JP2005018014A - 移動式光導波路を具備したｍｅｍｓ可変光減衰器及び移動式光導波路の駆動方法 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明によるＭＥＭＳ可変光減衰器は全体として駆動電圧に応じて減衰量がほぼ線形的に変化するので、更に制御回路が無くても駆動電圧により減衰量を一層精密に制御する。
【解決手段】本発明は移動式光導波路を有するＭＥＭＳ可変光減衰器に関するもので、平坦な上面を有する基板６０と、前記基板６０上面に相互光軸が一致するよう整列された光送受信端６５ａ、６５ｂと、前記光送受信端６５ａ、６５ｂ間に伝送される光に対する減衰量が最大となる位置に配置された移動式光導波路９０と、前記基板６０上に配置され前記移動式光導波路９０を移動させるためのマイクロアクチュエータと、前記マイクロアクチュエータに駆動電圧を提供する電圧供給部とを含み、前記マイクロアクチュエータは前記電圧供給部から与えられる駆動電圧が増加するにつれて前記減衰量が減少するよう前記移動式光導波路９０を移動させる構造から成るＭＥＭＳ可変光減衰器を提供する。
【選択図】図１

Description

本発明は移動式光導波路を具備した可変光減衰器に関するもので、より詳しくは低い駆動電圧でもその電圧の増減に応じて減衰量を略線形的に変化させられるＭＥＭＳ可変光減衰器及びこのための移動式光導波路の駆動方法に関するものである。

最近、光通信システムが広く普及されながら、光通信機器及び光通信素子の関連技術の研究が活発に進んでいる。可変光減衰器（ｖａｒｉａｂｌｅ ｏｐｔｉｃａｌ ａｔｔｅｎｕａｔｏｒ：ＶＯＡ）はこうした光通信素子の一つとして、光送信端から光受信端に向かう光量を変化させるのに使用する素子である。かかる可変光減衰器はより安価で信頼性に優れ一層小型化されるよう、半導体工程技術を応用したＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍ）形態で製造され、これをＭＥＭＳ可変光減衰器と称する。

こうしたＭＥＭＳ可変光減衰器はシリコン基板上に形成されたマイクロアクチュエータと光遮断部を含み、前記マイクロアクチュエータにより光遮断部を移動させ、光送信端から光受信端に向かう光量中一部を遮断して所望の減衰量を発生させる方式で作動する。前記光遮断部は大きく遮断膜形態と光導波路形態とに区分できる。遮断膜は反射層で塗布された面を具備し、光送受信端間に伝送される光量を反射し遮断する方式であり、光導波路は光送受信端の光軸と一致するよう整列され得る光繊維（光ファイバー）などを利用して、そのコアを通過する光量を調節できるようその光導波路を移動させる方式である。

図４は従来の移動式光導波路を具備した可変光減衰器を示した斜視図である。図４によると、ＭＥＭＳ可変光減衰器（１５０）は、光受信端（１１５ａ）と光送信端（１１５ｂ）が整列された基板（１１０）と、固定電極部（１２０ａ、１２０ｂ）及び移動電極部（１３０）から成るマイクロアクチュエータと、前記移動電極部（１３０）に連結された移動式光導波路（１４０）とで成る。前記移動電極部（１３０）は、前記第１櫛歯部（１３１）と、前記基板（１１０）上に固定された接地電極（１３５）と、前記第１櫛歯部（１３１）と前記接地電極（１３５）とを連結する弾性体（１３７）とを含み、前記固定電極部（１２０ａ、１２０ｂ）は、各々前記第２櫛歯部（１２１ａ、１２１ｂ）と、前記第２櫛歯部（１２１ａ、１２１ｂ）と電気的に連結された駆動電極（１２５ａ、１２５ｂ）とを含む。前記第１及び第２櫛歯部（１２１ａ、１２１ｂ及び１３１）は相互噛み合う構造に配置される。

こうした可変光減衰器（１５０）は、駆動電極（１２５ａ、１２５ｂ）に電気的制御信号が入力されない状態では第１櫛歯部（１３１）と第２櫛歯部（１２１ａ、１２１ｂ）とが所定の間隔離れて位置するが、駆動電極（１２５ａ、１２５ｂ）に駆動電圧が印加されると固定電極部（１２０ａ、１２０ｂ）と移動電極部（１３０）との間に電位差が生じ、前記第１櫛歯部（１３１）と第２櫛歯部（１２１ａ、１２１ｂ）との間に静電力が形成される。

図５（Ａ）及び５（Ｂ）は図４に示したＭＥＭＳ可変光減衰器の移動式光導波路の駆動方式を説明するための概略図である。駆動電極部（１２５ａ、１２５ｂ）に駆動電圧が印加されない状態では図５（Ｂ）のように移動式光導波路（１４０）のコアが光送受信端（１１５ａ、１１５ｂ）の光軸上に整列されるよう第１櫛歯部（１２１ａ、１２１ｂ）と第２櫛歯部（１３１）が所定の間隔を離れて位置し最大光量を伝送できるようになる。次いで、駆動電極部（１２５ａ、１２５ｂ）に駆動電圧が印加されると第１櫛歯部（１２１ａ、１２１ｂ）と第２櫛歯部（１３１）との間に静電力が発生し、図５（Ｂ）のように移動式光導波路が一定の変位（δ）を有し、これにより変位された距離（光遮断距離）だけ減衰量が生じる。即ち、駆動電圧が増加するにつれて所望の減衰量を増加させることができる。このように、移動式光導波路の変位に応じて光送受信端の接続面積を調節することにより挿入損失、即ち減衰量を制御できるようになる。こうした減衰量はマイクロアクチュエータ（即ち、駆動電極部）に印加される駆動電圧に応じて線形的に変化するのが好ましい。

ところで、低い駆動電圧範囲においては線形的な変化が現れない問題がある。より具体的に図６のグラフを参照しながら説明する。図６は上述した従来のＭＥＭＳ可変光減衰器において移動式光導波路の駆動による光減衰量変化を示したグラフである。図６のように、マイクロアクチュエータに供給される駆動電圧の増加につれて減衰量が増加する傾向がある。しかし、約６Ｖ未満の低い電圧範囲においては駆動電圧に関係無く減衰量がほぼ変化しない。これは光導波路のコアと光送信端のコアとの間隔で定義される光遮断距離（ｌｉｇｈｔ ｂｌｏｃｋｉｎｇ ｄｉｓｔａｎｃｅ）による減衰量が１次元ガウス分布であり、例えば光遮断距離が５０％以上になる時点から変位の３次関数で光量が減少すると同時に、こうした光遮断距離は駆動電圧の自乗に比例するからである。結果として、駆動電圧の変化に応じた減衰量の変化は低い駆動電圧範囲においては殆ど無く、駆動電圧が高いほど高次数の減衰量変化（例えば、減衰量（ｄＢ）＝Ｖ^５）を示す。

従って、従来のＭＥＭＳ可変光減衰器においては、駆動電圧に応じた減衰量変化の線形成が確保し難いので、印加電圧を調節して所望の減衰量に正確に制御することが困難であった。

本発明は上述した従来技術の問題を解決するためのもので、その目的は、マイクロアクチュエータに印加される駆動電圧に応じて減衰量を略線形的に変化させられる移動式光導波路を具備したＭＥＭＳ可変光減衰器を提供することにある。

また、本発明の他の目的は、ＭＥＭＳ可変光減衰器において駆動電圧変化に応じて減衰量を略線形的に変化させられる移動式光導波路の駆動方法を提供することにある。

前記した技術的課題を解決すべく、本発明は、平坦な上面を有する基板と、前記基板上面に相互光軸が一致するよう整列された光送信端及び光受信端と、前記光送信端と光受信端との間に伝送される光に対する減衰量が最大となる位置に配置された移動式光導波路と、前記基板上に配置され前記移動式光導波路を移動させるためのマイクロアクチュエータと、前記マイクロアクチュエータに駆動電圧を提供する電圧供給部とを含み、前記マイクロアクチュエータは前記電圧供給部から与えられる駆動電圧の増加につれて前記減衰量が減少するよう前記移動式光導波路を移動させる構造を有するＭＥＭＳ可変光減衰器を提供する。

好ましくは、前記移動式光導波路は、駆動電圧が０の場合に前記光送受信端間に伝送される光が完全に遮断される位置に配置され、前記駆動電圧が提供され始めると前記光送受信端間に少なくとも一部の光量を伝送できる位置に移動することができる。また、本発明の好ましき実施形態においては、入力電圧に応じて減衰量変化が比例するよう具現すべく、前記電圧供給部に入力電圧が増加するにつれて出力される前記駆動電圧を減少させる差動回路部を含むことができる。さらに、本発明は、前記移動式光導波路が前記光軸方向に垂直な方向に移動する構造と前記光軸方向を中心に回転する構造の両方に適用することができる。本発明の一実施形態において、前記マイクロアクチュエータの構成は、前記基板上に配置され前記光軸に対して垂直方向に移動可能なよう形成された第１櫛歯部を具備した移動電極部と、前記基板上に固定され前記第１櫛歯部と相互噛み合う第２櫛歯部を具備した駆動電極部とを含むことができる。この場合、前記移動電極部は前記駆動電極部と前記光送受信端の光軸との間に配置されることができる。本発明の他の実施形態において、前記マイクロアクチュエータは、前記基板上に固定された駆動電極部と、前記基板上にヒンジ連結され第１端が前記駆動電極部上に浮遊しながら前記移動式光導波路が連結された第２端が上下移動するよう構成された移動電極部とを含むことができる。

また、本発明は新たな移動式光導波路の駆動方法を提供する。前記方法は、基板上面に相互光軸が一致するよう整列された光送信端と光受信端との間で伝送される光を所望の量に減衰させる移動式光導波路の駆動方法において、前記光送信端と光受信端との間に伝送される光に対する減衰量が最大となる位置に前記移動式光導波路を位置させる段階と、駆動電圧が増加するにつれて前記移動式光導波路を前記光の減衰量が減少するよう移動させる段階とを含む。好ましくは、前記移動式光導波路を移動させるための駆動電圧が入力電圧に反比例するよう提供することができる。このように、本発明の基本的な特徴は、ＭＥＭＳ可変光減衰器において移動式光導波路の初期位置をその減衰器の減衰量が最大となる位置に配置し、駆動電圧が印加されるにつれて減衰量を減少できる位置に移動させることにある。従って、本発明によるＭＥＭＳ可変光減衰器においては駆動電圧と光遮断距離の非線型的な高次数関数関係と、光遮断距離と減衰量との非線型的な高次数関数関係を相殺させることにより、最終的な駆動電圧による減衰量変化をほぼ１次函数関係に近い線形成を確保することにより減衰量制御の精密性を保障することができる。

上述したように、本発明によるＭＥＭＳ可変光減衰器は、最大減衰量を有する位置に移動式光導波路を配置し、駆動電圧の増加に応じて減衰量が減少するようマイクロアクチュエータを駆動させることにより低い電圧範囲でも顕著な減衰量変化を得られ、全体として駆動電圧に応じた減衰量変化の線形性を確保することができる。従って、本発明は、別途の電圧制御回路が無くても駆動電圧を利用して減衰量を正確に制御することのできるＭＥＭＳ可変光減衰器を提供することができる。

以下、添付の図面を参照しながら、本発明の実施形態をより詳しく説明する。図１（Ａ）は本発明の一実施形態によるＭＥＭＳ可変光減衰器の斜視図である。本実施形態によるＭＥＭＳ可変光減衰器は櫛型アクチュエータに具現した例である。図１（Ａ）によると、ＭＥＭＳ可変光減衰器（１００）は、光受信端（６５ａ）及び光送信端（６５ｂ）が整列された基板（６０）と、固定電極部（７０）及び移動電極部（８０）から成るマイクロアクチュエータと、前記移動電極部（８０）に連結された移動式光導波路（９０）とで成る。前記移動電極部（８０）は、前記基板（６０）上に固定された接地電極（８５）と、前記接地電極（８５ａ、８５ｂ）に弾性構造物（８７ａ、８７ｂ）で連結された第１櫛歯部（８１）とを含み、前記移動電極部（８０）の一端には移動式光導波路（９０）が設けられている。また、前記固定電極部（７０）は、前記第２櫛歯部（７１）と、前記第２櫛歯部（７１）に連結された駆動電極（７５）とを含み、前記第２櫛歯部（７１）は前記第１ 櫛歯部（８１）と相互噛み合う構造を有する。

本発明によるＭＥＭＳ可変光減衰器（１００）において、前記移動式光導波路（９０）の初期位置は光送受信端（６５ａ、６５ｂ）の間に伝送される光が予め設定された最大値で減衰され得る位置に配置される。好ましくは、最大減衰量を有する位置は、駆動電圧が印加されない時は伝送される光を実質的に完全に遮断しながら、一旦駆動電圧が印加され始めると、少なくとも一部の光を伝送できる状態に変更され得る位置に設定する。

これにより、前記可変光減衰器（１００）は駆動電極（７５）に電圧供給部（図示せず）から駆動電圧を供給しない場合は最大減衰量で光送受信端（６５ａ、６５ｂ）間の光を遮断するが、駆動電極（７５）に駆動電圧が印加されると、前記第１櫛歯部（８１）と第２櫛歯部（７１）との間に静電力が形成され、移動式光導波路（９０）が矢印方向に移動して減衰量を減少させる方式に具現される。

以下、図１（Ｂ）を参照しながら本発明によるＭＥＭＳ可変光減衰器の移動式光導波路の駆動方式を詳しく説明する。図１（Ｂ）は各々本発明の一実施形態によるＭＥＭＳ可変光減衰器の斜視図と移動式導波路の駆動を示した部分断面図である。図１（Ｂ）によると、駆動電圧が印加されない状態において光送信端（６５ｂ）と光受信端（６５ａ）との間に伝送される光が完全に遮断されるよう移動式光導波路（９０）が配置される。ここで、移動式光導波路（９０）の初期位置は所定の方向に極微細な移動が発生すると、光送受信端（６５ａ、６５ｂ）から伝送される光がそのコアを通過して減衰量が減衰し始める位置となる。

一旦、所定の駆動電圧がマイクロアクチュエータに与えられ図１（Ａ）において移動式光導波路（９０）が連結された第２櫛歯部（７１）が第１櫛歯部（８１）に向って移動すると、前記移動式光導波路（９０）のコアは伝送される光が通過され得る位置に移動する。従って、初期（駆動電圧が０Ｖの状態）に設定された最大減衰量を減少させ、所定の駆動電圧に到ると、前記移動式光導波路（９０）は点線で表示されるように減衰量が０となる位置に移動することができる。

また、本発明は図１（Ａ）に示したＭＥＭＳ可変光減衰器の構造と異なるマイクロアクチュエータにも適用することができる。即ち、基板上に固定された駆動電極部と、基板上にヒンジ連結されて１端が前記駆動電極部上に浮遊しながら前記移動式光導波路が連結された第２端が上下移動するよう構成された移動電極部とを含む平板型マイクロアクチュエータを有するＭＥＭＳ可変光減衰器にも同じく適用することができる。

本発明によるＭＥＭＳ可変光減衰器に適用される原理は、駆動電圧及び光遮断距離の高次関数関係と光遮断距離及び減衰量の高次関数関係とを相殺させることにより比較的線形性に近い駆動電圧と減衰量との関係を得ることにある。

具体的に、駆動電圧（Ｖ）による駆動力（Ｆ）は、
Ｆ＝ｅｎ_ｃｔ／ｇ×Ｖ^２ （ｅ：誘電率、ｎ_ｃ：コムの個数、ｔ：コムの厚さ、ｇ：コム同士の間隔）で定義され、
前記駆動力の関係式から光導波路の移動変位（ｄ）は、
ｄ［μｍ］＝ｆ／ｋ＝ｅｎ_ｃｔ／（ｋｄ）×Ｖ^２ （ｋ：弾性構造物の弾性係数）である。

従って、駆動電圧（Ｖ）と光導波路の移動変位（ｄ）との関係は、
ｄ［μｍ］∝Ｖ^２
で表現することができる。

さらに、減衰量（Ａ）は光導波路の移動変位により定義され得る光遮断距離（δ）と高次関数関係にあり、例えば三次関数の
Ａ［ｄＢ］＝ａδ^３ ＋ｂδ^２ ＋ｃδ＋ｄ（ａ、ｂ、ｃ、ｄは定数）
で表現することができる。

結果として、駆動電圧による最終的な減衰量は初期減衰量が０の位置から駆動電圧の印加につれて減衰量が増加する従来の駆動方式によると、
Ａ［ｄＢ］＝αＶ^５＋βＶ^４＋γＶ^３＋εＶ^２ ＋ｄ（α、β、γ、εは定数）
で示される。

このような光遮断距離と駆動電圧及び光遮断距離と減衰量との関係による最終的な駆動電圧と減衰量との関係は図２（Ａ）に示した概略的なグラフから一層容易に理解できるであろう。

他方、本発明のように、駆動電圧が０の場合の減衰量が最大となる光遮断距離（δｍａｘ）を有するよう移動式光導波路を配置し、駆動電圧の増加につれて光遮断距離を減少させる方式とする場合、駆動電圧と光遮断距離との関係は
ｄ［μｍ］＝１／ＫＶ^２
で表現することができる。

従って、図２（Ｂ）に概略的に示したように、光遮断距離と減衰量との関係が図２（Ａ）と同一な場合、最終的な駆動電圧による減衰量関係は反比例しながらもほぼ線形的な関係を示すことができる。

このように、ＭＥＭＳ可変光減衰器の構造を、初期に最大減衰量を有するよう配置された移動式光導波路を具備し電圧の印加により移動式光導波路が光伝送量を増加させるよう構成することにより、全体として比較的線形的な駆動電圧と減衰量との関係を得ることができる。その結果、低い電圧範囲において減衰量変化が得られ、さらなる電圧制御装置が無くてもより精密な減衰量の制御を実現することができる。

具体的に本発明によるＭＥＭＳ可変光減衰器において駆動電圧による減衰量の変化を図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示した。図３（Ａ）は移動式光導波路が光送受信端の光軸方向の垂直になるよう移動する直線駆動型減衰器における結果で、図３（Ｂ）は移動式光導波路が光送受信端の光軸方向に沿って一定の角度でオフセットされるよう移動する回転駆動型減衰器における結果である。また、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に用いられた移動式光導波路は屈折率１．４５０１、８μｍ辺長の正方形コア及び屈折率１．４４５、３０μｍ辺長の正方形クラッドから成る。また、充分な減衰量を示すよう図３（Ａ）では長さ１６００μｍを有する光導波路を、図３（Ｂ）では長さ２５００μｍを有する光導波路を使用した。

図３（Ａ）と図３（Ｂ）のグラフによると、全体として駆動電圧の増加につれて減衰量が減少することがわかる。即ち、初期に駆動電圧が０の際は最大減衰量（各々４４ｄＢ、４６ｄＢ）を示すが、駆動電圧が増加するにつれてほぼ線形的に減少し、結果として所定の駆動電圧（１９Ｖ）で減衰量が０となる。

このように、駆動電圧と減衰量との関係がほぼ線形的に変化し、とりわけ６Ｖ以下の低い駆動電圧範囲でも減衰量変化が顕著になり、低い減衰量範囲（１５ｄＢ）でも駆動電圧の変化に応じて減衰量がほぼ線形的に変化することがわかる。

本発明においては駆動電圧と減衰量との線形性を維持しながら、入力電圧に比例して減衰量が増減するよう電圧供給部の構成を変更することができる。即ち、電圧供給部に入力電圧（Ｖ_ｉ）に対して所定の最大電圧（Ｖ_ｍａｘ）との差に該当する駆動電圧が出力されるよう差動駆動増幅器をさらに具備することにより、入力電圧に比例して減衰量が発生するようマイクロアクチュエータを駆動させることができる。ここで、前記所定の最大電圧とは、移動式光導波路を減衰量が０となる位置に移動させられる電圧のことである。このような電圧供給部を用いた実施形態においては、電圧による減衰量の線形性を維持しながら実質的な入力電圧に比例するよう減衰量を増減できる利点を奏する。

本発明は上述した実施形態及び添付の図面により限定される訳ではなく、添付の請求の範囲により限定され、請求の範囲に記載の本発明の技術的思想を外れない範囲内で多様な形態の置換、変形及び変更が可能なことは当技術分野において通常の知識を有する者には自明であろう。

（Ａ）及び（Ｂ）は各々本発明の一実施形態によるＭＥＭＳ可変光減衰器の斜視図と移動式導波路の駆動を示した部分断面図である。 （Ａ）及び（Ｂ）は各々従来のＭＥＭＳ可変光減衰器と本発明によるＭＥＭＳ可変光減衰器における駆動電圧、光遮断距離及び減衰量の関係を示したグラフである。 （Ａ）及び（Ｂ）は本発明によるＭＥＭＳ可変光減衰器における移動式光導波路の駆動による光減衰量変化を示したグラフである。 従来のＭＥＭＳ可変光減衰器の斜視図である。 （Ａ）ないし（Ｂ）は従来のＭＥＭＳ可変光減衰器における移動式光導波路の駆動を示した概略断面図である。 従来のＭＥＭＳ可変光減衰器における移動式光導波路の駆動による光減衰量変化を示したグラフである。

符号の説明

６０ 基板
６２ 酸化物層
６５ａ、６５ｂ 光送受信端
７０ 駆動電極部
７１、８１ 櫛歯部
７５ 固定電極
８０ 移動電極部
８７ａ、８７ｂ 弾性構造物
８５ａ、８５ｂ 接地電極
９０ 移動式光導波路
１００ ＭＥＭＳ可変光減衰器

Claims (13)

1. 平坦な上面を有する基板と、
   前記基板上面に相互光軸が一致するよう整列された光送信端と光受信端と、
   前記光送信端と光受信端間に伝送される光に対する減衰量が最大となる位置に配置された移動式光導波路と、
   前記基板上に配置されて前記移動式光導波路を移動させるためのマイクロアクチュエータと、
   前記マイクロアクチュエータに駆動電圧を供給する電圧供給部とを含み、
   前記マイクロアクチュエータは前記電圧供給部から供給される駆動電圧の増加に伴い前記減衰量が減少するよう前記移動式光導波路を移動させる構造を有することを特徴とするＭＥＭＳ可変光減衰器。
2. 前記移動式光導波路は、駆動電圧が０の場合に前記光送受信端間に伝送される光を完全に遮断する位置に配置され、前記駆動電圧が供給され始めると前記光送受信端間に少なくとも一部の光量を伝送できる位置に移動されることを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳ可変光減衰器。
3. 前記電圧供給部は、入力電圧の増加に伴い出力される前記駆動電圧を減少させる差動回路部を含むことを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳ可変光減衰器。
4. 前記移動式光導波路は前記光軸方向に垂直な方向に移動するよう構成されることを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳ可変光減衰器。
5. 前記移動式光導波路は前記光軸方向を中心に回転するよう構成されることを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳ可変光減衰器。
6. 前記マイクロアクチュエータは、
   前記基板上に配置され、前記光軸に対して垂直方向に移動できるよう形成された第１櫛歯部を具備した移動電極部と、
   前記基板上に固定され、前記第１櫛歯部と噛み合う第２櫛歯部を具備した駆動電極部と、
   を有することを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳ可変光減衰器。
7. 前記移動電極部は前記駆動電極部と前記光送受信端の光軸との間に配置されたことを特徴とする請求項６に記載のＭＥＭＳ可変光減衰器。
8. 前記マイクロアクチュエータは、
   前記基板上に固定された駆動電極部と、
   前記基板上にヒンジ連結されて第１端が前記駆動電極部上に浮遊しながら前記移動式光導波路が連結された第２端が上下移動するよう構成された移動電極部と、
   を有することを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳ可変光減衰器。
9. 基板上面に相互光軸が一致するよう整列された光送信端と光受信端間に伝送される光が所望の量で減衰される移動式光導波路の駆動方法において、
   前記光送信端と光受信端間に伝送される光に対する減衰量が最大となる位置に前記移動式光導波路を位置させる段階と、
   駆動電圧の増加に伴い前記移動式光導波路を前記光減衰量が減少するよう移動させる段階と、
   を有することを特徴とする移動式光導波路の駆動方法。
10. 前記移動式光導波路の位置は、初期に駆動電圧が０の場合に前記光送受信端間に伝送される光を完全に遮断し、前記駆動電圧が供給され始めると前記光送受信端間に少なくとも一部の光量を伝送できる位置であることを特徴とする請求項９に記載の移動式光導波路の駆動方法。
11. 前記移動式光導波路を移動させるための駆動電圧は入力電圧に反比例することを特徴とする請求項９に記載の移動式光導波路の駆動方法。
12. 前記移動式光導波路を移動させる段階は、前記移動式光導波路を前記光軸方向に垂直な方向に移動させる段階であることを特徴とする請求項９に記載の移動式光導波路の駆動方法。
13. 前記移動式光導波路を移動させる段階は、前記移動式光導波路を前記光軸方向を中心に回転するよう移動させることを特徴とする請求項９に記載の移動式光導波路の駆動方法。

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