JP2004515609A

JP2004515609A - Texturing composition

Info

Publication number: JP2004515609A
Application number: JP2002549429A
Authority: JP
Inventors: 桂伊藤; 二郎山田; 公弘洪; 恵神田
Original assignee: Showa Denko KK; Yamaguchi Seiken Kogyo Co Ltd
Current assignee: Showa Denko KK; Yamaguchi Seiken Kogyo Co Ltd
Priority date: 2000-12-15
Filing date: 2001-12-11
Publication date: 2004-05-27
Anticipated expiration: 2021-12-11
Also published as: WO2002047868A1; AU2002221120A1; JP4015945B2

Abstract

テクスチャリング加工用組成物は、
（ｉ）ダイヤモンド、ＣＢＮ、アルミナおよび炭化ケイ素からなる群のうち少なくとも１種の微粒子または粉末と、
（ｉｉ）一般式Ｒ_１Ｏ（Ｃ_ｎＨ_２ｎＯ）_ｍＨ（式中、Ｒ_１は炭素数１〜４の直鎖または分岐鎖のアルキル基を示し、ｍは１〜３の整数、ｎは２または３を示す。）で表されるアルキレングリコールモノアルキルエーテル、炭素数２〜５の多価アルコールおよび該多価アルコールの重合物からなる群のうち少なくとも１種と、
（ｉｉｉ）炭素数１０〜２２の脂肪酸
とを含有し、この組成物を用いて研磨することにより微細なテクスチャリング条痕の形成と「研磨痕」や「研磨スクラッチ」の除去、及びテクスチャリング加工後の基板の下地層の平均表面粗さ（Ｒａ）を小さくすることを達成することができる。The texturing composition is
(I) at least one fine particle or powder selected from the group consisting of diamond, CBN, alumina and silicon carbide;
(Ii) General formula R ₁ O (C _n H _2n O) _m H (wherein R ₁ represents a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, m is an integer of 1 to 3, n Represents at least one selected from the group consisting of alkylene glycol monoalkyl ethers represented by formula (2) or (3), polyhydric alcohols having 2 to 5 carbon atoms, and polymers of the polyhydric alcohols;
(Iii) containing a fatty acid having 10 to 22 carbon atoms and polishing with this composition to form fine texturing streaks, remove "polishing marks" and "polishing scratches", and texturing Decreasing the average surface roughness (Ra) of the underlying layer of the subsequent substrate can be achieved.

Description

【０００１】
本出願は、米国特許法１１１条（ｂ）項に基づく２００１年２月２１日出願の米国仮出願第６０／２６９，８４９号の米国特許法１１９条（ｅ），（１）項の出願日に基づく米国特許法１１１条（ａ）項の利益を主張した出願である。
【０００２】
（技術分野）
本発明は磁気ディスク用基板にテクスチャリング条痕を付けるテクスチャリング加工用組成物、該組成物を含有するスラリー、およびテクスチャリング加工された磁気ディスクに関し、特に、微細なテクスチャリング条痕を迅速に形成でき、かつテクスチャリング加工後の下地層の平均表面粗さ（Ｒａ）を小さくすることのできるテクスチャリング加工用組成物、該組成物を含有するスラリーおよびテクスチャリング加工された磁気ディスクに関する。
【０００３】
（背景技術）
増大する磁気ディスクの記録密度の要求を満たすために、磁気ディスク表面と磁気ヘッドとの距離が小さくなり、例えば５０〜１００ｎｍ程度になっている。このため磁気ディスクの表面はできるだけ平坦であることが必要である。磁気ディスクの平坦化に伴って、いわゆる磁気ヘッドの吸着、すなわち磁気ディスクの静止後再駆動しなくなり、ハードディスクドライブの始動が不能になるというトラブルが起こる。数年前まではこのような「磁気ヘッドの吸着」を防ぐために、通常磁気ディスクの下地層（磁性層の下層）にいわゆるテクスチャリング加工を施していた。
【０００４】
テクスチャリング加工とは、所定の粒径の砥粒が付着した研磨テープあるいは砥粒の懸濁液を磁気ディスクの下地層表面に摺接して、磁気ディスク下地層の表面に微小な条痕を形成することである。このときに形成されるテクスチャリング条痕は、数年前まではいわゆる「磁気ヘッドの吸着」を防止するためのものであり、そのためにはある程度の大きさが必要だが、浮上中の磁気ヘッドと衝突する程大きくてはいけないという条件を満たす必要があり、さらにテクスチャリング条痕は十分に均一でなければならなかった。
【０００５】
このような条痕を形成するためのテクスチャリング加工用組成物としては、従来から、ダイヤモンド砥粒やアルミナ砥粒を研削液に混合したスラリーが用いられていた。
【０００６】
例えば、特開平６−３３０４２号公報には、炭素数２〜５の二価アルコール、エチレングリコール重合物またはプロピレングリコール重合物を分散媒とし、ダイヤモンド、炭化珪素、酸化アルミニウムの砥粒を分散させて得られるメモリーハード用ディスクのテクスチャリング用研磨組成物が開示されている。また、特開平８−２８７４５６号公報には、ダイヤモンド等の微粒子または粉末とアルキレングリコールモノアルキルエーテル並びに脂肪酸またはそれらの金属塩を含有する磁気ディスク用基板のテクスチャリング加工用組成物が開示されている。
【０００７】
しかし近年では、磁気ディスク内周部にレーザー加工による段差（当分野では「レーザーバンプ」といわれている。）を形成し、磁気ディスク静止時にはこの段差上に磁気ヘッドを着陸させることにより「磁気ヘッドの吸着」を防いでいる。そのため現在は「磁気ヘッドの吸着」防止とは異なる目的のためにテクスチャリング加工が行われている。
【０００８】
すなわち、テクスチャリング加工後の磁気ディスク表面に形成される磁性層中の粒子の結晶方向を揃え磁気記録を効率的に行うために、微細なテクスチャリング条痕を形成することが行われる。そのため、以前のような数μｍ程度の大きさのテクスチャリング条痕ではなく、例えば１μｍ当たり１０〜３０本の条痕が形成されている。
【０００９】
また、テクスチャリング加工前の磁気ディスク下地層に存在するサブストレート研磨工程に起因する「研磨痕」や「研磨スクラッチ」を除去するために、テクスチャリング加工が施される。これら「研磨痕」や「研磨スクラッチ」は、磁性粒子による記録読み書きの際のエラー原因となり、磁気ディスクの記録密度向上を阻害させる要因となる。
【００１０】
さらにまた、テクスチャリング後の下地層の平均表面粗さ（Ｒａ）を小さくし磁気ヘッドの浮上高さを小さくするためにテクスチャリング加工が施されている。
【００１１】
しかし、上述の公報に開示されているテクスチャリング用研磨組成物、あるいはテクスチャリング加工用組成物は、上述の「磁気ヘッドの吸着」を防ぐことが目的であり、現在のテクスチャリング加工に必要とされる、微細なテクスチャリング条痕の形成と「研磨痕」や「研磨スクラッチ」の除去、及びテクスチャリング加工後の下地層の平均表面粗さ（Ｒａ）を小さくすることを同時に達成することは不可能であった。
【００１２】
磁気ディスクの記録密度を向上させるには、磁気ディスクの下地層（磁性層の下層）のテクスチャリング加工表面粗さを小さくし磁気ヘッドの浮上高さを従来より小さくすると共に、ディスク円周方向に微細なテクスチャリング条痕を形成し磁気記録を効率的に行い、同時に、テクスチャリング加工前に行われるサブストレート研磨工程に起因する、磁気ディスクの下地層に存在する「研磨痕」や「研磨スクラッチ」を除去する必要がある。
【００１３】
テクスチャリング加工表面の表面粗さを小さくし、微細なテクスチャリング条痕を形成するためには微小な粒子ないし粉末を使用する必要があるが、通常は粒子が小さくなると加工レートが低下してしまうので、短時間のテクスチャリング加工によって「研磨痕」や「研磨スクラッチ」を除去することは困難であった。
【００１４】
本発明は上記問題点を解決すべくなされたものであり、テクスチャリング加工後における、磁気ディスクの下地層の平均表面粗さ（Ｒａ）が小さく、かつ微細なテクスチャリング条痕を形成すると同時に、サブストレート研磨工程に起因する「研磨痕」や「研磨スクラッチ」を、テクスチャリング処理により高加工レートで除去することのできるテクスチャリング組成物を提供することを目的とする。
【００１５】
（発明の開示）
本発明のテクスチャリング加工用組成物は、
（ｉ）ダイヤモンド、ＣＢＮ、アルミナおよび炭化ケイ素からなる群のうち少なくとも１種の微粒子または粉末と、
（ｉｉ）一般式Ｒ_１Ｏ（Ｃ_ｎＨ_２ｎＯ）_ｍＨ（式中、Ｒ_１は炭素数１〜４の直鎖または分岐鎖のアルキル基を示し、ｍは１〜３の整数、ｎは２または３を示す。）で表されるアルキレングリコールモノアルキルエーテル、炭素数２〜５の多価アルコールおよび該多価アルコールの重合物からなる群のうち少なくとも１種と、
（ｉｉｉ）炭素数１０〜２２の脂肪酸
とを含有することから成る。
【００１６】
また、微粒子または粉末の平均粒径は、０．０１〜１μｍの範囲内であることを含み、その含有量は、テクスチャリング加工用組成物中、０．００１〜５質量％であることを含む。
【００１７】
また、上記アルキレングリコールモノアルキルエーテル、多価アルコールおよび上記多価アルコールの重合物の含有量は、テクスチャリング加工用組成物中、総量で１〜５０質量％であることを含む。
【００１８】
更に、上記脂肪酸は、ラウリン酸又はオレイン酸であることを含み、その含有量は、テクスチャリング加工用組成物中、０．０１〜５質量％の範囲であることを含む。
【００１９】
本発明のテクスチャリング組成物は、さらに、有機アミン化合物を含有するものを含み、その含有量は、テクスチャリング加工用組成物中、０．０１〜２０質量％であることを含む。
【００２０】
本発明のテクスチャリング加工用組成物は、さらに、界面活性剤を含有することを含み、上記界面活性剤はアニオン系界面活性剤またはノニオン系界面活性剤であることを含み、その含有量は、テクスチャリング加工用組成物中、総量で０．０１〜１０質量％の範囲であることを含む。
【００２１】
また、本発明は、上記テクスチャリング加工用組成物を用いて形成されたスラリーを含み、上記スラリーの溶媒は、水、炭素数が１〜１０の１価アルコール類、グリコール類、炭素数が３〜１０の多価アルコール、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアルデヒド、テトラヒドロフランおよびジオキサンであることを含む。
【００２２】
本発明は、上記テクスチャリング加工用組成物を用いてテクスチャリング加工が施された磁気ディスクであることを含む。
【００２３】
上述のテクスチャリング加工用組成物を用いて、例えば磁気ディスク用基板等にテクスチャリング加工を行うと、１μｍ当たり約２０〜３０本の微細なテクスチャリング条痕の形成を高加工レートで行うことができ、加工前の基板の下地層に存在する「研磨痕」や「研磨スクラッチ」を短時間のテクスチャリング加工により除去し、高品質の磁気ディスクの生産性を飛躍的に向上させることができる。
【００２４】
（発明を実施するための最良形態）
本発明のテクスチャリング加工組成物は、（ｉ）ダイヤモンド、ＣＢＮ、アルミナおよび炭化ケイ素からなる群のうち少なくとも１種の微粒子または粉末と、（ｉｉ）一般式Ｒ_１Ｏ（Ｃ_ｎＨ_２ｎＯ）_ｍＨ（式中、Ｒ_１は炭素数１〜４の直鎖または分岐鎖のアルキル基を示し、ｍは１〜３の整数、ｎは２または３を示す。）で表されるアルキレングリコールモノアルキルエーテル、炭素数２〜５の多価アルコールおよび該多価アルコールの重合物からなる群のうち少なくとも１種と、
（ｉｉｉ）炭素数１０〜２２の脂肪酸
とを含有することを特徴とするテクスチャリング加工用組成物。
【００２５】
本発明に使用されるダイヤモンドの微粒子または粉末とは、天然または工業合成のダイヤモンドであって、ＪＩＳＲ６００１−１９８７に規定されている研磨材、砥粒の粗紛および微分の粒度に準じる粒度のものをいう。ただし、これらに限定されることなく、特殊な粒度分布を有する微粒子または粉末も使用することができる。
【００２６】
本発明に使用されるＣＢＮの微粒子または粉末とは、工業的に合成されたＣＢＮであって、上記したようなＪＩＳＲ６００１−１９８７準じる粒度のものをいう。ただし、これらに限定されることなく、特殊な粒度分布を有する微粒子または粉末も使用することができる。
【００２７】
本発明に使用されるアルミナまたは炭化ケイ素の微粒子または粉末とは、ＪＩＳＲ６１１１−１９８７に規定された人造研磨材またはそれに準するものであって、ＪＩＳＲ６００１−１９８７に規定されている研磨材、砥粒の粗紛および微分の粒度またはそれに準じる粒度の、アルミナ等の微粒子または粉末をいい、更には燒結用のアルミナ粉末または炭化ケイ素粉末も本発明に含まれる。
【００２８】
上記微粒子または粉末の粒度は、最大粒径が５μｍ以下であることが好ましく、より好ましは３μｍ以下である。最大粒径が５μｍを越えると形成されたテスクチャリングの条痕が太くなりすぎることがあり、微細なテスクチャリング条痕を形成することが難しくなる。
【００２９】
また、上記微粒子または粉末の平均粒径は、０．０１〜１μｍ、好ましくは０．０３〜０．５μｍの範囲であることが望ましい。平均粒径が１μｍを越えるとテスクチャリング加工により形成される条痕が太くなりすぎることがあり、微細なテスクチャリング条痕を形成することが難しくなり、０．０１μｍ未満であると切削力が低下し、速い研磨レートでのテスクチャリング加工により「研磨痕」や「研磨スクラッチ」を除去することが難しくなる。
【００３０】
上記微粒子または粉末の含有量は、テクスチャリング加工用組成物中、０．００１〜５質量％であることが好ましく、より好ましくは０．００５〜１質量％である。微粒子等の含有量が０．００１質量％未満では、テクスチャリング加工能率が極端に低下して「研磨痕」や「研磨スクラッチ」を除去することが困難になることがある。一方、微粒子等の含有量を５質量％より多くしてもテクスチャリング加工能率の更なる向上は認められず、かつ経済的でもないので、５質量％以下であることが好ましい。
【００３１】
２種類以上の微粒子または粉末を混合して使用する場合にも、含有量は上記の範囲内で混合することが好ましい。
【００３２】
上述したように、本発明の組成物は、特定のアルキレングリコールモノアルキルエーテル、多価アルコール、および多価アルコールの重合体からなる群のうち少なくとも１つを含有する。特定のアルキレングリコールモノアルキルエーテルとしては、一般式Ｒ_１Ｏ（Ｃ_ｎＨ_２ｎＯ）_ｍＨで表されるものが挙げられる。ただし、式中、Ｒ_１は炭素数１〜４の直鎖または分岐鎖のアルキル基を示し、ｍは１〜３の整数、ｎは２または３の整数を示す。
【００３３】
本発明に好ましく用いられるアルキレングリコールモノアルキルエーテルとしては、具体的には、
エチレングリコールモノメチルエーテル（ＣＨ_３ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＨ）、
エチレングリコールモノエチルエーテル（Ｃ_２Ｈ_５ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＨ）、
エチレングリコールモノブチルエーテル（Ｃ_４Ｈ_９ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＨ）、
ジエチレングリコールモノメチルエーテル（ＣＨ_３（ＯＣＨ_２ＣＨ_２）_２ＯＨ）、
ジエチレングリコールモノエチルエーテル（Ｃ_２Ｈ_５（ＯＣＨ_２ＣＨ_２）_２ＯＨ）、
ジエチレングリコールモノブチルエーテル（Ｃ_４Ｈ_９（ＯＣＨ_２ＣＨ２）_２ＯＨ）、
プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＣＨ_３ＯＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＯＨ）、
プロピレングリコールモノエチルエーテル（Ｃ_２Ｈ_５ＯＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＯＨ）、
プロピレングリコールモノブチルエーテル（Ｃ_４Ｈ_９ＯＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＯＨ）、
ジプロピレングリコールモノメチルエーテル（ＣＨ_３（ＯＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２）_２ＯＨ）、
ジプロピレングリコールモノエチルエーテル（Ｃ_２Ｈ_５（ＯＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２）_２ＯＨ）、
トリエチレングリコールモノメチルエーテル（ＣＨ_３（ＯＣＨ_２ＣＨ_２）_３ＯＨ）、
トリエチレングリコールモノエチルエーテル（Ｃ_２Ｈ_５（ＯＣＨ_２ＣＨ_２）_３ＯＨ）、
トリプロピレングリコールモノメチルエーテル（ＣＨ_３（ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２）_３ＯＨ）
等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００３４】
本発明に好ましく用いられる炭素数２〜５の多価アルコールまたはその重合物としては、具体的には、
エチレングリコール（ＨＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＨ）、
プロピレングリコール（ＣＨ_３ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２ＯＨ）、
１，３−プロパンジオール（ＨＯ（ＣＨ_２）_３ＯＨ）、
１，２−ブタンジオール（ＨＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２ＣＨ_３）、
１，３−ブタンジオール（ＨＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_３）、
１，４−ブタンジオール（ＨＯ（ＣＨ_２）_４ＯＨ）、
２，３−ブタンジオール（ＣＨ_３ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_３）、
１，２−ペンタンジオール（ＨＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_３）、
１，３−ペンタンジオール（ＨＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２ＣＨ_３）、
１，４−ペンタンジオール（ＨＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_３）、
１，５−ペンタンジオール（ＨＯ（ＣＨ_２）_５ＯＨ）、
２，３−ペンタンジオール（ＣＨ_３ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２ＣＨ_３）、
２，４−ペンタンジオール（ＣＨ_３ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_３）、
２−メチル−１，２−プロパンジオール（ＨＯＣＨ_２Ｃ（ＣＨ_３）（ＯＨ）ＣＨ_３）、
２−メチル−１，３−プロパンジオール（ＨＯＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＯＨ）、
２−メチル−１，２−ブタンジオール（ＨＯＣＨ_２Ｃ（ＣＨ_３）（ＯＨ）ＣＨ_２ＣＨ_３）、
２−メチル−１，３−ブタンジオール（ＨＯＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_３）、
２−メチル−１，４−ブタンジオール（ＨＯＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＨ）、
２−メチル−２，３−ブタンジオール（ＣＨ_３Ｃ（ＣＨ_３）（ＯＨ）ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_３）、
２−メチル−２，４−ブタンジオール（ＣＨ_３Ｃ（ＣＨ_３）（ＯＨ）ＣＨ_３ＣＨ_２ＯＨ）、
２−メチル−３，４−ブタンジオール（ＣＨ_３ＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２ＯＨ）、
ジエチレングリコール（ＨＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＨ）、
トリエチレングリコール（ＨＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ_２ＯＨ）、
ポリエチレングリコール（ＨＯ（ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ）_ｑＣＨ_２ＣＨ_２ＯＨ）、
ジプロピレングリコール（ＨＯＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）ＯＨ）、
トリプロピレングリコール（ＨＯＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＯＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）ＯＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）ＯＨ）、
ポリプロピレングリコール（ＨＯＣＨ（ＣＨ_３）ＣＨ_２Ｏ（ＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ
_３）Ｏ）_ｑＣＨ_２ＣＨ（ＣＨ_３）ＯＨ）、
グリセリン（ＨＯＣＨ_２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ_２ＯＨ）
等が挙げられる。本発明は、これらに限定されるものではなく、また、これらを単独で、または２種類以上を混合して用いることができる。なお、上記化合物のポリエチレングリコールおよびポリプロピレングリコールの一般式におけるｑは４以上の整数である。
【００３５】
本発明においては、上記特定のアルキレングリコールエーテル、炭素数２〜５の多価アルコールまたはその重合物の含有量は、テクスチャリング加工用組成物中、総量で１〜５０質量％であることが好ましく、より好ましくは３〜３０質量％である。
【００３６】
上記含有量が１質量％未満では、後述する脂肪酸を完全に溶解することは難しく、かつ加工レートが低下するので、短時間のテクスチャリング加工により「研磨痕」や「研磨スクラッチ」を十分に除去することは難しい。また、含有量が５０質量％より多いとテクスチャリング加工用組成物の粘度が高くなり、均質で微細なテクスチャリング条痕を形成すること、及びテクスチャリング加工後の下地層の平均表面粗さ（Ｒａ）を小さくすることが困難になる。
【００３７】
本発明に使用される脂肪酸としては、炭素数１０〜２２の飽和またはモノ、ジ、およびトリ不飽和脂肪酸が挙げられ、具体的には、カプリン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、ベヘン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。ただし、脂肪酸の金属塩は含まれない。
【００３８】
本発明においては、上記脂肪酸を単独でまたは混合して使用することができる。また、炭素数１０〜２２以外の範囲の脂肪酸を混合して使用することもできるが、本発明の目的を十分に達成させるためには炭素数１０〜２２の脂肪酸を主に使用することが好ましい。
【００３９】
脂肪酸の含有量は総量で、テクスチャリング加工用組成物中、０．０１〜２０質量％、好ましくは０．０５〜５質量％であることが好ましい。含有量が０．０１質量％未満では加工レートが低下するので、短時間のテクスチャリング加工により「研磨痕」や「研磨スクラッチ」を十分に除去することは難しく、かつ微細なテクスチャリング条痕の形成が困難である場合がある。一方、含有量が５質量％より多くてもそれ程効果の向上が認められず、また本発明の組成物として均一分散系にすることが難しくなるので、５質量％以下であることが好ましい。
【００４０】
本発明のテクスチャリング加工用組成物は、さらに有機アミン化合物を含有することが好ましい。本発明に好ましく用いられる有機アミン化合物としては、具体的には、
メチルアミン（ＣＨ_３ＮＨ_２）、
エチルアミン（ＣＨ_３ＣＨ_２ＮＨ_２）、
プロピルアミン（ＣＨ_３（ＣＨ_２）_２ＮＨ_２）、
イソプロピルアミン（（ＣＨ_３）_２ＣＨＮＨ_２）、
ブチルアミン（ＣＨ_３（ＣＨ_２）_３ＮＨ_２）、
アミルアミン（ＣＨ_３（ＣＨ_２）_４ＮＨ_２）、
ヘキシルアミン（ＣＨ_３（ＣＨ_２）_５ＮＨ_２）、
ヘプチルアミン（ＣＨ_３（ＣＨ_２）_６ＮＨ_２）、
オクチルアミン（ＣＨ_３（ＣＨ_２）_７ＮＨ_２）、
ノニルアミン（ＣＨ_３（ＣＨ_２）_８ＮＨ_２）、
デシルアミン（ＣＨ_３（ＣＨ_２）_９ＮＨ_２）、
ウンデシルアミン（ＣＨ_３（ＣＨ_２）_１０ＮＨ_２）、
ドデシルアミン（ＣＨ_３（ＣＨ_２）_１１ＮＨ_２）、
トリデシルアミン（ＣＨ_３（ＣＨ_２）_１２ＮＨ_２）、
テトラデシルアミン（ＣＨ_３（ＣＨ_２）_１３ＮＨ_２）、
ペンタデシルアミン（ＣＨ_３（ＣＨ_２）_１４ＮＨ_２）、
セチルアミン（ＣＨ_３（ＣＨ_２）_１５ＮＨ_２）、
ジメチルアミン（（ＣＨ_３）_２ＮＨ）、
ジエチルアミン（（Ｃ_２Ｈ_５）_２ＮＨ）、
ジプロピルアミン（（ｎ−Ｃ_３Ｈ_７）_２ＮＨ）、
ジイソプロピルアミン（（ｉ−Ｃ_３Ｈ_７）_２ＮＨ）、
ジブチルアミン（（ｎ−Ｃ_４Ｈ_９）_２ＮＨ）、
ジアミルアミン（（ｎ−Ｃ_５Ｈ_１１）_２ＮＨ）、
トリメチルアミン（（ＣＨ_３）_３Ｎ）、
トリエチルアミン（（Ｃ_２Ｈ_５）_３Ｎ）、
トリプロピルアミン（（ｎ−Ｃ_３Ｈ_７）_３Ｎ）、
トリブチルアミン（（ｎ−Ｃ_４Ｈ_９）_３Ｎ）、
トリアミルアミン（（ｎ−Ｃ_５Ｈ_１１）_３Ｎ）、
アリルアミン（ＣＨ_２＝ＣＨＣＨ_２ＮＨ_２）、
ジアリルアミン（（ＣＨ_２＝ＣＨＣＨ_２）_２ＮＨ）、
トリアリルアミン（（ＣＨ_２＝ＣＨＣＨ_２）_３Ｎ）、
アニリン（Ｃ_６Ｈ_５ＮＨ_２）、
メチルアニリン（Ｃ_６Ｈ_５ＮＨＣＨ_３）、
ジメチルアニリン（Ｃ_６Ｈ_５Ｎ（ＣＨ_３）_２）、
エチルアニリン（Ｃ_６Ｈ_５ＮＨＣ_２Ｈ_５）、
ジエチルアニリン（Ｃ_６Ｈ_５Ｎ（Ｃ_２Ｈ_５）_２）、
トルイジン（Ｃ_６Ｈ_４（ＣＨ_３）（ＮＨ_２））、
ベンジルアミン（Ｃ_６Ｈ_５ＣＨ_２ＮＨ_２）、
ジベンジルアミン（（Ｃ_６Ｈ_５ＣＨ_２）_２ＮＨ）、
トリベンジルアミン（（Ｃ_６Ｈ_５ＣＨ_２）_３Ｎ）、
ジフェニルアミン（（Ｃ_６Ｈ_５）_２ＮＨ）、
トリフェニルアミン（（Ｃ_６Ｈ_５）_３Ｎ）、
ナフチルアミン（Ｃ_１０Ｈ_７ＮＨ_２）、
エタノールアミン（ＨＯＣＨ_２ＣＨ_２ＮＨ_２）、
プロパノールアミン（ＨＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＮＨ_２）、
ブタノールアミン（ＨＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＮＨ_２）、
ジエタノールアミン（（ＨＯＣＨ_２ＣＨ_２）_２ＮＨ）、
ジプロパノールアミン（（ＨＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２）_２ＮＨ）、
ジブタノールアミン（（ＨＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２）_２ＮＨ）、
トリエタノールアミン（（ＨＯＣＨ_２ＣＨ_２）_３Ｎ）、
トリプロパノールアミン（（ＨＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２）_３Ｎ）、
トリブタノールアミン（（ＨＯＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２）_３Ｎ）
等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。なお、これらは単独で、または２種類以上を混合して用いることができる。
【００４１】
有機アミン化合物の含有量は、総量で、テクスチャリング加工用組成物中、０．０１〜２０質量％、好ましくは０．０５〜１０質量％であることが好ましい。含有量が０．０１質量％未満では加工レートが低下するので、短時間のテクスチャリング加工により「研磨痕」や「研磨スクラッチ」を十分に除去することは難しい。一方、含有量が２０質量％より多くてもそれ程効果の向上が認められないので、２０質量％以下であることが好ましい。
【００４２】
上記ダイヤモンド、ＣＢＮ、アルミナ、炭化ケイ素等の微粒子又は粉末と、上記アルキルエーテル又はアルコール又はその重合物と、上記脂肪酸はそれぞれ所定量混合し、充分攪拌することにより、テクスチャリング加工用組成物になる。
【００４３】
本発明のテクスチャリング加工用組成物は、さらに界面活性剤を含有することが好ましい。本発明の目的を十分に達成するためには、テクスチャリング加工用組成物における、ダイヤモンド等の微粒子または粉末以外の成分は均一溶液になっていることが望ましく、少なくともエマルジョン状態になっていることが望ましいので、界面活性剤を添加して均一溶液化またはエマルジョン化することが望ましい。
【００４４】
本発明に用いられる界面活性剤としては、陰イオン性界面活性剤（アニオン系界面活性剤）、陽イオン性界面活性剤（カチオン系界面活性剤）、両性界面活性剤、非イオン性界面活性剤等が挙げられ、これらのいかなる種類のものを用いても十分に性能を発揮することができるが、本発明においては特に非イオン性界面活性剤が好ましい。
【００４５】
また、必要に応じて用いられる、アニオン系界面活性剤としては、公知のカルボン酸塩（石鹸、Ｎ−アシルアミノ酸塩、アルキルエーテルカルボン酸塩、アシル化ペプチド等）、スルホン酸塩（アルカンスルホン酸塩（アルキルベンゼンスルホン酸塩を含む）およびアルキルナフタレンスルホン酸塩、スルホコハク酸塩、α―オレヒィンスルホン酸塩、Ｎ−アシルスルホン酸塩等）、硫酸エステル塩（硫酸化油、アルキル硫酸塩、アルキルエーテル硫酸塩、アルキルアリルエーテル硫酸塩、アルキルアミド硫酸塩等）、燐酸エステル塩（アルキル燐酸塩、アルキルエーテル燐酸塩、アルキルアリルエーテル燐酸塩等）から選ばれ、低分子の化合物や高分子型化合物も含まれる。ここで、塩とはＬｉ塩、Ｎａ塩、Ｋ塩、Ｒｂ塩、Ｃｓ塩、アンモニウム塩の少なくとも１種から選ばれる。
【００４６】
例えば、石鹸としては、炭素数がＣ１２〜Ｃ１８の脂肪酸塩であり、一般には脂肪酸基としては、ラウリル酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸が挙げられ、Ｎ−アシルアミノ酸塩としては、炭素数がＣ１２〜Ｃ１８のＮ−アシル−Ｎ−メチルグリシン塩やＮ−アシルグルタミン酸塩が挙げられる。アルキルエーテルカルボン酸塩としては、炭素数がＣ６〜Ｃ１８の化合物が挙げられ、アシル化ペプチドとしては、炭素数がＣ１２〜Ｃ１８の化合物が挙げられる。スルホン酸塩としては、炭素数がＣ６〜Ｃ１８の前記化合物が挙げられ、例えばアルカンスルホン酸では、ラウリルスルホン酸、ジオクチルサクシンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸等が挙げられる。硫酸エステル塩としては、炭素数がＣ６〜Ｃ１８の前記化合物が挙げられ、例えばラウリル硫酸、ジオクチルサクシン硫酸、ミリスチル硫酸、ステアリル硫酸等のアルキル硫酸塩、燐酸エステル塩としては、炭素数がＣ８〜Ｃ１８の前記化合物が挙げられる。また、ノニオン系界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンアルキルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル等が挙げられる。さらには前記アニオン系界面活性剤やノニオン系界面活性剤以外に公知のフッ素系界面活性剤が使用できる。
【００４７】
界面活性剤の添加量は、テクスチャリング加工用組成物中、０．０１〜１０質量％、好ましくは０．０５〜５質量％であることが好ましい。添加量が０．０１質量％未満では微細なテクスチャリング条痕の形成が困難になる場合があり、１０質量％より多いと、ダイヤモンド等の微粒子または粉末が滑ってしまい、加工レートが低下するので、短時間のテクスチャリング処理により「研磨痕」や「研磨スクラッチ」を十分に除去することは困難になる。
【００４８】
さらに本発明の研磨材スラリー組成物には、上記界面活性剤以外にスラリーの沈降防止あるいは安全性向上を図るために、必要に応じてトリポリリン酸塩のような高分子分散剤、ヘキサメタリン酸塩等のリン酸塩、メチセルロース、カルボキシメチセルロース等のセルロースエーテル類、ポリビニルアルコール等の水溶性高分子などの添加剤を添加することもできる。これらの添加剤の添加量は、研磨材に対して、０．０５〜２０質量％の範囲内であることが一般的に好ましく、特に好ましくは０．１〜１０質量％の範囲である。
【００４９】
本発明のテクスチャリング加工用組成物を用いれば、磁気ディスク用基板の下地層に対して均質で微細なテクスチャリング条痕を形成することができ、また、高い加工レートでテクスチャリング加工を行っても、サブストレート研磨工程起因の「研磨痕」や「研磨スクラッチ」を除去することができる。特に磁気ディスクの下地層がＮｉ−Ｐメッキや、ガラスである場合に、優れた効果を発揮する。
【００５０】
本発明は、テクスチャリング加工用組成物のみから成っていても良いが、適当な溶媒を用いて適当な濃度に組成物を希釈されて形成したスラリーであっても良い。スラリーの製造方法は特に限定されるものではなく、乾式粉砕プロセス、湿式粉砕プロセス等の当分野で使用される技術を適宜用いて製造することができる。
【００５１】
上記のスラリーの溶媒としては、水、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール等の炭素数が１乃至１０の１価アルコール類、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、テトラヒドロフラン、ジオキサンからなる群から選ばれた少なくとも１種が用い得る。中でも、水、アルコール類が好ましく使用される。
【００５２】
次に図面を用いてテクスチャリング加工方法を説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００５３】
図１は磁性層を形成する前の状態の磁気ディスク用基板の構成を模式的に示す断面図の一例である。磁性層未設の磁気ディスク用基板１は、Ａ１合金等の基板１１と、その両面に形成されたＮｉ−Ｐメッキの下地層１２とから成る。ただし、磁気ディスクは、下地層１２の表面にテクスチャリング加工を施して、テクスチャリング条痕を付けた後、その上に磁性層が形成されている。基板１１がガラスの場合には、下地層１２を設けずに、ガラスの表面に直接テクスチャリング加工を施してテクスチャリング条痕を付し、その上に直接磁性層を、もしくは下地層を形成した上に磁性層を形成することができる。なお、以下の説明においては下地層にテクスチャリング加工を施す方法を示すが、ガラス表面にテクスチャリング加工を施す場合にも同様に適用されるものとする。
【００５４】
下地層１２の表面にはテクスチャリング加工前に鏡面研磨が施され、好ましくは平均表面粗さ（Ｒａ）を０．５ｎｍ以下にする。
【００５５】
図２（ａ）は磁気ディスク用基板１にテクスチャリング加工を施す状態の一例を示す模式的断面図であり、図２（ｂ）はこの状態を示す斜視図である。磁気ディスク用基板１における下地層１２の表面にそれぞれテープ２をローラー３で押圧し、磁気ディスク表面と接触させる。テープ２の上方に設けたスラリー供給装置４からテクスチャリング加工用組成物のスラリー５をテープ表面および／または磁気ディスク表面に供給し、テープ２を押しつけたまま磁気ディスク１を回転させて、磁気ディスクの下地層にテクスチャリング条痕を形成する。図２（ｂ）において、テープ２は、ローラー３の回転により、磁気ディスク１の回転方向と同方向または逆方向に進行させることが可能である。すなわち、接触部分が磁気ディスク用基板上を同心円状に摺動し、テープに保持される砥粒が磁気ディスク面を転がることによって、凹凸のテクスチャリング条痕を形成する。スラリー供給装置４によるスラリー供給は、スラリーを連続的に供給しても良い。また、間隔をあけて供給しても良く、または不連続的に供給しても良い。また、テープ２を押圧する方法はローラー自体の重さで押圧しても、外部から圧力をかけてもよく、後者の場合その押圧する圧力は適宜選択されるものとするが、０．１〜２０ｋｇ、好ましくは０．５〜１０ｋｇの範囲であることが好ましい。
【００５６】
摺接用テープの材質としては、ナイロン、ポリエステル等の繊維からなる織布テープ、不織布テープあるいは、植毛布テープや、ポリウレタンの発泡テープを使用することができる。
【００５７】
テクスチャリング加工において、磁気ディスク用基板１の回転速度は５０〜２０００ｒｐｍ、好ましくは１００〜１，０００ｒｐｍとすることが好ましい。回転速度が５０ｒｐｍより遅いと加工レートが低下するためテクスチャリング加工により短時間で「研磨傷」や「研磨スクラッチ」を十分に除去することが難しくなる。２０００ｒｐｍより速いとテクスチャリング加工用組成物が下地層表面に留まれず周囲に飛散するので装置の汚染源となり実用的ではない。
【００５８】
テクスチャリング加工した下地層上に中間層、磁性層を形成して磁気ディスクを得る。中間層、磁性層はメッキ法、スパッタリング法、蒸着法等により薄く（一般に、０．０５〜０．１５μｍ）形成するので、磁性層の表面にはテクスチャリング条痕とほとんど同じ条痕が現れる。磁性層の上に更に保護層を形成してもよく、かかる保護層は、カーボン等の潤滑性の良好な材料をスパッタリング法等で薄く（一般に、０．０１〜０．０３μｍ）形成したものである。従って、保護層の表面にもテクスチャリング条痕跡とほぼ同じ条痕跡が現れる。
【００５９】
本発明を以下の実施例により詳細に説明するが、本発明はそれらに限定されるものではない。また、以下の実施例ではアルキレングリコールモノアルキルエーテルとしてジエチレングリコールモノブチルエーテル、炭素数２〜５の多価アルコールまたはその重合物としてエチレングリコールを、脂肪酸としてラウリン酸をそれぞれ使用したが、本発明はこれらの化合物に限定されるものではない。
【００６０】
実施例１〜１１
各実施例において、３．５インチの磁気ディスク用アルミニウム基板にＮｉ−Ｐをメッキして下地層を形成したものに、あらかじめ鏡面処理を施しておいた。これを、図２に示すような構成のテクスチャリングマシン（米国ＥｘｃｌｕｓｉｖｅＤｅｓｉｇｎ社製ＥＤＣ−１８００Ａ型）に取り付けた。
【００６１】
各実施例において、スラリー供給装置から、表１に示す組成のテクスチャリング加工用組成物からなるスラリーを摺接用テープの研磨処理部分の上方に供給しつつ、ディスクを２００ｒｐｍの速度で回転させた。スラリーの供給速度は１０ｍｌ／ｍｉｎで、テクスチャリング加工を行っている間、連続的に供給した。
【００６２】
また、磁気ディスク用基板と同方向にテープが進行速度５ｃｍ／ｍｉｎで進行するようにローラを回転させた。なお、テクスチャリング時のローラーの押圧は２．０ｋｇであり、テクスチャリング加工時間は３０秒とした。
【００６３】
テクスチャリング加工完了後の磁気ディスク用基板について、以下の方法で評価を行った。
評価方法：
（１）テクスチャリング条痕数（条痕数）
原子間力顕微鏡（米国ＤｉｇｉｔａｌＩｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製、Ｎａｎｏｓｃｏｐｅ−ＩＩＩ）を用いて、磁気ディスク表面（下地層）上の１μｍ×１μｍの視野範囲を観察し、テクスチャリング条痕の数をカウントした。
【００６４】
（２）加工レート
テクスチャリング加工前と後の磁気ディスクの重量を測定し、加工前後の重量減少値を求め、これを処理時間で除して、１分当たりの重量減少値に換算して加工レートとした。
【００６５】
（３）平均表面粗さ（Ｒａ）
触針式表面粗さ測定機（英国ＴａｙｌｏｒＨｏｂｓｏｎ社製、Ｔａｌｙｓｔｅｐ）を用いて加工後のディスク用基板表面（下地層）の平均表面粗さを測定した。
得られた評価結果を表１に示す。
【００６６】
比較例１〜８
実施例１において、テクスチャリング加工用組成物を表２に示す組成のものに変更した以外は実施例１と同様にして、テクスチャリング加工を行った。また、テクスチャリング加工後の磁気ディスク用基板について、実施例１と同様の評価を行った。その評価結果を２に示す。
【００６７】
【表１】

【００６８】
【表２】

【００６９】
表１から明らかなように、実施例１〜１１は細いテクスチャリング条痕の形成および高い加工レートを達成することができ、かつ、下地層表面の平均表面粗さを小さくすることができた。
【００７０】
一方、比較例１〜８は、表２に示されるように、微細なテクスチャリング条痕の形成と「研磨痕」や「研磨スクラッチ」の除去、及びテクスチャリング加工後の下地層の平均表面粗さ（Ｒａ）を小さくすることを同時に達成することは不可能であった。
【００７１】
（産業上の利用可能性）
本発明のテクスチャリング加工用組成物を用いて、例えば磁気ディスク用基板等にテクスチャリング加工を行うと、磁気ディスク基板上１μｍ当たり約２０〜３０本の微細なテクスチャリング条痕の形成を、今までのテクスチャリング加工用組成物では成し得ない高加工レートで行うことができ、かつテクスチャリング加工後の下地層の平均表面粗さ（Ｒａ）を小さくすることができる。このため、テクスチャリング加工前の下地層に存在する「研磨傷」や「研磨スクラッチ」の除去を短時間のテクスチャリング加工で行うことが可能となり、磁気ディスクの生産性を飛躍的に向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】
磁性層が未設の磁気ディスク基板の構成を示す模式的断面図である。
【図２】
（ａ）は磁気ディスク基板にテクスチャリング加工を施す状態を模式的に示す正面図である。
（ｂ）は図２（ａ）の磁気ディスク用基板の斜視図である。[0001]
This application is filed as of the filing date of US Patent Act 119 (e), (1) of US Provisional Application No. 60 / 269,849 filed on February 21, 2001 under 35 USC 111 (b) Is an application claiming the benefit of Section 111 (a) of the United States Patent Law.
[0002]
(Technical field)
The present invention relates to a texturing composition for texturing a magnetic disk substrate, a slurry containing the composition, and a textured magnetic disk. The present invention relates to a texturing composition capable of being formed and capable of reducing the average surface roughness (Ra) of a ground layer after texturing, a slurry containing the composition, and a textured magnetic disk.
[0003]
(Background technology)
In order to satisfy the increasing recording density requirement of the magnetic disk, the distance between the magnetic disk surface and the magnetic head is reduced to, for example, about 50 to 100 nm. Therefore, the surface of the magnetic disk needs to be as flat as possible. Along with the flattening of the magnetic disk, so-called magnetic head adsorption, that is, the magnetic disk is not re-driven after being stopped, and the hard disk drive cannot be started up is caused. Until several years ago, in order to prevent such “adsorption of the magnetic head”, a so-called texturing process was usually applied to the underlayer (under the magnetic layer) of the magnetic disk.
[0004]
Texturing is a process in which a polishing tape or a suspension of abrasive grains with a predetermined size of abrasive grains is brought into sliding contact with the magnetic disk underlayer surface to form minute streaks on the surface of the magnetic disk underlayer. It is to be. The textured striations formed at this time are to prevent so-called “magnetic head adsorption” until several years ago, and for that purpose, a certain size is required. The condition that it should not be large enough to collide must be met, and the texturing streaks had to be sufficiently uniform.
[0005]
As a texturing composition for forming such streaks, conventionally, a slurry in which diamond abrasive grains or alumina abrasive grains are mixed with a grinding fluid has been used.
[0006]
For example, JP-A-6-33042 discloses that a dihydric alcohol having 2 to 5 carbon atoms, an ethylene glycol polymer or a propylene glycol polymer is used as a dispersion medium, and abrasive grains of diamond, silicon carbide, and aluminum oxide are dispersed. A resulting polishing composition for texturing a memory hard disk is disclosed. JP-A-8-287456 discloses a composition for texturing of a magnetic disk substrate containing fine particles or powders such as diamond, alkylene glycol monoalkyl ether and fatty acid or a metal salt thereof. .
[0007]
However, in recent years, a step by laser processing (referred to as “laser bump” in this field) is formed on the inner periphery of the magnetic disk, and when the magnetic disk is stationary, the magnetic head is landed on the step to thereby form a “magnetic head”. Is prevented. For this reason, texturing is currently being performed for a purpose different from the prevention of “magnetic head adsorption”.
[0008]
That is, in order to align the crystal directions of the particles in the magnetic layer formed on the surface of the magnetic disk after texturing and to perform magnetic recording efficiently, fine texturing stripes are formed. Therefore, 10 to 30 streaks per 1 μm are formed instead of the texturing streaks having a size of about several μm as before.
[0009]
Further, in order to remove “polishing marks” and “polishing scratches” caused by the substrate polishing step existing in the magnetic disk underlayer before texturing, texturing is performed. These “polishing marks” and “polishing scratches” cause errors in recording and reading with magnetic particles, and hinder the improvement of the recording density of the magnetic disk.
[0010]
Furthermore, texturing is applied to reduce the average surface roughness (Ra) of the ground layer after texturing and to reduce the flying height of the magnetic head.
[0011]
However, the polishing composition for texturing or the composition for texturing processing disclosed in the above-mentioned publication is intended to prevent the above-mentioned “magnetic head adsorption” and is necessary for the current texturing processing. It is possible to simultaneously achieve the formation of fine texturing streaks, the removal of “polishing marks” and “polishing scratches”, and the reduction of the average surface roughness (Ra) of the underlying layer after texturing. It was impossible.
[0012]
In order to improve the recording density of the magnetic disk, the textured surface roughness of the underlayer of the magnetic disk (the lower layer of the magnetic layer) is reduced to make the flying height of the magnetic head smaller than before, and in the disk circumferential direction. “Texture marks” and “polishing scratches” that exist in the underlayer of the magnetic disk due to the substrate polishing process that is performed before texturing, at the same time that fine textured streaks are formed to efficiently perform magnetic recording. Need to be removed.
[0013]
In order to reduce the surface roughness of the textured surface and form fine textured streaks, it is necessary to use fine particles or powder, but usually the processing rate decreases as the particles become smaller Therefore, it has been difficult to remove “polishing marks” and “polishing scratches” by texturing for a short time.
[0014]
The present invention has been made to solve the above problems, and after texturing, the average surface roughness (Ra) of the underlayer of the magnetic disk is small and at the same time forming fine texturing streaks, It is an object of the present invention to provide a texturing composition capable of removing “polishing marks” and “polishing scratches” resulting from a substrate polishing process at a high processing rate by texturing.
[0015]
(Disclosure of the Invention)
The texturing composition of the present invention comprises:
(I) at least one fine particle or powder selected from the group consisting of diamond, CBN, alumina and silicon carbide;
(Ii) General formula R ₁ O (C _n H _2n O) _m H (wherein R ₁ Represents a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, m represents an integer of 1 to 3, and n represents 2 or 3. And at least one selected from the group consisting of a polyhydric alcohol having 2 to 5 carbon atoms and a polymer of the polyhydric alcohol,
(Iii) C10-C22 fatty acid
And containing.
[0016]
In addition, the average particle size of the fine particles or powder includes being in the range of 0.01 to 1 μm, and the content thereof is 0.001 to 5% by mass in the texturing composition. .
[0017]
Moreover, content of the said alkylene glycol monoalkyl ether, polyhydric alcohol, and the polymer of the said polyhydric alcohol contains that it is 1-50 mass% in total in the composition for texturing processes.
[0018]
Furthermore, the said fatty acid contains that it is lauric acid or oleic acid, The content contains that it is the range of 0.01-5 mass% in the composition for texturing processes.
[0019]
The texturing composition of the present invention further includes an organic amine compound, and the content thereof is 0.01 to 20% by mass in the texturing composition.
[0020]
The texturing composition of the present invention further includes a surfactant, and the surfactant includes an anionic surfactant or a nonionic surfactant, and the content thereof is In the texturing composition, the total amount includes a range of 0.01 to 10% by mass.
[0021]
Moreover, this invention contains the slurry formed using the said texturing process composition, The solvent of the said slurry is water, C1-C10 monohydric alcohol, glycols, and C3. To 10 polyhydric alcohols, dimethyl sulfoxide, dimethyl formaldehyde, tetrahydrofuran and dioxane.
[0022]
The present invention includes a magnetic disk subjected to texturing using the above texturing composition.
[0023]
When the above texturing composition is used, for example, when texturing is performed on a magnetic disk substrate or the like, about 20 to 30 fine texturing streaks per 1 μm can be formed at a high processing rate. In addition, “polishing marks” and “polishing scratches” present in the underlying layer of the substrate before processing can be removed by a short texturing process, and the productivity of high-quality magnetic disks can be dramatically improved.
[0024]
(Best Mode for Carrying Out the Invention)
The texturing composition of the present invention comprises (i) at least one fine particle or powder selected from the group consisting of diamond, CBN, alumina and silicon carbide, and (ii) a general formula R ₁ O (C _n H _2n O) _m H (wherein R ₁ Represents a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, m represents an integer of 1 to 3, and n represents 2 or 3. And at least one selected from the group consisting of a polyhydric alcohol having 2 to 5 carbon atoms and a polymer of the polyhydric alcohol,
(Iii) C10-C22 fatty acid
A composition for texturing processing, comprising:
[0025]
The diamond fine particles or powder used in the present invention is a natural or industrially synthesized diamond having a particle size according to the abrasive, abrasive coarse powder and differential particle size specified in JIS R6001-1987. Say. However, without being limited thereto, fine particles or powder having a special particle size distribution can also be used.
[0026]
The CBN fine particles or powder used in the present invention refers to industrially synthesized CBN having a particle size according to JIS R6001-1987 as described above. However, without being limited thereto, fine particles or powder having a special particle size distribution can also be used.
[0027]
The fine particles or powders of alumina or silicon carbide used in the present invention are artificial abrasives specified in JIS R6111-1987 or equivalent thereof, and are abrasives and abrasives specified in JIS R6001-1987. This refers to fine particles or powders such as alumina having a coarse particle and a differential particle size or a particle size equivalent thereto, and further, alumina powder or silicon carbide powder for sintering is also included in the present invention.
[0028]
The maximum particle size of the fine particles or powder is preferably 5 μm or less, more preferably 3 μm or less. If the maximum particle size exceeds 5 μm, the textured striations formed may become too thick, making it difficult to form fine texturing striations.
[0029]
The average particle size of the fine particles or powder is desirably 0.01 to 1 μm, preferably 0.03 to 0.5 μm. If the average particle diameter exceeds 1 μm, the striations formed by texturing may become too thick, making it difficult to form fine texturing striations, and if it is less than 0.01 μm, the cutting force decreases. However, it becomes difficult to remove “polishing marks” and “polishing scratches” by texturing at a high polishing rate.
[0030]
The content of the fine particles or powder is preferably 0.001 to 5% by mass, more preferably 0.005 to 1% by mass in the texturing composition. When the content of fine particles or the like is less than 0.001% by mass, the texturing efficiency is extremely lowered, and it may be difficult to remove “polishing marks” and “polishing scratches”. On the other hand, even if the content of fine particles or the like is more than 5% by mass, further improvement in texturing efficiency is not recognized, and it is not economical, so it is preferably 5% by mass or less.
[0031]
Even when two or more kinds of fine particles or powders are mixed and used, the content is preferably mixed within the above range.
[0032]
As described above, the composition of the present invention contains at least one selected from the group consisting of a specific alkylene glycol monoalkyl ether, a polyhydric alcohol, and a polymer of a polyhydric alcohol. Specific alkylene glycol monoalkyl ethers include those of the general formula R ₁ O (C _n H _2n O) _m What is represented by H is mentioned. However, in the formula, R ₁ Represents a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, m represents an integer of 1 to 3, and n represents an integer of 2 or 3.
[0033]
As the alkylene glycol monoalkyl ether preferably used in the present invention, specifically,
Ethylene glycol monomethyl ether (CH ₃ OCH ₂ CH ₂ OH),
Ethylene glycol monoethyl ether (C ₂ H ₅ OCH ₂ CH ₂ OH),
Ethylene glycol monobutyl ether (C ₄ H ₉ OCH ₂ CH ₂ OH),
Diethylene glycol monomethyl ether (CH ₃ (OCH ₂ CH ₂ ) ₂ OH),
Diethylene glycol monoethyl ether (C ₂ H ₅ (OCH ₂ CH ₂ ) ₂ OH),
Diethylene glycol monobutyl ether (C ₄ H ₉ (OCH ₂ CH2) ₂ OH),
Propylene glycol monomethyl ether (CH ₃ OCH (CH ₃ ) CH ₂ OH),
Propylene glycol monoethyl ether (C ₂ H ₅ OCH (CH ₃ ) CH ₂ OH),
Propylene glycol monobutyl ether (C ₄ H ₉ OCH (CH ₃ ) CH ₂ OH),
Dipropylene glycol monomethyl ether (CH ₃ (OCH (CH ₃ ) CH ₂ ) ₂ OH),
Dipropylene glycol monoethyl ether (C ₂ H ₅ (OCH (CH ₃ ) CH ₂ ) ₂ OH),
Triethylene glycol monomethyl ether (CH ₃ (OCH ₂ CH ₂ ) ₃ OH),
Triethylene glycol monoethyl ether (C ₂ H ₅ (OCH ₂ CH ₂ ) ₃ OH),
Tripropylene glycol monomethyl ether (CH ₃ (OCH ₂ CH ₂ CH ₂ ) ₃ OH)
However, it is not limited to these.
[0034]
As the polyhydric alcohol having 2 to 5 carbon atoms or a polymer thereof preferably used in the present invention, specifically,
Ethylene glycol (HOCH ₂ CH ₂ OH),
Propylene glycol (CH ₃ CH (OH) CH ₂ OH),
1,3-propanediol (HO (CH ₂ ) ₃ OH),
1,2-butanediol (HOCH ₂ CH (OH) CH ₂ CH ₃ ),
1,3-butanediol (HOCH ₂ CH ₂ CH (OH) CH ₃ ),
1,4-butanediol (HO (CH ₂ ) ₄ OH),
2,3-butanediol (CH ₃ CH (OH) CH (OH) CH ₃ ),
1,2-pentanediol (HOCH ₂ CH (OH) CH ₂ CH ₂ CH ₃ ),
1,3-pentanediol (HOCH ₂ CH ₂ CH (OH) CH ₂ CH ₃ ),
1,4-pentanediol (HOCH ₂ CH ₂ CH ₂ CH (OH) CH ₃ ),
1,5-pentanediol (HO (CH ₂ ) ₅ OH),
2,3-pentanediol (CH ₃ CH (OH) CH (OH) CH ₂ CH ₃ ),
2,4-pentanediol (CH ₃ CH (OH) CH ₂ CH (OH) CH ₃ ),
2-Methyl-1,2-propanediol (HOCH ₂ C (CH ₃ ) (OH) CH ₃ ),
2-methyl-1,3-propanediol (HOCH ₂ CH (CH ₃ ) CH ₂ OH),
2-methyl-1,2-butanediol (HOCH ₂ C (CH ₃ ) (OH) CH ₂ CH ₃ ),
2-methyl-1,3-butanediol (HOCH ₂ CH (CH ₃ ) CH (OH) CH ₃ ),
2-methyl-1,4-butanediol (HOCH ₂ CH (CH ₃ ) CH ₂ CH ₂ OH),
2-methyl-2,3-butanediol (CH ₃ C (CH ₃ ) (OH) CH (OH) CH ₃ ),
2-methyl-2,4-butanediol (CH ₃ C (CH ₃ ) (OH) CH ₃ CH ₂ OH),
2-methyl-3,4-butanediol (CH ₃ CH (CH ₃ ) CH (OH) CH ₂ OH),
Diethylene glycol (HOCH ₂ CH ₂ OCH ₂ CH ₂ OH),
Triethylene glycol (HOCH ₂ CH ₂ OCH ₂ CH ₂ OCH ₂ CH ₂ OH),
Polyethylene glycol (HO (CH ₂ CH ₂ O) _q CH ₂ CH ₂ OH),
Dipropylene glycol (HOCH (CH ₃ ) CH ₂ OCH ₂ CH (CH ₃ ) OH),
Tripropylene glycol (HOCH (CH ₃ ) CH ₂ OCH ₂ CH (CH ₃ ) OCH ₂ CH (CH ₃ ) OH),
Polypropylene glycol (HOCH (CH ₃ ) CH ₂ O (CH ₂ CH (CH
₃ ) O) _q CH ₂ CH (CH ₃ ) OH),
Glycerin (HOCH ₂ CH (OH) CH ₂ OH)
Etc. This invention is not limited to these, Moreover, these can be used individually or in mixture of 2 or more types. In addition, q in the general formula of polyethylene glycol and polypropylene glycol of the above compound is an integer of 4 or more.
[0035]
In the present invention, the content of the specific alkylene glycol ether, polyhydric alcohol having 2 to 5 carbon atoms or polymer thereof is preferably 1 to 50% by mass in the total amount in the texturing composition. More preferably, it is 3-30 mass%.
[0036]
When the above content is less than 1% by mass, it is difficult to completely dissolve the fatty acid described later and the processing rate is lowered, so that “polishing marks” and “polishing scratches” are sufficiently removed by short-time texturing. Difficult to do. Further, when the content is more than 50% by mass, the viscosity of the texturing composition is increased to form a uniform and fine texturing streak, and the average surface roughness of the underlayer after texturing ( It becomes difficult to reduce Ra).
[0037]
Examples of fatty acids used in the present invention include saturated or mono-, di-, and tri-unsaturated fatty acids having 10 to 22 carbon atoms, and specifically include capric acid, lauric acid, myristic acid, palmitic acid, and stearic acid. , Behenic acid, oleic acid, linoleic acid, linolenic acid and the like, but are not limited thereto. However, fatty acid metal salts are not included.
[0038]
In this invention, the said fatty acid can be used individually or in mixture. In addition, although fatty acids having a range other than those having 10 to 22 carbon atoms can be mixed and used, in order to sufficiently achieve the object of the present invention, it is preferable to mainly use fatty acids having 10 to 22 carbon atoms. .
[0039]
The content of the fatty acid is a total amount, and is preferably 0.01 to 20% by mass, and preferably 0.05 to 5% by mass in the texturing composition. If the content is less than 0.01% by mass, the processing rate decreases, so it is difficult to sufficiently remove “polishing marks” and “polishing scratches” by short-time texturing, and fine texturing marks It may be difficult to form. On the other hand, even if the content is more than 5% by mass, the effect is not so much improved, and it is difficult to obtain a uniform dispersion as the composition of the present invention.
[0040]
The texturing composition of the present invention preferably further contains an organic amine compound. As an organic amine compound preferably used in the present invention, specifically,
Methylamine (CH ₃ NH ₂ ),
Ethylamine (CH ₃ CH ₂ NH ₂ ),
Propylamine (CH ₃ (CH ₂ ) ₂ NH ₂ ),
Isopropylamine ((CH ₃ ) ₂ CHNH ₂ ),
Butylamine (CH ₃ (CH ₂ ) ₃ NH ₂ ),
Amylamine (CH ₃ (CH ₂ ) ₄ NH ₂ ),
Hexylamine (CH ₃ (CH ₂ ) ₅ NH ₂ ),
Heptylamine (CH ₃ (CH ₂ ) ₆ NH ₂ ),
Octylamine (CH ₃ (CH ₂ ) ₇ NH ₂ ),
Nonylamine (CH ₃ (CH ₂ ) ₈ NH ₂ ),
Decylamine (CH ₃ (CH ₂ ) ₉ NH ₂ ),
Undecylamine (CH ₃ (CH ₂ ) ₁₀ NH ₂ ),
Dodecylamine (CH ₃ (CH ₂ ) ₁₁ NH ₂ ),
Tridecylamine (CH ₃ (CH ₂ ) ₁₂ NH ₂ ),
Tetradecylamine (CH ₃ (CH ₂ ) ₁₃ NH ₂ ),
Pentadecylamine (CH ₃ (CH ₂ ) ₁₄ NH ₂ ),
Cetylamine (CH ₃ (CH ₂ ) ₁₅ NH ₂ ),
Dimethylamine ((CH ₃ ) ₂ NH),
Diethylamine ((C ₂ H ₅ ) ₂ NH),
Dipropylamine ((n-C ₃ H ₇ ) ₂ NH),
Diisopropylamine ((i-C ₃ H ₇ ) ₂ NH),
Dibutylamine ((n-C ₄ H ₉ ) ₂ NH),
Diamylamine ((n-C ₅ H ₁₁ ) ₂ NH),
Trimethylamine ((CH ₃ ) ₃ N),
Triethylamine ((C ₂ H ₅ ) ₃ N),
Tripropylamine ((n-C ₃ H ₇ ) ₃ N),
Tributylamine ((n-C ₄ H ₉ ) ₃ N),
Triamylamine ((n-C ₅ H ₁₁ ) ₃ N),
Allylamine (CH ₂ = CHCH ₂ NH ₂ ),
Diallylamine ((CH ₂ = CHCH ₂ ) ₂ NH),
Triallylamine ((CH ₂ = CHCH ₂ ) ₃ N),
Aniline (C ₆ H ₅ NH ₂ ),
Methylaniline (C ₆ H ₅ NHCH ₃ ),
Dimethylaniline (C ₆ H ₅ N (CH ₃ ) ₂ ),
Ethylaniline (C ₆ H ₅ NHC ₂ H ₅ ),
Diethylaniline (C ₆ H ₅ N (C ₂ H ₅ ) ₂ ),
Toluidine (C ₆ H ₄ (CH ₃ ) (NH ₂ )),
Benzylamine (C ₆ H ₅ CH ₂ NH ₂ ),
Dibenzylamine ((C ₆ H ₅ CH ₂ ) ₂ NH),
Tribenzylamine ((C ₆ H ₅ CH ₂ ) ₃ N),
Diphenylamine ((C ₆ H ₅ ) ₂ NH),
Triphenylamine ((C ₆ H ₅ ) ₃ N),
Naphthylamine (C ₁₀ H ₇ NH ₂ ),
Ethanolamine (HOCH ₂ CH ₂ NH ₂ ),
Propanolamine (HOCH ₂ CH ₂ CH ₂ NH ₂ ),
Butanolamine (HOCH ₂ CH ₂ CH ₂ CH ₂ NH ₂ ),
Diethanolamine ((HOCH ₂ CH ₂ ) ₂ NH),
Dipropanolamine ((HOCH ₂ CH ₂ CH ₂ ) ₂ NH),
Dibutanolamine ((HOCH ₂ CH ₂ CH ₂ CH ₂ ) ₂ NH),
Triethanolamine ((HOCH ₂ CH ₂ ) ₃ N),
Tripropanolamine ((HOCH ₂ CH ₂ CH ₂ ) ₃ N),
Tributanolamine ((HOCH ₂ CH ₂ CH ₂ CH ₂ ) ₃ N)
However, it is not limited to these. In addition, these can be used individually or in mixture of 2 or more types.
[0041]
The total content of the organic amine compound is 0.01 to 20% by mass, preferably 0.05 to 10% by mass, in the texturing composition. If the content is less than 0.01% by mass, the processing rate decreases, and it is difficult to sufficiently remove “polishing marks” and “polishing scratches” by short-time texturing. On the other hand, even if the content is more than 20% by mass, since the improvement of the effect is not recognized so much, the content is preferably 20% by mass or less.
[0042]
The fine particle or powder such as diamond, CBN, alumina, silicon carbide, etc., the alkyl ether or alcohol or polymer thereof, and the fatty acid are respectively mixed in a predetermined amount and sufficiently stirred to form a texturing composition. .
[0043]
The texturing composition of the present invention preferably further contains a surfactant. In order to satisfactorily achieve the object of the present invention, it is desirable that components other than fine particles or powder such as diamond in the texturing composition are in a uniform solution, and at least in an emulsion state. Therefore, it is desirable to add a surfactant to form a uniform solution or emulsion.
[0044]
Examples of the surfactant used in the present invention include an anionic surfactant (anionic surfactant), a cationic surfactant (cationic surfactant), an amphoteric surfactant, and a nonionic surfactant. Even if any of these types is used, the performance can be sufficiently exhibited, but in the present invention, a nonionic surfactant is particularly preferable.
[0045]
Examples of the anionic surfactant used as necessary include known carboxylates (soaps, N-acyl amino acid salts, alkyl ether carboxylates, acylated peptides, etc.), sulfonates (alkanesulfonic acids). Salts (including alkylbenzene sulfonates) and alkyl naphthalene sulfonates, sulfosuccinates, α-olefin sulfonates, N-acyl sulfonates, etc., sulfate esters (sulfated oils, alkyl sulfates, Selected from alkyl ether sulfates, alkyl allyl ether sulfates, alkyl amide sulfates, etc.) and phosphoric ester salts (alkyl phosphates, alkyl ether phosphates, alkyl allyl ether phosphates, etc.). Also included are compounds. Here, the salt is selected from at least one of Li salt, Na salt, K salt, Rb salt, Cs salt, and ammonium salt.
[0046]
For example, the soap is a fatty acid salt having a carbon number of C12 to C18. In general, examples of the fatty acid group include lauric acid, myristic acid, palmitic acid, and stearic acid, and the N-acyl amino acid salt includes a carbon number. Are C12-C18 N-acyl-N-methylglycine salts and N-acyl glutamates. Examples of the alkyl ether carboxylate include compounds having a carbon number of C6 to C18, and examples of the acylated peptide include compounds having a carbon number of C12 to C18. Examples of the sulfonate include the above-mentioned compounds having 6 to 18 carbon atoms. Examples of the alkanesulfonic acid include laurylsulfonic acid, dioctylsuccinic sulfonic acid, benzenesulfonic acid, and dodecylbenzenesulfonic acid. Examples of the sulfate ester salt include the above-mentioned compounds having C6 to C18. For example, alkyl sulfates such as lauryl sulfate, dioctylsuccinic sulfate, myristyl sulfate, stearyl sulfate, and phosphate ester salts include C8 to C18 carbon atoms. The said compound is mentioned. Examples of nonionic surfactants include polyoxyethylene alkylphenol ether, polyoxyethylene alkyl ether, and polyoxyethylene fatty acid ester. In addition to the anionic surfactants and nonionic surfactants, known fluorine surfactants can be used.
[0047]
The addition amount of the surfactant is 0.01 to 10% by mass, preferably 0.05 to 5% by mass in the texturing composition. If the added amount is less than 0.01% by mass, it may be difficult to form fine texturing stripes. If the added amount is more than 10% by mass, diamond or other fine particles or powder will slip and the processing rate will decrease. In addition, it becomes difficult to sufficiently remove “polishing marks” and “polishing scratches” by a short texturing process.
[0048]
Further, in the abrasive slurry composition of the present invention, a polymer dispersant such as tripolyphosphate, hexametaphosphate, etc., if necessary, in addition to the above surfactant, for preventing sedimentation of the slurry or improving safety. Additives such as phosphate ethers, cellulose ethers such as methylcellulose and carboxymethylcellulose, and water-soluble polymers such as polyvinyl alcohol can also be added. The addition amount of these additives is generally preferably in the range of 0.05 to 20% by mass, particularly preferably in the range of 0.1 to 10% by mass with respect to the abrasive.
[0049]
By using the texturing composition of the present invention, it is possible to form uniform and fine texturing stripes on the underlayer of the magnetic disk substrate, and to perform texturing at a high processing rate. In addition, “polishing marks” and “polishing scratches” resulting from the substrate polishing step can be removed. In particular, an excellent effect is exhibited when the underlayer of the magnetic disk is Ni-P plating or glass.
[0050]
Although this invention may consist only of the composition for texturing processes, the slurry formed by diluting a composition to a suitable density | concentration using a suitable solvent may be sufficient. The method for producing the slurry is not particularly limited, and the slurry can be produced by appropriately using techniques used in this field such as a dry pulverization process and a wet pulverization process.
[0051]
Solvents for the above-mentioned slurry include water, methanol, ethanol, propanol, isopropanol, butanol and other monohydric alcohols having 1 to 10 carbon atoms, dimethyl sulfoxide (DMSO), dimethylformamide (DMF), tetrahydrofuran and dioxane. At least one selected from the group can be used. Of these, water and alcohols are preferably used.
[0052]
Next, the texturing method will be described with reference to the drawings, but the present invention is not limited to these.
[0053]
FIG. 1 is an example of a cross-sectional view schematically showing a configuration of a magnetic disk substrate in a state before forming a magnetic layer. A magnetic disk substrate 1 without a magnetic layer is composed of a substrate 11 made of an A1 alloy or the like, and an underlayer 12 of Ni-P plating formed on both surfaces thereof. However, in the magnetic disk, the surface of the underlayer 12 is subjected to texturing and textured streaks, and then the magnetic layer is formed thereon. In the case where the substrate 11 is glass, the texturing process is applied directly to the surface of the glass without providing the base layer 12, and textured streaks are formed, and the magnetic layer or the base layer is directly formed thereon. A magnetic layer can be formed thereon. In the following description, a method of texturing a base layer will be described, but the same applies to a method of texturing a glass surface.
[0054]
The surface of the underlayer 12 is mirror-polished before texturing and preferably has an average surface roughness (Ra) of 0.5 nm or less.
[0055]
FIG. 2A is a schematic cross-sectional view showing an example of a state in which texturing is performed on the magnetic disk substrate 1, and FIG. 2B is a perspective view showing this state. The tape 2 is pressed against the surface of the underlayer 12 of the magnetic disk substrate 1 by the roller 3 to come into contact with the surface of the magnetic disk. The slurry 5 of the composition for texturing processing is supplied to the tape surface and / or the magnetic disk surface from the slurry supply device 4 provided above the tape 2, and the magnetic disk 1 is rotated while the tape 2 is pressed. Texturing streaks are formed on the undercoat layer. In FIG. 2B, the tape 2 can be advanced in the same direction as the rotation direction of the magnetic disk 1 or in the opposite direction by the rotation of the roller 3. That is, the contact portion slides concentrically on the magnetic disk substrate, and the abrasive grains held on the tape roll on the magnetic disk surface to form uneven texturing stripes. Slurry supply by the slurry supply device 4 may supply slurry continuously. Moreover, you may supply at intervals or may supply discontinuously. Moreover, the method of pressing the tape 2 may be pressed by the weight of the roller itself, or pressure may be applied from the outside. In the latter case, the pressing pressure is appropriately selected. It is preferable to be in the range of 20 kg, preferably 0.5 to 10 kg.
[0056]
As a material for the sliding contact tape, a woven fabric tape, a nonwoven fabric tape, a flocked fabric tape, or a polyurethane foam tape made of a fiber such as nylon or polyester can be used.
[0057]
In texturing, the rotation speed of the magnetic disk substrate 1 is 50 to 2000 rpm, preferably 100 to 1,000 rpm. When the rotational speed is slower than 50 rpm, the processing rate is lowered, and it becomes difficult to sufficiently remove “polishing scratches” and “polishing scratches” in a short time by texturing. If it is faster than 2000 rpm, the texturing composition will not stay on the surface of the underlayer but will scatter to the surroundings, so it becomes a source of contamination of the apparatus and is not practical.
[0058]
An intermediate layer and a magnetic layer are formed on the textured underlayer to obtain a magnetic disk. Since the intermediate layer and the magnetic layer are formed thin (generally 0.05 to 0.15 μm) by a plating method, a sputtering method, a vapor deposition method or the like, almost the same streak as the texturing streak appears on the surface of the magnetic layer. A protective layer may be further formed on the magnetic layer, and the protective layer is formed by thinly forming a material having good lubricity such as carbon by sputtering or the like (generally 0.01 to 0.03 μm). is there. Therefore, almost the same streak as the texturing streak appears on the surface of the protective layer.
[0059]
The present invention will be described in detail by the following examples, but the present invention is not limited thereto. In the following examples, diethylene glycol monobutyl ether as alkylene glycol monoalkyl ether, polyhydric alcohol having 2 to 5 carbon atoms or ethylene glycol as a polymer thereof, and lauric acid as a fatty acid were used. It is not limited to compounds.
[0060]
Examples 1-11
In each of the examples, a mirror surface treatment was performed in advance on a 3.5-inch magnetic disk aluminum substrate on which Ni—P was plated to form a base layer. This was attached to a texturing machine having a configuration as shown in FIG. 2 (US Exclusive Design EDC-1800A type).
[0061]
In each Example, the disk was rotated at a speed of 200 rpm while supplying a slurry made of the texturing composition having the composition shown in Table 1 from above the polishing portion of the sliding contact tape from the slurry supply device. . The slurry was supplied at a rate of 10 ml / min and continuously supplied during the texturing process.
[0062]
Further, the roller was rotated so that the tape proceeded at a traveling speed of 5 cm / min in the same direction as the magnetic disk substrate. The pressing force of the roller during texturing was 2.0 kg, and the texturing time was 30 seconds.
[0063]
The magnetic disk substrate after texturing was completed was evaluated by the following method.
Evaluation methods:
(1) Number of texturing streaks (number of streaks)
Using an atomic force microscope (Nanoscope-III, manufactured by Digital Instruments, USA), a 1 μm × 1 μm visual field range on the magnetic disk surface (underlayer) was observed, and the number of texturing streaks was counted.
[0064]
(2) Processing rate
The weight of the magnetic disk before and after texturing was measured, and the weight reduction value before and after processing was obtained, and this was divided by the processing time to be converted into the weight reduction value per minute to obtain the processing rate.
[0065]
(3) Average surface roughness (Ra)
The average surface roughness of the processed disk substrate surface (underlayer) was measured using a stylus type surface roughness measuring machine (Taylstep, manufactured by Taylor Hobson, UK).
The obtained evaluation results are shown in Table 1.
[0066]
Comparative Examples 1-8
In Example 1, texturing was performed in the same manner as in Example 1 except that the texturing composition was changed to the composition shown in Table 2. Further, the same evaluation as in Example 1 was performed on the magnetic disk substrate after texturing. The evaluation results are shown in 2.
[0067]
[Table 1]

[0068]
[Table 2]

[0069]
As is apparent from Table 1, Examples 1 to 11 were able to achieve the formation of fine texturing streaks and a high processing rate, and to reduce the average surface roughness of the underlayer surface.
[0070]
On the other hand, as shown in Table 2, in Comparative Examples 1 to 8, the formation of fine texturing streaks, the removal of “polishing marks” and “polishing scratches”, and the average surface roughness of the underlying layer after texturing processing It was impossible to simultaneously reduce the thickness (Ra).
[0071]
(Industrial applicability)
For example, when texturing is performed on a magnetic disk substrate using the texturing composition of the present invention, about 20 to 30 fine texturing streaks per 1 μm are formed on the magnetic disk substrate. It can be performed at a high processing rate that cannot be achieved with the conventional texturing composition, and the average surface roughness (Ra) of the underlying layer after texturing can be reduced. For this reason, it is possible to remove “polishing scratches” and “polishing scratches” that exist in the underlying layer before texturing by short-time texturing, which dramatically improves the productivity of magnetic disks. Can do.
[Brief description of the drawings]
[Figure 1]
1 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of a magnetic disk substrate without a magnetic layer.
[Figure 2]
FIG. 3A is a front view schematically showing a state in which texturing is performed on a magnetic disk substrate.
FIG. 2B is a perspective view of the magnetic disk substrate of FIG.

Claims

(I) at least one fine particle or powder selected from the group consisting of diamond, CBN, alumina and silicon carbide;
(Ii) General formula R ₁ O (C _n H _2n O) _m H (wherein R ₁ represents a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, m is an integer of 1 to 3, n Represents at least one selected from the group consisting of alkylene glycol monoalkyl ethers represented by formula (2) or (3), polyhydric alcohols having 2 to 5 carbon atoms, and polymers of the polyhydric alcohols;
(Iii) A texturing composition containing a fatty acid having 10 to 22 carbon atoms.

2. The texturing composition according to claim 1, wherein the fine particles or the powder has an average particle size in the range of 0.01 to 1 [mu] m.

The composition for texturing processing according to claim 1 or 2, wherein the content of the fine particles or powder is 0.001 to 5 mass% in the composition for texturing processing.

The content of at least one selected from the group consisting of the alkylene glycol monoalkyl ether, the polyhydric alcohol, and the polymer of the polyhydric alcohol is 1 to 50 mass% in total in the texturing composition. The composition for texturing processing according to claim 1, wherein

The texturing composition according to claim 1, wherein the fatty acid is lauric acid or oleic acid.

The composition for texturing processing according to claim 1 or 5, wherein the content of the fatty acid is 0.01 to 5% by mass in the composition for texturing processing.

Furthermore, the composition for texturing processing of Claim 1 containing an organic amine compound.

The composition for texturing processing according to claim 7, wherein the content of the organic amine is 0.01 to 20% by mass in the composition for texturing processing.

Furthermore, the composition for texturing processing of Claim 1 containing surfactant.

10. The texturing composition according to claim 9, wherein the surfactant is at least one selected from the group consisting of an anionic surfactant and a nonionic surfactant.

The composition for texturing processing according to claim 9 or 10, wherein the content of the surfactant is 0.01 to 10% by mass in the total amount in the composition for texturing processing.

A slurry formed by using the texturing composition according to any one of claims 1 to 11.

The solvent of the slurry is at least one selected from the group consisting of water, monohydric alcohols having 1 to 10 carbon atoms, glycols, polyhydric alcohols having 3 to 10 carbon atoms, dimethyl sulfoxide, dimethylformamide, tetrahydrofuran and dioxane. 13. The slurry according to claim 12, wherein the slurry is one.

A magnetic disk subjected to texturing using the texturing processing composition according to any one of claims 1 to 11.

A magnetic disk, which is subjected to texturing using a slurry formed using the texturing composition according to claim 12 or 13.