JP2005064369A - Optimization method, exposure method, optimization device, exposure device, manufacturing method for device and program therefor, and information recording medium therefor - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To optimize data selection used for a predetermined process. <P>SOLUTION: In a step 403, the reference vector map of a correction quantity vector when performing an EGA treatment by using all of the measured values of candidate marks on an EGA measuring shot region, is prepared; in a step 407, the vector map of the correction quantity vector when performing the EGA treatment for each of combinations excluding the portion of the number of expected skip shots, is prepared. Then, in a step 409, correlation coefficients between vector maps are calculated, and the combination that the correlation coefficient is lower than a threshold after a step 411 and also residual errors in the EGA treatment are reduced is employed as the combination of the shot region used for the EGA treatment. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、最適化方法、露光方法、最適化装置、露光装置、デバイス製造方法、及びプログラム、並びに情報記録媒体に係り、所定の処理に用いられる複数のデータの選択を最適化する最適化方法、該最適化方法を用いた露光方法、所定の処理に用いられる複数のデータの選択を最適化する最適化装置、該最適化装置を備えた露光装置、前記露光方法及び前記露光装置を用いたデバイス製造方法、及び、コンピュータに前記最適化方法を実行させるプログラム、並びに該プログラムが記録された情報記録媒体に関する。   The present invention relates to an optimization method, an exposure method, an optimization apparatus, an exposure apparatus, a device manufacturing method, a program, and an information recording medium, and an optimization method for optimizing selection of a plurality of data used for a predetermined process , An exposure method using the optimization method, an optimization device that optimizes selection of a plurality of data used in a predetermined process, an exposure device including the optimization device, the exposure method, and the exposure device The present invention relates to a device manufacturing method, a program for causing a computer to execute the optimization method, and an information recording medium on which the program is recorded.

半導体素子、液晶表示素子等を製造するためのリソグラフィ工程では、マスク又はレチクル(以下「レチクル」と総称する)に形成されたパターンを、投影光学系を介してレジスト等が塗布されたウエハ又はガラスプレート等の基板(以下、「ウエハ」と総称する)上に転写する露光装置、例えばステップ・アンド・リピート方式の縮小投影露光装置(いわゆるステッパ)や、このステッパに改良を加えたステップ・アンド・スキャン方式の走査型投影露光装置(いわゆるスキャニング・ステッパ)等の逐次移動型の投影露光装置(以下、「露光装置」と略述する)が主として用いられている。   In a lithography process for manufacturing a semiconductor element, a liquid crystal display element, or the like, a wafer or glass on which a pattern formed on a mask or a reticle (hereinafter collectively referred to as “reticle”) is coated with a resist or the like via a projection optical system An exposure apparatus that transfers onto a substrate such as a plate (hereinafter collectively referred to as a “wafer”), such as a step-and-repeat reduction projection exposure apparatus (so-called stepper), or a step-and- A sequential movement type projection exposure apparatus (hereinafter abbreviated as “exposure apparatus”) such as a scanning scanning exposure apparatus (so-called scanning stepper) is mainly used.

半導体素子等を製造する場合には、異なる回路パターンをウエハ上に幾層にも積み重ねて形成するが、各層間での重ね合わせ精度が悪いと、回路上の特性に不都合が生じることがある。このような場合、チップが所期の特性を満足せず、最悪の場合にはそのチップが不良品となり、歩留りを低下させてしまう。したがって、露光工程では、回路パターンが形成されたレチクルと、ウエハ上の各ショット領域に既に形成されたパターンとを正確に重ね合わせて転写することが重要となる。   When manufacturing a semiconductor element or the like, different circuit patterns are stacked and formed on a wafer in several layers. However, if the overlay accuracy between the layers is poor, the circuit characteristics may be inconvenient. In such a case, the chip does not satisfy the desired characteristics, and in the worst case, the chip becomes a defective product, which decreases the yield. Therefore, in the exposure process, it is important to accurately superimpose and transfer the reticle on which the circuit pattern is formed and the pattern already formed on each shot area on the wafer.

このため、露光工程では、ウエハ上の複数のショット領域の各々に予めアライメントマークを付設しておき、ウエハが載置されるウエハステージのステージ座標系(該ウエハステージの移動を規定する座標系、通常はレーザ干渉計の測長軸によって規定される)上におけるアライメントマークの位置(座標値)を検出する。しかる後、このマークの位置情報と既知のレチクルパターンの投影位置の位置情報(これは事前測定される)とに基づいて各ショット領域とレチクルパターンの投影位置との位置関係を求める、いわゆるウエハアライメント(ウエハアライメント計測)が行われる。   For this reason, in the exposure process, an alignment mark is previously attached to each of a plurality of shot areas on the wafer, and a stage coordinate system of the wafer stage on which the wafer is placed (a coordinate system that defines the movement of the wafer stage, Usually, the position (coordinate value) of the alignment mark on the laser interferometer (defined by the measuring axis) is detected. Thereafter, based on the position information of the mark and the position information of the projection position of the known reticle pattern (this is measured in advance), the positional relationship between each shot area and the projection position of the reticle pattern is obtained. (Wafer alignment measurement) is performed.

ウエハアライメントには大別して2つの方式があり、1つはウエハ上のショット領域毎にそのアライメントマークを検出して位置合わせを行うダイ・バイ・ダイ(D/D)アライメント方式である。もう1つは、ウエハ上のいくつかのショット領域のみのアライメントマークを検出してショット領域の配列の規則性を求めることで、各ショット領域を位置合わせするグローバル・アライメント方式である。現在のところ、デバイス製造ラインではスループットとの兼ね合いから、主にグローバル・アライメント方式が使用されている。特に現在では、ウエハ上のショット領域の配列の規則性を統計的手法によって精密に特定するエンハンスト・グローバル・アライメント(EGA)方式が主流となっている(例えば、特許文献1、特許文献2等参照)。   There are roughly two types of wafer alignment. One is a die-by-die (D / D) alignment method in which alignment is detected by detecting an alignment mark for each shot area on the wafer. The other is a global alignment method in which each shot area is aligned by detecting alignment marks of only a few shot areas on the wafer and obtaining the regularity of the arrangement of the shot areas. At present, the global alignment method is mainly used in the device manufacturing line in consideration of the throughput. In particular, at present, an enhanced global alignment (EGA) method for accurately specifying the regularity of the arrangement of shot areas on a wafer by a statistical method has become mainstream (see, for example, Patent Document 1 and Patent Document 2). ).

EGA方式とは、1枚のウエハにおいて予め特定ショット領域として選択された複数個(3個以上必要であり、通常7〜15個程度)のショット領域のみの位置座標を計測し、これらの計測値から統計演算処理(最小二乗法等)を用いてウエハ上の全てのショット領域の位置座標(ショット領域の配列)を算出した後、この算出したショット領域の配列に従ってウエハステージをステッピングさせていくものである。このEGA方式は計測時間が短くて済み、ランダムな計測誤差に対して平均化効果が期待できるという長所がある。   The EGA method measures the position coordinates of only a plurality of (three or more required, usually about 7 to 15) shot areas previously selected as specific shot areas on one wafer, and these measured values. After calculating the position coordinates (arrangement of shot areas) of all shot areas on the wafer using statistical calculation processing (such as least square method), the wafer stage is stepped according to the calculated arrangement of shot areas It is. This EGA method has the advantage that the measurement time is short and an averaging effect can be expected for random measurement errors.

ここで、EGA方式で行われている統計処理方法について簡単に説明する。ウエハ上のm(m≧3なる整数)個の特定ショット領域(「サンプルショット領域」又は「アライメントショット領域」とも呼ばれる)の設計上の配列座標を(Xn、Yn)(n=1、2、……、m)とし、設計上の配列座標からのずれ(ΔXn、ΔYn)について次式(1)で示されるような線形モデルを仮定する。 Here, a statistical processing method performed by the EGA method will be briefly described. Design arrangement coordinates of m (an integer of m ≧ 3) specific shot areas (also called “sample shot areas” or “alignment shot areas”) on the wafer are (X n , Y n ) (n = 1, 2,..., M), and a linear model as shown in the following equation (1) is assumed with respect to the deviation (ΔX n , ΔY n ) from the design array coordinates.

Figure 2005064369
さらに、m個のサンプルショット領域の各々の実際の配列座標の設計上の配列座標からのずれ(計測値)を(Δxn、Δyn)としたとき、このずれと上記線形モデルで仮定される設計上の配列座標からのずれとの残差(フィッティング残差)の二乗和の平均Eは次式(2)で表される。
Figure 2005064369
Further, when the deviation (measured value) of the actual arrangement coordinates of each of the m sample shot areas from the designed arrangement coordinates is (Δx n , Δy n ), this deviation is assumed in the linear model. The average E of the sum of squares of the residual (fitting residual) from the deviation from the design array coordinates is expressed by the following equation (2).

Figure 2005064369
そこで、この式を最小にするようなパラメータa、b、c、d、e、fを最小二乗法などの統計演算により求めれば良い。EGA方式では、上記の如くして算出されたパラメータa〜fと設計上の配列座標とに基づいて、ウエハ上の全てのショット領域のステージ座標系上の配列座標が算出されることになる。
Figure 2005064369
Therefore, the parameters a, b, c, d, e, and f that minimize this equation may be obtained by statistical calculation such as the least square method. In the EGA method, the arrangement coordinates on the stage coordinate system of all shot areas on the wafer are calculated based on the parameters a to f calculated as described above and the arrangement coordinates on the design.

ところで、上記のEGA方式のウエハアライメントでは、マークの欠陥などの影響で、著しく精度の悪い計測値が混入する場合があるが、このような場合、その精度の悪い計測値の影響を軽減して上記のパラメータa〜fを算出することが、ショット領域の配列座標を精度良く求めるためには好ましい。従来、このような精度の悪い計測値の影響を軽減する方法として、以下のような方法が提案されている。   By the way, in the above-mentioned EGA type wafer alignment, measurement values with extremely low accuracy may be mixed due to the influence of a mark defect or the like. In such a case, the influence of the measurement values with low accuracy is reduced. It is preferable to calculate the parameters a to f in order to accurately obtain the array coordinates of the shot area. Conventionally, the following method has been proposed as a method for reducing the influence of such an inaccurate measurement value.

第1の方法として、計算された統計モデルからのフィッティング残差に閾値を設定し、絶対値の大きさがその閾値以上となっている計測値は除外し、残りの計測値だけでモデルを計算し直す方法がある(例えば、特許文献3参照)。   As a first method, a threshold value is set for the fitting residual from the calculated statistical model, measurement values whose absolute value is greater than or equal to the threshold value are excluded, and the model is calculated using only the remaining measurement values. There is a method of reworking (see, for example, Patent Document 3).

第2の方法として、除外数を予め決定しておき、(計測数−除外数)個の集合を作る組み合わせの数だけモデルを仮定し、これらモデルに対応する計測値の標準偏差(フィッティング残差)をモデルの確からしさの指標値(例えば確率密度関数)とし、その確からしさの指標値によって重み付け平均を取ったモデルを採用する方法がある(例えば、特許文献4参照)。   As a second method, the number of exclusions is determined in advance, models are assumed as many as the number of combinations that form a set of (measured number−excluded number), and standard deviations (fitting residuals) of measured values corresponding to these models are assumed. ) Is an index value (for example, probability density function) of the probability of the model, and there is a method of adopting a model that takes a weighted average by the index value of the certainty (see, for example, Patent Document 4).

しかしながら、上記第1の方法では、閾値判定に用いるフィッティング誤差自体が、精度の悪い計測値の影響をすでに受けてしまっており、演算結果に対する精度の悪い計測の影響を完全には排除することができないという不都合がある。   However, in the first method, the fitting error itself used for threshold determination has already been affected by measurement values with poor accuracy, and the influence of measurement with poor accuracy on the calculation result can be completely eliminated. There is inconvenience that we cannot do it.

また、フィッティング残差の絶対値のばらつき具合を考慮すれば、閾値として、大きめの値を設定せざるをえず、本来除外すべき計測値が、除外されない場合が出てくる蓋然性が高くなり、処理の実効を図ることが困難となる。   In addition, considering the degree of variation in the absolute value of the fitting residual, it is necessary to set a larger value as the threshold, and there is a high probability that the measurement value that should originally be excluded may not be excluded, It becomes difficult to achieve effective processing.

一方、上記第2の方法では、そのような閾値の変更の困難性はなく、定性的にいわゆる跳びショット(他のショット領域のアライメント誤差(計測誤差)と比べて特にアライメント誤差が大きなショット領域)の影響を軽減することができる。しかしながら、この第2の方法では、モデルの設定が困難であり、そのモデルが、実際のものとずれていると、却って、演算結果を悪化させてしまう可能性がある。   On the other hand, in the second method, there is no such difficulty in changing the threshold value, and qualitatively so-called jump shots (shot regions having a particularly large alignment error compared to alignment errors (measurement errors) of other shot regions). Can reduce the effects of However, in this second method, it is difficult to set a model, and if the model deviates from the actual one, the calculation result may be deteriorated.

このように、EGAにおいて、除外すべき計測マークを適正に除外したり、演算に用いる計測マークの数や位置を最適化したりする方法については、これまで、種々の方法が提案されているが、いまだ上記懸案事項を包括的に解決する手段が見つかっていない。
特開昭61−44429号公報 特開昭62−84516号公報 特開平8−97123号公報 国際公開第00/49367号パンフレット
Thus, in EGA, various methods have been proposed so far for properly excluding measurement marks to be excluded or optimizing the number and position of measurement marks used for calculation. No means has yet been found to comprehensively solve the above concerns.
JP-A 61-44429 JP-A-62-84516 JP-A-8-97123 International Publication No. 00/49367 Pamphlet

本発明は、かかる事情の下になされたものであり、その第1の目的は、所定の処理に用いられるデータの選択を最適化することができる最適化方法を提供することにある。   The present invention has been made under such circumstances, and a first object thereof is to provide an optimization method capable of optimizing selection of data used for a predetermined process.

また、本発明の第2の目的は、高精度な露光を実現することができる露光方法を提供することにある。   A second object of the present invention is to provide an exposure method capable of realizing highly accurate exposure.

また、本発明の第3の目的は、所定の処理に用いられるデータの選択を最適化することができる最適化装置を提供することにある。   A third object of the present invention is to provide an optimization device capable of optimizing selection of data used for predetermined processing.

また、本発明の第4の目的は、高精度な露光を実現することができる露光装置を提供することにある。   A fourth object of the present invention is to provide an exposure apparatus capable of realizing highly accurate exposure.

また、本発明の第5の目的は、高集積度のデバイスの生産性を向上することができるデバイス製造方法を提供することにある。   A fifth object of the present invention is to provide a device manufacturing method capable of improving the productivity of a highly integrated device.

また、本発明の第6の目的は、コンピュータによって実行され、所定の処理を最適化することを可能とするプログラム及び該プログラムが記録された情報記録媒体を提供することにある。   A sixth object of the present invention is to provide a program that can be executed by a computer and that can optimize a predetermined process, and an information recording medium on which the program is recorded.

請求項1に記載の発明は、所定の処理に用いられる複数のデータの選択を最適化する最適化方法であって、複数の第1データの候補の中から、前記所定の処理に用いられる第1データの候補の組合せを複数作成する第1工程と;前記作成された各組合せに含まれる第1データの候補を用いて前記所定の処理をそれぞれ行った場合に作成される複数の第2データから成るデータ群と、複数の参照データから成る参照データ群との相関度を示す相関情報を、所定の相関演算により算出する第2工程と;前記算出された相関情報に基づいて、前記第1データの候補の複数の組合せの中から前記所定の処理に用いられる第1データの組合せを決定する第3工程と;を含む最適化方法である。   The invention according to claim 1 is an optimization method for optimizing selection of a plurality of data used for a predetermined process, and is a first method used for the predetermined process from among a plurality of first data candidates. A first step of creating a plurality of candidate combinations of one data; and a plurality of second data created when the predetermined processing is performed using the first data candidates included in each of the created combinations. A second step of calculating correlation information indicating a degree of correlation between the data group consisting of the reference data group and a reference data group consisting of a plurality of reference data by a predetermined correlation calculation; and based on the calculated correlation information, the first step And a third step of determining a first data combination to be used for the predetermined process from a plurality of combinations of data candidates.

これによれば、第1工程において、所定の処理に用いられる複数の第1データの候補の中から、第1データの候補の組合せを複数作成する。そして、第2工程において、作成された組合せに含まれる第1データの候補を用いて所定の処理を行った場合に作成される複数の第2データから成るデータ群と、参照データ群との相関度を示す相関情報を、所定の相関演算により算出する。さらに、第3工程において、算出された相関値に基づいて、第1データの候補の複数の組合せの中から所定の処理に用いられる第1データの組合せを決定する。   According to this, in the first step, a plurality of combinations of first data candidates are created from among a plurality of first data candidates used for a predetermined process. In the second step, the correlation between the reference data group and a data group composed of a plurality of second data created when a predetermined process is performed using the first data candidates included in the created combination Correlation information indicating the degree is calculated by a predetermined correlation calculation. Further, in the third step, based on the calculated correlation value, a combination of first data used for a predetermined process is determined from a plurality of combinations of candidates for the first data.

すなわち、本発明では、例えば精度の悪いデータが含まれるデータ群や、精度の良いデータだけのデータ群などを参照データ群とすれば、第1のデータの候補の幾つかの組合せの各々とその参照データ群との間との各相関情報は、その組合せに、精度の悪いデータ或いは精度の良いデータがどの程度含まれているかの目安(指標)となる。そのため、算出された相関情報を参照すれば、第1データの候補の組合せの中から、所定の処理の処理結果を良好なものとする第1データの組合せを決定することができる。よって、第3工程で決定された第1データの組合せを用いて所定の処理を実行すれば、所定の処理の処理結果を良好なものとすることができるようになり、所定の処理に用いられるデータの選択の最適化が実現される。   That is, in the present invention, for example, if a data group including inaccurate data or a data group including only accurate data is used as a reference data group, each of several combinations of first data candidates and its combination Each correlation information with the reference data group serves as a guideline (index) of how much inaccurate data or accurate data is included in the combination. Therefore, by referring to the calculated correlation information, it is possible to determine a combination of first data that makes the processing result of the predetermined process good from among combinations of candidates for the first data. Therefore, if the predetermined processing is executed using the combination of the first data determined in the third step, the processing result of the predetermined processing can be improved and used for the predetermined processing. Optimization of data selection is realized.

この場合、請求項2に記載の最適化方法のごとく、前記所定の相関演算は、前記各第2データをベクトル量とみなして、前記相関情報を演算するベクトル相関演算であることとしても良いし、請求項3に記載の最適化方法のごとく、前記所定の相関演算は、前記各第2データをスカラ量とみなして、前記相関情報を演算するスカラ相関演算であることとしても良い。   In this case, as in the optimization method according to claim 2, the predetermined correlation calculation may be a vector correlation calculation for calculating the correlation information by regarding each second data as a vector quantity. As in the optimization method according to claim 3, the predetermined correlation calculation may be a scalar correlation calculation for calculating the correlation information by regarding each second data as a scalar quantity.

上記請求項1〜3のいずれか一項に記載の最適化方法において、請求項4に記載の最適化方法のごとく、前記第2工程に先立って、前記複数の第1データの候補すべてを用いて前記所定の処理を行った場合に作成される複数の第2データから成るデータ群を作成する第4工程をさらに含み、前記第2工程では、前記第4工程で作成されたデータ群を、前記参照データ群として用いることとすることができる。   The optimization method according to any one of claims 1 to 3, wherein all of the plurality of first data candidates are used prior to the second step, as in the optimization method according to claim 4. A fourth step of creating a data group composed of a plurality of second data created when the predetermined processing is performed, and in the second step, the data group created in the fourth step is It can be used as the reference data group.

この場合、請求項5に記載の最適化方法のごとく、前記第3工程では、所定の条件を満たす組合せがある場合には、その組合せを、前記所定の処理に用いられる複数の第1データの組合せとし、前記所定の条件を満たす組合せがない場合には、前記複数の第1データの候補すべてを、前記所定の処理に用いる第1データとすることとすることができる。   In this case, as in the optimization method according to claim 5, in the third step, when there is a combination satisfying a predetermined condition, the combination is used as a plurality of first data used for the predetermined process. When there is no combination that satisfies the predetermined condition, all of the plurality of first data candidates can be used as the first data used for the predetermined process.

この場合、請求項6に記載の最適化方法のごとく、前記相関情報は、前記複数の第2データから成るデータ群と、前記参照データ群との相関係数を含むこととすることができる。   In this case, as in the optimization method described in claim 6, the correlation information may include a correlation coefficient between the data group including the plurality of second data and the reference data group.

この場合、請求項7に記載の最適化方法のごとく、前記所定の条件は、前記相関係数が所定の閾値よりも低いこと、を含むこととすることができる。   In this case, as in the optimization method according to claim 7, the predetermined condition may include that the correlation coefficient is lower than a predetermined threshold.

所定の条件を、相関係数が所定の閾値よりも低いこととするのは、不良データを含む全てのデータ(参照データ)を用いて所定の処理を行った場合に得られるデータと、その不良データを最適にリジェクトした結果、残されたデータを用いて所定の処理を行った場合に得られるデータ群とでは、相関性が低くなると考えられるからである。   The predetermined condition is that the correlation coefficient is lower than the predetermined threshold because the data obtained when the predetermined processing is performed using all data (reference data) including the defective data and the defect This is because it is considered that the correlation with the data group obtained when the predetermined processing is performed using the remaining data as a result of optimal rejection of the data is low.

上記請求項6に記載の最適化方法において、請求項8に記載の最適化方法のごとく、前記所定の条件は、前記第1工程で作成された複数の組合せの中で、前記第2工程において算出された相関係数が最も低い組合せであること、を含むこととすることができる。   In the optimization method according to claim 6, as in the optimization method according to claim 8, the predetermined condition is determined in the second step among a plurality of combinations created in the first step. The calculated correlation coefficient is the lowest combination.

上記請求項7又は8に記載の最適化方法において、請求項9に記載の最適化方法のごとく、前記所定の条件は、前記組合せに含まれる複数の第1データの候補を用いて前記所定の処理を行った場合の処理結果の精度指標が、前記複数の第1データの候補すべてを用いて前記所定の処理を行ったときの処理結果の精度指標よりも良好であること、をさらに含むこととすることができる。   9. The optimization method according to claim 7 or 8, wherein, as in the optimization method according to claim 9, the predetermined condition is determined by using a plurality of first data candidates included in the combination. It further includes that the accuracy index of the processing result when the processing is performed is better than the accuracy index of the processing result when the predetermined processing is performed using all of the plurality of first data candidates. It can be.

上記請求項6〜9のいずれか一項に記載の最適化方法において、請求項10に記載の最適化方法のごとく、前記相関係数は、前記第2データの平均値により、規格化された相関係数であることとすることができる。   The optimization method according to any one of claims 6 to 9, wherein the correlation coefficient is normalized by an average value of the second data as in the optimization method according to claim 10. It can be a correlation coefficient.

上記請求項1〜10のいずれか一項に記載の最適化方法において、請求項11に記載の最適化方法のごとく、前記第1工程では、前記複数の第1データのすべての候補から、所定数の第1データの候補を取り除くことによって、前記第1データの候補の組合せを複数作成することとすることができる。   The optimization method according to any one of claims 1 to 10, wherein, as in the optimization method according to claim 11, in the first step, a predetermined value is selected from all candidates of the plurality of first data. By removing a number of first data candidates, a plurality of combinations of the first data candidates can be created.

請求項12に記載の発明は、所定の処理に用いられる複数のデータの選択を最適化する最適化方法であって、前記所定の処理に用いられる複数の第1データの組合せに、新たな第1データの候補を追加することにより、第1データの仮の組合せを作成する第1工程と;前記作成された仮の組合せに含まれる第1データを用いて前記所定の処理を行った場合に作成される複数の第2データから成るデータ群と、前記第1データの候補を追加する前の前記第1データの組合せに含まれる第1データを用いて前記所定の処理を行った場合に作成される複数の第2データから成るデータ群との相関度を示す相関情報を、所定の相関演算により算出する第2工程と;前記算出された相関情報に基づいて、所定の条件が満たされた場合には、前記第1データの候補を、前記第1データの組合せに追加する第3工程と;を含む最適化方法である。   The invention according to claim 12 is an optimization method for optimizing selection of a plurality of data used for a predetermined process, and a new first combination is added to the combination of the plurality of first data used for the predetermined process. A first step of creating a temporary combination of first data by adding one data candidate; and when the predetermined process is performed using the first data included in the created temporary combination Created when the predetermined processing is performed using the first data included in the combination of the first data before adding the candidate of the first data and the data group composed of the plurality of second data to be created A second step of calculating correlation information indicating a degree of correlation with a data group composed of a plurality of second data by a predetermined correlation calculation; a predetermined condition is satisfied based on the calculated correlation information In the case, the first day An optimization method comprising: a candidate, third step and to add to the combination of the first data.

これによれば、第1工程において、第1データの組合せに、第1データの候補を追加することにより、第1データの仮の組合せを作成する。そして、第2工程において、その第1データの候補を追加する前と、追加した後での第2データのデータ群同士の相関度を示す相関情報を算出する。さらに、第3工程において、算出された相関情報に基づいて、所定の条件が満たされた場合には、第1データの候補を、第1データの組合せに追加する。このようにすれば、その相関情報に基づいて、精度の悪い第1データの候補を、第1データの組合せに加えないようにすることができるとともに、第1データの候補を、第1データに加えるか否かを1つずつ判定していくようになる。そのため、本発明では、所定の処理に用いる第1データの数も、最適化することができるようになる。したがって、最終的に決定された第1データの組合せを用いて所定の処理を実行すれば、所定の処理の処理結果を良好なものとすることができる。   According to this, in the first step, a temporary combination of the first data is created by adding a candidate for the first data to the combination of the first data. In the second step, correlation information indicating the degree of correlation between the data groups of the second data before the addition of the first data candidate and after the addition is calculated. Further, in the third step, if a predetermined condition is satisfied based on the calculated correlation information, the first data candidate is added to the first data combination. In this way, based on the correlation information, it is possible to prevent the first data candidate with low accuracy from being added to the combination of the first data, and to convert the first data candidate into the first data. Whether or not to add is determined one by one. Therefore, in the present invention, the number of first data used for the predetermined process can be optimized. Therefore, if the predetermined processing is executed using the finally determined combination of the first data, the processing result of the predetermined processing can be improved.

この場合、請求項13に記載の最適化方法のごとく、前記相関情報が示す値が、所定の値以上となるまで、前記第1工程と、前記第2工程と、前記第3工程とを繰り返し実行することとすることができる。   In this case, as in the optimization method according to claim 13, the first step, the second step, and the third step are repeated until the value indicated by the correlation information is equal to or greater than a predetermined value. It can be done.

上記請求項12又は13に記載の最適化方法において、請求項14に記載の最適化方法のごとく、前記所定の相関演算は、前記各第2データをベクトル量として、前記相関情報を演算するベクトル相関演算であることとしても良いし、請求項15に記載の最適化方法のごとく、前記所定の相関演算は、前記各第2データをスカラ量として、前記相関情報を演算するスカラ相関演算であることとしても良い。   14. The optimization method according to claim 12 or 13, wherein, as in the optimization method according to claim 14, the predetermined correlation calculation is a vector for calculating the correlation information using each second data as a vector quantity. It is good also as a correlation calculation, and the said predetermined correlation calculation is a scalar correlation calculation which calculates the said correlation information by making each said 2nd data into a scalar quantity like the optimization method of Claim 15. It's also good.

上記請求項12〜15のいずれか一項に記載の最適化方法において、請求項16に記載の最適化方法のごとく、前記相関情報は、前記第1データの候補を追加する前の前記組合せに含まれる第1データを用いて前記所定の処理を行った場合に作成される複数の第2データから成るデータ群と、前記仮の組合せに含まれる第1データを用いて前記所定の処理を行った場合に作成される複数の第2データから成るデータ群との相関係数を含むこととすることができる。   The optimization method according to any one of claims 12 to 15, wherein, as in the optimization method according to claim 16, the correlation information is added to the combination before the candidate for the first data is added. Performing the predetermined process using a data group composed of a plurality of second data created when the predetermined process is performed using the included first data and the first data included in the temporary combination It is possible to include a correlation coefficient with a data group composed of a plurality of second data created in the case of

この場合、請求項17に記載の最適化方法のごとく、前記所定の条件は、前記第2工程で算出された相関係数が、第1閾値以上でないこと、を含むこととすることができる。   In this case, as in the optimization method according to claim 17, the predetermined condition can include that the correlation coefficient calculated in the second step is not equal to or greater than the first threshold value.

この場合、請求項18に記載の最適化方法のごとく、前記所定の条件は、前記第2工程で算出された相関係数が、前記第1閾値よりも小さい所定の第2閾値以下でないこと、をさらに含むこととすることができる。   In this case, as in the optimization method according to claim 18, the predetermined condition is that the correlation coefficient calculated in the second step is not less than or equal to a predetermined second threshold smaller than the first threshold. May further be included.

上記請求項17又は18に記載の最適化方法において、請求項19に記載の最適化方法のごとく、前記所定の条件は、前記作成された仮の組合せに含まれる第1データを用いて前記所定の処理を行った場合の処理結果の精度指標が、前記第1データの候補を追加する前の前記組合せに含まれる第1データを用いて前記所定の処理を行った場合の処理結果の精度指標よりも良好であること、をさらに含むこととすることができる。   The optimization method according to claim 17 or 18, wherein, as in the optimization method according to claim 19, the predetermined condition is determined by using the first data included in the created temporary combination. The accuracy index of the processing result when the processing is performed is the accuracy index of the processing result when the predetermined processing is performed using the first data included in the combination before adding the candidate for the first data It can be further included.

上記請求項16〜19のいずれか一項に記載の最適化方法において、請求項20に記載の最適化方法のごとく、前記相関係数を、前記第2データの平均値により、規格化された相関係数とすることとすることができる。   The optimization method according to any one of claims 16 to 19, wherein the correlation coefficient is normalized by an average value of the second data as in the optimization method according to claim 20. It can be a correlation coefficient.

上記請求項1〜20のいずれか一項に記載の最適化方法において、請求項21に記載の最適化方法のごとく、前記所定の処理は、物体を載置する移動体の移動位置を規定する第1座標系と、前記物体上に形成された複数の領域の配列によって規定される第2座標系とのずれに関する複数の誤差情報を検出する処理であり、前記複数の第1データの候補は、前記複数の領域の少なくとも一部の前記第1座標系上の位置情報の計測値であることとすることができる。   The optimization method according to any one of claims 1 to 20, wherein the predetermined process defines a moving position of a moving body on which an object is placed, as in the optimization method according to claim 21. A process of detecting a plurality of error information relating to a deviation between the first coordinate system and a second coordinate system defined by an array of a plurality of regions formed on the object, wherein the plurality of first data candidates are The measurement value of the position information on the first coordinate system of at least a part of the plurality of regions may be used.

この場合、請求項22に記載の最適化方法のごとく、前記第2データは、前記各誤差情報に基づく前記複数の領域それぞれの前記第1座標系上の位置情報における設計値からの補正量であることとしても良いし、請求項23に記載の最適化方法のごとく、前記第2データは、前記各誤差情報に基づいて補正された前記複数の領域それぞれの前記第1座標系上の位置情報と、前記第1座標系上の該位置情報の計測値との残差であることとしても良い。   In this case, as in the optimization method according to claim 22, the second data is a correction amount from a design value in the position information on the first coordinate system of each of the plurality of regions based on the error information. 24. As in the optimization method according to claim 23, the second data includes positional information on the first coordinate system of each of the plurality of regions corrected based on the error information. And a residual between the measured value of the position information on the first coordinate system.

上記請求項1〜20のいずれか一項に記載の最適化方法において、請求項24に記載の最適化方法のごとく、前記所定の処理は、物体の表面の平坦度を検出する処理であり、前記複数の第1データの候補は、前記物体の表面上の異なる複数の計測点における前記物体の表面高さの計測値であり、前記第2データは、前記各計測点における前記物体の表面高さの計測値に基づいて求められた、前記物体の表面を示す曲面上の前記各計測点における高さであることとすることができる。   In the optimization method according to any one of claims 1 to 20, as in the optimization method according to claim 24, the predetermined process is a process of detecting flatness of a surface of an object, The plurality of first data candidates are measured values of the surface height of the object at different measurement points on the surface of the object, and the second data is the surface height of the object at each measurement point. The height at each of the measurement points on the curved surface indicating the surface of the object can be determined based on the measured value of the height.

請求項25に記載の発明は、基板上に形成された複数の領域にそれぞれ付設されたマークの位置情報の計測値を、それぞれ第1データの候補として、請求項21〜23のいずれか一項に記載の最適化方法を実行し、前記複数のマークの位置情報の中から、前記第1データとしてのマークの位置情報を抽出する工程と;前記抽出されたマークの位置情報に基づいて、前記基板を載置する移動体の移動位置を規定する第1座標系と、前記複数の領域の配列によって規定される第2座標系とのずれを示す複数の誤差情報を検出する工程と;前記検出結果に基づいて前記基板の位置制御を行いつつ、所定パターンを前記基板に転写する工程と;を含む露光方法である。   According to a twenty-fifth aspect of the present invention, the measurement values of the position information of the marks respectively attached to the plurality of regions formed on the substrate are used as first data candidates, respectively. Executing the optimization method according to claim 1 and extracting the position information of the mark as the first data from the position information of the plurality of marks; based on the position information of the extracted mark, Detecting a plurality of pieces of error information indicating a deviation between a first coordinate system defining a movement position of a moving body on which the substrate is placed and a second coordinate system defined by an arrangement of the plurality of regions; And a step of transferring a predetermined pattern to the substrate while controlling the position of the substrate based on the result.

これによれば、請求項21〜23のいずれか一項に記載の最適化方法を用いて、第1データとしての基板上に形成されたマークの位置情報の計測値が抽出され、抽出されたマークの位置情報の計測値に基づいて、その基板の位置制御が行われた状態で、転写が行われるので、高精度な露光を実現することができる。   According to this, the measurement value of the position information of the mark formed on the substrate as the first data is extracted and extracted by using the optimization method according to any one of claims 21 to 23. Since the transfer is performed in a state where the position control of the substrate is performed based on the measurement value of the mark position information, highly accurate exposure can be realized.

請求項26に記載の発明は、基板の表面上の異なる複数の計測点における前記基板の表面高さの計測値を、それぞれ第1データの候補として、請求項24に記載の最適化方法を実行し、前記複数の計測点における前記基板の表面高さの計測値の中から、第1データとしての前記基板の表面高さの計測値を抽出する工程と;前記抽出された各計測点における前記基板の表面高さの計測値に基づいて、前記基板の平坦度を求める工程と;前記求められた平坦度に基づいて前記基板の位置制御を行いつつ、所定パターンを前記基板に転写する工程と;を含む露光方法である。   According to a twenty-sixth aspect of the invention, the optimization method according to the twenty-fourth aspect is executed by using, as the first data candidates, the measurement values of the surface height of the substrate at a plurality of different measurement points on the surface of the substrate. And extracting the measurement value of the surface height of the substrate as first data from the measurement values of the surface height of the substrate at the plurality of measurement points; A step of obtaining the flatness of the substrate based on a measured value of the surface height of the substrate; a step of transferring a predetermined pattern to the substrate while performing position control of the substrate based on the obtained flatness; An exposure method comprising:

これによれば、請求項24に記載の最適化方法を用いて、第1データとしての各計測点における基板の表面高さの計測値が抽出され、抽出された基板の表面高さの計測値に基づいて、その基板の位置制御が行われた状態で、転写が行われるので、高精度な露光を実現することができる。   According to this, using the optimization method according to claim 24, the measurement value of the surface height of the substrate at each measurement point as the first data is extracted, and the measurement value of the extracted surface height of the substrate is extracted. Based on the above, since the transfer is performed in a state where the position control of the substrate is performed, it is possible to realize highly accurate exposure.

請求項27に記載の発明は、リソグラフィ工程を含むデバイス製造方法において、前記リソグラフィ工程では、請求項25又は26に記載の露光方法を用いて露光を行うことを特徴とするデバイス製造方法である。かかる場合には、請求項25又は26に記載の露光方法を用いて露光を行なうため、高露光精度及び高スループットの両立を実現することができるので、高集積度のデバイスの生産性を向上させることができる。   A twenty-seventh aspect of the present invention is a device manufacturing method including a lithography process, wherein the exposure is performed using the exposure method according to the twenty-fifth or twenty-sixth aspect. In such a case, since exposure is performed using the exposure method according to claim 25 or 26, both high exposure accuracy and high throughput can be realized, so that the productivity of a highly integrated device is improved. be able to.

請求項28に記載の発明は、所定の処理に用いられる複数のデータの選択を最適化する最適化装置であって、複数の第1データの候補の中から、前記所定の処理に用いられる第1データの候補の組合せを複数作成する作成装置と;前記作成された組合せに含まれる第1データの候補を用いて前記所定の処理を行った場合に作成される複数の第2データから成るデータ群と、複数の参照データから成る参照データ群との相関度を示す相関情報を、所定の相関演算により算出する演算装置と;前記算出された相関情報に基づいて、前記所定の処理に用いられる第1データの組合せを決定する決定装置と;を備える最適化装置である。   The invention according to claim 28 is an optimizing device for optimizing selection of a plurality of data used for a predetermined process, and is a first apparatus used for the predetermined process from among a plurality of first data candidates. A creation device for creating a plurality of combinations of candidates for one data; data comprising a plurality of second data created when the predetermined processing is performed using candidates for the first data included in the created combinations An arithmetic unit that calculates correlation information indicating a degree of correlation between the group and a reference data group including a plurality of reference data by a predetermined correlation calculation; and is used for the predetermined process based on the calculated correlation information. And a determination device that determines a combination of the first data.

これによれば、作成装置によって、所定の処理に用いられる複数の第1データの候補の中から、第1データの候補の組合せを複数作成する。そして、演算装置によって、作成された組合せに含まれる第1データの候補を用いて所定の処理を行った場合に作成される複数の第2データから成るデータ群と、参照データ群との相関値を、所定の相関演算により算出する。さらに、決定装置によって、算出された相関値に基づいて、所定の処理に用いられる第1データの組合せを決定する。   According to this, a plurality of combinations of the first data candidates are created from the plurality of first data candidates used for the predetermined process by the creation device. Then, a correlation value between a reference data group and a data group composed of a plurality of second data created when a predetermined process is performed by using the first data candidate included in the created combination by the arithmetic device Is calculated by a predetermined correlation calculation. Further, the determination device determines a combination of the first data used for the predetermined processing based on the calculated correlation value.

したがって、演算装置によって、例えば精度の悪いデータを含むデータ群や、精度の良いデータのデータ群などを参照データ群とし、決定装置によって、その相関情報に基づいて、例えば、その参照データ群と最も相関性の低い又は高い第1データの候補の組合せ、所定の処理の処理結果を良好なものとする第1データの組合せを決定することがができる。そのため、決定装置で決定された第1データの組合せを用いて所定の処理を実行すれば、所定の処理の処理結果を良好なものとすることができる。   Therefore, a data group including inaccurate data, a data group of highly accurate data, or the like is set as a reference data group by an arithmetic device, and the determination device determines, for example, that reference data group most frequently. It is possible to determine a combination of first data candidates having a low correlation or a high correlation, and a combination of the first data that makes a predetermined processing result good. Therefore, if the predetermined process is executed using the combination of the first data determined by the determination device, the processing result of the predetermined process can be improved.

この場合、請求項29に記載の最適化装置のごとく、前記所定の相関演算は、前記各第2データをベクトル量とみなして、前記相関情報を演算するベクトル相関演算であることとしても良いし、請求項30に記載の最適化装置のごとく、前記所定の相関演算は、前記各第2データをスカラ量とみなして、前記相関情報を演算するスカラ相関演算であることとしても良い。   In this case, as in the optimization device according to claim 29, the predetermined correlation calculation may be a vector correlation calculation for calculating the correlation information by regarding each second data as a vector quantity. In the optimization apparatus according to claim 30, the predetermined correlation calculation may be a scalar correlation calculation that calculates the correlation information by regarding each second data as a scalar quantity.

上記請求項28〜30のいずれか一項に記載の最適化装置において、請求項31に記載の最適化装置のごとく、前記決定装置は、所定の条件を満たす組合せがある場合には、その組合せを、前記所定の処理に用いられる複数の第1データの組合せとし、前記所定の条件を満たす組合せがない場合には、前記複数の第1データの候補すべてを、前記所定の処理に用いる第1データとし、前記相関情報は、前記複数の第2データから成るデータ群と、前記参照データ群との相関係数を含むこととすることができる。   The optimization device according to any one of claims 28 to 30, wherein, when there is a combination that satisfies a predetermined condition, as in the optimization device according to claim 31, the determination device includes the combination. Is a combination of a plurality of first data used for the predetermined process, and if there is no combination that satisfies the predetermined condition, all the candidates for the first data are used for the first process. The correlation information may include a correlation coefficient between the data group including the plurality of second data and the reference data group.

この場合、請求項32に記載の最適化装置のごとく、前記所定の条件は、前記演算装置において求められた相関係数が所定の閾値よりも低いこと、を含むこととしても良いし、請求項33に記載の最適化方法のごとく、前記所定の条件は、前記作成装置によって作成された複数の組合せの中で、前記演算装置において算出された相関係数が最も低い組合せであること、を含むこととしても良い。   In this case, as in the optimization device according to claim 32, the predetermined condition may include that the correlation coefficient obtained by the arithmetic device is lower than a predetermined threshold. As in the optimization method described in 33, the predetermined condition includes a combination having a lowest correlation coefficient calculated in the arithmetic device among a plurality of combinations created by the creating device. It's also good.

上記請求項31〜33のいずれか一項に記載の最適化装置において、請求項34に記載の最適化装置のごとく、前記相関係数は、前記第2データの平均値により、規格化された相関係数であることとすることができる。   The optimization device according to any one of claims 31 to 33, wherein the correlation coefficient is normalized by an average value of the second data as in the optimization device according to claim 34. It can be a correlation coefficient.

請求項35に記載の発明は、所定の処理に用いられる複数のデータの選択を最適化する最適化装置であって、前記所定の処理に用いられる複数の第1データの組合せに、新たな第1データの候補を追加することにより、第1データの仮の組合せを作成する作成装置と;前記作成された仮の組合せに含まれる第1データを用いて前記所定の処理を行った場合に作成される複数の第2データから成るデータ群と、前記第1データの候補を追加する前の前記第1データの組合せに含まれる第1データを用いて前記所定の処理を行った場合に作成される複数の第2データから成るデータ群との相関値を示す相関情報を、所定の相関演算により算出する演算装置と;前記算出された相関情報に基づいて、所定の条件が満たされた場合には、前記第1データの候補を、前記第1データの組合せに追加する追加装置と;を備える最適化装置である。   The invention described in claim 35 is an optimizing device for optimizing selection of a plurality of data used in a predetermined process, wherein a new first combination of the plurality of first data used in the predetermined process is added. A creation device that creates a temporary combination of first data by adding one data candidate; and created when the predetermined processing is performed using the first data included in the created temporary combination Generated when the predetermined process is performed using the first data included in the combination of the first data before adding the candidate for the first data and the data group including the plurality of second data. A calculation device that calculates correlation information indicating a correlation value with a data group composed of a plurality of second data by a predetermined correlation calculation; and when a predetermined condition is satisfied based on the calculated correlation information Is the first day An optimization apparatus comprising: a candidate, additional devices and to add to the combination of the first data.

これによれば、作成装置によって、第1データの組合せに、第1データの候補を追加することにより、第1データの仮の組合せを作成する。そして、演算装置によって、その第1データの候補を追加する前と、追加した後での第2データのデータ群同士の相関度を示す相関情報を算出する。さらに、追加装置によって、算出された相関情報に基づいて、所定の条件が満たされた場合には、第1データの候補を、第1データの組合せに追加する。このようにすれば、その相関情報に基づいて、精度の悪い第1データの候補を、第1データの組合せに加えないようにすることができるとともに、第1データの候補を1つずつ判定していくため、所定の処理に用いる第1データの数も、最適化することができるようになる。   According to this, the provisional combination of the first data is created by adding the candidate for the first data to the combination of the first data by the creation device. And the correlation information which shows the correlation degree between the data groups of the 2nd data before adding the candidate of the 1st data and after adding by the arithmetic unit is calculated. Furthermore, when a predetermined condition is satisfied based on the correlation information calculated by the adding device, the candidate for the first data is added to the combination of the first data. In this way, based on the correlation information, it is possible to prevent the first data candidates with low accuracy from being added to the combination of the first data, and determine the first data candidates one by one. Therefore, the number of first data used for the predetermined process can be optimized.

この場合、請求項36に記載の最適化装置のごとく、前記相関情報が示す値が、所定の値以上となるまで、前記作成装置による前記仮の組合せの作成と、前記演算装置による前記相関情報の算出と、前記追加装置による追加とを繰り返し実行することとすることができる。   In this case, as in the optimization device according to claim 36, the creation of the temporary combination by the creation device and the correlation information by the arithmetic device until the value indicated by the correlation information becomes a predetermined value or more. And the addition by the additional device can be repeatedly executed.

上記請求項35又は36に記載の最適化装置において、請求項37に記載の最適化装置のごとく、前記所定の相関演算は、前記各第2データをベクトル量として、前記相関情報を演算するベクトル相関演算であることとしても良いし、請求項38に記載の最適化装置のごとく、前記所定の相関演算は、前記各第2データをスカラ量として、前記相関情報を演算するスカラ相関演算であることとしても良い。   37. The optimization device according to claim 35 or 36, wherein, as in the optimization device according to claim 37, the predetermined correlation calculation is a vector for calculating the correlation information using each second data as a vector quantity. It is good also as a correlation calculation, and the said predetermined correlation calculation is a scalar correlation calculation which calculates the said correlation information by making each said 2nd data into a scalar quantity like the optimization apparatus of Claim 38. It's also good.

上記請求項35〜38のいずれか一項に記載の最適化装置において、請求項39の最適化装置のごとく、前記相関情報は、前記第1データの候補を追加する前の前記組合せに含まれる第1データを用いて前記所定の処理を行った場合に作成される複数の第2データから成るデータ群と、前記仮の組合せに含まれる第1データを用いて前記所定の処理を行った場合に作成される複数の第2データから成るデータ群との相関係数であることとすることができる。   The optimization apparatus according to any one of claims 35 to 38, wherein the correlation information is included in the combination before adding the candidate for the first data, as in the optimization apparatus according to claim 39. When the predetermined process is performed using the first data included in the provisional combination and the data group composed of a plurality of second data created when the predetermined process is performed using the first data It can be said that it is a correlation coefficient with the data group which consists of several 2nd data produced in (1).

この場合、請求項40に記載の最適化装置のごとく、前記所定の条件は、前記演算装置で算出された相関情報が示す値が、第1閾値以上でないことと、前記演算装置で算出された相関情報が示す値が、前記第1閾値よりも小さい第2閾値以下でないことと、前記作成された仮の組合せに含まれる第1データを用いて前記所定の処理を行った場合の処理結果の精度指標が、前記第1データの候補を追加する前の前記組合せに含まれる第1データを用いて前記所定の処理を行った場合の処理結果の精度指標よりも良好であることとの少なくとも1つを含むこととすることができる。   In this case, as in the optimization device according to claim 40, the predetermined condition is calculated by the arithmetic device that the value indicated by the correlation information calculated by the arithmetic device is not equal to or greater than a first threshold value. The value indicated by the correlation information is not less than or equal to the second threshold value smaller than the first threshold value, and the processing result when the predetermined process is performed using the first data included in the created temporary combination. The accuracy index is at least 1 better than the accuracy index of the processing result when the predetermined processing is performed using the first data included in the combination before adding the first data candidate. One can be included.

上記請求項39又は40に記載の最適化装置において、請求項41に記載の最適化装置のごとく、前記相関係数を、前記第2データの平均値により、規格化された相関係数とすることとすることができる。   41. The optimization device according to claim 39 or 40, wherein, as in the optimization device according to claim 41, the correlation coefficient is a correlation coefficient normalized by an average value of the second data. Can be.

上記請求項28〜41のいずれか一項に記載の最適化装置において、請求項42に記載の最適化装置のごとく、前記所定の処理は、物体を載置する移動体の移動位置を規定する第1座標系と、前記物体上に形成された複数の領域の配列によって規定される第2座標系とのずれを示す複数の誤差情報を検出する処理であり、前記複数の第1データの候補は、前記複数の領域の少なくとも一部の前記第1座標系上の位置情報の計測値であることとすることができる。   The optimization apparatus according to any one of claims 28 to 41, wherein the predetermined process defines a movement position of a moving body on which an object is placed, as in the optimization apparatus according to claim 42. A process for detecting a plurality of pieces of error information indicating a deviation between a first coordinate system and a second coordinate system defined by an array of a plurality of regions formed on the object, wherein the plurality of first data candidates Can be measured values of position information on the first coordinate system of at least a part of the plurality of regions.

この場合、請求項43に記載の最適化装置のごとく、前記第2データは、前記各誤差情報に基づく前記複数の領域それぞれの前記第1座標系上の位置情報に関する設計値からの補正量であることとしても良いし、請求項44に記載の最適化装置のごとく、前記第2データは、前記各誤差情報に基づいて補正された前記複数の領域それぞれの前記第1座標系上の位置情報と、前記第1座標系上の該位置情報の計測値との残差であることとしても良い。   In this case, as in the optimization device according to claim 43, the second data is a correction amount from a design value related to position information on the first coordinate system of each of the plurality of regions based on the error information. 45. As in the optimization device according to claim 44, the second data includes positional information on the first coordinate system of each of the plurality of regions corrected based on the error information. And a residual between the measured value of the position information on the first coordinate system.

上記請求項28〜41に記載の最適化装置において、請求項45に記載の最適化装置のごとく、前記所定の処理は、物体の表面の平坦度を検出する処理であり、前記複数の第1データの候補は、前記物体の表面上の異なる複数の計測点における前記物体の表面高さの計測値であり、前記第2データは、前記各計測点における前記物体の表面高さの計測値に基づいて求められた、前記物体の表面を示す曲面上の前記各計測点における高さであることとすることができる。   In the optimization apparatus according to any one of claims 28 to 41, as in the optimization apparatus according to claim 45, the predetermined process is a process for detecting flatness of a surface of an object, and the plurality of the first processes. The data candidate is a measurement value of the surface height of the object at a plurality of different measurement points on the surface of the object, and the second data is a measurement value of the surface height of the object at each measurement point. The height at each measurement point on the curved surface indicating the surface of the object can be determined based on the height.

請求項46に記載の発明は、基板上に形成された複数の領域にそれぞれ付設されたマークの位置情報の計測値を、それぞれ第1データの候補として、前記複数のマークの位置情報の中から、前記第1データとしてのマークの位置情報を抽出する請求項42〜44のいずれか一項に記載の最適化装置と;前記抽出されたマークの位置情報に基づいて、前記基板を載置する移動体の移動位置を規定する第1座標系と、前記複数の領域の配列によって規定される第2座標系とのずれを示す複数の誤差情報を検出する検出装置と;前記検出装置の検出結果に基づいて前記基板の位置制御を行いつつ、所定パターンを前記基板に転写する転写装置と;を備える露光装置である。   In the invention according to claim 46, from the position information of the plurality of marks, the measurement values of the position information of the marks respectively attached to the plurality of regions formed on the substrate are used as first data candidates. 45. The optimization apparatus according to any one of claims 42 to 44, which extracts position information of a mark as the first data; and the substrate is placed based on the position information of the extracted mark. A detection device for detecting a plurality of pieces of error information indicating a deviation between a first coordinate system for defining a moving position of the moving body and a second coordinate system defined by an array of the plurality of regions; and a detection result of the detection device And a transfer device that transfers a predetermined pattern to the substrate while controlling the position of the substrate based on the above.

これによれば、請求項42〜44のいずれか一項に記載の最適化装置によって抽出されたマークの位置情報を用いて第1座標系と、第2座標系とのずれを検出することができ、そのずれに基づいて所定パターンを基板上に転写することができるので、高精度な露光を実現することができる。   According to this, it is possible to detect a deviation between the first coordinate system and the second coordinate system using the mark position information extracted by the optimization device according to any one of claims 42 to 44. Since the predetermined pattern can be transferred onto the substrate based on the deviation, high-accuracy exposure can be realized.

請求項47に記載の発明は、基板の表面上の異なる複数の計測点における前記基板の表面高さの計測値を、それぞれ第1データの候補として、前記複数の計測点における前記基板の表面高さの計測値の中から、第1データとしての前記基板の表面高さの計測値を抽出する請求項45に記載の最適化装置と;前記抽出された各計測点における前記基板の表面高さの計測値に基づいて、前記基板の平坦度を求める算出装置と;前記検出結果に基づいて前記基板の位置制御を行いつつ、所定パターンを前記基板に転写する転写装置と;を備える露光装置である。   According to a 47th aspect of the present invention, measurement values of the surface height of the substrate at a plurality of different measurement points on the surface of the substrate are respectively used as first data candidates, and the surface height of the substrate at the plurality of measurement points. 46. The optimization apparatus according to claim 45, wherein a measurement value of the surface height of the substrate as first data is extracted from the measurement values of height; and the surface height of the substrate at each of the extracted measurement points An exposure apparatus comprising: a calculation device for obtaining flatness of the substrate based on the measured value; and a transfer device for transferring a predetermined pattern to the substrate while performing position control of the substrate based on the detection result. is there.

これによれば、請求項45に記載の最適化装置によって抽出された基板の表面高さの計測値を用いて、基板の平坦度を求めることができ、その平坦度に基づいて所定パターンを基板上に転写することができるので、高精度な露光を実現することができる。   According to this, the flatness of the substrate can be obtained using the measured value of the surface height of the substrate extracted by the optimization device according to claim 45, and the predetermined pattern is formed on the substrate based on the flatness. Since it can be transferred to the top, high-precision exposure can be realized.

請求項48に記載の発明は、所定の処理に用いられる複数のデータの選択を最適化する処理をコンピュータに実行させるプログラムであって、複数の第1データの候補の中から、前記所定の処理に用いられる第1データの候補の組合せを複数作成する第1手順と;前記作成された組合せに含まれる第1データの候補を用いて前記所定の処理を行った場合に作成される複数の第2データから成るデータ群と、複数の参照データから成る参照データ群との相関度を示す相関情報を、所定の相関演算により算出する第2手順と;前記算出された相関情報に基づいて、前記所定の処理に用いられる第1データの組合せを決定する第3手順と;を前記コンピュータに実行させるプログラムである。   The invention according to claim 48 is a program for causing a computer to execute a process of optimizing selection of a plurality of data used in a predetermined process, wherein the predetermined process is selected from a plurality of first data candidates. A first procedure for creating a plurality of first data candidate combinations used for the first data; a plurality of first data created when the predetermined processing is performed using the first data candidates included in the created combination A second procedure for calculating correlation information indicating a degree of correlation between a data group composed of two data and a reference data group composed of a plurality of reference data by a predetermined correlation operation; and based on the calculated correlation information, And a third procedure for determining a combination of first data to be used for predetermined processing.

このプログラムがコンピュータにインストールされると、コンピュータが、上記各手順を実行する。これにより、請求項1に記載の最適化方法が、コンピュータによって実行される。従って、請求項1と同様に、所定の処理に用いられるデータの選択を最適化することが可能となる。   When this program is installed in the computer, the computer executes the above steps. Thus, the optimization method according to claim 1 is executed by the computer. Therefore, similarly to the first aspect, it is possible to optimize selection of data used for the predetermined processing.

この場合、請求項49に記載のプログラムのごとく、前記第2手順では、前記所定の相関演算として、前記各第2データをベクトル量とみなして前記相関情報を演算するベクトル相関演算を前記コンピュータに実行させることとしても良いし、請求項50に記載のプログラムのごとく、前記第2手順では、前記所定の相関演算として、前記各第2データをスカラ量とみなして前記相関情報を演算するスカラ相関演算を前記コンピュータに実行させることとしても良い。   In this case, as in the program according to claim 49, in the second procedure, as the predetermined correlation calculation, the computer performs a vector correlation calculation for calculating the correlation information by regarding each second data as a vector quantity. 52. As in the program according to claim 50, in the second procedure, in the second procedure, as the predetermined correlation calculation, a scalar correlation that calculates the correlation information by regarding each second data as a scalar quantity. It is good also as making a computer perform a calculation.

上記請求項48〜50のいずれか一項に記載のプログラムにおいて、請求項51に記載のプログラムのごとく、前記第2手順に先立って、前記複数の第1データの候補すべてを用いて前記所定の処理を行った場合に作成される複数の第2データから成るデータ群を作成する第4手順をさらに前記コンピュータに実行させ、前記第4手順で作成されたデータ群を前記参照データ群として、前記第2手順を前記コンピュータに実行させることとすることができる。   52. In the program according to any one of claims 48 to 50, as in the program according to claim 51, prior to the second procedure, the predetermined data is obtained using all of the plurality of first data candidates. A fourth procedure for creating a data group consisting of a plurality of second data created when processing is performed is further executed by the computer, and the data group created in the fourth procedure is used as the reference data group, The second procedure can be executed by the computer.

この場合、請求項52に記載のプログラムのごとく、所定の条件を満たす組合せがある場合には、その組合せを、前記所定の処理に用いられる複数の第1データの組合せとし、前記所定の条件を満たす組合せがない場合には、前記複数の第1データの候補すべてを、前記所定の処理に用いる第1データとするように前記第3手順を前記コンピュータに実行させることとすることができる。   In this case, as in the program according to claim 52, if there is a combination that satisfies a predetermined condition, the combination is a combination of a plurality of first data used for the predetermined process, and the predetermined condition is If there is no combination to satisfy, the third procedure can be executed by the computer so that all the candidates for the first data are the first data used for the predetermined processing.

上記請求項51に記載のプログラムにおいて、請求項53に記載のプログラムのごとく、前記相関情報は、前記複数の第2データから成るデータ群と、前記参照データ群との相関係数を含むこととすることができる。   53. The program according to claim 51, wherein, as in the program according to claim 53, the correlation information includes a correlation coefficient between a data group composed of the plurality of second data and the reference data group. can do.

この場合、請求項54に記載のプログラムのごとく、前記所定の条件は、前記第2手順において算出された相関情報に含まれる相関度の指標値が所定の閾値よりも低いこと、を含むこととしても良いし、請求項55に記載のプログラムのごとく、前記所定の条件は、前記第1手順で作成された複数の組合せの中で、前記第2手順において算出された相関情報に含まれる相関度の指標値が最も低い組合せであること、を含むこととしても良い。   In this case, as in the program according to claim 54, the predetermined condition includes that an index value of the correlation degree included in the correlation information calculated in the second procedure is lower than a predetermined threshold value. 55. As in the program according to claim 55, the predetermined condition includes a correlation degree included in the correlation information calculated in the second procedure among a plurality of combinations created in the first procedure. It is good also as including that it is the combination with the lowest index value.

上記請求項54又は55に記載のプログラムにおいて、請求項56に記載のプログラムのごとく、前記所定の条件は、前記組合せに含まれる複数の第1データの候補を用いて前記所定の処理を行った場合の処理結果の精度指標が、前記複数の第1データの候補すべてを用いて前記所定の処理を行ったときの処理結果の精度指標よりも良好であること、をさらに含むこととすることができる。   56. In the program according to claim 54 or 55, as in the program according to claim 56, the predetermined condition is obtained by performing the predetermined process using a plurality of first data candidates included in the combination. It is further included that the accuracy index of the processing result in this case is better than the accuracy index of the processing result when the predetermined processing is performed using all of the plurality of first data candidates. it can.

請求項57に記載の発明は、所定の処理に用いられる複数のデータの選択を最適化する処理をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、前記第1データの組合せに、第1データの候補を追加することにより、第1データの仮の組合せを作成する第1手順と;前記作成された仮の組合せに含まれる第1データを用いて前記所定の処理を行った場合に作成される複数の第2データから成るデータ群と、前記第1データの候補を追加する前の前記第1データの組合せに含まれる第1データを用いて前記所定の処理を行った場合に作成される複数の第2データから成るデータ群との相関度を示す相関情報を、所定の相関演算により算出する第2手順と;前記算出された相関情報に基づいて、所定の条件が満たされた場合には、前記第1データの候補を、前記第1データの組合せに追加する第3手順と;をコンピュータに実行させるプログラムである。   The invention according to claim 57 is a program for causing a computer to execute a process of optimizing the selection of a plurality of data used in a predetermined process, wherein a combination of the first data includes a first data candidate. A first procedure for creating a tentative combination of first data by adding, and a plurality of items created when the predetermined processing is performed using the first data included in the created tentative combination A plurality of data created when the predetermined process is performed using the first data included in the combination of the first data before adding the first data candidate and the data group composed of the second data A second procedure for calculating correlation information indicating a degree of correlation with the data group including the second data by a predetermined correlation calculation; and when a predetermined condition is satisfied based on the calculated correlation information, The first de A program causing a computer to execute the; other candidates, the third procedure and to add to the combination of the first data.

このプログラムがコンピュータにインストールされると、コンピュータが、上記各手順を実行する。これにより、請求項12に記載の最適化方法が、コンピュータによって実行される。従って、請求項12と同様に、所定の処理に用いられるデータの選択を最適化することが可能となる。   When this program is installed in the computer, the computer executes the above steps. Thus, the optimization method according to claim 12 is executed by the computer. Therefore, similarly to the twelfth aspect, it is possible to optimize selection of data used for the predetermined processing.

この場合、請求項58に記載のプログラムのごとく、前記相関情報が示す値が、所定の値以上となるまで、前記第1手順と、前記第2手順と、前記第3手順とを繰り返し前記コンピュータに実行させることとすることができる。   In this case, as in the program according to claim 58, the first procedure, the second procedure, and the third procedure are repeated until the value indicated by the correlation information is equal to or greater than a predetermined value. Can be executed.

上記請求項57又は58に記載のプログラムにおいて、請求項59に記載のプログラムのごとく、前記所定の相関演算は、前記各第2データをベクトル量として前記相関情報を演算するベクトル相関演算であることとしても良いし、請求項60に記載のプログラムのごとく、前記所定の相関演算は、前記各第2データをスカラ量として前記相関情報を演算するスカラ相関演算であることとしても良い。   59. In the program according to claim 57 or 58, as in the program according to claim 59, the predetermined correlation calculation is a vector correlation calculation for calculating the correlation information using the second data as a vector quantity. The predetermined correlation calculation may be a scalar correlation calculation that calculates the correlation information using each second data as a scalar quantity, as in the program according to claim 60.

上記請求項57〜60に記載のプログラムにおいて、請求項61に記載のプログラムのごとく、前記相関情報は、前記第1データの候補を追加する前の前記組合せに含まれる第1データを用いて前記所定の処理を行った場合に作成される複数の第2データから成るデータ群と、前記仮の組合せに含まれる第1データを用いて前記所定の処理を行った場合に作成される複数の第2データから成るデータ群との相関係数であり、前記所定の条件は、前記第2手順で算出された相関情報が示す値が、第1閾値以上でないこと、を含むこととすることができる。   The program according to any one of claims 57 to 60, wherein, as in the program according to claim 61, the correlation information uses the first data included in the combination before adding the candidate for the first data. A plurality of second data created when the predetermined process is performed using a data group composed of a plurality of second data created when the predetermined process is performed and the first data included in the temporary combination. It is a correlation coefficient with a data group consisting of two data, and the predetermined condition may include that the value indicated by the correlation information calculated in the second procedure is not greater than or equal to a first threshold value. .

この場合、請求項62に記載のプログラムのごとく、前記所定の条件は、前記作成された仮の組合せに含まれる第1データを用いて前記所定の処理を行った場合の処理結果の精度指標が、前記第1データの候補を追加する前の前記組合せに含まれる第1データを用いて前記所定の処理を行った場合の処理結果の精度指標よりも良好であること、をさらに含むこととすることができる。   In this case, as in the program according to claim 62, the predetermined condition is an accuracy index of a processing result when the predetermined processing is performed using the first data included in the created temporary combination. And an accuracy index of a processing result when the predetermined processing is performed using the first data included in the combination before adding the first data candidate is further included. be able to.

請求項63に記載の発明は、請求項48〜62のいずれか一項に記載のプログラムが記録されたコンピュータによる読み取りが可能な情報記録媒体である。   A 63rd aspect of the present invention is a computer-readable information recording medium on which the program according to any one of 48th to 62nd aspects is recorded.

≪第1の実施形態≫
以下、本発明の第1の実施形態を図1〜図6に基づいて説明する。
<< First Embodiment >>
A first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.

図1には、本発明の最適化方法及び露光方法が適用される第1の実施形態に係る露光装置100の概略構成が示されている。この露光装置100は、ステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置である。この露光装置100は、照明系10、マスクとしてのレチクルRが載置されるレチクルステージRST、投影光学系PL、物体としてのウエハWが搭載される移動体としてのウエハステージWST、アライメント検出系AS、及び装置全体を統括制御する主制御装置20等を備えている。   FIG. 1 shows a schematic configuration of an exposure apparatus 100 according to the first embodiment to which the optimization method and the exposure method of the present invention are applied. The exposure apparatus 100 is a step-and-scan projection exposure apparatus. The exposure apparatus 100 includes an illumination system 10, a reticle stage RST on which a reticle R as a mask is mounted, a projection optical system PL, a wafer stage WST as a moving body on which a wafer W as an object is mounted, an alignment detection system AS. , And a main control device 20 that performs overall control of the entire apparatus.

前記照明系10は、例えば特開平6−349701号公報等に開示されるように、光源、オプティカル・インテグレータを含む照度均一化光学系、リレーレンズ、可変NDフィルタ、可変視野絞り(レチクルブラインド又はマスキング・ブレードとも呼ばれる)、及びダイクロイックミラー等(いずれも不図示)を含んで構成されている。オプティカル・インテグレータとしては、フライアイレンズ、ロッドインテグレータ(内面反射型インテグレータ)、あるいは回折光学素子などが用いられる。   The illumination system 10 includes, for example, a light source, an illuminance uniformizing optical system including an optical integrator, a relay lens, a variable ND filter, a variable field stop (reticle blind or masking) as disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 6-349701. (Also referred to as a blade) and a dichroic mirror or the like (both not shown). As the optical integrator, a fly-eye lens, a rod integrator (an internal reflection type integrator), a diffractive optical element, or the like is used.

この照明系10では、回路パターン等が描かれたレチクルR上で、レチクルブラインドで規定されたスリット状の照明領域(X軸方向に細長い長方形状の照明領域)部分を照明光ILによりほぼ均一な照度で照明する。ここで、照明光ILとしては、KrFエキシマレーザ光(波長248nm)、ArFエキシマレーザ光(波長193nm)などの遠紫外光や、F2レーザ光(波長157nm)などの真空紫外光などが用いられる。照明光ILとして、超高圧水銀ランプからの紫外域の輝線(g線、i線等)を用いることも可能である。 In the illumination system 10, on the reticle R on which a circuit pattern or the like is drawn, a slit-shaped illumination area (a rectangular illumination area elongated in the X-axis direction) defined by the reticle blind is substantially uniform by the illumination light IL. Illuminate with illuminance. Here, as the illumination light IL, far ultraviolet light such as KrF excimer laser light (wavelength 248 nm), ArF excimer laser light (wavelength 193 nm), vacuum ultraviolet light such as F 2 laser light (wavelength 157 nm), or the like is used. . As the illumination light IL, it is also possible to use an ultraviolet bright line (g-line, i-line, etc.) from an ultra-high pressure mercury lamp.

前記レチクルステージRST上には、レチクルRが、例えば真空吸着により固定されている。レチクルステージRSTは、リニアモータ、ボイスコイルモータ等を駆動源とする不図示のレチクルステージ駆動部によって、照明系10の光軸(後述する投影光学系PLの光軸AXに一致)に垂直なXY平面内で微少駆動可能であるとともに、所定の走査方向(ここでは図1における紙面内左右方向であるY軸方向とする)に指定された走査速度で駆動可能となっている。   On reticle stage RST, reticle R is fixed, for example, by vacuum suction. Reticle stage RST is XY perpendicular to the optical axis of illumination system 10 (corresponding to optical axis AX of projection optical system PL described later) by a reticle stage drive unit (not shown) using a linear motor, a voice coil motor or the like as a drive source. It can be driven minutely in a plane and can be driven at a scanning speed specified in a predetermined scanning direction (here, the Y-axis direction which is the left-right direction in FIG. 1).

レチクルステージRSTには、レーザ光を反射するX軸方向及びY軸方向に面した移動鏡等から成る反射面が形成されており、レチクルステージRSTのステージ移動面内の位置は、その反射面にレーザ光を照射するレチクルレーザ干渉計(以下、「レチクル干渉計」又は単に「干渉計」という)16によって、例えば0.5〜1nm程度の分解能で常時検出される。ここで、実際には、X軸方向に沿った測長軸を有するレチクルX干渉計とY軸方向に沿った測長軸を有するレチクルY干渉計とが設けられているが、図1ではこれらが代表的にレチクル干渉計16として示されている。そして、レチクルY干渉計とレチクルX干渉計の少なくとも一方、例えばレチクルY干渉計は、測長軸を2軸有する2軸干渉計であり、このレチクルY干渉計の計測値に基づきレチクルステージRSTのY位置に加え、θz方向(Z軸回りの回転方向)の回転量(ヨーイング量)も計測できるようになっている。レチクル干渉計16からのレチクルステージRSTの位置情報(ヨーイング量などの回転情報を含む)はステージ制御装置19及びこれを介して主制御装置20に供給される。ステージ制御装置19は、主制御装置20からの指示に応じて、レチクルステージRSTの位置情報に基づいて不図示のレチクルステージ駆動部を介してレチクルステージRSTを駆動制御する。   The reticle stage RST is formed with a reflecting surface composed of a moving mirror or the like facing the X-axis direction and the Y-axis direction that reflects the laser light, and the position of the reticle stage RST within the stage moving surface is on the reflecting surface. A reticle laser interferometer (hereinafter, referred to as “reticle interferometer” or simply “interferometer”) 16 that irradiates laser light is always detected with a resolution of about 0.5 to 1 nm, for example. Here, actually, a reticle X interferometer having a length measuring axis along the X axis direction and a reticle Y interferometer having a length measuring axis along the Y axis direction are provided. Is typically shown as a reticle interferometer 16. At least one of the reticle Y interferometer and the reticle X interferometer, for example, the reticle Y interferometer, is a two-axis interferometer having two measurement axes, and the reticle stage RST is based on the measurement value of the reticle Y interferometer. In addition to the Y position, the rotation amount (yawing amount) in the θz direction (rotation direction around the Z axis) can also be measured. Position information (including rotation information such as yawing amount) of reticle stage RST from reticle interferometer 16 is supplied to stage controller 19 and main controller 20 via this. The stage control device 19 drives and controls the reticle stage RST via a reticle stage drive unit (not shown) based on the position information of the reticle stage RST in response to an instruction from the main control device 20.

レチクルRの上方には、X軸方向に所定距離隔てて一対のレチクルアライメント検出系22(但し、図1においては紙面奥側のレチクルアライメント検出系22は不図示)が配置されている。各レチクルアライメント検出系22は、ここでは図示が省略されているが、それぞれ照明光ILと同じ波長の照明光にて検出対象のマークを照明するための落射照明系と、その検出対象のマークの像を撮像するための検出系とを含んで構成されている。検出系は結像光学系と撮像素子とを含んでおり、この検出系による撮像結果(すなわちレチクルアライメント検出系22によるマークの検出結果)は主制御装置20に供給されている。この場合、レチクルRからの検出光をレチクルアライメント検出系22に導くための不図示の偏向ミラーが移動自在に配置されており、露光シーケンスが開始されると、主制御装置20からの指令に基づいて不図示の駆動装置により偏向ミラーはそれぞれレチクルアライメント検出系22と一体的に照明光ILの光路外に退避される。   Above the reticle R, a pair of reticle alignment detection systems 22 (however, in FIG. 1, the reticle alignment detection system 22 on the back side of the drawing is not shown) are arranged at a predetermined distance in the X-axis direction. Although not shown here, each reticle alignment detection system 22 includes an epi-illumination system for illuminating the detection target mark with illumination light having the same wavelength as the illumination light IL, and the detection target mark. And a detection system for capturing an image. The detection system includes an imaging optical system and an image sensor, and an imaging result (that is, a mark detection result by the reticle alignment detection system 22) by this detection system is supplied to the main controller 20. In this case, a deflection mirror (not shown) for guiding the detection light from the reticle R to the reticle alignment detection system 22 is movably arranged, and when an exposure sequence is started, based on a command from the main controller 20. The deflecting mirrors are retracted out of the optical path of the illumination light IL integrally with the reticle alignment detection system 22 by a driving device (not shown).

前記投影光学系PLは、レチクルステージRSTの図1における下方に配置され、その光軸AXの方向がZ軸方向とされている。投影光学系PLとしては、両側テレセントリックで所定の縮小倍率(例えば1/5、又は1/4)を有する屈折光学系が使用されている。このため、照明系10からの照明光ILによってレチクルRの照明領域が照明されると、レチクルRの回路パターンの照明領域部分の縮小像(部分倒立像)が投影光学系PLを介してウエハW上の前記照明領域に共役な投影光学系PLの視野内の投影領域に投影され、ウエハW表面のレジスト層に転写される。   The projection optical system PL is disposed below the reticle stage RST in FIG. 1, and the direction of the optical axis AX is the Z-axis direction. As the projection optical system PL, a birefringent optical system having a predetermined reduction magnification (for example, 1/5 or 1/4) is used. Therefore, when the illumination area of the reticle R is illuminated by the illumination light IL from the illumination system 10, a reduced image (partial inverted image) of the illumination area portion of the circuit pattern of the reticle R is passed through the projection optical system PL through the wafer W. The light is projected onto the projection area in the field of view of the projection optical system PL conjugate to the illumination area above, and transferred to the resist layer on the surface of the wafer W.

前記ウエハステージWSTは、投影光学系PLの図1における下方で、不図示のベース上に配置されている。このウエハステージWST上にウエハホルダ25が載置されている。このウエハホルダ25上にウエハWが例えば真空吸着等によって固定されている。   Wafer stage WST is arranged on a base (not shown) below projection optical system PL in FIG. Wafer holder 25 is placed on wafer stage WST. A wafer W is fixed on the wafer holder 25 by, for example, vacuum suction.

ウエハステージWSTは、図1のウエハステージ駆動部24により、X、Y、Z、θz(Z軸回りの回転方向)、θx(X軸回りの回転方向)、及びθy(Y軸回りの回転方向)の6自由度方向に駆動可能なステージである。なお、θz方向については、ウエハステージWST(具体的には、ウエハホルダ25)を回転可能に構成しても良いし、このウエハステージWSTのヨーイング誤差をレチクルステージRST側の回転により補正することとしても良い。   Wafer stage WST is rotated by X, Y, Z, θz (rotation direction around Z axis), θx (rotation direction around X axis), and θy (rotation direction around Y axis) by wafer stage drive unit 24 in FIG. ) Of 6 stages of freedom. Regarding the θz direction, wafer stage WST (specifically, wafer holder 25) may be configured to be rotatable, or yawing error of wafer stage WST may be corrected by rotation on reticle stage RST side. good.

前記ウエハステージWSTには、レーザ光を反射するX軸方向及びY軸方向に面した移動鏡等から成る反射面が形成されており、ウエハステージWSTの位置は、外部に配置されその反射面にレーザ光を照射するウエハレーザ干渉計(以下、「ウエハ干渉計」又は単に「干渉計」という)18により、例えば、0.5〜1nm程度の分解能で常時検出されている。なお、実際には、X軸方向に測長軸を有する干渉計及びY軸方向に測長軸を有する干渉計が設けられているが、図1ではこれらが代表的にウエハ干渉計18として示されている。それらの干渉計は、測長軸を複数有する多軸干渉計で構成され、ウエハステージWSTのX、Y位置の他、回転(ヨーイング(Z軸回りの回転であるθz回転)、ピッチング(X軸回りの回転であるθx回転)、ローリング(Y軸回りの回転であるθy回転))も計測可能となっている。ステージ制御装置19は、主制御装置20からの指示に応じて、ウエハステージWSTの位置情報に基づいてウエハステージ駆動部24を介してウエハステージWSTを駆動制御し、ウエハステージWST上に保持されたウエハWの位置を制御する。   Wafer stage WST is formed with a reflecting surface composed of a moving mirror or the like facing in the X-axis direction and Y-axis direction for reflecting laser light, and the position of wafer stage WST is arranged outside and on the reflecting surface. For example, a wafer laser interferometer (hereinafter referred to as “wafer interferometer” or simply “interferometer”) 18 that irradiates laser light is constantly detected with a resolution of about 0.5 to 1 nm. In practice, an interferometer having a length measuring axis in the X-axis direction and an interferometer having a length measuring axis in the Y-axis direction are provided, but these are typically shown as a wafer interferometer 18 in FIG. Has been. These interferometers are composed of multi-axis interferometers having a plurality of measurement axes, and in addition to the X and Y positions of wafer stage WST, rotation (yawing (θz rotation that is rotation around the Z axis)), pitching (X axis) Rotation around (θx rotation) and rolling (θy rotation around Y axis)) can also be measured. In response to an instruction from main controller 20, stage controller 19 drives and controls wafer stage WST via wafer stage driver 24 based on the position information of wafer stage WST, and is held on wafer stage WST. The position of the wafer W is controlled.

また、ウエハステージWST上のウエハWの近傍には、基準マーク板FMが固定されている。この基準マーク板FMの表面は、ウエハWの表面とほぼ同じ高さに設定され、この表面には少なくとも一対のレチクルアライメント用基準マーク、及びアライメント検出系ASのベースライン計測用の基準マーク等が形成されている。   A reference mark plate FM is fixed in the vicinity of wafer W on wafer stage WST. The surface of the reference mark plate FM is set to substantially the same height as the surface of the wafer W, and at least a pair of reticle alignment reference marks, a reference mark for baseline measurement of the alignment detection system AS, and the like are provided on this surface. Is formed.

前記アライメント検出系ASは、投影光学系PLの側面に配置された、オフ・アクシス方式のアライメントセンサである。このアライメント検出系ASとしては、例えばウエハ上のレジストを感光させないブロードバンドな検出光束を対象マークに照射し、その対象マークからの反射光により受光面に結像された対象マークの像と不図示の指標の像とを撮像素子(CCD)等を用いて撮像し、それらの撮像信号を出力する画像処理方式のFIA(Field Image Alignment)系のセンサが用いられている。なお、FIA系に限らず、コヒーレントな検出光を対象マークに照射し、その対象マークから発生する散乱光又は回折光を検出する、あるいはその対象マークから発生する2つの回折光(例えば同次数)を干渉させて検出するアライメントセンサを単独であるいは適宜組み合わせて用いることは勿論可能である。このアライメント検出系ASの撮像結果は、主制御装置20へ出力されている。   The alignment detection system AS is an off-axis alignment sensor disposed on the side surface of the projection optical system PL. As this alignment detection system AS, for example, a broadband detection light beam that does not sensitize a resist on a wafer is irradiated onto a target mark, and an image of the target mark formed on a light receiving surface by reflected light from the target mark is not shown. An image processing type FIA (Field Image Alignment) type sensor that captures an image of an index using an imaging device (CCD) or the like and outputs an image pickup signal thereof is used. In addition to the FIA system, a target mark is irradiated with coherent detection light, and scattered light or diffracted light generated from the target mark is detected, or two diffracted lights (for example, of the same order) generated from the target mark. Of course, it is possible to use an alignment sensor for detecting the interference by using them alone or in combination as appropriate. The imaging result of the alignment detection system AS is output to the main controller 20.

制御系は、図1中、主制御装置20及びこの配下にあるステージ制御装置19などによって主に構成される。主制御装置20は、CPU(中央演算処理装置)、メインメモリ等から成るいわゆるマイクロコンピュータ(又はワークステーション)を含んで構成され、装置全体を統括して制御する。   In FIG. 1, the control system is mainly configured by a main control device 20 and a stage control device 19 subordinate thereto. The main control device 20 includes a so-called microcomputer (or workstation) including a CPU (central processing unit), a main memory, and the like, and controls the entire device.

主制御装置20には、例えばハードディスクから成る記憶装置、キーボード,マウス等のポインティングデバイス等を含んで構成される入力装置、及びCRTディスプレイ(又は液晶ディスプレイ)等の表示装置(いずれも図示省略)、並びにCD(Compact Disc),DVD(Digital Versatile Disc),MO(Magneto-Optical Disc)あるいはFD(Flexible Disc)等の情報記録媒体のドライブ装置46が、外付けで接続されている。ドライブ装置46にセットされた情報記録媒体(以下では、CDであるものとする)には、後述するフローチャートで示されるウエハアライメント及び露光動作時の処理アルゴリズムに対応するプログラム(以下、便宜上、「特定プログラム」と呼ぶ)、その他のプログラム、並びにこれらのプログラムに付属するデータベースなどが記録されている。   The main controller 20 includes, for example, a storage device including a hard disk, an input device including a pointing device such as a keyboard and a mouse, and a display device such as a CRT display (or a liquid crystal display) (all not shown), A drive device 46 for an information recording medium such as a CD (Compact Disc), a DVD (Digital Versatile Disc), an MO (Magneto-Optical Disc), or an FD (Flexible Disc) is connected externally. An information recording medium (hereinafter referred to as a CD) set in the drive device 46 has a program corresponding to a processing algorithm at the time of wafer alignment and exposure operations shown in the flowchart described later (hereinafter, “specific” for convenience). Other programs, and databases attached to these programs are recorded.

主制御装置20は、例えば露光動作が的確に行われるように、前述の特定プログラムに従った処理を実行し、例えばレチクルRとウエハWの同期走査、ウエハWのステップ移動(ステッピング)等を制御する。   The main controller 20 executes processing according to the above-described specific program so that, for example, the exposure operation is accurately performed, and controls, for example, synchronous scanning of the reticle R and the wafer W, step movement (stepping) of the wafer W, and the like. To do.

具体的には、前記主制御装置20は、例えば走査露光時には、レチクルRがレチクルステージRSTを介して+Y方向(又は−Y方向)に速度VR=Vで走査されるのに同期して、ウエハステージWSTを介してウエハWが前述の照明領域に共役な投影領域に対して−Y方向(又は+Y方向)に速度VW=β・V(βはレチクルRからウエハWに対する投影倍率)で走査されるように、ステージ制御装置19を介して得られるレチクル干渉計16、ウエハ干渉計18の計測値に基づいて、ステージ制御装置19を介し、不図示のレチクルステージ駆動部、ウエハステージ駆動部24をそれぞれ介してレチクルステージRST、ウエハステージWSTの位置及び速度をそれぞれ制御する。また、ステッピングの際には、主制御装置20では、ステージ制御装置19を介して得られるウエハ干渉計18の計測値に基づいて、ステージ制御装置19、ウエハステージ駆動部24を介してウエハステージWSTの位置を制御する。 Specifically, the main controller 20 synchronizes with the reticle R being scanned in the + Y direction (or −Y direction) at the speed V R = V via the reticle stage RST, for example, during scanning exposure. Through wafer stage WST, wafer W has a velocity V W = β · V (β is the projection magnification from reticle R to wafer W) in the −Y direction (or + Y direction) with respect to the projection region conjugate with the illumination region. Based on the measurement values of the reticle interferometer 16 and the wafer interferometer 18 obtained through the stage control device 19 so as to be scanned, the reticle stage drive unit and wafer stage drive unit (not shown) are passed through the stage control device 19. The position and speed of reticle stage RST and wafer stage WST are controlled via 24 respectively. Further, at the time of stepping, main controller 20 uses wafer stage WST via stage controller 19 and wafer stage drive unit 24 based on the measurement value of wafer interferometer 18 obtained via stage controller 19. Control the position of the.

さらに、本第1の実施形態の露光装置100は、投影光学系PLの最良結像面に向けて複数のスリット像を形成するための結像光束を光軸AX方向に対して斜め方向より供給する不図示の照射系と、その結像光束のウエハWの表面での各反射光束を、それぞれスリットを介して受光する不図示の受光系とから成る斜入射方式の多点フォーカス検出系を備えている。この多点フォーカス検出系としては、例えば特開平6−283403号公報などに開示されるものと同様の構成のものが用いられ、この多点フォーカス検出系の出力が主制御装置20に供給されている。主制御装置20では、この多点フォーカス検出系からのウエハ位置情報に基づいてステージ制御装置19及びウエハステージ駆動部24を介してウエハステージWSTをZ軸方向及び傾斜方向(θx回転、θy回転)に駆動する。   Furthermore, the exposure apparatus 100 of the first embodiment supplies an imaging light beam for forming a plurality of slit images toward the best imaging surface of the projection optical system PL from an oblique direction with respect to the optical axis AX direction. A grazing incidence multipoint focus detection system comprising an irradiation system (not shown) and a light receiving system (not shown) that receives each reflected light beam of the imaging light beam on the surface of the wafer W through a slit. ing. As this multipoint focus detection system, one having the same configuration as that disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 6-283403 is used, and the output of this multipoint focus detection system is supplied to the main controller 20. Yes. Main controller 20 moves wafer stage WST in the Z-axis direction and the tilt direction (θx rotation, θy rotation) via stage control device 19 and wafer stage drive unit 24 based on the wafer position information from this multipoint focus detection system. To drive.

次に、上述のようにして構成された本第1の実施形態の露光装置100により、ウエハWに対して第2層目(セカンドレイヤ)以降の層の露光処理を行う際の動作について説明する。   Next, an operation performed when the exposure apparatus 100 according to the first embodiment configured as described above performs the exposure process for the second layer (second layer) and subsequent layers on the wafer W will be described. .

まず、前提として、第2層目以降の層の露光対象であるウエハW上には、図2(A)に示されるように、前層までの処理工程により形成された51個のショット領域SAp(p=1〜51)が配置されている。さらに、図2(A)に示されるウエハWの拡大図である図2(B)に示されるように、このショット領域SApとともに、相互に隣接するショット領域間の所定幅、例えば100μm幅程度のストリートライン上に、ウエハアライメントXマーク(ウエハXマーク)MXp、ウエハアライメントYマーク(ウエハYマーク)MYpがそれぞれ形成されている。ウエハXマークMXpとしては、例えばX軸方向を周期方向とするラインアンドスペースマークが用いられ、ウエハYマークMYpとしては、例えばY軸方向を周期方向とするラインアンドスペースマークが用いられる。そして、ウエハXマークMXpのX位置(すなわちラインアンドスペースマークをその配列方向に2等分する位置)は、ショット領域SAp(の中心Cp)のX座標に設計上一致し、ウエハYマークMYpのY位置(すなわちラインアンドスペースマークをその配列方向に2等分する位置)は、ショット領域SAp(の中心Cp)のY座標に設計上一致するようになっている。すなわち、設計上は、ウエハXマークMXpのX位置とウエハYマークMYpのY位置とにより、ショット領域SAp(の中心Cp)の位置座標が求められるようになっている。なお、図2(B)では、これらのマークの一例としてラインパターンを3本有するマークが用いられているが、ラインパターンの数は何本でも良く、ラインパターンでなくても良い。また、ウエハW上のショット領域の数は、51には限られない。 First, as a premise, as shown in FIG. 2A, 51 shot areas SA formed by the processing steps up to the previous layer are formed on the wafer W that is the exposure target of the second and subsequent layers. p (p = 1 to 51) is arranged. Furthermore, as shown in FIG. 2 (B) is an enlarged view of the wafer W shown in FIG. 2 (A), with the shot area SA p, predetermined width between shot regions adjacent to each other, for example, about 100μm width A wafer alignment X mark (wafer X mark) MX p and a wafer alignment Y mark (wafer Y mark) MY p are respectively formed on the street lines. As the wafer X mark MX p , for example, a line and space mark whose periodic direction is the X axis direction is used, and as the wafer Y mark MY p , for example, a line and space mark whose periodic direction is the Y axis direction is used. Then, the X position of the wafer X mark MX p (that is, the position at which the line and space mark is equally divided in the arrangement direction) coincides with the X coordinate of the shot area SA p (center C p ) by design, and the wafer Y The Y position of the mark MY p (that is, the position where the line and space mark is equally divided in the arrangement direction) is designed to coincide with the Y coordinate of the shot area SA p (center C p ). That is, in design, the position coordinates of the shot area SA p (center C p ) are obtained from the X position of the wafer X mark MX p and the Y position of the wafer Y mark MY p . In FIG. 2B, a mark having three line patterns is used as an example of these marks, but the number of line patterns may be any number and may not be a line pattern. Further, the number of shot areas on the wafer W is not limited to 51.

このウエハW上には、新たな層のショット領域を形成すべく、そのショット領域の回路パターンを転写形成するために、フォトレジストが塗布されている。この新たな層のショット領域は、図2(A)に示されるウエハW上のショット領域SAp上に、重ね合わせて形成される必要がある。この重ね合わせ精度を高めるため、本第1の実施形態では、EGA方式のウエハアライメント(以下、「EGA」又は「EGA処理」と略述する)を行う。 On this wafer W, in order to form a shot region of a new layer, a photoresist is applied to transfer and form a circuit pattern of the shot region. Shot areas of the new layer, on the shot area SA p on the wafer W shown in FIG. 2 (A), needs to be formed by overlapping. In order to increase the overlay accuracy, EGA type wafer alignment (hereinafter, abbreviated as “EGA” or “EGA processing”) is performed in the first embodiment.

EGAでは、図2(A)に示される全ショット領域SApのうち、幾つかのショット領域を、計測ショット領域(以下、「EGA計測ショット領域」と呼ぶ)として選択し、選択された計測ショット領域に付設されたウエハXマークMXp、ウエハYマークMYpをアライメント検出系ASで検出し、その検出結果から、ウエハステージWSTの移動位置を規定するステージ座標系(第1座標系)上のウエハXマークMXp、ウエハYマークMYpの位置(配列座標)を算出する。前述のように、これらのマークの位置は、そのEGA計測ショット領域のX位置、Y位置を示しており、EGAでは、これら複数のEGA計測ショット領域の位置情報に基づいて、ウエハ上のショット領域SApの配列によって規定される座標系である配列座標系(ウエハ座標系、第2座標系)と、ステージ座標系とのずれに関する情報(上記式(1)のEGAパラメータa,b,c,d,e,f)を、統計的演算処理により求め、そのずれに関する情報に基づいて、ショット領域SApのステージ座標系上の配列座標を求める。ウエハ座標系とステージ座標系とのずれに関する情報は、上述の重ね合わせ精度を高めるためには必須の情報であり、重ね合わせ露光を行う場合には、このずれの情報を考慮してステージの位置制御が行われる。 In EGA, some shot areas are selected as measurement shot areas (hereinafter referred to as “EGA measurement shot areas”) out of all shot areas SA p shown in FIG. 2A, and the selected measurement shots are selected. Wafer X mark MX p and wafer Y mark MY p attached to the area are detected by alignment detection system AS, and on the stage coordinate system (first coordinate system) that defines the movement position of wafer stage WST based on the detection result. The positions (array coordinates) of the wafer X mark MX p and the wafer Y mark MY p are calculated. As described above, the positions of these marks indicate the X position and the Y position of the EGA measurement shot area. In EGA, the shot area on the wafer is based on the position information of the plurality of EGA measurement shot areas. Information on the deviation between the arrangement coordinate system (wafer coordinate system, second coordinate system), which is a coordinate system defined by the SA p arrangement, and the stage coordinate system (EGA parameters a, b, c, d, e, f) are obtained by statistical calculation processing, and the arrangement coordinates on the stage coordinate system of the shot area SA p are obtained based on the information regarding the deviation. The information on the deviation between the wafer coordinate system and the stage coordinate system is essential information for improving the overlay accuracy described above. When overlay exposure is performed, the position of the stage is taken into consideration. Control is performed.

ところが実際には、前工程での露光位置のずれや、プロセスによるウエハWの変形等により、ショット領域SApの形成状態には、領域毎に多少のばらつきがあり、全てのショット領域SApが、完全に規則正しく格子状に配列されているとは限らない。このような場合、例えば、EGA計測ショット領域として、他の多数のショット領域に対して形成状態のばらつき具合の大きいショット領域(いわゆる跳びショット領域)を選択してしまった場合には、EGAにより求められるウエハ座標系と、本来規定されるべき最も尤もらしいウエハ座標系とのずれが大きくなってしまい、最終的に、新たな層のショット領域と、ショット領域SApとの重ね合わせ精度が低下してしまうようになる。したがって、EGAでは、EGA計測ショット領域としてどのショット領域を選択するか否かが、重要なポイントとなる。 But in practice, the deviation and the exposure position in the previous step, the deformation of the wafer W by the process, the formation state of the shot area SA p, there are slight variations in each region, all the shot areas SA p They are not necessarily arranged in a regular and regular grid pattern. In such a case, for example, when a shot area (so-called jump shot area) having a large variation in formation state with respect to many other shot areas is selected as the EGA measurement shot area, the EGA measurement shot area is obtained by EGA. Deviation between the wafer coordinate system to be defined and the most likely wafer coordinate system to be originally defined increases, and eventually the overlay accuracy between the shot area SA p of the new layer and the shot area SA p decreases. It will end up. Therefore, in EGA, an important point is which shot area to select as the EGA measurement shot area.

そこで、本第1の実施形態では、図2(A)に示されるウエハWの外周部近傍のショット領域(SA5,SA6,SA12,SA13,SA39,SA40,SA46,SA47)を、アライメント検出系ASによって計測するEGA計測ショット領域の候補とするが、それらのショット領域の中に、跳びショット領域があると判断した場合には、その跳びショット領域を、EGA計測ショット領域から除外(リジェクト)する。 Therefore, in the first embodiment, shot regions (SA 5 , SA 6 , SA 12 , SA 13 , SA 39 , SA 40 , SA 46 , SA near the outer periphery of the wafer W shown in FIG. 47 ) is a candidate for an EGA measurement shot area to be measured by the alignment detection system AS. If it is determined that there is a jump shot area in the shot area, the jump shot area is used as an EGA measurement shot area. Exclude (reject) from the area.

なお、同じようなプロセスを経たウエハ、例えば、1ロット中のウエハにおいては、このような跳びショット領域がEGA計測ショット領域の中に含まれる確率は、ほぼ同じであるとみなすことができる。したがって、本第1の実施形態では、EGA計測ショット領域からの跳びショット領域の除外数(予想跳びショット数)を所定数(例えば1つ)とする。ただし、本第1の実施形態では、ショット領域SApが例えば理想格子状に精度良く形成され、ウエハの状態が良好で跳びショット領域がほとんど存在しないと判断した場合には、除外するショット領域を0とし、EGA計測ショット領域のすべての候補の位置情報を用いてEGAを行うものとする。 It should be noted that the probability that such a jump shot area is included in the EGA measurement shot area can be regarded as substantially the same for a wafer that has undergone a similar process, for example, a wafer in one lot. Therefore, in the first embodiment, the number of jump shot areas excluded from the EGA measurement shot area (the number of expected jump shots) is set to a predetermined number (for example, one). However, in the first embodiment, when it is determined that the shot area SA p is accurately formed, for example, in an ideal lattice shape, and the wafer state is good and there is almost no jump shot area, the shot area to be excluded is excluded. It is assumed that EGA is performed using position information of all candidates in the EGA measurement shot area.

また、上述したようなウエハW上のショット領域などに関する情報、例えば、EGA計測ショット領域のショット番号、各ショット領域SApの設計上の位置座標、EGA計測ショット領域からの除外数などは、予め記憶装置に記憶されているものとする。 Further, information regarding the shot area on the wafer W as described above, for example, the shot number of the EGA measurement shot area, the design position coordinates of each shot area SA p , the number of exclusions from the EGA measurement shot area, etc. Assume that it is stored in a storage device.

次に、上記特定プログラムに従って実行される、EGAを含む上記露光処理を行う際の主制御装置20内のCPUの処理アルゴリズムについて、図3,図4のフローチャートに沿って適宜他の図面を参照しつつ、説明する。   Next, regarding the processing algorithm of the CPU in the main controller 20 when performing the exposure processing including EGA, which is executed according to the specific program, refer to other drawings as appropriate along the flowcharts of FIGS. While explaining.

まず、前提として、ドライブ装置46にセットされたCD−ROM内の特定プログラム及びその他のプログラムは、主制御装置20の記憶装置にインストールされているものとし、さらに、そのうちのレチクルアライメント及びベースライン計測処理等のプログラムが、主制御装置20内部のCPUによって記憶装置からメインメモリにロードされているものとする。   First, as a premise, it is assumed that the specific program and other programs in the CD-ROM set in the drive device 46 are installed in the storage device of the main control device 20, and further, reticle alignment and baseline measurement thereof. It is assumed that a program such as processing is loaded from the storage device into the main memory by the CPU inside the main control device 20.

図3に示されるように、まず、ステップ301において、不図示のレチクルローダを用いて、レチクルステージRST上にレチクルRをロードする。このレチクルロードが終了すると、ステップ303→ステップ305→ステップ307において、レチクルアライメント、ベースライン計測及びウエハロードを、前述のレチクルアライメント、ベースライン計測、及びウエハロード処理のプログラムに従って以下のようにして実行する。   As shown in FIG. 3, first, in step 301, reticle R is loaded on reticle stage RST using a reticle loader (not shown). When this reticle loading is completed, in step 303 → step 305 → step 307, reticle alignment, baseline measurement, and wafer loading are executed as follows according to the above-described reticle alignment, baseline measurement, and wafer loading processing program. To do.

すなわち、ウエハステージWST上の基準マーク板FMを投影光学系PLの直下の所定位置(以下、便宜上「基準位置」と呼ぶ)に位置決めし、基準マーク板FM上の一対の第1基準マークと、その第1基準マークに対応するレチクルR上の一対のレチクルアライメントマークとの相対位置を、前述の一対のレチクルアライメント検出系22を用いて検出する。そして、レチクルアライメント検出系22の検出結果と、その検出時の干渉計16、18の計測値とをメインメモリに記憶する。次いで、ウエハステージWST及びレチクルステージRSTを、それぞれ所定距離だけY軸方向に沿って相互に逆向きに移動させて、基準マーク板FM上の別の一対の第1基準マークと、その第1基準マークに対応するレチクルR上の別の一対のレチクルアライメントマークとの相対位置を前述の一対のレチクルアライメント検出系22を用いて検出する。そして、レチクルアライメント検出系22の検出結果と、その検出時の干渉計16、18の計測値とをメインメモリに記憶する。次いで、上記と同様にして、基準マーク板FM上の更に別の一対の第1基準マークと、その第1基準マークに対応するレチクルアライメントマークとの相対位置関係を更に計測するようにしても良い。   That is, the reference mark plate FM on the wafer stage WST is positioned at a predetermined position directly below the projection optical system PL (hereinafter referred to as “reference position” for convenience), and a pair of first reference marks on the reference mark plate FM; The relative position of the pair of reticle alignment marks on the reticle R corresponding to the first reference mark is detected using the pair of reticle alignment detection systems 22 described above. Then, the detection result of the reticle alignment detection system 22 and the measurement values of the interferometers 16 and 18 at the time of detection are stored in the main memory. Next, wafer stage WST and reticle stage RST are moved in opposite directions along the Y-axis direction by a predetermined distance, respectively, and another pair of first reference marks on reference mark plate FM and its first reference A relative position with another pair of reticle alignment marks on the reticle R corresponding to the mark is detected using the pair of reticle alignment detection systems 22 described above. Then, the detection result of the reticle alignment detection system 22 and the measurement values of the interferometers 16 and 18 at the time of detection are stored in the main memory. Next, in the same manner as described above, the relative positional relationship between another pair of first reference marks on the reference mark plate FM and the reticle alignment mark corresponding to the first reference mark may be further measured. .

そして、このようにして得られた少なくとも2対の第1基準マークと対応するレチクルアライメントマークとの相対位置関係の情報と、それぞれの計測時の干渉計16,18の計測値とを用いて、干渉計16の測長軸で規定されるレチクルステージ座標系と干渉計18の測長軸で規定されるウエハステージ座標系との相対位置関係を求める。これにより、レチクルアライメントが終了する。   Then, using the information on the relative positional relationship between the at least two pairs of first reference marks and the corresponding reticle alignment marks obtained in this way, and the measured values of the interferometers 16 and 18 at the time of each measurement, The relative positional relationship between the reticle stage coordinate system defined by the measurement axis of the interferometer 16 and the wafer stage coordinate system defined by the measurement axis of the interferometer 18 is obtained. Thereby, reticle alignment is completed.

次いで、ステップ305において、ベースライン計測を行う。具体的には、ウエハステージWSTを前述の基準位置に戻し、その基準位置から所定量、例えばベースラインの設計値だけXY面内で移動して、アライメント検出系ASを用いて基準マーク板FM上の第2基準マークを検出する(ウエハ干渉計18の計測値をメインメモリに記憶する)。このとき得られるアライメント検出系ASの検出中心と第2基準マークの相対位置関係の情報及び先にウエハステージWSTが基準位置に位置決めされた際に計測した一対の第1基準マークと、その第1基準マークに対応する一対のレチクルアライメントマークとの相対位置関係の情報と、それぞれの計測時のウエハ干渉計18の計測値と、ベースラインの設計値と、既知である第1基準マーク及び第2基準マークとの位置関係に基づいて、アライメント検出系ASのベースライン、すなわちレチクルパターンの投影中心とアライメント検出系ASの検出中心(指標中心)との距離(位置関係)を算出する。   Next, in step 305, baseline measurement is performed. Specifically, wafer stage WST is returned to the above-mentioned reference position, moved from the reference position by a predetermined amount, for example, the design value of the baseline, in the XY plane, and then moved onto reference mark plate FM using alignment detection system AS. The second reference mark is detected (the measured value of the wafer interferometer 18 is stored in the main memory). Information on the relative positional relationship between the detection center of the alignment detection system AS and the second reference mark obtained at this time, a pair of first reference marks previously measured when the wafer stage WST was positioned at the reference position, and the first reference mark Information on the relative positional relationship between the pair of reticle alignment marks corresponding to the reference mark, the measured value of the wafer interferometer 18 at the time of each measurement, the design value of the baseline, and the first and second known reference marks and second Based on the positional relationship with the reference mark, the base line of the alignment detection system AS, that is, the distance (positional relationship) between the projection center of the reticle pattern and the detection center (index center) of the alignment detection system AS is calculated.

次いで、ステップ307において、不図示のウエハローダの制御系にウエハWのロードを指示する。これにより、ウエハローダによって、ウエハWがウエハステージWST上のウエハホルダ25上にロードされる。ここで、本第1の実施形態では、ウエハWのロードに先立って、不図示のプリアライメント装置により、ステージ座標系と、ウエハ座標系とがある程度まで一致するように、ウエハステージWSTに対するウエハWの回転ずれと中心位置ずれが略調整されているものとする。また、ここで、記憶装置に記憶されているウエハWに関する情報をメインメモリに読み込む。   Next, in step 307, the control unit of the wafer loader (not shown) is instructed to load the wafer W. Thereby, wafer W is loaded onto wafer holder 25 on wafer stage WST by the wafer loader. Here, in the first embodiment, prior to the loading of the wafer W, the wafer W relative to the wafer stage WST is aligned by a pre-alignment apparatus (not shown) so that the stage coordinate system and the wafer coordinate system coincide to a certain extent. It is assumed that the rotational deviation and the center position deviation are substantially adjusted. Also, here, information relating to the wafer W stored in the storage device is read into the main memory.

このような一連の準備作業が終了すると、前述のレチクルアライメント及びベースライン計測処理のプログラムをメインメモリからアンロードするとともに、前述の特定プログラムをメインメモリにロードする。以後、この特定プログラムに従って、本第1の実施形態の最適化方法、すなわち、サブルーチン309のEGA計測ショット領域中の跳びショット領域のリジェクト処理を含むEGA処理、及びウエハW上の各ショット領域に対する露光を行なう。   When such a series of preparation operations are completed, the above-described reticle alignment and baseline measurement processing programs are unloaded from the main memory, and the above-described specific program is loaded into the main memory. Thereafter, in accordance with this specific program, the optimization method of the first embodiment, that is, the EGA process including the reject process of the jump shot area in the EGA measurement shot area in the subroutine 309, and the exposure for each shot area on the wafer W To do.

なお、このサブルーチン309を実行する前に、ウエハW上に設けられた不図示のサーチアライメントマーク(サーチアライメントマークとして、図2(B)に示されるアライメントマークを用いても良い)を、アライメント検出系ASを低倍率に設定した上で検出し、そのサーチアライメントマークの位置情報に基づいて、ステージ座標系回転成分やオフセット成分のずれ量を、粗い精度で求める、いわゆるサーチアライメントを実行するようにしても良い。   Before executing this subroutine 309, a search alignment mark (not shown) provided on the wafer W (an alignment mark shown in FIG. 2B may be used as the search alignment mark) is detected. The system AS is detected with a low magnification, and based on the position information of the search alignment mark, so-called search alignment is performed in which the shift amount of the stage coordinate system rotation component and offset component is obtained with rough accuracy. May be.

図4には、サブルーチン309のフローチャートが示されている。サブルーチン309では、図4に示されるように、まず、ステップ401において、EGAマーク計測を行う。具体的には、記憶装置から、EGA計測ショット領域に関する情報(EGA計測ショット領域が、SA5,SA6,SA12,SA13,SA39,SA40,SA46,SA47であることや、それらのショット領域の設計上の位置情報など)を読み出す。そして、EGA計測ショット領域の候補であるショット領域に付設されたウエハXマークMXp、ウエハYマークMYpを、アライメント検出系ASの検出視野に順次位置させて、それらのマークをアライメント検出系ASに検出させる。なお、以下では、ショット領域SA5,SA6,SA39,SA40,SA47,SA46,SA13,SA12を、それぞれショット領域G1,G2,G3,G4,G5,G6,G7,G8とする。Gの添え字は、マークの計測順を必ずしも意味するものではなく、マークの計測順は、計測時間が短くなるように設定されているものとする。 FIG. 4 shows a flowchart of the subroutine 309. In the subroutine 309, as shown in FIG. 4, first, in step 401, EGA mark measurement is performed. Specifically, from the storage device, information on the EGA measurement shot area (the EGA measurement shot area is SA 5 , SA 6 , SA 12 , SA 13 , SA 39 , SA 40 , SA 46 , SA 47 , The design position information of these shot areas is read out. Then, the wafer X mark MX p and the wafer Y mark MY p attached to the shot area that is a candidate for the EGA measurement shot area are sequentially positioned in the detection visual field of the alignment detection system AS, and these marks are aligned with the alignment detection system AS. Let it be detected. In the following description, the shot areas SA 5 , SA 6 , SA 39 , SA 40 , SA 47 , SA 46 , SA 13 , SA 12 are designated as shot areas G 1 , G 2 , G 3 , G 4 , G 5 , respectively. G 6, and G 7, G 8. The subscript G does not necessarily mean the mark measurement order, and the mark measurement order is set to shorten the measurement time.

そして、アライメント検出系ASから送られた検出結果(例えばそれらのマークを含む周辺の画像データに対応する信号)及び検出時のウエハ干渉計18の計測値に基づいて、ステージ座標系上の位置座標の計測値を得る。さらに、例えば、前述の検出結果としての画像データに対する、テンプレートマッチングや、所定幅のウインドウの走査による鏡映対称性等の評価やその他の適切な検出処理(画像処理)等により、画像データ中におけるそれらのマークの位置情報を求め、その位置情報と、前述のウエハ干渉計18の計測値から、ウエハXマークMXp、ウエハYマークMYpのステージ座標系上の位置(計測値)を求める。これらの計測値が、ショット領域G1,G2,G3,G4,G5,G6,G7,G8の位置の計測値として、すなわち第1データの候補として、以下の処理に用いられる。 Based on the detection result sent from the alignment detection system AS (for example, a signal corresponding to peripheral image data including those marks) and the measurement value of the wafer interferometer 18 at the time of detection, the position coordinates on the stage coordinate system Get the measured value. Furthermore, for example, by template matching, evaluation of mirror image symmetry by scanning a window with a predetermined width, and other appropriate detection processing (image processing) with respect to the image data as the detection result described above, The position information of these marks is obtained, and the position (measurement value) of the wafer X mark MX p and wafer Y mark MY p on the stage coordinate system is obtained from the position information and the measurement value of the wafer interferometer 18 described above. These measurement values are used as the measurement values at the positions of the shot areas G 1 , G 2 , G 3 , G 4 , G 5 , G 6 , G 7 , G 8 , that is, as the first data candidates. Used.

次に、ステップ403において、すべてのEGA計測ショット領域の候補G1〜G8の計測値を用いて、所定の処理としてのEGA処理を行った場合に作成されるショット領域の位置情報の補正量ベクトルのベクトルマップを、基準ベクトルマップとして作成する。具体的には、ステップ401で計測されたEGAショット領域のすべての候補の位置情報の計測値(すなわち複数の第1データの候補すべて)を用いて、上記式(2)の評価関数Eを最小とするようなパラメータa、b、c、d、e、fの値を求める。そして、求められたパラメータa、b、c、d、e、fの値に基づいて各EGA計測ショット領域G1〜G8におけるステージ座標系の位置座標の補正量を求める。この処理については、例えば特開昭61−44429号公報などに開示されているので、詳細な説明を省略する。なお、ここで作成される各補正量ベクトルのベクトルマップが、複数の参照データから成る参照データ群となり、以降の処理では、この基準ベクトルマップを、参照データ群として用いる。 Next, in step 403, using the measurement values of the candidate G 1 ~G 8 all EGA measurement shot area, the correction amount of the position information of the shot area that is created when performing the EGA process as the predetermined processing A vector map of vectors is created as a reference vector map. Specifically, the evaluation function E of the above equation (2) is minimized by using the measured values of the position information of all candidates of the EGA shot area measured in step 401 (that is, all of the plurality of first data candidates). The values of parameters a, b, c, d, e, and f are obtained. Then, based on the values of the obtained parameters a, b, c, d, e, and f, the correction amount of the position coordinate in the stage coordinate system in each of the EGA measurement shot areas G 1 to G 8 is obtained. Since this process is disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 61-44429, detailed description thereof is omitted. The vector map of each correction amount vector created here becomes a reference data group composed of a plurality of reference data, and this reference vector map is used as a reference data group in the subsequent processing.

図5(A)には、このようにして求められた各EGA計測ショット領域の候補における基準ベクトルマップの一例が示されている。図5(A)では、EGA処理の結果得られる補正量が、ベクトル(以下、「補正量ベクトル」という)S1〜S8としてベクトル表示されている。このステップ403では、このように作成された基準ベクトルマップ、すなわちEGA計測ショット領域の全ての候補を用いてEGA処理を行った場合の、各EGA計測ショット領域G1〜G8における補正量ベクトルS1〜S8(実際には、その補正量ベクトルのX成分及びY成分)を、記憶装置に記憶しておく。 FIG. 5A shows an example of a reference vector map in each EGA measurement shot area candidate obtained in this way. In FIG. 5A, correction amounts obtained as a result of EGA processing are displayed as vectors (hereinafter referred to as “correction amount vectors”) S 1 to S 8 . In step 403, thus created reference vector map, i.e. in the case of performing EGA process using all candidate EGA measurement shot area, the correction amount vector S in each EGA measurement shot area G 1 ~G 8 1 to S 8 (actually, the X component and the Y component of the correction amount vector) are stored in the storage device.

図4に戻り、次のステップ405において、予想跳びショット数分除いた組合せ分のEGA計算を行う。本第1の実施形態では、前述したように、予めリジェクトするショット領域の数を、所定数としており、その所定数は、記憶装置に記憶されている。ここでは、まず、記憶装置からその数を読み込む。その数をrとする。そして、本第1の実施形態では、各EGA計測ショット領域(本第1の実施形態では、8個)から、r個だけ除外したときに得られるショット領域のすべての組合せをEGA計測ショット領域の候補として複数作成する。ここでは、EGA計測ショット領域の数が8個であり、除外するショット領域の数がrであるため、8r個のEGA計測ショット領域の候補の組合せが作成されるようになる。さらに、作成された各組合せについてそれぞれEGA処理を実行し、その組合せに含まれるショット領域の位置情報(組合せに含まれる第1データの候補)に基づいて上記式(2)の評価関数Eを最小とするようなパラメータa、b、c、d、e、fの値を組合せ毎に求める。 Returning to FIG. 4, in the next step 405, EGA calculation is performed for the combination excluding the number of expected jump shots. In the first embodiment, as described above, the number of shot areas to be rejected in advance is set to a predetermined number, and the predetermined number is stored in the storage device. Here, first, the number is read from the storage device. Let that number be r. In the first embodiment, all combinations of shot areas obtained when only r are excluded from each EGA measurement shot area (eight in the first embodiment) are stored in the EGA measurement shot area. Create multiple candidates. Here, since the number of EGA measurement shot areas is eight and the number of shot areas to be excluded is r, a combination of 8 C r EGA measurement shot area candidates is created. Further, EGA processing is executed for each created combination, and the evaluation function E of the above equation (2) is minimized based on the position information of the shot area included in the combination (first data candidate included in the combination). The values of parameters a, b, c, d, e, and f are calculated for each combination.

そして、ステップ407において、求められたパラメータa、b、c、d、e、fの値に基づいて各EGA計測ショット領域G1〜G8におけるステージ座標系の位置座標の補正量ベクトル(第2データ)を求める処理を、予想跳びショット数分除いた組合せ毎に実行し、各組合せ毎の補正量ベクトルのベクトルマップを作成する。 In step 407, based on the values of the obtained parameters a, b, c, d, e, and f, the correction amount vector (second value) of the position coordinate of the stage coordinate system in each of the EGA measurement shot areas G 1 to G 8 is used. Data) is executed for each combination excluding the number of expected jump shots, and a vector map of correction amount vectors for each combination is created.

図5(B)には、このように、所定数のショット領域をEGA計測ショット領域からリジェクトして得られる、EGA計測ショット領域の組合せについて、その組合せの位置情報を用いてEGA処理を行ったときに得られる各EGA計測ショット領域の候補G1〜G8における補正量ベクトルの一例が示されている。図5(B)では、ショット領域G1〜G8の補正量が、ベクトルT1〜T8としてベクトル表示されている。ここで作成される各組合せの補正量ベクトルのベクトルマップが、複数の第2データから成るデータ群となる。これらのベクトルマップは、記憶装置に記憶される。 In FIG. 5B, EGA processing is performed on the combination of EGA measurement shot areas obtained by rejecting a predetermined number of shot areas from the EGA measurement shot area in this way, using position information of the combination. An example of the correction amount vector in each of the EGA measurement shot area candidates G 1 to G 8 obtained at times is shown. In FIG. 5B, the correction amounts of the shot areas G 1 to G 8 are displayed as vectors T 1 to T 8 . A vector map of correction amount vectors of each combination created here is a data group composed of a plurality of second data. These vector maps are stored in a storage device.

図4に戻り、次のステップ409において、ステップ403で算出された基準ベクトルマップ、すなわち、EGA計測ショット領域のすべての候補を用いてEGA処理を行った場合に作成されるショット領域G1〜G8に対応する補正量ベクトルの基準ベクトルマップ(参照データ群)と、ステップ407で算出された各組合せのベクトルマップ(第2データから成るデータ群)との間の相関係数を組合せ毎に算出する。具体的には、まず、記憶装置から、ステップ403で算出された基準ベクトルマップ(補正量ベクトルS1〜S8)を読み出す。そして、ステップ407で算出された、各組合せのベクトルマップ(補正量ベクトルT1〜T2)をすべて読み出す。さらに、次式を用いて、基準ベクトルマップの補正量ベクトルS1〜S8の標準偏差σS0を、組合せ毎に求める。なお、以下の式では、一般化のため、EGA計測ショット領域の候補の数を8でなく、Nとし、以下の説明でも、EGA計測ショット領域の候補の数をNであるものとして説明する。また、(*)x,(*)yは、括弧内のベクトルのX軸方向の成分及びY軸方向の成分を示すものとする。 Returning to FIG. 4, in the next step 409, the shot areas G 1 to G created when the EGA process is performed using all the candidates of the reference vector map calculated in step 403, that is, the EGA measurement shot area. A correlation coefficient between the standard vector map (reference data group) of the correction amount vector corresponding to 8 and the vector map of each combination (data group consisting of the second data) calculated in step 407 is calculated for each combination. To do. Specifically, first, the reference vector map (correction amount vectors S 1 to S 8 ) calculated in step 403 is read from the storage device. Then, all vector maps (correction amount vectors T 1 to T 2 ) calculated in step 407 are read out. Further, the standard deviation σ S0 of the correction vector S 1 to S 8 of the reference vector map is obtained for each combination using the following equation. In the following formula, for generalization, the number of EGA measurement shot area candidates is set to N instead of 8, and in the following description, the number of EGA measurement shot area candidates is assumed to be N. In addition, (*) x and (*) y indicate a component in the X-axis direction and a component in the Y-axis direction of the vector in parentheses.

Figure 2005064369
そして、ステップ407で求めた各組合せのベクトルマップの補正量ベクトルT1〜TNの標準偏差σT0を、次式を用いて求める(補正量ベクトルT1〜TNの大きさは、ショット領域の組合せによってそれぞれ異なるため、標準偏差σT0の値も、ショット領域の組合せによって異なる)。
Figure 2005064369
Then, the standard deviation σ T0 of the correction amount vectors T 1 to T N of the vector map of each combination obtained in step 407 is obtained using the following equation (the magnitude of the correction amount vectors T 1 to T N is the shot region). Therefore , the value of the standard deviation σ T0 also differs depending on the combination of shot areas).

Figure 2005064369
さらに、基準ベクトルマップと、各組合せのベクトルマップとの共分散(内積和)ρV0を、次式を用いて組合せ毎に求める。
Figure 2005064369
Further, a covariance (sum of inner products) ρ V0 between the reference vector map and the vector map of each combination is obtained for each combination using the following equation.

Figure 2005064369
ここで、上記式(5)におけるθiは、図6に示されるように、同じショット領域GNに対応する基準ベクトルマップの補正量ベクトルと各組合せのベクトルマップの補正量ベクトル同士の成す角度である。
Figure 2005064369
Angle Here, theta i is in the above formula (5), formed by the way, the correction amount vector between the vector map of the correction amount vector and each combination of reference vector map corresponding to the same shot area G N shown in FIG. 6 It is.

そして、上記式(3)、式(4)、式(5)の計算結果に基づいて、次式を用いて、基準ベクトルマップと、各組合せのベクトルマップとの相関関係を示す相関情報としての相関係数CV0を、組合せ毎に求める。この相関係数CV0は、EGA計測ショット領域の候補すべてを用いてEGA処理を行ったときに得られる補正量ベクトルのベクトルマップと、所定数のショット領域をリジェクトした場合の残りのEGA計測ショット領域の組合せを用いてEGA処理を行った場合に得られる補正量ベクトルのベクトルマップとにどれだけ相関性があるかを示す尺度となる。この値が大きければ大きいほど、両者の相関性が高いことになり、小さければ小さいほど両者の相関性が低いということになる。 Then, based on the calculation results of the above formulas (3), (4), and (5), using the following formula, the correlation information indicating the correlation between the reference vector map and the vector map of each combination is used. Correlation coefficient C V0 is obtained for each combination. This correlation coefficient C V0 is obtained by calculating a vector map of correction amount vectors obtained when EGA processing is performed using all EGA measurement shot area candidates, and the remaining EGA measurement shots when a predetermined number of shot areas are rejected. This is a scale indicating how much correlation there is with the vector map of correction vector obtained when EGA processing is performed using a combination of regions. The larger the value, the higher the correlation between the two, and the smaller the value, the lower the correlation between the two.

Figure 2005064369
Figure 2005064369

次のステップ411では、EGA計測ショット領域の候補の組合せのうち、ステップ409で求められた相関係数CV0の値が所定の閾値よりも低いEGA計測ショット領域の候補の組合せを抽出する。 In the next step 411, among the combinations of EGA measurement shot area candidates, combinations of EGA measurement shot area candidates whose correlation coefficient C V0 obtained in step 409 is lower than a predetermined threshold are extracted.

次に、ステップ413において、ステップ411において相関係数CV0の値が所定の閾値よりも低い組合せが抽出されたか否かを判断する。判断が肯定された場合には、ステップ415に進み、判断が否定された場合には、ステップ419に進む。相関係数CV0の値が所定の閾値よりも低いということは、その組合せでEGA処理を行ったときに得られる補正量ベクトルのベクトルマップと、EGA計測ショット領域の候補すべてを用いてEGA処理を行ったときに得られる補正量ベクトルの基準ベクトルマップとが著しく異なっているということであり、その組合せを作成する際に、リジェクトされたEGA計測ショット領域の候補が、跳びショット領域である可能性が高いことになる。なお、ここでは、ステップ411において、相関係数CV0の値が所定の閾値よりも低い組合せが1つだけ抽出されているものとし、ステップ415に進むものとして話を進める。 Next, in step 413, it is determined whether or not a combination having a correlation coefficient C V0 value lower than a predetermined threshold value is extracted in step 411. If the determination is affirmative, the process proceeds to step 415, and if the determination is negative, the process proceeds to step 419. That the value of the correlation coefficient C V0 is lower than the predetermined threshold means that the EGA processing is performed using the vector map of the correction amount vector obtained when the EGA processing is performed with the combination and all candidates of the EGA measurement shot area. This means that the reference vector map of the correction amount vector obtained when the correction is performed is significantly different. When the combination is created, the rejected EGA measurement shot area candidate may be a jump shot area. The nature will be high. Here, in step 411, it is assumed that only one combination whose correlation coefficient C V0 is lower than a predetermined threshold has been extracted, and the processing proceeds to step 415.

ステップ415において、抽出されたEGA計測ショット領域の組合せでEGA処理を実行した場合に作成される残留誤差が、すべてのEGA計測ショット領域の候補を用いてEGA処理を行った場合に作成される残留誤差よりも低減されているか否かを判断する。その判断が肯定されれば、ステップ417に進み、判断が否定されれば、ステップ419に進む。ここで、残留誤差とは、EGA処理におけるフィッティング残差のことであり、このフィッティング残差は、EGA処理を行ったときのその処理結果の精度指標の1つである。このフィッティング誤差は、上記式(2)を実行することによって、求めることができる。ここでは、判断が肯定されたものとし、ステップ417に進むものとして話を進める。   In step 415, the residual error created when the EGA process is executed with the combination of the extracted EGA measurement shot areas is the residual error created when the EGA process is performed using all EGA measurement shot area candidates. It is determined whether or not the error is reduced. If the determination is positive, the process proceeds to step 417, and if the determination is negative, the process proceeds to step 419. Here, the residual error is a fitting residual in the EGA processing, and this fitting residual is one of accuracy indexes of the processing result when the EGA processing is performed. This fitting error can be obtained by executing the above equation (2). Here, it is assumed that the determination is affirmed, and the process proceeds to proceed to step 417.

ステップ417では、抽出された組合せについてステップ405で既に求められたEGAパラメータa、b、c、d、e、fに基づいて、ウエハW上の全てのショット領域SApのステージ座標系上における配列座標を、今回のEGAの処理結果として算出する。ステップ417終了後、サブルーチン309の処理を終了する。 In step 417, the extracted combination for EGA parameters obtained previously in step 405 a, on the basis of b, c, d, e, a f, the sequence on the stage coordinate system of all the shot areas SA p on the wafer W The coordinates are calculated as a result of the current EGA processing. After step 417 ends, the processing of subroutine 309 ends.

一方、ステップ413又はステップ415で判断が否定された場合、その後に実行されるステップ419では、リジェクトすべきショット領域がG1〜G8の中に無かったとして、すべてのEGA計測ショット領域の候補について、ステップ403で既に求められたEGAパラメータa、b、c、d、e、fに基づいて、ウエハW上の全てのショット領域のステージ座標系上における配列座標を、今回のEGAの処理結果として算出する。ステップ419終了後、サブルーチン309の処理を終了する。 On the other hand, if the determination in step 413 or step 415 is negative, in step 419 to be executed thereafter, it is determined that there are no shot areas to be rejected in G 1 to G 8 , and all EGA measurement shot area candidates are present. , On the basis of the EGA parameters a, b, c, d, e, and f already obtained in step 403, the array coordinates on the stage coordinate system of all shot areas on the wafer W are converted into the current EGA processing results. Calculate as After step 419 ends, the processing of subroutine 309 ends.

サブルーチン309終了後は、図3のステップ311に戻り、次のステップ311では、ショット領域の配列番号を示すカウンタjに1をセットし、最初のショット領域を露光対象領域とする。なお、このときのウエハステージWSTの位置決めに用いる、最初のショット領域の位置情報には、サブルーチン309のEGA処理の結果が反映された位置情報が用いられる。   After completion of the subroutine 309, the process returns to step 311 in FIG. 3, and in the next step 311, 1 is set in the counter j indicating the array number of the shot area, and the first shot area is set as the exposure target area. Note that the position information reflecting the result of the EGA processing of the subroutine 309 is used for the position information of the first shot area used for positioning of the wafer stage WST at this time.

そして、ステップ313では、EGA処理(図4のステップ417或いはステップ419)にて算出された露光対象領域の配列座標に基づいて、ウエハWの位置がウエハW上の露光対象領域を露光するための加速開始位置となるようにウエハステージWSTを移動させるとともに、レチクルRの位置が加速開始位置となるように、レチクルステージRSTを移動させる。   In step 313, the position of the wafer W is used to expose the exposure target area on the wafer W based on the alignment coordinates of the exposure target area calculated in the EGA process (step 417 or 419 in FIG. 4). Wafer stage WST is moved to the acceleration start position, and reticle stage RST is moved so that the position of reticle R is the acceleration start position.

そして、ステップ315では、レチクルステージRSTとウエハステージWSTの相対走査を開始する。そして両ステージがそれぞれの目標走査速度に達し、等速同期状態に達すると、照明系10からの照明光ILによってレチクルRのパターン領域が照明され始め、走査露光が開始される。そして、レチクルRのパターン領域の異なる領域が照明光ILで逐次照明され、パターン領域全面に対する照明が完了することにより走査露光が終了する。これにより、レチクルRのパターンが投影光学系PLを介してウエハW上の露光対象領域に縮小転写される。   In step 315, relative scanning of reticle stage RST and wafer stage WST is started. When both stages reach their respective target scanning speeds and reach a constant speed synchronization state, the pattern area of the reticle R starts to be illuminated by the illumination light IL from the illumination system 10, and scanning exposure is started. Then, different areas of the pattern area of the reticle R are sequentially illuminated with the illumination light IL, and the scanning exposure is completed when the illumination on the entire pattern area is completed. Thereby, the pattern of the reticle R is reduced and transferred to the exposure target area on the wafer W via the projection optical system PL.

ステップ317では、カウンタ値jを参照し、全てのショット領域に露光が行われたか否かを判断する。ここでは、j=1、すなわち、最初のショット領域に対して露光が行なわれたのみであるので、ステップ317での判断は否定され、ステップ319に移行する。   In step 317, with reference to the counter value j, it is determined whether or not exposure has been performed on all shot areas. Here, since j = 1, that is, only the first shot area has been exposed, the determination in step 317 is denied and the routine proceeds to step 319.

ステップ319では、カウンタjの値をインクリメント(+1)して、次のショット領域を露光対象領域とし、ステップ313に戻る。   In step 319, the value of the counter j is incremented (+1), the next shot area is set as the exposure target area, and the process returns to step 313.

以下、ステップ317での判断が肯定されるまで、ステップ313→ステップ315→ステップ317→ステップ319の処理、判断が繰り返される。   Thereafter, the processing and determination of step 313 → step 315 → step 317 → step 319 are repeated until the determination in step 317 is affirmed.

ウエハW上の全てのショット領域へのパターンの転写が終了すると、ステップ317での判断が肯定され、ステップ321に移行する。   When the transfer of the pattern to all the shot areas on the wafer W is completed, the determination in step 317 is affirmed, and the process proceeds to step 321.

ステップ321では、不図示のウエハローダにウエハWのアンロードを指示する。これにより、ウエハWは、不図示のウエハローダにより、ウエハホルダ25上からアンロードされた後、不図示のウエハ搬送系により、露光装置100にインラインにて接続されている不図示のコータ・デベロッパに搬送される。これにより、露光処理動作が終了する。   In step 321, a wafer loader (not shown) is instructed to unload the wafer W. As a result, the wafer W is unloaded from the wafer holder 25 by a wafer loader (not shown) and then transferred to a coater / developer (not shown) connected inline to the exposure apparatus 100 by a wafer transfer system (not shown). Is done. Thereby, the exposure processing operation ends.

なお、さらに他のウエハを露光する場合には、ステップ307から処理を繰り返せば良い。   If another wafer is to be exposed, the processing from step 307 may be repeated.

これまでの説明から明らかなように、本第1の実施形態では、主制御装置20が、本発明の最適化装置の作成装置、演算装置、及び決定装置に対応している。すなわち、主制御装置20のCPUが行う、ステップ405及びステップ407(図4)の処理によって作成装置の機能が実現され、ステップ409(図4)の処理によって演算装置の機能が実現され、ステップ413〜ステップ419(図4)の処理によって決定装置の機能が実現されている。しかしながら、本発明がこれに限定されるものではないことは勿論である。   As is apparent from the above description, in the first embodiment, the main control device 20 corresponds to the optimization device creation device, arithmetic device, and determination device of the present invention. That is, the function of the creation device is realized by the processing of Step 405 and Step 407 (FIG. 4) performed by the CPU of the main control device 20, and the function of the arithmetic device is realized by the processing of Step 409 (FIG. 4). The function of the determination device is realized by the processing in step 419 (FIG. 4). However, it goes without saying that the present invention is not limited to this.

以上詳細に説明したように、本第1の実施形態によれば、ステップ405において、EGA処理に用いられるEGA計測ショット領域の候補の中から、EGA計測ショット領域の候補の組合せを複数作成して、各組合せについてそれぞれEGA計算を行う。そして、ステップ407において、予想跳びショット数(r)分除いた組合せ(Nr)分作成される補正量ベクトルのベクトルマップと、ステップ403において作成された参照データ群としての補正量ベクトルの基準ベクトルマップとの相関係数を、ベクトル相関演算により算出する。さらに、ステップ413〜ステップ419において、算出された相関値に基づいて、EGA処理に用いられるEGA計測ショット領域の組合せを決定し、決定された組合せに基づいてショット領域SApのステージ座標系上の配列座標を算出する。 As described above in detail, according to the first embodiment, in Step 405, a plurality of combinations of EGA measurement shot area candidates are created from the EGA measurement shot area candidates used for EGA processing. The EGA calculation is performed for each combination. In step 407, a vector map of correction amount vectors created for combinations ( N C r ) excluding the number of expected jump shots (r), and a reference for correction amount vectors as reference data groups created in step 403 A correlation coefficient with the vector map is calculated by vector correlation calculation. Further, in step 413 to step 419, a combination of EGA measurement shot areas used for EGA processing is determined based on the calculated correlation value, and the shot area SA p on the stage coordinate system is determined based on the determined combination. Calculate array coordinates.

すなわち、本第1の実施形態では、ステップ403において、リジェクトすべきEGA計測ショット領域を含むすべてのEGA計測ショット領域を用いてEGA処理を行ったときに得られる基準ベクトルマップと、ステップ409において、予想跳びショット数分除いた組合せ分のベクトルマップとの相関情報に基づいて、EGA処理の処理結果を良好なものとするEGA計測ショット領域の組合せを決定することがができる。したがって、決定されたEGA計測ショット領域の組合せを用いてEGA処理を実行すれば、EGA処理の処理結果を良好なものとすることができる。すなわち、本第1の実施形態によれば、EGA処理に用いられるデータ(EGA計測ショット領域の位置情報)の選択を最適化することができる。   That is, in the first embodiment, in step 403, a reference vector map obtained when EGA processing is performed using all EGA measurement shot areas including the EGA measurement shot area to be rejected, and in step 409, Based on the correlation information with the vector map for the combination excluding the number of expected jump shots, the combination of EGA measurement shot areas that makes the processing result of the EGA processing good can be determined. Therefore, if the EGA processing is executed using the determined combination of EGA measurement shot areas, the processing result of the EGA processing can be improved. That is, according to the first embodiment, it is possible to optimize selection of data (EGA measurement shot area position information) used for EGA processing.

なお、ステップ411で、複数の組合せが抽出された場合には、ステップ417においては、抽出された組合せの中から、残留誤差(フィッティング誤差)が最も小さい組合せを選択すれば良い。   If a plurality of combinations are extracted in step 411, in step 417, a combination having the smallest residual error (fitting error) may be selected from the extracted combinations.

また、本第1の実施形態では、ステップ411において、ステップ409で求められた相関係数CV0の値が所定の閾値よりも低い組合せを抽出したが、本発明はこれに限定されるものではなく、相関係数CV0の値が最も低い組合せを抽出するようにしても良い。 Further, in the first embodiment, in step 411, a combination in which the value of the correlation coefficient C V0 obtained in step 409 is lower than a predetermined threshold is extracted. However, the present invention is not limited to this. Alternatively, the combination having the lowest correlation coefficient C V0 may be extracted.

また、ステップ411の代わりに、式(5)で示される共分散(内積和)ρV0の値が最も小さい組合せを選択し、その組合せ作成時に除外されたショット領域を跳びショット領域とするようにしても良い。 Further, instead of step 411, the combination having the smallest value of the covariance (sum of inner products) ρ V0 represented by the equation (5) is selected, and the shot area excluded at the time of creating the combination is set as the jump shot area. May be.

また、本第1の実施形態では、上記式(3)、式(4)、式(5)、式(6)を用いてベクトルマップの標準偏差、共分散(内積和)、相関係数を算出したが、これらの代わりに、以下の式(7)、式(8)、式(9)(式(10))、式(11)を用いても良い。   In the first embodiment, the standard deviation, covariance (sum of inner products), and correlation coefficient of the vector map are calculated using the above equations (3), (4), (5), and (6). Although calculated, the following formula (7), formula (8), formula (9) (formula (10)), and formula (11) may be used instead.

Figure 2005064369
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Figure 2005064369
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Figure 2005064369
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ただし、Φは、次式で示される。   However, (PHI) is shown by following Formula.

Figure 2005064369
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Figure 2005064369
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すなわち、上記式(7)、式(8)は、補正量ベクトルの平均値によって規格化されたベクトルマップの標準偏差であり、式(9)は、補正量ベクトルの平均値によって規格化された基準ベクトルマップと各組合せの共分散(内積和)であり、式(11)は、それら規格化された標準偏差、共分散に基づく相関係数である。   That is, the above formulas (7) and (8) are standard deviations of the vector map standardized by the average value of the correction amount vector, and the formula (9) is standardized by the average value of the correction amount vector. The reference vector map and the covariance (sum of inner products) of each combination. Equation (11) is a correlation coefficient based on the standard deviation and covariance that are standardized.

また、本第1の実施形態では、ベクトル相関演算によって、ベクトルマップ同士の相関性を求めたが、EGA処理の結果得られる補正量を、ベクトルではなく、各軸のスカラ量とみなし、以下に示すスカラ相関演算により、スカラ量のデータ群、すなわちスカラマップ同士の相関性を求め、EGA計測ショット領域を最適化するようにしても良い。   In the first embodiment, the correlation between the vector maps is obtained by the vector correlation calculation. However, the correction amount obtained as a result of the EGA processing is regarded as a scalar amount of each axis instead of a vector. The EGA measurement shot area may be optimized by obtaining the correlation between the scalar quantity data groups, that is, the scalar maps, by the scalar correlation calculation shown.

Figure 2005064369
Figure 2005064369

Figure 2005064369
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ここで、σT0、σS0は、標準偏差であり、上記式(3)、式(4)を用いて算出する値と同じ値を用いることができる。 Here, σ T0 and σ S0 are standard deviations, and the same values as those calculated using the above formulas (3) and (4) can be used.

このように、本第1の実施形態では、EGA処理の結果得られるデータ(第2データ)を、ベクトルとみなし、ベクトル相関演算により、最適化処理を行っても良いし、そのデータをあくまでスカラ量とみなして、スカラ相関演算により、最適化処理を行っても良い。   As described above, in the first embodiment, the data (second data) obtained as a result of the EGA process may be regarded as a vector, and the optimization process may be performed by a vector correlation operation. It may be regarded as a quantity, and optimization processing may be performed by scalar correlation calculation.

また、本第1の実施形態では、リジェクトするショット領域の数を固定としたが、これには限らず、リジェクトするショット領域を順次変更して、図4のステップ401〜ステップ419の処理を繰り返し実行し、結果的に、最も残留誤差が少なかったショット領域の組合せを、EGA計測ショット領域の組合せとして採用するようにしても良い。   In the first embodiment, the number of shot areas to be rejected is fixed. However, the present invention is not limited to this, and the processes of steps 401 to 419 in FIG. 4 are repeated by sequentially changing the shot areas to be rejected. As a result, a combination of shot areas with the least residual error may be adopted as a combination of EGA measurement shot areas.

《第2の実施形態》
次に、本発明の第2の実施形態を図7に基づいて説明する。この第2の実施形態では、本発明に係る最適化方法、及び露光方法が、前述の第1の実施形態と同一若しくは同等の露光装置を用いて行われる。したがって、以下においては、重複記載を防止する観点から、これらの装置及びそれぞれの構成各部については第1の実施形態と同一の符号を用いるとともに、上記第1の実施形態と処理内容が異なる、図7に示されるサブルーチン309のEGA処理についてのみ説明する。
<< Second Embodiment >>
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the second embodiment, the optimization method and the exposure method according to the present invention are performed using the same or equivalent exposure apparatus as that of the first embodiment. Therefore, in the following, from the viewpoint of preventing repeated description, the same reference numerals as those in the first embodiment are used for these devices and the respective components, and the processing contents are different from those in the first embodiment. Only the EGA processing of the subroutine 309 shown in FIG.

なお、本第2の実施形態においても、EGA計測ショット領域の候補を、図2(A)に示される、ショット領域SA5,SA6,SA12,SA13,SA39,SA40,SA46,SA47とする。なお、本第2の実施形態では、このEGA計測ショット領域の候補の中から、予め跳びショット領域となりやすいショット領域と、そうでないショット領域とが、統計的又は経験的に求められており、上述したEGA計測ショット領域が、跳びショット領域となりにくい順に、それぞれG1,G2,G3,G4,G5,G6,G7,G8とされているものとする。 Also in the second embodiment, EGA measurement shot area candidates are shot areas SA 5 , SA 6 , SA 12 , SA 13 , SA 39 , SA 40 , SA 46 shown in FIG. , SA 47 . In the second embodiment, a shot area that is likely to be a jump shot area and a shot area that is not likely to be a jump shot area are determined statistically or empirically from the EGA measurement shot area candidates. It is assumed that the EGA measurement shot areas are G 1 , G 2 , G 3 , G 4 , G 5 , G 6 , G 7 , and G 8 , respectively, in the order in which the EGA measurement shot areas are less likely to become jump shot areas.

サブルーチン309では、図7に示されるように、まず、ステップ701において、マークの計測を行う。ここでは、まず、記憶装置から、1番目のEGA計測ショット領域、すなわちショット領域G1に関する情報、例えば設計上の位置情報を読み出し、その情報にもとづいて、1番目のEGA計測ショット領域G1に付設されたウエハXマークMXp、ウエハYマークMYpが、アライメント検出系ASの検出視野に位置するように、ウエハステージWSTを移動させる。そして、アライメント検出系ASから送られた検出結果(例えばそれらのマークを含む周辺の画像データに対応する信号)及び検出時のウエハ干渉計の計測値に基づいて、ステージ座標系上の位置座標の計測値を得る。さらに、例えば、前述の検出結果としての画像データに対する、テンプレートマッチングや、所定幅のウインドウの走査による鏡映対称性等の評価やその他の適切な検出処理(画像処理)等により、画像データ中におけるそれらのマークの位置情報を求め、その位置情報と、前述のウエハ干渉計18の計測値から、ウエハXマークMXp、ウエハYマークMYpのステージ座標系上の位置(計測値)を求める。次に、ステップ703において、(指定数−1)個以上のショット領域のマーク計測を行ったか否かを判断する。その判断が肯定されればステップ705に進み、判断が否定されれば、ステップ701に戻る。ここでは、まだ1番目のEGA計測ショット領域G1に付設されたマークが計測されただけなので、判断は否定され、ステップ701に戻る。 In the subroutine 309, as shown in FIG. 7, first, in step 701, a mark is measured. Here, first, from the storage device, the first EGA measurement shot area, that information on the shot area G 1, for example, reads the position information on the design, based on the information in the first EGA measurement shot area G 1 Wafer stage WST is moved so that attached wafer X mark MX p and wafer Y mark MY p are positioned in the detection field of alignment detection system AS. Based on the detection result sent from the alignment detection system AS (for example, a signal corresponding to peripheral image data including those marks) and the measurement value of the wafer interferometer at the time of detection, the position coordinate on the stage coordinate system Get the measured value. Furthermore, for example, by template matching, evaluation of mirror image symmetry by scanning a window with a predetermined width, and other appropriate detection processing (image processing) with respect to the image data as the detection result described above, The position information of these marks is obtained, and the position (measurement value) of the wafer X mark MX p and wafer Y mark MY p on the stage coordinate system is obtained from the position information and the measurement value of the wafer interferometer 18 described above. Next, in step 703, it is determined whether or not mark measurement of (specified number-1) or more shot areas has been performed. If the determination is affirmative, the process proceeds to step 705, and if the determination is negative, the process returns to step 701. Here, since only the mark attached to the first EGA measurement shot area G 1 has been measured, the determination is denied and the processing returns to step 701.

以降、ステップ703において、判断が肯定されるまで、すなわち(指定数−1)個以上のショット領域(G2,G3,…)のマーク計測が行われるまで、ステップ701→ステップ703の処理が繰り返し実行される。 Thereafter, in step 703, the process from step 701 to step 703 is performed until the determination is affirmed, that is, until mark measurement of (specified number −1) or more shot areas (G 2 , G 3 ,...) Is performed. Repeatedly executed.

(指定数−1)個のマーク計測が完了し、ステップ703において判断が肯定されると、ステップ705に進み、いままで計測されたショット領域のマークの位置情報に基づいて、EGA計算を行い、そのときの上記式(2)の評価関数Eを最小とするようなパラメータa、b、c、d、e、fの値を求める。そして、求められたパラメータa、b、c、d、e、fの値に基づいて各EGA計測ショット領域の候補G1〜G8におけるステージ座標系の位置座標の補正量を求め、補正量ベクトルのベクトルマップを作成する。作成されたベクトルマップは、記憶装置に記憶される。 When the measurement of (specified number-1) marks is completed and the determination in step 703 is affirmative, the process proceeds to step 705, where EGA calculation is performed based on the mark position information of the shot area measured so far. The values of the parameters a, b, c, d, e, and f that minimize the evaluation function E of the above formula (2) at that time are obtained. Then, based on the values of the obtained parameters a, b, c, d, e, and f, the correction amount of the position coordinate in the stage coordinate system in each of the EGA measurement shot region candidates G 1 to G 8 is determined, and the correction amount vector Create a vector map of The created vector map is stored in the storage device.

次のステップ707では、さらに、まだ計測されていない1つのEGA計測ショット領域の候補に付設されたマークを計測し、ステップ709では、そのマークの計測値も含め今まで計測したショット領域のマークの計測値を用いて、改めてEGA計算を行い、そのときのベクトルマップを作成する。ここで作成されたベクトルマップも記憶装置に記憶される。なお、ステップ705で作成したベクトルマップを「前回のベクトルマップ」とし、このステップ709で作成されたベクトルマップを「今回のベクトルマップ」と呼ぶこととする。   In the next step 707, the mark attached to one EGA measurement shot area candidate that has not yet been measured is measured, and in step 709, the mark of the shot area that has been measured so far, including the measurement value of the mark, is measured. The EGA calculation is performed again using the measurement values, and a vector map at that time is created. The vector map created here is also stored in the storage device. The vector map created in step 705 is referred to as “previous vector map”, and the vector map created in step 709 is referred to as “current vector map”.

次のステップ711において、今回のベクトルマップと、前回のベクトルマップとの相関値を算出する。ここでは、上記第1の実施形態と同様に、式(3)、式(4)、式(5)を計算して、今回のベクトルマップの標準偏差σS0、前回のベクトルマップの標準偏差σT0、ベクトルマップ間の共分散ρV0を求め、最終的に、式(6)を用いて各ベクトルマップの相関係数CV0を算出する。 In the next step 711, a correlation value between the current vector map and the previous vector map is calculated. Here, as in the first embodiment, the equations (3), (4), and (5) are calculated, and the standard deviation σ S0 of the current vector map and the standard deviation σ of the previous vector map are calculated. The covariance ρ V0 between T0 and the vector map is obtained, and finally the correlation coefficient C V0 of each vector map is calculated using the equation (6).

次のステップ713では、ステップ711において算出された相関係数CV0が、指定上限値(第1閾値)以上であるか否かを判断する。もし、この相関係数CV0が高ければ、それは、前回のベクトルマップと今回のベクトルマップにほとんど変化が見られず、もうこれ以上計測点数を増やしても、EGA処理の処理結果に変化がないことを示している。したがって、その判断が肯定されれば、現在計測されているEGA計測ショット領域だけでEGA処理を行い、配列座標を算出するステップ725に進み、判断が否定されれば、新たに計測されたEGA計測ショット領域のマークを、EGA処理に用いるのか否かを判断する必要があるので、ステップ715に進む。ここでは、まだ、相関係数CV0が上限値以上でなく、ステップ715に進むものとして話を進める。 In the next step 713, it is determined whether or not the correlation coefficient C V0 calculated in step 711 is greater than or equal to a specified upper limit value (first threshold value). If the correlation coefficient C V0 is high, it indicates that there is almost no change in the previous vector map and the current vector map, and the processing result of the EGA processing does not change even if the number of measurement points is increased further. It is shown that. Therefore, if the determination is affirmed, the EGA process is performed only on the currently measured EGA measurement shot area, and the process proceeds to step 725 to calculate the array coordinates. If the determination is negative, the newly measured EGA measurement is performed. Since it is necessary to determine whether or not the mark in the shot area is used for EGA processing, the process proceeds to step 715. Here, the description will be continued on the assumption that the correlation coefficient C V0 is not equal to or higher than the upper limit value and proceeds to step 715.

次のステップ715では、相関係数CV0が、指定下限値(第2閾値)以下であるか否かを判断する。ここで、その判断が否定された場合、すなわち、相関係数CV0が、指定下限値以下でないと判断された場合には、今回計測されたショット領域のマークを加えた場合に生じるベクトルマップの変化が、度を越えたものではないので、その今回計測されたマークが、跳びショット領域のマークではないと判断することができる。したがって、ここでの判断が否定された場合には、ステップ721に進み、ステップ721では、今回計測したEGA計測ショット領域(カレントショット領域)を、リジェクトしない(すなわちEGA処理に使用する)ことを決定し、さらにステップ723に進む。 In the next step 715, it is determined whether or not the correlation coefficient C V0 is equal to or less than a specified lower limit value (second threshold value). Here, when the determination is negative, that is, when it is determined that the correlation coefficient C V0 is not less than the specified lower limit value, the vector map generated when the mark of the shot area measured this time is added. Since the change does not exceed the degree, it can be determined that the mark measured this time is not a jump shot area mark. Therefore, if the determination is negative, the process proceeds to step 721, where it is determined that the EGA measurement shot area (current shot area) measured this time is not rejected (that is, used for EGA processing). Then, the process proceeds to step 723.

一方、ステップ715において、判断が肯定され、相関係数CV0が、指定下限値以下であると判断された場合には、今回計測されたマークを加えた場合に生じるベクトルマップの変化が、度を越えた大きいものであると判断することができる。したがって、今回計測されたショット領域(カレントショット領域)のマークは、跳びショット領域のマークである可能性が高いので、そのときには、ステップ717に進む。ここでは、相関係数CV0が、指定下限値以下であり、ステップ717に進むものとして話を進める。 On the other hand, if the determination in step 715 is affirmative and the correlation coefficient C V0 is determined to be equal to or less than the specified lower limit value, the change in the vector map that occurs when the mark measured this time is added is It can be judged that it is a large one that exceeds. Accordingly, since the mark of the shot area (current shot area) measured this time is highly likely to be a mark of the jump shot area, the process proceeds to step 717 at that time. Here, the description will proceed assuming that the correlation coefficient C V0 is equal to or less than the specified lower limit value and the process proceeds to step 717.

次のステップ717では、EGA処理の精度指標としての残留誤差が、前回のEGA計測ショット領域の組合せにおけるEGA処理より、増加しているか否かを判断する。ここでも、残留誤差としては、上記第1の実施形態と同様に、上記式(2)に示すフィッティング残差を用いることができる。すなわち、ここでは、今回計測されたEGA計測ショット領域(カレントショット領域)のマークをEGA処理に用いるマークとして用いることにより、残留誤差が増加していれば、ステップ719に進み、ステップ719において、今回のステップ707において計測されたマークをEGA処理に使用せず、カレントショット領域をリジェクトする。逆に、今回計測されたEGA計測ショット領域のマークをEGA処理に用いるマークとして用いることにより、残留誤差が減少していれば、精度指標が良好なものになっているとして、ステップ721において、今回ステップ707において計測対象となったショット領域(カレントショット領域)をEGA計測ショット領域として使用することを決定する。   In the next step 717, it is determined whether or not the residual error as the accuracy index of the EGA processing is increased from the EGA processing in the previous combination of EGA measurement shot areas. Again, as the residual error, the fitting residual shown in the above equation (2) can be used as in the first embodiment. That is, here, if the residual error is increased by using the mark of the EGA measurement shot area (current shot area) measured this time as a mark used for EGA processing, the process proceeds to step 719, and in step 719, The current shot area is rejected without using the mark measured in step 707 in the EGA processing. On the contrary, if the residual error is reduced by using the mark of the EGA measurement shot area measured this time as a mark used for the EGA processing, the accuracy index is good in step 721. In step 707, it is determined that the shot area (current shot area) to be measured is used as the EGA measurement shot area.

ステップ719又はステップ721実行後、ステップ723に進む。ステップ723では、ショット領域のマークの計測を、指定数分実行したか否かを判断する。判断が肯定されれば、ステップ725に進み、判断が否定されれば、ステップ707に戻る。ここでは、EGA計測ショット領域の候補として8つのショット領域G1〜G8が選択されているので、上記指定数は8となり、計測されたショット領域の数が8を超えているか否かが判断基準となる。ここでは、計測したショット領域の数がまだ8に達しておらず、ステップ707に戻るものとして話を進める。 After executing step 719 or step 721, the process proceeds to step 723. In step 723, it is determined whether or not the shot area mark measurement has been executed for the designated number. If the determination is positive, the process proceeds to step 725, and if the determination is negative, the process returns to step 707. Here, since eight shot areas G 1 to G 8 are selected as candidates for the EGA measurement shot area, the specified number is 8, and it is determined whether or not the number of measured shot areas exceeds 8. The standard. Here, the number of shot areas that have been measured has not yet reached 8, and the description will be continued assuming that the process returns to step 707.

以降、指定数分のショット領域が計測されてステップ723又はステップ713において判断が肯定されるまで、ステップ707→ステップ709→ステップ711→ステップ713→ステップ715→ステップ717(ステップ715の判断によっては実行されない場合もある)→ステップ719(又はステップ721)→ステップ723の処理が繰り返される。   Thereafter, until the designated number of shot areas are measured and the determination in step 723 or step 713 is affirmed, step 707 → step 709 → step 711 → step 713 → step 715 → step 717 (executed depending on the determination in step 715) The process of step 719 (or step 721) → step 723 is repeated.

ステップ723で判断が肯定されるか、ステップ713において判断が肯定されると、ステップ725に進む。ステップ725では、すべてのEGA計測ショット領域の候補について、ステップ709又はステップ705において既に求められているEGAパラメータa、b、c、d、e、fに基づいて、ウエハW上の全てのショット領域のステージ座標系上における配列座標を算出する。ステップ725終了後、サブルーチン309の処理を終了する。   If the determination is affirmative in step 723 or the determination is affirmative in step 713, the process proceeds to step 725. In step 725, all shot areas on the wafer W are determined based on the EGA parameters a, b, c, d, e, and f already obtained in step 709 or step 705 for all EGA measurement shot area candidates. The arrangement coordinates on the stage coordinate system are calculated. After step 725 ends, the process of subroutine 309 ends.

これまでの説明から明らかなように、本第2の実施形態では、主制御装置20が、本発明の最適化装置の作成装置、演算装置、及び追加装置に対応している。すなわち、主制御装置20のCPUが行う、図7のステップ701〜ステップ709の処理によって、作成装置の機能が実現され、ステップ711の処理によって演算装置の機能が実現され、ステップ713〜ステップ723の処理によって、追加装置の機能が実現されている。しかしながら、本発明がこれに限定されるものではないことは勿論である。   As is apparent from the above description, in the second embodiment, the main control device 20 corresponds to the optimization device creation device, arithmetic device, and additional device of the present invention. That is, the function of the creation device is realized by the processing of Step 701 to Step 709 in FIG. 7 performed by the CPU of the main control device 20, the function of the arithmetic device is realized by the processing of Step 711, and Steps 713 to 723 are performed. By the processing, the function of the additional device is realized. However, it goes without saying that the present invention is not limited to this.

本第2の実施形態によれば、ステップ707、ステップ709において、EGA計測ショット領域の組合せに、EGA計測ショット領域の候補を追加することにより、EGA計測ショット領域の仮の組合せを作成する。そして、ステップ711において、そのEGA計測ショット領域の候補を追加する前の補正量のベクトルマップと、追加した後でのEGA計測ショット領域の仮の組合せでの補正量のベクトルマップとの相関度を示す相関情報としての相関係数CV0を算出する。 According to the second embodiment, in Step 707 and Step 709, a temporary combination of EGA measurement shot areas is created by adding EGA measurement shot area candidates to the combination of EGA measurement shot areas. In step 711, the degree of correlation between the correction amount vector map before the addition of the EGA measurement shot area candidate and the correction amount vector map of the provisional combination of the EGA measurement shot area after the addition is calculated. A correlation coefficient C V0 is calculated as correlation information to be shown.

さらに、ステップ721において、算出された相関係数CV0が所定の条件を満たす場合、又はEGAの処理結果の精度指標である残留誤差の値が増加していない場合には、そのEGA計測ショット領域の候補を、EGA計測ショット領域の組合せに追加する。このようにすれば、その相関係数CV0等に基づいて、跳びショット領域を、EGA計測ショット領域の組合せに加えないようにすることができるとともに、EGA計測ショット領域の候補を1つずつ跳びショット領域であるか否かを判定していくようになるため、EGA処理に用いるEGA計測ショット領域の数も、最適化することができるようになる。 In step 721, if the calculated correlation coefficient C V0 satisfies a predetermined condition, or if the residual error value that is an accuracy index of the EGA processing result has not increased, the EGA measurement shot area Are added to the combination of EGA measurement shot areas. In this way, the jump shot area can be prevented from being added to the combination of EGA measurement shot areas based on the correlation coefficient C V0 and the like, and the EGA measurement shot area candidates can be jumped one by one. Since it is determined whether or not it is a shot area, the number of EGA measurement shot areas used for EGA processing can also be optimized.

なお、本第2の実施形態においても、上記第1の実施形態と同様に、上記式(3)、式(4)、式(5)、式(6)を用いてベクトルマップの標準偏差、共分散(内積和)、相関係数を算出したが、それらの式の代わりに、上記式(7)、式(8)、式(9)(式(10))、式(11)を用いても良い。すなわち、上記(7)、式(8)、式(9)(式(10))、式(11)は、補正量ベクトルの平均値によって規格化されたベクトルマップの標準偏差、共分散(内積和)、相関係数である。   In the second embodiment, as in the first embodiment, the standard deviation of the vector map using the above formula (3), formula (4), formula (5), and formula (6), Covariance (sum of inner products) and correlation coefficient were calculated, but instead of these equations, the above equation (7), equation (8), equation (9) (equation (10)), and equation (11) were used. May be. That is, the above (7), formula (8), formula (9) (formula (10)), and formula (11) are the standard deviation and covariance (inner product) of the vector map normalized by the average value of the correction amount vectors. Sum), the correlation coefficient.

また、本第2の実施形態では、ベクトル相関演算によって、ベクトルマップの相関性を求めたが、上記第1の実施形態と同様に、スカラ相関演算により、相関性を求めるようにしても良い。すなわち、本第2の実施形態では、EGA処理によって得られる補正量のデータを、ベクトルとみなし、ベクトル相関演算により、最適化処理を行っても良いし、そのデータをあくまでスカラ量とみなして、スカラ相関演算により、最適化処理を行っても良い。   Further, in the second embodiment, the correlation of the vector map is obtained by the vector correlation calculation. However, the correlation may be obtained by the scalar correlation calculation as in the first embodiment. That is, in the second embodiment, the correction amount data obtained by the EGA process may be regarded as a vector, and the optimization process may be performed by a vector correlation operation. The data may be regarded as a scalar amount to the last, Optimization processing may be performed by scalar correlation calculation.

また、本第2の実施形態では、ステップ701→ステップ703のループ処理において、EGA計算に必ず用いる所定数のショット領域に付設されたマークを計測するようにしたが、これらのマークをリジェクトした方が、残留誤差が減少する場合には、そのマークを、リジェクトするようにしても良い。   In the second embodiment, in the loop processing from step 701 to step 703, marks attached to a predetermined number of shot areas that are always used for EGA calculation are measured, but those marks are rejected. However, when the residual error decreases, the mark may be rejected.

なお、上記各実施形態では、各EGA計測ショット領域の補正量ベクトルの相関性を計算したが、これには限られず、補正後の各ショット領域におけるフィッティング残差ベクトルのベクトルマップ(又はスカラマップ)の相関性に基づいて、EGA計測ショット領域(の位置情報データ)の組合せの最適化を行っても構わない。   In each of the above embodiments, the correlation of the correction amount vector of each EGA measurement shot area is calculated. However, the present invention is not limited to this, and the vector map (or scalar map) of the fitting residual vector in each shot area after correction is calculated. The combination of EGA measurement shot areas (position information data thereof) may be optimized based on the correlation between the two.

また、上記各実施形態では、EGA計測ショット領域についての補正量の相関演算を行ったが、すべてのショット領域SA1〜SA51の補正量やフィッティング残差の相関性に基づいて、最適化を行っても良い。なお、すべてのショット領域のフィッティング誤差に基づいて最適化を行うためには、予めすべてのショット領域のステージ座標系上の位置を計測しておく必要がある。 Further, in each of the above embodiments, the correlation calculation of the correction amount for the EGA measurement shot region is performed. However, optimization is performed based on the correction amount of all the shot regions SA 1 to SA 51 and the correlation of the fitting residuals. You can go. In order to perform optimization based on the fitting errors of all shot areas, it is necessary to measure the positions of all shot areas on the stage coordinate system in advance.

さらに、上記各実施形態では、通常のEGA方式に適用する場合について説明を行ったが、例えば特開平5−304077号公報などに詳細に開示されるいわゆる重み付けEGA方式に本発明を適用することができるし、あるいは例えば特開平6−349705号公報などに開示されるいわゆるショット内多点EGA方式等に本発明を適用することもできる。   Further, in each of the above embodiments, the case where the present invention is applied to a normal EGA system has been described. However, the present invention can be applied to a so-called weighted EGA system disclosed in detail in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 5-304077. Alternatively, the present invention can be applied to a so-called in-shot multipoint EGA method disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 6-349705.

重み付けEGA方式では、ウエハ上の複数のショット領域のうち、予め選択された少なくとも3つのサンプルショット領域のステージ座標系上における位置座標を計測する。次いで、ウエハ上のショット領域毎に、該ショット領域(その中心点)とサンプルショット領域(その中心点)の各々との間の距離に応じて、あるいはショット領域とウエハ上で予め規定された所定の着目点との間の距離と、該着目点とサンプルショット領域の各々との間の距離とに応じて、サンプルショット領域のステージ座標系上における位置座標の各々に重み付けを行い、かつこの重み付けされた複数の位置座標を用いて統計演算(最小自乗法、又は単純な平均化処理等)を行うことにより、ウエハ上の複数のショット領域の各々のステージ座標系上における位置座標を決定する。そして、決定された位置座標に基づいて、ウエハ上に配列された複数のショット領域の各々を、ステージ座標系内の所定の基準位置に対して位置合わせをする。この重み付けEGA方式においても、本発明を適用することにより、跳びショット領域をリジェクトし、跳びショット領域以外のEGA計測ショット領域に関して重み付けEGAを行えば、さらなる重ね合わせ精度の高精度化が見込める。   In the weighted EGA method, position coordinates on a stage coordinate system of at least three sample shot areas selected in advance among a plurality of shot areas on a wafer are measured. Next, for each shot area on the wafer, a predetermined value that is defined in advance according to the distance between the shot area (its center point) and each of the sample shot areas (its center point) or on the shot area and the wafer. And weighting each of the position coordinates on the stage coordinate system of the sample shot area according to the distance between the target point and the distance between the target point and each of the sample shot areas. The position coordinates on the stage coordinate system of each of the plurality of shot areas on the wafer are determined by performing a statistical calculation (such as a least square method or a simple averaging process) using the plurality of position coordinates. Then, based on the determined position coordinates, each of a plurality of shot areas arranged on the wafer is aligned with a predetermined reference position in the stage coordinate system. Even in this weighted EGA method, by applying the present invention, if the jump shot area is rejected and the weighted EGA is performed on the EGA measurement shot area other than the jump shot area, it is possible to further improve the overlay accuracy.

また、ショット内多点EGA方式では、サンプルショット領域毎に複数のアライメントマークを検出してX、Y座標をそれぞれ複数個ずつ得るようにし、EGA方式で用いられるウエハの伸縮、回転等に対応するウエハパラメータの他に、ショット領域の回転誤差、直交度、及びスケーリングに対応するショットパラメータ(チップパラメータ)の少なくとも1つをパラメータとして含むモデル関数を用いて各ショット領域の位置情報、例えば座標値を算出する。そして、決定された位置座標に基づいて、ウエハ上に配列された複数のショット領域の各々を、ステージ座標系内の所定の基準位置に対して位置合わせをする。このショット内多点EGA方式においても、本発明の適用による、跳びショット領域の最適なリジェクトが、十分な効果を発揮する。この場合、アライメントマーク毎に最適なリジェクトが行える。   Further, in the shot multi-point EGA method, a plurality of alignment marks are detected for each sample shot region to obtain a plurality of X and Y coordinates, respectively, to cope with expansion / contraction, rotation, etc. of the wafer used in the EGA method. In addition to the wafer parameters, the position information of each shot area, for example, the coordinate value, is obtained using a model function including at least one of shot parameters (chip parameters) corresponding to rotation error, orthogonality, and scaling of the shot area. calculate. Then, based on the determined position coordinates, each of a plurality of shot areas arranged on the wafer is aligned with a predetermined reference position in the stage coordinate system. Even in this in-shot multipoint EGA method, the optimum rejection of the jump shot region by applying the present invention exhibits a sufficient effect. In this case, optimum rejection can be performed for each alignment mark.

また、特開平5−114545号公報等に開示されているような、2次のEGAに対しても、本発明を適用することができる。また、3次以上の高次EGAに対しても本発明を適用できる。   The present invention can also be applied to a secondary EGA as disclosed in JP-A-5-114545. In addition, the present invention can be applied to higher-order EGA of third or higher order.

さらに、上記各実施形態ではEGA方式の使用を前提としたが、いかなるアライメント方式(例えば、ダイ・バイ・ダイ(D/D)アライメント等)でも良いし、アライメントマークが各ショット領域に付設されていなくても良く、例えばウエハの周辺部に離散的に形成される複数のアライメントマークを用いても良い。   Furthermore, in the above embodiments, it is assumed that the EGA method is used. However, any alignment method (for example, die-by-die (D / D) alignment) may be used, and an alignment mark is attached to each shot area. For example, a plurality of alignment marks formed discretely around the periphery of the wafer may be used.

また、上記各実施形態ではEGA方式の使用を前提としたが、計測対象の候補となるアライメントマークの中から、計測対象となるアライメントマークを選択するアライメント方式であれば、いかなるアライメント方式でも本発明を適用することができる。例えば、国際公開公報WO98/39689に開示されているような、複数の回折次数光を検出できるようなアライメント方式にも適用することも可能である。   In each of the above embodiments, it is assumed that the EGA method is used. However, any alignment method may be used as long as the alignment method selects an alignment mark to be measured from alignment marks that are candidates for measurement. Can be applied. For example, the present invention can also be applied to an alignment system that can detect a plurality of diffraction order lights, as disclosed in International Publication No. WO98 / 39689.

また、上記各実施形態では、アライメント検出系ASとして、FIA方式のアライメントセンサを用いたが、前述したように、レーザ光をウエハW上の点列状のアライメントマークに照射し、そのマークにより回折又は散乱された光を用いてマーク位置を検出するLSA(Laser Step Alignment)方式のアライメントセンサや、そのアライメントセンサと上記FIA方式とを適宜組み合わせたアライメントセンサにも本発明を適用することは可能である。また、例えばコヒーレントな検出光を被検面のマークに照射し、そのマークから発生する2つの回折光(例えば同次数)を干渉させて検出するアライメントセンサを、単独で、あるいは上記FIA方式、LSA方式などと適宜組み合わせたアライメントセンサに本発明を適用することも勿論可能である。   In each of the above embodiments, the FIA type alignment sensor is used as the alignment detection system AS. However, as described above, the laser beam is irradiated onto the alignment mark in the form of dots on the wafer W and is diffracted by the mark. Alternatively, the present invention can be applied to an LSA (Laser Step Alignment) type alignment sensor that detects a mark position using scattered light, or an alignment sensor that appropriately combines the alignment sensor and the FIA method. is there. In addition, for example, an alignment sensor that irradiates a mark on the surface to be detected with a coherent detection light and causes two diffracted lights (for example, the same order) generated from the mark to interfere with each other is used alone, or the FIA method, the LSA. Of course, it is possible to apply the present invention to an alignment sensor appropriately combined with a method.

なお、アライメント検出系はオン・アクシス方式(例えばTTL(Through The Lens)方式など)でも良い。また、アライメント検出系は、アライメント検出系の検出視野内にアライメントマークをほぼ静止させた状態でその検出を行うものに限られるものではなく、アライメント検出系から照射される検出光とアライメントマークとを相対移動させる方式であっても良い(例えば前述のLSA系や、ホモダインLIA系など)。かかる検出光とアライメントマークとを相対移動させる方式の場合には、その相対移動方向を、前述の各アライメントマークを検出する際のウエハステージWSTの移動方向と同一方向とすることが望ましい。   The alignment detection system may be an on-axis method (for example, a TTL (Through The Lens) method). In addition, the alignment detection system is not limited to the one that detects the alignment mark in a state where the alignment mark is almost stationary in the detection visual field of the alignment detection system. Relative movement may be used (for example, the aforementioned LSA system or homodyne LIA system). In the case where the detection light and the alignment mark are moved relative to each other, it is desirable that the relative movement direction is the same as the movement direction of the wafer stage WST when detecting each of the alignment marks.

また、上記各実施形態では、EGAに本発明を適用したが、これには限られず、例えば、物体としてのウエハのフラットネス(平坦度)を計測する処理に対しても適用することが可能である。   In each of the above embodiments, the present invention is applied to EGA. However, the present invention is not limited to this. For example, the present invention can also be applied to processing for measuring the flatness (flatness) of a wafer as an object. is there.

例えば、まず、ウエハの表面上の異なる複数の計測点におけるウエハの表面高さを計測する。そして、すべての計測点i(i=1〜N)における計測値を用いて、最小二乗法等により、ウエハの近似曲面を求める。さらに、全計測点における近似曲線の高さを求め、それぞれの値をTiとする。そして、すべての計測点1〜Nの中から、任意の幾つかの計測点における計測値をリジェクトし、残りの計測点における計測値を用いて、改めて最小二乗法等により、ウエハの近似曲面を求め、各計測点iの近似曲面の高さSiを求める。 For example, first, the wafer surface height is measured at a plurality of different measurement points on the wafer surface. Then, an approximate curved surface of the wafer is obtained by the least square method or the like using measured values at all measurement points i (i = 1 to N). Further, determine the height of the approximate curve at all measurement points, the respective values with T i. Then, the measurement values at some arbitrary measurement points are rejected from all the measurement points 1 to N, and the approximate curved surface of the wafer is again obtained by the least square method or the like using the measurement values at the remaining measurement points. The height S i of the approximate curved surface of each measurement point i is obtained.

そして、以下の式(14)、式(15)を計算してスカラ相関演算を行い、相関係数CF0を求める。 Then, the following equations (14) and (15) are calculated to perform a scalar correlation operation to obtain a correlation coefficient C F0 .

Figure 2005064369
Figure 2005064369

Figure 2005064369
ここで、σT0、σS0は、各計測点iの各近似曲面の高さTi、Siの標準偏差である。
Figure 2005064369
Here, σ T0 and σ S0 are standard deviations of the heights T i and S i of each approximate curved surface at each measurement point i.

このようにすれば、精度が悪い計測点iの計測値を、ウエハのフラットネスを計測する処理から除外して、ウエハのフラットネスを示す曲面を求めることができる。したがって、この精度良く求められた曲面を参考にして、投影光学系PLに対するウエハのZ軸方向の位置を制御しつつ、パターンの転写を行えば、露光の高精度化を実現することが可能となる。   In this way, it is possible to obtain a curved surface showing the flatness of the wafer by excluding the measurement value of the measurement point i with low accuracy from the process of measuring the flatness of the wafer. Therefore, it is possible to achieve high exposure accuracy by transferring the pattern while controlling the position of the wafer in the Z-axis direction relative to the projection optical system PL with reference to the curved surface obtained with high accuracy. Become.

また、上記各実施形態では、本発明がステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置に適用された場合について説明したが、本発明の適用範囲がこれに限定されないのは勿論である。すなわち、ステップ・アンド・リピート方式、ステップ・アンド・スティッチ方式、ミラープロジェクション・アライナー、及びフォトリピータなどにも好適に適用することができる。さらに、投影光学系PLは、屈折系、反射屈折系、及び反射系のいずれでもよいし、縮小系、等倍系、及び拡大系のいずれでも良い。   In each of the above-described embodiments, the case where the present invention is applied to a step-and-scan type scanning exposure apparatus has been described. However, the scope of the present invention is not limited to this. That is, it can be suitably applied to a step-and-repeat method, a step-and-stitch method, a mirror projection aligner, a photo repeater, and the like. Further, the projection optical system PL may be any of a refraction system, a catadioptric system, and a reflection system, and may be any one of a reduction system, an equal magnification system, and an enlargement system.

さらに、本発明が適用される露光装置の光源は、KrFエキシマレーザやArFエキシマレーザ、F2レーザとしたが、他の真空紫外域のパルスレーザ光源であっても良い。この他、露光用照明光として、例えば、DFB半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム(又はエルビウムとイッテルビウムの両方)がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いても良い。 Further, although the light source of the exposure apparatus to which the present invention is applied is a KrF excimer laser, an ArF excimer laser, or an F 2 laser, other pulse laser light sources in the vacuum ultraviolet region may be used. In addition, as the illumination light for exposure, for example, a fiber doped with, for example, erbium (or both erbium and ytterbium) with a single wavelength laser beam oscillated from a DFB semiconductor laser or a fiber laser. Harmonics that are amplified by an amplifier and wavelength-converted to ultraviolet light using a nonlinear optical crystal may be used.

なお、複数のレンズから構成される照明光学系、投影光学系、並びにアライメント検出系ASを露光装置本体に組み込み、光学調整をするとともに、多数の機械部品からなるレチクルステージやウエハステージを露光装置本体に取り付けて配線や配管を接続し、更に総合調整(電気調整、動作確認等)をすることにより、上記各実施形態の露光装置を製造することができる。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。   An illumination optical system, a projection optical system, and an alignment detection system AS composed of a plurality of lenses are incorporated in the exposure apparatus main body, optically adjusted, and a reticle stage and wafer stage made up of a large number of mechanical parts are arranged in the exposure apparatus main body. The exposure apparatus according to each of the above-described embodiments can be manufactured by attaching wirings and pipes and performing general adjustment (electrical adjustment, operation check, etc.). The exposure apparatus is preferably manufactured in a clean room where the temperature, cleanliness, etc. are controlled.

なお、本発明は、半導体製造用の露光装置に限らず、液晶表示素子などを含むディスプレイの製造に用いられる、デバイスパターンをガラスプレート上に転写する露光装置、薄膜磁気ヘッドの製造に用いられるデバイスパターンをセラミックウエハ上に転写する露光装置、撮像素子(CCDなど)、有機EL、マイクロマシン及びDNAチップなどの製造に用いられる露光装置などにも適用することができる。また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、EUV露光装置、X線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用することができる。ここで、DUV(遠紫外)光やVUV(真空紫外)光などを用いる露光装置では一般的に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、ホタル石、フッ化マグネシウム、又は水晶などが用いられる。また、プロキシミティ方式のX線露光装置、又は電子線露光装置などでは透過型マスク(ステンシルマスク、メンブレンマスク)が用いられ、マスク基板としてはシリコンウエハなどが用いられる。   The present invention is not limited to an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor, but is used for manufacturing a display including a liquid crystal display element. An exposure apparatus for transferring a device pattern onto a glass plate and a device used for manufacturing a thin film magnetic head. The present invention can also be applied to an exposure apparatus that transfers a pattern onto a ceramic wafer, an exposure apparatus used for manufacturing an image sensor (CCD, etc.), an organic EL, a micromachine, and a DNA chip. Further, in order to manufacture reticles or masks used in not only microdevices such as semiconductor elements but also light exposure apparatuses, EUV exposure apparatuses, X-ray exposure apparatuses, electron beam exposure apparatuses, etc., glass substrates or silicon wafers, etc. The present invention can also be applied to an exposure apparatus that transfers a circuit pattern. Here, in an exposure apparatus using DUV (far ultraviolet) light, VUV (vacuum ultraviolet) light, or the like, a transmission type reticle is generally used. As a reticle substrate, quartz glass, fluorine-doped quartz glass, fluorite, Magnesium fluoride or quartz is used. Further, in a proximity type X-ray exposure apparatus or an electron beam exposure apparatus, a transmission mask (stencil mask, membrane mask) is used, and a silicon wafer or the like is used as a mask substrate.

また、本発明に係る最適化方法は、露光装置に限らず、物体上の複数のマークを順次検出し、それらのマークの検出結果を用いた所定の処理を行うものであれば、本発明を適用して同様の効果を得ることができる。   Further, the optimization method according to the present invention is not limited to the exposure apparatus, and the present invention is not limited to the present invention as long as a plurality of marks on the object are sequentially detected and a predetermined process using the detection results of these marks is performed. The same effect can be obtained by applying.

《デバイス製造方法》
次に、上述した露光装置100をリソグラフィ工程で使用したデバイスの製造方法の実施形態について説明する。
<Device manufacturing method>
Next, an embodiment of a device manufacturing method using the exposure apparatus 100 described above in a lithography process will be described.

図8には、デバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造例のフローチャートが示されている。図8に示されるように、まず、ステップ801(設計ステップ)において、デバイスの機能・性能設計(例えば、半導体デバイスの回路設計等)を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップ802(マスク製作ステップ)において、設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ803(ウエハ製造ステップ)において、シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。   FIG. 8 shows a flowchart of a manufacturing example of a device (a semiconductor chip such as an IC or LSI, a liquid crystal panel, a CCD, a thin film magnetic head, a micromachine, etc.). As shown in FIG. 8, first, in step 801 (design step), device function / performance design (for example, circuit design of a semiconductor device) is performed, and pattern design for realizing the function is performed. Subsequently, in step 802 (mask manufacturing step), a mask on which the designed circuit pattern is formed is manufactured. On the other hand, in step 803 (wafer manufacturing step), a wafer is manufactured using a material such as silicon.

次に、ステップ804(ウエハ処理ステップ)において、ステップ801〜ステップ803で用意したマスクとウエハを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によってウエハ上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップ805(デバイス組立てステップ)において、ステップ804で処理されたウエハを用いてデバイス組立てを行う。このステップ805には、ダイシング工程、ボンディング工程、及びパッケージング工程(チップ封入)等の工程が必要に応じて含まれる。   Next, in step 804 (wafer processing step), using the mask and wafer prepared in steps 801 to 803, an actual circuit or the like is formed on the wafer by lithography or the like, as will be described later. Next, in step 805 (device assembly step), device assembly is performed using the wafer processed in step 804. Step 805 includes processes such as a dicing process, a bonding process, and a packaging process (chip encapsulation) as necessary.

最後に、ステップ806(検査ステップ)において、ステップ805で作成されたデバイスの動作確認テスト、耐久テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にデバイスが完成し、これが出荷される。   Finally, in step 806 (inspection step), inspections such as an operation confirmation test and a durability test of the device created in step 805 are performed. After these steps, the device is completed and shipped.

図9には、半導体デバイスにおける、上記ステップ804の詳細なフロー例が示されている。図9において、ステップ811(酸化ステップ)においてはウエハの表面を酸化させる。ステップ812(CVDステップ)においてはウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ813(電極形成ステップ)においてはウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ814(イオン打ち込みステップ)においてはウエハにイオンを打ち込む。以上のステップ811〜ステップ814それぞれは、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。   FIG. 9 shows a detailed flow example of step 804 in the semiconductor device. In FIG. 9, in step 811 (oxidation step), the surface of the wafer is oxidized. In step 812 (CVD step), an insulating film is formed on the wafer surface. In step 813 (electrode formation step), an electrode is formed on the wafer by vapor deposition. In step 814 (ion implantation step), ions are implanted into the wafer. Each of the above steps 811 to 814 constitutes a pre-processing process in each stage of the wafer processing, and is selected and executed according to a necessary process in each stage.

ウエハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップ815(レジスト形成ステップ)において、ウエハに感光剤を塗布する。引き続き、ステップ816(露光ステップ)において、上記各実施形態の露光装置100を用いてマスクの回路パターンをウエハに転写する。次に、ステップ817(現像ステップ)においては露光されたウエハを現像し、ステップ818(エッチングステップ)において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップ819(レジスト除去ステップ)において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。   At each stage of the wafer process, when the above pre-process is completed, the post-process is executed as follows. In this post-processing process, first, in step 815 (resist formation step), a photosensitive agent is applied to the wafer. Subsequently, in step 816 (exposure step), the circuit pattern of the mask is transferred to the wafer using the exposure apparatus 100 of each of the above embodiments. Next, in step 817 (development step), the exposed wafer is developed, and in step 818 (etching step), the exposed member other than the portion where the resist remains is removed by etching. In step 819 (resist removal step), the resist that has become unnecessary after the etching is removed.

これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。   By repeatedly performing these pre-processing steps and post-processing steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer.

以上説明した本実施形態のデバイス製造方法を用いれば、露光工程(ステップ816)において上記各実施形態の露光装置100が用いられるので、高精度な露光を実現することができる。この結果、より高集積度のデバイスの生産することが可能になる。   If the device manufacturing method of this embodiment described above is used, the exposure apparatus 100 of each of the above embodiments is used in the exposure step (step 816), so that highly accurate exposure can be realized. As a result, it becomes possible to produce a device with a higher degree of integration.

以上説明したように、本発明の最適化方法及び装置、露光方法及び装置、プログラム及び情報記録媒体によれば、上述のEGA方式のアライメントのような所定の処理を最適化し、高精度な重ね合わせ露光をするのに適しており、また、本発明のデバイス製造方法は、マイクロデバイスの生産に適している。   As described above, according to the optimization method and apparatus, the exposure method and apparatus, the program, and the information recording medium of the present invention, it is possible to optimize predetermined processing such as the above-described EGA alignment and perform high-precision overlay. It is suitable for exposure, and the device manufacturing method of the present invention is suitable for the production of microdevices.

本発明の第1の実施形態に係る露光装置の概略構成を示す図である。1 is a view showing a schematic configuration of an exposure apparatus according to a first embodiment of the present invention. 図2(A)は、ウエハ上のショット領域の配置を示す図であり、図2(B)は、ウエハ上のアライメントマークの配置を示す図である。FIG. 2A is a diagram showing the arrangement of shot areas on the wafer, and FIG. 2B is a diagram showing the arrangement of alignment marks on the wafer. 本発明の第1の実施形態に係る露光装置における、露光処理の際の主制御装置のCPUの処理アルゴリズムを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the process algorithm of CPU of the main control apparatus in the case of the exposure process in the exposure apparatus which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1の実施形態におけるEGA処理のサブルーチンを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the subroutine of the EGA process in the 1st Embodiment of this invention. 図5(A)は、EGA計測ショット領域のすべての候補を用いてEGA処理を行った場合の基準ベクトルマップの一例を示す図であり、図5(B)は、所定数のショット領域をリジェクトしたときの残りのEGA計測ショット領域を用いてEGA処理を行った場合のベクトルマップの一例を示す図である。FIG. 5A is a diagram showing an example of a reference vector map when EGA processing is performed using all candidates of the EGA measurement shot area, and FIG. 5B rejects a predetermined number of shot areas. It is a figure which shows an example of the vector map at the time of performing an EGA process using the remaining EGA measurement shot area | region when it did. EGA計測ショット領域におけるベクトルの内積和を示す図である。It is a figure which shows the inner product sum of the vector in an EGA measurement shot area | region. 本発明の第2の実施形態におけるEGA処理のサブルーチンを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the subroutine of the EGA process in the 2nd Embodiment of this invention. 本発明に係るデバイス製造方法の実施形態を説明するためのフローチャートである。It is a flowchart for demonstrating embodiment of the device manufacturing method which concerns on this invention. 図8のステップ804の詳細を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the detail of step 804 of FIG.

符号の説明Explanation of symbols

20…主制御装置(最適化装置、作成装置、演算装置、決定装置、作成装置、追加装置)、100…露光装置、AS…アライメント検出系、MXp,MYp…アライメントマーク(マーク)、G1〜G8,SA1〜SA51…ショット領域、W…ウエハ(物体)、WST…ウエハステージ(移動体)。
20 ... main control unit (optimization apparatus, generating apparatus, computing device, determining device, creation device, additional devices), 100 ... exposure apparatus, AS ... alignment detection system, MX p, MY p ... alignment marks (marks), G 1 to G 8 , SA 1 to SA 51 ... Shot area, W... Wafer (object), WST... Wafer stage (moving body).

Claims (63)

所定の処理に用いられる複数のデータの選択を最適化する最適化方法であって、
複数の第1データの候補の中から、前記所定の処理に用いられる第1データの候補の組合せを複数作成する第1工程と;
前記作成された各組合せに含まれる第1データの候補を用いて前記所定の処理をそれぞれ行った場合に作成される複数の第2データから成るデータ群と、複数の参照データから成る参照データ群との相関度を示す相関情報を、所定の相関演算により算出する第2工程と;
前記算出された相関情報に基づいて、前記第1データの候補の複数の組合せの中から前記所定の処理に用いられる第1データの組合せを決定する第3工程と;を含む最適化方法。
An optimization method for optimizing selection of a plurality of data used for a predetermined process,
A first step of creating a plurality of combinations of first data candidates used for the predetermined process from among a plurality of first data candidates;
A data group composed of a plurality of second data and a reference data group composed of a plurality of reference data created when the predetermined processing is performed using the first data candidates included in each of the created combinations. A second step of calculating correlation information indicating a degree of correlation with a predetermined correlation calculation;
A third step of determining, based on the calculated correlation information, a first data combination to be used for the predetermined process from a plurality of combinations of the first data candidates.
前記所定の相関演算は、前記各第2データをベクトル量とみなして、前記相関情報を演算するベクトル相関演算であることを特徴とする請求項1に記載の最適化方法。   2. The optimization method according to claim 1, wherein the predetermined correlation calculation is a vector correlation calculation for calculating the correlation information by regarding each second data as a vector quantity. 前記所定の相関演算は、前記各第2データをスカラ量とみなして、前記相関情報を演算するスカラ相関演算であることを特徴とする請求項1に記載の最適化方法。   2. The optimization method according to claim 1, wherein the predetermined correlation calculation is a scalar correlation calculation for calculating the correlation information by regarding each second data as a scalar quantity. 前記第2工程に先立って、
前記複数の第1データの候補すべてを用いて前記所定の処理を行った場合に作成される複数の第2データから成るデータ群を作成する第4工程をさらに含み、
前記第2工程では、
前記第4工程で作成されたデータ群を、前記参照データ群として用いることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の最適化方法。
Prior to the second step,
A fourth step of creating a data group composed of a plurality of second data created when the predetermined processing is performed using all of the plurality of first data candidates;
In the second step,
The optimization method according to claim 1, wherein the data group created in the fourth step is used as the reference data group.
前記第3工程では、
所定の条件を満たす組合せがある場合には、その組合せを、前記所定の処理に用いられる複数の第1データの組合せとし、
前記所定の条件を満たす組合せがない場合には、前記複数の第1データの候補すべてを、前記所定の処理に用いる第1データとすることを特徴とする請求項4に記載の最適化方法。
In the third step,
When there is a combination that satisfies a predetermined condition, the combination is a combination of a plurality of first data used for the predetermined process,
5. The optimization method according to claim 4, wherein when there is no combination that satisfies the predetermined condition, all of the plurality of first data candidates are set as first data used for the predetermined process.
前記相関情報は、前記複数の第2データから成るデータ群と、前記参照データ群との相関係数を含むことを特徴とする請求項5に記載の最適化方法。   6. The optimization method according to claim 5, wherein the correlation information includes a correlation coefficient between the data group including the plurality of second data and the reference data group. 前記所定の条件は、
前記相関係数が所定の閾値よりも低いこと、を含むことを特徴とする請求項6に記載の最適化方法。
The predetermined condition is:
The optimization method according to claim 6, further comprising: the correlation coefficient being lower than a predetermined threshold.
前記所定の条件は、
前記第1工程で作成された複数の組合せの中で、前記第2工程において算出された相関係数が最も低い組合せであること、を含むことを特徴とする請求項6に記載の最適化方法。
The predetermined condition is:
The optimization method according to claim 6, comprising: a combination having a lowest correlation coefficient calculated in the second step among the plurality of combinations created in the first step. .
前記所定の条件は、
前記組合せに含まれる複数の第1データの候補を用いて前記所定の処理を行った場合の処理結果の精度指標が、前記複数の第1データの候補すべてを用いて前記所定の処理を行ったときの処理結果の精度指標よりも良好であること、をさらに含むことを特徴とする請求項7又は8に記載の最適化方法。
The predetermined condition is:
The accuracy index of the processing result when the predetermined processing is performed using a plurality of first data candidates included in the combination is performed using the plurality of first data candidates. The optimization method according to claim 7, further comprising: being better than the accuracy index of the processing result at the time.
前記相関係数は、前記第2データの平均値により、規格化された相関係数であることを特徴とする請求項6〜9のいずれか一項に記載の最適化方法。   The optimization method according to claim 6, wherein the correlation coefficient is a correlation coefficient normalized by an average value of the second data. 前記第1工程では、
前記複数の第1データのすべての候補から、所定数の第1データの候補を取り除くことによって、前記第1データの候補の組合せを複数作成することを特徴とする請求項1〜10のいずれか一項に記載の最適化方法。
In the first step,
11. A plurality of combinations of the first data candidates are created by removing a predetermined number of first data candidates from all of the plurality of first data candidates. The optimization method according to one item.
所定の処理に用いられる複数のデータの選択を最適化する最適化方法であって、
前記所定の処理に用いられる複数の第1データの組合せに、新たな第1データの候補を追加することにより、第1データの仮の組合せを作成する第1工程と;
前記作成された仮の組合せに含まれる第1データを用いて前記所定の処理を行った場合に作成される複数の第2データから成るデータ群と、前記第1データの候補を追加する前の前記第1データの組合せに含まれる第1データを用いて前記所定の処理を行った場合に作成される複数の第2データから成るデータ群との相関度を示す相関情報を、所定の相関演算により算出する第2工程と;
前記算出された相関情報に基づいて、所定の条件が満たされた場合には、前記第1データの候補を、前記第1データの組合せに追加する第3工程と;を含む最適化方法。
An optimization method for optimizing selection of a plurality of data used for a predetermined process,
A first step of creating a temporary combination of first data by adding new first data candidates to a plurality of first data combinations used in the predetermined process;
A data group consisting of a plurality of second data created when the predetermined processing is performed using the first data included in the created temporary combination, and before adding the candidate for the first data Correlation information indicating a degree of correlation with a data group composed of a plurality of second data created when the predetermined processing is performed using the first data included in the combination of the first data, and a predetermined correlation calculation A second step calculated by:
And a third step of adding a candidate for the first data to the combination of the first data when a predetermined condition is satisfied based on the calculated correlation information.
前記相関情報が示す値が、所定の値以上となるまで、前記第1工程と、前記第2工程と、前記第3工程とを繰り返し実行することを特徴とする請求項12に記載の最適化方法。   The optimization according to claim 12, wherein the first step, the second step, and the third step are repeatedly executed until a value indicated by the correlation information is equal to or greater than a predetermined value. Method. 前記所定の相関演算は、前記各第2データをベクトル量として、前記相関情報を演算するベクトル相関演算であることを特徴とする請求項12又は13に記載の最適化方法。   The optimization method according to claim 12 or 13, wherein the predetermined correlation calculation is a vector correlation calculation for calculating the correlation information using each second data as a vector quantity. 前記所定の相関演算は、前記各第2データをスカラ量として、前記相関情報を演算するスカラ相関演算であることを特徴とする請求項12又は13に記載の最適化方法。   14. The optimization method according to claim 12 or 13, wherein the predetermined correlation calculation is a scalar correlation calculation that calculates the correlation information using each second data as a scalar quantity. 前記相関情報は、
前記第1データの候補を追加する前の前記組合せに含まれる第1データを用いて前記所定の処理を行った場合に作成される複数の第2データから成るデータ群と、前記仮の組合せに含まれる第1データを用いて前記所定の処理を行った場合に作成される複数の第2データから成るデータ群との相関係数を含むことを特徴とする請求項12〜15のいずれか一項に記載の最適化方法。
The correlation information is
A data group composed of a plurality of second data created when the predetermined processing is performed using the first data included in the combination before adding the candidate for the first data, and the temporary combination The correlation coefficient with the data group which consists of several 2nd data produced when the said predetermined | prescribed process is performed using the included 1st data is included, The any one of Claims 12-15 characterized by the above-mentioned. The optimization method according to item.
前記所定の条件は、
前記第2工程で算出された相関係数が、第1閾値以上でないこと、を含むことを特徴とする請求項16に記載の最適化方法。
The predetermined condition is:
The optimization method according to claim 16, further comprising: the correlation coefficient calculated in the second step is not greater than or equal to a first threshold value.
前記所定の条件は、
前記第2工程で算出された相関係数が、前記第1閾値よりも小さい所定の第2閾値以下でないこと、をさらに含むことを特徴とする請求項17に記載の最適化方法。
The predetermined condition is:
The optimization method according to claim 17, further comprising: the correlation coefficient calculated in the second step is not less than or equal to a predetermined second threshold value smaller than the first threshold value.
前記所定の条件は、
前記作成された仮の組合せに含まれる第1データを用いて前記所定の処理を行った場合の処理結果の精度指標が、前記第1データの候補を追加する前の前記組合せに含まれる第1データを用いて前記所定の処理を行った場合の処理結果の精度指標よりも良好であること、をさらに含むことを特徴とする請求項17又は18に記載の最適化方法。
The predetermined condition is:
The accuracy index of the processing result when the predetermined processing is performed using the first data included in the created temporary combination is included in the first combination before adding the first data candidate. The optimization method according to claim 17, further comprising: being better than an accuracy index of a processing result when the predetermined processing is performed using data.
前記相関係数を、前記第2データの平均値により、規格化された相関係数とすることを特徴とする請求項16〜19のいずれか一項に記載の最適化方法。   The optimization method according to any one of claims 16 to 19, wherein the correlation coefficient is a correlation coefficient normalized by an average value of the second data. 前記所定の処理は、物体を載置する移動体の移動位置を規定する第1座標系と、前記物体上に形成された複数の領域の配列によって規定される第2座標系とのずれに関する複数の誤差情報を検出する処理であり、
前記複数の第1データの候補は、前記複数の領域の少なくとも一部の前記第1座標系上の位置情報の計測値であることを特徴とする請求項1〜20のいずれか一項に記載の最適化方法。
The predetermined processing includes a plurality of deviations between a first coordinate system that defines a moving position of a moving body on which an object is placed and a second coordinate system that is defined by an array of a plurality of regions formed on the object. Is a process for detecting error information of
21. The plurality of first data candidates are measured values of position information on the first coordinate system of at least a part of the plurality of regions. Optimization method.
前記第2データは、前記各誤差情報に基づく前記複数の領域それぞれの前記第1座標系上の位置情報における設計値からの補正量であることを特徴とする請求項21に記載の最適化方法。   The optimization method according to claim 21, wherein the second data is a correction amount from a design value in position information on the first coordinate system of each of the plurality of regions based on the error information. . 前記第2データは、前記各誤差情報に基づいて補正された前記複数の領域それぞれの前記第1座標系上の位置情報と、前記第1座標系上の該位置情報の計測値との残差であることを特徴とする請求項21に記載の最適化方法。   The second data is a residual between the position information on the first coordinate system of each of the plurality of regions corrected based on the error information and the measurement value of the position information on the first coordinate system. The optimization method according to claim 21, wherein: 前記所定の処理は、物体の表面の平坦度を検出する処理であり、
前記複数の第1データの候補は、前記物体の表面上の異なる複数の計測点における前記物体の表面高さの計測値であり、
前記第2データは、前記各計測点における前記物体の表面高さの計測値に基づいて求められた、前記物体の表面を示す曲面上の前記各計測点における高さであることを特徴とする請求項1〜20のいずれか一項に記載の最適化方法。
The predetermined process is a process of detecting the flatness of the surface of the object,
The plurality of first data candidates are measured values of the surface height of the object at different measurement points on the surface of the object,
The second data is a height at each measurement point on a curved surface indicating a surface of the object, which is obtained based on a measurement value of the surface height of the object at each measurement point. The optimization method as described in any one of Claims 1-20.
基板上に形成された複数の領域にそれぞれ付設されたマークの位置情報の計測値を、それぞれ第1データの候補として、請求項21〜23のいずれか一項に記載の最適化方法を実行し、前記複数のマークの位置情報の中から、前記第1データとしてのマークの位置情報を抽出する工程と;
前記抽出されたマークの位置情報に基づいて、前記基板を載置する移動体の移動位置を規定する第1座標系と、前記複数の領域の配列によって規定される第2座標系とのずれを示す複数の誤差情報を検出する工程と;
前記検出結果に基づいて前記基板の位置制御を行いつつ、所定パターンを前記基板に転写する工程と;を含む露光方法。
The optimization method according to any one of claims 21 to 23, wherein measurement values of position information of marks respectively attached to a plurality of regions formed on a substrate are used as first data candidates, respectively. Extracting the mark position information as the first data from the position information of the plurality of marks;
Based on the extracted position information of the mark, a deviation between the first coordinate system that defines the movement position of the moving body on which the substrate is placed and the second coordinate system that is defined by the arrangement of the plurality of regions is determined. Detecting a plurality of error information to indicate;
And a step of transferring a predetermined pattern to the substrate while controlling the position of the substrate based on the detection result.
基板の表面上の異なる複数の計測点における前記基板の表面高さの計測値を、それぞれ第1データの候補として、請求項24に記載の最適化方法を実行し、前記複数の計測点における前記基板の表面高さの計測値の中から、第1データとしての前記基板の表面高さの計測値を抽出する工程と;
前記抽出された各計測点における前記基板の表面高さの計測値に基づいて、前記基板の平坦度を求める工程と;
前記求められた平坦度に基づいて前記基板の位置制御を行いつつ、所定パターンを前記基板に転写する工程と;を含む露光方法。
25. The optimization method according to claim 24, wherein the measurement values of the surface height of the substrate at different measurement points on the surface of the substrate are respectively candidates for first data, and the optimization method according to claim 24 is performed. Extracting the measurement value of the surface height of the substrate as the first data from the measurement value of the surface height of the substrate;
Obtaining the flatness of the substrate based on the measurement value of the surface height of the substrate at each of the extracted measurement points;
And a step of transferring a predetermined pattern to the substrate while controlling the position of the substrate based on the calculated flatness.
リソグラフィ工程を含むデバイス製造方法において、
前記リソグラフィ工程では、請求項25又は26に記載の露光方法を用いて露光を行うことを特徴とするデバイス製造方法。
In a device manufacturing method including a lithography process,
27. A device manufacturing method, wherein in the lithography step, exposure is performed using the exposure method according to claim 25 or 26.
所定の処理に用いられる複数のデータの選択を最適化する最適化装置であって、
複数の第1データの候補の中から、前記所定の処理に用いられる第1データの候補の組合せを複数作成する作成装置と;
前記作成された組合せに含まれる第1データの候補を用いて前記所定の処理を行った場合に作成される複数の第2データから成るデータ群と、複数の参照データから成る参照データ群との相関度を示す相関情報を、所定の相関演算により算出する演算装置と;
前記算出された相関情報に基づいて、前記所定の処理に用いられる第1データの組合せを決定する決定装置と;を備える最適化装置。
An optimization device that optimizes selection of a plurality of data used in a predetermined process,
A creation device that creates a plurality of combinations of first data candidates used for the predetermined process from among a plurality of first data candidates;
A data group composed of a plurality of second data created when the predetermined processing is performed using a candidate for the first data included in the created combination, and a reference data group composed of a plurality of reference data An arithmetic unit that calculates correlation information indicating the degree of correlation by a predetermined correlation calculation;
And a determination device that determines a combination of first data used for the predetermined processing based on the calculated correlation information.
前記所定の相関演算は、前記各第2データをベクトル量とみなして、前記相関情報を演算するベクトル相関演算であることを特徴とする請求項28に記載の最適化装置。   The optimization device according to claim 28, wherein the predetermined correlation calculation is a vector correlation calculation for calculating the correlation information by regarding each second data as a vector quantity. 前記所定の相関演算は、前記各第2データをスカラ量とみなして、前記相関情報を演算するスカラ相関演算であることを特徴とする請求項28に記載の最適化装置。   29. The optimization apparatus according to claim 28, wherein the predetermined correlation calculation is a scalar correlation calculation that calculates the correlation information by regarding each second data as a scalar quantity. 前記決定装置は、
所定の条件を満たす組合せがある場合には、その組合せを、前記所定の処理に用いられる複数の第1データの組合せとし、
前記所定の条件を満たす組合せがない場合には、前記複数の第1データの候補すべてを、前記所定の処理に用いる第1データとし、
前記相関情報は、前記複数の第2データから成るデータ群と、前記参照データ群との相関係数を含むことを特徴とする請求項28〜30のいずれか一項に記載の最適化装置。
The determination device includes:
When there is a combination that satisfies a predetermined condition, the combination is a combination of a plurality of first data used for the predetermined process,
When there is no combination that satisfies the predetermined condition, all of the plurality of first data candidates are set as the first data used for the predetermined process,
31. The optimization apparatus according to claim 28, wherein the correlation information includes a correlation coefficient between a data group including the plurality of second data and the reference data group.
前記所定の条件は、
前記演算装置において求められた相関係数が所定の閾値よりも低いこと、を含むことを特徴とする請求項31に記載の最適化装置。
The predetermined condition is:
32. The optimization device according to claim 31, further comprising: a correlation coefficient obtained by the arithmetic device being lower than a predetermined threshold value.
前記所定の条件は、
前記作成装置によって作成された複数の組合せの中で、前記演算装置において算出された相関係数が最も低い組合せであること、を含むことを特徴とする請求項31に記載の最適化装置。
The predetermined condition is:
32. The optimization apparatus according to claim 31, further comprising: a combination having a lowest correlation coefficient calculated by the arithmetic apparatus among a plurality of combinations generated by the generation apparatus.
前記相関係数は、前記第2データの平均値により、規格化された相関係数であることを特徴とする請求項31〜33のいずれか一項に記載の最適化装置。   The optimization device according to any one of claims 31 to 33, wherein the correlation coefficient is a correlation coefficient normalized by an average value of the second data. 所定の処理に用いられる複数のデータの選択を最適化する最適化装置であって、
前記所定の処理に用いられる複数の第1データの組合せに、新たな第1データの候補を追加することにより、第1データの仮の組合せを作成する作成装置と;
前記作成された仮の組合せに含まれる第1データを用いて前記所定の処理を行った場合に作成される複数の第2データから成るデータ群と、前記第1データの候補を追加する前の前記第1データの組合せに含まれる第1データを用いて前記所定の処理を行った場合に作成される複数の第2データから成るデータ群との相関値を示す相関情報を、所定の相関演算により算出する演算装置と;
前記算出された相関情報に基づいて、所定の条件が満たされた場合には、前記第1データの候補を、前記第1データの組合せに追加する追加装置と;を備える最適化装置。
An optimization device that optimizes selection of a plurality of data used in a predetermined process,
A creation device that creates a temporary combination of first data by adding new first data candidates to a plurality of first data combinations used in the predetermined processing;
A data group consisting of a plurality of second data created when the predetermined processing is performed using the first data included in the created temporary combination, and before adding the candidate for the first data Correlation information indicating a correlation value with a data group composed of a plurality of second data created when the predetermined processing is performed using the first data included in the combination of the first data, and a predetermined correlation calculation An arithmetic unit that calculates by:
An optimization device comprising: an addition device that adds the candidate for the first data to the combination of the first data when a predetermined condition is satisfied based on the calculated correlation information.
前記相関情報が示す値が、所定の値以上となるまで、前記作成装置による前記仮の組合せの作成と、前記演算装置による前記相関情報の算出と、前記追加装置による追加とを繰り返し実行することを特徴とする請求項35に記載の最適化装置。   Until the value indicated by the correlation information becomes a predetermined value or more, the creation of the temporary combination by the creation device, the calculation of the correlation information by the calculation device, and the addition by the addition device are repeatedly executed. 36. The optimizing device according to claim 35. 前記所定の相関演算は、前記各第2データをベクトル量として、前記相関情報を演算するベクトル相関演算であることを特徴とする請求項35又は36に記載の最適化装置。   37. The optimization apparatus according to claim 35 or 36, wherein the predetermined correlation calculation is a vector correlation calculation for calculating the correlation information using each second data as a vector quantity. 前記所定の相関演算は、前記各第2データをスカラ量として、前記相関情報を演算するスカラ相関演算であることを特徴とする請求項35又は36に記載の最適化装置。   37. The optimization apparatus according to claim 35 or 36, wherein the predetermined correlation calculation is a scalar correlation calculation that calculates the correlation information using each second data as a scalar quantity. 前記相関情報は、
前記第1データの候補を追加する前の前記組合せに含まれる第1データを用いて前記所定の処理を行った場合に作成される複数の第2データから成るデータ群と、前記仮の組合せに含まれる第1データを用いて前記所定の処理を行った場合に作成される複数の第2データから成るデータ群との相関係数であることを特徴とする請求項35〜38のいずれか一項に記載の最適化装置。
The correlation information is
A data group composed of a plurality of second data created when the predetermined processing is performed using the first data included in the combination before adding the candidate for the first data, and the temporary combination The correlation coefficient with a data group composed of a plurality of second data created when the predetermined processing is performed using the included first data. The optimization apparatus as described in the item.
前記所定の条件は、
前記演算装置で算出された相関情報が示す値が、第1閾値以上でないことと、
前記演算装置で算出された相関情報が示す値が、前記第1閾値よりも小さい第2閾値以下でないことと、
前記作成された仮の組合せに含まれる第1データを用いて前記所定の処理を行った場合の処理結果の精度指標が、前記第1データの候補を追加する前の前記組合せに含まれる第1データを用いて前記所定の処理を行った場合の処理結果の精度指標よりも良好であることとの少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項39に記載の最適化装置。
The predetermined condition is:
The value indicated by the correlation information calculated by the arithmetic device is not equal to or greater than the first threshold;
The value indicated by the correlation information calculated by the arithmetic device is not less than or equal to a second threshold value smaller than the first threshold value;
The accuracy index of the processing result when the predetermined processing is performed using the first data included in the created temporary combination is included in the first combination before adding the first data candidate. 40. The optimization apparatus according to claim 39, comprising at least one of being better than an accuracy index of a processing result when the predetermined processing is performed using data.
前記相関係数を、前記第2データの平均値により、規格化された相関係数とすることを特徴とする請求項39又は40に記載の最適化装置。   41. The optimization apparatus according to claim 39 or 40, wherein the correlation coefficient is a correlation coefficient normalized by an average value of the second data. 前記所定の処理は、物体を載置する移動体の移動位置を規定する第1座標系と、前記物体上に形成された複数の領域の配列によって規定される第2座標系とのずれを示す複数の誤差情報を検出する処理であり、
前記複数の第1データの候補は、前記複数の領域の少なくとも一部の前記第1座標系上の位置情報の計測値であることを特徴とする請求項28〜41のいずれか一項に記載の最適化装置。
The predetermined processing indicates a deviation between a first coordinate system that defines a moving position of a moving body on which an object is placed and a second coordinate system that is defined by an array of a plurality of regions formed on the object. It is a process to detect multiple error information,
The candidate for the plurality of first data is a measurement value of position information on the first coordinate system of at least a part of the plurality of regions, according to any one of claims 28 to 41. Optimization device.
前記第2データは、前記各誤差情報に基づく前記複数の領域それぞれの前記第1座標系上の位置情報に関する設計値からの補正量であることを特徴とする請求項42に記載の最適化装置。   43. The optimization device according to claim 42, wherein the second data is a correction amount from a design value related to position information on the first coordinate system of each of the plurality of regions based on the error information. . 前記第2データは、前記各誤差情報に基づいて補正された前記複数の領域それぞれの前記第1座標系上の位置情報と、前記第1座標系上の該位置情報の計測値との残差であることを特徴とする請求項42に記載の最適化装置。   The second data is a residual between the position information on the first coordinate system of each of the plurality of regions corrected based on the error information and the measurement value of the position information on the first coordinate system. 43. The optimization device according to claim 42, wherein: 前記所定の処理は、物体の表面の平坦度を検出する処理であり、
前記複数の第1データの候補は、前記物体の表面上の異なる複数の計測点における前記物体の表面高さの計測値であり、
前記第2データは、前記各計測点における前記物体の表面高さの計測値に基づいて求められた、前記物体の表面を示す曲面上の前記各計測点における高さであることを特徴とする請求項28〜41のいずれか一項に記載の最適化装置。
The predetermined process is a process of detecting the flatness of the surface of the object,
The plurality of first data candidates are measured values of the surface height of the object at different measurement points on the surface of the object,
The second data is a height at each measurement point on a curved surface indicating a surface of the object, which is obtained based on a measurement value of the surface height of the object at each measurement point. The optimization device according to any one of claims 28 to 41.
基板上に形成された複数の領域にそれぞれ付設されたマークの位置情報の計測値を、それぞれ第1データの候補として、前記複数のマークの位置情報の中から、前記第1データとしてのマークの位置情報を抽出する請求項42〜44のいずれか一項に記載の最適化装置と;
前記抽出されたマークの位置情報に基づいて、前記基板を載置する移動体の移動位置を規定する第1座標系と、前記複数の領域の配列によって規定される第2座標系とのずれを示す複数の誤差情報を検出する検出装置と;
前記検出装置の検出結果に基づいて前記基板の位置制御を行いつつ、所定パターンを前記基板に転写する転写装置と;を備える露光装置。
Measurement values of the position information of the marks respectively attached to the plurality of regions formed on the substrate are used as first data candidates, and the mark data as the first data is selected from the position information of the plurality of marks. 45. The optimization device according to any one of claims 42 to 44, which extracts position information;
Based on the extracted position information of the mark, a deviation between the first coordinate system that defines the movement position of the moving body on which the substrate is placed and the second coordinate system that is defined by the arrangement of the plurality of regions is determined. A detection device for detecting a plurality of error information shown;
An exposure apparatus comprising: a transfer device that transfers a predetermined pattern to the substrate while performing position control of the substrate based on a detection result of the detection device.
基板の表面上の異なる複数の計測点における前記基板の表面高さの計測値を、それぞれ第1データの候補として、前記複数の計測点における前記基板の表面高さの計測値の中から、第1データとしての前記基板の表面高さの計測値を抽出する請求項45に記載の最適化装置と;
前記抽出された各計測点における前記基板の表面高さの計測値に基づいて、前記基板の平坦度を求める算出装置と;
前記検出結果に基づいて前記基板の位置制御を行いつつ、所定パターンを前記基板に転写する転写装置と;を備える露光装置。
Measurement values of the surface height of the substrate at a plurality of different measurement points on the surface of the substrate are used as first data candidates, respectively, from among the measurement values of the surface height of the substrate at the plurality of measurement points, 46. The optimization apparatus according to claim 45, wherein a measurement value of the surface height of the substrate as one data is extracted;
A calculation device for obtaining flatness of the substrate based on a measurement value of the surface height of the substrate at each of the extracted measurement points;
An exposure apparatus comprising: a transfer device that transfers a predetermined pattern to the substrate while performing position control of the substrate based on the detection result.
所定の処理に用いられる複数のデータの選択を最適化する処理をコンピュータに実行させるプログラムであって、
複数の第1データの候補の中から、前記所定の処理に用いられる第1データの候補の組合せを複数作成する第1手順と;
前記作成された組合せに含まれる第1データの候補を用いて前記所定の処理を行った場合に作成される複数の第2データから成るデータ群と、複数の参照データから成る参照データ群との相関度を示す相関情報を、所定の相関演算により算出する第2手順と;
前記算出された相関情報に基づいて、前記所定の処理に用いられる第1データの組合せを決定する第3手順と;を前記コンピュータに実行させるプログラム。
A program for causing a computer to execute processing for optimizing selection of a plurality of data used for predetermined processing,
A first procedure for creating a plurality of combinations of first data candidates used for the predetermined processing from a plurality of first data candidates;
A data group composed of a plurality of second data created when the predetermined processing is performed using a candidate for the first data included in the created combination, and a reference data group composed of a plurality of reference data A second procedure for calculating correlation information indicating the degree of correlation by a predetermined correlation calculation;
A program for causing the computer to execute a third procedure for determining a combination of first data used for the predetermined processing based on the calculated correlation information.
前記第2手順では、
前記所定の相関演算として、前記各第2データをベクトル量とみなして前記相関情報を演算するベクトル相関演算を前記コンピュータに実行させることを特徴とする請求項48に記載のプログラム。
In the second procedure,
49. The program according to claim 48, wherein the computer executes a vector correlation calculation for calculating the correlation information by regarding each second data as a vector quantity as the predetermined correlation calculation.
前記第2手順では、
前記所定の相関演算として、前記各第2データをスカラ量とみなして前記相関情報を演算するスカラ相関演算を前記コンピュータに実行させることを特徴とする請求項48に記載のプログラム。
In the second procedure,
49. The program according to claim 48, causing the computer to execute a scalar correlation calculation for calculating the correlation information by regarding each second data as a scalar quantity as the predetermined correlation calculation.
前記第2手順に先立って、
前記複数の第1データの候補すべてを用いて前記所定の処理を行った場合に作成される複数の第2データから成るデータ群を作成する第4手順をさらに前記コンピュータに実行させ、
前記第4手順で作成されたデータ群を前記参照データ群として、前記第2手順を前記コンピュータに実行させることを特徴とする請求項48〜50のいずれか一項に記載のプログラム。
Prior to the second step,
Causing the computer to further execute a fourth procedure for creating a data group composed of a plurality of second data created when the predetermined processing is performed using all of the plurality of first data candidates,
The program according to any one of claims 48 to 50, wherein the computer is caused to execute the second procedure using the data group created in the fourth procedure as the reference data group.
所定の条件を満たす組合せがある場合には、その組合せを、前記所定の処理に用いられる複数の第1データの組合せとし、
前記所定の条件を満たす組合せがない場合には、前記複数の第1データの候補すべてを、前記所定の処理に用いる第1データとするように前記第3手順を前記コンピュータに実行させることを特徴とする請求項51に記載のプログラム。
When there is a combination that satisfies a predetermined condition, the combination is a combination of a plurality of first data used for the predetermined process,
When there is no combination that satisfies the predetermined condition, the computer is caused to execute the third procedure so that all of the plurality of first data candidates are used as the first data used for the predetermined process. The program according to claim 51.
前記相関情報は、前記複数の第2データから成るデータ群と、前記参照データ群との相関係数を含むことを特徴とする請求項51に記載のプログラム。   52. The program according to claim 51, wherein the correlation information includes a correlation coefficient between the data group composed of the plurality of second data and the reference data group. 前記所定の条件は、
前記第2手順において算出された相関係数が所定の閾値よりも低いこと、を含むことを特徴とする請求項53に記載のプログラム。
The predetermined condition is:
54. The program according to claim 53, comprising: the correlation coefficient calculated in the second procedure being lower than a predetermined threshold value.
前記所定の条件は、
前記第1手順で作成された複数の組合せの中で、前記第2手順において算出された相関係数が最も低い組合せであること、を含むことを特徴とする請求項53に記載のプログラム。
The predetermined condition is:
54. The program according to claim 53, comprising: a combination having a lowest correlation coefficient calculated in the second procedure among a plurality of combinations created in the first procedure.
前記所定の条件は、
前記組合せに含まれる複数の第1データの候補を用いて前記所定の処理を行った場合の処理結果の精度指標が、前記複数の第1データの候補すべてを用いて前記所定の処理を行ったときの処理結果の精度指標よりも良好であること、をさらに含むことを特徴とする請求項54又は55に記載のプログラム。
The predetermined condition is:
The accuracy index of the processing result when the predetermined processing is performed using a plurality of first data candidates included in the combination is performed using the plurality of first data candidates. The program according to claim 54 or 55, further comprising: being better than an accuracy index of a processing result at the time.
所定の処理に用いられる複数のデータの選択を最適化する処理をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、
前記第1データの組合せに、第1データの候補を追加することにより、第1データの仮の組合せを作成する第1手順と;
前記作成された仮の組合せに含まれる第1データを用いて前記所定の処理を行った場合に作成される複数の第2データから成るデータ群と、前記第1データの候補を追加する前の前記第1データの組合せに含まれる第1データを用いて前記所定の処理を行った場合に作成される複数の第2データから成るデータ群との相関度を示す相関情報を、所定の相関演算により算出する第2手順と;
前記算出された相関情報に基づいて、所定の条件が満たされた場合には、前記第1データの候補を、前記第1データの組合せに追加する第3手順と;をコンピュータに実行させるプログラム。
A program for causing a computer to execute processing for optimizing selection of a plurality of data used for predetermined processing,
A first procedure for creating a temporary combination of first data by adding first data candidates to the first data combination;
A data group consisting of a plurality of second data created when the predetermined processing is performed using the first data included in the created temporary combination, and before adding the candidate for the first data Correlation information indicating a degree of correlation with a data group composed of a plurality of second data created when the predetermined processing is performed using the first data included in the combination of the first data, and a predetermined correlation calculation A second procedure calculated by:
A program for causing a computer to execute a third procedure of adding a candidate for the first data to the combination of the first data when a predetermined condition is satisfied based on the calculated correlation information.
前記相関情報が示す値が、所定の値以上となるまで、前記第1手順と、前記第2手順と、前記第3手順とを繰り返し前記コンピュータに実行させることを特徴とする請求項57に記載のプログラム。   58. The computer according to claim 57, wherein the computer repeatedly executes the first procedure, the second procedure, and the third procedure until a value indicated by the correlation information is equal to or greater than a predetermined value. Program. 前記所定の相関演算は、前記各第2データをベクトル量として前記相関情報を演算するベクトル相関演算であることを特徴とする請求項57又は58に記載のプログラム。   59. The program according to claim 57 or 58, wherein the predetermined correlation calculation is a vector correlation calculation for calculating the correlation information using each second data as a vector quantity. 前記所定の相関演算は、前記各第2データをスカラ量として前記相関情報を演算するスカラ相関演算であることを特徴とする請求項57又は58に記載のプログラム。   59. The program according to claim 57 or 58, wherein the predetermined correlation calculation is a scalar correlation calculation for calculating the correlation information using each second data as a scalar quantity. 前記相関情報は、
前記第1データの候補を追加する前の前記組合せに含まれる第1データを用いて前記所定の処理を行った場合に作成される複数の第2データから成るデータ群と、前記仮の組合せに含まれる第1データを用いて前記所定の処理を行った場合に作成される複数の第2データから成るデータ群との相関係数であり、
前記所定の条件は、
前記第2手順で算出された相関情報が示す値が、第1閾値以上でないこと、を含むことを特徴とする請求項57〜60のいずれか一項に記載のプログラム。
The correlation information is
A data group composed of a plurality of second data created when the predetermined processing is performed using the first data included in the combination before adding the candidate for the first data, and the temporary combination A correlation coefficient with a data group consisting of a plurality of second data created when the predetermined processing is performed using the included first data;
The predetermined condition is:
The program according to any one of claims 57 to 60, wherein the value indicated by the correlation information calculated in the second procedure includes that the value is not equal to or greater than a first threshold value.
前記所定の条件は、
前記作成された仮の組合せに含まれる第1データを用いて前記所定の処理を行った場合の処理結果の精度指標が、前記第1データの候補を追加する前の前記組合せに含まれる第1データを用いて前記所定の処理を行った場合の処理結果の精度指標よりも良好であること、をさらに含むことを特徴とする請求項61に記載のプログラム。
The predetermined condition is:
The accuracy index of the processing result when the predetermined processing is performed using the first data included in the created temporary combination is included in the first combination before adding the first data candidate. 62. The program according to claim 61, further comprising: being better than an accuracy index of a processing result when the predetermined processing is performed using data.
請求項48〜62のいずれか一項に記載のプログラムが記録されたコンピュータによる読み取りが可能な情報記録媒体。
An information recording medium readable by a computer on which the program according to any one of claims 48 to 62 is recorded.
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