JP2004362300A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents

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航一 森野
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To improve PSRR of a reference voltage in a voltage regulator or voltage detector, and also to generate a stable reference voltage from low voltage to high voltage. <P>SOLUTION: A semiconductor integrated circuit is equipped with a second voltage regulator 21 for directly inputting an input voltage, a reference voltage generation circuit 11 for using an output voltage V1 of the second voltage regulator 21 as the input voltage, and a voltage regulator 31 or voltage detector 31A for using an output voltage Vref of the reference voltage generation circuit 11 as the reference voltage. Also, the second voltage regulator 21 for supplying the input voltage of the reference voltage generation circuit 11 can externally be attached to an IC. Further, the output voltage of the second voltage regulator may be made variable by means of trimming. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＩＣ化された高耐圧のボルテージレギュレータに関し、特にＰＳＲＲ（Ｐｏｗｅｒ Ｓｕｐｐｌｙ Ｒｅｊｅｃｔｉｏｎ Ｒａｔｉｏ）の大きなボルテージレギュレータあるいはボルテージディテクタの半導体集積回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の基準電圧源と誤差増幅回路によって構成されるボルテージレギュレータの構成を図２で説明する。
図２において、ボルテージレギュレータ３２は、基準電圧発生回路１１と誤差増幅回路５１と抵抗Ｒ１，Ｒ２とＰｃｈＭＯＳトランジスタ６１から構成される。ここで、Ｖｒｅｆは、基準電圧発生回路１１が発生した通常基準電圧、Ｖｄｄは入力電圧、Ｖｏｕｔは出力電圧である。
この場合、出力電圧Ｖｏｕｔは、Ｖｒｅｆ＊（Ｒ１＋Ｒ２）／Ｒ２となり、Ｖｒｅｆが入力電圧に係わらず一定であることはボルテージレギュレータ３２にとって非常に重要となる。しかしながら、この通常基準電圧Ｖｒｅｆは入力電圧Ｖｄｄが変化するとわずかながら変化する。その値は一般的に入力電圧Ｖｄｄの変化に対して概略０．０５〜０．１％／Ｖである。入力電圧範囲が小さければ、出力電圧に対して十分に小さな割合であるため、問題にはならない。
【０００３】
ところで、スイッチやキャパシタなどを集積化すると、各素子には無視できない大きな寄生容量が発生する。特にキャパシタに並列に接続される寄生容量などは、積分時定数に対して直接的な誤差となる。これらの寄生容量は、ＩＣ化した場合のシリコン基板またはｐ領域のウェルに対して発生する。基板やウェルの電位は、一般に電源電圧にバイアスされているが、交流的には接地電位と同じになるはずである。しかし、電源線には周辺回路の動作により、種々の雑音が重畳される場合が多く、寄生容量を介して信号路に雑音が混入することが多い。この雑音の抑圧度をＰＳＲＲ（Ｐｏｗｅｒ Ｓｕｐｐｌｙ Ｒｅｊｅｃｔｉｏｎ Ｒａｔｉｏ）と呼ぶ。
【０００４】
図２の回路では、入力電圧Ｖｄｄが直接、基準電圧発生回路１１に入力される。基準電圧発生回路１１の出力電圧（基準電圧Ｖｒｅｆ）は、通常、入力電圧依存性を有しており、入力電圧が大きくなるに従って少しずつ大きくなる。入力電圧範囲が小さければ、この基準電圧Ｖｒｅｆの変化も小さく、問題にならない。
例えば、基準電圧Ｖｒｅｆの入力電圧依存性が０．０２％／Ｖとし、ボルテージレギュレータ３２の出力電圧を５Ｖとする。入力電圧範囲が５Ｖから１０Ｖであれば、ボルテージレギュレータ３２の出力電圧変化は１２．５ｍＶと出力電圧の０．２５％に過ぎない。これは一般的なボルテージレギュレータの出力電圧精度±２％に対して充分小さい。しかし、入力電圧範囲が５Ｖから５０Ｖの場合、ボルテージレギュレータ３２の出力電圧変化は、１１２．５ｍＶと出力電圧の２．２５％にもなる。これでは、入力電圧電圧範囲が５Ｖから５０Ｖに変化する場合に、出力電圧精度±２％のボルテージレギュレータを実現することが不可能であることは明らかである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
このように、従来のボルテージレギュレータにおいて、例えば、図２の場合、基準電圧発生回路１１の入力電圧はＶｄｄであるため、入力電圧に交流的な雑音が入力されたときには、基準電圧Ｖｒｅｆにも基準電圧発生回路１１のＰＳＲＲを除去限界とする雑音が重畳される。このため、ボルテージレギュレータ３２の出力電圧Ｖｏｕｔにも雑音が重畳され、ボルテージレギュレータ３２のＰＳＲＲが特性劣化する、という問題があった。
ボルテージレギュレータ３２のＰＳＲＲを向上させるためには、基準電圧発生回路１１のＰＳＲＲを向上させることが不可欠である。
なお、ボルテージレギュレータのみならず、ボルテージディテクタに対しても同じ問題が生じている。
【０００６】
本発明の目的は、基準電圧のＰＳＲＲを向上させるとともに、低電圧から高電圧まで安定した基準電圧を発生させることが可能なボルテージレギュレータあるいはボルテージディテクタの半導体集積回路を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体集積回路は、入力電圧を直接入力する第２のボルテージレギュレータと、該第２のボルテージレギュレータの出力電圧を入力電圧とする基準電圧発生回路と、該基準電圧発生回路の出力電圧を基準電圧として用いるボルテージレギュレータとを具備することを特徴としている。
【０００８】
また、基準電圧発生回路の入力電圧を供給する第２のボルテージレギュレータをＩＣ外付けとすることも特徴としている。
さらに、基準電圧発生回路の入力電圧を供給する第２のボルテージレギュレータの出力電圧を、トリミングによって変更可能にすることも特徴としている。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を、図２により詳細に説明する。
（第１の実施形態）
図２は、本発明の第１の実施形態に係る基準電圧発生回路と、それを用いたボルテージレギュレータの構成図である。
本実施形態に係る半導体集積回路は、基準電圧発生回路４１とボルテージレギュレータ３１とから構成される。特に、基準電圧発生回路４１は、第２のボルテージレギュレータ２１と基準電圧発生回路１１とから構成される点で従来とは全く異なる。
なお、基準電圧発生回路４１の構成に特徴があり、発生した基準電圧Ｖｒｅｆが入力する誤差増幅回路５１、ＰｃｈＭＯＳトランジスタ６１、抵抗Ｒ１，Ｒ２の構成は従来と変更はない。
【００１０】
ＩＣの入力電圧Ｖｄｄは、ＩＣ内蔵の第２のボルテージレギュレータ２１によって定電圧化（Ｖ１）される。電圧Ｖ１は、基準電圧発生回路１１に入力され、基準電圧Ｖｒｅｆが発生される。入力電圧Ｖｄｄが低電圧から高電圧まで変化した場合、第２のボルテージレギュレータ２１によって定電圧化された電圧Ｖ１の変化はボルテージレギュレータ３１の出力電圧の５％に満たない。つまり、基準電圧発生回路１１の入力電圧の変化が小さい。従って、入力電圧Ｖｄｄが低電圧から高電圧まで変化した場合にも、非常に安定した基準電圧Ｖｒｅｆを得ることができる。このため、ボルテージレギュレータ３２の出力電圧も、入力電圧Ｖｄｄが低電圧から高電圧まで変化したとしても安定する。
【００１１】
また、出力電圧Ｖ１は、第２のボルテージレギュレータ２１によって定電圧化されているため、ＩＣの入力電圧Ｖｄｄに雑音があった場合にも、雑音は第２のボルテージレギュレータ２１のＰＳＲＲの限界まで除去されて、基準電圧発生回路１１へ入力されるため、基準電圧ＶｒｅｆへのＶｄｄ雑音の影響を小さくすることができる。これにより、ボルテージレギュレータ３１のＰＳＲＲも向上する。
【００１２】
（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態について説明する。
図１の構成で、基準電圧発生回路４１内の第２のボルテージレギュレータ２１を外付けにする。簡単に挿入可能にしておけば、特性の最も適したボルテージレギュレータを選択して挿入することにより、使用方法に応じて所望の特性を持つボルテージレギュレータを第２のボルテージレギュレータ２１として使用することができる。
【００１３】
（第３の実施形態）
本発明の第３の実施形態について説明する。
図１の構成で、基準電圧発生回路４１内の第２のボルテージレギュレータ２１の出力電圧をトリミングにより決定する。トリミングは、レーザ光線により抵抗膜の一部分を削り取る方法（レーザカット法）と、陽極酸化により抵抗膜の表面を徐々に絶縁物化する方法とがある。レーザカット法では、抵抗膜のパターンが変化するため、マイクロ波特性に影響を及ぼすことがある。
また、レーザトリミングには、ビットをレーザで切断する方法もある。電源ＩＣではこの方法で行われている。
これらのトリミングは、集積回路の性能を最大限に引き出すために、実動作上で特性を計測しながら、集積回路上の抵抗値を調整する。
【００１４】
（第４の実施形態）
図３は、本発明の第４の実施形態に係るボルテージディテクタの構成図である。
本実施形態に係る半導体集積回路は、基準電圧発生回路４１とボルテージディテクタ３１Ａとから構成される。特に、基準電圧発生回路４１は、第２のボルテージレギュレータ２１と基準電圧発生回路１１とから構成される点で従来とは全く異なる。
なお、基準電圧発生回路４１の構成に特徴があり、発生した基準電圧Ｖｒｅｆが入力する誤差増幅回路５１と、その出力Ｖｏｕｔには変更はない。
【００１５】
ＩＣの入力電圧Ｖｄｄは、ＩＣ内蔵の第２のボルテージレギュレータ２１によって定電圧化（Ｖ１）される。電圧Ｖ１は、基準電圧発生回路１１に入力され、基準電圧Ｖｒｅｆが発生される。入力電圧Ｖｄｄが低電圧から高電圧まで変化した場合、第２のボルテージレギュレータ２１によって定電圧化された電圧Ｖ１の変化はボルテージディテクタ３１Ａの出力電圧の５％に満たない。つまり、基準電圧発生回路１１の入力電圧の変化が小さい。従って、入力電圧Ｖｄｄが低電圧から高電圧まで変化した場合にも、非常に安定した基準電圧Ｖｒｅｆを得ることができる。このため、ボルテージディテクタ３１Ａの出力電圧Ｖｏｕｔも、入力電圧Ｖｄｄが低電圧から高電圧まで変化したとしても安定する。
【００１６】
また、出力電圧Ｖ１は、第２のボルテージレギュレータ２１によって定電圧化されているため、ＩＣの入力電圧Ｖｄｄに雑音があった場合にも、雑音は第２のボルテージレギュレータ２１のＰＳＲＲの限界まで除去されて、基準電圧発生回路１１へ入力されるため、基準電圧ＶｒｅｆへのＶｄｄ雑音の影響を小さくすることができる。これにより、ボルテージディテクタ３１ＡのＰＳＲＲも向上する。
【００１７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、以下のような効果を奏する。
（１）ボルテージレギュレータを安定化された入力電圧で基準電圧発生回路を動作させることができるので、基準電圧のＰＳＲＲを向上できると共に、低電圧から高電圧まで安定した基準電圧を発生することができる（請求項１）。
（２）基準電圧発生回路の入力電圧を発生する第２のボルテージレギュレータを外付けにすることで、使用方法に応じて所望の特性を持つボルテージレギュレータを選択することができる（請求項２）。
（３）トリミングで第２のボルテージレギュレータの出力電圧を決定するので、製造バラツキによらずに、出力電圧を一定にすることができる。その結果、基準電圧発生回路の入力電圧として、基準電圧発生回路が安定して動作する電圧を製造バラツキによらず得ることができる（請求項３）。
（４）入力電圧の高いボルテージディテクタについても、全く同じように適用できるので、ボルテージディテクタの基準電圧を低電圧から高電圧まで安定して発生することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係るボルテージレギュレータの構成図である。
【図２】従来のボルテージレギュレータの構成例図である。
【図３】本発明の実施形態に係るボルテージディテクタの構成図である。
【符号の説明】
１１…基準電圧発生回路、２１…第２のボルテージレギュレータ、
３１…ボルテージレギュレータ、３１Ａ…ボルテージディテクタ、
４１…本発明の基準電圧発生回路、５１…誤差増幅回路、
６１…ＰｃｈＭＯＳトランジスタ、Ｒ１，Ｒ２…抵抗、
Ｖｄｄ…入力電圧、Ｖｏｕｔ…出力電圧、Ｖｒｅｆ…基準電圧、
Ｖ１…第２のボルテージレギュレータの出力電圧。[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a voltage regulator having a high withstand voltage in the form of an IC, and more particularly to a voltage regulator having a large PSRR (Power Supply Rejection Ratio) or a semiconductor integrated circuit of a voltage detector.
[0002]
[Prior art]
FIG. 2 illustrates a configuration of a conventional voltage regulator including a reference voltage source and an error amplifier circuit.
2, the voltage regulator 32 includes a reference voltage generating circuit 11, an error amplifier circuit 51, resistors R1 and R2, and a PchMOS transistor 61. Here, Vref is a normal reference voltage generated by the reference voltage generation circuit 11, Vdd is an input voltage, and Vout is an output voltage.
In this case, the output voltage Vout becomes Vref * (R1 + R2) / R2, and it is very important for the voltage regulator 32 that Vref is constant regardless of the input voltage. However, the normal reference voltage Vref slightly changes when the input voltage Vdd changes. Its value is generally about 0.05 to 0.1% / V with respect to a change in the input voltage Vdd. If the input voltage range is small, there is no problem because the ratio is sufficiently small with respect to the output voltage.
[0003]
By the way, when switches and capacitors are integrated, a large parasitic capacitance that cannot be ignored is generated in each element. In particular, a parasitic capacitance and the like connected in parallel to the capacitor cause a direct error with respect to the integration time constant. These parasitic capacitances are generated in a silicon substrate or a well in a p-region when an IC is formed. The potential of the substrate or well is generally biased to the power supply voltage, but should be the same as the ground potential in terms of AC. However, various noises are often superimposed on the power supply line due to the operation of the peripheral circuit, and the noise is often mixed into the signal path via the parasitic capacitance. This degree of noise suppression is referred to as PSRR (Power Supply Rejection Ratio).
[0004]
In the circuit of FIG. 2, the input voltage Vdd is directly input to the reference voltage generation circuit 11. The output voltage (reference voltage Vref) of the reference voltage generation circuit 11 usually has input voltage dependency, and gradually increases as the input voltage increases. If the input voltage range is small, the change in the reference voltage Vref is small, so that there is no problem.
For example, the input voltage dependency of the reference voltage Vref is set to 0.02% / V, and the output voltage of the voltage regulator 32 is set to 5V. If the input voltage range is 5 V to 10 V, the output voltage change of the voltage regulator 32 is 12.5 mV, which is only 0.25% of the output voltage. This is sufficiently smaller than the output voltage accuracy of a general voltage regulator ± 2%. However, when the input voltage range is 5 V to 50 V, the output voltage change of the voltage regulator 32 is 112.5 mV, which is 2.25% of the output voltage. It is clear that it is impossible to realize a voltage regulator with an output voltage accuracy of ± 2% when the input voltage voltage range changes from 5V to 50V.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
As described above, in the conventional voltage regulator, for example, in the case of FIG. 2, the input voltage of the reference voltage generation circuit 11 is Vdd. Therefore, when AC noise is input to the input voltage, the reference voltage Vref is also applied to the reference voltage Vref. Noise having PSRR of the voltage generation circuit 11 as a removal limit is superimposed. Therefore, there is a problem that noise is also superimposed on the output voltage Vout of the voltage regulator 32, and the PSRR of the voltage regulator 32 is deteriorated in characteristics.
In order to improve the PSRR of the voltage regulator 32, it is essential to improve the PSRR of the reference voltage generation circuit 11.
The same problem occurs not only for a voltage regulator but also for a voltage detector.
[0006]
An object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit of a voltage regulator or a voltage detector capable of improving a reference voltage PSRR and generating a stable reference voltage from a low voltage to a high voltage.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
A semiconductor integrated circuit according to the present invention includes a second voltage regulator that directly inputs an input voltage, a reference voltage generating circuit that uses an output voltage of the second voltage regulator as an input voltage, and a second voltage regulator that outputs the reference voltage. And a voltage regulator used as a reference voltage.
[0008]
It is also characterized in that the second voltage regulator that supplies the input voltage of the reference voltage generation circuit is external to the IC.
Further, it is characterized in that the output voltage of the second voltage regulator that supplies the input voltage of the reference voltage generation circuit can be changed by trimming.
[0009]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG.
(1st Embodiment)
FIG. 2 is a configuration diagram of the reference voltage generation circuit according to the first embodiment of the present invention and a voltage regulator using the same.
The semiconductor integrated circuit according to the present embodiment includes a reference voltage generation circuit 41 and a voltage regulator 31. In particular, the reference voltage generation circuit 41 is completely different from the related art in that the reference voltage generation circuit 41 includes the second voltage regulator 21 and the reference voltage generation circuit 11.
Note that the configuration of the reference voltage generation circuit 41 is characteristic, and the configurations of the error amplifier circuit 51, the PchMOS transistor 61, and the resistors R1 and R2 to which the generated reference voltage Vref is input are unchanged from those in the related art.
[0010]
The input voltage Vdd of the IC is made constant (V1) by the second voltage regulator 21 built in the IC. The voltage V1 is input to the reference voltage generation circuit 11, and a reference voltage Vref is generated. When the input voltage Vdd changes from a low voltage to a high voltage, the change in the voltage V1 that has been made constant by the second voltage regulator 21 is less than 5% of the output voltage of the voltage regulator 31. That is, the change in the input voltage of the reference voltage generation circuit 11 is small. Therefore, even when the input voltage Vdd changes from a low voltage to a high voltage, a very stable reference voltage Vref can be obtained. Therefore, the output voltage of the voltage regulator 32 is stabilized even if the input voltage Vdd changes from a low voltage to a high voltage.
[0011]
Further, since the output voltage V1 is made constant by the second voltage regulator 21, even if there is noise in the input voltage Vdd of the IC, the noise is removed to the limit of PSRR of the second voltage regulator 21. Then, since the voltage is input to the reference voltage generation circuit 11, the influence of Vdd noise on the reference voltage Vref can be reduced. Thereby, the PSRR of the voltage regulator 31 is also improved.
[0012]
(Second embodiment)
A second embodiment of the present invention will be described.
In the configuration of FIG. 1, the second voltage regulator 21 in the reference voltage generation circuit 41 is externally provided. If the voltage regulator can be easily inserted, a voltage regulator having a desired characteristic can be used as the second voltage regulator 21 according to a method of use by selecting and inserting a voltage regulator having the most suitable characteristic. .
[0013]
(Third embodiment)
A third embodiment of the present invention will be described.
In the configuration of FIG. 1, the output voltage of the second voltage regulator 21 in the reference voltage generation circuit 41 is determined by trimming. The trimming includes a method of shaving a part of the resistive film by a laser beam (laser cutting method) and a method of gradually turning the surface of the resistive film into an insulator by anodic oxidation. In the laser cutting method, the pattern of the resistive film changes, which may affect the microwave characteristics.
Laser trimming also includes a method of cutting bits with a laser. In the power supply IC, this method is used.
These trimmings adjust the resistance value on the integrated circuit while measuring the characteristics in actual operation in order to maximize the performance of the integrated circuit.
[0014]
(Fourth embodiment)
FIG. 3 is a configuration diagram of a voltage detector according to a fourth embodiment of the present invention.
The semiconductor integrated circuit according to the present embodiment includes a reference voltage generation circuit 41 and a voltage detector 31A. In particular, the reference voltage generation circuit 41 is completely different from the related art in that the reference voltage generation circuit 41 includes the second voltage regulator 21 and the reference voltage generation circuit 11.
Note that the configuration of the reference voltage generation circuit 41 is characterized in that the error amplification circuit 51 to which the generated reference voltage Vref is input and the output Vout thereof are not changed.
[0015]
The input voltage Vdd of the IC is made constant (V1) by the second voltage regulator 21 built in the IC. The voltage V1 is input to the reference voltage generation circuit 11, and a reference voltage Vref is generated. When the input voltage Vdd changes from a low voltage to a high voltage, the change in the voltage V1 that has been made constant by the second voltage regulator 21 is less than 5% of the output voltage of the voltage detector 31A. That is, the change in the input voltage of the reference voltage generation circuit 11 is small. Therefore, even when the input voltage Vdd changes from a low voltage to a high voltage, a very stable reference voltage Vref can be obtained. Therefore, the output voltage Vout of the voltage detector 31A is also stable even if the input voltage Vdd changes from a low voltage to a high voltage.
[0016]
Further, since the output voltage V1 is made constant by the second voltage regulator 21, even if there is noise in the input voltage Vdd of the IC, the noise is removed to the limit of the PSRR of the second voltage regulator 21. Then, since the voltage is input to the reference voltage generation circuit 11, the influence of Vdd noise on the reference voltage Vref can be reduced. Thereby, the PSRR of the voltage detector 31A is also improved.
[0017]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, the following effects can be obtained.
(1) Since the reference voltage generation circuit can be operated with the stabilized input voltage of the voltage regulator, PSRR of the reference voltage can be improved, and a stable reference voltage from a low voltage to a high voltage can be generated. (Claim 1).
(2) By externally providing the second voltage regulator that generates the input voltage of the reference voltage generation circuit, a voltage regulator having desired characteristics can be selected according to the method of use (claim 2).
(3) Since the output voltage of the second voltage regulator is determined by trimming, the output voltage can be made constant regardless of manufacturing variations. As a result, a voltage at which the reference voltage generation circuit operates stably can be obtained as the input voltage of the reference voltage generation circuit regardless of manufacturing variations.
(4) The same applies to a voltage detector having a high input voltage, so that the reference voltage of the voltage detector can be stably generated from a low voltage to a high voltage.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a configuration diagram of a voltage regulator according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a configuration example diagram of a conventional voltage regulator.
FIG. 3 is a configuration diagram of a voltage detector according to the embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
11: reference voltage generation circuit, 21: second voltage regulator,
31 ... Voltage regulator, 31A ... Voltage detector,
41: Reference voltage generation circuit of the present invention, 51: Error amplification circuit,
61 ... PchMOS transistor, R1, R2 ... resistance,
Vdd: input voltage, Vout: output voltage, Vref: reference voltage,
V1: output voltage of the second voltage regulator.

Claims (4)

ボルテージレギュレータからなる半導体集積回路であって、
入力電圧を直接入力する第２のボルテージレギュレータと、
該第２のボルテージレギュレータの出力電圧を入力電圧とする基準電圧発生回路と、
該基準電圧発生回路の出力電圧を基準電圧として用いるボルテージレギュレータとを具備することを特徴とする半導体集積回路。A semiconductor integrated circuit comprising a voltage regulator,
A second voltage regulator for directly inputting an input voltage;
A reference voltage generation circuit that uses an output voltage of the second voltage regulator as an input voltage;
A semiconductor integrated circuit comprising: a voltage regulator that uses an output voltage of the reference voltage generation circuit as a reference voltage. 請求項１に記載の半導体集積回路において、
前記基準電圧発生回路の入力電圧を供給する第２のボルテージレギュレータをＩＣ外付けとすることを特徴とする半導体集積回路。The semiconductor integrated circuit according to claim 1,
A semiconductor integrated circuit, wherein a second voltage regulator that supplies an input voltage of the reference voltage generation circuit is externally provided to an IC. 請求項１に記載の半導体集積回路において、
前記基準電圧発生回路の入力電圧を供給する第２のボルテージレギュレータの出力電圧を、トリミングによって変更可能とすることを特徴とした半導体集積回路。The semiconductor integrated circuit according to claim 1,
A semiconductor integrated circuit, wherein an output voltage of a second voltage regulator that supplies an input voltage of the reference voltage generation circuit can be changed by trimming. ボルテージディテクタからなる半導体集積回路であって、
入力電圧を直接入力するボルテージレギュレータと、
該ボルテージレギュレータの出力電圧を入力電圧とする基準電圧発生回路と、
該基準電圧発生回路の出力電圧を基準電圧として用いるボルテージディテクタとを具備することを特徴とする半導体集積回路。A semiconductor integrated circuit comprising a voltage detector,
A voltage regulator that directly inputs the input voltage,
A reference voltage generating circuit that uses an output voltage of the voltage regulator as an input voltage;
A voltage detector that uses an output voltage of the reference voltage generation circuit as a reference voltage.
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