【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はシリコン単結晶引き上げに使用する石英ルツボに関するものであり、さらに詳しくは単結晶歩留まりが良く、ＯＳＦなどの欠陥が少ない単結晶シリコンを引上げることが出来る石英ルツボに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
石英ルツボはシリコン融液と接触する唯一の部材としてシリコン単結晶の歩留まりや品質を決定する重要な部材である。この石英ルツボは単結晶シリコン育成技術の進歩とともに改良されてきている。単結晶シリコンの育成技術において、最も重要な項目として単結晶化率がある。単結晶化率は歩留まりでありコストを左右する。次に重要な項目として、抵抗値や酸素濃度の均一化があげられる。また品質的に重要な項目としてＯＳＦ（Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ ｉｎｄｕｃｅｄ Ｓｔａｃｋｉｎｇ Ｆａｕｌｔ）やＣＯＰ（Ｃｒｙｓｔａｌ Ｏｒｉｇｉｎａｔｅｄ Ｐａｒｔｉｃｌｅ）などのウェハー中の欠陥が上げられる。これら項目は密接に関係しあっているのが現状である。
【０００３】すなわちＯＳＦやＣＯＰを減少させるためには、引上げ温度勾配を小さくしたほうが良いので、引上げ速度をゆっくりする必要がある。引上げ速度をゆっくりするには融液温度を高くするわけであるが、結果的に石英ルツボを高温、長時間使用することになる。
【０００４】石英ガラスは長時間、高温にさらされると、その領域で安定なβ−クリストバライトに転移する。このβ−クリストバライトは酸素欠乏型の場合、茶褐色のリングを呈する。この茶褐色のリングは周囲のガラス構造とは特性が異なり、剥離することになる。剥離したβ−クリストバライト片はシリコン融液との反応性が悪いため、シリコン融液内を長時間漂うことになる。そのβ−クリストバライト片がシリコン単結晶端である固液界面に付着すると、その部分のみならず、単結晶固体部分も多結晶化してしまい歩留まりを低下させてしまう。
【０００５】単結晶化率を向上させるための方法として、石英ガラスのβ−クリストバライトへの転移速度を遅くするために、純度を向上させる技術が開発されてきた。米国特許４５２８１６３には熔融中のルツボ内面に合成シリカを投入しライニングする技術が開示されているが、この合成石英ガラスコーティングは、超高純度であるためβ−クリストバライトへの転移が遅いと思われていたが、実はガラス構造がよりアモルファスであることがβ−クリストバライトへの転移速度を遅くしていることがわかり、１９９０年代にこの合成シリカガラスの透明層を持つ石英ルツボが実用化され、さらに高温で長時間使用しても単結晶化率が良くなった。
【０００６】単結晶化率を向上させるもう一つの方法として、酸素欠乏でないβ−クリストバライトをルツボ表面に形成させる方法が、米国特許５９７６２４７に開示されている。このルツボは内面をＢａＣＯ３コーティングし、引上げ時の昇温途中にルツボ内表面をクリストバライト化するというものである。このルツボはシリコンが溶解する前にルツボ内面が結晶化するため、酸素欠乏型のクリストバライトではないβ−クリストバライトが生成する。すなわち酸素欠乏型のβ−クリストバライトは石英ガラスとシリコン融液との反応で生成したＳｉＯがルツボ表面で再形成するときに酸素が足りないことでできる。この完全に酸素が補完されたβ−クリストバライトは周囲の石英ガラスと特性が似かよっており、表面から剥離することがない。このため長時間の引上げに耐えることが出来る。またこのルツボの特徴として、合成ルツボと比較してシリコン融液との反応が進みにくく、酸素濃度を低減できるという特徴がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
石英ガラスルツボは１４５０℃から１６００℃の高温においてシリコン融液と直接接触しているため、石英ガラスルツボ表面では常に石英ガラスとシリコンとの反応が起こっている。故に、合成石英ルツボの場合は、β−クリストバライトへの転移速度を遅くしようとするとさらにガラス構造をアモルファスにする必要がある。アモルファスにすればするほど、シリコンとの反応性が高くなる。反応性が高すぎるとＳｉＯガスの発生が大きくなり、液面を揺らしてネッキングが困難になる現象が起きる。
【０００８】この合成石英ガラスの反応性が大きくなるということは単結晶シリコン中の酸素濃度が増加する可能性があるということを示している。ＯＳＦなどの欠陥は酸素濃度に関係しており、多すぎると欠陥が多くなるという現象を引き起こす。
【０００９】一方、ＢａＣＯ３コーティング法によって作られた石英ガラスルツボは、引上げ温度に達する前に、ルツボ内表面が結晶化するために、完全なβ−クリストバライトが生成する。このタイプのβ−クリストバライトは石英ガラスと物理的特性が似かよっており、ルツボ表面から剥離することは少ないことは前述したとおりである。
【００１０】またβ−クリストバライトのような結晶はシリコン融液との反応が低く、シリコン融液中の酸素濃度が下がるため、ＯＳＦの欠陥発生を少なく出来る。
【００１１】しかしながら、この石英ルツボの内面をコーティングする試薬として用いるＢａ（ＯＨ）２は多くの不純物を含むため、シリコン融液中に混入し、汚染してライフタイムや抵抗値分布を大きくする不具合が発生する。実際、Ｂａの偏析係数は小さいために、シリコンウェハー中に混入する量は少ないといわれているが、偏析係数の大きな元素は少量でもシリコンウェハーの品質に影響することになる。
【００１２】本発明者はこのような現状を鑑み、鋭意研究した結果、石英ルツボ内表面の酸化カルシウム濃度を若干高濃度とし、さらにその層をＯＨ含有量を１００ｐｐｍ以上の合成石英ガラスとすることで、引上げ昇温中に表面を結晶化させ、単結晶化歩留まりが良く、欠陥の少ない単結晶シリコンを作ることができる石英ルツボを製造する技術を取得したものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明はシリコン単結晶歩留まりを向上させ、かつシリコン単結晶のＯＳＦやＣＯＰなどの酸素起因の欠陥を少なくするために、石英ガラスルツボの内表面より１μｍ以上、１００μｍまでの層に酸化カルシウムを２ｐｐｍ以上含みかつ、ＯＨ含有量が１００ｐｐｍ以上の合成石英ガラスで形成されていることを特徴とするものである。
【００１４】通常、原料である天然水晶は酸化カルシウムを０．５から１ｐｐｍ含有している。しかも熔融時の汚染で、表面から２０μｍ程度の層は２から１０ｐｐｍ程度の高濃度となっている。この表面汚染層をフッ酸などで除去すると極めて失透しにくくなる。
【００１５】石英ガラスを１０００℃から１４００℃でβ−クリストバライトに転移させるには、Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｌｉ＋、Ｃａ２＋などの金属イオンが存在すると容易になる。Ｎａ＋、Ｋ＋、Ｌｉ＋、Ｃａ２＋などの金属イオンはＳｉＯ２正四面体構造と連結し、クリストバライト構造を形成しやすい。特にイオン半径が約１．２ÅのＮａ＋、Ｃａ２＋は結晶化を促進する。
【００１６】ただＮａ＋の場合、シリコン融液に混入するとライフタイムを低下させる原因となるため良くない。Ｋ＋やＬｉ＋も同様な理由で好ましくない。Ｃａ２＋もシリコン単結晶に大量に混入すれば、ライフタイムの低下につながるため、石英ルツボ表面層に高濃度で混入させることは好ましくない。シリコンウェハーの品質に影響を与えないためには、石英ルツボ中のＣａ２＋の濃度は１０ｐｐｍ以下である必要がある。
【００１７】Ｃａ２＋を高濃度で混入させることが出来なければ、石英ルツボ表面を引上げ時の昇温段階で結晶化させることは難しい。そこで表面から１μｍ以上、１００μｍまでの酸化カルシウムが２ｐｐｍ以上含有する層をＯＨ含有量を１００ｐｐｍ以上の合成石英ガラスとすることで相乗効果によって、結晶化することが可能となる。すなわち、ＯＨ基は１０００℃以上の温度で活性水素を発生するが、この活性水素はＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を容易に切断する。この切断によって生じた遊離Ｓｉ−は容易にＣａ２＋と結合し、クリストバライトを形成する。
【００１８】合成石英ガラスである理由は、Ａｌ３＋などが存在すると金属イオンはＡｌ３＋と結合して、クリストバライトを形成しにくくするからである。通常、合成石英ガラスは高純度で、構造もアモルファスであるため、クリストバライト化しにくい。ところが、活性水素によって容易に切断される特性を有しているため、金属イオンなどの不純物が少しでも混入していると逆に結晶化しやすくなるという特性を有している。
【００１９】、石英ルツボ表面から１μｍ以上、１００μｍまでの酸化カルシウムが２ｐｐｍ以上含有する層でＯＨ含有量を１００ｐｐｍ以上の合成石英ガラスとする場合、酸化カルシウムは特に２ｐｐｍから５ｐｐｍ混入するのが良い。これはシリコンウェハーの品質特性に影響を与えない範囲であるためである。またＯＨ含有量は１００ｐｐｍ以上ではあるが、１８０￣３００ｐｐｍが最も効果的である。３００ｐｐｍを越えると粘度が下がり、変形が起こることと、３００ｐｐｍを越えることで１５００℃以上ではそれ自体で結晶化させることが出来るため、過剰に結晶化が進み、亀裂を生じてしまうことがある。合成石英ガラスはテトラメトキシシランの加水分解で製造された超高純度のものとすればよい。特にＡｌ含有量が１ｐｐｍ以下のものが良い。
【００２０】このような石英ルツボは、多結晶シリコンを溶解するときの２時間程度の昇温時間の間に極表面より結晶化し、クリストバライトになる。合成石英ガラスは天然石英ガラスと異なり、表面全体を均一に結晶化させる。この結晶化は時間をかけて表面から外側へ広がって行くが、汚染層を越えると結晶化速度は急激に遅くなる。これはＣａの拡散が遅いからである。
【００２１】表面が結晶化すると、その結晶は通常のβ−クリストバライトであるため、表面から剥離することはない。またβ−クリストバライトは結晶であるので、シリコン融液との反応は抑制される。全ての石英ガラスの反応性は結晶性が高いほど小さくなる。すなわち水晶＜トリジマイト＜クリストバライト＜天然石英ガラス＜合成石英ガラスの順になるのである。よって、石英ルツボとシリコン融液との反応性が低いため、高温で使用しても酸素が融液中に大量に混入しにくいということが言える。
【００２２】当然、シリコンインゴット中に入る酸素の量が少なくなる。シリコンウェハーのＯＳＦ欠陥は多くの酸素が入り、析出してくる欠陥である。これを少なくするために単結晶をゆっくり引上げる方法が行われている。この場合、ＯＳＦはインゴット周辺から中心に移動し、やがては消失する。このとき、酸素が多いと消失しないで残り、ＯＳＦが残ってしまうという現象が起こる。
【００２３】普通の石英ルツボであれば、ゆっくり引上げるためには温度を高くする必要があるので、酸素は余計に入る。特に合成石英ルツボではその傾向が激しい。本発明の石英ルツボであればクリストバライトになっているため、酸素はあまり増えないのである。これにより、ＯＳＦやＣＯＰなどの欠陥を減少させることが出来る。
【００２４】
【実施例】次に実施例について詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００２５】実施例１回転する内径５７４ｍｍφのモールドに米国ユニミン社ＩＯＴＡ−６を２６ｋｇ投入し、その内面に合成粉２ｋｇを成形した。２インチ黒鉛電極に１２０〜１５０Ｖの電圧を印加し、２２００〜２８００Ａの電流を流した。５分後内面が熔融し始めた。水素ガスを１２０ｌ／ｍｉｎ流し、１００ｇの合成粉に酸化カルシウム２０ｐｐｍ混合した原料を投入した。投入後、水素ガスを停止し、２０分後、全体が熔融したところでアークを終了しルツボを取り出した。この石英ルツボを規定寸法に切断し、内面を５％フッ酸で３０分エッチングした。このルツボの底に４０％フッ酸を投入し、６０分後に回収して、ＩＣＰ−ｍａｓで純度を測定した結果、５０μｍの表面層中の酸化カルシウムの濃度は５ｐｐｍになっていた。また破片を切り取り、赤外吸収スペクトルによりＯＨ含有量を測定した結果、２２０ｐｐｍとなった。この条件と全く同じ条件で熔融した２２インチルツボを使用して１００ｋｇをチャージして８インチの単結晶を引き上げた結果、１００％の歩留まりとなった。その後、８０ｋｇの多結晶シリコンをリチャージして、同様に引上げた結果、これも１００％のＤＦ化率（高単結晶化率）となった。さらに７０ｋｇの多結晶シリコンをリチャージして、同様に引上げた結果、これも１００％のＤＦ化率となった。
このインゴットをスライスし、研磨した後、ＯＳＦ密度及び、ＣＯＰを測定した結果、全ての部分で１００％規格内となった。
【００２６】
【発明の効果】
以上の説明により、シリコン単結晶の歩留まりおよび酸素濃度をコントロールでき、ＯＳＦやＣＯＰなどの欠陥を低減させることができる。[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a quartz crucible used for pulling a silicon single crystal, and more particularly to a quartz crucible capable of pulling single crystal silicon having a good single crystal yield and having few defects such as OSF.
[0002]
[Prior art]
The quartz crucible is an important member that determines the yield and quality of the silicon single crystal as the only member that comes into contact with the silicon melt. This quartz crucible has been improved with the progress of single crystal silicon growing technology. The most important item in single crystal silicon growth technology is the single crystallization ratio. The single crystallization ratio is a yield and determines the cost. The second important item is to make the resistance value and the oxygen concentration uniform. Defects in the wafer such as OSF (Oxidation Induced Stacking Fault) and COP (Crystal Originated Particle) are important items in terms of quality. At present, these items are closely related.
That is, in order to reduce OSF and COP, it is better to reduce the pulling temperature gradient, so that the pulling speed must be reduced. To lower the pulling speed, the melt temperature must be increased, but as a result, the quartz crucible is used at a high temperature for a long time.
When quartz glass is exposed to high temperatures for an extended period of time, it transforms into β-cristobalite, which is stable in that region. When β-cristobalite is oxygen-deficient, it exhibits a brownish ring. This brown ring has different properties from the surrounding glass structure and will peel off. Since the stripped β-cristobalite pieces have poor reactivity with the silicon melt, they will float in the silicon melt for a long time. If the β-cristobalite piece adheres to the solid-liquid interface which is the silicon single crystal end, not only that part but also the single crystal solid part is polycrystallized, which lowers the yield.
As a method for improving the single crystallization rate, a technique for improving the purity has been developed in order to reduce the rate of transition of quartz glass to β-cristobalite. U.S. Pat. No. 4,528,163 discloses a technique in which synthetic silica is charged into the inner surface of a crucible during melting and lining is performed. However, since this synthetic quartz glass coating has an ultra-high purity, the transition to β-cristobalite seems to be slow. However, in fact, it was found that the amorphous glass structure slowed down the transition speed to β-cristobalite, and in the 1990s, a quartz crucible having a transparent layer of this synthetic silica glass was put into practical use. The single crystallization ratio improved even after long-term use at high temperature.
US Pat. No. 5,977,247 discloses a method of forming β-cristobalite, which is not oxygen-deficient, on the surface of a crucible as another method for improving the rate of single crystallization. This crucible has an inner surface coated with BaCO 3, and the inner surface of the crucible is converted into cristobalite during the temperature rise during pulling. In this crucible, since the crucible inner surface is crystallized before silicon is dissolved, β-cristobalite, which is not an oxygen-deficient cristobalite, is generated. That is, oxygen-deficient β-cristobalite is formed by lack of oxygen when SiO generated by the reaction between quartz glass and silicon melt is reformed on the crucible surface. The β-cristobalite completely supplemented with oxygen has characteristics similar to those of the surrounding quartz glass and does not peel off from the surface. For this reason, it can withstand long-time pulling. Further, as a characteristic of this crucible, there is a characteristic that the reaction with the silicon melt hardly proceeds as compared with the synthetic crucible, and the oxygen concentration can be reduced.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
Since the quartz glass crucible is in direct contact with the silicon melt at a high temperature of 1450 ° C. to 1600 ° C., a reaction between quartz glass and silicon always occurs on the surface of the quartz glass crucible. Therefore, in the case of a synthetic quartz crucible, it is necessary to further make the glass structure amorphous in order to reduce the transition speed to β-cristobalite. The more amorphous, the higher the reactivity with silicon. If the reactivity is too high, the generation of SiO gas increases, causing a phenomenon in which the liquid surface is shaken and necking becomes difficult.
The increase in reactivity of the synthetic quartz glass indicates that the oxygen concentration in single crystal silicon may increase. Defects such as OSF are related to the oxygen concentration.
On the other hand, quartz glass crucibles produced by the BaCO 3 coating method produce complete β-cristobalite because the crucible inner surface is crystallized before reaching the pulling temperature. As described above, this type of β-cristobalite has similar physical properties to quartz glass, and is less likely to peel off from the crucible surface.
[0010] In addition, crystals such as β-cristobalite have a low reaction with the silicon melt and the oxygen concentration in the silicon melt decreases, so that the occurrence of OSF defects can be reduced.
However, since Ba (OH) 2 used as a reagent for coating the inner surface of the quartz crucible contains many impurities, it is mixed into the silicon melt and becomes contaminated to increase the lifetime and the resistance value distribution. Occurs. In fact, since the segregation coefficient of Ba is small, it is said that the amount mixed in the silicon wafer is small. However, even a small amount of an element having a large segregation coefficient affects the quality of the silicon wafer.
In view of this situation, the present inventor has conducted intensive studies and found that the concentration of calcium oxide on the inner surface of a quartz crucible was made slightly higher, and that the layer was made of synthetic quartz glass having an OH content of 100 ppm or more. Thus, a technique for manufacturing a quartz crucible that can crystallize the surface during pulling and raising the temperature and thereby produce single crystal silicon with a good single crystallization yield and few defects is obtained.
[0013]
[Means for Solving the Problems]
According to the present invention, in order to improve the yield of silicon single crystal and reduce defects caused by oxygen such as OSF and COP of silicon single crystal, 2 ppm of calcium oxide is added to a layer of 1 μm or more and 100 μm from the inner surface of a quartz glass crucible. It is characterized by being formed of synthetic quartz glass containing the above and having an OH content of 100 ppm or more.
Usually, natural quartz as a raw material contains 0.5 to 1 ppm of calcium oxide. Moreover, due to contamination during melting, the layer having a thickness of about 20 μm from the surface has a high concentration of about 2 to 10 ppm. When this surface contamination layer is removed with hydrofluoric acid or the like, it becomes extremely difficult to devitrify.
The transition of quartz glass to β-cristobalite at 1000 ° C. to 1400 ° C. is facilitated by the presence of metal ions such as Na + , K + , Li + , and Ca 2+ . Metal ions such as Na + , K + , Li + , and Ca 2+ are easily linked to the SiO 2 tetrahedral structure, and easily form a cristobalite structure. In particular, Na + and Ca 2+ having an ionic radius of about 1.2 ° promote crystallization.
However, in the case of Na + , if it is mixed with the silicon melt, it causes a reduction in the life time, which is not good. K + and Li + are not preferred for the same reason. If Ca 2+ is also mixed in a large amount into the silicon single crystal, the life time will be shortened. Therefore, it is not preferable to mix Ca 2+ into the quartz crucible surface layer at a high concentration. In order not to affect the quality of the silicon wafer, the concentration of Ca 2+ in the quartz crucible needs to be 10 ppm or less.
If Ca 2+ cannot be mixed at a high concentration, it is difficult to crystallize the surface of the quartz crucible at the time of raising the temperature at the time of pulling. Therefore, the layer containing 2 ppm or more of calcium oxide of 1 μm or more and 100 μm or more from the surface is made of synthetic quartz glass having an OH content of 100 ppm or more, whereby crystallization can be achieved by a synergistic effect. That is, the OH group generates active hydrogen at a temperature of 1000 ° C. or higher, and this active hydrogen easily breaks the Si—O—Si bond. Free Si- produced by this cleavage readily binds to Ca 2+ to form cristobalite.
The reason for using synthetic quartz glass is that, when Al 3+ or the like is present, metal ions are combined with Al 3+ to make it difficult to form cristobalite. In general, synthetic quartz glass has high purity and an amorphous structure, and thus is difficult to be converted into cristobalite. However, since it has the property of being easily cut by active hydrogen, it has the property that it is easily crystallized if impurities such as metal ions are mixed in even a little.
When a synthetic quartz glass having an OH content of 100 ppm or more in a layer containing 2 ppm or more of calcium oxide of 1 μm or more and 100 μm or more from the surface of the quartz crucible, it is particularly preferable to mix calcium oxide of 2 ppm to 5 ppm. This is because it is a range that does not affect the quality characteristics of the silicon wafer. Although the OH content is 100 ppm or more, 180-300 ppm is most effective. If it exceeds 300 ppm, the viscosity decreases and deformation occurs, and if it exceeds 300 ppm, it can be crystallized by itself at 1500 ° C. or higher, so that excessive crystallization may progress and cracks may occur. The synthetic quartz glass may be made of ultra-high purity produced by hydrolysis of tetramethoxysilane. Particularly, those having an Al content of 1 ppm or less are preferable.
Such a quartz crucible crystallizes from the pole surface during a heating time of about 2 hours when melting polycrystalline silicon, and becomes cristobalite. Synthetic quartz glass differs from natural quartz glass in that the entire surface is uniformly crystallized. This crystallization spreads out of the surface over time, but beyond the contaminant layer, the crystallization rate sharply slows. This is because the diffusion of Ca is slow.
When the surface is crystallized, the crystal is ordinary β-cristobalite and does not peel off from the surface. In addition, since β-cristobalite is a crystal, the reaction with the silicon melt is suppressed. The reactivity of all quartz glasses decreases as the crystallinity increases. In other words, the order is quartz <tridymite <cristobalite <natural quartz glass <synthetic quartz glass. Therefore, since the reactivity between the quartz crucible and the silicon melt is low, it can be said that even when used at a high temperature, a large amount of oxygen is hardly mixed into the melt.
Naturally, the amount of oxygen entering the silicon ingot is reduced. OSF defects in silicon wafers are defects into which a large amount of oxygen enters and precipitates. In order to reduce this, a method of slowly pulling a single crystal is used. In this case, the OSF moves from the periphery of the ingot to the center, and eventually disappears. At this time, a phenomenon occurs in which if there is a large amount of oxygen, the oxygen remains without being lost, and the OSF remains.
In the case of ordinary quartz crucibles, the temperature needs to be raised in order to slowly pull the quartz crucible, so that oxygen is further added. This tendency is particularly severe in synthetic quartz crucibles. Since the quartz crucible of the present invention is cristobalite, oxygen does not increase much. Thereby, defects such as OSF and COP can be reduced.
[0024]
EXAMPLES Next, examples will be described in detail, but the present invention is not limited to these examples.
Example 1 Into a rotating mold having an inner diameter of 574 mmφ, 26 kg of U.S.A. Unimins IOTA-6 was charged, and 2 kg of synthetic powder was molded on the inner surface. A voltage of 120 to 150 V was applied to the 2-inch graphite electrode, and a current of 2200 to 2800 A was passed. After 5 minutes, the inner surface began to melt. Hydrogen gas was flowed at 120 l / min, and a raw material in which 100 g of synthetic powder was mixed with 20 ppm of calcium oxide was charged. After charging, the hydrogen gas was stopped, and after 20 minutes, the arc was terminated when the whole was melted, and the crucible was taken out. This quartz crucible was cut into a specified size, and the inner surface was etched with 5% hydrofluoric acid for 30 minutes. 40% hydrofluoric acid was put into the bottom of the crucible, collected after 60 minutes, and the purity was measured by ICP-mas. As a result, the concentration of calcium oxide in the 50 μm surface layer was 5 ppm. Further, the fragment was cut out, and the OH content was measured by an infrared absorption spectrum. As a result, it was 220 ppm. Using a 22-inch crucible melted under exactly the same conditions as above, 100 kg was charged and an 8-inch single crystal was pulled, resulting in a 100% yield. Thereafter, 80 kg of polycrystalline silicon was recharged and pulled up in the same manner. As a result, the DF conversion ratio was also 100% (high single crystallization ratio). Further, 70 kg of polycrystalline silicon was recharged and pulled up in the same manner. As a result, the DF conversion ratio was also 100%.
After the ingot was sliced and polished, the OSF density and COP were measured. As a result, all the parts were within the 100% standard.
[0026]
【The invention's effect】
According to the above description, the yield and oxygen concentration of a silicon single crystal can be controlled, and defects such as OSF and COP can be reduced.