JP2004335486A - Mask and its manufacturing method, electroluminescent device and its manufacturing method, and electronic equipment - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 193
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 43
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 10
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 10
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 21
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 9
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 8
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 aluminum quinolinol Chemical compound 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 1
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
本発明は、マスク及びその製造方法、エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法並びに電子機器に関する。 The present invention relates to a mask and a method for manufacturing the same, an electroluminescent device and a method for manufacturing the same, and an electronic apparatus.
高精細なマスクが要求されている。例えば、カラーの有機エレクトロルミネッセンス(以下、ELという)装置の製造プロセスで、各色の有機材料を、マスクを使用した蒸着により形成することが知られている。マスクの製造方法として、基材をエッチングする方法が知られているが、この方法で製造されたマスクは、非常に薄いため、反り、撓みが発生するという問題があった。
本発明は、従来の問題点を解決するもので、その目的は、強度の大きいマスク及びその製造方法、EL装置及びその製造方法並びに電子機器を提供することにある。 An object of the present invention is to solve the conventional problems, and an object of the present invention is to provide a mask having high strength, a method of manufacturing the same, an EL device and a method of manufacturing the same, and an electronic apparatus.
(1)本発明に係るマスクの製造方法は、開口が形成された第1の基板に、複数の貫通穴が形成された第2の基板を取り付けることを含み、
前記複数の貫通穴を前記開口の内側に配置する。本発明によれば、第1の基板によって第2の基板が補強されているので、強度の大きいマスクを製造することができる。
(2)このマスクの製造方法において、
陽極接合によって、前記第1及び第2の基板を接合してもよい。ここで、陽極接合とは、電圧の印加によって接合界面に静電引力を生じさせ、接合界面で化学結合を生じさせる接合方法である。
(3)このマスクの製造方法において、
エネルギー硬化性接着剤によって、前記第1及び第2の基板を接着してもよい。ここで、エネルギーとは、光(紫外線、赤外線及び可視光)、X線等の放射線、熱を含む。これによれば、第1及び第2の基板を位置合わせしてからエネルギーを付与することができ、第1及び第2の基板の位置合わせを簡単に行うことができる。
(4)このマスクの製造方法において、
前記第2の基板は、シリコンウエハに前記複数の貫通穴を形成し、前記第2の基板の外形に対応するように前記シリコンウエハをカットすることを含む工程によって形成してもよい。
(5)このマスクの製造方法において、
前記第1の基板は、第1のアライメントマークを有し、
前記第2の基板は、第2のアライメントマークを有し、
前記第1及び第2のアライメントマークによって、前記第1及び第2の基板を位置決めして取り付けてもよい。
(6)このマスクの製造方法において、
前記第1及び第2の基板の少なくとも一方に、マスク位置決めマークを形成することをさらに含んでもよい。ここで、マスク位置決めマークとは、マスクを使用して蒸着などを行うときに、マスクの位置合わせを行うためのものである。
(7)このマスクの製造方法において、
前記第2の基板に磁性体膜を形成することをさらに含んでもよい。こうすることで、磁力で吸着できるマスクを製造することができる。
(8)このマスクの製造方法において、
複数の前記第2の基板を、前記第1の基板に取り付け、
前記第1の基板には、複数の前記開口が形成されてなり、
それぞれの前記第2の基板を、1つの前記開口に対応させて取り付けてもよい。これによれば、大型のマスク(複数のマスクが一体化したマスク)を製造することができる。
(9)このマスクの製造方法において、
前記第1の基板及び前記複数の第2の基板を、着脱できるように取り付けてもよい。これによれば、破損した個々の第2の基板を交換することができるので経済的である。
(10)このマスクの製造方法において、
前記第1の基板に取り付けられた前記複数の第2の基板の表面を研磨して、高さを均一化することをさらに含んでもよい。これによれば、複数の第2の基板の表面が平坦化するので、蒸着などを行う対象物との密着性を高めることができる。
(11)本発明に係るマスクは、開口が形成されてなる第1の基板と、
前記第1の基板に取り付けられ、複数の貫通穴が形成された第2の基板と、
を有し、
前記複数の貫通穴は、前記開口の内側に配置されてなる。本発明によれば、第2の基板が第1の基板によって補強されているので、第2の基板の反り、撓みをなくすことができる。
(12)このマスクにおいて、
陽極接合によって、前記第1及び第2の基板が接合されていてもよい。ここで、陽極接合とは、電圧の印加によって接合界面に静電引力を生じさせ、接合界面で化学結合を生じさせる接合方法である。
(13)このマスクにおいて、
エネルギー硬化性接着剤によって、前記第1及び第2の基板が接着されていてもよい。
(14)このマスクにおいて、
前記第1の基板は、第1のアライメントマークを有し、
前記第2の基板は、第2のアライメントマークを有し、
前記第1及び第2のアライメントマークによって、前記第1及び第2の基板が位置決めされていてもよい。
(15)このマスクにおいて、
前記第1及び第2の基板の少なくとも一方には、マスク位置決めマークが形成されていてもよい。ここで、マスク位置決めマークとは、マスクを使用して蒸着などを行うときに、マスクの位置合わせを行うためのものである。
(16)このマスクにおいて、
前記第2の基板には、磁性体膜が形成されていてもよい。これによれば、第2の基板を磁力で吸着することができる。
(17)このマスクにおいて、
前記第1の基板には、複数の前記開口が形成されており、
複数の前記第2の基板が、前記第1の基板に取り付けられており、
それぞれの前記第2の基板は、1つの前記開口に対応させて取り付けられていてもよい。このマスクは、複数のマスクが一体化したもので、大型のマスクになっている。
(18)このマスクにおいて、
前記第1の基板及び前記複数の第2の基板は、着脱できるように取り付けられていてもよい。これによれば、破損した個々の第2の基板を交換することができるので経済的である。
(19)このマスクにおいて、
前記第1の基板に取り付けられた前記複数の第2の基板は、表面が研磨されて高さが均一化されていてもよい。これによれば、複数の第2の基板の表面が平坦化しているので、蒸着などを行う対象物との密着性を高めることができる。
(20)本発明に係るEL装置の製造方法は、上記マスクを使用して、発光材料を成膜することを含む。
(21)本発明に係るEL装置は、上記方法により製造されてなる。
(22)本発明に係る電子機器は、上記EL装置を有する。
(1) A method for manufacturing a mask according to the present invention includes attaching a second substrate having a plurality of through holes to a first substrate having an opening,
The plurality of through holes are arranged inside the opening. According to the present invention, since the second substrate is reinforced by the first substrate, a mask having high strength can be manufactured.
(2) In this method of manufacturing a mask,
The first and second substrates may be joined by anodic joining. Here, the anodic bonding is a bonding method in which an electrostatic attraction is generated at a bonding interface by applying a voltage, and a chemical bond is generated at the bonding interface.
(3) In this method of manufacturing a mask,
The first and second substrates may be bonded with an energy-curable adhesive. Here, the energy includes light (ultraviolet light, infrared light, and visible light), radiation such as X-rays, and heat. According to this, the energy can be applied after the first and second substrates are aligned, and the alignment of the first and second substrates can be easily performed.
(4) In this method of manufacturing a mask,
The second substrate may be formed by a process including forming the plurality of through holes in a silicon wafer, and cutting the silicon wafer so as to correspond to an outer shape of the second substrate.
(5) In this method of manufacturing a mask,
The first substrate has a first alignment mark,
The second substrate has a second alignment mark,
The first and second substrates may be positioned and attached by the first and second alignment marks.
(6) In this method of manufacturing a mask,
The method may further include forming a mask positioning mark on at least one of the first and second substrates. Here, the mask positioning mark is used for positioning the mask when performing vapor deposition or the like using the mask.
(7) In this method of manufacturing a mask,
The method may further include forming a magnetic film on the second substrate. By doing so, a mask that can be attracted by magnetic force can be manufactured.
(8) In this method of manufacturing a mask,
Attaching the plurality of second substrates to the first substrate;
A plurality of the openings are formed in the first substrate;
Each of the second substrates may be attached corresponding to one of the openings. According to this, a large-sized mask (a mask in which a plurality of masks are integrated) can be manufactured.
(9) In this mask manufacturing method,
The first substrate and the plurality of second substrates may be detachably attached. According to this, each damaged second substrate can be replaced, which is economical.
(10) In this mask manufacturing method,
The method may further include polishing the surfaces of the plurality of second substrates attached to the first substrate to make the heights uniform. According to this, the surfaces of the plurality of second substrates are flattened, so that the adhesion to an object on which evaporation or the like is performed can be increased.
(11) A mask according to the present invention includes: a first substrate having an opening formed therein;
A second substrate attached to the first substrate and having a plurality of through holes formed therein;
Has,
The plurality of through holes are arranged inside the opening. According to the present invention, since the second substrate is reinforced by the first substrate, the second substrate can be prevented from warping or bending.
(12) In this mask,
The first and second substrates may be joined by anodic joining. Here, the anodic bonding is a bonding method in which an electrostatic attraction is generated at a bonding interface by applying a voltage, and a chemical bond is generated at the bonding interface.
(13) In this mask,
The first and second substrates may be bonded by an energy-curable adhesive.
(14) In this mask,
The first substrate has a first alignment mark,
The second substrate has a second alignment mark,
The first and second substrates may be positioned by the first and second alignment marks.
(15) In this mask,
A mask positioning mark may be formed on at least one of the first and second substrates. Here, the mask positioning mark is used for positioning the mask when performing vapor deposition or the like using the mask.
(16) In this mask,
A magnetic film may be formed on the second substrate. According to this, the second substrate can be attracted by magnetic force.
(17) In this mask,
A plurality of the openings are formed in the first substrate,
A plurality of the second substrates are attached to the first substrate,
Each of the second substrates may be attached to correspond to one of the openings. This mask is formed by integrating a plurality of masks and is a large mask.
(18) In this mask,
The first substrate and the plurality of second substrates may be detachably attached. According to this, each damaged second substrate can be replaced, which is economical.
(19) In this mask,
A surface of the plurality of second substrates attached to the first substrate may be polished to have a uniform height. According to this, since the surfaces of the plurality of second substrates are flattened, it is possible to enhance the adhesion to the target on which the deposition or the like is performed.
(20) The method for manufacturing an EL device according to the present invention includes forming a light-emitting material using the mask.
(21) The EL device according to the present invention is manufactured by the above method.
(22) An electronic apparatus according to the present invention includes the above EL device.
以下、本発明の好適な実施の形態について図面を参照して説明する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
図1(A)〜図1(B)は、本発明の実施の形態に係るマスクを説明する図である。図1(B)は、図1(A)に示すIB−IB線断面図である。図2(A)〜図2(B)は、本発明の実施の形態に係るマスクの拡大図である。図2(B)は、図2(A)に示すIIB−IIB線断面図である。マスクは、第1の基板10と、少なくとも1つの(図1(A)に示す例では複数の)第2の基板20と、を有する。図3は、第1の基板を示す図であり、図4は、第2の基板を示す図である。
1A and 1B are diagrams illustrating a mask according to an embodiment of the present invention. FIG. 1B is a cross-sectional view taken along the line IB-IB shown in FIG. 2A and 2B are enlarged views of a mask according to the embodiment of the present invention. FIG. 2B is a cross-sectional view taken along the line IIB-IIB shown in FIG. The mask has a
第1の基板10は、透明基板であってもよい。第1の基板10は、本実施の形態では、第2の基板20との陽極接合が可能な材料(例えば、ほうけい酸ガラス)からなる。第1の基板10には、少なくとも1つの(図1(A)に示す例では複数の)開口12が形成されている。第1の基板10をフレームということができる。開口12は、第2の基板20よりも小さい。ただし、開口12は、第2の基板20における複数の貫通穴22が形成された領域よりも大きい。開口12は、矩形であってもよい。
The
第1の基板10には、第1のアライメントマーク14が形成されている。第1のアライメントマーク14は、第2の基板20との位置合わせに使用される。第1のアライメントマーク14は、金属膜で形成することができ、あるいはエッチングして形成してもよい。第1の基板10には、マスク位置決めマーク16が形成されている。マスク位置決めマーク16は、マスクを使用して蒸着などを行うときに、マスクの位置合わせを行うためのものである。マスク位置決めマーク16も、金属膜で形成することができる。変形例として、第2の基板20にマスク位置決めマーク16を形成してもよい。
The
第2の基板20は、矩形であってもよい。第2の基板20には、複数の貫通穴22(図2(A)及び図2(B)参照)が形成されている。貫通穴22の形状は、正方形、平行四辺形、円形のいずれであってもよい。貫通穴22の形状、配列及び個数によって、マスクパターンが構成される。第2の基板20をスクリーン板ということができる。
The
第2の基板20には、第2のアライメントマーク24が形成されている。第1及び第2の基板10,20は、第1及び第2のアライメントマーク14,24を使用して位置合わせされている。第2のアライメントマーク24は、第2の基板20をエッチングして形成することができ、あるいは金属膜で形成してもよい。
On the
第2の基板20は、第1の基板10に取り付けられている。図2(A)に示すように、第2の基板20は、複数の貫通穴22が開口12の内側に配置されるように取り付けられている。また、第2の基板20の端部が、第1の基板10の開口12の端部に取り付けられている。詳しくは、第2の基板20の全周端部(角リング状の部分)が、第1の基板10の開口の全周端部(角リング状の部分)に取り付けられている。1つの開口12に対応して、1つの第2の基板20が配置されている。第2の基板20は、第1の基板10における第1のアライメントマーク14が形成された面とは反対側の面に取り付けられている。本実施の形態では、第1及び第2の基板10,20は、陽極接合されてなる。第2の基板20は、第1の基板10との陽極接合が可能な材料(例えば、シリコン)からなる。
The
図5(A)〜図5(B)は、本発明の実施の形態に係るマスクの製造方法を説明する図である。本実施の形態では、第1及び第2の基板10,20を用意する。第1の基板10における開口12の形成には、サンドブラストを適用してもよい。第1の基板10における第1のアライメントマーク14又はマスク位置決めマーク16の形成には、スパッタリングや蒸着等を適用してもよいし、エッチングを適用してもよい。
FIGS. 5A and 5B are diagrams illustrating a method for manufacturing a mask according to the embodiment of the present invention. In the present embodiment, first and
第2の基板20には、複数の貫通穴22を形成する。その形成には、エッチング(例えば結晶面方位依存性のある異方性エッチング)を適用してもよい。貫通穴22の壁面は、第2の基板20の表面に対して垂直であってもよいし、テーパが付されていてもよい。図4に示すように、シリコンウエハ26から第2の基板20を形成してもよい。その場合、シリコンウエハ26を第2の基板20に対応してカットしてもよい。第2の基板20における第2のアライメントマーク24の形成には、エッチングを適用してもよいし、スパッタリングや蒸着等を適用してもよい。
A plurality of through
図5(A)に示すように、第1及び第2の基板10,20を位置合わせして配置する。複数の第2の基板20は、重なり合わないように配置する。第1の基板10の一方の面の側に、複数の第2の基板20を配置する。位置合わせには、第1及び第2のアライメントマーク14,24を使用する。位置に関するその他の詳細は、上述した通りである。
As shown in FIG. 5A, the first and
図5(B)に示すように、第1及び第2の基板10,20を取り付ける。第1の基板10によって第2の基板20が補強されるので、強度の大きいマスクを製造することができる。本実施の形態では、陽極接合を適用する。詳しくは、第1及び第2の基板10,20を、接合面同士を合わせて配置し、300〜500℃程度に加熱し、500V程度の電圧を印加する。第1の基板10が、ほうけい酸ガラス(例えばコーニング#7740(パイレックス(登録商標)ガラス))からなり、第2の基板20がシリコンからなる場合、第1の基板10をマイナスに接続する。そうすると、第1の基板10のプラスイオン(ナトリウムイオン)がマイナス方向に移動し、第1の基板10における第2の基板20側の面がマイナスに帯電する。一方、第2の基板20における第1の基板10側の面はプラスに帯電する。こうして、第1及び第2の基板10,20は、静電引力で引き寄せられ、化学結合が生じて接合される。
As shown in FIG. 5B, the first and
第1の基板10を構成するコーニング#7740(パイレックス(登録商標)ガラス)の熱膨張係数は、約3.5ppm/℃であり、第2の基板20を構成するシリコンの熱膨張係数に近い。したがって、マスクを高温下で使用しても、反り、ひずみが無視できるほど小さい。また、陽極接合によれば、接着剤を使用しないので、硬化収縮によるひずみがなく、ガスが出ない。このように、本実施の形態に係るマスクは、高真空での蒸着に最適である。
The thermal expansion coefficient of Corning # 7740 (Pyrex (registered trademark) glass) constituting the
なお、本発明は、接着剤を使用した接合を除くものではない。図6は、本実施の形態の変形例を説明する図である。この変形例では、第1及び第2の基板10,20を、接着剤30で接着する。接着剤30は、エネルギー硬化性接着剤であってもよい。エネルギーとは、光(紫外線、赤外線及び可視光)、X線等の放射線、熱を含む。これによれば、第1及び第2の基板10,20を位置合わせしてからエネルギーを付与することができ、第1及び第2の基板10,20の位置合わせを簡単に行うことができる。
The present invention does not exclude joining using an adhesive. FIG. 6 is a diagram illustrating a modification of the present embodiment. In this modification, the first and
以上の工程で、第1及び第2の基板10,20を取り付けることができる。図7に示すように、複数の第2の基板20の厚みにバラツキがあるなどの理由で、その高さが均一でない場合、砥石40などで、第2の基板20の表面を研磨してもよい。これによれば、複数の第2の基板20の表面が平坦化するので、蒸着などを行う対象物との密着性を高めることができる。
Through the above steps, the first and
図8は、本実施の形態の変形例を示す図である。この変形例では、第1の基板10に、第2の基板20が着脱できるように取り付けられる。例えば、第1の基板10に取付部42を取り付けてガイド溝を構成し、このガイド溝に第2の基板20をはめ込んでもよい。また、図示しないネジなどで、第2の基板20の固定又は外れ止めを図ってもよい。これによれば、破損した個々の第2の基板20を交換することができるので経済的である。
FIG. 8 is a diagram showing a modification of the present embodiment. In this modification, the
図9(A)及び図9(B)は、本発明の実施の形態に係るマスク及びEL装置の製造方法を説明する図である。図9(A)に示すマスク50(例えば第2の基板20)には、磁性体膜52が形成されている。磁性体膜52は、鉄、コバルト、ニッケル等の強磁性材料で形成することができる。あるいは、Ni、Co、Feや、Fe成分を含むステンレス合金等の磁性金属材料や、磁性金属材料と非磁性金属材料との結合により、磁性体膜52を形成してもよい。マスク50のその他の詳細は、第1の実施の形態で説明した。
FIGS. 9A and 9B are diagrams illustrating a method for manufacturing a mask and an EL device according to an embodiment of the present invention. A
本実施の形態では、マスク50を使用して基板54に発光材料を成膜する。基板54は、複数のEL装置(例えば有機EL装置)を形成するためのもので、ガラス基板等の透明基板である。基板54には、図10(A)に示すように、電極(例えばITO等からなる透明電極)56や正孔輸送層58が形成されている。なお、電子輸送層を形成してもよい。
In this embodiment mode, a light-emitting material is formed over the
図9(A)に示すように、基板54側に第2の基板20が位置するように、マスク50を配置する。基板54の背後には、磁石48が配置されており、マスク50(第2の基板20)に形成された磁性体膜52を引き寄せるようになっている。これにより、マスク50(第2の基板20)に反りが生じていても、これを矯正することができる。
As shown in FIG. 9A, the
図9(B)は、マスクの位置合わせ方法を説明する図である。上述したように、第1の基板10にはマスク位置決めマーク16が形成されている。一方、基板54にも、位置決めマーク55が形成されている。マスク位置決めマーク16と位置決めマーク55を使用して、第1の基板10と基板54とを位置合わせする。
FIG. 9B is a diagram for explaining a mask alignment method. As described above, the mask positioning marks 16 are formed on the
図10(A)〜図10(C)は、発光材料の成膜方法を説明する図である。発光材料は、例えば有機材料であり、低分子の有機材料としてアルミキノリノール錯体(Alq3)があり、高分子の有機材料としてポリパラフェニレンビニレン(PPV)がある。発光材料の成膜は、蒸着によって行うことができる。例えば、図10(A)に示すように、マスク50を介して赤色の発光材料をパターニングしながら成膜し、赤色の発光層60を形成する。そして、図10(B)に示すように、マスク50をずらして、緑色の発光材料をパターニングしながら成膜し、緑色の発光層62を形成する。そして、図10(C)に示すように、マスク50を再びずらして、青色の発光材料をパターニングしながら成膜し、青色の発光層62を形成する。
FIGS. 10A to 10C are diagrams illustrating a method for forming a light-emitting material. The light-emitting material is, for example, an organic material, an aluminum quinolinol complex (Alq 3 ) as a low-molecular organic material, and polyparaphenylene vinylene (PPV) as a high-molecular organic material. The light-emitting material can be formed by vapor deposition. For example, as shown in FIG. 10A, a red light-emitting material is formed while being patterned through a
本実施の形態では、スクリーンとなる第2の基板20が、第1の基板10によって補強されている。したがって、第2の基板20の反り、撓みが発生せず、選択蒸着の再現性が高く、生産性が高い。本実施の形態では、マスク50では、第1の基板10に複数の開口12が形成され、それぞれの開口12に対応して第2の基板20が位置している。各第2の基板20が1つのEL装置に対応する。すなわち、マスク50を使用して、一体化した複数のEL装置を製造することができる。基板54を切断して、個々のEL装置を得ることができる。
In the present embodiment, the
図11は、上述した発光材料の成膜方法を経て製造されたEL装置を示す図である。EL装置(例えば有機EL装置)は、基板54、電極56、正孔輸送層58、発光層60,62,64等を有する。発光層60,62,64上に、電極66が形成されている。電極66は例えば陰極電極である。EL装置(ELパネル)は、表示装置(ディスプレイ)となる。
FIG. 11 is a view showing an EL device manufactured through the above-described method for forming a luminescent material. The EL device (for example, an organic EL device) includes a
本発明の実施の形態に係るEL装置を有する電子機器として、図12にはノート型パーソナルコンピュータ1000が示され、図13には携帯電話2000が示されている。
As an electronic apparatus having an EL device according to an embodiment of the present invention, a notebook personal computer 1000 is shown in FIG. 12, and a
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成(例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。 The present invention is not limited to the embodiments described above, and various modifications are possible. For example, the invention includes configurations substantially the same as the configurations described in the embodiments (for example, a configuration having the same function, method, and result, or a configuration having the same object and result). Further, the invention includes a configuration in which a non-essential part of the configuration described in the embodiment is replaced. Further, the invention includes a configuration having the same operation and effect as the configuration described in the embodiment, or a configuration capable of achieving the same object. Further, the invention includes a configuration in which a known technique is added to the configuration described in the embodiment.
10…第1の基板、12…開口、14…第1のアライメントマーク、
16…マスク位置決めマーク、20…第2の基板、22…貫通穴、
24…第2のアライメントマーク、26…シリコンウエハ、30…接着剤
50…マスク、52…磁性体膜
10: first substrate, 12: opening, 14: first alignment mark,
16: mask positioning mark, 20: second substrate, 22: through hole,
24 second alignment mark, 26 silicon wafer, 30 adhesive 50 mask, 52 magnetic film
Claims (22)
前記複数の貫通穴を前記開口の内側に配置するマスクの製造方法。 Attaching a second substrate formed with a plurality of through holes to the first substrate formed with the opening,
A method of manufacturing a mask, wherein the plurality of through holes are arranged inside the opening.
陽極接合によって、前記第1及び第2の基板を接合するマスクの製造方法。 The method for manufacturing a mask according to claim 1,
A method of manufacturing a mask for bonding the first and second substrates by anodic bonding.
エネルギー硬化性接着剤によって、前記第1及び第2の基板を接着するマスクの製造方法。 The method for manufacturing a mask according to claim 1,
A method of manufacturing a mask for bonding the first and second substrates with an energy-curable adhesive.
前記第2の基板は、シリコンウエハに前記複数の貫通穴を形成し、前記第2の基板の外形に対応するように前記シリコンウエハをカットすることを含む工程によって形成するマスクの製造方法。 The method for manufacturing a mask according to any one of claims 1 to 3,
A method of manufacturing a mask, wherein the second substrate is formed by a process including forming the plurality of through holes in a silicon wafer and cutting the silicon wafer so as to correspond to the outer shape of the second substrate.
前記第1の基板は、第1のアライメントマークを有し、
前記第2の基板は、第2のアライメントマークを有し、
前記第1及び第2のアライメントマークによって、前記第1及び第2の基板を位置決めして取り付けるマスクの製造方法。 The method for manufacturing a mask according to any one of claims 1 to 4,
The first substrate has a first alignment mark,
The second substrate has a second alignment mark,
A method of manufacturing a mask for positioning and attaching the first and second substrates with the first and second alignment marks.
前記第1及び第2の基板の少なくとも一方に、マスク位置決めマークを形成することをさらに含むマスクの製造方法。 The method for manufacturing a mask according to any one of claims 1 to 5,
A method of manufacturing a mask, further comprising forming a mask positioning mark on at least one of the first and second substrates.
前記第2の基板に磁性体膜を形成することをさらに含むマスクの製造方法。 The method for manufacturing a mask according to any one of claims 1 to 6,
A method for manufacturing a mask, further comprising forming a magnetic film on the second substrate.
複数の前記第2の基板を、前記第1の基板に取り付け、
前記第1の基板には、複数の前記開口が形成されてなり、
それぞれの前記第2の基板を、1つの前記開口に対応させて取り付けるマスクの製造方法。 The method for manufacturing a mask according to any one of claims 1 to 7,
Attaching the plurality of second substrates to the first substrate;
A plurality of the openings are formed in the first substrate;
A method for manufacturing a mask, wherein each of the second substrates is attached in correspondence with one of the openings.
前記第1の基板及び前記複数の第2の基板を、着脱できるように取り付けるマスクの製造方法。 The method for manufacturing a mask according to claim 8,
A method for manufacturing a mask for detachably attaching the first substrate and the plurality of second substrates.
前記第1の基板に取り付けられた前記複数の第2の基板の表面を研磨して、高さを均一化することをさらに含むマスクの製造方法。 The method for manufacturing a mask according to claim 8,
A method for manufacturing a mask, further comprising polishing the surfaces of the plurality of second substrates attached to the first substrate to make the heights uniform.
前記第1の基板に取り付けられ、複数の貫通穴が形成された第2の基板と、
を有し、
前記複数の貫通穴は、前記開口の内側に配置されてなるマスク。 A first substrate having an opening formed therein;
A second substrate attached to the first substrate and having a plurality of through holes formed therein;
Has,
The mask, wherein the plurality of through holes are arranged inside the opening.
陽極接合によって、前記第1及び第2の基板が接合されてなるマスク。 The mask according to claim 11,
A mask formed by bonding the first and second substrates by anodic bonding.
エネルギー硬化性接着剤によって、前記第1及び第2の基板が接着されてなるマスク。 The mask according to claim 11,
A mask formed by bonding the first and second substrates with an energy-curable adhesive.
前記第1の基板は、第1のアライメントマークを有し、
前記第2の基板は、第2のアライメントマークを有し、
前記第1及び第2のアライメントマークによって、前記第1及び第2の基板が位置決めされてなるマスク。 The mask according to any one of claims 11 to 13,
The first substrate has a first alignment mark,
The second substrate has a second alignment mark,
A mask in which the first and second substrates are positioned by the first and second alignment marks.
前記第1及び第2の基板の少なくとも一方には、マスク位置決めマークが形成されてなるマスク。 The mask according to any one of claims 11 to 14,
A mask having a mask positioning mark formed on at least one of the first and second substrates.
前記第2の基板には、磁性体膜が形成されてなるマスク。 The mask according to any one of claims 11 to 15,
A mask comprising a magnetic film formed on the second substrate.
前記第1の基板には、複数の前記開口が形成されており、
複数の前記第2の基板が、前記第1の基板に取り付けられており、
それぞれの前記第2の基板は、1つの前記開口に対応させて取り付けられているマスク。 In the mask according to any one of claims 11 to 16,
A plurality of the openings are formed in the first substrate,
A plurality of the second substrates are attached to the first substrate,
A mask in which each of the second substrates is attached to correspond to one of the openings.
前記第1の基板及び前記複数の第2の基板は、着脱できるように取り付けられているマスク。 The mask according to claim 17,
The mask, wherein the first substrate and the plurality of second substrates are detachably attached.
前記第1の基板に取り付けられた前記複数の第2の基板は、表面が研磨されて高さが均一化されているマスク。 The mask according to claim 17,
A mask in which the surfaces of the plurality of second substrates attached to the first substrate are polished to have a uniform height.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001292040A Division JP3651432B2 (en) | 2001-09-25 | 2001-09-25 | Mask, manufacturing method thereof, and manufacturing method of electroluminescence device |
Publications (1)
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---|---|
JP2004335486A true JP2004335486A (en) | 2004-11-25 |
Family
ID=33509473
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004235367A Withdrawn JP2004335486A (en) | 2004-08-12 | 2004-08-12 | Mask and its manufacturing method, electroluminescent device and its manufacturing method, and electronic equipment |
Country Status (1)
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---|---|---|---|---|
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