JP2004241787A - 変化予測方法 - Google Patents
変化予測方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004241787A JP2004241787A JP2004123349A JP2004123349A JP2004241787A JP 2004241787 A JP2004241787 A JP 2004241787A JP 2004123349 A JP2004123349 A JP 2004123349A JP 2004123349 A JP2004123349 A JP 2004123349A JP 2004241787 A JP2004241787 A JP 2004241787A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- change
- calculation
- probability
- molecules
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Abstract
【解決手段】 運動する粒子の付着によって成膜あるいは食刻が行われる対象について数値シミュレーションを実行して膜形状を予測する際に、上記粒子が膜部位によって反射される現象を計算上では反射と付着とが同時に起こるものとして取り扱うことを特徴としている。
【選択図】 図1
Description
Tatsuta et al: Simulation of CVD Step Coverage for SiH4 using Parallel Processing of DSMC Method,Computational Mechanics ’95(Proceedings of International Conferenceon Computational Engineering Science ) Vol.1, pp.592-597, Springer-Verlag (1995) 飯野利喜:半導体成膜形状のシミュレーション,日本機械学会第68期通常総会講演会資料集,Vol.D,1994, pp. 447-449
付着確率:η
入射分子数:N
付着面でのi番目の反射にあたって、
付着する分子数:ni
付着する確率:pi
とすると、従来の方法では、
従来の方法とSARP法を比べると、(2) 式と(4) 式から判るように、SARP法が1/η倍大きいだけで、その他は従来の方法と全く同じ結果を示し、SARP法が従来の方法と同様の分子の付着を導くことが判る。つまり、成膜種が1種類の場合には付着数の分布に関しては同じ結果が得られることになる。
Claims (3)
- 確率に依存する因子の作用を受けて状態または性状が変化する対象について数値シミュレーションを実行して上記変化を予測する際に、前記確率に依存する因子の作用回数あるいは前記対象の変化量を計算上で取り扱うに当たり、計算上で取り扱う作用回数あるいは変化量を実際の作用回数あるいは変化量よりも多くして扱うことを特徴とする変化予測方法。
- 運動する物体が他の物体に衝突することによりその作用を受けて確率に依存して変化する対象または現象について数値シミュレーションを実行して上記変化を予測する際に、前記確率に依存する因子の作用回数あるいは前記対象または現象の変化量を計算上で取り扱うに当たり、計算上で取り扱う因子の作用回数あるいは対象または現象の変化量を、実際の因子の作用回数あるいは実際の対象あるいは現象の変化量よりも多くして扱うことを特徴とする変化予測方法。
- 運動する物体が他の物体に衝突することによりその作用を受けて確率に依存して変化する対象または現象について数値シミュレーションを実行して上記変化を予測する際に、前記確率に依存する因子の作用回数あるいは前記対象または現象の変化量を計算上で取り扱うに当たり、実際には因子が作用しない場合、あるいは実際には対象または現象が変化しない場合の少なくとも一部を、計算上では作用するあるいは変化するとして取り扱うことを特徴とする変化予測方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004123349A JP4047833B2 (ja) | 2004-04-19 | 2004-04-19 | 変化予測方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004123349A JP4047833B2 (ja) | 2004-04-19 | 2004-04-19 | 変化予測方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4752996A Division JP3592826B2 (ja) | 1996-03-05 | 1996-03-05 | 膜形状予測方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004241787A true JP2004241787A (ja) | 2004-08-26 |
JP4047833B2 JP4047833B2 (ja) | 2008-02-13 |
Family
ID=32959965
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004123349A Expired - Lifetime JP4047833B2 (ja) | 2004-04-19 | 2004-04-19 | 変化予測方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4047833B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007149782A (ja) * | 2005-11-24 | 2007-06-14 | Toshiba Corp | シミュレーション装置、シミュレーションプログラムおよびシミュレーション方法 |
CN112331271A (zh) * | 2020-11-04 | 2021-02-05 | 华南理工大学 | 一种cvd沉积速率、产物织构和质量跨尺度预测方法 |
-
2004
- 2004-04-19 JP JP2004123349A patent/JP4047833B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007149782A (ja) * | 2005-11-24 | 2007-06-14 | Toshiba Corp | シミュレーション装置、シミュレーションプログラムおよびシミュレーション方法 |
JP4745035B2 (ja) * | 2005-11-24 | 2011-08-10 | 株式会社東芝 | シミュレーション装置、シミュレーションプログラムおよびシミュレーション方法 |
US8548787B2 (en) | 2005-11-24 | 2013-10-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Simulating a chemical reaction phenomenon in a semiconductor process |
CN112331271A (zh) * | 2020-11-04 | 2021-02-05 | 华南理工大学 | 一种cvd沉积速率、产物织构和质量跨尺度预测方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4047833B2 (ja) | 2008-02-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Karabacak | Thin-film growth dynamics with shadowing and re-emission effects | |
JP3592826B2 (ja) | 膜形状予測方法 | |
Crose et al. | Multiscale modeling and run-to-run control of PECVD of thin film solar cells | |
Li et al. | Effect of additives on shape evolution during electrodeposition: I. multiscale simulation with dynamically coupled kinetic monte carlo and moving-boundry finite-volume codes | |
Merchant et al. | Multiple scale integrated modeling of deposition processes | |
KR20010041543A (ko) | 플라스마-처리의 표면 프로파일을 예측하는 방법 및 장치 | |
WO2015007237A1 (zh) | 刻蚀产额的建模方法和刻蚀表面演化仿真方法 | |
Cheimarios et al. | Multiscale modeling in chemical vapor deposition processes: models and methodologies | |
JP2007215354A (ja) | 電力負荷予測方法、及び電力負荷予測処理プログラム | |
KR100795632B1 (ko) | 시뮬레이션 장치, 시뮬레이션 프로그램을 기록한 컴퓨터판독 가능 매체, 및 시뮬레이션 방법 | |
Tsalikis et al. | A hybrid kinetic Monte Carlo method for simulating silicon films grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition | |
Crose et al. | Multiscale computational fluid dynamics: Methodology and application to PECVD of thin film solar cells | |
Cale et al. | Integrated multiscale process simulation | |
Xiao et al. | Recurrent neural-network-based model predictive control of a plasma etch process | |
Lin et al. | Parametric modeling and optimization of chemical vapor deposition process | |
Wu et al. | Covariance intersection‐based fusion algorithm for asynchronous multirate multisensor system with cross‐correlation | |
JP4047833B2 (ja) | 変化予測方法 | |
Hu et al. | Stochastic modeling and simultaneous regulation of surface roughness and porosity in thin film deposition | |
Hayashi et al. | Calculation of the residual entropy of Ice Ih by Monte Carlo simulation with the combination of the replica-exchange Wang–Landau algorithm and multicanonical replica-exchange method | |
Chopra et al. | A method to accelerate creation of plasma etch recipes using physics and Bayesian statistics | |
WO2022163629A1 (ja) | 推定装置、訓練装置、推定方法、生成方法及びプログラム | |
Aguinsky et al. | Modeling incomplete conformality during atomic layer deposition in high aspect ratio structures | |
Rudenko et al. | Monte Carlo simulation of defects of a trench profile in the process of deep reactive ion etching of silicon | |
Gobbert et al. | A kinetic transport and reaction model and simulator for rarefied gas flow in the transition regime | |
Helmut et al. | Weighted greedy-optimal design of computer experiments for kernel-based and Gaussian process model emulation and calibration |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070531 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070605 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070806 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070828 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071026 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071120 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071122 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101130 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101130 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111130 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121130 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131130 Year of fee payment: 6 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |