JP2004253803A - 有機系垂直共振器レーザデバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 a)基板と、b)該基板の上に配置された、所定の波長範囲にわたる光を反射する底部誘電体スタックと、c)レーザ光を発生するための有機活性領域と、d)該底部誘電体スタックから間隔を置いて配置され、かつ、所定の波長範囲にわたる光を反射する上部誘電体スタックと、e)該底部誘電体スタックと該有機活性領域との間もしくは該上部誘電体スタックと該有機活性領域との間に、又はこれら両方に、配置された透明伝熱層とを含んでなる有機系垂直共振器レーザデバイス。
【選択図】 図3
Description
上記の目的は、
a)基板と、
b)該基板の上に配置された、所定の波長範囲にわたる光を反射する底部誘電体スタックと、
c)レーザ光を発生するための有機活性領域と、
d)該底部誘電体スタックから間隔を置いて配置され、かつ、所定の波長範囲にわたる光を反射する上部誘電体スタックと、
e)該底部誘電体スタックと該有機活性領域との間もしくは該上部誘電体スタックと該有機活性領域との間に、又はこれら両方に、配置された透明伝熱層と
を含んでなる有機系垂直共振器レーザデバイスによって達成される。
構造式(A)を満たし、かつ、2つのトリアリールアミン部分を含有する有用な種類のトリアリールアミンは、下記構造式(B)で表わされる。
R3及びR4は、各々独立に、アリール基であってそれ自体が下記構造式(C)で示されるようなジアリール置換型アミノ基で置換されているものを表わす。
nは1〜4の整数であり、そして
Ar、R7、R8及びR9は各々独立に選ばれたアリール基である。
典型的な実施態様では、Ar、R7、R8及びR9の少なくとも一つが多環式縮合環構造体(例、ナフタレン)である。
4,4'-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル(D2)
4,4'-ビス[N-(1-ナフチル)-N-(2-ナフチル)アミノ]ビフェニル(D3)
4,4'-ビス[N-(2-ナフチル)-N-p-トリルアミノ]ビフェニル(D4)
1,1-ビス(4-ジ-p-トリルアミノフェニル)シクロヘキサン
1,1-ビス(4-ジ-p-トリルアミノフェニル)-4-フェニルシクロヘキサン
4,4’-ビス(ジフェニルアミノ)クアドリフェニル
ビス(4-ジメチルアミノ-2-メチルフェニル)-フェニルメタン
N,N,N-トリ(p-トリル)アミン
4-(ジ-p-トリルアミノ)-4’-[4(ジ-p-トリルアミノ)-スチリル]スチルベン
N,N,N’,N’-テトラ-p-トリル-4,4’-ジアミノビフェニル
N,N,N’,N’-テトラフェニル-4,4’-ジアミノビフェニル
N,N,N’,N’-テトラ-1-ナフチル-4,4’-ジアミノビフェニル
N,N,N’,N’-テトラ-2-ナフチル-4,4’-ジアミノビフェニル
N-フェニルカルバゾール
4,4”-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]-p-ターフェニル
4,4’-ビス[N-(2-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
4,4’-ビス[N-(3-アセナフテニル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
1,5-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ナフタレン
4,4’-ビス[N-(9-アントリル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
4,4”-ビス[N-(1-アントリル)-N-フェニルアミノ]-p-ターフェニル
4,4’-ビス[N-(2-フェナントリル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
4,4’-ビス[N-(8-フルオルアンテニル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
4,4’-ビス[N-(2-ピレニル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
4,4’-ビス[N-(2-ナフタセニル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
4,4’-ビス[N-(2-ペリレニル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
4,4’-ビス[N-(1-コロネニル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
2,6-ビス(ジ-p-トリルアミノ)ナフタレン
2,6-ビス[ジ-(1-ナフチル)アミノ]ナフタレン
2,6-ビス[N-(1-ナフチル)-N-(2-ナフチル)アミノ]ナフタレン
N,N,N’,N’-テトラ(2-ナフチル)-4,4”-ジアミノ-p-ターフェニル
4,4’-ビス{N-フェニル-N-[4-(1-ナフチル)-フェニル]アミノ}ビフェニル
4,4’-ビス[N-フェニル-N-(2-ピレニル)アミノ]ビフェニル
2,6-ビス[N,N-ジ(2-ナフチル)アミン]フルオレン
1,5-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ナフタレン
4,4',4"-トリス[(3-メチルフェニル)フェニルアミノ]トリフェニルアミン
nは1〜3の整数であり、そして
Zは、各々独立に、縮合芳香族環を2個以上有する核を完成する原子群を表わす。
CO-1:アルミニウムトリスオキシン〔別名、トリス(8-キノリノラト)アルミニウム(III)〕
CO-2:マグネシウムビスオキシン〔別名、ビス(8-キノリノラト)マグネシウム(II)〕
CO-3:ビス[ベンゾ{f}-8-キノリノラト]亜鉛(II)
CO-4:ビス(2-メチル-8-キノリノラト)アルミニウム(III)-μ-オキソ-ビス(2-メチル-8-キノリノラト)アルミニウム(III)
CO-5:インジウムトリスオキシン〔別名、トリス(8-キノリノラト)インジウム〕
CO-6:アルミニウムトリス(5-メチルオキシン)〔別名、トリス(5-メチル-8-キノリノラト)アルミニウム(III)〕
CO-7:リチウムオキシン〔別名、(8-キノリノラト)リチウム(I)〕
CO-8:ガリウムオキシン〔別名、トリス(8-キノリノラト)ガリウム(III)〕
CO-9:ジルコニウムオキシン〔別名、テトラ(8-キノリノラト)ジルコニウム(IV)〕
9,10-ジ-(2-ナフチル)アントラセンの誘導体(下記構造式F)は、フォトルミネセンスを支援することができる有用なホスト化合物の一種であり、特に、400nmよりも長い波長の光(例、青色、緑色、黄色、橙色及び赤色)を放出させるのに適している。
第1グループ:水素、又は炭素原子数1〜24のアルキル;
第2グループ:炭素原子数5〜20のアリール又は置換アリール;
第3グループ:アントラセニル、ピレニルまたはペリレニルの縮合芳香族環の完成に必要な4〜24個の炭素原子;
第4グループ:フリル、チエニル、ピリジル、キノリニルその他の複素環式系の縮合芳香族環の完成に必要な炭素原子数5〜24のヘテロアリール又は置換ヘテロアリール;
第5グループ:炭素原子数1〜24のアルコキシルアミノ、アルキルアミノ又はアリールアミノ;及び
第6グループ:フッ素、塩素、臭素又はシアノ
ZはO、NR又はSであり、
R及びR’は、各々独立に、水素、炭素原子数1〜24のアルキル(例えば、プロピル、t-ブチル、ヘプチル、等)、炭素原子数5〜20のアリールもしくはヘテロ原子置換型アリール(例えば、フェニル及びナフチル、フリル、チエニル、ピリジル、キノリニルその他の複素環式系)、ハロ(例、クロロ、フルオロ)、又は縮合芳香族環の完成に必要な原子群、であり、そして
Lは、アルキル、アリール、置換アルキル又は置換アリールからなる結合ユニットであって、当該複数のベンズアゾール同士を共役的又は非共役的に連結するものである。有用なベンズアゾールの一例として2,2’,2”-(1,3,5-フェニレン)トリス[1-フェニル-1H-ベンズイミダゾール]が挙げられる。
X−(CH=CH)n−Z (I)
nは1、2又は3であり、そして
Yは2価の芳香族基又は1個の窒素原子を有する2価の芳香族複素環基である。
以下、有用なドーパントの具体例を挙げるが、これらに限定はされない。
例1
伝熱層を有機活性領域40に隣接配置させた場合のレイジング特性に対する効果を測定するため、上部誘電体スタック50をAg反射鏡に置き換えたレーザデバイス10を製作した。レーザ構造体は、予備洗浄した6インチの石英基板20の上に堆積させた。基板20の上に、従来型の電子ビーム蒸着法により、240℃で、高屈折率層及び低屈折率層のそれぞれTiO2及びSiO2を交互させてなる底部誘電体スタック30を堆積させた。得られた誘電体ミラーの560nmにおけるピーク反射率測定値は〜99.3%であった。底部誘電体スタック30の上には、高真空熱蒸発法により、有機活性領域40を堆積させた。ここで、149nmのTAPC、30nmのAlqと0.5%C545T、及び207nmのTAPCの順に成長させた。最後に、高真空熱蒸発法により厚さ200nmのAg金属鏡を堆積させた。
20…基板
30…底部誘電体スタック
35…透明伝熱層
40…有機活性領域
50…上部誘電体スタック
60…ポンプビーム
70…レーザ放出
100…周期的利得領域
110…スペーサ層
120…定在波電磁場パターン
150…蝕刻領域
200…二次元位相ロック型レーザアレイ
210…画素間領域
220…レーザ画素
Claims (10)
- a)基板と、
b)該基板の上に配置された、所定の波長範囲にわたる光を反射する底部誘電体スタックと、
c)レーザ光を発生するための有機活性領域と、
d)該底部誘電体スタックから間隔を置いて配置され、かつ、所定の波長範囲にわたる光を反射する上部誘電体スタックと、
e)該底部誘電体スタックと該有機活性領域との間もしくは該上部誘電体スタックと該有機活性領域との間に、又はこれら両方に、配置された透明伝熱層と
を含んでなる有機系垂直共振器レーザデバイス。 - 該有機活性領域が、1又は2以上の周期的利得領域と、該周期的利得領域の両側に該周期的利得領域が当該デバイスの定在波電磁場の波腹に整合するように配置された有機スペーサ層とを含む、請求項1に記載の有機系垂直共振器レーザデバイス。
- 該誘電体スタックの少なくとも一方を通してポンプビーム光が透過して該有機活性領域内に導入される、請求項1に記載の有機系垂直共振器レーザデバイス。
- 該1又は2以上の周期的利得領域がホスト材料とドーパントとの組合せであり、そして該スペーサ層がポンプビーム光及びレーザ光に対して実質的に透明であり、かつ、熱伝導性又は非熱伝導性である、請求項2に記載の有機系垂直共振器レーザデバイス。
- 該透明伝熱層がダイヤモンド様カーボン又は炭化ケイ素を含む、請求項1に記載の有機系垂直共振器レーザデバイス。
- 該スペーサ層の各々がダイヤモンド様カーボン又は炭化ケイ素を含む、請求項4に記載の有機系垂直共振器レーザデバイス。
- a)基板と、
b)該基板の上に配置された、所定の波長範囲にわたる光を反射する底部誘電体スタックと、
c)レーザ光を発生するための有機活性領域と、
d)該底部誘電体スタックから間隔を置いて配置され、かつ、所定の波長範囲にわたる光を反射する上部誘電体スタックと、
e)該底部誘電体スタックと該有機活性領域との間もしくは該上部誘電体スタックと該有機活性領域との間に、又はこれら両方に、配置された透明伝熱層と
f)画素配列がコヒーレントな位相同期レーザ光を放出するように当該画素間領域より高い反射率を有する間隔を置いて並べられた複数のレーザ画素からなる配列を画定するため該底部誘電体スタックの表面に形成された蝕刻領域
を含んでなる有機系垂直共振器レーザアレイデバイス。 - 該有機活性領域が、1又は2以上の周期的利得領域と、該周期的利得領域の両側に該周期的利得領域が当該デバイスの定在波電磁場の波腹に整合するように配置された有機スペーサ層とを含む、請求項7に記載の有機系垂直共振器レーザアレイデバイス。
- 該誘電体スタックの少なくとも一方を通してポンプビーム光が透過して該有機活性領域内に導入される、請求項7に記載の有機系垂直共振器レーザアレイデバイス。
- 該1又は2以上の周期的利得領域がホスト材料とドーパントとの組合せであり、そして該スペーサ層がポンプビーム光及びレーザ光に対して実質的に透明であり、かつ、熱伝導性又は非熱伝導性である、請求項8に記載の有機系垂直共振器レーザアレイデバイス。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/368,164 US6870868B2 (en) | 2003-02-18 | 2003-02-18 | Organic laser having improved linearity |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004253803A true JP2004253803A (ja) | 2004-09-09 |
Family
ID=32736400
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004041428A Pending JP2004253803A (ja) | 2003-02-18 | 2004-02-18 | 有機系垂直共振器レーザデバイス |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6870868B2 (ja) |
EP (1) | EP1450456A3 (ja) |
JP (1) | JP2004253803A (ja) |
KR (1) | KR20040074963A (ja) |
CN (2) | CN100350687C (ja) |
TW (1) | TWI314799B (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2399942A (en) * | 2003-03-24 | 2004-09-29 | Univ Strathclyde | Vertical cavity semiconductor optical devices |
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US7372886B2 (en) * | 2004-06-07 | 2008-05-13 | Avago Technologies Fiber Ip Pte Ltd | High thermal conductivity vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) |
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CN100433474C (zh) * | 2007-03-30 | 2008-11-12 | 东南大学 | 棱镜式垂直腔面发射激光器 |
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EP2786433B1 (en) | 2011-11-30 | 2018-08-01 | Novaled GmbH | Organic electronic device |
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-
2003
- 2003-02-18 US US10/368,164 patent/US6870868B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-12-23 TW TW092136584A patent/TWI314799B/zh not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-02-05 EP EP04075357A patent/EP1450456A3/en not_active Withdrawn
- 2004-02-17 KR KR1020040010442A patent/KR20040074963A/ko not_active Application Discontinuation
- 2004-02-18 CN CNB200410005083XA patent/CN100350687C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-02-18 CN CNA200710088639XA patent/CN101017958A/zh active Pending
- 2004-02-18 JP JP2004041428A patent/JP2004253803A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1450456A3 (en) | 2005-04-06 |
CN1523719A (zh) | 2004-08-25 |
CN100350687C (zh) | 2007-11-21 |
EP1450456A2 (en) | 2004-08-25 |
KR20040074963A (ko) | 2004-08-26 |
US6870868B2 (en) | 2005-03-22 |
TWI314799B (en) | 2009-09-11 |
CN101017958A (zh) | 2007-08-15 |
US20040161004A1 (en) | 2004-08-19 |
TW200425604A (en) | 2004-11-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061208 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090303 |
|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090515 |
|
A02 | Decision of refusal |
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