、対向基板30の表面にも直接、走査線駆動回路350を構成する液晶駆動用IC(ドライバ)が実装されている。なお、COG技術に限られず、それ以外の技術を用いて、ICチップと電気光学装置とが接続された構成としても良い。例えば、TAB(Tape Automated Bonding)技術を用いて、FPC(Flexible Printed Circuit)の上にICチップがボンディングされたTCP(Tape Carrier Package)を電気光学装置に電気的に接続する構成としても良い。また、ICチップをハード基板にボンディングするCOB(Chip On Board)技術を用いても良い。
In the electro-
図4および図5に示すように、素子側基板20の内側表面には下地膜25が形成されているとともに、この下地膜25の表面には、複数本のデータ線21と、それらのデータ線21に接続された複数のTFD素子40と、それらのTFD素子40と1対1に接続される画素電極23とが形成されている。画素電極23は、ITO(Indium Tin Oxide)などの透光性導電膜から形成されている。各データ線21は、直線的に延びている一方、TFD素子40および画素電極23は、ドットマトリクス状に配列されている。画素電極23などの表面には、ラビング処理が施された配向膜24が形成されている。この配向膜24は、一般にポリイミド樹脂等から形成される。
As shown in FIGS. 4 and 5, a
一方、対向基板30の内側表面には、凹凸形成層32の上層側に、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金などの単層膜、あるいは複層膜からなる光反射層33と、赤色(R)、緑色(G)、青色(B)のカラーフィルタ層341R、342R、341G、342G、341B、342Bと、オーバーコート層35と、ITOなどの透光性導電膜からなる帯状の対向電極36と、ポリイミド樹脂等から配向膜37とが形成されている。光反射層33は、反射モードでの表示用であり、この光反射層33には、透過モードでの表示を可能とする光透過窓330が形成されている。また、色の異なるカラーフィルタ層の隙間には、遮光膜からなるブラックマトリクス38が形成されており、カラーフィルタ層の隙間からの入射光を遮蔽する構成となっている。オーバーコート層35は、カラーフィルタ層341R、342R、341G、342G、341B、342B、およびブラックマトリクス38の表面において平滑性を高めている。ここで、対向電極36は、走査線31として機能し、データ線21と直交する方向に形成されている。
On the other hand, on the inner surface of the
図5および図6に示すように、TFD素子40は、第1のTFD素子40aおよび第2のTFD素子40bからなり、素子基板20の表面に形成された絶縁膜25上において、第1金属膜42と、この第1金属膜42の表面に陽極酸化によって形成された絶縁体たる酸化膜44と、この表面に形成されて相互に離間した第2金属膜46a、46bとから構成されている。また、第2金属膜46aは、そのままデータ線21となる一方、第2金属膜46bは、画素電極23に接続されている。
As shown in FIGS. 5 and 6, the
第1のTFD素子40aは、データ線21の側からみると順番に、第2金属膜46a/酸化膜44/第1金属膜42となって、金属(導電体)/絶縁体/金属(導電体)のサンドイッチ構造を採るため、正負双方向のダイオードスイッチング特性を有することになる。一方、第2のTFD素子40bは、データ線21の側からみると順番に、第1金属膜42/酸化膜44/第2金属膜46bとなって、第1のTFD素子40aとは、反対のダイオードスイッチング特性を有することになる。従って、TFD素子40は、2つのダイオードを互いに逆向きに直列接続した形となっているため、1つのダイオードを用いる場合と比べると、電流−電圧の非線形特性が正負の双方向にわたって対称化されることになる。なお、このように非線形特性を厳密に対称化する必要がないのであれば、1つのTFD素子40のみを用いても良い。
The
なお、TFD素子40は、ダイオード素子としての一例であり、他に、酸化亜鉛(ZnO)バリスタや、MSI(Metal Semi Insulator)などを用いた素子や、これらの素子を、単体、または、逆向きに直列接続もしくは並列接続したものなどが適用可能である。
The
(各サブ画素の詳細な構成)
図3および図4において、本形態の電気光学装置100では、バックライト装置9から出射された光は、矢印L1で示すように、液晶パネル10に入射した後、光反射層33の光透過窓330から液晶層12に入射し、素子基板20の側から出射される。その際に、表示光は、各サブ画素11において液晶層12によって光変調されて、透過モードでの画像を表示する。
(Detailed configuration of each sub-pixel)
3 and 4, in the electro-
一方、素子基板20の側から入射した外光は、矢印L2で示すように、液晶層12を通って光反射層33で反射し、再び、液晶層12を通って素子基板20の側から出射される。その際に、表示光は、各サブ画素11において液晶層12によって光変調されて、反射モードでの画像を表示する。
On the other hand, the external light incident from the
また、光反射層33で反射された光の方向性が強いと、画像をみる角度で明るさが異なるなどの視野角依存性が顕著に出てしまう。そこで、対向基板30の表面側には、光反射層33の下層側に凹凸形成層32が形成され、この凹凸形成層32によって、光反射層33の表面には光散乱用の微小な凹凸が形成されている。このような凹凸形成層32は、2層あるいは1層の感光性樹脂層により形成される。
In addition, when the directionality of the light reflected by the
ここで、反射モードではカラーフィルタ層を2度、通過するが、透過モードでは光がカラーフィルタ層を1度しか通過しない。このため、透過モードでカラー画像を表示すると、反射モードでカラー画像を表示した場合と比較して、色が薄くなるおそれがある。そこで、いずれのサブ画素11においても、光反射層33と重なる領域には、反射表示用のカラーフィルタ層342R、342G、342Bが形成され、光透過窓330と平面的に重なる領域には、透過表示用のカラーフィルタ層341R、341G、341Bが形成されている。
Here, in the reflection mode, the light passes through the color filter layer twice, but in the transmission mode, light passes through the color filter layer only once. For this reason, when a color image is displayed in the transmissive mode, the color may be lighter than when a color image is displayed in the reflective mode. Therefore, in any of the sub-pixels 11, color filter layers 342 R, 342 G, and 342 B for reflection display are formed in the region overlapping with the
(各サブ画素の開口率)
図1、図4および図5に示すように、本形態の電気光学装置100では、いずれのサブ画素11も等ピッチ、かつ、同一サイズに形成してあるが、画像表示領域1aの周縁1c(見切り50の内周縁55)のうち、少なくとも対向する2辺に沿って並ぶサブ画素11′については、その他のサブ画素11と比較して、画素面積に対する表示光が出射される面積の比率(開口率)を小さくして、表示光の出射光量を低くしてある。本形態では、カラーフィルタ層の配列に対応して、画像表示領域1aの周縁1cで縦方向に並ぶサブ画素11′について開口率を小さくして、これらのサブ画素11′からの表示光の出射光量を低くしてある。
(Aperture ratio of each sub-pixel)
As shown in FIGS. 1, 4, and 5, in the electro-
このように構成するにあたって、電気光学装置100の対向基板30では、いずれのサブ画素11も周囲が遮光膜からなるブラックマトリクス38、あるいはブラックマトリクス38と見切り50とによって囲まれており、本形態では、画像表示領域1aの周縁1cで縦方向に並ぶサブ画素11′を囲むブラックマトリクス38および見切り50を構成する遮光膜については、その縦方向に延びた部分を太くして、サブ画素11′では、ブラックマトリクス38および見切り50で囲まれた領域の面積を狭くしてある。
In such a configuration, in the
また、本形態では、画像表示領域1aの周縁1cで縦方向に並ぶサブ画素11′については、光反射層33に形成されている光透過窓330の面積を狭くしてある。
In this embodiment, the area of the
このため、本形態の電気光学装置100では、画像表示領域1aの周縁1cに沿って縦方向に並ぶサブ画素11′については、その他のサブ画素11と比較して、光反射膜33の露出面積(光反射層33のうち、ブラックマトリクス38あるいは見切り50で覆われていない領域の面積)が狭く、かつ、光透過窓330の面積も狭い。従って、サブ画素11′については、反射モードおよび透過モードのいずれにおいても、その他のサブ画素11と比較して、画素面積に対する表示光が出射される面積の比率が小さく、表示光の出射光量が低い。それ故、反射モードおよび透過モードのいずれにおいても、画像表示領域1aで白表示を行ったとき、画像表示領域1aの周縁1cに沿って縦方向に並ぶサブ画素11′から出射された色光が、隣接するサブ画素11から出射された色光と十分、合成されない場合でも、スジとして目立つことがない。すなわち、図1において、画像表示領域1aの左端に緑のスジが見えることも、右端に青のスジが見えることもない。
For this reason, in the electro-
[実施の形態2]
実施の形態1では、半透過反射型の電気光学装置に対して本発明を適用した例であるが、反射型の電気光学装置に対して本発明を適用してもよい。
[Embodiment 2]
In the first embodiment, the present invention is applied to a transflective electro-optical device. However, the present invention may be applied to a reflective electro-optical device.
図7は、本形態の反射型の電気光学装置において、画像表示領域の周縁で縦方向に並ぶサブ画素、およびその他のサブ画素の断面図である。なお、本形態の電気光学装置は、基本的な構成が実施の形態1と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
FIG. 7 is a cross-sectional view of the sub-pixels arranged in the vertical direction at the periphery of the image display region and other sub-pixels in the reflective electro-optical device of this embodiment. Since the basic configuration of the electro-optical device of this embodiment is the same as that of
図7において、本形態の電気光学装置100の対向基板30には、実施の形態1と同様、光反射層33の上層に、遮光膜からなるブラックマトリクス38、およびカラーフィルタ層342R、342G、342Bが形成されている。但し、本形態の電気光学装置100は、反射型の液晶装置であり、光反射層33には、透過モードでの表示を可能とする光透過窓が形成されていない。
In FIG. 7, the
このような電気光学装置100においても、本形態では、いずれのサブ画素11も等ピッチ、かつ、同一サイズに形成してあるが、画像表示領域1aの周縁1c(見切り50の内周縁55)で縦方向に沿って並ぶサブ画素11′については、その他のサブ画素11と比較して、画素面積に対する表示光が出射される面積の比率(開口率)を小さくして、表示光の出射光量を低くしてある。
Also in such an electro-
このように構成するにあたって、本形態の電気光学装置100では、実施の形態1と同様、いずれのサブ画素11も周囲が遮光膜からなるブラックマトリクス38、あるいはブラックマトリクス38と見切り50とによって囲まれているが、画像表示領域1aの周縁1cに沿って縦方向に並ぶサブ画素11′については、それを囲むブラックマトリクス38および見切り50の縦方向に延びた部分を太くして、ブラックマトリクス38および見切り50で囲まれた領域の面積を狭くしてある。従って、画素11′については、その他のサブ画素11と比較して、開口率が小さく、表示光の出射光量が低い。それ故、反射モードにおいて、画像表示領域1aで白表示を行ったとき、画像表示領域1aの周縁1cに沿って縦方向に並ぶサブ画素11′から出射された色光が、隣接するサブ画素11から出射された色光と十分、合成されない場合でも、スジとして目立つことがない。
In this configuration, in the electro-
[実施の形態3]
実施の形態1では、半透過反射型の電気光学装置に対して本発明を適用した例であるが、透過型の電気光学装置に対して本発明を適用してもよい。
[Embodiment 3]
In the first embodiment, the present invention is applied to a transflective electro-optical device. However, the present invention may be applied to a transmissive electro-optical device.
図8は、本形態の透過型の電気光学装置において、画像表示領域の周縁で縦方向に並ぶサブ画素、およびその他の画素の断面図である。なお、本形態の電気光学装置は、基本的な構成が実施の形態1と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
FIG. 8 is a cross-sectional view of the sub-pixels arranged in the vertical direction at the periphery of the image display region and other pixels in the transmissive electro-optical device of this embodiment. Since the basic configuration of the electro-optical device of this embodiment is the same as that of
図8において、本形態の電気光学装置100の対向基板30には、実施の形態1と同様、遮光膜からなるブラックマトリクス38、およびカラーフィルタ層341R、341G、341Bが形成されている。但し、本形態の電気光学装置100は、透過型の液晶装置であり、光反射層が形成されていない。
In FIG. 8, on the
このような電気光学装置100においても、本形態では、いずれのサブ画素11も等ピッチ、かつ、同一サイズに形成してあるが、画像表示領域1aの周縁1cで縦方向に沿って並ぶサブ画素11′については、その他のサブ画素11と比較して、画素面積に対する表示光が出射される面積の比率(開口率)を小さくして、表示光の出射光量を低くしてある。
In the electro-
このように構成するにあたって、電気光学装置100では、いずれのサブ画素11も周囲が遮光膜からなるブラックマトリクス38、あるいはブラックマトリクス38と見切り50とによって囲まれており、本形態では、画像表示領域1aの周縁1c(見切り50の内周縁55)で縦方向に並ぶサブ画素11′については、それを囲むブラックマトリクス38および見切り50の縦方向に延びた部分を太くして、ブラックマトリクス38および見切り50で囲まれた領域の面積を狭くしてある。従って、サブ画素11′については、その他のサブ画素11と比較して、開口率が小さく、表示光の出射光量が低い。それ故、透過モードにおいて、画像表示領域1aで白表示を行ったとき、画像表示領域1aの周縁1cに沿って縦方向に並ぶサブ画素11′から出射された色光が、隣接するサブ画素11から出射された色光と十分、合成されない場合でも、スジとして目立つことがない。
In such a configuration, in the electro-
[その他の実施の形態]
上記実施の形態では、カラーフィルタがストライプ配列された電気光学装置100において、画像表示領域1aの周縁1cで縦方向に並ぶサブ画素11′について、その他のサブ画素11と比較して、画素面積に対する表示光が出射される面積の比率(開口率)を小さくして、表示光の出射光量を低くしたが、必要に応じて、横方向に並ぶサブ画素についても、表示光の出射光量を低くしてもよい。
[Other embodiments]
In the above-described embodiment, in the electro-
また、上記形態では、カラーフィルタがストライプ配列された対向基板30に本発明を適用したが、カラーフィルタがデルタ配列あるいはモザイク配列された対向基板30に本発明を適用してもよい。
In the above embodiment, the present invention is applied to the
また、サブ画素11、11′の開口率を規定する遮光膜(ブラックマトリクス38および見切り50)については、液晶を保持する一対の基板のいずれの側に形成されている電気光学装置であっても、本発明を適用することができる。
Further, the light shielding film (
さらに、上記形態では、アクティブ素子としてTFD素子40を用いた例であったが、パッシブマトリクス型の電気光学装置、さらには、図9に示すように、画素スイッチング素子として薄膜トランジスタ(TFT)を用いた電気光学装置、さらには、図10に示すようなエレクトロルミネッセンス表示装置や、プラズマディスプレイ、フィールドエミッションディスプレイなどといった電子放出素子を用いた表示装置等々の電気光学装置に本発明を適用してもよい。
Further, in the above embodiment, the
図9は、画素スイッチング素子として薄膜トランジスタ(TFT)を用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置の構成を模式的に示すブロック図である。図10は、電気光学物質として電荷注入型の有機薄膜を用いたエレクトロルミネセンス素子を備えたアクティブマトリクス型電気光学装置のブロック図である。 FIG. 9 is a block diagram schematically illustrating a configuration of an electro-optical device including an active matrix liquid crystal device using a thin film transistor (TFT) as a pixel switching element. FIG. 10 is a block diagram of an active matrix electro-optical device including an electroluminescence element using a charge injection type organic thin film as an electro-optical material.
図9に示すように、画素スイッチング素子としてTFTを用いたアクティブマトリクス型液晶装置からなる電気光学装置100bでは、マトリクス状に形成された複数のサブ画素の各々に、画素電極109bを制御するための画素スイッチング用のTFT130bが形成されており、画像信号を供給するデータ線106bが当該TFT130bのソースに電気的に接続されている。データ線106bに書き込む画像信号は、データ線駆動回路102bから供給される。また、TFT130bのゲートには走査線131bが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線131bにパルス的に走査信号が走査線駆動回路13bから供給される。画素電極109bは、TFT130bのドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるTFT130bを一定期間だけそのオン状態とすることにより、データ線6bから供給される画像信号を各サブ画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極109bを介して液晶に書き込まれた所定レベルのサブ画像信号は、対向基板(図省略)に形成された対向電極との間で一定期間保持される。
As shown in FIG. 9, in the electro-
ここで、保持されたサブ画像信号がリークするのを防ぐことを目的に、画素電極109bと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量170b(キャパシタ)を付加することがある。この蓄積容量170bによって、画素電極109bの電圧は、例えば、ソース電圧が印加された時間よりも3桁も長い時間だけ保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い表示を行うことのできる電気光学装置が実現できる。なお、蓄積容量170bを形成する方法としては、容量を形成するための配線である容量線132bとの間に形成する場合、あるいは前段の走査線131bとの間に形成する場合もいずれであってもよい。
Here, in order to prevent the held sub-image signal from leaking, a
このように構成した電気光学装置100bでも、画像表示領域内で各色に対応するサブ画素がマトリクス状に多数、配列されるので、本発明を適用してもよい。
Even in the electro-
図10に示すように、電荷注入型有機薄膜を用いたエレクトロルミネセンス素子を備えたアクティブマトリクス型電気光学装置100pは、有機半導体膜に駆動電流が流れることによって発光するEL(エレクトロルミネッセンス)素子、またはLED(発光ダイオード)素子などの発光素子をTFTで駆動制御するアクティブマトリクス型の表示装置であり、このタイプの表示装置に用いられる発光素子はいずれも自己発光するため、バックライトを必要とせず、また、視野角依存性が少ないなどの利点がある。
As shown in FIG. 10, an active matrix electro-
ここに示す電気光学装置100pでは、複数の走査線103pと、この走査線103pの延設方向に対して交差する方向に延設された複数のデータ線106pと、これらのデータ線106pに並列する複数の共通給電線123pと、データ線106pと走査線103pとの交差点に対応するサブ画素115pとが構成されている。データ線106pに対しては、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、アナログスイッチを備えるデータ線駆動回路101pが構成されている。走査線103pに対しては、シフトレジスタおよびレベルシフタを備える走査線駆動回路104pが構成されている。
In the electro-
また、サブ画素115pの各々には、走査線103pを介して走査信号がゲート電極に供給される第1のTFT131pと、この第1のTFT131pを介してデータ線106pから供給される画像信号を保持する保持容量133pと、この保持容量133pによって保持された画像信号がゲート電極に供給される第2のTFT132pと、第2のTFT132pを介して共通給電線123pに電気的に接続したときに共通給電線123pから駆動電流が流れ込む発光素子140pとが構成されている。
Each of the sub-pixels 115p holds a
ここで、発光素子140pは、画素電極の上層側には、正孔注入層、有機エレクトロルミネッセンス材料層としての有機半導体膜、リチウム含有アルミニウム、カルシウムなどの金属膜からなる対向電極が積層された構成になっており、対向電極は、データ線106pなどを跨いで複数のサブ画素115pにわたって形成されている。
Here, the
このように構成した電気光学装置100bでも、画像表示領域内で各色に対応するサブ画素がマトリクス状に多数、配列されるので、本発明を適用してもよい。
Even in the electro-
[電子機器への搭載例]
図11は、本形態の電気光学装置を搭載した電子機器の一例としての携帯電話の構成を示す斜視図である。
[Example of mounting on electronic devices]
FIG. 11 is a perspective view illustrating a configuration of a mobile phone as an example of an electronic apparatus in which the electro-optical device of this embodiment is mounted.
図11において、携帯電話1400は、複数の操作ボタン1402のほか、受話口1404、送話口1406とともに、電気光学装置100、100b、100pを備えるものである。
In FIG. 11, a
なお、本形態の電気光学装置100、100b、100pを搭載可能な電子機器としては、携帯電話機の他、モバイルコンピュータ、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。
Note that examples of electronic devices on which the electro-
本発明では、画像表示領域内でマトリクス状に配列されたサブ画素のうち、画像表示領域の周縁の少なくとも対向する2辺に沿って並ぶサブ画素については、その他のサブ画素と比較して表示光の出射光量を低くしてあるため、このようなサブ画素から出射された色光が隣接するサブ画素から出射された色光と十分、合成されない場合でも、スジとして目立つことがない。 In the present invention, among the sub-pixels arranged in a matrix in the image display area, the sub-pixels arranged along at least two opposite sides of the periphery of the image display area are compared with the other sub-pixels. Therefore, even if the color light emitted from such a sub-pixel is not sufficiently combined with the color light emitted from the adjacent sub-pixel, it does not stand out as a streak.
100、100b、100p 電気光学装置、1a 画像表示領域、11、11′ サブ画素、12 液晶層、20 素子側基板、23 画素電極、30 対向基板、31 走査線、33 光反射層、36 対向電極、38 ブラックマトリクス(遮光膜)40 TFD素子(アクティブ素子)、50 凹凸形成層、330 光透過窓、341R、341G、341B、342R、342G、342B カラーフィルタ層 100, 100b, 100p electro-optical device, 1a image display area, 11, 11 ′ sub-pixel, 12 liquid crystal layer, 20 element side substrate, 23 pixel electrode, 30 counter substrate, 31 scanning line, 33 light reflecting layer, 36 counter electrode , 38 Black matrix (light shielding film) 40 TFD element (active element), 50 Concavity and convexity forming layer, 330 Light transmission window, 341R, 341G, 341B, 342R, 342G, 342B Color filter layer
Claims (11)
前記画像表示領域の周縁のうち、少なくとも対向する2辺に沿って並ぶサブ画素は、その他のサブ画素と比較して表示光の出射光量が低いことを特徴とする電気光学装置。 In an electro-optical device in which a large number of sub-pixels corresponding to each color are arranged in a matrix within an image display area,
2. The electro-optical device according to claim 1, wherein sub-pixels arranged along at least two opposite sides of the periphery of the image display area have a lower emission amount of display light than other sub-pixels.
前記2辺に沿って並ぶサブ画素は、その他のサブ画素に比較して、前記遮光膜で囲まれた領域が狭いことを特徴とする電気光学装置。 In any one of Claims 1 thru | or 3, the circumference | surroundings of all the said many subpixels are surrounded by the light shielding film,
2. The electro-optical device according to claim 1, wherein the sub-pixels arranged along the two sides have a narrower area surrounded by the light-shielding film than the other sub-pixels.
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