JP2004518279A - 光学的に給電される共鳴トンネルデバイス - Google Patents

Abstract

原則的に、擬似共鳴がないよう光電池（２１）及び光源（２５）を用いて、ＲＴＤデバイス（２３）に給電することにより、改善された共鳴トンネルデバイス（ＲＴＤ）発振器を提供する。

Description

【０００１】
発明の背景
［発明の属する技術分野］
本発明は、共鳴トンネルデバイス（ＲＴＤ）に係り、より具体的には、共鳴トンネルデバイスに電力を供給する方法に係る。
【０００２】
［発明の背景］
サブミリメートル波長のマイクロ波発振器は、必要不可欠なマイクロ波コンポーネントである。この発振器は、ミリメートル波長無線受信器内の局所発振器として、且つ、ミリメートル波長無線送信器内の基本周波数決定機能として使用される。周波数キャリアに印象付けられる情報の可能な帯域幅は、キャリア周波数に比例するので、１，０００ＧＨｚ（１テトラヘルツ）以上で動作する発振器は、現在の技術に前例のない変調帯域幅を可能にする。一般的に、電界効果トランジスタ、バイポーラトランジスタ、衝撃イオン化ダイオード、及び、ガン効果ダイオードは、マイクロ波発振器に使用されるが、これらのデバイスは、それらの寸法による固有の周波数制限を有する。デバイスの寸法は、走行時間効果によって速度を制限してしまう。共鳴トンネルダイオード（ＲＴＤ）は、非常に高い固有利得と非常に速い切替え速度を有する半導体デバイスであり、マイクロ波発振器を、１，０００ＧＨｚを優に上回る周波数帯に対し構成することを可能にする。しかし、共鳴トンネルダイオード発振器回路は、バイアス回路が、ＲＴＤと共振して、望ましくない振動モードを生成しないよう電気的にバイアスをかけることが非常に困難である。レディ（Ｒｅｄｄｙ）外は、伝送線とショットキーダイオードの使用に基づいて、マイクロ波発振器内のＲＴＤを適切にバイアスをかける１つの方法を提供する。（参考文献：Ｍ．レディ（Ｍ． Ｒｅｄｄｙ）外、「Ｂｉａｓ Ｓｔａｂｉｌｉｚａｔｉｏｎ ｆｏｒ Ｒｅｓｏｎａｎｔ Ｔｕｎｎｅｌ Ｄｉｏｄｅ Ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒｓ」、ＩＥＥＥ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ ａｎｄ Ｇｕｉｄｅｄ Ｗａｖｅ Ｌｅｔｔｅｒｓ， １９９５年７月、第５巻、第７号）しかし、この方法は依然として、電源回路内に寄生共振が発生することを可能にしてしまう。従って、低周波数の振動を抑えながら、極超短波で振動するＲＴＤ回路を提供することに関し問題が残っている。
【０００３】
［発明の概要］
本発明の１つの実施例では、低インダクタンスを供給するには、電力を供給する高キャパシタンス手段は、基本的に、擬似共振がないようＲＴＤに電力を与え、且つ、バイアスをかけるために光電池を使用する。
【０００４】
［好適な実施例の説明］
共鳴トンネルダイオードは、固有電気利得を有する。固有電気利得は、共鳴トンネルダイオードを、少なくとも最大数百ＧＨｚの増幅器及び発振器に使用することを可能にする。図１を参照するに、一般的なＲＴＤ発振器１０は、電源１２及び共振回路１３を有するＲＴＤ１１を含み得る。共振回路１３は、所望の無線周波数に合わされた誘導子１４及びコンデンサ１５からなり得る。電源１２は、ＲＦバイパスコンデンサ１６と、電池１７といった電圧源と、電圧源をバイパスコンデンサ、ＲＴＤ、及び、同調回路に接続する誘導子１８、１９からなるワイヤとからなり得る。ＲＴＤは、ゼロ周波数（ｄｃ）から上限Ｆｍａｘまでの電気利得を有する。ＲＴＤの利得は、周波数と共に減少する傾向があるので、発振器１０の回路の最低特性共振周波数が、ＲＴＤ振動の周波数を設定する傾向がある。このことは、ＲＴＤ利得が、周波数が増加するにつれてロールオフする傾向のある高マイクロ波周波数において特に問題である。本質的に低周波数において利得が大きいことにより、ＲＴＤを含む回路は、所望のマイクロ波周波数においてではなくて、電源の配線における比較的大きい値のインダクタンスによって設定される低周波数において振動する傾向がある。この問題は、レディ外によって指摘されており（前出参考文献参照）、電源回路に適切にバイアスをかけ、電源回路を、６．９ＧＨｚＲＴＤ発振器から反結合するための特別な予防策が必要とされる。レディのアプローチでは、同調された伝送線とバイパスコンデンサを用いて、バイアス電圧源を、ＲＴＤとマイクロ波共振器から隔離させている。しかし、このアプローチは、ＲＴＤ利得が周波数の増加と共に非常に高速でロールオフする５００ＧＨｚ以上の周波数においては、好適ではない。良好に反結合された電源配線の場合でも、望ましくない振動影響が依然として引き起こされ得る。
【０００５】
図２を参照するに、ＲＴＤに電力を供給するために光電池が用いられる本発明の１つの実施例を示す回路図である。この実施例では、光電池２１は、ＲＴＤデバイス２３と直列接続される。光電池２１は、光放射２５を吸収し、この光放射を、ＲＴＤを活性化する電力に変換する。
【０００６】
図３を参照するに、本発明の１つの実施例による図２の直列構造のエピタキシャル構造の断面図を示す。エピタキシャル構造は、多層ｐｎ接合光電池３５上にある多層ＲＴＤ３１を含む。光電池３５は、基板３６上にある。端子は、３７、及び、３８であり、これらの端子を介して更なる回路が接続され得る。光学照明３２、３３が与えられて、回路に電力が供給される。
【０００７】
図４を参照するに、共通基板４３上にある多層ＲＴＤ４１と、共通基板上にある多層光電池４５からなる第２の構造を示す。層４６は、ＲＴＤ４１と光電池４５の両方に共通である。光学照明４２、４４が与えられて、回路に電力が供給される。端子４８、４９は、ＲＴＤと光電池にそれぞれ接続され、また、外部の回路に更に接続され得る。この技術において周知のように、量子井戸ダイオードとしても知られる共鳴トンネルダイオードは、負性微分コンダクタンス効果を生成するために、１対のポテンシャルエネルギー障壁を通過する電子のトンネル効果を用いる。ＲＴＤは一般的に、２つのエネルギー障壁によって囲まれる１つの量子エネルギー井戸を生成するよう形成されるエピタキシャル成長された半導体材料の多層スタック（ヘテロ構造）からなる。この構造に入射する電子は、特定の明確に決められたエネルギー以外は、この構造から反射する。このエネルギーは、量子井戸内の共振エネルギーレベルに対応し、また、これらのエネルギーに対し、この構造を通るコンダクタンスは、非常に効率がよい。非常に高い周波数のＲＴＤ用の一般的な設計を、表１に示す。これらの層は、インジウム（Ｉｎ）、ヒ素（Ａｓ）、ガリウム（Ｇａ）、アルミニウム（Ａｌ）、及び、リン（Ｐ）からなる化合物を用いた、分子線エピタキシャル成長法、又は、化学蒸着法を用いて成長される。ＩｎＧａＡｓ量子井戸、及び、ＡｌＡｓトンネル障壁に基づいたＲＴＤは、標準ＩｎＰ基板上に容易に成長させることができる。シリコン及びホウ素といった様々なドーパントを用いて、各層の伝導率を変更することが可能である。このようなダイオードは、ＧａＡｓ基板上のＡｌＧａＡｓ化合物を用いて製造することも可能である。
【０００８】
表１ 一般的な共鳴トンネルダイオードへテロ構造
【表１】

図５に示すように、上部コンタクトと下部コンタクトの間の電気バイアス下では、ダイオード内の電流は、バイアスが増加するにつれて、まず上昇する。次に、更なるバイアスで急激に降下する。次に、更なるバイアスで再び上昇する。図５は、最初の共振で、１００，０００アンペア／ｃｍ^２の電流を示す表１のＲＴＤの電圧応答に対する電流を示す。この応答は、１平方マイクロメートルの断面積を有するデバイスに対してのものである。最初の上昇と、約０．２８ボルトのバイアスにての、ダイオード電流におけるピークは、ヘテロ構造内に確立された最低エネルギー伝導帯共振を通る電子の量子力学トンネル効果によるものである。０．５ボルトのバイアス以降の電流における第２の上昇は、次に高いエネルギー共振を通るトンネル効果の始まりによるものである。図５に示すように、０．２８ボルト及び０．５ボルト間のバイアス電圧における電流の下落は、負の傾斜を有する。図６に、このデバイスに対してのバイアス領域に関連付けられる負性微分コンダクタンス（又は、反対に負性微分抵抗）を示す。このバイアス範囲内において、ＲＴＤは、増幅、又は、振動のための利得素子として使用することが可能である。最大負性微分コンダクタンス（−６．９６Ｅ−３ オーム^−１）は、この例示的なデバイスでは、約０．３５ボルトにおいて生じる。これは、最大利用可能な利得のバイアスポイントでもある。ＲＴＤを共振電気回路に接続することは、ＲＴＤ利得の大きさが回路内の損失を超えると、増幅及び発振を生成することが可能である。この電子回路における増幅及び発振を支援することのできる能力は、負性微分コンダクタンスを示す任意の電気デバイスの特徴である。（参考文献：「Ｂａｓｉｃ Ｔｈｅｏｒｙ Ａｎｄ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ Ｔｕｎｎｅｌ Ｄｉｏｄｅｓ」、Ｓ．Ｐ．ジェンタイル（Ｓ． Ｐ． Ｇｅｎｔｉｌｅ）、ヴァン・ノストランド（Ｖａｎ Ｎｏｓｔｒａｎｄ）、プリンストン、Ｎ．Ｊ．、１９６２年）現在の技術の状態では、共鳴トンネルダイオードは、固有電子利得を有する最速の半導体である。ＲＴＤは、７００Ｇｈｚ以上で発振することが示されている。（参考文献：ブラウン外、「Ｈｉｇｈ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｒｅｓｏｎａｎｔ Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ Ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒｓ」、Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ ａｎｄ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｌｅｔｔｅｒｓ， １９９１年１月、第４巻、第１号、ｐ．１９−２３）従って、半導体利得素子に基づく最速発振器は、現在は、共鳴トンネルダイオードを使用しなければならない。
【０００９】
図７に、ｐｎ接合光電池の既に実施される等価電気モデルを示す。（参考文献：「Ｐｈｙｓｉｃｓ ｏｆ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｄｅｖｉｃｅｓ」、Ｓ．Ｍ．スジ（Ｓ． Ｍ． Ｓｚｅ）、ジョン・ウィリー・アンド・サンズ、第１４章、１９８１年［ＩＳＢＮ０−４７１−０５６６１−８］）光電池１００は、被制御電流源１０２、シャントダイオード１０２、接合キャパシタンス１０６、及び、直列出力抵抗１０８によって表される。コンデンサ１０６は、一般的に、ダイオードの面積の一次関数である。直列抵抗１０８は、ダイオードを製造するのに用いた材料の種類と厚さに依存する。電流源１０２の振幅Ｉ_Ｌは、光学照明１１０のレベルＩ_Ｐに正比例する。フォトダイオードの端子間の出力電圧は、外部負荷抵抗、光電流Ｉ_Ｌ、内部ダイオード１０４の電圧応答に対する電流、及び、直列抵抗１０５の両端間の電圧降下によって決定される。図８は、一般的なｐｎ接合光電池の出力電圧応答に対して計算されたｄｃ出力電流を示す。計算には、１０オームの直列抵抗を用いた。光学照明のレベルが、基準値から１倍、３倍、及び、６倍に上がると、ダイオードからの短絡出力電流は、それぞれ、０．５、１．５、及び、３ミリアンペアに増加する。同一の照明範囲に対し、ダイオードの両端の開回路電圧は、０．３４乃至０．３９ボルトの範囲に下落する。ダイオードのｄｃ抵抗は、照明に応じて変化する。フォトダイオードの等価抵抗の最低値は、ゼロ電流の領域において生じる。図８に示す最高レベルの照明では、光電池のｄｃ抵抗は、開回路条件に近い約３４オームである。
【００１０】
金属半導体接合に基づいた光電池は、ショットキー光電池と称し、ｐｎ接合ダイオードの代替である。多くの異なるタイプのｐｎ及びショットキー光電池が可能であり、多くの半導体材料を用いて光電池を形成することが可能である。
【００１１】
図９は、図５に示すＲＴＤのＩ−Ｖ曲線５８と、幾つかの光学照明レベルにおける一般的なｐｎ又はショットキーダイオード光電池のＩ−Ｖ特性を示す。低レベルの光学照明では、光電池のＩ−Ｖ特性は、曲線５２として表され得る。中間レベルの光学照明では、光電池のＩ−Ｖ特性は、曲線５４として表され得る。高レベルの光学照明では、光電池のＩ−Ｖ特性は、曲線５６として表され得る。増幅器又は発振器として動作するようＲＴＤに適切にバイアスをかけるには、光電池のＩ−Ｖ特性が、ＲＴＤの最大負性微分抵抗５９の点において、ＲＴＤのＩ−Ｖとインタセプトするよう光電池の光照明を調節しなければならない。上述した条件は、曲線５４によって最もよく示される。
【００１２】
ＲＴＤを、安定した増幅器又は発振器として使用するには、ＲＴＤの両端の平均電圧を、その負性抵抗領域内に維持するｄｃ電圧で、ＲＴＤに電気的にバイアスをかける必要がある。
【００１３】
光電池２１の電気特性は、ＲＴＤ２３の有用な電源として機能するよう幾つかの要件を満たすべきである。第１に、光電池２１は、光電池が、回路内のＲＦ電流を妨げないよう所望のＲＦ動作周波数において非常に低いインピーダンスを示すべきである。低インピーダンスという要件は、その接合キャパシタンスが、ＲＴＤに対し十分に低いリアクタンス性インピーダンスを提供する十分な面積を有する光電池を用いることによって満たすことが可能である。１つの実施例では、この接合キャパシタンスのリアクタンスの大きさは、動作周波数では、１オームより小さくされる。５００ＧＨｚの動作周波数では、光電池２１の接合キャパシタンスは、１／２πＦ＝１／６．２８＊５００Ｅ９＝０．３ピコファラッド以上であるよう設定され得る。一般的なｐｎ及びショットキー光電池は、約１００平方マイクロメートルの面積で、この接合キャパシタンスを達成することができる。光電池の第２の要件は、光電池が、適切なバイアス安定性を保証するために、ＲＴＤ回路に対し十分に低いｄｃ抵抗を示すことである。光電池によって、ＲＴＤに示されるｄｃ抵抗は、ＲＴＤのピーク負性微分抵抗の大きさより小さくなければならない。このことは、図９に曲線５４として示すような光電池によって確立されるＩ−Ｖ負荷線が、１つのバイアス点においてのみ、ＲＴＤのＩ−Ｖをインタセプトすることを保証する。式で表すと、直列接続されたＲＴＤ及び光電池を含む増幅器又は発振器の適切な動作のためには、
−Ｒ_ＲＴＤ（ｄｃ）＞Ｒ_{Ｐｈｏｔｏｃｅｌｌ}（ｄｃ） （式１）
であることを必要とする。ただし、Ｒ_ＲＴＤ（ｄｃ）は、ＲＴＤの微分ｄｃ抵抗であり、Ｒ_{Ｐｈｏｔｏｃｅｌｌ}（ｄｃ）は、ＲＴＤと直列接続される光電池の微分ｄｃコンダクタンスに等しい。１つの例として、図９に示すＲＴＤのピーク負性微分抵抗は、約（１／−６．４６Ｅ−３）＝−１５４オームである。このＲＴＤが、増幅器又は発振器に正しく使用されるには、ＲＴＤの両端に配置される実効ｄｃ抵抗は、１５４オーム以下でなくてはならない。設計マージンを設けるために、Ｒ_{Ｐｈｏｔｏｃｅｌｌ}は、（−Ｒ_ＲＴＤ）の１／２の値より小さい値に制限されるべきである。回路の残りの部分も非ゼロのｄｃ抵抗を有する場合、光電池のｄｃ抵抗は、同様の分だけ更に少なくされなければならない。シミュレートされたＩ−Ｖトレース５４によって示される微分ｄｃ抵抗は、バイアスポイント５９において約４０オームである。従って、曲線５４と類似するＩ−Ｖを供給する光電池は、好適な微分ｄｃ抵抗を有し得る。
【００１４】
図１０を参照するに、ＲＴＤ発振器１２０は、光電池１２１、ＲＴＤ１２３、及び、共振回路１２４を含み得る。共振回路１２４は、所望の発振周波数に合わせられた誘導子１２６及びコンデンサ１２８からなる。図１１は、光電池回路１３１、ＲＴＤ１３３、及び、誘導ストラップ１３６からなるモノリシック発振器１３０の断面図を示す。誘導ストラップ１３６は、発振器１２０内の共振器１２４の機能を供給するよう等価インダクタンス及び寄生キャパシタンスを有する。Ｎ＋層１３８は、誘導子１３６の端を光電池１３１に相互接続する。この実施例では、Ｎ＋層１３８及び基板１４０に使用する材料は、光電池１３１により吸収されるスペクトル領域に対し光学的に透明であるよう選択される。これにより、光電池１３１の光照明１４２が、発振器の基板側から結合されることが可能となる。一般的に、光学照明１４３は、回路に電力を供給するよう使用する。
【００１５】
図１２を参照するに、導電性の金層で覆われる進行波アンテナ７１を用いる光学電力発振器の１つの実施例を示す。このアンテナは、所望の周波数においてシステムを共振させる壁７８からのある点において壁７３、７４に亘って配置されるＲＴＤ及び太陽電池直列セット７７を有する。直列接続されるＲＴＤ及び光電池は、任意の所与の周波数において特定のインピーダンス値を有する。壁７３、７４によって形成されるスロットの両端で測定されるインピーダンスは、短絡壁７８からの距離の関数として変化する。例えば、壁７８に非常に近ければ、スロットのインピーダンスは、非常に低いインダクタンスとして測定される。電気波長の４分の１より僅かに離れる点では、スロットは、僅かに容量性として測定される。図１２の回路を、周波数Ｆにおける発振器として動作させるには、直列セット７７は、スロットのインピーダンスが、直列セット７７のインピーダンスの複素共役となるようにスロットに沿って配置されるべきである。このようにして、直列セット７７の実効リアクタンスが、スロットの共役リアクタンスによって相殺される。これが、周波数Ｆにおける発振器として機能する為の、直列セット７７の場所の好適な点である。この回路は、送信器、又は、高周波受信器回路内において局所発振器として使用され得る。この回路は、直列セット７７を担持する基板と同じ基板上に製造され得る。又は、アンテナ７１が、クオーツ又はマイラープラスチックの基板上に配置され、直列セット７７が、標準フリップチップ又は他の周知の技術を用いて、アンテナに物理的及び電気的に付着される。
【００１６】
図１３を参照するに、直列接続されたＲＴＤ及び光電池セット８１が、ダイポール８３に亘って配置され、それにより、ＲＴＤ及び光電池セットが、送信器、又は、受信器回路用のフリースペースの局所発振器として機能することができるようにされる。ダイポール８３の両端で測定されるインピーダンスは、中心８４からの距離の関数として変化する。例えば、中心８４に非常に近ければ、ダイポールのインピーダンスは、非常に低く、インダクティブとして測定される。中心から離れた点のインピーダンスは、増加する。図１３の回路を、周波数Ｆにおける発振器として動作させるために、ＲＴＤ及び光電池セット８１は、ダイポールのインピーダンスが、ＲＴＤ及び光電池セット８１のインピーダンスの複素共役となるようダイポールに電気的に接続されるべきである。このようにして、ＲＴＤ及び光電池セット８１の実効リアクタンスは、ダイポールの共役リアクタンスによって相殺される。これが、周波数Ｆにおける発振器として機能する為の、ＲＴＤ及び光電池セット８１の場所の好適な点である。この回路は、送信器、又は、高周波数受信器回路における局所発振器として使用され得る。回路は、ＲＴＤ及び光電池セット８１を担持する基板と同じ基板上に製造され得る。又は、アンテナ８３が、クオーツ又はマイラープラスチックといった基板に配置され、ＲＴＤ及び光電池セット８１は、標準フリップチップ又は他の周知の技術を用いてアンテナに物理的及び電気的に付着される。
【００１７】
図１４を参照するに、共通基板６２上の共振発振器のアレイ全体６１を示す図である。各発振器は、ダイポールアンテナ、ＲＴＤ、及び、光電池からなる。ＲＴＤ及び光電池は、直列接続されてセットを形成する。各セットの端子は、セットがダイポールとインピーダンスが合わされるよう各ダイポールに接続される。各ダイポール発振器は、アレイ全体が首尾一貫して発振する、即ち、位相ロックされた方法で発振することを可能にするよう電気的に半波長の長さにされる。ダイポール発振器のアレイ６１は、光源６３からの光によって電力が得られる。光源の強度及び均一性は、各ダイポール発振器に同等に電力が供給されるよう調整される。
【００１８】
本発明の一部の利用法では、ＲＴＤと光電池とを異なる基板上に製造することが望ましい場合がある。又は、ＲＴＤと光電池とを、両立しないエピタキシャル成長法によって製造することが望ましい場合がある。１つの実施例では、ＲＴＤは、別個の基板上に製造され、機械的又は化学的に個々の単位にダイスカットされ、周知のフリップチップ又はマルチチップモジュール組立体を用いて光電池端子の１つに機械的及び電気的に接合され得る。
【図面の簡単な説明】
【図１】
従来技術における、リード線を用いたＲＴＤ発振器への電力供給を示す図である。
【図２】
本発明の１つの実施例を示す回路図である。
【図３】
本発明の１つの実施例の構造を示す図である。
【図４】
本発明の第２の実施例の構造を示す図である。
【図５】
ＲＴＤのＩ−Ｖプロットを示す図である。
【図６】
ＲＴＤの電圧に対する微分コンダクタンスのプロットを示す図である。
【図７】
ｐｎ接合光電池の等価電気モデルを示す図である。
【図８】
ｐｎ接合光電池のＩ−Ｖプロットを示す図である。
【図９】
ＲＴＤ及びｐｎ接合光電池のＩ−Ｖプロットを示す図である。
【図１０】
本発明の１つの実施例によるＲＴＤ発振器を示す回路図である。
【図１１】
本発明の１つの実施例によるＲＴＤ発振器構造を示す図である。
【図１２】
進行波アンテナを用いた本発明の別の実施例を示す図である。
【図１３】
ダイポールアンテナを用いた本発明の別の実施例を示す図である。
【図１４】
光によって電力が供給されるアレイ全体を示す図である。

Claims (12)

1. 共鳴トンネルダイオードと、
   上記共鳴トンネルダイオードに接続され、光に応答して、上記共鳴トンネルダイオードにバイアスをかける光電池と、
   を含む発振器。
2. 上記光電池は、上記共鳴トンネルダイオードに電力を供給し、且つ、バイアスをかけるよう一体にされる請求項１記載の発振器。
3. 上記太陽電池は、上記共鳴トンネルダイオードに適合するよう高いＩ−Ｖ太陽電池応答を有する低漏出の光電池である請求項１記載の発振器。
4. アンテナと、
   上記アンテナに接続される発振器と、を含み、
   上記発振器は、
   共鳴トンネルダイオードと、
   上記トンネルダイオードに接続され、光に応答して、上記共鳴トンネルダイオードにバイアスをかける光電池と、
   を含む変換器。
5. 上記アンテナは、進行波アンテナである請求項４記載の変換器。
6. 上記共鳴トンネルダイオード、及び、上記光電池は、システムを所望の周波数において共振させる端壁からの１つの点において、側壁の間に直列接続される請求項５記載の変換器。
7. 上記アンテナは、ダイポールアンテナである請求項４記載の変換器。
8. 上記共鳴トンネルダイオードと、上記光電池は、上記ダイポールアンテナの中心に亘って直列接続される請求項７記載の変換器。
9. 発振器である請求項４記載の変換器。
10. アンテナのアレイと、
    上記アンテナのアレイの各アンテナに接続される発振器と、を含み、
    上記発振器は、
    共鳴トンネルダイオードと、
    上記トンネルダイオードに接続され、光に応答して、上記共鳴トンネルダイオードにバイアスをかける太陽電池と、
    を含む発振器。
11. 各アンテナは、ダイポールである請求項１０記載の発振器。
12. 上記アンテナのアレイは、共通の基板上にある請求項１０記載の発振器。

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