JP2005005757A - Synchronizing circuit and semiconductor chip employing same - Google Patents

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JP2005005757A
JP2005005757A JP2003163579A JP2003163579A JP2005005757A JP 2005005757 A JP2005005757 A JP 2005005757A JP 2003163579 A JP2003163579 A JP 2003163579A JP 2003163579 A JP2003163579 A JP 2003163579A JP 2005005757 A JP2005005757 A JP 2005005757A
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Takehiro Shimada
岳洋 島田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a synchronizing circuit for quickly alleviating a power supply voltage drop caused in a power supply by using capacitors each with a comparatively small capacitance, and to provide a semiconductor chip employing the same. <P>SOLUTION: The synchronizing circuit is provided with the capacitors C1, C2 and transmission gates S1 to S3. Since the transmission gates S1, S2 are in a conductive state and the transmission gate S3 is in a cut-off state when a clock signal CLK 2 is at an L level, the capacitors C1, C2 respectively store electric charges VDD 1×C<SB>C1</SB>, VDD 1×C<SB>C2</SB>. Then when the clock signal CLK 2 changes to an H level, since the transmission gates S1, S2 are in a cut-off state and the transmission gate S3 is in a conductive state, the electric charges stored in the capacitors C1, C2 are both decreased to VDD 1×C<SB>C1</SB>×C<SB>C2</SB>/(C<SB>C1</SB>+C<SB>C2</SB>). <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は同期回路およびそれを用いた半導体チップに関し、特に、周期的に発生する電源ノイズを緩和するための技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
同期回路においては、クロック信号入力に同期して回路の大半が同時に動作する。よって周期的に電源の供給能力を上回る電流が流れ、電源電圧にスパイク状の電圧降下が発生する。そのため、回路に供給される電圧が低下し、一時的に回路性能が劣化する。従来の同期回路では、電源ノードとGNDノードとの間にデカップリング容量を持たせ、電圧降下時に電源ノードへ電荷を供給することで対応していた。デカップリング容量を用いた同期回路の例は、例えば特許文献1〜2に開示されている。
【0003】
【特許文献1】
特開2001−168223号公報
【特許文献2】
特開2001−14848号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
特許文献1〜2に開示されている同期回路においては、充電を行う際にデカップリング容量に印加される電圧は、回路に供給される電源電圧以下の大きさである。そのため、所定量の電荷を蓄積させるためには、比較的に大容量が必要になってしまうという問題点があった。また、特許文献1に開示されている同期回路においては、電荷の放出が電圧降下量にのみ依存して受動的に起こるため、電源電圧降下から電荷の供給までに時間差が生じるという問題点があった。
【0005】
本発明は以上の問題点を解決するためになされたものであり、電源において発生する電源電圧降下を、比較的に小さい容量を用いて速やかに緩和するための同期回路およびそれを用いた半導体チップを提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、請求項1に記載の発明に係る同期回路は、所定の周期を有する第一クロック信号に基づき所定の処理を行う処理回路と、前記処理回路に所定の大きさの第一電源電圧を供給するための第一の電源線と、一極が前記第一の電源線に接続された第一容量と、一端が前記第一容量の他極に接続され他端が接地線に接続された第一スイッチ素子と、一極が接地線に接続された第二容量と、一端が前記第二容量の他極に接続され他端が前記第一の電源線と前記第一容量の一極とに接続された第二スイッチ素子と、一端が前記第一容量の他極と前記第一スイッチ素子の一端とに接続され他端が前記第二容量の他極と前記第二スイッチ素子の一端とに接続された第三スイッチ素子とを備え、前記第一乃至第三スイッチ素子は、所定の周期を有する第二クロック信号に基づき動作する。
【0007】
また、請求項2に記載の発明に係る同期回路は、所定の周期を有する第一クロック信号に基づき所定の処理を行う処理回路と、前記処理回路に所定の大きさの第一電源電圧を供給するための第一の電源線と、一極が前記第一の電源線に接続された第一容量と、一端が前記第一容量の他極に接続され他端が接地線に接続された第一スイッチ素子と、一極が接地線に接続された第二容量と、前記第二容量に所定の大きさの第二電源電圧を供給するための第二の電源線と、一端が前記第二容量の他極に接続され他端が前記第二の電源線に接続された第二スイッチ素子と、一端が前記第一容量の他極と前記第一スイッチ素子の一端とに接続され他端が前記第二容量の他極と前記第二スイッチ素子の一端とに接続された第三スイッチ素子とを備え、前記第一乃至第三スイッチ素子は、所定の周期を有する第二クロック信号に基づき動作する。
【0008】
また、請求項3に記載の発明に係る同期回路は、所定のクロック周期を有する第一クロック信号に基づき所定の処理を行う処理回路と、前記処理回路に所定の大きさの第一電源電圧を供給するための第一の電源線と、前記第一電源電圧より大きい第三電源電圧を供給するための第三の電源線と、一端が前記第一の電源線に接続された抵抗素子と、一端が前記抵抗素子の他端に接続され他端が前記第三の電源線に接続された第四スイッチ素子とを備え、前記第四スイッチ素子は、所定の周期を有する第二クロック信号に基づき動作する。
【0009】
また、請求項4に記載の発明に係る同期回路は、所定のクロック周期を有する第一クロック信号に基づき所定の処理を行う処理回路と、前記処理回路に所定の大きさの第一電源電圧を供給するための第一の電源線と、前記第一電源電圧より大きい第三電源電圧を供給するための第三の電源線と、一端が前記第一の電源線に接続された第五スイッチ素子と、一端が前記第五スイッチ素子の他端に接続され他端が前記第三の電源線に接続された第六スイッチ素子と、一極が接地線に接続され他極が前記第五スイッチ素子の他端と前記第六スイッチ素子の一端とに接続される第三容量とを備え、前記第五乃至第六スイッチ素子は、所定の周期を有する第二クロック信号に基づき動作する。
【0010】
また、請求項5に記載の発明に係る同期回路は、所定のクロック周期を有する第一クロック信号に基づき所定の処理を行う処理回路と、前記処理回路に所定の大きさの第一電源電圧を供給するための第一の電源線と、一極が前記第一の電源線に接続された第四容量と、出力が前記第四容量の他極に接続されたインバータと、前記インバータを駆動するための第二の電源線とを備え、前記インバータの入力は、所定の周期を有する第二クロック信号が与えられる。
【0011】
【発明の実施の形態】
<実施の形態1>
図1に、本発明の実施の形態1に係る同期回路の構成を示す。この構成は、同期回路の処理回路200の電源線1(第一の電源線)と接地線との間に、処理回路200において電荷が不足する期間(遷移期間)に処理回路200に電荷を供給し、処理回路200において電荷が不足しない期間(保持期間)に処理回路200から電荷を充電する緩和回路100を設けたことを特徴とする。ここで、遷移期間とは、処理回路200の大半がクロック信号CLK1のエッジに同期して動いている期間のことであり、保持期間とは、遷移期間以外の期間のことである。以下、この構成について詳細に説明する。
【0012】
図1に示すように、電源線1は、処理回路200に接続され、処理回路200に、所定の大きさの電源電圧VDD1(第一電源電圧)を供給するためのものである。処理回路200は、所定の周期を有するクロック信号CLK1(第一クロック信号)に基づき所定の処理を行うためのものである。電源線1には、容量C1(第一容量)の一極が接続されている。容量C1の他極は、接点N1において、トランスミッションゲートS1のドレインに接続されている。トランスミッションゲートS1のソースは接地線に接続されている。
【0013】
また容量C2(第二容量)は、一極が接地線に接続され、他極が接点N2においてトランスミッションゲートS2のソースに接続されている。トランスミッションゲートS2のドレインは、接点N3において電源線1と容量C1の一極とに接続されている。
【0014】
また、トランスミッションゲートS3は、ドレインが接点N1に接続されソースが接点N2に接続されている。
【0015】
トランスミッションゲートS1,S2は、PMOSゲートにクロック信号CLK2(第二クロック信号)が、NMOSゲートにクロック信号CLK2の反転信号が入力される。また、トランスミッションゲートS3は、NMOSゲートにクロック信号CLK2が、PMOSゲートにクロック信号CLK2の反転信号が入力される。即ち、トランスミッションゲートS1〜S3は、第一乃至第三スイッチ素子としてそれぞれ機能する。
【0016】
また、容量C1,C2は、それぞれ静電容量値CC1,CC2を有するものとする。
【0017】
次に、図1に示される同期回路の動作について説明する。
【0018】
まず、図2(a)に、処理回路200に入力されるクロック信号CLK1を示す。また、図2(b)に、クロック信号CLK1に同期して発生する電源電圧VDD1のスパイク状の電圧降下の例を示す。図2(b)においては、クロック信号CLK1の立ち上がり及び立ち下がりの両エッジに同期して電圧降下が発生している。以下で説明するように、スイッチ素子S1〜S3に、図2(c)に示すような、クロック信号CLK1の半分の周期を有するクロック信号CLK2を入力することにより、容量C1,C2は、この電圧降下に対応したタイミングで、電源電圧VDD1に電荷を供給するように動作する。
【0019】
まず、処理回路200が保持期間、即ちクロック信号CLK2がLレベルである場合について説明する。このとき、トランスミッションゲートS1,S2は導通状態となり、トランスミッションゲートS3は遮断状態となるので、接点N1の電位は0、接点N2,N3の電位はVDD1となる。従って、容量C1,C2の両極の電位差値はどちらもVDD1となるので、容量C1,C2には電荷VDD1×CC1,VDD1×CC2がそれぞれ貯められる。即ち、容量C1,C2は、電源電圧VDD1により充電される。
【0020】
次に、この状態から、処理回路200が遷移期間、即ちクロック信号CLK2がHレベルに変化した場合について説明する。このとき、トランスミッションゲートS1,S2は遮断状態となり、トランスミッションゲートS3は導通状態となるので、接点N3の電位はVDD1のままであるが、接点N1,N2の電位はVDD1×CC1/(CC1+CC2)となる。従って、容量C1,C2の両極の電位差値はそれぞれVDD1×CC2/(CC1+CC2)、VDD1×CC1/(CC1+CC2)に減少するので、容量C1,C2に貯められる電荷もいずれもVDD1×CC1×CC2/(CC1+CC2)に減少する。即ち、容量C1,C2に貯められた電荷の減少分が、電源電圧VDD1に供給されたことになる。
【0021】
上記のクロック信号CLK2のLレベルからHレベルへの変化において、変化した直後の接点N3の電位は2VDD1であるが、電荷の移動に伴い接点N3の電位は降下していき、VDD1に落ち着く。即ち、この同期回路においては、電源電圧VDD1に対して電源電圧VDD1より高い電圧を印加することにより、電源電圧VDD1に電荷が供給されることになる。
【0022】
上記したように、この同期回路においては、処理回路200の遷移期間と保持期間とに対応して、容量C1,C2の電荷の充電と放電とが繰り返される。これにより、図2(b)に示すような電圧降下を緩和することができる。
【0023】
図2(d)に、緩和回路100により電圧降下を緩和された電源電圧VDD1を示す。クロック信号CLK2の立ち下がりのエッジに同期して、容量C1,C2を充電することによる電圧降下が発生しているものの、クロック信号CLK1の立ち上がり及び立ち下がりの両エッジに同期して発生している電圧降下は大幅に緩和されている。
【0024】
一般的な同期回路においては、電圧降下は図2(b)に示すようにクロック信号CLK1の立ち上がり及び立ち下がりの両エッジに同期する。ここで、電圧降下が図2(e)に示すようにクロック信号CLK1の立ち上がりのエッジのみに同期する場合には、クロック信号CLK2に代えて、図2(f)に示すようにクロック信号CLK1と同一の周期を有するクロック信号CLK3を用いてもよい。このクロック信号CLK3としては、クロック信号CLK1をそのまま用いてもよい。
【0025】
また、図2(c),(f)においては、クロック信号CLK2,CLK3は、クロック信号CLK1と同一の位相を有しているが、例えば図2(g),(h)に示すようにΔtに対応して位相が進んでいてもよい。この場合には、Δtの値を調整することにより、処理回路200の大半が動作し始める瞬間に容量C1,C2から電源電圧VDD1に供給される電荷の量を、最大にすることができる。
【0026】
このように、本実施の形態に係る同期回路においては、処理回路200が電荷を消費するタイミングに合わせて、電源電圧VDD1以上の電圧を用いて能動的に電荷を供給する。従って、遷移期間における電源電圧VDD1の電圧降下を、比較的に小さい容量を用いて速やかに緩和できる。よって、それに伴う処理回路200の動作速度の低下を抑えることができるという効果を有する。
【0027】
また、一つのダイに同期回路と電荷供給源の回路が共存しているので、アセンブリのワイヤやリードの寄生抵抗、インダクタンスが電荷供給源に与える影響を小さくできるという効果を有する。
【0028】
また、図1においては、電源供給時に直列になるように2つの容量C1,C2を接続しているが、容量の個数は2つに限らず3つ以上であってもよい。図3は、図1に示される緩和回路100に、容量C5およびトランスミッションゲートS7〜S9を追加した緩和回路110の構成を示したものである。
【0029】
<実施の形態2>
図4に、本発明の実施の形態2に係る同期回路の構成を示す。この構成は、実施の形態1において、容量C1および容量C2をそれぞれ別の電源線1および電源2(第二の電源線)に接続したことを特徴とする。以下、この構成について詳細に説明する。
【0030】
図4の緩和回路120は、実施の形態1に係る図1の緩和回路100において、トランスミッションゲートS2のドレインに、電源線1に代えて電源線2を接続し、保持期間において容量C2に所定の大きさの電源電圧VDD2(第二電源電圧)を供給させるものである。ここで、電源電圧VDD2は、電源電圧VDD1に比較して処理回路200による負荷が小さいものとする。図4において、図1と同様の要素については同一の符号を付してしてあるので、それらのここでの詳細な説明は省略する。
【0031】
図4の同期回路においては、比較的に供給能力に余裕のある電源電圧VDD2が、容量C2への充電を行うので、電源電圧VDD1の負荷をその分だけ減らすことができる。また、VDD2>VDD1である場合には、図1の同期回路に比べてより多くの電荷を供給できる。
【0032】
このように本実施の形態に係る同期回路においては、実施の形態1の効果に加えて、電源電圧VDD1の負荷をその分だけ減らすことができ、また、VDD2>VDD1である場合にはより多くの電荷を供給できるという効果を有する。
【0033】
<実施の形態3>
図5に、本発明の実施の形態3に係る同期回路の構成を示す。この構成は、2つの電源線を有する同期回路において、処理回路200の遷移期間に、電位の高い方の電源線から電位の低い方の電源線へ電荷を供給する緩和回路130を設けたことを特徴とする。以下、この構成について詳細に説明する。
【0034】
緩和回路130において、抵抗素子R1は、一端が電源線1に接続され、他端がトランスミッションゲートS4のソースに接続される。トランスミッションゲートS4のドレインは、電源線3(第三の電源線)に接続される。ここで、電源線3は、電源電圧VDD1より大きい電源電圧VDDH(第三電源電圧)を供給するためのものである。図5において、図1と同様の要素については同一の符号を付してしてあるので、それらのここでの詳細な説明は省略する。
【0035】
トランスミッションゲートS4は、NMOSゲートにクロック信号CLK2が入力され、PMOSゲートにクロック信号CLK2の反転信号がインバータI1を介して入力される。即ち、トランスミッションゲートS4は、第四スイッチ素子として機能する。
【0036】
次に、図5に示される同期回路の動作について説明する。
【0037】
まず、処理回路200が遷移期間、即ちクロック信号CLK2がHレベルである場合について説明する。このとき、トランスミッションゲートS4は導通状態となるので、電源電圧VDDHから、電圧降下のための抵抗素子R1を介して、電源電圧VDD1へ電荷が供給される。これにより、電位の高い電源電圧VDDHの供給能力に余裕があるときには、電位の低い電源電圧VDD1の電圧降下を抑制することができる。
【0038】
次に、この状態から、処理回路200が保持期間、即ちクロック信号CLK2がLレベルに変化した場合について説明する。このとき、トランスミッションゲートS4は遮断状態となる。ここで、トランスミッションゲートS4のPMOSゲートに入力される電圧値としては、電圧値が大きい方の電源電圧VDDHを用いることにより、完全な遮断状態を作ることができる。
【0039】
このように本実施の形態に係る同期回路においては、電位の高い電源電圧VDDHの供給能力に余裕があるときには、電位の低い電源電圧VDD1の電圧降下を抑制することができるという効果を有する。
【0040】
<実施の形態4>
図6に、本発明の実施の形態4に係る同期回路の構成を示す。
【0041】
図6の緩和回路140は、実施の形態3に係る図5の緩和回路130において、パルス発生回路P1を加えたものである。パルス発生回路P1は、入力されるクロック信号CLK2のパルス幅を変換しトランスミッションゲートS4に出力するためのものである。図6において、図5と同様の要素については同一の符号を付してしてあるので、それらのここでの詳細な説明は省略する。
【0042】
パルス発生回路P1においては、クロック信号CLK2のパルス幅を変更して出力することにより、電荷の供給量を調整することができる。これにより、電源電圧VDD1の上昇を制御できるので、使用する回路素子の耐圧にマージンを持たせることができる。また、2つの電源線を接続することによるノイズの伝播を最小限に抑えることができる。
【0043】
このように、本実施の形態に係る同期回路においては、パルス発生回路P1が、電荷の供給量を調整するので、電源電圧VDD1の上昇を制御でき、使用する回路素子の耐圧にマージンを持たせることができるという効果を有する。また、2つの電源線を接続することによるノイズの伝播を最小限に抑えることができるという効果を有する。
【0044】
また、実施の形態3に係る図5の緩和回路130に限らず、他の実施の形態に係る緩和回路も、クロック信号CLK2のパルス幅を変更することにより、同様の効果を有する。
【0045】
<実施の形態5>
図7に、本発明の実施の形態5に係る同期回路の構成を示す。この構成は、2つの電源線を有する同期回路において、処理回路200の保持期間に電位の高い方の電源線から充電した電荷を、処理回路200の遷移期間に電位の低い方の電源線へ供給する緩和回路150を設けたことを特徴とする。以下、この構成について詳細に説明する。
【0046】
緩和回路150において、トランスミッションゲートS5は、ソースが電源線1に接続されている。また、トランスミッションゲートS6は、ソースが接点N4においてトランスミッションゲートS5のドレインに接続されドレインが電源線3に接続されている。また、容量C3(第三容量)は、一極が接地線に接続され他極が接点N4に接続されている。図7において、図5と同様の要素については同一の符号を付してしてあるので、それらのここでの詳細な説明は省略する。
【0047】
トランスミッションゲートS5は、NMOSゲートにクロック信号CLK2が入力され、PMOSゲートにクロック信号CLK2の反転信号が入力される。また、トランスミッションゲートS6は、PMOSゲートにクロック信号CLK2が入力され、NMOSゲートにクロック信号CLK2の反転信号が入力される。即ち、トランスミッションゲートS5,S6は、第五乃至第六スイッチ素子としてそれぞれ機能する。
【0048】
また、容量C3は、静電容量値CC3を有するものとする。
【0049】
次に、図7に示される同期回路の動作について説明する。
【0050】
まず、処理回路200が保持期間、即ちクロック信号CLK2がLレベルである場合について説明する。このとき、トランスミッションゲートS5は遮断状態となりトランスミッションゲートS6は導通状態となるので、接点N4の電位すなわち容量C3の両極の電位差値はVDDHとなり、容量C3には電荷VDDH×CC3が貯められる。即ち、容量C3は、電源電圧VDDHにより充電される。
【0051】
次に、この状態から、処理回路200が遷移期間、即ちクロック信号CLK2がHレベルに変化した場合について説明する。このとき、トランスミッションゲートS5は導通状態となり、トランスミッションゲートS6は遮断状態となるので、接点N4の電位すなわち容量C3の両端の電位差値はVDD1に減少するので、容量C3に貯められる電荷も(VDDH−VDD1)×CC3に減少する。即ち、容量C3に貯められた電荷の減少分が、電源電圧VDD1に供給されたことになる。
【0052】
上記のクロック信号CLK2のLレベルからHレベルへの変化において、変化した直後の接点N4の電位はVDDHであるが、電荷の移動に伴い接点N4の電位は降下していき、VDD1に落ち着く。即ち、この同期回路においては、電源電圧VDD1に対して、電源電圧VDD1より高い電圧を印加することにより、電源電圧VDD1に電荷が供給されることになる。
【0053】
上記したように、この同期回路においては、処理回路200の遷移期間と保持期間とに対応して、容量C3の電荷の充電と放電とが繰り返される。これにより、図2(b)に示すような電圧降下を緩和することができる。
【0054】
この同期回路においては、実施の形態2と同様に、2つの電源線が完全に遮断されているので、実施の形態3,4に比較すると、2つの電源線を接続することによるノイズの伝播を最小限に抑えることができる。また、電源電圧VDD1に電荷を供給するタイミングと電源電圧VDDHから電荷を充電するタイミングとがずれているので、処理回路200の遷移期間において電源電圧VDDHの電位が低下してしまうことを防止することができる。さらに、実施の形態1,2における緩和回路100,120に比較して、回路構成が簡略化できる。
【0055】
このように、本実施の形態に係る同期回路においては、2つの電源線が完全に遮断されているので、実施の形態3,4の効果に加えて、ノイズの伝播を最小限に抑えることができ、また、処理回路200の遷移期間における電源電圧VDDHの電位の低下を防止することができるという効果を有する。また、回路構成が簡略化できるという効果を有する。
【0056】
<実施の形態6>
図8に、本発明の実施の形態6に係る同期回路の構成を示す。この構成は、2つの電源線を有する同期回路において、容量C4(第四容量)に、電源電圧VDD1と、電源電圧VDD2により動作するインバータI2を取り付けたことを特徴とする。以下、この構成について詳細に説明する。
【0057】
緩和回路160において、容量C4は、一極が電源線1に接続されている。また、P型トランジスタPMOSのドレインは、容量C4に所定の大きさの電源電圧VDD2を供給するための電源線2に接続されている。また、PMOSのソースは、接点N5において容量C4の他極に接続されている。N型トランジスタNMOSは、ドレインが接点N5に接続されソースが接地線に接続されている。図8において、図3と同様の要素については同一の符号を付してしてあるので、それらのここでの詳細な説明は省略する。
【0058】
PMOSのゲートには、クロック信号CLK2が入力され、NMOSのゲートには、クロック信号CLK2の反転信号が入力される。
【0059】
また、容量C4は、静電容量値CC4を有するものとする。
【0060】
次に、図8に示される同期回路の動作について説明する。
【0061】
まず、処理回路200が保持期間、即ちクロック信号CLK2がLレベルである場合について説明する。このとき、PMOSは遮断状態となり、NMOSは導通状態となるので、接点N5の電位は0となる。従って、容量C4の両極の電位差値はVDD1となるので、容量C4には電荷VDD1×CC4が貯められる。即ち、容量C4は、電源VDD1により充電される。
【0062】
次に、この状態から、処理回路が遷移期間、即ちクロック信号CLK2がHレベルに変化した場合について説明する。このとき、PMOSは導通状態となり、NMOSは遮断状態となるので、接点N5の電位はVDD2となる。
【0063】
ここで、VDD1>VDD2とすると、容量C4の両極の電位差値は(VDD1−VDD2)に減少するので、容量C4に貯められる電荷も(VDD2−VDD1)×CC4に減少する。即ち、容量C4に貯められた電荷の減少分が、電源電圧VDD1に供給されたことになる。
【0064】
上記のクロック信号CLK2のLレベルからHレベルへの変化において、変化した直後の接点N5の電位はVDD1であるが、電荷の移動に伴い、接点N5の電位は降下していき、VDD2に落ち着く。
【0065】
VDD2>VDD1であった場合には、充放電を行う電荷の量がより多くなるので、より多くの電荷が供給される。即ち、VDD2>VDD1の場合には、この同期回路においては、電源電圧VDD1に対して、電源電圧VDD1より高い電圧を印加することにより、電源電圧VDD1に電荷が供給されることになる。
【0066】
上記したように、この同期回路においては、処理回路200の遷移期間と保持期間とに対応して、容量C4の電荷の充電と放電とが繰り返される。これにより、図2(b)に示すような電圧降下を緩和することができる。
【0067】
実施の形態2の図4の緩和回路120においては、電源電圧VDD2を用いて容量C2を充電することにより、接点N1の電位を上げているが、本実施の形態の図8の緩和回路160においては、電源電圧VDD2がそのまま接点N5に与えられる。従って、より多くの電荷を電源電圧VDD1に供給できる。
【0068】
このように、本実施の形態に係る同期回路においては、実施の形態2の効果に加えて、より多くの電荷を供給できるという効果を有する。
【0069】
<実施の形態7>
図9に、本発明の実施の形態7に係る同期回路の構成を示す。この構成は、実施の形態1〜6に示される同期回路に含まれる緩和回路(ここでは緩和回路100の場合を示している)を、処理回路200毎に設置し、処理回路200に供給されるクロック信号より少し位相が進んだクロック信号を緩和回路100に入力させることを特徴とする。
【0070】
図9において、クロック信号CLKa〜CLKcは、それぞれ、緩和回路100とバッファB1とに入力する。バッファB1においては、遅延量Δtを与えられる。遅延量Δtを与えられたクロック信号CLKa〜CLKcは、それぞれクロック信号CLKb〜CLKdとしてバッファB1から出力され、処理回路200に入力する。即ち、バッファB1に入力されるクロック信号CLKa〜CLKcは、バッファB1から出力されるクロック信号CLKb〜CLKdと同一周期を有し、且つ遅延量Δtに対応した分だけ位相が進んでいる。即ち、バッファB1に入力されるクロック信号CLKa〜CLKcは、図1等におけるクロック信号CLK2に対応し、バッファB1から出力されるクロック信号CLKb〜CLKdは、図1等におけるクロック信号CLK1に対応している。これにより、実施の形態1において前述したように、遅延量Δtを調整することにより、処理回路200の大半が動作し始める瞬間に、容量から電源電圧VDD1に供給される電荷の量を最大にすることができる。電源電圧VDD1に供給された電荷は、処理回路200に供給される。
【0071】
このように、本発明の実施の形態7に係る同期回路においては、遅延量Δtを有するバッファB1を用いて、処理回路200に供給されるクロック信号より少し位相が進んだクロック信号を緩和回路に入力させる。従って、処理回路200の大半が動作し始める瞬間に、容量から電源電圧VDD1に供給される電荷の量を最大にすることができるという効果を有する。
【0072】
<実施の形態8>
図10〜13に、本発明の実施の形態8に係る半導体チップの構成を示す。この構成は、実施の形態1〜7に示される緩和回路を、半導体チップ上の余裕のあるスペースに搭載したものである。
【0073】
図10〜12に示すように、マイコン等の半導体チップ300は、処理回路を内蔵したコア部310の外側に、信号や電源の入出力用の入出力部320を配置させた構成となる。入出力部320において、四隅の空間に位置するコーナーセル330の領域や、電源の入出力に用いられる電源セル340の領域は、配線のメタルのみが配置されているので、その下部に比較的にスペースに余裕がある。よって、図10,11に示すようなこれらの領域の下部に緩和回路を搭載することにより、半導体チップ300の面積の増加を抑えることができる。図12は、コーナーセル330及び電源セル340への緩和回路の搭載をより具体的に説明した図である。
【0074】
また、図13に示すように、コア部310内に配置されている電源幹線350の領域も、配線のメタルのみが配置されており、その下部に比較的にスペースに余裕がある。よって、図13に示すように、これらの領域の下部に緩和回路を搭載することにより、半導体チップの面積の増加を抑えることができる。
【0075】
このように、本実施の形態8に係る半導体チップにおいては、半導体チップ300上の比較的にスペースに余裕のある部分に同期回路を配置させる。従って、半導体チップの面積の増加を抑えつつ、処理回路の動作速度の低下を抑えることができる。
【0076】
【発明の効果】
以上、説明したように、請求項1に記載の発明に係る同期回路は、所定の周期を有する第一クロック信号に基づき所定の処理を行う処理回路と、前記処理回路に所定の大きさの第一電源電圧を供給するための第一の電源線と、一極が前記第一の電源線に接続された第一容量と、一端が前記第一容量の他極に接続され他端が接地線に接続された第一スイッチ素子と、一極が接地線に接続された第二容量と、一端が前記第二容量の他極に接続され他端が前記第一の電源線と前記第一容量の一極とに接続された第二スイッチ素子と、一端が前記第一容量の他極と前記第一スイッチ素子の一端とに接続され他端が前記第二容量の他極と前記第二スイッチ素子の一端とに接続された第三スイッチ素子とを備え、前記第一乃至第三スイッチ素子は、所定の周期を有する第二クロック信号に基づき動作するので、遷移期間における第一電源電圧の電圧降下を、比較的に小さい容量を用いて速やかに緩和できる。よって、それに伴う処理回路の動作速度の低下を抑えることができる。また、一つのダイに同期回路と電荷供給源の回路が共存しているので、アセンブリのワイヤやリードの寄生抵抗、インダクタンスが電荷供給源に与える影響を小さくできる。
【0077】
また、請求項2に記載の発明に係る同期回路は、所定の周期を有する第一クロック信号に基づき所定の処理を行う処理回路と、前記処理回路に所定の大きさの第一電源電圧を供給するための第一の電源線と、一極が前記第一の電源線に接続された第一容量と、一端が前記第一容量の他極に接続され他端が接地線に接続された第一スイッチ素子と、一極が接地線に接続された第二容量と、前記第二容量に所定の大きさの第二電源電圧を供給するための第二の電源線と、一端が前記第二容量の他極に接続され他端が前記第二の電源線に接続された第二スイッチ素子と、一端が前記第一容量の他極と前記第一スイッチ素子の一端とに接続され他端が前記第二容量の他極と前記第二スイッチ素子の一端とに接続された第三スイッチ素子とを備え、前記第一乃至第三スイッチ素子は、所定の周期を有する第二クロック信号に基づき動作するので、請求項1に記載の発明に係る同期回路の効果に加えて、第一電源電圧の負荷をその分だけ減らすことができ、また、第二電源電圧が第一電源電圧より大きい場合にはより多くの電荷を供給できる。
【0078】
また、請求項3に記載の発明に係る同期回路は、所定のクロック周期を有する第一クロック信号に基づき所定の処理を行う処理回路と、前記処理回路に所定の大きさの第一電源電圧を供給するための第一の電源線と、前記第一電源電圧より大きい第三電源電圧を供給するための第三の電源線と、一端が前記第一の電源線に接続された抵抗素子と、一端が前記抵抗素子の他端に接続され他端が前記第三の電源線に接続された第四スイッチ素子とを備え、前記第四スイッチ素子は、所定の周期を有する第二クロック信号に基づき動作するので、第三電源電圧の供給能力に余裕があるときには、第一電源電圧の電圧降下を抑制することができる。
【0079】
また、請求項4に記載の発明に係る同期回路は、所定のクロック周期を有する第一クロック信号に基づき所定の処理を行う処理回路と、前記処理回路に所定の大きさの第一電源電圧を供給するための第一の電源線と、前記第一電源電圧より大きい第三電源電圧を供給するための第三の電源線と、一端が前記第一の電源線に接続された第五スイッチ素子と、一端が前記第五スイッチ素子の他端に接続され他端が前記第三の電源線に接続された第六スイッチ素子と、一極が接地線に接続され他極が前記第五スイッチ素子の他端と前記第六スイッチ素子の一端とに接続される第三容量とを備え、前記第五乃至第六スイッチ素子は、所定の周期を有する第二クロック信号に基づき動作するので、2つの電源線が完全に遮断されている。従って、請求項3に記載の発明に係る同期回路の効果に加えて、ノイズの伝播を最小限に抑えることができ、また、処理回路の遷移期間における第三電源電圧の電位の低下を防止するころができる。また、回路構成が簡略化できる。
【0080】
また、請求項5に記載の発明に係る同期回路は、所定のクロック周期を有する第一クロック信号に基づき所定の処理を行う処理回路と、前記処理回路に所定の大きさの第一電源電圧を供給するための第一の電源線と、一極が前記第一の電源線に接続された第四容量と、出力が前記第四容量の他極に接続されたインバータと、前記インバータを駆動するための第二の電源線とを備え、前記インバータの入力は、所定の周期を有する第二クロック信号が与えられるので、請求項2に記載の発明に係る同期回路の効果に加えて、より多くの電荷を供給できるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施の形態1に係る同期回路を示す回路図である。
【図2】実施の形態1に係る同期回路の入力信号を示す図である。
【図3】実施の形態1に係る同期回路を示す回路図である。
【図4】実施の形態2に係る同期回路を示す回路図である。
【図5】実施の形態3に係る同期回路を示す回路図である。
【図6】実施の形態4に係る同期回路を示す回路図である。
【図7】実施の形態5に係る同期回路を示す回路図である。
【図8】実施の形態6に係る同期回路を示す回路図である。
【図9】実施の形態7に係る同期回路を示す回路図である。
【図10】実施の形態8に係る半導体チップを示す構成図である。
【図11】実施の形態8に係る半導体チップを示す構成図である。
【図12】実施の形態8に係る半導体チップを示す構成図である。
【図13】実施の形態8に係る半導体チップを示す構成図である。
【符号の説明】
1〜3 電源線、100〜160 緩和回路、200 処理回路、300 半導体チップ、310 コア部、320 入出力部、330 コーナーセル、340 電源セル、350 電源幹線、B1 バッファ、C1〜C5 容量、I1〜I2 インバータ、N1〜N5 接点、S1〜S9 トランスミッションゲート、VDD1〜VDD2,VDDH 電源電圧、R1 抵抗素子、P1 パルス発生回路。
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a synchronous circuit and a semiconductor chip using the same, and more particularly, to a technique for mitigating periodically generated power supply noise.
[0002]
[Prior art]
In the synchronous circuit, most of the circuits operate simultaneously in synchronization with the clock signal input. Therefore, a current that periodically exceeds the power supply capability flows, and a spike-like voltage drop occurs in the power supply voltage. For this reason, the voltage supplied to the circuit decreases, and the circuit performance temporarily deteriorates. In the conventional synchronous circuit, a decoupling capacitance is provided between the power supply node and the GND node, and a charge is supplied to the power supply node when the voltage drops. Examples of a synchronization circuit using a decoupling capacitor are disclosed in Patent Documents 1 and 2, for example.
[0003]
[Patent Document 1]
JP 2001-168223 A
[Patent Document 2]
Japanese Patent Laid-Open No. 2001-14848
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
In the synchronous circuits disclosed in Patent Documents 1 and 2, the voltage applied to the decoupling capacitor when charging is smaller than the power supply voltage supplied to the circuit. Therefore, there is a problem that a relatively large capacity is required to accumulate a predetermined amount of charge. In addition, the synchronous circuit disclosed in Patent Document 1 has a problem in that a time difference occurs between the power supply voltage drop and the charge supply because the charge discharge occurs passively depending only on the voltage drop amount. It was.
[0005]
The present invention has been made to solve the above problems, and a synchronous circuit for quickly mitigating a power supply voltage drop generated in a power supply by using a relatively small capacity and a semiconductor chip using the same The purpose is to provide.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, a synchronization circuit according to a first aspect of the present invention includes a processing circuit that performs predetermined processing based on a first clock signal having a predetermined period, and a predetermined size for the processing circuit. A first power supply line for supplying the first power supply voltage, a first capacitor with one pole connected to the first power supply line, one end connected to the other pole of the first capacitor and the other end A first switch element connected to a ground line; a second capacitor having one pole connected to the ground line; one end connected to the other pole of the second capacitor and the other end connected to the first power line and the first A second switch element connected to one pole of one capacitor, one end connected to the other pole of the first capacitor and one end of the first switch element, and the other end connected to the other pole of the second capacitor and the first A third switch element connected to one end of the two switch elements, the first to third switch elements, It operates based on a second clock signal having a constant period.
[0007]
According to a second aspect of the present invention, there is provided a synchronizing circuit, a processing circuit for performing predetermined processing based on a first clock signal having a predetermined cycle, and supplying a first power supply voltage having a predetermined magnitude to the processing circuit. A first power line, a first capacitor having one pole connected to the first power line, one end connected to the other pole of the first capacitor, and the other end connected to a ground line. One switch element, a second capacitor having one pole connected to a ground line, a second power supply line for supplying a second power supply voltage of a predetermined magnitude to the second capacitor, and one end of the second capacitor A second switch element connected to the other pole of the capacitor and having the other end connected to the second power supply line, and one end connected to the other pole of the first capacitor and one end of the first switch element. A third switch element connected to the other electrode of the second capacitor and one end of the second switch element; First through third switching element operates based on a second clock signal having a predetermined period.
[0008]
According to a third aspect of the present invention, there is provided a synchronizing circuit comprising: a processing circuit that performs a predetermined process based on a first clock signal having a predetermined clock period; and a first power supply voltage having a predetermined magnitude applied to the processing circuit. A first power supply line for supplying, a third power supply line for supplying a third power supply voltage greater than the first power supply voltage, a resistance element having one end connected to the first power supply line, A fourth switch element having one end connected to the other end of the resistance element and the other end connected to the third power supply line. The fourth switch element is based on a second clock signal having a predetermined period. Operate.
[0009]
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a synchronizing circuit comprising: a processing circuit that performs a predetermined process based on a first clock signal having a predetermined clock period; and a first power supply voltage having a predetermined magnitude applied to the processing circuit. A first power supply line for supplying; a third power supply line for supplying a third power supply voltage greater than the first power supply voltage; and a fifth switch element having one end connected to the first power supply line A sixth switch element having one end connected to the other end of the fifth switch element and the other end connected to the third power line, and one pole connected to a ground line and the other pole connected to the fifth switch element. And a third capacitor connected to one end of the sixth switch element, and the fifth to sixth switch elements operate based on a second clock signal having a predetermined period.
[0010]
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a synchronization circuit comprising: a processing circuit that performs a predetermined process based on a first clock signal having a predetermined clock period; and a first power supply voltage having a predetermined magnitude applied to the processing circuit. A first power line for supplying; a fourth capacitor having one pole connected to the first power line; an inverter having an output connected to the other pole of the fourth capacitor; and driving the inverter And a second clock signal having a predetermined cycle is applied to the input of the inverter.
[0011]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
<Embodiment 1>
FIG. 1 shows a configuration of a synchronization circuit according to Embodiment 1 of the present invention. In this configuration, charge is supplied to the processing circuit 200 between the power supply line 1 (first power supply line) and the ground line of the processing circuit 200 of the synchronous circuit in a period (transition period) in which the charge is insufficient in the processing circuit 200. In the processing circuit 200, the relaxation circuit 100 that charges the charge from the processing circuit 200 is provided in a period (holding period) in which the charge is not insufficient. Here, the transition period is a period during which most of the processing circuit 200 operates in synchronization with the edge of the clock signal CLK1, and the holding period is a period other than the transition period. Hereinafter, this configuration will be described in detail.
[0012]
As shown in FIG. 1, the power supply line 1 is connected to the processing circuit 200 and supplies the processing circuit 200 with a power supply voltage VDD1 (first power supply voltage) having a predetermined magnitude. The processing circuit 200 is for performing predetermined processing based on a clock signal CLK1 (first clock signal) having a predetermined cycle. One pole of the capacitor C1 (first capacitor) is connected to the power line 1. The other pole of the capacitor C1 is connected to the drain of the transmission gate S1 at the contact N1. The source of the transmission gate S1 is connected to the ground line.
[0013]
The capacitor C2 (second capacitor) has one pole connected to the ground line and the other pole connected to the source of the transmission gate S2 at the contact N2. The drain of the transmission gate S2 is connected to the power line 1 and one pole of the capacitor C1 at the contact N3.
[0014]
The transmission gate S3 has a drain connected to the contact N1 and a source connected to the contact N2.
[0015]
In the transmission gates S1 and S2, a clock signal CLK2 (second clock signal) is input to the PMOS gate, and an inverted signal of the clock signal CLK2 is input to the NMOS gate. Further, in the transmission gate S3, the clock signal CLK2 is input to the NMOS gate, and the inverted signal of the clock signal CLK2 is input to the PMOS gate. That is, the transmission gates S1 to S3 function as first to third switch elements, respectively.
[0016]
Capacitances C1 and C2 are respectively capacitance values C C1 , C C2 It shall have.
[0017]
Next, the operation of the synchronization circuit shown in FIG. 1 will be described.
[0018]
First, FIG. 2A shows the clock signal CLK1 input to the processing circuit 200. FIG. FIG. 2B shows an example of a spike-like voltage drop of the power supply voltage VDD1 generated in synchronization with the clock signal CLK1. In FIG. 2B, a voltage drop occurs in synchronization with both rising and falling edges of the clock signal CLK1. As will be described below, when the clock signal CLK2 having a half period of the clock signal CLK1 as shown in FIG. 2C is input to the switch elements S1 to S3, the capacitors C1 and C2 have this voltage. It operates to supply charges to the power supply voltage VDD1 at a timing corresponding to the drop.
[0019]
First, the case where the processing circuit 200 is in the holding period, that is, the case where the clock signal CLK2 is at the L level will be described. At this time, the transmission gates S1 and S2 are turned on and the transmission gate S3 is cut off, so that the potential at the contact N1 is 0 and the potentials at the contacts N2 and N3 are VDD1. Therefore, since the potential difference value between the two electrodes of the capacitors C1 and C2 is both VDD1, the charges VDD1 × C C1 , VDD1 × C C2 Is stored separately. That is, the capacitors C1 and C2 are charged by the power supply voltage VDD1.
[0020]
Next, a case where the processing circuit 200 changes from this state during the transition period, that is, the clock signal CLK2 changes to the H level will be described. At this time, since the transmission gates S1 and S2 are cut off and the transmission gate S3 is in a conductive state, the potential of the contact N3 remains VDD1, but the potential of the contacts N1 and N2 is VDD1 × C. C1 / (C C1 + C C2 ) Accordingly, the potential difference value between the electrodes of the capacitors C1 and C2 is VDD1 × C, respectively. C2 / (C C1 + C C2 ), VDD1 × C C1 / (C C1 + C C2 ), The charges stored in the capacitors C1 and C2 are both VDD1 × C C1 × C C2 / (C C1 + C C2 ). That is, the reduced amount of charge stored in the capacitors C1 and C2 is supplied to the power supply voltage VDD1.
[0021]
In the change from the L level to the H level of the clock signal CLK2, the potential of the contact N3 immediately after the change is 2VDD1, but the potential of the contact N3 decreases and settles to VDD1 as the charge moves. In other words, in this synchronous circuit, by applying a voltage higher than the power supply voltage VDD1 to the power supply voltage VDD1, charges are supplied to the power supply voltage VDD1.
[0022]
As described above, in this synchronous circuit, charging and discharging of the charges of the capacitors C1 and C2 are repeated corresponding to the transition period and the holding period of the processing circuit 200. Thereby, the voltage drop as shown in FIG. 2B can be reduced.
[0023]
FIG. 2D shows the power supply voltage VDD1 whose voltage drop is relaxed by the relaxation circuit 100. FIG. Although a voltage drop due to charging of the capacitors C1 and C2 occurs in synchronization with the falling edge of the clock signal CLK2, it occurs in synchronization with both rising and falling edges of the clock signal CLK1. The voltage drop is greatly mitigated.
[0024]
In a general synchronization circuit, the voltage drop is synchronized with both rising and falling edges of the clock signal CLK1, as shown in FIG. Here, when the voltage drop is synchronized only with the rising edge of the clock signal CLK1 as shown in FIG. 2E, the clock signal CLK1 is replaced with the clock signal CLK1 as shown in FIG. A clock signal CLK3 having the same period may be used. As the clock signal CLK3, the clock signal CLK1 may be used as it is.
[0025]
In FIGS. 2C and 2F, the clock signals CLK2 and CLK3 have the same phase as the clock signal CLK1, but for example, Δt as shown in FIGS. 2G and 2H. The phase may be advanced correspondingly. In this case, by adjusting the value of Δt, the amount of charge supplied from the capacitors C1 and C2 to the power supply voltage VDD1 at the moment when most of the processing circuit 200 starts to operate can be maximized.
[0026]
Thus, in the synchronous circuit according to the present embodiment, charges are actively supplied using a voltage equal to or higher than the power supply voltage VDD1 in accordance with the timing at which the processing circuit 200 consumes charges. Therefore, the voltage drop of the power supply voltage VDD1 during the transition period can be quickly alleviated using a relatively small capacity. Therefore, it is possible to suppress a decrease in the operation speed of the processing circuit 200 accompanying the above.
[0027]
In addition, since the synchronous circuit and the charge supply circuit coexist on one die, the influence of the parasitic resistance and inductance of the assembly wires and leads on the charge supply source can be reduced.
[0028]
In FIG. 1, two capacitors C1 and C2 are connected so as to be in series when power is supplied. However, the number of capacitors is not limited to two and may be three or more. FIG. 3 shows a configuration of a relaxation circuit 110 in which a capacitor C5 and transmission gates S7 to S9 are added to the relaxation circuit 100 shown in FIG.
[0029]
<Embodiment 2>
FIG. 4 shows the configuration of the synchronization circuit according to the second embodiment of the present invention. This configuration is characterized in that, in the first embodiment, the capacitor C1 and the capacitor C2 are connected to different power supply lines 1 and 2 (second power supply lines), respectively. Hereinafter, this configuration will be described in detail.
[0030]
The mitigation circuit 120 of FIG. 4 is the same as the mitigation circuit 100 of FIG. 1 according to the first embodiment, except that the power supply line 2 is connected to the drain of the transmission gate S2 instead of the power supply line 1, and A large power supply voltage VDD2 (second power supply voltage) is supplied. Here, it is assumed that the power supply voltage VDD2 is less loaded by the processing circuit 200 than the power supply voltage VDD1. 4, elements similar to those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted here.
[0031]
In the synchronous circuit of FIG. 4, the power supply voltage VDD2 having a relatively large supply capacity charges the capacitor C2, so that the load of the power supply voltage VDD1 can be reduced correspondingly. Further, when VDD2> VDD1, more charges can be supplied compared to the synchronous circuit of FIG.
[0032]
As described above, in the synchronous circuit according to the present embodiment, in addition to the effect of the first embodiment, the load of the power supply voltage VDD1 can be reduced correspondingly, and more when VDD2> VDD1. This has the effect of being able to supply the electric charge.
[0033]
<Embodiment 3>
FIG. 5 shows the configuration of the synchronization circuit according to the third embodiment of the present invention. In this configuration, in the synchronous circuit having two power supply lines, the relaxation circuit 130 that supplies charges from the power supply line having the higher potential to the power supply line having the lower potential is provided in the transition period of the processing circuit 200. Features. Hereinafter, this configuration will be described in detail.
[0034]
In relaxation circuit 130, resistance element R1 has one end connected to power supply line 1 and the other end connected to the source of transmission gate S4. The drain of the transmission gate S4 is connected to the power supply line 3 (third power supply line). Here, the power supply line 3 is for supplying a power supply voltage VDDH (third power supply voltage) higher than the power supply voltage VDD1. In FIG. 5, elements similar to those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted here.
[0035]
In the transmission gate S4, the clock signal CLK2 is input to the NMOS gate, and the inverted signal of the clock signal CLK2 is input to the PMOS gate via the inverter I1. That is, the transmission gate S4 functions as a fourth switch element.
[0036]
Next, the operation of the synchronization circuit shown in FIG. 5 will be described.
[0037]
First, the case where the processing circuit 200 is in the transition period, that is, the case where the clock signal CLK2 is at the H level will be described. At this time, since the transmission gate S4 is in a conducting state, electric charge is supplied from the power supply voltage VDDH to the power supply voltage VDD1 via the resistance element R1 for voltage drop. Thereby, when there is a margin in the supply capability of the power supply voltage VDDH having a high potential, a voltage drop of the power supply voltage VDD1 having a low potential can be suppressed.
[0038]
Next, the case where the processing circuit 200 changes from this state to the holding period, that is, the clock signal CLK2 changes to the L level will be described. At this time, the transmission gate S4 is cut off. Here, as the voltage value input to the PMOS gate of the transmission gate S4, a complete cutoff state can be created by using the power supply voltage VDDH having the larger voltage value.
[0039]
As described above, the synchronous circuit according to the present embodiment has an effect that the voltage drop of the low-potential power supply voltage VDD1 can be suppressed when the supply capability of the high-potential power supply voltage VDDH is sufficient.
[0040]
<Embodiment 4>
FIG. 6 shows a configuration of a synchronization circuit according to Embodiment 4 of the present invention.
[0041]
The relaxation circuit 140 of FIG. 6 is obtained by adding a pulse generation circuit P1 to the relaxation circuit 130 of FIG. 5 according to the third embodiment. The pulse generation circuit P1 converts the pulse width of the input clock signal CLK2 and outputs it to the transmission gate S4. 6, elements similar to those in FIG. 5 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
[0042]
In the pulse generation circuit P1, the supply amount of charges can be adjusted by changing and outputting the pulse width of the clock signal CLK2. As a result, the rise of the power supply voltage VDD1 can be controlled, so that a margin can be given to the withstand voltage of the circuit element to be used. Also, noise propagation due to the connection of the two power supply lines can be minimized.
[0043]
As described above, in the synchronous circuit according to the present embodiment, since the pulse generation circuit P1 adjusts the supply amount of electric charge, it is possible to control the rise of the power supply voltage VDD1, and to give a margin to the withstand voltage of the circuit elements to be used. It has the effect of being able to. Further, there is an effect that noise propagation due to the connection of the two power supply lines can be minimized.
[0044]
Further, not only the mitigation circuit 130 of FIG. 5 according to the third embodiment, but also mitigation circuits according to other embodiments have the same effect by changing the pulse width of the clock signal CLK2.
[0045]
<Embodiment 5>
FIG. 7 shows a configuration of a synchronization circuit according to the fifth embodiment of the present invention. In this configuration, in a synchronous circuit having two power supply lines, the charge charged from the power supply line having the higher potential during the holding period of the processing circuit 200 is supplied to the power supply line having the lower potential during the transition period of the processing circuit 200. The relaxation circuit 150 is provided. Hereinafter, this configuration will be described in detail.
[0046]
In the relaxation circuit 150, the transmission gate S5 has a source connected to the power supply line 1. Transmission gate S6 has a source connected to the drain of transmission gate S5 at contact N4 and a drain connected to power supply line 3. The capacitor C3 (third capacitor) has one pole connected to the ground line and the other pole connected to the contact N4. 7, elements similar to those in FIG. 5 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted here.
[0047]
In the transmission gate S5, the clock signal CLK2 is input to the NMOS gate, and the inverted signal of the clock signal CLK2 is input to the PMOS gate. Further, in the transmission gate S6, the clock signal CLK2 is input to the PMOS gate, and the inverted signal of the clock signal CLK2 is input to the NMOS gate. That is, the transmission gates S5 and S6 function as fifth to sixth switch elements, respectively.
[0048]
The capacitance C3 is a capacitance value C C3 It shall have.
[0049]
Next, the operation of the synchronization circuit shown in FIG. 7 will be described.
[0050]
First, the case where the processing circuit 200 is in the holding period, that is, the case where the clock signal CLK2 is at the L level will be described. At this time, the transmission gate S5 is cut off and the transmission gate S6 is turned on, so that the potential of the contact N4, that is, the potential difference between both electrodes of the capacitor C3 becomes VDDH, and the charge VDDH × C C3 Is saved. That is, the capacitor C3 is charged by the power supply voltage VDDH.
[0051]
Next, a case where the processing circuit 200 changes from this state during the transition period, that is, the clock signal CLK2 changes to the H level will be described. At this time, the transmission gate S5 is turned on and the transmission gate S6 is turned off, so that the potential difference at the contact N4, that is, the potential difference across the capacitor C3 is reduced to VDD1, so VDD1) x C C3 To decrease. That is, the reduced amount of charge stored in the capacitor C3 is supplied to the power supply voltage VDD1.
[0052]
In the change from the L level to the H level of the clock signal CLK2, the potential of the contact N4 immediately after the change is VDDH. However, the potential of the contact N4 decreases and settles to VDD1 as the charge moves. That is, in this synchronous circuit, a charge higher than the power supply voltage VDD1 is applied to the power supply voltage VDD1 to supply charges to the power supply voltage VDD1.
[0053]
As described above, in this synchronous circuit, charging and discharging of the capacitor C3 are repeated in accordance with the transition period and the holding period of the processing circuit 200. Thereby, the voltage drop as shown in FIG. 2B can be reduced.
[0054]
In this synchronous circuit, since the two power supply lines are completely cut off as in the second embodiment, noise propagation due to the connection of the two power supply lines is suppressed as compared with the third and fourth embodiments. Can be minimized. In addition, since the timing of supplying the charge to the power supply voltage VDD1 and the timing of charging the charge from the power supply voltage VDDH are deviated, the potential of the power supply voltage VDDH is prevented from being lowered during the transition period of the processing circuit 200. Can do. Furthermore, the circuit configuration can be simplified as compared with relaxation circuits 100 and 120 in the first and second embodiments.
[0055]
Thus, in the synchronous circuit according to the present embodiment, since the two power supply lines are completely cut off, in addition to the effects of the third and fourth embodiments, noise propagation can be minimized. In addition, the power supply voltage VDDH can be prevented from being lowered during the transition period of the processing circuit 200. In addition, the circuit configuration can be simplified.
[0056]
<Embodiment 6>
FIG. 8 shows the configuration of the synchronization circuit according to the sixth embodiment of the present invention. This configuration is characterized in that, in a synchronous circuit having two power supply lines, a power supply voltage VDD1 and an inverter I2 operated by the power supply voltage VDD2 are attached to a capacitor C4 (fourth capacitor). Hereinafter, this configuration will be described in detail.
[0057]
In the relaxation circuit 160, the capacitor C4 has one pole connected to the power supply line 1. The drain of the P-type transistor PMOS is connected to the power supply line 2 for supplying the power supply voltage VDD2 having a predetermined magnitude to the capacitor C4. The source of the PMOS is connected to the other pole of the capacitor C4 at the contact N5. The N-type transistor NMOS has a drain connected to the contact N5 and a source connected to the ground line. 8, elements similar to those in FIG. 3 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted here.
[0058]
A clock signal CLK2 is input to the PMOS gate, and an inverted signal of the clock signal CLK2 is input to the NMOS gate.
[0059]
The capacitance C4 is an electrostatic capacitance value C C4 It shall have.
[0060]
Next, the operation of the synchronization circuit shown in FIG. 8 will be described.
[0061]
First, the case where the processing circuit 200 is in the holding period, that is, the case where the clock signal CLK2 is at the L level will be described. At this time, the PMOS is cut off and the NMOS is turned on, so that the potential of the contact N5 becomes zero. Accordingly, since the potential difference value between the two electrodes of the capacitor C4 is VDD1, the charge VDD1 × C is stored in the capacitor C4. C4 Is saved. That is, the capacitor C4 is charged by the power supply VDD1.
[0062]
Next, the case where the processing circuit is in the transition period from this state, that is, the case where the clock signal CLK2 changes to H level will be described. At this time, the PMOS is turned on and the NMOS is turned off, so that the potential of the contact N5 is VDD2.
[0063]
Here, if VDD1> VDD2, the potential difference value between the two electrodes of the capacitor C4 decreases to (VDD1-VDD2), so the charge stored in the capacitor C4 is also (VDD2-VDD1) × C. C4 To decrease. That is, the reduced amount of charge stored in the capacitor C4 is supplied to the power supply voltage VDD1.
[0064]
When the clock signal CLK2 changes from the L level to the H level, the potential of the contact N5 immediately after the change is VDD1, but the potential of the contact N5 decreases and settles to VDD2 as the charge moves.
[0065]
When VDD2> VDD1, the amount of charge to be charged / discharged is increased, so that more charge is supplied. That is, in the case of VDD2> VDD1, in this synchronous circuit, a voltage higher than the power supply voltage VDD1 is applied to the power supply voltage VDD1, thereby supplying a charge to the power supply voltage VDD1.
[0066]
As described above, in this synchronous circuit, charging and discharging of the charge of the capacitor C4 are repeated in accordance with the transition period and the holding period of the processing circuit 200. Thereby, the voltage drop as shown in FIG. 2B can be reduced.
[0067]
In the relaxation circuit 120 of FIG. 4 according to the second embodiment, the potential of the contact N1 is raised by charging the capacitor C2 using the power supply voltage VDD2. However, in the relaxation circuit 160 of FIG. The power supply voltage VDD2 is applied to the contact N5 as it is. Therefore, more charge can be supplied to the power supply voltage VDD1.
[0068]
As described above, the synchronous circuit according to the present embodiment has an effect that more charges can be supplied in addition to the effect of the second embodiment.
[0069]
<Embodiment 7>
FIG. 9 shows the configuration of the synchronization circuit according to the seventh embodiment of the present invention. In this configuration, a mitigation circuit (here, the mitigation circuit 100 is shown) included in the synchronization circuit shown in the first to sixth embodiments is installed for each processing circuit 200 and supplied to the processing circuit 200. A clock signal whose phase is slightly advanced from the clock signal is input to the relaxation circuit 100.
[0070]
In FIG. 9, clock signals CLKa to CLKc are input to the relaxation circuit 100 and the buffer B1, respectively. In the buffer B1, a delay amount Δt is given. The clock signals CLKa to CLKc given the delay amount Δt are output from the buffer B1 as clock signals CLKb to CLKd, respectively, and input to the processing circuit 200. That is, the clock signals CLKa to CLKc input to the buffer B1 have the same period as the clock signals CLKb to CLKd output from the buffer B1, and have a phase advanced by an amount corresponding to the delay amount Δt. That is, the clock signals CLKa to CLKc input to the buffer B1 correspond to the clock signal CLK2 in FIG. 1 and the like, and the clock signals CLKb to CLKd output from the buffer B1 correspond to the clock signal CLK1 in FIG. Yes. Thus, as described above in the first embodiment, by adjusting the delay amount Δt, the amount of charge supplied from the capacitor to the power supply voltage VDD1 is maximized at the moment when most of the processing circuit 200 starts to operate. be able to. The charge supplied to the power supply voltage VDD1 is supplied to the processing circuit 200.
[0071]
As described above, in the synchronous circuit according to the seventh embodiment of the present invention, the buffer signal B1 having the delay amount Δt is used as a relaxation circuit for the clock signal whose phase is slightly advanced from the clock signal supplied to the processing circuit 200. Let them enter. Therefore, at the moment when most of the processing circuit 200 starts to operate, the amount of charge supplied from the capacitor to the power supply voltage VDD1 can be maximized.
[0072]
<Eighth embodiment>
10 to 13 show a configuration of a semiconductor chip according to the eighth embodiment of the present invention. In this configuration, the relaxation circuit shown in the first to seventh embodiments is mounted in a space with a margin on the semiconductor chip.
[0073]
As shown in FIGS. 10 to 12, a semiconductor chip 300 such as a microcomputer has a configuration in which an input / output unit 320 for inputting and outputting signals and power supplies is arranged outside a core unit 310 containing a processing circuit. In the input / output unit 320, the area of the corner cell 330 located in the four corner spaces and the area of the power cell 340 used for power input / output are only provided with the metal of the wiring. There is room in space. Therefore, an increase in the area of the semiconductor chip 300 can be suppressed by mounting a relaxation circuit below these regions as shown in FIGS. FIG. 12 is a diagram specifically explaining the mounting of the relaxation circuit in the corner cell 330 and the power cell 340.
[0074]
Further, as shown in FIG. 13, the area of the power supply trunk line 350 arranged in the core part 310 is also arranged with only the metal of the wiring, and there is a relatively large space in the lower part thereof. Therefore, as shown in FIG. 13, an increase in the area of the semiconductor chip can be suppressed by mounting a relaxation circuit below these regions.
[0075]
As described above, in the semiconductor chip according to the eighth embodiment, the synchronization circuit is arranged in a portion having a relatively large space on the semiconductor chip 300. Accordingly, it is possible to suppress a decrease in the operation speed of the processing circuit while suppressing an increase in the area of the semiconductor chip.
[0076]
【The invention's effect】
As described above, the synchronization circuit according to the first aspect of the present invention includes a processing circuit that performs predetermined processing based on a first clock signal having a predetermined period, and a processing circuit that has a predetermined size. A first power supply line for supplying one power supply voltage; a first capacitor having one pole connected to the first power supply line; one end connected to the other pole of the first capacitor and the other end grounded A first switch element connected to the second capacitor, one pole connected to the ground line, one end connected to the other pole of the second capacitor and the other end connected to the first power line and the first capacitor A second switch element connected to one pole of the second capacitor, one end connected to the other pole of the first capacitor and one end of the first switch element, and the other end to the other pole of the second capacitor and the second switch. A third switch element connected to one end of the element, wherein the first to third switch elements are predetermined Since operates based on a second clock signal having a period, the voltage drop of the first power supply voltage in the transition period can be alleviated rapidly with a relatively small capacity. Therefore, it is possible to suppress a decrease in the operation speed of the processing circuit. Further, since the synchronous circuit and the charge supply circuit coexist on one die, the influence of the parasitic resistance and inductance of the wire and lead of the assembly on the charge supply source can be reduced.
[0077]
According to a second aspect of the present invention, there is provided a synchronizing circuit, a processing circuit for performing predetermined processing based on a first clock signal having a predetermined cycle, and supplying a first power supply voltage having a predetermined magnitude to the processing circuit. A first power line, a first capacitor having one pole connected to the first power line, one end connected to the other pole of the first capacitor, and the other end connected to a ground line. One switch element, a second capacitor having one pole connected to a ground line, a second power supply line for supplying a second power supply voltage of a predetermined magnitude to the second capacitor, and one end of the second capacitor A second switch element connected to the other pole of the capacitor and having the other end connected to the second power supply line, and one end connected to the other pole of the first capacitor and one end of the first switch element. A third switch element connected to the other electrode of the second capacitor and one end of the second switch element; Since the first to third switching elements operate based on the second clock signal having a predetermined period, in addition to the effect of the synchronous circuit according to the first aspect, the load of the first power supply voltage is increased accordingly. In addition, when the second power supply voltage is higher than the first power supply voltage, more charge can be supplied.
[0078]
According to a third aspect of the present invention, there is provided a synchronizing circuit comprising: a processing circuit that performs a predetermined process based on a first clock signal having a predetermined clock period; and a first power supply voltage having a predetermined magnitude applied to the processing circuit. A first power supply line for supplying, a third power supply line for supplying a third power supply voltage greater than the first power supply voltage, a resistance element having one end connected to the first power supply line, A fourth switch element having one end connected to the other end of the resistance element and the other end connected to the third power supply line. The fourth switch element is based on a second clock signal having a predetermined period. Since it operates, when there is a margin in the supply capability of the third power supply voltage, the voltage drop of the first power supply voltage can be suppressed.
[0079]
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a synchronizing circuit comprising: a processing circuit that performs predetermined processing based on a first clock signal having a predetermined clock period; and a first power supply voltage having a predetermined magnitude applied to the processing circuit. A first power supply line for supplying; a third power supply line for supplying a third power supply voltage greater than the first power supply voltage; and a fifth switch element having one end connected to the first power supply line A sixth switch element having one end connected to the other end of the fifth switch element and the other end connected to the third power line, and one pole connected to a ground line and the other pole connected to the fifth switch element. A third capacitor connected to the other end of the sixth switch element and one end of the sixth switch element, and the fifth to sixth switch elements operate based on a second clock signal having a predetermined period. The power line is completely cut off. Therefore, in addition to the effect of the synchronous circuit according to the third aspect of the invention, it is possible to minimize the propagation of noise and to prevent the third power supply voltage from being lowered during the transition period of the processing circuit. I can roll. In addition, the circuit configuration can be simplified.
[0080]
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a synchronization circuit comprising: a processing circuit that performs a predetermined process based on a first clock signal having a predetermined clock period; and a first power supply voltage having a predetermined magnitude applied to the processing circuit. A first power line for supplying; a fourth capacitor having one pole connected to the first power line; an inverter having an output connected to the other pole of the fourth capacitor; and driving the inverter In addition to the effect of the synchronous circuit according to the invention of claim 2, the input of the inverter is supplied with a second clock signal having a predetermined period. This has the effect of being able to supply the electric charge.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a circuit diagram illustrating a synchronization circuit according to a first embodiment.
FIG. 2 is a diagram showing an input signal of the synchronization circuit according to the first embodiment.
FIG. 3 is a circuit diagram showing a synchronization circuit according to the first embodiment.
FIG. 4 is a circuit diagram showing a synchronization circuit according to the second embodiment.
FIG. 5 is a circuit diagram showing a synchronization circuit according to a third embodiment.
FIG. 6 is a circuit diagram showing a synchronization circuit according to the fourth embodiment.
FIG. 7 is a circuit diagram showing a synchronization circuit according to a fifth embodiment.
FIG. 8 is a circuit diagram showing a synchronization circuit according to a sixth embodiment.
FIG. 9 is a circuit diagram showing a synchronization circuit according to a seventh embodiment.
FIG. 10 is a configuration diagram showing a semiconductor chip according to an eighth embodiment.
FIG. 11 is a configuration diagram showing a semiconductor chip according to an eighth embodiment.
FIG. 12 is a configuration diagram showing a semiconductor chip according to an eighth embodiment.
FIG. 13 is a configuration diagram showing a semiconductor chip according to an eighth embodiment.
[Explanation of symbols]
1-3 power line, 100-160 relaxation circuit, 200 processing circuit, 300 semiconductor chip, 310 core part, 320 input / output part, 330 corner cell, 340 power cell, 350 power trunk, B1 buffer, C1-C5 capacity, I1 ˜I2 inverter, N1 to N5 contacts, S1 to S9 transmission gate, VDD1 to VDD2, VDDH power supply voltage, R1 resistance element, P1 pulse generation circuit.

Claims (12)

所定の周期を有する第一クロック信号に基づき所定の処理を行う処理回路と、
前記処理回路に所定の大きさの第一電源電圧を供給するための第一の電源線と、
一極が前記第一の電源線に接続された第一容量と、
一端が前記第一容量の他極に接続され他端が接地線に接続された第一スイッチ素子と、
一極が接地線に接続された第二容量と、
一端が前記第二容量の他極に接続され他端が前記第一の電源線と前記第一容量の一極とに接続された第二スイッチ素子と、
一端が前記第一容量の他極と前記第一スイッチ素子の一端とに接続され他端が前記第二容量の他極と前記第二スイッチ素子の一端とに接続された第三スイッチ素子と
を備え、
前記第一乃至第三スイッチ素子は、所定の周期を有する第二クロック信号に基づき動作する
同期回路。
A processing circuit for performing predetermined processing based on a first clock signal having a predetermined cycle;
A first power supply line for supplying a first power supply voltage of a predetermined magnitude to the processing circuit;
A first capacitor having one pole connected to the first power line;
A first switch element having one end connected to the other electrode of the first capacitor and the other end connected to a ground line;
A second capacitor with one pole connected to the ground wire;
A second switch element having one end connected to the other pole of the second capacitor and the other end connected to the first power line and one pole of the first capacitor;
A third switch element having one end connected to the other pole of the first capacitor and one end of the first switch element and the other end connected to the other pole of the second capacitor and one end of the second switch element; Prepared,
The first to third switch elements are synchronous circuits that operate based on a second clock signal having a predetermined period.
所定の周期を有する第一クロック信号に基づき所定の処理を行う処理回路と、
前記処理回路に所定の大きさの第一電源電圧を供給するための第一の電源線と、
一極が前記第一の電源線に接続された第一容量と、
一端が前記第一容量の他極に接続され他端が接地線に接続された第一スイッチ素子と、
一極が接地線に接続された第二容量と、
前記第二容量に所定の大きさの第二電源電圧を供給するための第二の電源線と、
一端が前記第二容量の他極に接続され他端が前記第二の電源線に接続された第二スイッチ素子と、
一端が前記第一容量の他極と前記第一スイッチ素子の一端とに接続され他端が前記第二容量の他極と前記第二スイッチ素子の一端とに接続された第三スイッチ素子と
を備え、
前記第一乃至第三スイッチ素子は、所定の周期を有する第二クロック信号に基づき動作する
同期回路。
A processing circuit for performing predetermined processing based on a first clock signal having a predetermined cycle;
A first power supply line for supplying a first power supply voltage of a predetermined magnitude to the processing circuit;
A first capacitor having one pole connected to the first power line;
A first switch element having one end connected to the other electrode of the first capacitor and the other end connected to a ground line;
A second capacitor with one pole connected to the ground wire;
A second power supply line for supplying a second power supply voltage of a predetermined magnitude to the second capacitor;
A second switch element having one end connected to the other electrode of the second capacitor and the other end connected to the second power line;
A third switch element having one end connected to the other pole of the first capacitor and one end of the first switch element and the other end connected to the other pole of the second capacitor and one end of the second switch element; Prepared,
The first to third switch elements are synchronous circuits that operate based on a second clock signal having a predetermined period.
所定のクロック周期を有する第一クロック信号に基づき所定の処理を行う処理回路と、
前記処理回路に所定の大きさの第一電源電圧を供給するための第一の電源線と、
前記第一電源電圧より大きい第三電源電圧を供給するための第三の電源線と、
一端が前記第一の電源線に接続された抵抗素子と、
一端が前記抵抗素子の他端に接続され他端が前記第三の電源線に接続された第四スイッチ素子と
を備え、
前記第四スイッチ素子は、所定の周期を有する第二クロック信号に基づき動作する
同期回路。
A processing circuit for performing predetermined processing based on a first clock signal having a predetermined clock cycle;
A first power supply line for supplying a first power supply voltage of a predetermined magnitude to the processing circuit;
A third power supply line for supplying a third power supply voltage greater than the first power supply voltage;
A resistance element having one end connected to the first power line;
A fourth switch element having one end connected to the other end of the resistance element and the other end connected to the third power supply line;
The fourth switch element is a synchronization circuit that operates based on a second clock signal having a predetermined period.
所定のクロック周期を有する第一クロック信号に基づき所定の処理を行う処理回路と、
前記処理回路に所定の大きさの第一電源電圧を供給するための第一の電源線と、
前記第一電源電圧より大きい第三電源電圧を供給するための第三の電源線と、
一端が前記第一の電源線に接続された第五スイッチ素子と、
一端が前記第五スイッチ素子の他端に接続され他端が前記第三の電源線に接続された第六スイッチ素子と、
一極が接地線に接続され他極が前記第五スイッチ素子の他端と前記第六スイッチ素子の一端とに接続される第三容量と
を備え、
前記第五乃至第六スイッチ素子は、所定の周期を有する第二クロック信号に基づき動作する
同期回路。
A processing circuit for performing predetermined processing based on a first clock signal having a predetermined clock cycle;
A first power supply line for supplying a first power supply voltage of a predetermined magnitude to the processing circuit;
A third power supply line for supplying a third power supply voltage greater than the first power supply voltage;
A fifth switch element having one end connected to the first power line;
A sixth switch element having one end connected to the other end of the fifth switch element and the other end connected to the third power supply line;
A third capacitor having one pole connected to a ground line and the other pole connected to the other end of the fifth switch element and one end of the sixth switch element;
The fifth to sixth switch elements are synchronous circuits that operate based on a second clock signal having a predetermined period.
所定のクロック周期を有する第一クロック信号に基づき所定の処理を行う処理回路と、
前記処理回路に所定の大きさの第一電源電圧を供給するための第一の電源線と、
一極が前記第一の電源線に接続された第四容量と、
出力が前記第四容量の他極に接続されたインバータと、
前記インバータを駆動するための第二の電源線と
を備え、
前記インバータの入力は、所定の周期を有する第二クロック信号が与えられる同期回路。
A processing circuit for performing predetermined processing based on a first clock signal having a predetermined clock cycle;
A first power supply line for supplying a first power supply voltage of a predetermined magnitude to the processing circuit;
A fourth capacitor having one pole connected to the first power line;
An inverter having an output connected to the other pole of the fourth capacitor;
A second power line for driving the inverter,
The input of the inverter is a synchronous circuit to which a second clock signal having a predetermined cycle is given.
請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の同期回路であって、
前記第二クロック信号は前記第一クロック信号の半分の周期を有する
同期回路。
A synchronization circuit according to any one of claims 1 to 5,
The second clock signal is a synchronizing circuit having a half period of the first clock signal.
請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の同期回路であって、
前記第二クロック信号は前記第一クロック信号と同一の周期を有する
同期回路。
A synchronization circuit according to any one of claims 1 to 5,
The second clock signal is a synchronization circuit having the same cycle as the first clock signal.
請求項1乃至請求項7のいずれかに記載の同期回路であって、
前記第二クロック信号は前記第一クロック信号よりも位相が進んでいる
同期回路。
A synchronization circuit according to any one of claims 1 to 7,
The synchronization circuit in which the phase of the second clock signal is more advanced than that of the first clock signal.
請求項1乃至請求項8のいずれかに記載の同期回路であって、
前記第二クロック信号のパルス幅を変換し出力するパルス発生回路
をさらに備える同期回路。
A synchronization circuit according to any one of claims 1 to 8,
A synchronization circuit further comprising a pulse generation circuit that converts and outputs a pulse width of the second clock signal.
請求項1乃至請求項9のいずれかに記載の同期回路
を備える半導体チップであって、
前記同期回路を入出力部のコーナーセルの領域に配置させた
半導体チップ。
A semiconductor chip comprising the synchronization circuit according to any one of claims 1 to 9,
A semiconductor chip in which the synchronization circuit is arranged in a corner cell region of an input / output unit.
請求項1乃至請求項9のいずれかに記載の同期回路
を備える半導体チップであって、
前記同期回路を入出力部の電源セルの領域に配置させた
半導体チップ。
A semiconductor chip comprising the synchronization circuit according to any one of claims 1 to 9,
A semiconductor chip in which the synchronization circuit is disposed in a power cell region of an input / output unit.
請求項1乃至請求項9のいずれかに記載の同期回路
を備える半導体チップであって、
前記同期回路を電源幹線の領域に配置させた
半導体チップ。
A semiconductor chip comprising the synchronization circuit according to any one of claims 1 to 9,
A semiconductor chip in which the synchronization circuit is arranged in a power supply trunk region.
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