【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はペルチェ効果またはゼーベック効果を利用した熱電変換材料の製造方法およびそれにより得られる熱電変換材料に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
熱電変換材料はゼーベック効果により熱を電気に直接変換したり、これとは逆にペルチェ効果により電気を熱（加熱・冷却）に直接変換できる材料である。熱電変換材料は、（１）可動部分がない、（２）電流方向の切替で冷却加熱ができる、（３）小型・軽量、（４）フロンガス等の冷却媒体を使わない、（５）温度応答が非常に速い等の特徴がある。熱電変換材料には、金属のように導電率が高い半導体が用いられ、通常、ｐ型とｎ型の半導体を組み合わせて利用される。この対を通常、熱電変換素子といい、一般には、多数の素子を組み合わせたモジュールとして使用する。この熱電変換モジュールは、（ａ）精密な温度制御ができる、（ｂ）局部的冷却ができる、（ｃ）静かである、（ｄ）フロン規制を受けない、（ｅ）長寿命で信頼性が高い、（ｆ）メインテナンス不要など利点があり、光通信用レーザーダイオードの温度制御、腕時計の発電用等に利用されている。常温域で使用される熱電変換材料としては、１９５４年に米国のＧＥ社のＧｏｌｄｓｍｉｄによって見出されたＢｉＴｅ系が、現在実用化されている唯一の材料である。ｐ型材料にはテルル化ビスマス（Ｂｉ２Ｔｅ３）とアンチモン化ビスマス（Ｂｉ２Ｓｂ３）の固溶体が、また、ｎ型材料にはテルル化ビスマスとセレン化ビスマス（Ｂｉ２Ｓｅ３）の固溶体またはテルル化ビスマス、アンチモン化ビスマスとセレン化アンチモン（Ｓｂ２Ｓｅ３）の固溶体に三ヨウ化アンチモン（ＳｂＩ３）または臭化銅（ＣｕＢｒ）を添加したものが使用されている。ＢｉＴｅ系の熱電変換材料は、常温における性能指数が他の組成の熱電変換材料より大きく、また、この組成の多結晶材料は、へき開性の強いＢｉＴｅ系材料の問題点（加工性・製品信頼性）を軽減することができるため、光通信用レーザーダイオードの精密温度制御等に用いられている。
【０００３】
この材料の合成方法としては、原材料（Ｂｉ，Ｔｅ，Ｓｂ，Ｓｅその他）を溶解し一方向凝固しインゴットを作成する場合（以後、溶製材料）と、原材料を溶解し凝固したインゴットを粉砕し焼結する場合（以後、多結晶材料）がある。一般に、熱電材料の性能は、ゼーベック係数α、電気抵抗率ρ及び熱伝導率κを用い、性能指数Ｚ＝α２／（ρ・κ）によって表され、この値が大きいほど、良好な熱電特性を示す。ＢｉＴｅ系化合物は六方晶系の結晶構造を有し、ｃ軸方向の電気抵抗率はａ軸方向の電気抵抗率の３倍以上大きいため、性能指数の優れたＢｉＴｅ系熱電変換材料を得るには、ｃ面を一方向にそろえ、ａ軸方向に電流を流して使用する必要がある。
溶製材料は、結晶方向がそろっており、電気抵抗率が小さいが、ＢｉＴｅ系熱電変換材料はｃ面とｃ面の間の結合が弱いことから、加工時にへき開を起こしやいという問題がある。また、粒界が少ないため熱伝導率が大きいという問題もある。一方、多結晶材料は多数の粒界が存在し、熱伝導を阻害する効果を持つ。
性能指数としては、溶製材料と多結晶材料はほぼ同じ値となるが、加工時のへき開による歩留まりを考慮すると、総合的に多結晶材料の方が優れる。
【０００４】
ところで、多結晶材料においては、原材料を溶解し凝固したインゴットを粉砕し焼結しただけでは、配向度が小さく、性能指数の大きな材料が得られないため、結晶方向をそろえ、電気抵抗率を低減する目的で、焼結体の熱間塑性加工が行われている。例えば特許３３０５９９１号公報では、焼結体を熱間すえこみ鍛造により塑性変形を起こし、配向性の向上を図っている。しかし、この方法では、焼結後にさらに熱間塑性加工という二つの加熱プロセスが必用なため、作業工数と作業時間がかかり、コスト上の問題を有している。一方、特開平２００２−１１８２９９号公報に開示されるように、熱伝導率を低減し、性能指数を向上させるため、加熱溶解した凝固インゴットを微粉砕し、粒径が３８μｍ以下の固溶体を作成して原料とすることで、焼結体の結晶粒径を小さくすることが試みられている。しかし、この方法も、溶解インゴットの合成と、粗粉砕及び微粉砕の工程が必要となり、作業工数と作業時間がかかり、コスト上の問題を有する。
【０００５】
【特許文献１】
特許第３３０５９９１号公報 （第５頁右欄４２行目〜第６頁３２行目、表１）
【特許文献２】
特開平２００２−１１８２９９号公報 （第２頁右欄４２行目〜第３頁左欄２６行目、図１）
【０００６】
【発明が解決する課題】
本発明は以上の従来の問題に鑑みてなされたものであり、性能指数の大きな材料を、安価に製作可能な手段を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明においては、合金インゴットを作成し、それを粉砕するのではなく、Ｂｉ、Ｔｅ、ＳｅまたはＳｂ等の素原料粉を振動ミルまたは遊星ボールミル等のメカニカルアロイングが可能な方法にて合金化と微粉砕化を同時に行い、微細な原料粉を作成するプロセスを採用した。
つまり本発明に係る熱電変換材料の製造方法は、合金化していないＢｉ、Ｔｅ、Ｓｅ及びＳｂの中の２種以上、必要によりドーパントとしてＣｕＢｒやＳｂＩ３などを含む素原料粉を５０質量％以上が単一相になるよう振動ミルまたは遊星ボールミル等の方法でメカニカルアロイングし、この合金化した粉末から一軸プレスにより相対密度が６５％以上の成形体を得、この成形体を２００℃以上の水素中で熱処理して酸素濃度を２０００ｐｐｍ以下にし、ホットプレス等の焼結装置により３５０℃〜５５０℃の範囲でこの成形体を塑性変形かつ焼結することを特徴とするものである。本発明によれば、従来方法よりも性能指数が大きく、コストの安価な熱電変換材料を製造することができる。
【０００８】
前記成形体は合金化した粉末を一軸プレスにより相対密度が６５％以上の成形体とするものであることが好ましい。６５％未満であると成形体が非常に脆く、ハンドリング等が困難であるとともに特性劣化に繋がる。
【０００９】
機械的に合金化した粉末すべてが単一相の合金になっている必要はなく、全体の５０質量％以上が単一相になっていれば、最適な焼結条件で焼結することにより残りの未反応原料が反応し、得られる焼結体は完全に単相となる。ここで、最適な焼結条件というのは、焼結時における粒成長が少なく、高い焼結密度が得られる焼結条件を指す。
【００１０】
前記焼結工程における成形体の塑性変形量は一軸プレスにより行い、塑性変形前と塑性変形後の前記成形体の断面積の比率が１．０５以上とすることが好ましい。１．０５未満では塑性変形による配向性の向上が不十分である。またあまりに比率が大きすぎても、例えば５０．０超であると、配向度の向上効果が飽和してしまう。さらに好ましい塑性変形量は１．１〜２０である。
【００１１】
なお、通常使用されるＢｉ、Ｔｅ、ＳｅまたはＳｂ等の素原料粉は、数百ｐｐｍ以上の酸素含有率を購入時点で有している。さらに機械的に合金化した粉末とする工程及び成形工程においてある程度の酸化は避けられない。これにより成形体の酸素含有率は１０００ｐｐｍを大きく超えてしまう。酸素含有率が増加すると得られた焼結体のキャリア濃度が変化し、十分な特性が得られない。そこで、成形体を水素中で熱処理し、酸素含有率を２０００ｐｐｍ以下に低減させることが好ましい。
焼結工程ではパルス状の電流を流しそのジュール熱により焼結する手法を採用可能である。
これらの製法により得られた熱電変換材料は、３００Ｋにおいて性能指数Ｚが４．０×１０−３／Ｋ以上と安価な製法であるにも係わらず非常に特性が高く、工業上優位なものである。
【００１２】
実施例中に記載したＸ線回折法を用いた配向度については、下記（数２）の式から求められる。Ｘ線照射面は一軸加圧面と平行な面とする。ｆは配向度、Ｉ（ｈｋｌ）はｈｋｌ面の回折強度、Ｉ（００ｌ）は００ｌ面の回折強度とする。ｆ＝１で完全配向、ｆ＝０で完全無配向である。
【００１３】
【数２】
【００１４】
ゼーベック係数と電気抵抗率の測定においては、アルバック理工製ＺＥＭ２を用いて測定を行っている。試料サイズは、２ｍｍ四方×厚さ２０ｍｍのものを用い、真空中で行った。ゼーベック係数は、試料端に１０℃、２０℃、３０℃の温度差をつけて測定を行った。電気抵抗率測定は４端子法を用いている。
熱伝導率はレーザーフラッシュ法を採用し、京都電子工業製ＬＦＡ−５０２を用いて測定した。試料サイズは、５ｍｍ四方×厚さ１ｍｍのものを用いた。
合金比率は、Ｘ線回折による定量分析により測定し、Ｘ線回折装置は、リガク製ＲＩＮＴ２５００を使用した。
【００１５】
実施例中ではｐ型材料としては、（Ｂｉ２Ｔｅ３）０．２（Ｓｂ２Ｔｅ３）０．８組成について、ｎ型材料としては、（Ｂｉ２Ｔｅ３）０．９５（Ｂｉ２Ｓｅ３）０．０５にドーパントとしてＣｕＢｒまたはＳｂＩ３を０．０６質量％含む組成について述べているが、本発明はこの組成に限定されるものではない。
【００１６】
【発明の実施の形態】
機械的に合金化した粉末中に存在する単一相の合金の質量比率と、焼結体中に生成される単一相の合金の比率を調べた。図１にその結果を示す。粉末中、５０質量％以上が単一相になるよう機械的に合金化した粉末であれば、最適な焼結条件で焼結することにより、焼結体中に生成される単一相の合金の比率はほぼ１００％であることがわかる。
【００１７】
塑性変形による成形体の変形量が配向度にどのような影響を与えるかを調べた。試料としてφ２０ｍｍの円筒形状である成形体を用いた。この成形体を軸方向にプレスし、塑性変形後の成形体の断面積を塑性変形前の成形体の断面積で割ったものを比率とした。図２にその結果を記す。この結果より成形体と焼結体の断面積比が１．０５倍以上で配向度が大きく向上することが確認された。
【００１８】
（実施例１）
Ｂｉ０．４Ｓｂ１．６Ｔｅ３の組成となるよう、平均粒径が約２００μｍのビスマス（Ｂｉ）、アンチモン（Ｓｂ）及びテルル（Ｔｅ）粉末を所定量秤量した。この素原料粉を直径１０ｍｍのアルミナボールとともにステンレス製の容器に入れ、常温で２４ｈ、振動ミルによるメカニカルアロイングを行った。得られた原料粉をＸ線回折により分析した結果、全重量の８８％が単一相に合金化していた。この原料粉を、加圧力３ｔｏｎ／ｃｍ２で金型成形を行い、直径φ２０ｍｍの成形体を作成した。重量と寸法から求めた成形体の相対密度は８５％であった。この成形体を、１気圧の水素中で、温度３００℃で１２時間の熱処理を行った。得られた成形体の酸素濃度は、９６０ｐｐｍとなった。この成形体を、内径φ３５ｍｍのカーボンダイの中心にセットし、Ａｒガス中で温度が５００℃に達してから、一定速度で一軸加圧を行い、５００Ｋｇ／ｃｍ２の圧力を加えてφ３５ｍｍの円筒状に塑性変形させた。そして、この状態で３０分間保持した後、徐冷した。得られた焼結体の加圧軸と垂直方向に長さ２０ｍｍで２ｍｍ四方の試験片を切り出し、Ｘ線回折による配向度評価及びゼーベック係数と電気抵抗率の評価を行った。また、焼結体の加圧軸と垂直方向に厚さ１ｍｍで５ｍｍ四方の試験片を切り出し、熱伝導率の評価を行った。そして、その結果より性能指数を算出した。得られた試料の特性を表１に示す。
【００１９】
【表１】
【００２０】
（実施例２〜８及び比較例１〜６）
表１に示す条件となるよう、素原料粉組成、塑性振動ミルの時間、水素中の熱処理温度、組成変形前／後の断面積比を変えて実験を行った。製造工程は実施例１と同様の手順である。実施例２および５では水素中の熱処理温度は２００度とした。また、ｎ型材料では、Ｂｉ２．０Ｔｅ２．８５Ｓｅ０．１５にＣｕＢｒまたはＳｂＩ３が０．０６質量％含む組成となるよう、ビスマス（Ｂｉ）、テルル（Ｔｅ）、セレン（Ｓｅ）及びＣｕＢｒまたはＳｂＩ３を所定量秤量した。また、単一合金相の重量割合は、振動ミルの時間を変更し作成した。得られた焼結体のゼーベック係数、電気抵抗率、熱伝導率の測定結果及び性能指数の計算結果を表１に示す。
【００２１】
（比較例７）
比較のため、溶製材料から製造した素原料粉を用い、成形、一軸加圧焼結のみで製造する公知の方法で実験を行った。Ｂｉ２．０Ｔｅ２．８５Ｓｅ０．１５にＳｂＩ３が０．０６質量％含む組成となるよう各合金を秤量し、７５０℃×４時間の溶解処理を行った。これにより得たインゴットを粉砕し、３００μｍ以下の原料粉末とした。この原料粉末を５００度でアルゴン雰囲気中４５分ホットプレスすることで焼結し、比較用の試料を作成した。
実施例１と同じ項目について測定を行った。測定結果を表１に併記する。十分な配向度が得られていないことが明白である。確かに、一軸加圧をすることにより、加圧軸に垂直な面とｃ面が平行になりやすい性質を有しているが、Ｘ線回折法を用いた配向度の評価では、試料の配向度は高々０．３程度であり、これでは、電気抵抗率が大きくなり、高い性能指数は得られないことが解った。
【００２２】
（比較例８）
比較のため、溶製材料から製造した素原料粉を用い、成形、一軸加圧焼結後に熱間塑性加工を施す公知の方法で実験を行った。Ｂｉ２．０Ｔｅ２．８５Ｓｅ０．１５にＳｂＩ３が０．０６質量％含む組成となるよう各合金を秤量し、７５０℃×４時間の溶解処理を行った。これにより得たインゴットを粉砕し、３００μｍ以下の原料粉末とした。この原料粉末を５００度で４５分ホットプレスすることで焼結して焼結体とした。この焼結体を再度４５０度まで加熱した後、塑性加工を施して比較用の試料を作成した。
実施例１と同じ項目について測定を行った。測定結果を表１に併記する。その結果本発明と同等の配向度の向上が図られていることが解る。しかし、この方法では、焼結と熱間塑性加工という二つの加熱プロセスが必用なため、作業工数と作業時間がかかり、コスト上の問題を払拭させることはできていない。
【００２３】
【発明の効果】
以上、本発明の説明から明らかなように、従来技術による熱電変換材料に対して、安価でかつ性能指数が大きい特性に優れた熱電変換材料を提供できた。
【図面の簡単な説明】
【図１】機械的に合金化した粉末中の単一相の比率とそれを用いた焼結中の単一相の比率を示す図である。
【図２】塑性変形前／後の前記成形体の断面積の比率と配向度の関係を示す図である。[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for producing a thermoelectric conversion material utilizing the Peltier effect or the Seebeck effect, and a thermoelectric conversion material obtained by the method.
[0002]
[Prior art]
The thermoelectric conversion material is a material that can directly convert heat to electricity by the Seebeck effect, or conversely, can directly convert electricity to heat (heating / cooling) by the Peltier effect. Thermoelectric conversion materials have (1) no moving parts, (2) can be cooled and heated by switching the current direction, (3) compact and lightweight, (4) do not use a cooling medium such as Freon gas, and (5) temperature response Is very fast. As the thermoelectric conversion material, a semiconductor having high conductivity such as a metal is used, and usually, a p-type and an n-type semiconductor are used in combination. This pair is usually called a thermoelectric conversion element, and is generally used as a module in which many elements are combined. This thermoelectric conversion module is (a) capable of precise temperature control, (b) capable of local cooling, (c) quiet, (d) not subject to Freon regulations, (e) has a long life and reliability. It has advantages such as high (f) no maintenance, and is used for temperature control of laser diodes for optical communication, power generation for wristwatches, and the like. As a thermoelectric conversion material used in a normal temperature range, a BiTe system discovered by Goldsmid of GE in the United States in 1954 is the only material practically used at present. A solid solution of bismuth telluride (Bi 2 Te 3 ) and bismuth antimonide (Bi 2 Sb 3 ) is used for the p-type material, and a solid solution of bismuth telluride and bismuth selenide (Bi 2 Se 3 ) is used for the n-type material. Alternatively, bismuth telluride, a solution obtained by adding antimony triiodide (SbI 3 ) or copper bromide (CuBr) to a solid solution of bismuth antimonide and antimony selenide (Sb 2 Se 3 ) is used. BiTe-based thermoelectric conversion materials have a higher figure of merit at room temperature than thermoelectric conversion materials of other compositions, and polycrystalline materials of this composition have the problems of BiTe-based materials with high cleavage properties (processability and product reliability). ) Can be reduced, so that it is used for precise temperature control of a laser diode for optical communication.
[0003]
As a method for synthesizing this material, a raw material (Bi, Te, Sb, Se, or the like) is melted and unidirectionally solidified to form an ingot (hereinafter, a smelted material), or a raw material is melted and solidified to form an ingot. There is a case of sintering (hereinafter, polycrystalline material). In general, the performance of a thermoelectric material is represented by a performance index Z = α 2 / (ρ · κ) using a Seebeck coefficient α, an electric resistivity ρ, and a thermal conductivity κ, and the larger the value, the better the thermoelectric properties. Is shown. Since the BiTe-based compound has a hexagonal crystal structure and the electrical resistivity in the c-axis direction is more than three times the electrical resistivity in the a-axis direction, it is necessary to obtain a BiTe-based thermoelectric conversion material having an excellent figure of merit. , C-plane must be aligned in one direction, and an electric current must be applied in the a-axis direction.
The ingot material has a uniform crystal direction and a small electrical resistivity, but the BiTe-based thermoelectric conversion material has a problem that cleavage is likely to occur during processing because the bond between c-planes is weak. . In addition, there is also a problem that thermal conductivity is large due to a small number of grain boundaries. On the other hand, polycrystalline materials have many grain boundaries and have the effect of inhibiting heat conduction.
As the figure of merit, the ingot material and the polycrystalline material have almost the same value, but in consideration of the yield due to cleavage during processing, the polycrystalline material is generally superior.
[0004]
By the way, in the case of polycrystalline materials, simply crushing and sintering an ingot obtained by melting and solidifying the raw materials does not provide a material with a small degree of orientation and a large figure of merit, so that the crystal orientation is aligned and the electrical resistivity is reduced. For this purpose, hot plastic working of a sintered body is performed. For example, in Japanese Patent No. 3305991, the sintered body is plastically deformed by hot upsetting forging to improve the orientation. However, this method requires two heating processes, namely, hot plastic working after sintering, so that the number of work steps and work time is increased, and there is a problem in cost. On the other hand, as disclosed in JP-A-2002-118299, in order to reduce the thermal conductivity and improve the figure of merit, the solidified ingot heated and melted is pulverized to form a solid solution having a particle size of 38 μm or less. Attempts have been made to reduce the crystal grain size of the sintered body by using the raw material. However, this method also requires the steps of synthesizing a melted ingot, coarse pulverization, and fine pulverization, which requires a large number of man-hours and a long working time, and has a problem in cost.
[0005]
[Patent Document 1]
Japanese Patent No. 3305991 (page 5, right column, line 42 to page 6, line 32, table 1)
[Patent Document 2]
JP-A-2002-118299 (page 42, right column, line 42 to page 3, left column, line 26, FIG. 1)
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
The present invention has been made in view of the above-described conventional problems, and has as its object to provide means capable of inexpensively producing a material having a large figure of merit.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
In the present invention, instead of preparing an alloy ingot and pulverizing the alloy ingot, a raw material powder such as Bi, Te, Se or Sb is alloyed by a method capable of mechanical alloying such as a vibration mill or a planetary ball mill. And pulverization at the same time to adopt a process of creating fine raw material powder.
In other words, the method for producing a thermoelectric conversion material according to the present invention is characterized in that the raw material powder containing at least two of unalloyed Bi, Te, Se, and Sb and, if necessary, containing CuBr or SbI 3 as a dopant is at least 50% by mass. Is mechanically alloyed by a method such as a vibration mill or a planetary ball mill so that a compact having a relative density of 65% or more is obtained from the alloyed powder by uniaxial pressing. The heat treatment is performed in hydrogen to reduce the oxygen concentration to 2000 ppm or less, and the molded body is plastically deformed and sintered in a range of 350 ° C. to 550 ° C. by a sintering device such as a hot press. ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, a figure of merit is larger than a conventional method, and a low cost thermoelectric conversion material can be manufactured.
[0008]
It is preferable that the compact is a compact having a relative density of 65% or more obtained by uniaxial pressing of the alloyed powder. If it is less than 65%, the molded article is very brittle, handling is difficult, and the property is deteriorated.
[0009]
It is not necessary that all of the mechanically alloyed powder be a single-phase alloy. If 50% by mass or more of the powder is a single-phase alloy, sintering is performed under optimum sintering conditions. The unreacted raw material reacts, and the obtained sintered body becomes a completely single phase. Here, the optimum sintering condition refers to a sintering condition in which grain growth during sintering is small and a high sintering density is obtained.
[0010]
The amount of plastic deformation of the compact in the sintering step is preferably performed by uniaxial pressing, and the ratio of the cross-sectional area of the compact before plastic deformation and that after the plastic deformation is preferably 1.05 or more. If it is less than 1.05, the improvement in orientation by plastic deformation is insufficient. If the ratio is too large, for example, if it is more than 50.0, the effect of improving the degree of orientation is saturated. The more preferable amount of plastic deformation is 1.1 to 20.
[0011]
In addition, the raw material powder such as Bi, Te, Se or Sb which is usually used has an oxygen content of several hundred ppm or more at the time of purchase. Furthermore, some oxidation is unavoidable in the process of forming mechanically alloyed powder and in the forming process. As a result, the oxygen content of the molded article greatly exceeds 1000 ppm. When the oxygen content increases, the carrier concentration of the obtained sintered body changes, and sufficient characteristics cannot be obtained. Therefore, it is preferable to heat-treat the molded body in hydrogen to reduce the oxygen content to 2000 ppm or less.
In the sintering step, it is possible to adopt a method of sintering by applying a pulsed current and using the Joule heat.
The thermoelectric conversion materials obtained by these production methods have very high properties and are industrially superior, despite the fact that they are inexpensive and have a performance index Z of 4.0 × 10 −3 / K or more at 300K. is there.
[0012]
The degree of orientation using the X-ray diffraction method described in the examples can be obtained from the following equation (Formula 2). The X-ray irradiation surface is a surface parallel to the uniaxial pressing surface. f is the degree of orientation, I (hkl) is the diffraction intensity on the hkl plane, and I (001) is the diffraction intensity on the 00l plane. When f = 1, the film is completely oriented, and when f = 0, it is completely non-oriented.
[0013]
(Equation 2)
[0014]
In the measurement of the Seebeck coefficient and the electric resistivity, the measurement is performed using ZEM2 manufactured by ULVAC-RIKO. The sample size was 2 mm square x 20 mm thick, and was measured in vacuum. The Seebeck coefficient was measured with a temperature difference of 10 ° C., 20 ° C., and 30 ° C. at the sample end. The electrical resistivity measurement uses a four-terminal method.
The thermal conductivity was measured by using a laser flash method and using LFA-502 manufactured by Kyoto Electronics Industry. A sample having a size of 5 mm square and a thickness of 1 mm was used.
The alloy ratio was measured by quantitative analysis using X-ray diffraction, and Rigaku RINT 2500 was used as the X-ray diffractometer.
[0015]
In the examples, the composition of (Bi 2 Te 3 ) 0.2 (Sb 2 Te 3 ) 0.8 as the p-type material, and (Bi 2 Te 3 ) 0.95 (Bi 2 Se) as the n-type material 3 ) A composition containing 0.05 % of CuBr or SbI 3 as a dopant in 0.05 is described, but the present invention is not limited to this composition.
[0016]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
The mass ratio of the single-phase alloy present in the mechanically alloyed powder and the ratio of the single-phase alloy formed in the sintered body were examined. FIG. 1 shows the results. If the powder is mechanically alloyed so that 50% by mass or more of the powder becomes a single phase, the single-phase alloy produced in the sintered body by sintering under the optimum sintering conditions. Is about 100%.
[0017]
The effect of the deformation of the compact due to plastic deformation on the degree of orientation was investigated. As a sample, a cylindrical compact having a diameter of 20 mm was used. The molded body was pressed in the axial direction, and the ratio of the sectional area of the molded body after plastic deformation to the sectional area of the molded body before plastic deformation was defined as a ratio. FIG. 2 shows the results. From this result, it was confirmed that the degree of orientation was greatly improved when the cross-sectional area ratio between the compact and the sintered body was 1.05 times or more.
[0018]
(Example 1)
Bismuth (Bi), antimony (Sb), and tellurium (Te) powders having an average particle size of about 200 μm were weighed in predetermined amounts so as to have a composition of Bi 0.4 Sb 1.6 Te 3 . The raw material powder was placed in a stainless steel container together with alumina balls having a diameter of 10 mm, and mechanically alloyed by a vibration mill at room temperature for 24 hours. As a result of analyzing the obtained raw material powder by X-ray diffraction, 88% of the total weight was alloyed into a single phase. This raw material powder was subjected to molding with a pressing force of 3 ton / cm 2 to form a compact having a diameter of 20 mm. The relative density of the molded body determined from the weight and dimensions was 85%. This molded body was subjected to a heat treatment at a temperature of 300 ° C. for 12 hours in hydrogen at 1 atm. The oxygen concentration of the obtained molded body was 960 ppm. The formed body is set at the center of a carbon die having an inner diameter of 35 mm, and after the temperature reaches 500 ° C. in Ar gas, uniaxial pressing is performed at a constant speed, and a pressure of 500 kg / cm 2 is applied to the cylinder to form a φ35 mm cylinder. Plastically deformed. Then, after being kept in this state for 30 minutes, it was gradually cooled. A 2 mm square test piece having a length of 20 mm and a length perpendicular to the pressing axis of the obtained sintered body was cut out, and the orientation degree was evaluated by X-ray diffraction, and the Seebeck coefficient and the electrical resistivity were evaluated. In addition, a 5 mm square test piece having a thickness of 1 mm was cut out in a direction perpendicular to the pressing axis of the sintered body, and the thermal conductivity was evaluated. And the figure of merit was calculated from the result. Table 1 shows the characteristics of the obtained samples.
[0019]
[Table 1]
[0020]
(Examples 2 to 8 and Comparative Examples 1 to 6)
An experiment was performed by changing the raw material powder composition, the time of the plastic vibration mill, the heat treatment temperature in hydrogen, and the cross-sectional area ratio before and after the composition deformation so as to satisfy the conditions shown in Table 1. The manufacturing process is the same as in the first embodiment. In Examples 2 and 5, the heat treatment temperature in hydrogen was 200 degrees. Further, the n-type material, so that the Bi 2.0 Te 2.85 Se 0.15 CuBr or SbI 3 is a composition comprising 0.06 wt% of bismuth (Bi), tellurium (Te), selenium (Se) And a predetermined amount of CuBr or SbI 3 were weighed. The weight ratio of the single alloy phase was prepared by changing the time of the vibration mill. Table 1 shows the measurement results of the Seebeck coefficient, the electrical resistivity, and the thermal conductivity of the obtained sintered body and the calculation result of the performance index.
[0021]
(Comparative Example 7)
For comparison, an experiment was performed using a raw material powder produced from a smelting material by a known method in which molding and uniaxial pressure sintering alone were used. Each alloy was weighed so that Bi 2.0 Te 2.85 Se 0.15 contained 0.06% by mass of SbI 3 and subjected to a melting treatment at 750 ° C. × 4 hours. The ingot thus obtained was pulverized to obtain a raw material powder having a size of 300 μm or less. This raw material powder was sintered by being hot-pressed at 500 ° C. for 45 minutes in an argon atmosphere to prepare a sample for comparison.
The same items as in Example 1 were measured. Table 1 also shows the measurement results. It is clear that a sufficient degree of orientation has not been obtained. Certainly, by applying uniaxial pressing, the plane perpendicular to the pressing axis and the c-plane tend to be parallel, but the evaluation of the degree of orientation using the X-ray diffraction method showed that the orientation of the sample was The degree was at most about 0.3, and it was found that the electrical resistivity was large and a high figure of merit could not be obtained.
[0022]
(Comparative Example 8)
For comparison, an experiment was carried out using a raw material powder produced from a smelting material by a known method in which molding, uniaxial pressure sintering and hot plastic working were performed. Each alloy was weighed so that Bi 2.0 Te 2.85 Se 0.15 contained 0.06% by mass of SbI 3 and subjected to a melting treatment at 750 ° C. × 4 hours. The ingot thus obtained was pulverized to obtain a raw material powder having a size of 300 μm or less. This raw material powder was sintered by hot pressing at 500 degrees for 45 minutes to obtain a sintered body. After the sintered body was heated again to 450 ° C., it was subjected to plastic working to prepare a sample for comparison.
The same items as in Example 1 were measured. Table 1 also shows the measurement results. As a result, it can be understood that the degree of orientation equivalent to that of the present invention is improved. However, in this method, since two heating processes of sintering and hot plastic working are necessary, the number of operation steps and operation time are increased, and the problem of cost cannot be eliminated.
[0023]
【The invention's effect】
As described above, as is clear from the description of the present invention, a thermoelectric conversion material that is inexpensive and has excellent characteristics with a large figure of merit can be provided with respect to the thermoelectric conversion material according to the related art.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing the ratio of a single phase in a mechanically alloyed powder and the ratio of a single phase during sintering using the powder.
FIG. 2 is a view showing the relationship between the ratio of the cross-sectional area of the molded body before and after plastic deformation and the degree of orientation.
