JP2005056495A - Magnetic recording medium and its manufacturing method - Google Patents

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Kazuhiro Kusakawa
和大 草川
Yasushi Sakai
泰志 酒井
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Fuji Electric Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain sufficient hardness even when a protective layer is formed with ≤3.0 nm thin film. <P>SOLUTION: Since a growth nucleus layer is formed on the lower side of the protective layer to promote growth of an sp3-coupling structure in the vicinity of an interface, the density of the component of the sp3-coupling structure within the protective layer is made nearly uniform without having inclination between the region on the interface side in the protective layer and the region far from the interface and is made higher than the density of a component of an sp2-coupling structure other than the sp3-coupling structure as a main component. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、例えば、ハードディスク装置を構成するハードディスク磁気記録媒体に適用可能な、磁気記録媒体、および、その製造方法に関し、特に、記録層を形成する磁気記録層をヘッドの衝撃、外界の腐食性物質などの腐食から保護する機能を有する、sp結合炭素(sp−C)に富んだ保護層の形成方法に関する。 The present invention relates to a magnetic recording medium that can be applied to, for example, a hard disk magnetic recording medium constituting a hard disk device, and a method for manufacturing the same, and more particularly to a magnetic recording layer that forms a recording layer having a head impact and external corrosiveness. It has a function of protecting against corrosion, such as material, a method for forming a protective layer rich in sp 3 bonded carbon (sp 3 -C).

従来、ハードディスク装置はコンピューターの主要な外部記録装置であり、マルチメディアの進行と共に、急速に高記録密度化、高転送速度化、小型化が進んでいる。また、これに伴い、ハードディスク装置の主要部品である磁気記録媒体においても、面記録密度の向上と共に、磁気ヘッドの浮上量が低下しており、トライボロジー的な機械的強度の維持が要求される。   Conventionally, a hard disk device is a main external recording device of a computer, and with the progress of multimedia, the recording density, the transfer speed, and the miniaturization are rapidly increasing. As a result, the magnetic recording medium, which is the main component of the hard disk device, also has a need to maintain tribological mechanical strength as the surface recording density is improved and the flying height of the magnetic head is reduced.

磁気記録媒体に関しては一層の薄膜化、それに伴う高硬度化が要求されている。磁気記録媒体の高硬度化を維持するには、その媒体を構成する保護層の改良が不可欠である。
従来、その保護層には、成分元素としてカーボン(C)系が用いられ、現在はスパッタ法やプラズマCVD法により成膜が行われている。
また、磁気記録媒体として、さらに高耐久性を有したカーボン系の保護膜を形成するために、sp結合炭素(sp−C)に富み、高硬度であるta−C(テトラヘドラルアモルファスカーボン)の適用も検討されており、真空アーク蒸着法による研究が行われている。
With respect to magnetic recording media, there is a demand for further reduction in film thickness and accompanying increase in hardness. In order to maintain the high hardness of the magnetic recording medium, it is essential to improve the protective layer constituting the medium.
Conventionally, carbon (C) is used for the protective layer as a component element, and film formation is currently performed by sputtering or plasma CVD.
Further, as a magnetic recording medium, in order to further form a protective layer of carbon system having high durability, rich in sp 3 bonded carbon (sp 3 -C), ta- C ( tetrahedral amorphous high hardness The application of carbon) is also being studied, and research by vacuum arc deposition is being conducted.

図7は、従来の保護層として用いられているカーボン系組成の相図を示す(例えば、非特許文献1参照)。   FIG. 7 shows a phase diagram of a carbon-based composition used as a conventional protective layer (see, for example, Non-Patent Document 1).

三角形の各頂点は、それぞれダイヤモンド、グラファイト、水素(H)に対応している。ta−Cは、バルクでは水素をほとんど含まずsp結合炭素に富んでおり、ダイヤモンドに似て非常に緻密で硬いという特徴を持っている。 Each vertex of the triangle corresponds to diamond, graphite, and hydrogen (H), respectively. Ta-C contains almost no hydrogen in the bulk, is rich in sp 3 -bonded carbon, and has a feature of being very dense and hard like diamond.

また、特許文献1や特許文献2には、Si上に水素を含有したカーボン膜(Diamond−Like Carbon:DLC)を形成し、DLCの密着性を向上させたという発明が記載されている。   Patent Document 1 and Patent Document 2 describe an invention in which a carbon film containing hydrogen (Diamond-Like Carbon: DLC) is formed on Si to improve the adhesion of DLC.

特開昭64−76423号公報JP-A 64-76423 特開平6−111287号公報Japanese Patent Laid-Open No. 6-111287 PHYSICAL REVIEWB,Vol.61.No.20,p14095PHYSICAL REVIEWWB, Vol. 61. No. 20, p14095

図8は、磁性層上に直接形成された保護層としてのta−Cのsp結合炭素の割合(=sp結合炭素/〔sp結合炭素+sp結合炭素〕)に対するta−C膜の膜厚の依存性を示す。
sp結合炭素の割合は、X線光電子分光法により測定した炭素のClsピークを、sp結合炭素成分(285.5eV付近)と、sp結合炭素成分(284.5eV付近)とに波形分離をし、そのピーク面積比から算出した。
sp結合炭素の割合は、ta−C膜の膜厚依存があり、3.0nm以上では80%以上であるが、3.0nm以下ではsp結合炭素の割合は非常に少なく、ta−C本来の特性であるsp結合炭素に富んだ膜が得られない。
FIG. 8 shows the ta-C film with respect to the ratio of sp 3 -bonded carbon of ta-C as a protective layer directly formed on the magnetic layer (= sp 3 -bonded carbon / [sp 3 -bonded carbon + sp 2 -bonded carbon]). The dependence of film thickness is shown.
sp 3 ratio bond carbon, the Cls peak of the carbon as measured by X-ray photoelectron spectroscopy, sp 3 bonded carbon component (around 285.5 eV), waveform separation in the sp 2 bonded carbon component (around 284.5 eV) And calculated from the peak area ratio.
The proportion of sp 3 -bonded carbon depends on the thickness of the ta-C film, and is 80% or more at 3.0 nm or more, but the proportion of sp 3 -bonded carbon is very small at 3.0 nm or less. A film rich in sp 3 -bonded carbon, which is the original characteristic, cannot be obtained.

図9は、sp結合炭素の割合と硬度との関係を示す。 FIG. 9 shows the relationship between the proportion of sp 3 bonded carbon and the hardness.

この図9から、カーボン膜(膜厚約100nm)において、sp結合炭素の割合が少ないと硬度が低くなり、高耐久性が要求されるような保護層に適用することができないことがわかる。 From FIG. 9, it can be seen that in a carbon film (film thickness of about 100 nm), if the proportion of sp 3 bonded carbon is small, the hardness is low, and it cannot be applied to a protective layer that requires high durability.

以上の図8および図9からわかるように、ta−C膜の膜厚が3.0nm以下になると、sp結合炭素の割合が急激に減少するため、硬度も急激に低下することになる。その結果、3.0nm以下のような薄膜状態では十分な硬度が得られないため、磁気記録媒体の保護層として適用することができないという問題がある。 As can be seen from FIGS. 8 and 9 above, when the thickness of the ta-C film is 3.0 nm or less, the ratio of sp 3 -bonded carbon is drastically reduced, so that the hardness is also drastically lowered. As a result, there is a problem in that it cannot be applied as a protective layer of a magnetic recording medium because sufficient hardness cannot be obtained in a thin film state of 3.0 nm or less.

そこで、本発明の目的は、保護層を3.0nm以下の薄膜で形成した場合においても、十分な硬度を得ることが可能な、磁気記録媒体、および、その製造方法を提供することにある。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a magnetic recording medium capable of obtaining sufficient hardness even when the protective layer is formed of a thin film having a thickness of 3.0 nm or less, and a manufacturing method thereof.

本発明は、非磁性基板上に、少なくとも、下地層、磁気記録層、保護層が積層されてなる磁気記録媒体であって、前記磁気記録層と前記保護層との間に、該保護層を構成する複数の構造体のうち所定の構造体の成分のみの成長を促進させる成長核層を設け、ここで、前記保護層は、前記所定の構造体の成分の成長が前記成長核層との界面付近で促進されることにより、該所定の構造体の成分の密度は、該保護層内の前記界面側の領域と該界面から離れた領域との間において傾斜をもたず略均一とされ、かつ、該所定の構造体以外の他の構造体の成分の密度よりも多い主成分とされ、これにより形成される該保護層の硬度を一定以上に保つことによって、磁気記録媒体を構成する。   The present invention is a magnetic recording medium in which at least an underlayer, a magnetic recording layer, and a protective layer are laminated on a nonmagnetic substrate, and the protective layer is interposed between the magnetic recording layer and the protective layer. A growth nucleus layer that promotes the growth of only the component of the predetermined structure among the plurality of structures constituting the structure is provided, wherein the protective layer has a growth of the component of the predetermined structure with the growth nucleus layer. By being promoted in the vicinity of the interface, the density of the components of the predetermined structure is made substantially uniform with no inclination between the region on the interface side in the protective layer and the region away from the interface. In addition, the magnetic recording medium is configured by maintaining the hardness of the protective layer formed by the main component higher than the density of the components of the other structural body other than the predetermined structural body. .

ここで、前記成長核層は、sp結合のSi、又は、sp結合のCおよびsp結合のSiを主成分として形成し、前記保護層は、前記所定の構造体としてsp結合のCを主成分とするta−C(テトラヘドラルアモルファスカーボン)として形成してもよい。 Here, the growth nucleus layer is formed with sp 3 -bonded Si or sp 3 -bonded C and sp 3 -bonded Si as main components, and the protective layer has sp 3 -bonded as the predetermined structure. You may form as ta-C (tetrahedral amorphous carbon) which has C as a main component.

前記保護層の膜厚は3.0nm以下とし、前記成長核層の膜厚は1.0nm以下とすることができる。   The protective layer may have a thickness of 3.0 nm or less, and the growth nucleus layer may have a thickness of 1.0 nm or less.

本発明は、非磁性基板上に、少なくとも、下地層、磁気記録層、保護層が積層されてなる磁気記録媒体を作製する製造方法であって、前記磁気記録層上に、sp結合のSi、又は、sp結合のCおよびsp結合のSiを主成分とした成長核層を形成する工程と、前記成長核層上に、sp結合のCを主成分とするta−C(テトラヘドラルアモルファスカーボン)からなる保護層を形成する工程とを具え、ここで、前記保護層は、前記sp結合のCの成長が前記成長核層との界面付近で促進されることにより、該sp結合のCの密度は、該保護層内の前記界面側の領域と該界面から離れた領域との間において傾斜をもたず略均一とされ、かつ、該sp結合以外の他のsp結合のCの密度よりも多い主成分とされ、これにより形成された該保護層の硬度を一定以上に保つことによって、磁気記録媒体の製造方法を提供する。 The present invention relates to a manufacturing method for producing a magnetic recording medium in which at least an underlayer, a magnetic recording layer, and a protective layer are laminated on a nonmagnetic substrate, and an sp 3 bonded Si is formed on the magnetic recording layer. or a step of forming a growth nucleus layer composed mainly of C and sp 3 bonds of Si sp 3 bonds, the growth nucleus layer, ta-C (tetra mainly composed of C of sp 3 bonds A step of forming a protective layer made of a helical amorphous carbon), wherein the protective layer is formed by promoting the growth of sp 3 -bonded C in the vicinity of the interface with the growth nucleus layer. The density of C in the sp 3 bond is substantially uniform with no inclination between the region on the interface side in the protective layer and the region away from the interface, and other than the sp 3 bond is a more principal component than the density of sp 2 bonds and C, thereto By keeping the hardness of the protective layer above a certain level, which is formed Ri, to provide a method of manufacturing a magnetic recording medium.

以上発明したように、本発明によれば、保護層の下側に成長核層を形成し、sp結合の構造体の成長を界面付近で促進させるようにしたので、保護層内でのsp結合の構造体の成分の密度を、保護層内の界面側の領域と該界面から離れた領域との間において傾斜をもたずに略均一化された状態とし、かつ、sp結合の構造体以外のsp結合の構造体の成分の密度よりも多い主成分とすることができ、これにより、保護層が3.0nm以下の薄膜においても十分な硬度を得ることができ、磁気記録媒体としての耐久性を大幅に向上させることができる。 As described above, according to the present invention, the growth nucleus layer is formed below the protective layer, and the growth of the sp 3 bond structure is promoted near the interface. 3 density of the components of the structure of the coupling, a substantially uniform state without a slope between the interface side of the region and the region away from the interface of the protective layer, and, sp 3 bond The main component can be larger than the density of the component of the sp 2 bond structure other than the structure, whereby a sufficient hardness can be obtained even in a protective film having a thickness of 3.0 nm or less. The durability as a medium can be greatly improved.

本発明の第1の実施の形態について説明する。   A first embodiment of the present invention will be described.

(概要)
本発明の概要について説明する。
(Overview)
The outline of the present invention will be described.

膜厚が3.0nm以下のような薄膜状態(成長初期)でも、sp結合炭素に富んだ本来の特性を有するta−C膜からなる保護層を形成するために、ta−C膜からなる保護層の下側にsp結合を有するSi系(すなわち、sp結合のSi、又は、sp結合のCおよびsp結合のSi)を主成分とする成長核層を設ける。 In order to form a protective layer made of a ta-C film having original characteristics rich in sp 3 -bonded carbon even in a thin film state (initial growth stage) such as a film thickness of 3.0 nm or less, it is made of a ta-C film. A growth nucleus layer mainly composed of an Si-based compound having sp 3 bonds (that is, sp 3 bonded Si or sp 3 bonded C and sp 3 bonded Si) is provided below the protective layer.

このように、ta−C膜からなる保護層の下側にsp結合を有する成長核層を形成することにより、ta−C膜のsp結合炭素の成長を促進させ、3.0nm以下のような薄膜状態でも、3.0nm以上のときと同じように、sp結合炭素に富んだta−C膜を形成することができる。これにより、保護層の膜の硬度を増加させ、磁気記録媒体としての耐久性を向上させることができる。 In this way, by forming a growth nucleus layer having sp 3 bonds below the protective layer made of the ta-C film, the growth of sp 3 bond carbon of the ta-C film is promoted, and the growth of 3.0 nm or less Even in such a thin film state, a ta-C film rich in sp 3 -bonded carbon can be formed as in the case of 3.0 nm or more. Thereby, the hardness of the film of the protective layer can be increased, and the durability as a magnetic recording medium can be improved.

保護層のta−C膜は、カーボン膜が水素をほとんど含有しておらず、成長核層のSi系膜の形成は、ta−C膜のsp結合の成長を促進させるための導入手段である。 The ta-C film of the protective layer contains almost no hydrogen in the carbon film, and the formation of the Si-based film of the growth nucleus layer is an introduction means for promoting the growth of sp 3 bonds in the ta-C film. is there.

(磁気記録媒体の構造)
本発明に係る磁気記録媒体の構造について説明する。
(Structure of magnetic recording medium)
The structure of the magnetic recording medium according to the present invention will be described.

図1は、磁気記録媒体の断面構造を示す。   FIG. 1 shows a cross-sectional structure of a magnetic recording medium.

磁気記録媒体1には、非磁性基板2上に、めっき層3、下地層4、磁気記録層5、成長核層6、カーボン保護層7、液体潤滑層8が、順次積層されている。
成長核層6は、アモルファス構造であり、sp結合のSi、又は、sp結合のC(すなわち、sp結合炭素)およびsp結合のSiを主成分とした組成から構成されている。
In the magnetic recording medium 1, a plating layer 3, an underlayer 4, a magnetic recording layer 5, a growth nucleus layer 6, a carbon protective layer 7, and a liquid lubricating layer 8 are sequentially laminated on a nonmagnetic substrate 2.
Growth nucleus layer 6 is amorphous structure, sp 3 bonds of Si, or, sp 3 bond C (i.e., sp 3 bonded carbon) and a composition whose main component and sp 3 bonds Si.

この成長核層6は、カーボン保護層7を構成する複数の構造体のうち、sp結合のCの成分のみの成長を促進させる機能をもつ。
成長核層6の膜厚は、1.0nm以下が好ましい。なお、膜厚が1.0nm以上のときは、成長核層6とカーボン保護層7との総膜厚が厚くなり、保護膜全体の薄膜化に反してしまうことになる。
The growth nucleus layer 6 has a function of promoting the growth of only the C component of sp 3 bond among the plurality of structures constituting the carbon protective layer 7.
The film thickness of the growth nucleus layer 6 is preferably 1.0 nm or less. When the film thickness is 1.0 nm or more, the total film thickness of the growth nucleus layer 6 and the carbon protective layer 7 becomes thick, which is contrary to the thinning of the entire protective film.

カーボン保護層7は、sp結合のCを主成分とするta−C(テトラヘドラルアモルファスカーボン)として形成されている。このta−C膜の組成比は、前述した図7に示したように、sp結合炭素とsp結合炭素との割合で決まるが、本例ではsp結合炭素が少なくとも60%以上含まれている。 The carbon protective layer 7 is formed as ta-C (tetrahedral amorphous carbon) containing sp 3 -bonded C as a main component. The composition ratio of the ta-C film is determined by the ratio of sp 2 -bonded carbon and sp 3 -bonded carbon as shown in FIG. 7 described above. In this example, at least 60% or more of sp 3 -bonded carbon is included. ing.

このカーボン保護層7は、記録層を形成する磁気記録層5を磁気ヘッドの衝撃、外界の腐食性物質などの腐食から保護する機能を有する。   The carbon protective layer 7 has a function of protecting the magnetic recording layer 5 forming the recording layer from the impact of the magnetic head and the corrosion of an external corrosive substance.

カーボン保護層7の膜厚は、3.0nm以下であり、好ましくは1nm〜2nmである。   The film thickness of the carbon protective layer 7 is 3.0 nm or less, preferably 1 nm to 2 nm.

以下、その他の層について説明する。   Hereinafter, other layers will be described.

非磁性基板2は、アルミ合金、ガラス、プラスチック基板など、慣用のいかなる非磁性基板でもよい。具体的なプラスチック基板としては、ポリカーボネート、ポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリイミドなどからなる基板を挙げることができる。   The nonmagnetic substrate 2 may be any conventional nonmagnetic substrate such as an aluminum alloy, glass, or plastic substrate. Specific examples of the plastic substrate include substrates made of polycarbonate, polyolefin, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyimide, and the like.

非磁性基板2の大きさは、2.5インチ、3インチ、3.3インチ、3.5インチ、5インチなどいずれの大きさのディスク基板であってもよい。なお、ここで示した大きさは公称値であり、当該技術において汎用されているものである。   The size of the nonmagnetic substrate 2 may be any size of disk substrate such as 2.5 inches, 3 inches, 3.3 inches, 3.5 inches, and 5 inches. In addition, the magnitude | size shown here is a nominal value and is used widely in the said technique.

磁気記録層5は、記録層として使用できる強磁性金属を含み、具体的には、CoCrTaPt、CoCrTaPt−Cr、CoCrTaPt−SiO、CoCrTaPt−ZrO、CoCrTaPt−TiO、CoCrTaPt−Alなどを成分とする磁気記録層である。膜厚は、20nm以下であり、好ましくは10〜20nmである。また、磁気記録層5を複数用いて多層構造の記録層としてもよい。 The magnetic recording layer 5 includes a ferromagnetic metal that can be used as a recording layer, and specifically includes CoCrTaPt, CoCrTaPt—Cr 2 O 3 , CoCrTaPt—SiO 2 , CoCrTaPt—ZrO 2 , CoCrTaPt—TiO 2 , CoCrTaPt—Al 2. A magnetic recording layer containing O 3 or the like as a component. The film thickness is 20 nm or less, preferably 10 to 20 nm. A plurality of magnetic recording layers 5 may be used to form a multilayered recording layer.

下地層4は、下地層4を形成する慣用のいかなる成分から形成されてもよく、特に限定されない。具体的には、Cr、Cr−W、Cr−V、Cr−Mo、Cr−Si、Ni−Al、Co−Cr、Mo、W、Ptなどから成る。膜厚は、20nm以下であり、好ましくは10nm〜20nmである。   The underlayer 4 may be formed from any conventional component that forms the underlayer 4, and is not particularly limited. Specifically, it consists of Cr, Cr-W, Cr-V, Cr-Mo, Cr-Si, Ni-Al, Co-Cr, Mo, W, Pt, and the like. The film thickness is 20 nm or less, preferably 10 nm to 20 nm.

めっき層3は、例えばNi−P等の合金からなる。   The plating layer 3 is made of an alloy such as Ni-P, for example.

(成長核層の意義)
次に、成長核層6を設けた理由について説明する。
図2(a)(b)は、成長核層6とカーボン保護層7との界面領域100の層構造を、本発明と従来例とを比較して示す。図2(a)は本発明、図2(b)は従来例である。なお、図2中、白黒の濃淡について、黒い方はsp結合が多く、白い方はsp結合が多いことを表す。
(Significance of the growth nucleus layer)
Next, the reason why the growth nucleus layer 6 is provided will be described.
2A and 2B show the layer structure of the interface region 100 between the growth nucleus layer 6 and the carbon protective layer 7 in comparison with the present invention and the conventional example. 2A shows the present invention, and FIG. 2B shows a conventional example. In FIG. 2, for black and white shading, the black one indicates that there are many sp 3 bonds, and the white one indicates that there are many sp 2 bonds.

カーボン保護層7を構成するta−C膜は、本来(バルク状態では)、sp結合のC(以下、sp結合炭素という)に富んだ膜である。前述した図7の相図に示すように、本来は、sp結合炭素の割合が60%〜90%ぐらいの膜である。 Ta-C film constituting the carbon protective layer 7 is (in bulk) originally, sp 3 bonds of C (hereinafter, referred to as sp 3 bonded carbon) is a film rich. As shown in the phase diagram of FIG. 7 described above, the film is originally a film having a sp 3 bonded carbon ratio of about 60% to 90%.

しかし、前述した図8の波形30に示すように、薄膜(すなわち、膜厚が3nm以下)においては、sp結合炭素の割合が急激に減少しており、本来の特性(sp結合炭素に富んだ膜)にはなっていない。 However, as shown in the waveform 30 of FIG. 8 described above, in the thin film (that is, the film thickness is 3 nm or less), the proportion of sp 3 bonded carbon is drastically decreased, and the original characteristics (sp 3 bonded carbon It is not a rich film.

また、図2(b)の従来の層構造に示すように、カーボン保護層7のうち磁気記録層5に近い界面領域100ではsp結合炭素の割合が極端に低くなっており、本来の特性ではないta−C膜になっていることがわかる。すなわち、この従来の保護層7では、sp結合炭素の界面から上方へ向かう割合が、極小領域と、小領域と、多領域との3つの領域に分けられる。 Further, as shown in the conventional layer structure of FIG. 2B, the proportion of sp 3 bonded carbon is extremely low in the interface region 100 close to the magnetic recording layer 5 in the carbon protective layer 7, and the original characteristics are obtained. It turns out that it is not ta-C film | membrane. That is, in this conventional protective layer 7, the ratio of upward from the interface of sp 3 bonded carbon is divided into three regions: a minimal region, a small region, and a multi-region.

そこで、本発明では、磁気記録層5に近い界面領域においても(言い替えるならば、この界面領域100のみならず界面領域100から離れた領域も含めた膜全体に渡っても)、ta−C膜の本来のsp結合炭素に富んだ膜とするために、ta−C膜をsp結合炭素の形成を補助する役割として、sp結合の構造体を有するSi系の成長核層6をta−C膜の下側に導入した。 Therefore, in the present invention, even in the interface region close to the magnetic recording layer 5 (in other words, over the entire film including not only the interface region 100 but also the region away from the interface region 100), the ta-C film. In order to obtain a film rich in sp 3 -bonded carbon, the Ta-C film has a role of assisting the formation of sp 3 -bonded carbon, and the Si-based growth nucleus layer 6 having a sp 3 -bonded structure is formed as ta. Introduced under the -C membrane.

この成長核層6を導入することによって、図2(a)に示すように、ta−C膜は、膜厚が3nm以下でも、sp結合炭素に富んだ膜となる。すなわち、本発明のカーボン保護層7では、sp結合炭素の界面から上方へ向かう割合には、図2(b)に示したような極小領域と小領域は存在せず、中領域と、多領域とからなる。 By introducing the growth nucleus layer 6, as shown in FIG. 2A, the ta-C film becomes a film rich in sp 3 bonded carbon even when the film thickness is 3 nm or less. That is, in the carbon protective layer 7 of the present invention, the minimum region and the small region as shown in FIG. 2B do not exist in the ratio of upward from the interface of the sp 3 bonded carbon, the middle region, It consists of an area.

従って、本発明のカーボン保護層7内において、sp結合炭素の構造体の密度は、界面領域と該界面から離れた領域との間においてほとんど傾斜をもたず略均一化される。 Therefore, in the carbon protective layer 7 of the present invention, the density of the sp 3 -bonded carbon structure is substantially uniform with almost no inclination between the interface region and the region away from the interface.

図3(a)は、成長核層6とカーボン保護層7との界面付近での構造体の構成を模式的に示す。図3(b)は、その構造体の構成単位を示す。
カーボン保護層7の界面付近では、sp結合炭素10とsp結合炭素20とが存在しているが、sp結合炭素20の密度の方が、sp結合炭素10の密度よりも多い主成分となっている。この理由は、sp結合炭素20の成長が、成長核層6との界面付近で促進されるからである。
FIG. 3A schematically shows the structure of the structure near the interface between the growth nucleus layer 6 and the carbon protective layer 7. FIG. 3B shows a structural unit of the structure.
Near the interface of the carbon protective layer 7, sp 2 -bonded carbon 10 and sp 3 -bonded carbon 20 exist, but the density of sp 3 -bonded carbon 20 is mainly larger than the density of sp 2 -bonded carbon 10. It is an ingredient. This is because the growth of sp 3 bonded carbon 20 is promoted near the interface with the growth nucleus layer 6.

以上説明したように、成長核層6を導入したことにより、ta−C膜は、膜全体としてsp結合炭素の割合を多くすることができる。本例では、ta−C膜中のsp結合炭素を主成分として少なくとも60%以上としたことにより、図9から、一定以上の硬度を保つことができる。この一定以上の硬度とは、磁気記録媒体1の保護膜として使用できるくらいの高い硬度を有する膜として形成されることを意味するものである。 As described above, by introducing the growth nucleus layer 6, the ta-C film can increase the proportion of sp 3 bonded carbon in the entire film. In this example, by setting at least 60% or more of sp 3 bonded carbon in the ta-C film as a main component, a certain level of hardness can be maintained from FIG. This certain hardness or higher means that the film is formed as a film having a hardness high enough to be used as a protective film of the magnetic recording medium 1.

(保護層の薄膜化)
次に、カーボン保護層7の薄膜化について説明する。
(Thinning of protective layer)
Next, the thinning of the carbon protective layer 7 will be described.

図4および図5は、成長核層6の膜厚に対する、カーボン保護層7を構成するta−C膜と、sp結合炭素の割合との関係を示す。 4 and 5 show the relationship between the thickness of the growth nucleus layer 6 and the ratio of the ta-C film constituting the carbon protective layer 7 and sp 3 bonded carbon.

図4は、成長核層6がSiC(すなわち、sp結合のCとsp結合のSiとからなる)の例である。図5は、成長核層6がSi(すなわち、sp結合のSiからなる)の例である。 Figure 4 is a growth nucleus layer 6 is an example of a SiC (i.e., consisting of C and sp 3 bonds of Si sp 3 bond). FIG. 5 shows an example in which the growth nucleus layer 6 is Si (that is, made of sp 3 -bonded Si).

波形30は、成長核層6の膜厚が0nm(すなわち、従来の層構造)のときの関係を示す。波形31は成長核層6の膜厚が0.5nm、波形32は成長核層6の膜厚が0.8nm、波形33は成長核層6の膜厚が1.0nmのときの関係を示す。   A waveform 30 shows a relationship when the thickness of the growth nucleus layer 6 is 0 nm (that is, a conventional layer structure). A waveform 31 indicates the relationship when the thickness of the growth nucleus layer 6 is 0.5 nm, a waveform 32 indicates a relationship when the thickness of the growth nucleus layer 6 is 0.8 nm, and a waveform 33 indicates a relationship when the thickness of the growth nucleus layer 6 is 1.0 nm. .

以上から、波形31〜33は、成長核層6がSiC,Siのいずれの場合においても、ta−C膜の膜厚が1.0nm〜3.0nmの範囲で変わると、sp結合炭素は60%〜85%の範囲でその組成の割合が変化することがわかる。この範囲内での変化は、従来の波形30には存在しない特性である。 From the above, the waveforms 31 to 33 indicate that, when the growth nucleus layer 6 is SiC or Si, when the thickness of the ta-C film changes in the range of 1.0 nm to 3.0 nm, the sp 3 bonded carbon is It turns out that the ratio of the composition changes in the range of 60% to 85%. Changes within this range are characteristics that do not exist in the conventional waveform 30.

そして、sp結合炭素の密度の割合が60%〜85%の範囲内にあるということは、前述した図9から、硬度は60〜80(GPa)となり、高い硬度を維持できることになる。 The fact that the ratio of the density of sp 3 bonded carbon is in the range of 60% to 85% indicates that the hardness is 60 to 80 (GPa) from FIG. 9 described above, and a high hardness can be maintained.

図6は、カーボン保護層7のta−C膜の膜厚が1.5nm、SiC,Siの成長核層6の膜厚が0.5nm〜1.0nmの場合における磨耗量の変化を示す。図6は、比較例の摩耗量を1として規格化したカーボン摩耗量で示している。図6からわかるように、磨耗量を一定以下に抑えることができる。波形40はSiCの例、波形41はSiの例である。   FIG. 6 shows changes in the amount of wear when the thickness of the ta-C film of the carbon protective layer 7 is 1.5 nm and the thickness of the growth core layer 6 of SiC and Si is 0.5 nm to 1.0 nm. FIG. 6 shows the carbon wear amount normalized by setting the wear amount of the comparative example to 1. As can be seen from FIG. 6, the amount of wear can be kept below a certain level. A waveform 40 is an example of SiC, and a waveform 41 is an example of Si.

以上説明したように、カーボン保護層7のta−C膜の膜厚を3.0nm以下に設定しても、一定以上の硬度が得られることがわかる。この硬度は、成長核層6の膜厚が1.0nm以下の場合でも容易に実現できる。   As described above, it can be seen that even when the thickness of the ta-C film of the carbon protective layer 7 is set to 3.0 nm or less, a certain level of hardness can be obtained. This hardness can be easily realized even when the thickness of the growth nucleus layer 6 is 1.0 nm or less.

従って、ta−C膜の膜厚を3.0nm以下に設定することができるため、保護膜全体を薄くでき、磁気記録媒体1の薄膜化を図ることができる。   Therefore, since the thickness of the ta-C film can be set to 3.0 nm or less, the entire protective film can be thinned, and the magnetic recording medium 1 can be thinned.

これにより、磁気記録媒体1は、超薄型のハードディスク磁気記録媒体を備えたハードディスク装置として構成することが可能となり、また、一定以上の硬度を有して耐摩耗性に優れていることから、記録層を形成する磁気記録層5を磁気ヘッドの衝撃や外界の腐食性物質などの腐食から保護することもでき、媒体の信頼性を向上させることができる。   Thereby, the magnetic recording medium 1 can be configured as a hard disk device including an ultra-thin hard disk magnetic recording medium, and has a certain degree of hardness and excellent wear resistance. The magnetic recording layer 5 forming the recording layer can be protected from the impact of the magnetic head and the corrosion of corrosive substances in the outside world, and the reliability of the medium can be improved.

(試作例1)
次に、製造方法として、磁気記録媒体1の試作例を挙げて説明する。
(Prototype example 1)
Next, as a manufacturing method, a prototype example of the magnetic recording medium 1 will be described.

3.5インチアルミ合金基板上2に、Ni−Pめっき層3を施す。そのめっき層3上に、スパッタ法で膜厚20nmのCrからなる下地層4、スパッタ法で膜厚10nmのCo合金からなる磁気記録層5を積層する。   The Ni—P plating layer 3 is applied on the 3.5 inch aluminum alloy substrate 2. On the plating layer 3, a base layer 4 made of Cr having a thickness of 20 nm is deposited by sputtering and a magnetic recording layer 5 made of Co alloy having a thickness of 10 nm is deposited by sputtering.

そして、その磁気記録層5上に、スパッタ法でsp結合のSiCを主成分とした成長核層6を膜厚0.8nmだけ形成する。
この成長核層6上に、真空アーク蒸着法のひとつであるFCA(Filtered Cathodic Arc)法で、膜厚1.5nmのta−C膜(テトラヘドラルアモルファスカーボン)からなるカーボン保護膜7を成膜した。
Then, on the magnetic recording layer 5, a growth nucleus layer 6 mainly composed of sp 3 -bonded SiC is formed by sputtering to a thickness of 0.8 nm.
A carbon protective film 7 made of a ta-C film (tetrahedral amorphous carbon) having a thickness of 1.5 nm is formed on the growth core layer 6 by a FCA (Filtered Cathodic Arc) method which is one of vacuum arc deposition methods. Filmed.

このようにして作製した磁気記録媒体1を用い、以下の評価試験を行った。   Using the magnetic recording medium 1 thus produced, the following evaluation test was performed.

まず、カーボン保護層7のsp結合炭素の割合を、X線光電子分光法によって測定した。 First, the proportion of sp 3 bonded carbon in the carbon protective layer 7 was measured by X-ray photoelectron spectroscopy.

炭素のClsピークを、sp結合炭素の成分(285.5eV付近)と、sp結合炭素の成分(284.5eV付近)とに波形分離をして、そのピーク面積比から算出した。sp結合炭素の成分の割合は、約71%であった。この割合は、図4の波形31〜33に示した3.0nm以下の薄膜の範囲内であることがわかる。 The Cls peak of carbon was waveform-separated into a component of sp 3 bonded carbon (near 285.5 eV) and a component of sp 2 bonded carbon (near 284.5 eV), and calculated from the peak area ratio. The proportion of sp 3 bonded carbon components was about 71%. It can be seen that this ratio is within the range of the thin film of 3.0 nm or less shown in the waveforms 31 to 33 in FIG.

次に、耐久性試験を行い、図6に示したような耐摩耗性を評価した。
潤滑膜無しサンプルを用い、SUS(ステンレス)球を取り付けたヘッドを一定荷重で摺動させ、OSA(Optical Surface Analyzer)にて摺動部付近のP波反射率を測定し、その反射率のピーク面積をカーボン摩耗量として相対比較し、評価した。
Next, a durability test was performed to evaluate the wear resistance as shown in FIG.
Using a sample without a lubrication film, slide a head with a SUS (stainless steel) ball with a constant load, measure the P-wave reflectance near the sliding part with OSA (Optical Surface Analyzer), and peak the reflectance. The area was relatively compared and evaluated as the amount of carbon wear.

規格化したカーボン摩耗量は、図6の波形40からもわかるように、比較例の磨耗量を1とすると、0.42であった。   As can be seen from the waveform 40 in FIG. 6, the normalized carbon wear amount was 0.42 when the wear amount of the comparative example was 1.

(試作例2)
磁気記録媒体1の成長核層6は、sp結合のSiを主成分とした組成として構成した。その他の層構成および作製方法は、前述した試作例1と同じである。
評価試験として、カーボン保護層7のsp結合炭素の割合の測定、耐摩耗性の評価を、試作例1と同様に行った。
sp結合炭素の成分の割合は、約65%であった。この割合は、図5の波形31〜33に示した3.0nm以下の薄膜の範囲内であることがわかる。
(Prototype example 2)
The growth nucleus layer 6 of the magnetic recording medium 1 was configured as a composition mainly composed of sp 3 -bonded Si. The other layer configuration and manufacturing method are the same as those of the above-described prototype example 1.
As an evaluation test, measurement of the proportion of sp 3 bonded carbon in the carbon protective layer 7 and evaluation of wear resistance were carried out in the same manner as in Prototype Example 1.
The proportion of sp 3 bonded carbon components was about 65%. It can be seen that this ratio is within the range of the thin film of 3.0 nm or less shown in the waveforms 31 to 33 in FIG.

また、規格化したカーボン摩耗量は、図6の波形41からもわかるように、比較例の磨耗量を1とすると、0.53であった。   Further, as can be seen from the waveform 41 in FIG. 6, the normalized carbon wear amount was 0.53 when the wear amount of the comparative example was 1.

(比較例)
上記試作例に対する比較例として、従来型の磁気記録媒体を作製した。磁気記録媒体の成長核層6の形成を無しにした以外は、試作例1と同様にして作製した。
sp結合炭素の成分の割合は、約15%であった。図9の値からもわかるように、硬度が著しく低いことがわかる。規格化したカーボン摩耗量は比較例を1としており、摩耗量は大きいことがわかる。
(Comparative example)
As a comparative example with respect to the prototype, a conventional magnetic recording medium was manufactured. The magnetic recording medium was manufactured in the same manner as in Prototype Example 1 except that the growth nucleus layer 6 was not formed.
The proportion of sp 3 bonded carbon components was about 15%. As can be seen from the values in FIG. 9, it can be seen that the hardness is extremely low. The normalized carbon wear amount is set to 1 as a comparative example, and it can be seen that the wear amount is large.

本発明は、例えば、ハードディスク装置を構成するハードディスク磁気記録媒体に適用可能な、磁気記録媒体、および、その製造方法に関し、特に、記録層を形成する磁気記録層をヘッドの衝撃、外界の腐食性物質などの腐食から保護する機能を有する、sp結合炭素(sp−C)に富んだ保護層の形成方法を提供することによって、保護層を3.0nm以下の薄膜で形成した場合においても、十分な硬度を得ることができるものである。 The present invention relates to a magnetic recording medium that can be applied to, for example, a hard disk magnetic recording medium constituting a hard disk device, and a method for manufacturing the same, and more particularly to a magnetic recording layer that forms a recording layer having a head impact and external corrosiveness. has a function of protecting against corrosion, such as material, by providing a method of forming the protective layer rich in sp 3 bonded carbon (sp 3 -C), even when formed by the following film 3.0nm protective layer A sufficient hardness can be obtained.

本発明に係る磁気記録媒体の概略構成を示す断面図である。1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a magnetic recording medium according to the present invention. 保護層の界面付近での密度変化を、従来例と比較して示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the density change in the interface vicinity of a protective layer compared with a prior art example. 保護層の界面付近での構造体を模式的に示す説明図である。It is explanatory drawing which shows typically the structure in the interface vicinity of a protective layer. 成長核層がSiCの場合における、ta−C膜厚とsp結合炭素の割合との関係を示す特性図である。When growth nucleus layer is SiC, which is a characteristic diagram showing the relationship between the ratio of ta-C film thickness and sp 3 bonded carbon. 成長核層がSiの場合における、ta−C膜の膜厚とsp結合炭素の割合との関係を示す特性図である。It is a characteristic view showing the relationship between the film thickness of the ta-C film and the proportion of sp 3 bonded carbon when the growth nucleus layer is Si. ta−C膜が薄膜で形成された場合における、成長核層の膜厚と、規格化したカーボン摩耗量との関係を示す特性図である。It is a characteristic view showing the relationship between the film thickness of the growth nucleus layer and the normalized amount of carbon wear when the ta-C film is formed as a thin film. カーボン系の相図である。It is a phase diagram of a carbon system. 従来のta−C膜厚とsp結合炭素の割合との関係を示す特性図である。It is a characteristic diagram showing the relationship between the ratio of the conventional ta-C film thickness and sp 3 bonded carbon. sp結合炭素の割合と硬度との関係を示す特性図である。It is a characteristic view which shows the relationship between the ratio of sp 3 bond carbon, and hardness.

符号の説明Explanation of symbols

1 磁気記録媒体
2 非磁性基板
3 めっき層
4 下地層
5 磁気記録層
6 成長核層
7 カーボン保護層
8 液体潤滑層
10 sp結合炭素
20 sp結合炭素
100 界面領域
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Magnetic recording medium 2 Nonmagnetic substrate 3 Plating layer 4 Underlayer 5 Magnetic recording layer 6 Growth nucleus layer 7 Carbon protective layer 8 Liquid lubricating layer 10 sp 2 bonded carbon 20 sp 3 bonded carbon 100 Interface region

Claims (5)

非磁性基板上に、少なくとも、下地層、磁気記録層、保護層が積層されてなる磁気記録媒体であって、
前記磁気記録層と前記保護層との間に、該保護層を構成する複数の構造体のうち所定の構造体の成分のみの成長を促進させる成長核層を設け、
ここで、前記保護層は、
前記所定の構造体の成分の成長が前記成長核層との界面付近で促進されることにより、該所定の構造体の成分の密度は、該保護層内の前記界面側の領域と該界面から離れた領域との間において傾斜をもたず略均一とされ、かつ、該所定の構造体以外の他の構造体の成分の密度よりも多い主成分とされ、これにより形成される該保護層の硬度を一定以上に保つことを特徴とする磁気記録媒体。
A magnetic recording medium in which at least an underlayer, a magnetic recording layer, and a protective layer are laminated on a nonmagnetic substrate,
Between the magnetic recording layer and the protective layer, provided is a growth nucleus layer that promotes the growth of only a component of a predetermined structure among the plurality of structures constituting the protective layer,
Here, the protective layer is
The growth of the component of the predetermined structure is promoted in the vicinity of the interface with the growth nucleus layer, so that the density of the component of the predetermined structure is reduced from the region on the interface side in the protective layer and the interface. The protective layer formed by using a main component that is substantially uniform with no inclination with respect to a distant region and has a density higher than that of components of other structures other than the predetermined structure. A magnetic recording medium characterized in that the hardness of the magnetic recording medium is kept above a certain level.
前記成長核層は、sp結合のSi、又は、sp結合のCおよびsp結合のSiを主成分として形成され、
前記保護層は、前記所定の構造体としてsp結合のCを主成分とするta−C(テトラヘドラルアモルファスカーボン)として形成されたことを特徴とする請求項1記載の磁気記録媒体。
The growth nucleus layer is formed with sp 3 -bonded Si or sp 3 -bonded C and sp 3 -bonded Si as a main component,
The magnetic recording medium according to claim 1, wherein the protective layer is formed as ta-C (tetrahedral amorphous carbon) containing sp 3 -bonded C as a main component as the predetermined structure.
前記保護層の膜厚は、3.0nm以下であることを特徴とする請求項1又は2記載の磁気記録媒体。   The magnetic recording medium according to claim 1, wherein the protective layer has a thickness of 3.0 nm or less. 前記成長核層の膜厚は、1.0nm以下であることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の磁気記録媒体。   4. The magnetic recording medium according to claim 1, wherein the growth nucleus layer has a thickness of 1.0 nm or less. 非磁性基板上に、少なくとも、下地層、磁気記録層、保護層が積層されてなる磁気記録媒体を作製する製造方法であって、
前記磁気記録層上に、sp結合のSi、又は、sp結合のCおよびsp結合のSiを主成分とした成長核層を形成する工程と、
前記成長核層上に、sp結合のCを主成分とするta−C(テトラヘドラルアモルファスカーボン)からなる保護層を形成する工程と
を具え、
ここで、前記保護層は、
前記sp結合のCの成長が前記成長核層との界面付近で促進されることにより、該sp結合のCの密度は、該保護層内の前記界面側の領域と該界面から離れた領域との間において傾斜をもたず略均一とされ、かつ、該sp結合以外の他のsp結合のCの密度よりも多い主成分とされ、これにより形成された該保護層の硬度を一定以上に保つことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
A manufacturing method for producing a magnetic recording medium in which at least an underlayer, a magnetic recording layer, and a protective layer are laminated on a nonmagnetic substrate,
The magnetic recording layer, sp 3 bonds of Si, or, forming a growth nucleus layer composed mainly of C and sp 3 bonds of Si sp 3 bonds,
Forming a protective layer composed of ta-C (tetrahedral amorphous carbon) containing sp 3 -bonded C as a main component on the growth nucleus layer,
Here, the protective layer is
The growth of the sp 3 -bonded C is promoted near the interface with the growth nucleus layer, so that the density of the sp 3 -bonded C is separated from the region on the interface side in the protective layer and the interface. Hardness of the protective layer formed by being substantially uniform with no inclination between the regions and having a main component higher than the density of C of other sp 2 bonds other than the sp 3 bond Is maintained at a certain level or more, and a method for manufacturing a magnetic recording medium.
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JP2014099235A (en) * 2012-11-14 2014-05-29 Hgst Netherlands B V Magnetic recording medium and hard amorphous carbon film for magnetic head containing ultra small amount of hydrogen

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