JP2004319905A - 高周波集積回路パッケージ及び電子装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】高周波集積回路パッケージ10は、パッケージ基板12の表面に集積回路素子14がフリップチップ実装され、集積回路素子14はパッケージ基板12上で樹脂16で封止され、パッケージ基板の表面には集積回路素子に接続される信号配線26及び接地導体30がコプレーナ線路として設けられ、パッケージ基板の裏面にはパッケージ基板の表面の信号配線に接続される信号配線34及び接地導体36が設けられ、パッケージ基板の裏面の信号配線にははんだボール42が接続されており、パッケージ基板の表面の接地導体と裏面の接地導体とはスルーホール40で接続され、パッケージ基板の表面のコプレーナ線路と裏面の接地導体とからなる線路が形成される構成とする。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は高周波集積回路パッケージ及び電子装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の超高速光通信用集積回路パッケージや、マイクロ及びミリ波集積回路パッケージは、マイクロ波集積回路素子(MMIC)をパッケージ基板にフリップチップ実装して構成されている。パッケージ基板としてはセラミック基板が使用されている。集積回路素子を保護するために、集積回路素子はキャップで気密封止されている(例えば、特許文献1参照)。そして、集積回路素子より出力する信号はパッケージ基板の表面の信号配線からスルーホールを介してパッケージ基板の裏面の信号配線へ取り出される(例えば、特許文献1参照)。しかし、この場合、セラミック基板やキャップは高価な部品であるため、低価格化が難しい。
【0003】
低価格化を実現する方法として、パッケージ基板として安価な有機基板を用い、さらにキャップによる気密封止に代わって、モールド樹脂による封止へ変更することが有効である(例えば、特許文献2、3参照)。例えば、特許文献2では、集積回路素子をモールド樹脂によって封止した場合には、集積回路素子とパッケージ基板との間に入り込んだ樹脂の誘電率が空気よりも大きいために集積回路素子の特性が変化するのを防止するためには、集積回路素子とパッケージ基板との間の樹脂に空洞を設けるようになっている。また、特許文献3では、パッケージ基板として有機基板を用い、パッケージ基板をより薄くしている。
【0004】
【特許文献1】
特開2000−195988号公報
【特許文献2】
特開2001−60642号公報
【特許文献3】
特開2001−127237号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
高周波集積回路パッケージでは、パッケージ基板の表面に信号配線が形成され、この信号配線はスルーホールを介してパッケージ基板の裏面の信号配線に接続される。高周波集積回路パッケージでは、集積回路素子の性能を劣化させることなく信号を取り出すことや、信号のクロストークによる性能劣化を抑制するために信号配線間のアイソレーションを十分確保することが要求されている。このため、パッケージ基板の表面の信号配線は、マイクロストリップ線路、またはコプレーナ線路などの伝送線路で構成される。マイクロストリップ線路においては、パッケージ基板の表面に設けられた信号配線に対して、パッケージ基板の裏面に広い接地導体が設けられる。コプレーナ線路においては、パッケージ基板の表面に、信号配線と、この信号配線の両側にこの信号配線とは間隔をあけて接地導体とが設けられる。
【0006】
高周波集積回路パッケージが周波数が数GHz の領域の信号を扱う場合には、マイクロストリップ線路やコプレーナ線路などの伝送線路によって要求を満足することができる。しかし、より高い周波数の領域の信号を扱う場合には、例えば、30GHz 以上の高周波において使用される高周波集積回路パッケージの場合には、モールド樹脂に起因する以下の問題があった。(a)モールド樹脂は誘電損失が空気の誘電損失に比べて大きいため、パッケージ基板上の配線損失が高周波で大きくなり、集積回路素子の性能を劣化させてしまう。(b)モールド樹脂は比誘電率が空気の比誘電率に比べて大きいため、信号配線間の容量結合が大きくなり、配線間のアイソレーションが劣化する。(c)半導体集積回路素子にモールド樹脂が付着することから、樹脂の比誘電率が空気の比誘電率に比べて大きいため、寄生容量が増加し、集積回路素子の特性が増加する。
【0007】
本発明の目的は、安価で且つ周波数特性に優れた高周波集積回路パッケージを提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明による高周波集積回路パッケージは、パッケージ基板の表面に集積回路素子がフリップチップ実装され、前記集積回路素子はパッケージ基板上で樹脂で封止され、パッケージ基板の表面には集積回路素子に接続される信号配線及び接地導体がコプレーナ線路として設けられ、パッケージ基板の裏面にはパッケージ基板の表面の信号配線に接続される信号配線及び接地導体が設けられ、パッケージ基板の裏面の信号配線にははんだボールが接続されており、パッケージ基板の表面の接地導体と裏面の接地導体とはスルーホールで接続され、パッケージ基板の表面のコプレーナ線路と裏面の接地導体とからなる線路が形成されることを特徴とするものである。
【0009】
この構成によれば、コプレーナ線路と接地導体とからなる線路を採用することにより、マイクロストリップ線路やコプレーナ線路に比べ、パッケージ基板内に電界を集中させることができるために、モールド樹脂の影響を抑制でき、配線損失を低減することができる。また、同じ理由により、線路間のクロストークが低減され、線路間のアイソレーションを確保することができる。
【0010】
好ましくは、パッケージ基板の表面の接地導体とパッケージ基板の裏面の接地導体は複数のスルーホールによって接続されており、該スルーホールは信号配線に沿って1/2実効波長以下の間隔で設けられている。
【0011】
好ましくは、集積回路素子はマイクロ波集積回路素子からなり、該マイクロ波集積回路素子は基板と複数の配線層及び層間絶縁膜を含む多層配線構造とを備え、前記多層配線構造において、高周波信号を伝送する信号配線が前記信号配線よりも上層にある接地導体によって覆われている。
【0012】
本発明による電子装置は、前記した高周波集積回路パッケージと、該高周波集積回路パッケージにはんだボールを用いて実装されている有機材料製のマザーボードとからなる。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施例について図面を参照して説明する。
【0014】
図1は本発明の実施例による高周波集積回路パッケージを示す断面図である。図2は樹脂モールド前の図1の高周波集積回路パッケージを示す平面図である。図1及び図2において、高周波集積回路パッケージ10は、パッケージ基板12と、パッケージ基板12の表面にフリップチップ実装された集積回路素子14とを備える。集積回路素子14はモールド樹脂16で封止されている。樹脂16aが集積回路素子14とパッケージ基板12との間に充填されている。
【0015】
パッケージ基板12はポリイミド等の有機系絶縁基板からなる。集積回路素子14はマイクロ波集積回路素子(MMIC)からなり、GaAs、InP等の基板(半導体チップ)18の表面にトランジスタ、キャパシタ、および抵抗等のコンポーネントが形成されている。半導体チップ18の表面には配線構造20が設けられる。実施例においては、配線構造20はコプレーナ線路を形成する信号配線22及び接地導体24を含む。22aは信号配線22の端子部である。
【0016】
パッケージ基板12の表面には信号配線26、電源配線28、及び接地導体30が設けられる。集積回路素子14の信号配線22及び電源配線はピラー32によりパッケージ基板12の表面の信号配線26及び電源配線28に接続される。ピラー32ははんだバンプとすることができる。パッケージ基板12の表面の信号配線26及び電源配線28はパッケージ基板12の集積回路素子14に相当する中央部分から外部へほぼ放射状に線状に延びる。接地導体30は少なくとも信号配線26の両側に信号配線26とは間隔をあけて設けられ、パッケージ基板12の表面の信号配線26と接地導体30とはコプレーナ線路を形成する。
【0017】
パッケージ基板12の裏面にはパッケージ基板12の表面の信号配線26、電源配線28、及び接地導体30に接続される信号配線34、電源配線、及び接地導体36が設けられる。パッケージ基板12の表面の信号配線26、電源配線28はそれぞれスルーホール38によりパッケージ基板12の裏面の信号配線34、電源配線に接続される。また、パッケージ基板12の表面の接地導体30はスルーホール40によりパッケージ基板12の裏面の接地導体36に接続される。従って、パッケージ基板12の表面のコプレーナ線路とパッケージ基板12の裏面の接地導体36は特別の線路(グランデドコプレーナ線路という)を形成する。
【0018】
パッケージ基板12の裏面の信号配線34及び電源配線にははんだボール42が接続されている。パッケージ基板12の裏面の信号配線34及び電源配線ははんだボール42を設ける端子としての比較的に小さな面積のものでよく、パッケージ基板12の裏面の接地導体36はほぼ裏面全体を覆う大きな面積をもつように形成されることができる。はんだボール42の材料はSnZnAlやSnAgCuである。また、はんだ搭載のために、はんだ搭載部にレジストの開口部が形成され、はんだは流れないようにすることができる。
【0019】
この構成によれば、グランデドコプレーナ線路を採用することにより、マイクロストリップ線路やコプレーナ線路に比べ、パッケージ基板12内に電界を集中させることができ、よってモールド樹脂16、16aの影響を抑制でき、配線損失を低減することができる。また、同じ理由により、線路間のクロストークが低減され、線路間のアイソレーションを確保することができる。
【0020】
パッケージ基板12の表面の接地導体30は線状の信号配線26の両側に信号配線26とは間隔をあけて設けられる。高周波集積回路パッケージでは信号配線26の本数はそれほど多くなく、接地導体30は比較的に大きな面積を占める。パッケージ基板12の表面の接地導体30とパッケージ基板12の裏面の接地導体36とは、信号配線26の両側に、信号配線26に沿ってほぼ一定のピッチで密に配置されている多数のスルーホール40によって接続されている。従って、各信号配線26は密に配置されているスルーホール40によって隣の信号配線26と分離される。好ましくは、スルーホール40は信号配線26に沿って1/2実効波長以下の間隔aで設けられている。
【0021】
このようにすることで、パッケージ基板12の表面のコプレーナ線路を構成する接地導体30と、パッケージ基板12の裏面の接地導体36との間を伝播する不要モードを抑制することができ、ミリ波以上の周波数においても配線損失の小さいパッケージ基板の配線特性を得ることができる。
【0022】
また、集積回路素子14の基板(半導体チップ)18を化合物半導体(GaAs、InP)で構成すると、Siに比べ電子移動度の大きな能動素子を作製できるため、高性能な高周波集積回路を実現できる。
【0023】
また、パッケージ基板12がポリイミドを用いた基板であるのが好ましい。ポリイミドは50μm程度の薄い基板に形成できるため、放熱性に優れていると同時に、高周波信号をパッケージ基板12の裏面に取り出す際のスルーホール部による反射特性劣化の影響を低減することができる。そのため、高出力でかつ高周波向け半導体集積回路モジュールを実現することができる。
【0024】
図3は本発明の他の実施例による高周波集積回路パッケージを示す断面図である。この実施例は、図1の実施例とほぼ同様であるが、相違点は、マイクロ波集積回路素子(MMIC)からなる集積回路素子14の半導体チップ18の表面の配線構造20にある。
【0025】
図3においては、配線構造20は、複数の配線層20a及び有機系層間絶縁膜20bを含む多層配線構造として構成される。多層配線構造において、高周波信号を伝送する信号配線22が同信号配線22よりも上層(半導体チップ18から遠い層)にある接地導体24によって覆われている。図3においては、広い面積を占める接地導体24が配線構造20の表面にあり、パッケージ基板12の表面のコプレーナ線路を構成する接地導体30と対向している。接地導体24と接地導体30とはスルーホールによって接続される。従って、樹脂16aがパッケージ基板12と集積回路素子14との間に充填されていても、接地導体24と接地導体30との間に形成される寄生容量を防止することができる。
【0026】
信号配線22と接地導体24とはマイクロストリップ線路を形成する。信号配線22がマイクロストリップ線路により電磁界的に外界から遮蔽されるため、モールド樹脂16による半導体チップ18の特性の変化を抑制することができる。そのため、モールド樹脂16で封止した状態で30GHz を越える周波数で動作するMMICモジュールを作製することができる。有機系層間絶縁膜20bはポリイミド(PI)やベンゾサイクロブテン(BCB)を用いることができる。これらの誘導体は誘電率が小さく、低誘電体損失の材料であるため、高周波特性に優れた半導体集積回路を実現できる。
【0027】
この例でも、パッケージ基板12の表面の信号配線26と接地導体30とはコプレーナ線路を形成する。パッケージ基板12の表面の接地導体30はスルーホール40によりパッケージ基板12の裏面の接地導体36に接続される。従って、パッケージ基板12の表面のコプレーナ線路とパッケージ基板12の裏面の接地導体36はグランデドコプレーナ線路を形成する。
【0028】
集積回路素子14とパッケージ基板12を接続するピラー32はメッキ法で形成した金ピラーを用いる。しかし、これはワイヤボンディング法で形成したスタッドバンプでもよい。このピラーやバンプは量産性と精度の観点から集積回路素子12側に形成される。
【0029】
有機パッケージ基板12へのフリップチップ実装は、例えば、無機質のフィラーの入った非導電性樹脂を有機パッケージ基板12に塗布し、次に、集積回路素子14と有機パッケージ基板12とを温度250℃、5秒の条件で圧接することで集積回路素子14と有機パッケージ基板12とを接続することができる。非導電性樹脂の代わりに導電性粒子を含む導電性樹脂でもよく、また300℃以上で接続するAu−Au熱圧着法でもよい。
【0030】
また、集積回路素子14の配線に金を用いたが、銅やアルミであってもよい。また、半導体基板18にGaAsを用いたが、InPでもSiでもよく、ウエハ上に導体層をエピタキシャル成長で形成した基板でも、イオン注入で形成した基板でもよい。有機基板上の配線材料は、チップ搭載面はバンプ材料が金である場合、少なくとも表面は金となっている。裏面は、Cuでも、Cu/Ni/Auでもよい。金は電界メッキ法や無電界メッキ法で作製することができる。
【0031】
図4は本発明による高周波集積回路パッケージ10とマザーボード50とからなる電子装置を示す断面図である。図4の高周波集積回路パッケージ10は図3の高周波集積回路パッケージ10と同じである。ただし、この場合、図1及び図2の高周波集積回路パッケージ10をマザーボード50に搭載することもできる。
【0032】
マザーボード50の表面には信号配線、電源配線および接地導体を形成する導体層52がある。高周波集積回路パッケージ10ははんだボール42を用いてマザーボード50に実装される。すなわち、はんだボール42が導体層52の信号配線、電源配線および接地導体の端子に接続される。
【0033】
マザーボード50には例えばガラスエポキシ基板を用い、同基板上にフラックスを塗布し、次に、高周波集積回路パッケージ10のはんだボール42をマザーボード50上の端子に位置を合わせて搭載し、例えば240℃の条件でリフローを行い、次にフラックス洗浄を行って高周波パッケージ集積回路モジュール(電子装置)を作製することができる。
【0034】
はんだボール42を用いた実装によれば、ワイヤボンディングやリボンボンディングに比べ短い接続長で高周波集積回路パッケージ10をマザーボード50と接続することができるため、高周波においてもこの接続部の反射特性劣化が少なく、より高周波のシステムに向けた高周波集積回路モジュールを実現することができる。
【0035】
図5は電磁界シミュレータにより計算した樹脂封止したときの本発明の高周波集積回路パッケージ10の等電位分布を示している。本発明の高周波集積回路パッケージ10はグランデドコプレーナ線路(GCPW)を形成したものである。図6は電磁界シミュレータにより計算した樹脂封止したときの従来の高周波集積回路パッケージの等電位分布を示している。従来の高周波集積回路パッケージはマイクロストリップ線や(MSL)を形成したものである。
【0036】
パッケージ基板として有機基板12を用い、その表面と裏面に配線が形成されている。モールド樹脂16の影響を低減する場合、モールド樹脂16中に等電位分布の広がりが少ない方が好ましい。また、信号配線間のクロストークを低減する場合、やはり等電位分布の広がりが少ない方が望ましい。
【0037】
図6に示すMSLの場合、信号配線26からモールド樹脂16へ等電位分布が広がっている。これは、モールド樹脂16の誘電損失の影響を大きく受けていることを示しており、配線損失が大きく、高周波では使用することが難しい。また、線路間アイソレーションも良好ではない。
【0038】
図5に示すGCPWの場合、等電位分布は有機基板12中に閉じ込められており、モールド樹脂16の影響を低減できる構造であることが分かる。また、線路間アイソレーションもMSLと比べ良好であると推測できる。
【0039】
図7は電磁界シミュレータにより計算した線路間アイソレーションを示す図である。計算のモデルにおいては、長さLの2つの信号配線26を間隔dで対向させ、MSLの場合とGCPWの場合を計算した。間隔dは0.8mm、長さLは1mmである。図7の結果より、GCPWの方がMSLに比べ10dB以上アイソレーション特性に優れていることが分かる。実際にこのGCPW配線特性を評価するため、配線TEGを試作した。
【0040】
図8は樹脂封止したときの本発明の高周波集積回路パッケージ10の伝送特性を示す図である。GCPW線路を形成したポリイミドのパッケージ基板12の厚さは50μmであり、モールド樹脂16の厚さは1mmである。図8は長さ5mmのGCPW配線特性の測定結果を示す。
【0041】
反射特性は110GHz まで−10dB以下と良好で、配線損失は80GHz において0.34dB/mmと低損失であることが分かった。このことから、本発明に従って、GCPW線路とすることにより、高性能なモールド樹脂封止高周波集積回路パッケージを作製できることができた。
【0042】
以上に説明した本発明の例は以下の特徴を含む。
【0043】
(付記1)パッケージ基板の表面に集積回路素子がフリップチップ実装され、前記集積回路素子はパッケージ基板上で樹脂で封止され、パッケージ基板の表面には集積回路素子に接続される信号配線及び接地導体がコプレーナ線路として設けられ、パッケージ基板の裏面にはパッケージ基板の表面の信号配線に接続される信号配線及び接地導体が設けられ、パッケージ基板の裏面の信号配線にははんだボールが接続されており、パッケージ基板の表面の接地導体と裏面の接地導体とはスルーホールで接続され、パッケージ基板の表面のコプレーナ線路と裏面の接地導体とからなる線路が形成されることを特徴とする高周波集積回路パッケージ。(1)
(付記2)集積回路素子とパッケージ基板の表面との間に樹脂が充填されていることを特徴とする付記1に記載の高周波集積回路パッケージ。
【0044】
(付記3)パッケージ基板の表面の信号配線は線状に延び、パッケージ基板の表面の接地導体は該線状の信号配線の両側に該信号配線とは間隔をあけて設けられることを特徴とする付記1に記載の高周波集積回路パッケージ。
【0045】
(付記4)パッケージ基板の表面の接地導体とパッケージ基板の裏面の接地導体は複数のスルーホールによって接続されており、該スルーホールは信号配線に沿って1/2実効波長以下の間隔で設けられていることを特徴とする付記3に記載の高周波集積回路パッケージ。(2)
(付記5)集積回路素子はマイクロ波集積回路素子からなり、該マイクロ波集積回路素子はコプレーナ線路を形成する信号配線及び接地導体を含む配線構造を備えることを特徴とする付記1に記載の高周波集積回路パッケージ。
【0046】
(付記6)集積回路素子はマイクロ波集積回路素子からなり、該マイクロ波集積回路素子は基板と複数の配線層及び層間絶縁膜を含む多層配線構造とを備え、前記多層配線構造において、高周波信号を伝送する信号配線が前記信号配線よりも上層にある接地導体によって覆われていることを特徴とする付記1に記載の高周波集積回路パッケージ。(3)
(付記7)集積回路素子の層間絶縁膜はポリイミド又はBCBを含む有機系層間絶縁膜からなることを特徴とする付記6に記載の高周波集積回路パッケージ。
【0047】
(付記8)集積回路素子の基板が化合物半導体(GaAs、InP)からなることを特徴とする付記5又は6に記載の高周波集積回路パッケージ。
【0048】
(付記9)パッケージ基板がポリイミドからなる基板であることを特徴とする付記1に記載の高周波パッケージ集積回路。
【0049】
(付記10)付記1から9の1項に記載の高周波集積回路パッケージと、該高周波集積回路パッケージにはんだボールを用いて実装されている有機材料製のマザーボードとからなることを特徴とする電子装置。(4)
【0050】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、安価で、高性能な高周波集積回路パッケージ及び電子装置及び電子装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は本発明の実施例による高周波集積回路パッケージを示す断面図である。
【図2】図2は樹脂モールド前の図1の高周波集積回路パッケージを示す平面図である。
【図3】図3は本発明の他の実施例による高周波集積回路パッケージを示す断面図である。
【図4】図4は本発明による高周波集積回路パッケージとマザーボードとからなる電子装置を示す断面図である。
【図5】図5は電磁界シミュレータにより計算した樹脂封止したときの本発明の高周波集積請回路パッケージの等電位分布を示す図である。
【図6】図6は電磁界シミュレータにより計算した樹脂封止したときの従来の高周波集積回路パッケージの等電位分布を示す図である。
【図7】図7は電磁界シミュレータにより計算した線路間アイソレーションを示す図である。
【図8】図8は樹脂封止したときの本発明の高周波集積回路パッケージの伝送特性を示す図である。
【符号の説明】
10…高周波集積回路パッケージ
12…パッケージ基板
14…集積回路素子
16…モールド樹脂
18…半導体チップ
20…配線構造
22…信号配線
24…接地導体
26…信号配線
28…電源配線
30…接地導体
32…ピラー
34…信号配線
36…接地導体
38…スルーホール
40…スルーホール
42…はんだホール
50…マザーボード
52…導体層
Claims (4)
- パッケージ基板の表面に集積回路素子がフリップチップ実装され、前記集積回路素子はパッケージ基板上で樹脂で封止され、パッケージ基板の表面には集積回路素子に接続される信号配線及び接地導体がコプレーナ線路として設けられ、パッケージ基板の裏面にはパッケージ基板の表面の信号配線に接続される信号配線及び接地導体が設けられ、パッケージ基板の裏面の信号配線にははんだボールが接続されており、パッケージ基板の表面の接地導体と裏面の接地導体とはスルーホールで接続され、パッケージ基板の表面のコプレーナ線路と裏面の接地導体とからなる線路が形成されることを特徴とする高周波集積回路パッケージ。
- グランデドコプレーナ線路を構成するパッケージ基板の表面の接地導体とパッケージ基板の裏面の接地導体は複数のスルーホールによって接続されており、該スルーホールは信号配線に沿って1/2実効波長以下の間隔で設けられていることを特徴とする請求項1に記載の高周波集積回路パッケージ。
- 集積回路素子はマイクロ波集積回路素子からなり、該マイクロ波集積回路素子は基板と複数の配線層及び層間絶縁膜を含む多層配線構造とを備え、前記多層配線構造において、高周波信号を伝送する信号配線が前記信号配線よりも上層にある接地導体によって覆われていることを特徴とする請求項1に記載の高周波集積回路パッケージ。
- 請求項1から3の1項に記載の高周波集積回路パッケージと、該高周波集積回路パッケージにはんだボールを用いて実装されている有機材料製のマザーボードとからなることを特徴とする電子装置。
Priority Applications (1)
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