JP2005049195A - 入力装置、電子機器及び入力装置の駆動方法 - Google Patents
入力装置、電子機器及び入力装置の駆動方法 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】 各センサセルからのリーク電流を抑制して、検出精度を高めることが可能な入力装置を提供する。
【解決手段】 マトリクス状に配置される複数の各静電容量検出手段31からの指紋情報を、センスアンプ40で読み取る。その際、走査線36から高電位VDDの走査信号を与え、且つデータ選択線38から選択信号を与えて選択した静電容量検出手段31だけをセンスアンプ40に繋ぐ。一方、選択されていない他の静電容量検出手段31は、センスアンプ40から切り離す。非選択状態にある静電容量検出手段31からセンスアンプ40へのリーク電流の流れ込みが抑制され、センスアンプ40にて読み出す電流値において、このリーク電流による影響を効果的に低減できる。
【選択図】 図1
【解決手段】 マトリクス状に配置される複数の各静電容量検出手段31からの指紋情報を、センスアンプ40で読み取る。その際、走査線36から高電位VDDの走査信号を与え、且つデータ選択線38から選択信号を与えて選択した静電容量検出手段31だけをセンスアンプ40に繋ぐ。一方、選択されていない他の静電容量検出手段31は、センスアンプ40から切り離す。非選択状態にある静電容量検出手段31からセンスアンプ40へのリーク電流の流れ込みが抑制され、センスアンプ40にて読み出す電流値において、このリーク電流による影響を効果的に低減できる。
【選択図】 図1
Description
本発明は、入力装置、特には複数のセンサセルを、例えばマトリクス状に配置した入力装置、電子機器及び入力装置の駆動方法に関する。
従来、複数のセンサセルを配置した入力装置としては、例えば、指紋センサ(例えば、特許文献1〜4)や椅子に座ったときの圧力分布を測定する座圧センサなどがある。指紋センサの用途は、従来から、機密性の高い部屋へ入室する人が本人であることを認証する装置に使用する目的が主であったが、例えば半導体を使った静電容量式指紋センサ(例えば、特許文献2〜4)が小型軽量で安価にできるようになり、携帯電話、PDA(携帯情報端末)、携帯用パソコンなどの携帯用小型電子機器やICカードなどへの用途が考えられている。その他、据え置き型の電子装置であっても、個人用途でプライバシーを守るために、本人を特定するための指紋センサが使われる。
従来の半導体を使った静電容量式指紋センサは、20mm×20mm位の単結晶シリコンに形成されていた。静電容量式指紋センサの構造と検出原理は、半導体の表面に形成されたマトリクス状のセンサセルに作られた電極と、その電極上の誘電体薄膜を介して指紋の凹凸との間に発生する静電容量の分布をトランジスタ回路で検出するようになっている。検出されたセンサセルの情報は、走査線でマトリクス状のセンサセルを順に走査して、データ線で順にセンサセルの出力端に接続して出力される(例えば、特許文献1)。
特開平11−118415号公報
特開2000−346608号公報
特開2001−56204号公報
特開2001−133213号公報
しかし、これら従来の静電容量式指紋センサは、単結晶シリコン基板上にセンサ電極や誘電体膜が設けられているため、検出面である誘電体膜に指を強く押し付けるとシリコン基板が割れてしまい、耐久性に劣る。更に、指紋センサはその用途から必然的に20mm×20mm程度の大きさが求められ、膨大なエネルギーと労力を要して作成された単結晶シリコン基板に形成した場合、高価になるとの課題を有する。
上記課題を解決する方法として、本願出願人は先にMIS型薄膜半導体装置(信号増幅用TFT)をセンサセルとして用いることにより、安価で耐久性に優れるガラス基板やプラスチック基板にも形成し得る静電容量式指紋センサを提案している。しかし、MIS型薄膜半導体装置は、単結晶シリコンによる半導体装置に比べて、静電容量検出回路であるセンサセルの非選択時(オフ時)におけるリーク電流が大きい。従って、MIS型薄膜半導体装置で構成した指紋センサの場合、非選択状態のセンサセルにおけるリーク電流が無視できない程度となる。その結果、出力手段であるセンスアンプで読み取る電流値において、選択されていないセンサセルからのリーク電流が、本来の選択されているセンサセルからの検出情報としての電流と混在し、指紋センサとしての検出精度を低減させるという問題を有していた。
そこで本発明は上述の諸事情に鑑み、各センサセルからのリーク電流の混在を抑制して、検出精度を高めることが可能な入力装置、電子機器及び入力装置の駆動方法を提供することをその目的とする。
本発明における入力装置は、複数のセンサセルと、前記各センサセルからの検出情報を読み取る出力手段とを備えた入力装置において、選択された前記センサセルだけを前記出力手段に繋ぎ、それ以外の選択されていない前記センサセルを前記出力手段から切り離すセンサセル選択手段を備えて構成される。
また本発明における入力装置の駆動方法は、複数の各センサセルからの検出情報を、出力手段で読み取って出力する入力装置の駆動方法において、選択された前記センサセルだけを前記出力手段に繋いで検出情報を読み込み、それ以外の選択されていない前記センサセルを前記出力手段から切り離すことを特徴とする。
本発明によれば、検出情報を読み取るのに選択されたセンサセルだけは出力手段に繋がるが、それ以外の選択されていないセンサセルは出力手段と切り離される。したがって、非選択状態にある各センサセルから出力手段へのリーク電流の流れ込みが抑制され、選択されたセンサセルからの検出情報を精度よく読み取ることができる。
本発明における入力装置は、前記各センサセルが、被検出物に応じた感応信号を出力する感応部と、前記感応部と前記出力手段との間に介在するデータ線選択素子とを備えており、前記センサセル選択手段が、前記データ線選択素子と、駆動手段とにより構成され、前記駆動手段は、選択された前記センサセルのデータ線選択素子のみをアクティブにする選択信号を与え、それ以外の前記センサセルのデータ線選択素子には選択信号を与えないことを特徴とする。
また本発明における入力装置の駆動方法は、被検出物に応じた感応信号を出力する感応部とデータ線選択素子とを前記各センサセル毎に設けて、前記データ線選択素子を前記感応部と前記出力手段との間に介在させ、選択された前記センサセルのデータ線選択素子のみをアクティブにする選択信号を与え、それ以外の前記センサセルのデータ線選択素子には選択信号を与えないようにしたことを特徴とする。
この場合、各々のセンサセルにデータ線選択素子を設け、選択されたデータ線選択素子にのみ選択信号を与えるようにするだけで、選択されていないセンサセルから出力回路へのリーク電流の流れ込みを効果的に低減できる。
本発明における入力装置は、複数本の走査線と前記出力手段に繋がる複数本のビット線との交点に前記センサセルを設け、前記各センサセルは、被検出物に応じた感応信号を出力する感応部と、データ線選択素子と、選択した前記走査線からの走査信号によりアクティブにする走査線選択素子とを備え、前記感応部と前記ビット線との間に前記データ線選択素子と走査線選択素子とのAND回路を接続すると共に、前記センサセル選択手段は、前記データ線選択素子と、駆動手段とにより構成され、前記駆動手段は、選択された前記センサセルのデータ線選択素子のみをアクティブにする選択信号を与え、それ以外の前記センサセルのデータ線選択素子には選択信号を与えないことを特徴とする。
また本発明における入力装置の駆動方法は、複数本の走査線と前記出力手段に繋がる複数本のビット線との交点に前記センサセルを配置し、被検出物に応じた感応信号を出力する感応部と、データ線選択素子と、選択した前記走査線からの走査信号によりアクティブにする走査線選択素子とを前記各センサセル毎に設けて、前記感応部と前記ビット線との間に前記データ線選択素子と走査線選択素子とのAND回路を接続すると共に、選択された前記センサセルのデータ線選択素子のみをアクティブにする選択信号を与え、それ以外の前記センサセルのデータ線選択素子には選択信号を与えないようにしたことを特徴とする。
この場合、走査信号と選択信号が共に与えられたセンサセルだけがビット線に繋がって、出力手段に検出情報を送り出すことができる。また、走査線から走査信号が与えられていても、選択信号が与えられない他のセンサセルは、データ線選択素子がオンしないので、ビット線へのリーク電流の流れ込みが確実に抑制される。
本発明における入力装置は、前記各センサセルにスイッチ素子を備えたビット線を接続し、前記センサセル選択手段は、前記スイッチ素子と、駆動手段とにより構成され、前記駆動手段は、選択した前記センサセルに接続する前記ビット線のスイッチ素子のみをオンにして、該ビット線と前記出力手段とを繋ぐ選択信号を与え、それ以外の前記センサセルに接続する前記ビット線のスイッチ素子には、選択信号を与えないことを特徴とする。
また本発明における入力装置の駆動方法は、前記各センサセルにスイッチ素子を備えたビット線を接続し、選択した前記センサセルに接続する前記ビット線のスイッチ素子のみをオンにして、該ビット線と前記出力手段とを繋ぐ選択信号を与え、それ以外の前記センサセルに接続する前記ビット線のスイッチ素子には、選択信号を与えないようにしたことを特徴とする。
この場合、各センサセルに接続するビット線には、スイッチ素子が夫々設けられており、選択されたセンサセルに接続するビット線のスイッチ素子に対しては、このビット線と出力手段とを繋ぐ選択信号が与えられるが、非選択のセンサセルに接続する各ビット線のスイッチ素子に対しては、いずれも選択信号が与えられず、これらの各ビット線が出力手段から切り離される。そのため、指紋情報送出用の各ビット線に各々接続したスイッチ素子を利用して、選択されていないセンサセルから出力回路へのリーク電流の流れ込みを効果的に低減できる。
本発明における入力装置は、前記各センサセルにスイッチ素子を備えたビット線を接続し、前記各センサセルは、被検出物に応じた感応信号を出力する感応部と、前記感応部と前記出力手段との間に介在するデータ線選択素子とを備え、前記センサセル選択手段は、前記スイッチ素子と、前記データ線選択素子と、駆動手段とにより構成され、前記駆動手段は、選択した前記センサセルのデータ線選択素子及びこのセンサセルに接続する前記ビット線のスイッチ素子にのみ、前記感応部と該ビット線及びこのビット線から前記出力手段を夫々繋ぐ選択信号を与え、それ以外の前記センサセルのデータ線選択素子と、このセンサセルに接続する前記ビット線のスイッチ素子には、選択信号を与えないことを特徴とする。
また本発明における入力装置の駆動方法は、前記各センサセルにスイッチ素子を備えたビット線を接続し、被検出物に応じた感応信号を出力する感応部とデータ線選択素子とを前記各センサセル毎に設けて、前記データ線選択素子を前記感応部と前記出力手段との間に介在させ、選択した前記センサセルのデータ線選択素子及びこのセンサセルに接続する前記ビット線のスイッチ素子にのみ、前記感応部と該ビット線及びこのビット線から前記出力手段を夫々繋ぐ選択信号を与え、それ以外の前記センサセルのデータ線選択素子と、このセンサセルに接続する前記ビット線のスイッチ素子には、選択信号を与えないようにしたことを特徴とする。
この場合、各センサセルに接続するビット線には、スイッチ素子が夫々設けられていると共に、各センサセルにおいて、センサセルの感応部と出力手段との間にも別のデータ線選択素子が介在される。そして、選択信号が共に与えられたセンサセルだけがビット線に繋がって、出力手段に検出情報を送り出すことができるが、それ以外の選択されていないセンサセルのデータ線選択素子と、このセンサセルに接続するビット線のスイッチ素子に対しては、選択信号が与えられず、非選択のセンサセルは出力手段から全て切り離される。こうして、スイッチ素子とデータ線選択素子とにより、非選択のセンサセルからのリーク電流の流れ込みを確実に抑制することが可能になる。
本発明における入力装置は、前記各センサセルにスイッチ素子を備えたビット線を接続し、複数本の走査線と複数本の前記ビット線との交点に前記センサセルを設け、前記各センサセルは、被検出物に応じた感応信号を出力する感応部と、データ線選択素子と、選択した前記走査線からの走査信号によりアクティブにする走査線選択素子とを備え、前記感応部と前記ビット線との間に前記データ線選択素子と走査線選択素子とのAND回路を接続すると共に、前記センサセル選択手段は、前記スイッチ素子と、前記データ線選択素子と、駆動手段とにより構成され、前記駆動手段は、選択した前記センサセルのデータ線選択素子及びこのセンサセルに接続する前記ビット線のスイッチ素子にのみ、前記感応部と該ビット線及びこのビット線から前記出力手段を夫々繋ぐ選択信号を与え、それ以外の前記センサセルのデータ線選択素子と、このセンサセルに接続する前記ビット線のスイッチ素子には、選択信号を与えないことを特徴とする。
また本発明における入力装置の駆動方法は、前記各センサセルにスイッチ素子を備えたビット線を接続し、複数本の走査線と複数本の前記ビット線との交点に前記センサセルを配置し、被検出物に応じた感応信号を出力する感応部と、データ線選択素子と、選択した前記走査線からの走査信号によりアクティブにする走査線選択素子とを前記各センサセル毎に設けて、前記感応部と前記ビット線との間に前記データ線選択素子と走査線選択素子とのAND回路を接続すると共に、選択した前記センサセルのデータ線選択素子及びこのセンサセルに接続する前記ビット線のスイッチ素子にのみ、前記感応部と該ビット線及びこのビット線から前記出力手段を夫々繋ぐ選択信号を与え、それ以外の前記センサセルのデータ線選択素子と、このセンサセルに接続する前記ビット線のスイッチ素子には、選択信号を与えないようにしたことを特徴とする。
この場合、各センサセルに接続するビット線には、スイッチ素子が夫々設けられていると共に、各センサセルにおいて、センサセルの感応部とビット線との間にも別のデータ線選択素子と走査線選択素子とのAND回路が介在される。そして、走査信号と選択信号が共に与えられたセンサセルの感応部だけがビット線に繋がって、出力手段に検出情報を送り出すことができるが、それ以外の選択されていないセンサセルのデータ線選択素子と、このセンサセルに接続するビット線のスイッチ素子に対しては、選択信号が与えられず、非選択のセンサセルは出力手段から全て切り離される。こうして、スイッチ素子とデータ線選択素子とにより、非選択のセンサセルからのリーク電流の流れ込みを確実に抑制することが可能になる。また、走査線から走査信号が与えられていても、選択信号が与えられない他のセンサセルは、データ線選択素子やそれに接続するビット線のスイッチ素子が共にオンしないので、ビット線へのリーク電流の流れ込みがより確実に抑制される。
本発明における入力装置は、前記データ線選択素子よりも先に前記スイッチ素子をオンにして、選択された前記センサセルに接続する前記ビット線にのみプレチャージ電圧を供給し、該データ線選択素子がオンすると、前記プレチャージ電圧の供給を遮断して該ビット線から前記出力手段に検出情報を送出させるビット線電圧供給手段を備えて構成される。
また本発明における入力装置の駆動方法は、選択されたセンサセルに対応する前記スイッチ素子をオンにして、この選択されたセンサセルに接続する前記ビット線だけにプレチャージ電圧を供給し、該プレチャージ電圧の供給が完了したら、前記データ線選択素子をアクティブにすると共に前記プレチャージ電圧の供給を遮断して、該ビット線から前記出力手段に検出情報を送出させることを特徴とする。
このように、選択されたセンサセルに接続するビット線に予めプレチャージ電圧が供給されるので、その後でこの選択されたセンサセルから必要な検出情報を読み出す際に、ビット線の電位を安定させて動作マージンを広げることができ、より高速な検出動作が可能になる。また、プレチャージ電圧が与えられるのは、スイッチ素子をオンにしたビット線だけなので、全てのビット線にプレチャージ電圧を供給する必要がなく、この点でも検出動作の高速化を一段と達成できる。
上記構成の入力装置では、前記プレチャージ電圧を可変する電圧可変手段を備えるのが好ましい。このような電圧可変手段があれば、プレチャージ電圧を任意に可変することができるので、より精密な検出動作の調整を行うことが可能になる。
上記各発明では、少なくとも前記センサセルをMIS型薄膜半導体装置で構成するのが好ましい。このようにすると、入力装置を構成する少なくともセンサセルが単結晶シリコン基板から解放されて、ガラス基板やプラスチック基板上に形成することができ、安価で耐久性に優れた入力装置を提供できる。
上記各発明において、センサセルはとりわけ指紋の凹凸を検出するものに適用するのが好ましい。こうすれば、指の指紋を検出情報とした種々の制御が可能になる。また、指紋情報を出力する超小型且つ超軽量な入力装置を提供できる。
また本発明は、指紋情報を出力する上記入力装置を、各種の電子機器に組み込んでもよい。
このような電子機器としては、例えばスマートカード,PDA,携帯電話等がある。いずれの場合も、超薄型且つ超軽量で、指紋の登録や指紋の認証に適した電子機器としての提供が可能になる。
以下、本発明における好適な実施の形態について、添付図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を限定するものではない。また、以下に説明される構成の全てが、本発明の必須要件であるとは限らない。各実施例では、非選択状態にあるセンサセルからのリーク電流を抑制すると共に、選択状態にあるセンサセルから検出情報を精度よく読み取る入力装置とその駆動方法について夫々記述する。
図1は、入力装置のセンサ部となる静電容量式指紋センサ1のブロック図である。指紋センサ1は、データ選択線38を選択するためのデータドライバ10と、走査線36を選択するための走査ドライバ20と、被検出物である指紋の検出領域として形成されるアクティブマトリクス部30とにより構成される。指の表面形状を採取する情報採取部としてのアクティブマトリクス部30は、m行n列のマトリクス(行列)状に配置されたm本(mは2以上の整数)の走査線36と、対をなすn本(nは2以上の整数)のビット線37及びデータ選択線38と、走査線36とビット線37との交点に設けられた検出回路に相当する静電容量検出回路31を最小限の構成要素としている。また、各静電容量検出回路31には低電位側電源(図示せず)に繋がる供給線39がそれぞれ接続され、アクティブな走査線36に発生する高電位VDDと、供給線39に発生する低電位VSSとの電位差が、静電容量検出回路31に印加される構成となっている。
前記データドライバ10は、通常の表示装置におけるアナログ点順次駆動を実現するためのシフトレジスタ11と、各ビット線37の一端が接続される共通のビット幹線としてのグローバル線LDとを備え、このグローバル線LDが出力手段であるセンスアンプ40の入力側に接続される。シフトレジスタ11は、外部からスタートパルスが与えられると、別に与えられるクロックに同期して、n個のデータ選択線38に順次選択信号を与えるようになっている。
走査ドライバ20は、走査線36を順次選択するためのシフトレジスタ21により構成される。シフトレジスタ21は、外部からスタートパルスが与えられると、別に与えられるクロックに同期して、全ての走査線36を順に選択走査する。これによりアクティブな走査線36と選択されたデータ選択線38との交点にある選択状態の静電容量検出回路31から、グローバル線LDを通してセンスアンプ40に検出情報が取り出される。
センサセルに相当する静電容量検出回路31は、アクティブマトリクス部30においてm行n列のマトリクス状に配置され、被検出物との距離に応じて変化する静電容量を検出する。より具体的には、図2に示すように、走査線選択素子である走査線選択トランジスタ32と、例えば指紋のような被検出物の表面の凹凸形状に依存して静電容量Cdが変化する信号検出素子33と、信号増幅素子である信号増幅トランジスタ34と、データ線選択素子であるデータ線選択トランジスタ35と、固定の静電容量Csを持つ基準コンデンサ42とを含んで構成される。信号増幅トランジスタ34は、好ましくはゲート電極とゲート絶縁膜と半導体膜とからなる信号増幅用MIS型薄膜半導体装置から構成される。また走査線選択トランジスタ32は、好ましくはゲート電極とゲート絶縁膜と半導体膜とからなる走査線選択用MIS型薄膜半導体装置から構成される。さらに、データ線選択トランジスタ35は、好ましくはゲート電極とゲート絶縁膜と半導体膜とからなるデータ線選択用MIS型薄膜半導体装置から構成される。
本実施例では、信号増幅用MIS型薄膜半導体装置のドレインがデータ線選択用MIS型薄膜半導体装置のソースに接続され、データ線選択用MIS型薄膜半導体装置のドレインが走査線選択用MIS型薄膜半導体装置のソースに接続される。また、信号増幅用MIS型薄膜半導体装置のソースが供給線39に接続され、信号増幅用MIS型薄膜半導体装置のゲート電極が信号検出素子33を構成する容量検出電極と基準コンデンサ42との接続点に接続される(図2ではMIS型薄膜半導体装置のソースをS、ドレインをD、ゲート電極をGと表示している)。こうして走査線選択用MIS型薄膜半導体装置のソースと供給線39とは、容量検出電極にて検出された電荷Qに感応する信号増幅用MIS型薄膜半導体装置と、データ選択線38に与えられる選択信号によりオンするデータ線選択用MIS型薄膜半導体装置とのAND回路の一例である直列回路を介在してお互いに接続される。また、走査線選択用MIS型薄膜半導体装置のドレインがデータ線37に接続され、走査線選択用MIS型薄膜半導体装置のゲート電極が走査線36と基準コンデンサ42の一端に接続される。
本実施例では、静電容量Csを持つコンデンサと、被検出物の表面形状に応じて変化する静電容量Cdを持つコンデンサとの間に発生した電荷Qにより、信号増幅用MIS型薄膜半導体装置のゲート電位を変化させる。そして、走査線選択用MIS型薄膜半導体装置のドレイン・ソース間と、データ線選択用MIS型薄膜半導体装置のドレイン・ソース間とを導通させた状態で、信号増幅用MIS型薄膜半導体装置のドレインに所定の電圧を印加すると、誘起された電荷Qに応じて信号増幅用MIS型薄膜半導体装置のドレイン・ソース間に流れる電流Iが著しく増幅される。誘起された電荷Q自体は何処にも流れずに保存されるので、ドレイン電圧を高くしたり或いは測定時間を長くする等で電流Iの測定も容易になる。
上記金属−絶縁膜−半導体膜から成るMIS型薄膜半導体装置は、通常ガラス基板に作成されるために、大面積を要する半導体集積回路を安価に製造する技術として知られ、具体的に昨今では液晶表示装置等に応用されている。従って指紋センサ等に適用される静電容量検出回路31を薄膜半導体装置にて作成すると、単結晶シリコン基板と云った多大なエネルギーを消費して作られた高価な基板を使用する必要がなく、貴重な地球資源を消費することなく安価に当該装置を作成し得る。また、薄膜半導体装置はSUFTLA(特開平11−312811号公報やS. Utsunomiya et. al. Society for Information Display p.916(2000))と呼ばれる転写技術を適用する事で、半導体集積回路をプラスチック基板上に作成できるので、静電容量検出回路31も単結晶シリコン基板から解放されて、プラスチック基板上に形成し得るのである。
図3は、センスアンプ40の回路図である。センスアンプ40は、二段のカレントミラー回路41,42にて構成され、一段目のカレントミラー回路41の一部が前記静電容量検出回路31により置き換えられた構成となっている。より具体的には、カレントミラー回路41は静電容量検出回路31の他に、Pチャンネルトランジスタ61〜65と、Nチャンネルトランジスタ66,67とを備え、高電位VDDラインと低電位VSSラインとの間に、トランジスタ61,走査線選択トランジスタ32,データ線選択トランジスタ35及び信号増幅トランジスタ34を順に接続した直列回路と、トランジスタ64,66,67を順に接続した直列回路が夫々接続される。また、トランジスタ61,32との接続点とトランジスタ64,66の接続点との間に、トランジスタ65のドレイン・ソースが夫々接続され、トランジスタ61,64,65の各ゲートにクロックCLKが与えられる。高電位VDDラインとトランジスタ65のドレイン,及び高電位VDDラインとトランジスタ65のソースとの間には、トランジスタ62,63のドレインが夫々接続され、これらのトランジスタ62,63のゲートがトランジスタ63のドレインに接続される。そして、クロックCLKがH(高)レベルのときに、静電容量検出回路31のトランジスタ32,35,34に流れ込む電流量Iと、トランジスタ67のゲートに与えられる基準電圧VRにより、トランジスタ66,67に流れ込む電流量I’との差が、トランジスタ65のドレイン・ソース間に電圧として発生するようになっている。
一方、二段目のカレントミラー回路42は、Pチャンネルトランジスタ68〜70と、Nチャンネルトランジスタ71〜73とを備え、トランジスタ68,71の直列回路と、トランジスタ69,72の直列回路が、高電位VDDラインとトランジスタ73のドレインとの間に夫々接続される。また、トランジスタ68,71の接続点とトランジスタ69,72の接続点との間に、トランジスタ70のドレイン・ソースが夫々接続され、トランジスタ70,73の各ゲートにクロックCLKが与えられる。更に、トランジスタ68,69のゲートがトランジスタ69のドレインに接続され、トランジスタ73のソースが低電位VSSラインに接続される。そして、クロックCLKがHレベルのときに、前記電流量IとI’との差に見合う電圧がトランジスタ71,72の各ゲートに印加され、トランジスタ68,71の接続点から増幅された出力OUTが取り出される。なお、図中に示す増幅回路40はあくまでも一例であり、他の回路構成に適宜置き換えてもよい。
上記指紋センサ1の動作について説明すると、走査ドライバ20に与えられるスタートパルスとクロック信号により、m本の走査線36の中から特定の1本の走査線36が順次選択されると、当該走査線36がアクティブになって高電位VDDとなる。その結果、当該走査線36に繋がる静電容量検出回路31の走査線選択トランジスタ32がオン状態となる。一方、信号増幅トランジスタ34のゲート電圧は、信号増幅トランジスタ34自身に寄生する容量Ct(図2参照)及び基準コンデンサ37の容量Csと、信号検出素子33の容量Cdとの容量比により定まる。
指紋の山(凸部)が静電容量検出回路31の表面に接した時は、信号検出素子33の容量Cdが容量Ct,Csに対し十分大きくなり、信号増幅トランジスタ34のゲート電圧はGND(グランド)電位に近づく。その結果、信号増幅トランジスタ34は略オフ状態となり、信号増幅トランジスタ34のドレイン・ソース間には極めて微弱な電流Iが流れる。反対に、指紋の谷(凹部)が静電容量検出回路31の表面に対向した時は、信号検出素子33の容量Cdが容量Ct,Csに対し十分小さくなり、信号増幅トランジスタ34のゲート電圧は高電位VDDに近づく。その結果、信号増幅トランジスタ34は略オン状態となり、信号増幅トランジスタ34のドレイン・ソース間には大きな電流Iが流れる。
ここで、信号増幅トランジスタ34のソースは低電位VSSの供給線39と接続されているため、電流Iの流れる向きはビット線37から静電容量検出回路31へと流れ込む方向となる。上記特定の走査線36がアクティブな状態において、データドライバ10に与えられるスタートパルスとクロック信号により、複数のデータ選択線38の中から、特定の1個のデータ選択線38が順次選択され、そのデータ選択線38に繋がる静電容量検出回路31のデータ線選択トランジスタ35がオン状態となる。その結果、センスアンプ40から選択された静電容量検出回路31に向けて、指紋の凹凸情報に応じた電流Iが流れる。静電容量検出回路31からの検出情報を出力する出力部としてのセンスアンプ40は、前述の通り二段のカレントミラー回路41,42にて構成される。一段目のカレントミラー回路41において、HレベルのクロックCLKが与えられている時に、静電容量検出回路31に向けて流れ込む電流量Iと、基準電圧VRによりトランジスタ66,67に流れ込む電流量I’との比較を行ない、二段目のカレントミラー回路42において、その比較した結果を増幅した出力OUTが取り出される。以上の動作を、検出面であるアクティブマトリクス部30内で繰り返すことにより、各静電容量検出回路31からの指紋情報を出力でき、アクティブマトリクス部30の表面に当接した指紋パターンの検出が実現される。より具体的には、第1行の各列に位置する静電容量検出回路31から順に指紋の凹凸を検出した後、第2行の指紋の凹凸を検出するといったように、静電容量検出回路31毎に指紋の凹凸を検出してゆく。その結果、指紋センサ1を用いて周期的に指紋画像を取り込むことができる。
静電容量検出回路31は上述したSUFTLA技術を用いて、プラスチック基板上に形成され得る。単結晶シリコン技術に基づく指紋センサは、プラスチック上では直ぐに割れてしまったり、或いは十分な大きさを有しないために実用性に乏しい。これに対して本実施例によるプラスチック基板上の静電容量検出回路31は、プラスチック基板上で指を被うに十分大きい面積としても割れる心配がなく、プラスチック基板上での指紋センサ1として利用し得る。
上記構成の指紋センサ1は、個人認証機能を兼ね備えたスマートカードに適用される。スマートカードはキャッシュカード(bankcard)やクレジットカード(credit card)、身分証明書(Identity card)等で使用され、これらのセキュリティレベルを著しく高めた上で尚、個人指紋情報をカード外に流出させずに保護するとの優れた機能を有する。図4は、スマートカードの一種であるICカード4への適用例を示したものである。薄板状のカード母材6には、静電容量式の指紋センサ1の他に、ICチップ50及び指紋センサ1を駆動するための制御手段たるマイクロコントローラ51が夫々搭載される。指紋読み取り時には、マイクロコントローラ51から供給される信号に基づき指紋センサ1が駆動され、指紋の凹凸情報に対応した検出信号が指紋センサ1から出力される。また、ここには図示しないが、例えば液晶パネル等の表示装置をマイクロコントローラ51に接続してもよい。
個人認証を行なわないカードでは、予めカードに記憶登録された暗証番号と、カード使用者が入力した暗証番号が等しい場合に、そのカードを使用できる。そのため、カード所有者以外でも暗証番号を知ることができれば、カードを不正使用することが可能である。一方、図3に示すような指紋センサ1による個人認証を行なうICカード4では、予めカード内のメモリ(ICチップ50)に蓄えられた指紋データと、指紋センサ1からの指紋情報が合致した場合にのみ暗証番号を発行する。この発行された暗証番号と、カード使用者が入力した暗証番号が等しければ、そのICカード4を使用できる。
本実施例では、マトリクス状に配置される複数の各静電容量検出手段31からの指紋情報(検出情報)を、出力手段であるセンスアンプ40で読み取る際に、アクティブな走査線36と特定したビット線37との交点にある選択された静電容量検出手段31だけをセンスアンプ40に繋いで、この静電容量検出手段31から指紋情報を読み込み、それ以外の選択されていない静電容量検出手段31は、センスアンプ40から切り離すような指紋センサ1の駆動方法を採用している。即ち本実施例では、走査線36から高電位VDDの走査信号を与え、且つデータ選択線38から選択信号を与えて選択した静電容量検出手段31だけをセンスアンプ40に繋ぎ、それ以外の走査信号と選択信号が共に与えられていない非選択の静電容量検出手段31をセンスアンプ40から切り離すセンサセル選択手段を備えているといえる。
これにより、指紋情報を読み取るのに選択された静電容量検出手段31だけはセンスアンプ40に繋がるが、それ以外の選択されていない静電容量検出手段31はセンスアンプ40と切り離される。したがって、非選択状態にある静電容量検出手段31からセンスアンプ40へのリーク電流の流れ込みが抑制され、センスアンプ40にて読み出す電流値において、このリーク電流による影響を大きく低減できる。そのため、選択された静電容量検出手段31からの指紋情報を精度よく読み取ることができる。
アクティブマトリクス部30にある各々の静電容量検出手段31は、被検出物である指の指紋に応じた感応信号を電流量Iとして出力する感応部(信号検出素子33,信号増幅トランジスタ34,基準コンデンサ42)と、感応部とセンスアンプ40との間に介在するデータ線選択素子としてのデータ線選択トランジスタ35とを備えている。また、ここでのセンサセル選択手段は、データ線選択トランジスタ35と、選択された静電容量検出手段31のデータ線選択トランジスタ35にのみ、このデータ線選択トランジスタ35をオンにする選択信号を与え、それ以外の静電容量検出手段31のデータ線選択トランジスタ35には選択信号を与えない駆動手段とにより構成される。本実施例における駆動手段は、ICカード4に備えたマイクロコンピュータ51と、指紋センサ1のデータドライバ10で実現されるが、特定のセンサセルを選択する信号を発生できるものであれば、どのような形態のものであってもよい。
このようにすると、各々の静電容量検出手段31にデータ線選択トランジスタ35を設け、選択されたデータ線選択トランジスタ35にのみ選択信号を与えるようにするだけで、選択されていない静電容量検出手段31からセンスアンプ40へのリーク電流の流れ込みを効果的に低減できる。
静電容量検出回路31は、複数本の走査線36と、センスアンプ40に繋がる複数本のビット線37との交点に各々設けられ、前記感応部やデータ線選択トランジスタ35の他に、選択した走査線36からの走査信号によりオンする走査線選択素子としての走査線選択トランジスタ32を備えている。そして、走査線選択トランジスタ32とデータ線選択トランジスタ35とのAND回路としての直列回路が、感応部とビット線37との間に接続される。そのため、高電位VDDの走査信号と、データ選択線38からの選択信号が共に与えられた静電容量検出回路31だけがビット線37に繋がって、センスアンプ40に指紋情報を送り出すことができる。また、高電位VDDの走査信号が与えられていても、データ選択線38からの選択信号が与えられない他の静電容量検出回路31は、データ線選択トランジスタ35がオンしないので、ビット線37へのリーク電流の流れ込みが確実に抑制される。
図5は、第2の実施例における静電容量式指紋センサ1のブロック図である。この実施例では、指紋センサ1のデータドライバ10にアナログスイッチ12を設けた点が着目される。アナログスイッチ12は、センスアンプ40に通じるグローバル線LDと各ビット線37とを分離するためのもので、各ビット線37に夫々挿入接続されるアレイ状のスイッチ素子14により構成される。そして、シフトレジスタ11から一つのデータ選択線38に選択的に与えられる選択信号により、そのデータ選択線38に繋がる静電容量検出回路31のデータ線選択トランジスタ35がオンになると共に、スイッチ素子14の一つがオンして、選択信号が与えられた静電容量検出回路31に対応するビット線37だけが、グローバル線LDに繋がるようになっている。なお、それ以外の指紋センサ1各部の構成は、第1の実施例と全く共通している。従って、静電容量検出回路31やセンスアンプ40の構成も、前記図2や図3に示す通りのものである。
上記指紋センサ1の動作について説明すると、走査ドライバ20に与えられるスタートパルスとクロック信号により、m本の走査線36の中から特定の1本の走査線36が順次選択されると、当該走査線36がアクティブになって高電位VDDとなる。その結果、当該走査線36に繋がる静電容量検出回路31の走査線選択トランジスタ32がオン状態となる。指紋の山(凸部)が静電容量検出回路31の表面に接した時は、信号検出素子33の容量Cdが容量Ct,Csに対し十分大きくなり、信号増幅トランジスタ34のゲート電圧はGND(グランド)電位に近づく。その結果、信号増幅トランジスタ34は略オフ状態となり、信号増幅トランジスタ34のドレイン・ソース間には極めて微弱な電流Iが流れる。反対に、指紋の谷(凹部)が静電容量検出回路31の表面に対向した時は、信号検出素子33の容量Cdが容量Ct,Csに対し十分小さくなり、信号増幅トランジスタ34のゲート電圧は高電位VDDに近づく。その結果、信号増幅トランジスタ34は略オン状態となり、信号増幅トランジスタ34のドレイン・ソース間には大きな電流Iが流れる。
上記特定の走査線36がアクティブな状態において、データドライバ10に与えられるスタートパルスとクロック信号により、複数のデータ選択線38の中から、特定の1個のデータ選択線38が順次選択されて選択信号が与えられ、そのデータ選択線38に繋がる静電容量検出回路31のデータ線選択トランジスタ35がオンする。それと同時に、当該データ選択線38と対をなすビット線37に挿入接続したスイッチ素子14もオンして、当該スイッチ素子14がアクティブになり、このビット線37とセンスアンプ40がスイッチ素子14により連結される。そのため、高電位VDDの走査信号が与えられたアクティブな走査線36と、シフトレジスタ11から選択信号が与えられたデータ選択線38との交点にある静電容量検出回路31に向けて、出力手段であるセンスアンプ40から、指紋の凹凸情報に応じた電流Iが流れる。センスアンプ40は、前述したようにこの電流量Iとトランジスタ66,67に流れ込む電流量I’との比較を行ない、二段目のカレントミラー回路42において、その比較した結果を増幅した出力OUTを指紋センサ1の外部に送り出す。以上の動作を、検出面であるアクティブマトリクス部30内で繰り返すことにより、各静電容量検出回路31からの指紋情報を出力でき、アクティブマトリクス部30の表面に当接した指紋パターンの検出が実現される。
また、この一連の動作において、前記選択されたデータ選択線38以外の、非選択のデータ選択線38に繋がる静電容量検出回路31は、ビット線37と感知部である信号増幅トランジスタ34との間に介在するデータ線選択トランジスタ35がオンせず、この間が切り離された状態となる。しかも本実施例では、この非選択の静電容量検出回路31に繋がるビット線37とセンスアンプ40との間も、グローバル線LDに接続された各スイッチ素子14がオンしないことによって切り離され、当該非選択の静電容量検出回路31からセンスアンプへのリーク電流の流れ込みをより一層抑制している。
以上のように本実施例では、各静電容量検出回路31にスイッチ素子14を備えたビット線37を各々接続し、選択した静電容量検出回路31に接続するビット線37のスイッチ素子14にのみ、このスイッチ素子14をオンにして当該ビット線37とセンスアンプ40とを繋ぐ選択信号を与え、それ以外の静電容量検出回路31に接続するビット線37のスイッチ素子14には、選択信号を与えないような駆動方法を採用している。即ち本実施例のセンサセル選択手段は、各ビット線37毎に挿入接続されたスイッチ素子14と、選択した静電容量検出回路31に接続するビット線37のスイッチ素子14にのみ、このスイッチ素子14をオンにして当該ビット線37とセンスアンプ40とを繋ぐ選択信号を与え、それ以外の静電容量検出回路31に接続するビット線37のスイッチ素子14には、選択信号を与えない駆動手段とにより構成される。本実施例における駆動手段は、ICカード4に備えたマイクロコンピュータ51と、指紋センサ1のデータドライバ10で実現されるが、特定のセンサセルを選択する信号を発生できるものであれば、どのような形態のものであってもよい。
この場合、各静電容量検出回路31に接続するビット線37には、スイッチ素子14が夫々設けられており、選択された静電容量検出回路31に接続するビット線37のスイッチ素子14に対しては、このビット線37とセンスアンプ40とを繋ぐ選択信号が与えられるが、非選択の静電容量検出回路31に接続する各ビット線37のスイッチ素子14に対しては、いずれも選択信号が与えられず、これらの各ビット線37がセンスアンプ40から切り離される。そのため、指紋情報送出用の各ビット線37に各々接続したスイッチ素子14を利用して、選択されていないセンサセルから出力回路へのリーク電流の流れ込みを効果的に低減できる。
また本実施例においても、アクティブマトリクス部30にある各々の静電容量検出手段31は、被検出物である指の指紋に応じた感応信号を電流量Iとして出力する感応部(信号検出素子33,信号増幅トランジスタ34,基準コンデンサ42)と、感応部とセンスアンプ40との間に介在するデータ線選択素子としてのデータ線選択トランジスタ35とを備えている。また、ここでのセンサセル選択手段は、前記スイッチ素子14の他に、データ線選択トランジスタ35と、選択された静電容量検出手段31のデータ線選択トランジスタ35及びこの静電容量検出手段31に接続するビット線37のスイッチ素子14にのみ、これらのデータ線選択素子35とスイッチ素子14をオンにして、前記感応部とセンスアンプ40との間を繋ぐ選択信号を与える一方で、それ以外の静電容量検出手段31のデータ線選択トランジスタ35と、この静電容量検出手段31に接続するビット線37のスイッチ素子14には、選択信号を与えない駆動手段とにより構成される。
この場合、各静電容量検出手段31に接続するビット線37には、スイッチ素子14が夫々設けられていると共に、各静電容量検出手段31において、静電容量検出手段31の感応部とセンスアンプ40との間にも別のデータ線選択トランジスタ35が介在される。そして、選択信号が共に与えられた静電容量検出手段31だけがビット線37に繋がって、センスアンプ40に検出情報を送り出すことができるが、それ以外の選択されていない静電容量検出手段31のデータ線選択素子35と、この静電容量検出手段31に接続するビット線37のスイッチ素子14に対しては、選択信号が与えられず、非選択の静電容量検出手段31はセンスアンプ40から全て切り離される。こうして、スイッチ素子14とデータ線選択素子35とにより、非選択の静電容量検出手段31からのリーク電流の流れ込みを確実に抑制できる。
本実施例の静電容量検出回路31は、複数本の走査線36と、センスアンプ40に繋がる複数本のビット線37との交点に各々設けられ、前記感応部やデータ線選択トランジスタ35の他に、選択した走査線36からの走査信号によりオンする走査線選択素子としての走査線選択トランジスタ32を備えている。そして、走査線選択トランジスタ32とデータ線選択トランジスタ35との直列回路が、感応部とビット線37との間に接続される。そのため、走査信号と選択信号が共に与えられた静電容量検出手段31の感応部だけがビット線37に繋がって、センスアンプ40に検出情報を送り出すことができるが、それ以外の選択されていない静電容量検出手段31のデータ線選択トランジスタ35と、このセンサセルに接続するビット線37のスイッチ素子14に対しては、選択信号が与えられず、非選択の静電容量検出手段31は、この静電容量検出手段31の内部とビット線37でセンスアンプ40から全て切り離される。こうして、スイッチ素子14とデータ線選択トランジスタ35とにより、非選択の静電容量検出手段31からのリーク電流の流れ込みを確実に抑制することが可能になる。また、走査線36から走査信号が与えられていても、選択信号が与えられない他の静電容量検出手段31は、データ線選択トランジスタ35やそれに接続するビット線37のスイッチ素子14が共にオンしないので、ビット線37へのリーク電流の流れ込みがより確実に抑制される。
なお、本実施例における指紋センサ1も、図4に示すような、例えばスマートカードの一種であるICカード4への適用が可能である。指紋読み取り時には、マイクロコントローラ51から供給される信号に基づき指紋センサ1が駆動され、指紋の凹凸情報に対応した検出信号が指紋センサ1から取り出される。
図6は、第3の実施例における静電容量式指紋センサ1のブロック図である。この実施例は、前記第2の実施例の変形例に相当するもので、前記アナログスイッチ12に代わって、センスアンプ40に通じるグローバル線LDと各ビット線37とを分離するプレチャージ期間選択回路16を設けている。プレチャージ期間選択回路16は、前述のスイッチ素子14を各ビット線37毎に挿入接続していると共に、各スイッチ素子14と対をなすAND素子19が夫々設けられる。またシフトレジスタ10は、前記シフトレジスタ10やプレチャージ期間選択回路16の他に、グローバル線LDと高電位VDDが与えられるプレチャージ端子17との間を導通又は非道通状態のいずれかに切り替えるプレチャージ用トランジスタ13を備えている。このプレチャージ用トランジスタ13のゲートにはイネーブル端子18からイネーブル信号ENBが与えられる。また、前記AND素子19の一方の入力端子にはシフトレジスタ11からの出力信号が与えられ、他方の入力端子にはイネーブル信号ENBが与えられる。このAND素子19の出力端子は、同列にある各静電容量検出回路31のデータ選択線38に繋がっている。即ち本実施例では、スイッチ素子14に対しては順次無条件で選択信号が与えられるが、選択された静電容量検出回路31のデータ線選択トランジスタ35には、例えばHレベルのイネーブル信号ENBが与えられたときにのみ、選択信号が与えられるようになっている。
図7は、本実施例におけるセンスアンプの回路図である。カレントミラー回路41,42の回路構成は、第1実施例や第2実施例に示すものと同じであるが、トランジスタ61,64,65,70のゲートには、クロック信号CLKではなく前記イネーブル信号ENBが与えられる。また、トランジスタ66,67には更に別のトランジスタ74が接続されるが、これは勿論前記図3と同じ構成でもよい。
次に、データドライバ10のタイミングチャートを示す図8を参照しながら、上記指紋センサ1の動作について説明する。なお図8において、上段よりSPはスタートパルス、CLKはクロック信号、X1,X2,……,X{n−1},X{n}はシフトレジスタ11の出力信号、ENBはイネーブル信号、XSEL1,XSEL2,……,XSEL{n−1},XSEL{n}はデータ選択線38の出力信号、LDはグローバル線LDに発生する指紋情報の検出信号、OUTはセンスアンプ40の出力信号である。
静電容量検出回路31内部の動作は、第1実施例や第2実施例に示すものと同じである。選択した走査線36がアクティブな状態において、データドライバ10にスタートパルスSPが与えられると、データドライバ10はクロック信号CLKに同期して、各列の静電容量検出回路31に対応する出力信号X1,X2,……,X{n−1},X{n}の何れか一つをプレチャージ期間選択回路14に供給して、静電容量検出回路31を順次選択する。本実施例では、Lレベルのクロック信号CLKが供給される毎に、出力信号X1,X2,……,X{n−1},X{n}が発生しているが、Hレベルのクロック信号CLKが供給される毎に、この出力信号を発生させてもよい。ここでは、一つの静電容量検出回路31が選択される期間のうち、イネーブル信号ENBが発生していない前半をプレチャージ期間(図8に示す期間A)とし、イネーブル信号ENBが発生している後半をセンシング期間(図8に示す期間B)とする。本実施例のイネーブル信号ENBは、クロック信号CLKに同期して、このクロック信号CLKの2倍の周期を有して与えられる。
プレチャージ期間において、イネーブル信号ENBはLレベルで非アクティブであり、プレチャージ用トランジスタ13はオン状態になって、グローバル線LDに高電位VDDのプレチャージ電圧が供給される。このとき、シフトレジスタ10から与えられる出力信号Xによって、グローバル線LDに与えられる高電位VDDのプレチャージ電圧が、オン状態になっている唯一のスイッチ素子14から選択された静電容量検出回路31に接続するビット線37に供給される。他のビット線37は、それらのビット線に挿入接続されるスイッチ素子14がいずれもオフしているので、プレチャージ電圧は与えらない。前記選択された静電容量検出回路31のデータ線選択トランジスタ35は、各AND素子19からの出力信号XSELがLレベルになっている関係でオフ状態になっており、選択したデータ選択線38から静電容量検出回路31への電流の流れ込みは生じない。また、センスアンプ40もイネーブル信号ENBが非アクティブであるために動作せず、出力OUTはLレベルとなる。このプレチャージ期間では、プレチャージ電圧の供給対象がグローバル線LDと選択されたビット線37に限られているので、全てのビット線37をプレチャージする場合よりも、短時間でプレチャージを完了して、指紋センサ1としての高速化を図ることができる。
やがて、次のセンシング期間に移行すると、イネーブル信号ENBがHレベルになってアクティブに切り替わる。プレチャージ用トランジスタ13はオフ状態となるため、それまでのプレチャージ動作は終了し、グローバル線LDひいては選択したビット線37へのプレチャージ電圧の供給は遮断される。一方、引き続きオンしているスイッチ素子14に対応するAND素子19の出力信号XSELが、LレベルからHレベルに切り替わる関係で、静電容量検出回路31内のデータ線選択トランジスタ35はオン状態になる。それと同時に、センスアンプ40もHレベルのイネーブル信号ENBによってアクティブになり、センスアンプ40から選択した静電容量検出回路30に向けて、指紋の凹凸に関係した電流量Iが流れる。これによりセンスアンプ40は、電流量Iを比較増幅して得た出力信号OUTを、指紋情報として指紋センサ1の外部に出力する。
以上のように本実施例では、選択された静電容量検出回路31に対応するスイッチ素子14をオンにして、この選択された静電容量検出回路31に接続するビット線37だけにプレチャージ電圧を供給し、このプレチャージ電圧の供給が完了したら、データ線選択トランジスタ35をオンすると共にプレチャージ電圧の供給を遮断して、このビット線37からセンスアンプ40に指紋情報を送出させる駆動方法を採用している。即ち本実施例では、選択した静電容量検出回路31に対し、データ線選択トランジスタ35よりも先にスイッチ素子14をオンにして、この選択した静電容量検出回路31に接続するビット線37にのみ例えば高電位VDDのプレチャージ電圧を供給し、その後でデータ線選択トランジスタ35がオンすると、プレチャージ電圧の供給を遮断して、選択した静電容量検出回路31に接続するビット線37からセンスアンプ40に指紋情報(検出情報)を送出させるビット線電圧供給手段を備えているといえる。本実施例のビット線電圧供給手段は、プレチャージ用トランジスタ13とプレチャージ期間選択回路16であるが、同様の機能を有するのであれば別の構成であってもよい。
このように、選択された静電容量検出回路31に接続するビット線37に予めプレチャージ電圧が供給されるので、その後でこの選択された静電容量検出回路31から必要な指紋情報を読み出す際に、ビット線37の電位を安定させて動作マージンを広げることができ、より高速な指紋検出の動作を指紋センサ1で行なうことが可能になる。また、プレチャージ電圧が与えられるのは、スイッチ素子14をオンにしたビット線37だけなので、全てのビット線37にプレチャージ電圧を供給する必要がなく、指紋検出動作がより一段と高速化する。
更に本実施例では、プレチャージ電圧を高電位VDD以外にも可変できる電圧可変手段を備えるのが好ましい。このような電圧可変手段を利用すれば、プレチャージ電圧は高電位VDDに限らず、任意の電圧を用いることができ、指紋検出に際しより精密な調整を行なうことができる。
また、本実施例においても、データドライバ10に選択されていないビット線37は、プレチャージ期間選択回路16のオフ状態にあるスイッチ素子14によって、センスアンプ40に通じるグローバル線LDと分離される。従って、データドライバ10により選択されていないデータ選択線38に連なる各静電容量検出回路31から、センスアンプ40へのリーク電流が、その途中に介在するプレチャージ期間選択回路16により抑制される。勿論本実施例でも、選択されていない静電容量検出回路31のデータ線選択トランジスタ35には選択信号が与えられず、静電容量検出回路31内において、感知部とビット線37との間も分離されているので、ここでもリーク電流を抑制できる。その結果、グローバル線LDを通してセンスアンプ40に読み込まれる電流値において、こうした非選択の各静電容量検出回路31からのリーク電流の影響を効果的に低減でき、高精度な指紋情報の検出が可能になる。
上記いずれの実施例においても、静電容量検出回路31を含む指紋センサ1各部をいずれもMIS型薄膜半導体装置で構成するのが好ましい。このようにすると、各静電容量検出回路31だけでなく指紋センサ1の各部も単結晶シリコン基板から解放されて、ガラス基板やプラスチック基板上に形成することができ、例えばICカード4などに適した安価で耐久性に優れた静電容量検出装置を提供できる。
また、上記各実施例では、指紋の凹凸を検出するのに十分な集積度を持つ静電容量検出回路31が利用されている。これにより、指の指紋を検出情報とした種々の制御が可能になる。また、指紋情報を出力する超薄型且つ超軽量な指紋センサ1を提供できる。
さらには、こうした指紋センサ1を、例えばICカード4の他に、PDAや携帯電話等の指紋の登録又は指紋の認証を行なう電子機器に組み込んで利用することもできる。これにより、超薄型且つ超軽量で、指紋の登録や指紋の認証に適した電子機器としての提供が可能になる。
なお、本発明は上述した各実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。例えば、被検出物としては指紋以外のものであってもよく、例えば圧力分布や温度分布を測定する各種センサ等にも適用できる。また指紋センサ1として、上記各実施例のような静電容量を検出する方式以外のものを適用してもよい。各実施例では、指紋センサ1から取り出した指紋情報を個人の認証に利用しているが、それ以外の各種処理にも利用できる。例えば指紋の6軸方向の移動を捕らえて、表示装置におけるポインタの移動や、表示画像のスクロール等の表示制御に利用してもよい。さらに、走査線36の代わりに1本の電源供給線を用い、静電容量検出回路31を一列に並べたアクティブマトリクス部30自体を機構的にスキャン移動させる構成であってもよく、この場合はデータ線選択トランジスタ35のドレインをビット線37に直接繋げばよい。
1 指紋センサ、 4 ICカード、 10 データドライバ、 13 プレチャージ用トランジスタ、 14 スイッチ素子、 16 プレチャージ期間選択回路、 31 静電容量検出回路、 32 走査線選択トランジスタ、 33 信号検出素子、 34 信号増幅トランジスタ、 35 データ線選択トランジスタ、走査線36、 37 ビット線、 38 データ選択線、 40 センスアンプ、 51 マイクロコンピュータ
Claims (12)
- 複数のセンサセルと、前記各センサセルからの検出情報を読み取る出力手段とを備えた入力装置において、
選択された前記センサセルだけを前記出力手段に繋ぎ、それ以外の選択されていない前記センサセルを前記出力手段から切り離すセンサセル選択手段を備えたことを特徴とする入力装置。 - 前記各センサセルは、被検出物に応じた感応信号を出力する感応部と、前記感応部と前記出力手段との間に介在するデータ線選択素子とを備え、
前記センサセル選択手段は、前記データ線選択素子と、駆動手段とにより構成され、
前記駆動手段は、選択された前記センサセルのデータ線選択素子のみをアクティブにする選択信号を与え、それ以外の前記センサセルのデータ線選択素子には選択信号を与えないことを特徴とする請求項1記載の入力装置。 - 複数本の走査線と前記出力手段に繋がる複数本のビット線との交点に前記センサセルを設け、
前記各センサセルは、被検出物に応じた感応信号を出力する感応部と、データ線選択素子と、選択した前記走査線からの走査信号によりアクティブにする走査線選択素子とを備え、前記感応部と前記ビット線との間に前記データ線選択素子と走査線選択素子とのAND回路を接続すると共に、
前記センサセル選択手段は、前記データ線選択素子と、駆動手段とにより構成され、
前記駆動手段は、選択された前記センサセルのデータ線選択素子にのみ、このデータ線選択素子をオンにする選択信号を与え、それ以外の前記センサセルのデータ線選択素子には選択信号を与えないことを特徴とする請求項1記載の入力装置。 - 前記各センサセルにスイッチ素子を備えたビット線を接続し、
前記センサセル選択手段は、前記スイッチ素子と、駆動手段とにより構成され、
前記駆動手段は、選択した前記センサセルに接続する前記ビット線のスイッチ素子のみをオンにして、該ビット線と前記出力手段とを繋ぐ選択信号を与え、それ以外の前記センサセルに接続する前記ビット線のスイッチ素子には、選択信号を与えないことを特徴とする請求項1記載の入力装置。 - 前記各センサセルにスイッチ素子を備えたビット線を接続し、
前記各センサセルは、被検出物に応じた感応信号を出力する感応部と、前記感応部と前記出力手段との間に介在するデータ線選択素子とを備え、
前記センサセル選択手段は、前記スイッチ素子と、前記データ線選択素子と、駆動手段とにより構成され、
前記駆動手段は、選択した前記センサセルのデータ線選択素子及びこのセンサセルに接続する前記ビット線のスイッチ素子にのみ、前記感応部と該ビット線及びこのビット線から前記出力手段を夫々繋ぐ選択信号を与え、それ以外の前記センサセルのデータ線選択素子と、このセンサセルに接続する前記ビット線のスイッチ素子には、選択信号を与えないことを特徴とする請求項1記載の入力装置。 - 前記各センサセルにスイッチ素子を備えたビット線を接続し、複数本の走査線と複数本の前記ビット線との交点に前記センサセルを設け、
前記各センサセルは、被検出物に応じた感応信号を出力する感応部と、データ線選択素子と、選択した前記走査線からの走査信号によりアクティブにする走査線選択素子とを備え、前記感応部と前記ビット線との間に前記データ線選択素子と走査線選択素子とのAND回路を接続すると共に、
前記センサセル選択手段は、前記スイッチ素子と、前記データ線選択素子と、駆動手段とにより構成され、
前記駆動手段は、選択した前記センサセルのデータ線選択素子及びこのセンサセルに接続する前記ビット線のスイッチ素子にのみ、前記感応部と該ビット線及びこのビット線から前記出力手段を夫々繋ぐ選択信号を与え、それ以外の前記センサセルのデータ線選択素子と、このセンサセルに接続する前記ビット線のスイッチ素子には、選択信号を与えないことを特徴とする請求項1記載の入力装置。 - 前記データ線選択素子よりも先に前記スイッチ素子をオンにして、選択された前記センサセルに接続する前記ビット線にプレチャージ電圧を供給し、該データ線選択素子がアクティブになると、前記プレチャージ電圧の供給を遮断して該ビット線から前記出力手段に検出情報を送出させるビット線電圧供給手段を備えたことを特徴とする請求項5又は6記載の入力装置。
- 前記プレチャージ電圧を可変する電圧可変手段を備えたことを特徴とする請求項7記載の入力装置。
- 前記センサセルは指紋の凹凸を検出するものであることを特徴とする請求項1〜8の何れか一つに記載の入力装置。
- 前記複数のセンサセルをMIS型薄膜半導体素子で構成したことを特徴とする請求項1〜9の何れか一つに記載の入力装置。
- 請求項1乃至請求項10に記載の入力装置のうちいずれかを有することを特徴とする電子機器。
- 複数の各センサセルからの検出情報を出力手段で読み取る入力装置の駆動方法において、選択された前記センサセルだけを前記出力手段に繋いで検出情報を読み込み、それ以外の選択されていない前記センサセルを前記出力手段から切り離すことを特徴とする入力装置の駆動方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003280859A JP2005049195A (ja) | 2003-07-28 | 2003-07-28 | 入力装置、電子機器及び入力装置の駆動方法 |
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JP2003280859A Withdrawn JP2005049195A (ja) | 2003-07-28 | 2003-07-28 | 入力装置、電子機器及び入力装置の駆動方法 |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8743093B2 (en) | 2006-10-11 | 2014-06-03 | Japan Display West Inc. | Display apparatus |
CN107911507A (zh) * | 2017-11-22 | 2018-04-13 | 广东欧珀移动通信有限公司 | 显示屏组件及电子设备 |
CN107908034A (zh) * | 2017-12-05 | 2018-04-13 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种阵列基板、触控显示面板和触控显示面板驱动方法 |
-
2003
- 2003-07-28 JP JP2003280859A patent/JP2005049195A/ja not_active Withdrawn
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