JP2004253534A - Photoelectric transformation module for optical communication - Google Patents
Photoelectric transformation module for optical communication Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004253534A JP2004253534A JP2003041101A JP2003041101A JP2004253534A JP 2004253534 A JP2004253534 A JP 2004253534A JP 2003041101 A JP2003041101 A JP 2003041101A JP 2003041101 A JP2003041101 A JP 2003041101A JP 2004253534 A JP2004253534 A JP 2004253534A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- groove
- light
- emitting element
- receiving element
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01327—Intermediate phases, i.e. intermetallics compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/30107—Inductance
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は光通信システムに使用される発光素子(LED,LD)または受光素子(PIN−PD,APD)を用いた光通信用光電気変換モジュールに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来の光通信用に用いられる光通信用光電気変換モジュールとしては、図7に示すものがある。
【0003】
図7(a)は光通信用光電気変換モジュールの斜視図、図7(b)は従来の発光素子モジュールまたは受光素子モジュールの斜視図、図7(c)は従来の発光素子モジュールまたは受光素子モジュールの断面図である。
【0004】
図7(a)において、1,2は受光素子モジュールまたは発光素子モジュール、3は受光素子モジュールまたは受光素子モジュール1,2を制御するドライバーIC、プリアンプ、メインアンプなどのLSIを示している。4は回路を構成するチップ抵抗、積層セラミックコンデンサなどの受動部品、5はそれらを実装するための基板、6は外部取り出し用の電極を示している。
【0005】
また、図7(b),(c)に受光素子モジュールまたは発光素子モジュールを示し、7は金属製キャップ、8は金属製キャップ7に封着されているレンズ、9はチップを実装するための金属ベース、10は金属ベース9の主面から裏面に取り出すための外部取り出し電極、11は外部取り出し電極6を金属ベース9に気密封止するための低融点ガラス、12はLEDまたはPDなどの発光素子または受光素子、13は発光素子または受光素子12の電極を外部取り出し電極10に電気的に接続させるための金属ワイヤを示している。
【0006】
金属製キャップ7および金属ベース9は通常はFe−Ni−Coなどの合金が用いられ、その表面は酸化防止のためのNi−Auなどでメッキ処理されている。この金属製キャップ7と金属ベース9を抵抗溶接して気密封止する構造となっている。気密封止された内部は通常は窒素に置換または真空として発光素子または受光素子12の経年劣化を防止している。
【0007】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば特許文献1が知られている。
【0008】
【特許文献1】
特開昭63−282710号公報
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
従来の発光素子モジュールまたは受光素子モジュール1,2のサイズがLSI3や受動部品4に比べて非常に大きいため、基板5の上に実装した場合、基板5が大きくなり、結果モジュール全体が大きくなる。
【0010】
また、発光素子モジュールまたは受光素子モジュール1,2と基板5を電気的に接続している外部取り出し電極10を折り曲げることにより、発光素子モジュールまたは受光素子モジュール1,2を基板5の側面に設置する場合も同様である。
【0011】
また、発光素子または受光素子12の電極を外部取り出し電極10に電気的に接続させるために金属ワイヤ13を使用するが、金属ワイヤ13のインダクタンスおよび浮遊容量により伝送する信号の高周波化、高速化への対応が困難になる。
【0012】
本発明は小型・低背化を図ると共に伝送速度の高周波化および高速化に対応できる安価な光通信用光電気変換モジュールを提供することを目的とするものである。
【0013】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は以下の構成を有する。
【0014】
本発明の請求項1に記載の発明は、アノード電極とカソード電極とを同じ面に設けた発光素子または受光素子と、この発光素子または受光素子を制御する半導体素子および受動部品からなる光電気変換回路と、光学的な結合に用いる少なくとも1つのレンズ体、光学的絞り、窓等の光学部品と、前記発光素子または受光素子と光電気変換回路および光学素子を実装する基板からなる光通信用光電気変換モジュールにおいて、前記基板の一方の面に形成する第一の溝部と、もう一方の面に形成する第二の溝部とを対向させ、かつ第一の溝部と第二の溝部の底面の間を貫通するように貫通孔を設け、前記第一の溝部に実装する発光素子または受光素子の面と第二の溝部に実装する光学素子の面とを平行かつ対向するようにして気密封止する光通信用光電気変換モジュールであり、基板の厚みを利用して発光素子モジュールまたは受光素子モジュールを形成するため、小型化および低背化が実現できる。
【0015】
請求項2に記載の発明は、基板上の光電気変換回路と同じ面に発光素子または受光素子を実装し、かつ前記光電気変換回路を基板の長手方向の所定範囲の端部に実装しないようにした請求項1に記載の光通信用光電気変換モジュールであり、レセプタクルに設けた溝に挿入することにより、光電気変換モジュールと光導波路または光ファイバ等との光軸合わせおよび実装が同時にできるため、製造コストを低減することができる。
【0016】
請求項3に記載の発明は、基板上の光電気変換回路と異なる面に発光素子または受光素子を実装するようにした請求項1に記載の光通信用光電気変換モジュールであり、発光素子または受光素子の実装面を平坦にできるため、他の基板に光通信用光電気変換モジュールを面実装することができる。
【0017】
請求項4に記載の発明は、第二の溝部の大きさを第一の溝部の大きさより大きくした請求項1に記載の光通信用光電気変換モジュールであり、レンズ体、光学絞り、窓等の光学素子を実装する第二の溝部が発光素子または受光素子を実装する第一の溝部より大きいため、広範囲の光が集光でき光ファイバと発光素子または受光素子との結合効率を高くすることができる。
【0018】
請求項5に記載の発明は、第一の溝部の大きさが発光素子または受光素子とほぼ等しく第二の溝の大きさが光学部品とほぼ等しくかつ第一の溝と第二の溝の中心が同じとする請求項1に記載の光通信用光電気変換モジュールであり、光学素子と発光素子の発光面または受光素子の受光面との光軸調整が容易にできるため、製造コストが低減できる。
【0019】
請求項6に記載の発明は、第一の溝部の底面に電極を設け、この電極と発光素子または受光素子のアノード電極とカソード電極とを金バンプまたは半田バンプにより電気的に接続をした請求項1に記載の光通信用光電気変換モジュールであり、発光素子または受光素子の電極と基板の電極との間の配線が短くできると共にめっき法により容易にバンプが形成でき、浮遊容量およびインダクタンスが軽減できると共に実装コストが低減できる。
【0020】
請求項7に記載の発明は、第一の溝部と第二の溝部および貫通孔を真空または窒素雰囲気となるように気密封止する請求項1に記載の光通信用光電気変換モジュールであり、H2Oによる発光素子または受光素子の特性劣化が防止できると共に外部取り出し電極の表面酸化が防止でき、高い信頼性が得られる。
【0021】
請求項8に記載の発明は、発光素子または受光素子を第一の溝部の蓋として用いて気密封止する請求項1に記載の光通信用光電気変換モジュールであり、請求項6と同様の効果が得られると共に発光素子または受光素子を蓋代わりにできるため、コストを低減できる。
【0022】
請求項9に記載の発明は、光学素子を第二の溝部の蓋として用いて気密封止する請求項1に記載の光通信用光電気変換モジュールであり、請求項6と同様の効果が得られると共に光学素子を蓋代わりにできるため、コストを低減できる。
【0023】
請求項10に記載の発明は、発光素子または受光素子と第一の溝部の底面との間に異方性導電シートを配して電気的接続と気密封止をするようにした請求項1に記載の光通信用光電気変換モジュールであり、気密封止と電気接続を同時に行うことができるため、製造コストが削減できる。
【0024】
請求項11に記載の発明は、光学素子、発光素子、受光素子の少なくとも1つに樹脂、低融点ガラスまたははんだを用いて気密封止する請求項1に記載の光通信用光電気変換モジュールであり、H2Oによる発光素子または受光素子の特性劣化が防止できると共に外部取り出し電極の表面酸化が防止でき、高い信頼性が得られる。
【0025】
請求項12に記載の発明は、基板にセラミック積層基板またはポリイミド積層基板を用いた請求項1に記載の光通信用光電気変換モジュールであり、基板の吸湿が抑制できると共に発光素子の発熱を拡散または放熱できるため、発光素子または受光素子として高い信頼性が得られる。
【0026】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図を用いて説明する。
【0027】
(実施の形態1)
以下、本発明の実施の形態1による光通信用光電気変換モジュールの全体構成について図1および図2を用いて説明する。
【0028】
図1(a)は本発明の光通信用光電気変換モジュール全体の斜視図、図1(b)〜(e)は図1(a)の光通信用光電気変換モジュールのA−A断面斜視図、図2(a)は本発明の他の光通信用光電気変換モジュール全体の斜視図、図2(b)〜(e)は図2(a)の光通信用光電気変換モジュールのB−B断面斜視図である。
【0029】
図1において、21は発光素子、22は受光素子、23は抵抗、コンデンサ、インダクタなどの受動部品、24は発光素子21または受光素子22を制御するLSIを示している。25は外部取り出し電極、27は基板をそれぞれ示している。26は基板27の主表面に形成した電極であり、発光素子21または受光素子22と電気的に接続されている。30は貫通孔、31は内部配線パターンまたは層間の電気的接続を行なうためのスルーホール、32〜34はそれぞれ光学素子、28は基板27の主表面に形成した第一の溝部、29は第一の溝部28が形成された基板27の主表面に相対する主面に形成された第二の溝部を示している。
【0030】
図1(a)〜(e)において、発光素子21は代表的なものとしてLED,LDおよび面発光型のレーザダイオード(VCSEL)があり、また受光素子22はPIN−PDやAPDなどがある。これらはアノード電極とカソード電極とを同じに設けた構成となっている。
【0031】
LSI24の一例として、発光素子21を駆動させるためのドライバー、受光素子22からの光電流を電圧に変換して増幅するアンプなどがある。
【0032】
光学素子32〜34は例えば球面あるいは非球面、半球などの屈折型レンズ、フレネルレンズなどの回折型レンズ、平板ガラスなどがあり用いる素子や用途により適宜選択する。光通信用光電気変換モジュール全体を低背化するためには屈折型レンズよりも平板ガラス上に回折パターンを形成した回折型レンズが有利である。また、屈折型レンズを選択する場合は封止性を考慮すると、平坦面を有する半球形状が有利である。平板ガラスを用いる場合はその主表面に無反射(AR)コートを施すことで反射戻り光による発光素子21または受光素子22への影響や反射損失を低減することができる。
【0033】
本発明による光通信用光電気変換モジュールでは基板27としてセラミック積層基板を用いる。基板27としてセラミック積層基板を用いる理由は比較的自由な配線設計と局所的な溝部、貫通孔などが容易に成形できる点である。セラミック積層基板はグリーンシートを積層して焼成して形成する。それぞれの層に独立した配線が形成でき、またスルーホール31により各層間を結線することも比較的容易である。そのため第一の溝部28の内部に実装して封止した発光素子21または受光素子22の電極を基板27の主表面へと取り出すことが可能である。また積層において、グリーンシートにダイスやポンチを用いて貫通孔を形成することにより、所定の位置に溝形状や貫通孔を形成することが可能となる。このように全体の小型化や部品の位置決め実装に有利であり、製造コストの低減が図れる。
【0034】
所定の位置に部品実装用の溝部を形成することで以下に示す利点がある。
【0035】
第一の溝部28と第二の溝部29は基板27を挟んで対向し、かつ第一の溝部28および第二の溝部29の中心が一致するように形成されている。また第一の溝部28の大きさは実装するLED,LD,VCSELなどの発光素子21またはPIN−PD,APDなどの受光素子22の外形形状とほぼ等しく形成され、第二の溝部29の大きさは光学素子32〜34とほぼ等しく形成されている。そして第一の溝部28は第二の溝部29より小さい形状となっている。したがって発光素子21または受光素子22を第一の溝部28に実装し、さらに第二の溝部29に光学素子32〜34を実装することにより容易に発光素子21または受光素子22と光学素子32〜34との光軸調整が可能となると共に第二の溝部29の形状を大きくしているため、広範囲の光が集光でき高い結合効率が実現できる。
【0036】
この場合、第一の溝部28と第二の溝部29は各々底部を貫通する貫通孔30が形成されており、この貫通孔30を介して発光素子21からの光を光学素子32〜34へ効率よく導き、また光学素子32〜34を通過した光が受光素子22の受光面へと導かれる。図2に示す本発明による光電気変換モジュールは発光素子21または受光素子22および光学素子32〜34の基板27への実装面のみが図1と異なるだけであり、図1と同じ効果が得られる。
【0037】
また、図1は発光素子21または受光素子22を光電気変換回路と同じ面に実装され、かつ光電気変換回路を基板27の長手方向の所定範囲L1の端部に実装しないため、レセプタクル(図示せず)等の溝に挿入することにより、光学素子32〜34と光導波路または光ファイバとの光軸合わせと実装とが同時に行うことができ製造コストが低減できる。
【0038】
図2は発光素子21または受光素子22を光電気変換回路と異なる面に実装する構成であり、発光素子21または受光素子22の実装面が平坦となるため、他の基板に光通信用光電気変換モジュールとして簡単に面実装することができる。
【0039】
(実施の形態2)
以下、本発明の実施の形態2による光通信用光電気変換モジュールの光学素子と発光素子または受光素子の実装部の詳細な構成について図3を用いて説明する。
【0040】
図3(a),(b)は本発明の発光素子21の実装部の断面図、図3(c)は本発明の受光素子22の実装部の断面図、また図3(d)は図3(a)〜(c)の実施の形態2に用いた発光素子または受光素子の上面図である。
【0041】
図3(a)〜(d)において21は発光素子、36は内部の配線パターン、37はスルーホール、38は発光素子21の発光面または受光素子22の受光面に設けられた取り出し電極、39は第一の封止材料、40は第二の封止材料、41は金属バンプ、28は基板27の主表面に形成した第一の溝部、29は第一の溝部28が形成された基板27の主表面に相対する主面に形成された第二の溝部をそれぞれ示している。32〜34は光学素子を示しており、例えば球面あるいは非球面、半球などの屈折型レンズ、フレネルレンズなどの回折型レンズ、平板ガラスなどであり、用いる素子や用途により適宜選択する。35は発光素子21または受光素子22と光学素子32〜34により気密封止された内部空洞、30は貫通孔をそれぞれ示している。42は第一の溝部28の底面、43は基板27に設けられた内部電極を示している。
【0042】
発光素子21または受光素子22と基板27との電気的接続には金属バンプ41を用いる。金属バンプ41の材料は形成の容易さや長期信頼性を含めた安定性、発光素子21または受光素子22の耐熱性を考慮して選択する。代表的な材料としては金、ニッケル、はんだ等がある。これらの材料はめっき法により比較的安価で容易にバンプが形成できる。ニッケルを材料とする場合には表面の酸化を防止するため金などで被覆することが望ましい。金属バンプ41は基板27の内部電極43に形成してもよいし、発光素子21の発光面または受光素子22の受光面に設けられた取り出し電極38の上に形成してもよい。基板27の内部電極43および発光素子21または受光素子22の取り出し電極38は金属バンプ41と接続して形成される金属間化合物を考慮して選択する。基板27の内部電極43に関しては焼成温度が高いため、通常タングステンなどを電極材料として用いるが表面には金で被覆することが望ましい。
【0043】
本発明による光通信用光電気変換モジュールでは基板27としてセラミック積層基板を用いる。基板27としてセラミック積層基板を用いる理由は、比較的自由な配線設計と局所的な溝部、貫通孔などが容易に成形できる点である。
【0044】
光学素子32〜34の材料にはガラスやプラスチックを用いるが、屈折率の温度特性などを考慮するとガラスが望ましい。光学素子32〜34の材料にガラスを用いる場合、第二の封止材料40とガラスのぬれ性を考慮した上で必要に応じてガラスにメタライズ加工を施す。メタライズ加工は真空蒸着法、スパッタ蒸着法、メッキ法などを用いて行う。メタライズに用いる材料の例としてNi,Cr,Cu等が挙げられる。同様に基板27にもメタライズ加工を施す。メタライズの代表的な材料としては、Mo−Mn,Ni−Cr,Ti−Cu等がある。メタライズ加工を施すことにより、光学素子32〜34と基板27の封止性が高くなる。
【0045】
光学素子32〜34の形状および発光素子21と光学素子32〜34との距離L2はLED,VCSEL等の発光素子21の光の放射角と焦点位置、また結合させる光導波線路の種類および光学特性を考慮して設計する。またPIN−PD,APD等の受光素子22の場合は受光面への入射光量を考慮して設計する。
【0046】
発光素子21または受光素子22と基板27との気密封止には第一の封止材料39を用いる。第一の封止材料39の材料は封止工法、耐湿性、発光素子21または受光素子22、基板27との密着性や長期信頼性を考慮して選択する。代表的な材料としてエポキシ、シリコーン、ポリエステル、フェノールなどの樹脂やそれらを基材にガラス繊維や無機充填材を充填したもの、低融点ガラス材料またははんだなどの金属材料が挙げられる。はんだなどの金属材料を選択する場合、特に光学素子32〜34が平面型の場合にメタライズパターンを容易に形成できるため封止工程を簡略化できる効果がある。
【0047】
次に実装方法の一例について説明する。
【0048】
基板27の第一の溝部28の底面42の内部電極43の上に第一の封止材料39を形成する。次に発光素子21または受光素子22の取り出し電極38の上に金属バンプ41を形成する。そして基板27の第一の溝部28に発光素子21または受光素子22を位置決めして固定し、加熱・加圧を行う。このときの加熱温度は金属バンプ41がはんだの場合は液相点温度以上、金バンプの場合は再結晶化温度以上にすることが望ましい。また加圧は金属バンプ41と第一の溝部28の底面42の内部電極43の間にある第一の封止材料39を排除し、電気的接続が得られるように適宜設定する。次に第二の溝部29の底面に第二の封止材料40を形成して光学素子32〜34を第二の溝部29へ位置決めして固定する。さらに光学素子32〜34を加圧および加熱して封止を完了する。発光素子21または受光素子22を位置決めしてからは窒素置換雰囲気または真空中で行なうことが望ましい。
【0049】
上記は実装方法の一例であり、例えば第一の封止材料39を発光素子21または受光素子22の取り出し電極38の上に形成してもよく、第二の封止材料40を光学素子32〜34の外周部に形成してもよい。また金属バンプ41を基板27の第一の溝部28の底面42の内部電極43の上に形成してもよく、光学素子32〜34および発光素子21または受光素子22の実装する順番を入れ替えてもよい。
【0050】
上記の実装方法において、第一の封止材料39に樹脂材料を用いる場合について説明する。封止材料39は液状またはペースト状の熱硬化性樹脂やシート状の樹脂等である。液状またはペースト状の樹脂を塗布する方法として、開口部を設けたスクリーンの開口部だけに樹脂を塗布するスクリーン印刷法やシリンジを用いて塗布するディスペンス法、スタンプピンを用いて転写するスタンピング法等がある。第一の溝部28の底面42の内部電極43の上に第一の封止材料39を形成する場合はディスペンス法またはスタンピング法が有利である。また発光素子21または受光素子22の上に第一の封止材料39を形成する場合はシート状の樹脂あるいはスクリーン印刷法が作業性に優れている。シート状の樹脂を用いる場合は、あらかじめ貼り付けたい形状にシートを加工し発光素子21または受光素子22の取り出し電極38の上に形成するため、工程を簡略化することができる。これらの方法で基板27の上に第一の封止材料39を形成することにより、第一の封止材料39の塗布量を制御することが可能であり、第二の溝部29への第一の封止材料39の漏出を防止することができる。
【0051】
(実施の形態3)
以下、本発明の実施の形態3による光通信用光電気変換モジュールの光学素子と発光素子または受光素子の実装部について図4を用いて説明する。
【0052】
図4(a),(b)は本発明の他の発光素子の実装部の断面図、図4(c)は本発明の他の実施の形態における受光素子の実装部の断面図、また図4(d)は図4(a)は実施の形態3に用いた発光素子または受光素子の上面図である。
【0053】
図4(a)〜(d)において21は発光素子、36は内部の配線パターン、37はスルーホール、38は発光素子21の発光面または受光素子22の受光面に設けられた取り出し電極、39は第一の封止材料、40は第二の封止材料、41は金属バンプ、28は基板27の主表面に形成した第一の溝部、29は第一の溝部28が形成された基板27の主表面に相対する主面に形成された第二の溝部をそれぞれ示している。また図4(c)では22は受光素子を示している。32〜34は光学素子を示しており、例えば球面あるいは非球面、半球などの屈折型レンズ、フレネルレンズなどの回折型レンズ、平板ガラスなどであり、用いる素子や用途により適宜選択する。35は発光素子21または受光素子22と光学素子32〜34により気密封止された内部空洞、30は貫通孔をそれぞれ示している。図4(d)では42は第一の溝部28の底面、43は基板27に設けられた内部電極を示している。
【0054】
本発明による光通信用光電気変換モジュールの実装方法の一例について説明する。
【0055】
基板27の第二の溝部29の底面に第二の封止材料40を形成して、光学素子32〜34を第二の溝部29へ位置決めして固定する。次に光学素子32〜34を加圧および加熱する。そして第一の封止材料39を第一の溝部28から流し込み、第二の溝部29、貫通孔30および第一の溝部28を第一の封止材料39で充填する。第一の封止材料39の塗布量は少なくとも第一の溝部28の底面42より上になるように調整する。次に発光素子21または受光素子22の取り出し電極38の上に金属バンプ41を形成する。そして基板27の第一の溝部28に発光素子21または受光素子22を位置決めして固定する。さらに発光素子21または受光素子22を加圧しながら、基板27を加熱することにより封止を完了する。以上の工程により発光素子21の発光面または受光素子22の受光面と光学素子32〜34との空隙が完全に第一の封止材料39で充填されるため、発光素子21の受光面または受光素子22の受光面はダストなどから保護することができ、高い信頼性を得ることができる。
【0056】
上記は実装方法の一例であり、例えば第二の封止材料40を光学素子32〜34の外周部に形成してもよく、金属バンプ41を第一の溝部28の底面42の内部電極43の上に形成してもよい。
【0057】
上記の実装方法において、第一の封止材料39に樹脂材料を用いる場合について説明する。第一の封止材料39は液状またはペースト状の透明な熱硬化性樹脂等である。第一の封止材料39の塗布方法としては、温度、塗布圧力、塗布時間の制御ができるディスペンス法が有利である。ディスペンス法で第一の封止材料39の内に気泡が入らないように制御して塗布することにより、気泡による内部空洞35の内部での光の屈折を防止することができ、発光素子21からの出射光と光導波線路の結合効率および光導波線路からの入射光と受光素子22の結合効率が高くできる。本実装方法では加温工程を一回で済ますことができるため、プロセスの単純化、発光素子21および受光素子22の熱破壊の防止および実装工程中の接合部の破壊を防ぐことができる。また第一の封止材料39の供給に高い精度が要求されないため、工程の簡略化が可能になる。その他の効果については実施の形態2と同じであるため、ここでは詳細な説明は省略する。
【0058】
また、実施の形態3の実装方法の他の例について説明する。基板27の第二の溝部29の底面に第二の封止材料40を形成して、光学素子32〜34を第二の溝部29へ位置決めして固定する。そして光学素子32〜34を加圧および加熱する。次に発光素子21または受光素子22の取り出し電極38の上に金属バンプ41を形成する。次に基板27の第一の溝部28に発光素子21または受光素子22を位置決めして固定し加熱・加圧を行い、発光素子21または受光素子22と基板27の電気的接続をとる。そして第一の封止材料39を第一の溝部28と発光素子21または受光素子22の隙間から流し込み、第二の溝部29、貫通孔30および第一の溝部28の底面42を第一の封止材料39で充填する。第一の封止材料39は実装する発光素子21の発光面または受光素子22の受光面が十分に充填される量を塗布する。そして基板27を加熱することにより、第一の封止材料39を硬化させて封止を完了する。
【0059】
上記は実装方法の一例であり、例えば第二の封止材料40を光学素子32〜34の外周部に形成してもよく、金属バンプ41を第一の溝部の底面42の内部電極43の上に形成してもよい。
【0060】
上記の実装方法において、第一の封止材料39に樹脂材料を用いる場合について説明する。第一の封止材料39は液状またはペースト状の透明な熱硬化性樹脂等である。第一の封止材料39を第一の溝部28と発光素子21または受光素子22の隙間から流し込むことを考慮すると、粘度が低く、表面張力の弱い液状の熱硬化性樹脂を用いると有利である。第一の封止材料39の供給方法としてはディスペンス法が有利である。樹脂供給の際に基板27を傾けることも、第一の封止材料39の中の気泡の混入を防ぐのに有効である。
【0061】
(実施の形態4)
以下、本発明の実施の形態4による光通信用光電気変換モジュールの光学素子と発光素子または受光素子の実装部の詳細な構成について図5を用いて説明する。
【0062】
図5(a),(b)は本発明の実施の形態4における発光素子の実装部の断面図、図5(c)は本発明の他の実施の形態における受光素子の実装部の断面図、また図5(d)は実施の形態4で用いた発光素子または受光素子の上面図である。
【0063】
図5(a)〜(d)において21は発光素子、36は内部の配線パターン、37はスルーホール、38は発光素子21の発光面または受光素子22の受光面に設けられた取り出し電極、39は第一の封止材料、40は第二の封止材料、41は金属バンプ、28は基板27の主表面に形成した第一の溝部、29は第一の溝部28が形成された基板27の主表面に相対する主面に形成された第二の溝部をそれぞれ示している。また図5(c)では22は受光素子を示している。32〜34は光学素子を示しており、例えば球面あるいは非球面、半球などの屈折型レンズ、フレネルレンズなどの回折型レンズ、平板ガラスなどであり、用いる素子や用途により適宜選択する。35は発光素子21または受光素子22と光学素子32〜34により気密封止された内部空洞、30は貫通孔をそれぞれ示している。図5(d)では42は第一の溝部28の底面、43は基板27に設けられた内部電極を表している。
【0064】
本発明による光通信用光電気変換モジュールの実装方法の一例について説明する。
【0065】
基板27の第二の溝部29の底面に第二の封止材料40を形成して、光学素子32〜34を第二の溝部29へ位置決めして固定する。次に光学素子32〜34を加圧および加熱する。そして発光素子21または受光素子22の取り出し電極38の上に金属バンプ41を形成する。次に基板27の第一の溝部28に発光素子21または受光素子22を位置決めして固定し、加熱・加圧を行うことにより発光素子21または受光素子22と基板27の電気的接続をとる。さらに基板27の第一の溝部28の底面42に実装した発光素子21または受光素子22の上から第一の封止材料39を塗布する。第一の封止材料39は第一の溝部28の底面42まで漏出しないように塗布量を制御する。次に第一の封止材料39を加熱することにより硬化させて封止を完了する。光学素子32〜34の加圧および加熱から窒素置換雰囲気または真空中で行なうことが望ましい。
【0066】
上記は実装方法の一例であり、例えば第二の封止材料40を光学素子32〜34の外周部に形成してもよく、金属バンプ41を基板27の第一の溝部28の底面42の内部電極43の上に形成してもよい。また光学素子32〜34および発光素子21または受光素子22の実装する順番を入れ替えてもよい。
【0067】
上記の実装方法において、第一の封止材料39の樹脂材料を用いる場合について以下に説明する。
【0068】
第一の封止材料39には液状またはペースト状の熱硬化性樹脂または光硬化性樹脂を用いる。光硬化性樹脂を用いる場合は第一の封止材料39にUV照射を行なうことにより硬化させて封止を完了する。第一の封止材料39に光硬化樹脂を用いた場合は加温工程を減らすことができるため、発光素子21および受光素子22の熱破壊を防止することができる。また第一の封止材料39の中に熱伝導性の高いアルミナ、窒化アルミなどの微粒子を混合して分散させることにより発光素子21の発熱を基板27へ伝導または大気中に放散できるため発光素子21の温度特性を改善し、高い信頼性を得ることができる。第一の封止材料39の塗布方法としては滴下法またはディスペンス法が有利である。滴下法を用いることにより設備費コストを削減することができる。本実装方法では第一の封止材料39の供給に高い精度が要求されないため、工程の簡略化ができる。
【0069】
(実施の形態5)
以下、本発明の実施の形態5による光通信用光電気変換モジュールの光学素子と発光素子または受光素子の実装部の詳細な構成について図6を用いて説明する。
【0070】
図6(a),(b)は本発明の実施の形態5における発光素子の実装部の断面図、図6(c)は本発明の他の受光素子の実装部の断面図、また図6(d)は実施の形態5で用いた発光素子または受光素子の上面図である。
【0071】
図6(a)〜(d)において21は受光素子、36は内部の配線パターン、37はスルーホール、38は発光素子21の発光面または受光素子22の受光面に設けられた取り出し電極、44は異方性導電シート、40は第二の封止材料、41は金属バンプ、28は基板27の主表面に形成した第一の溝部、29は第一の溝部28が形成された基板27の主表面に相対する主面に形成された第二の溝部をそれぞれ示している。また図6(c)では22は受光素子を示している。32〜34は光学素子を示しており、例えば球面あるいは非球面、半球などの屈折型レンズ、フレネルレンズなどの回折型レンズ、平板ガラスなどであり、用いる素子や用途により適宜選択する。35は発光素子21または受光素子22と光学素子32〜34により気密封止された内部空洞、30は貫通孔を示している。
【0072】
図6(d)では42は第一の溝部28の底面、43は基板27に設けられた内部電極を表している。
【0073】
以下、本実施の形態の実装方法の一例について説明する。
【0074】
基板27の第一の溝部28の底面42の内部電極43の上に異方性導電シート44を形成する。次に発光素子21または受光素子22の取り出し電極38の上に金属バンプ41を形成する。そして基板27の第一の溝部28に発光素子21または受光素子22を位置決めして固定する。次に発光素子21および受光素子22を加圧および加熱して、発光素子21および受光素子22と基板27の電気的接続と封止を同時に行う。さらに第二の溝部29の底面に第二の封止材料40を形成して光学素子32〜34を第二の溝部29へ位置決めして固定する。
【0075】
次に光学素子32〜34を加圧および加熱して封止を完了する。発光素子21または受光素子22の固定からは窒素置換雰囲気または真空中で行なうことが望ましい。
【0076】
上記は実装方法の一例であり、例えば異方性導電シート44を発光素子21または受光素子22の取り出し電極38の上に形成してもよく、第二の封止材料40を光学素子32〜34の外周部に形成してもよい。また金属バンプ41を基板27の第一の溝部の底面42の内部電極43の上に形成してもよく、光学素子32〜34および発光素子21または受光素子22の実装する順番を入れ替えてもよい。
【0077】
実施の形態5において、発光素子21または受光素子22と基板27との気密封止に異方性導電シート44を用いている。異方性導電シート44は樹脂シートの中に導電性粒子を分散させたものであるが、導電性粒子の密度は低いため、シートそのものには導電性は無い。導電性粒子の材料にはNi単体、Cu単体、Niに金メッキを施したもの、樹脂を核にして金メッキを施したもの、銀粒子に絶縁樹脂コートを施したもの等を用いる。異方性導電シート44は予め貼り付けたい形状に加工しておく。基板27と発光素子21または受光素子22を加熱・加圧すると導電性粒子が電極間に挟み込まれて基板27と発光素子21または受光素子22の電気的接続をとることができると同時に、樹脂が硬化して気密封止をすることができる。
【0078】
実施の形態5ではシート状の異方性導電シート44を用いることから作業性に優れており工程の簡素化を図ることができる。異方性導電シート44の代わりにペースト状の異方性導電ペーストを用いる方法もある。この場合はスクリーン印刷法、ディスペンス法またはスタンピング法でペーストを基板27の上または発光素子21または受光素子22の取り出し電極38の上に供給する。その他の工程はシート状の異方性導電ペースト44を用いた場合と同様である。ペースト状の異方性導電ペーストを用いることにより材料費を下げることが可能である。その他の効果については本発明の実施の形態3と同等であるため、ここでは詳細な説明は省略する。
【0079】
【発明の効果】
以上のように本発明は、アノード電極とカソード電極とを同じ面に設けた発光素子または受光素子と、この発光素子または受光素子を制御する半導体素子および受動部品からなる光電気変換回路と、光学的な結合に用いる少なくとも1つのレンズ体、光学的絞り、窓等の光学部品と、前記発光素子または受光素子と光電気変換回路および光学素子を実装する基板からなる光通信用光電気変換モジュールにおいて、前記基板の一方の面に形成する第一の溝部と、もう一方の面に形成する第二の溝部とを対向させ、かつ第一の溝部と第二の溝部の底面の間を貫通するように貫通孔を設け、前記第一の溝部に実装する発光素子または受光素子の面と第二の溝部に実装する光学素子の面とを対向するようにして気密封止する光通信用光電気変換モジュールであり、基板の厚みを利用して発光素子モジュールまたは受光素子モジュールを形成するため、小型化および低背化が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)本発明の光通信用光電気変換モジュールの斜視図
(b)〜(e)本発明の光通信用光電気変換モジュールの要部断面斜視図
【図2】(a)本発明の他の光通信用光電気変換モジュールの斜視図
(b)〜(e)本発明の他の光通信用光電気変換モジュールの要部断面斜視図
【図3】(a),(b)本発明の発光素子の実装部の断面図
(c)本発明の受光素子の実装部の断面図
(d)実施の形態2で用いた発光素子または受光素子の上面図
【図4】(a),(b)本発明の発光素子の実装部の断面図
(c)本発明の受光素子の実装部の断面図
(d)実施の形態3で用いた発光素子または受光素子の上面図
【図5】(a),(b)本発明の発光素子の実装部の断面図
(c)本発明の受光素子の実装部の断面図
(d)実施の形態4で用いた発光素子または受光素子の上面図
【図6】(a),(b)本発明の発光素子の実装部の断面図
(c)本発明の受光素子の実装部の断面図
(d)実施の形態5で用いた発光素子または受光素子の上面図
【図7】(a)従来の光通信用光電気変換モジュールの斜視図
(b)従来の発光素子モジュールまたは受光素子モジュールの斜視図
(c)従来の発光素子モジュールまたは受光素子モジュールの断面図
【符号の説明】
21 発光素子
22 受光素子
23 受動部品
24 LSI
25 外部取り出し電極
26 電極
27 基板
28 第一の溝部
29 第二の溝部
30 貫通孔
31 配線パターンまたはスルーホール
32〜34 光学素子
35 内部空洞
36 配線パターン
37 スルーホール
38 取り出し電極
39 第一の封止材料
40 第二の封止材料
41 金属バンプ
42 第一の溝部の底面
43 内部電極
44 異方性導電シート[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a photoelectric conversion module for optical communication using a light emitting element (LED, LD) or a light receiving element (PIN-PD, APD) used in an optical communication system.
[0002]
[Prior art]
FIG. 7 shows a conventional photoelectric conversion module for optical communication used for optical communication.
[0003]
7A is a perspective view of a photoelectric conversion module for optical communication, FIG. 7B is a perspective view of a conventional light emitting element module or light receiving element module, and FIG. 7C is a conventional light emitting element module or light receiving element. It is sectional drawing of a module.
[0004]
7A,
[0005]
7 (b) and 7 (c) show a light receiving element module or a light emitting element module, 7 is a metal cap, 8 is a lens sealed in the metal cap 7, and 9 is a chip for mounting a chip. A metal base, 10 is an external extraction electrode for extracting from the main surface to the back surface of the metal base 9, 11 is a low melting point glass for hermetically sealing the external extraction electrode 6 to the
[0006]
The metal cap 7 and the metal base 9 are usually made of an alloy such as Fe-Ni-Co, and the surfaces thereof are plated with Ni-Au or the like for preventing oxidation. The metal cap 7 and the metal base 9 are hermetically sealed by resistance welding. The hermetically sealed interior is usually replaced with nitrogen or a vacuum to prevent the light emitting element or
[0007]
As prior art document information related to the invention of this application, for example, Patent Document 1 is known.
[0008]
[Patent Document 1]
JP-A-63-282710
[0009]
[Problems to be solved by the invention]
Since the size of the conventional light emitting element module or light
[0010]
Further, the light emitting element module or the light
[0011]
In addition, the
[0012]
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an inexpensive photoelectric conversion module for optical communication that can be reduced in size and height and can cope with higher and higher transmission speeds.
[0013]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, the present invention has the following configurations.
[0014]
According to a first aspect of the present invention, there is provided a light-emitting or light-receiving element in which an anode electrode and a cathode electrode are provided on the same surface, a semiconductor element for controlling the light-emitting element or the light-receiving element, and a photoelectric conversion device. Optical communication light comprising a circuit, at least one lens body, an optical stop, a window, and the like used for optical coupling, and a substrate on which the light emitting element or the light receiving element, the photoelectric conversion circuit, and the optical element are mounted. In the electric conversion module, the first groove formed on one surface of the substrate and the second groove formed on the other surface are opposed to each other, and between the first groove and the bottom surface of the second groove. A through hole is provided so as to penetrate through, and the surface of the light emitting element or the light receiving element mounted in the first groove and the surface of the optical element mounted in the second groove are airtightly sealed so as to be parallel and opposed to each other. Optical communication A photoelectric conversion module, for forming the light-emitting element module or the light receiving element module by utilizing the thickness of the substrate, miniaturization and height reduction can be achieved.
[0015]
According to a second aspect of the present invention, the light emitting element or the light receiving element is mounted on the same surface of the substrate as the photoelectric conversion circuit, and the photoelectric conversion circuit is not mounted on an end of a predetermined range in the longitudinal direction of the substrate. 2. The optical-electrical conversion module for optical communication according to claim 1, wherein the optical axis conversion and the optical axis of the optical-electrical conversion module and an optical waveguide or an optical fiber can be simultaneously performed by inserting the optical-electrical conversion module into a groove provided in the receptacle. Therefore, manufacturing costs can be reduced.
[0016]
According to a third aspect of the present invention, there is provided the photoelectric conversion module for optical communication according to the first aspect, wherein the light emitting element or the light receiving element is mounted on a surface of the substrate different from the photoelectric conversion circuit. Since the mounting surface of the light receiving element can be made flat, the photoelectric conversion module for optical communication can be surface mounted on another substrate.
[0017]
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the optical-electrical conversion module for optical communication according to the first aspect, wherein the size of the second groove is larger than the size of the first groove. Since the second groove for mounting the optical element is larger than the first groove for mounting the light emitting element or the light receiving element, a wide range of light can be collected and the coupling efficiency between the optical fiber and the light emitting element or the light receiving element is increased. Can be.
[0018]
According to a fifth aspect of the present invention, the size of the first groove is substantially equal to the light emitting element or the light receiving element, the size of the second groove is substantially equal to the optical component, and the center of the first groove and the second groove. 2. The optical-electrical conversion module for optical communication according to claim 1, wherein the optical axis of the optical element and the light-emitting surface of the light-emitting element or the light-receiving surface of the light-receiving element can be easily adjusted, so that the manufacturing cost can be reduced. .
[0019]
According to a sixth aspect of the present invention, an electrode is provided on the bottom surface of the first groove, and the electrode is electrically connected to an anode electrode and a cathode electrode of a light emitting element or a light receiving element by gold bumps or solder bumps. The photoelectric conversion module for optical communication according to 1, wherein the wiring between the electrode of the light emitting element or the light receiving element and the electrode of the substrate can be shortened, and the bump can be easily formed by the plating method, thereby reducing the stray capacitance and inductance. And the mounting cost can be reduced.
[0020]
The invention according to claim 7 is the photoelectric conversion module for optical communication according to claim 1, wherein the first groove, the second groove, and the through hole are hermetically sealed so as to be in a vacuum or nitrogen atmosphere. H 2 It is possible to prevent the deterioration of the characteristics of the light emitting element or the light receiving element due to O and prevent the surface oxidation of the external extraction electrode, thereby obtaining high reliability.
[0021]
The invention according to
[0022]
According to a ninth aspect of the present invention, there is provided the photoelectric conversion module for optical communication according to the first aspect, wherein the optical element is hermetically sealed by using the optical element as a lid of the second groove. In addition, the cost can be reduced because the optical element can be used instead of the lid.
[0023]
According to a tenth aspect of the present invention, an anisotropic conductive sheet is disposed between the light emitting element or the light receiving element and the bottom surface of the first groove to provide electrical connection and hermetic sealing. The optical-to-electrical conversion module for optical communication described above, which can perform hermetic sealing and electrical connection at the same time, so that manufacturing costs can be reduced.
[0024]
The invention according to claim 11 is the photoelectric conversion module for optical communication according to claim 1, wherein at least one of the optical element, the light emitting element, and the light receiving element is hermetically sealed using resin, low melting point glass, or solder. Yes, H 2 It is possible to prevent the deterioration of the characteristics of the light emitting element or the light receiving element due to O and prevent the surface oxidation of the external extraction electrode, thereby obtaining high reliability.
[0025]
According to a twelfth aspect of the present invention, there is provided the photoelectric conversion module for optical communication according to the first aspect, wherein a ceramic laminated substrate or a polyimide laminated substrate is used as the substrate, and it is possible to suppress moisture absorption of the substrate and diffuse heat generated by the light emitting element. Alternatively, since heat can be dissipated, high reliability as a light emitting element or a light receiving element can be obtained.
[0026]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0027]
(Embodiment 1)
Hereinafter, an overall configuration of the photoelectric conversion module for optical communication according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
[0028]
1A is a perspective view of the entire optical-electrical conversion module for optical communication of the present invention, and FIGS. 1B to 1E are cross-sectional perspective views of the optical-electrical conversion module for optical communication taken along line AA in FIG. FIG. 2A is a perspective view of the entire optical-electrical conversion module for optical communication of the present invention, and FIGS. 2B to 2E are B of the optical-electrical conversion module for optical communication in FIG. FIG.
[0029]
In FIG. 1,
[0030]
1A to 1E, the
[0031]
Examples of the
[0032]
The
[0033]
In the photoelectric conversion module for optical communication according to the present invention, a ceramic laminated substrate is used as the
[0034]
Forming a groove for component mounting at a predetermined position has the following advantages.
[0035]
The
[0036]
In this case, the
[0037]
In FIG. 1, the
[0038]
FIG. 2 shows a configuration in which the
[0039]
(Embodiment 2)
Hereinafter, a detailed configuration of a mounting portion of the optical element and the light emitting element or the light receiving element of the photoelectric conversion module for optical communication according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
[0040]
3A and 3B are cross-sectional views of a mounting portion of the
[0041]
3A to 3D, 21 is a light emitting element, 36 is an internal wiring pattern, 37 is a through hole, 38 is an extraction electrode provided on the light emitting surface of the
[0042]
A
[0043]
In the photoelectric conversion module for optical communication according to the present invention, a ceramic laminated substrate is used as the
[0044]
Glass or plastic is used as a material for the
[0045]
The shape of the
[0046]
The
[0047]
Next, an example of a mounting method will be described.
[0048]
A
[0049]
The above is an example of the mounting method. For example, the
[0050]
The case where a resin material is used for the
[0051]
(Embodiment 3)
Hereinafter, a mounting portion of the optical element and the light emitting element or the light receiving element of the photoelectric conversion module for optical communication according to the third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
[0052]
4A and 4B are cross-sectional views of a mounting portion of another light emitting element of the present invention, and FIG. 4C is a cross-sectional view of a mounting portion of a light receiving element according to another embodiment of the present invention. FIG. 4D is a top view of the light emitting element or the light receiving element used in the third embodiment.
[0053]
4A to 4D, 21 is a light emitting element, 36 is an internal wiring pattern, 37 is a through hole, 38 is an extraction electrode provided on the light emitting surface of the
[0054]
An example of a method for mounting the photoelectric conversion module for optical communication according to the present invention will be described.
[0055]
The
[0056]
The above is an example of the mounting method. For example, the
[0057]
The case where a resin material is used for the
[0058]
Another example of the mounting method according to the third embodiment will be described. The
[0059]
The above is an example of the mounting method. For example, the
[0060]
The case where a resin material is used for the
[0061]
(Embodiment 4)
Hereinafter, the detailed configuration of the mounting part of the optical element and the light emitting element or the light receiving element of the photoelectric conversion module for optical communication according to the fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
[0062]
5A and 5B are cross-sectional views of a light-emitting element mounting portion according to
[0063]
5A to 5D,
[0064]
An example of a method for mounting the photoelectric conversion module for optical communication according to the present invention will be described.
[0065]
The
[0066]
The above is an example of the mounting method. For example, the
[0067]
The case where the resin material of the
[0068]
As the
[0069]
(Embodiment 5)
Hereinafter, the detailed configuration of the mounting portion of the optical element and the light emitting element or the light receiving element of the photoelectric conversion module for optical communication according to the fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
[0070]
6 (a) and 6 (b) are cross-sectional views of a light-emitting element mounting portion according to
[0071]
6A to 6D, 21 is a light receiving element, 36 is an internal wiring pattern, 37 is a through hole, 38 is an extraction electrode provided on the light emitting surface of the
[0072]
In FIG. 6D,
[0073]
Hereinafter, an example of a mounting method according to the present embodiment will be described.
[0074]
An anisotropic
[0075]
Next, the
[0076]
The above is an example of the mounting method. For example, the anisotropic
[0077]
In the fifth embodiment, an anisotropic
[0078]
In the fifth embodiment, since the sheet-like anisotropic
[0079]
【The invention's effect】
As described above, the present invention provides a light emitting element or a light receiving element in which an anode electrode and a cathode electrode are provided on the same surface, a photoelectric conversion circuit including a semiconductor element for controlling the light emitting element or the light receiving element, and a passive component. Optical components such as at least one lens body, an optical stop, a window, and the like used for optical coupling, the light emitting element or the light receiving element, a photoelectric conversion circuit, and a substrate on which the optical element is mounted. The first groove formed on one surface of the substrate is opposed to the second groove formed on the other surface, and penetrates between the bottom surfaces of the first groove and the second groove. A photoelectric communication opto-electrical converter that hermetically seals a light emitting element or a light receiving element mounted in the first groove and a surface of an optical element mounted in the second groove so as to face each other. Module A le, to form a light emitting device module or the light receiving element module by utilizing the thickness of the substrate, miniaturization and height reduction can be achieved.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1A is a perspective view of a photoelectric conversion module for optical communication according to the present invention.
(B) to (e) are cross-sectional perspective views of a main part of the photoelectric conversion module for optical communication of the present invention.
FIG. 2A is a perspective view of another photoelectric conversion module for optical communication according to the present invention.
(B) to (e) Cross-sectional perspective views of main parts of another photoelectric conversion module for optical communication according to the present invention.
FIGS. 3A and 3B are cross-sectional views of a mounting portion of the light emitting device of the present invention.
(C) Sectional view of the mounting part of the light receiving element of the present invention.
(D) Top view of light emitting element or light receiving element used in
FIGS. 4A and 4B are cross-sectional views of a mounting portion of the light emitting device of the present invention.
(C) Sectional view of the mounting part of the light receiving element of the present invention.
(D) Top view of light emitting element or light receiving element used in
5A and 5B are cross-sectional views of a mounting portion of the light emitting device of the present invention.
(C) Sectional view of the mounting part of the light receiving element of the present invention.
(D) Top view of light emitting element or light receiving element used in
FIGS. 6A and 6B are cross-sectional views of a mounting portion of the light emitting device of the present invention.
(C) Sectional view of the mounting part of the light receiving element of the present invention.
(D) Top view of light emitting element or light receiving element used in
FIG. 7A is a perspective view of a conventional photoelectric conversion module for optical communication.
(B) Perspective view of conventional light emitting element module or light receiving element module
(C) Cross-sectional view of a conventional light emitting element module or light receiving element module
[Explanation of symbols]
21 Light-emitting element
22 Light receiving element
23 passive components
24 LSI
25 External extraction electrode
26 electrodes
27 Substrate
28 First groove
29 Second groove
30 through hole
31 Wiring pattern or through hole
32-34 optical element
35 internal cavity
36 Wiring pattern
37 Through Hole
38 Extraction electrode
39 First sealing material
40 Second sealing material
41 Metal bump
42 Bottom surface of first groove
43 internal electrode
44 Anisotropic conductive sheet
Claims (12)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003041101A JP4195979B2 (en) | 2003-02-19 | 2003-02-19 | Photoelectric module for optical communication |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003041101A JP4195979B2 (en) | 2003-02-19 | 2003-02-19 | Photoelectric module for optical communication |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004253534A true JP2004253534A (en) | 2004-09-09 |
JP4195979B2 JP4195979B2 (en) | 2008-12-17 |
Family
ID=33024784
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003041101A Expired - Fee Related JP4195979B2 (en) | 2003-02-19 | 2003-02-19 | Photoelectric module for optical communication |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4195979B2 (en) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006324409A (en) * | 2005-05-18 | 2006-11-30 | Sharp Corp | Semiconductor laser device and optical pickup device therewith |
JP2008192479A (en) * | 2007-02-06 | 2008-08-21 | Seiko Epson Corp | Light source device, illuminating device, monitoring device, and image display device |
WO2009148134A1 (en) * | 2008-06-04 | 2009-12-10 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | Quantum‑type ir sensor and quantum-type ir gas concentration meter using same |
WO2011111399A1 (en) * | 2010-03-11 | 2011-09-15 | パナソニック株式会社 | Light emitting module, light source device, liquid crystal display device, and method for manufacturing light emitting module |
US10068883B2 (en) | 2015-08-03 | 2018-09-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical coupling device |
CN116722007A (en) * | 2023-08-10 | 2023-09-08 | 青岛泰睿思微电子有限公司 | Optical packaging structure based on mixed heterogeneous substrate material |
-
2003
- 2003-02-19 JP JP2003041101A patent/JP4195979B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006324409A (en) * | 2005-05-18 | 2006-11-30 | Sharp Corp | Semiconductor laser device and optical pickup device therewith |
JP2008192479A (en) * | 2007-02-06 | 2008-08-21 | Seiko Epson Corp | Light source device, illuminating device, monitoring device, and image display device |
JP4715761B2 (en) * | 2007-02-06 | 2011-07-06 | セイコーエプソン株式会社 | Light source device, illumination device, monitor device, and image display device |
WO2009148134A1 (en) * | 2008-06-04 | 2009-12-10 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | Quantum‑type ir sensor and quantum-type ir gas concentration meter using same |
JP5266321B2 (en) * | 2008-06-04 | 2013-08-21 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | Quantum type infrared sensor and quantum type infrared gas concentration meter using the same |
US8803092B2 (en) | 2008-06-04 | 2014-08-12 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | Quantum infrared sensor and quantum infrared gas concentration meter using the same |
WO2011111399A1 (en) * | 2010-03-11 | 2011-09-15 | パナソニック株式会社 | Light emitting module, light source device, liquid crystal display device, and method for manufacturing light emitting module |
JP4932064B2 (en) * | 2010-03-11 | 2012-05-16 | パナソニック株式会社 | Light emitting module, light source device, liquid crystal display device, and method for manufacturing light emitting module |
US9261246B2 (en) | 2010-03-11 | 2016-02-16 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting module, light source device, liquid crystal display device, and method of manufacturing light-emitting module |
US10068883B2 (en) | 2015-08-03 | 2018-09-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical coupling device |
CN116722007A (en) * | 2023-08-10 | 2023-09-08 | 青岛泰睿思微电子有限公司 | Optical packaging structure based on mixed heterogeneous substrate material |
CN116722007B (en) * | 2023-08-10 | 2023-12-08 | 青岛泰睿思微电子有限公司 | Optical packaging structure based on mixed heterogeneous substrate material |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4195979B2 (en) | 2008-12-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9786820B2 (en) | Opto-electronic module and method for manufacturing the same | |
JP5086521B2 (en) | Optical receiver package | |
CN100358151C (en) | Optical component and manufacture method of the same | |
US6786654B2 (en) | Encapsulated optical fiber end-coupled device | |
US7255496B2 (en) | Package for housing an optoelectronic assembly | |
US7160039B2 (en) | Compact optical sub-assembly with integrated flexible circuit | |
US8705906B2 (en) | Photoelectric conversion module | |
JP5384819B2 (en) | Opto-electric hybrid package, opto-electric hybrid module | |
US20080285911A1 (en) | Optical/electrical hybrid substrate | |
JPH08327843A (en) | Optical waveguide module and its manufacture | |
JP2004031508A (en) | Optoelectric composite module and light inputting/outputting device with its module as configuring element | |
US7039083B2 (en) | High speed optical transmission assembly | |
US7176436B2 (en) | Method and apparatus for manufacturing a transistor-outline (TO) can having a ceramic header | |
JP2005257879A (en) | Optical module, method of manufacturing thereof, protecting member and protecting member with electric wiring | |
US20100231766A1 (en) | Imaging device | |
JP2011081071A (en) | Optical module | |
JP2004253638A (en) | Optical component and method for manufacturing same | |
JP2003218447A (en) | Method of aligning parallel optics interconnect device | |
JP3505160B2 (en) | Method for manufacturing optical mounting board | |
JP4195979B2 (en) | Photoelectric module for optical communication | |
JP2004286835A (en) | Optical element mounted device, its manufacturing method, and wiring board with the optical element mounted device | |
US20070114553A1 (en) | Optical module and method of manufacturing the same | |
JP2007034077A (en) | Optical package, optical package with optical element, and optical waveguide module | |
US7255494B2 (en) | Low-profile package for housing an optoelectronic assembly | |
JP7279338B2 (en) | Optical module and method for manufacturing optical module |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060209 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20060314 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080311 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080314 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080509 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080603 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080801 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080826 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080908 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111010 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111010 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121010 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131010 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |