JP2005033120A - Method and apparatus for conveying semiconductor wafer - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method and an apparatus for conveying a semiconductor wafer which can avoid yield decrease of a production due to a dust deposited on the semiconductor wafer. <P>SOLUTION: The method for conveying the semiconductor wafer W includes placing of the semiconductor wafer W on an alignment stage 5, pressing of a first brush of a first cleaning mechanism 29 on a front surface of the semiconductor wafer W sucked and held on the alignment stage 5, rotating of the wafer vacuum stage in this state, and removing of a dust deposited on a front surface of the semiconductor wafer W. Further, the method includes moving of a second brush of a second cleaning mechanism 39 to the backside of the semiconductor wafer W sucked and held to a wafer chuck table 7, and removing of the dust deposited on the backside of the semiconductor wafer W. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、半導体ウエハ（以下、ウエハと略称することもある）の搬送方法および搬送装置に関する。   The present invention relates to a transfer method and transfer apparatus for a semiconductor wafer (hereinafter also abbreviated as a wafer).

例えば、パターン形成処理が済んだウエハの裏面を研磨（バックグラインド）する際には、予めウエハ表面に保護テープを貼り付けるとともに、ウエハ外周からはみ出る保護テープをウエハ外周縁に沿って切り抜き、表面全体が保護テープで保護されたウエハを、その表面側から吸盤で吸着保持して研磨処理を行い、その後、ウエハ裏面の一部を吸着保持して保持することにより移載や各処理テーブルへの受け渡しを行うのが一般的である。   For example, when polishing the back surface of a wafer that has undergone pattern formation processing (back grinding), a protective tape is applied to the wafer surface in advance, and the protective tape that protrudes from the outer periphery of the wafer is cut out along the outer periphery of the wafer. The wafer protected by the protective tape is sucked and held from the front side with a suction cup and then polished, and then a part of the backside of the wafer is sucked and held to hold it and transfer it to each processing table. It is common to do.

近年では、ウエハ裏面の研磨後のウエハ厚さが一層薄くなる傾向にあり、その結果、薄く研磨されたウエハにおいては、ウエハ自体の剛性が低下することによって、ウエハ面内の僅かなストレスでも反りが発生する。   In recent years, the wafer thickness after polishing of the back surface of the wafer tends to be thinner, and as a result, in a thinly polished wafer, the rigidity of the wafer itself decreases, so that even a slight stress in the wafer surface warps. Will occur.

このような反りを生じたウエハでは、ウエハの表面や裏面の一部を吸着保持して移載する場合、真空吸着に不備を生じたり、移載中にウエハが動いてしまうなど、安定して精度の高い移載を行えないといった不都合を生じる。そのため、アライメントステージやウエハチャックテーブルなどのウエハ保持手段に保持させる場合に、ウエハの表面あるいは裏面に対し、ウエハ全面に近い大きい面積で真空吸着保持するようにしている。   When wafers with such warpage are transferred while holding part of the front and back surfaces of the wafer by suction, defects such as inadequate vacuum suction or movement of the wafer during transfer can occur stably. Inconvenience that transfer with high accuracy cannot be performed. For this reason, when the wafer is held by a wafer holding means such as an alignment stage or a wafer chuck table, it is held by vacuum suction with a large area close to the entire surface of the wafer on the front or back surface of the wafer.

しかしながら、近年、ウエハの表面および裏面ともウエハの全面に近い状態でアライメントステージやウエハチャックテーブルなどのウエハ保持手段に接触するため、発生した塵埃（異物）の蓄積が顕著になり、ウエハの処理枚数が増えるにつれてウエハに付着する塵埃が増加し、製品不良を生じて生産の歩留まりが低下する欠点があった。   However, in recent years, since both the front and back surfaces of the wafer are in contact with the wafer holding means such as the alignment stage and the wafer chuck table in a state close to the entire surface of the wafer, accumulation of generated dust (foreign matter) becomes remarkable, and the number of processed wafers As the number of wafers increases, the amount of dust adhering to the wafer increases, resulting in product defects and a reduction in production yield.

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、請求項１〜４に係る発明は、半導体ウエハに付着した塵埃に起因する生産の歩留まり低下を回避できる半導体ウエハ搬送方法を提供することを目的とし、請求項５〜７に係る発明は、請求項１に係る発明の半導体ウエハ搬送方法を好適に実施できる搬送装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and the invention according to claims 1 to 4 provides a semiconductor wafer transfer method capable of avoiding a decrease in production yield caused by dust adhering to the semiconductor wafer. Accordingly, it is an object of the present invention to provide a transfer apparatus capable of suitably carrying out the semiconductor wafer transfer method of the invention according to claim 1.

請求項１に係る発明は、上述のような目的を達成するために、
半導体ウエハを各種処理工程に搬送する半導体ウエハ搬送方法において、
前記半導体ウエハを保持した状態で前記半導体ウエハに付着する塵埃を除去することを特徴としている。 In order to achieve the above-described object, the invention according to claim 1
In a semiconductor wafer transfer method for transferring a semiconductor wafer to various processing steps,
It is characterized in that dust adhering to the semiconductor wafer is removed while holding the semiconductor wafer.

（作用・効果）請求項１に係る発明の半導体ウエハ搬送方法の構成によれば、半導体ウエハに付着する塵埃を除去して半導体ウエハの汚染を防止することができる。   (Operation / Effect) According to the configuration of the semiconductor wafer transfer method of the invention according to claim 1, the dust adhering to the semiconductor wafer can be removed to prevent contamination of the semiconductor wafer.

したがって、半導体ウエハに付着した塵埃に起因して生産の歩留まりが低下することを回避できる。   Therefore, it is possible to avoid a decrease in production yield due to dust adhering to the semiconductor wafer.

また、請求項２に係る発明は、上述のような目的を達成するために、
請求項１に記載の半導体ウエハ搬送方法において、
半導体ウエハの裏面側に付着する塵埃を除去するものである。 In order to achieve the above-described object, the invention according to claim 2
In the semiconductor wafer conveyance method according to claim 1,
The dust adhering to the back side of the semiconductor wafer is removed.

（作用・効果）請求項２に係る発明の半導体ウエハ搬送方法の構成によれば、半導体ウエハの裏面側に付着する塵埃を除去して半導体ウエハの汚染を防止することができる。   (Operation / Effect) According to the structure of the semiconductor wafer transfer method of the invention of claim 2, the dust adhering to the back surface side of the semiconductor wafer can be removed to prevent contamination of the semiconductor wafer.

したがって、半導体ウエハの裏面側に付着した塵埃に起因して生産の歩留まりが低下することを回避できる。   Therefore, it is possible to avoid a decrease in production yield due to dust adhering to the back side of the semiconductor wafer.

また、請求項３に係る発明は、上述のような目的を達成するために、
請求項１に記載の半導体ウエハ搬送方法において、
接触部位が、半導体ウエハの表面側に付着する塵埃を除去するものである。 In order to achieve the above-described object, the invention according to claim 3
In the semiconductor wafer conveyance method according to claim 1,
The contact portion removes dust adhering to the surface side of the semiconductor wafer.

（作用・効果）請求項３に係る発明の半導体ウエハ搬送方法の構成によれば、半導体ウエハの表面側に付着する塵埃を除去して半導体ウエハの汚染を防止することができる。   (Operation and Effect) According to the configuration of the semiconductor wafer transfer method of the invention of claim 3, it is possible to remove the dust adhering to the surface side of the semiconductor wafer and prevent the semiconductor wafer from being contaminated.

したがって、半導体ウエハの表面側に付着した塵埃に起因して生産の歩留まりが低下することを回避できる。   Therefore, it is possible to avoid a decrease in production yield due to dust adhering to the surface side of the semiconductor wafer.

また、請求項４に係る発明は、上述のような目的を達成するために、
請求項３に記載の半導体ウエハ搬送方法において、
半導体ウエハの表面に貼り付けられた粘着テープの表面側に付着する塵埃を除去するものである。 In order to achieve the above-mentioned object, the invention according to claim 4
In the semiconductor wafer conveyance method according to claim 3,
It removes dust adhering to the surface side of the adhesive tape affixed to the surface of the semiconductor wafer.

（作用・効果）請求項４に係る発明の半導体ウエハ搬送方法の構成によれば、半導体ウエハの表面に、表面保護テープなどとして粘着テープが貼り付けられている場合に、その粘着テープの表面側に付着した研削異物などの塵埃を除去し、後処理で粘着テープを剥離したときに半導体ウエハに塵埃が付着することを防止できる。   (Operation / Effect) According to the configuration of the semiconductor wafer transfer method of the invention according to claim 4, when the adhesive tape is affixed to the surface of the semiconductor wafer as a surface protection tape, the surface side of the adhesive tape It is possible to prevent the dust from adhering to the semiconductor wafer when the adhesive tape is peeled off in the post-treatment by removing dust such as grinding foreign matters adhering to the semiconductor wafer.

したがって、半導体ウエハの表面に貼り付けられた粘着テープの表面側に付着した塵埃に起因して生産の歩留まりが低下することを回避できる。   Accordingly, it is possible to avoid a reduction in production yield due to dust adhering to the surface side of the adhesive tape attached to the surface of the semiconductor wafer.

また、請求項５に係る発明は、上述のような目的を達成するために、
半導体ウエハの搬送過程に、前記半導体ウエハを載置保持または／および吸着保持するウエハ保持手段を備えた半導体ウエハ搬送装置において、
前記ウエハ保持手段に保持された前記半導体ウエハまたは前記半導体ウエハに貼り付けられた表面保護用の粘着テープに付着した塵埃を除去する除塵手段を付設したことを特徴としている。 In order to achieve the above-described object, the invention according to claim 5
In a semiconductor wafer transfer apparatus provided with a wafer holding means for placing and / or holding the semiconductor wafer during the semiconductor wafer transfer process,
It is characterized in that dust removing means for removing dust adhering to the semiconductor wafer held by the wafer holding means or the surface protecting adhesive tape attached to the semiconductor wafer is provided.

（作用・効果）請求項５に係る発明の半導体ウエハ搬送装置の構成によれば、半導体ウエハまたは半導体ウエハに貼り付けられた表面保護用の粘着テープに付着した塵埃を除塵手段によって除去することができ、塵埃が半導体ウエハに付着することを防止できるとともに、装置内に塵埃が滞留して蓄積していくことを回避できる。   (Operation / Effect) According to the structure of the semiconductor wafer transfer device of the invention of claim 5, the dust attached to the semiconductor wafer or the adhesive tape for surface protection attached to the semiconductor wafer can be removed by the dust removing means. In addition, the dust can be prevented from adhering to the semiconductor wafer, and the dust can be prevented from staying and accumulating in the apparatus.

したがって、半導体ウエハまたは半導体ウエハに貼り付けられた表面保護用の粘着テープに付着した塵埃に起因して生産の歩留まりが低下することを回避でき、請求項１に係る発明の半導体ウエハ搬送方法を好適に実施できる装置を提供できる。   Therefore, it is possible to avoid a decrease in production yield due to dust adhering to the semiconductor wafer or the adhesive tape for surface protection affixed to the semiconductor wafer, and the semiconductor wafer transfer method of the invention according to claim 1 is suitable. It is possible to provide an apparatus that can be implemented.

また、請求項６に係る発明は、上述のような目的を達成するために、
請求項５に記載の半導体ウエハ搬送装置において、
ウエハ保持手段が、前記半導体ウエハを載置するとともに吸着保持して位置決めを行うアライメントステージであり、除塵手段が前記アライメントステージに保持された前記半導体ウエハの表面に付着した塵埃を除去するものである。 In order to achieve the above-mentioned object, the invention according to claim 6
In the semiconductor wafer conveyance device according to claim 5,
The wafer holding means is an alignment stage that places the semiconductor wafer and sucks and holds it for positioning, and the dust removing means removes dust adhering to the surface of the semiconductor wafer held by the alignment stage. .

（作用・効果）請求項６に係る発明の半導体ウエハ搬送装置の構成によれば、半導体ウエハをアライメントステージに保持させた状態で、半導体ウエハの表面に付着した塵埃を除塵手段によって除去することができる。   (Operation / Effect) According to the configuration of the semiconductor wafer transfer apparatus of the invention according to claim 6, dust adhered to the surface of the semiconductor wafer can be removed by the dust removing means while the semiconductor wafer is held on the alignment stage. it can.

したがって、アライメントステージに搬入された半導体ウエハの表面に付着した塵埃に起因して生産の歩留まりが低下することを回避でき、半導体ウエハの搬送と、アライメントステージに載置保持された半導体ウエハの表面の除塵とを能率的に行うことができ、請求項１に係る発明の半導体ウエハ搬送方法をアライメントステージを備える搬送装置に適用する場合に好適に実施できる。   Therefore, it is possible to avoid a decrease in production yield due to dust adhering to the surface of the semiconductor wafer carried into the alignment stage, and to transfer the semiconductor wafer and to the surface of the semiconductor wafer placed and held on the alignment stage. Dust removal can be performed efficiently, and can be suitably implemented when the semiconductor wafer transfer method of the invention according to claim 1 is applied to a transfer apparatus including an alignment stage.

また、請求項７に係る発明は、上述のような目的を達成するために、
請求項５に記載の半導体ウエハ搬送装置において、
ウエハ保持手段が、前記半導体ウエハを吸着保持するウエハチャックテーブルであり、除塵手段が前記ウエハチャックテーブルに吸着保持された前記半導体ウエハの裏面に付着した塵埃を除去するものである。 In order to achieve the above-described object, the invention according to claim 7
In the semiconductor wafer conveyance device according to claim 5,
The wafer holding means is a wafer chuck table that sucks and holds the semiconductor wafer, and the dust removing means removes dust adhering to the back surface of the semiconductor wafer sucked and held by the wafer chuck table.

（作用・効果）請求項７に係る発明の半導体ウエハ搬送装置の構成によれば、
半導体ウエハをウエハチャックテーブルに吸着保持させた状態で、半導体ウエハの表面に付着した塵埃を除塵手段によって除去することができる。 (Operation and Effect) According to the configuration of the semiconductor wafer transfer device of the invention according to claim 7,
The dust attached to the surface of the semiconductor wafer can be removed by the dust removing means in a state where the semiconductor wafer is sucked and held on the wafer chuck table.

したがって、ウエハチャックテーブルに搬入された半導体ウエハの裏面に付着した塵埃に起因して生産の歩留まりが低下することを回避でき、半導体ウエハの搬送と、ウエハチャックテーブルに吸着保持された半導体ウエハの表面の除塵とを能率的に行うことができ、請求項１に係る発明の半導体ウエハ搬送方法をウエハチャックテーブルを備える搬送装置に適用する場合に好適に実施できる。   Therefore, it is possible to avoid a decrease in production yield due to dust adhering to the back surface of the semiconductor wafer carried into the wafer chuck table, and to transfer the semiconductor wafer and to the surface of the semiconductor wafer attracted and held by the wafer chuck table. The dust removal can be efficiently performed, and can be suitably carried out when the semiconductor wafer transfer method of the invention according to claim 1 is applied to a transfer apparatus having a wafer chuck table.

以上の説明から明らかなように、請求項１に係る発明の半導体ウエハ搬送方法によれば、半導体ウエハに付着する塵埃を除去して半導体ウエハの汚染を防止することができるから、半導体ウエハに付着した塵埃に起因して生産の歩留まりが低下することを回避できる。   As is apparent from the above description, according to the semiconductor wafer transfer method of the invention of claim 1, dust adhering to the semiconductor wafer can be removed to prevent contamination of the semiconductor wafer. It is possible to avoid a decrease in production yield due to the generated dust.

次に、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。   Next, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

図１は、本発明に係る半導体ウエハ搬送装置を装備した半導体ウエハマウント装置の実施例の一部破断全体斜視図である。なお、この実施例では、紫外線硬化型の粘着テープが表面保護テープとして半導体ウエハＷ（以下、単に「ウエハＷ」という）のパターン面（表面）に予め貼り付けられているものとする。   FIG. 1 is a partially broken perspective view of an embodiment of a semiconductor wafer mounting apparatus equipped with a semiconductor wafer transfer apparatus according to the present invention. In this embodiment, it is assumed that an ultraviolet curable adhesive tape is preliminarily attached to a pattern surface (front surface) of a semiconductor wafer W (hereinafter simply referred to as “wafer W”) as a surface protection tape.

半導体ウエハマウント装置には、裏面の研磨（バックグラインド）処理が完了したウエハＷを多段に積層収納したカセットＣが装填されるウエハ供給部１と、屈曲回動するロボットアーム２を装備したウエハ搬送機構３と、反ったウエハＷを平面に矯正するウエハ押圧機構４と、ウエハＷを載置保持して位置合わせをするウエハ保持手段としてのアライメントステージ５と、アライメントステージ５に載置されたウエハＷに向けて紫外線を照射する紫外線照射ユニット６と、ウエハＷを吸着保持するウエハ保持手段としてのウエハチャックテーブル７とが備えられている。   The semiconductor wafer mount apparatus includes a wafer supply unit 1 loaded with cassettes C in which wafers W having undergone back surface polishing (back grind) processing are stacked and stored, and a wafer arm equipped with a robot arm 2 that bends and rotates. A mechanism 3, a wafer pressing mechanism 4 for correcting the warped wafer W to a flat surface, an alignment stage 5 as a wafer holding means for placing and holding the wafer W for alignment, and a wafer placed on the alignment stage 5 An ultraviolet irradiation unit 6 that irradiates ultraviolet rays toward W and a wafer chuck table 7 as a wafer holding unit that holds the wafer W by suction are provided.

また、半導体ウエハマウント装置には、リング状のリングフレームｆを多段に装填したリングフレーム供給部８と、リングフレームｆをダイシング用テープＤＴ上に移載するリングフレーム搬送機構９と、ダイシング用テープＤＴを供給するダイシング用テープ供給部１０と、ダイシング用テープＤＴをリングフレームｆの裏面から貼り付けるダイシング用テープ貼付ユニット１１と、ダイシング用テープＤＴをカットするダイシング用テープカット部１２と、カット後のダイシング用テープＤＴを回収するダイシング用テープ回収部１３と、ダイシング用テープＤＴが貼り付けられたリングフレームｆを昇降するリングフレーム昇降機構１４と、ダイシング用テープＤＴが貼り付けられたリングフレームｆにウエハＷを貼り合わせるウエハマウント機構１５と、ウエハＷを貼り合わせて一体化したウエハマウントフレームＭＦを移載するウエハマウントフレーム搬送機構１６とが備えられている。   Further, the semiconductor wafer mounting apparatus includes a ring frame supply unit 8 in which ring-shaped ring frames f are loaded in multiple stages, a ring frame transport mechanism 9 for transferring the ring frame f onto the dicing tape DT, and a dicing tape. A dicing tape supply unit 10 for supplying DT, a dicing tape attaching unit 11 for attaching the dicing tape DT from the back surface of the ring frame f, a dicing tape cutting unit 12 for cutting the dicing tape DT, and after cutting The dicing tape collecting unit 13 for collecting the dicing tape DT, the ring frame lifting mechanism 14 for raising and lowering the ring frame f to which the dicing tape DT is attached, and the ring frame f to which the dicing tape DT is attached. Wafer to which wafer W is bonded And und mechanism 15, and the wafer mount frame transport mechanism 16 for transferring the wafer mount frame MF integrated by bonding a wafer W is provided.

更に、半導体ウエハマウント装置には、ウエハマウントフレームＭＦを吸着保持して、ウエハＷの表面に貼り付けられた粘着テープによる表面保護テープＰＴを剥離する剥離テーブル１７と、剥離テープＳＴを供給する剥離テープ供給部１８と、剥離テーブル１７上のウエハＷに剥離テープＳＴを貼り付けて表面保護テープＰＴを剥離するテープ剥離ユニット１９と、剥離された表面保護テープＰＴを剥離テープＳＴに貼り付けて回収するテープ回収部２０と、処理済みのウエハマウントフレームＭＦを収納するウエハマウントフレーム収納機構２１と、処理済みのウエハマウントフレームＭＦを多段に積層して収納するためのカセットＣ１が装填されるウエハマウントフレーム回収部２２と、処理済みのウエハマウントフレームＭＦをウエハマウントフレーム収納機構２１からウエハマウントフレーム回収部２２に搬送するウエハマウントフレーム搬送機構２３とが備えられている。   Further, in the semiconductor wafer mounting apparatus, the wafer mount frame MF is sucked and held, and the peeling table 17 for peeling the surface protection tape PT by the adhesive tape attached to the surface of the wafer W and the peeling tape ST are supplied. The tape supply unit 18, the tape peeling unit 19 for attaching the release tape ST to the wafer W on the release table 17 to release the surface protective tape PT, and the peeled surface protective tape PT attached to the release tape ST for recovery. Wafer mount loaded with a cassette C1 for stacking and storing the tape mounting unit 20 for storing, the wafer mount frame storing mechanism 21 for storing the processed wafer mount frame MF, and the stacked wafer mount frames MF in multiple stages. The frame collection unit 22 and the processed wafer mount frame MF are And the wafer mount frame transport mechanism 23 which transports the mount frame receiving mechanism 21 to the wafer mount frame collection section 22 is provided.

ウエハ供給部１は、カセット台２４にカセットＣを載置して構成され、そのカセットＣ内に、表面保護テープＰＴが貼り付けられた表面を上向きにした水平姿勢のウエハＷが、上下に適当な間隔を持った状態で差込んで収納されている。ウエハマウントフレーム回収部２２も、カセット台２４にカセットＣ１を載置して構成され、そのカセットＣ１内に、表面保護テープＰＴを剥離処理したウエハＷをマウントしたウエハマウントフレームＭＦが、上下に適当な間隔を持った状態で差込んで収納されている。   The wafer supply unit 1 is configured by placing a cassette C on a cassette table 24, and a wafer W in a horizontal posture with the surface of the cassette C attached with a surface protective tape PT facing upward is suitable vertically. It is inserted and stored in a state with a large interval. The wafer mount frame recovery unit 22 is also configured by placing the cassette C1 on the cassette base 24. A wafer mount frame MF in which the wafer W from which the surface protection tape PT is peeled is mounted in the cassette C1. It is inserted and stored in a state with a large interval.

ウエハ搬送機構３のロボットアーム２は、図示しない駆動機構によって水平方向に出退および鉛直方向の軸心周りで旋回可能に設けられ、ウエハ供給部１のカセットＣ内からウエハＷを取り出してアライメントステージ５に供給できるように構成されている。   The robot arm 2 of the wafer transfer mechanism 3 is provided so as to be able to move in and out in the horizontal direction and turn around a vertical axis by a drive mechanism (not shown). The wafer W is taken out from the cassette C of the wafer supply unit 1 and aligned. 5 is configured so as to be able to supply to 5.

ウエハ押圧機構４には、ウエハＷを上面側から押圧する押圧プレート２５が備えられ、アライメントステージ５に供給されたウエハＷが反りによって真空吸着保持できない場合に、押圧プレート２５により押圧することにより平面に矯正できるように構成されている。   The wafer pressing mechanism 4 is provided with a pressing plate 25 that presses the wafer W from the upper surface side. When the wafer W supplied to the alignment stage 5 cannot be held by vacuum suction due to warpage, the wafer pressing mechanism 4 is pressed by the pressing plate 25 to be flat. It is configured so that it can be corrected.

アライメントステージ５は、ウエハＷのオリエンテーションフラットやノッチ等の検出に基づいてウエハＷの位置合わせを行なうように構成されている。   The alignment stage 5 is configured to align the wafer W based on detection of an orientation flat, a notch or the like of the wafer W.

また、アライメントステージ５は、ウエハＷを載置して位置合わせを行なう初期位置と、ウエハチャックテーブル７とリングフレーム昇降機構１４との間の待機位置とにわたってウエハＷを吸着保持した状態で搬送移動できるように構成されている。   Further, the alignment stage 5 carries and moves the wafer W while adsorbing and holding the wafer W over the initial position where the wafer W is placed and aligned, and the standby position between the wafer chuck table 7 and the ring frame lifting mechanism 14. It is configured to be able to.

紫外線照射ユニット６では、ウエハＷの表面に貼り付けられた表面保護テープＰＴが紫外線硬化型粘着テープである場合に、紫外線照射により表面保護テープＰＴのウエハＷの表面への接着力を低下するように構成されている。   In the ultraviolet irradiation unit 6, when the surface protective tape PT attached to the surface of the wafer W is an ultraviolet curable adhesive tape, the adhesion of the surface protective tape PT to the surface of the wafer W is reduced by ultraviolet irradiation. It is configured.

ウエハチャックテーブル７は、ウエハＷの表面を覆って真空吸着できるようにウエハＷと略同一形状の円形をしており、図示しない駆動機構によって、アライメントステージ５上のウエハＷを吸着保持する待機位置からウエハＷをリングフレームｆに貼り合わせる位置にわたって昇降移動できるように構成されている。   The wafer chuck table 7 has a circular shape substantially the same shape as the wafer W so as to cover the surface of the wafer W and can be vacuum-sucked, and a standby position for sucking and holding the wafer W on the alignment stage 5 by a drive mechanism (not shown). The wafer W can be moved up and down over the position where the wafer W is bonded to the ring frame f.

また、ウエハチャックテーブル７は、ダイシング用テープＤＴが裏面から貼り付けられたリングフレームｆを吸着保持するリングフレーム昇降機構１４の開口部に収まってウエハＷがリングフレームｆの中央のダイシング用テープＤＴに近接する位置まで下降するように構成されている。   Further, the wafer chuck table 7 is accommodated in an opening of the ring frame lifting mechanism 14 that sucks and holds the ring frame f to which the dicing tape DT is attached from the back surface, and the wafer W is placed in the center of the ring frame f. It is comprised so that it may descend | fall to the position close | similar to.

リングフレーム供給部８は、底部にキャスター車輪２６が設けられたワゴンに、一定方向に位置決めされたリングフレームｆを積層収納して構成されている。   The ring frame supply unit 8 is configured by stacking and storing a ring frame f positioned in a certain direction in a wagon provided with caster wheels 26 at the bottom.

リングフレーム搬送機構９は、リングフレーム供給部８に収納されているリングフレームｆを上側から１枚ずつ順番に真空吸着保持し、ダイシング用テープＤＴを貼り付ける位置に搬送するよう構成されている。   The ring frame transport mechanism 9 is configured to vacuum-suck and hold the ring frames f housed in the ring frame supply unit 8 one by one in order from the upper side, and transport the dicing tape DT to a position where it is attached.

ダイシング用テープ供給部１０は、原反ロール２８から導出したダイシング用テープＤＴをリングフレームｆの下方を通って、ダイシング用テープ貼付ユニット１１およびダイシング用テープ回収部１２にまで導くように構成されている。
ダイシング用テープＤＴは、リングフレームｆの径よりも幅広のものが用いられる。 The dicing tape supply unit 10 is configured to guide the dicing tape DT led out from the raw fabric roll 28 to the dicing tape attaching unit 11 and the dicing tape collecting unit 12 through the lower part of the ring frame f. Yes.
The dicing tape DT is wider than the diameter of the ring frame f.

ダイシング用テープ貼付ユニット１１は、リングフレームｆにダイシング用テープＤＴを貼り付け、次いで、ダイシング用テープカット部１２によりダイシング用テープＤＴをリングフレームｆ上でカットするようになっている。ダイシング用テープ回収部１３では、カット後のダイシング用テープＤＴを回収するようになっている。   The dicing tape attaching unit 11 attaches the dicing tape DT to the ring frame f, and then cuts the dicing tape DT on the ring frame f by the dicing tape cutting unit 12. The dicing tape collecting unit 13 collects the cut dicing tape DT.

リングフレーム昇降機構１４は、ダイシング用テープＤＴが貼り付けられたリングフレームｆを昇降するようになっている。   The ring frame elevating mechanism 14 elevates and lowers the ring frame f to which the dicing tape DT is attached.

ウエハマウント機構１５は、ダイシング用テープＤＴが貼り付けられたリングフレームｆにウエハＷを貼り合せるようになっている。   The wafer mount mechanism 15 is configured to attach the wafer W to the ring frame f to which the dicing tape DT is attached.

ウエハマウントフレーム搬送機構１６は、処理済みのウエハマウントフレームＭＦを真空吸着保持してウエハマウントフレーム収納機構２１からウエハマウントフレーム回収部２２に搬送するようになっている。   The wafer mount frame transport mechanism 16 transports the processed wafer mount frame MF by vacuum suction and transports it from the wafer mount frame storage mechanism 21 to the wafer mount frame collection unit 22.

剥離テーブル１７は、ウエハマウントフレームＭＦを真空吸着保持できるように構成されている。   The peeling table 17 is configured to hold the wafer mount frame MF by vacuum suction.

テープ剥離ユニット１９は、ウエハＷ上の表面保護テープＰＴに剥離テープＳＴを貼り付け、その剥離テープＳＴと表面保護テープＰＴとを一体で剥離するようになっている。剥離テープＳＴは、ウエハＷの径よりも幅狭のものが用いられる。   The tape peeling unit 19 affixes the peeling tape ST to the surface protective tape PT on the wafer W, and peels the peeling tape ST and the surface protective tape PT together. As the peeling tape ST, a tape having a width smaller than the diameter of the wafer W is used.

テープ回収部２０は、剥離された処理済みの剥離テープＳＴを回収するようになっている。   The tape collecting unit 20 collects the peeled processed peeling tape ST.

ウエハマウントフレーム収納機構２１は、ウエハマウントフレームＭＦを真空吸着保持して移載し、ウエハマウントフレーム搬送機構１６に受け渡すようになっている。   The wafer mount frame storage mechanism 21 transfers the wafer mount frame MF while holding it by vacuum suction, and delivers it to the wafer mount frame transport mechanism 16.

図２の要部の側面図、および、図３の要部の平面図に示すように、アライメントステージ５に近接して、除塵手段としての第１のウエハクリーニング機構２９が設けられている。   As shown in the side view of the main part in FIG. 2 and the plan view of the main part in FIG. 3, a first wafer cleaning mechanism 29 as a dust removing means is provided in the vicinity of the alignment stage 5.

第１のウエハクリーニング機構２９は、第１のブラシ３０を植設した第１のブラシアーム３１を、正逆転可能な電動モータ３２によって鉛直方向の軸心周りで回転可能な回転支柱３３に取り付けて構成されている。   In the first wafer cleaning mechanism 29, a first brush arm 31 in which a first brush 30 is implanted is attached to a rotary column 33 that can be rotated around an axis in the vertical direction by an electric motor 32 that can rotate forward and backward. It is configured.

第１のブラシアーム３１は、平面視において、アライメントステージ５の回転中心を越した作用位置と、アライメントステージ５に重複しない位置とにわたって変位できるように構成されている。   The first brush arm 31 is configured to be able to be displaced over a working position that exceeds the rotation center of the alignment stage 5 and a position that does not overlap the alignment stage 5 in plan view.

また、第１のブラシアーム３１内に第１の通気路３４が形成されるとともに、その第１の通気路３４が第１のブラシアーム３１の下面側に開放され、第１のブラシアーム３１の回転中心側で、第１の通気路３４に、第１のフィルター３５を介装した第１の吸気管３６を介して第１の真空ポンプ３７が連通接続されている。   In addition, a first air passage 34 is formed in the first brush arm 31, and the first air passage 34 is opened to the lower surface side of the first brush arm 31, so that the first brush arm 31 On the rotation center side, a first vacuum pump 37 is connected to the first air passage 34 through a first intake pipe 36 having a first filter 35 interposed therebetween.

上記構成により、アライメントステージ５上の接触部位としてのウエハ吸着ステージ３８に載置して吸着保持されたウエハＷの表面側に作用する位置に第１のブラシ３０を変位させ、その状態でウエハ吸着ステージ３８を回転させ、ウエハＷの表面側に貼り付けられた表面保護テープＳＴに付着している塵埃を除去して吸引できるようになっている。   With the above configuration, the first brush 30 is displaced to a position that acts on the surface side of the wafer W that is placed on the wafer suction stage 38 as a contact site on the alignment stage 5 and held by suction, and the wafer is sucked in that state. The stage 38 is rotated so that dust adhering to the surface protection tape ST attached to the front surface side of the wafer W can be removed and sucked.

図４の要部の側面図、および、図５の要部の底面図に示すように、ウエハチャックテーブル７に近接して、除塵手段としての第２のウエハクリーニング機構３９が設けられている。   As shown in the side view of the main part in FIG. 4 and the bottom view of the main part in FIG. 5, a second wafer cleaning mechanism 39 as a dust removing means is provided in the vicinity of the wafer chuck table 7.

第２のウエハクリーニング機構３９は、上向きに第２のブラシ４０を植設した第２のブラシアーム４１を、エアシリンダ４２によって水平方向に出退可能なシリンダロッド４３に取り付けて構成されている。   The second wafer cleaning mechanism 39 is configured by attaching a second brush arm 41 in which a second brush 40 is implanted in an upward direction to a cylinder rod 43 that can be retracted and retracted in a horizontal direction by an air cylinder 42.

第２のブラシアーム４１は、平面視において、ウエハチャックテーブル７を越える位置まで出退変位できるように構成されている。   The second brush arm 41 is configured such that it can be moved back and forth to a position beyond the wafer chuck table 7 in plan view.

また、第２のブラシアーム４１内に第２の通気路４４が形成されるとともに、その第２の通気路４４が第２のブラシアーム４１の上面側に開放され、第２のブラシアーム４１の長手方向の中央側で、第２の通気路４４に、第２のフィルター４５を介装した第２の吸気管４６を介して第２の真空ポンプ４７が連通接続されている。   In addition, a second air passage 44 is formed in the second brush arm 41, and the second air passage 44 is opened to the upper surface side of the second brush arm 41. On the center side in the longitudinal direction, a second vacuum pump 47 is connected to the second air passage 44 through a second intake pipe 46 having a second filter 45 interposed therebetween.

上記構成により、ウエハチャックテーブル７に搬送して吸着保持されたウエハＷの裏面に作用させて第２のブラシ４０を変位させ、ウエハＷの裏面に付着している塵埃を除去して吸引できるようになっている。   With the above-described configuration, the second brush 40 is displaced by acting on the back surface of the wafer W conveyed and sucked and held by the wafer chuck table 7 so that dust attached to the back surface of the wafer W can be removed and sucked. It has become.

次に、上述の半導体ウエハ搬送装置による搬送動作につき、図６のフローチャートを参照しながら説明する。   Next, the transfer operation by the semiconductor wafer transfer apparatus will be described with reference to the flowchart of FIG.

先ず、ロボットアーム２を旋回するとともに伸縮および昇降させ、ウエハ供給部１のカセットＣからウエハＷを１枚吸着保持して取り出す（Ｓ１）。ロボットアーム２を旋回するとともに伸縮および昇降させ、ウエハＷをアライメントステージ５上に搬送して移載し（Ｓ２）、ウエハ押圧機構４により押圧プレート２５を伸縮および昇降させ、ウエハＷに押圧してウエハＷを平面に矯正した状態で吸着保持する（Ｓ３）。   First, the robot arm 2 is turned, expanded and contracted, and moved up and down to suck and hold one wafer W from the cassette C of the wafer supply unit 1 (S1). The robot arm 2 is turned, expanded and contracted and moved up and down, the wafer W is transferred onto the alignment stage 5 and transferred (S2), and the pressing plate 25 is expanded and moved up and down by the wafer pressing mechanism 4 and pressed against the wafer W. The wafer W is sucked and held in a state where the wafer W is flattened (S3).

アライメントステージ５のウエハ吸着ステージ３８に吸着保持されたウエハＷの表面に貼り付けられた表面保護テープＰＴに第１のブラシ３０を押し当て、その状態で第１の真空ポンプ３７を駆動しながらウエハ吸着ステージ３８を回転させ、表面保護テープＰＴに付着した塵埃を除去する（Ｓ４）。   The first brush 30 is pressed against the surface protection tape PT attached to the surface of the wafer W sucked and held by the wafer suction stage 38 of the alignment stage 5, and the first vacuum pump 37 is driven in this state while driving the first vacuum pump 37. The suction stage 38 is rotated to remove dust adhering to the surface protection tape PT (S4).

その状態で、ウエハ吸着ステージ３８を回転させ、ウエハＷのオリエンテーションフラットやノッチ等の検出に基づいて、ウエハＷの位置合わせ（アライメント）を行う（Ｓ５）。   In this state, the wafer suction stage 38 is rotated, and the alignment (alignment) of the wafer W is performed based on the detection of the orientation flat or notch of the wafer W (S5).

その後、ウエハＷに貼り付けられている表面保護テープＰＴが紫外線硬化型の場合には、紫外線照射ユニット６によってアライメントステージ５上で紫外線照射処理を行う（Ｓ６）。   Thereafter, when the surface protection tape PT attached to the wafer W is an ultraviolet curable type, an ultraviolet irradiation process is performed on the alignment stage 5 by the ultraviolet irradiation unit 6 (S6).

次いで、アライメントステージ５をウエハチャックテーブル７の下方まで移動し、平面の状態を保持したまま、ウエハチャックテーブル７を昇降し、位置合わせが行われたウエハＷを、ウエハチャックテーブル７に受け渡す（Ｓ７）。ここで、ウエハＷを受け渡したアライメントステージ５は、初期位置に戻る。   Next, the alignment stage 5 is moved to below the wafer chuck table 7, and the wafer chuck table 7 is moved up and down while maintaining the flat state, and the aligned wafer W is transferred to the wafer chuck table 7 ( S7). Here, the alignment stage 5 that has delivered the wafer W returns to the initial position.

その後、第２の真空ポンプ４７を駆動しながら、ウエハチャックテーブル７に吸着保持されたウエハＷの裏面に対して第２のブラシ４０を移動させ、ウエハＷの裏面に付着した塵埃を除去する（Ｓ８）。   Thereafter, while driving the second vacuum pump 47, the second brush 40 is moved with respect to the back surface of the wafer W sucked and held on the wafer chuck table 7 to remove dust adhering to the back surface of the wafer W ( S8).

一方、リングフレーム搬送機構９によりワゴン２７の上方からリングフレームｆを１枚ずつ真空吸着して取り出し、図示しないアライメントステージで位置合わせを行なった後に、ダイシング用テープＤＴ貼り付け位置に搬送する（Ｓ９）。   On the other hand, the ring frame f is picked up from the upper part of the wagon 27 by the ring frame transport mechanism 9 by vacuum suction and taken out by the alignment stage (not shown) and then transported to the dicing tape DT attaching position (S9). ).

そこで、ダイシング用テープ貼付ユニット１１により、リングフレームｆにダイシング用テープＤＴを貼り付け（Ｓ１０）、その後に、リングフレームｆ上でダイシング用テープＤＴをカットする（Ｓ１１）。   Therefore, the dicing tape affixing unit 11 affixes the dicing tape DT to the ring frame f (S10), and then cuts the dicing tape DT on the ring frame f (S11).

カット後の不用となったダイシング用テープＤＴをリングフレームｆから剥離してダイシング用テープ回収部１３に巻取り（Ｓ１２）、ダイシング用テープＤＴを貼り付けたリングフレームｆを作製し、そのリングフレームｆをリングフレーム昇降機構１４により上昇搬送し、ウエハチャックテーブル７に吸着保持されているウエハＷに接近させる（Ｓ１３）。   The dicing tape DT which has become unnecessary after cutting is peeled off from the ring frame f and wound around the dicing tape collecting unit 13 (S12), and the ring frame f on which the dicing tape DT is attached is produced. f is lifted and conveyed by the ring frame elevating mechanism 14 and is brought close to the wafer W sucked and held on the wafer chuck table 7 (S13).

次いで、リングフレームｆの下方の端よりマウントローラ（図示せず）を昇降および移動させ、リングフレームｆに貼り付けられているダイシング用テープＤＴをウエハＷに貼り付け、ウエハマウントフレームＭＦを作製する（Ｓ１４）。   Next, a mounting roller (not shown) is moved up and down from the lower end of the ring frame f, and the dicing tape DT attached to the ring frame f is attached to the wafer W to produce a wafer mount frame MF. (S14).

その後、作製したウエハマウントフレームＭＦを、ウエハマウントフレーム搬送機構１６により剥離テーブル１７上に搬送して吸着保持させる（Ｓ１５）。   Thereafter, the manufactured wafer mount frame MF is transported onto the peeling table 17 by the wafer mount frame transport mechanism 16 and held by suction (S15).

マウントフレームＭＦが載置された剥離テーブル１７を、テープ剥離ユニット１９の下方に向かって移動し、剥離テープ供給部１８から供給される剥離テープＳＴをウエハＷの表面の表面保護テープＰＴに押圧しながら貼り付け、貼り付けた剥離テープＳＴを剥離しながら表面保護テープＰＴを一緒にウエハＷの表面から剥離する（Ｓ１６）。   The peeling table 17 on which the mount frame MF is mounted moves toward the lower side of the tape peeling unit 19 and presses the peeling tape ST supplied from the peeling tape supply unit 18 against the surface protection tape PT on the surface of the wafer W. Then, the surface protective tape PT is peeled off from the surface of the wafer W together with peeling off the attached peeling tape ST (S16).

その後、表面保護テープＰＴを剥離したウエハマウントフレームＭＦを、テープ剥離ユニット１９から払出し、ウエハマウントフレーム収納機構２１により、オリエンテーションフラットやノッチ等によって位置合わせして収納方向を調節し、そのウエハマウントフレームＭＦをウエハマウントフレーム搬送機構２３によりウエハマウントフレーム回収部２２のカセットＣ１に一枚づつ収納する（Ｓ１７）。   Thereafter, the wafer mount frame MF from which the surface protection tape PT has been peeled is delivered from the tape peeling unit 19, and the wafer mount frame storage mechanism 21 aligns the wafer mount frame MF with an orientation flat, a notch or the like to adjust the storage direction. The MFs are stored one by one in the cassette C1 of the wafer mount frame collection unit 22 by the wafer mount frame transport mechanism 23 (S17).

図７は、第１のウエハクリーニング機構２９の変形例を示す側面図であり、前述実施例と異なるところは、次の通りである。   FIG. 7 is a side view showing a modified example of the first wafer cleaning mechanism 29. The difference from the above-described embodiment is as follows.

すなわち、電動モータ３２が昇降台５１に支持され、その昇降台５１が一対の第１の昇降用エアシリンダ５２により昇降可能に支持されている。第１の昇降用エアシリンダ５２は、その伸張側ストロークエンドで第１のブラシ３０をウエハＷ上の表面保護テープＰＴに作用させる位置（図２参照）になり、一方、短縮側ストロークエンドで第１のブラシ３０をアライメントステージ５の表面に作用させる位置になるように設定されている。他の構成は、前述実施例と同じであり、同一図番を付すことによりその説明は省略する。   That is, the electric motor 32 is supported by the lifting platform 51, and the lifting platform 51 is supported by the pair of first lifting air cylinders 52 so as to be lifted and lowered. The first raising / lowering air cylinder 52 is in a position (see FIG. 2) where the first brush 30 is applied to the surface protection tape PT on the wafer W at the extension side stroke end, and on the other hand, at the shortening side stroke end. One brush 30 is set to a position where it acts on the surface of the alignment stage 5. Other configurations are the same as those of the above-described embodiment, and the description is omitted by assigning the same reference numerals.

図８は、第２のウエハクリーニング機構３９の変形例を示す側面図であり、前述実施例と異なるところは、次の通りである。   FIG. 8 is a side view showing a modified example of the second wafer cleaning mechanism 39. The differences from the above-described embodiment are as follows.

すなわち、エアシリンダ４２が一対の第２の昇降用エアシリンダ５３により昇降可能に支持されている。第２の昇降用エアシリンダ５３は、その伸張側ストロークエンドで第２のブラシ４０をウエハチャックテーブル７の下向き面に作用させる位置（図４参照）になり、一方、短縮側ストロークエンドで第２のブラシ４０をウエハＷの裏面に作用させる位置になるように設定されている。他の構成は、前述実施例と同じであり、同一図番を付すことによりその説明は省略する。   That is, the air cylinder 42 is supported by the pair of second lifting air cylinders 53 so as to be lifted and lowered. The second elevating air cylinder 53 is in a position (see FIG. 4) where the second brush 40 is applied to the downward surface of the wafer chuck table 7 at the extension side stroke end, and on the other hand, at the shortening side stroke end. The brush 40 is set so as to act on the back surface of the wafer W. Other configurations are the same as those of the above-described embodiment, and the description is omitted by assigning the same reference numerals.

次に、前述両変形例の構成を採用した半導体ウエハ搬送装置の搬送動作につき、図９のフローチャートを用いて説明する。   Next, the transfer operation of the semiconductor wafer transfer apparatus adopting the configuration of both the above-described modifications will be described with reference to the flowchart of FIG.

図６に示した前述実施例の動作における、ステップＳ１によるウエハＷの取り出しの後、アライメントステージ５への搬入に先立ち、第１のブラシ３０をアライメントステージ５のウエハ吸着ステージ３８に押し当て（図７参照）、その状態で第１の真空ポンプ３７を駆動しながらウエハ吸着ステージ３８を回転させ、ウエハ吸着ステージ３８に付着した塵埃を除去する（Ｎ２）。   In the operation of the above-described embodiment shown in FIG. 6, after the wafer W is taken out in step S <b> 1, the first brush 30 is pressed against the wafer suction stage 38 of the alignment stage 5 before loading into the alignment stage 5 (FIG. 7), while the first vacuum pump 37 is driven in this state, the wafer suction stage 38 is rotated to remove dust adhering to the wafer suction stage 38 (N2).

その後、ステップＳ２からステップＳ３までは、前述実施例と同様に動作させ、ステップＳ４において、第１の昇降用エアシリンダ５２を伸張させ、第１のブラシ３０をアライメントステージのウエハ吸着ステージ３８に載置して吸着保持されたウエハＷの表面の表面保護テープＰＴに押し当て（図２参照）、その状態で第１の真空ポンプ３７を駆動しながらウエハ吸着ステージ３８を回転させ、表面保護テープＰＴに付着した塵埃を除去する。   Thereafter, from step S2 to step S3, the operation is performed in the same manner as in the above-described embodiment. In step S4, the first lifting air cylinder 52 is extended, and the first brush 30 is mounted on the wafer suction stage 38 of the alignment stage. It is pressed against the surface protection tape PT on the surface of the wafer W placed and sucked and held (see FIG. 2), and the wafer suction stage 38 is rotated while the first vacuum pump 37 is driven in this state, so that the surface protection tape PT Remove dust adhering to.

更に、ステップＳ５からステップＳ６までは、前述実施例と同様に動作させ、ステップＳ６による紫外線照射処理の後、第２の真空ポンプ４７を駆動しながら、ウエハチャックテーブル７の下向き面に対して第２のブラシ４０を移動させ、ウエハチャックテーブル７の下向き面に付着した塵埃を除去する（Ｎ２）。   Further, from step S5 to step S6, the operation is performed in the same manner as in the above-described embodiment. After the ultraviolet irradiation process in step S6, the second vacuum pump 47 is driven and the second surface of the wafer chuck table 7 is driven. 2 is moved to remove dust adhering to the downward surface of the wafer chuck table 7 (N2).

その後、ステップＳ７でウエハＷをウエハチャックテーブル７に受け渡した後、第２の昇降用エアシリンダ５３を短縮させ、第２の真空ポンプ４７を駆動しながら、ウエハチャックテーブル７に吸着保持されたウエハＷの裏面に対して第２のブラシ４０を移動させ、ウエハＷの裏面に付着した塵埃を除去する（Ｓ８）。   After that, after the wafer W is transferred to the wafer chuck table 7 in step S7, the second lifting / lowering air cylinder 53 is shortened and the second vacuum pump 47 is driven while the wafer is held by suction on the wafer chuck table 7. The 2nd brush 40 is moved with respect to the back surface of W, and the dust adhering to the back surface of the wafer W is removed (S8).

ステップＳ９からステップＳ１７までの動作は、前述実施例と同じであり、説明は省略する。   The operation from step S9 to step S17 is the same as that in the previous embodiment, and the description thereof is omitted.

上述変形例の搬送動作によれば、ウエハＷとの接触に先立って、ウエハＷと接触するアライメントステージ５のウエハ吸着ステージ３８のウエハ載置面、および、ウエハチャックテーブル７の下向き面それぞれに付着した塵埃を除去するから、ウエハＷへの塵埃付着に起因する生産の歩留まり低下をより一層良好に防止できる利点を有している。   According to the transfer operation of the above-described modified example, prior to the contact with the wafer W, it adheres to the wafer placement surface of the wafer suction stage 38 of the alignment stage 5 that contacts the wafer W and the downward surface of the wafer chuck table 7. Since the dust thus removed is removed, it has an advantage that it is possible to more effectively prevent the production yield from being reduced due to the dust adhering to the wafer W.

上記変形例では、アライメントステージ５のウエハ吸着ステージ３８のウエハ載置面に付着した塵埃の除去に、ウエハＷの表面に付着した塵埃を除去する第１のブラシ５２を兼用しているが、別の専用のブラシを設けるようにしても良い。   In the above modification, the first brush 52 that removes dust adhering to the surface of the wafer W is also used for removing dust adhering to the wafer placement surface of the wafer suction stage 38 of the alignment stage 5. A dedicated brush may be provided.

また、ウエハチャックテーブル７の下向き面に付着した塵埃の除去に、ウエハＷの裏面に付着した塵埃を除去する第２のブラシ５３を兼用しているが、別の専用のブラシを設けるようにしても良い。   Further, the second brush 53 for removing the dust adhering to the back surface of the wafer W is also used for removing the dust adhering to the downward surface of the wafer chuck table 7, but another dedicated brush is provided. Also good.

上記実施例では、第１のウエハクリーニング機構２９を、ウエハ吸着ステージ３８に吸着保持されたウエハＷの表面に第１のブラシ３０を接触させ、ウエハ吸着ステージ３８を回転させることによって除塵するように構成しているが、第１のブラシアーム３１をウエハ吸着ステージ３８の直径よりも長く構成し、第１のブラシアーム３１をエアシリンダ等により往復移動させるか、第１のブラシアーム３１の長手方向の一端側をウエハ吸着ステージ３８の近傍で鉛直方向の軸心周りで回転可能に設け、ウエハ吸着ステージ３８に吸着保持されたウエハＷの表面全面に第１のブラシ３０を作用させて除塵するように構成しても良い。   In the above embodiment, the first wafer cleaning mechanism 29 is configured to remove dust by bringing the first brush 30 into contact with the surface of the wafer W sucked and held by the wafer suction stage 38 and rotating the wafer suction stage 38. The first brush arm 31 is configured to be longer than the diameter of the wafer suction stage 38, and the first brush arm 31 is reciprocated by an air cylinder or the like, or the longitudinal direction of the first brush arm 31 is configured. One end side of the wafer W is provided to be rotatable around a vertical axis in the vicinity of the wafer suction stage 38, and dust is removed by applying the first brush 30 to the entire surface of the wafer W sucked and held by the wafer suction stage 38. You may comprise.

また、第２のウエハクリーニング機構３９を、ウエハチャックテーブル７に吸着保持されたウエハＷの裏面に第２のブラシ４０を接触させて水平方向に往復移動して除塵するように構成しているが、第２のブラシアーム４１の一端側を、ウエハチャックテーブル７の近傍で鉛直方向の軸心周りで回転可能に設け、ウエハチャックテーブル７に吸着保持されたウエハＷの裏面全面に第２のブラシ４０を作用させて除塵するように構成しても良い。   The second wafer cleaning mechanism 39 is configured to remove dust by reciprocating in the horizontal direction with the second brush 40 in contact with the back surface of the wafer W sucked and held by the wafer chuck table 7. One end side of the second brush arm 41 is provided in the vicinity of the wafer chuck table 7 so as to be rotatable around a vertical axis, and the second brush is applied to the entire back surface of the wafer W attracted and held by the wafer chuck table 7. You may comprise so that 40 may be acted and dust may be removed.

また、上記実施例では、第１および第２の真空ポンプ３７，４７により、除去した塵埃を吸引するように構成しているが、クリーニング時に、アライメントステージ５のウエハ吸着ステージ３８およびウエハチャックテーブル７それぞれの周囲に真空吸着等による吸気構成を備え、第１および第２のブラシ３０，４０で除去した塵埃を吸引させるようにしても良い。   In the above-described embodiment, the removed dust is sucked by the first and second vacuum pumps 37 and 47. However, the wafer suction stage 38 and the wafer chuck table 7 of the alignment stage 5 are cleaned during cleaning. An air intake structure such as vacuum suction may be provided around each of them, and the dust removed by the first and second brushes 30 and 40 may be sucked.

上記実施例では、第１および第２のブラシ３０，４０で除塵するように除塵手段を構成しているが、本発明における除塵手段としては、例えば、吸引、気体の吹き付け、粘着シート類による除塵、および、それらの組み合わせなど、除塵およびクリーニングが可能な方法であれば、各種の構成や手法が適用できる。   In the above embodiment, the dust removing means is configured so as to remove dust with the first and second brushes 30 and 40. As the dust removing means in the present invention, for example, suction, gas blowing, dust removal by adhesive sheets, etc. Various configurations and methods can be applied as long as the method allows dust removal and cleaning, such as a combination thereof.

上記実施例では、ウエハマウントフレームＭＦを作製する場合を例示したが、本発明としては、半導体ウエハと接触する部位が存在して半導体ウエハを処理する場合であれば、すべてに適用できる。   In the above-described embodiment, the case where the wafer mount frame MF is manufactured has been illustrated. However, the present invention can be applied to all cases where a portion in contact with the semiconductor wafer exists and the semiconductor wafer is processed.

本発明に係る半導体ウエハ搬送装置を装備した半導体ウエハマウント装置の実施例の一部破断全体斜視図である。It is a partially broken whole perspective view of the Example of the semiconductor wafer mounting apparatus equipped with the semiconductor wafer conveyance apparatus which concerns on this invention. 第１のウエハクリーニング機構を示す要部の側面図である。It is a side view of the principal part which shows a 1st wafer cleaning mechanism. 第１のウエハクリーニング機構を示す要部の平面図である。It is a top view of the principal part which shows a 1st wafer cleaning mechanism. 第２のウエハクリーニング機構を示す要部の側面図である。It is a side view of the principal part which shows the 2nd wafer cleaning mechanism. 第２のウエハクリーニング機構を示す要部の底面図である。It is a bottom view of the principal part which shows the 2nd wafer cleaning mechanism. 半導体ウエハ搬送装置による搬送動作を説明するフローチャートである。It is a flowchart explaining the conveyance operation by a semiconductor wafer conveyance apparatus. 第１のウエハクリーニング機構の変形例を示す要部の側面図である。It is a side view of the principal part which shows the modification of a 1st wafer cleaning mechanism. 第２のウエハクリーニング機構の変形例を示す要部の側面図である。It is a side view of the principal part which shows the modification of a 2nd wafer cleaning mechanism. 変形例の半導体ウエハ搬送装置による搬送動作を説明するフローチャートである。It is a flowchart explaining the conveyance operation by the semiconductor wafer conveyance apparatus of a modification.

符号の説明Explanation of symbols

ＰＴ…表面保護用の粘着テープ
Ｗ…半導体ウエハ
５…アライメントステージ（ウエハ保持手段）
７…ウエハチャックテーブル（ウエハ保持手段）
２９…第１のウエハクリーニング機構（除塵手段）
３９…第２のウエハクリーニング機構（除塵手段）
PT ... Surface protection adhesive tape W ... Semiconductor wafer 5 ... Alignment stage (wafer holding means)
7 ... Wafer chuck table (wafer holding means)
29: First wafer cleaning mechanism (dust removing means)
39: Second wafer cleaning mechanism (dust removing means)

Claims (7)

半導体ウエハを各種処理工程に搬送する半導体ウエハ搬送方法であって、
前記半導体ウエハを保持した状態で前記半導体ウエハに付着する塵埃を除去することを特徴とする半導体ウエハ搬送方法。 A semiconductor wafer transfer method for transferring a semiconductor wafer to various processing steps,
A method for transporting a semiconductor wafer, comprising removing dust adhering to the semiconductor wafer while the semiconductor wafer is held. 請求項１に記載の半導体ウエハ搬送方法において、
半導体ウエハの裏面側に付着する塵埃を除去するものである半導体ウエハ搬送方法。 In the semiconductor wafer conveyance method according to claim 1,
A semiconductor wafer transfer method for removing dust adhering to the back side of a semiconductor wafer. 請求項１に記載の半導体ウエハ搬送方法において、
接触部位が、半導体ウエハの表面側に付着する塵埃を除去するものである半導体ウエハ搬送方法。 In the semiconductor wafer conveyance method according to claim 1,
A method for transporting a semiconductor wafer, wherein the contact portion removes dust adhering to the surface side of the semiconductor wafer. 請求項３に記載の半導体ウエハ搬送方法において、
半導体ウエハの表面に貼り付けられた粘着テープの表面側に付着する塵埃を除去するものである半導体ウエハ搬送方法。 In the semiconductor wafer conveyance method according to claim 3,
A semiconductor wafer transfer method for removing dust adhering to the surface side of an adhesive tape affixed to the surface of a semiconductor wafer. 半導体ウエハの搬送過程に、前記半導体ウエハを載置保持または／および吸着保持するウエハ保持手段を備えた半導体ウエハ搬送装置において、
前記ウエハ保持手段に保持された前記半導体ウエハまたは前記半導体ウエハに貼り付けられた表面保護用の粘着テープに付着した塵埃を除去する除塵手段を付設したことを特徴とする半導体ウエハ搬送装置。 In a semiconductor wafer transfer apparatus provided with a wafer holding means for placing and / or holding the semiconductor wafer during the semiconductor wafer transfer process,
A semiconductor wafer transfer apparatus comprising dust removing means for removing dust adhering to the semiconductor wafer held by the wafer holding means or a surface protecting adhesive tape attached to the semiconductor wafer. 請求項５に記載の半導体ウエハ搬送装置において、
ウエハ保持手段が、前記半導体ウエハを載置するとともに吸着保持して位置決めを行うアライメントステージであり、除塵手段が前記アライメントステージに保持された前記半導体ウエハの表面に付着した塵埃を除去するものである半導体ウエハ搬送装置。 In the semiconductor wafer conveyance device according to claim 5,
The wafer holding means is an alignment stage that places the semiconductor wafer and sucks and holds it for positioning, and the dust removing means removes dust adhering to the surface of the semiconductor wafer held by the alignment stage. Semiconductor wafer transfer device. 請求項５に記載の半導体ウエハ搬送装置において、
ウエハ保持手段が、前記半導体ウエハを吸着保持するウエハチャックテーブルであり、除塵手段が前記ウエハチャックテーブルに吸着保持された前記半導体ウエハの裏面に付着した塵埃を除去するものである半導体ウエハ搬送装置。
In the semiconductor wafer conveyance device according to claim 5,
A semiconductor wafer transfer apparatus, wherein the wafer holding means is a wafer chuck table that holds the semiconductor wafer by suction, and the dust removing means removes dust adhering to the back surface of the semiconductor wafer held by suction on the wafer chuck table.
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