JP2005020011A - Apparatus and method for removing photoresist from substrate - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an apparatus and a method for removing photoresist from a substrate. <P>SOLUTION: The method of removing photoresist includes the steps of treating the photoresist using a first reactant so as to swell, crack, or peel the photoresist, processing the photoresist using a second reactant so as to chemically modify the photoresist, and removing the chemically modified photoresist using a third reactant. Here, the first reactant is supercritical carbon dioxide, the second reactant is ozone gas, and the third reactant is a deionized water. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は微細電子素子を製造する装置及び方法に係り、特に、微細電子素子基板からフォトレジストを除去するのに使われる装置及び方法に関する。   The present invention relates to an apparatus and method for manufacturing a microelectronic element, and more particularly, to an apparatus and method used to remove a photoresist from a microelectronic element substrate.

フォトレジストは、光に露出した場合に、溶解性を有する物質に変わる有機ポリマーである。フォトレジストは、半導体産業、生命工学産業、立体映像産業、電子機器産業及びナノ製造産業などの多くの応用分野で使われている。例えば、半導体製造産業でチップを製造する間に回路パターンを定義することを手助けするのにフォトレジストを使用する。フォトレジストを用いると、フォトレジストで被覆されている領域のエッチング、または電気メッキが防止できる。   Photoresists are organic polymers that turn into soluble materials when exposed to light. Photoresists are used in many application fields such as semiconductor industry, biotechnology industry, stereoscopic image industry, electronic equipment industry and nano-manufacturing industry. For example, photoresist is used to help define circuit patterns during chip manufacturing in the semiconductor manufacturing industry. When a photoresist is used, etching or electroplating of a region covered with the photoresist can be prevented.

一般的に、「ストリッピング」として知られているフォトレジストを除去する工程に先行して、プラズマアッシング、エッチングまたは他の製造段階がある。このような段階によって、フォトレジストは損傷されるか、または炭化されるが、その結果、従来のストリッピング工程では除去し難いフォトレジスト残留物が発生する。特に、３×１０１５ｉｏｎｓ／ｃｍ２以上のドーズでイオン注入を行うと、ソフトコアを覆う堅い外皮を備えたフォトレジストが作られる。イオン注入によって引き起こされた堅い外皮４０’を備えたフォトレジストの外皮の断面図及び平面図が各々図１Ａ及び図１Ｂに示される。図１Ａ及び図１Ｂに示されるように、堅い外皮４０’の厚さは、約２００ないし３００Åである。 Generally, there is a plasma ashing, etching or other manufacturing step that precedes the process of removing the photoresist, known as “stripping”. Such a step damages or carbonizes the photoresist, which results in photoresist residues that are difficult to remove by conventional stripping processes. In particular, when ion implantation is performed at a dose of 3 × 10 15 ions / cm 2 or more, a photoresist having a hard skin covering the soft core is produced. A cross-sectional view and a top view of a photoresist shell with a hard skin 40 'caused by ion implantation are shown in FIGS. 1A and 1B, respectively. As shown in FIGS. 1A and 1B, the thickness of the hard skin 40 ′ is about 200 to 300 mm.

図２は、イオン注入段階を示す断面図である。図２において、１１０は基板を、１０はゲート電極を、１１は絶縁膜を、２０はｎソース／ドレイン領域を、３０はスペーサを、４０はフォトレジストパターンを、そして５０はウェルを表す。フォトレジストパターン４０が、イオン注入工程４５によって露出した場合、堅い外皮４０’が前記フォトレジストパターン４０上に形成される。   FIG. 2 is a cross-sectional view showing an ion implantation step. In FIG. 2, 110 represents a substrate, 10 represents a gate electrode, 11 represents an insulating film, 20 represents an n source / drain region, 30 represents a spacer, 40 represents a photoresist pattern, and 50 represents a well. When the photoresist pattern 40 is exposed by the ion implantation process 45, a hard skin 40 ′ is formed on the photoresist pattern 40.

残留物も問題となる。図３Ａ及び図３Ｂは各々エッチング工程または化学機械的研磨（ＣＭＰ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）工程後に現れるフォトレジスト残留物を示す断面図及び平面図である。図３Ａにおいて、１１０は基板を、６０は被エッチング面を、７０はフォトレジストパターンを、そして７０’は注入されるイオン７５にフォトレジスト７０が露出した時に形成される堅い外皮を表す。図３Ａ及び図３Ｂにおいて、８０は残留物を、９０は有機物性欠陥を表す。   Residues are also a problem. 3A and 3B are a cross-sectional view and a plan view showing a photoresist residue that appears after an etching process or a chemical mechanical polishing (CMP) process, respectively. In FIG. 3A, 110 represents a substrate, 60 represents a surface to be etched, 70 represents a photoresist pattern, and 70 'represents a hard skin formed when the photoresist 70 is exposed to ions 75 to be implanted. In FIG. 3A and FIG. 3B, 80 represents a residue and 90 represents an organic property defect.

従来、フォトレジストは、プラズマアッシング工程と後続するストリッピング工程とによって除去されていた。プラズマアッシング工程では、酸素（Ｏ２）プラズマを使用するが、これはその下部層に損傷を与え、フォトレジスト下部に位置する半導体素子の電気的な特性を劣化させるという問題点がある。ストリッピング工程では、チップ基板から感光性ポリマーまたはフォトレジストを除去するため、多量の毒性及び／または腐蝕性の化学物質を必要とするという短所がある。 Conventionally, the photoresist has been removed by a plasma ashing process and a subsequent stripping process. In the plasma ashing process, oxygen (O 2 ) plasma is used, which has a problem in that the lower layer is damaged and the electrical characteristics of the semiconductor device located under the photoresist are deteriorated. The stripping process has a disadvantage in that it requires a large amount of toxic and / or corrosive chemicals to remove the photosensitive polymer or photoresist from the chip substrate.

このような問題点を克服するために、他のストリッピング方法、例えば、超臨界二酸化炭素（ＳＣＣＯ２）またはオゾン（Ｏ３）ガスを含む有機及び／または無機ストリッピング溶媒を使用する方法が提案された。ＳＣＣＯ２を使用してレジストを除去する技術は、ＣＯ２と界面活性剤、アルコールまたはアミンなどの少なくとも一つの共通溶媒とを含む濃縮化されたＣＯ２洗浄用化合物を利用する。しかし、ＳＣＣＯ２と共通溶媒とを使用する方法は、イオン注入により形成されたフォトレジストの堅い外皮を溶解させられない。 In order to overcome such problems, other stripping methods are proposed, for example, using organic and / or inorganic stripping solvents including supercritical carbon dioxide (SCCO 2 ) or ozone (O 3 ) gas. It was done. Technique of removing the resist using SCCO 2 is, CO 2 and the surfactant, using an alcohol or at least one CO 2 cleaning compounds enriched and a common solvent such as an amine. However, the method using SCCO 2 and a common solvent cannot dissolve the hard outer skin of the photoresist formed by ion implantation.

半導体ウェーハなどの基板からフォトレジストまたは他の有機物を除去する二番目の方法は、反応チャンバ内の溶媒、例えば、脱イオン水に基板を部分的に浸漬させる段階、Ｏ３などの酸化用ガスを前記反応チャンバ内に噴射する段階、そして、前記基板上の有機物性構成要素上に溶媒で厚い膜をコーティングさせるように前記基板を回転または移動させ、前記溶媒がコーティングされた構成要素をＯ３ガスに露出させて前記表面から有機物を除去する段階を含む。しかし、Ｏ３を利用するこのようなレジスト除去方法も、イオン注入により形成された堅い外皮を溶解させられない。図４はレジストを除去するためにＯ３を使用する技術による場合に、３×１０１５ｉｏｎｓ／ｃｍ２以上のドーズでイオン注入を実施した時には、フォトレジストの堅い外皮によってフォトレジストを除去することが失敗したことを表すグラフである。 A second method for removing photoresist or other organics from a substrate such as a semiconductor wafer involves partially immersing the substrate in a solvent in the reaction chamber, eg, deionized water, and using an oxidizing gas such as O 3. stage is injected into the reaction chamber, and said on organic soluble components on the substrate is rotated or moved the substrate so as to coat the thick film with a solvent, the components the solvent is coated O 3 gas Exposing the substrate to organic matter from the surface. However, such a resist removal method using O 3 cannot dissolve the hard outer skin formed by ion implantation. FIG. 4 shows that when the ion implantation is performed at a dose of 3 × 10 15 ions / cm 2 or more according to the technique using O 3 to remove the resist, the photoresist is removed by the hard skin of the photoresist. It is a graph showing that failed.

本発明が解決しようとする技術的課題は、基板からフォトレジストを除去する方法及びその装置を提供することにある。   A technical problem to be solved by the present invention is to provide a method and an apparatus for removing a photoresist from a substrate.

前記課題を達成するために本発明の一実施例による基板からフォトレジストを除去する方法は、まずフォトレジストを膨潤させるか、クラックを発生させるか、または剥離させるように第１反応物で前記フォトレジストを処理する段階、前記フォトレジストを第２反応物で処理することによって前記フォトレジストを化学的に変性させる段階及び第３反応物を使用して前記化学的に変性されたフォトレジストを除去する段階を含む。   In order to achieve the above object, a method of removing photoresist from a substrate according to an embodiment of the present invention includes firstly swelling the photoresist, generating cracks, or peeling the photoresist with a first reactant. Treating the resist; chemically modifying the photoresist by treating the photoresist with a second reactant; and removing the chemically modified photoresist using a third reactant. Including stages.

前記課題を達成するために本発明の他の実施例による基板からフォトレジストを除去する方法は、ＳＣＣＯ２を使用して前記フォトレジストを処理する段階、Ｏ３を主成分にする反応物を使用して前記フォトレジストを処理する段階及び脱イオン水で前記フォトレジストを処理する段階を含む。 According to another embodiment of the present invention, a method for removing a photoresist from a substrate is performed by using SCCO 2 to process the photoresist, and using a reactant based on O 3. And treating the photoresist with deionized water.

前記課題を達成するために本発明のさらに他の実施例による基板からフォトレジストを除去する方法は、前記基板をチャンバ内にローディング（ｌｏａｄｉｎｇ）する段階、前記チャンバ内に第１反応物を注入し、前記第１反応物を超臨界状態に転換（ｃｏｎｖｅｒｔ）させる段階、前記基板及び前記超臨界第１反応物の接触を維持させる段階、前記チャンバを減圧させる段階、第２反応物を前記チャンバ内に注入する段階、前記基板及び前記第２反応物の接触を維持させる段階、前記チャンバをパージし、前記基板をアンローディングする段階、前記フォトレジストを除去する段階及び前記基板を乾燥させる段階を含む。   According to another aspect of the present invention, there is provided a method of removing photoresist from a substrate by loading the substrate into a chamber, and injecting a first reactant into the chamber. Converting the first reactant to a supercritical state; maintaining contact between the substrate and the supercritical first reactant; depressurizing the chamber; and passing a second reactant into the chamber. Injecting into the substrate, maintaining contact between the substrate and the second reactant, purging the chamber and unloading the substrate, removing the photoresist, and drying the substrate. .

前記本発明の一実施例による基板からフォトレジストを除去する装置は、少なくとも一つ以上のチャンバ及びトランスファ手段を含む。前記一つ以上のチャンバは、前記フォトレジストを膨潤させるか、クラックを発生させるか、または剥離させるためのもの、第２反応物で前記フォトレジストを処理して前記フォトレジストを化学的に変性させるためのもの、前記基板をリンスするためのもの、前記基板を乾燥させるためのもの及び前記基板を支持するためのものでありうる。そして、前記トランスファ手段は、前記チャンバ間で前記基板を移すためのものである。   The apparatus for removing photoresist from a substrate according to an embodiment of the present invention includes at least one chamber and transfer means. The one or more chambers are for swelling, cracking or stripping the photoresist, treating the photoresist with a second reactant to chemically modify the photoresist. For rinsing the substrate, for drying the substrate, and for supporting the substrate. The transfer means is for transferring the substrate between the chambers.

本発明によれば、本発明は堅い外皮以外に一般的なフォトレジストを除去するための目的としても使用されうる。その上、フォトレジストの下部に位置する物質膜に損傷を与えない。また、有機汚染物質を使用することもなく、有機残留物を残さない。   According to the present invention, the present invention can also be used for the purpose of removing common photoresist besides hard skin. In addition, the material film located under the photoresist is not damaged. Also, no organic contaminants are used and no organic residue is left.

本発明は後述する実施例の詳細な説明及び添付図面を参照すれば、さらに明確に理解されうる。このような実施例及び添付図面は、例示的に提供されるものであって、本発明を制限すると解釈してはならない。   The present invention can be more clearly understood with reference to the following detailed description of embodiments and the accompanying drawings. Such examples and the accompanying drawings are provided by way of example and should not be construed to limit the invention.

本発明は、基板からフォトレジストを除去する方法において、該フォトレジストを膨潤させるか、クラックを発生させるか、または剥離させるように第１反応物(反応物質）で前記フォトレジストを処理する段階と、該フォトレジストを化学的に変性させるように第２反応物で該フォトレジストを処理する段階と、第３反応物で該化学的に変性したフォトレジストを除去する段階と、を含む。前記フォトレジストは、イオン注入工程でマスクとして使われたフォトレジストであることが好ましい。前記イオン注入工程は、３×１０１５ｉｏｎｓ／ｃｍ２またはそれ以上のドーズで行われることが好ましい。特に、上限は限定されないが、通常、１×１０２０ｉｏｎｓ／ｃｍ２である。前記第１反応物は、超臨界二酸化炭素であることが好ましい。前記超臨界二酸化炭素は、１００ないし１５０℃の温度及び１５０ないし２００ｂａｒの圧力下にあることが好ましい。前記第２反応物は、オゾンを主とする反応物であることが好ましい。前記オゾンを主とする反応物は、オゾンガスであることが好ましい。前記オゾンを主とする反応物は、オゾンガスと水蒸気との混合物であることが好ましい。前記オゾンガスは、１０５ないし１１５℃の温度及び６０ないし８０ｋＰａの圧力下にあることが好ましい。前記オゾンガスは、９０，０００ｐｐｍまたはそれ以上の濃度であることが好ましい。特に、上限は限定されないが、通常、５００，０００ｐｐｍである。前記化学的に変性されたフォトレジストは、リンス工程によって除去することが好ましい。前記第３反応物は、脱イオン水であることが好ましい。前記フォトレジストは、何らの損傷も発生していない一般的なフォトレジストであることが好ましい。前記フォトレジストは、エッチング工程によって損傷を受けたフォトレジストであることが好ましい。前記フォトレジストは、有機残留物または有機汚染物質を含むことが好ましい。 The present invention relates to a method of removing a photoresist from a substrate, and the step of treating the photoresist with a first reactant (reactant) so as to swell, crack, or peel the photoresist. Treating the photoresist with a second reactant to chemically modify the photoresist, and removing the chemically modified photoresist with a third reactant. The photoresist is preferably a photoresist used as a mask in an ion implantation process. The ion implantation process is preferably performed at a dose of 3 × 10 15 ions / cm 2 or more. In particular, the upper limit is not limited, but is usually 1 × 10 20 ions / cm 2 . The first reactant is preferably supercritical carbon dioxide. The supercritical carbon dioxide is preferably at a temperature of 100 to 150 ° C. and a pressure of 150 to 200 bar. The second reactant is preferably a reactant mainly composed of ozone. The reactant mainly composed of ozone is preferably ozone gas. The reactant mainly composed of ozone is preferably a mixture of ozone gas and water vapor. The ozone gas is preferably at a temperature of 105 to 115 ° C. and a pressure of 60 to 80 kPa. The ozone gas preferably has a concentration of 90,000 ppm or more. In particular, the upper limit is not limited, but is usually 500,000 ppm. The chemically modified photoresist is preferably removed by a rinsing process. The third reactant is preferably deionized water. The photoresist is preferably a general photoresist that does not cause any damage. The photoresist is preferably a photoresist damaged by an etching process. The photoresist preferably includes organic residues or organic contaminants.

また本発明は、基板からフォトレジストを除去する方法において、該フォトレジストを超臨界二酸化炭素で処理する段階と、該フォトレジストをオゾンを主とする反応物で処理する段階と、該フォトレジストを脱イオン水で除去する段階と、を含む。前記超臨界二酸化炭素は、１００ないし１５０℃の温度及び１５０ないし２００ｂａｒの圧力下にあることが好ましい。前記オゾンを主とする反応物は、１０５ないし１１５℃の温度及び６０ないし８０ｋＰａの圧力下にあるオゾンガスであることが好ましい。   The present invention also provides a method of removing a photoresist from a substrate, a step of treating the photoresist with supercritical carbon dioxide, a step of treating the photoresist with a reactant mainly composed of ozone, Removing with deionized water. The supercritical carbon dioxide is preferably at a temperature of 100 to 150 ° C. and a pressure of 150 to 200 bar. The reactant mainly composed of ozone is preferably ozone gas at a temperature of 105 to 115 ° C. and a pressure of 60 to 80 kPa.

さらに、本発明は、基板からフォトレジストを除去する方法において、該基板をチャンバ内にローディングする段階と、第１反応物を該チャンバ内へ流入させ、該第１反応物を超臨界状態に転換させる段階と、該基板と該超臨界状態の第１反応物とを所定時間接触させる段階と、該チャンバ内を減圧する段階と、第２反応物を該チャンバ内へ流入させる段階と、該基板と該第２反応物とを所定時間接触させる段階と、該チャンバをパージし、該基板をアンローディングする段階と、該フォトレジストを除去する段階と、該基板を乾燥させる段階と、を含む。前記第２反応物を注入する段階以前に、前記基板を第２チャンバにローディングする段階をさらに含み、前記接触段階と前記パージ段階とは前記第２チャンバで進められることが好ましい。前記第１反応物は、超臨界二酸化炭素であることが好ましい。前記超臨界二酸化炭素は、１００ないし１５０℃の温度及び１５０ないし２００ｂａｒの圧力下にあることが好ましい。前記第２反応物は、オゾンを主とする反応物であることが好ましい。前記オゾンを主とする反応物は、オゾンガスであることが好ましい。前記チャンバと前記オゾンを主とする反応物との間には１０ないし１５℃の温度差があることが好ましい。前記チャンバの温度は１０５℃であり、前記オゾンを主とする反応物は１１５℃の温度と６０ないし８０ｋＰａの圧力下にあることが好ましい。前記オゾンを主とする反応物の濃度は、９０，０００ｐｐｍであることが好ましい。前記リンス段階は、脱イオン水で行うことが好ましい。前記超臨界二酸化炭素は、前記フォトレジストを膨潤させるか、クラックを発生させるか、または剥離させる役割を担うことが好ましい。前記オゾンガスは、前記フォトレジストを水溶性物質に変性させることが好ましい。   Furthermore, the present invention provides a method for removing a photoresist from a substrate, the step of loading the substrate into a chamber, and flowing a first reactant into the chamber to convert the first reactant to a supercritical state. Bringing the substrate into contact with the first reactant in the supercritical state for a predetermined time; depressurizing the chamber; flowing the second reactant into the chamber; and And contacting the second reactant for a predetermined time, purging the chamber and unloading the substrate, removing the photoresist, and drying the substrate. Preferably, the method further includes loading the substrate into the second chamber before the step of injecting the second reactant, and the contacting step and the purging step are performed in the second chamber. The first reactant is preferably supercritical carbon dioxide. The supercritical carbon dioxide is preferably at a temperature of 100 to 150 ° C. and a pressure of 150 to 200 bar. The second reactant is preferably a reactant mainly composed of ozone. The reactant mainly composed of ozone is preferably ozone gas. There is preferably a temperature difference of 10 to 15 ° C. between the chamber and the ozone-based reactant. The temperature of the chamber is 105 ° C., and the ozone-based reactant is preferably at a temperature of 115 ° C. and a pressure of 60 to 80 kPa. The concentration of the reactant mainly composed of ozone is preferably 90,000 ppm. The rinsing step is preferably performed with deionized water. The supercritical carbon dioxide preferably plays a role of causing the photoresist to swell, generate cracks, or peel off. The ozone gas preferably denatures the photoresist into a water-soluble substance.

本発明は、基板からフォトレジストを除去する装置において、該フォトレジストを膨潤させるか、クラックを発生させるか、または剥離させるように該フォトレジストを第１反応物で処理し、該フォトレジストを化学的に変性させるように該フォトレジストを第２反応物で処理し、該基板をリンスし、該基板を乾燥させ、そして該基板を支持するための一つ以上のチャンバと、該チャンバ間で該基板を移すためのトランスファ手段と、を含む。前記フォトレジスト除去装置は、前記フォトレジストを膨潤させるか、クラックを発生させるか、または剥離させるように前記フォトレジストを第１反応物で処理し、前記フォトレジストを化学的に変性させるように前記フォトレジストを第２反応物で処理するための単一チャンバを備えることが好ましい。前記フォトレジスト除去装置は、前記フォトレジストを膨潤させるか、クラックを発生させるか、または剥離させるように前記フォトレジストを第１反応物で処理するためのチャンバと前記フォトレジストを化学的に変性させるように前記フォトレジストを第２反応物で処理するためのチャンバとを個別的に備えることが好ましい。前記フォトレジスト除去装置は、それぞれの工程を行うための個別チャンバを備えることが好ましい。前記トランスファ手段は、ロボットアームであることが好ましい。前記フォトレジストは、イオン注入工程でマスクとして使われたフォトレジストであることが好ましい。前記イオン注入工程は、３×１０１５ｉｏｎｓ／ｃｍ２またはそれ以上のドーズで行われることが好ましい。前記第１反応物は、超臨界二酸化炭素であることが好ましい。前記超臨界二酸化炭素は、１００ないし１５０℃の温度及び１５０ないし２００ｂａｒの圧力下にあることが好ましい。 The present invention provides an apparatus for removing a photoresist from a substrate, treating the photoresist with a first reactant so that the photoresist is swollen, cracked, or stripped. Treating the photoresist with a second reactant to denature the substrate, rinsing the substrate, drying the substrate, and supporting the substrate between the chambers and the chamber Transfer means for transferring the substrate. The photoresist removing apparatus treats the photoresist with a first reactant so as to swell, generate cracks, or peel off the photoresist, and chemically modify the photoresist. Preferably, a single chamber is provided for processing the photoresist with the second reactant. The photoresist removing apparatus chemically modifies the photoresist and a chamber for treating the photoresist with a first reactant so that the photoresist is swollen, cracked, or stripped. Preferably, a chamber for treating the photoresist with the second reactant is separately provided. Preferably, the photoresist removing apparatus includes an individual chamber for performing each process. The transfer means is preferably a robot arm. The photoresist is preferably a photoresist used as a mask in an ion implantation process. The ion implantation process is preferably performed at a dose of 3 × 10 15 ions / cm 2 or more. The first reactant is preferably supercritical carbon dioxide. The supercritical carbon dioxide is preferably at a temperature of 100 to 150 ° C. and a pressure of 150 to 200 bar.

さらに、基板からフォトレジストを除去する装置において、前記第２反応物は、オゾンを主とする反応物であることが好ましい。前記オゾンを主とする反応物は、オゾンガスであることが好ましい。前記オゾンガスは、１０５ないし１１５℃の温度及び６０ないし８０ｋＰａの圧力下にあることが好ましい。前記オゾンガスのオゾン発生器での濃度は、９０，０００ｐｐｍまたはそれ以上であることが好ましい。前記リンスは、脱イオン水を使用して行うことが好ましい。前記第１反応物は、超臨界二酸化炭素であり、前記第２反応物はオゾンであり、前記チャンバはヒータジャケット、二酸化炭素ソース、超臨界二酸化炭素発生器、超臨界二酸化炭素循環器、二酸化炭素フィードバック、オゾンガス供給器及びオゾンガス貯蔵容器を含むことが好ましい。前記超臨界二酸化炭素発生器は、二酸化炭素圧力ポンプ及び二酸化炭素加熱器を含むことが好ましい。前記第１反応物は、超臨界二酸化炭素であり、前記第１個別チャンバはヒータジャケット、二酸化炭素ソース、超臨界二酸化炭素発生器、超臨界二酸化炭素循環器及び二酸化炭素フィードバックを含むことが好ましい。前記超臨界二酸化炭素発生器は、二酸化炭素圧力ポンプ及び二酸化炭素加熱器を含むことが好ましい。前記第２反応物は、オゾンを主とする反応物であり、前記第１個別チャンバはヒータジャケット、オゾンガス供給器、水蒸気供給器及びオゾンガス貯蔵容器を含むことが好ましい。前記オゾンを主とする反応物は、オゾンガスであることが好ましい。   Furthermore, in the apparatus for removing the photoresist from the substrate, the second reactant is preferably a reactant mainly composed of ozone. The reactant mainly composed of ozone is preferably ozone gas. The ozone gas is preferably at a temperature of 105 to 115 ° C. and a pressure of 60 to 80 kPa. The concentration of the ozone gas in the ozone generator is preferably 90,000 ppm or more. The rinsing is preferably performed using deionized water. The first reactant is supercritical carbon dioxide, the second reactant is ozone, and the chamber is a heater jacket, a carbon dioxide source, a supercritical carbon dioxide generator, a supercritical carbon dioxide circulator, carbon dioxide It is preferable to include a feedback, an ozone gas supply device and an ozone gas storage container. The supercritical carbon dioxide generator preferably includes a carbon dioxide pressure pump and a carbon dioxide heater. Preferably, the first reactant is supercritical carbon dioxide, and the first individual chamber includes a heater jacket, a carbon dioxide source, a supercritical carbon dioxide generator, a supercritical carbon dioxide circulator, and carbon dioxide feedback. The supercritical carbon dioxide generator preferably includes a carbon dioxide pressure pump and a carbon dioxide heater. The second reactant is a reactant mainly composed of ozone, and the first individual chamber preferably includes a heater jacket, an ozone gas supply device, a water vapor supply device, and an ozone gas storage container. The reactant mainly composed of ozone is preferably ozone gas.

図５は本発明の一実施例による基板からフォトレジストを除去するための装置を示す。図５において、前記装置は、一つ以上のチャンバ１００を含む。そして、少なくとも一つの基板が前記少なくとも一つのチャンバ１００に提供される。基板１１０は、カセット１２０を通じて提供されることもある。前記装置はまた、トランスファチャンバ２００、ＳＣＣＯ２処理チャンバ３００、Ｏ３ガス処理チャンバ４００、リンス（または、バス）チャンバ５００及び乾燥チャンバ６００をさらに含むこともある。機械的な手段またはロボットアーム２１０などの電気機械的な手段によって一つのチャンバ１００から他のチャンバ６００に基板１１０は移動する。 FIG. 5 illustrates an apparatus for removing photoresist from a substrate according to one embodiment of the present invention. In FIG. 5, the apparatus includes one or more chambers 100. Then, at least one substrate is provided in the at least one chamber 100. The substrate 110 may be provided through the cassette 120. The apparatus may also further include a transfer chamber 200, an SCCO 2 processing chamber 300, an O 3 gas processing chamber 400, a rinse (or bath) chamber 500 and a drying chamber 600. The substrate 110 is moved from one chamber 100 to another chamber 600 by mechanical means or electromechanical means such as a robot arm 210.

図６は本発明の実施例による図５のＳＣＣＯ２処理チャンバ及び関連構成要素を示す。図６において、３００はＳＣＣＯ２処理チャンバ、３０１はウェーハプレート、３０５はヒータジャケット、３１０はＣＯ２シリンダーなどの二酸化炭素ソース、３１２は二酸化炭素供給管、３１４は二酸化炭素圧力ポンプ、３１６は二酸化炭素加熱器を表す。また、３１７はＳＣＣＯ２発生器、３１８、３２８、３３８及び３４８は二酸化炭素流量調節弁、３２０は排出される二酸化炭素貯蔵容器などの二酸化炭素フィードバック、３２２は二酸化炭素排ガス管、３３２は循環管、そして３４２は再供給管を表す。さらに、３３４は循環ポンプなどの超臨界二酸化炭素循環器を示す。 FIG. 6 illustrates the SCCO 2 processing chamber and associated components of FIG. 5 according to an embodiment of the present invention. In FIG. 6, 300 is an SCCO 2 processing chamber, 301 is a wafer plate, 305 is a heater jacket, 310 is a carbon dioxide source such as a CO 2 cylinder, 312 is a carbon dioxide supply pipe, 314 is a carbon dioxide pressure pump, and 316 is carbon dioxide. Represents a heater. 317 is a SCCO 2 generator, 318, 328, 338 and 348 are carbon dioxide flow rate control valves, 320 is carbon dioxide feedback such as a carbon dioxide storage container to be discharged, 322 is a carbon dioxide exhaust pipe, 332 is a circulation pipe, Reference numeral 342 represents a resupply pipe. Reference numeral 334 denotes a supercritical carbon dioxide circulator such as a circulation pump.

図７は本発明の実施例による図５のＯ３ガス処理チャンバ４００を示す。図７において、４００はＯ３ガス処理チャンバ、４０１はウェーハプレート、４０５はヒータジャケット、４１０はＯ３ガス供給器、４１２はＯ３ガス供給管、そして４１８はＯ３流量調節弁を表す。また、４２０は水蒸気供給器、４２２は水蒸気供給管、４２８は水蒸気流量調節弁を表す。前記Ｏ３ガス処理チャンバ４００は、Ｏ３ガス貯蔵容器４３０、排ガス管４３２及び排ガス流量調節弁４３８をさらに含む。 FIG. 7 illustrates the O 3 gas processing chamber 400 of FIG. 5 according to an embodiment of the present invention. In FIG. 7, 400 is an O 3 gas processing chamber, 401 is a wafer plate, 405 is a heater jacket, 410 is an O 3 gas supply unit, 412 is an O 3 gas supply pipe, and 418 is an O 3 flow control valve. Reference numeral 420 denotes a steam supply unit, 422 denotes a steam supply pipe, and 428 denotes a steam flow rate control valve. The O 3 gas processing chamber 400 further includes an O 3 gas storage container 430, an exhaust gas pipe 432, and an exhaust gas flow rate control valve 438.

図８Ａは本発明の一実施例による基板からフォトレジストを除去する方法を表すフローチャートを、図８Ｂは前記図８Ａのフローチャートに対応する時間と圧力との関係をグラフに示す。まず、基板１１０が前記ＳＣＣＯ２処理チャンバ３００にローディングされる（段階４２）。そして、二酸化炭素を前記ＳＣＣＯ２処理チャンバ３００に流入させ、ＳＣＣＯ２に転換させる（段階４４）。そして、前記ＳＣＣＯ２が前記基板１１０と接触するように維持する（段階４６）。そして、前記ＳＣＣＯ２処理チャンバ３００を減圧した後、前記ウェーハ１１０をアンローディングする（段階４８）。そして、前記基板１１０をＯ３ガス処理チャンバ４００にローディングした後（段階５０）、所定の条件下で前記Ｏ３ガス処理チャンバ４００にＯ３ガスを流入させる（段階５２）。そして、前記Ｏ３ガスを前記基板１１０と接触させるように維持する（段階５４）。そして、前記Ｏ３ガスチャンバ４００をパージし、基板１１０をアンローディング（ｕｎｌｏａｄｉｎｇ）する（段階５６）。そして、基板１１０はリンス工程を行うためにリンスまたはバスチャンバ５００に移動させた後（段階５８）、乾燥工程を行うために基板１１０を乾燥チャンバ６００に移動させる（段階６０）。 FIG. 8A is a flowchart showing a method of removing a photoresist from a substrate according to an embodiment of the present invention, and FIG. 8B is a graph showing the relationship between time and pressure corresponding to the flowchart of FIG. 8A. First, the substrate 110 is loaded into the SCCO 2 processing chamber 300 (step 42). Carbon dioxide is then flowed into the SCCO 2 processing chamber 300 and converted to SCCO 2 (step 44). Then, the SCCO 2 is maintained in contact with the substrate 110 (step 46). Then, the pressure was reduced the SCCO 2 processing chamber 300 and unloading the wafer 110 (step 48). After loading the substrate 110 into the O 3 gas processing chamber 400 (step 50), O 3 gas is allowed to flow into the O 3 gas processing chamber 400 under predetermined conditions (step 52). Then, the O 3 gas is maintained in contact with the substrate 110 (step 54). Then, the O 3 gas chamber 400 is purged and the substrate 110 is unloaded (step 56). Then, the substrate 110 is moved to the rinse or bath chamber 500 to perform a rinsing process (step 58), and then the substrate 110 is moved to the drying chamber 600 to perform a drying process (step 60).

図５の実施例では多重チャンバを備える装置について記述されているが、本発明は一体型チャンバを備える装置についても適用可能である。   Although the embodiment of FIG. 5 describes an apparatus with multiple chambers, the present invention is also applicable to an apparatus with an integral chamber.

図９Ａは一体型チャンバを使用する本発明の一実施例を表すフローチャートを、図９Ｂは図９Ａに対応する時間に対する圧力をグラフに示す。   FIG. 9A is a flow chart representing one embodiment of the present invention using an integrated chamber, and FIG. 9B graphically illustrates pressure versus time corresponding to FIG. 9A.

図９Ａにおいて、まず基板１１０を一体型チャンバ１１０にローディングする（段階６２）。そして、二酸化炭素を前記一体型チャンバに注入してＳＣＣＯ２に転換させる（段階６４）。そして、前記ＳＣＣＯ２を前記基板１１０と所定の時間接触させる（段階６６）。そして、前記一体型チャンバを減圧し（段階６８）、Ｏ３ガスを注入する（段階７０）。そして、前記Ｏ３ガスを前記基板１１０と所定時間接触させた後（段階７２）、前記一体型チャンバをパージし、前記基板１１０をアンローディングする（段階７４）。次いで、前記一体型チャンバの外部で前記基板１１０をリンスした後、乾燥させる（段階７６及び７８）。 In FIG. 9A, the substrate 110 is first loaded into the integrated chamber 110 (step 62). Carbon dioxide is then injected into the integrated chamber to convert to SCCO 2 (step 64). Then, the SCCO 2 contacting the substrate 110 and the predetermined time (step 66). Then, the integrated chamber is depressurized (step 68) and O 3 gas is injected (step 70). Then, after the O 3 gas is brought into contact with the substrate 110 for a predetermined time (step 72), the integrated chamber is purged and the substrate 110 is unloaded (step 74). Next, the substrate 110 is rinsed outside the integrated chamber and then dried (steps 76 and 78).

図１０には二酸化炭素の状態図が示されているが、前記状態図は二酸化炭素が超臨界状態に転換される温度に対する圧力領域が示されている。   FIG. 10 shows a phase diagram of carbon dioxide, which shows a pressure region with respect to a temperature at which carbon dioxide is converted to a supercritical state.

図１１は本発明のさらに他の実施例による基板からフォトレジストを除去する方法を表すフローチャートを示す。図１１において、まず基板１１０を第１圧力チャンバにローディングする（段階８０２）。そして、前記第２圧力チャンバを密閉する（段階８０４）。そして、前記第２圧力チャンバを二酸化炭素で加圧し（段階８０６）、圧力と温度とを増加させて前記二酸化炭素をＳＣＣＯ２に転換させる（段階８０８）。二酸化炭素をＳＣＣＯ２に転換させるためには、図１０に示されるように、圧力は７３ｂａｒより大きくなければならず、温度も３１℃より高くなければならない。そして、所定時間前記ＳＣＣＯ２を前記基板１１０と接触させる（段階８１０）。前記工程の結果、前記基板１１０上にあるフォトレジストは膨潤するか、クラックが発生するか及び／または剥離する。例えば、温度を約１００℃に維持し、圧力を約１５０ｂａｒに維持すれば、前記結果が得られる。そして、前記チャンバを常圧まで減圧した後に排気する（段階８１２）。そして、前記基板１１０を第２圧力チャンバに移した後（段階８１４）、前記第２圧力チャンバを密閉する（段階８１６）。そして、前記第２圧力チャンバ内部の圧力を上昇させる（段階８１８）。例えば、６０ｋＰａより高い圧力に上昇させうる。 FIG. 11 shows a flowchart representing a method of removing photoresist from a substrate according to yet another embodiment of the present invention. In FIG. 11, the substrate 110 is first loaded into the first pressure chamber (step 802). Then, the second pressure chamber is sealed (step 804). Then, the second pressure chamber is pressurized with carbon dioxide (step 806), and the pressure and temperature are increased to convert the carbon dioxide to SCCO 2 (step 808). In order to convert carbon dioxide to SCCO 2 , the pressure must be greater than 73 bar and the temperature must be greater than 31 ° C., as shown in FIG. Then, the SCCO 2 is brought into contact with the substrate 110 for a predetermined time (step 810). As a result of the process, the photoresist on the substrate 110 swells, cracks and / or peels off. For example, if the temperature is maintained at about 100 ° C. and the pressure is maintained at about 150 bar, the above result can be obtained. Then, the chamber is evacuated after being reduced to normal pressure (step 812). Then, after the substrate 110 is transferred to the second pressure chamber (step 814), the second pressure chamber is sealed (step 816). Then, the pressure inside the second pressure chamber is increased (step 818). For example, it can be increased to a pressure higher than 60 kPa.

そして、前記段階８１８で加熱されたＯ３ガスと水蒸気とを供給する。例えば、Ｏ３ガスは約１０５℃の温度で供給し、水蒸気は約１１５℃の温度で供給する。そして、前記フォトレジストが水溶性物質に変性されるまで前記状態を維持した後（段階８２０）、前記第２チャンバを常圧まで減圧して排気する（段階８２２）。そして、前記基板をリンスして前記水溶性物質を除去する（段階８２４）。 Then, it supplies the O 3 gas and water vapor which has been heated in the step 818. For example, O 3 gas is supplied at a temperature of about 105 ° C., and water vapor is supplied at a temperature of about 115 ° C. Then, after maintaining the state until the photoresist is denatured into a water-soluble substance (step 820), the second chamber is decompressed to normal pressure and evacuated (step 822). Then, the substrate is rinsed to remove the water-soluble material (step 824).

本発明の実施例による基板からフォトレジストを除去する方法は、大きく３段階を含む。第１段階は、フォトレジストを膨潤させるか、クラックを発生させるか、または剥離させるように第１反応物で処理する段階であり、第２段階は前記フォトレジストが化学的に変性されるように第２反応物で処理する段階であり、第３段階は前記化学的に変性されたフォトレジストを第３反応物で除去する段階である。前述した一実施例で、前記第１反応物はＳＣＣＯ２であり、前記第２反応物はＯ３を主とする反応物であり、そして前記第３化合物は脱イオン水である。前述した他の実施例で、前記Ｏ３を主とする反応物はＯ３ガスであり、さらに他の実施例では高濃度のＯ３ガスである。そして、前記Ｏ３ガスは、９０，０００ｐｐｍの濃度であるか、またはそれ以上の濃度でありうる。さらに他の実施例では、前記Ｏ３を主とするガスは水蒸気と混合したＯ３ガスでありうる。 The method for removing photoresist from a substrate according to an embodiment of the present invention generally includes three steps. The first step is to treat the photoresist with a first reactant to swell, generate cracks, or peel off, and the second step is to chemically modify the photoresist. A third step is a step of treating with the second reactant, and a third step is a step of removing the chemically modified photoresist with the third reactant. In one embodiment described above, the first reactant is SCCO 2, the second reactant is a reactant that mainly O 3, and the third compound is deionized water. In another embodiment described above, the reaction mainly composed of the O 3 is the O 3 gas, and in yet another embodiment is a high concentration O 3 gas. Then, the O 3 gas may be a concentration or where more concentration 90,000Ppm. In yet another embodiment, the gas to the O 3 as the main may be a O 3 gas mixed with water vapor.

本発明の他の実施例による基板からフォトレジストを除去する方法は、３段階を含む。第１段階は、ＳＣＣＯ２で処理する段階で、第２段階はＯ３を主とする反応物で処理する段階で、第３段階はリンス段階である。前記３段階は、次の例示的な工程条件で行える。例えば、ＳＣＣＯ２で処理する段階では、チャンバ内部の温度は１００ないし１５０℃に維持され、圧力は１５０ないし２００ｂａｒに維持されうる。高濃度で飽和されたＯ３を主とするガスで処理する段階の場合には、チャンバの温度は約１０５℃に維持され、前記ガスの温度は約１１５℃に維持されうる。実施例の場合に、チャンバと前記ガスとの温度差は約１０ないし１５℃であり、圧力差は約６０ないし８０ｋＰａでありうる。適切な安全主義の措置が遵守される場合には、８０ｋＰａ以上の圧力差を維持することも可能である。実施例において、Ｏ３発生器におけるＯ３ガスの濃度は、約９０，０００ｐｐｍであるか、またはそれ以上でありうる。 A method for removing photoresist from a substrate according to another embodiment of the present invention includes three steps. The first stage is a stage where SCCO 2 is treated, the second stage is a stage where O 3 is mainly treated with a reactant, and the third stage is a rinse stage. The three steps can be performed under the following exemplary process conditions. For example, in the process with SCCO 2 , the temperature inside the chamber may be maintained at 100 to 150 ° C., and the pressure may be maintained at 150 to 200 bar. In the case of treating high saturated O 3 with a main gas, the temperature of the chamber can be maintained at about 105 ° C., and the temperature of the gas can be maintained at about 115 ° C. In an embodiment, the temperature difference between the chamber and the gas may be about 10-15 ° C., and the pressure difference may be about 60-80 kPa. It is also possible to maintain a pressure difference of more than 80 kPa if appropriate safety principle measures are observed. In an embodiment, the concentration of O 3 gas in the O 3 generator can be about 90,000 ppm or higher.

図５ないし図７に示される本発明の実施例による装置の配列は例示的なものであり、当業者によって色々な形態に変形、付加、置換が可能である。また、図８Ａ、図９Ａ及び図１１に示される本発明の実施例による方法も例示的であり、当業者によって色々な段階が変形、付加または置換されうる。   The arrangement of the apparatus according to the embodiment of the present invention shown in FIGS. 5 to 7 is exemplary, and various modifications, additions, and substitutions can be made by those skilled in the art. The method according to the embodiment of the present invention shown in FIGS. 8A, 9A, and 11 is also exemplary, and various steps can be modified, added, or replaced by those skilled in the art.

以上、添付図面を参照して本発明の実施例を記述するが、本発明は色々な形態に変形が可能であり、このような変形は本発明の技術的思想を逸脱するものではない。   As mentioned above, although the Example of this invention is described with reference to an accompanying drawing, this invention can be deform | transformed into various forms, and such a deformation | transformation does not deviate from the technical idea of this invention.

本発明は高集積回路半導体素子、プロセッサ、ＭＥＭ’ｓ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈｎｉｃａｌ）素子、光電子素子、ディスプレイ素子などの微細電子素子を製造する産業に利用されうる。   INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be used in the industry for manufacturing fine electronic devices such as highly integrated circuit semiconductor devices, processors, MEM's (Micro Electro Mechanical) devices, optoelectronic devices, and display devices.

はイオン注入によって引き起こされた堅い外皮を含むフォトレジストを示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of a photoresist including a hard skin caused by ion implantation. はイオン注入によって引き起こされた堅い外皮を含むフォトレジストを示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing a photoresist including a hard skin caused by ion implantation. 従来のイオン注入工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the conventional ion implantation process. は従来のエッチング工程または従来の化学機械的研磨工程後に現れる残留物を示すフォトレジストの断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of a photoresist showing residues that appear after a conventional etching process or a conventional chemical mechanical polishing process. は従来のエッチング工程または従来の化学機械的研磨工程後に現れる残留物を示すフォトレジストに関する平面図である。FIG. 3 is a plan view of a photoresist showing residues that appear after a conventional etching process or a conventional chemical mechanical polishing process. ３×１０１５ｉｏｎｓ／ｃｍ２以上のドーズで実施されたイオン注入工程によって引き起こされたフォトレジストの堅い外皮を従来のレジスト除去技術によってＯ３を使用する技術で除去した時、前記堅い外皮が除去されていないことを示す図面である。When the hard skin of the photoresist caused by the ion implantation process performed at a dose of 3 × 10 15 ions / cm 2 or more is removed by a technique using O 3 by a conventional resist removal technique, the hard skin is removed. It is drawing which shows not having been carried out. 本発明の一実施例による基板からフォトレジストを除去するための装置である。1 is an apparatus for removing photoresist from a substrate according to one embodiment of the present invention. 本発明の一実施例による図５のＳＣＣＯ２処理チャンバ及びこれに関連した構成要素を示す図面である。6 is a diagram illustrating the SCCO 2 processing chamber of FIG. 5 and related components according to one embodiment of the present invention. 本発明の一実施例による図５のＯ３ガス処理チャンバを示す図面である。6 is a diagram illustrating the O 3 gas processing chamber of FIG. 5 according to an embodiment of the present invention. は本発明の一実施例による基板からフォトレジストを除去する方法についてのフローチャートである。FIG. 4 is a flowchart of a method for removing a photoresist from a substrate according to an embodiment of the present invention. は図８Ａのフローチャートに対応する時間と圧力との関係を表すグラフの一例を示す図面である。FIG. 9B is a drawing showing an example of a graph representing the relationship between time and pressure corresponding to the flowchart of FIG. 8A. は一体型洗浄チャンバで実行される本発明の一実施例による基板からフォトレジストを除去する方法についてのフローチャートである。FIG. 4 is a flowchart for a method of removing photoresist from a substrate according to an embodiment of the present invention performed in an integrated cleaning chamber. は図９Ａのフローチャートに対応する時間と圧力との関係を表すグラフの一例を示す図面である。FIG. 9B is a drawing showing an example of a graph representing the relationship between time and pressure corresponding to the flowchart of FIG. 9A. ＣＯ２に関する状態図であって、ＣＯ２が超臨界状態に変化する領域での温度と圧力との関係を示すグラフである。It is a state diagram regarding CO 2 , and is a graph showing a relationship between temperature and pressure in a region where CO 2 changes to a supercritical state. 本発明の他の実施例による基板からフォトレジストを除去する方法を示すフローチャートである。6 is a flowchart illustrating a method of removing a photoresist from a substrate according to another embodiment of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

１００ チャンバ
１１０ 基板
１２０ カセット
２００ トランスファチャンバ
２１０ ロボットアーム
３００ ＳＣＣＯ２処理チャンバ
４００ Ｏ３ガス処理チャンバ
５００ リンスチャンバ
６００ 乾燥チャンバ
３０１，４０１ ウェーハプレート
３０５，４０５ ヒータジャケット
３１０ ＣＯ２シリンダー
３１２ 二酸化炭素供給管
３１４ 二酸化炭素圧力ポンプ
３１６ 二酸化炭素加熱器
３１７ ＳＣＣＯ２発生器
３１８，３２８、３３８，３４８ 二酸化炭素流量調節弁
３２０ 二酸化炭素貯蔵容器
３２２ 二酸化炭素排ガス管
３３２ 循環管
３３４ 循環ポンプ
３４２ 再供給管
４１０ Ｏ３ガス供給器
４１２ Ｏ３ガス供給管
４１８ Ｏ３流量調節弁
４２０ 水蒸気供給器
４２２ 水蒸気供給管
４２８ 水蒸気流量調節弁
４３０ Ｏ３ガス貯蔵容器
４３２ 排ガス管
４３８ 排ガス流量調節弁。 100 chamber 110 substrate 120 cassette 200 transfer chamber 210 robot arm 300 SCCO 2 processing chamber 400 O 3 gas processing chamber 500 rinsing chamber 600 drying chamber 301, 401 wafer plate 305, 405 heater jacket 310 CO 2 cylinder 312 carbon dioxide supply pipe 314 dioxide Carbon pressure pump 316 Carbon dioxide heater 317 SCCO 2 generator 318, 328, 338, 348 Carbon dioxide flow control valve 320 Carbon dioxide storage vessel 322 Carbon dioxide exhaust pipe 332 Circulation pipe 334 Circulation pump 342 Resupply pipe 410 O 3 gas supply vessel 412 O 3 gas supply pipe 418 O 3 flow rate regulating valve 420 steam supply unit 422 steam supply pipe 428 steam flow control valve 430 O 3 gas Built container 432 exhaust pipe 438 gas flow control valve.

Claims (50)

基板からフォトレジストを除去する方法において、
該フォトレジストを膨潤させるか、クラックを発生させるか、または剥離させるように第１反応物で前記フォトレジストを処理する段階と、
該フォトレジストを化学的に変性させるように第２反応物で該フォトレジストを処理する段階と、
第３反応物で該化学的に変性したフォトレジストを除去する段階と、を含むフォトレジスト除去方法。 In a method of removing a photoresist from a substrate,
Treating the photoresist with a first reactant to swell, crack or strip the photoresist; and
Treating the photoresist with a second reactant to chemically modify the photoresist;
Removing the chemically modified photoresist with a third reactant. 前記フォトレジストは、イオン注入工程でマスクとして使われたフォトレジストであることを特徴とする請求項１に記載のフォトレジスト除去方法。   The method of claim 1, wherein the photoresist is a photoresist used as a mask in an ion implantation process. 前記イオン注入工程は、３×１０１５ｉｏｎｓ／ｃｍ２またはそれ以上のドーズで行われることを特徴とする請求項２に記載のフォトレジスト除去方法。 3. The method of removing a photoresist according to claim 2, wherein the ion implantation process is performed at a dose of 3 * 10 < 15 > ions / cm < 2 > or more. 前記第１反応物は、超臨界二酸化炭素であることを特徴とする請求項１に記載のフォトレジスト除去方法。   The method of claim 1, wherein the first reactant is supercritical carbon dioxide. 前記超臨界二酸化炭素は、１００ないし１５０℃の温度及び１５０ないし２００ｂａｒの圧力下にあることを特徴とする請求項４に記載のフォトレジスト除去方法。   The method of claim 4, wherein the supercritical carbon dioxide is at a temperature of 100 to 150 ° C and a pressure of 150 to 200 bar. 前記第２反応物は、オゾンを主とする反応物であることを特徴とする請求項１に記載のフォトレジスト除去方法。   The photoresist removal method according to claim 1, wherein the second reactant is a reactant mainly composed of ozone. 前記オゾンを主とする反応物は、オゾンガスであることを特徴とする請求項６に記載のフォトレジスト除去方法。   The photoresist removal method according to claim 6, wherein the reactant mainly composed of ozone is ozone gas. 前記オゾンを主とする反応物は、オゾンガスと水蒸気との混合物であることを特徴とする請求項６に記載のフォトレジスト除去方法。   The photoresist removal method according to claim 6, wherein the reactant mainly composed of ozone is a mixture of ozone gas and water vapor. 前記オゾンガスは、１０５ないし１１５℃の温度及び６０ないし８０ｋＰａの圧力下にあることを特徴とする請求項７に記載のフォトレジスト除去方法。   8. The method of removing a photoresist according to claim 7, wherein the ozone gas is at a temperature of 105 to 115 [deg.] C. and a pressure of 60 to 80 kPa. 前記オゾンガスは、９０，０００ｐｐｍまたはそれ以上の濃度であることを特徴とする請求項７に記載のフォトレジスト除去方法。   The photoresist removal method according to claim 7, wherein the ozone gas has a concentration of 90,000 ppm or more. 前記化学的に変性されたフォトレジストは、リンス工程によって除去することを特徴とする請求項１に記載のフォトレジスト除去方法。   The method of claim 1, wherein the chemically modified photoresist is removed by a rinsing process. 前記第３反応物は、脱イオン水であることを特徴とする請求項１に記載のフォトレジスト除去方法。   The method of claim 1, wherein the third reactant is deionized water. 前記フォトレジストは、何らの損傷も発生していない一般的なフォトレジストであることを特徴とする請求項１に記載のフォトレジスト除去方法。   The photoresist removal method according to claim 1, wherein the photoresist is a general photoresist that does not cause any damage. 前記フォトレジストは、エッチング工程によって損傷を受けたフォトレジストであることを特徴とする請求項１に記載のフォトレジスト除去方法。   The method of claim 1, wherein the photoresist is a photoresist damaged by an etching process. 前記フォトレジストは、有機残留物または有機汚染物質を含むことを特徴とする請求項１に記載のフォトレジスト除去方法。   The method of claim 1, wherein the photoresist includes an organic residue or an organic contaminant. 基板からフォトレジストを除去する方法において、
該フォトレジストを超臨界二酸化炭素で処理する段階と、
該フォトレジストを、オゾンを主とする反応物で処理する段階と、
該フォトレジストを脱イオン水で除去する段階と、を含むフォトレジスト除去方法。 In a method of removing a photoresist from a substrate,
Treating the photoresist with supercritical carbon dioxide;
Treating the photoresist with ozone-based reactants;
Removing the photoresist with deionized water. 前記超臨界二酸化炭素は、１００ないし１５０℃の温度及び１５０ないし２００ｂａｒの圧力下にあることを特徴とする請求項１６に記載のフォトレジスト除去方法。   The method of claim 16, wherein the supercritical carbon dioxide is at a temperature of 100 to 150 ° C and a pressure of 150 to 200 bar. 前記オゾンを主とする反応物は、１０５ないし１１５℃の温度及び６０ないし８０ｋＰａの圧力下にあるオゾンガスであることを特徴とする請求項１６に記載のフォトレジスト除去方法。   The photoresist removal method according to claim 16, wherein the ozone-based reactant is ozone gas at a temperature of 105 to 115 ° C and a pressure of 60 to 80 kPa. 基板からフォトレジストを除去する方法において、
該基板をチャンバ内にローディングする段階と、
第１反応物を該チャンバ内へ流入させ、該第１反応物を超臨界状態に転換させる段階と、
該基板と該超臨界状態の第１反応物とを所定時間接触させる段階と、
該チャンバ内を減圧する段階と、
第２反応物を該チャンバ内へ流入させる段階と、
該基板と該第２反応物とを所定時間接触させる段階と、
該チャンバをパージし、該基板をアンローディングする段階と、
該フォトレジストを除去する段階と、
該基板を乾燥させる段階と、を含むフォトレジスト除去方法。 In a method of removing a photoresist from a substrate,
Loading the substrate into the chamber;
Flowing a first reactant into the chamber and converting the first reactant to a supercritical state;
Contacting the substrate with the supercritical first reactant for a predetermined time;
Depressurizing the chamber;
Flowing a second reactant into the chamber;
Contacting the substrate and the second reactant for a predetermined time;
Purging the chamber and unloading the substrate;
Removing the photoresist;
Drying the substrate. A method for removing the photoresist. 前記第２反応物を注入する段階前に、
前記基板を第２チャンバにローディングする段階をさらに含み、前記接触段階と前記パージ段階とは前記第２チャンバで進められることを特徴とする請求項１９に記載のフォトレジスト除去方法。 Prior to injecting the second reactant,
The method of claim 19, further comprising loading the substrate into a second chamber, wherein the contacting step and the purging step are performed in the second chamber. 前記第１反応物は、超臨界二酸化炭素であることを特徴とする請求項１９に記載のフォトレジスト除去方法。   The method of claim 19, wherein the first reactant is supercritical carbon dioxide. 前記超臨界二酸化炭素は、１００ないし１５０℃の温度及び１５０ないし２００ｂａｒの圧力下にあることを特徴とする請求項２１に記載のフォトレジスト除去方法。   The method of claim 21, wherein the supercritical carbon dioxide is at a temperature of 100 to 150 ° C and a pressure of 150 to 200 bar. 前記第２反応物は、オゾンを主とする反応物であることを特徴とする請求項１９に記載のフォトレジスト除去方法。   The photoresist removal method of claim 19, wherein the second reactant is a reactant mainly composed of ozone. 前記オゾンを主とする反応物は、オゾンガスであることを特徴とする請求項２３に記載のフォトレジスト除去方法。   24. The method of removing a photoresist according to claim 23, wherein the reactant mainly composed of ozone is ozone gas. 前記チャンバと前記オゾンを主とする反応物との間には１０ないし１５℃の温度差があることを特徴とする請求項２３に記載のフォトレジスト除去方法。   24. The photoresist removal method according to claim 23, wherein there is a temperature difference of 10 to 15 [deg.] C. between the chamber and the ozone-based reactant. 前記チャンバの温度は１０５℃であり、前記オゾンを主とする反応物は１１５℃の温度と６０ないし８０ｋＰａの圧力下にあることを特徴とする請求項２５に記載のフォトレジスト除去方法。   The method of claim 25, wherein the temperature of the chamber is 105 ° C, and the reactant mainly ozone is at a temperature of 115 ° C and a pressure of 60 to 80 kPa. 前記オゾンを主とする反応物の濃度は、９０，０００ｐｐｍであることを特徴とする請求項２３に記載のフォトレジスト除去方法。   24. The method of removing a photoresist according to claim 23, wherein a concentration of the reactant mainly composed of ozone is 90,000 ppm. 前記リンス段階は、脱イオン水で行うことを特徴とする請求項１９に記載のフォトレジスト除去方法。   The method of claim 19, wherein the rinsing step is performed with deionized water. 前記超臨界二酸化炭素は、前記フォトレジストを膨潤させるか、クラックを発生させるか、または剥離させる役割を担うことを特徴とする請求項２１に記載のフォトレジスト除去方法。   The method of removing a photoresist according to claim 21, wherein the supercritical carbon dioxide plays a role of causing the photoresist to swell, generate cracks, or exfoliate. 前記オゾンガスは、前記フォトレジストを水溶性物質に変性させることを特徴とする請求項２４に記載のフォトレジスト除去方法。   The method of claim 24, wherein the ozone gas denatures the photoresist into a water-soluble substance. 基板からフォトレジストを除去する装置において、
該フォトレジストを膨潤させるか、クラックを発生させるか、または剥離させるように該フォトレジストを第１反応物で処理し、該フォトレジストを化学的に変性させるように該フォトレジストを第２反応物で処理し、該基板をリンスし、該基板を乾燥させ、そして該基板を支持するための一つ以上のチャンバと、
該チャンバ間で該基板を移すためのトランスファ手段と、を含むフォトレジスト除去装置。 In an apparatus for removing photoresist from a substrate,
Treating the photoresist with a first reactant to cause the photoresist to swell, generate cracks, or exfoliate, and to alter the photoresist to a second reactant so as to chemically modify the photoresist; One or more chambers for treating, rinsing the substrate, drying the substrate, and supporting the substrate;
And a transfer means for transferring the substrate between the chambers. 前記フォトレジスト除去装置は、前記フォトレジストを膨潤させるか、クラックを発生させるか、または剥離させるように前記フォトレジストを第１反応物で処理し、前記フォトレジストを化学的に変性させるように前記フォトレジストを第２反応物で処理するための単一チャンバを備えることを特徴とする請求項３１に記載のフォトレジスト除去装置。   The photoresist removing apparatus treats the photoresist with a first reactant so as to swell, generate cracks, or peel off the photoresist, and chemically modify the photoresist. 32. The photoresist removal apparatus of claim 31, comprising a single chamber for processing the photoresist with the second reactant. 前記フォトレジスト除去装置は、前記フォトレジストを膨潤させるか、クラックを発生させるか、または剥離させるように前記フォトレジストを第１反応物で処理するためのチャンバと前記フォトレジストを化学的に変性させるように前記フォトレジストを第２反応物で処理するためのチャンバとを個別的に備えることを特徴とする請求項３１に記載のフォトレジスト除去装置。   The photoresist removing apparatus chemically modifies the photoresist and a chamber for treating the photoresist with a first reactant so that the photoresist is swollen, cracked, or stripped. 32. The apparatus of claim 31, further comprising a chamber for treating the photoresist with a second reactant. 前記フォトレジスト除去装置は、それぞれの工程を行うための個別チャンバを備えることを特徴とする請求項３１に記載のフォトレジスト除去装置。   32. The photoresist removal apparatus according to claim 31, wherein the photoresist removal apparatus includes an individual chamber for performing each process. 前記トランスファ手段は、ロボットアームであることを特徴とする請求項３１に記載のフォトレジスト除去装置。   32. The photoresist removing apparatus according to claim 31, wherein the transfer means is a robot arm. 前記フォトレジストは、イオン注入工程でマスクとして使われたフォトレジストであることを特徴とする請求項３１に記載のフォトレジスト除去装置。   32. The photoresist removing apparatus according to claim 31, wherein the photoresist is a photoresist used as a mask in an ion implantation process. 前記イオン注入工程は、３×１０１５ｉｏｎｓ／ｃｍ２またはそれ以上のドーズで行われてなることを特徴とする請求項３６に記載のフォトレジスト除去装置。 37. The photoresist removing apparatus according to claim 36, wherein the ion implantation process is performed at a dose of 3 * 10 < 15 > ions / cm < 2 > or more. 前記第１反応物は、超臨界二酸化炭素であることを特徴とする請求項３１に記載のフォトレジスト除去装置。   32. The photoresist removing apparatus of claim 31, wherein the first reactant is supercritical carbon dioxide. 前記超臨界二酸化炭素は、１００ないし１５０℃の温度及び１５０ないし２００ｂａｒの圧力下にあることを特徴とする請求項３８に記載のフォトレジスト除去装置。   39. The photoresist removing apparatus of claim 38, wherein the supercritical carbon dioxide is at a temperature of 100 to 150 [deg.] C. and a pressure of 150 to 200 bar. 前記第２反応物は、オゾンを主とする反応物であることを特徴とする請求項３１に記載のフォトレジスト除去装置。   32. The photoresist removing apparatus of claim 31, wherein the second reactant is a reactant mainly composed of ozone. 前記オゾンを主とする反応物は、オゾンガスであることを特徴とする請求項４０に記載のフォトレジスト除去装置。   41. The photoresist removing apparatus according to claim 40, wherein the reactant mainly composed of ozone is ozone gas. 前記オゾンガスは、１０５ないし１１５℃の温度及び６０ないし８０ｋＰａの圧力下にあることを特徴とする請求項４１に記載のフォトレジスト除去装置。   The photoresist removal apparatus of claim 41, wherein the ozone gas is at a temperature of 105 to 115 ° C and a pressure of 60 to 80 kPa. 前記オゾンガスのオゾン発生器での濃度は、９０，０００ｐｐｍまたはそれ以上であることを特徴とする請求項４１に記載のフォトレジスト除去装置。   42. The photoresist removing apparatus according to claim 41, wherein the concentration of the ozone gas in the ozone generator is 90,000 ppm or more. 前記リンスは、脱イオン水を使用して行われてなることを特徴とする請求項３１に記載のフォトレジスト除去装置。   32. The photoresist removing apparatus according to claim 31, wherein the rinsing is performed using deionized water. 前記第１反応物は、超臨界二酸化炭素であり、前記第２反応物はオゾンであり、前記チャンバはヒータジャケット、二酸化炭素ソース、超臨界二酸化炭素発生器、超臨界二酸化炭素循環器、二酸化炭素フィードバック、オゾンガス供給器及びオゾンガス貯蔵容器を含むことを特徴とする請求項３１に記載のフォトレジスト除去装置。   The first reactant is supercritical carbon dioxide, the second reactant is ozone, and the chamber is a heater jacket, a carbon dioxide source, a supercritical carbon dioxide generator, a supercritical carbon dioxide circulator, carbon dioxide 32. The photoresist removing apparatus of claim 31, comprising a feedback, an ozone gas supply device, and an ozone gas storage container. 前記超臨界二酸化炭素発生器は、二酸化炭素圧力ポンプ及び二酸化炭素加熱器を含むことを特徴とする請求項４５に記載のフォトレジスト除去装置。   46. The photoresist removal apparatus of claim 45, wherein the supercritical carbon dioxide generator includes a carbon dioxide pressure pump and a carbon dioxide heater. 前記第１反応物は、超臨界二酸化炭素であり、前記第１個別チャンバはヒータジャケット、二酸化炭素ソース、超臨界二酸化炭素発生器、超臨界二酸化炭素循環器及び二酸化炭素フィードバックを含むことを特徴とする請求項３１に記載のフォトレジスト除去装置。   The first reactant is supercritical carbon dioxide, and the first individual chamber includes a heater jacket, a carbon dioxide source, a supercritical carbon dioxide generator, a supercritical carbon dioxide circulator, and carbon dioxide feedback. 32. The photoresist removal apparatus according to claim 31. 前記超臨界二酸化炭素発生器は、二酸化炭素圧力ポンプ及び二酸化炭素加熱器を含むことを特徴とする請求項４７に記載のフォトレジスト除去装置。   48. The photoresist removal apparatus of claim 47, wherein the supercritical carbon dioxide generator includes a carbon dioxide pressure pump and a carbon dioxide heater. 前記第２反応物は、オゾンを主とする反応物であり、前記第１個別チャンバはヒータジャケット、オゾンガス供給器、水蒸気供給器及びオゾンガス貯蔵容器を含むことを特徴とする請求項４７に記載のフォトレジスト除去装置。   The second reactant is a reactant mainly composed of ozone, and the first individual chamber includes a heater jacket, an ozone gas supplier, a water vapor supplier, and an ozone gas storage container. Photoresist removal device. 前記オゾンを主とする反応物は、オゾンガスであることを特徴とする請求項４９に記載のフォトレジスト除去装置。   The photoresist removing apparatus according to claim 49, wherein the reactant mainly composed of ozone is ozone gas.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007037305A1 (en) * 2005-09-29 2007-04-05 Tokyo Electron Limited Substrate processing method
JP2007535697A (en) * 2004-04-19 2007-12-06 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド Non-fluoride-containing supercritical fluid composition for removing ion-implanted photoresist
JP2013026348A (en) * 2011-07-19 2013-02-04 Toshiba Corp Supercritical drying method of semiconductor substrate and device
JP2016225518A (en) * 2015-06-02 2016-12-28 株式会社ディスコ Method for forming gettering layer
US10290511B2 (en) 2012-08-08 2019-05-14 SCREEN Holdings Co., Ltd Substrate treatment apparatus and substrate treatment method
KR20200012005A (en) * 2016-11-29 2020-02-04 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 Method of removing an etch mask
US11189503B2 (en) 2018-11-14 2021-11-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Substrate drying method, photoresist developing method, photolithography method including the same, and substrate drying system

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001033615A2 (en) * 1999-11-02 2001-05-10 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for supercritical processing of multiple workpieces
WO2001033613A2 (en) * 1999-11-02 2001-05-10 Tokyo Electron Limited Removal of photoresist and residue from substrate using supercritical carbon dioxide process
WO2001087505A1 (en) * 2000-05-18 2001-11-22 S. C. Fluids, Inc. Supercritical fluid cleaning process for precision surfaces
WO2002015251A1 (en) * 2000-08-14 2002-02-21 Tokyo Electron Limited Removal of photoresist and photoresist residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide process
JP2002313764A (en) * 2001-04-17 2002-10-25 Kobe Steel Ltd High pressure processor
JP2002367943A (en) * 2001-06-12 2002-12-20 Kobe Steel Ltd Method and system for high pressure treatment
JP2003045842A (en) * 2001-08-01 2003-02-14 Pyuarekkusu:Kk Method and apparatus of removing foreign matters deposited on surface
WO2003023840A2 (en) * 2001-09-13 2003-03-20 Micell Technologies, Inc. Methods and apparatus for cleaning and/or treating a substrate using co¿2?
JP2003168672A (en) * 2001-12-03 2003-06-13 Kobe Steel Ltd High-pressure treatment method
WO2003057377A1 (en) * 2002-01-07 2003-07-17 Praxair Technology, Inc. Method for cleaning an article

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6306564B1 (en) * 1997-05-27 2001-10-23 Tokyo Electron Limited Removal of resist or residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide
US6602349B2 (en) * 1999-08-05 2003-08-05 S.C. Fluids, Inc. Supercritical fluid cleaning process for precision surfaces
WO2002011191A2 (en) * 2000-07-31 2002-02-07 The Deflex Llc Near critical and supercritical ozone substrate treatment and apparatus for same

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001033615A2 (en) * 1999-11-02 2001-05-10 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for supercritical processing of multiple workpieces
WO2001033613A2 (en) * 1999-11-02 2001-05-10 Tokyo Electron Limited Removal of photoresist and residue from substrate using supercritical carbon dioxide process
WO2001046999A2 (en) * 1999-11-02 2001-06-28 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for supercritical processing of a workpiece
WO2001087505A1 (en) * 2000-05-18 2001-11-22 S. C. Fluids, Inc. Supercritical fluid cleaning process for precision surfaces
WO2002015251A1 (en) * 2000-08-14 2002-02-21 Tokyo Electron Limited Removal of photoresist and photoresist residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide process
JP2002313764A (en) * 2001-04-17 2002-10-25 Kobe Steel Ltd High pressure processor
JP2002367943A (en) * 2001-06-12 2002-12-20 Kobe Steel Ltd Method and system for high pressure treatment
JP2003045842A (en) * 2001-08-01 2003-02-14 Pyuarekkusu:Kk Method and apparatus of removing foreign matters deposited on surface
WO2003023840A2 (en) * 2001-09-13 2003-03-20 Micell Technologies, Inc. Methods and apparatus for cleaning and/or treating a substrate using co¿2?
JP2003168672A (en) * 2001-12-03 2003-06-13 Kobe Steel Ltd High-pressure treatment method
WO2003057377A1 (en) * 2002-01-07 2003-07-17 Praxair Technology, Inc. Method for cleaning an article

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007535697A (en) * 2004-04-19 2007-12-06 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド Non-fluoride-containing supercritical fluid composition for removing ion-implanted photoresist
WO2007037305A1 (en) * 2005-09-29 2007-04-05 Tokyo Electron Limited Substrate processing method
US9583330B2 (en) 2011-07-19 2017-02-28 Tokyo Electron Limited Supercritical drying method for semiconductor substrate and supercritical drying apparatus
JP2013026348A (en) * 2011-07-19 2013-02-04 Toshiba Corp Supercritical drying method of semiconductor substrate and device
KR101367468B1 (en) * 2011-07-19 2014-02-25 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Supercritical drying method for semiconductor substrate and supercritical drying apparatus
US10290511B2 (en) 2012-08-08 2019-05-14 SCREEN Holdings Co., Ltd Substrate treatment apparatus and substrate treatment method
JP2016225518A (en) * 2015-06-02 2016-12-28 株式会社ディスコ Method for forming gettering layer
KR20200012005A (en) * 2016-11-29 2020-02-04 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 Method of removing an etch mask
US10553720B2 (en) 2016-11-29 2020-02-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of removing an etch mask
US10636908B2 (en) 2016-11-29 2020-04-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of removing an etch mask
KR102128515B1 (en) * 2016-11-29 2020-07-01 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 Method of removing an etch mask
US11495684B2 (en) 2016-11-29 2022-11-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of removing an etch mask
US11189503B2 (en) 2018-11-14 2021-11-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Substrate drying method, photoresist developing method, photolithography method including the same, and substrate drying system

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