JP2004327943A - Device and method for treating resist - Google Patents

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裕之 山本
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a device and a method for treating a resist layer that can remove the resist layer in a high rate of treatment speed uniformly. <P>SOLUTION: Treatment fluid 45 is supplied between a substrate 36 to be treated and an ultraviolet light transmitting panel 33 by a treatment fluid supplying device 34. At the same time, ultraviolet light is radiated to the substrate 36 through the panel 33 and reactive species are generated in the treatment fluid 45 where ozone is activated. An interference part 61 which interferes with the treatment fluid 45 is provided in the ultraviolet light transmitting panel 33 to generate disorder in the flow of the treatment fluid 45 so that the reactive species generated around the panel 33 which is located in the upstream of the radiation direction of ultraviolet light are diffused around the substrate 36 to be treated where the resist layer 37 is formed. Thus the treatment speed of decomposition and removal of the resist is enhanced and the resist layer 37 is removed uniformly. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板および液晶パネル用基板などの被処理基板の表面に形成された有機化合物によって形成されるレジスト層を除去するレジスト処理装置および処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造プロセスにおいては、半導体基板の表面に対してレジスト塗布、エッチングおよびレジスト剥離の工程が順番に繰り返される。前記レジスト剥離の工程は、たとえば有機溶剤から成る剥離液、および硫酸と過酸化水素とを含む硫酸／過酸化水素水混合液などの液体を用いるウェット処理と、プラズマを用いるドライ処理とに大別され、用途によってそれぞれ使い分けられている。両者を比較した場合、一般的にウェット処理の方が経済的である。
【０００３】
しかしながら、有機溶剤および酸など用いるウェット処理は、用いられる液体が総じて環境汚染物質であることから、ウェット処理で発生する排出ガスおよび排出液が環境を汚染しないように、環境面での問題に対処する必要がある。このため環境面での問題がないクリーンで経済的な代替方法として、オゾンを用いるレジスト処理が注目されている。オゾンは強力な酸化力を有しており、しかも分解して酸素になるため、環境汚染の懸念がなく、処理過程で発生する排出ガスおよび排出液が環境を汚染する問題がないことから、クリーンな酸化分解剤として認知されている。
【０００４】
オゾンを用いるレジスト処理においても、気相処理と液相処理とに大別される。気相処理では、オゾンを含むオゾンガスによって半導体基板の表面に形成されたレジスト層を除去する。また液相処理では、オゾンが溶解したいわゆるオゾン水によって半導体基板の表面に形成されたレジスト層を除去する。液相処理では、加熱雰囲気での反応に限界があるので、分解能力が小さい。ところがオゾン水は、紫外線を照射することでオゾンよりも酸化力の強い酸化性ラジカルを生成することが知られており、これによって酸化分解能力を高めることが可能である。
【０００５】
図１５は、オゾンを用いるレジスト処理を実現する第１の従来の技術のレジスト処理装置１の構成を模式的に示す図である。レジスト処理装置１では、ノズル２からレジスト層が形成された被処理基板３の一表面４にオゾンを含む処理流体５を供給しつつ、前記被処理基板３の一表面４に紫外線を照射している。
【０００６】
レジスト処理装置１では、軸線６回りに回転可能な載置台７上に配置された被処理基板３に、この被処理基板３の上方に設けられるノズル２から処理流体５を供給する。前記載置台６およびノズル２は、耐オゾン性の石英容器８に収納されている。処理流体５の供給とともに載置台７の上方からＵＶ（Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ）ランプ９によって紫外線を照射する。これによって、オゾンの反応活性種を利用して、被処理基板３に形成されるレジスト層を、紫外線を照射しない場合と比較して高速に除去することができる（たとえば、特許文献１参照）。
【０００７】
しかしながらレジスト処理装置１では、被処理基板３に供給される処理流体５であるオゾン水の膜厚が、この被処理基板３の外周ほど小さくなる、つまり半径方向外側に向かうに連れて小さくなるため処理が不均一になる。またオゾン水が飛散すると、ＵＶランプ９によって照射された紫外線が散乱されて、被処理基板３の一表面４に十分な量の紫外線が導かれず、反応活性種を十分に発生させることができず、被処理基板３に形成されたレジスト層の除去効率が低下する、つまり処理速度が低下するという問題がある。
【０００８】
図１６は、第２の従来の技術のレジスト処理装置１０の構成を模式的に示す図である。レジスト処理装置１０において、前述した第１の従来の技術のレジスト処理装置１と同様な構成には、同様な参照符号を付す。前記述した問題に鑑み、第２の従来の技術のレジスト処理装置１０では、被処理基板３の表面に所定の間隔を隔てて透明な案内板１１を配置し、被処理基板３と案内板１１との間の空隙にオゾンを含む処理流体５を供給している。
【０００９】
レジスト装置１０は、被処理基板３を処理する処理空間を有する本体１２の内部に、被処理基板３を支持する載置台７設けている。載置台７の上方には、この載置台７に配置される被処理基板３の一表面４との間に所定の間隙を形成する案内板１１が設けられている。被処理基板３の側方には、ノズル２が設けられる。ノズル２からは、前記間隙に、オゾンを含む処理流体５が供給される。
【００１０】
前記案内板１１の上方には、案内板１１を介して被処理基板３の一表面４に紫外線を照射する光源が設けられる。
【００１１】
ノズル２は、被処理基板３の周辺部の側方から被処理基板３と案内板１１との間に開口している。ノズル２から供給される処理流体は、層流となるように案内板１１と被処理基板２とによって案内される。
【００１２】
処理流体４は、案内板と被処理基板３との間に形成される間隙に導かれるので、飛散することがなく、また被処理基板３の一方面４に対して均一に処理をすることができる（たとえば、特許文献２参照）。
【００１３】
【特許文献１】
特開２００１−２５９７１号公報
【特許文献２】
特開平８−２８８２６９号公報
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
第２の従来の技術では、処理流体５中に励起される反応活性種は、紫外線を受けやすい案内板１１に近い領域で生成され、被処理基板３の一表面４よりの領域で十分な反応活性種が生成されないという問題がある。したがって、レジスト層の除去効率が十分ではなく、より処理速度が大きなレジスト処理装置が望まれている。
【００１５】
本発明の目的は、レジスト層を除去する処理速度が大きく、かつ均一な処理が可能なレジスト処理装置および処理方法を提供することである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、オゾンを含む処理流体をレジスト層が形成された被処理基板に供給しながら、その被処理基板に紫外線を透過する紫外線透過パネルを介して紫外線を照射し、この紫外線の照射によって発生した反応活性種によって被処理基板のレジスト層のレジストを分解して除去するレジスト処理装置において、
前記紫外線透過パネルが設けられ、かつ前記紫外線透過パネルの下方に間隔をあけて配置される被処理基板が収容される処理空間を有する処理槽と、
処理槽の処理空間に被処理基板を保持する保持手段と、
処理槽の処理空間で前記保持手段によって保持される被処理基板と紫外線透過パネルとの間に、処理流体を供給する処理流体供給手段とを含み、
前記紫外線透過パネルには、処理流体供給手段から供給される処理流体の流れに干渉する干渉部が設けられることを特徴とするレジスト処理装置である。
【００１７】
本発明に従えば、処理槽の処理空間には、紫外線透過パネルおよび被処理基板が配置され、この被処理基板は保持手段によって保持され、前記紫外線パネルの下方に間隔をあけて配置される。処理流体供給手段から供給される処理流体は、被処理基板と紫外線透過パネルとの間の空隙を流れる。このとき紫外線透過パネルを介して紫外線を被処理基板に照射することによって、処理流体に紫外線が照射される。紫外線が照射されると、処理流体ではオゾンが励起されて反応活性種が発生する。紫外線透過パネルには、処理流体に干渉する干渉部が設けられるので、被処理基板と紫外線透過パネルとの間に供給される処理流体の流れに乱れを発生する。
【００１８】
これによって、紫外線の照射方向の上流側となる紫外線透過パネル付近で効率的に発生する反応性活種を、レジスト層が形成される被処理基板の近傍に拡散させることができる。したがって、被処理基板付近の処理流体に含まれる反応活性種の濃度を向上させることができとともに、処理流体に含まれる反応活性種の濃度むらの均一化を図ることができるので、レジスト層のレジストを分解して除去する処理速度を向上させることができるとともに、レジスト層を均一に除去することができる。
【００１９】
また本発明は、前記干渉部は、紫外線透過パネルの前記保持手段に保持される被処理基板に臨む表面に設けられ、前記処理流体の流れに交差する方向に延びる複数の凸部から成ることを特徴とする。
【００２０】
本発明に従えば、複数の凸部は、処理流体の流れに交差する方向に延びるので、被処理基板と紫外線透過パネルとの間で処理流体の流れる方向に沿って、処理流体の流路断面積を変化させることができる。このように流路断面積の変化させることによって、処理流体の流れに乱れを容易に生成することができる。
【００２１】
また処理流体が前記凸部に衝突すると、この凸部によって処理流体が被処理基板に向かって案内されるので、紫外線の照射方向の上流側となる紫外線透過パネル付近で効率的に発生する反応性活種を、レジスト層が形成される被処理基板の近傍に効率的に拡散させることができる。したがって、被処理基板付近の処理流体に含まれる反応活性種の濃度をより向上させることができ、レジスト層のレジストを分解して除去する処理速度をより向上させることができる。
【００２２】
また本発明は、前記干渉部は、紫外線透過パネルの前記保持手段に保持される被処理基板に臨む表面に設けられ、前記処理流体の流れに交差する方向に延びる複数の凹部から成ることを特徴とする。
【００２３】
本発明に従えば、複数の凹部は、処理流体の流れに交差する方向に延びるので、被処理基板と紫外線透過パネルとの間で処理流体の流れる方向に沿って、処理流体の流路断面積を変化させることができる。このように流路断面積の変化させることによって、処理流体の流れに乱れを容易に生成することができる。
【００２４】
また本発明は、前記保持手段は、被処理基板を処理空間で前記処理流体の流れに対して下流側から上流側へ移動させる駆動部を有することを特徴とする。
【００２５】
本発明に従えば、駆動部によって被処理基板を処理流体の流れに対して下流側から上流側へと移動させると、前記紫外線透過パネルの干渉部材が設けられる領域に対する被処理基板の相対位置を変更することができる。紫外線透過パネルの干渉部が設けられる領域と残余の領域とにおいて、処理流体の流れに生じる乱れに相違がある場合であっても、前述のように被処理基板の相対位置を変更することによって、被処理基板の全ての領域に同様な状態で処理流体を供給することができるので、レジスト層を均一に除去する精度が向上する。
【００２６】
また駆動部は、被処理基板を処理流体の流れに対して下流側から上流側へと移動させることによって、レジストが分解されて被処理基板から剥離した剥離体が、このレジストが除去された領域に再び付着することが防止される。
【００２７】
また本発明は、前記紫外線透過パネルには、処理流体供給手段から供給される処理流体の流れの方向下流側から上流側になるにつれて被処理基板の前記紫外線透過パネルに臨む表面から離反する方向に傾斜する案内面が形成されることを特徴とする。
【００２８】
本発明に従えば、処理流体供給手段からの処理流体を、案内面によって案内させて被処理基板と紫外線透過パネルとの間に供給することができる。したがって、処理流体の飛散を防止して、被処理基板と紫外線透パネルとの間に精度よく処理流体を供給することができる。
【００２９】
また処理流体の流れの方法上流側から下流側に向かって、流路断面積が小さくなるので、処理流体の流速が高くなり、処理流体が流動することによる物理的な作用によって、レジスト層を効率的に除去することができる。
【００３０】
また本発明は、オゾンを含む処理流体をレジスト層が形成された被処理基板に供給しながら、その被処理基板に紫外線を透過する紫外線透過パネルを介して紫外線を照射し、この紫外線の照射によって発生した反応活性種によって被処理基板のレジスト層のレジストを分解して除去するレジスト処理方法において、
上部に前記紫外線透過パネルが設けられる処理槽の処理空間に、前記紫外線透過パネルから間隔をあけて配置される被処理基板を収容し、
処理槽に収容された被処理基板と紫外線透過パネルとの間に処理流体を供給し、
前記処理流体の流れを、被処理基板と紫外線透過パネルとの間に供給された処理流体の流れに乱れを発生させることを特徴とするレジスト処理方法である。
【００３１】
本発明に従えば、処理流体は、被処理基板と紫外線透過パネルと処理槽との間の空隙を流れる。このとき紫外線透過パネルを介して紫外線を被処理基板に照射することによって、処理流体に紫外線が照射される。紫外線が照射されると、処理流体ではオゾンが励起されて反応活性種が発生する。被処理基板と紫外線透過パネルとの間では、処理流体が乱れを発生して通過させるので、紫外線の照射方向の上流側となる紫外線透過パネル付近で効率的に発生する反応性活種を、レジスト層が形成される被処理基板の近傍に拡散させることができる。したがって、被処理基板付近の処理流体に含まれる反応活性種の濃度を向上させることができとともに、処理流体に含まれる反応活性種の濃度むらの均一化を図ることができるので、レジスト層のレジストを分解して除去する処理速度を向上させることができるとともに、レジスト層を均一に除去することができる。
【００３２】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の実施の一形態であるレジスト処理装置３０の構成を模式的に示す断面図である。レジスト処理装置３０は、処理槽３１と、保持手段３２と、紫外線透過パネル３３と、処理流体供給手段３４、光照射手段３５とを含んで構成される。レジスト処理装置３０は、たとえば半導体基板および液晶パネル用基板などの被処理基板３６に形成された有機化合物から成るレジスト層３７を除去する。
【００３３】
処理槽３１は、被処理基板３６の少なくとも一部を収容する処理空間３８を有する。処理槽３１は、たとえば石英などの耐オゾン性の材料によって形成される。
【００３４】
保持手段３２は、前記処理空間３８に、被処理基板３６の前記少なくとも一部が収容された状態で、被処理基板３６を保持する。保持手段３２は、処理槽３１の処理空間３８に設けられる。被処理基板３６は、そのレジスト層３７が形成された厚み方向一表面３６Ａを上方に臨ませて支持手段３２によって支持される。
【００３５】
保持手段３２は、駆動部４１を有する。駆動部４１は、複数の駆動ローラ４２を有する。レジスト処理装置１は、前記駆動部４１を駆動する駆動源４３を有する。駆動部４１の複数の駆動ローラ４２は、その転軸方向両端部が回転可能に支持される。複数の駆動ローラ４２は、その回転軸線を予め定める間隔あけて、平行に配置される。複数の駆動ローラ４２は、その軸線方向一端部および他端部の少なくとも一方が、ベルトおよび歯車などの駆動力伝達手段によって相互に回転可能に連結される。
【００３６】
駆動源４３は、たとえばモータによって実現される。駆動源４３によって、前記駆動ローラ４２のうちの１つに回転力を与えることによって、複数の駆動ローラ４２を回転駆動することができる。これによって、駆動ローラ４２に支持される被処理基板３６を搬送することができる。各駆動ローラ４２の被処理基板３６と相互に接触する外周部は、予め定める摩擦係数μを有する。これによって、駆動ローラ４２が空転することなく、被処理基板３６を円滑に搬送することができる。
【００３７】
紫外線透過パネル３３は、紫外線透過パネル３３は保持手段３４によって保持される被処理基板３６の上方に配置され、処理空間３８に設けられる。紫外線透過パネル３３は、紫外線を透過する。紫外線透過パネル３３は、たとえば処理槽３１に固定される。紫外線透過パネル３３は、板状の部材によって構成され、支持手段３２によって支持される被処理基板３６の一表面３６Ａである上面から、予め定める間隔Ｌ２をあけて、被処理基板３６に平行に配置される。前記予め定める間隔Ｌ２は、たとえば１ｍｍ以上５ｍｍ未満に選ばれる。本発明において平行とは、平行および平行からわずかな角度、たとえば０°よりも大きく５°よりも小さな角度だけ傾斜した状態を含む。
【００３８】
紫外線透過パネル３３の材質としては、紫外線透過性の点から石英ガラスが好ましい。このため本実施の形態では、紫外線透過パネル３３として石英ガラスを用いる。紫外線透過パネル３３の詳細な構成については後述する。
【００３９】
処理流体供給手段３４は、処理槽３１の処理空間３８に配置される被処理基板３６と紫外線透過パネル３３との間に処理流体４５を供給する。処理流体供給手段３４は、処理流体供給源５１と、配管５２と、ノズル部５３とを有する。処理流体供給源５１には、処理流体４５であるオゾン水が格納される。オゾン水は、オゾンが含まれる純水である。このオゾン水のオゾンの濃度は、たとえば１５０ｐｐｍである。
【００４０】
ノズル部５３は、処理槽３１の内部空間に配置され、このノズル部５３には、配管５４を介して処理流体供給源５１から処理流体４５が供給される。処理流体供給源５１には、配管５２の一端部が接続され、この配管５２の他端部はノズル部５３に接続される。ノズル部５３には、処理流体４５を被処理基板３６と紫外線透過パネル３３との間に供給するノズルが形成される。ノズル部５３は、紫外線透過パネル３３の側方であり、かつ被処理基板３６の搬送方向一方側である予め定める位置で固定される。
【００４１】
ノズル部５３は、保持手段３２に保持される被処理基板３６よりも上方に配置される。これによって、ノズル部５３が搬送手段４２によって搬送される被処理基板３６に接触することが防止される。
【００４２】
ノズル部５３は、被処理基板３６のレジスト層３７が形成される一表面３６Ａに対して、予め定める角度θ１傾斜した仮想一平面に沿って処理流体４５を吐出する。前記予め定める角度θ１は、たとえば５°以上６０°未満に選ばれる。これによって、紫外線透過パネル３３の側方から被処理基板３６と紫外線透過パネル３３との間に処理流体４５を円滑に供給することができる。被処理基板３６と紫外線透過パネル３３との間に供給される処理流体４５の単位面積あたりの流量は、たとえば５ｌ／ｍ以上２０ｌ／ｍ未満に選ばれる。
【００４３】
ノズル部５３のノズルは、前記駆動ローラ４２の軸線方向に平行な方向に被処理基板３６の全領域にわたって開口してもよく、前記駆動ローラ４２の軸線方向に平行な方向に、所定の間隔を設けて複数設けられてもよい。
【００４４】
光照射手段３５は、紫外線透過パネル３３を介して紫外線透過パネル３３と被処理基板３６との間の空間に紫外線を照射する。光照射手段３５は、複数の紫外線蛍光ランプ５５によって実現される。この紫外線蛍光ランプ５５には、電源５６から電力が供給される。複数の紫外線蛍光ランプ５５は、紫外線透過パネル３３の上方で、処理槽３１の処理空間３８に設けられ、この紫外線透過パネル３３に平行に配置される。これによって、予め定める紫外線照射領域Ｌ１で、紫外線透過パネル３３と被処理基板３６との間の空間に供給されるの処理流体４５に、ほぼ均等に紫外線が照射される。
【００４５】
光照射手段３５は、たとえば波長２５４ｎｍの紫外線を照射することによって、この処理流体４５に含まれるオゾンから、強い酸化分解力を有する水酸基ラジカルを生成することができる。これによって処理流体４５がオゾン水であっても、レジスト層３７のレジストを分解して除去することができる。前記紫外線蛍光ランプ５５は、前述した駆動ローラ４２の軸線方向と平行な方向の端部で、たとえば処理槽３１に固定して支持される。
【００４６】
紫外線透過パネル３３の光照射手段３５に臨む領域、つまり上面３３Ａは、平面に形成される。この平面は平滑に加工されており、これによって光照射手段３５から照射される紫外線を効率よく透過することができる。本発明の他の実施の形態では、前記紫外線透過パネル３３の上面３３Ａには、反射防止膜を形成してもよい。これによって、紫外線が紫外線透過パネル３３の上面３３Ａによって反射され、処理槽３１内で乱反射することを防止することができ、紫外線照射領域Ｌ１における紫外線照射量をより均一化することができる。
【００４７】
図２は、紫外線透過パネル３３の構成を示す斜視図である。前述した紫外線透過パネル３３には、処理流体供給手段３４から供給される処理流体４５の流れに干渉する干渉部６１が設けられる。干渉部６１は、紫外線透過パネル３３の前記保持手段４２に保持される被処理基板３６に臨む表面６２に設けられ、前記処理流体４５の流れに交差する方向に延びる複数の凹部６３から成る。凹部６３は、前記紫外線照射領域Ｌ１の全領域にわたって設けられる。
【００４８】
本実施の形態のレジスト除去装置３０では、被処理基板３６の搬送方向の寸法よりも、前記搬送方向の紫外線照射領域Ｌの寸法は小さく構成される。
【００４９】
凹部６３は、処理流体４５の流れの方向、つまり被処理基板３６の搬送方向に平行であり、かつ被処理基板３６の厚み方向に平行な仮想一平面による断面形状がほぼ矩形状の溝６４が形成されることによって構成される。前記凹部６３は、処理流体４５の流れに交差する方向に延び、この方向で被処理基板３６に対向する全領域にわたって形成される。本実施の形態では、前記処理流体４５の流れに交差する方向は、処理流体４５の流れの方向に垂直な方向、つまり駆動ローラ４２の軸線方向に平行な方向であり、凹部６３は直線状に延びる。
【００５０】
凹部６３の溝６４は、予め定める深さＨ１、および予め定める幅Ｗ１を有する。前記Ｈ１は、たとえば０．５ｍｍ以上２ｍｍ未満に選ばれ、Ｗ１は、たとえば０．５ｍｍ以上５ｍｍ未満に選ばれる。また、隣あう溝６４との間隔Ｌ３は、たとえば０．５ｍｍ以上１ｍｍ未満に選ばれる。
【００５１】
前記各溝６４の表面および各溝６４の間の表面６５は、平滑に形成される。前記凹部６３は、所望の形状のバイトを用いる切削加工によって形成される。切削に用いるバイトには、超音波振動が印加される。これによって、切削抵抗が軽減され、面粗度の小さい良好な加工面の溝６４を形成することができる。
【００５２】
レジスト処理装置１では、駆動部４１によって被処理基板３６が紫外線透過パネル３３の下方に搬送されると、処理流体供給手段３４によって被処理基板３６と紫外線透過パネル３３との間に処理流体４５が供給され、同時に光照射手段３５から紫外線が照射される。処理流体供給手段３４から供給される処理流体４５は、保持手段３２に保持される被処理基板３６と紫外線透過パネル３３と処理槽３１との間の空間を流れる。紫外線透過パネル３３を介して紫外線を被処理基板３６に照射することによって、処理流体４５に紫外線が照射される。光照射手段３５が光紫外線を照射する紫外線照射領域Ｌは、少なくとも紫外線透過パネル３３の干渉部６１が被処理基板３６に臨む領域を含む。
【００５３】
紫外線が照射されると、処理流体４５ではオゾンが励起されて反応活性種が発生する。紫外線透過パネル３３には、処理流体４５に干渉する干渉部６１が設けられるので、被処理基板３６と紫外線透過パネル３３との間に供給される処理流体４５の流れに乱れを発生する。
【００５４】
これによって、紫外線の照射方向の上流側となる紫外線透過パネル３３付近で効率的に発生する反応性活種を、レジスト層３７が形成される被処理基板３６の一方面３６Ａの近傍に拡散させることができる。したがって、被処理基板３６付近の処理流体４５に含まれる反応活性種の濃度を向上させることができとともに、処理流体４５に含まれる反応活性種の濃度むらの均一化を図ることができるので、紫外線照射領域Ｌ１において、レジスト層３７のレジストを分解する処理速度を向上させることができるとともに、レジスト層３７を均一に分解することができる。
【００５５】
また処理流体４５が被処理基板３６と紫外線透過パネル３３との間で流動することによる物理的な作用によって、被処理基板３６から剥離した酸化されたレジストである剥離体を、処理流体４５とともに処理流体４５の流れの方向の下流側へと排出するので、紫外線照射領域Ｌ１において、レジスト層３７を効率的に除去することができる。
【００５６】
レジスト除去装置３０では、駆動部４１によって被処理基板３６を搬送しながらレジストの除去を行う。したがって被処理基板３６の一表面３６Ａの全領域のレジスト層を均一に除去することができる。
【００５７】
前述した駆動部４１によって被処理基板３６を処理流体４５の流れに対して下流側から上流側へと移動させると、前記紫外線透過パネル３５の干渉部６１が設けられる領域に対する被処理基板３６の相対位置を変更することができる。紫外線透過パネル３３の干渉部６１が設けられる領域と残余の領域とにおいて、処理流体４５の流れに生じる乱れに相違がある場合であっても、前述のように被処理基板３６の相対位置を変更することによって、被処理基板３６の全ての領域に同様な状態で処理流体４５を供給することができるので、レジスト層３７を均一に除去する精度がさらに向上する。
【００５８】
また、被処理基板３６を処理流体４５の流れに対して下流側から上流側へと移動させながらレジスト除去処理を行うことによって、レジストが分解されて被処理基板３６から剥離した剥離体が、このレジストが除去された領域に再び付着することを防止することができる。
【００５９】
駆動部４１による被処理基板３６の搬送速度は、たとえば５００ｍｍ／ｍｉｎ以上５０００ｍｍ／ｍｉｎ未満に選ばれる。
【００６０】
また凹部６３は、処理流体４５の流れに交差する方向に延びるので、被処理基板３６と紫外線透過パネル３３との間で処理流体４５の流れる方向に沿って、処理流体４５の流れる流路の流路断面積を変化させることができる。このように流路断面積の変化させることによって、処理流体４５の流れに乱れを容易に生成することができる。
【００６１】
前記紫外線透過パネル３３には、案内面４６が形成される。前記案内面４６は、処理流体供給手段３４から供給される処理流体４５の流れの方向下流側から上流側になるにつれて被処理基板３６の前記紫外線透過パネル３３に臨む一表面３６Ａから離反する方向に傾斜する。案内面４６は、処理流体４５の流れ方向上流側の紫外線透過パネル３３の端部６６に形成される。
【００６２】
案内面４６を形成することによって、紫外線透過パネル３３の側方に設けられるノズル部５３から供給される処理流体４５を、被処理基板３６と紫外線透過パネル３３との間に精度よく、かつ円滑に供給することができ、処理流体４５の周囲への飛散が緩和される。したがって、処理流体４５が飛散することによって発生する紫外線の照射を妨げる飛沫を防ぐことができるので、光照射手段３５を処理槽３１の処理空間３８に配置して問題が生じない。
【００６３】
被処理基板３６と紫外線透過パネル３３との間の間隔が狭い場合には、この被処理基板３６を紫外線透過パネル３３との間にノズル部５３を設けないと、隙間に処理流体４５を供給することが困難になる場合がある。このような場合であっても、案内面４６を形成することによって、被処理基板３６と紫外線透過パネル３３との間にノズル部５３を挿入させなくても、処理流体４５を円滑に供給することができる。案内面４３を設けることによって、ノズル部５３を紫外線透過パネル３３の側方に配置することができるので、処理流体４５の供給量にあわせてノズル部５３を形成することができ、またノズル部５３の配置の自由度が向上する。
【００６４】
前記案内面４６は、たとえは平面であって、この案内面４６の被処理基板３６の一表面３６Ａに対する傾斜角度θ２は、たとえば５°以上６０°未満に選ばれる。
【００６５】
さらに案内面４６が形成される領域では、処理流体４５の流れの方向上流側から下流側に向かって、案内面４６と被処理基板３６とによって形成される流路断面積が小さくなる。これによって、前記下流側に向かうにつれて処理流体４５の流速が高くなり、処理流体４５が流動することによって生じる物理的な作用による剥離体の除去をより効率的に行うことができる。
【００６６】
また保持手段３２が駆動部４１を有することによって、被処理基板３６を搬送しながらレジスト層３７を除去することができるので、複数の被処理基板３６において、その大きさが異なる場合であっても、紫外線透過パネル３３の寸法を変更し、また光照射手段３５の配置などを変更する必要がなく、同じ構成でレジスト処理を実行することができる。このように、様々な大きさの被処理基板３６を処理する場合であっても、同様な効果を達成することができる。
【００６７】
またレジスト処理装置３０では、被処理基板３６を搬送しながらレジスト層３７を除去するので、紫外線透過パネル３３および光照射手段３５の前記被処理基板３６の搬送方向の寸法を、被処理基板３６の大きさにあわせて形成する必要がなく、これらを搬送方向の被処理基板３６の寸法よりも小さく構成することができる。したがってレジスト処理装置１を小形化することができ、設置スペースを小さくすることができる。
【００６８】
また搬送手段４２は、複数の駆動ローラ４２によって被処理基板３６を搬送することによって、被処理基板３６の一表面３６Ａに供給される後述する処理流体４５が、たとえば被処理基板３６の駆動ローラ４２に当接する他表面３６Ｂに回り込んだとしても、前記回り込んだ処理流体４５を下方に落下させることができる。これによって、被処理基板３６と搬送手段４２との間に処理流体４５が入り込み、これらが密着してしまうことが防止される。
【００６９】
また支持手段３２は、被処理基板３６を下方から支持する。被処理基板３６を下方から支持することによって、被処理基板３６のレジスト層３７が形成される一表面３６Ａを覆うことがないので、この領域に照射される紫外線を妨げない。
【００７０】
また駆動部４１によって、被処理基板３６を移動させながら、レジスト処理を行うので、複数の被処理基板３６を連続して処理することができる。したがって、たとえばロボットアームなどによって、被処理基板３６を１枚ずつ処理空間３８に収容させる場合と比較して、レジスト処理の効率が向上する。
【００７１】
また本実施の形態では、前記紫外線透過パネル３３およびノズル部５３は、所定の位置に固定されているが、本発明の他の実施の形態において、紫外線透過パネル３３およびノズル部５３は、予め定める範囲で変位自在に固定されてもよい。これによって、多様な被処理基板３６のレジスト処理に対応することができる。
【００７２】
また本実施の形態では、駆動部４１によって被処理基板３６を搬送する構成としているが、本発明の他の実施の形態において、被処理基板３６は所定位置に静止させて、ノズル部５３、紫外線透過パネル３３および紫外線蛍光ランプ５５を移動させる構成としてもよい。このような構成であっても、前述したレジスト装置１と同様の効果を達成することができる。
【００７３】
本発明の実施の他の形態では、凹部６３の溝６４に臨む面は、完全に平滑にしなくてもよい。この場合であっても光照射手段３５から照射される紫外線は、溝６４の加工を施していない各溝６４の間の表面６５を透過するので、同様の効果を達成することができる。
【００７４】
図３は、本発明の実施の他の形態のレジスト除去装置の紫外線透過パネル７０を示す断面図である。本実施の形態のレジスト除去装置は、前述した実施の形態のレジスト除去装置３０と同様な構成を有し、紫外線透過パネルの構成のみが異なる。したがって、前述したレジスト除去装置３０と同様な構成には、同様の参照符号を付してその説明を省略する。
【００７５】
本実施の形態のレジスト除去装置の紫外線透過パネル７０と、前述のレジスト除去装置３０の紫外線透過パネル３３とは、干渉部の構成のみが異なる。紫外線透過パネル７０の干渉部７１は、紫外線透過パネル７０の前記保持手段３２によって保持される被処理基板３６に臨む表面７２に設けられ、前記処理流体４５の流れに交差する方向に延びる複数の凹部７３から成る。凹部７３は、前記紫外線照射領域Ｌ１の全領域にわたって設けられる。
【００７６】
凹部７３は、処理流体４５の流れの方向、つまり被処理基板３６の搬送方向に平行であり、かつ被処理基板３６の厚み方向に平行な仮想一平面による断面形状がほぼ楔形状の溝７４が形成されることによって構成される。前記凹部７３は、処理流体４５の流れに交差する方向に延び、この方向で被処理基板３６に対向する全領域にわたって形成される。本実施の形態では、前記処理流体４５の流れに交差する方向は、処理流体４５の流れの方向に垂直な方向、つまり駆動ローラ４２の軸線方向に平行な方向であり、凹部７３は直線状に延びる。
【００７７】
凹部７３の溝７４は、予め定める深さＨ２、および予め定める幅Ｗ２を有する。前記Ｈ２は、たとえば０．５ｍｍ以上２ｍｍ未満に選ばれ、Ｗ２は、たとえば０．５ｍｍ以上５ｍｍ未満に選ばれる。また、隣あう溝６４との間隔Ｌ４は、たとえば０．５ｍｍ以上１ｍｍ未満に選ばれる。
【００７８】
これによって前述した実施の形態のレジスト除去装置１と同様の効果を達成することができることができる。
【００７９】
前記各溝７４の表面および各溝７４の間の表面７５は、平滑に形成される。前記凹部７３は、所望の形状のバイトを用いる切削加工によって形成される。切削に用いるバイトには、超音波振動が印加される。これによって、切削抵抗が軽減され、面粗度の小さい良好な加工面の溝７４を形成することができる。
【００８０】
本発明の実施の他の形態では、凹部７３の溝７４に臨む面は、完全に平滑にしなくてもよい。この場合であっても光照射手段３５から照射される紫外線は、溝７４の加工を施していない各溝７４の間の表面７５を透過するので、同様の効果を達成することができる。
【００８１】
図４は、本発明の実施の他の形態のレジスト除去装置の紫外線透過パネル８０を示す断面図である。本実施の形態のレジスト除去装置は、前述した実施の形態のレジスト除去装置３０と同様な構成を有し、紫外線透過パネルの構成のみが異なる。したがって、前述したレジスト除去装置３０と同様な構成には、同様の参照符号を付してその説明を省略する。
【００８２】
本実施の形態のレジスト除去装置の紫外線透過パネル８０と、前述のレジスト除去装置３０の紫外線透過パネル３３とは、干渉部の構成のみが異なる。紫外線透過パネル８０の干渉部８１は、紫外線透過パネル８０の前記保持手段３２によって保持される被処理基板３６に臨む表面８２に設けられ、前記処理流体４５の流れに交差する方向に延びる複数の凹部８３から成る。凹部８３は、前記紫外線照射領域Ｌ１の全領域にわたって設けられる。凹部８３の溝８４に臨む面８３Ａは、曲面形状を有する。
【００８３】
凹部８３は、処理流体４５の流れの方向、つまり被処理基板３６の搬送方向に平行であり、かつ被処理基板３６の厚み方向に平行な仮想一平面による断面形状がほぼ半円弧形状の溝８４が形成されることによって構成される。前記凹部８３は、処理流体４５の流れに交差する方向に延び、この方向で被処理基板３６に対向する全領域にわたって形成される。本実施の形態では、前記処理流体４５の流れに交差する方向は、処理流体４５の流れの方向に垂直な方向、つまり駆動ローラ４２の軸線方向に平行な方向であり、凹部８３は直線状に延びる。
【００８４】
凹部８３の溝８４は、予め定める深さＨ３、および予め定める幅Ｗ３を有する。前記Ｈ３は、たとえば０．５ｍｍ以上２ｍｍ未満に選ばれ、Ｗ３は、たとえば０．５ｍｍ以上５ｍｍ未満に選ばれる。また、隣あう溝６４との間隔Ｌ５は、たとえば０．５ｍｍ以上１ｍｍ未満に選ばれる。
【００８５】
これによって前述した実施の形態のレジスト除去装置１と同様の効果を達成することができる。
【００８６】
前記各溝８４の表面および各溝８４の間の表面８５は、平滑に形成される。前記凹部８３は、所望の形状のバイトを用いる切削加工によって形成される。切削に用いるバイトには、超音波振動が印加される。これによって、切削抵抗が軽減され、面粗度の小さい良好な加工面の溝８４を形成することができる。
【００８７】
本発明の実施の他の形態では、凹部８３の溝８４に臨む面８３Ａは、完全に平滑にしなくてもよい。この場合であっても光照射手段３５から照射される紫外線は、溝８４の加工を施していない各溝８４の間の表面８５を透過するので、同様の効果を達成することができる。
【００８８】
また前記凹部８３は、エッチング処理によって形成されてもよい。
図５は、エッチング処理を用いて紫外線透過パネル８０の凹部８３を形成する工程を説明するための断面図である。図５（１）は、第１の工程終了後の紫外線透過パネル８０を示す断面図である。第１の工程では、紫外線透過パネル８０である基材８４の表面にレジスト８６を塗布成膜して、スリット状の開口８７をフォトリソグラフィーなどによってパターニングする。
【００８９】
図５（２）は、第２の工程終了後の紫外線透過パネル８０を示す断面図である。第２の工程では、前記スリット状の開口８７を介して基材８４をエッチング処理する。基材８４が石英ガラスの場合には、フッ酸系のエッチャントを用いることができる。このエッチング処理によって、曲面８３Ａを有する凹部８３が形成される。
【００９０】
図５（３）は、第３の工程終了後の紫外線透過パネル８０を示す断面図である。第２の工程終了後に、レジスト８６を除去することによって、凹部８３を紫外線透過パネル８０に形成することができる。このように半導体作成工程において一般的な処理工程によって、干渉部８１を容易に形成することができる。
【００９１】
図６は、本発明の実施の他の形態のレジスト除去装置の紫外線透過パネル９０を示す断面図である。本実施の形態のレジスト除去装置は、前述した実施の形態のレジスト除去装置３０と同様な構成を有し、紫外線透過パネルの構成のみが異なる。したがって、前述したレジスト除去装置３０と同様な構成には、同様の参照符号を付してその説明を省略する。
【００９２】
本実施の形態のレジスト除去装置の紫外線透過パネル９０と、前述のレジスト除去装置３０の紫外線透過パネル３３とは、干渉部の構成のみが異なる。紫外線透過パネル９０の干渉部９１は、紫外線透過パネル９０の前記保持手段３２によって保持される被処理基板３６に臨む表面９２に設けられ、前記処理流体４５の流れに交差する方向に延びる複数の凸部９３から成る。凸部９３は、前記紫外線照射領域Ｌ１の全領域にわたって設けられる。つまり紫外線透過パネル９０が、図１に示した紫外線透過パネル３３と異なる点は、干渉部９１が凸部９３によって構成されることである。
【００９３】
処理流体４５の流れの方向、つまり被処理基板３６の搬送方向に平行であり、かつ被処理基板３６の厚み方向に平行な仮想一平面による凸部９３の断面形状は矩形状である。前記凸部９３は、処理流体４５の流れの方向に交差する方向に延び、この方向で被処理基板３６に対向する全領域にわたって形成される。本実施の形態では、前記処理流体４５の流れに交差する方向は、処理流体４５の流れの方向に垂直な方向、つまり駆動ローラ４２の軸線方向に平行な方向であり、凸部９３は直線状に延びる。
【００９４】
凸部９３は、予め定める高さＨ４、および予め定める幅Ｗ４を有する。前記Ｈ４は、たとえば０．５ｍｍ以上２ｍｍ未満に選ばれ、Ｗ４は、たとえば０．５ｍｍ以上１ｍｍ未満に選ばれる。また、隣あう凸部９３との間隔Ｌ６は、たとえば０．５ｍｍ以上５ｍｍ未満に選ばれる。
【００９５】
凸部９３は、処理流体３５の流れに交差する方向に延びるので、被処理基板３６と紫外線透過パネル３３との間で処理流体４５の流れる方向に沿って、処理流体４５の流路断面積を変化させることができる。このように流路断面積の変化させることによって、処理流体４５の流れに乱れを容易に生成することができる。これによって前述した実施の形態のレジスト除去装置１と同様の効果を達成することができる。
【００９６】
また処理流体４５が前記凸部９３に衝突すると、この凸部９３によって処理流体４５が被処理基板３６に向かって案内されるので、紫外線の照射方向の上流側となる紫外線透過パネル３３付近で効率的に発生する反応性活種を、レジスト層３７が形成される被処理基板３６の近傍に効率的に拡散させることができる。したがって、被処理基板３６付近の処理流体４５に含まれる反応活性種の濃度をより向上させることができ、レジスト層３７のレジストを分解して除去する処理速度をより向上させることができる。
【００９７】
前記各凸部９３の表面および各凸部９３の間の表面９５は、平滑に形成される。前記凸部９３は、所望の形状のバイトを用いる切削加工によって形成される。切削に用いるバイトには、超音波振動が印加される。これによって、切削抵抗が軽減され、面粗度の小さい良好な加工面の凸部９３を形成することができる。
【００９８】
前記凸部９３は、たとえばリフトオフ法によって形成されてもよい。
図７は、リフトオフ法を用いて紫外線透過パネル９０の干渉部９１を作成する工程を説明する断面図である。図７（１）は、第１の工程終了後の紫外線透過パネル９０を示す断面図である。第１の工程では、紫外線透過パネル９０である基材９４の表面にレジスト９６を塗布成膜して、スリット状の開口９７をフォトリソグラフィーなどによってパターニングする。
【００９９】
図７（２）は、第２の工程終了後の紫外線透過パネル９０を示す断面図である。第２の工程では、成膜物質９８をスパッタリングおよび蒸着などの成膜手法により成膜する。これによって、スリット状の開口９７を介して基材９４表面に成膜物質９８がリフトオフされる。前記成膜物質９８は、紫外線を透過する物質であり、たとえばＳｉＯ２スパッタ膜によって実現される。
【０１００】
図７（３）は、第３の工程終了後の紫外線透過パネル９０を示す断面図である。第２の工程終了後に、レジスト９６を除去することによって、矩形状の凸部９３が紫外線透過パネル９０に設けられる。このように半導体作成工程において一般的な処理工程によって、干渉部９１を容易に形成することができる。
【０１０１】
本発明の実施の他の形態では、凸部９３の表面は、完全に平滑にしなくてもよい。この場合であっても光照射手段３５から照射される紫外線は、各凸部９３の間の表面９５を透過するので、同様の効果を達成することができる。
【０１０２】
図８は、本発明の実施の他の形態のレジスト除去装置の紫外線透過パネル１００を示す断面図であり、図９は紫外線透過パネル１００の斜視図である。本実施の形態のレジスト除去装置は、前述した実施の形態のレジスト除去装置３０と同様な構成を有し、紫外線透過パネル４５の構成のみが異なる。したがって、前述したレジスト除去装置３０と同様な構成には、同様の符号を付してその説明を省略する。
【０１０３】
本実施の形態のレジスト除去装置の紫外線透過パネル１００と、前述のレジスト除去装置３０の紫外線透過パネル３３とは、干渉部の構成のみが異なる。紫外線透過パネル１００の干渉部１０１は、紫外線透過パネル１００の前記保持手段３２によって保持される被処理基板３６に臨む表面１０２に設けられ、前記処理流体４５の流れに交差する方向に延びる複数の凸部１０３から成る。凸部１０３は、前記紫外線照射領域Ｌ１の全領域にわたって設けられる。
【０１０４】
処理流体４５の流れの方向、つまり被処理基板３６の搬送方向に平行であり、かつ被処理基板３６の厚み方向に平行な仮想一平面による凸部１０３の断面形状は楔形状である。前記凸部１０３は、駆動ローラ４２の軸線方向に平行な方向、つまり処理流体４５の流れの方向に垂直な方向に延び、この方向で被処理基板３６に対向する全領域にわたって形成される。本実施の形態では、前記処理流体４５の流れに交差する方向は、処理流体４５の流れの方向に垂直な方向、つまり駆動ローラ４２の軸線方向に平行な方向であり、凸部１０３は直線状に延びる。
【０１０５】
凸部１０３は、予め定める高さＨ５、および予め定める幅Ｗ５を有する。前記Ｈ５は、たとえば０．５ｍｍ以上２ｍｍ未満に選ばれ、Ｗ５は、たとえば０．５ｍｍ以上１ｍｍ未満に選ばれる。また、隣あう凸部１０３との間隔Ｌ７は、たとえば０．５ｍｍ以上５ｍｍ未満に選ばれる。
【０１０６】
これによって前述した各実施の形態のレジスト除去装置と同様の効果を達成することができる。
【０１０７】
前記各凸部１０３の表面および各凸部１０３の間の表面１０５は、平滑に形成される。前記凸部１０３は、所望の形状のバイトを用いる切削加工によって形成される。切削に用いるバイトには、超音波振動が印加される。これによって、切削抵抗が軽減され、面粗度の小さい良好な加工面の凸部１０３を形成することができる。また凸部１０３の加工面はできるだけ平滑に形成し、紫外線透過率を向上するため、切削加工後の粗面にスピンオンガラス（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ：略称ＳＯＧ）を塗布し、焼成して平滑化処理してもよい。
【０１０８】
このような凸部１０３によって、光照射手段３３から照射される紫外線を屈折させて、凸部１０３の下方に集めることができ、反応部分、つまり処理流体４５で照射される紫外線される領域のオゾンの光励起を促進することができる。
【０１０９】
図１０は、紫外線透過パネル１００の凸部１０３を拡大して示す断面図であり、凸部１０３によって紫外線が集められる様子を示している。光照射手段３３によって照射された紫外線は、紫外線透過パネル１００内に侵入し、この紫外線透過パネル１００内から外部に出るときに、紫外線透過パネル１００の処理流体４５との屈折率の相異によって、屈折される。紫外線透過パネル１００の屈性率ｎ１を、処理流体４５の屈折率ｎ２よりも大きく（ｎ１＞ｎ２）することによって、図１０の仮想線で示すように、紫外線を凸部１０３の下方の領域に集めることができる。
【０１１０】
また処理流体４５が前記凸部１０３に衝突すると、この凸部１０３によって処理流体４５が被処理基板３６に向かって案内されるので、図１０の矢符Ｃで示すように紫外線の照射方向の上流側となる紫外線透過パネル３３付近で効率的に発生する反応性活種を、レジスト層３７が形成される被処理基板３６の近傍に効率的に拡散させることができる。また、凸部１０３の下方の領域における紫外線の照度を大きくすることができるので、この領域での反応活性種の生成を促進することができる。したがって、被処理基板３６付近の処理流体４５に含まれる反応活性種の濃度をさらに向上させることができ、レジスト層３７のレジストを分解して除去する処理速度をより向上させることができる。
【０１１１】
図１１は、本発明の実施の他の形態のレジスト除去装置の紫外線透過パネル１１０を示す断面図である。本実施の形態のレジスト除去装置は、前述した実施の形態のレジスト除去装置３０と同様な構成を有し、紫外線透過パネルの構成のみが異なる。したがって、前述したレジスト除去装置３０と同様な構成には、同様の符号を付してその説明を省略する。
【０１１２】
本実施の形態のレジスト除去装置の紫外線透過パネル１１０と、前述のレジスト除去装置３０の紫外線透過パネル３３とは、干渉部の構成のみが異なる。紫外線透過パネル１１０の干渉部１１１は、紫外線透過パネル１００の前記保持手段３２によって保持される被処理基板３６に臨む表面１１２に設けられ、前記処理流体４５の流れに交差する方向に延びる複数の凸部１１３から成る。凸部１１３は、前記紫外線照射領域Ｌ１の全領域にわたって設けられる。
【０１１３】
凸部１１３の表面１１３Ａは、曲面形状を有する。処理流体４５の流れの方向、つまり被処理基板３６の搬送方向に平行であり、かつ被処理基板３６の厚み方向に平行な仮想一平面による凸部１１３の断面形状は半円弧形状である。前記凸部９３は、処理流体４５の流れの方向に交差する方向に延び、この方向で被処理基板３６に対向する全領域にわたって形成される。本実施の形態では、前記処理流体４５の流れに交差する方向は、処理流体４５の流れの方向に垂直な方向、つまり駆動ローラ４２の軸線方向に平行な方向であり、凸部１１３は直線状に延びる。
【０１１４】
凸部１１３は、予め定める高さＨ６、および予め定める幅Ｗ７を有する。前記Ｈ６は、たとえば０．５ｍｍ以上２ｍｍ未満に選ばれ、Ｗ７は、たとえば０．５ｍｍ以上１ｍｍ未満に選ばれる。また、隣あう凸部１１３との間隔Ｌ８は、たとえば０．５ｍｍ以上５ｍｍ未満に選ばれる。
【０１１５】
これによって前述した各実施の形態のレジスト除去装置と同様の効果を達成することができる。
【０１１６】
前記各凸部１１３の表面および各凸部１１３の間の表面１１５は、平滑に形成される。前記凸１１３は、所望の形状のバイトを用いる切削加工によって形成される。切削に用いるバイトには、超音波振動が印加される。これによって、切削抵抗が軽減され、面粗度の小さい良好な加工面の凸部１１３を形成することができる。また凸部１１３の加工面はできるだけ平滑に形成し、紫外線の透過率を向上するため、切削加工後の粗面にスピンオンガラス（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ：略称ＳＯＧ）を塗布し、焼成して平滑化処理してもよい。
【０１１７】
このような凸部１１３によって、光照射手段３３から照射される紫外線を屈折させて、凸部１１３の下方に集めることができ、反応部分、つまり処理流体４５で照射される紫外線される領域のオゾンの光励起を促進することができる。
【０１１８】
図１２は、紫外線透過パネル１１０の凸部１１３を拡大して示す断面図であり、凸部１１３によって紫外線が集められる様子を示している。光照射手段３３によって照射された紫外線は、紫外線透過パネル１１０内に侵入し、この紫外線透過パネル１１０内から外部に出るときに、紫外線透過パネル１１０の処理流体４５との屈折率の相異によって、屈折される。紫外線透過パネル１１０の屈性率ｎ１を、処理流体４５の屈折率ｎ２よりも大きく（ｎ１＞ｎ２）することによって、図１２の仮想線で示すように、紫外線を凸部１１３の下方の領域に集めることができる。したがって、凸部１１３の下方の領域における紫外線の照度を大きくすることができる。
【０１１９】
また処理流体４５が前記凸部１１３に衝突すると、この凸部１１３によって処理流体４５が被処理基板３６に向かって案内されるので、図１２の矢符Ｄで示すように紫外線の照射方向の上流側となる紫外線透過パネル３３付近で効率的に発生する反応性活種を、レジスト層３７が形成される被処理基板３６の近傍に効率的に拡散させることができる。また、凸部１０３の下方の領域における紫外線の照度を大きくすることができるので、この領域での反応活性種の生成を促進することができる。したがって、被処理基板３６付近の処理流体４５に含まれる反応活性種の濃度をさらに向上させることができ、レジスト層３７のレジストを分解して除去する処理速度をより向上させることができる。
【０１２０】
前記凸部１１３は、たとえばリフトオフと研磨とによって形成されてもよい。
図１３は、リフトオフと研磨と用いて紫外線透過パネル１１０に干渉部１１１を形成する工程を説明する断面図である。図１３（１）〜図１３（３）は、第１〜第３の工程終了後の紫外線透過パネル１００をそれぞれ示す断面図であり、第１〜第３の工程は、前述した図７（１）〜図７（３）に示す紫外線透過パネル９０を作成する工程と同じであるので説明を省略する。
【０１２１】
図１３（４）は、第４の工程終了後の紫外線透過パネル１００を示す断面図である。第４の工程では、紫外線透過パネル１１０に形成された成膜物質を研磨処理する。曲面形状を有する凸部１１３が形成される。
【０１２２】
前記凹部１１３は、たとえばシャドウマスク法によって形成されてもよい。
図１４は、シャドウマスク法を用いて紫外線透過パネル１１０に干渉部１１１を形成する工程を説明する断面図である。図１４（１）は、第１の工程終了後の紫外線透過パネル１１０を示す断面図である。まず第１の工程では、薬剤によってエッチング除去可能な、たとえば純アルミニウムなどの被膜からなる犠牲層１２１の形成された紫外線透過パネル１１０である基材１１４に、レジスト１１５を塗布成膜し、スリット状の開口１１６をフォトリソグラフィーなどによってパターニングする。
【０１２３】
図１４（２）は、第２の工程終了後の紫外線透過パネル１１０を示す断面図である。第２の工程では、スリット状の開口１１６を通して犠牲層１２１のエッチングを行う。これによって、犠牲層１２１が除去され、スリット状の開口１１６よりもスリット幅の大きいエッチング開口１２２形成される。
【０１２４】
図１４（３）は、第３の工程終了後の紫外線透過パネル１１０を示す断面図である。第３の工程では、成膜物質１１８をスパッタリングおよび蒸着などの手法によって成膜すると、スリット状の開口１１６およびエッチング開口１２２を通して基材１１４の表面に成膜物質９８がリフトオフされる。このとき、基材１１４の表面から予め定める距離だけ離れた位置にスリット状の開口１１６が形成されているため、成膜物質９８は、スリット状の開口１１６の真下で膜厚が最も大きくなり、両端部に向かうほど膜厚が小さくなる。これによって図１４（３）に示すように、膜厚に分布をもって成膜されることになる。
【０１２５】
図１４（４）は、第４の工程終了後の紫外線透過パネル１１０を示す断面図である。第４の工程では、エッチング処理によって、レジスト１１５および犠牲層１２１を除去する。これによって、紫外線透過パネル１１０に成膜物質から成る凸部１１３を設けることができる。このように半導体作成工程において一般的な処理工程によって、干渉部１１１を容易に形成することができる。
【０１２６】
本発明の他の実施の形態では、前記駆動部４１は、ベルトコンベアによって実現されてもよい。
【０１２７】
本発明の他の実施の形態では、前述した各紫外線透過パネルの干渉部は、前述した凹部および凸部を組合わせて設けてもよい。また前記凹部または凸部は、紫外線透過パネルの被処理基板３６に臨む面にランダムに設けられてもよい。
【０１２８】
また前述した各実施の形態において、前記凹部および凸部の延びる方向は、前記処理流体４５の流れに垂直な方向から所定の角度傾斜した方向であってもよく、また、凹部および凸部は、曲線状に延びてもよい。
【０１２９】
また本発明の実施の他の形態では、紫外線透過パネル３３は、被処理基板３６に対して、処理流体４５の流れの方向にわずかに傾斜して設けられてもよい。
【０１３０】
本発明の実施の他の形態では、処理流体４５の流れに乱れを発生する手段は、前述した紫外線照射パネルでなくてもよい。たとえば処理流体供給手段５３によって、処理流体４５を乱流にして被処理基板３６と紫外線照射パネル３３との間に供給してもよい。
【０１３１】
また本発明の実施の他の形態では、前記処理流体４５は、オゾンを含む気体であってもよい。
【０１３２】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、紫外線の照射方向の上流側となる紫外線透過パネル付近で効率的に発生する反応性活種を、レジスト層が形成される被処理基板の近傍に拡散させることができる。したがって、被処理基板付近の処理流体に含まれる反応活性種の濃度を向上させることができとともに、処理流体に含まれる反応活性種の濃度むらの均一化を図ることができるので、レジスト層のレジストを分解して除去する処理速度を向上させることができるとともに、レジスト層を均一に除去することができる。
【０１３３】
また本発明によれば、複数の凸部は、処理流体の流れに交差する方向に延びるので、被処理基板と紫外線透過パネルとの間で処理流体の流れる方向に沿って、処理流体の流路断面積を変化させることができる。このように流路断面積の変化させることによって、処理流体の流れに乱れを容易に生成することができる。
【０１３４】
また処理流体が前記凸部に衝突すると、この凸部によって処理流体が被処理基板に向かって案内されるので、紫外線の照射方向の上流側となる紫外線透過パネル付近で効率的に発生する反応性活種を、レジスト層が形成される被処理基板の近傍に効率的に拡散させることができる。したがって、被処理基板付近の処理流体に含まれる反応活性種の濃度をより向上させることができ、レジスト層のレジストを分解して除去する処理速度をより向上させることができる。
【０１３５】
また本発明によれば、複数の凹部は、処理流体の流れに交差する方向に延びるので、被処理基板と紫外線透過パネルとの間で処理流体の流れる方向に沿って、処理流体の流路断面積を変化させることができる。このように流路断面積の変化させることによって、処理流体の流れに乱れを容易に生成することができる。
【０１３６】
また本発明によれば、紫外線透過パネルの干渉部が設けられる領域と残余の領域とにおいて、処理流体の流れに生じる乱れに相違がある場合であっても、前述のように被処理基板の相対位置を変更することによって、被処理基板の全ての領域に同様な状態で処理流体を供給することができるので、レジスト層を均一に除去する精度が向上する。
【０１３７】
また、被処理基板を処理流体の流れに対して下流側から上流側へと移動させることによって、レジストが分解されて被処理基板から剥離した剥離体が、このレジストが除去された領域に再び付着することが防止される。
【０１３８】
また本発明によれば、処理流体の飛散を防止して、被処理基板と紫外線透パネルとの間に精度よく処理流体を供給することができる。
【０１３９】
また処理流体の流れの方法上流側から下流側に向かって、流路断面積が小さくなるので、処理流体の流速が高くなり、処理流体が流動することによる物理的な作用によって、レジスト層を効率的に除去することができる。
【０１４０】
また本発明によれば、被処理基板付近の処理流体に含まれる反応活性種の濃度を向上させることができとともに、処理流体に含まれる反応活性種の濃度むらの均一化を図ることができるので、レジスト層のレジストを分解して除去する処理速度を向上させることができるとともに、レジスト層を均一に除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の一形態であるレジスト処理装置３０の構成を模式的に示す断面図である。
【図２】紫外線透過パネル３３の構成を示す斜視図である。
【図３】本発明の実施の他の形態のレジスト除去装置の紫外線透過パネル７０を示す断面図である。
【図４】本発明の実施の他の形態のレジスト除去装置の紫外線透過パネル８０を示す断面図である。
【図５】紫外線透過パネル８０の凹部８３をエッチング処理によって形成する工程を説明するための断面図である。
【図６】本発明の実施の他の形態のレジスト除去装置の紫外線透過パネル９０を示す断面図である。
【図７】リフトオフを用いて紫外線透過パネル９０の干渉部９１を作成する工程を説明する断面図である。
【図８】本発明の実施の他の形態のレジスト除去装置の紫外線透過パネル１００を示す断面図である。
【図９】紫外線透過パネル１００の斜視図である。
【図１０】紫外線透過パネル１００の凸部１０３を拡大して示す断面図である。
【図１１】本発明の実施の他の形態のレジスト除去装置の紫外線透過パネル１１０を示す断面図である。
【図１２】紫外線透過パネル１１０の凸部１１３を拡大して示す断面図である。
【図１３】リフトオフと研磨と用いて紫外線透過パネル１１０に干渉部１１１を形成する工程を説明する断面図である。
【図１４】シャドウマスク法を用いて紫外線透過パネル１１０に干渉部１１１を形成する工程を説明する断面図である。
【図１５】第１の従来の技術のレジスト処理装置１の構成を模式的に示す図である。
【図１６】第２の従来の技術のレジスト処理装置１０の構成を模式的に示す図である。
【符号の説明】
３０ レジスト処理装置
３１ 処理槽
３２ 保持手段
３３，７０，８０，９０，１００，１１０ 紫外線透過パネル
３４ 処理流体供給手段
３５ 光照射手段
３６ 被処理基板
３７ レジスト層
３８ 処理空間
４１ 駆動部
４５ 処理流体
４６ 案内面
６１，７１，８１，９１，１０１，１１１ 干渉部
６３，７３，８３ 凹部
９３，１０３，１１３ 凸部[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a resist processing apparatus and a processing method for removing a resist layer formed by an organic compound formed on the surface of a substrate to be processed such as a semiconductor substrate and a substrate for a liquid crystal panel.
[0002]
[Prior art]
In a semiconductor manufacturing process, steps of resist application, etching and resist peeling on the surface of a semiconductor substrate are repeated in order. The resist stripping process is roughly classified into a wet process using a liquid such as a stripping solution composed of an organic solvent and a sulfuric acid / hydrogen peroxide mixed solution containing sulfuric acid and hydrogen peroxide, and a dry process using plasma. It is used for different purposes. When both are compared, wet treatment is generally more economical.
[0003]
However, wet processing using organic solvents and acids, etc., addresses environmental issues so that the liquid used is generally an environmental pollutant, so that the exhaust gas and effluent generated by the wet processing do not pollute the environment. There is a need to. For this reason, resist treatment using ozone has been attracting attention as a clean and economical alternative that does not have environmental problems. Ozone has a strong oxidizing power and is decomposed into oxygen, so there is no concern about environmental pollution, and there is no problem with exhaust gas and effluent generated during the treatment process contaminating the environment. It is recognized as an oxidative decomposition agent.
[0004]
The resist treatment using ozone is also roughly classified into a gas phase treatment and a liquid phase treatment. In the gas phase treatment, the resist layer formed on the surface of the semiconductor substrate is removed with ozone gas containing ozone. In the liquid phase treatment, the resist layer formed on the surface of the semiconductor substrate is removed by so-called ozone water in which ozone is dissolved. In the liquid phase treatment, there is a limit to the reaction in a heated atmosphere, so that the decomposition ability is small. However, it is known that ozone water generates oxidizing radicals having stronger oxidizing power than ozone by irradiating ultraviolet rays, and thus it is possible to increase oxidative decomposition ability.
[0005]
FIG. 15 is a diagram schematically showing a configuration of a first conventional resist processing apparatus 1 that realizes a resist processing using ozone. In the resist processing apparatus 1, while the processing fluid 5 containing ozone is supplied from the nozzle 2 to the one surface 4 of the substrate 3 on which the resist layer is formed, the one surface 4 of the substrate 3 is irradiated with ultraviolet rays. I have.
[0006]
In the resist processing apparatus 1, a processing fluid 5 is supplied from a nozzle 2 provided above the processing target substrate 3 to a processing target substrate 3 disposed on a mounting table 7 rotatable about an axis 6. The mounting table 6 and the nozzle 2 are housed in an ozone-resistant quartz container 8. Ultraviolet rays (UV) lamps 9 irradiate ultraviolet rays from above the mounting table 7 together with the supply of the processing fluid 5. This makes it possible to remove the resist layer formed on the substrate to be processed 3 at a higher speed by using the reactive species of ozone as compared with the case where ultraviolet light is not irradiated (for example, see Patent Document 1).
[0007]
However, in the resist processing apparatus 1, the thickness of the ozone water, which is the processing fluid 5 supplied to the substrate 3, becomes smaller toward the outer periphery of the substrate 3, that is, becomes smaller toward the outside in the radial direction. Processing becomes uneven. Further, when the ozone water is scattered, the ultraviolet light irradiated by the UV lamp 9 is scattered, and a sufficient amount of ultraviolet light is not guided to one surface 4 of the substrate 3 to be processed, so that the reactive species cannot be sufficiently generated. In addition, there is a problem that the removal efficiency of the resist layer formed on the substrate to be processed 3 is reduced, that is, the processing speed is reduced.
[0008]
FIG. 16 is a diagram schematically showing a configuration of a resist processing apparatus 10 according to a second conventional technique. In the resist processing apparatus 10, the same components as those of the above-described resist processing apparatus 1 of the first related art are denoted by the same reference numerals. In view of the above-described problem, in the resist processing apparatus 10 of the second prior art, a transparent guide plate 11 is disposed at a predetermined interval on the surface of the substrate 3 to be processed, and the substrate 3 and the guide plate 11 Is supplied with the processing fluid 5 containing ozone.
[0009]
The resist device 10 includes a mounting table 7 that supports the substrate 3 inside a main body 12 having a processing space for processing the substrate 3. A guide plate 11 is provided above the mounting table 7 to form a predetermined gap between the mounting table 7 and one surface 4 of the substrate 3 to be processed. A nozzle 2 is provided on a side of the substrate 3 to be processed. A processing fluid 5 containing ozone is supplied from the nozzle 2 to the gap.
[0010]
Above the guide plate 11, a light source for irradiating one surface 4 of the substrate 3 to be processed with ultraviolet rays via the guide plate 11 is provided.
[0011]
The nozzle 2 is open between the substrate 3 and the guide plate 11 from the side of the peripheral portion of the substrate 3. The processing fluid supplied from the nozzle 2 is guided by the guide plate 11 and the substrate 2 so as to form a laminar flow.
[0012]
Since the processing fluid 4 is guided to the gap formed between the guide plate and the processing target substrate 3, the processing fluid 4 does not scatter and can uniformly process the one surface 4 of the processing target substrate 3. (For example, see Patent Document 2).
[0013]
[Patent Document 1]
JP 2001-25971 A
[Patent Document 2]
JP-A-8-288269
[0014]
[Problems to be solved by the invention]
In the second conventional technique, the reactive species excited in the processing fluid 5 are generated in a region near the guide plate 11 which is easily susceptible to ultraviolet rays, and a sufficient reaction is performed in a region from one surface 4 of the substrate 3 to be processed. There is a problem that active species are not generated. Therefore, there is a demand for a resist processing apparatus in which the removal efficiency of the resist layer is not sufficient and the processing speed is higher.
[0015]
An object of the present invention is to provide a resist processing apparatus and a processing method capable of performing a uniform processing at a high processing speed for removing a resist layer.
[0016]
[Means for Solving the Problems]
According to the present invention, a processing fluid containing ozone is supplied to a substrate on which a resist layer is formed, and the substrate is irradiated with ultraviolet light through an ultraviolet transmitting panel that transmits ultraviolet light. In the resist processing apparatus for decomposing and removing the resist of the resist layer of the substrate to be processed by the reactive species that have been
A processing tank having a processing space in which the ultraviolet light transmitting panel is provided, and a substrate to be processed arranged at an interval below the ultraviolet light transmitting panel is accommodated;
Holding means for holding the substrate to be processed in the processing space of the processing tank,
A processing fluid supply unit for supplying a processing fluid between the substrate to be processed and the ultraviolet transmitting panel held by the holding unit in the processing space of the processing tank,
The ultraviolet processing panel is provided with an interference unit that interferes with the flow of the processing fluid supplied from the processing fluid supply unit.
[0017]
According to the present invention, an ultraviolet transmitting panel and a substrate to be processed are arranged in the processing space of the processing tank, and the substrate to be processed is held by the holding means, and is arranged below the ultraviolet panel at intervals. The processing fluid supplied from the processing fluid supply means flows through a gap between the substrate to be processed and the ultraviolet transmitting panel. At this time, the processing fluid is irradiated with ultraviolet rays by irradiating the substrate to be processed with ultraviolet rays through the ultraviolet ray transmitting panel. When irradiated with ultraviolet rays, ozone is excited in the processing fluid to generate reactive species. Since the interference portion that interferes with the processing fluid is provided in the ultraviolet transmission panel, the flow of the processing fluid supplied between the substrate to be processed and the ultraviolet transmission panel is disturbed.
[0018]
This makes it possible to diffuse the reactive active species efficiently generated in the vicinity of the ultraviolet transmitting panel on the upstream side in the irradiation direction of the ultraviolet light, in the vicinity of the substrate on which the resist layer is formed. Therefore, the concentration of the reactive species contained in the processing fluid near the substrate to be processed can be improved, and the concentration of the reactive species contained in the processing fluid can be made uniform. The processing speed for decomposing and removing the resist can be improved, and the resist layer can be removed uniformly.
[0019]
Further, in the invention, it is preferable that the interference portion is provided on a surface facing the substrate to be processed held by the holding means of the ultraviolet transmitting panel, and includes a plurality of protrusions extending in a direction intersecting the flow of the processing fluid. Features.
[0020]
According to the present invention, since the plurality of protrusions extend in a direction intersecting the flow of the processing fluid, the flow path of the processing fluid is cut along the flow direction of the processing fluid between the substrate to be processed and the ultraviolet transmitting panel. The area can be changed. By changing the cross-sectional area of the flow path in this manner, turbulence can be easily generated in the flow of the processing fluid.
[0021]
When the processing fluid collides with the convex portion, the convex portion guides the processing fluid toward the substrate to be processed, so that the reactivity generated efficiently near the ultraviolet transmitting panel on the upstream side in the ultraviolet irradiation direction. The active species can be efficiently diffused to the vicinity of the substrate on which the resist layer is formed. Therefore, the concentration of the reactive species contained in the processing fluid near the substrate to be processed can be further improved, and the processing speed for decomposing and removing the resist in the resist layer can be further improved.
[0022]
Further, in the invention, it is preferable that the interference portion is provided on a surface facing the substrate to be processed held by the holding means of the ultraviolet transmitting panel, and includes a plurality of recesses extending in a direction intersecting the flow of the processing fluid. And
[0023]
According to the present invention, since the plurality of recesses extend in a direction intersecting the flow of the processing fluid, the cross-sectional area of the flow path of the processing fluid along the direction in which the processing fluid flows between the substrate to be processed and the ultraviolet transmitting panel. Can be changed. By changing the cross-sectional area of the flow path in this manner, turbulence can be easily generated in the flow of the processing fluid.
[0024]
Further, in the invention, it is preferable that the holding unit includes a driving unit that moves the substrate to be processed from a downstream side to an upstream side with respect to the flow of the processing fluid in the processing space.
[0025]
According to the present invention, when the substrate to be processed is moved from the downstream side to the upstream side with respect to the flow of the processing fluid by the driving unit, the relative position of the substrate to be processed with respect to the region where the interference member of the ultraviolet transmission panel is provided is changed. Can be changed. In the region where the interference portion of the ultraviolet transmitting panel is provided and the remaining region, even if there is a difference in the turbulence generated in the flow of the processing fluid, by changing the relative position of the substrate to be processed as described above, Since the processing fluid can be supplied to all regions of the substrate to be processed in the same state, the accuracy of uniformly removing the resist layer is improved.
[0026]
Further, the drive unit moves the substrate to be processed from the downstream side to the upstream side with respect to the flow of the processing fluid, whereby the resist is decomposed and the peeled body that is peeled off from the substrate to be processed is formed in an area where the resist is removed. Is prevented from adhering again.
[0027]
Further, the present invention provides the ultraviolet transmitting panel, wherein the direction of the flow of the processing fluid supplied from the processing fluid supply unit is from the downstream side to the upstream side in the direction away from the surface facing the ultraviolet transmitting panel of the substrate to be processed. An inclined guide surface is formed.
[0028]
According to the present invention, the processing fluid from the processing fluid supply means can be supplied between the substrate to be processed and the ultraviolet transmitting panel while being guided by the guide surface. Therefore, scattering of the processing fluid can be prevented, and the processing fluid can be supplied with high precision between the substrate to be processed and the ultraviolet transparent panel.
[0029]
In addition, since the flow path cross-sectional area decreases from the upstream side to the downstream side, the flow rate of the processing fluid increases, and the physical effect of the flow of the processing fluid increases the efficiency of the resist layer. Can be removed.
[0030]
Further, according to the present invention, while supplying a processing fluid containing ozone to a substrate to be processed on which a resist layer is formed, the substrate to be processed is irradiated with ultraviolet rays through an ultraviolet transmitting panel that transmits ultraviolet rays. In a resist processing method for decomposing and removing the resist of the resist layer of the substrate to be processed by the generated reactive species,
In a processing space of a processing tank provided with the ultraviolet transmission panel at an upper portion, a substrate to be processed arranged at an interval from the ultraviolet transmission panel is accommodated,
Supplying a processing fluid between the substrate to be processed and the ultraviolet transmitting panel accommodated in the processing tank,
A resist processing method, wherein the flow of the processing fluid is disturbed in the flow of the processing fluid supplied between the substrate to be processed and the ultraviolet transmitting panel.
[0031]
According to the present invention, the processing fluid flows through the gap between the substrate to be processed, the ultraviolet transmitting panel, and the processing bath. At this time, the processing fluid is irradiated with ultraviolet rays by irradiating the substrate to be processed with ultraviolet rays through the ultraviolet ray transmitting panel. When irradiated with ultraviolet rays, ozone is excited in the processing fluid to generate reactive species. Since the processing fluid is generated and disturbed between the substrate to be processed and the ultraviolet transmitting panel, the reactive active species efficiently generated in the vicinity of the ultraviolet transmitting panel on the upstream side in the irradiation direction of the ultraviolet light are resisted. The diffusion can be performed in the vicinity of the substrate on which the layer is formed. Therefore, the concentration of the reactive species contained in the processing fluid near the substrate to be processed can be improved, and the concentration of the reactive species contained in the processing fluid can be made uniform. The processing speed for decomposing and removing the resist can be improved, and the resist layer can be removed uniformly.
[0032]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
FIG. 1 is a sectional view schematically showing a configuration of a resist processing apparatus 30 according to an embodiment of the present invention. The resist processing apparatus 30 includes a processing tank 31, a holding unit 32, an ultraviolet transmitting panel 33, a processing fluid supply unit 34, and a light irradiation unit 35. The resist processing apparatus 30 removes a resist layer 37 made of an organic compound formed on a substrate 36 to be processed such as a semiconductor substrate and a substrate for a liquid crystal panel.
[0033]
The processing bath 31 has a processing space 38 that accommodates at least a part of the substrate 36 to be processed. The processing tank 31 is formed of an ozone-resistant material such as quartz.
[0034]
The holding unit 32 holds the processing target substrate 36 in a state where the processing space 38 accommodates the at least a part of the processing target substrate 36. The holding means 32 is provided in a processing space 38 of the processing tank 31. The substrate 36 to be processed is supported by the supporting means 32 with one surface 36A in the thickness direction on which the resist layer 37 is formed facing upward.
[0035]
The holding unit 32 has a driving unit 41. The drive section 41 has a plurality of drive rollers 42. The resist processing apparatus 1 has a driving source 43 for driving the driving unit 41. The plurality of drive rollers 42 of the drive unit 41 are rotatably supported at both ends in the rotation axis direction. The plurality of drive rollers 42 are arranged in parallel with their rotation axes at predetermined intervals. At least one of one end and the other end in the axial direction of the plurality of driving rollers 42 is rotatably connected to each other by driving force transmitting means such as a belt and a gear.
[0036]
The drive source 43 is realized by, for example, a motor. A plurality of drive rollers 42 can be driven to rotate by applying a rotational force to one of the drive rollers 42 by the drive source 43. As a result, the substrate to be processed 36 supported by the driving roller 42 can be transported. The outer peripheral portion of each drive roller 42 that contacts the substrate 36 to be processed has a predetermined friction coefficient μ. Accordingly, the substrate to be processed 36 can be smoothly transported without the drive roller 42 idling.
[0037]
The ultraviolet transmitting panel 33 is disposed above a substrate 36 to be processed held by the holding means 34, and is provided in the processing space 38. The ultraviolet transmission panel 33 transmits ultraviolet light. The ultraviolet transmitting panel 33 is fixed to, for example, the processing tank 31. The ultraviolet transmitting panel 33 is formed of a plate-like member, and is disposed in parallel with the processing substrate 36 at a predetermined interval L2 from an upper surface which is one surface 36A of the processing substrate 36 supported by the support means 32. Is done. The predetermined interval L2 is selected, for example, from 1 mm to less than 5 mm. In the present invention, the term “parallel” includes a state parallel to and inclined from the parallel by a slight angle, for example, an angle larger than 0 ° and smaller than 5 °.
[0038]
As a material of the ultraviolet transmission panel 33, quartz glass is preferable from the viewpoint of ultraviolet transmission. Therefore, in the present embodiment, quartz glass is used as the ultraviolet transmission panel 33. The detailed configuration of the ultraviolet transmission panel 33 will be described later.
[0039]
The processing fluid supply unit 34 supplies a processing fluid 45 between the substrate 36 disposed in the processing space 38 of the processing tank 31 and the ultraviolet transmitting panel 33. The processing fluid supply unit 34 includes a processing fluid supply source 51, a pipe 52, and a nozzle unit 53. The processing fluid supply source 51 stores ozone water as the processing fluid 45. Ozone water is pure water containing ozone. The ozone concentration of the ozone water is, for example, 150 ppm.
[0040]
The nozzle unit 53 is disposed in the internal space of the processing tank 31, and a processing fluid 45 is supplied to the nozzle unit 53 from a processing fluid supply source 51 via a pipe 54. One end of a pipe 52 is connected to the processing fluid supply source 51, and the other end of the pipe 52 is connected to a nozzle 53. A nozzle for supplying the processing fluid 45 between the processing target substrate 36 and the ultraviolet transmitting panel 33 is formed in the nozzle unit 53. The nozzle portion 53 is fixed at a predetermined position on the side of the ultraviolet transmission panel 33 and on one side in the transport direction of the substrate 36 to be processed.
[0041]
The nozzle unit 53 is disposed above the substrate to be processed 36 held by the holding unit 32. This prevents the nozzle portion 53 from coming into contact with the substrate to be processed 36 carried by the carrying means 42.
[0042]
The nozzle unit 53 discharges the processing fluid 45 along a virtual plane inclined at a predetermined angle θ1 to one surface 36A of the substrate 36 on which the resist layer 37 is formed. The predetermined angle θ1 is selected, for example, from 5 ° to less than 60 °. Thus, the processing fluid 45 can be smoothly supplied between the substrate 36 to be processed and the ultraviolet transmission panel 33 from the side of the ultraviolet transmission panel 33. The flow rate per unit area of the processing fluid 45 supplied between the processing target substrate 36 and the ultraviolet transmitting panel 33 is selected to be, for example, 5 l / m or more and less than 20 l / m.
[0043]
The nozzle of the nozzle portion 53 may be opened over the entire region of the substrate 36 in a direction parallel to the axis direction of the drive roller 42, and a predetermined interval may be provided in a direction parallel to the axis direction of the drive roller 42 A plurality may be provided.
[0044]
The light irradiating unit 35 irradiates the space between the ultraviolet transmitting panel 33 and the substrate to be processed 36 with ultraviolet light via the ultraviolet transmitting panel 33. The light irradiation means 35 is realized by a plurality of ultraviolet fluorescent lamps 55. The ultraviolet fluorescent lamp 55 is supplied with power from a power supply 56. The plurality of ultraviolet fluorescent lamps 55 are provided in the processing space 38 of the processing tank 31 above the ultraviolet transmitting panel 33 and are arranged in parallel with the ultraviolet transmitting panel 33. As a result, the processing fluid 45 supplied to the space between the ultraviolet transmitting panel 33 and the substrate to be processed 36 is almost uniformly irradiated with ultraviolet light in the predetermined ultraviolet irradiation area L1.
[0045]
The light irradiating means 35 can generate hydroxyl radicals having strong oxidative decomposition power from ozone contained in the processing fluid 45 by irradiating, for example, ultraviolet rays having a wavelength of 254 nm. Thus, even if the processing fluid 45 is ozone water, the resist in the resist layer 37 can be decomposed and removed. The ultraviolet fluorescent lamp 55 is fixedly supported, for example, in the processing tank 31 at an end in a direction parallel to the axial direction of the driving roller 42 described above.
[0046]
The region of the ultraviolet transmission panel 33 facing the light irradiation means 35, that is, the upper surface 33A is formed flat. This flat surface is processed smoothly, so that the ultraviolet light irradiated from the light irradiation means 35 can be transmitted efficiently. In another embodiment of the present invention, an anti-reflection film may be formed on the upper surface 33A of the ultraviolet transmission panel 33. Thereby, it is possible to prevent the ultraviolet rays from being reflected by the upper surface 33A of the ultraviolet transmission panel 33 and irregularly reflected in the processing tank 31, and to make the ultraviolet irradiation amount in the ultraviolet irradiation area L1 more uniform.
[0047]
FIG. 2 is a perspective view showing the configuration of the ultraviolet transmission panel 33. The above-mentioned ultraviolet transmitting panel 33 is provided with an interference unit 61 that interferes with the flow of the processing fluid 45 supplied from the processing fluid supply unit 34. The interference portion 61 is provided on a surface 62 facing the substrate 36 held by the holding means 42 of the ultraviolet transmitting panel 33, and includes a plurality of concave portions 63 extending in a direction intersecting the flow of the processing fluid 45. The concave portion 63 is provided over the entire region of the ultraviolet irradiation region L1.
[0048]
In the resist removing apparatus 30 of the present embodiment, the dimension of the ultraviolet irradiation region L in the transport direction is smaller than the dimension of the substrate 36 in the transport direction.
[0049]
The recess 63 has a groove 64 having a substantially rectangular cross section formed by a virtual plane parallel to the flow direction of the processing fluid 45, that is, the transport direction of the substrate 36, and parallel to the thickness direction of the substrate 36. It is constituted by being formed. The recess 63 extends in a direction intersecting the flow of the processing fluid 45 and is formed over the entire region facing the substrate 36 in this direction. In the present embodiment, the direction intersecting the flow of the processing fluid 45 is a direction perpendicular to the direction of the flow of the processing fluid 45, that is, a direction parallel to the axial direction of the drive roller 42, and the recess 63 is linearly formed. Extend.
[0050]
The groove 64 of the concave portion 63 has a predetermined depth H1 and a predetermined width W1. H1 is selected, for example, from 0.5 mm to less than 2 mm, and W1 is selected, for example, from 0.5 mm to less than 5 mm. The distance L3 between the adjacent grooves 64 is selected, for example, to be 0.5 mm or more and less than 1 mm.
[0051]
The surface of each groove 64 and the surface 65 between each groove 64 are formed smoothly. The recess 63 is formed by cutting using a cutting tool having a desired shape. Ultrasonic vibration is applied to the cutting tool used for cutting. Thereby, the cutting resistance is reduced, and the groove 64 having a good processed surface with small surface roughness can be formed.
[0052]
In the resist processing apparatus 1, when the substrate to be processed 36 is transported below the ultraviolet transmitting panel 33 by the driving unit 41, the processing fluid 45 is supplied between the substrate to be processed 36 and the ultraviolet transmitting panel 33 by the processing fluid supply unit 34. The light is supplied, and at the same time, ultraviolet light is irradiated from the light irradiation means 35. The processing fluid 45 supplied from the processing fluid supply unit 34 flows through the space between the processing target substrate 36 held by the holding unit 32, the ultraviolet transmitting panel 33, and the processing bath 31. The processing fluid 45 is irradiated with ultraviolet rays by irradiating the processing target substrate 36 with ultraviolet rays through the ultraviolet ray transmitting panel 33. The ultraviolet irradiation region L where the light irradiation unit 35 irradiates the light ultraviolet includes at least a region where the interference unit 61 of the ultraviolet transmission panel 33 faces the substrate 36 to be processed.
[0053]
When irradiated with ultraviolet rays, ozone is excited in the processing fluid 45 to generate reactive species. Since the interference portion 61 that interferes with the processing fluid 45 is provided on the ultraviolet transmission panel 33, the flow of the processing fluid 45 supplied between the substrate 36 to be processed and the ultraviolet transmission panel 33 is disturbed.
[0054]
Thereby, the reactive active species efficiently generated in the vicinity of the ultraviolet transmitting panel 33 on the upstream side in the irradiation direction of the ultraviolet light is diffused in the vicinity of one surface 36A of the substrate 36 on which the resist layer 37 is formed. Can be. Therefore, the concentration of the reactive species contained in the processing fluid 45 near the substrate 36 can be improved, and the concentration of the reactive species contained in the processing fluid 45 can be made uniform. In the irradiation region L1, the processing speed for decomposing the resist of the resist layer 37 can be improved, and the resist layer 37 can be uniformly decomposed.
[0055]
In addition, due to the physical action of the processing fluid 45 flowing between the processing target substrate 36 and the ultraviolet transmitting panel 33, the separated body, which is an oxidized resist peeled from the processing target substrate 36, is processed together with the processing fluid 45. Since the fluid 45 is discharged downstream in the flow direction, the resist layer 37 can be efficiently removed in the ultraviolet irradiation region L1.
[0056]
The resist removing device 30 removes the resist while transporting the substrate 36 to be processed by the driving unit 41. Therefore, the resist layer on the entire surface 36A of the substrate 36 can be uniformly removed.
[0057]
When the substrate to be processed 36 is moved from the downstream side to the upstream side with respect to the flow of the processing fluid 45 by the drive unit 41 described above, the relative position of the substrate to be processed 36 with respect to the region where the interference unit 61 of the ultraviolet transmitting panel 35 is provided. The position can be changed. The relative position of the substrate 36 is changed as described above even if there is a difference in the turbulence generated in the flow of the processing fluid 45 between the region where the interference portion 61 of the ultraviolet ray transmitting panel 33 is provided and the remaining region. By doing so, the processing fluid 45 can be supplied to all the regions of the processing target substrate 36 in the same state, so that the accuracy of uniformly removing the resist layer 37 is further improved.
[0058]
Further, by performing the resist removal process while moving the processing target substrate 36 from the downstream side to the upstream side with respect to the flow of the processing fluid 45, the peeled body that has been decomposed and peeled off from the processing target substrate 36, The resist can be prevented from re-adhering to the removed area.
[0059]
The transport speed of the substrate 36 to be processed by the drive unit 41 is selected, for example, from 500 mm / min to less than 5000 mm / min.
[0060]
Since the recess 63 extends in a direction intersecting the flow of the processing fluid 45, the flow of the flow path of the processing fluid 45 along the direction in which the processing fluid 45 flows between the substrate 36 to be processed and the ultraviolet transmitting panel 33. The road cross section can be varied. By changing the flow path cross-sectional area in this manner, turbulence can be easily generated in the flow of the processing fluid 45.
[0061]
A guide surface 46 is formed on the ultraviolet transmission panel 33. The guide surface 46 is separated from one surface 36A of the substrate 36 to be processed facing the ultraviolet transmitting panel 33 as the flow direction of the processing fluid 45 supplied from the processing fluid supply unit 34 is changed from the downstream side to the upstream side. Incline. The guide surface 46 is formed at an end 66 of the ultraviolet transmission panel 33 on the upstream side in the flow direction of the processing fluid 45.
[0062]
By forming the guide surface 46, the processing fluid 45 supplied from the nozzle 53 provided on the side of the ultraviolet transmission panel 33 can be accurately and smoothly supplied between the substrate 36 to be processed and the ultraviolet transmission panel 33. The processing fluid 45 can be supplied, and scattering of the processing fluid 45 to the surroundings is reduced. Therefore, it is possible to prevent the droplets which hinder the irradiation of the ultraviolet rays generated by the scattering of the processing fluid 45, so that the light irradiating means 35 is disposed in the processing space 38 of the processing tank 31 and no problem occurs.
[0063]
When the distance between the substrate 36 and the ultraviolet transmitting panel 33 is small, the processing fluid 45 is supplied to the gap unless the nozzle portion 53 is provided between the substrate 36 and the ultraviolet transmitting panel 33. It can be difficult. Even in such a case, by forming the guide surface 46, the processing fluid 45 can be smoothly supplied without inserting the nozzle portion 53 between the substrate 36 to be processed and the ultraviolet transmitting panel 33. Can be. By providing the guide surface 43, the nozzle portion 53 can be arranged on the side of the ultraviolet transmitting panel 33, so that the nozzle portion 53 can be formed in accordance with the supply amount of the processing fluid 45, and the nozzle portion 53 can be formed. The degree of freedom in the arrangement of the components is improved.
[0064]
The guide surface 46 is, for example, a flat surface, and an inclination angle θ2 of the guide surface 46 with respect to one surface 36A of the substrate 36 is selected to be, for example, not less than 5 ° and less than 60 °.
[0065]
Further, in the area where the guide surface 46 is formed, the flow path cross-sectional area formed by the guide surface 46 and the substrate 36 to be processed becomes smaller from the upstream side to the downstream side in the flow direction of the processing fluid 45. Thereby, the flow velocity of the processing fluid 45 increases toward the downstream side, and the separation body can be more efficiently removed by a physical action caused by the flow of the processing fluid 45.
[0066]
In addition, since the holding unit 32 includes the driving unit 41, the resist layer 37 can be removed while transporting the substrate 36, so that even if the sizes of the plurality of substrates 36 are different. It is not necessary to change the dimensions of the ultraviolet transmission panel 33 and the arrangement of the light irradiation means 35, and the resist processing can be performed with the same configuration. As described above, the same effect can be achieved even when processing the target substrates 36 having various sizes.
[0067]
Further, in the resist processing apparatus 30, since the resist layer 37 is removed while transporting the substrate 36, the dimensions of the ultraviolet transmitting panel 33 and the light irradiation means 35 in the transport direction of the substrate 36 are adjusted. It is not necessary to form them according to the size, and these can be configured to be smaller than the size of the substrate 36 in the transport direction. Therefore, the size of the resist processing apparatus 1 can be reduced, and the installation space can be reduced.
[0068]
The transport means 42 transports the substrate 36 by a plurality of drive rollers 42, so that a processing fluid 45, which will be described later, supplied to one surface 36 </ b> A of the substrate 36 Even if the processing fluid 45 wraps around the other surface 36 </ b> B contacting the processing fluid 45, the wrapped processing fluid 45 can be dropped downward. As a result, it is possible to prevent the processing fluid 45 from entering between the processing target substrate 36 and the transporting unit 42 and causing them to adhere to each other.
[0069]
The support means 32 supports the substrate to be processed 36 from below. Since the substrate 36 to be processed is supported from below, it does not cover one surface 36A of the substrate 36 on which the resist layer 37 is formed, so that the ultraviolet rays irradiated to this region are not hindered.
[0070]
Further, since the resist processing is performed by moving the processing target substrate 36 by the driving unit 41, a plurality of processing target substrates 36 can be processed continuously. Therefore, the efficiency of the resist processing is improved as compared with the case where the substrates to be processed 36 are accommodated one by one in the processing space 38 by, for example, a robot arm.
[0071]
In the present embodiment, the ultraviolet transmission panel 33 and the nozzle unit 53 are fixed at predetermined positions. However, in another embodiment of the present invention, the ultraviolet transmission panel 33 and the nozzle unit 53 are predetermined. It may be fixed so as to be displaceable within a range. Accordingly, it is possible to cope with various resist processes of the substrate 36 to be processed.
[0072]
In the present embodiment, the substrate to be processed 36 is transported by the driving unit 41. However, in another embodiment of the present invention, the substrate to be processed 36 is stopped at a predetermined position, The transmission panel 33 and the ultraviolet fluorescent lamp 55 may be moved. Even with such a configuration, the same effect as that of the above-described resist device 1 can be achieved.
[0073]
In another embodiment of the present invention, the surface of the recess 63 facing the groove 64 may not be completely smooth. Even in this case, the ultraviolet light emitted from the light irradiation means 35 passes through the surface 65 between the grooves 64 where the grooves 64 are not processed, so that the same effect can be achieved.
[0074]
FIG. 3 is a sectional view showing an ultraviolet transmitting panel 70 of a resist removing apparatus according to another embodiment of the present invention. The resist removing apparatus of the present embodiment has a configuration similar to that of the resist removing apparatus 30 of the above-described embodiment, and differs only in the configuration of the ultraviolet transmission panel. Therefore, the same components as those of the above-described resist removing device 30 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
[0075]
The ultraviolet transmitting panel 70 of the resist removing apparatus of the present embodiment is different from the ultraviolet transmitting panel 33 of the resist removing apparatus 30 only in the configuration of the interference part. The interference portion 71 of the ultraviolet transmission panel 70 is provided on a surface 72 facing the substrate 36 held by the holding means 32 of the ultraviolet transmission panel 70, and has a plurality of recesses extending in a direction intersecting the flow of the processing fluid 45. 73. The concave portion 73 is provided over the entire region of the ultraviolet irradiation region L1.
[0076]
The concave portion 73 has a groove 74 having a substantially wedge-shaped cross section formed by a virtual plane parallel to the flow direction of the processing fluid 45, that is, the transport direction of the substrate 36, and parallel to the thickness direction of the substrate 36. It is constituted by being formed. The concave portion 73 extends in a direction intersecting the flow of the processing fluid 45, and is formed over the entire region facing the substrate 36 in this direction. In the present embodiment, the direction intersecting the flow of the processing fluid 45 is a direction perpendicular to the direction of the flow of the processing fluid 45, that is, a direction parallel to the axial direction of the drive roller 42, and the concave portion 73 is linearly formed. Extend.
[0077]
The groove 74 of the concave portion 73 has a predetermined depth H2 and a predetermined width W2. H2 is selected, for example, from 0.5 mm to less than 2 mm, and W2 is selected, for example, from 0.5 mm to less than 5 mm. The distance L4 between the adjacent grooves 64 is selected, for example, to be 0.5 mm or more and less than 1 mm.
[0078]
Thereby, the same effects as those of the resist removing apparatus 1 according to the above-described embodiment can be achieved.
[0079]
The surface of each groove 74 and the surface 75 between each groove 74 are formed smoothly. The recess 73 is formed by cutting using a cutting tool having a desired shape. Ultrasonic vibration is applied to the cutting tool used for cutting. Thereby, the cutting resistance is reduced, and the grooves 74 of a good processed surface with small surface roughness can be formed.
[0080]
In another embodiment of the present invention, the surface of the recess 73 facing the groove 74 does not have to be completely smooth. Even in this case, since the ultraviolet light emitted from the light irradiation means 35 passes through the surface 75 between the grooves 74 where the grooves 74 are not processed, the same effect can be achieved.
[0081]
FIG. 4 is a sectional view showing an ultraviolet transmitting panel 80 of a resist removing apparatus according to another embodiment of the present invention. The resist removing apparatus of the present embodiment has a configuration similar to that of the resist removing apparatus 30 of the above-described embodiment, and differs only in the configuration of the ultraviolet transmission panel. Therefore, the same components as those of the above-described resist removing device 30 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
[0082]
The ultraviolet transmitting panel 80 of the resist removing apparatus of the present embodiment is different from the ultraviolet transmitting panel 33 of the resist removing apparatus 30 only in the configuration of the interference unit. The interference portion 81 of the ultraviolet transmission panel 80 is provided on a surface 82 facing the substrate 36 held by the holding means 32 of the ultraviolet transmission panel 80, and has a plurality of recesses extending in a direction intersecting the flow of the processing fluid 45. 83. The concave portion 83 is provided over the entire region of the ultraviolet irradiation region L1. A surface 83A of the recess 83 facing the groove 84 has a curved shape.
[0083]
The concave portion 83 has a groove 84 having a substantially semi-circular cross section formed by a virtual plane parallel to the flow direction of the processing fluid 45, that is, the transport direction of the substrate 36, and parallel to the thickness direction of the substrate 36. Is formed. The recess 83 extends in a direction intersecting the flow of the processing fluid 45 and is formed over the entire region facing the substrate 36 in this direction. In the present embodiment, the direction intersecting the flow of the processing fluid 45 is a direction perpendicular to the direction of the flow of the processing fluid 45, that is, a direction parallel to the axial direction of the driving roller 42, and the concave portion 83 is linearly formed. Extend.
[0084]
The groove 84 of the recess 83 has a predetermined depth H3 and a predetermined width W3. H3 is selected, for example, from 0.5 mm to less than 2 mm, and W3 is selected, for example, from 0.5 mm to less than 5 mm. The distance L5 between the adjacent groove 64 is selected, for example, to be 0.5 mm or more and less than 1 mm.
[0085]
As a result, the same effects as those of the resist removing apparatus 1 according to the above-described embodiment can be achieved.
[0086]
The surface of each groove 84 and the surface 85 between each groove 84 are formed smoothly. The recess 83 is formed by cutting using a cutting tool having a desired shape. Ultrasonic vibration is applied to the cutting tool used for cutting. Thereby, the cutting resistance is reduced, and the groove 84 having a good processed surface with a small surface roughness can be formed.
[0087]
In another embodiment of the present invention, the surface 83A of the recess 83 facing the groove 84 may not be completely smooth. Even in this case, the same effect can be achieved because the ultraviolet light emitted from the light irradiation means 35 passes through the surface 85 between the grooves 84 where the grooves 84 have not been processed.
[0088]
Further, the concave portion 83 may be formed by an etching process.
FIG. 5 is a cross-sectional view for explaining a step of forming the concave portion 83 of the ultraviolet transmitting panel 80 by using an etching process. FIG. 5A is a cross-sectional view illustrating the ultraviolet transmitting panel 80 after the first step. In the first step, a resist 86 is applied and formed on the surface of the base material 84 which is the ultraviolet transmitting panel 80, and the slit-like opening 87 is patterned by photolithography or the like.
[0089]
FIG. 5B is a cross-sectional view illustrating the ultraviolet transmitting panel 80 after the completion of the second step. In the second step, the base material 84 is etched through the slit-shaped opening 87. When the base material 84 is quartz glass, a hydrofluoric acid-based etchant can be used. The recess 83 having the curved surface 83A is formed by this etching process.
[0090]
FIG. 5C is a cross-sectional view illustrating the ultraviolet transmitting panel 80 after the third step. After the completion of the second step, the concave portion 83 can be formed in the ultraviolet transmitting panel 80 by removing the resist 86. As described above, the interference portion 81 can be easily formed by a general processing step in the semiconductor manufacturing step.
[0091]
FIG. 6 is a sectional view showing an ultraviolet transmitting panel 90 of a resist removing apparatus according to another embodiment of the present invention. The resist removing apparatus of the present embodiment has a configuration similar to that of the resist removing apparatus 30 of the above-described embodiment, and differs only in the configuration of the ultraviolet transmission panel. Therefore, the same components as those of the above-described resist removing device 30 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
[0092]
The ultraviolet transmitting panel 90 of the resist removing apparatus of the present embodiment is different from the ultraviolet transmitting panel 33 of the resist removing apparatus 30 only in the configuration of the interference part. The interference portion 91 of the ultraviolet transmission panel 90 is provided on a surface 92 facing the substrate 36 held by the holding means 32 of the ultraviolet transmission panel 90, and has a plurality of protrusions extending in a direction intersecting the flow of the processing fluid 45. It comprises a part 93. The convex portion 93 is provided over the entire region of the ultraviolet irradiation region L1. That is, the difference between the ultraviolet transmitting panel 90 and the ultraviolet transmitting panel 33 shown in FIG. 1 is that the interference portion 91 is constituted by the convex portion 93.
[0093]
The cross-sectional shape of the convex portion 93 by a virtual plane parallel to the flow direction of the processing fluid 45, that is, the transport direction of the substrate 36, and parallel to the thickness direction of the substrate 36 is rectangular. The protrusion 93 extends in a direction intersecting the direction of the flow of the processing fluid 45, and is formed over the entire region facing the substrate 36 in this direction. In the present embodiment, the direction intersecting the flow of the processing fluid 45 is a direction perpendicular to the direction of the flow of the processing fluid 45, that is, a direction parallel to the axial direction of the drive roller 42, and the convex portion 93 has a linear shape. Extend to.
[0094]
The protrusion 93 has a predetermined height H4 and a predetermined width W4. H4 is selected, for example, from 0.5 mm to less than 2 mm, and W4 is selected, for example, from 0.5 mm to less than 1 mm. The distance L6 between the adjacent convex portions 93 is selected to be, for example, 0.5 mm or more and less than 5 mm.
[0095]
Since the convex portion 93 extends in a direction intersecting the flow of the processing fluid 35, the flow path cross-sectional area of the processing fluid 45 is reduced along the direction in which the processing fluid 45 flows between the substrate 36 to be processed and the ultraviolet transmitting panel 33. Can be changed. By changing the flow path cross-sectional area in this manner, turbulence can be easily generated in the flow of the processing fluid 45. As a result, the same effects as those of the resist removing apparatus 1 according to the above-described embodiment can be achieved.
[0096]
When the processing fluid 45 collides with the convex portion 93, the processing fluid 45 is guided toward the substrate 36 by the convex portion 93, so that the efficiency is high in the vicinity of the ultraviolet transmitting panel 33 on the upstream side in the ultraviolet irradiation direction. The reactive active species that is generated in the process can be efficiently diffused to the vicinity of the substrate 36 on which the resist layer 37 is formed. Therefore, the concentration of the reactive species contained in the processing fluid 45 near the substrate 36 can be further improved, and the processing speed for decomposing and removing the resist in the resist layer 37 can be further improved.
[0097]
The surface of each projection 93 and the surface 95 between each projection 93 are formed smoothly. The protrusion 93 is formed by cutting using a cutting tool having a desired shape. Ultrasonic vibration is applied to the cutting tool used for cutting. As a result, the cutting resistance is reduced, and the convex portions 93 having a good processed surface with small surface roughness can be formed.
[0098]
The protrusion 93 may be formed by, for example, a lift-off method.
FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a step of forming the interference portion 91 of the ultraviolet transmitting panel 90 using the lift-off method. FIG. 7A is a cross-sectional view illustrating the ultraviolet transmitting panel 90 after the first step. In the first step, a resist 96 is applied and formed on the surface of the base material 94 as the ultraviolet transmitting panel 90, and the slit-like opening 97 is patterned by photolithography or the like.
[0099]
FIG. 7B is a cross-sectional view illustrating the ultraviolet transmitting panel 90 after the completion of the second step. In the second step, the film forming material 98 is formed by a film forming technique such as sputtering and vapor deposition. As a result, the film forming substance 98 is lifted off on the surface of the base material 94 through the slit-shaped opening 97. The film forming material 98 is a material that transmits ultraviolet light, for example, SiO 2 2 This is realized by a sputtered film.
[0100]
FIG. 7C is a cross-sectional view illustrating the ultraviolet transmitting panel 90 after the third step. After the completion of the second step, the rectangular projection 93 is provided on the ultraviolet transmitting panel 90 by removing the resist 96. As described above, the interference portion 91 can be easily formed by a general processing step in the semiconductor manufacturing process.
[0101]
In another embodiment of the present invention, the surface of the projection 93 does not have to be completely smooth. Even in this case, since the ultraviolet light emitted from the light irradiation means 35 passes through the surface 95 between the convex portions 93, the same effect can be achieved.
[0102]
FIG. 8 is a sectional view showing an ultraviolet transmitting panel 100 of a resist removing apparatus according to another embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a perspective view of the ultraviolet transmitting panel 100. The resist removing apparatus of the present embodiment has a configuration similar to that of the resist removing apparatus 30 of the above-described embodiment, and differs only in the configuration of the ultraviolet transmission panel 45. Therefore, the same components as those of the above-described resist removing device 30 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
[0103]
The ultraviolet transmitting panel 100 of the resist removing apparatus of the present embodiment is different from the ultraviolet transmitting panel 33 of the above-described resist removing apparatus 30 only in the configuration of the interference unit. The interference portion 101 of the ultraviolet transmitting panel 100 is provided on a surface 102 facing the substrate 36 held by the holding means 32 of the ultraviolet transmitting panel 100, and has a plurality of protrusions extending in a direction intersecting the flow of the processing fluid 45. It comprises a part 103. The convex portion 103 is provided over the entire region of the ultraviolet irradiation region L1.
[0104]
The cross-sectional shape of the convex portion 103 along a virtual plane parallel to the flow direction of the processing fluid 45, that is, the transport direction of the processing target substrate 36, and parallel to the thickness direction of the processing target substrate 36 is a wedge shape. The convex portion 103 extends in a direction parallel to the axial direction of the drive roller 42, that is, in a direction perpendicular to the flow direction of the processing fluid 45, and is formed over the entire region facing the substrate 36 in this direction. In the present embodiment, the direction intersecting the flow of the processing fluid 45 is a direction perpendicular to the direction of the flow of the processing fluid 45, that is, a direction parallel to the axial direction of the drive roller 42, and the convex portion 103 has a linear shape. Extend to.
[0105]
The protrusion 103 has a predetermined height H5 and a predetermined width W5. H5 is selected, for example, from 0.5 mm to less than 2 mm, and W5 is selected, for example, from 0.5 mm to less than 1 mm. The distance L7 between the adjacent convex portions 103 is selected to be, for example, 0.5 mm or more and less than 5 mm.
[0106]
As a result, the same effects as those of the resist removing apparatuses of the above-described embodiments can be achieved.
[0107]
The surface of each projection 103 and the surface 105 between each projection 103 are formed smoothly. The protrusion 103 is formed by cutting using a cutting tool having a desired shape. Ultrasonic vibration is applied to the cutting tool used for cutting. As a result, the cutting resistance is reduced, and it is possible to form the convex portion 103 having a good processed surface with a small surface roughness. In addition, in order to form the processed surface of the convex portion 103 as smooth as possible and to improve ultraviolet transmittance, spin-on glass (Spin On Glass: abbreviated as SOG) is applied to the roughened surface after the cutting process, followed by baking and smoothing. May be.
[0108]
With such a convex portion 103, the ultraviolet light irradiated from the light irradiation means 33 can be refracted and collected below the convex portion 103. Can be promoted.
[0109]
FIG. 10 is a cross-sectional view showing, on an enlarged scale, the convex portion 103 of the ultraviolet ray transmitting panel 100, and shows how the convex portion 103 collects ultraviolet light. The ultraviolet light irradiated by the light irradiation means 33 enters the ultraviolet transmission panel 100 and exits from the inside of the ultraviolet transmission panel 100, due to the difference in the refractive index between the ultraviolet transmission panel 100 and the processing fluid 45. Refracted. By making the refractive index n1 of the ultraviolet transmitting panel 100 larger than the refractive index n2 of the processing fluid 45 (n1> n2), as shown by a virtual line in FIG. Can be collected.
[0110]
When the processing fluid 45 collides with the convex portion 103, the processing fluid 45 is guided toward the substrate 36 by the convex portion 103. Therefore, as shown by an arrow C in FIG. Reactive active species efficiently generated in the vicinity of the ultraviolet transmitting panel 33 on the side can be efficiently diffused in the vicinity of the substrate 36 on which the resist layer 37 is formed. Further, since the illuminance of ultraviolet rays in the region below the convex portion 103 can be increased, the generation of reactive species in this region can be promoted. Therefore, the concentration of the reactive species contained in the processing fluid 45 near the processing target substrate 36 can be further improved, and the processing speed for decomposing and removing the resist of the resist layer 37 can be further improved.
[0111]
FIG. 11 is a sectional view showing an ultraviolet transmitting panel 110 of a resist removing apparatus according to another embodiment of the present invention. The resist removing apparatus of the present embodiment has a configuration similar to that of the resist removing apparatus 30 of the above-described embodiment, and differs only in the configuration of the ultraviolet transmission panel. Therefore, the same components as those of the above-described resist removing device 30 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
[0112]
The ultraviolet transmitting panel 110 of the resist removing apparatus according to the present embodiment is different from the ultraviolet transmitting panel 33 of the resist removing apparatus 30 only in the configuration of the interference unit. The interference portion 111 of the ultraviolet transmission panel 110 is provided on a surface 112 facing the substrate 36 held by the holding means 32 of the ultraviolet transmission panel 100, and has a plurality of protrusions extending in a direction intersecting the flow of the processing fluid 45. It comprises a part 113. The protrusion 113 is provided over the entire region of the ultraviolet irradiation region L1.
[0113]
The surface 113A of the projection 113 has a curved shape. The cross-sectional shape of the projection 113 by a virtual plane parallel to the flow direction of the processing fluid 45, that is, the transport direction of the processing target substrate 36, and parallel to the thickness direction of the processing target substrate 36 is a semicircular arc shape. The protrusion 93 extends in a direction intersecting the direction of the flow of the processing fluid 45, and is formed over the entire region facing the substrate 36 in this direction. In the present embodiment, the direction intersecting the flow of the processing fluid 45 is a direction perpendicular to the direction of the flow of the processing fluid 45, that is, a direction parallel to the axial direction of the drive roller 42, and the convex portion 113 has a linear shape. Extend to.
[0114]
The protrusion 113 has a predetermined height H6 and a predetermined width W7. H6 is selected, for example, from 0.5 mm to less than 2 mm, and W7 is selected, for example, from 0.5 mm to less than 1 mm. The distance L8 between the adjacent convex portions 113 is selected to be, for example, 0.5 mm or more and less than 5 mm.
[0115]
As a result, the same effects as those of the resist removing apparatuses of the above-described embodiments can be achieved.
[0116]
The surface of each projection 113 and the surface 115 between each projection 113 are formed smoothly. The protrusion 113 is formed by cutting using a cutting tool having a desired shape. Ultrasonic vibration is applied to the cutting tool used for cutting. As a result, the cutting resistance is reduced, and the convex portions 113 having a good processed surface with small surface roughness can be formed. Further, in order to improve the transmittance of ultraviolet rays by forming the processed surface of the convex portion 113 as smooth as possible, spin-on glass (Spin On Glass: abbreviated as SOG) is applied to the roughened surface after cutting, and then baked and smoothed. May be.
[0117]
The convex portion 113 refracts the ultraviolet light emitted from the light irradiating means 33 and collects the ultraviolet light below the convex portion 113. Can be promoted.
[0118]
FIG. 12 is a cross-sectional view showing the convex portion 113 of the ultraviolet transmitting panel 110 in an enlarged manner, and shows how the convex portion 113 collects ultraviolet light. The ultraviolet light irradiated by the light irradiation means 33 enters the ultraviolet light transmitting panel 110 and exits from the inside of the ultraviolet light transmitting panel 110 due to the difference in the refractive index between the ultraviolet light transmitting panel 110 and the processing fluid 45. Refracted. By making the refractive index n1 of the ultraviolet transmitting panel 110 larger than the refractive index n2 of the processing fluid 45 (n1> n2), as shown by a virtual line in FIG. Can be collected. Therefore, the illuminance of the ultraviolet rays in the region below the protrusion 113 can be increased.
[0119]
When the processing fluid 45 collides with the convex portion 113, the processing fluid 45 is guided toward the substrate 36 by the convex portion 113, so that the upstream side in the ultraviolet irradiation direction as shown by the arrow D in FIG. The reactive active species efficiently generated in the vicinity of the ultraviolet transmitting panel 33 on the side can be efficiently diffused in the vicinity of the substrate 36 on which the resist layer 37 is formed. Further, since the illuminance of ultraviolet rays in the region below the convex portion 103 can be increased, the generation of reactive species in this region can be promoted. Therefore, the concentration of the reactive species contained in the processing fluid 45 near the processing target substrate 36 can be further improved, and the processing speed for decomposing and removing the resist of the resist layer 37 can be further improved.
[0120]
The protrusion 113 may be formed by, for example, lift-off and polishing.
FIG. 13 is a cross-sectional view illustrating a process of forming the interference portion 111 on the ultraviolet transmitting panel 110 using lift-off and polishing. FIGS. 13 (1) to 13 (3) are cross-sectional views showing the ultraviolet transmitting panel 100 after the completion of the first to third steps, respectively. 7) to FIG. 7 (3), which are the same as the steps for producing the ultraviolet transmitting panel 90, and a description thereof is omitted.
[0121]
FIG. 13D is a cross-sectional view illustrating the ultraviolet transmitting panel 100 after the fourth step is completed. In the fourth step, the film-forming substance formed on the ultraviolet transmitting panel 110 is polished. The convex portion 113 having a curved shape is formed.
[0122]
The recess 113 may be formed by, for example, a shadow mask method.
FIG. 14 is a cross-sectional view illustrating a step of forming the interference section 111 on the ultraviolet ray transmitting panel 110 using the shadow mask method. FIG. 14A is a cross-sectional view showing the ultraviolet transmitting panel 110 after the completion of the first step. First, in a first step, a resist 115 is applied and formed on a substrate 114 as an ultraviolet transmitting panel 110 on which a sacrificial layer 121 made of a film of pure aluminum or the like, which can be removed by etching with a chemical, is formed. Is patterned by photolithography or the like.
[0123]
FIG. 14B is a cross-sectional view showing the ultraviolet transmitting panel 110 after the completion of the second step. In the second step, the sacrifice layer 121 is etched through the slit-like opening 116. As a result, the sacrificial layer 121 is removed, and an etching opening 122 having a larger slit width than the slit-shaped opening 116 is formed.
[0124]
FIG. 14C is a cross-sectional view illustrating the ultraviolet transmitting panel 110 after the completion of the third step. In the third step, when the film forming material 118 is formed by a method such as sputtering and vapor deposition, the film forming material 98 is lifted off to the surface of the base material 114 through the slit-like opening 116 and the etching opening 122. At this time, since the slit-shaped opening 116 is formed at a position separated by a predetermined distance from the surface of the base material 114, the film-forming substance 98 has the largest film thickness immediately below the slit-shaped opening 116, The film thickness becomes smaller toward both ends. As a result, as shown in FIG. 14C, the film is formed with a distribution in the film thickness.
[0125]
FIG. 14D is a cross-sectional view illustrating the ultraviolet transmitting panel 110 after the fourth step is completed. In the fourth step, the resist 115 and the sacrificial layer 121 are removed by etching. Thus, the projection 113 made of a film-forming substance can be provided on the ultraviolet transmitting panel 110. As described above, the interference part 111 can be easily formed by a general processing step in the semiconductor manufacturing process.
[0126]
In another embodiment of the present invention, the driving unit 41 may be realized by a belt conveyor.
[0127]
In another embodiment of the present invention, the interference portion of each of the above-described ultraviolet transmitting panels may be provided by combining the above-described concave portion and convex portion. In addition, the concave portions or the convex portions may be randomly provided on a surface of the ultraviolet transmitting panel facing the substrate 36 to be processed.
[0128]
In each of the above-described embodiments, the direction in which the concave portion and the convex portion extend may be a direction inclined at a predetermined angle from a direction perpendicular to the flow of the processing fluid 45. It may extend in a curved shape.
[0129]
Further, in another embodiment of the present invention, the ultraviolet transmitting panel 33 may be provided slightly inclined in the direction of the flow of the processing fluid 45 with respect to the substrate 36 to be processed.
[0130]
In another embodiment of the present invention, the means for generating the turbulence in the flow of the processing fluid 45 may not be the above-described ultraviolet irradiation panel. For example, the processing fluid 45 may be supplied as a turbulent flow between the substrate 36 and the ultraviolet irradiation panel 33 by the processing fluid supply unit 53.
[0131]
In another embodiment of the present invention, the processing fluid 45 may be a gas containing ozone.
[0132]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, a reactive active species efficiently generated in the vicinity of the ultraviolet transmitting panel on the upstream side in the irradiation direction of ultraviolet light is diffused to the vicinity of the substrate on which the resist layer is formed. Can be. Therefore, the concentration of the reactive species contained in the processing fluid near the substrate to be processed can be improved, and the concentration of the reactive species contained in the processing fluid can be made uniform. The processing speed for decomposing and removing the resist can be improved, and the resist layer can be removed uniformly.
[0133]
Further, according to the present invention, since the plurality of protrusions extend in a direction intersecting the flow of the processing fluid, the flow path of the processing fluid flows along the direction in which the processing fluid flows between the substrate to be processed and the ultraviolet transmitting panel. The cross-sectional area can be varied. By changing the cross-sectional area of the flow path in this manner, turbulence can be easily generated in the flow of the processing fluid.
[0134]
When the processing fluid collides with the convex portion, the convex portion guides the processing fluid toward the substrate to be processed, so that the reactivity generated efficiently near the ultraviolet transmitting panel on the upstream side in the ultraviolet irradiation direction. The active species can be efficiently diffused to the vicinity of the substrate on which the resist layer is formed. Therefore, the concentration of the reactive species contained in the processing fluid near the substrate to be processed can be further improved, and the processing speed for decomposing and removing the resist in the resist layer can be further improved.
[0135]
Further, according to the present invention, since the plurality of recesses extend in a direction intersecting the flow of the processing fluid, the flow path of the processing fluid is cut along the flow direction of the processing fluid between the substrate to be processed and the ultraviolet ray transmitting panel. The area can be changed. By changing the cross-sectional area of the flow path in this manner, turbulence can be easily generated in the flow of the processing fluid.
[0136]
Further, according to the present invention, even if there is a difference in the turbulence generated in the flow of the processing fluid between the region where the interference portion of the ultraviolet transmitting panel is provided and the remaining region, as described above, By changing the position, the processing fluid can be supplied to all regions of the substrate to be processed in the same state, so that the accuracy of uniformly removing the resist layer is improved.
[0137]
In addition, by moving the substrate to be processed from the downstream side to the upstream side with respect to the flow of the processing fluid, the resist is decomposed, and the separated body that has been separated from the substrate to be processed adheres again to the area where the resist has been removed. Is prevented.
[0138]
Further, according to the present invention, the processing fluid can be prevented from being scattered, and the processing fluid can be accurately supplied between the substrate to be processed and the ultraviolet transparent panel.
[0139]
In addition, since the flow path cross-sectional area decreases from the upstream side to the downstream side, the flow rate of the processing fluid increases, and the physical effect of the flow of the processing fluid increases the efficiency of the resist layer. Can be removed.
[0140]
Further, according to the present invention, the concentration of the reactive species contained in the processing fluid near the substrate to be processed can be improved, and the concentration of the reactive species contained in the processing fluid can be made uniform. In addition, the processing speed for decomposing and removing the resist in the resist layer can be improved, and the resist layer can be uniformly removed.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of a resist processing apparatus 30 according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a perspective view showing a configuration of an ultraviolet transmission panel 33.
FIG. 3 is a sectional view showing an ultraviolet transmitting panel 70 of a resist removing apparatus according to another embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a sectional view showing an ultraviolet transmitting panel 80 of a resist removing apparatus according to another embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a cross-sectional view for explaining a step of forming a concave portion 83 of the ultraviolet transmitting panel 80 by an etching process.
FIG. 6 is a sectional view showing an ultraviolet transmitting panel 90 of a resist removing apparatus according to another embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a process of creating an interference portion 91 of the ultraviolet transmitting panel 90 using lift-off.
FIG. 8 is a sectional view showing an ultraviolet transmitting panel 100 of a resist removing apparatus according to another embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a perspective view of the ultraviolet transmitting panel 100.
FIG. 10 is an enlarged cross-sectional view showing a convex portion 103 of the ultraviolet transmitting panel 100.
FIG. 11 is a sectional view showing an ultraviolet transmitting panel 110 of a resist removing apparatus according to another embodiment of the present invention.
FIG. 12 is an enlarged cross-sectional view showing a convex portion 113 of the ultraviolet transmitting panel 110.
FIG. 13 is a cross-sectional view illustrating a process of forming an interference portion 111 on the ultraviolet transmitting panel 110 by using lift-off and polishing.
FIG. 14 is a cross-sectional view illustrating a step of forming an interference portion 111 on the ultraviolet transmitting panel 110 using a shadow mask method.
FIG. 15 is a diagram schematically showing a configuration of a resist processing apparatus 1 according to a first conventional technique.
FIG. 16 is a diagram schematically showing a configuration of a resist processing apparatus 10 according to a second conventional technique.
[Explanation of symbols]
30 resist processing equipment
31 Treatment tank
32 holding means
33, 70, 80, 90, 100, 110 UV transmitting panel
34 Processing fluid supply means
35 Light irradiation means
36 Substrate to be processed
37 Resist layer
38 Processing space
41 Drive unit
45 Processing fluid
46 Guideway
61, 71, 81, 91, 101, 111 interference part
63, 73, 83 recess
93, 103, 113 convex part

Claims (6)

オゾンを含む処理流体をレジスト層が形成された被処理基板に供給しながら、その被処理基板に紫外線を透過する紫外線透過パネルを介して紫外線を照射し、この紫外線の照射によって発生した反応活性種によって被処理基板のレジスト層のレジストを分解して除去するレジスト処理装置において、
前記紫外線透過パネルが設けられ、かつ前記紫外線透過パネルの下方に間隔をあけて配置される被処理基板が収容される処理空間を有する処理槽と、
処理槽の処理空間に被処理基板を保持する保持手段と、
処理槽の処理空間で前記保持手段によって保持される被処理基板と紫外線透過パネルとの間に、処理流体を供給する処理流体供給手段とを含み、
前記紫外線透過パネルには、処理流体供給手段から供給される処理流体の流れに干渉する干渉部が設けられることを特徴とするレジスト処理装置。While supplying a processing fluid containing ozone to the substrate on which the resist layer is formed, the substrate is irradiated with ultraviolet rays through an ultraviolet transmitting panel that transmits ultraviolet rays, and reactive species generated by the irradiation of the ultraviolet rays are irradiated. In the resist processing apparatus for decomposing and removing the resist of the resist layer of the substrate to be processed,
A processing tank having a processing space in which the ultraviolet light transmitting panel is provided, and a substrate to be processed arranged at an interval below the ultraviolet light transmitting panel is accommodated;
Holding means for holding the substrate to be processed in the processing space of the processing tank,
A processing fluid supply unit for supplying a processing fluid between the substrate to be processed and the ultraviolet transmitting panel held by the holding unit in the processing space of the processing tank,
A resist processing apparatus, wherein the ultraviolet transmission panel is provided with an interference unit that interferes with the flow of the processing fluid supplied from the processing fluid supply unit. 前記干渉部は、紫外線透過パネルの前記保持手段に保持される被処理基板に臨む表面に設けられ、前記処理流体の流れに交差する方向に延びる複数の凸部から成ることを特徴とする請求項１記載のレジスト処理装置。The said interference part is provided in the surface facing the to-be-processed board | substrate hold | maintained by the said holding | maintenance means of the ultraviolet transmission panel, Comprising: It comprises a several convex part extended in the direction which cross | intersects the flow of the said processing fluid. 2. The resist processing apparatus according to 1. 前記干渉部は、紫外線透過パネルの前記保持手段に保持される被処理基板に臨む表面に設けられ、前記処理流体の流れに交差する方向に延びる複数の凹部から成ることを特徴とする請求項１記載のレジスト処理装置。2. The interference unit according to claim 1, wherein the interference unit includes a plurality of concave portions provided on a surface of the ultraviolet transmission panel facing the substrate held by the holding unit and extending in a direction intersecting the flow of the processing fluid. The resist processing apparatus according to the above. 前記保持手段は、被処理基板を処理空間で前記処理流体の流れに対して下流側から上流側へ移動させる駆動部を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載のレジスト処理装置。4. The apparatus according to claim 1, wherein the holding unit includes a driving unit configured to move the substrate to be processed from a downstream side to an upstream side with respect to the flow of the processing fluid in the processing space. 5. Resist processing equipment. 前記紫外線透過パネルには、処理流体供給手段から供給される処理流体の流れの方向下流側から上流側になるにつれて被処理基板の前記紫外線透過パネルに臨む表面から離反する方向に傾斜する案内面が形成されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載のレジスト処理装置。The ultraviolet transmitting panel has a guide surface that is inclined in a direction away from the surface of the substrate to be processed facing the ultraviolet transmitting panel as going from the downstream side to the upstream side of the flow direction of the processing fluid supplied from the processing fluid supply unit. The resist processing apparatus according to claim 1, wherein the resist processing apparatus is formed. オゾンを含む処理流体をレジスト層が形成された被処理基板に供給しながら、その被処理基板に紫外線を透過する紫外線透過パネルを介して紫外線を照射し、この紫外線の照射によって発生した反応活性種によって被処理基板のレジスト層のレジストを分解して除去するレジスト処理方法において、
上部に前記紫外線透過パネルが設けられる処理槽の処理空間に、前記紫外線透過パネルから間隔をあけて配置される被処理基板を収容し、
処理槽に収容された被処理基板と紫外線透過パネルとの間に処理流体を供給し、
前記処理流体の流れを、被処理基板と紫外線透過パネルとの間に供給された処理流体の流れに乱れを発生させることを特徴とするレジスト処理方法。While supplying a processing fluid containing ozone to the substrate on which the resist layer is formed, the substrate is irradiated with ultraviolet rays through an ultraviolet transmitting panel that transmits ultraviolet rays, and reactive species generated by the irradiation of the ultraviolet rays are irradiated. In the resist processing method of decomposing and removing the resist of the resist layer of the substrate to be processed,
In a processing space of a processing tank provided with the ultraviolet transmission panel at an upper portion, a substrate to be processed arranged at an interval from the ultraviolet transmission panel is accommodated,
Supplying a processing fluid between the substrate to be processed and the ultraviolet transmitting panel accommodated in the processing tank,
A resist processing method, wherein the flow of the processing fluid is disturbed in the flow of the processing fluid supplied between the substrate to be processed and the ultraviolet transmitting panel.
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