JP2004241792A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 下部電極6 上に載置された試料(ウエハ)7の周囲に、円環状部材(フォーカスリング)17 を設け、これに高周波バイアス電力印加手段8 ’,9 ’により高周波バイアス電力を印加してウエハ7 表面でのラジカル濃度分布を均一化する。また、フォーカスリング17 の表面温度調整手段18 を付加してフォーカスリング17の表面温度を調整することにより、ウエハ周辺領域のフッ素ラジカルの消費を促進させて、ウエハ周辺での窒化膜エッチング速度を低減させる。
【選択図】 図1
Description
なお、エッチング装置については、例えば特許文献1に開示されている。
Claims (7)
- 真空排気手段によって真空排気されている真空容器と、
前記真空容器内に原料ガスを導入するためのガス導入手段と、
前記真空容器内に被加工試料を載置する手段と、
高周波電磁波を導入して、前記導入された原料ガスをプラズマ化する手段とを備えたプラズマ処理装置において、
前記被加工試料を載置する手段の前記被加工試料が載置される位置の周囲に円環状部材を配置し、
前記被加工試料に高周波バイアス電力を印加する手段を付設し、
前記高周波バイアス電力を分割して前記円環状部材へ印加して、前記プラズマ中で生成される活性種の前記円環状部材周辺における濃度を制御する手段をさらに付設してなり、
前記円環状部材が、シリコン、炭化シリコン、カーボン、シリコン窒化膜、アルミニウム、ステンレス、酸化シリコン、もしくは酸化アルミニウムを主体とした材料から成っていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1記載のプラズマ処理装置において、
前記高周波バイアス電力を分割する手段が、コンデンサを用いて、コンデンサの容量比率によって電力を分割するものであることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項2記載のプラズマ処理装置において、
前記電力分割用のコンデンサを可変容量のものとすることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1記載のプラズマ処理装置において、
前記高周波電磁波の導入は、同軸線路を介して、アース電位導体、誘電体、導体板の三層構造を採るマイクロストリップアンテナにより行われることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1記載のプラズマ処理装置において、
前記被加工試料に高周波バイアス電力を印加する第1の手段と、
前記円環状部材へ可変の高周波バイアス電力を印加する第2の手段とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1に記載のプラズマ処理装置において、
前記プラズマ中の活性種の分布状態をモニターし、その変動量に応じて上記円環状部材に印加する高周波バイアス電力を調整する手段をさらに付設してなることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1に記載のプラズマ処理装置において、
前記原料ガスをプラズマ化する手段が、前記導入した高周波電磁波と前記真空容器外部に設けた磁場印加手段による印加磁場との電子サイクロトロン共鳴を利用してプラズマ化を行う手段であることを特徴とするプラズマ処理装置。
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