JP2005018086A - Radiation-sensitive resin composition - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a radiation-sensitive resin composition as a chemically amplified resist, which is, in particular, excellent in resolution for a contact hole as well as excellent in transparency for radiation, dry etching durability, pattern profile, sensitivity, resolution or the like. <P>SOLUTION: The radiation-sensitive resin composition contains: (A) a resin having an alicyclic skeleton in the main chain and/or the side chain; (B) a resin having ≥60 %/μm transmittance for radiation at 100 to 300 nm wavelength; and (C) a radiation-sensitive acid generating agent. At least one of the component (C) and the component (B) contains an acid-cleaving group. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、感放射線性樹脂組成物に関わり、さらに詳しくは化学増幅型レジストとして好適に使用することができる感放射線性樹脂組成物に関する。   The present invention relates to a radiation sensitive resin composition, and more particularly to a radiation sensitive resin composition that can be suitably used as a chemically amplified resist.

集積回路素子の製造に代表される微細加工の分野においては、より高い集積度を得るために、最近ではサブハーフミクロンオーダー(0.4μm以下)の微細加工を可能にするリソグラフィー技術の開発が進められており、近い将来には、サブクオーターミクロン(0.25μm以下)レベルでの微細加工技術が必要になるとされている。
従来のリソグラフィープロセスにおいては、一般に放射線としてi線等の近紫外線が用いられているが、近紫外線ではサブクオーターミクロンレベルの微細加工が極めて困難であると言われている。
そこで、サブクオーターミクロンレベルの微細加工を可能とするために、より波長の短い放射線の利用が検討されている。このような短波長の放射線としては、例えば水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、X線、電子線等を挙げることができるが、これらのうち、特にKrFエキシマレーザー(波長248nm)あるいはArFエキシマレーザー(波長193nm)が注目されている。
In the field of microfabrication represented by the manufacture of integrated circuit elements, in order to obtain a higher degree of integration, the development of lithography technology that enables microfabrication on the order of sub-half microns (0.4 μm or less) has recently been advanced. In the near future, it is said that a fine processing technique at a sub-quarter micron (0.25 μm or less) level will be required.
In the conventional lithography process, near ultraviolet rays such as i-rays are generally used as radiation, but it is said that fine processing at the subquarter micron level is extremely difficult with near ultraviolet rays.
Therefore, in order to enable fine processing at the sub-quarter micron level, use of radiation having a shorter wavelength is being studied. Examples of such short-wavelength radiation include an emission line spectrum of a mercury lamp, far-ultraviolet rays typified by an excimer laser, X-rays, electron beams, and the like. Alternatively, an ArF excimer laser (wavelength 193 nm) has been attracting attention.

このようなエキシマレーザーによる照射に適した感放射線性樹脂組成物として、酸解離性官能基を有する成分と放射線の照射により酸を発生する成分(以下、「酸発生剤」という。)とによる化学増幅効果を利用した組成物(以下、「化学増幅型感放射線性組成物」という。)が数多く提案されている。
このような化学増幅型感放射線性組成物としては、例えば、特許文献1には、カルボン酸のt−ブチルエステル基またはフェノールのt−ブチルカーボナート基を有する重合体と酸発生剤とを含有する組成物が提案されている。この組成物は、放射線の照射により発生した酸の作用により、重合体中に存在するt−ブチルエステル基あるいはt−ブチルカーボナート基が開裂して、該重合体がカルボキシル基あるいはフェノール性水酸基からなる酸性基を有するようになり、その結果、レジスト被膜の照射領域がアルカリ現像液に易溶性となる現象を利用したものである。
As such a radiation-sensitive resin composition suitable for irradiation with an excimer laser, a chemistry of a component having an acid-dissociable functional group and a component that generates an acid upon irradiation with radiation (hereinafter referred to as “acid generator”). Many compositions utilizing the amplification effect (hereinafter referred to as “chemically amplified radiation-sensitive compositions”) have been proposed.
As such a chemically amplified radiation-sensitive composition, for example, Patent Document 1 contains a polymer having a t-butyl ester group of carboxylic acid or a t-butyl carbonate group of phenol and an acid generator. Compositions have been proposed. In this composition, the t-butyl ester group or t-butyl carbonate group present in the polymer is cleaved by the action of an acid generated by irradiation with radiation, and the polymer is separated from a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group. As a result, the irradiation region of the resist film becomes easily soluble in an alkaline developer.

特公平2−27660号公報JP-B-2-27660

ところで、従来の化学増幅型感放射線性組成物の多くは、フェノール系樹脂をベースにするものであるが、このような樹脂では、放射線として遠紫外線を使用する場合、樹脂中の芳香族環に起因して遠紫外線が吸収されるため、照射された遠紫外線がレジスト被膜の下層部まで十分に到達できないという欠点があり、そのため照射量がレジスト被膜の上層部では多く、下層部では少なくなり、現像後のレジストパターンが上部が細く下部にいくほど太い台形状になってしまい、十分な解像度が得られないなどの問題があった。その上、現像後のレジストパターンが台形状となった場合、次の工程、即ちエッチングやイオンの打ち込みなどを行う際に、所望の寸法精度が達成できず、問題となっていた。しかも、レジストパターン上部の形状が矩形でないと、ドライエッチングによるレジストの消失速度が速くなってしまい、エッチング条件の制御が困難になる問題もあった。   By the way, many of the conventional chemically amplified radiation-sensitive compositions are based on phenolic resins. However, in such resins, when far ultraviolet rays are used as radiation, the aromatic ring in the resin is added to the aromatic ring. Due to the absorption of far-ultraviolet rays, there is a drawback that the irradiated far-ultraviolet rays cannot sufficiently reach the lower layer part of the resist film, so the irradiation amount is higher in the upper layer part of the resist film, and is lower in the lower layer part, There is a problem that the resist pattern after the development becomes thicker and trapezoidal as the upper part is thinner and lower, and a sufficient resolution cannot be obtained. In addition, when the resist pattern after development has a trapezoidal shape, a desired dimensional accuracy cannot be achieved in the next step, that is, etching or ion implantation, which is a problem. In addition, if the shape of the upper part of the resist pattern is not rectangular, there is a problem that the resist disappearing rate by dry etching is increased and it becomes difficult to control the etching conditions.

一方、レジストパターンの形状は、レジスト被膜の放射線の透過率を高めることにより改善することができる。例えば、ポリメチルメタクリレートに代表される(メタ)アクリレート系樹脂は、遠紫外線に対しても透明性が高く、放射線の透過率の観点から非常に好ましい樹脂であり、例えば特許文献2には、メタクリレート系樹脂を使用した化学増幅型感放射線性樹脂組成物が提案されている。しかしながら、この組成物は、微細加工性能の点では優れているものの、芳香族環をもたないため、ドライエッチング耐性が低いという欠点があり、この場合も高精度のエッチング加工を行うことが困難である。
さらに、化学増幅型感放射線性組成物のレジストとしての特性を改良する方策の一つとして、高分子あるいは低分子の添加剤を配合した3成分以上の多成分系組成物が多数提案されているが、特にレジスト被膜の放射線の透過率と前記添加剤の作用との関係については、未だ十分検討されておらず、特にコンタクトホールの解像度の面で満足できず、さらにはドライエッチング耐性、パターン形状、感度、解像度等を総合した特性バランスの面でも未だ十分ではない。
On the other hand, the shape of the resist pattern can be improved by increasing the radiation transmittance of the resist film. For example, a (meth) acrylate resin typified by polymethyl methacrylate is a highly preferable resin from the viewpoint of radiation transmittance because it is highly transparent to far ultraviolet rays. A chemically amplified radiation-sensitive resin composition using a base resin has been proposed. However, although this composition is excellent in terms of microfabrication performance, it does not have an aromatic ring and thus has a drawback of low dry etching resistance. In this case as well, it is difficult to perform highly accurate etching. It is.
Furthermore, as one of the measures for improving the resist characteristics of the chemically amplified radiation-sensitive composition, many multi-component compositions of three or more components containing a high-molecular or low-molecular additive have been proposed. However, the relationship between the radiation transmittance of the resist film and the action of the additive has not been sufficiently studied yet, and in particular, it is not satisfactory in terms of the resolution of the contact hole, and further, dry etching resistance, pattern shape In addition, the balance of characteristics including sensitivity, resolution, etc. is still not sufficient.

特開平4−226461号公報JP-A-4-226461

本発明の課題は、活性放射線、例えばArFエキシマレーザーに代表される遠紫外線、に感応する化学増幅型レジストとして、放射線に対する透明性が優れ、十分なドライエッチング耐性を有するとともに、特にコンタクトホールの解像度が優れ、かつパターン形状、感度、解像度等の特性バランスにも優れた化学増幅型レジストとして好適に使用することができる感放射線性樹脂組成物を提供することにある。   The object of the present invention is to provide a chemically amplified resist that is sensitive to actinic radiation, for example, far ultraviolet rays typified by ArF excimer laser, and has excellent transparency to radiation, sufficient dry etching resistance, and particularly resolution of contact holes. Is to provide a radiation-sensitive resin composition that can be suitably used as a chemically amplified resist having excellent characteristics such as pattern shape, sensitivity, and resolution.

本発明の要旨は、第一に、
(A)主鎖および/または側鎖に脂環式骨格を有する樹脂、
(B)フィルムとして100〜300nmの波長範囲内の放射線に対する透過率が60%/μm以上である樹脂、および
(C)放射線の照射により酸を発生する感放射線性酸発生剤
を含有する感放射線性樹脂組成物であって、前記成分(A)と成分(B1)の少なくとも一方が酸開裂性基を含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物(以下、「第1発明」という。)、
からなる。
The gist of the present invention is as follows.
(A) a resin having an alicyclic skeleton in the main chain and / or side chain,
(B) A radiation-sensitive acid containing a resin having a transmittance of 60% / μm or more for radiation within a wavelength range of 100 to 300 nm as a film, and (C) a radiation-sensitive acid generator that generates an acid upon irradiation with radiation. A radiation-sensitive resin composition (hereinafter referred to as “first invention”), wherein at least one of the component (A) and the component (B1) contains an acid-cleavable group. ),
Consists of.

本発明の要旨は、第二に、
(A)主鎖および/または側鎖に脂環式骨格を有する樹脂、
(B2)下記一般式(1)で表される分子量1,000以下の化合物、および
(C)放射線の照射により酸を発生する感放射線性酸発生剤
を含有する感放射線性樹脂組成物であって、前記成分(A)と成分(B2)の少なくとも一方が酸開裂性基を含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物(以下、「第2発明」という。)、
Secondly, the gist of the present invention is as follows.
(A) a resin having an alicyclic skeleton in the main chain and / or side chain,
(B2) A radiation-sensitive resin composition comprising a compound represented by the following general formula (1) having a molecular weight of 1,000 or less, and (C) a radiation-sensitive acid generator that generates an acid upon irradiation with radiation. And at least one of the component (A) and the component (B2) contains an acid-cleavable group (hereinafter referred to as “second invention”),

Figure 2005018086
Figure 2005018086

〔一般式(1)において、R1 およびR2 はそれぞれ独立に水素原子または酸開裂性基を示し、Zは環を構成する炭素原子の合計数が7〜25の環状炭化水素構造を有する基を示し、aおよびbは、0≦a≦6、0≦b≦6、1≦(a+b)を満たす。〕
からなる。
[In General Formula (1), R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom or an acid-cleavable group, and Z represents a group having a cyclic hydrocarbon structure in which the total number of carbon atoms constituting the ring is 7 to 25 A and b satisfy 0 ≦ a ≦ 6, 0 ≦ b ≦ 6, and 1 ≦ (a + b). ]
Consists of.

以下、本発明を詳細に説明する。
樹脂(A)
第1発明および第2発明における(A)成分は、主鎖および/または側鎖に脂環式骨格を有する樹脂(以下、「樹脂(A)」という。)からなる。
第1発明における樹脂(A)は、後述する樹脂(B1)が酸開裂性基を含有しない場合は、酸開裂性基を含有しなければならず、また、第2発明における樹脂(A)は、後述する化合物(B2)が酸開裂性基を含有しない場合は、酸開裂性基を含有しなければならない。但し、第1発明あるいは第2発明においては、樹脂(A)と樹脂(B1)あるいは化合物(B2)との双方が酸開裂性基を含有していてもよい。
樹脂(A)における酸開裂性基は、適宜の位置に存在することができるが、樹脂(A)が主鎖に脂環式骨格を有する場合は、酸開裂性基は該脂環式骨格に存在することが好ましい。また、樹脂(A)においては、酸開裂性基自体が脂環式骨格を有することもできる。 樹脂(A)における脂環式骨格は単環でも多環でもよく、また該脂環式骨格は1種以上存在することができる。また、該脂環式骨格は、例えば、ハロゲン原子、炭素数1〜10の1価の炭化水素基、炭素数1〜10の1価のハロゲン化炭化水素基等の置換基を適宜の位置に有することもできる。
第1発明および第2発明においては、樹脂(A)がその主鎖および/または側鎖に脂環式骨格を有することにより、レジストとして、特に放射線に対する透明性およびドライエッチング耐性が優れた感放射線性樹脂組成物を得ることができる。
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
Resin (A)
The component (A) in the first and second inventions comprises a resin having an alicyclic skeleton in the main chain and / or side chain (hereinafter referred to as “resin (A)”).
The resin (A) in the first invention must contain an acid-cleavable group when the resin (B1) described later does not contain an acid-cleavable group, and the resin (A) in the second invention When the compound (B2) described later does not contain an acid-cleavable group, it must contain an acid-cleavable group. However, in the first invention or the second invention, both the resin (A) and the resin (B1) or the compound (B2) may contain an acid-cleavable group.
The acid-cleavable group in the resin (A) can be present at an appropriate position, but when the resin (A) has an alicyclic skeleton in the main chain, the acid-cleavable group is present in the alicyclic skeleton. Preferably it is present. In the resin (A), the acid-cleavable group itself can have an alicyclic skeleton. The alicyclic skeleton in the resin (A) may be monocyclic or polycyclic, and one or more alicyclic skeletons may be present. The alicyclic skeleton has, for example, a substituent such as a halogen atom, a monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, or a monovalent halogenated hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms at an appropriate position. Can also have.
In the first invention and the second invention, the resin (A) has an alicyclic skeleton in its main chain and / or side chain, so that the resist is particularly sensitive to radiation and has excellent transparency and dry etching resistance. Resin composition can be obtained.

樹脂(A)は、主鎖のみに脂環式骨格を有する樹脂(以下、「樹脂(AI)」という。)、側鎖のみに脂環式骨格を有する樹脂(以下、「樹脂(AII)」という。)、および主鎖と側鎖の両方に脂環式骨格を有する樹脂(以下、「樹脂(AIII)」という。)に分けることができる。以下、これらの樹脂について順次説明する。   Resin (A) is a resin having an alicyclic skeleton only in the main chain (hereinafter referred to as “resin (AI)”), and a resin having an alicyclic skeleton only in the side chain (hereinafter referred to as “resin (AII)”). And a resin having an alicyclic skeleton in both the main chain and the side chain (hereinafter referred to as “resin (AIII)”). Hereinafter, these resins will be sequentially described.

まず、樹脂(AI)において、脂環式骨格は、好ましくは下記一般式(2)または一般式(3)で表される骨格であり、特に下記一般式(2)で表される骨格が好ましい。   First, in the resin (AI), the alicyclic skeleton is preferably a skeleton represented by the following general formula (2) or the general formula (3), and particularly preferably a skeleton represented by the following general formula (2). .

Figure 2005018086
Figure 2005018086

Figure 2005018086
Figure 2005018086

〔一般式(2)および一般式(3)において、nは0または1であり、AおよびBはそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜10の1価の炭化水素基または炭素数1〜10の1価のハロゲン化炭化水素基を示し、XおよびYはそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜10の1価の炭化水素基、炭素数1〜10の1価のハロゲン化炭化水素基または酸開裂性基を示し、かつXおよびYのうち少なくとも一つは酸開裂性基である。〕 [In General Formula (2) and General Formula (3), n is 0 or 1, A and B are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, or a carbon number. 1 to 10 represents a monovalent halogenated hydrocarbon group, and X and Y are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, or a monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms. A halogenated hydrocarbon group or an acid-cleavable group is shown, and at least one of X and Y is an acid-cleavable group. ]

一般式(2)および一般式(3)におけるXおよびYの酸開裂性基(以下、「酸開裂性基(i)」という。)としては、基-(CH2)x COOR3 、-(CH2)x 0COR4 もしくは -(CH2)x CN{但し、R3は炭素数1〜10の炭化水素基、炭素数1〜10のハロゲン化炭化水素基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、アルコキシカルボニルメチル基(但し、アルコキシル基の炭素数は1〜10である。)、カルボブトキシメチル基、カルボブトキシエチル基、カルボブトキシプロピル基もしくはトリアルキリルシリル基(但し、アルキル基の炭素数は1〜4である。)を示し、R4は炭素数1〜10の炭化水素基または炭素数1〜10のハロゲン化炭化水素基を示し、xは0〜4の整数である。}、またはXおよびYが脂環式骨格中の炭素原子と結合して形成した、式 As the acid-cleavable group of X and Y in the general formula (2) and the general formula (3) (hereinafter referred to as “acid-cleavable group (i)”), a group — (CH 2 ) x COOR 3 , — ( CH 2 ) x 0COR 4 or-(CH 2 ) x CN (where R 3 is a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, a halogenated hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, a tetrahydrofuranyl group, or a tetrahydropyranyl group. An alkoxycarbonylmethyl group (wherein the alkoxyl group has 1 to 10 carbon atoms), a carbobutoxymethyl group, a carbobutoxyethyl group, a carbobutoxypropyl group or a trialkylylsilyl group (wherein the alkyl group has a carbon number of R 4 represents a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms or a halogenated hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, and x is an integer of 0 to 4. Or a formula formed by X and Y being bonded to a carbon atom in the alicyclic skeleton

Figure 2005018086
Figure 2005018086

{但し、R5は水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜8のアルキル基もしくは炭素数1〜4の -SO2R6(但し、R6は炭素数1〜4のアルキル基もしくは炭素数1〜4のハロゲン化アルキル基である。)を示す。}
で表される含酸素複素環構造あるいは含窒素複素環構造が好ましい。
{However, R 5 is a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, or —SO 2 R 6 having 1 to 4 carbon atoms (where R 6 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or 1 carbon atom) -4 halogenated alkyl groups). }
An oxygen-containing heterocyclic structure or a nitrogen-containing heterocyclic structure represented by

一般式(2)および一般式(3)におけるXおよびYの好ましい酸開裂性基(i)において、基-(CH2)x COOR3 としては、例えば、
メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n−プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、n−ブトキシカルボニル基、2−メチルプロポキシカルボニル基、1−メチルプロポキシカルボニル基、t−ブトキシカルボニル基、n−ペンチルオキシカルボニル基、n−ヘキシルオキシカルボニル基、n−ヘプチルオキシカルボニル基、n−オクチルオキシカルボニル基、n−デシルオキシカルボニル基、シクロペンチルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基、4−t−ブチルシクロヘキシルオキシカルボニル基、シクロヘプチルオキシカルボニル基、シクロオクチルオキシカルボニル基等の(シクロ)アルコキシカルボニル基;
フェノキシカルボニル基、4−t−ブチルフェノキシカルボニル基、1−ナフチルカルボニル基等のアリーロキシカルボニル基;
ベンジルオキシカルボニル基、4−t−ブチルベンジルオキシカルボニル基等のアラルキルオキシカルボニル基;
In the preferred acid-cleavable group (i) of X and Y in the general formula (2) and the general formula (3), the group — (CH 2 ) x COOR 3 is, for example,
Methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, n-propoxycarbonyl group, isopropoxycarbonyl group, n-butoxycarbonyl group, 2-methylpropoxycarbonyl group, 1-methylpropoxycarbonyl group, t-butoxycarbonyl group, n-pentyloxycarbonyl Group, n-hexyloxycarbonyl group, n-heptyloxycarbonyl group, n-octyloxycarbonyl group, n-decyloxycarbonyl group, cyclopentyloxycarbonyl group, cyclohexyloxycarbonyl group, 4-t-butylcyclohexyloxycarbonyl group, (Cyclo) alkoxycarbonyl groups such as cycloheptyloxycarbonyl group and cyclooctyloxycarbonyl group;
Aryloxycarbonyl groups such as a phenoxycarbonyl group, 4-t-butylphenoxycarbonyl group, 1-naphthylcarbonyl group;
Aralkyloxycarbonyl groups such as benzyloxycarbonyl group and 4-t-butylbenzyloxycarbonyl group;

メトキシカルボニルメトキシカルボニル基、エトキシカルボニルメトキシカルボニル基、n−プロポキシカルボニルメトキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニルメトキシカルボニル基、n−ブトキシカルボニルメトキシカルボニル基、2−メチルプロポキシカルボニルメトキシカルボニル基、1−メチルプロポキシカルボニルメトキシカルボニル基、t−ブトキシカルボニルメトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニルメトキシカルボニル基;
メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、n−プロポキシカルボニルメチル基、イソプロポキシカルボニルメチル基、n−ブトキシカルボニルメチル基、2−メチルプロポキシカルボニルメチル基、1−メチルプロポキシカルボニルメチル基、t−ブトキシカルボニルメチル基、シクロヘキシルオキシカルボニルメチル基、4−t−ブチルシクロヘキシルオキシカルボニルメチル基等の(シクロ)アルコキシカルボニルメチル基;
フェノキシカルボニルメチル基、1−ナフチルオキシカルボニルメチル基等のアリーロキシカルボニルメチル基;
ベンジルオキシカルボニルメチル基、4−t−ブチルベンジルオキシカルボニルメチル基等のアラルキルオキシカルボニルメチル基;
Methoxycarbonylmethoxycarbonyl group, ethoxycarbonylmethoxycarbonyl group, n-propoxycarbonylmethoxycarbonyl group, isopropoxycarbonylmethoxycarbonyl group, n-butoxycarbonylmethoxycarbonyl group, 2-methylpropoxycarbonylmethoxycarbonyl group, 1-methylpropoxycarbonylmethoxy Alkoxycarbonylmethoxycarbonyl groups such as a carbonyl group and t-butoxycarbonylmethoxycarbonyl group;
Methoxycarbonylmethyl group, ethoxycarbonylmethyl group, n-propoxycarbonylmethyl group, isopropoxycarbonylmethyl group, n-butoxycarbonylmethyl group, 2-methylpropoxycarbonylmethyl group, 1-methylpropoxycarbonylmethyl group, t-butoxycarbonyl (Cyclo) alkoxycarbonylmethyl groups such as methyl group, cyclohexyloxycarbonylmethyl group, 4-t-butylcyclohexyloxycarbonylmethyl group;
Aryloxycarbonylmethyl groups such as phenoxycarbonylmethyl group and 1-naphthyloxycarbonylmethyl group;
An aralkyloxycarbonylmethyl group such as a benzyloxycarbonylmethyl group or 4-t-butylbenzyloxycarbonylmethyl group;

2−メトキシカルボニルエチル基、2−エトキシカルボニルエチル基、2−n−プロポキシカルボニルエチル基、2−イソプロポキシカルボニルエチル基、2−n−ブトキシカルボニルエチル基、2−(2−メチルプロポキシ)カルボニルエチル基、2−(1−メチルプロポキシ)カルボニルエチル基、2−t−ブトキシカルボニルエチル基、2−シクロヘキシルオキシカルボニルエチル基、2−(4−ブチルシクロヘキシルオキシカルボニル)エチル基等の(シクロ)アルコキシカルボニルエチル基;
2−フェノキシカルボニルエチル基、2−(1−ナフチルオキシカルボニル)エチル基等の2−アリーロキシカルボニルエチル基;
2−ベンジルオキシカルボニルエチル基、2−(4−t−ブチルベンジルオキシカルボニル)エチル基等の2−アラルキルオキシカルボニルエチル基
等を挙げることができる。
2-methoxycarbonylethyl group, 2-ethoxycarbonylethyl group, 2-n-propoxycarbonylethyl group, 2-isopropoxycarbonylethyl group, 2-n-butoxycarbonylethyl group, 2- (2-methylpropoxy) carbonylethyl (Cyclo) alkoxycarbonyl such as 2- (1-methylpropoxy) carbonylethyl group, 2-t-butoxycarbonylethyl group, 2-cyclohexyloxycarbonylethyl group, 2- (4-butylcyclohexyloxycarbonyl) ethyl group Ethyl group;
2-aryloxycarbonylethyl groups such as 2-phenoxycarbonylethyl group and 2- (1-naphthyloxycarbonyl) ethyl group;
Examples thereof include 2-aralkyloxycarbonylethyl groups such as 2-benzyloxycarbonylethyl group and 2- (4-t-butylbenzyloxycarbonyl) ethyl group.

これらの基のうち、基 -COOR3 に相当するものが好ましく、さらに好ましくはメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n−プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、n−ブトキシカルボニル基、2−メチルプロポキシカルボニル基、1−メチルプロポキシカルボニル基、t−ブトキシカルボニル基、n−ペンチルオキシカルボニル基、n−オクチルオキシカルボニル基、n−デシルオキシカルボニル基、シクロペンチルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基、t−ブトキシカルボニルメトキシカルボニル基である。 Among these groups, those corresponding to the group —COOR 3 are preferred, and more preferably a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, an n-propoxycarbonyl group, an isopropoxycarbonyl group, an n-butoxycarbonyl group, and 2-methylpropoxycarbonyl. Group, 1-methylpropoxycarbonyl group, t-butoxycarbonyl group, n-pentyloxycarbonyl group, n-octyloxycarbonyl group, n-decyloxycarbonyl group, cyclopentyloxycarbonyl group, cyclohexyloxycarbonyl group, t-butoxycarbonyl It is a methoxycarbonyl group.

また、基-(CH2)x 0COR4 としては、例えば、
アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、バレリルオキシ基、カプロイルオキシ基、ヘプタノイルオキシ基、オクタノイルオキシ基、ノナノイルオキシ基、デカノイルオキシ基、ウンデカノイルオキシ基、シクロヘキシルカルボニルオキシ基、4−t−ブチルシクロヘキシルカルボニルオキシ基等の(シクロ)アシロキシ基;
ベンゾイルオキシ基、4−t−ブチルベンゾイルオキシ基、1−ナフトイルオキシ基等のアリールカルボニルオキシ基;
ベンジルカルボニルオキシ基、4−t−ブチルベンジルカルボニルオキシ基等のアラルキルカルボニルオキシ基;
In addition, as the group-(CH 2 ) x 0COR 4 , for example,
Acetyloxy, propionyloxy, butyryloxy, valeryloxy, caproyloxy, heptanoyloxy, octanoyloxy, nonanoyloxy, decanoyloxy, undecanoyloxy, cyclohexylcarbonyloxy, 4-t- (Cyclo) acyloxy groups such as butylcyclohexylcarbonyloxy group;
Arylcarbonyloxy groups such as benzoyloxy group, 4-t-butylbenzoyloxy group, 1-naphthoyloxy group;
An aralkylcarbonyloxy group such as a benzylcarbonyloxy group or 4-t-butylbenzylcarbonyloxy group;

アセチルオキシカルボニルメチル基、プロピオニルオキシカルボニルメチル基、ブチリルオキシカルボニルメチル基、シクロヘキシルカルボニルオキシメチル基、4−t−ブチルシクロヘキシルカルボニルオキシメチル基等の(シクロ)アシロキシメチル基;ベンゾイルオキシメチル基、1−ナフトイルオキシメチル基等のアリールカルボニルオキシメチル基;
ベンジルカルボニルオキシメチル基、4−t−ブチルベンジルカルボニルオキシメチル基等のアラルキルカルボニルオキシメチル基;
2−アセチルオキシエチル基、2−プロピオニルオキシエチル基、2−ブチリルオキシエチル基、2−シクロヘキシルカルボニルオキシエチル基、2−(4−t−ブチルシクロヘキシルカルボニルオキシ)エチル基等の2−(シクロ)アシロキシエチル基;
2−ベンゾイルオキシエチル基、2−(1−ナフトイルオキシ)エチル基等の2−アリールカルボニルオキシエチル基;2−ベンジルカルボニルオキシエチル基、2−(4−t−ブチルベンジルカルボニルオキシ)エチル基等の2−アラルキルカルボニルオキシエチル基
等を挙げることができる。
(Cyclo) acyloxymethyl groups such as acetyloxycarbonylmethyl group, propionyloxycarbonylmethyl group, butyryloxycarbonylmethyl group, cyclohexylcarbonyloxymethyl group, 4-t-butylcyclohexylcarbonyloxymethyl group; benzoyloxymethyl group, Arylcarbonyloxymethyl groups such as 1-naphthoyloxymethyl group;
An aralkylcarbonyloxymethyl group such as a benzylcarbonyloxymethyl group or 4-t-butylbenzylcarbonyloxymethyl group;
2- (cyclooxy) ethyl groups such as 2-acetyloxyethyl group, 2-propionyloxyethyl group, 2-butyryloxyethyl group, 2-cyclohexylcarbonyloxyethyl group, 2- (4-t-butylcyclohexylcarbonyloxy) ethyl group, etc. ) An acyloxyethyl group;
2-arylcarbonyloxyethyl groups such as 2-benzoyloxyethyl group and 2- (1-naphthoyloxy) ethyl group; 2-benzylcarbonyloxyethyl group, 2- (4-t-butylbenzylcarbonyloxy) ethyl group And 2-aralkylcarbonyloxyethyl groups such as

また、基-(CH2)x CNとしては、例えば、シアノ基、シアノメチル基、2−シアノエチル基、2−シアノプロピル基、3−シアノプロピル基、4−シアノブチル基等を挙げることができる。 Examples of the group — (CH 2 ) x CN include a cyano group, a cyanomethyl group, a 2-cyanoethyl group, a 2-cyanopropyl group, a 3-cyanopropyl group, and a 4-cyanobutyl group.

さらに、一般式(2)および一般式(3)におけるA、B、XおよびYのハロゲン原子としては、例えば、F、Cl、Br、I等を挙げることができ、また炭素数1〜10の1価の炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、2−メチルプロピル基、1−メチルプロピル基、t−ブチル基、n−ヘキシル基、n−オクチル基、n−デシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等の(シクロ)アルキル基;フェニル基、4−t−ブチルフェニル基、1−ナフチル基等のアリール基;ベンジル基、4−t−ブチルベンジル基等のアラルキル基等を挙げることができ、また炭素数1〜10の1価のハロゲン化炭化水素基としては、例えば、前記炭素数1〜10の1価の炭化水素基のハロゲン化誘導体を挙げることができる。   Furthermore, examples of the halogen atoms of A, B, X, and Y in the general formula (2) and the general formula (3) include F, Cl, Br, I, and the like. Examples of the monovalent hydrocarbon group include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, a 2-methylpropyl group, a 1-methylpropyl group, a t-butyl group, and an n-hexyl group. Groups, n-octyl groups, n-decyl groups, cyclopentyl groups, cyclohexyl groups, cycloheptyl groups, cyclooctyl groups and the like (cyclo) alkyl groups; phenyl groups, 4-t-butylphenyl groups, 1-naphthyl groups, etc. An aryl group; aralkyl groups such as benzyl group and 4-t-butylbenzyl group can be exemplified, and examples of the monovalent halogenated hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms include, for example, A monovalent halogenated derivative of a hydrocarbon group of prime 1-10 can be mentioned.

樹脂(AI)は、例えば、下記(イ)〜(ホ)の方法等により製造することができる。(イ)下記一般式(4)で表される少なくとも1種のノルボルネン誘導体(以下、「ノルボルネン誘導体(α)」という。)を、場合により、開環共重合が可能な少なくとも1種の他の不飽和脂環式化合物とともに、開環(共)重合する工程を経る方法、   The resin (AI) can be produced, for example, by the following methods (a) to (e). (A) At least one norbornene derivative represented by the following general formula (4) (hereinafter referred to as “norbornene derivative (α)”) may optionally be at least one other ring-opening copolymerizable. A method of undergoing a ring-opening (co) polymerization step with an unsaturated alicyclic compound,

Figure 2005018086
〔一般式(4)において、n、A、B、XおよびYは一般式(2)および一般式(3)と同義であり、R7 、R8 、R9 およびR10はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜10の1価の炭化水素基または炭素数1〜10の1価のハロゲン化炭化水素基を示す。〕
Figure 2005018086
[In General Formula (4), n, A, B, X and Y are as defined in General Formula (2) and General Formula (3), and R 7 , R 8 , R 9 and R 10 are each independently hydrogen. An atom, a halogen atom, a monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms or a monovalent halogenated hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms is shown. ]

(ロ)少なくとも1種のノルボルネン誘導体(α)と、エチレン、無水マレイン酸等の共重合可能な1種以上の不飽和化合物とを、ラジカル共重合する方法、
(ハ)前記(イ)または(ロ)の方法により得られた各樹脂を、常法により部分的に加水分解および/または加溶媒分解する方法、
(ニ)前記(ハ)の方法により得られた樹脂中のカルボキシル基あるいは水酸基を、常法により少なくとも部分的にエステル化して、基 -COOR3 あるいは
-OCOR4 (以下、これらの基をまとめて「酸開裂性エステル基」という。)を新たに導入する方法、
(ホ)下記一般式(5)で表される少なくとも1種のノルボルネン誘導体(以下、「ノルボルネン誘導体(β)」という。)を開環(共)重合あるいはラジカル共重合して得られた(共)重合体中のカルボキシル基あるいは水酸基を、常法により少なくとも部分的にエステル化して、酸開裂性エステル基を導入する工程を経る方法。
(B) a method of radical copolymerizing at least one norbornene derivative (α) and one or more unsaturated compounds capable of copolymerization such as ethylene and maleic anhydride;
(C) A method of partially hydrolyzing and / or solvolyzing each resin obtained by the method (a) or (b) by a conventional method,
(D) The carboxyl group or hydroxyl group in the resin obtained by the method (c) is at least partially esterified by a conventional method, and the group -COOR 3 or
-OCOR 4 (hereinafter, these groups are collectively referred to as “acid-cleavable ester groups”),
(E) obtained by ring-opening (co) polymerization or radical copolymerization of at least one norbornene derivative represented by the following general formula (5) (hereinafter referred to as “norbornene derivative (β)”). ) A method in which a carboxyl group or a hydroxyl group in a polymer is at least partially esterified by a conventional method to introduce an acid-cleavable ester group.

Figure 2005018086
Figure 2005018086

〔一般式(5)において、n、AおよびBは一般式(2)および一般式(3)と同義であり、R7 、R8 、R9 およびR10は一般式(4)と同義であり、CおよびDはそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜10の1価の炭化水素基、炭素数1〜10の1価のハロゲン化炭化水素基、-(CH2)x COOHまたは-(CH2)x OHを示し、かつCおよびDのうち少なくとも一つは-(CH2)x COOHまたは-(CH2)x OHであり、xは酸開裂性基(i)におけるxと同義である。〕 In [Formula (5), n, A and B have the general formula (2) and the general formula (3) in the above formula, R 7, R 8, R 9 and R 10 are the general formula (4) and interchangeably Each of C and D is independently a hydrogen atom, a halogen atom, a monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, a monovalent halogenated hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, or — (CH 2 ) x COOH or - (CH 2) shows the x OH, and at least one of C and D - (CH 2) x COOH or - (CH 2) x OH, x is x in acid-cleavable group (i) It is synonymous with. ]

さらに、前記(ハ)〜(ホ)の方法により得られた各樹脂は、
(ヘ)樹脂中のカルボキシル基あるいは水酸基をさらにエステル化して、他の酸開裂性基を導入する方法
等により変性することもできる。
Furthermore, each resin obtained by the methods (c) to (e)
(F) The carboxyl group or hydroxyl group in the resin can be further esterified and modified by a method of introducing another acid-cleavable group.

以下、前記(イ)〜(へ)の方法について説明する。
まず、前記(イ)の方法において、一般式(4)におけるR7 、R8 、R9 およびR10のハロゲン原子、炭素数1〜10の1価の炭化水素基および炭素数1〜10の1価のハロゲン化炭化水素基としては、例えば、前記一般式(2)および一般式(3)について例示した基と同様のものを挙げることができる。
Hereinafter, the methods (a) to (f) will be described.
First, in the method (i), R 7 , R 8 , R 9 and R 10 in general formula (4) are each a halogen atom, a monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms and a carbon atom having 1 to 10 carbon atoms. Examples of the monovalent halogenated hydrocarbon group include the same groups as those exemplified for the general formula (2) and the general formula (3).

ノルボルネン誘導体(α)のうち、一般式(4)のnが0である化合物の具体例としては、
5−メトキシカルボニルビシクロ[ 2.2.1] ヘプト−2−エン、
5−エトキシカルボニルビシクロ[ 2.2.1] ヘプト−2−エン、
5−n−プロポキシカルボニルビシクロ[ 2.2.1] ヘプト−2−エン、
5−イソプロポキシカルボニルビシクロ[ 2.2.1] ヘプト−2−エン、
5−n−ブトキシカルボニルビシクロ[ 2.2.1] ヘプト−2−エン、
5−(2−メチルプロポキシ)カルボニルビシクロ[ 2.2.1] ヘプト−2−エン、
5−(1−メチルプロポキシ)カルボニルビシクロ[ 2.2.1] ヘプト−2−エン、
5−t−ブトキシカルボニルビシクロ[ 2.2.1] ヘプト−2−エン、
5−シクロヘキシルオキシカルボニルビシクロ[ 2.2.1] ヘプト−2−エン、
5−(4’−t−ブチルシクロヘキシルオキシ)カルボニルビシクロ[ 2.2.1] ヘプト−2−エン、
5−フェノキシカルボニルビシクロ[ 2.2.1] ヘプト−2−エン、
5−テトラヒドロフラニルオキシカルボニルビシクロ[ 2.2.1] ヘプト−2−エン、5−テトラヒドロピラニルオキシカルボニルビシクロ[ 2.2.1] ヘプト−2−エン、5−アセチルオキシビシクロ[ 2.2.1] ヘプト−2−エン、
5−シアノビシクロ[ 2.2.1] ヘプト−2−エン、
Among the norbornene derivatives (α), specific examples of the compound in which n in the general formula (4) is 0 include
5-methoxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene,
5-ethoxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene,
5-n-propoxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene,
5-isopropoxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene,
5-n-butoxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene,
5- (2-methylpropoxy) carbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene,
5- (1-methylpropoxy) carbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene,
5-t-butoxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene,
5-cyclohexyloxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene,
5- (4′-t-butylcyclohexyloxy) carbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene,
5-phenoxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene,
5-tetrahydrofuranyloxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-tetrahydropyranyloxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-acetyloxybicyclo [2.2 .1] hept-2-ene,
5-cyanobicyclo [2.2.1] hept-2-ene,

5−メチル−5−メトキシカルボニルビシクロ[ 2.2.1] ヘプト−2−エン、
5−メチル−5−エトキシカルボニルビシクロ[ 2.2.1] ヘプト−2−エン、
5−メチル−5−n−プロポキシカルボニルビシクロ[ 2.2.1] ヘプト−2−エン、5−メチル−5−イソプロポキシカルボニルビシクロ[ 2.2.1] ヘプト−2−エン、5−メチル−5−n−ブトキシカルボニルビシクロ[ 2.2.1] ヘプト−2−エン、
5−メチル−5−(2−メチルプロポキシ)カルボニルビシクロ[ 2.2.1] ヘプト−2−エン、
5−メチル−5−(1−メチルプロポキシ)カルボニルビシクロ[ 2.2.1] ヘプト−2−エン、
5−メチル−5−t−ブトキシカルボニルビシクロ[ 2.2.1] ヘプト−2−エン、
5−メチル−5−シクロヘキシルオキシカルボニルビシクロ[ 2.2.1] ヘプト−2−エン、
5−メチル−5−(4’−t−ブチルシクロヘキシルオキシ)カルボニルビシクロ[ 2.2.1] ヘプト−2−エン、
5−メチル−5−フェノキシカルボニルビシクロ[ 2.2.1] ヘプト−2−エン、
5−メチル−5−テトラヒドロフラニルオキシカルボニルビシクロ[ 2.2.1] ヘプト−2−エン、
5−メチル−5−テトラヒドロピラニルオキシカルボニルビシクロ[ 2.2.1] ヘプト−2−エン、
5−メチル−5−アセチルオキシビシクロ[ 2.2.1] ヘプト−2−エン、
5−メチル−5−シアノビシクロ[ 2.2.1] ヘプト−2−エン、
5-methyl-5-methoxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene,
5-methyl-5-ethoxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene,
5-methyl-5-n-propoxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-methyl-5-isopropoxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5-methyl -5-n-butoxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene,
5-methyl-5- (2-methylpropoxy) carbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene,
5-methyl-5- (1-methylpropoxy) carbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene,
5-methyl-5-t-butoxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene,
5-methyl-5-cyclohexyloxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene,
5-methyl-5- (4′-t-butylcyclohexyloxy) carbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene,
5-methyl-5-phenoxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene,
5-methyl-5-tetrahydrofuranyloxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene,
5-methyl-5-tetrahydropyranyloxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene,
5-methyl-5-acetyloxybicyclo [2.2.1] hept-2-ene,
5-methyl-5-cyanobicyclo [2.2.1] hept-2-ene,

5,6−ジ(メトキシカルボニル)ビシクロ[ 2.2.1] ヘプト−2−エン、5,6−ジ(エトキシカルボニル)ビシクロ[ 2.2.1] ヘプト−2−エン、5,6−ジ(n−プロポキシカルボニル)ビシクロ[ 2.2.1] ヘプト−2−エン、
5,6−ジ(イソプロポキシカルボニル)ビシクロ[ 2.2.1] ヘプト−2−エン、
5,6−ジ(n−ブトキシカルボニル)ビシクロ[ 2.2.1] ヘプト−2−エン、
5,6−ジ(t−ブトキシカルボニル)ビシクロ[ 2.2.1] ヘプト−2−エン、
5,6−ジ(フェノキシカルボニル)ビシクロ[ 2.2.1] ヘプト−2−エン、
5,6−ジ(テトラヒドロフラニルオキシカルボニル)ビシクロ[ 2.2.1] ヘプト−2−エン、
5,6−ジ(テトラヒドロピラニルオキシカルボニル)ビシクロ[ 2.2.1] ヘプト−2−エン、
5,6−ジカルボキシアンハイドライドビシクロ[ 2.2.1] ヘプト−2−エン
等を挙げることができる。
5,6-di (methoxycarbonyl) bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5,6-di (ethoxycarbonyl) bicyclo [2.2.1] hept-2-ene, 5,6- Di (n-propoxycarbonyl) bicyclo [2.2.1] hept-2-ene,
5,6-di (isopropoxycarbonyl) bicyclo [2.2.1] hept-2-ene,
5,6-di (n-butoxycarbonyl) bicyclo [2.2.1] hept-2-ene,
5,6-di (t-butoxycarbonyl) bicyclo [2.2.1] hept-2-ene,
5,6-di (phenoxycarbonyl) bicyclo [2.2.1] hept-2-ene,
5,6-di (tetrahydrofuranyloxycarbonyl) bicyclo [2.2.1] hept-2-ene,
5,6-di (tetrahydropyranyloxycarbonyl) bicyclo [2.2.1] hept-2-ene,
Examples include 5,6-dicarboxyanhydride bicyclo [2.2.1] hept-2-ene.

また、ノルボルネン誘導体(α)のうち、一般式(4)のnが1である誘導体の具体例としては、
8−メトキシカルボニルテトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8−エトキシカルボニルテトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8−n−プロポキシカルボニルテトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8−イソプロポキシカルボニルテトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8−n−ブトキシカルボニルテトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8−(2−メチルプロポキシ)カルボニルテトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8−(1−メチルプロポキシ)カルボニルテトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8−t−ブトキシカルボニルテトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8−シクロヘキシルオキシカルボニルテトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8−(4’−t−ブチルシクロヘキシルオキシ)カルボニルテトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8−フェノキシカルボニルテトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8−テトラヒドロフラニルオキシカルボニルテトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]−3−ドデセン、
8−テトラヒドロピラニルオキシカルボニルテトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]−3−ドデセン、
8−アセチルオキシテトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8−シアノテトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
Further, among the norbornene derivatives (α), as specific examples of the derivatives in which n in the general formula (4) is 1,
8-methoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,
8-ethoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,
8-n-propoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,
8-Isopropoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,
8-n-butoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,
8- (2-methylpropoxy) carbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,
8- (1-methylpropoxy) carbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,
8-t-butoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,
8-cyclohexyloxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,
8- (4′-t-butylcyclohexyloxy) carbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,
8-phenoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,
8-tetrahydrofuranyloxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene,
8-tetrahydropyranyloxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene,
8-acetyloxytetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,
8-cyanotetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,

8−メチル−8−メトキシカルボニルテトラシクロ[ 4.4.0.12,5
7,10 ]ドデカ−3−エン、
8−メチル−8−エトキシカルボニルテトラシクロ[ 4.4.0.12,5
7,10 ]ドデカ−3−エン、
8−メチル−8−n−プロポキシカルボニルテトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8−メチル−8−イソプロポキシカルボニルテトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8−メチル−8−n−ブトキシカルボニルテトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8−メチル−8−(2−メチルプロポキシ)カルボニルテトラシクロ[ 4.4.0.
2,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8−メチル−8−(1−メチルプロポキシ)カルボニルテトラシクロ[ 4.4.0.
2,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8−メチル−8−t−ブトキシカルボニルテトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8−メチル−8−シクロヘキシルオキシカルボニルテトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8−メチル−8−(4’−t−ブチルシクロヘキシルオキシ)カルボニルテトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8−メチル−8−フェノキシカルボニルテトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8−メチル−8−テトラヒドロフラニルオキシカルボニルテトラシクロ[ 4.4.0.
2,5 .17,10 ]−3−ドデセン、
8−メチル−8−テトラヒドロピラニルオキシカルボニルテトラシクロ[ 4.4.0.
2,5 .17,10 ]−3−ドデセン、
8−メチル−8−アセチルオキシテトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8−メチル−8−シアノテトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8-methyl-8-methoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 .
1 7,10 ] dodec-3-ene,
8-methyl-8-ethoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 .
1 7,10 ] dodec-3-ene,
8-methyl-8-n-propoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,
8-methyl-8-isopropoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,
8-methyl-8-n-butoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,
8-Methyl-8- (2-methylpropoxy) carbonyltetracyclo [4.4.0.
1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,
8-methyl-8- (1-methylpropoxy) carbonyltetracyclo [4.4.0.
1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,
8-methyl-8-t-butoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,
8-methyl-8-cyclohexyloxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,
8-methyl-8- (4′-t-butylcyclohexyloxy) carbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,
8-methyl-8-phenoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,
8-Methyl-8-tetrahydrofuranyloxycarbonyltetracyclo [4.4.0.
1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene,
8-Methyl-8-tetrahydropyranyloxycarbonyltetracyclo [4.4.0.
1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene,
8-methyl-8-acetyloxytetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,
8-methyl-8-cyanotetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,

8,9−ジ(メトキシカルボニル)テトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8,9−ジ(エトキシカルボニル)テトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8,9−ジ(n−プロポキシカルボニル)テトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8,9−ジ(イソプロポキシカルボニル)テトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8,9−ジ(n−ブトキシカルボニル)テトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8,9−ジ(t−ブトキシカルボニル)テトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8,9−ジ(シクロヘキシルオキシカルボニル)テトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8,9−ジ(フェノキシカルボニル)テトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8,9−ジ(テトラヒドロフラニルオキシカルボニル)テトラシクロ[ 4.4.0.
2,5 .17,10 ]−3−ドデセン、
8,9−ジ(テトラヒドロピラニルオキシカルボニル)テトラシクロ[ 4.4.0.
2,5 .17,10 ]−3−ドデセン、
8,9−ジカルボキシアンハイドライドテトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン
等を挙げることができる。
8,9-di (methoxycarbonyl) tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,
8,9-di (ethoxycarbonyl) tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,
8,9-di (n-propoxycarbonyl) tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,
8,9-di (isopropoxycarbonyl) tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,
8,9-di (n-butoxycarbonyl) tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,
8,9-di (t-butoxycarbonyl) tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,
8,9-di (cyclohexyloxycarbonyl) tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,
8,9-di (phenoxycarbonyl) tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,
8,9-di (tetrahydrofuranyloxycarbonyl) tetracyclo [4.4.0.
1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene,
8,9-di (tetrahydropyranyloxycarbonyl) tetracyclo [4.4.0.
1 2,5 . 1 7,10 ] -3-dodecene,
8,9-dicarboxyanhydride tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene and the like.

本発明において、前記ノルボルネン誘導体(α)を2種以上混合して使用する場合は、一般式(4)のnが0である化合物とnが1である化合物とを併用することが好ましい。   In the present invention, when two or more kinds of the norbornene derivatives (α) are used in combination, it is preferable to use a compound in which n is 0 and a compound in which n is 1 in the general formula (4).

さらに、ノルボルネン誘導体(α)との開環共重合が可能な他の不飽和脂環式化合物の具体例としては、
ビシクロ[ 2.2.1] ヘプト−2−エン、
5−メチルビシクロ[ 2.2.1] ヘプト−2−エン、
5−エチルビシクロ[ 2.2.1] ヘプト−2−エン、
テトラシクロ [4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8−メチルテトラシクロ [4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8−エチルテトラシクロ [4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8−フルオロテトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、8−フルオロメチルテトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8−ジフルオロメチルテトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、8−トリフルオロメチルテトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8−ペンタフルオロエチルテトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8,8−ジフルオロテトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8,9−ジフルオロテトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8,8−ビス(トリフルオロメチル)テトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8,9−ビス(トリフルオロメチル)テトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8−メチル−8−トリフルオロメチルテトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
Furthermore, as specific examples of other unsaturated alicyclic compounds capable of ring-opening copolymerization with norbornene derivative (α),
Bicyclo [2.2.1] hept-2-ene,
5-methylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene,
5-ethylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene,
Tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,
8-methyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,
8-ethyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,
8-fluorotetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-fluoromethyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,
8-difluoromethyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene, 8-trifluoromethyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,
8-pentafluoroethyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,
8,8-difluorotetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,
8,9-difluorotetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,
8,8-bis (trifluoromethyl) tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,
8,9-bis (trifluoromethyl) tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,
8-methyl-8-trifluoromethyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,

8,8,9−トリフルオロテトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8,8,9−トリス(トリフルオロメチル)テトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8,8,9,9−テトラフルオロテトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8,8,9,9−テトラキス(トリフルオロメチル)テトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8,8−ジフルオロ−9,9−ビス(トリフルオロメチル)テトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8,9−ジフルオロ−8,9−ビス(トリフルオロメチル)テトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8,8,9−トリフルオロ−9−トリフルオロメチルテトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8,8,9−トリフルオロ−9−トリフルオロメトキシテトラシクロ[ 4.4.0.
2,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8,8,9−トリフルオロ−9−ペンタフルオロプロポキシテトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8−フルオロ−8−ペンタフルオロエチル−9,9−ビス(トリフルオロメチル)テトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8,9−ジフルオロ−8−ヘプタフルオロイソプロピル−9−トリフルオロメチルテトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8−クロロ−8,9,9−トリフルオロテトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8,9−ジクロロ−8,9−ビス(トリフルオロメチル)テトラシクロ[ 4.4.0.
2,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8−(2,2,2−トリフルオロカルボキシエチル)テトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8−メチル−8−(2,2,2−トリフルオロカルボキシエチル)テトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン、
8,8,9-trifluorotetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,
8,8,9-tris (trifluoromethyl) tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,
8,8,9,9-tetrafluorotetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,
8,8,9,9-tetrakis (trifluoromethyl) tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,
8,8-difluoro-9,9-bis (trifluoromethyl) tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,
8,9-difluoro-8,9-bis (trifluoromethyl) tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,
8,8,9-trifluoro-9-trifluoromethyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,
8,8,9-trifluoro-9-trifluoromethoxytetracyclo [4.4.0.
1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,
8,8,9-trifluoro-9-pentafluoropropoxytetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,
8-fluoro-8-pentafluoroethyl-9,9-bis (trifluoromethyl) tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,
8,9-difluoro-8-heptafluoroisopropyl-9-trifluoromethyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,
8-chloro-8,9,9-trifluorotetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,
8,9-Dichloro-8,9-bis (trifluoromethyl) tetracyclo [4.4.0.
1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,
8- (2,2,2-trifluorocarboxyethyl) tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,
8-methyl-8- (2,2,2-trifluorocarboxyethyl) tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene,

シクロブテン、シクロペンテン、シクロオクテン、1,5−シクロオクタジエン、1,5,9−シクロドデカトリエン、ノルボルネン、5−エチリデンノルボルネン、5−メチルノルボルネン、ジシクロペンタジエン、トリシクロ[ 5.2.1.02,6 ] デカ−8−エン、トリシクロ[ 5.2.1.02,6 ] デカ−3−エン、トリシクロ[ 4.4.0.12,5 ] ウンデカ−3−エン、トリシクロ[ 6.2.1.01,8 ] ウンデカ−9−エン、トリシクロ[ 6.2.1.01,8 ] ウンデカ−4−エン、テトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10.01,6 ] ドデカ−3−エン、8−メチルテトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10.01,6 ] ドデカ−3−エン、8−エチリデンテトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,12 ]ドデカ−3−エン、8−エチリデンテトラシクロ[ 4.4.0.12,5
7,10.01,6 ] ドデカ−3−エン、ペンタシクロ[ 6.5.1.13,6 .02,7
9,13 ]ペンタデカ−4−エン、ペンタシクロ[ 7.4.0.12,5 .19,12.08,13 ]ペンタデカ−3−エン
等を挙げることができる。
Cyclobutene, cyclopentene, cyclooctene, 1,5-cyclooctadiene, 1,5,9-cyclododecatriene, norbornene, 5-ethylidenenorbornene, 5-methylnorbornene, dicyclopentadiene, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] dec-8-ene, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] dec-3-ene, tricyclo [4.4.0.1 2,5 ] undec-3-ene, tricyclo [ 6.2.1.0 1,8 ] undec-9-ene, tricyclo [6.2.1.0 1,8 ] undec-4-ene, tetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 . 0 1,6 ] dodec-3-ene, 8-methyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 . 0 1,6 ] dodec-3-ene, 8-ethylidenetetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,12] dodeca-3-ene, 8-ethylidene tetracyclo [4.4.0.1 2, 5.
1 7,10 . 0 1,6 ] dodec-3-ene, pentacyclo [6.5.1.1 3,6 . 0 2,7 .
0 9,13] pentadeca-4-ene, pentacyclo [7.4.0.1 2,5. 1 9,12 . 0 8,13] pentadeca-3-ene, or the like can be mentioned.

樹脂(AI)において、前記他の不飽和脂環式化合物に由来する繰返し単位の含有量は、樹脂(AI)中の全繰返し単位に対して、通常、50モル%以下、好ましくは40モル%以下、さらに好ましくは30モル%以下である。この場合、他の不飽和脂環式化合物に由来する繰返し単位の含有量が50モル%を超えると、ドライエッチング耐性が低下する傾向がある。   In the resin (AI), the content of repeating units derived from the other unsaturated alicyclic compounds is usually 50 mol% or less, preferably 40 mol%, based on all repeating units in the resin (AI). Hereinafter, it is more preferably 30 mol% or less. In this case, if the content of repeating units derived from other unsaturated alicyclic compounds exceeds 50 mol%, the dry etching resistance tends to decrease.

(イ)の方法における開環(共)重合は、例えば、メタセシス触媒を使用し、適当な溶媒中で実施することができる。
このようなメタセシス触媒は、通常、W、MoまたはReの化合物の群から選ばれる少なくとも1種(以下、「特定遷移金属化合物」という。)と、デミングの周期律表IA、IIA、 IIIA、IVAあるいはIVB族金属の化合物からなり、金属−炭素結合または金属−水素結合を有する化合物の群から選ばれる少なくとも1種(以下、「特定有機金属化合物等」という。)との組み合せからなる。
The ring-opening (co) polymerization in the method (a) can be carried out in a suitable solvent using, for example, a metathesis catalyst.
Such a metathesis catalyst is usually at least one selected from the group of W, Mo or Re compounds (hereinafter referred to as “specific transition metal compounds”), and a Deming periodic table IA, IIA, IIIA, IVA. Alternatively, it consists of a compound of a group IVB metal and a combination with at least one selected from the group of compounds having a metal-carbon bond or metal-hydrogen bond (hereinafter referred to as “specific organometallic compound etc.”).

特定遷移金属化合物としては、例えば、W、MoまたはReのハロゲン化物、オキシハロゲン化物、アルコキシハロゲン化物、アルコキシド、カルボン酸塩、(オキシ)アセチルアセトネート、カルボニル錯体、アセトニトリル錯体、ヒドリド錯体や、これらの化合物の誘導体等を挙げることができる。これらの化合物のうち、WまたはMoの化合物、より具体的にはWまたはMoのハロゲン化物、オキシハロゲン化物またはアルコキシハロゲン化物が、重合活性、実用性等の観点から好ましい。
また、特定遷移金属化合物は、適当な錯化剤、例えば、トリフェニルホスフィン
(P(C6H5)3)、ピリジン(NC5H5)等により配位された化合物であることもできる。
Specific transition metal compounds include, for example, W, Mo or Re halides, oxyhalides, alkoxyhalides, alkoxides, carboxylates, (oxy) acetylacetonates, carbonyl complexes, acetonitrile complexes, hydride complexes, and the like. And derivatives of these compounds. Among these compounds, W or Mo compounds, more specifically W or Mo halides, oxyhalides or alkoxy halides are preferred from the viewpoints of polymerization activity, practicality and the like.
The specific transition metal compound can also be a compound coordinated by a suitable complexing agent such as triphenylphosphine (P (C 6 H 5 ) 3 ), pyridine (NC 5 H 5 ), or the like.

特定遷移金属化合物の具体例としては、WCl6、WCl5、WCl4、WBr6、WF6 、WI6 、MoCl5 、MoCl4 、MoCl3 、ReCl3 、WOCl4 、WOCl3 、WOBr3 、MoOCl3、MoOBr3、ReOCl3、ReOBr3、WCl2(OC2H5)4、W(OC2H5)6 、MoCl3(OC2H5)2 、Mo(OC2H5)5、WO2(acac)2(但し、acacはアセチルアセトネート残基を示す。) 、MoO2(acac)2 、W(OCOR)5(但し、OCORはカルボン酸残基を示す。) 、Mo(OCOR)5 、W(CO)6、Mo(CO)6 、Re2(CO)10 、WCl5・P(C6H5)3
MoCl5・P(C6H5)3、ReOBr3・P(C6H5)3、WCl6・NC5H5 、W(CO)5・P(C6H5)3
W(CO)3・(CH3CN)3等を挙げることができる。
これらの化合物のうち、特にWCl6、MoCl5 、WCl2(OC2H5)4、MoCl3(OC2H5)2 等が好ましい。
前記特定遷移金属化合物は、単独でまたは2種以上を組み合せて使用することができる。
また、メタセシス触媒を構成する特定遷移金属化合物成分は、重合系内で反応して特定遷移金属化合物を生成する2種以上の化合物の混合物として使用することもできる。
Specific examples of the specific transition metal compound include WCl 6 , WCl 5 , WCl 4 , WBr 6 , WF 6 , WI 6 , MoCl 5 , MoCl 4 , MoCl 3 , ReCl 3 , WOCl 4 , WOCl 3 , WOBr 3 , MoOCl 3 , MoOBr 3 , ReOCl 3 , ReOBr 3 , WCl 2 (OC 2 H 5 ) 4 , W (OC 2 H 5 ) 6 , MoCl 3 (OC 2 H 5 ) 2 , Mo (OC 2 H 5 ) 5 , WO 2 (acac) 2 (where acac represents an acetylacetonate residue), MoO 2 (acac) 2 , W (OCOR) 5 (where OCOR represents a carboxylic acid residue), Mo (OCOR) 5 , W (CO) 6 , Mo (CO) 6 , Re 2 (CO) 10 , WCl 5・ P (C 6 H 5 ) 3 ,
MoCl 5・ P (C 6 H 5 ) 3 , ReOBr 3・ P (C 6 H 5 ) 3 , WCl 6・ NC 5 H 5 , W (CO) 5・ P (C 6 H 5 ) 3 ,
W (CO) may be mentioned 3 · (CH 3 CN) 3 and the like.
Of these compounds, WCl 6 , MoCl 5 , WCl 2 (OC 2 H 5 ) 4 , MoCl 3 (OC 2 H 5 ) 2 and the like are particularly preferable.
The said specific transition metal compound can be used individually or in combination of 2 or more types.
Moreover, the specific transition metal compound component which comprises a metathesis catalyst can also be used as a mixture of 2 or more types of compounds which react within a polymerization system and produce | generate a specific transition metal compound.

次に、特定有機金属化合物等の具体例としては、n-C4H9Li、n-C5H11Na 、C6H5Na、
CH3MgI、C2H5MgBr、CH3MgBr 、n-C3H7MgCl、t-C4H9MgCl、CH2=CHCH2MgCl 、(C2H5)2Zn 、(C2H5)2Cd 、CaZn(C2H5)4 、(CH3)3B 、(C2H5)3B、(n-C4H9)3B、(CH3)3Al、(CH3)2AlCl、CH3AlCl2、(CH3)3Al2Cl3、(C2H5)3Al 、(C2H5)3Al2Cl3 、 (C2H5)2Al・O(C2H5)2
(C2H5)2AlCl 、C2H5AlCl2 、(C2H5)2AlH、(C2H5)2AlOC2H5、(C2H5)2AlCN 、LiAl(C2H5)2 、(n-C3H7)3Al 、(i-C4H9)3Al 、(i-C4H9)2AlH、(n-C6H13)3Al、(n-C8H17)3Al、
(C6H5)3Al 、(CH3)4Ga、(CH3)4Sn、(n-C4H9)4Sn 、(C2H5)3SnH、LiH 、NaH 、B2H6
NaBH4 、AlH3、LiAlH4、TiH4等を挙げることができる。
これらの化合物のうち、(CH3)3Al、(CH3)2AlCl、CH3AlCl2、(CH3)3Al2Cl3、(C2H5)3Al 、(C2H5)2AlCl 、C2H5AlCl2 、(C2H5)3Al2Cl3 、(C2H5)2AlH、(C2H5)2AlOC2H5
(C2H5)2AlCN 、(n-C3H7)3Al 、(i-C4H9)3Al 、(i-C4H9)2AlH、(n-C6H13)3Al、
(n-C8H17)3Al、(C6H5)3Al 等が好ましい。
前記特定有機金属化合物等は、単独でまたは2種以上を組み合せて使用することができる。
特定遷移金属化合物と特定有機金属化合物等との量的関係は、金属原子比として、通常、1:1〜1:100、好ましくは1:2〜1:50の範囲である。
Next, specific examples of the specific organometallic compound include nC 4 H 9 Li, nC 5 H 11 Na, C 6 H 5 Na,
CH 3 MgI, C 2 H 5 MgBr, CH 3 MgBr, nC 3 H 7 MgCl, tC 4 H 9 MgCl, CH 2 = CHCH 2 MgCl, (C 2 H 5 ) 2 Zn, (C 2 H 5 ) 2 Cd , CaZn (C 2 H 5 ) 4 , (CH 3 ) 3 B, (C 2 H 5 ) 3 B, (nC 4 H 9 ) 3 B, (CH 3 ) 3 Al, (CH 3 ) 2 AlCl, CH 3 AlCl 2, (CH 3) 3 Al 2 Cl 3, (C 2 H 5) 3 Al, (C 2 H 5) 3 Al 2 Cl 3, (C 2 H 5) 2 Al · O (C 2 H 5 ) 2 ,
(C 2 H 5 ) 2 AlCl, C 2 H 5 AlCl 2 , (C 2 H 5 ) 2 AlH, (C 2 H 5 ) 2 AlOC 2 H 5 , (C 2 H 5 ) 2 AlCN, LiAl (C 2 H 5) 2, (nC 3 H 7) 3 Al, (iC 4 H 9) 3 Al, (iC 4 H 9) 2 AlH, (nC 6 H 13) 3 Al, (nC 8 H 17) 3 Al,
(C 6 H 5 ) 3 Al, (CH 3 ) 4 Ga, (CH 3 ) 4 Sn, (nC 4 H 9 ) 4 Sn, (C 2 H 5 ) 3 SnH, LiH, NaH, B 2 H 6 ,
NaBH 4 , AlH 3 , LiAlH 4 , TiH 4 and the like can be mentioned.
Among these compounds, (CH 3) 3 Al, (CH 3) 2 AlCl, CH 3 AlCl 2, (CH 3) 3 Al 2 Cl 3, (C 2 H 5) 3 Al, (C 2 H 5) 2 AlCl, C 2 H 5 AlCl 2 , (C 2 H 5 ) 3 Al 2 Cl 3 , (C 2 H 5 ) 2 AlH, (C 2 H 5 ) 2 AlOC 2 H 5 ,
(C 2 H 5 ) 2 AlCN, (nC 3 H 7 ) 3 Al, (iC 4 H 9 ) 3 Al, (iC 4 H 9 ) 2 AlH, (nC 6 H 13 ) 3 Al,
(nC 8 H 17 ) 3 Al, (C 6 H 5 ) 3 Al and the like are preferable.
The specific organometallic compounds can be used alone or in combination of two or more.
The quantitative relationship between the specific transition metal compound and the specific organometallic compound is usually in the range of 1: 1 to 1: 100, preferably 1: 2 to 1:50, as the metal atomic ratio.

前記特定遷移金属化合物と特定有機金属化合物等との組み合せからなる触媒には、触媒活性を高めるため、下記活性化剤(i)〜(ix) の1種以上をさらに添加することもできる。
活性化剤(i): B、BF3 、BCl3、B(O-n-C4H9)3、 BF3・O(CH3)2 、 BF3・O(C2H5)2
BF3・O(n-C4H9)2、 BF3・2C6H5OH 、 BF3・2CH3COOH、 BF3・CO(NH2)2
BF3・N(C2H4OH)3、 BF3・ピペリジン、 BF3・NH2C2H5 、B2O3、H3BO3 等のほう素化合 物;Si(OC2H5)4、 Si(Cl)4等のけい素化合物、
活性化剤(ii) :アルコール類、ヒドロパーオキシド類、ジアルキルパーオキシド類、ジ アシルパーオキシド類、
活性化剤(iii):水、
活性化剤(iv) :酸素、
活性化剤(v):アルデヒド類、ケトン類等のカルボニル化合物や、それらのオリゴマー またはポリマー、
活性化剤(vi) :エチレンオキシド、エピクロルヒドリン、オキセタン等の環状エーテル 類、
活性化剤(vii):N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド等のアミド類; アニリン、モルホリン、ピペリジン等のアミン類;アゾベンゼン等のアゾ化合物、
活性化剤(viii) :N-ニトロソジメチルアミン、N-ニトロソジフェニルアミン等のN-ニト ロソ化合物、
活性化剤(ix) :トリクロロメラミン、N-クロロスクシンイミド、フェニルスルフェニル クロリド等の窒素−塩素結合または硫黄−塩素結合を有する化合物。
これらの活性化剤と特定遷移金属化合物との量的関係は、使用される活性化剤の種類によって極めて多様に変化するため、一概には規定できないが、多くの場合、モル比として、通常、0.005:1〜10:1、好ましくは0.05:1〜3.0:1の範囲である。
One or more of the following activators (i) to (ix) can be further added to the catalyst comprising a combination of the specific transition metal compound and the specific organometallic compound in order to increase the catalytic activity.
Activator (i): B, BF 3 , BCl 3 , B (OnC 4 H 9 ) 3 , BF 3 · O (CH 3 ) 2 , BF 3 · O (C 2 H 5 ) 2 ,
BF 3・ O (nC 4 H 9 ) 2 , BF 3・ 2C 6 H 5 OH, BF 3・ 2CH 3 COOH, BF 3・ CO (NH 2 ) 2 ,
Boron compounds such as BF 3 · N (C 2 H 4 OH) 3 , BF 3 · piperidine, BF 3 · NH 2 C 2 H 5 , B 2 O 3 , H 3 BO 3, etc .; Si (OC 2 H 5 ) 4 , silicon compounds such as Si (Cl) 4 ,
Activator (ii): alcohols, hydroperoxides, dialkyl peroxides, diacyl peroxides,
Activator (iii): water,
Activator (iv): oxygen,
Activator (v): carbonyl compounds such as aldehydes and ketones, oligomers or polymers thereof,
Activator (vi): cyclic ethers such as ethylene oxide, epichlorohydrin, oxetane,
Activator (vii): Amides such as N, N-dimethylformamide and N, N-dimethylacetamide; Amines such as aniline, morpholine and piperidine; Azo compounds such as azobenzene,
Activator (viii): N-nitroso compounds such as N-nitrosodimethylamine and N-nitrosodiphenylamine,
Activator (ix): A compound having a nitrogen-chlorine bond or a sulfur-chlorine bond, such as trichloromelamine, N-chlorosuccinimide, phenylsulfenyl chloride and the like.
Since the quantitative relationship between these activators and specific transition metal compounds varies greatly depending on the type of activator used, it cannot be defined unconditionally, but in many cases, as a molar ratio, It is in the range of 0.005: 1 to 10: 1, preferably 0.05: 1 to 3.0: 1.

(イ)の方法における開環(共)重合によって得られる樹脂(A1)の平均分子量は、メタセシス触媒の種類や濃度、重合温度、溶媒の種類や量、モノマー濃度等の反応条件を変えることにより調節することができるが、適当な分子量調節剤を反応系に適量添加して調節することが好ましい。
前記分子量調節剤としては、例えば、エチレン、プロピレン、1−ブテン、1−ペンテン、1−ヘキセン、1−ヘプテン、1−オクテン、1−ノネン、1−デセン等のα−オレフイン類;1,3−ブタジエン、1,4−ペンタジエン等のα,ω−ジオレフィン類;スチレン、α−メチルスチレン等のビニル芳香族化合物;アセチレン類;塩化アリル、酢酸アリル、トリメチルアリロキシシラン等の極性アリル化合物等を挙げることができる。
これらの分子量調節剤は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
分子量調節剤の使用量は、全モノマー1モルに対して、通常、0.005〜1モル、好ましくは0.02〜0.7モルである。
また、(イ)の方法に使用される溶媒としては、例えば、n−ペンタン、n−ヘキサン、n−ヘプタン、n−オクタン、n−ノナン、n−デカン等のアルカン類;シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、デカリン、ノルボルナン等のシクロアルカン類;ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クメン等の芳香族炭化水素類;クロロブタン、ブロモヘキサン、ジクロロエタン、ヘキサメチレンジブロミド、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類;酢酸エチル、酢酸n−ブチル、酢酸i−ブチル、プロピオン酸メチル等の飽和カルボン酸エステル類等を挙げることができる。
これらの溶媒は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
The average molecular weight of the resin (A1) obtained by ring-opening (co) polymerization in the method (a) can be changed by changing the reaction conditions such as the type and concentration of the metathesis catalyst, the polymerization temperature, the type and amount of the solvent, and the monomer concentration. Although it can be adjusted, it is preferable to add an appropriate molecular weight regulator to the reaction system.
Examples of the molecular weight regulator include α-olefins such as ethylene, propylene, 1-butene, 1-pentene, 1-hexene, 1-heptene, 1-octene, 1-nonene and 1-decene; -Α, ω-diolefins such as butadiene and 1,4-pentadiene; vinyl aromatic compounds such as styrene and α-methylstyrene; acetylenes; polar allyl compounds such as allyl chloride, allyl acetate, and trimethylallyloxysilane Can be mentioned.
These molecular weight regulators can be used alone or in admixture of two or more.
The usage-amount of a molecular weight modifier is 0.005-1 mol normally with respect to 1 mol of all monomers, Preferably it is 0.02-0.7 mol.
Examples of the solvent used in the method (a) include alkanes such as n-pentane, n-hexane, n-heptane, n-octane, n-nonane and n-decane; cyclohexane, cycloheptane, Cycloalkanes such as cyclooctane, decalin and norbornane; aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene, xylene, ethylbenzene and cumene; halogenated hydrocarbons such as chlorobutane, bromohexane, dichloroethane, hexamethylenedibromide and chlorobenzene; Examples thereof include saturated carboxylic acid esters such as ethyl acetate, n-butyl acetate, i-butyl acetate, and methyl propionate.
These solvents can be used alone or in admixture of two or more.

また、前記(ロ)の方法におけるラジカル共重合は、例えば、ヒドロパーオキシド類、ジアルキルパーオキシド類、ジアシルパーオキシド類、アゾ化合物等のラジカル重合触媒を使用し、適当な溶媒中で実施することができる。
(ロ)の方法に使用される溶媒としては、例えば、前記(イ)の方法について例示した溶媒のほか、テトラヒドロフラン等を挙げることができる。これらの溶媒は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
また、前記(ハ)の方法における加水分解率は、通常、10〜100モル%、好ましくは20〜95モル%である。
また、前記(ニ)の方法による酸開裂性エステル基の導入率は、通常、10〜70モル%、好ましくは20〜60モル%である。
また、前記(ホ)の方法において、一般式(4)におけるCおよびDのハロゲン原子、炭素数1〜10の1価の炭化水素基および炭素数1〜10の1価のハロゲン化炭化水素基としては、例えば、前記一般式(2)および一般式(3)について例示した基と同様のものを挙げることができる。
ノルボルネン誘導体(β)の具体例としては、前記ノルボルネン誘導体(α)について例示した化合物中のエステル基をカルボキシル基または水酸基に転換した化合物を挙げることができる。
本発明においては、ノルボルネン誘導体(β)を2種以上混合して使用する場合も、一般式(4)のnが0である化合物とnが1である化合物とを併用することが好ましい。
(ホ)の方法に使用される(共)重合体は、前記(イ)または(ロ)の方法により得られた各樹脂(A1)を加水分解して得ることができ、あるいは別途合成してもよい。
(ホ)の方法による酸開裂性エステル基の導入率は、通常、10〜70モル%、好ましくは20〜60モル%である。
The radical copolymerization in the method (b) should be carried out in a suitable solvent using a radical polymerization catalyst such as hydroperoxides, dialkyl peroxides, diacyl peroxides, azo compounds, etc. Can do.
Examples of the solvent used in the method (b) include tetrahydrofuran and the like in addition to the solvents exemplified for the method (a). These solvents can be used alone or in admixture of two or more.
The hydrolysis rate in the method (c) is usually 10 to 100 mol%, preferably 20 to 95 mol%.
The introduction rate of the acid-cleavable ester group by the method (d) is usually 10 to 70 mol%, preferably 20 to 60 mol%.
In the method (e), the halogen atoms of C and D, the monovalent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, and the monovalent halogenated hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms in the general formula (4). Examples thereof include the same groups as those exemplified for the general formula (2) and the general formula (3).
Specific examples of the norbornene derivative (β) include compounds obtained by converting the ester group in the compound exemplified for the norbornene derivative (α) to a carboxyl group or a hydroxyl group.
In the present invention, when two or more kinds of norbornene derivatives (β) are mixed and used, it is preferable to use a compound in which n is 0 and a compound in which n is 1 in the general formula (4).
The (co) polymer used in the method (e) can be obtained by hydrolyzing each resin (A1) obtained by the method (b) or (b), or synthesized separately. Also good.
The introduction rate of the acid-cleavable ester group by the method (e) is usually 10 to 70 mol%, preferably 20 to 60 mol%.

さらに、前記(ヘ)の方法において、他の酸開裂性基としては、例えば、
メトキシメチルオキシ基、エトキシメチルオキシ基、n−プロポキシメチルオキシ基、イソプロポキシメチルオキシ基、n−ブトキシメチルオキシ基、t−ブトキシメチルオキシ基、フェノキシメチルオキシ基、トリクロロエトキシメチルオキシ基等の線状アセタール基;
テトラヒドロフラニルオキシ基、テトラヒドロピラニルオキシ基等の環状アセタール基;イソプロポキシカルボニルオキシ基、2−ブテニルオキシカルボニルオキシ基、t−ブトキシカルボニルオキシ基、1−メチル−2−プロペニルオキシカルボニルオキシ基、シクロヘキシルオキシカルボニルオキシ基、2−シクロヘキセニルオキシカルボニルオキシ基等のカーボネート基;
トリメトキシメチルオキシ基、トリエトキシメチルオキシ基、トリn−プロポキシメチルオキシ基、メトキシジエトキシメチルオキシ基等のオルソカーボネート基;メチルエーテル基、エチルエーテル基、n−プロピルエーテル基、イソプロピルエーテル基、n−ブチルエーテル基、2−メチルプロピルエーテル基、1−メチルプロピルエーテル基、t−ブチルエーテル基、シクロヘキシルエーテル基、t−ブチルシクロヘキシルエーテル基等の(シクロ)アルキルエーテル基;
アリルエーテル基、2−ブテニルエーテル基、2−シクロヘキセニルエーテル基、1−メチル−2−プロペニルエーテル基等のアルケニルエーテル基;
ベンジルエーテル基、t−ブチルベンジルエーテル基等のアラルキルエーテル基;
ビニルエーテル基、1−プロペニルエーテル基、1−ブテニルエーテル基、1,3−ブタジエニルエーテル基、フェニルビニルエーテル基等のエノールエーテル基
等を挙げることができる。
(ヘ)の方法による他の酸開裂性基の導入反応の例としては、
(ヘ−1)各樹脂中のカルボキシル基と2,3−ジヒドロ−4H−ピランとの付加反応によるエステル化反応、
(ヘ−2)各樹脂中のヒドロキシル基と2,3−ジヒドロ−4H−ピランとの付加反応によるエーテル化反応、
(ヘ−3)各樹脂中のヒドロキシル基とジアルキルジカーボネートとの反応によるエステル化反応等を挙げることができる。
(ヘ)の方法による他の酸開裂性基の導入率は、通常、10〜70モル%、好ましくは20〜60モル%である。
Furthermore, in the method (f), examples of other acid-cleavable groups include:
Lines such as methoxymethyloxy group, ethoxymethyloxy group, n-propoxymethyloxy group, isopropoxymethyloxy group, n-butoxymethyloxy group, t-butoxymethyloxy group, phenoxymethyloxy group, trichloroethoxymethyloxy group Acetal group;
Cyclic acetal groups such as tetrahydrofuranyloxy group and tetrahydropyranyloxy group; isopropoxycarbonyloxy group, 2-butenyloxycarbonyloxy group, t-butoxycarbonyloxy group, 1-methyl-2-propenyloxycarbonyloxy group, Carbonate groups such as cyclohexyloxycarbonyloxy group and 2-cyclohexenyloxycarbonyloxy group;
Orthomethoxy groups such as trimethoxymethyloxy group, triethoxymethyloxy group, tri-n-propoxymethyloxy group, methoxydiethoxymethyloxy group; methyl ether group, ethyl ether group, n-propyl ether group, isopropyl ether group, (cyclo) alkyl ether groups such as an n-butyl ether group, 2-methylpropyl ether group, 1-methylpropyl ether group, t-butyl ether group, cyclohexyl ether group, t-butyl cyclohexyl ether group;
Alkenyl ether groups such as allyl ether group, 2-butenyl ether group, 2-cyclohexenyl ether group, 1-methyl-2-propenyl ether group;
Aralkyl ether groups such as a benzyl ether group and a t-butyl benzyl ether group;
Examples thereof include vinyl ether groups, 1-propenyl ether groups, 1-butenyl ether groups, 1,3-butadienyl ether groups, and enol ether groups such as phenyl vinyl ether groups.
As an example of the introduction reaction of other acid-cleavable groups by the method of (f),
(F-1) Esterification reaction by addition reaction between a carboxyl group in each resin and 2,3-dihydro-4H-pyran,
(F-2) etherification reaction by addition reaction of a hydroxyl group in each resin and 2,3-dihydro-4H-pyran,
(F-3) An esterification reaction by a reaction between a hydroxyl group in each resin and a dialkyl dicarbonate can be exemplified.
The introduction rate of other acid-cleavable groups by the method (f) is usually 10 to 70 mol%, preferably 20 to 60 mol%.

本発明における樹脂(AI)としては、放射線に対する透明性の観点から、炭素・炭素不飽和結合の少ないものが好ましい。
このような樹脂(AI)は、例えば、前記(イ)の方法または前記(ホ)の開環(共)重合する方法における適宜の段階で、あるいはこれらの方法に続いて、水素付加、水付加、ハロゲン付加、ハロゲン化水素付加等の付加反応を行うことによって得ることができ、特に水素付加反応させることにより得られる前記樹脂(AI)が好ましい。なお、前記(ロ)の方法および前記(ホ)のラジカル(共)重合する方法により得られる樹脂(AI)は、実質的に炭素・炭素不飽和結合をもたないものである。
前記水素付加させた樹脂(AI)における水素付加率は、好ましくは70%以上、さらに好ましくは90%以上、特に好ましくは100%である。
前記水素付加反応に使用される触媒としては、例えば、通常のオレフイン性化合物の水素付加反応に用いられているものを使用することができる。
このような水素付加触媒のうち、不均一系触媒としては、例えば、Pd、Pt、Ni、Rh、Ru等の貴金属を、カーボン、シリカ、アルミナ、チタニア等の担体に担持させた固体触媒等を挙げることができる。これらの不均一系触媒は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
また、均一系触媒としては、例えば、ナフテン酸ニッケル/トリエチルアルミニウム系、ニッケルアセチルアセトナート/トリエチルアルミニウム系、オクテン酸コバルト/n−ブチルリチウム系、チタノセンジクロリド/ジエチルアルミニウムモノクロリド系や、酢酸ロジウム、クロロトリス(トリフェニルホスフィン)ロジウム等のロジウム系等を挙げることができる。これらの均一系触媒は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
前記水素付加触媒のうち、不均一系触媒が、反応活性が高く、反応後の触媒除去も容易であり、得られる樹脂(AI)の色調が優れる点で好ましい。
水素付加反応は、通常、常圧〜300気圧、好ましくは3〜200気圧の水素ガス雰囲気下において、通常、0〜200℃、好ましくは20〜180℃で実施することができる。
As the resin (AI) in the present invention, those having a small number of carbon / carbon unsaturated bonds are preferable from the viewpoint of transparency to radiation.
Such a resin (AI) can be produced, for example, by hydrogenation or water addition at an appropriate stage in the method (a) or the method (e) in which the ring-opening (co) polymerization is performed, or following these methods. The resin (AI) can be obtained by performing an addition reaction such as halogen addition, hydrogen halide addition, and the like, and the resin (AI) obtained by hydrogenation reaction is particularly preferable. The resin (AI) obtained by the method (b) and the radical (co) polymerization method (e) has substantially no carbon-carbon unsaturated bond.
The hydrogenation rate in the hydrogenated resin (AI) is preferably 70% or more, more preferably 90% or more, and particularly preferably 100%.
As a catalyst used for the said hydrogenation reaction, what is used for the hydrogenation reaction of the normal olefinic compound can be used, for example.
Among such hydrogenation catalysts, the heterogeneous catalyst includes, for example, a solid catalyst in which a noble metal such as Pd, Pt, Ni, Rh, and Ru is supported on a carrier such as carbon, silica, alumina, and titania. Can be mentioned. These heterogeneous catalysts can be used alone or in admixture of two or more.
Examples of the homogeneous catalyst include, for example, nickel naphthenate / triethylaluminum, nickel acetylacetonate / triethylaluminum, cobalt octenoate / n-butyllithium, titanocene dichloride / diethylaluminum monochloride, rhodium acetate, Examples thereof include rhodium such as chlorotris (triphenylphosphine) rhodium. These homogeneous catalysts can be used alone or in admixture of two or more.
Of the hydrogenation catalysts, heterogeneous catalysts are preferable in that the reaction activity is high, the catalyst can be easily removed after the reaction, and the color tone of the resulting resin (AI) is excellent.
The hydrogenation reaction is usually carried out at 0 to 200 ° C., preferably 20 to 180 ° C. in a hydrogen gas atmosphere of normal pressure to 300 atm, preferably 3 to 200 atm.

樹脂(AI)としては、特に下記樹脂(AI−1) 、樹脂(AI−2)および樹脂(AI−3) が好ましい。
樹脂(AI−1) は、下記一般式(6)で表される繰返し単位からなる樹脂である。
As the resin (AI), the following resin (AI-1), resin (AI-2) and resin (AI-3) are particularly preferable.
The resin (AI-1) is a resin composed of a repeating unit represented by the following general formula (6).

Figure 2005018086
〔一般式(6)において、nおよびAはそれぞれ一般式(2)および一般式(3)と同義であり、Xは酸開裂性基(i)を示す。〕
Figure 2005018086
[In General formula (6), n and A are synonymous with General formula (2) and General formula (3), respectively, and X shows acid-cleavable group (i). ]

樹脂(AI−1) としては、Xの酸開裂性基(i)が一般式(2)および一般式(3)における酸開裂性基(i)について挙げた基-(CH2)x COOR3 からなる樹脂が好ましく、さらに好ましくはXの酸開裂性基(i)が基 -COOR3 からなる樹脂であり、特に好ましくはXの酸開裂性基(i)がメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n−プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、n−ブトキシカルボニル基、2−メチルプロポキシカルボニル基、1−メチルプロポキシカルボニル基、t−ブトキシカルボニル基、n−ペンチルオキシカルボニル基、n−オクチルオキシカルボニル基、n−デシルオキシカルボニル基、シクロペンチルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基およびt−ブトキシカルボニルメトキシカルボニル基の群から選ばれる基からなる樹脂である。
樹脂(AI−1) において、一般式(6)で表される繰返し単位は1種以上存在することができる。
As the resin (AI-1), the acid-cleavable group (i) of X is a group — (CH 2 ) x COOR 3 wherein the acid-cleavable group (i) in the general formula (2) and the general formula (3) is mentioned. Is more preferably a resin in which the acid-cleavable group (i) of X is a group —COOR 3 , and particularly preferably the acid-cleavable group (i) of X is a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, n-propoxycarbonyl group, isopropoxycarbonyl group, n-butoxycarbonyl group, 2-methylpropoxycarbonyl group, 1-methylpropoxycarbonyl group, t-butoxycarbonyl group, n-pentyloxycarbonyl group, n-octyloxycarbonyl group N-decyloxycarbonyl group, cyclopentyloxycarbonyl group, cyclohexyloxycarbonyl group and t-butoxycarbonylmeth Sheet is a resin comprising a group selected from the group consisting of a carbonyl group.
In the resin (AI-1), one or more repeating units represented by the general formula (6) can be present.

また、樹脂(AI−2)は、下記一般式(6)で表される繰返し単位および下記一般式(7)で表される繰返し単位からなるランダム共重合体である。   Resin (AI-2) is a random copolymer composed of a repeating unit represented by the following general formula (6) and a repeating unit represented by the following general formula (7).

Figure 2005018086
Figure 2005018086

Figure 2005018086
Figure 2005018086

〔一般式(6)および一般式(7)において、nおよびmはそれぞれ独立に0または1であり、AおよびBはそれぞれ一般式(2)および一般式(3)と同義であり、Xは酸開裂性基(i)を示す。〕 [In General Formula (6) and General Formula (7), n and m are each independently 0 or 1, A and B are respectively synonymous with General Formula (2) and General Formula (3), and X is An acid cleavable group (i) is shown. ]

樹脂(AI−2)としては、Xの酸開裂性基(i)が一般式(2)および一般式(3)における酸開裂性基(i)について挙げた基-(CH2)x COOR3 からなる樹脂が好ましく、さらに好ましくはXの酸開裂性基(i)が基 -COOR3 からなる樹脂であり、特に好ましくはXの酸開裂性基(i)がメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n−プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、n−ブトキシカルボニル基、2−メチルプロポキシカルボニル基、1−メチルプロポキシカルボニル基、t−ブトキシカルボニル基、n−ペンチルオキシカルボニル基、n−オクチルオキシカルボニル基、n−デシルオキシカルボニル基、シクロペンチルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基およびt−ブトキシカルボニルメトキシカルボニル基の群から選ばれる基からなる樹脂である。
樹脂(AI−2)における一般式(6)で表される繰返し単位と一般式(7)で表される繰返し単位とのモル比は、通常、95/5〜20/80、好ましくは90/10〜30/70である。
樹脂(AI−2)において、一般式(6)で表される繰返し単位および一般式(7)で表される繰返し単位は、それぞれ1種以上存在することができる。
As the resin (AI-2), an acid-cleavable group (i) of X is a group — (CH 2 ) x COOR 3 wherein the acid-cleavable group (i) in the general formula (2) and the general formula (3) is mentioned Is more preferably a resin in which the acid-cleavable group (i) of X is a group —COOR 3 , and particularly preferably the acid-cleavable group (i) of X is a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, n-propoxycarbonyl group, isopropoxycarbonyl group, n-butoxycarbonyl group, 2-methylpropoxycarbonyl group, 1-methylpropoxycarbonyl group, t-butoxycarbonyl group, n-pentyloxycarbonyl group, n-octyloxycarbonyl group N-decyloxycarbonyl group, cyclopentyloxycarbonyl group, cyclohexyloxycarbonyl group and t-butoxycarbonylmeth A resin comprising a group selected from the group of xyloxy groups.
The molar ratio of the repeating unit represented by the general formula (6) to the repeating unit represented by the general formula (7) in the resin (AI-2) is usually 95/5 to 20/80, preferably 90 / 10-30 / 70.
In the resin (AI-2), one or more repeating units represented by the general formula (6) and one represented by the general formula (7) may be present.

また、樹脂(AI−3) は、下記一般式(8)で表される繰返し単位および下記一般式(9)で表される繰返し単位からなるランダム共重合体である。   Resin (AI-3) is a random copolymer composed of a repeating unit represented by the following general formula (8) and a repeating unit represented by the following general formula (9).

Figure 2005018086
Figure 2005018086

Figure 2005018086
Figure 2005018086

〔一般式(8)および一般式(9)において、AおよびBはそれぞれ一般式(2)および一般式(3)と同義であり、XおよびYはそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜10の1価の炭化水素基、炭素数1〜10の1価のハロゲン化炭化水素基または酸開裂性基(i)を示し、かつXおよびYのうち少なくとも一つは酸開裂性基(i)である。〕 [In General formula (8) and General formula (9), A and B are synonymous with General formula (2) and General formula (3), respectively, X and Y are respectively independently a hydrogen atom, a halogen atom, and carbon number. 1 to 10 monovalent hydrocarbon group, a monovalent halogenated hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms or an acid-cleavable group (i), and at least one of X and Y is an acid-cleavable group (I). ]

樹脂(AI−3) としては、XおよびYの酸開裂性基(i)が一般式(2)および一般式(3)における酸開裂性基(i)について挙げた基-(CH2)x COOR3 からなる樹脂が好ましく、さらに好ましくはXおよびYの酸開裂性基(i)が基-COOR3からなる樹脂であり、特に好ましくはXおよびYの酸開裂性基(i)がメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n−プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、n−ブトキシカルボニル基、2−メチルプロポキシカルボニル基、1−メチルプロポキシカルボニル基、t−ブトキシカルボニル基、n−ペンチルオキシカルボニル基、n−オクチルオキシカルボニル基、n−デシルオキシカルボニル基、シクロペンチルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基およびt−ブトキシカルボニルメトキシカルボニル基の群から選ばれる基からなる樹脂である。
樹脂(AI−3) における一般式(8)で表される繰返し単位と一般式(9)で表される繰返し単位とのモル比は、通常、95/5〜10/90、好ましくは90/10〜20/80である。
樹脂(AI−3) において、一般式(8)で表される繰返し単位および一般式(9)で表される繰返し単位は、それぞれ1種以上存在することができる。
As the resin (AI-3), the acid-cleavable group (i) of X and Y is the group — (CH 2 ) x mentioned for the acid-cleavable group (i) in the general formula (2) and the general formula (3). A resin comprising COOR 3 is preferred, more preferably a resin in which the X and Y acid-cleavable groups (i) comprise the group —COOR 3 , and particularly preferably the X and Y acid-cleavable groups (i) are represented by methoxycarbonyl. Group, ethoxycarbonyl group, n-propoxycarbonyl group, isopropoxycarbonyl group, n-butoxycarbonyl group, 2-methylpropoxycarbonyl group, 1-methylpropoxycarbonyl group, t-butoxycarbonyl group, n-pentyloxycarbonyl group, n-octyloxycarbonyl group, n-decyloxycarbonyl group, cyclopentyloxycarbonyl group, cyclohexyloxycarbonyl group and t It is a resin comprising a group selected from the group consisting of-butoxycarbonyl, methoxycarbonyl group.
The molar ratio of the repeating unit represented by the general formula (8) to the repeating unit represented by the general formula (9) in the resin (AI-3) is usually 95/5 to 10/90, preferably 90 / 10-20 / 80.
In the resin (AI-3), one or more repeating units represented by the general formula (8) and one represented by the general formula (9) may be present.

次に、樹脂(AII)としては、例えば、カルボキシル基含有アルカリ可溶性樹脂中の該カルボキシル基の水素原子を、脂環式骨格を有する基で置換した構造を有する樹脂等を挙げることができる。
樹脂(II)における脂環式骨格を有する基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘキセニル基、4−メトキシシクロヘキシル基等の単環からなる基;ノルボルニル基、イソボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、ジシクロペンテニル基、アダマンチル基、アダマンチルメチル基、1−メチルアダマンチル基、トリシクロ[ 5.2.1.0 ]デカニル基、カルボキシトリシクロ[ 5.2.1,0 ]デカニル基、カルボキシテトラシクロデカニル基等の多環からなる基を挙げることができる。
これらの脂環式骨格を有する基のうち、アダマンチル基、アダマンチルメチル基、1−メチルアダマンチル基、トリシクロ[ 5.2.1.0 ]デカニル基、カルボキシトリシクロ[ 5.2.1,0 ]デカニル基、カルボキシテトラシクロデカニル基等が好ましい。
Next, examples of the resin (AII) include a resin having a structure in which the hydrogen atom of the carboxyl group in the carboxyl group-containing alkali-soluble resin is substituted with a group having an alicyclic skeleton.
Examples of the group having an alicyclic skeleton in the resin (II) include groups having a single ring such as a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cyclohexenyl group, and a 4-methoxycyclohexyl group; a norbornyl group, an isobornyl group, Tricyclodecanyl group, tetracyclodecanyl group, dicyclopentenyl group, adamantyl group, adamantylmethyl group, 1-methyladamantyl group, tricyclo [5.2.1.0] decanyl group, carboxytricyclo [5.2 .1,0] decanyl group, carboxytetracyclodecanyl group, and the like.
Among these groups having an alicyclic skeleton, an adamantyl group, an adamantylmethyl group, a 1-methyladamantyl group, a tricyclo [5.2.1.0] decanyl group, a carboxytricyclo [5.2.1,0]. A decanyl group, a carboxytetracyclodecanyl group and the like are preferable.

また、樹脂(AII)が含有することのできる酸開裂性基(以下、「酸開裂性基(ii)」という。)としては、例えば、置換メチル基、1−置換エチル基、1−分岐アルキル基、シリル基、ゲルミル基、アルコキシカルボニル基、アシル基、環式酸開裂性基等を挙げることができる。   Examples of the acid-cleavable group (hereinafter referred to as “acid-cleavable group (ii)”) that can be contained in the resin (AII) include a substituted methyl group, a 1-substituted ethyl group, and a 1-branched alkyl group. Group, silyl group, germyl group, alkoxycarbonyl group, acyl group, cyclic acid-cleavable group and the like.

前記置換メチル基としては、例えば、メトキシメチル基、メチルチオメチル基、エトキシメチル基、エチルチオメチル基、メトキシエトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、ベンジルチオメチル基、フェナシル基、ブロモフェナシル基、メトキシフェナシル基、メチルチオフェナシル基、α−メチルフェナシル基、シクロプロピルメチル基、ベンジル基、ジフェニルメチル基、トリフェニルメチル基、ブロモベンジル基、ニトロベンジル基、メトキシベンジル基、メチルチオベンジル基、エトキシベンジル基、エチルチオベンジル基、ピペロニル基、メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、n−プロポキシカルボニルメチル基、イソプロポキシカルボニルメチル基、n−ブトキシカルボニルメチル基、t−ブトキシカルボニルメチル基等を挙げることができる。
また、前記1−置換エチル基としては、例えば、1−メトキシエチル基、1−メチルチオエチル基、1,1−ジメトキシエチル基、1−エトキシエチル基、1−エチルチオエチル基、1,1−ジエトキシエチル基、1−フェノキシエチル基、1−フェニルチオエチル基、1,1−ジフェノキシエチル基、1−ベンジルオキシエチル基、1−ベンジルチオエチル基、1−シクロプロピルエチル基、1−フェニルエチル基、1,1−ジフェニルエチル基、1−メトキシカルボニルエチル基、1−エトキシカルボニルエチル基、1−n−プロポキシカルボニルエチル基、1−イソプロポキシカルボニルエチル基、1−n−ブトキシカルボニルエチル基、1−t−ブトキシカルボニルエチル基等を挙げることができる。 また、前記1−分岐アルキル基としては、例えば、イソプロピル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、1,1−ジメチルプロピル基、1−メチルブチル基、1,1−ジメチルブチル基等を挙げることができる。
Examples of the substituted methyl group include methoxymethyl group, methylthiomethyl group, ethoxymethyl group, ethylthiomethyl group, methoxyethoxymethyl group, benzyloxymethyl group, benzylthiomethyl group, phenacyl group, bromophenacyl group, and methoxyphenacyl. Group, methylthiophenacyl group, α-methylphenacyl group, cyclopropylmethyl group, benzyl group, diphenylmethyl group, triphenylmethyl group, bromobenzyl group, nitrobenzyl group, methoxybenzyl group, methylthiobenzyl group, ethoxybenzyl group , Ethylthiobenzyl group, piperonyl group, methoxycarbonylmethyl group, ethoxycarbonylmethyl group, n-propoxycarbonylmethyl group, isopropoxycarbonylmethyl group, n-butoxycarbonylmethyl group, t-butoxy Rubonirumechiru group, and the like can be mentioned.
Examples of the 1-substituted ethyl group include 1-methoxyethyl group, 1-methylthioethyl group, 1,1-dimethoxyethyl group, 1-ethoxyethyl group, 1-ethylthioethyl group, 1,1- Diethoxyethyl group, 1-phenoxyethyl group, 1-phenylthioethyl group, 1,1-diphenoxyethyl group, 1-benzyloxyethyl group, 1-benzylthioethyl group, 1-cyclopropylethyl group, 1- Phenylethyl group, 1,1-diphenylethyl group, 1-methoxycarbonylethyl group, 1-ethoxycarbonylethyl group, 1-n-propoxycarbonylethyl group, 1-isopropoxycarbonylethyl group, 1-n-butoxycarbonylethyl Group, 1-t-butoxycarbonylethyl group and the like. Examples of the 1-branched alkyl group include isopropyl group, sec-butyl group, t-butyl group, 1,1-dimethylpropyl group, 1-methylbutyl group, 1,1-dimethylbutyl group, and the like. Can do.

また、前記シリル基としては、例えば、トリメチルシリル基、エチルジメチルシリル基、メチルジエチルシリル基、トリエチルシリル基、イソプロピルジメチルシリル基、メチルジイソプロピルシリル基、トリイソプロピルシリル基、t−ブチルジメチルシリル基、メチルジ−t−ブチルシリル基、トリ−t−ブチルシリル基、フェニルジメチルシリル基、メチルジフェニルシリル基、トリフェニルシリル基等を挙げることができる。
また、前記ゲルミル基としては、例えば、トリメチルゲルミル基、エチルジメチルゲルミル基、メチルジエチルゲルミル基、トリエチルゲルミル基、イソプロピルジメチルゲルミル基、メチルジイソプロピルゲルミル基、トリイソプロピルゲルミル基、t−ブチルジメチルゲルミル基、メチルジ−t−ブチルゲルミル基、トリ−t−ブチルゲルミル基、フェニルジメチルゲルミル基、メチルジフェニルゲルミル基、トリフェニルゲルミル基等を挙げることができる。
また、前記アルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、t−ブトキシカルボニル基等を挙げることができる。
Examples of the silyl group include trimethylsilyl group, ethyldimethylsilyl group, methyldiethylsilyl group, triethylsilyl group, isopropyldimethylsilyl group, methyldiisopropylsilyl group, triisopropylsilyl group, t-butyldimethylsilyl group, methyldiethyl group. -T-butylsilyl group, tri-t-butylsilyl group, phenyldimethylsilyl group, methyldiphenylsilyl group, triphenylsilyl group and the like can be mentioned.
Examples of the germyl group include trimethylgermyl group, ethyldimethylgermyl group, methyldiethylgermyl group, triethylgermyl group, isopropyldimethylgermyl group, methyldiisopropylgermyl group, triisopropylgermyl group, Examples thereof include a t-butyldimethylgermyl group, a methyldi-t-butylgermyl group, a tri-t-butylgermyl group, a phenyldimethylgermyl group, a methyldiphenylgermyl group, and a triphenylgermyl group.
Examples of the alkoxycarbonyl group include a methoxycarbonyl group, an ethoxycarbonyl group, an isopropoxycarbonyl group, and a t-butoxycarbonyl group.

また、前記アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ヘプタノイル基、ヘキサノイル基、バレリル基、ピバロイル基、イソバレリル基、ラウリロイル基、ミリストイル基、パルミトイル基、ステアロイル基、オキサリル基、マロニル基、スクシニル基、グルタリル基、アジポイル基、ピペロイル基、スベロイル基、アゼラオイル基、セバコイル基、アクリロイル基、プロピオロイル基、メタクリロイル基、クロトノイル基、オレオイル基、マレオイル基、フマロイル基、メサコノイル基、カンホロイル基、ベンゾイル基、フタロイル基、イソフタロイル基、テレフタロイル基、ナフトイル基、トルオイル基、ヒドロアトロポイル基、アトロポイル基、シンナモイル基、フロイル基、テノイル基、ニコチノイル基、イソニコチノイル基、p−トルエンスルホニル基、メシル基等を挙げることができる。
さらに、前記環式酸開裂性基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘキセニル基、4−メトキシシクロヘキシル基等の脂環式骨格を有する基のほか、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、テトラヒドロチオフラニル基、3−ブロモテトラヒドロピラニル基、4−メトキシテトラヒドロピラニル基、4−メトキシテトラヒドロチオピラニル基、3−テトラヒドロチオフェン−1,1−ジオキシド基等を挙げることができる。
Examples of the acyl group include acetyl group, propionyl group, butyryl group, heptanoyl group, hexanoyl group, valeryl group, pivaloyl group, isovaleryl group, laurylyl group, myristoyl group, palmitoyl group, stearoyl group, oxalyl group, malonyl Group, succinyl group, glutaryl group, adipoyl group, piperoyl group, suberoyl group, azelaoil group, sebacoyl group, acryloyl group, propioyl group, methacryloyl group, crotonoyl group, oleoyl group, maleoyl group, fumaroyl group, mesaconoyl group, canphoroyl group , Benzoyl group, phthaloyl group, isophthaloyl group, terephthaloyl group, naphthoyl group, toluoyl group, hydroatropoyl group, atropoyl group, cinnamoyl group, furoyl group, thenoyl group, nicotinoyl group Isonicotinoyl group, p- toluenesulfonyl group, and mesyl group.
Further, examples of the cyclic acid-cleavable group include a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cyclohexenyl group, a group having an alicyclic skeleton such as a 4-methoxycyclohexyl group, a tetrahydropyranyl group, Tetrahydrofuranyl group, tetrahydrothiopyranyl group, tetrahydrothiofuranyl group, 3-bromotetrahydropyranyl group, 4-methoxytetrahydropyranyl group, 4-methoxytetrahydrothiopyranyl group, 3-tetrahydrothiophene-1,1- A dioxide group etc. can be mentioned.

これらの酸開裂性基(ii)のうち、t−ブチル基、t−ブトキシカルボニル基、1−メトキシエチル基、1−エトキシエチル基、1−n−ブトキシエチル基、テトラヒドロピラニル基、メチルテトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、メチルテトラヒドロフラニル基、t−ブトキシカルボニルメチル基等が好ましい。   Among these acid-cleavable groups (ii), t-butyl group, t-butoxycarbonyl group, 1-methoxyethyl group, 1-ethoxyethyl group, 1-n-butoxyethyl group, tetrahydropyranyl group, methyltetrahydro A pyranyl group, tetrahydrofuranyl group, methyltetrahydrofuranyl group, t-butoxycarbonylmethyl group and the like are preferable.

樹脂(II)は、例えば、
(ト)側鎖に脂環式骨格を有する重合性不飽和化合物を、場合により他の重合性不飽和化合物とともに、(共)重合する方法、
(チ)予め製造したカルボキシル基含有アルカリ可溶性樹脂の該カルボキシル基に、1種以上の脂環式骨格を有する基を導入する方法
等により製造することができる。
また、酸開裂性基(ii) を含有する樹脂(II)は、
(ト−1)前記(ト)の方法で、側鎖に脂環式骨格を有する重合性不飽和化合物として、酸開裂性基(ii) 自体が該脂環式骨格を有する基である化合物を使用する方法、
(ト−2)前記(ト)の方法で、他の重合性不飽和化合物として酸開裂性基(ii)を含有する化合物を使用する方法、
(チ−1)前記(チ)の方法で、カルボキシル基含有アルカリ可溶性樹脂の該カルボキシル基に、酸開裂性基(ii)を同時に導入する方法
のほか、
(リ)側鎖に脂環式骨格を有する重合性不飽和化合物とカルボキシル基含有重合性不飽和化合物との共重合体中の該カルボキシル基に、1種以上の酸開裂性基(ii) を導入する方法
等により製造することができる。
Resin (II) is, for example,
(G) A method of (co) polymerizing a polymerizable unsaturated compound having an alicyclic skeleton in the side chain, optionally together with another polymerizable unsaturated compound,
(H) It can be produced by a method of introducing a group having one or more alicyclic skeletons into the carboxyl group of a carboxyl group-containing alkali-soluble resin produced in advance.
In addition, the resin (II) containing an acid-cleavable group (ii)
(G-1) A compound in which the acid-cleavable group (ii) itself is a group having the alicyclic skeleton as a polymerizable unsaturated compound having an alicyclic skeleton in the side chain by the method of (g). How to use,
(G-2) A method of using a compound containing an acid-cleavable group (ii) as another polymerizable unsaturated compound in the method (G).
(Chi-1) In addition to the method of introducing the acid-cleavable group (ii) simultaneously into the carboxyl group of the carboxyl group-containing alkali-soluble resin by the method (Ci),
(I) One or more acid-cleavable groups (ii) are added to the carboxyl group in the copolymer of a polymerizable unsaturated compound having an alicyclic skeleton in the side chain and a carboxyl group-containing polymerizable unsaturated compound. It can be manufactured by a method to be introduced.

以下、これらの方法について説明する。
前記(ト)の方法において、側鎖に脂環式骨格を有する重合性不飽和化合物としては、例えば、(メタ)アクリル酸ノルボルニル、(メタ)アクリル酸イソボルニル、(メタ)アクリル酸トリシクロデカニル、(メタ)アクリル酸テトラシクロデカニル、(メタ)アクリル酸ジシクロペンテニル、(メタ)アクリル酸アダマンチル、(メタ)アクリル酸アダマンチルメチル、(メタ)アクリル酸1−メチルアダマンチル、(メタ)アクリル酸カルボキシトリシクロデカニル、(メタ)アクリル酸カルボキシテトラシクロデカニル等を挙げることができる。
これらの側鎖に脂環式骨格を有する重合性不飽和化合物のうち、(メタ)アクリル酸トリシクロデカニル、(メタ)アクリル酸テトラシクロデカニル、(メタ)アクリル酸アダマンチル、(メタ)アクリル酸カルボキシトリシクロデカニル、(メタ)アクリル酸カルボキシテトラシクロデカニル等が好ましい。
Hereinafter, these methods will be described.
In the method (g), examples of the polymerizable unsaturated compound having an alicyclic skeleton in the side chain include norbornyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, and tricyclodecanyl (meth) acrylate. , (Meth) acrylic acid tetracyclodecanyl, (meth) acrylic acid dicyclopentenyl, (meth) acrylic acid adamantyl, (meth) acrylic acid adamantyl methyl, (meth) acrylic acid 1-methyladamantyl, (meth) acrylic acid Examples thereof include carboxytricyclodecanyl and carboxytetracyclodecanyl (meth) acrylate.
Among these polymerizable unsaturated compounds having an alicyclic skeleton in the side chain, tricyclodecanyl (meth) acrylate, tetracyclodecanyl (meth) acrylate, adamantyl (meth) acrylate, (meth) acrylic Preferred are acid carboxytricyclodecanyl, carboxytetracyclodecanyl (meth) acrylate, and the like.

また、(ト)の方法において、他の重合性不飽和化合物としては、例えば、
(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸n−プロピル、(メタ)アクリル酸n−ブチル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸3−ヒドロキシプロピル等の(メタ)アクリル酸エステル;
α−ヒドロキシメチルアクリル酸メチル、α−ヒドロキシメチルアクリル酸エチル、α−ヒドロキシメチルアクリル酸n−プロピル、α−ヒドロキシメチルアクリル酸n−ブチル等のα−ヒドロキシメチルアクリル酸エステル;
(メタ)アクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、シトラコン酸、メサコン酸等の脂肪族不飽和カルボン酸類;
(メタ)アクリル酸2−カルボキシエチル、(メタ)アクリル酸2−カルボキシプロピル、(メタ)アクリル酸3−カルボキシプロピル、(メタ)アクリル酸4−カルボキシブチル等のカルボキシル基含有脂肪族不飽和カルボン酸エステル類;
酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、酪酸ビニル等のビニスエステル類;(メタ)アクリロニトリル、α−クロロアクリロニトリル、クロトンニトリル、マレインニトリル、フマロニトリル、メサコンニトリル、シトラコンニトリル、イタコンニトリル等の不飽和ニトリル化合物;
(メタ)アクリルアミド、N,N−ジメチル(メタ)アクリルアミド、クロトンアミド、マレインアミド、フマルアミド、メサコンアミド、シトラコンアミド、イタコンアミド等の不飽和アミド化合物;
N−ビニル−ε−カプロラクタム、N−ビニルピロリドン、ビニルピリジン、ビニルイミダゾール等の他の含窒素ビニル化合物
等を挙げることができる。
これらの他の重合性不飽和化合物は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
In the method (g), as other polymerizable unsaturated compound, for example,
Methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxy (meth) acrylate (Meth) acrylic esters such as propyl, 3-hydroxypropyl (meth) acrylate;
α-hydroxymethyl acrylate esters such as methyl α-hydroxymethyl acrylate, ethyl α-hydroxymethyl acrylate, n-propyl α-hydroxymethyl acrylate, n-butyl α-hydroxymethyl acrylate;
Aliphatic unsaturated carboxylic acids such as (meth) acrylic acid, crotonic acid, maleic acid, fumaric acid, itaconic acid, citraconic acid, mesaconic acid;
Carboxyl group-containing aliphatic unsaturated carboxylic acids such as 2-carboxyethyl (meth) acrylate, 2-carboxypropyl (meth) acrylate, 3-carboxypropyl (meth) acrylate, 4-carboxybutyl (meth) acrylate Esters;
Vinyl esters such as vinyl acetate, vinyl propionate, vinyl butyrate; unsaturated nitrile compounds such as (meth) acrylonitrile, α-chloroacrylonitrile, crotonnitrile, maleinonitrile, fumaronitrile, mesaconnitrile, citracononitrile, itaconnitrile;
Unsaturated amide compounds such as (meth) acrylamide, N, N-dimethyl (meth) acrylamide, crotonamide, maleamide, fumaramide, mesaconamide, citraconamide, itaconamide;
Other nitrogen-containing vinyl compounds such as N-vinyl-ε-caprolactam, N-vinylpyrrolidone, vinylpyridine and vinylimidazole can be mentioned.
These other polymerizable unsaturated compounds can be used alone or in admixture of two or more.

また、前記(ト−1)の方法において、酸開裂性基(ii) 自体が脂環式骨格を有する基である酸開裂性基(ii) 含有重合性不飽和化合物としては、例えば、(メタ)アクリル酸シクロプロピル、(メタ)アクリル酸シクロペンチル、(メタ)アクリル酸シクロヘキシル、(メタ)アクリル酸シクロヘキセニル、(メタ)アクリル酸4−メトキシシクロヘキシル、(メタ)アクリル酸2−シクロプロピルオキシカルボニルエチル、(メタ)アクリル酸2−シクロペンチルオキシカルボニルエチル、(メタ)アクリル酸2−シクロヘキシルオキシカルボニルエチル、(メタ)アクリル酸2−シクロヘキセニルオキシカルボニルエチル、(メタ)アクリル酸2−(4−メトキシシクロヘキシル)オキシカルボニルエチル等を挙げることができる。
これらの酸開裂性基(ii) 自体が脂環式骨格を有する基である酸開裂性基(ii) 含有重合性不飽和化合物うち、(メタ)アクリル酸シクロプロピル、(メタ)アクリル酸シクロペンチル、(メタ)アクリル酸シクロヘキシル、(メタ)アクリル酸シクロヘキセニル、(メタ)アクリル酸4−メトキシシクロヘキシル等が好ましい。
前記酸開裂性基(ii) 自体が脂環式骨格を有する基である酸開裂性基(ii) 含有重合性不飽和化合物は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
In the method of (to-1) above, the acid-cleavable group (ii) -containing polymerizable unsaturated compound in which the acid-cleavable group (ii) itself is a group having an alicyclic skeleton is, for example, (meta ) Cyclopropyl acrylate, cyclopentyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, cyclohexenyl (meth) acrylate, 4-methoxycyclohexyl (meth) acrylate, 2-cyclopropyloxycarbonylethyl (meth) acrylate , (Meth) acrylic acid 2-cyclopentyloxycarbonylethyl, (meth) acrylic acid 2-cyclohexyloxycarbonylethyl, (meth) acrylic acid 2-cyclohexenyloxycarbonylethyl, (meth) acrylic acid 2- (4-methoxycyclohexyl) ) Oxycarbonylethyl and the like.
Among these acid-cleavable groups (ii), the acid-cleavable group (ii) -containing polymerizable unsaturated compound which itself is a group having an alicyclic skeleton, cyclopropyl (meth) acrylate, cyclopentyl (meth) acrylate, Preference is given to cyclohexyl (meth) acrylate, cyclohexenyl (meth) acrylate, 4-methoxycyclohexyl (meth) acrylate and the like.
The acid-cleavable group (ii) -containing polymerizable unsaturated compound, which itself is a group having an alicyclic skeleton, can be used alone or in admixture of two or more.

また、前記(ト−2)の方法において、酸開裂性基(ii) を含有する他の重合性不飽和化合物としては、例えば、(メタ)アクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、シトラコン酸、メサコン酸等の脂肪族不飽和カルボン酸類;(メタ)アクリル酸2−カルボキシエチル、(メタ)アクリル酸2−カルボキシプロピル、(メタ)アクリル酸3−カルボキシプロピル、(メタ)アクリル酸4−カルボキシブチル等のカルボキシル基含有脂肪族不飽和カルボン酸エステル類等のカルボキシル基の水素原子を、酸開裂性基(ii) (但し、脂環式骨格を有する基を除く。)で置換した化合物等を挙げることができる。
これらの酸開裂性基(ii) を含有する他の重合性不飽和化合物のうち、(メタ)アクリル酸テトラヒドロピラニル、(メタ)アクリル酸テトラヒドロフラニル、(メタ)アクリル酸2−オキソシクロヘキシル、(メタ)アクリル酸t−ブチル等が好ましい。
前記酸開裂性基(ii) を含有する他の重合性不飽和化合物は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
In the method (to-2), examples of other polymerizable unsaturated compound containing an acid-cleavable group (ii) include (meth) acrylic acid, crotonic acid, maleic acid, fumaric acid, and itacon. Aliphatic unsaturated carboxylic acids such as acid, citraconic acid, mesaconic acid; 2-carboxyethyl (meth) acrylate, 2-carboxypropyl (meth) acrylate, 3-carboxypropyl (meth) acrylate, (meth) acrylic The hydrogen atom of the carboxyl group of the carboxyl group-containing aliphatic unsaturated carboxylic acid ester such as 4-carboxybutyl acid is replaced with an acid-cleavable group (ii) (excluding a group having an alicyclic skeleton). And the like.
Among the other polymerizable unsaturated compounds containing these acid-cleavable groups (ii), tetrahydropyranyl (meth) acrylate, tetrahydrofuranyl (meth) acrylate, 2-oxocyclohexyl (meth) acrylate, ( Preference is given to t-butyl acrylate.
The other polymerizable unsaturated compound containing the acid-cleavable group (ii) can be used alone or in admixture of two or more.

次に、前記(チ)の方法において、カルボキシル基含有アルカリ可溶性樹脂としては、例えば、前記(ト)の方法について例示した脂肪族不飽和カルボン酸類、カルボキシル基含有脂肪族不飽和カルボン酸エステル類等の(共)重合体等を挙げることができる。
(チ)の方法において、カルボキシル基含有重合性不飽和化合物は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
Next, in the method (h), examples of the carboxyl group-containing alkali-soluble resin include aliphatic unsaturated carboxylic acids and carboxyl group-containing aliphatic unsaturated carboxylic acids exemplified for the method (g). (Co) polymers of the above and the like.
In the method (v), the carboxyl group-containing polymerizable unsaturated compounds can be used alone or in admixture of two or more.

次に、前記(リ)の方法において、側鎖に脂環式骨格を有する重合性不飽和化合物としては、例えば、前記(ト)の方法について例示した側鎖に脂環式骨格を有する重合性不飽和化合物等を挙げることができ、またカルボキシル基含有重合性不飽和化合物としては、前記(ト−2)の方法について例示した脂肪族不飽和カルボン酸類、カルボキシル基含有脂肪族不飽和カルボン酸エステル類と同様の化合物等を挙げることができる。
(リ)の方法において、側鎖に脂環式骨格を有する重合性不飽和化合物としては、前記(ト)の方法で挙げたものと同様の化合物が好ましく、また、カルボキシル基含有重合性不飽和化合物としては、(メタ)アクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸等が好ましい。
(リ)の方法において、側鎖に脂環式骨格を有する重合性不飽和化合物およびカルボキシル基含有重合性不飽和化合物は、それぞれ単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
Next, in the method (i), the polymerizable unsaturated compound having an alicyclic skeleton in the side chain is, for example, polymerizable having an alicyclic skeleton in the side chain exemplified for the method (g). Unsaturated compounds can be mentioned, and examples of the carboxyl group-containing polymerizable unsaturated compound include the aliphatic unsaturated carboxylic acids and carboxyl group-containing aliphatic unsaturated carboxylic acid esters exemplified for the method (2) above. And the like compounds.
In the method (i), as the polymerizable unsaturated compound having an alicyclic skeleton in the side chain, the same compounds as those mentioned in the method (g) are preferable, and carboxyl group-containing polymerizable unsaturated compounds are also included. As the compound, (meth) acrylic acid, crotonic acid, maleic acid, fumaric acid, itaconic acid and the like are preferable.
In the method (i), the polymerizable unsaturated compound having an alicyclic skeleton in the side chain and the carboxyl group-containing polymerizable unsaturated compound can be used alone or in admixture of two or more.

(チ)および(リ)の方法においては、場合により、他の重合性不飽和化合物を併用することもできる。
前記他の重合性不飽和化合物としては、例えば、(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸n−プロピル、(メタ)アクリル酸n−ブチル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸3−ヒドロキシプロピル等の(メタ)アクリル酸エステル;α−ヒドロキシメチルアクリル酸メチル、α−ヒドロキシメチルアクリル酸エチル、α−ヒドロキシメチルアクリル酸n−プロピル、α−ヒドロキシメチルアクリル酸n−ブチル等のα−ヒドロキシメチルアクリル酸エステル;酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、酪酸ビニル等のビニルエステル類;(メタ)アクリロニトリル、α−クロロアクリロニトリル、クロトンニトリル、マレインニトリル、フマロニトリル、メサコンニトリル、シトラコンニトリル、イタコンニトリル等の不飽和ニトリル化合物;(メタ)アクリルアミド、N,N−ジメチル(メタ)アクリルアミド、クロトンアミド、マレインアミド、フマルアミド、メサコンアミド、シトラコンアミド、イタコンアミド等の不飽和アミド化合物;N−ビニル−ε−カプロラクタム、N−ビニルピロリドン、ビニルピリジン、ビニルイミダゾール等の他の含窒素ビニル化合物のほか、前記した側鎖に脂環式骨格を有する重合性不飽和化合物、酸開裂性基(ii) 自体が脂環式骨格を有する基である酸開裂性基(ii) 含有重合性不飽和化合物、酸開裂性基(ii) (但し、脂環式骨格を有する基を除く。)含有重合性不飽和化合物等を適宜選択して使用することができる。
これらの他の重合性不飽和化合物は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
In the methods (v) and (v), other polymerizable unsaturated compounds can be used in combination.
Examples of the other polymerizable unsaturated compounds include, for example, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, and (meth) acrylic acid. (Meth) acrylic acid esters such as 2-hydroxyethyl, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, and 3-hydroxypropyl (meth) acrylate; methyl α-hydroxymethyl acrylate, ethyl α-hydroxymethyl acrylate, α Α-hydroxymethyl acrylate esters such as n-propyl hydroxymethyl acrylate and n-butyl α-hydroxymethyl acrylate; vinyl esters such as vinyl acetate, vinyl propionate and vinyl butyrate; (meth) acrylonitrile, α- Chloroacrylonitrile, crotonnitrile, maleinonitrile, Unsaturated nitrile compounds such as malonitrile, mesaconitrile, citracon nitrile, itacon nitrile; (meth) acrylamide, N, N-dimethyl (meth) acrylamide, crotonamide, maleinamide, fumaramide, mesaconamide, citraconamide, itaconamide, etc. Unsaturated amide compounds; other nitrogen-containing vinyl compounds such as N-vinyl-ε-caprolactam, N-vinylpyrrolidone, vinylpyridine, vinylimidazole, and other polymerizable unsaturated compounds having an alicyclic skeleton in the side chain described above An acid-cleavable group (ii) itself is a group having an alicyclic skeleton, an acid-cleavable group (ii) containing a polymerizable unsaturated compound, an acid-cleavable group (ii) (however, a group having an alicyclic skeleton) ) -Containing polymerizable unsaturated compounds can be appropriately selected and used.
These other polymerizable unsaturated compounds can be used alone or in admixture of two or more.

(ト)の方法における(共)重合、(チ)の方法におけるカルボキシル基含有アルカリ可溶性樹脂を製造する重合、および(リ)の方法における側鎖に脂環式骨格を有する重合性不飽和化合物とカルボキシル基含有重合性不飽和化合物との共重合体を製造する共重合は、例えば、ラジカル重合開始剤、アニオン重合触媒、配位アニオン重合触媒、カチオン重合触媒等を適宜に選定し、塊状重合、溶液重合、沈澱重合、乳化重合、懸濁重合、塊状−懸濁重合等の適宜の重合方法により実施することができる。   (Co) polymerization in the method of (g), polymerization for producing a carboxyl group-containing alkali-soluble resin in the method of (h), and a polymerizable unsaturated compound having an alicyclic skeleton in the side chain in the method of (i) Copolymerization for producing a copolymer with a carboxyl group-containing polymerizable unsaturated compound is, for example, appropriately selecting a radical polymerization initiator, an anionic polymerization catalyst, a coordination anionic polymerization catalyst, a cationic polymerization catalyst, etc., bulk polymerization, The polymerization can be carried out by an appropriate polymerization method such as solution polymerization, precipitation polymerization, emulsion polymerization, suspension polymerization, bulk-suspension polymerization.

樹脂(AII)における側鎖に脂環式骨格を有する繰返し単位の含有量は、全繰返し単位に対して、通常、30〜80モル%、好ましくは40〜70モル%であり、また酸開裂性基(ii) を含有する繰返し単位の含有量は、全繰返し単位に対して、通常、70〜20モル%、好ましくは60〜30モル%である。   The content of the repeating unit having an alicyclic skeleton in the side chain in the resin (AII) is usually from 30 to 80 mol%, preferably from 40 to 70 mol%, based on the total repeating units, and also has acid cleavability. The content of the repeating unit containing the group (ii) is usually 70 to 20 mol%, preferably 60 to 30 mol%, based on all repeating units.

樹脂(II)としては、下記のものが好ましい。
(メタ)アクリル酸イソボルニル/(メタ)アクリル酸メチル共重合体、(メタ)アクリル酸イソボルニル/(メタ)アクリル酸共重合体、(メタ)アクリル酸イソボルニル/(メタ)アクリル酸メチル/(メタ)アクリル酸共重合体、(メタ)アクリル酸イソボルニル/(メタ)アクリル酸t−ブチル/(メタ)アクリル酸メチル/(メタ)アクリル酸共重合体、(メタ)アクリル酸イソボルニル/(メタ)アクリル酸テトラヒドロピラニル/(メタ)アクリル酸メチル/(メタ)アクリル酸共重合体、(メタ)アクリル酸イソボルニル/(メタ)アクリル酸3−オキソシクロヘキシル/(メタ)アクリル酸メチル/(メタ)アクリル酸共重合体、(メタ)アクリル酸トリシクロデカニル/(メタ)アクリル酸t−ブチル/(メタ)アクリル酸共重合体、(メタ)アクリル酸トリシクロデカニル/(メタ)アクリル酸t−ブトキシカルボニル/(メタ)アクリル酸共重合体、(メタ)アクリル酸トリシクロデカニル/(メタ)アクリル酸1−エトキシエチル/(メタ)アクリル酸共重合体、(メタ)アクリル酸トリシクロデカニル/(メタ)アクリル酸1−n−ブトキシエチル/(メタ)アクリル酸共重合体、(メタ)アクリル酸トリシクロデカニル/(メタ)アクリル酸テトラヒドロピラニル/(メタ)アクリル酸共重合体、(メタ)アクリル酸トリシクロデカニル/(メタ)アクリル酸メチルテトラヒドロピラニル/(メタ)アクリル酸共重合体、(メタ)アクリル酸トリシクロデカニル/(メタ)アクリル酸テトラヒドロフラニル/(メタ)アクリル酸共重合体、(メタ)アクリル酸トリシクロデカニル/(メタ)アクリル酸メチルテトラヒドロフラニル/(メタ)アクリル酸共重合体、
As resin (II), the following are preferable.
(Meth) isobornyl acrylate / methyl (meth) acrylate copolymer, isobornyl (meth) acrylate / (meth) acrylic acid copolymer, isobornyl (meth) acrylate / methyl (meth) acrylate / (meth) Acrylic acid copolymer, isobornyl (meth) acrylate / t-butyl (meth) acrylate / methyl (meth) acrylate / (meth) acrylic acid copolymer, isobornyl (meth) acrylate / (meth) acrylic acid Tetrahydropyranyl / methyl (meth) acrylate / (meth) acrylic acid copolymer, isobornyl (meth) acrylate / 3-oxocyclohexyl (meth) acrylate / methyl (meth) acrylate / (meth) acrylic acid copolymer Polymer, tricyclodecanyl (meth) acrylate / t-butyl (meth) acrylate / (meth) acrylic Acid copolymer, tricyclodecanyl (meth) acrylate / t-butoxycarbonyl (meth) acrylate / (meth) acrylic acid copolymer, tricyclodecanyl (meth) acrylate / (meth) acrylic acid 1 -Ethoxyethyl / (meth) acrylic acid copolymer, tricyclodecanyl (meth) acrylate / (meth) acrylic acid 1-n-butoxyethyl / (meth) acrylic acid copolymer, (meth) acrylic acid tri Cyclodecanyl / (meth) acrylic acid tetrahydropyranyl / (meth) acrylic acid copolymer, (meth) acrylic acid tricyclodecanyl / (meth) acrylic acid methyltetrahydropyranyl / (meth) acrylic acid copolymer , (Meth) acrylic acid tricyclodecanyl / (meth) acrylic acid tetrahydrofuranyl / (meth) acrylic acid copolymer, (meth) Acrylic acid tricyclodecanyl / (meth) acrylate tetrahydrofuranyl / (meth) acrylic acid copolymer,

(メタ)アクリル酸トリシクロデカニル/(メタ)アクリル酸t−ブチル/(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシプロピル共重合体、(メタ)アクリル酸トリシクロデカニル/(メタ)アクリル酸t−ブトキシカルボニル/(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシプロピル共重合体、(メタ)アクリル酸トリシクロデカニル/(メタ)アクリル酸1−エトキシエチル/(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシプロピル共重合体、(メタ)アクリル酸トリシクロデカニル/(メタ)アクリル酸1−n−ブトキシエチル/(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシプロピル共重合体、(メタ)アクリル酸トリシクロデカニル/(メタ)アクリル酸テトラヒドロピラニル/(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシプロピル共重合体、(メタ)アクリル酸トリシクロデカニル/(メタ)アクリル酸メチルテトラヒドロピラニル/(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシプロピル共重合体、(メタ)アクリル酸トリシクロデカニル/(メタ)アクリル酸テトラヒドロフラニル/(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシプロピル共重合体、(メタ)アクリル酸トリシクロデカニル/(メタ)アクリル酸メチルテトラヒドロフラニル/(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシプロピル共重合体、(メタ)アクリル酸トリシクロデカニル/(メタ)アクリル酸テトラヒドロピラニル/α−ヒドロキシメチルアクリル酸エチル共重合体、(メタ)アクリル酸トリシクロデカニル/(メタ)アクリル酸t−ブチル/α−ヒドロキシメチルアクリル酸エチル共重合体、 (Meth) acrylic acid tricyclodecanyl / (meth) acrylic acid t-butyl / (meth) acrylic acid 2-hydroxypropyl copolymer, (meth) acrylic acid tricyclodecanyl / (meth) acrylic acid t-butoxy Carbonyl / (meth) acrylic acid 2-hydroxypropyl copolymer, (meth) acrylic acid tricyclodecanyl / (meth) acrylic acid 1-ethoxyethyl / (meth) acrylic acid 2-hydroxypropyl copolymer, (meta ) Tricyclodecanyl acrylate / 1-n-butoxyethyl (meth) acrylate / 2-hydroxypropyl copolymer (meth) acrylate, tricyclodecanyl (meth) acrylate / tetrahydropyrani (meth) acrylate / (Meth) acrylic acid 2-hydroxypropyl copolymer, (meth) acrylic acid tricyclodecane / (Meth) acrylic acid methyltetrahydropyranyl / (meth) acrylic acid 2-hydroxypropyl copolymer, (meth) acrylic acid tricyclodecanyl / (meth) acrylic acid tetrahydrofuranyl / (meth) acrylic acid 2-hydroxy Propylene copolymer, (meth) acrylic acid tricyclodecanyl / (meth) methyl methacrylate tetrahydrofuranyl / (meth) acrylic acid 2-hydroxypropyl copolymer, (meth) acrylic acid tricyclodecanyl / (meth) Tetrahydropyranyl acrylate / ethyl α-hydroxymethyl acrylate copolymer, tricyclodecanyl (meth) acrylate / t-butyl (meth) acrylate / ethyl α-hydroxymethyl acrylate copolymer,

(メタ)アクリル酸テトラシクロデカニル/(メタ)アクリル酸t−ブチル/(メタ)アクリル酸メチル/(メタ)アクリル酸共重合体、(メタ)アクリル酸テトラシクロデカニル/(メタ)アクリル酸テトラヒドロピラニル/(メタ)アクリル酸メチル/(メタ)アクリル酸共重合体、(メタ)アクリル酸テトラシクロデカニル/(メタ)アクリル酸3−オキソシクロヘキシル/(メタ)アクリル酸メチル/(メタ)アクリル酸共重合体、(メタ)アクリル酸アダマンチル/(メタ)アクリル酸t−ブチル/(メタ)アクリル酸メチル/(メタ)アクリル酸共重合体、(メタ)アクリル酸アダマンチルメチル/(メタ)アクリル酸t−ブチル/(メタ)アクリル酸メチル/(メタ)アクリル酸共重合体、(メタ)アクリル酸アダマンチル/(メタ)アクリル酸テトラヒドロピラニル/(メタ)アクリル酸メチル/(メタ)アクリル酸共重合体、(メタ)アクリル酸アダマンチルメチル共重合体/(メタ)アクリル酸テトラヒドロピラニル/(メタ)アクリル酸メチル/(メタ)アクリル酸、(メタ)アクリル酸アダマンチル/(メタ)アクリル酸3−オキソシクロヘキシル/(メタ)アクリル酸メチル/(メタ)アクリル酸共重合体、(メタ)アクリル酸アダマンチルメチル/(メタ)アクリル酸3−オキソシクロヘキシル/(メタ)アクリル酸メチル/(メタ)アクリル酸共重合体、(メタ)アクリル酸イソボルニル/(メタ)アクリル酸トリシクロデカニル/(メタ)アクリル酸メチル/(メタ)アクリル酸共重合体、(メタ)アクリル酸イソボルニル/(メタ)アクリル酸テトラシクロデカニル/(メタ)アクリル酸メチル/(メタ)アクリル酸共重合体、(メタ)アクリル酸イソボルニル/(メタ)アクリル酸アダマンチル/(メタ)アクリル酸メチル/(メタ)アクリル酸共重合体、(メタ)アクリル酸イソボルニル/(メタ)アクリル酸アダマンチルメチル/(メタ)アクリル酸メチル/(メタ)アクリル酸共重合体等を挙げることができる。 (Meth) acrylic acid tetracyclodecanyl / (meth) acrylic acid t-butyl / (meth) methyl acrylate / (meth) acrylic acid copolymer, (meth) acrylic acid tetracyclodecanyl / (meth) acrylic acid Tetrahydropyranyl / methyl (meth) acrylate / (meth) acrylic acid copolymer, tetracyclodecanyl (meth) acrylate / 3-oxocyclohexyl (meth) acrylate / methyl (meth) acrylate / (meth) Acrylic acid copolymer, adamantyl (meth) acrylate / t-butyl (meth) acrylate / methyl (meth) acrylate / (meth) acrylic acid copolymer, adamantyl methyl (meth) acrylate / (meth) acrylic T-butyl acid / methyl (meth) acrylate / (meth) acrylic acid copolymer, adamantyl (meth) acrylate / Tetrahydropyranyl (meth) acrylate / methyl (meth) acrylate / (meth) acrylic acid copolymer, adamantyl methyl copolymer (meth) acrylate / tetrahydropyranyl (meth) acrylate / methyl (meth) acrylate / (Meth) acrylic acid, (meth) acrylic acid adamantyl / (meth) acrylic acid 3-oxocyclohexyl / (meth) acrylic acid methyl / (meth) acrylic acid copolymer, (meth) acrylic acid adamantyl methyl / (meta ) 3-oxocyclohexyl acrylate / methyl (meth) acrylate / (meth) acrylic acid copolymer, isobornyl (meth) acrylate / tricyclodecanyl (meth) acrylate / methyl (meth) acrylate / (meta ) Acrylic acid copolymer, isobornyl (meth) acrylate / (meth) acrylic acid Tracyclodecanyl / methyl (meth) acrylate / (meth) acrylic acid copolymer, isobornyl (meth) acrylate / adamantyl (meth) acrylate / methyl (meth) acrylate / (meth) acrylic acid copolymer , Isobornyl (meth) acrylate / adamantylmethyl (meth) acrylate / methyl (meth) acrylate / (meth) acrylic acid copolymer, and the like.

さらに、樹脂(AIII)としては、例えば、前記ノルボルネン誘導体(β)と側鎖に脂環式骨格を有する重合性不飽和化合物との共重合体(以下、「樹脂(AIII-1)」という。)のほか、酸開裂性基を含有する樹脂(AIII)として、前記ノルボルネン誘導体(α)と側鎖に脂環式骨格を有する重合性不飽和化合物との共重合体(以下、「樹脂(AIII-2)」という。)、前記ノルボルネン誘導体(β)と側鎖に脂環式骨格を有する重合性不飽和化合物と酸開裂性基(但し、脂環式骨格を有する基を除く。)含有重合性不飽和化合物との共重合体(以下、「樹脂(AIII-3)」という。)等を挙げることができる。
樹脂(AIII-1)〜(AIII-3)における側鎖に脂環式骨格を有する重合性不飽和化合物としては、例えば、前記樹脂(AII) について例示した側鎖に脂環式骨格を有する重合性不飽和化合物と同様の化合物等を挙げることができ、また樹脂(AIII-3)における酸開裂性基含有重合性不飽和化合物としては、例えば、前記樹脂(AII) について例示した酸開裂性基(ii) 自体が脂環式骨格を有する基である重合性不飽和化合物あるいは酸開裂性基(ii) (但し、脂環式骨格を有する基を除く。)含有重合性不飽和化合物と同様の化合物等を挙げることができる。
Furthermore, as the resin (AIII), for example, a copolymer of the norbornene derivative (β) and a polymerizable unsaturated compound having an alicyclic skeleton in the side chain (hereinafter referred to as “resin (AIII-1)”). In addition, as a resin (AIII) containing an acid-cleavable group, a copolymer of the norbornene derivative (α) and a polymerizable unsaturated compound having an alicyclic skeleton in the side chain (hereinafter referred to as “resin (AIII)”. -2) "), a polymer containing the norbornene derivative (β), a polymerizable unsaturated compound having an alicyclic skeleton in the side chain, and an acid-cleavable group (excluding a group having an alicyclic skeleton). And a copolymer with an unsaturated compound (hereinafter referred to as “resin (AIII-3)”).
Examples of the polymerizable unsaturated compound having an alicyclic skeleton in the side chain in the resins (AIII-1) to (AIII-3) include, for example, polymerization having an alicyclic skeleton in the side chain exemplified for the resin (AII). And the like, and examples of the acid-cleavable group-containing polymerizable unsaturated compound in the resin (AIII-3) include the acid-cleavable groups exemplified for the resin (AII). (Ii) A polymerizable unsaturated compound or an acid-cleavable group (ii) (excluding a group having an alicyclic skeleton), which itself is a group having an alicyclic skeleton. A compound etc. can be mentioned.

また、樹脂(AIII-1)〜(AIII-3)においては、場合により、前記各重合性不飽和化合物とともに、他の重合性不飽和化合物を併用することもできる。
前記他の重合性不飽和化合物としては、樹脂(AIII-1)においては、例えば、(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸n−プロピル、(メタ)アクリル酸n−ブチル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸3−ヒドロキシプロピル等の(メタ)アクリル酸エステル;α−ヒドロキシメチルアクリル酸メチル、α−ヒドロキシメチルアクリル酸エチル、α−ヒドロキシメチルアクリル酸n−プロピル、α−ヒドロキシメチルアクリル酸n−ブチル等のα−ヒドロキシメチルアクリル酸エステル;(メタ)アクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、シトラコン酸、メサコン酸等の脂肪族不飽和カルボン酸類;(メタ)アクリル酸2−カルボキシエチル、(メタ)アクリル酸2−カルボキシプロピル、(メタ)アクリル酸3−カルボキシプロピル、(メタ)アクリル酸4−カルボキシブチル等のカルボキシル基含有脂肪族不飽和カルボン酸エステル類;酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、酪酸ビニル等のビニルエステル類;(メタ)アクリロニトリル、α−クロロアクリロニトリル、クロトンニトリル、マレインニトリル、フマロニトリル、メサコンニトリル、シトラコンニトリル、イタコンニトリル等の不飽和ニトリル化合物;(メタ)アクリルアミド、N,N−ジメチル(メタ)アクリルアミド、クロトンアミド、マレインアミド、フマルアミド、メサコンアミド、シトラコンアミド、イタコンアミド等の不飽和アミド化合物;N−ビニル−ε−カプロラクタム、N−ビニルピロリドン、ビニルピリジン、ビニルイミダゾール等の他の含窒素ビニル化合物のほか、ノルボルネン誘導体(β)等を挙げることができる。
これらの他の重合性不飽和化合物は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
In the resins (AIII-1) to (AIII-3), other polymerizable unsaturated compounds may be used in combination with the polymerizable unsaturated compounds.
Examples of the other polymerizable unsaturated compounds include, in the resin (AIII-1), for example, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid. (meth) acrylic acid esters such as n-butyl, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) acrylate; methyl α-hydroxymethyl acrylate, α-hydroxymethyl acrylates such as ethyl α-hydroxymethyl acrylate, n-propyl α-hydroxymethyl acrylate, n-butyl α-hydroxymethyl acrylate; (meth) acrylic acid, crotonic acid, maleic acid, fumar Aliphatic unsaturated carboxylic acids such as acid, itaconic acid, citraconic acid, mesaconic acid; (meth) a Carboxyl group-containing aliphatic unsaturated carboxylic esters such as 2-carboxyethyl acrylate, 2-carboxypropyl (meth) acrylate, 3-carboxypropyl (meth) acrylate, 4-carboxybutyl (meth) acrylate; Vinyl esters such as vinyl acetate, vinyl propionate, vinyl butyrate; unsaturated nitrile compounds such as (meth) acrylonitrile, α-chloroacrylonitrile, crotonnitrile, maleinonitrile, fumaronitrile, mesaconnitrile, citracononitrile, itaconnitrile; Unsaturated amide compounds such as (meth) acrylamide, N, N-dimethyl (meth) acrylamide, crotonamide, maleinamide, fumaramide, mesaconamide, citraconic amide, itaconamide; N-vinyl-ε-caprolacta And other nitrogen-containing vinyl compounds such as N-vinylpyrrolidone, vinylpyridine, vinylimidazole, and norbornene derivatives (β).
These other polymerizable unsaturated compounds can be used alone or in admixture of two or more.

また、樹脂(AIII-2)においては、例えば、(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸n−プロピル、(メタ)アクリル酸n−ブチル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸3−ヒドロキシプロピル等の(メタ)アクリル酸エステル;α−ヒドロキシメチルアクリル酸メチル、α−ヒドロキシメチルアクリル酸エチル、α−ヒドロキシメチルアクリル酸n−プロピル、α−ヒドロキシメチルアクリル酸n−ブチル等のα−ヒドロキシメチルアクリル酸エステル;(メタ)アクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、シトラコン酸、メサコン酸等の脂肪族不飽和カルボン酸類;(メタ)アクリル酸2−カルボキシエチル、(メタ)アクリル酸2−カルボキシプロピル、(メタ)アクリル酸3−カルボキシプロピル、(メタ)アクリル酸4−カルボキシブチル等のカルボキシル基含有脂肪族不飽和カルボン酸エステル類;酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、酪酸ビニル等のビニスエステル類;(メタ)アクリロニトリル、α−クロロアクリロニトリル、クロトンニトリル、マレインニトリル、フマロニトリル、メサコンニトリル、シトラコンニトリル、イタコンニトリル等の不飽和ニトリル化合物;(メタ)アクリルアミド、N,N−ジメチル(メタ)アクリルアミド、クロトンアミド、マレインアミド、フマルアミド、メサコンアミド、シトラコンアミド、イタコンアミド等の不飽和アミド化合物;N−ビニル−ε−カプロラクタム、N−ビニルピロリドン、ビニルピリジン、ビニルイミダゾール等の他の含窒素ビニル化合物のほか、前記ノルボルネン誘導体(β)、酸開裂性基(ii) 自体が脂環式骨格を有する酸開裂性基(ii) 含有重合性不飽和化合物、酸開裂性基(ii) (但し、脂環式骨格を有する基を除く。)含有重合性不飽和化合物等を挙げることができる。
これらの他の重合性不飽和化合物は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
In the resin (AIII-2), for example, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid (Meth) acrylic acid esters such as 2-hydroxyethyl, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, and 3-hydroxypropyl (meth) acrylate; methyl α-hydroxymethyl acrylate, ethyl α-hydroxymethyl acrylate, α Α-hydroxymethyl acrylate esters such as n-propyl hydroxymethyl acrylate and n-butyl α-hydroxymethyl acrylate; (meth) acrylic acid, crotonic acid, maleic acid, fumaric acid, itaconic acid, citraconic acid, mesacone Aliphatic unsaturated carboxylic acids such as acids; 2-carboxyethyl (meth) acrylate, Carboxyl group-containing aliphatic unsaturated carboxylic esters such as (meth) acrylic acid 2-carboxypropyl, (meth) acrylic acid 3-carboxypropyl, and (meth) acrylic acid 4-carboxybutyl; vinyl acetate, vinyl propionate, Vinyl esters such as vinyl butyrate; unsaturated nitrile compounds such as (meth) acrylonitrile, α-chloroacrylonitrile, crotonnitrile, maleinnitrile, fumaronitrile, mesaconnitrile, citraconnitrile, itaconnitrile; (meth) acrylamide, N, N- Unsaturated amide compounds such as dimethyl (meth) acrylamide, crotonamide, maleamide, fumaramide, mesaconamide, citraconamide, itaconamide; N-vinyl-ε-caprolactam, N-vinylpyrrolidone, vinyl In addition to other nitrogen-containing vinyl compounds such as rupyridine and vinylimidazole, the norbornene derivative (β), the acid-cleavable group (ii) itself has an alicyclic skeleton and an acid-cleavable group (ii) -containing polymerizable unsaturated compound And an acid-cleavable group (ii) (excluding a group having an alicyclic skeleton) -containing polymerizable unsaturated compound.
These other polymerizable unsaturated compounds can be used alone or in admixture of two or more.

また、樹脂(AIII-3)においては、例えば、(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸n−プロピル、(メタ)アクリル酸n−ブチル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸3−ヒドロキシプロピル等の(メタ)アクリル酸エステル;α−ヒドロキシメチルアクリル酸メチル、α−ヒドロキシメチルアクリル酸エチル、α−ヒドロキシメチルアクリル酸n−プロピル、α−ヒドロキシメチルアクリル酸n−ブチル等のα−ヒドロキシメチルアクリル酸エステル;(メタ)アクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、シトラコン酸、メサコン酸等の脂肪族不飽和カルボン酸類;(メタ)アクリル酸2−カルボキシエチル、(メタ)アクリル酸2−カルボキシプロピル、(メタ)アクリル酸3−カルボキシプロピル、(メタ)アクリル酸4−カルボキシブチル等のカルボキシル基含有脂肪族不飽和カルボン酸エステル類;酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、酪酸ビニル等のビニルエステル類;(メタ)アクリロニトリル、α−クロロアクリロニトリル、クロトンニトリル、マレインニトリル、フマロニトリル、メサコンニトリル、シトラコンニトリル、イタコンニトリル等の不飽和ニトリル化合物;(メタ)アクリルアミド、N,N−ジメチル(メタ)アクリルアミド、クロトンアミド、マレインアミド、フマルアミド、メサコンアミド、シトラコンアミド、イタコンアミド等の不飽和アミド化合物;N−ビニル−ε−カプロラクタム、N−ビニルピロリドン、ビニルピリジン、ビニルイミダゾール等の他の含窒素ビニル化合物等を挙げることができる。
これらの他の重合性不飽和化合物は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
In the resin (AIII-3), for example, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid (Meth) acrylic acid esters such as 2-hydroxyethyl, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate and 3-hydroxypropyl (meth) acrylate; methyl α-hydroxymethyl acrylate, ethyl α-hydroxymethyl acrylate, α Α-hydroxymethyl acrylate esters such as n-propyl hydroxymethyl acrylate and n-butyl α-hydroxymethyl acrylate; (meth) acrylic acid, crotonic acid, maleic acid, fumaric acid, itaconic acid, citraconic acid, mesacone Aliphatic unsaturated carboxylic acids such as acids; 2-carboxyethyl (meth) acrylate, Carboxyl group-containing aliphatic unsaturated carboxylic esters such as (meth) acrylic acid 2-carboxypropyl, (meth) acrylic acid 3-carboxypropyl, and (meth) acrylic acid 4-carboxybutyl; vinyl acetate, vinyl propionate, Vinyl esters such as vinyl butyrate; unsaturated nitrile compounds such as (meth) acrylonitrile, α-chloroacrylonitrile, crotonnitrile, maleinnitrile, fumaronitrile, mesaconnitrile, citracononitrile, itaconnitrile; (meth) acrylamide, N, N -Unsaturated amide compounds such as dimethyl (meth) acrylamide, crotonamide, maleamide, fumaramide, mesaconamide, citraconamide, itaconamide; N-vinyl-ε-caprolactam, N-vinylpyrrolidone, vinyl Other nitrogen-containing vinyl compounds such as rupyridine and vinylimidazole can be mentioned.
These other polymerizable unsaturated compounds can be used alone or in admixture of two or more.

樹脂(AIII)における主鎖に脂環式骨格を有する繰返し単位と側鎖に脂環式骨格を有する繰返し単位との合計含有量は、全繰返し単位に対して、通常、30〜90モル%、好ましくは40〜80モル%であり、また酸開裂性基を含有する繰返し単位の含有量は、全繰返し単位に対して、通常、10〜70モル%、好ましくは20〜60モル%である。   The total content of the repeating unit having an alicyclic skeleton in the main chain and the repeating unit having an alicyclic skeleton in the side chain in the resin (AIII) is usually 30 to 90 mol% with respect to all the repeating units, Preferably it is 40-80 mol%, and content of the repeating unit containing an acid-cleavable group is 10-70 mol% normally with respect to all the repeating units, Preferably it is 20-60 mol%.

第1発明および第2発明において、樹脂(A)としては、少なくとも主鎖に脂環式骨格を有する樹脂が好ましく、特に樹脂(AI)が好ましい。
樹脂(A)のゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によるポリスチレン換算重量平均分子量(以下、「Mw」という。)は、通常、5,000〜300,000、好ましくは5,000〜200,000、さらに好ましくは10,000〜100,000である。この場合、樹脂(A)のMwが5,000未満では、レジストとしての耐熱性が低下する傾向があり、また300,000を超えると、レジストとしての現像性が低下する傾向がある。
第1発明および第2発明において、樹脂(A)は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
In the first and second inventions, the resin (A) is preferably a resin having an alicyclic skeleton at least in the main chain, and particularly preferably a resin (AI).
The weight average molecular weight in terms of polystyrene (hereinafter referred to as “Mw”) by gel permeation chromatography (GPC) of the resin (A) is usually 5,000 to 300,000, preferably 5,000 to 200,000, More preferably, it is 10,000-100,000. In this case, if the Mw of the resin (A) is less than 5,000, the heat resistance as a resist tends to be lowered, and if it exceeds 300,000, the developability as a resist tends to be lowered.
In the 1st invention and the 2nd invention, resin (A) can be used individually or in mixture of 2 or more types.

第1発明および第2発明における樹脂(A)は、不純物が少ないほど好ましい。この不純物は、主に各樹脂を製造する際に使用される触媒に由来するものであり、レジストとしての観点から特に考慮すべき不純物の例としては、F、Cl、Br等のハロゲンや、デミングの周期律表IV族、V族、VI族、VII 族およびVIII族の金属等を挙げることができる。 この場合、樹脂中の残留ハロゲン含有量を3ppm以下、特に2ppm以下とし、また残留金属含有量を300ppb以下、特に100ppb以下とすることが好ましく、特に残留ハロゲン含有量を3ppm以下、特に2ppm以下とし、かつ残留金属含有量を300ppb以下、特に100ppb以下とすることが好ましい。これらの不純物含有量を前記値以下とすることにより、感度、解像度、プロセス安定性、パターン形状等がさらに改善される。
樹脂中の不純物を低減する方法としては、残留ハロゲンの場合、十分水洗して除去する方法を挙げることができ、また残留金属の場合、樹脂溶液の純水による洗浄あるいは液々抽出、樹脂溶液の純水による洗浄あるいは液々抽出と限外ろ過、遠心分離等の物理的精製法との組み合わせ等の方法を挙げることができる。
The resin (A) in the first and second inventions is more preferable as there are fewer impurities. This impurity is mainly derived from the catalyst used in manufacturing each resin. Examples of impurities that should be considered in particular from the viewpoint of resist include halogens such as F, Cl, Br, and deming. In the periodic table, metals of Group IV, Group V, Group VI, Group VII and Group VIII can be exemplified. In this case, the residual halogen content in the resin is preferably 3 ppm or less, particularly 2 ppm or less, and the residual metal content is preferably 300 ppb or less, particularly 100 ppb or less. In addition, the residual metal content is preferably 300 ppb or less, particularly preferably 100 ppb or less. By making these impurity contents below the above values, sensitivity, resolution, process stability, pattern shape and the like are further improved.
As a method for reducing impurities in the resin, in the case of residual halogen, a method of sufficiently washing and removing can be mentioned. In the case of residual metal, washing of the resin solution with pure water or liquid-liquid extraction, resin solution Examples of the method include a combination of washing with pure water or liquid-liquid extraction and physical purification methods such as ultrafiltration and centrifugation.

次に、第1発明における(B1)成分は、フィルムとして100〜300nmの波長範囲内の放射線に対する透過率が60%/μm以上である樹脂(以下、「樹脂(B1)」という。)からなる。
第1発明における樹脂(B1)は、前記樹脂(A)が酸開裂性基を含有しない場合は、酸開裂性基を含有しなければならない。
第1発明における感放射線性樹脂組成物を化学増幅型レジストとして使用する場合は、放射線として、波長が100〜300nmの範囲内のもの、好ましくはArFエキシマレーザー(波長193nm)あるいはKrFエキシマレーザー(波長248nm)が使用される。樹脂(B1)のArFエキシマレーザーおよびKrFエキシマレーザーに対する透過率は、好ましくは65%以上、特に好ましくは70%以上である。
Next, the component (B1) in the first invention is made of a resin (hereinafter referred to as “resin (B1)”) having a transmittance of 60% / μm or more for radiation within a wavelength range of 100 to 300 nm as a film. .
When the resin (A) does not contain an acid cleavable group, the resin (B1) in the first invention must contain an acid cleavable group.
When the radiation-sensitive resin composition in the first invention is used as a chemically amplified resist, the radiation has a wavelength in the range of 100 to 300 nm, preferably ArF excimer laser (wavelength 193 nm) or KrF excimer laser (wavelength 248 nm) is used. The transmittance of the resin (B1) with respect to the ArF excimer laser and the KrF excimer laser is preferably 65% or more, particularly preferably 70% or more.

ArFエキシマレーザーに対する透過率が60%以上である樹脂(B1)(以下、「樹脂(B1-I)」という。)としては、例えば、
(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸n−プロピル、(メタ)アクリル酸n−ブチル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸3−ヒドロキシプロピル等の(メタ)アクリル酸エステル類の単独重合体もしくはこれらの共重合体;前記(メタ)アクリル酸エステル類の1種以上と他の重合性不飽和化合物、例えば、(メタ)アクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、シトラコン酸、メサコン酸等の脂肪族不飽和カルボン酸類;(メタ)アクリル酸2−カルボキシエチル、(メタ)アクリル酸2−カルボキシプロピル、(メタ)アクリル酸3−カルボキシプロピル、(メタ)アクリル酸4−カルボキシブチル等のカルボキシル基含有脂肪族不飽和カルボン酸エステル類;酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、酪酸ビニル等のビニルエステル類;(メタ)アクリロニトリル、α−クロロアクリロニトリル、クロトンニトリル、マレインニトリル、フマロニトリル、メサコンニトリル、シトラコンニトリル、イタコンニトリル等の不飽和ニトリル化合物;(メタ)アクリルアミド、N,N−ジメチル(メタ)アクリルアミド、クロトンアミド、マレインアミド、フマルアミド、メサコンアミド、シトラコンアミド、イタコンアミド等の不飽和アミド化合物;N−ビニル−ε−カプロラクタム、N−ビニルピロリドン、ビニルピリジン、ビニルイミダゾール等の他の含窒素ビニル化合物等の1種以上との共重合体のほか、
Examples of the resin (B1) (hereinafter referred to as “resin (B1-I)”) having a transmittance with respect to an ArF excimer laser of 60% or more include:
Methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxy (meth) acrylate Homopolymers or copolymers of (meth) acrylic esters such as propyl and 3-hydroxypropyl (meth) acrylate; one or more of the (meth) acrylic esters and other polymerizable unsaturation Compounds, for example, (meth) acrylic acid, crotonic acid, maleic acid, fumaric acid, itaconic acid, citraconic acid, mesaconic acid and other aliphatic unsaturated carboxylic acids; (meth) acrylic acid 2-carboxyethyl, (meth) acrylic 2-carboxypropyl acid, 3-carboxypropyl (meth) acrylate, 4-carboxybutyl (meth) acrylate, etc. Carboxyl group-containing aliphatic unsaturated carboxylic acid esters; vinyl esters such as vinyl acetate, vinyl propionate and vinyl butyrate; (meth) acrylonitrile, α-chloroacrylonitrile, crotonnitrile, maleinnitrile, fumaronitrile, mesaconnitrile, citracone Unsaturated nitrile compounds such as nitrile and itacone nitrile; Unsaturated amide compounds such as (meth) acrylamide, N, N-dimethyl (meth) acrylamide, crotonamide, maleinamide, fumaramide, mesaconamide, citraconic amide, itaconamide; N- In addition to copolymers with one or more other nitrogen-containing vinyl compounds such as vinyl-ε-caprolactam, N-vinylpyrrolidone, vinylpyridine, vinylimidazole,

酸開裂性基(ii) を含有する樹脂(B1-I)として、例えば、
(メタ)アクリル酸t−ブチルの単独重合体、(メタ)アクリル酸t−ブチル/(メタ)アクリル酸メチル共重合体、(メタ)アクリル酸t−ブチル/(メタ)アクリル酸共重合体、(メタ)アクリル酸t−ブチル/(メタ)アクリル酸メチル/(メタ)アクリル酸共重合体、(メタ)アクリル酸t−ブチル/(メタ)アクリル酸メチル/(メタ)アクリル酸/(メタ)アクリル酸テトラヒドロピラニル共重合体、(メタ)アクリル酸t−ブチル/(メタ)アクリル酸メチル/(メタ)アクリル酸/(メタ)アクリル酸3−オキソシクロヘキシル共重合体等の(メタ)アクリル酸t−ブチルの(共)重合体;(メタ)アクリル酸テトラヒドロピラニルの単独重合体、(メタ)アクリル酸テトラヒドロピラニル/(メタ)アクリル酸メチル共重合体、(メタ)アクリル酸テトラヒドロピラニル/(メタ)アクリル酸共重合体、(メタ)アクリル酸テトラヒドロピラニル/(メタ)アクリル酸メチル/(メタ)アクリル酸共重合体、(メタ)アクリル酸テトラヒドロピラニル/(メタ)アクリル酸メチル/(メタ)アクリル酸/(メタ)アクリル酸3−オキソシクロヘキシル共重合体等の(メタ)アクリル酸テトラヒドロピラニルの(共)重合体;(メタ)アクリル酸3−オキソシクロヘキシルの単独重合体、(メタ)アクリル酸3−オキソシクロヘキシル/(メタ)アクリル酸メチル共重合体、(メタ)アクリル酸3−オキソシクロヘキシル/(メタ)アクリル酸共重合体、(メタ)アクリル酸3−オキソシクロヘキシル/(メタ)アクリル酸メチル/(メタ)アクリル酸共重合体等の(メタ)アクリル酸3−オキソシクロヘキシルの(共)重合体等を挙げることができる。
As a resin (B1-I) containing an acid-cleavable group (ii), for example,
(Meth) acrylic acid t-butyl homopolymer, (meth) acrylic acid t-butyl / (meth) methyl acrylate copolymer, (meth) acrylic acid t-butyl / (meth) acrylic acid copolymer, T-butyl (meth) acrylate / methyl (meth) acrylate / (meth) acrylic acid copolymer, t-butyl (meth) acrylate / methyl (meth) acrylate / (meth) acrylic acid / (meth) (Meth) acrylic acid such as tetrahydropyranyl acrylate copolymer, t-butyl (meth) acrylate / methyl (meth) acrylate / (meth) acrylic acid / (meth) acrylic acid 3-oxocyclohexyl copolymer (co) polymer of t-butyl; homopolymer of tetrahydropyranyl (meth) acrylate, tetrahydropyranyl (meth) acrylate / methyl (meth) acrylate copolymer , Tetrahydropyranyl (meth) acrylate / (meth) acrylic acid copolymer, tetrahydropyranyl (meth) acrylate / methyl (meth) acrylate / (meth) acrylic acid copolymer, (meth) acrylic acid (Co) polymers of tetrahydropyranyl (meth) acrylates such as tetrahydropyranyl / methyl (meth) acrylate / (meth) acrylic acid / (meth) acrylic acid 3-oxocyclohexyl copolymer; (meth) acrylic Homopolymer of 3-oxocyclohexyl acid, 3-oxocyclohexyl (meth) acrylate / methyl (meth) acrylate copolymer, 3-oxocyclohexyl (meth) acrylate / (meth) acrylic acid copolymer, ( (Meth) acrylic acid 3-oxocyclohexyl / (meth) methyl acrylate / (meth) acrylic acid copolymer, etc. (Meth) can be mentioned acrylic acid 3-oxo-cyclohexyl (co) polymer and the like.

樹脂(B1-I)のMwは、通常、3,000〜30,000、好ましくは4,000〜20,000、さらに好ましくは5,000〜15,000である。この場合、樹脂(B1-I)のMwが3,000未満では、ドライエッチング耐性が低下する傾向があり、また30,000を超えると、樹脂(A)との相溶性が悪くなり、現像性が低下する傾向がある。   The Mw of the resin (B1-I) is usually 3,000 to 30,000, preferably 4,000 to 20,000, and more preferably 5,000 to 15,000. In this case, if the Mw of the resin (B1-I) is less than 3,000, the dry etching resistance tends to decrease, and if it exceeds 30,000, the compatibility with the resin (A) is deteriorated and the developability is poor. Tends to decrease.

第1発明において、樹脂(B1)は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
第1発明における樹脂(B1)の使用量は、樹脂(A)100重量部に対して、通常、5〜50重量部、好ましくは5〜40重量部である。この場合、樹脂(B−1)の使用量が5重量部未満では、放射線に対する透過率の向上効果が不十分となるおそれがあり、また50重量部を超えると、十分なドライエッチング耐性や良好なパターン形状を得ることが困難となる傾向がある。
In the 1st invention, resin (B1) can be used individually or in mixture of 2 or more types.
The usage-amount of resin (B1) in 1st invention is 5-50 weight part normally with respect to 100 weight part of resin (A), Preferably it is 5-40 weight part. In this case, if the amount of the resin (B-1) used is less than 5 parts by weight, the effect of improving the transmittance for radiation may be insufficient, and if it exceeds 50 parts by weight, sufficient dry etching resistance or good It tends to be difficult to obtain a simple pattern shape.

また、第2発明における(B2)成分は、前記一般式(1)で表される分子量1,000以下の化合物(以下、「化合物(B2)」という。)からなる。一般式(1)において、R1 あるいはR2 が複数存在するとき、それぞれ相互に同一でも異なってもよい。
第2発明における化合物(B2)は、前記樹脂(A)が酸開裂性基を含有しない場合は、酸開裂性基を含有しなければならない。
一般式(1)において、R1 およびR2 の酸開裂性基としては、例えば、前記酸開裂性基(ii) と同様の基を挙げることができる。
第2発明における感放射線性樹脂組成物を化学増幅型レジストとして使用する場合は、放射線として、好ましくはArFエキシマレーザー(波長193nm)あるいはKrFエキシマレーザー(波長248nm)が使用される。
ArFエキシマレーザーに対して好適な化合物(B2)としては、例えば、
アダマンタンカルボン酸t−ブチル、アダマンタンカルボン酸テトラヒドロピラニル、アダマンタンカルボン酸3−オキソシクロヘキシル、アダマンタンカルボン酸t−ブトキシカルボニルメチル、アダマンチル酢酸t−ブチル、アダマンチル酢酸テトラヒドロピラニル、アダマンチル酢酸3−オキソシクロヘキシル、アダマンチル酢酸t−ブトキシカルボニルメチル、トリシクロデカニルカルボン酸t−ブチル、トリシクロデカニルカルボン酸テトラヒドロピラニル、トリシクロデカニルカルボン酸3−オキソシクロヘキシル、トリシクロデカニルカルボン酸t−ブトキシカルボニルメチル、トリシクロデカニルジカルボン酸ジ−t−ブチル、トリシクロデカニルジカルボン酸ジテトラヒドロピラニル、トリシクロデカニルジカルボン酸ジ−3−オキソシクロヘキシル、トリシクロデカニルジカルボン酸ジ−t−ブトキシカルボニルメチル、コリック酸t−ブチル、コリック酸テトラヒドロピラニル、コリック酸3−オキソシクロヘキシル、コリック酸t−ブトキシカルボニルメチル、リトコール酸t−ブチル、リトコール酸テトラヒドロピラニル、リトコール酸3−オキソシクロヘキシル、リトコール酸t−ブトキシカルボニルメチル、ジヒドロコール酸t−ブチル、ジヒドロコール酸テトラヒドロピラニル、ジヒドロコール酸3−オキソシクロヘキシル、ジヒドロコール酸t−ブトキシカルボニルメチル、1−t−ブトキシカルボニルオキシナフタレン、2−t−ブトキシカルボニルオキシナフタレン、1−カルボ−t−ブトキシメトキシナフタレン、2−カルボ−t−ブトキシメトキシナフタレン等を挙げることができる。
これらの化合物(B2)のうち、アダマンタンカルボン酸t−ブチル、アダマンタンカルボン酸t−ブトキシカルボニルメチル、アダマンチル酢酸t−ブチル、アダマンチル酢酸t−ブトキシカルボニルメチル、トリシクロデカニルカルボン酸t−ブチル、トリシクロデカニルジカルボン酸ジ−t−ブチル、コリック酸t−ブチル、コリック酸t−ブトキシカルボニルメチル、リトコール酸t−ブチル、リトコール酸t−ブトキシカルボニルメチル、ジヒドロコール酸t−ブチル、ジヒドロコール酸t−ブトキシカルボニルメチル等が好ましい。
第2発明において、化合物(B2)は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
第2発明における化合物(B2)の使用量は、樹脂(A)100重量部に対して、通常、5〜50重量部、好ましくは5〜40重量部である。この場合、化合物(B2)の使用量が5重量部未満では、放射線に対する透過率の向上効果が不十分となるおそれがあり、また50重量部を超えると、耐熱性や基板への接着性が低下する傾向がある。
なお、第1発明あるいは第2発明においては、樹脂(B1)と化合物(B2)とを併用することもできる。
The component (B2) in the second invention comprises a compound represented by the general formula (1) having a molecular weight of 1,000 or less (hereinafter referred to as “compound (B2)”). In the general formula (1), when a plurality of R 1 or R 2 are present, they may be the same or different from each other.
When the resin (A) does not contain an acid cleavable group, the compound (B2) in the second invention must contain an acid cleavable group.
In the general formula (1), examples of the acid-cleavable group for R 1 and R 2 include the same groups as the acid-cleavable group (ii).
When the radiation-sensitive resin composition in the second invention is used as a chemically amplified resist, ArF excimer laser (wavelength 193 nm) or KrF excimer laser (wavelength 248 nm) is preferably used as radiation.
As a compound (B2) suitable for the ArF excimer laser, for example,
T-butyl adamantanecarboxylate, tetrahydropyranyl adamantanecarboxylate, 3-oxocyclohexyl adamantanecarboxylate, t-butoxycarbonylmethyl adamantanecarboxylate, t-butyl adamantyl acetate, tetrahydropyranyl adamantyl acetate, 3-oxocyclohexyl adamantyl acetate, T-butoxycarbonylmethyl adamantyl acetate, t-butyl tricyclodecanylcarboxylate, tetrahydropyranyl tricyclodecanylcarboxylate, 3-oxocyclohexyl tricyclodecanylcarboxylate, t-butoxycarbonylmethyl tricyclodecanylcarboxylate , Di-t-butyl tricyclodecanyl dicarboxylate, ditetrahydropyranyl tricyclodecanyl dicarboxylate, dicyclodecanyl dicarboxylate 3-oxocyclohexyl, di-t-butoxycarbonylmethyl tricyclodecanyldicarboxylate, t-butyl cholate, tetrahydropyranyl cholate, 3-oxocyclohexyl cholate, t-butoxycarbonylmethyl cholate, t-litholic acid t- Butyl, lithocholic acid tetrahydropyranyl, lithocholic acid 3-oxocyclohexyl, lithocholic acid t-butoxycarbonylmethyl, dihydrocholate t-butyl, dihydrocholate tetrahydropyranyl, dihydrocholate 3-oxocyclohexyl, dihydrocholic acid t- Butoxycarbonylmethyl, 1-t-butoxycarbonyloxynaphthalene, 2-t-butoxycarbonyloxynaphthalene, 1-carbo-t-butoxymethoxynaphthalene, 2-carbo-t-butene Shi methoxynaphthalene, and the like.
Among these compounds (B2), t-butyl adamantanecarboxylate, t-butoxycarbonylmethyl adamantanecarboxylate, t-butyl adamantyl acetate, t-butoxycarbonylmethyl adamantyl acetate, t-butyl tricyclodecanylcarboxylate, tri Di-t-butyl cyclodecanyl dicarboxylate, t-butyl cholate, t-butoxycarbonylmethyl cholate, t-butyl lithocholic acid, t-butoxycarbonylmethyl lithocholic acid, t-butyl dihydrocholate, t-dihydrocholic acid t -Butoxycarbonylmethyl and the like are preferable.
In the second invention, the compound (B2) can be used alone or in admixture of two or more.
The usage-amount of the compound (B2) in 2nd invention is 5-50 weight part normally with respect to 100 weight part of resin (A), Preferably it is 5-40 weight part. In this case, if the amount of the compound (B2) used is less than 5 parts by weight, the effect of improving the transmittance with respect to radiation may be insufficient, and if it exceeds 50 parts by weight, the heat resistance and the adhesion to the substrate may be increased. There is a tendency to decrease.
In the first invention or the second invention, the resin (B1) and the compound (B2) can be used in combination.

酸発生剤(C)
さらに、第1発明および第2発明における(C)成分は、放射線の照射(以下、「露光」という。)により酸を発生する感放射線性酸発生剤(以下、「酸発生剤(C)」という。)からなる。
酸発生剤(C)は、露光により発生した酸の作用によって、樹脂(A)、あるいは樹脂(B1)または化合物(B2)中に存在する酸開裂性基を開裂させ、その結果レジスト被膜の露光部がアルカリ現像液に易溶性となり、ポジ型のレジストパターンを形成する作用を有するものである。
このような酸発生剤(C)としては、オニウム塩、ハロゲン含有化合物、ジアゾケトン化合物、スルホン化合物、スルホン酸化合物等を挙げることができる。
Acid generator (C)
Furthermore, the component (C) in the first and second inventions is a radiation-sensitive acid generator (hereinafter referred to as “acid generator (C)”) that generates an acid upon irradiation with radiation (hereinafter referred to as “exposure”). It consists of).
The acid generator (C) cleaves the acid-cleavable group present in the resin (A), the resin (B1) or the compound (B2) by the action of the acid generated by exposure, and as a result, the resist film is exposed. The portion becomes readily soluble in an alkali developer and has a function of forming a positive resist pattern.
Examples of the acid generator (C) include onium salts, halogen-containing compounds, diazoketone compounds, sulfone compounds, and sulfonic acid compounds.

これらの酸発生剤(C)の例としては、下記のものを挙げることができる。
オニウム塩
オニウム塩としては、例えば、ヨードニウム塩、スルホニウム塩(テトラヒドロチオフェニウム塩を含む。)、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、ピリジニウム塩等を挙げることができる。
好ましいオニウム塩の具体例としては、
ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムピレンスルホネート、ジフェニルヨードニウムドデシルベンゼンスルホネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムドデシルベンゼンスルホネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムナフタレンスルホネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムナフタレンスルホネート、(ヒドロキシフェニル)ベンゼンメチルスルホニウムトルエンスルホネート、シクロヘキシルメチル(2−オキソシクロヘキシル)スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジシクロヘキシル(2−オキソシクロヘキシル)スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジメチル(2−オキソシクロヘキシル)スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホネート、(4−ヒドロキシフェニル)ベンジルメチルスルホニウムトルエンスルホネート、
1−ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、1−ナフチルジエチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−シアノ−1−ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−ニトロ−1−ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−メチル−1−ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−シアノ−1−ナフチルジエチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−ニトロ−1−ナフチルジエチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−メチル−1−ナフチルジエチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−ヒドロキシ−1−ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、
The following can be mentioned as an example of these acid generators (C).
Onium Salt Examples of the onium salt include iodonium salts, sulfonium salts (including tetrahydrothiophenium salts), phosphonium salts, diazonium salts, and pyridinium salts.
Specific examples of preferred onium salts include
Diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, diphenyliodonium pyrenesulfonate, diphenyliodonium dodecylbenzenesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium trifluoromethanesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium dodecylbenzenesulfonate, bis (4-t -Butylphenyl) iodonium naphthalenesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium hexafluoroantimonate, triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium hexafluoroantimonate, triphenylsulfonium naphthalenesulfonate, (hydroxyphenyl) benzenemethyl Sulfonium toluenesulfonate, cyclo Xylmethyl (2-oxocyclohexyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, dicyclohexyl (2-oxocyclohexyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, dimethyl (2-oxocyclohexyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, diphenyliodonium hexafluoroantimonate, triphenylsulfonium camphorsulfonate, 4-hydroxyphenyl) benzylmethylsulfonium toluenesulfonate,
1-naphthyldimethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 1-naphthyldiethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-cyano-1-naphthyldimethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-nitro-1-naphthyldimethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-methyl-1- Naphthyldimethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-cyano-1-naphthyldiethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-nitro-1-naphthyldiethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-methyl-1-naphthyldiethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-hydroxy- 1-naphthyldimethylsulfonium trifluoromethanesulfonate,

4−ヒドロキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−メトキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−エトキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−メトキシメトキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−エトキシメトキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−(1−メトキシエトキシ)−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−(2−メトキシエトキシ)−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−メトキシカルボニルオキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−エトキシカルボニルオキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−n−プロポキシカルボニルオキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−i−プロポキシカルボニルオキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−n−ブトキシカルボニルオキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−t−ブトキシカルボニルオキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−(2−テトラヒドロフラニルオキシ)−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−(2−テトラヒドロピラニルオキシ)−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−ベンジルオキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1−(ナフチルアセトメチル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート
等を挙げることができる。
4-hydroxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 4-methoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 4-ethoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 4-methoxymethoxy- 1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 4-ethoxymethoxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 4- (1-methoxyethoxy) -1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 4- ( 2-methoxyethoxy) -1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 4-methoxycarbonyloxy 1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 4-ethoxycarbonyloxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 4-n-propoxycarbonyloxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 4-i -Propoxycarbonyloxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 4-n-butoxycarbonyloxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 4-t-butoxycarbonyloxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium Trifluoromethanesulfonate, 4- (2-tetrahydrofuranyloxy) -1-naphthyltetrahydrothiopheny Mutrifluoromethanesulfonate, 4- (2-tetrahydropyranyloxy) -1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 4-benzyloxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 1- (naphthylacetomethyl) Examples thereof include tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate.

ハロゲン含有化合物
ハロゲン含有化合物としては、例えば、ハロアルキル基含有炭化水素化合物、ハロアルキル基含有複素環式化合物等を挙げることができる。
好ましいハロゲン含有化合物の具体例としては、フェニル−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、メトキシフェニル−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、ナフチル−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン等の(トリクロロメチル)−s−トリアジン誘導体や、1,1−ビス(4−クロロフェニル)−2,2,2−トリクロロエタン等を挙げることができる。
ジアゾケトン化合物
ジアゾケトン化合物としては、例えば、1,3−ジケト−2−ジアゾ化合物、ジアゾベンゾキノン化合物、ジアゾナフトキノン化合物等を挙げることができる。
好ましいジアゾケトンの具体例としては、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホニルクロリド、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルクロリド、2,3,4,4’−テトラヒドロベンゾフェノンの1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステルまたは1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、1,1,1−トリス(4−ヒドロキシフェニル)エタンの1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステルまたは1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル等を挙げることができる。
Halogen-containing compounds Examples of halogen-containing compounds include haloalkyl group-containing hydrocarbon compounds, haloalkyl group-containing heterocyclic compounds, and the like.
Specific examples of preferred halogen-containing compounds include (trichloro, phenyl-bis (trichloromethyl) -s-triazine, methoxyphenyl-bis (trichloromethyl) -s-triazine, naphthyl-bis (trichloromethyl) -s-triazine, etc. And methyl) -s-triazine derivatives and 1,1-bis (4-chlorophenyl) -2,2,2-trichloroethane.
Diazoketone compound Examples of the diazoketone compound include a 1,3-diketo-2-diazo compound, a diazobenzoquinone compound, a diazonaphthoquinone compound, and the like.
Specific examples of preferred diazo ketones include 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonyl chloride, 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonyl chloride, 1,2, naphthoquinonediazide of 2,3,4,4′-tetrahydrobenzophenone. -4-sulfonic acid ester or 1,2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester, 1,1,1-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester of 1,1,1-tris (4-hydroxyphenyl) ethane Examples include 2-naphthoquinonediazide-5-sulfonic acid ester.

スルホン化合物
スルホン化合物としては、例えば、β−ケトスルホン、β−スルホニルスルホンや、これらの化合物のα−ジアゾ化合物等を挙げることができる。
好ましいスルホン化合物の具体例としては、4−トリスフェナシルスルホン、メシチルフェナシルスルホン、ビス(フェニルスルホニル)メタン等を挙げることができる。
スルホン酸化合物
スルホン酸化合物としては、例えば、アルキルスルホン酸エステル、アルキルスルホン酸イミド、ハロアルキルスルホン酸エステル、アリールスルホン酸エステル、イミノスルホネート等を挙げることができる。
好ましいスルホン酸化合物の具体例としては、ベンゾイントシレート、ピロガロールのトリストリフルオロメタンスルホネート、ニトロベンジル−9,10−ジエトキシアントラセン−2−スルホネート、トリフルオロメタンスルホニルビシクロ[ 2.2.1 ]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボジイミド、N−ヒドロキシスクシイミドトリフルオロメタンスルホネート、1,8−ナフタレンジカルボン酸イミドトリフルオロメタンスルホネート等を挙げることができる。
Sulfone Compound Examples of the sulfone compound include β-ketosulfone, β-sulfonylsulfone, and α-diazo compounds of these compounds.
Specific examples of preferred sulfone compounds include 4-trisphenacylsulfone, mesitylphenacylsulfone, bis (phenylsulfonyl) methane, and the like.
Sulfonic acid compounds Examples of the sulfonic acid compounds include alkyl sulfonic acid esters, alkyl sulfonic acid imides, haloalkyl sulfonic acid esters, aryl sulfonic acid esters, and imino sulfonates.
Specific examples of preferred sulfonic acid compounds include benzoin tosylate, pyrogallol tristrifluoromethanesulfonate, nitrobenzyl-9,10-diethoxyanthracene-2-sulfonate, trifluoromethanesulfonylbicyclo [2.2.1] hept-5. -Ene-2,3-dicarbodiimide, N-hydroxysuccinimide trifluoromethanesulfonate, 1,8-naphthalenedicarboxylic acid imide trifluoromethanesulfonate, and the like.

これらの酸発生剤(C)のうち、特に、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、シクロヘキシルメチル(2−オキソシクロヘキシル)スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジシクロヘキシル(2−オキソシクロヘキシル)スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジメチル(2−オキソシクロヘキシル)スルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−ヒドロキシ−1−ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−ヒドロキシ−1−ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1−(ナフチルアセトメチル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフルオロメタンスルホニルビシクロ[ 2.2.1 ]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボジイミド、N−ヒドロキシスクシイミドトリフルオロメタンスルホネート、1,8−ナフタレンジカルボン酸イミドトリフルオロメタンスルホネート等が好ましい。
第1発明および第2発明において、酸発生剤(C)は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
Among these acid generators (C), in particular, diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, cyclohexylmethyl (2-oxocyclohexyl) sulfonium trifluoro Lomethanesulfonate, dicyclohexyl (2-oxocyclohexyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, dimethyl (2-oxocyclohexyl) sulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-hydroxy-1-naphthyldimethylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-hydroxy-1-naphthyltetrahydrothiofe Nitrotrifluoromethanesulfonate, 1- (naphthylacetate Til) tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, trifluoromethanesulfonylbicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarbodiimide, N-hydroxysuccinimide trifluoromethanesulfonate, 1,8-naphthalenedicarboxylic Acid imide trifluoromethanesulfonate and the like are preferable.
In the first and second inventions, the acid generator (C) can be used alone or in admixture of two or more.

酸発生剤(C)の使用量は、レジストとしての感度および現像性を確保する観点から、樹脂(A)100重量部に対して、通常、0.1〜10重量部、好ましくは0.5〜7重量部である。この場合、酸発生剤(C)の使用量が0.1重量部未満では、感度および現像性が低下し、また10重量部を超えると、放射線に対する透明性が低下して、矩形のレジストパターンを得られ難くなる傾向がある。   The amount of the acid generator (C) used is usually 0.1 to 10 parts by weight, preferably 0.5 to 100 parts by weight of the resin (A) from the viewpoint of ensuring the sensitivity and developability as a resist. ~ 7 parts by weight. In this case, if the amount of the acid generator (C) used is less than 0.1 parts by weight, the sensitivity and developability are lowered, and if it exceeds 10 parts by weight, the transparency to radiation is lowered, and a rectangular resist pattern Tends to be difficult to obtain.

各種添加剤
第1発明および第2発明の感放射線性樹脂組成物は、酸発生剤(C)から発生する酸に対してルイス塩基として作用する化合物(以下、「ルイス塩基添加剤」という。)を配合することにより、レジストパターンの側壁の垂直性をより効果的に改善することができる。
このようなルイス塩基添加剤としては、例えば、含窒素塩基性化合物やその塩類、カルボン酸類、アルコール類等を挙げることができるが、含窒素塩基性化合物が好ましい。
前記含窒素塩基性化合物の具体例としては、トリエチルアミン、トリn−プロピルアミン、トリi−プロピルアミン、トリn−ブチルアミン、トリn−ヘキシルアミン、トリエタノールアミン、トリフェニルアミン、アニリン、N,N−ジメチルアニリン、2−メチルアニリン、3−メチルアニリン、4−メチルアニリン、4−ニトロアニリン、1−ナフチルアミン、2−ナフチルアミン、ジフェニルアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ピロリジン、ピペリジン等のアミン化合物;イミダゾール、4−メチルイミダゾール、4−メチル−2−フェニルイミダゾール、チアベンダゾール等のイミダゾール化合物;ピリジン、2−メチルピリジン、4−エチルピリジン、2−ヒドロキシピリジン、4−ヒドロキシピリジン、2−フェニルピリジン、4−フェニルピリジン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、アクリジン等のピリジン化合物;プリン、1,3,5−トリアジン、トリフェニル−1,3,5−トリアジン、1,2,3−トリアゾール、1,2,4−トリアゾール、ウラゾール等の他の含窒素複素環化合物等を挙げることができる。
これらの含窒素塩基性化合物は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
ルイス塩基添加剤の配合量は、酸発生剤(C)1モルに対して、通常、1モル以下、好ましくは0.05〜1モルである。この場合、ルイス塩基添加剤の配合量が1モルを超えると、レジストとしての感度が低下する傾向がある。
Various additives The radiation-sensitive resin compositions of the first and second inventions are compounds that act as Lewis bases with respect to acids generated from the acid generator (C) (hereinafter referred to as “Lewis base additives”). By blending, it is possible to more effectively improve the verticality of the sidewall of the resist pattern.
Examples of such Lewis base additives include nitrogen-containing basic compounds and salts thereof, carboxylic acids, alcohols and the like, with nitrogen-containing basic compounds being preferred.
Specific examples of the nitrogen-containing basic compound include triethylamine, tri-n-propylamine, tri-i-propylamine, tri-n-butylamine, tri-n-hexylamine, triethanolamine, triphenylamine, aniline, N, N -Amines such as dimethylaniline, 2-methylaniline, 3-methylaniline, 4-methylaniline, 4-nitroaniline, 1-naphthylamine, 2-naphthylamine, diphenylamine, ethylenediamine, tetramethylenediamine, hexamethylenediamine, pyrrolidine, piperidine Compound: Imidazole compounds such as imidazole, 4-methylimidazole, 4-methyl-2-phenylimidazole and thiabendazole; pyridine, 2-methylpyridine, 4-ethylpyridine, 2-hydroxypyridine, 4 Pyridine compounds such as hydroxypyridine, 2-phenylpyridine, 4-phenylpyridine, nicotinic acid, nicotinamide, quinoline, acridine; purine, 1,3,5-triazine, triphenyl-1,3,5-triazine, 1 , 2,3-triazole, 1,2,4-triazole, urazole and other nitrogen-containing heterocyclic compounds.
These nitrogen-containing basic compounds can be used alone or in admixture of two or more.
The compounding quantity of a Lewis base additive is 1 mol or less normally with respect to 1 mol of acid generators (C), Preferably it is 0.05-1 mol. In this case, if the compounding amount of the Lewis base additive exceeds 1 mol, the sensitivity as a resist tends to decrease.

さらに、第1発明および第2発明の感放射線性樹脂組成物には、必要に応じて、他の各種添加剤を配合することができる。
このような添加剤としては、例えば、塗布性、現像性等を改良する作用を示す界面活性剤を挙げることができる。
前記界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート等のノニオン系界面活性剤のほか、以下商品名で、KP341(信越化学工業製)、ポリフローNo.75,同No.95(共栄社油脂化学工業製)、エフトップEF301,同EF303,同EF352(トーケムプロダクツ製)、メガファックスF171,同F173(大日本インキ化学工業製)、フロラードFC430,同FC431(住友スリーエム製)、アサヒガードAG710,サーフロンSー382,同SCー101,同SCー102,同SCー103,同SCー104,同SCー105,同SCー106(旭硝子製)等を挙げることができる。
これらの界面活性剤は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
界面活性剤の配合量は、樹脂(A)と樹脂(B1)または化合物(B2)と酸発生剤(C)との合計100重量部に対して、通常、2重量部以下である。
また、前記以外の添加剤としては、ハレーション防止剤、接着助剤、保存安定化剤、消泡剤等を挙げることができる。
Furthermore, other various additives can be blended with the radiation sensitive resin compositions of the first invention and the second invention, if necessary.
As such an additive, for example, a surfactant exhibiting an effect of improving coatability, developability and the like can be mentioned.
Examples of the surfactant include polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene octyl phenyl ether, polyoxyethylene nonyl phenyl ether, polyethylene glycol dilaurate, polyethylene glycol distearate. In addition to nonionic surfactants such as KP341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), Polyflow No. 75, no. 95 (manufactured by Kyoeisha Yushi Chemical Co., Ltd.), F-top EF301, EF303, EF352 (manufactured by Tochem Products), Megafax F171, F173 (manufactured by Dainippon Ink & Chemicals), Florard FC430, FC431 (manufactured by Sumitomo 3M) Asahi Guard AG710, Surflon S-382, SC-101, SC-102, SC-103, SC-104, SC-105, SC-106 (manufactured by Asahi Glass) and the like.
These surfactants can be used alone or in admixture of two or more.
The blending amount of the surfactant is usually 2 parts by weight or less with respect to 100 parts by weight in total of the resin (A) and the resin (B1) or the compound (B2) and the acid generator (C).
Examples of additives other than those described above include antihalation agents, adhesion assistants, storage stabilizers, and antifoaming agents.

組成物溶液の調製
第1発明および第2発明の感放射線性樹脂組成物は、通常、その使用に際して、全固形分濃度が、例えば5〜50重量%、好ましくは10〜25重量%となるように、溶剤に溶解したのち、例えば孔径0.2μm程度のフィルターでろ過することによって、組成物溶液として調製される。
Preparation of Composition Solution The radiation-sensitive resin compositions of the first and second inventions usually have a total solid content of, for example, 5 to 50% by weight, preferably 10 to 25% by weight. Further, after being dissolved in a solvent, it is prepared as a composition solution by, for example, filtering with a filter having a pore size of about 0.2 μm.

前記組成物溶液の調製に使用される溶剤としては、例えば、
2−ブタノン、2−ペンタノン、3−メチル−2−ブタノン、2−ヘキサノン、4−メチル−2−ペンタノン、3−メチル−2−ペンタノン、3,3−ジメチル−2−ブタノン、2−ヘプタノン、2−オクタノン等の直鎖状ケトン類;
シクロペンタノン、3−メチル−2−シクロペンタノン、シクロヘキサノン、2−メチルシクロヘキサノン、2,6−ジメチルシクロヘキサノン、イソホロン等の環状ケトン類;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノn−プロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノi−プロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノn−ブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノイソブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノsec−ブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノt−ブチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類;
2−ヒドロキシプロピオン酸メチル、2−ヒドロキシプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシプロピオン酸n−プロピル、2−ヒドロキシプロピオン酸i−プロピル、2−ヒドロキシプロピオン酸n−ブチル、2−ヒドロキシプロピオン酸i−ブチル、2−ヒドロキシプロピオン酸sec−ブチル、2−ヒドロキシプロピオン酸t−ブチル等の2−ヒドロキシプロピオン酸アルキル類のほか、
Examples of the solvent used for the preparation of the composition solution include:
2-butanone, 2-pentanone, 3-methyl-2-butanone, 2-hexanone, 4-methyl-2-pentanone, 3-methyl-2-pentanone, 3,3-dimethyl-2-butanone, 2-heptanone, Linear ketones such as 2-octanone;
Cyclic ketones such as cyclopentanone, 3-methyl-2-cyclopentanone, cyclohexanone, 2-methylcyclohexanone, 2,6-dimethylcyclohexanone, isophorone; propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol Propylene glycol such as mono n-propyl ether acetate, propylene glycol mono i-propyl ether acetate, propylene glycol mono n-butyl ether acetate, propylene glycol monoisobutyl ether acetate, propylene glycol mono sec-butyl ether acetate, propylene glycol mono t-butyl ether acetate Monoalkyl ether acetates;
Methyl 2-hydroxypropionate, ethyl 2-hydroxypropionate, n-propyl 2-hydroxypropionate, i-propyl 2-hydroxypropionate, n-butyl 2-hydroxypropionate, i-butyl 2-hydroxypropionate, In addition to alkyl 2-hydroxypropionates such as sec-butyl 2-hydroxypropionate and t-butyl 2-hydroxypropionate,

n−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n−ブチルアルコール、t−ブチルアルコール、シクロヘキサノール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノ−n−プロピルエーテル、エチレングリコールモノ−n−ブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジ−n−プロピルエーテル、ジエチレングリコールジ−n−ブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノ−n−プロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノ−n−プロピルエーテル、トルエン、キシレン、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、2−ヒドロキシ−3−メチル酪酸メチル、3−メトキシブチルアセテート、3−メチル−3−メトキシブチルアセテート、3−メチル−3−メトキシブチルプロピオネート、3−メチル−3−メトキシブチルブチレート、酢酸エチル、酢酸n−プロピル、酢酸n−ブチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、3−メトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、N−メチルピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、カプロン酸、カプリル酸、1−オクタノール、1−ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、しゅう酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン等を挙げることができる。 n-propyl alcohol, isopropyl alcohol, n-butyl alcohol, t-butyl alcohol, cyclohexanol, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol mono-n-propyl ether, ethylene glycol mono-n-butyl ether, diethylene glycol Dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol di-n-propyl ether, diethylene glycol di-n-butyl ether, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol mono-n-propyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, propylene Glycol monoethyl Ether, propylene glycol mono-n-propyl ether, toluene, xylene, ethyl 2-hydroxy-2-methylpropionate, ethyl ethoxyacetate, ethyl hydroxyacetate, methyl 2-hydroxy-3-methylbutyrate, 3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl propionate, 3-methyl-3-methoxybutyl butyrate, ethyl acetate, n-propyl acetate, n-butyl acetate, methyl acetoacetate, Ethyl acetoacetate, methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, N-methylpyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, benzyl ethyl ether, dihexyl A Diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, caproic acid, caprylic acid, 1-octanol, 1-nonanol, benzyl alcohol, benzyl acetate, ethyl benzoate, diethyl oxalate, diethyl maleate, γ-butyrolactone, ethylene carbonate, Examples include propylene carbonate.

これらの溶剤は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができるが、就中、環式ケトン類、直鎖状ケトン類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類および2−ヒドロキシプロピオン酸アルキル類が好ましく、特に環式ケトン類と、直鎖状ケトン類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類および2−ヒドロキシプロピオン酸アルキル類の群から選ばれる少なくとも1種との混合溶剤が好ましい。   These solvents can be used alone or in admixture of two or more. Among them, cyclic ketones, linear ketones, propylene glycol monoalkyl ether acetates and alkyl 2-hydroxypropionate In particular, a mixed solvent of cyclic ketones and at least one selected from the group of linear ketones, propylene glycol monoalkyl ether acetates and alkyl 2-hydroxypropionates is preferable.

レジストパターンの形成方法
第1発明および第2発明の感放射線性樹脂組成物は、特に化学増幅型ポジ型レジストとして有用である。
前記化学増幅型ポジ型レジストにおいては、露光により酸発生剤(C)から発生した酸の作用によって、樹脂(A)、あるいは樹脂(B1)または化合物(B2)中の酸開裂性基が、例えば、
(ヌ)アルコキシカルボニル基が開裂してカルボキシル基に変換される反応、
(ル) アルキルカルボニルオキシ基が開裂して水酸基に変換される反応、
(ヲ)シアノ基が開裂してカルボキシル基に変換される反応、
(ワ)酸無水物基が開裂してカルボキシル基に変換される反応
等を生起し、その結果レジストの露光部のアルカリ現像液に対する溶解性が高くなり、該露光部がアルカリ現像液によって溶解、除去され、ポジ型のレジストパターンが得られる。
Method for Forming Resist Pattern The radiation-sensitive resin compositions of the first and second inventions are particularly useful as chemically amplified positive resists.
In the chemically amplified positive resist, an acid-cleavable group in the resin (A), or the resin (B1) or the compound (B2) is formed by, for example, the action of an acid generated from the acid generator (C) by exposure. ,
(Nu) Reaction in which an alkoxycarbonyl group is cleaved and converted to a carboxyl group,
(L) Reaction in which an alkylcarbonyloxy group is cleaved and converted to a hydroxyl group,
(Wo) a reaction in which the cyano group is cleaved and converted to a carboxyl group,
(W) causing a reaction in which the acid anhydride group is cleaved and converted into a carboxyl group, and as a result, the solubility of the exposed portion of the resist in the alkali developer is increased, and the exposed portion is dissolved by the alkali developer. This is removed to obtain a positive resist pattern.

第1発明および第2発明の感放射線性樹脂組成物からレジストパターンを形成する際には、感放射線性樹脂組成物を、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の適宜の塗布手段によって、例えば、シリコンウエハー、アルミニウムで被覆されたウエハー等の基板上に塗布することにより、レジスト被膜を形成し、場合により予めプレベークを行ったのち、所定のレジストパターンを形成するように該レジスト被膜に露光する。その際に使用される放射線としては、ArFエキシマレーザー(波長193nm)あるいはKrFエキシマレーザー(波長248nm)が好ましい。
第1発明および第2発明においては、露光後に加熱処理(以下、「露光後ベーク」という。)を行うことが好ましい。この露光後ベークにより、前記(ヌ)〜(ワ)等の反応が円滑に進行する。露光後ベークの加熱条件は、組成物の配合組成によって変わるが、通常、30〜200℃、好ましくは50〜170℃である。
第1発明および第2発明においては、感放射線性樹脂組成物の潜在能力を最大限に引き出すため、例えば特許文献3等に開示されているように、使用される基板上に有機系あるいは無機系の反射防止膜を形成しておくこともでき、また環境雰囲気中に含まれる塩基性不純物等の影響を防止するため、例えば特許文献4等に開示されているように、レジスト被膜上に保護膜を設けることもでき、あるいはこれらの技術を併用することもできる。
When forming a resist pattern from the radiation-sensitive resin composition of the first invention and the second invention, the radiation-sensitive resin composition is applied by appropriate application means such as spin coating, cast coating, roll coating, etc. Then, a resist film is formed by coating on a substrate such as a silicon wafer or a wafer coated with aluminum, and after pre-baking in some cases, the resist film is exposed to form a predetermined resist pattern. . The radiation used at that time is preferably an ArF excimer laser (wavelength 193 nm) or a KrF excimer laser (wavelength 248 nm).
In the first invention and the second invention, it is preferable to perform heat treatment after exposure (hereinafter referred to as “post-exposure bake”). By this post-exposure baking, the reactions (n) to (wa) proceed smoothly. The heating conditions for post-exposure baking vary depending on the composition of the composition, but are usually 30 to 200 ° C, preferably 50 to 170 ° C.
In the first invention and the second invention, in order to maximize the potential of the radiation-sensitive resin composition, as disclosed in, for example, Patent Document 3, etc., an organic or inorganic system is used on the substrate to be used. In order to prevent the influence of basic impurities contained in the environmental atmosphere, for example, as disclosed in Patent Document 4 and the like, a protective film is formed on the resist film. Can be provided, or these techniques can be used in combination.

特公平6−12452号公報Japanese Examined Patent Publication No. 6-12458 特開平5−188598号公報JP-A-5-188598

次いで、露光されたレジスト被膜を現像することにより、所定のレジストパターンを形成する。
現像に使用される現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、けい酸ナトリウム、メタけい酸ナトリウム、アンモニア水、エチルアミン、n−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、ジメチルエチルアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、コリン、1,8−ジアザビシクロ−[5.4.0]−7−ウンデセン、1,5−ジアザビシクロ−[4.3.0]−5−ノネン等のアルカリ性化合物の少なくとも1種を溶解したアルカリ性水溶液が好ましい。該アルカリ性水溶液の濃度は、通常、10重量%以下である。この場合、アルカリ性水溶液の濃度が10重量%を超えると、未露光部も現像液に溶解し、好ましくない。
また、前記アルカリ性水溶液からなる現像液には、例えば有機溶剤を添加することもできる。
Next, the exposed resist film is developed to form a predetermined resist pattern.
Examples of the developer used for development include sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, aqueous ammonia, ethylamine, n-propylamine, diethylamine, and di-n-propylamine. , Triethylamine, methyldiethylamine, dimethylethylamine, triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide, pyrrole, piperidine, choline, 1,8-diazabicyclo- [5.4.0] -7-undecene, 1,5-diazabicyclo- [ 4.3.0] An alkaline aqueous solution in which at least one alkaline compound such as 5-nonene is dissolved is preferable. The concentration of the alkaline aqueous solution is usually 10% by weight or less. In this case, if the concentration of the alkaline aqueous solution exceeds 10% by weight, the unexposed area is also dissolved in the developer, which is not preferable.
In addition, for example, an organic solvent can be added to the developer composed of the alkaline aqueous solution.

前記有機溶剤の具体例としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、3−メチル−2−シクロペンタノン、2,6−ジメチルシクロヘキサノン等のケトン類;メチルアルコール、エチルアルコール、n−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、n−ブチルアルコール、t−ブチルアルコール、シクロペンタノール、シクロヘキサノール、1,4−ヘキサンジオール、1,4−ヘキサンジメチロール等のアルコール類;テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類;酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソアミル等のエステル類;トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類や、フェノール、アセトニルアセトン、ジメチルホルムアミド等を挙げることができる。
これらの有機溶剤は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
有機溶剤の使用量は、アルカリ性水溶液に対して、100容量%以下が好ましい。この場合、有機溶剤の使用量が100容量%を超えると、現像性が低下し、露光部の現像残りが著しくなり、好ましくない。
また、アルカリ性水溶液からなる現像液には、界面活性剤等を適量添加することもできる。
なお、アルカリ性水溶液からなる現像液で現像したのちは、一般に、水で洗浄して乾燥する。
Specific examples of the organic solvent include ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclopentanone, cyclohexanone, 3-methyl-2-cyclopentanone, and 2,6-dimethylcyclohexanone; methyl alcohol, ethyl alcohol, alcohols such as n-propyl alcohol, isopropyl alcohol, n-butyl alcohol, t-butyl alcohol, cyclopentanol, cyclohexanol, 1,4-hexanediol and 1,4-hexanedimethylol; ethers such as tetrahydrofuran and dioxane And the like; esters such as ethyl acetate, butyl acetate and isoamyl acetate; aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene; phenol, acetonylacetone and dimethylformamide.
These organic solvents can be used alone or in admixture of two or more.
The amount of the organic solvent used is preferably 100% by volume or less with respect to the alkaline aqueous solution. In this case, if the amount of the organic solvent used exceeds 100% by volume, the developability deteriorates and the undeveloped residue in the exposed area becomes remarkable, which is not preferable.
In addition, an appropriate amount of a surfactant or the like can be added to the developer composed of an alkaline aqueous solution.
In addition, after developing with the developing solution which consists of alkaline aqueous solution, generally it wash | cleans with water and dries.

第1発明および第2発明の感放射線性樹脂組成物は、化学増幅型レジストとして、放射線に対する透明性が優れ、十分なドライエッチング耐性を有するとともに、特にコンタクトホールの解像度が優れ、かつパターン形状、感度、解像度等の特性バランスにも優れており、今後さらに微細化が進行すると予想される半導体デバイスの製造に極めて好適に使用することができる。   The radiation-sensitive resin compositions of the first and second inventions, as a chemically amplified resist, are excellent in transparency to radiation, have sufficient dry etching resistance, in particular, have excellent contact hole resolution, and have a pattern shape. It is also excellent in the balance of characteristics such as sensitivity and resolution, and can be used very suitably for the manufacture of semiconductor devices that are expected to be further miniaturized in the future.

以下、実施例を挙げて、本発明の実施の形態をさらに具体的に説明する。但し、本発明は、これらの実施例に何ら制約されるものではない。ここで、部および%は、特記しない限り重量基準である。
実施例および比較例における各測定・評価は、下記の要領で行った。
Mw:
東ソー(株)製GPCカラム(G2000HXL 2本、G3000HXL 1本、G4000HXL 1本)を用い、流量1.0ミリリットル/分、溶出溶媒テトラヒドロフラン、カラム温度40℃の分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)により測定した。
放射線透過率:
組成物溶液を石英ガラス上にスピンコートした乾燥膜厚1.0μmの被膜について、波長193nmにおける吸光度から、放射線透過率を算出して、遠紫外線領域における透明性の尺度とした。
Hereinafter, the embodiments of the present invention will be described more specifically with reference to examples. However, the present invention is not limited to these examples. Here, parts and% are based on weight unless otherwise specified.
Each measurement and evaluation in Examples and Comparative Examples was performed as follows.
Mw:
Using a GPC column (2 G2000HXL, 1 G3000HXL, 1 G4000HXL) manufactured by Tosoh Corporation, with a monodisperse polystyrene as the standard under the analysis conditions of flow rate 1.0 ml / min, elution solvent tetrahydrofuran, column temperature 40 ° C. Measured by gel permeation chromatography (GPC).
Radiation transmittance:
For a film having a dry film thickness of 1.0 μm obtained by spin-coating the composition solution on quartz glass, the radiation transmittance was calculated from the absorbance at a wavelength of 193 nm, and used as a measure of transparency in the far ultraviolet region.

相対エッチング速度:
組成物溶液を石英ガラス上にスピンコートした乾燥膜厚1.0μmの被膜に対して、ドライエッチング装置(日電アネルバ社製、DEM451)を用い、エッチングガスをCF4 とし、ガス流量30sccm、圧力5Pa、出力100Wの条件でドライエッチングを行い、エッチング速度を測定して、クレゾールノボラック樹脂からなる被膜のエッチング速度に対する相対値により、相対エッチング速度を評価した。エッチング速度の小さいほど、ドライエッチング耐性に優れることを意味する。
パターン形状:
線幅0.30μmのライン・アンド・スペースパターン(1L1S)の方形状断面の下辺寸法L1 と上下辺寸法L2 とを走査型電子顕微鏡により測定し、
0.85≦L2 /L1 ≦1を満足し、かつパターン形状が裾を引いていない場合を、パターン形状が良好であるとした。
Relative etching rate:
Composition solution against a dry thickness 1.0μm of film was spin-coated onto a quartz glass, a dry etching apparatus (Nichiden Anerva, DEM451) used, and the etching gas and CF 4, the gas flow rate 30 sccm, pressure 5Pa Then, dry etching was performed under the condition of an output of 100 W, the etching rate was measured, and the relative etching rate was evaluated based on the relative value with respect to the etching rate of the coating made of cresol novolac resin. The smaller the etching rate, the better the dry etching resistance.
Pattern shape:
Measure the lower side dimension L 1 and the upper and lower side dimension L 2 of the rectangular cross section of the line and space pattern (1L1S) with a line width of 0.30 μm with a scanning electron microscope,
The pattern shape was considered good when 0.85 ≦ L 2 / L 1 ≦ 1 was satisfied and the pattern shape was not trailing.

感度:
組成物をシリコーンウエハー上にスピンコートしたのち、表2に示す温度に保持したホットプレート上で90秒間プレベークを行って、膜厚0.5μmのレジスト被膜を形成した。このレジスト被膜に、(株)ニコン製ArFエキシマレーザー露光装置(レンズ開口数0.55、露光波長193nm)により、マスクパターンを介して露光した。次いで、表2に示す温度に保持したホットプレート上で90秒間露光後ベークを行ったのち、2.38%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液により、25℃で1分間現像し、水洗し、乾燥して、ポジ型レジストパターンを形成した。その際、線幅0.30μmのライン・アンド・スペースパターン(1L1S)を1対1の線幅に形成する露光量を最適露光量とし、この最適露光量を感度とした。
解像度:
最適露光量で露光したときに解像される最小のレジストパターンの寸法を解像度とした。
sensitivity:
The composition was spin-coated on a silicone wafer and then pre-baked for 90 seconds on a hot plate maintained at the temperature shown in Table 2 to form a resist film having a thickness of 0.5 μm. This resist film was exposed through a mask pattern by an ArF excimer laser exposure apparatus (lens numerical aperture 0.55, exposure wavelength 193 nm) manufactured by Nikon Corporation. Next, after 90 seconds post-exposure baking on a hot plate maintained at the temperature shown in Table 2, development was performed with a 2.38% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution at 25 ° C. for 1 minute, washed with water, and dried. A positive resist pattern was formed. At that time, an exposure amount for forming a line-and-space pattern (1L1S) having a line width of 0.30 μm in a one-to-one line width was defined as an optimum exposure amount, and this optimum exposure amount was defined as sensitivity.
resolution:
The minimum resist pattern dimension that can be resolved when exposed at the optimum exposure dose is taken as the resolution.

コンタクトホールの解像度:
シリコンウエハー上に形成したレジスト被膜に露光したのち、直ちに露光後ベークを行い、次いでアルカリ現像液で現像し、水洗し、乾燥して、レジストパターンを形成したとき、0.25μm×0.25μmの方形のレチクルを用いて断面が円形に形成されるコンタクトホールの直径が0.25μmとなる露光量を求め、この露光量で露光したときに解像されるコンタクトホールの最小直径(μm)を、コンタクトホールの解像度とした。
Contact hole resolution:
The resist film formed on the silicon wafer is exposed to light and immediately post-exposure baked, then developed with an alkaline developer, washed with water, and dried to form a resist pattern of 0.25 μm × 0.25 μm. Using a square reticle, obtain an exposure amount at which the diameter of the contact hole having a circular cross section is 0.25 μm, and determine the minimum diameter (μm) of the contact hole that is resolved when exposed at this exposure amount. The contact hole resolution was used.

合成例1
(1)8−メチル−8−メトキシカルボニルテトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エンの合成
温度180℃、圧力3.5kg/cm2 ・Gに保持した内容積50リットルの攪拌機付き反応容器に、定量ポンプを用いて、メチルメタクリレート、ジシクロペンタジエンおよび5−メチル−5−メトキシカルボニルビシクロ[ 2.2.1 ]ヘプト−2−エンを、モル比1:2.4(シクロペンタジエン単位換算):2.4の割合で、反応容器内での反応原料の滞留時間が平均8時間となるように全供給速度を毎時4kgとして、連続的に供給した。また、重合禁止剤としてp−メトキシフェノールをメチルメタクリレートに溶解して、反応原料の合計供給量に対し300ppm(重量換算)の量で供給した。
反応中は、反応生成物を、毎時4kgの速度で反応容器から抜き出して、圧力300torr、温度105℃に保持したフラッシュ蒸留塔に連続的供給し、未反応原料の一部を分離した。
前記フラッシュ蒸留塔からの留出物を、充填材(商品名スルザーパッキンBX、住友重機(株)製)の充填高さが濃縮部で119cm、回収部で102cmである塔径3インチの蒸留塔に連続的に供給して、塔頂圧力5torr、還流比1で蒸留し、前記フラッシュ蒸留塔で分離できなかった未反応原料を、塔頂から回収し、塔底からは、下記式(10)で表される8−メチル−8−メトキシカルボニルテトラシクロ[ 4.4.0.12,5
7,10 ]ドデカ−3−エンを67%含有する溶液を得た。
Synthesis example 1
(1) 8-Methyl-8-methoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1,7,10 ] Synthesis of dodec-3-ene In a reaction vessel with an internal volume of 50 liters maintained at a temperature of 180 ° C. and a pressure of 3.5 kg / cm 2 · G, a methyl methacrylate, dicyclo Pentadiene and 5-methyl-5-methoxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene are mixed in a reaction vessel at a molar ratio of 1: 2.4 (in terms of cyclopentadiene units): 2.4. The total feed rate was continuously set at 4 kg / hour so that the residence time of the reaction raw materials became an average of 8 hours. Moreover, p-methoxyphenol was dissolved in methyl methacrylate as a polymerization inhibitor and supplied in an amount of 300 ppm (weight conversion) with respect to the total supply amount of the reaction raw materials.
During the reaction, the reaction product was withdrawn from the reaction vessel at a rate of 4 kg / h and continuously supplied to a flash distillation column maintained at a pressure of 300 torr and a temperature of 105 ° C. to separate a part of the unreacted raw material.
The distillate from the flash distillation column is a distillation column having a column diameter of 3 inches in which the packing height (trade name: Sulzer Packing BX, manufactured by Sumitomo Heavy Industries) is 119 cm in the concentrating part and 102 cm in the collecting part. The unreacted raw material that could not be separated in the flash distillation column was recovered from the top of the column, and the following formula (10) was recovered from the bottom of the column. 8-methyl-8-methoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 .
A solution containing 67% of 1,7,10 ] dodec-3-ene was obtained.

Figure 2005018086
Figure 2005018086

(2)重合
攪拌機、還流冷却器および三方コックを備えたセパラブルフラスコ内を窒素置換し、窒素気流下で、8−メチル−8−メトキシカルボニルテトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン100部、5−メチル−5−メトキシカルボニルビシクロ[ 2.2.1 ]ヘプト−2−エン100部、1−ヘキセン(分子量調節剤)35部、トルエン200部を仕込み、80℃に加熱した。次いで、メタセシス触媒としてジエチルアルミニウムクロライドのトルエン溶液(濃度0.19モル/リットル)2.7部とWCl6のトルエン溶液(濃度0.025モル/リットル)1.03部を加え、80℃で3時間攪拌して重合し、下記各式で表される繰返し単位からなる樹脂(収率90%)の溶液を得た。この樹脂を、樹脂(AI-1)とする。
(2) Polymerization The inside of a separable flask equipped with a stirrer, a reflux condenser and a three-way cock was purged with nitrogen, and under a nitrogen stream, 8-methyl-8-methoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] dodec-3-ene 100 parts, 5-methyl-5-methoxycarbonylbicyclo [2.2.1] hept-2-ene 100 parts, 1-hexene (molecular weight regulator) 35 parts, toluene 200 Parts were charged and heated to 80 ° C. Next, 2.7 parts of a toluene solution of diethylaluminum chloride (concentration 0.19 mol / liter) and 1.03 part of a toluene solution of WCl 6 (concentration 0.025 mol / liter) were added as metathesis catalysts, and 3 parts at 80 ° C. Polymerization was conducted with stirring for a time to obtain a resin solution (yield 90%) composed of repeating units represented by the following formulas. This resin is referred to as “resin (AI-1)”.

Figure 2005018086
Figure 2005018086

(3)水素付加
オートクレーブに、樹脂(AI-1)400部と、水素付加触媒としてクロロヒドロカルボニルトリフェニルホスフィンルテニウム0.075部を添加し、水素ガス圧力100kg/cm2 ・G、温度165℃の条件で、4時間処理して、水素添加反応を行った。
次いで、得られた反応溶液400部とトルエン100部を別の反応容器に仕込み、乳酸0.71部と水1.15部を添加して、60℃で30分間攪拌したのち、メチルアルコール260部を添加して、60℃でさらに1時間攪拌した。その後、反応容器を室温まで冷却し、貧溶媒相(メチルアルコール相)と良溶媒相(樹脂溶液相)とに分離させたのち、貧溶媒相のみを抜き出した。その後、抜き出したメチルアルコールの4.5%に相当するメチルアルコールと55%に相当するトルエンとを、反応容器に添加して、60℃で1時間攪拌した。その後、再び室温まで冷却して、貧溶媒相と良溶媒相とに分離させ、貧溶媒相のみを抜き出した。このメチルアルコールによる抽出操作を数回繰返したのち、良溶媒相を分離し、良溶媒相から溶媒を留去して、樹脂を回収した。次いで、この樹脂をテトラヒドロフランに再溶解したのち、大量のメチルアルコールにより再凝固させ、凝固した樹脂を減圧下で乾燥して、精製樹脂を得た。
この樹脂は、NMRスペクトルにより測定した水素付加率が100%であり、下記各式で表される繰返し単位からなり、Mwが22,000のランダム共重合体であった。この樹脂を、樹脂(AI-2)とする。
(3) Hydrogenation Add 400 parts of resin (AI-1) and 0.075 part of chlorohydrocarbonyltriphenylphosphine ruthenium as a hydrogenation catalyst to the autoclave, hydrogen gas pressure 100 kg / cm 2 · G, temperature 165 ° C. The hydrogenation reaction was carried out under the conditions described above for 4 hours.
Next, 400 parts of the resulting reaction solution and 100 parts of toluene were charged into another reaction vessel, 0.71 part of lactic acid and 1.15 parts of water were added, and the mixture was stirred at 60 ° C. for 30 minutes, and then 260 parts of methyl alcohol. Was added and stirred at 60 ° C. for an additional hour. Thereafter, the reaction vessel was cooled to room temperature and separated into a poor solvent phase (methyl alcohol phase) and a good solvent phase (resin solution phase), and then only the poor solvent phase was extracted. Thereafter, methyl alcohol corresponding to 4.5% of the extracted methyl alcohol and toluene corresponding to 55% were added to the reaction vessel and stirred at 60 ° C. for 1 hour. Thereafter, the mixture was cooled again to room temperature, separated into a poor solvent phase and a good solvent phase, and only the poor solvent phase was extracted. After repeating this extraction operation with methyl alcohol several times, the good solvent phase was separated, the solvent was distilled off from the good solvent phase, and the resin was recovered. Next, this resin was redissolved in tetrahydrofuran and then re-coagulated with a large amount of methyl alcohol, and the coagulated resin was dried under reduced pressure to obtain a purified resin.
This resin was a random copolymer having a hydrogenation rate of 100% measured by NMR spectrum, consisting of repeating units represented by the following formulas, and Mw of 22,000. This resin is referred to as “resin (AI-2)”.

Figure 2005018086
Figure 2005018086

(4)加水分解
フラスコに、樹脂(AI-2)100部、プロピレングリコール200部、蒸留水10部および水酸化カリウム50部を仕込み、窒素雰囲気中185℃で、4時間加水分解を行った。次いで、反応溶液を冷却したのち、水酸化カリウムに対して1.1当量のしゅう酸2水和物を溶解した水溶液中に滴下して、樹脂を凝固させた。
この樹脂は、赤外吸収スペクトルおよび酸−アルカリ滴定により測定した加水分解率が100%であり、下記各式で表される繰返し単位からなるランダム共重合体であった。この樹脂を、樹脂(AI-3)とする。
(4) Hydrolysis 100 parts of resin (AI-2), 200 parts of propylene glycol, 10 parts of distilled water and 50 parts of potassium hydroxide were placed in a flask and hydrolyzed at 185 ° C. for 4 hours in a nitrogen atmosphere. Subsequently, after cooling the reaction solution, it was dripped in the aqueous solution which melt | dissolved 1.1 equivalent of oxalic acid dihydrate with respect to potassium hydroxide, and the resin was solidified.
This resin had a hydrolysis rate of 100% as measured by infrared absorption spectrum and acid-alkali titration, and was a random copolymer composed of repeating units represented by the following formulas. This resin is referred to as “resin (AI-3)”.

Figure 2005018086
Figure 2005018086

(5)保護基の導入
フラスコに、樹脂(AI-3)100部、テトラヒドロフラン200部、蒸留水200部、α−ブロモ酢酸t−ブチル52部および炭酸カリウム41部を仕込み、窒素雰囲気中還流下で、6時間攪拌した。次いで、酢酸エチル200部、蒸留水400部およびしゅう酸2水和物45部を添加し、攪拌したのち、静置して、有機層を分離させた。この有機層を数回水で洗浄したのち、真空下で乾燥して、精製樹脂を得た。
この樹脂は、NMRスペクトルにより測定したt−ブトキシカルボニルメチル基によるエステル化率が48%であり、下記式(11−1)〜(11−4)で表される繰返し単位からなり、各繰返し単位のモル比が、(11−1)/(11−2)/(11−3)/(11−4)=24/18/28/30であり、Mwが18,000のランダム共重合体であった。この樹脂を、樹脂(AI-4)とする。
(5) Introduction of protective group 100 parts of resin (AI-3), 200 parts of tetrahydrofuran, 200 parts of distilled water, 52 parts of t-butyl α-bromoacetate and 41 parts of potassium carbonate were placed in a flask and refluxed in a nitrogen atmosphere. And stirred for 6 hours. Next, 200 parts of ethyl acetate, 400 parts of distilled water and 45 parts of oxalic acid dihydrate were added, stirred, and allowed to stand to separate the organic layer. The organic layer was washed several times with water and then dried under vacuum to obtain a purified resin.
This resin has a rate of esterification by t-butoxycarbonylmethyl group measured by NMR spectrum of 48%, and consists of repeating units represented by the following formulas (11-1) to (11-4). Is a random copolymer having a molar ratio of (11-1) / (11-2) / (11-3) / (11-4) = 24/18/28/30 and Mw of 18,000. there were. This resin is referred to as “resin (AI-4)”.

Figure 2005018086
Figure 2005018086

合成例2
(1)8−t−ブトキシカルボニルテトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エンの合成
アクリル酸t−ブチルおよびジシクロペンタジエンをモル比3:1で用いた以外は、合成例1の(1)と同様にして、8−t−ブトキシカルボニルテトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エンを30%含有する溶液を得た。
(2)重合
合成例1の(2)で用いたセパラブルフラスコに、窒素気流下で、8−t−ブトキシカルボニルテトラシクロ[ 4.4.0.12,5 .17,10 ]ドデカ−3−エン26部、無水マレイン酸10部、アゾビスイソブチロニトリル3部およびプロピレングリコールモノメチルエーテル36部を仕込み、70℃で6時間重合した。重合終了後、反応溶液を大量のメタノール中に注いで、樹脂を凝固させ、凝固した樹脂をメタノールで数回洗浄したのち、真空乾燥して、下記各式で表される繰返し単位からなり、Mwが3,000の交互共重合体(収率52%)を得た。この共重合体を、樹脂(AI-5)とする。
Synthesis example 2
(1) 8-t-butoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] Synthesis of dodec-3-ene 8-t-butoxy in the same manner as in Synthesis Example 1 (1) except that t-butyl acrylate and dicyclopentadiene were used in a molar ratio of 3: 1. Carbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . A solution containing 30% of 1,7,10 ] dodec-3-ene was obtained.
(2) Polymerization In the separable flask used in (2) of Synthesis Example 1, 8-t-butoxycarbonyltetracyclo [4.4.0.1 2,5 . 1 7,10 ] 26 parts of dodec-3-ene, 10 parts of maleic anhydride, 3 parts of azobisisobutyronitrile and 36 parts of propylene glycol monomethyl ether were charged and polymerized at 70 ° C. for 6 hours. After completion of the polymerization, the reaction solution is poured into a large amount of methanol to solidify the resin, and the solidified resin is washed several times with methanol, and then vacuum-dried, and consists of repeating units represented by the following formulas. Of 3,000 was obtained (yield 52%). This copolymer is referred to as “resin (AI-5)”.

Figure 2005018086
Figure 2005018086

合成例3
合成例1の(2)で用いたセパラブルフラスコに、窒素気流下で、アクリル酸トリシクロデカニル60部、アクリル酸テトラヒドロピラニル35部、α−ヒドロキシメチルアクリル酸エチル11部、アゾビスイソブチロニトリル1.5部、t−ドデシルメルカプタン3部およびジメトキシエタン250部を仕込み、75℃で6時間重合した。その後、得られた樹脂をn−ヘキサンより再沈凝固させ、凝固した樹脂をろ別したのち、真空乾燥して、下記各式で表される繰返し単位からなり、Mwが11,000のランダム共重合体(収率90%)を得た。この共重合体を、樹脂(AII-1) とする。
Synthesis example 3
In a separable flask used in (2) of Synthesis Example 1, under a nitrogen stream, 60 parts of tricyclodecanyl acrylate, 35 parts of tetrahydropyranyl acrylate, 11 parts of ethyl α-hydroxymethylacrylate, azobisiso 1.5 parts of butyronitrile, 3 parts of t-dodecyl mercaptan and 250 parts of dimethoxyethane were charged and polymerized at 75 ° C. for 6 hours. Thereafter, the obtained resin is reprecipitated and solidified from n-hexane, and the solidified resin is filtered and then vacuum-dried. The resin is composed of repeating units represented by the following formulas, and Mw is 11,000. A polymer (yield 90%) was obtained. This copolymer is referred to as “resin (AII-1)”.

Figure 2005018086
Figure 2005018086

合成例4
合成例1の(2)で用いたセパラブルフラスコに、窒素気流下で、メタクリル酸t−ブチル60部、メタクリル酸メチル40部、アゾビスイソブチロニトリル2部、t−ドデシルメルカプタン1.5部およびエチレングリコールジメチルエーテル250部を仕込み、75℃で6時間重合した。その後、得られた樹脂をn−ヘキサンより再沈凝固させ、凝固した樹脂をろ別したのち、真空乾燥して、下記各式で表される繰返し単位からなり、Mwが9,200である白色のランダム共重合体(収率90%)を得た。この共重合体を、樹脂(B1-1)とする。
Synthesis example 4
In a separable flask used in Synthesis Example 1 (2), under a nitrogen stream, 60 parts of t-butyl methacrylate, 40 parts of methyl methacrylate, 2 parts of azobisisobutyronitrile, t-dodecyl mercaptan 1.5 And 250 parts of ethylene glycol dimethyl ether were charged and polymerized at 75 ° C. for 6 hours. Thereafter, the obtained resin is reprecipitated and solidified from n-hexane, and the solidified resin is filtered and then vacuum-dried. The white resin is composed of repeating units represented by the following formulas and has a Mw of 9,200. Random copolymer (yield 90%) was obtained. This copolymer is referred to as “resin (B1-1)”.

Figure 2005018086
Figure 2005018086

合成例5
合成例1の(2)で用いたセパラブルフラスコに、テトラヒドロフラン200部と蒸留水200部を仕込んだのち、リトコール酸100部、α−ブロモ酢酸t−ブチル57部および炭酸カリウム40部を溶解させ、窒素気流下で18時間還流しつつ反応させた。その後、反応溶液を室温まで冷却し、酢酸エチル400部と蒸留水400部を加えて、水層を分離したのち、有機層を水酸化カリウムの10%水溶液で2回洗浄して、未反応のリトコール酸を除去した。次いで、反応生成物を蒸留水で3回洗浄し、溶剤等を留去したのち、真空乾燥して、白色固体を得た。
この固体は、NMR測定により、リトコール酸t−ブトキシカルボニルメチル(収率96%)であると同定された。この化合物を、化合物(B2-1)とする。
Synthesis example 5
After adding 200 parts of tetrahydrofuran and 200 parts of distilled water to the separable flask used in (2) of Synthesis Example 1, 100 parts of lithocholic acid, 57 parts of α-bromoacetate and 40 parts of potassium carbonate were dissolved. The reaction was carried out under reflux for 18 hours under a nitrogen stream. Thereafter, the reaction solution was cooled to room temperature, 400 parts of ethyl acetate and 400 parts of distilled water were added, the aqueous layer was separated, and the organic layer was washed twice with a 10% aqueous solution of potassium hydroxide. Lithocholic acid was removed. Next, the reaction product was washed with distilled water three times, and the solvent and the like were distilled off, followed by vacuum drying to obtain a white solid.
This solid was identified as t-butoxycarbonylmethyl lithocholic acid (96% yield) by NMR measurement. This compound is referred to as “compound (B2-1)”.

Figure 2005018086
Figure 2005018086

合成例6
合成例1の(2)で用いたセパラブルフラスコに、ジオキサン200部を仕込んだのち、アダマンタンカルボン酸100部、ジヒドロピラン140部およびピリジニウムp−トルエンスルホネート2部を溶解させ、10℃で48時間攪拌しつつ反応させた。その後、炭酸カリウムの5%水溶液400部と酢酸エチル400部を加え、水層を分離して、有機層を3回水洗したのち、溶剤等を留去して、無色オイル状のアダマンタンカルボン酸テトラヒドロピラニル(収率90%)を得た。この化合物を、化合物(B2-2)とする。
Synthesis Example 6
After adding 200 parts of dioxane to the separable flask used in (2) of Synthesis Example 1, 100 parts of adamantanecarboxylic acid, 140 parts of dihydropyran and 2 parts of pyridinium p-toluenesulfonate are dissolved at 10 ° C. for 48 hours. The reaction was carried out with stirring. Thereafter, 400 parts of a 5% aqueous solution of potassium carbonate and 400 parts of ethyl acetate were added, the aqueous layer was separated, the organic layer was washed with water three times, the solvent and the like were distilled off, and colorless oily adamantanecarboxylate tetrahydro Pyranyl (90% yield) was obtained. This compound is referred to as “compound (B2-2)”.

Figure 2005018086
Figure 2005018086

実施例1〜4および比較例1
表1に示す各成分からなる組成物溶液を用いて形成した被膜について、放射線透過率および相対エッチング速度を評価した。
評価結果を、表1に示す。
Examples 1 to 4 and Comparative Example 1
With respect to the film formed using the composition solution composed of each component shown in Table 1, the radiation transmittance and the relative etching rate were evaluated.
The evaluation results are shown in Table 1.

実施例5〜8および比較例2
表2に示す各成分からなる組成物溶液を用いてレジストパターンを形成して、パターン形状、感度、解像度およびコンタクトホールの解像度を評価した。
評価結果を、表3に示す。
Examples 5 to 8 and Comparative Example 2
A resist pattern was formed using a composition solution composed of each component shown in Table 2, and the pattern shape, sensitivity, resolution, and contact hole resolution were evaluated.
The evaluation results are shown in Table 3.

表1および表2における樹脂(A)、樹脂(B1)および化合物(B2)以外の成分は、下記のとおりである。
(C-1) :4−ヒドロキシナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスル ホネート
(C-2) :4,4’−ジ−t−ブチルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート
(C-3) :シクロヘキシル(2−オキソシクロヘキシル)スルホニウムトリフルオロメタ ンスルホネート
(D-1) :シクロヘキサノン
(D-2) :2−ヘプタノン
(E-1) :トリn−ブチルアミン
(E-2) :ニコチン酸アミド
Components other than Resin (A), Resin (B1) and Compound (B2) in Tables 1 and 2 are as follows.
(C-1): 4-hydroxynaphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate (C-2): 4,4'-di-t-butyliodonium trifluoromethanesulfonate (C-3): cyclohexyl (2-oxocyclohexyl) ) Sulfonium trifluoromethanesulfonate (D-1): cyclohexanone (D-2): 2-heptanone (E-1): tri-n-butylamine (E-2): nicotinamide

Figure 2005018086
Figure 2005018086

Figure 2005018086
Figure 2005018086

Figure 2005018086
Figure 2005018086

Claims (1)

(A)主鎖および/または側鎖に脂環式骨格を有する樹脂、
(B)フィルムとして100〜300nmの波長範囲内の放射線に対する透過率が60%/μm以上である樹脂、および
(C)放射線の照射により酸を発生する感放射線性酸発生剤
を含有する感放射線性樹脂組成物であって、前記成分(A)と成分(B)との少なくとも一方が酸開裂性基を含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成物。
(A) a resin having an alicyclic skeleton in the main chain and / or side chain,
(B) A radiation-sensitive acid containing a resin having a transmittance of 60% / μm or more for radiation within a wavelength range of 100 to 300 nm as a film, and (C) a radiation-sensitive acid generator that generates an acid upon irradiation with radiation. A radiation-sensitive resin composition, wherein at least one of the component (A) and the component (B) contains an acid-cleavable group.
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