JP2004347891A - Active matrix type display device - Google Patents

Active matrix type display device Download PDF

Info

Publication number
JP2004347891A
JP2004347891A JP2003145344A JP2003145344A JP2004347891A JP 2004347891 A JP2004347891 A JP 2004347891A JP 2003145344 A JP2003145344 A JP 2003145344A JP 2003145344 A JP2003145344 A JP 2003145344A JP 2004347891 A JP2004347891 A JP 2004347891A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
scanning
wiring
electrode
signal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003145344A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toushi Natsume
塔子 夏目
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2003145344A priority Critical patent/JP2004347891A/en
Publication of JP2004347891A publication Critical patent/JP2004347891A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/861—Repairing

Landscapes

  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a highly reliable active matrix type display device capable of correcting a faulty pixel by irradiation with a laser beam without causing a secondary failure when the faulty pixel is detected. <P>SOLUTION: A gate bus branch line 22 is provided to the display device so as to project toward a pixel electrode 41 from a gate bus line 21. A number of slits are provided near the branched part of the gate bus branch line 22 so that widths of conduction parts become smaller than the thickness of a liquid crystal cell. When the faulty pixel is detected, the gate bus branch line 22 is cut off by irradiating near the branched part of the gate bus line 22 with a YAG leaser beam by width smaller than the thickness of the liquid crystal cell. Moreover, a gate electrode 22 and a source electrode 32, and the gate electrode 22 and a drain electrode 33 are short-circuited by irradiating respective superposition parts with the YAG laser beam. Thereby, a signal is always sent to the fault pixel from a source bus line 23. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表示装置に関し、特に、アクティブマトリクス型表示装置における不良絵素の修正に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、画像を形成するための絵素電極が透明基板上にマトリクス状に配置され、その絵素電極毎に電圧を印加することにより画面上に画像を形成する液晶表示装置、ＥＬ表示装置、プラズマ表示装置等の表示装置が知られている。これらの表示装置の駆動方式として、アクティブマトリクス駆動方式が知られている。アクティブマトリクス駆動方式の表示装置では、ゲートバスライン（走査配線）とソースバスライン（信号配線）とが透明基板上に格子状に設けられ、ゲートバスラインとソースバスラインとの交差部近傍にスイッチング素子が設けられている。そのスイッチング素子としては、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｅｒ：薄膜トランジスタ）、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ：金属−絶縁体−金属）素子、ＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）トランジスタ素子、ダイオード、バリスタ等が一般的に使用されている。例えばＴＦＴには、ゲートバスラインから分岐されたゲート電極と、ソースバスラインから分岐されたソース電極と、絵素電極と接続しているドレイン電極とが設けられている。また、絵素電極を含む透明基板と対向する位置には、別の電極（以下「対向電極」という）を含む透明基板が備えられている。そして、それぞれの絵素は、ゲートバスラインから選択信号を受けたときに、ソースバスラインから受けた信号によって絵素電極と対向電極との間に電圧が印加されることにより駆動される。
【０００３】
このような表示装置では、スイッチング素子に不良が生じると、そのスイッチング素子に接続されている絵素電極には信号が正しく伝わらないため、そのスイッチング素子を含む絵素に相当する画像部分は正しく表示されない。これは一般に点欠陥と呼ばれている。
【０００４】
また、格子状に設けられているゲートバスラインとソースバスラインとの交差部において、絶縁膜に不良が生じると、当該ゲートバスラインとソースバスラインとの間に短絡が生じることもある。このような場合、当該ソースバスラインにおいて、短絡が生じた部分より先には信号が正しく伝わらないので、正しく表示されない線状の領域が生じる。これは一般に線欠陥と呼ばれている。
【０００５】
特公平３−５５９８５号公報に開示された点欠陥の修正方法によると、点欠陥が検出されると、レーザー光を照射することによりゲート電極がゲートバスラインから切断される。また、レーザー光を照射することにより導電体が溶解されて、ゲート電極とソース電極とが電気的に導通し、さらに、ゲート電極とドレイン電極とが電気的に導通する。これにより、点欠陥が生じた絵素を含むゲートバスラインに選択信号が送られているか否かに拘わらず、ソースバスラインから送られた信号が当該絵素に直接伝えられる。
【０００６】
なお、レーザー光を照射することにより、一方では導電体を切断し、他方では導電体を溶解しているが、これらはレーザー光を適当な条件で照射することにより実現される。
【０００７】
上記の方法により点欠陥が修正される表示装置の絵素は以下のようになる。正常な絵素では、当該絵素を含むゲートバスラインに選択信号が送られているときにソースバスラインから送られた信号が充電され、これが１周期（再度、当該ゲートバスラインに選択信号が送られるまで）の期間保持される。一方、点欠陥が生じた絵素では、上述の方法により、絵素電極とソースバスラインとが電気的に導通される。これにより、当該絵素を含むゲートバスラインに選択信号が送られているか否かに拘わらず、常にソースバスラインから送られた信号が充電される。このため、上述の１周期で考えると、当該絵素には、その絵素が接続されるソースバスラインから信号が送られる全ての絵素に印加される電圧の平均値が印加されることとなる。したがって、当該絵素は完全な輝点でも完全な黒点でもなく、点欠陥として視認されにくいものとなる。
【０００８】
特開平５−１１２６１号公報には、上記の方法による点欠陥の修正を具体的に実現している表示装置が開示されている。図７は、この表示装置の第１の基板であるＴＦＴ基板の部分平面図であって、１絵素に相当する部分を示している。この表示装置には、複数のゲートバスライン２１と複数のソースバスライン２３とがＴＦＴ基板上に互いに直交して設けられており、ゲートバスライン２１とソースバスライン２３とによって囲まれた領域に絵素電極４１が設けられている。また、ゲートバスライン２１とソースバスライン２３との交差部近傍にはスイッチング素子であるＴＦＴ３１が設けられている。ゲートバスライン２１から絵素電極４１に向けて突出するようにゲートバス支線２２が分岐して設けられ、そのゲートバス支線２２の先端部はＴＦＴ３１のゲート電極となっている。一方、ソースバスライン２３から絵素電極４１に向けて突出するようにＴＦＴ３１のソース電極３２が設けられている。さらに、絵素電極４１にはＴＦＴ３１のドレイン電極３３が接続されている。
【０００９】
上記表示装置では、ゲートバス支線２２の分岐部近傍は、レーザー光などにより容易に切断できるように、幅が狭くなっている。また、ＴＦＴ基板と対向して第２の基板である対向基板が設けられていれるが、その対向基板の全面に対向電極が形成されるのではなく、ＴＦＴ３１及びゲートバス支線２２と対向する領域には対向電極は形成されていない。
【００１０】
この表示装置において、点欠陥が検出されると、上述の方法により絵素電極４１とソースバスライン２３とが電気的に導通される。このとき、ゲートバス支線２２はレーザー光により切断されるため、導電体の破片が生じる。しかし、レーザー光を照射する領域には対向電極が形成されていないので、導電体の破片を介して絵素電極４１と対向電極とが短絡する可能性が低くなっている。
【００１１】
また、特開昭６２−２９９９９３号公報に開示された表示装置によると、ＴＦＴ基板の周囲に冗長配線を配線することにより、線欠陥の修正が実現されている。この表示装置において、線欠陥が検出されると、当該線欠陥の原因となっている短絡が生じているソースバスライン２３とゲートバスライン２１との交差部の両側で、当該ソースバスライン２３がレーザー光により切断される。さらに、レーザー光により、ソースバスライン２３の電極の両端部が冗長配線と接続される。このため、ソースバスライン２３の切断部よりも先の部分にも、信号が正しく送られる。これにより、線欠陥を解消することができる表示装置が実現されている。
【００１２】
【特許文献１】
特公平３−５５９８５号公報
【特許文献２】
特開平５−１１２６１号公報
【特許文献３】
特開昭６２−２９９９９３号公報
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記従来技術には、以下のような欠点がある。
特開平５−１１２６１号公報に開示された表示装置では、レーザー光を照射する領域には対向基板に対向電極を形成しないことにより、絵素電極４１と対向電極とが短絡することを防止している。しかし、ゲートバス支線２２が切断されることにより生じる導電体の破片が、対向電極が形成されている領域まで移動すると、その導電体の破片を介してＴＦＴ基板上の絵素電極４１と対向基板上の対向電極との間に短絡が生じることもある。
【００１４】
特開昭６２−２９９９９３号公報に開示された表示装置では、レーザー光によりソースバスライン２３の電極の両端部と冗長配線とが接続されるが、レーザー光の調整が難しく、しかも、接続された部分は電気的ストレスや振動および熱などの外的ストレスに弱い。このためソースバスライン２３の電極の両端部と冗長配線との接続が外れることもある。
【００１５】
そこで本発明では、点欠陥や線欠陥が検出された場合に、二次不良が生じることなく点欠陥や線欠陥を修正することができる、信頼性の高いアクティブマトリクス型表示装置を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
第１の発明は、複数の走査配線と複数の信号配線とが格子状に配置された第１の基板と、前記第１の基板上において前記走査配線と前記信号配線とによって囲まれた領域に配置された絵素電極と、前記信号配線と前記絵素電極とを電気的に接続するスイッチング素子と、前記第１の基板と対向して配置された第２の基板と、前記第２の基板上に前記絵素電極との間に電圧を印加するために設けられた対向電極とを備え、少なくとも前記第１の基板と前記第２の基板のいずれか一方が透明であるアクティブマトリクス型表示装置であって、
前記走査配線は、前記絵素電極に向けて分岐され前記スイッチング素子を制御する走査支線を備え、
前記走査支線は、分岐部近傍にスリットを備えることにより前記第１の基板と前記第２の基板との間隙よりも小さい幅の導電部が複数並列に配置された配線部分を含むことを特徴とする。
このような第１の発明によれば、走査配線から分岐する走査支線には、分岐部近傍に第１の基板と第２の基板との間隙よりも狭い幅の複数の導電部からなる配線部分が設けられる。このため、当該配線部分を切断することにより、走査支線を走査配線から切り離しても、導電体の破片に起因する短絡が生じることはない。
【００１７】
第２の発明は、複数の走査配線と複数の信号配線とが格子状に配置された第１の基板と、前記第１の基板上において前記走査配線と前記信号配線とによって囲まれた領域に配置された絵素電極と、前記信号配線と前記絵素電極とを電気的に接続するスイッチング素子と、前記第１の基板と対向して配置された第２の基板と、前記第２の基板上に前記絵素電極との間に電圧を印加するために設けられた対向電極とを備え、少なくとも前記第１の基板と前記第２の基板のいずれか一方が透明であるアクティブマトリクス型表示装置であって、
前記走査配線もしくは前記信号配線のいずれか一方が、前記走査配線と前記信号配線との交差部において、長手方向に向けてスリットを備えることにより前記第１の基板と前記第２の基板との間隙よりも小さい幅でかつ他方の導電部の幅よりも大きい長さの複数の導電部で構成されたことを特徴とする。
このような第２の発明によれば、走査配線と信号配線との交差部において、走査配線もしくは信号配線のいずれか一方には、第１の基板と第２の基板との間隙よりも狭い幅の複数の導電部からなる配線部分が設けられる。このため、当該配線部分の一部を切断することにより、当該交差部の両側が絶縁状態になることなく、当該交差部における短絡を解消することができ、かつ導電体の破片に起因する短絡が生じることは無い。
【００１８】
第３の発明は、複数の走査配線と複数の信号配線とが格子状に配置された第１の基板と、前記第１の基板上において前記走査配線と前記信号配線とによって囲まれた領域に配置された絵素電極と、前記信号配線と前記絵素電極とを電気的に接続するスイッチング素子と、前記第１の基板と対向して配置された第２の基板と、前記第２の基板上に前記絵素電極との間に電圧を印加するために設けられた対向電極と、前記走査配線から前記絵素電極に向けて分岐されて前記スイッチング素子を制御する走査支線とを備え、少なくとも前記第１の基板と前記第２の基板のいずれか一方が透明であるアクティブマトリクス型表示装置における前記スイッチング素子の不良に起因する画像表示の欠陥修正方法であって、
前記走査支線を前記走査配線から切断する切断ステップと、
前記走査支線と前記信号配線とを電気的に導通させる第１の導通ステップと、
前記走査支線と前記絵素電極とを電気的に導通させる第２の導通ステップとを備え、
前記走査支線は、分岐部近傍にスリットを備えることにより前記第１の基板と前記第２の基板との間隙よりも小さい幅の導電部が複数並列に配置された配線部分を含み、
前記切断ステップは、前記走査支線を前記配線部分で前記第１の基板と前記第２の基板との間隙よりも小さい幅で切断することを特徴とする。
【００１９】
第４の発明は、複数の走査配線と複数の信号配線とが格子状に配置された第１の基板と、前記第１の基板上において前記走査配線と前記信号配線とによって囲まれた領域に配置された絵素電極と、前記信号配線と前記絵素電極とを電気的に接続するスイッチング素子と、前記第１の基板と対向して配置された第２の基板と、前記第２の基板上に前記絵素電極との間に電圧を印加するために設けられた対向電極とを備え、少なくとも前記第１の基板と前記第２の基板のいずれか一方が透明であるアクティブマトリクス型表示装置における、前記走査配線と前記信号配線との交差部での短絡に起因する画像表示の欠陥修正方法であって、
前記走査配線と前記信号配線との交差部において、前記走査配線と前記信号配線のいずれか一方を部分的に切断する部分切断ステップを備え、
前記走査配線もしくは前記信号配線のいずれか一方が、前記走査配線と前記信号配線との交差部において、長手方向に向けてスリットを備えることにより前記第１の基板と前記第２の基板との間隙よりも小さい幅でかつ他方の導電部の幅よりも大きい長さの複数の導電部で構成され、
前記部分切断ステップは、前記複数の導電部のうち前記短絡が生じている導電部における短絡箇所が他の導電部から電気的に切り離されるように、前記短絡が生じている導電部を少なくとも２箇所で前記第１の基板と前記第２の基板との間隙よりも小さい幅で切断することを特徴とする。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について添付図面を参照しつつ説明する。
＜１．第１の実施形態＞
＜１．１ 構成＞
図１は、本実施形態に係るアクティブマトリクス型液晶表示装置のＴＦＴ基板の部分平面図であって、１絵素に相当する部分を示している。図１に示すように、この液晶表示装置のＴＦＴ基板１には、ゲートバスライン２１と、ゲートバス支線２２と、ソースバスライン２３と、ＴＦＴ３１と、絵素電極４１とが設けられている。ＴＦＴ３１は、ゲートバスライン２１とソースバスライン２３とが交差している部分の近傍に設けられており、ゲート電極と、ソース電極３２と、ドレイン電極３３とを有している。ゲートバスライン２１とソースバスライン２３とは互いに直角に交差しており、ゲートバスライン２１とソースバスライン２３とによって囲まれる領域には、絵素電極４１が設けられている。ゲートバス支線２２は、ゲートバスライン２１から絵素電極４１に向けて突出するようにして設けられている。また、ゲートバス支線２２の分岐部近傍には、長手方向に複数のスリット（隙間）が設けられ櫛歯状になっている。各スリット間の導電部の幅は、ＴＦＴ基板１と後述する対向基板２との間隔よりも小さくなっている。例えば、ＴＦＴ基板１と対向基板２との間隔が２．５μｍの場合、ゲートバス支線２２の各スリット間の導電部の幅は２μｍ以下程度である。また、ゲートバス支線２２の先端部にあるゲート電極への信号伝達に支障がないように、ゲートバス支線２２の分岐部近傍の幅は、スリットが設けられ抵抗が高くなったため、従来のゲートバス支線２２の幅よりも大きくしている。ソース電極３２は、ソースバスライン２３から分岐して絵素電極４１に向けて突出するように設けられている。
【００２１】
図２は、図１のＡ−Ａ線断面図である。図２に示すように、この液晶表示装置には、第１の基板であるＴＦＴ基板１と第２の基板である対向基板２とが対向して設けられている。また、ＴＦＴ基板１には、ゲートバス支線２２が設けられ、さらに、ゲート酸化膜１２、ゲート絶縁膜１３、半導体層１４、エッチングストッパ層１５、ｎ＋型ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）層１６が順に積層されている。さらに、ｎ＋型ａ−Ｓｉ層１６の上には、ソース電極３２とドレイン電極３３とが対向して設けられ、その上に保護膜１７、配向膜１９が順に積層されている。
【００２２】
一方、対向基板２には、ＴＦＴ基板１と対向する面に対向電極３が設けられ、さらに配向膜９が積層されている。そして、ＴＦＴ基板１側の配向膜１９と対向基板２側の配向膜９との間には液晶１８が封入されている。以下、ＴＦＴ基板１と対向基板２との間に液晶が封入されているものを「液晶セル」という。
【００２３】
＜１．２ 作製手順＞
次にこの液晶表示装置の作製手順について図２及び図３を参照しつつ説明する。なお、図３は、図１のＢ−Ｂ線断面図である。はじめに、透明絶縁性基板であるガラス基板（ＴＦＴ基板１）上に、スパッタリング法によりＴｉ（チタン）を積層し、フォトリゾグラフィ法によりパターニングする。このとき、図３に示すように、ゲートバス支線２２の分岐部近傍には、導電部の幅が液晶セルの厚さよりも小さくなるようなスリット４６が設けられるようにパターニングする。
【００２４】
ゲートバス支線２２上には、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によりＳｉＮｘ（窒化シリコン）膜を３００ｎｍ積層し、ゲート絶縁膜１３とする。なお、絶縁性を向上するため、図２に示すように、ゲートバスライン２１を陽極酸化して、ゲートバスライン２１上にＴａ２Ｏ５（酸化タンタル）から成る酸化膜（ゲート酸化膜１２）を形成してもよい。
さらに、プラズマＣＶＤ法により、ゲート絶縁膜１３上に、半導体層１４としてａ−Ｓｉを３０ｎｍ積層し、さらにエッチングストッパ層１５としてＳｉＮｘを２００ｎｍ積層する。エッチングストッパ層１５をパターニングした後、その上に、プラズマＣＶＤ法により、リンを添加したｎ＋型ａ−Ｓｉを８０ｎｍ積層し、そのｎ＋型ａ−Ｓｉをパターニングする。このｎ＋型ａ−Ｓｉ層１６は、半導体層１４と、後に積層されるソース電極３２およびドレイン電極３３とのオーミックコンタクトを良好にするために設けられる。さらに、ｎ＋型ａ−Ｓｉ層１６の上に、スパッタリング法によりＴｉを積層し、パターニングすることにより、ソース電極３２とドレイン電極３３とが形成される。
【００２５】
その後、スパッタリング法により透明導電性物質であるＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎ Ｏｘｉｄｅ）を積層し、パターニングすることにより絵素電極４１が形成される。絵素電極４１は、ゲートバスライン２１とソースバスライン２３とによって囲まれた矩形領域に設けられ、絵素電極４１の端部はドレイン電極３３の端部に積層される。これにより、絵素電極４１とドレイン電極３３とは電気的に導通する。さらに、ＴＦＴ基板１の全面に保護膜１７としてＳｉＮｘを積層する。さらに、保護膜１７の上には、配向膜１９を積層する。一方、対向基板２には、その全面に対向電極３を形成し、その上に配向膜９を積層する。
【００２６】
以上のようにしてＴＦＴ基板１と対向基板２とが作製されると、ＴＦＴ基板１の配向膜１９と対向基板２の配向膜９とが対向するように配置され、両配向膜の間に液晶１８が封入される。
【００２７】
なお、本実施形態においては、スパッタリング法、フォトリゾグラフィ法、プラズマＣＶＤ法が用いられているが、これらの方法については公知の技術であるので、詳しい説明は省略する。
【００２８】
＜１．３ 点欠陥の修正方法＞
次に、本実施形態において点欠陥が検出されたときの当該点欠陥の修正方法について、図４を参照しつつ説明する。図４は、本実施形態におけるソースバスライン２３とゲートバスライン２１との交差部近傍の１つの拡大図である。図４に示すＴＦＴ３１に不良が生じ点欠陥が検出されると、まず点線５１で示す領域にＹＡＧ（Ｙｔｔｒｉｕｍ Ａｌｕｍｉｎｉｕｍ Ｇａｒｎｅｔ）レーザー光を照射する。これにより、ゲートバス支線２２はゲートバスライン２１から切断される。このとき、導電体の破片が生じるが、ゲートバス支線２２に設けられている櫛歯状領域の各スリット４６間の導電部の幅は液晶セルの厚さよりも小さいものであるから、導電体の破片を介してＴＦＴ基板１と対向基板２とが短絡を防止することができる。また、点線５１で示すＹＡＧレーザー光を照射する領域の幅を狭くすることで、ＴＦＴ基板１と対向基板２とが短絡する可能性がさらに低くなる。
【００２９】
次に、点線５２で示す領域にＹＡＧレーザー光を照射する。ＹＡＧレーザー光が、ゲート酸化膜１２、ゲート絶縁膜１３、半導体層１４、ｎ＋型ａ−Ｓｉ層１６を貫通することにより、ゲート電極とソース電極３２とが電気的に導通する。
同様に、点線５３で示す領域にＹＡＧレーザー光を照射することにより、ゲート電極とドレイン電極３３とが電気的に導通する。
【００３０】
以上のように、点線５１、５２、５３で示す領域にＹＡＧレーザー光を照射することにより、ソースバスライン２３から絵素電極４１までが電気的に導通する。これにより、点欠陥が生じている絵素電極４１は、常にソースバスライン２３と接続される。すなわち、当該絵素には、その絵素と接続されるソースバスラインから信号が送られる全ての絵素に印加される電圧の平均値が印加されることとなる。したがって、その絵素は完全な輝点でも完全な黒点でもなく、点欠陥として視認されにくいものとなる。
【００３１】
なお、点線５１で示す領域へのＹＡＧレーザー光の照射では、導電体が切断され、点線５２及び５３で示す領域へのＹＡＧレーザー光の照射では、導電体が融解されるが、これらは、レーザー光を適当な条件で照射することにより実現される。
【００３２】
＜１．４ 効果＞
以上のように、本実施形態において点欠陥が検出されると、ゲートバス支線２２の分岐部近傍、ゲート電極とソース電極３２との重畳部、ゲート電極とドレイン電極３３との重畳部にＹＡＧレーザー光が照射されることにより、ソースバスライン２３と絵素電極４１とが電気的に導通する。また、ゲートバス支線２２の分岐部近傍には、スリット４６が設けられており、各スリット間の導電部の幅は液晶セルの厚さよりも小さくなっている。また、点線５１で示すレーザー光照射領域の幅も液晶セルの厚さよりも小さくする。このため、導電体の破片を介してＴＦＴ基板１と対向基板２が短絡することはない。これにより、二次不良が生じることなくＴＦＴ３１の不良に起因する点欠陥を修正することができる。
【００３３】
なお、本実施形態では、ガラス基板上にＴｉを積層することによりゲートバスライン支線２２を形成したが、これに代えてＴａ（タンタル）、Ａｌ（アルミニウム）、またはＣｒ（クロム）などの金属を積層してもよい。また、半導体層１４を３０ｎｍ、エッチングストッパ層１５を２００ｎｍ、ｎ＋型ａ−Ｓｉ層１６を８０ｎｍとして説明しているが、これらは一例であり、上記の厚さに限定されるものではない。
【００３４】
＜２．第２の実施形態＞
＜２．１ 構成＞
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。図５は、本実施形態に係るアクティブマトリクス型液晶表示装置のＴＦＴ基板１の部分平面図であって、交差部近傍の１つの拡大図である。なお、第１の実施形態と同様の構成部については、同一の参照符号を付し、詳しい説明を省略する。この表示装置のソースバスライン２３には、ゲートバスライン２１との交差部に、長手方向に複数のスリット４７が設けられており、各スリット間の導電部の幅は、ＴＦＴ基板１と対向基板２との間隔より小さくなっている。また、ソースバスライン２３に設けられたスリット４７の長手方向の長さは、ゲートバスライン２１の幅よりも大きくなっている。
【００３５】
この液晶表示装置の作製手順は、第１の実施形態と同様であるので、省略する。なお、ソースバスライン２３に設けられているスリット４７は、ソースバスライン２３をパターニングする際に形成される。
【００３６】
＜２．２ 線欠陥の修正方法＞
次に、本実施形態において線欠陥が検出されたときの当該線欠陥の修正方法について説明する。図６は、本実施形態におけるソースバスライン２３とゲートバスライン２１との交差部の拡大図である。図６において符号Ｘで示す位置において、ピンホール状の短絡が検出されたものとして説明する。
【００３７】
ソースバスライン２３とゲートバスライン２１との交差部における短絡に起因する線欠陥が検出されると、まず、短絡が生じている導電部の両側にＹＡＧレーザー光を照射する。その際、符号５４及び５５で示す、ソースバスライン２３とゲートバスライン２１とが重畳せず、かつスリット４７に挟まれた領域に、液晶セルの厚さよりも小さい幅でＹＡＧレーザー光を照射する。ＹＡＧレーザー光を照射することにより、当該導電部は切断され、短絡は解消される。また、ソースバスライン２３の当該交差部には複数のスリット４７が設けられ櫛歯状になっているので、分岐して複数になっている導電部のうちの１本を切断しても、当該交差部の両側が互いに絶縁状態となることはない。また、導電部を切断することにより導電体の破片が生じるが、導電部の幅が液晶セルの厚さよりも小さくなっており、また照射するレーザー光の幅も液晶セルの厚さよりも小さくなっているので、導電体の破片を介してＴＦＴ基板１と対向基板２とが短絡することはない。
【００３８】
＜２．３ 効果＞
以上のように、本実施形態では、ソースバスライン２３には、ゲートバスライン２１との交差部にスリット４７が設けられ櫛歯状になっている。このため、ソースバスライン２３とゲートバスライン２１との交差部における短絡に起因する線欠陥が生じた場合、分岐して複数になっている導電部のうちの１本を切断することができる。これにより、当該部分の短絡が解消される。その結果、当該ソースバスライン２３に接続されている全ての絵素には、本来供給されるべき信号が伝えられ、線欠陥が解消される。
【００３９】
なお、本実施形態においては、ソースバスライン２３にスリット４７を備える構成にしたが、ゲートバスライン２１にスリットを備える構成としても同様の効果が得られる。この構成において、ソースバスライン２３とゲートバスライン２１との交差部における短絡に起因する線欠陥が生じた場合、スリットが設けられ櫛歯状になっているゲートバスライン２１の導電部のうち、当該短絡が生じている導電部を当該短絡箇所の両側で切断する。
【００４０】
また、上記各実施形態においては、スイッチング素子としてＴＦＴを使用しているが、本発明はこれに限定されず、スイッチング素子としてＭＯＳトランジスタ素子やダイオード等を使用している表示装置にも適用できる。
【００４１】
【発明の効果】
第１の発明によれば、走査支線には、スリットが備えられることにより第１の基板と第２の基板との間隙よりも狭い幅の複数の導電部からなる配線部分が設けられる。スイッチング素子の不良に起因する画像表示の欠陥が生じた場合、走査支線のスリットが設けられた配線部分が液晶セルの厚さよりも狭い幅で切断される。このため、走査支線を走査配線から切り離すことによって生じる導電体の破片は、第１の基板と第２の基板との間隙よりも小さいものとなる。このため、その導電体の破片を介して、第１の基板と第２の基板とが短絡することを防止することができる。これにより、二次不良の発生を防止し、点欠陥の発生を防ぐことができる。
【００４２】
第２の発明によれば、信号配線と走査配線との交差部において、信号配線もしくは走査配線のいずれか一方には、スリットが備えられることにより第１の基板と第２の基板との間隙より狭い幅の複数の導電部からなる配線部分が設けられる。このため、複数の導電部のいずれかを切断しても電気的な導通を保つことができる。このため、信号配線と走査配線との交差部で短絡が生じた場合、電気的な導通を保持して、短絡が生じている導電部のみを切り離すことができる。これによりピンホール欠陥による短絡不良の場合は冗長配線を設置する必要が無くなる。また、導電部をセル厚よりも小さい幅で切断することによって生じる破片は、第１の基板と第２の基板との間隙よりも小さいものなので、その破片を介して、第１の基板と第２の基板とが短絡することはない。これにより、二次不良が生じることなく、線欠陥を解消することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリクス型液晶表示装置のＴＦＴ基板の部分平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ線断面図である。
【図４】上記実施形態におけるソースバスラインとゲートバスラインとの交差部近傍の拡大図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係るアクティブマトリクス型液晶表示装置のＴＦＴ基板の部分平面図である。
【図６】上記第２の実施形態におけるソースバスラインとゲートバスラインとの交差部の拡大図である。
【図７】従来のアクティブマトリクス型液晶表示装置のＴＦＴ基板の部分平面図である。
【符号の説明】
１…ＴＦＴ基板
２…対向基板
３…対向電極
２１…ゲートバスライン
２２…ゲートバス支線（ゲート電極）
２３…ソースバスライン
３１…ＴＦＴ
３２…ソース電極
３３…ドレイン電極
４１…絵素電極
４６…ゲートバス支線に設けられたスリット
４７…ソースバスラインに設けられたスリット
５１、５２、５３、５４、５５…ＹＡＧレーザー光の照射領域
Ｘ…ピンホール状の短絡箇所[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a display device, and more particularly, to correction of a defective picture element in an active matrix display device.
[0002]
[Prior art]
BACKGROUND ART Conventionally, pixel electrodes for forming an image are arranged in a matrix on a transparent substrate, and a liquid crystal display device, an EL display device, which forms an image on a screen by applying a voltage to each of the pixel electrodes, Display devices such as a plasma display device are known. As a driving method of these display devices, an active matrix driving method is known. In an active matrix drive type display device, a gate bus line (scanning wiring) and a source bus line (signal wiring) are provided in a grid on a transparent substrate, and switching is performed near an intersection of the gate bus line and the source bus line. An element is provided. As the switching element, a thin film transistor (TFT), a metal-insulator-metal (MIM) element, a metal-oxide-semiconductor (MOS) transistor element, a diode, and a varistor are generally used. Used in For example, a TFT is provided with a gate electrode branched from a gate bus line, a source electrode branched from a source bus line, and a drain electrode connected to a picture element electrode. Further, a transparent substrate including another electrode (hereinafter, referred to as “counter electrode”) is provided at a position facing the transparent substrate including the pixel electrode. Each of the picture elements is driven by receiving a selection signal from the gate bus line and applying a voltage between the picture element electrode and the counter electrode by a signal received from the source bus line.
[0003]
In such a display device, when a failure occurs in a switching element, a signal is not correctly transmitted to a picture element electrode connected to the switching element. Therefore, an image portion corresponding to a picture element including the switching element is correctly displayed. Not done. This is generally called a point defect.
[0004]
In addition, if a defect occurs in the insulating film at the intersection of the gate bus line and the source bus line provided in a lattice, a short circuit may occur between the gate bus line and the source bus line. In such a case, in the source bus line, since a signal is not transmitted correctly before a short-circuited portion, a linear region that is not displayed correctly occurs. This is generally called a line defect.
[0005]
According to the point defect correction method disclosed in Japanese Patent Publication No. 3-55985, when a point defect is detected, the gate electrode is disconnected from the gate bus line by irradiating a laser beam. In addition, the irradiation of the laser beam dissolves the conductor, electrically connecting the gate electrode and the source electrode, and further electrically connecting the gate electrode and the drain electrode. Accordingly, the signal transmitted from the source bus line is directly transmitted to the pixel, regardless of whether the selection signal is transmitted to the gate bus line including the pixel having the point defect.
[0006]
The irradiation of the laser beam cuts the conductor on the one hand and dissolves the conductor on the other hand, and these are realized by irradiating the laser light under appropriate conditions.
[0007]
The picture element of the display device in which the point defect is corrected by the above method is as follows. In a normal picture element, the signal sent from the source bus line is charged while the selection signal is sent to the gate bus line including the picture element, and this signal is charged for one cycle (again, the selection signal is sent to the gate bus line again). Until it is sent). On the other hand, in the picture element having the point defect, the picture element electrode and the source bus line are electrically connected by the above-described method. Thus, the signal transmitted from the source bus line is always charged regardless of whether or not the selection signal is transmitted to the gate bus line including the picture element. For this reason, considering the above-described one cycle, the average value of the voltages applied to all the pixels to which signals are transmitted from the source bus line to which the pixel is connected is applied to the pixel. Become. Therefore, the picture element is neither a perfect bright point nor a perfect black point, and is difficult to be visually recognized as a point defect.
[0008]
JP-A-5-11261 discloses a display device that specifically realizes correction of a point defect by the above method. FIG. 7 is a partial plan view of a TFT substrate serving as a first substrate of the display device, showing a portion corresponding to one picture element. In this display device, a plurality of gate bus lines 21 and a plurality of source bus lines 23 are provided to be orthogonal to each other on the TFT substrate, and are provided in a region surrounded by the gate bus lines 21 and the source bus lines 23. A picture element electrode 41 is provided. In the vicinity of the intersection between the gate bus line 21 and the source bus line 23, a TFT 31 as a switching element is provided. A gate bus branch line 22 is provided in a branched manner so as to protrude from the gate bus line 21 toward the picture element electrode 41, and the tip of the gate bus branch line 22 is a gate electrode of the TFT 31. On the other hand, the source electrode 32 of the TFT 31 is provided so as to project from the source bus line 23 toward the picture element electrode 41. Further, the drain electrode 33 of the TFT 31 is connected to the pixel electrode 41.
[0009]
In the above display device, the width near the branch portion of the gate bus branch line 22 is narrow so that it can be easily cut by laser light or the like. Further, an opposing substrate, which is a second substrate, is provided opposite to the TFT substrate. However, an opposing electrode is not formed on the entire surface of the opposing substrate, but in a region opposing the TFT 31 and the gate bus branch line 22. No counter electrode is formed.
[0010]
In this display device, when a point defect is detected, the picture element electrode 41 and the source bus line 23 are electrically connected by the above-described method. At this time, since the gate bus branch line 22 is cut by the laser beam, a fragment of the conductor is generated. However, since the counter electrode is not formed in the region to be irradiated with the laser beam, the possibility that the pixel electrode 41 and the counter electrode are short-circuited through the conductor fragments is low.
[0011]
Further, according to the display device disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-299999, correction of a line defect is realized by arranging redundant wiring around a TFT substrate. In this display device, when a line defect is detected, the source bus line 23 is located on both sides of the intersection between the source bus line 23 and the gate bus line 21 where the short circuit causing the line defect has occurred. Cut by laser light. Further, both ends of the electrode of the source bus line 23 are connected to the redundant wiring by the laser light. Therefore, the signal is correctly transmitted also to a portion of the source bus line 23 that is ahead of the cut portion. As a result, a display device that can eliminate line defects is realized.
[0012]
[Patent Document 1]
Japanese Patent Publication No. 3-55985
[Patent Document 2]
JP-A-5-11261
[Patent Document 3]
JP-A-62-299993
[0013]
[Problems to be solved by the invention]
However, the above prior art has the following disadvantages.
In the display device disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. Hei 5-11261, a short circuit between the picture element electrode 41 and the counter electrode is prevented by forming no counter electrode on the counter substrate in a region irradiated with laser light. I have. However, when a conductor fragment generated by cutting the gate bus branch line 22 moves to a region where the counter electrode is formed, the pixel electrode 41 on the TFT substrate and the counter substrate are separated through the conductor fragment. A short circuit may occur with the upper counter electrode.
[0014]
In the display device disclosed in JP-A-62-299993, both ends of the electrode of the source bus line 23 and the redundant wiring are connected by the laser light, but the adjustment of the laser light is difficult, and the connection is made. The part is vulnerable to external stresses such as electrical stress, vibration and heat. Therefore, the connection between both ends of the electrode of the source bus line 23 and the redundant wiring may be disconnected.
[0015]
Therefore, the present invention provides a highly reliable active matrix display device that can correct a point defect or a line defect without generating a secondary defect when a point defect or a line defect is detected. Aim.
[0016]
[Means for Solving the Problems]
According to a first aspect of the present invention, there is provided a first substrate in which a plurality of scanning wirings and a plurality of signal wirings are arranged in a lattice, and a region on the first substrate surrounded by the scanning wirings and the signal wirings. A picture element electrode arranged, a switching element for electrically connecting the signal wiring and the picture element electrode, a second substrate arranged opposite to the first substrate, and the second substrate An active matrix type display device comprising a counter electrode provided for applying a voltage between the pixel electrode and the pixel electrode, and at least one of the first substrate and the second substrate is transparent And
The scanning line includes a scanning branch line that is branched toward the pixel electrode and controls the switching element.
The scanning branch line includes a wiring portion in which a plurality of conductive portions having a width smaller than a gap between the first substrate and the second substrate are arranged in parallel by providing a slit near a branch portion. I do.
According to the first aspect, the scanning branch line branching from the scanning wiring has a wiring portion including a plurality of conductive portions having a width smaller than a gap between the first substrate and the second substrate near the branch portion. Is provided. For this reason, even if the scanning branch line is cut off from the scanning wiring by cutting the wiring portion, a short circuit due to a broken piece of the conductor does not occur.
[0017]
According to a second aspect of the present invention, in a first substrate in which a plurality of scanning wirings and a plurality of signal wirings are arranged in a lattice, and in a region on the first substrate surrounded by the scanning wirings and the signal wirings A picture element electrode arranged, a switching element for electrically connecting the signal wiring and the picture element electrode, a second substrate arranged opposite to the first substrate, and the second substrate An active matrix type display device comprising a counter electrode provided for applying a voltage between the pixel electrode and the pixel electrode, and at least one of the first substrate and the second substrate is transparent And
Either the scanning wiring or the signal wiring is provided with a slit in a longitudinal direction at an intersection of the scanning wiring and the signal wiring, so that a gap between the first substrate and the second substrate is provided. It is characterized by comprising a plurality of conductive portions having a smaller width and a length greater than the width of the other conductive portion.
According to the second aspect, at the intersection of the scanning wiring and the signal wiring, one of the scanning wiring and the signal wiring has a width smaller than the gap between the first substrate and the second substrate. Is provided with a plurality of conductive portions. For this reason, by cutting a part of the wiring portion, it is possible to eliminate the short circuit at the intersection without causing both sides of the intersection to be insulated, and to prevent the short circuit caused by the fragment of the conductor. Will not occur.
[0018]
According to a third aspect of the present invention, a first substrate in which a plurality of scanning wirings and a plurality of signal wirings are arranged in a lattice, and a region on the first substrate surrounded by the scanning wirings and the signal wirings are provided. A picture element electrode arranged, a switching element for electrically connecting the signal wiring and the picture element electrode, a second substrate arranged opposite to the first substrate, and the second substrate A counter electrode provided for applying a voltage between the pixel electrode and a scanning branch line that branches from the scanning wiring toward the pixel electrode and controls the switching element; and A defect correction method of an image display caused by a defect of the switching element in an active matrix display device in which one of the first substrate and the second substrate is transparent,
A cutting step of cutting the scanning branch line from the scanning wiring;
A first conduction step of electrically connecting the scanning branch line and the signal wiring;
A second conduction step of electrically conducting the scanning branch line and the pixel electrode,
The scanning branch line includes a wiring portion in which a plurality of conductive portions having a width smaller than a gap between the first substrate and the second substrate are arranged in parallel by providing a slit near a branch portion,
The cutting step is characterized in that the scanning branch line is cut at a width smaller than a gap between the first substrate and the second substrate at the wiring portion.
[0019]
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a first substrate in which a plurality of scanning wirings and a plurality of signal wirings are arranged in a grid, and a region on the first substrate surrounded by the scanning wirings and the signal wirings. A picture element electrode arranged, a switching element for electrically connecting the signal wiring and the picture element electrode, a second substrate arranged opposite to the first substrate, and the second substrate An active matrix type display device comprising a counter electrode provided for applying a voltage between the pixel electrode and the pixel electrode, and at least one of the first substrate and the second substrate is transparent In the method, a defect correction method of image display caused by a short circuit at the intersection of the scanning wiring and the signal wiring,
At an intersection of the scanning wiring and the signal wiring, a partial cutting step of partially cutting one of the scanning wiring and the signal wiring,
Either the scanning wiring or the signal wiring is provided with a slit in a longitudinal direction at an intersection of the scanning wiring and the signal wiring, so that a gap between the first substrate and the second substrate is provided. It is composed of a plurality of conductive portions having a smaller width and a length greater than the width of the other conductive portion,
The partial cutting step includes, at least two portions of the short-circuited conductive portion such that a short-circuit portion of the short-circuited conductive portion of the plurality of conductive portions is electrically separated from another conductive portion. And cutting at a width smaller than a gap between the first substrate and the second substrate.
[0020]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
<1. First Embodiment>
<1.1 Configuration>
FIG. 1 is a partial plan view of a TFT substrate of an active matrix liquid crystal display device according to the present embodiment, and shows a portion corresponding to one picture element. As shown in FIG. 1, the TFT substrate 1 of the liquid crystal display device is provided with a gate bus line 21, a gate bus branch line 22, a source bus line 23, a TFT 31, and a pixel electrode 41. The TFT 31 is provided near a portion where the gate bus line 21 and the source bus line 23 intersect, and has a gate electrode, a source electrode 32, and a drain electrode 33. The gate bus line 21 and the source bus line 23 cross each other at right angles, and a pixel electrode 41 is provided in a region surrounded by the gate bus line 21 and the source bus line 23. The gate bus branch line 22 is provided so as to project from the gate bus line 21 toward the picture element electrode 41. A plurality of slits (gap) are provided in the longitudinal direction in the vicinity of the branch portion of the gate bus branch line 22 to form a comb tooth shape. The width of the conductive portion between the slits is smaller than the distance between the TFT substrate 1 and a counter substrate 2 described later. For example, when the distance between the TFT substrate 1 and the counter substrate 2 is 2.5 μm, the width of the conductive portion between the slits of the gate bus branch line 22 is about 2 μm or less. In order to prevent signal transmission to the gate electrode at the tip of the gate bus branch line 22, the width of the gate bus branch line 22 near the branching portion is increased by providing a slit and increasing resistance. The width is larger than the width of the branch line 22. The source electrode 32 is provided so as to branch off from the source bus line 23 and protrude toward the picture element electrode 41.
[0021]
FIG. 2 is a sectional view taken along line AA of FIG. As shown in FIG. 2, in this liquid crystal display device, a TFT substrate 1 as a first substrate and a counter substrate 2 as a second substrate are provided to face each other. Further, a gate bus branch line 22 is provided on the TFT substrate 1, and further, a gate oxide film 12, a gate insulating film 13, a semiconductor layer 14, an etching stopper layer 15, and n + A type a-Si (amorphous silicon) layer 16 is sequentially stacked. Further, n + A source electrode 32 and a drain electrode 33 are provided on the mold a-Si layer 16 so as to face each other, and a protective film 17 and an alignment film 19 are sequentially stacked thereon.
[0022]
On the other hand, the counter substrate 2 is provided with a counter electrode 3 on a surface facing the TFT substrate 1, and an alignment film 9 is further laminated thereon. Liquid crystal 18 is sealed between the alignment film 19 on the TFT substrate 1 side and the alignment film 9 on the counter substrate 2 side. Hereinafter, a device in which liquid crystal is sealed between the TFT substrate 1 and the counter substrate 2 is referred to as a “liquid crystal cell”.
[0023]
<1.2 Fabrication procedure>
Next, a manufacturing procedure of the liquid crystal display device will be described with reference to FIGS. FIG. 3 is a sectional view taken along line BB of FIG. First, Ti (titanium) is laminated on a glass substrate (TFT substrate 1) which is a transparent insulating substrate by a sputtering method, and is patterned by a photolithography method. At this time, as shown in FIG. 3, patterning is performed so as to provide a slit 46 near the branch portion of the gate bus branch line 22 such that the width of the conductive portion is smaller than the thickness of the liquid crystal cell.
[0024]
A 300 nm SiNx (silicon nitride) film is laminated on the gate bus branch line 22 by a plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) method to form a gate insulating film 13. In order to improve the insulating property, as shown in FIG. 2, the gate bus line 21 is anodized to form a Ta 2 O 5 An oxide film (gate oxide film 12) made of (tantalum oxide) may be formed.
Further, 30 nm of a-Si is stacked as the semiconductor layer 14 and 200 nm of SiNx is stacked as the etching stopper layer 15 on the gate insulating film 13 by the plasma CVD method. After the etching stopper layer 15 is patterned, phosphorus-added n is formed thereon by a plasma CVD method. + Type a-Si is laminated to a thickness of 80 nm, and its n + The pattern a-Si is patterned. This n + The type a-Si layer 16 is provided to improve the ohmic contact between the semiconductor layer 14 and the source electrode 32 and the drain electrode 33 to be stacked later. Further, n + A source electrode 32 and a drain electrode 33 are formed by stacking and patterning Ti on the mold a-Si layer 16 by a sputtering method.
[0025]
Thereafter, a pixel electrode 41 is formed by laminating and patterning ITO (Indium Tin Oxide), which is a transparent conductive material, by a sputtering method. The picture element electrode 41 is provided in a rectangular area surrounded by the gate bus line 21 and the source bus line 23, and the end of the picture element electrode 41 is stacked on the end of the drain electrode 33. As a result, the pixel electrode 41 and the drain electrode 33 are electrically connected. Further, SiNx is laminated as a protective film 17 on the entire surface of the TFT substrate 1. Further, an orientation film 19 is laminated on the protection film 17. On the other hand, the counter electrode 3 is formed on the entire surface of the counter substrate 2, and the alignment film 9 is stacked thereon.
[0026]
When the TFT substrate 1 and the counter substrate 2 are manufactured as described above, the alignment film 19 of the TFT substrate 1 and the alignment film 9 of the counter substrate 2 are arranged so as to face each other, and the liquid crystal is interposed between the two alignment films. 18 are enclosed.
[0027]
In the present embodiment, a sputtering method, a photolithography method, and a plasma CVD method are used. However, these methods are well-known techniques, and thus detailed description thereof will be omitted.
[0028]
<1.3 Repair method for point defects>
Next, a method of correcting a point defect when a point defect is detected in the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 4 is an enlarged view of the vicinity of the intersection between the source bus line 23 and the gate bus line 21 in the present embodiment. When a defect occurs in the TFT 31 shown in FIG. 4 and a point defect is detected, first, a region indicated by a dotted line 51 is irradiated with a YAG (Yttrium Aluminum Garnet) laser beam. Thereby, the gate bus branch line 22 is disconnected from the gate bus line 21. At this time, a fragment of the conductor is generated, but the width of the conductive portion between the slits 46 of the comb-shaped region provided in the gate bus branch line 22 is smaller than the thickness of the liquid crystal cell. The short circuit between the TFT substrate 1 and the counter substrate 2 can be prevented via the fragments. Further, by narrowing the width of the region irradiated with the YAG laser light indicated by the dotted line 51, the possibility that the TFT substrate 1 and the counter substrate 2 are short-circuited is further reduced.
[0029]
Next, a region indicated by a dotted line 52 is irradiated with a YAG laser beam. YAG laser light is applied to the gate oxide film 12, the gate insulating film 13, the semiconductor layer 14, n + By penetrating the mold a-Si layer 16, the gate electrode and the source electrode 32 are electrically connected.
Similarly, by irradiating a region indicated by a dotted line 53 with a YAG laser beam, the gate electrode and the drain electrode 33 are electrically connected.
[0030]
As described above, by irradiating the regions indicated by the dotted lines 51, 52, and 53 with the YAG laser light, the portions from the source bus lines 23 to the pixel electrodes 41 are electrically connected. As a result, the picture element electrode 41 having the point defect is always connected to the source bus line 23. That is, the average value of the voltages applied to all the pixels to which a signal is sent from the source bus line connected to the pixel is applied to the pixel. Therefore, the picture element is neither a perfect bright point nor a perfect black point, and is hardly visually recognized as a point defect.
[0031]
Note that when the region indicated by the dotted line 51 is irradiated with the YAG laser beam, the conductor is cut, and when the region indicated by the dotted lines 52 and 53 is irradiated with the YAG laser beam, the conductor is melted. It is realized by irradiating light under appropriate conditions.
[0032]
<1.4 Effects>
As described above, when a point defect is detected in the present embodiment, the YAG laser is applied to the vicinity of the branch portion of the gate bus branch line 22, the overlapping portion of the gate electrode and the source electrode 32, and the overlapping portion of the gate electrode and the drain electrode 33. By irradiating the light, the source bus line 23 and the pixel electrode 41 are electrically connected. Slits 46 are provided in the vicinity of the branch portion of the gate bus branch line 22, and the width of the conductive portion between the slits is smaller than the thickness of the liquid crystal cell. Further, the width of the laser light irradiation area indicated by the dotted line 51 is also made smaller than the thickness of the liquid crystal cell. Therefore, the TFT substrate 1 and the counter substrate 2 are not short-circuited through the conductor fragments. Accordingly, it is possible to correct a point defect caused by a defect of the TFT 31 without causing a secondary defect.
[0033]
In the present embodiment, the gate bus line branch line 22 is formed by laminating Ti on a glass substrate. However, instead of this, a metal such as Ta (tantalum), Al (aluminum), or Cr (chromium) is used. They may be stacked. The semiconductor layer 14 has a thickness of 30 nm, the etching stopper layer 15 has a thickness of 200 nm, + Although the type a-Si layer 16 is described as having a thickness of 80 nm, these are merely examples, and the thickness is not limited to the above.
[0034]
<2. Second Embodiment>
<2.1 Configuration>
Next, a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 5 is a partial plan view of the TFT substrate 1 of the active matrix type liquid crystal display device according to the present embodiment, and is an enlarged view of one near the intersection. Note that the same components as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted. A plurality of slits 47 are provided in the source bus line 23 of the display device at the intersection with the gate bus line 21 in the longitudinal direction, and the width of the conductive portion between the slits is determined by the TFT substrate 1 and the counter substrate. 2 is smaller than the interval. The length in the longitudinal direction of the slit 47 provided in the source bus line 23 is larger than the width of the gate bus line 21.
[0035]
The procedure for fabricating this liquid crystal display device is the same as that of the first embodiment, and a description thereof will be omitted. The slit 47 provided in the source bus line 23 is formed when patterning the source bus line 23.
[0036]
<2.2 Method of repairing line defect>
Next, a method of correcting a line defect when a line defect is detected in the present embodiment will be described. FIG. 6 is an enlarged view of an intersection between the source bus line 23 and the gate bus line 21 in the present embodiment. The description will be given on the assumption that a pinhole-shaped short circuit is detected at the position indicated by the symbol X in FIG.
[0037]
When a line defect due to a short circuit at the intersection of the source bus line 23 and the gate bus line 21 is detected, first, both sides of the conductive part where the short circuit has occurred are irradiated with YAG laser light. At this time, the region between the source bus line 23 and the gate bus line 21, which is indicated by reference numerals 54 and 55, is not overlapped, and a region between the slits 47 is irradiated with a YAG laser beam with a width smaller than the thickness of the liquid crystal cell. . By irradiating the YAG laser beam, the conductive portion is cut, and the short circuit is eliminated. Further, since a plurality of slits 47 are provided at the intersection of the source bus line 23 to form a comb-teeth shape, even if one of the plurality of branching conductive parts is cut, the intersection may be cut. Neither side of the intersection is insulated from each other. In addition, cutting the conductive portion generates fragments of the conductor, but the width of the conductive portion is smaller than the thickness of the liquid crystal cell, and the width of the irradiated laser beam is also smaller than the thickness of the liquid crystal cell. Therefore, the TFT substrate 1 and the opposing substrate 2 are not short-circuited through the conductor fragments.
[0038]
<2.3 Effects>
As described above, in the present embodiment, the slit 47 is provided at the intersection of the source bus line 23 and the gate bus line 21 and has a comb shape. Therefore, when a line defect occurs due to a short circuit at the intersection between the source bus line 23 and the gate bus line 21, one of the branched conductive portions can be cut. As a result, the short circuit in the relevant portion is eliminated. As a result, a signal to be supplied is transmitted to all picture elements connected to the source bus line 23, and a line defect is eliminated.
[0039]
In the present embodiment, the configuration is such that the source bus line 23 is provided with the slit 47, but the same effect can be obtained by providing the gate bus line 21 with the slit. In this configuration, when a line defect occurs due to a short circuit at the intersection between the source bus line 23 and the gate bus line 21, among the conductive portions of the gate bus line 21 having slits and having a comb-like shape, The short-circuited conductive portion is cut on both sides of the short-circuited portion.
[0040]
In each of the above embodiments, a TFT is used as a switching element. However, the present invention is not limited to this, and can be applied to a display device using a MOS transistor element, a diode, or the like as a switching element.
[0041]
【The invention's effect】
According to the first aspect, the scanning branch line is provided with the wiring portion including the plurality of conductive portions having a width smaller than the gap between the first substrate and the second substrate by being provided with the slit. When an image display defect occurs due to a failure of the switching element, the wiring portion provided with the slit of the scanning branch line is cut with a width smaller than the thickness of the liquid crystal cell. For this reason, fragments of the conductor generated by separating the scanning branch line from the scanning wiring are smaller than the gap between the first substrate and the second substrate. For this reason, it is possible to prevent the first substrate and the second substrate from being short-circuited via the conductor fragments. As a result, it is possible to prevent the occurrence of secondary defects and to prevent the occurrence of point defects.
[0042]
According to the second aspect, at the intersection of the signal wiring and the scanning wiring, one of the signal wiring and the scanning wiring is provided with the slit, so that the gap between the first substrate and the second substrate is reduced. A wiring portion including a plurality of conductive portions having a narrow width is provided. Therefore, electrical continuity can be maintained even when any of the plurality of conductive portions is cut. Therefore, when a short circuit occurs at the intersection between the signal wiring and the scanning wiring, it is possible to maintain electrical continuity and disconnect only the conductive part where the short circuit has occurred. This eliminates the need to install redundant wiring in the event of a short circuit due to a pinhole defect. In addition, a fragment generated by cutting the conductive portion with a width smaller than the cell thickness is smaller than a gap between the first substrate and the second substrate. There is no short circuit with the second substrate. As a result, line defects can be eliminated without causing secondary defects.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a partial plan view of a TFT substrate of an active matrix liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a sectional view taken along line AA of FIG.
FIG. 3 is a sectional view taken along line BB of FIG. 1;
FIG. 4 is an enlarged view near an intersection of a source bus line and a gate bus line in the embodiment.
FIG. 5 is a partial plan view of a TFT substrate of an active matrix liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 6 is an enlarged view of an intersection between a source bus line and a gate bus line in the second embodiment.
FIG. 7 is a partial plan view of a TFT substrate of a conventional active matrix type liquid crystal display device.
[Explanation of symbols]
1: TFT substrate
2: Counter substrate
3: Counter electrode
21 ... Gate bus line
22 ... Gate bus branch line (gate electrode)
23 ... Source bus line
31 ... TFT
32 ... Source electrode
33 ... Drain electrode
41 ... Picture electrode
46 ... Slit provided in the gate bus branch line
47 ... Slit provided in source bus line
51, 52, 53, 54, 55: Irradiated area of YAG laser light
X: Pinhole-shaped short-circuit point

Claims (4)

複数の走査配線と複数の信号配線とが格子状に配置された第１の基板と、前記第１の基板上において前記走査配線と前記信号配線とによって囲まれた領域に配置された絵素電極と、前記信号配線と前記絵素電極とを電気的に接続するスイッチング素子と、前記第１の基板と対向して配置された第２の基板と、前記第２の基板上に前記絵素電極との間に電圧を印加するために設けられた対向電極とを備え、少なくとも前記第１の基板と前記第２の基板のいずれか一方が透明であるアクティブマトリクス型表示装置であって、
前記走査配線は、前記絵素電極に向けて分岐され前記スイッチング素子を制御する走査支線を備え、
前記走査支線は、分岐部近傍にスリットを備えることにより前記第１の基板と前記第２の基板との間隙よりも小さい幅の導電部が複数並列に配置された配線部分を含むことを特徴とする、アクティブマトリクス型表示装置。A first substrate on which a plurality of scanning wirings and a plurality of signal wirings are arranged in a grid pattern; and a picture element electrode arranged on the first substrate in a region surrounded by the scanning wirings and the signal wirings A switching element for electrically connecting the signal wiring to the pixel electrode; a second substrate disposed to face the first substrate; and the pixel electrode on the second substrate. An active matrix display device comprising a counter electrode provided for applying a voltage between the first substrate and the second substrate, wherein at least one of the first substrate and the second substrate is transparent,
The scanning line includes a scanning branch line that is branched toward the pixel electrode and controls the switching element.
The scanning branch line includes a wiring portion in which a plurality of conductive portions having a width smaller than a gap between the first substrate and the second substrate are arranged in parallel by providing a slit near a branch portion. Active matrix display device. 複数の走査配線と複数の信号配線とが格子状に配置された第１の基板と、前記第１の基板上において前記走査配線と前記信号配線とによって囲まれた領域に配置された絵素電極と、前記信号配線と前記絵素電極とを電気的に接続するスイッチング素子と、前記第１の基板と対向して配置された第２の基板と、前記第２の基板上に前記絵素電極との間に電圧を印加するために設けられた対向電極とを備え、少なくとも前記第１の基板と前記第２の基板のいずれか一方が透明であるアクティブマトリクス型表示装置であって、
前記走査配線もしくは前記信号配線のいずれか一方が、前記走査配線と前記信号配線との交差部において、長手方向に向けてスリットを備えることにより前記第１の基板と前記第２の基板との間隙よりも小さい幅でかつ他方の導電部の幅よりも大きい長さの複数の導電部で構成されたことを特徴とする、アクティブマトリクス型表示装置。A first substrate on which a plurality of scanning wirings and a plurality of signal wirings are arranged in a grid pattern; and a picture element electrode arranged on the first substrate in a region surrounded by the scanning wirings and the signal wirings A switching element for electrically connecting the signal wiring to the pixel electrode; a second substrate disposed to face the first substrate; and the pixel electrode on the second substrate. An active matrix display device comprising a counter electrode provided for applying a voltage between the first substrate and the second substrate, wherein at least one of the first substrate and the second substrate is transparent,
Either the scanning wiring or the signal wiring is provided with a slit in a longitudinal direction at an intersection of the scanning wiring and the signal wiring, so that a gap between the first substrate and the second substrate is provided. An active matrix display device comprising: a plurality of conductive portions having a smaller width and a length greater than the width of the other conductive portion. 複数の走査配線と複数の信号配線とが格子状に配置された第１の基板と、前記第１の基板上において前記走査配線と前記信号配線とによって囲まれた領域に配置された絵素電極と、前記信号配線と前記絵素電極とを電気的に接続するスイッチング素子と、前記第１の基板と対向して配置された第２の基板と、前記第２の基板上に前記絵素電極との間に電圧を印加するために設けられた対向電極と、前記走査配線から前記絵素電極に向けて分岐されて前記スイッチング素子を制御する走査支線とを備え、少なくとも前記第１の基板と前記第２の基板のいずれか一方が透明であるアクティブマトリクス型表示装置における前記スイッチング素子の不良に起因する画像表示の欠陥修正方法であって、
前記走査支線を前記走査配線から切断する切断ステップと、
前記走査支線と前記信号配線とを電気的に導通させる第１の導通ステップと、
前記走査支線と前記絵素電極とを電気的に導通させる第２の導通ステップとを備え、
前記走査支線は、分岐部近傍にスリットを備えることにより前記第１の基板と前記第２の基板との間隙よりも小さい幅の導電部が複数並列に配置された配線部分を含み、
前記切断ステップは、前記走査支線を前記配線部分で前記第１の基板と前記第２の基板との間隙よりも小さい幅で切断することを特徴とする、欠陥修正方法。A first substrate on which a plurality of scanning wirings and a plurality of signal wirings are arranged in a grid pattern; and a picture element electrode arranged on the first substrate in a region surrounded by the scanning wirings and the signal wirings A switching element for electrically connecting the signal wiring to the pixel electrode; a second substrate disposed to face the first substrate; and the pixel electrode on the second substrate. A counter electrode provided for applying a voltage between the scanning substrate and a scanning branch line that branches from the scanning wiring toward the picture element electrode to control the switching element, and at least the first substrate and A defect correction method of an image display caused by a defect of the switching element in an active matrix display device in which one of the second substrates is transparent,
A cutting step of cutting the scanning branch line from the scanning wiring;
A first conduction step of electrically connecting the scanning branch line and the signal wiring;
A second conduction step of electrically conducting the scanning branch line and the pixel electrode,
The scanning branch line includes a wiring portion in which a plurality of conductive portions having a width smaller than a gap between the first substrate and the second substrate are arranged in parallel by providing a slit near a branch portion,
The defect repair method according to claim 1, wherein said cutting step cuts said scanning branch line at a width smaller than a gap between said first substrate and said second substrate at said wiring portion. 複数の走査配線と複数の信号配線とが格子状に配置された第１の基板と、前記第１の基板上において前記走査配線と前記信号配線とによって囲まれた領域に配置された絵素電極と、前記信号配線と前記絵素電極とを電気的に接続するスイッチング素子と、前記第１の基板と対向して配置された第２の基板と、前記第２の基板上に前記絵素電極との間に電圧を印加するために設けられた対向電極とを備え、少なくとも前記第１の基板と前記第２の基板のいずれか一方が透明であるアクティブマトリクス型表示装置における、前記走査配線と前記信号配線との交差部での短絡に起因する画像表示の欠陥修正方法であって、
前記走査配線と前記信号配線との交差部において、前記走査配線と前記信号配線のいずれか一方を部分的に切断する部分切断ステップを備え、
前記走査配線もしくは前記信号配線のいずれか一方が、前記走査配線と前記信号配線との交差部において、長手方向に向けてスリットを備えることにより前記第１の基板と前記第２の基板との間隙よりも小さい幅でかつ他方の導電部の幅よりも大きい長さの複数の導電部で構成され、
前記部分切断ステップは、前記複数の導電部のうち前記短絡が生じている導電部における短絡箇所が他の導電部から電気的に切り離されるように、前記短絡が生じている導電部を少なくとも２箇所で前記第１の基板と前記第２の基板との間隙よりも小さい幅で切断することを特徴とする、欠陥修正方法。A first substrate on which a plurality of scanning wirings and a plurality of signal wirings are arranged in a grid pattern; and a picture element electrode arranged on the first substrate in a region surrounded by the scanning wirings and the signal wirings A switching element for electrically connecting the signal wiring to the pixel electrode; a second substrate disposed to face the first substrate; and the pixel electrode on the second substrate. And a counter electrode provided to apply a voltage between the scanning wiring and the scanning wiring in an active matrix display device in which at least one of the first substrate and the second substrate is transparent. A method for correcting a defect in image display caused by a short circuit at an intersection with the signal wiring,
At an intersection of the scanning wiring and the signal wiring, a partial cutting step of partially cutting one of the scanning wiring and the signal wiring,
Either the scanning wiring or the signal wiring is provided with a slit in a longitudinal direction at an intersection of the scanning wiring and the signal wiring, so that a gap between the first substrate and the second substrate is provided. It is composed of a plurality of conductive portions having a smaller width and a length greater than the width of the other conductive portion,
The partial cutting step includes, at least two portions of the short-circuited conductive portion such that a short-circuit portion of the short-circuited conductive portion of the plurality of conductive portions is electrically separated from another conductive portion. And cutting at a width smaller than a gap between the first substrate and the second substrate.
JP2003145344A 2003-05-22 2003-05-22 Active matrix type display device Pending JP2004347891A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003145344A JP2004347891A (en) 2003-05-22 2003-05-22 Active matrix type display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003145344A JP2004347891A (en) 2003-05-22 2003-05-22 Active matrix type display device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2004347891A true JP2004347891A (en) 2004-12-09

Family

ID=33532558

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003145344A Pending JP2004347891A (en) 2003-05-22 2003-05-22 Active matrix type display device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2004347891A (en)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008050501A1 (en) 2006-09-29 2008-05-02 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and method of producing display device
JP2008257077A (en) * 2007-04-09 2008-10-23 Ips Alpha Technology Ltd Display device
WO2008152757A1 (en) * 2007-06-15 2008-12-18 Sharp Kabushiki Kaisha Display device, manufacturing method of the display device
US20100141883A1 (en) * 2007-04-23 2010-06-10 Hidetoshi Nakagawa Display device and manufacturing method of display device
US8184075B2 (en) 2007-11-01 2012-05-22 Sony Corporation Active matrix display device
WO2012147704A1 (en) * 2011-04-28 2012-11-01 シャープ株式会社 Tft substrate and method for correcting wiring fault on tft substrate
US8411215B2 (en) 2007-09-20 2013-04-02 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate, liquid crystal panel, liquid crystal display unit, liquid crystal display device, television receiver, and method for producing active matrix substrate
WO2014002463A1 (en) * 2012-06-25 2014-01-03 パナソニック株式会社 Display apparatus and display apparatus manufacturing method
CN104362154A (en) * 2014-11-17 2015-02-18 深圳市华星光电技术有限公司 Array substrate and manufacturing method thereof

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100020270A1 (en) * 2006-09-29 2010-01-28 Hidetoshi Nakagawa Display device and manufacturing method of display device
JPWO2008050501A1 (en) * 2006-09-29 2010-02-25 シャープ株式会社 Display device and method for manufacturing display device
JP4606497B2 (en) * 2006-09-29 2011-01-05 シャープ株式会社 Display device
US8228480B2 (en) * 2006-09-29 2012-07-24 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and manufacturing method of display device
WO2008050501A1 (en) 2006-09-29 2008-05-02 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and method of producing display device
JP2008257077A (en) * 2007-04-09 2008-10-23 Ips Alpha Technology Ltd Display device
US20100141883A1 (en) * 2007-04-23 2010-06-10 Hidetoshi Nakagawa Display device and manufacturing method of display device
US8351016B2 (en) * 2007-04-23 2013-01-08 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and manufacturing method of display device
WO2008152757A1 (en) * 2007-06-15 2008-12-18 Sharp Kabushiki Kaisha Display device, manufacturing method of the display device
US8274621B2 (en) 2007-06-15 2012-09-25 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and manufacturing method of display device
US8411215B2 (en) 2007-09-20 2013-04-02 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate, liquid crystal panel, liquid crystal display unit, liquid crystal display device, television receiver, and method for producing active matrix substrate
US8184075B2 (en) 2007-11-01 2012-05-22 Sony Corporation Active matrix display device
WO2012147704A1 (en) * 2011-04-28 2012-11-01 シャープ株式会社 Tft substrate and method for correcting wiring fault on tft substrate
US9018632B2 (en) 2011-04-28 2015-04-28 Sharp Kabushiki Kaisha TFT substrate and method for correcting wiring fault on TFT substrate
WO2014002463A1 (en) * 2012-06-25 2014-01-03 パナソニック株式会社 Display apparatus and display apparatus manufacturing method
US9443878B2 (en) 2012-06-25 2016-09-13 Joled Inc. Display device and method of manufacturing display device
CN104362154A (en) * 2014-11-17 2015-02-18 深圳市华星光电技术有限公司 Array substrate and manufacturing method thereof
WO2016078179A1 (en) * 2014-11-17 2016-05-26 深圳市华星光电技术有限公司 Array substrate and preparation method therefor
CN104362154B (en) * 2014-11-17 2017-04-19 深圳市华星光电技术有限公司 Array substrate and manufacturing method thereof
US9716114B2 (en) 2014-11-17 2017-07-25 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Array substrate with high qualified rate and manufacturing method thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6958802B2 (en) Display device having island-shaped conductor for repairing line disconnection
JP4693781B2 (en) Active matrix substrate and display device
US7973871B2 (en) Active matrix substrate, method for correcting a pixel deffect therein and manufacturing method thereof
JP5190625B2 (en) Liquid crystal display device and defective pixel repair method thereof
KR100336586B1 (en) Active matrix substrate and producing method of the same
JP2003307748A (en) Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
JP2005316489A (en) Display apparatus and method for repairing defect generating therein
KR101761276B1 (en) Liquid crystal display panel and repairing method thereof
JP4491205B2 (en) Switching element array substrate repair method
JP2009016756A (en) Active matrix drive display unit
JP2004347891A (en) Active matrix type display device
JP2012155073A (en) Thin film transistor array substrate, manufacturing method therefor, and liquid crystal display device
JP2004070182A (en) Display apparatus, method for restoring pixel therein, and method for manufacturing the same
JP2000292808A (en) Semiconductor device
JP4156115B2 (en) Matrix wiring substrate and liquid crystal display substrate
KR100761604B1 (en) method for restoring broken line of display
KR101803798B1 (en) Liquid crystal display device
JP2760459B2 (en) Active matrix type substrate
JP2002090775A (en) Matrix array substrate
JPH11258627A (en) Thin-film device
JPH04338728A (en) Active matrix substrate
JP2690404B2 (en) Active matrix substrate
JP2669512B2 (en) Active matrix substrate
JP4077590B2 (en) Thin film transistor and manufacturing method thereof, active matrix substrate and manufacturing method thereof, and electro-optical device
JP3545879B2 (en) Display element manufacturing method