JP2004273644A

JP2004273644A - Semiconductor laser

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Publication number: JP2004273644A
Application number: JP2003060489A
Authority: JP
Inventors: Yasuo Shibata; 泰夫柴田; Nobuhiro Nunotani; 伸浩布谷; Naoki Fujiwara; 直樹藤原
Original assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Current assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date: 2003-03-06
Filing date: 2003-03-06
Publication date: 2004-09-30
Anticipated expiration: 2023-03-06
Also published as: JP4074534B2

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor laser that has no mode hops, is easily controlled and has a large wavelength variable region, and easily copes with deterioration in an element. <P>SOLUTION: An active layer 502 having wavelength selectivity, a waveguide core 503 having no gains and no wavelength selectivity, and a reflection region (waveguide end face) 509 having no gains, are connected in series to the advance direction of light; and an electrode 506 for phase control for changing the optical effective length of the waveguide core 503 is provided. Additionally, the active layer 502 has a diffraction grating 510 that includes a gain medium having the gain in the core of the waveguide, and has a first gain where at least one of the thickness and width of the medium for composing the core of the waveguide or cladding changes periodically. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO&NCIPI

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体レーザに関し、より詳細には、波長多重光ネットワークにおいて波長可変幅の大きい波長可変レーザに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、通信用の光源としては、主にＤＦＢ（ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄＦｅｅｄｂａｃｋ；分布帰還型）レーザが用いられてきたが、近年、波長多重通信（ＷＤＭ；ＷａｖｅｌｅｎｇｔｈＤｉｖｉｓｉｏｎｍｕｌｔｉｐｌｅｘｉｎｇ）システムの発展にともない、発振波長を可変できる波長可変光源が求められるようになった。通信用の波長可変レーザとしては、以下の図１に示すようなＤＢＲ型レーザが知られている（例えば、非特許文献１参照）。
【０００３】
図１は、従来のＤＢＲレーザを示す断面図で、図中符号１０１は半導体基板、１０２は利得を有する活性層、１０３は導波路コア、１０４は分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ；ＤｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄＢｒａｇｇＲｅｆｌｅｃｔｏｒ）、１０５は活性層電極、１０６はＤＢＲ制御用電極、１０７は裏面電極、１０８は反射防止膜、１０９は導波路端面を示している。
【０００４】
活性層１０２に連続して形成された導波路コア１０３には、周期的な摂動が形成され、分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）１０４を構成している。この分布ブラッグ反射器１０４の端面には、反射防止膜１０８が形成されている。ＤＢＲレーザでは端面１０と活性層１０２とＤＢＲ１０４により構成されるキャビティで発振し、その発振波長は、活性層１０２とＤＢＲ１０４と導波路端面１０９により構成されるキャビティの共振器長による縦モード波長のうちの一つがＤＢＲ１０４のブラッグ波長により選択されて決定される。
【０００５】
ＤＢＲレーザにおける発振波長の可変機構は、以下のように説明される。つまり、ＤＢＲ制御用電極１０６からＤＢＲ１０４へ制御電流Ｉ_ＤＢＲを注入すると、導波路コア１０３の屈折率が変化する。このとき、ＤＢＲ１０４の等価屈折率が変化するため、ＤＢＲのブラッグ波長が変化する。また、屈折率変化に伴い実効的に共振器長が変化するため、縦モード波長も変化する。縦モード波長とブラッグ波長は、電流注入に伴って共に短波にシフトするため、電流注入に伴って発振波長は短波長側にシフトする。ただし、ＤＢＲ１０４への制御電流Ｉ_ＤＢＲに対する感度は、ブラッグ波長の方が敏感で、より短波にシフトするため、注入電流の増加にともないブラッグ波長と選択されている縦モードとのずれが大きくなる。
【０００６】
したがって、ＤＢＲ１０４への制御電流Ｉ_ＤＢＲが増加するにつれ、最初は連続的に発振波長が短波へシフトするが、縦モード波長の変化がブラッグ波長の変化に追従できなくなると、隣の縦モードに発振が跳ぶ（モードホップ）。このＤＢＲレーザのモードホップ現象を図２に示す。ＤＢＲレーザには、原理的に発振不可能な波長帯が存在する。また、連続的に波長変化が可能な波長帯は連続波長可変幅と呼ばれ、連続波長可変幅の広いものが要求される。
【０００７】
ＤＢＲレーザ連続波長可変幅の拡大には、２つの方法がある。この２つの方法については、以下に説明する。
上述したように、ＤＢＲレーザの発振波長は、ブラッグ波長と共振器の縦モードとの関係で決定される。連続波長可変幅の拡大のための第１の方法は、共振器の縦モード間隔を拡げることである。隣の縦モードまでの周波数（または波長）間隔が広くなれば、隣の縦モードまでモードホップするために必要なブラッグ波長と縦モードのずれが大きくなるため、連続的に波長変化できる領域が拡大される。縦モード間隔を広げる最も一般的な方法は、活性領域長を短縮することである。したがって、連続波長可変幅の拡大のための第１の方法としては、活性領域長を短縮することがあげられる。
【０００８】
図３は、従来の他のＤＢＲレーザを示す断面図で、連続波長可変幅を拡大するための第２の方法を説明するための図である。図中符号４０１は半導体基板、４０２は利得を有する活性層、４０３は導波路コア、４０４は分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）、４０５は活性層電極、４０６はＤＢＲ制御用電極、４０７は裏面電極、４０８は反射防止膜、４０９は導波路端面、４１０は利得を有しない導波路コア（位相制御領域）、４１１は位相制御用電極を示している。
【０００９】
活性層４０２とＤＢＲ４０４の間に導波路コア４１０を設け、ＤＢＲ制御電流Ｉ_ＤＢＲに加えて、さらに位相制御電流Ｉ_ＰＣにより伝播光の位相を調整してモードホップを回避する方法である。活性層４０２に連続して形成された導波路コア４０３には周期的な摂動が形成され、ＤＢＲ４０４を構成している。ＤＢＲ４０４の端面には、反射防止膜４０８が形成されている。導波路端面４０９は、反射ミラーとして作用する。導波路コア４１０で位相制御領域を形成している。伝播光の位相調整を行うため、厳密には連続波長可変幅の拡大ではないが、擬似的に広帯域の連続波長シフトが可能である。
【００１０】
しかし、その場合には、波長の制御項目は、ＤＢＲ制御電流Ｉ_ＤＢＲと位相制御電流Ｉ_ＰＣの２つとなり、それらを同時にかつ複雑に制御しなくてはならない。実際の使用時には、ＤＢＲ注入電流Ｉ_ＤＢＲと位相制御電流Ｉ_ＰＣに対する波長マップをもとに波長制御を行わなくてはならず、そのため制御が難しいという問題があった。また、信頼性の観点からは、素子の劣化により、ＤＢＲ制御電流Ｉ_ＤＢＲおよび位相制御電流Ｉ_ＰＣの電流注入条件の変化を予想することは難しく実用化における問題となっている。
【００１１】
図１に示すような位相制御領域を持たない構造の波長可変ＤＢＲレーザは、その制御の簡便で、素子が時間的に劣化しても波長のオンライン観察による電流値へのフィードバックが可能であり、劣化への対応が容易であるため、理想的なＤＢＲレーザであるが、以下に挙げるような問題がある。
【００１２】
【非特許文献１】
池上徹彦監修、土屋治彦、三上修編著、「半導体フォトニクス工学」（コロナ社）ＩＳＢＮ４−３３９−００６２３−８、１９９５年、３０６ページ
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
連続波長可変幅の広く、かつ位相調整を行わないＤＢＲレーザにおいて、活性領域を短縮化するため、その分、単位長さあたりに要求される利得は倍増する。また、波長シフト時、すなわち、ＤＢＲ電流注入時は、ＤＢＲ領域の導波路増大に伴い実効的な反射率が低下し、閾値利得は１〜２桁上昇し、さらに光出力の低下も問題となる。すなわち、波長シフト時に利得不足によって途中で発振が停止し、発振しても利得飽和により低出力となるため、実用化そのものが困難となっている。
【００１４】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、モードホップが無く、制御が容易で波長可変域が大きく、素子劣化へ対応が容易である半導体レーザを提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、波長選択性を有する利得領域（５０２）と、利得および波長選択性を有しない導波路領域（５０３）と、利得を有しない反射領域（５０９）とが、光の進行方向に対して直列に接続されているとともに、前記導波路領域の光学的実効長を変化させるための手段（５０６）を備えていることを特徴とする。（図４に示す実施例１に相当）
【００１６】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記利得領域（５０２）が、利得を有する利得媒質を導波路のコアに含み、前記導波路のコアもしくはクラッドを構成する媒質の少なくとも厚さ、または幅の一方が周期的に変化する第１の利得を有する回折格子（５１０）を備えていることを特徴とする。
【００１７】
また、請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の発明において、前記反射領域（５０９）が、ミラーにより形成されていることを特徴とする。
【００１８】
また、請求項４に記載の発明は、波長選択性を有する利得領域（６０２）と、利得および波長選択性を有しない第１の導波路領域（６０３）と、利得を有しない第２の導波路領域（６０９）とが、光の進行方向に対して直列に接続されているとともに、前記導波路領域の光学的実効長を変化させるための手段（６０６）を備えていることを特徴とする。（図６に示す実施例２に相当）
【００１９】
また、請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の発明において、前記利得領域（６０２）が、利得を有する利得媒質を導波路のコアに含み、前記導波路のコアもしくはクラッドを構成する媒質の少なくとも厚さ、または幅の一方が周期的に変化する第１の利得を有する回折格子（６１３）を備えていることを特徴とする。
【００２０】
また、請求項６に記載の発明は、請求項４又は５に記載の発明において、前記第２の導波路領域（６０９）が、周期構造を有する回折格子（６１４）により形成されていることを特徴とする。
【００２１】
また、請求項７に記載の発明は、波長選択性を有する第１の利得領域（７０２）と、利得および波長選択性を有しない導波路領域（７０３）と、波長選択性を有する第２の利得領域（７０９）とが、光の進行方向に対して直列に接続されているとともに、前記導波路領域の光学的実効長を変化させるための手段（７０６）を備えていることを特徴とする。（図７に示す実施例３に相当）
【００２２】
また、請求項８に記載の発明は、請求項７に記載の発明において、前記第１の利得領域（７０２）が、利得を有する利得媒質を導波路のコアに含み、前記導波路のコアもしくはクラッドを構成する媒質の少なくとも厚さ、または幅の一方が周期的に変化する第１の利得を有する回折格子（７１３）を備え、前記第２の利得領域（７０９）が、利得を有する利得媒質を導波路のコアに含み、前記導波路のコアもしくはクラッドを構成する媒質の少なくとも厚さ、または幅の一方が周期的に変化する第２の利得を有する回折格子（７１４）を備えていることを特徴とする。
【００２３】
また、請求項９に記載の発明は、請求項２，５又は８に記載の発明において、前記第１の利得を有する回折格子（５１０，６１３，７１３）又は前記第２の利得を有する回折格子（７１４）の結合係数が３００ｃｍ^−１よりも大きいことを特徴とする。
【００２４】
また、請求項１０に記載の発明は、請求項１乃至９いずれかに記載の発明において、前記導波路領域の光学的実効長を変化させるための手段として、導波路の少なくともコアまたはクラッドの一部に電流を注入もしくは電圧を印加するための電極（５０６，６０６，７０６）が設けられていることを特徴とする。
【００２５】
また、請求項１１に記載の発明は、請求項１乃至１０いずれかに記載の発明において、前記導波路領域の長さが１０μｍよりも短いことを特徴とする。
【００２６】
本発明は、このような構成により、モードホップが無く、広い連続波長可変域が得られる波長可変レーザを得ることができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施例について説明する。
［実施例１］
図４は、本発明に係る半導体レーザの実施例１を示す断面図で、図中符号５０１は半導体基板、５０２は利得を有する活性層、５０３は利得を有しない導波路コア、５０４は分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）、５０５は活性層電極、５０６は位相制御用電極（光学的実効長を変化させるための手段）、５０７は裏面電極、５０８は反射防止膜、５０９は導波路端面、５１０は回折格子を示している。
【００２８】
この実施例１による半導体レーザは、波長選択性を有する活性層（利得領域）５０２と、利得および波長選択性を有しない有しない導波路コア（導波路領域）５０３と、利得を有しない反射領域（導波路端面）５０９とが、光の進行方向に対して直列に接続されているとともに、導波路コア５０３の光学的実効長を変化させるための位相制御用電極５０６を備えている。
【００２９】
また、活性層５０２が、利得を有する利得媒質を導波路のコアに含み、導波路のコアもしくはクラッドを構成する媒質の少なくとも厚さ、または幅の一方が周期的に変化する第１の利得を有する回折格子５１０を備えている。この第１の利得を有する回折格子５１０の結合係数は、３００ｃｍ^−１よりも大きいように構成されている。
【００３０】
また、導波路端面５０９が、波長選択性を有しない反射ミラーを構成していて、位相制御用電極５０６は、導波路の少なくともコアまたはクラッドの一部に電流を注入もしくは電圧を印加するための電極であり、導波路コア５０３の長さは、１０μｍよりも短いように構成されている。
【００３１】
また、活性層５０２には周期的な摂動が形成され、ＤＢＲ５０４を構成している。ＤＢＲ５０４の端面には、反射防止膜５０８が形成されている。導波路端面５０９は、反射ミラーとして作用する。導波路端面５０９と利得を有しない導波路コア５０３と活性層５０２を含むＤＢＲ５０４により構成されるキャビティで発振する。一般的に利得を有するＤＢＲ構造を含む素子としては、いわゆる、ＤＦＢレーザが挙げられるが、ＤＦＢレーザでは利得を有するＤＢＲ構造のみでキャビティを構成するのに対し、本発明の半導体レーザは、ＤＢＲのみでは発振せず、利得を有しない導波路コア５０３を経て導波路端面５０９で反射された光が、再びＤＢＲ５０４に入射するフィードバックがあることにより初めて発振することができる点で根本的に発振原理がＤＦＢレーザとは異なっている。
【００３２】
本発明の半導体レーザにおいて、利得を有するＤＢＲ５０４の結合係数、長さ、および利得を有しない導波路コア５０３の長さの関係は、次のように設定する。すなわち、ＤＢＲ５０４の長さは、ＤＢＲのみでは発振しない長さとし、導波路コア５０３の長さは、ＤＢＲ５０４の実効長と利得を有しない導波路コア５０３の長さの和により決定される共振器長で、決定される縦モード間隔がＤＢＲ５０４のストップバンド幅よりも広くなるような長さとする。
【００３３】
以下に、その発振原理および発振波長について詳細に説明する。
活性層５０２を含むＤＢＲ５０４は、波長選択性と光学利得をあわせもつ。従って、利得を有するＤＢＲ（反射領域）５０４では、ある特定の波長の光のみが増幅される。増幅される波長は、ＤＢＲ５０４のＢｒａｇｇ波長を中心とし、波長帯域は、ＤＢＲ５０４のストップバンド幅で決定される。本実施例では、ＤＢＲ５０４の結合係数ｋを３００ｃｍ^−１、長さを７０μｍに設定したため、ストップバンド幅は約１０ｎｍ、ＤＢＲ５０４の実効長は約３０μｍであった。発振波長は、活性層５０２を含むＤＢＲ５０４と利得を有しない導波路コア５０３と導波路端面５０９とにより構成されるキャビティの共振器長による縦モード波長のうちの一つがＤＢＲ５０４のブラッグ波長により選択され決定される。縦モード間隔は
【００３４】
【数１】

【００３５】
で与えられる。ここで、λ_０は発振波長、ｎ_ｅｆｆは波長分散を考慮した実効屈折率、Ｌ_ｅｆｆはＤＢＲの実効長、Ｌ_ｐは利得を有しない導波路コア５０３の長さである。本実施例１では利得を有しない導波路コア５０３の長さＬ_ｐを１０μｍとした。その結果縦モード間隔は、発振波長が約１．５５μｍ、実効屈折率が約３．５であることを考慮すると（１）式より約１１．５ｎｍとなり、縦モード間隔がストップバンド幅よりも広くなっていることがわかる。発振波長は前述のとおり、幅広いストップバンドの中に含まれる、キャビティの共振器長による縦モード波長で生じる。縦モード間隔がストップバンド幅よりも広いため、ストップバンド内には縦モードは一本しか存在しない。この様子を図５に示す。図５において、実線は利得を有するＤＢＲの反射率、細い破線はキャビティの縦モードの透過スペクトルを示している。発振波長は、図中の一点鎖線で示される、ストップバンドと縦モードが一致した点λ_０で行われる。
【００３６】
波長チューニングは次のように行われる。利得を有しない導波路コア５０３に制御電流を注入すると、導波路コアの屈折率が変化する。そのため、導波路コア５０３の実効的光学長が変化し、縦モードの波長および間隔が変化する。この様子を図５の太い破線で示す。その結果、発振波長は、図５の実線と太い破線のピークが一致した点、すなわちλ_１にシフトする。共振器長により決定される縦モード間隔がストップバンド幅よりも広いために、ストップバンドと縦モード波長が一致する点は一点しかなく、これが電流注入により連続的に変化するので、発振は必ずこのストップバンドと縦モード波長が一致する点で生じ、モードホップすることはない。したがって、この半導体レーザの連続波長可変幅は、ストップバンド幅により決定される。すなわち、本実施例１の場合、ストップバンド幅は約１０ｎｍであり、連続可変幅は約１０ｎｍが得られる。
【００３７】
本実施例１で用いる活性層５０２の構造に関しては、特に制約を設けるものではなく、通常用いられるすべての構造の活性層について本実施例１の構成をとることにより、上述した説明のような効果が期待できる。すなわち、活性層に関しては、ＩｎＧａＡｓＰ、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＧａＩｎＮＡｓ等任意の材質について適用が可能であり、活性層の構造に関してもバルク、ＭＱＷ、量子細線、量子ドットを問わず、また、活性層領域の導波路構造に関してもｐｎ埋め込み、リッジ構造、半絶縁埋め込み構造、ハイメサ構造等を用いた場合でも同様な効果が期待できる。基板に関してもｎ型基板に限定されるものではなく、ｐ型、半絶縁型などでも同様な効果が得られることは言うまでもない。
【００３８】
また、周期的摂動は、活性層５０２上の直に形成しなくとも、活性層を導波する光の電界が零でない有限な値を有する領域に形成されていれば同様な効果が期待できる。例えば、通常の半導体レーザで用いられている分離閉じ込め構造（ＳＣＨ構造）のＳＣＨ層上に形成されていても良く、また、活性層と接していない領域にクラッド層よりも屈折率が高い層を積層し、そこに周期的摂動を形成しても全く同様な効果が期待できる。
【００３９】
［実施例２］
図６は、本発明に係る半導体レーザの実施例２を示す断面図で、図中符号６０１は半導体基板、６０２は利得を有する活性層、６０３は利得を有しない導波路コア、６０４は分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）、６０５は活性層電極、６０６は位相制御用電極（光学的実効長を変化させるための手段）、６０７は裏面電極、６０８は反射防止膜、６０９は利得を有しない導波路コア、６１０は分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）、６１１はブラッグ波長制御用電極、６１２は反射防止膜、６１３，６１４は回折格子を示している。
【００４０】
この実施例２による半導体レーザは、波長選択性を有する活性層（利得領域）６０２と、利得および波長選択性を有しない第１の導波路コア（導波路領域）６０３と、利得を有しない導波路コア（導波路領域）６０９とが、光の進行方向に対して直列に接続されているとともに、導波路コアの光学的実効長を変化させるための位相制御用電極６０６を備えている。
【００４１】
また、活性層６０２が、利得を有する利得媒質を導波路のコアに含み、導波路のコアもしくはクラッドを構成する媒質の少なくとも厚さ、または幅の一方が周期的に変化する第１の利得を有する回折格子６１３を備えている。さらに、第２の導波路コア６０９は、周期構造を有する回折格子６１４により形成されていて、反射領域となっている。
【００４２】
また、活性層６０２には周期的な摂動が形成され、ＤＢＲ６０４を構成している。ＤＢＲ６０４の端面には、反射防止膜６０８が形成されている。利得を有しない導波路コア６０９は、周期的な摂動が形成されてＤＢＲ６１０を形成している。ブラッグ波長制御用電極６１１は、必要に応じてＤＢＲ６０４と６１０の反射波長を一致させるために、あるいは言い方を変えれば反射スペクトルにおけるストップバンドに重なりを持たせるために用いる。ただし、ＤＢＲ６０４と６１０のブラッグ波長をほぼ一致させ、ＤＢＲ６０４と６１０のストップバンドに重なりがあるように作製すれば、または、より具体的には、ＤＢＲ６０４と６１０がお互いの反射スペクトルのストップバンドの少なくとも一部が重なり合う様に、そのＢｒａｇｇ波長および結合係数が設定されていればブラッグ波長制御用電極６１１は必ずしも必要ではない。
【００４３】
動作原理ならびに波長チューニング原理は、レーザのキャビティが利得を有しないＤＢＲ６１０と利得を有しない導波路コア６０３と活性層６０２を含むＤＢＲ６０４とにより構成されることを除けば、図４に示した実施例１と同様である。ただし、縦モード間隔はＤＢＲ６１０，６０４の実効長をそれぞれＬ_ｅｆｆ _１，Ｌ_ｅｆｆ _２として
【００４４】
【数２】

【００４５】
で与えられ、波長可変帯域は両側に存在するＤＢＲ６０４と６１０のストップバンドの重なりの幅で決定されることになる。
【００４６】
本実施例２の場合も、活性層６０２の構造に関しては、特に制約を設けるものではなく、通常用いられるすべての構造の活性層について本実施例２の構成をとることにより、上述した説明のような効果が期待できる。すなわち、活性層に関しては、ＩｎＧａＡｓＰ、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＧａＩｎＮＡｓ等任意の材質について適用が可能であり、活性層の構造に関してもバルク、ＭＱＷ、量子細線、量子ドットを問わず、また、活性層領域の導波路構造に関してもｐｎ埋め込み、リッジ構造、半絶縁埋め込み構造、ハイメサ構造等を用いた場合でも同様な効果が期待できる。基板に関してもｎ型基板に限定されるものではなく、ｐ型、半絶縁型などでも同様な効果が得られることは言うまでもない。
【００４７】
また、周期的摂動は活性層６０２上の直に形成しなくとも、活性層を導波する光の電界が零でない有限な値を有する領域に形成されていれば同様な効果が期待できる。例えば、通常の半導体レーザで用いられている分離閉じ込め構造（ＳＣＨ構造）のＳＣＨ層上に形成されていても良く、また、活性層と接していない領域にクラッド層よりも屈折率が高い層を積層し、そこに周期的摂動を形成しても全く同様な効果が期待できる。
【００４８】
［実施例３］
図７は、本発明に係る半導体レーザの実施例３を示す断面図で、図中符号７０１は半導体基板、７０２は利得を有する第１の活性層、７０３は利得を有しない導波路コア、７０４は分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）、７０５は活性層電極、７０６は位相制御用電極（光学的実効長を変化させるための手段）、７０７は裏面電極、７０８は反射防止膜、７０９は利得を有する第２の活性層、７１０は分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）、７１１は活性層電極、７１２は反射防止膜、７１３，７１４は回折格子を示している。
【００４９】
この実施例３による半導体レーザは、波長選択性を有する第１の活性層（利得領域）７０２と、利得および波長選択性を有しない導波路コア（導波路領域）７０３と、波長選択性を有する第２の活性層（利得領域）７０９とが、光の進行方向に対して直列に接続されているとともに、導波路コアの光学的実効長を変化させるための位相制御用電極７０６を備えている。
【００５０】
また、第１の活性層７０２が、利得を有する利得媒質を導波路のコアに含み、導波路のコアもしくはクラッドを構成する媒質の少なくとも厚さ、または幅の一方が周期的に変化する第１の利得を有する回折格子７１３を備え、第２の活性層７０９が、利得を有する利得媒質を導波路のコアに含み、導波路のコアもしくはクラッドを構成する媒質の少なくとも厚さ、または幅の一方が周期的に変化する第２の利得を有する回折格子７１４を備えている。
【００５１】
また、活性層７０２には周期的な摂動が形成され、ＤＢＲ７０４を構成している。ＤＢＲ７０４の端面には、反射防止膜７０８が形成されている。利得を有する活性層７０９は、周期的な摂動が形成されてＤＢＲ７１０を形成している。利得を有するＤＢＲ７０４および７１０は、お互いの反射スペクトルのストップバンドの少なくとも一部が重なり合う様に、そのＢｒａｇｇ波長および結合係数が設定されている。
【００５２】
動作原理ならびに波長チューニング原理は、レーザのキャビティが活性層７０９を含むＤＢＲ７１０と利得を有しない導波路コア７０３と活性層７０２を含むＤＢＲ７０４とにより構成されることを除けば、図４に示した実施例１と同様である。ただし、縦モード間隔はＤＢＲ７１０，７０４の実効長をそれぞれＬ_ｅｆｆ _１，Ｌ_ｅｆｆ _２として（２）式で与えられ、波長可変帯域は両側に存在するＤＢＲ７０４と７１０のストップバンドの重なりの幅で決定されることになる。
【００５３】
本実施例３の場合も、活性層７０２，７０９の構造に関しては、特に制約を設けるものではなく、通常用いられるすべての構造の活性層について本実施例３の構成をとることにより、上述した説明のような効果が期待できる。すなわち、活性層に関しては、ＩｎＧａＡｓＰ、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＧａＩｎＮＡｓ等任意の材質について適用が可能であり、活性層の構造に関してもバルク、ＭＱＷ、量子細線、量子ドットを問わず、また、活性層領域の導波路構造に関してもｐｎ埋め込み、リッジ構造、半絶縁埋め込み構造、ハイメサ構造等を用いた場合でも同様な効果が期待できる。基板に関してもｎ型基板に限定されるものではなく、ｐ型、半絶縁型などでも同様な効果が得られることは言うまでもない。
【００５４】
また、周期的摂動は活性層７０２，７０９上に直に形成しなくとも、活性層を導波する光の電界が零でない有限な値を有する領域に形成されていれば同様な効果が期待できる。例えば、通常の半導体レーザで用いられている分離閉じ込め構造（ＳＣＨ構造）のＳＣＨ層上に形成されていても良く、また、活性層と接していない領域にクラッド層よりも屈折率が高い層を積層し、そこに周期的摂動を形成しても全く同様な効果が期待できる。
【００５５】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、波長選択性を有する利得領域と、利得および波長選択性を有しない導波路領域と、利得を有しない反射領域とが、光の進行方向に対して直列に接続されているとともに、導波路領域の光学的実効長を変化させるための手段を備えているので、モードホップなく広い連続波長可変域が得られる波長可変レーザを提供することができる。
【００５６】
また、波長選択性を有する利得領域と、利得および波長選択性を有しない第１の導波路領域と、利得および波長選択性を有しない第２の導波路領域とが、光の進行方向に対して直列に接続されているとともに、導波路領域の光学的実効長を変化させるための手段を備えているので、モードホップなく広い連続波長可変域が得られる波長可変レーザを提供することができる。
【００５７】
さらに、波長選択性を有する第１の利得領域と、利得および波長選択性を有しない導波路領域と、波長選択性を有する第２の利得領域とが、光の進行方向に対して直列に接続されているとともに、導波路領域の光学的実効長を変化させるための手段を備えているので、モードホップなく広い連続波長可変域が得られる波長可変レーザを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来のＤＢＲレーザを示す断面図である。
【図２】ＤＢＲレーザのモードホップ現象を示す図である。
【図３】従来の他のＤＢＲレーザを示す断面図である。
【図４】本発明に係る半導体レーザの実施例１を示す断面図である。
【図５】本発明の実施例１の動作原理を説明するための図で、ＤＢＲの反射スペクトルと縦モードスペクトルの関係を示した図である。
【図６】本発明に係る半導体レーザの実施例２を示す断面図である。
【図７】図７は、本発明に係る半導体レーザの実施例３を示す断面図である。
【符号の説明】
１０１半導体基板
１０２利得を有する活性層
１０３導波路コア
１０４分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）
１０５活性層電極
１０６ＤＢＲ制御用電極
１０７裏面電極
１０８反射防止膜
１０９導波路端面
４０１半導体基板
４０２利得を有する活性層
４０３導波路コア
４０４分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）
４０５活性層電極
４０６ＤＢＲ制御用電極
４０７裏面電極
４０８反射防止膜
４０９導波路端面
４１０利得を有しない導波路コア（位相制御領域）
４１１位相制御用電極
５０１半導体基板
５０２利得を有する活性層
５０３利得を有しない導波路コア
５０４分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）
５０５活性層電極
５０６位相制御用電極（光学的実効長を変化させるための手段）
５０７裏面電極
５０８反射防止膜
５０９導波路端面
５１０回折格子
６０１半導体基板
６０２利得を有する活性層
６０３利得を有しない導波路コア
６０４分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）
６０５活性層電極
６０６位相制御用電極（光学的実効長を変化させるための手段）
６０７裏面電極
６０８反射防止膜
６０９利得を有しない導波路コア
６１０分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）
６１１ブラッグ波長制御用電極
６１２反射防止膜
６１３，６１４回折格子
７０１半導体基板
７０２利得を有する活性層
７０３利得を有しない導波路コア
７０４分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）
７０５活性層電極
７０６位相制御用電極（光学的実効長を変化させるための手段）
７０７裏面電極
７０８反射防止膜
７０９利得を有する活性層
７１０分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）
７１１活性層電極
７１２反射防止膜
７１３，７１４回折格子[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a semiconductor laser, and more particularly, to a tunable laser having a large tunable width in a wavelength division multiplexing optical network.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, a distributed feedback (DFB) laser has been mainly used as a light source for communication. However, in recent years, with the development of a wavelength division multiplexing (WDM) system, the oscillation wavelength has been changed. There has been a demand for a wavelength tunable light source that can. As a wavelength tunable laser for communication, a DBR laser as shown in FIG. 1 below is known (for example, see Non-Patent Document 1).
[0003]
FIG. 1 is a sectional view showing a conventional DBR laser, in which reference numeral 101 denotes a semiconductor substrate, 102 denotes an active layer having a gain, 103 denotes a waveguide core, 104 denotes a distributed Bragg reflector (DBR), Reference numeral 105 denotes an active layer electrode, 106 denotes a DBR control electrode, 107 denotes a back surface electrode, 108 denotes an antireflection film, and 109 denotes an end face of the waveguide.
[0004]
A periodic perturbation is formed in a waveguide core 103 formed continuously with the active layer 102, and constitutes a distributed Bragg reflector (DBR) 104. An anti-reflection film 108 is formed on an end face of the distributed Bragg reflector 104. The DBR laser oscillates in a cavity formed by the end face 10, the active layer 102, and the DBR 104, and the oscillation wavelength is one of the longitudinal mode wavelengths due to the cavity length of the cavity formed by the active layer 102, the DBR 104, and the waveguide end face 109. Is selected and determined by the Bragg wavelength of the DBR 104.
[0005]
The mechanism for changing the oscillation wavelength in the DBR laser is described as follows. That is, the control current I flows from the DBR control electrode 106 to the DBR 104._DBR, The refractive index of the waveguide core 103 changes. At this time, since the equivalent refractive index of the DBR 104 changes, the Bragg wavelength of the DBR changes. Further, since the resonator length effectively changes with the change in the refractive index, the longitudinal mode wavelength also changes. Since both the longitudinal mode wavelength and the Bragg wavelength shift to shorter wavelengths with the current injection, the oscillation wavelength shifts to the shorter wavelength side with the current injection. However, the control current I to the DBR 104_DBRIs more sensitive to the Bragg wavelength and shifts to shorter wavelengths, so that the shift between the Bragg wavelength and the selected longitudinal mode increases as the injection current increases.
[0006]
Therefore, the control current I to DBR 104_DBRAs the number increases, the oscillation wavelength shifts to a short wave continuously at first, but when the change in the longitudinal mode wavelength cannot follow the change in the Bragg wavelength, the oscillation jumps to the adjacent longitudinal mode (mode hop). FIG. 2 shows the mode hop phenomenon of this DBR laser. The DBR laser has a wavelength band that cannot be oscillated in principle. A wavelength band in which the wavelength can be continuously changed is called a continuous wavelength variable width, and a wavelength band having a large continuous wavelength variable width is required.
[0007]
There are two methods for expanding the DBR laser continuous wavelength variable width. These two methods will be described below.
As described above, the oscillation wavelength of the DBR laser is determined by the relationship between the Bragg wavelength and the longitudinal mode of the resonator. A first method for increasing the continuous wavelength variable width is to increase the longitudinal mode interval of the resonator. If the frequency (or wavelength) interval to the next longitudinal mode becomes wider, the difference between the Bragg wavelength and the longitudinal mode required for mode hopping to the next longitudinal mode becomes larger, thus expanding the region where the wavelength can be continuously changed. Is done. The most common way to increase the longitudinal mode spacing is to reduce the active area length. Therefore, a first method for increasing the continuous wavelength variable width is to shorten the active region length.
[0008]
FIG. 3 is a cross-sectional view showing another conventional DBR laser, and is a view for explaining a second method for expanding the continuous wavelength variable width. In the figure, reference numeral 401 denotes a semiconductor substrate, 402 denotes an active layer having a gain, 403 denotes a waveguide core, 404 denotes a distributed Bragg reflector (DBR), 405 denotes an active layer electrode, 406 denotes a DBR control electrode, 407 denotes a back surface electrode, Reference numeral 408 denotes an anti-reflection film, 409 denotes a waveguide end face, 410 denotes a waveguide core (phase control region) having no gain, and 411 denotes a phase control electrode.
[0009]
A waveguide core 410 is provided between the active layer 402 and the DBR 404, and the DBR control current I_DBRIn addition to the phase control current I_PCTo adjust the phase of the propagating light to avoid mode hops. A periodic perturbation is formed in a waveguide core 403 formed continuously with the active layer 402, and constitutes a DBR 404. An antireflection film 408 is formed on an end face of the DBR 404. The waveguide end face 409 functions as a reflection mirror. The waveguide core 410 forms a phase control region. Since the phase adjustment of the propagating light is performed, strictly, the continuous wavelength variable width is not expanded, but a continuous wavelength shift in a pseudo wide band is possible.
[0010]
However, in that case, the control item of the wavelength is the DBR control current I_DBRAnd the phase control current I_PCWhich must be controlled simultaneously and in a complicated manner. In actual use, the DBR injection current I_DBRAnd the phase control current I_PCWavelength control must be performed on the basis of the wavelength map corresponding to this, and there is a problem that control is difficult. From the viewpoint of reliability, the DBR control current I_DBRAnd the phase control current I_PCIt is difficult to predict a change in the current injection condition of the above, which is a problem in practical use.
[0011]
The wavelength tunable DBR laser having no phase control region as shown in FIG. 1 is simple to control, and even if the element is deteriorated with time, it is possible to feed back the current value by online observation of the wavelength, Although it is an ideal DBR laser because it can easily cope with deterioration, it has the following problems.
[0012]
[Non-patent document 1]
Edited by Tetsuhiko Ikegami, edited by Haruhiko Tsuchiya and Osamu Mikami, "Semiconductor Photonics Engineering" (Corona) ISBN4-339-00623-8, 1995, p.306.
[0013]
[Problems to be solved by the invention]
In a DBR laser having a wide continuous wavelength variable width and not performing phase adjustment, the gain required per unit length is doubled in order to shorten the active region. Also, at the time of wavelength shift, that is, at the time of DBR current injection, the effective reflectivity decreases as the waveguide in the DBR region increases, the threshold gain increases by one or two digits, and the optical output also decreases. . That is, when the wavelength shifts, the oscillation stops halfway due to lack of gain, and even if it oscillates, the output becomes low due to gain saturation, making practical use itself difficult.
[0014]
The present invention has been made in view of such a problem, and an object of the present invention is to provide a semiconductor laser that has no mode hop, is easy to control, has a large tunable range, and can easily cope with element deterioration. Is to do.
[0015]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve such an object, the present invention provides a gain region having wavelength selectivity (502) and a waveguide region having no gain and wavelength selectivity (503). And a reflection region (509) having no gain are connected in series with respect to the traveling direction of light, and a means (506) for changing the optical effective length of the waveguide region is provided. It is characterized by the following. (Corresponding to Example 1 shown in FIG. 4)
[0016]
According to a second aspect of the present invention, in the first aspect, the gain region (502) includes a gain medium having a gain in a core of the waveguide, and forms a core or a clad of the waveguide. And a diffraction grating having a first gain in which at least one of the thickness and the width of the medium to be changed is periodically changed.
[0017]
According to a third aspect of the present invention, in the first or second aspect, the reflection area (509) is formed by a mirror.
[0018]
In addition, the invention according to claim 4 provides a gain region having wavelength selectivity, a first waveguide region having no gain and wavelength selectivity, and a second waveguide region having no gain. The waveguide region (609) is connected in series with the traveling direction of light, and includes a means (606) for changing the optical effective length of the waveguide region. . (Corresponding to Example 2 shown in FIG. 6)
[0019]
According to a fifth aspect of the present invention, in the fourth aspect of the present invention, the gain region (602) includes a gain medium having a gain in a core of the waveguide, and forms a core or a clad of the waveguide. And a diffraction grating (613) having a first gain in which at least one of the thickness and the width of the medium to be changed is periodically changed.
[0020]
According to a sixth aspect of the present invention, in the fourth or fifth aspect, the second waveguide region (609) is formed by a diffraction grating (614) having a periodic structure. Features.
[0021]
The invention according to claim 7 provides a first gain region having wavelength selectivity (702), a waveguide region having no gain and wavelength selectivity (703), and a second gain region having wavelength selectivity. The gain region (709) is connected in series with the traveling direction of light, and includes means (706) for changing the optical effective length of the waveguide region. . (Corresponding to Example 3 shown in FIG. 7)
[0022]
The invention according to claim 8 is the invention according to claim 7, wherein the first gain region (702) includes a gain medium having a gain in a core of the waveguide, and A diffraction grating (713) having a first gain in which at least one of a thickness and a width of a medium constituting the cladding is periodically changed, and the second gain region (709) is provided with a gain medium having a gain. Is included in the core of the waveguide, and a diffraction grating (714) having a second gain in which at least one of a thickness and a width of a medium forming the core or the cladding of the waveguide is periodically changed is provided. It is characterized by.
[0023]
According to a ninth aspect of the present invention, in the second, fifth or eighth aspect, the diffraction grating having the first gain (510, 613, 713) or the diffraction grating having the second gain is provided. The coupling coefficient of (714) is 300 cm^-1It is characterized by being larger than.
[0024]
According to a tenth aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, at least one of a core and a clad of the waveguide is provided as means for changing the optical effective length of the waveguide region. An electrode (506, 606, 706) for injecting a current or applying a voltage to the portion is provided.
[0025]
The invention according to claim 11 is the invention according to any one of claims 1 to 10, wherein the length of the waveguide region is shorter than 10 μm.
[0026]
According to the present invention, with such a configuration, it is possible to obtain a wavelength tunable laser capable of obtaining a wide continuous wavelength tunable region without a mode hop.
[0027]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[Example 1]
FIG. 4 is a sectional view showing a first embodiment of a semiconductor laser according to the present invention. In the drawing, reference numeral 501 denotes a semiconductor substrate, 502 denotes an active layer having a gain, 503 denotes a waveguide core having no gain, and 504 denotes a distributed Bragg. A reflector (DBR), 505 is an active layer electrode, 506 is a phase control electrode (means for changing the optical effective length), 507 is a back electrode, 508 is an antireflection film, 509 is a waveguide end face, and 510 is a waveguide end face. 3 shows a diffraction grating.
[0028]
The semiconductor laser according to the first embodiment includes an active layer (gain region) 502 having wavelength selectivity, a waveguide core (waveguide region) 503 having no gain and wavelength selectivity, and a reflection region having no gain. (Waveguide end face) 509 are connected in series with respect to the traveling direction of light, and are provided with a phase control electrode 506 for changing the optical effective length of the waveguide core 503.
[0029]
Further, the active layer 502 includes a gain medium having a gain in the core of the waveguide, and a first gain in which at least one of the thickness and the width of the medium forming the core or the cladding of the waveguide periodically changes. Having a diffraction grating 510. The coupling coefficient of the diffraction grating 510 having the first gain is 300 cm^-1It is configured to be larger than
[0030]
Further, the waveguide end face 509 constitutes a reflection mirror having no wavelength selectivity, and the phase control electrode 506 serves to inject a current or apply a voltage to at least a part of the core or the clad of the waveguide. It is an electrode, and the length of the waveguide core 503 is configured to be shorter than 10 μm.
[0031]
Further, a periodic perturbation is formed in the active layer 502 to form the DBR 504. An antireflection film 508 is formed on an end face of the DBR 504. The waveguide end face 509 functions as a reflection mirror. Oscillation occurs in a cavity constituted by a waveguide end face 509, a waveguide core 503 having no gain, and a DBR 504 including an active layer 502. In general, a device including a DBR structure having a gain includes a so-called DFB laser. A DFB laser includes a cavity only with a DBR structure having a gain, whereas a semiconductor laser according to the present invention includes only a DBR structure. The oscillation principle is fundamental in that the light reflected by the waveguide end face 509 via the waveguide core 503 having no gain does not oscillate and can oscillate for the first time because there is feedback that enters the DBR 504 again. It is different from a DFB laser.
[0032]
In the semiconductor laser of the present invention, the relationship between the coupling coefficient and length of the DBR 504 having a gain and the length of the waveguide core 503 having no gain is set as follows. That is, the length of the DBR 504 is a length that does not oscillate only by the DBR, and the length of the waveguide core 503 is a resonator length determined by the sum of the effective length of the DBR 504 and the length of the waveguide core 503 having no gain. Therefore, the length is determined such that the determined longitudinal mode interval is wider than the stop band width of the DBR 504.
[0033]
Hereinafter, the oscillation principle and oscillation wavelength will be described in detail.
The DBR 504 including the active layer 502 has both wavelength selectivity and optical gain. Therefore, in the DBR (reflection region) 504 having a gain, only light having a specific wavelength is amplified. The wavelength to be amplified is centered on the Bragg wavelength of the DBR 504, and the wavelength band is determined by the stop bandwidth of the DBR 504. In this embodiment, the coupling coefficient k of the DBR 504 is set to 300 cm.^-1Since the length was set to 70 μm, the stop band width was about 10 nm, and the effective length of the DBR 504 was about 30 μm. As the oscillation wavelength, one of the longitudinal mode wavelengths depending on the cavity length of the cavity formed by the DBR 504 including the active layer 502, the waveguide core 503 having no gain, and the waveguide end face 509 is selected by the Bragg wavelength of the DBR 504. It is determined. The vertical mode interval is
[0034]
(Equation 1)

[0035]
Given by Where λ₀Is the oscillation wavelength, n_effIs the effective refractive index taking into account wavelength dispersion, L_effIs the effective length of the DBR, L_pIs the length of the waveguide core 503 having no gain. In the first embodiment, the length L of the waveguide core 503 having no gain_pWas set to 10 μm. As a result, considering that the oscillation wavelength is about 1.55 μm and the effective refractive index is about 3.5, the longitudinal mode interval is about 11.5 nm from the equation (1), and the longitudinal mode interval is wider than the stop band width. You can see that it has become. As described above, the oscillation wavelength occurs at a longitudinal mode wavelength due to the cavity length of the cavity, which is included in a wide stop band. Since the vertical mode interval is wider than the stop band width, only one vertical mode exists in the stop band. This is shown in FIG. In FIG. 5, the solid line shows the reflectance of the DBR having a gain, and the thin broken line shows the transmission spectrum of the longitudinal mode of the cavity. The oscillation wavelength is represented by the point λ where the stop band and the longitudinal mode match, which is indicated by the dashed line in the figure.₀Done in
[0036]
Wavelength tuning is performed as follows. When a control current is injected into the waveguide core 503 having no gain, the refractive index of the waveguide core changes. Therefore, the effective optical length of the waveguide core 503 changes, and the wavelength and interval of the longitudinal mode change. This is shown by the thick broken line in FIG. As a result, the oscillation wavelength is the point where the solid line peak in FIG.₁Shift to Since the longitudinal mode interval determined by the resonator length is wider than the stop band width, there is only one point where the stop band coincides with the longitudinal mode wavelength, and this changes continuously due to current injection. It occurs at the point where the stopband coincides with the longitudinal mode wavelength, and there is no mode hop. Therefore, the continuous wavelength variable width of the semiconductor laser is determined by the stop bandwidth. That is, in the case of the first embodiment, the stop band width is about 10 nm, and the continuous variable width is about 10 nm.
[0037]
There is no particular limitation on the structure of the active layer 502 used in the first embodiment. By adopting the structure of the first embodiment for the active layers having all the structures usually used, the effects as described above can be obtained. Can be expected. That is, the active layer can be applied to any material such as InGaAsP, GaAs, AlGaAs, InGaAs, and GaInNAs. Regarding the structure of the active layer, regardless of the bulk, MQW, quantum wire, or quantum dot, Similar effects can be expected in the case of using a pn buried structure, a ridge structure, a semi-insulating buried structure, a high-mesa structure, or the like for the waveguide structure of the region. The substrate is not limited to an n-type substrate, and it goes without saying that a similar effect can be obtained with a p-type or semi-insulating type.
[0038]
Further, even if the periodic perturbation is not formed directly on the active layer 502, a similar effect can be expected as long as the periodic perturbation is formed in a region where the electric field of light guided through the active layer has a non-zero finite value. For example, it may be formed on a SCH layer having a separate confinement structure (SCH structure) used in a normal semiconductor laser, and a layer having a higher refractive index than the cladding layer may be formed in a region not in contact with the active layer. Even if the layers are stacked and a periodic perturbation is formed, the same effect can be expected.
[0039]
[Example 2]
FIG. 6 is a sectional view showing a second embodiment of the semiconductor laser according to the present invention. In the figure, reference numeral 601 denotes a semiconductor substrate, 602 denotes an active layer having a gain, 603 denotes a waveguide core having no gain, and 604 denotes a distributed Bragg. A reflector (DBR), 605 is an active layer electrode, 606 is a phase control electrode (means for changing the optical effective length), 607 is a back electrode, 608 is an antireflection film, and 609 is a waveguide having no gain. A core, 610 is a distributed Bragg reflector (DBR), 611 is a Bragg wavelength control electrode, 612 is an antireflection film, and 613 and 614 are diffraction gratings.
[0040]
The semiconductor laser according to the second embodiment includes an active layer (gain region) 602 having wavelength selectivity, a first waveguide core (waveguide region) 603 having no gain and wavelength selectivity, and a waveguide having no gain. A waveguide core (waveguide region) 609 is connected in series with the traveling direction of light, and includes a phase control electrode 606 for changing the optical effective length of the waveguide core.
[0041]
Further, the active layer 602 includes a gain medium having a gain in a core of the waveguide, and a first gain in which at least one of a thickness and a width of a medium forming the core or the cladding of the waveguide periodically changes. Having a diffraction grating 613. Further, the second waveguide core 609 is formed by a diffraction grating 614 having a periodic structure, and serves as a reflection region.
[0042]
In addition, a periodic perturbation is formed in the active layer 602 to form the DBR 604. An anti-reflection film 608 is formed on an end face of the DBR 604. The waveguide core 609 without gain has a periodic perturbation to form the DBR 610. The Bragg wavelength control electrode 611 is used to match the reflection wavelengths of the

DBRs

604 and 610 as necessary, or in other words, to overlap the stop band in the reflection spectrum. However, if the Bragg wavelengths of the

DBRs

604 and 610 are substantially matched and the stop bands of the

DBRs

604 and 610 overlap each other, or more specifically, the

DBRs

604 and 610 have at least the stop band of the reflection spectrum of each other. If the Bragg wavelength and the coupling coefficient are set so that the Bragg wavelength and the coupling coefficient are partially overlapped, the Bragg wavelength control electrode 611 is not necessarily required.
[0043]
The operating principle and the wavelength tuning principle are the same as those of the embodiment shown in FIG. 4 except that the laser cavity is constituted by the DBR 610 having no gain, the waveguide core 603 having no gain, and the DBR 604 including the active layer 602. Same as 1. However, the effective length of the

DBRs

610 and 604 is set to L_eff ₁, L_eff ₂As
[0044]
(Equation 2)

[0045]
The wavelength tunable band is determined by the overlap width of the stop bands of the

DBRs

604 and 610 present on both sides.
[0046]
Also in the case of the second embodiment, there is no particular restriction on the structure of the active layer 602, and the configuration of the second embodiment is adopted for the active layers of all the structures normally used, as described above. Effect can be expected. That is, the active layer can be applied to any material such as InGaAsP, GaAs, AlGaAs, InGaAs, and GaInNAs. Regarding the structure of the active layer, regardless of the bulk, MQW, quantum wire, or quantum dot, Similar effects can be expected in the case of using a pn buried structure, a ridge structure, a semi-insulating buried structure, a high-mesa structure, or the like for the waveguide structure of the region. The substrate is not limited to an n-type substrate, and it goes without saying that a similar effect can be obtained with a p-type or semi-insulating type.
[0047]
Even if the periodic perturbation is not formed directly on the active layer 602, a similar effect can be expected if the electric field of the light guided through the active layer is formed in a region having a non-zero finite value. For example, it may be formed on a SCH layer having a separate confinement structure (SCH structure) used in a normal semiconductor laser, and a layer having a higher refractive index than the cladding layer may be formed in a region not in contact with the active layer. Even if the layers are stacked and a periodic perturbation is formed, the same effect can be expected.
[0048]
[Example 3]
FIG. 7 is a cross-sectional view showing a third embodiment of the semiconductor laser according to the present invention. In the drawing, reference numeral 701 denotes a semiconductor substrate, 702 denotes a first active layer having a gain, 703 denotes a waveguide core having no gain, 704. Is a distributed Bragg reflector (DBR), 705 is an active layer electrode, 706 is a phase control electrode (means for changing the optical effective length), 707 is a back surface electrode, 708 is an antireflection film, and 709 has gain. The second active layer, 710 is a distributed Bragg reflector (DBR), 711 is an active layer electrode, 712 is an antireflection film, and 713 and 714 are diffraction gratings.
[0049]
The semiconductor laser according to the third embodiment has a first active layer (gain region) 702 having wavelength selectivity, a waveguide core (waveguide region) 703 having no gain and wavelength selectivity, and a wavelength selectivity. The second active layer (gain region) 709 is connected in series with the light traveling direction, and has a phase control electrode 706 for changing the optical effective length of the waveguide core. .
[0050]
Further, the first active layer 702 includes a gain medium having a gain in a core of the waveguide, and at least one of a thickness and a width of a medium forming the core or the cladding of the waveguide periodically changes. The second active layer 709 includes a gain medium having a gain in the core of the waveguide, and the second active layer 709 includes at least one of a thickness and a width of a medium forming the core or the cladding of the waveguide. Includes a diffraction grating 714 having a second gain that changes periodically.
[0051]
In addition, a periodic perturbation is formed in the active layer 702 to form the DBR 704. An antireflection film 708 is formed on an end face of the DBR 704. The active layer 709 having gain has a periodic perturbation to form a DBR 710. The

DBRs

704 and 710 having gain are set with their Bragg wavelengths and coupling coefficients so that at least a part of the stop bands of the reflection spectra of each other overlap.
[0052]
The operating principle and the wavelength tuning principle are the same as those of the embodiment shown in FIG. Same as Example 1. However, the effective length of the

DBRs

710 and 704 is set to L_eff ₁, L_eff ₂The wavelength tunable band is determined by the overlap width of the stop bands of the

DBRs

704 and 710 existing on both sides.
[0053]
Also in the case of the third embodiment, the structure of the

active layers

702 and 709 is not particularly limited, and the above description is made by adopting the structure of the third embodiment for the active layers of all the commonly used structures. The following effects can be expected. That is, the active layer can be applied to any material such as InGaAsP, GaAs, AlGaAs, InGaAs, and GaInNAs. Regarding the structure of the active layer, regardless of the bulk, MQW, quantum wire, or quantum dot, Similar effects can be expected in the case of using a pn buried structure, a ridge structure, a semi-insulating buried structure, a high-mesa structure, or the like for the waveguide structure of the region. The substrate is not limited to an n-type substrate, and it goes without saying that a similar effect can be obtained with a p-type or semi-insulating type.
[0054]
Even if the periodic perturbation is not formed directly on the

active layers

702 and 709, a similar effect can be expected if the electric field of the light guided through the active layer is formed in a region having a non-zero finite value. . For example, it may be formed on a SCH layer having a separate confinement structure (SCH structure) used in a normal semiconductor laser, and a layer having a higher refractive index than the cladding layer may be formed in a region not in contact with the active layer. Even if the layers are stacked and a periodic perturbation is formed, the same effect can be expected.
[0055]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, a gain region having wavelength selectivity, a waveguide region having no gain and wavelength selectivity, and a reflection region having no gain are connected in series with the traveling direction of light. And a means for changing the optical effective length of the waveguide region is provided, so that it is possible to provide a tunable laser capable of obtaining a wide continuous tunable region without mode hopping.
[0056]
Further, a gain region having wavelength selectivity, a first waveguide region having no gain and wavelength selectivity, and a second waveguide region having no gain and wavelength selectivity are formed in a light traveling direction. And a means for changing the optical effective length of the waveguide region, so that it is possible to provide a wavelength tunable laser capable of obtaining a wide continuous wavelength tunable region without mode hopping.
[0057]
Further, a first gain region having wavelength selectivity, a waveguide region having no gain and wavelength selectivity, and a second gain region having wavelength selectivity are connected in series in the light traveling direction. And a means for changing the optical effective length of the waveguide region, so that it is possible to provide a wavelength tunable laser capable of obtaining a wide continuous wavelength tunable region without mode hopping.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a sectional view showing a conventional DBR laser.
FIG. 2 is a diagram illustrating a mode hop phenomenon of a DBR laser.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing another conventional DBR laser.
FIG. 4 is a sectional view showing Example 1 of the semiconductor laser according to the present invention.
FIG. 5 is a diagram for explaining an operation principle of the first embodiment of the present invention, and is a diagram illustrating a relationship between a reflection spectrum of a DBR and a longitudinal mode spectrum.
FIG. 6 is a sectional view showing a second embodiment of the semiconductor laser according to the present invention.
FIG. 7 is a sectional view showing a third embodiment of the semiconductor laser according to the present invention.
[Explanation of symbols]
101 semiconductor substrate
102 Active layer having gain
103 waveguide core
104 Distributed Bragg reflector (DBR)
105 Active layer electrode
106 DBR control electrode
107 Back electrode
108 Anti-reflective coating
109 Waveguide end face
401 semiconductor substrate
402 Active layer having gain
403 waveguide core
404 Distributed Bragg reflector (DBR)
405 Active layer electrode
406 DBR control electrode
407 Back electrode
408 Anti-reflective coating
409 Waveguide end face
410 Waveguide core without gain (phase control region)
411 Phase control electrode
501 semiconductor substrate
502 Active Layer with Gain
503 Waveguide core without gain
504 Distributed Bragg reflector (DBR)
505 Active layer electrode
506 Phase control electrode (means for changing optical effective length)
507 Back electrode
508 Anti-reflective coating
509 Waveguide end face
510 diffraction grating
601 Semiconductor substrate
602 Active layer having gain
603 Waveguide core without gain
604 Distributed Bragg reflector (DBR)
605 Active layer electrode
606 Phase control electrode (means for changing optical effective length)
607 Back electrode
608 Anti-reflective coating
609 Waveguide core without gain
610 Distributed Bragg reflector (DBR)
611 Bragg wavelength control electrode
612 Anti-reflective coating
613,614 diffraction grating
701 Semiconductor substrate
702 Active layer having gain
703 Waveguide core without gain
704 Distributed Bragg reflector (DBR)
705 Active layer electrode
706 Phase control electrode (means for changing optical effective length)
707 Back electrode
708 Anti-reflective coating
709 Active layer having gain
710 Distributed Bragg reflector (DBR)
711 Active layer electrode
712 Anti-reflective coating
713,714 diffraction grating

Claims

A gain region having wavelength selectivity, a waveguide region having no gain and wavelength selectivity, and a reflection region having no gain are connected in series in the light traveling direction, and the waveguide region A means for changing an optical effective length of the semiconductor laser.

The gain region includes a gain medium having a gain in a core of the waveguide, and has a first gain in which at least one of a thickness and a width of a medium forming a core or a clad of the waveguide periodically changes. The semiconductor laser according to claim 1, further comprising a diffraction grating.

3. The semiconductor laser according to claim 1, wherein the reflection region is formed by a mirror.

A gain region having wavelength selectivity, a first waveguide region having no gain and wavelength selectivity, and a second waveguide region having no gain are connected in series in the light traveling direction. And a means for changing an optical effective length of the waveguide region.

The gain region includes a gain medium having a gain in a core of the waveguide, and has a first gain in which at least one of a thickness and a width of a medium forming a core or a clad of the waveguide periodically changes. The semiconductor laser according to claim 4, further comprising a diffraction grating.

The semiconductor laser according to claim 4, wherein the second waveguide region is formed by a diffraction grating having a periodic structure.

A first gain region having wavelength selectivity, a waveguide region having no gain and wavelength selectivity, and a second gain region having wavelength selectivity are connected in series with respect to the traveling direction of light. And a means for changing an optical effective length of the waveguide region.

The first gain region includes a gain medium having a gain in a core of the waveguide, and at least one of a thickness and a width of a medium forming the core or the cladding of the waveguide periodically changes. A diffraction grating having a gain, wherein the second gain region includes a gain medium having a gain in a core of the waveguide, and at least one of a thickness and a width of a medium forming the core or the cladding of the waveguide is The semiconductor laser according to claim 7, further comprising a diffraction grating having a second gain that changes periodically.

9. The semiconductor laser according to claim 2, wherein the diffraction grating having the first gain or the diffraction grating having the second gain has a coupling coefficient larger than 300 cm ⁻¹ . 10.

An electrode for injecting a current or applying a voltage to at least a part of the core or the clad of the waveguide is provided as means for changing the optical effective length of the waveguide region. Item 10. A semiconductor laser according to any one of Items 1 to 9.

The semiconductor laser according to claim 1, wherein a length of the waveguide region is shorter than 10 μm.