JP2004214354A - Brazing material supplying nozzle - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明はろう材供給ノズルに関し、特に半導体チップ(ダイ)をリードフレームなどの基板にボンディングする際に、長尺のろう材の先端部を加熱された基板に接触溶融させることによって供給するようにしたろう材供給ノズルに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体チップ(ダイ)をリードフレームなどの基板に固着する場合、半導体チップ(ダイ)の裏面を基板に対して電気的に接続する必要が無い場合は、絶縁性樹脂を用いて固着する樹脂ボンド方式が採用されることがあるが、一般には、半導体チップ(ダイ)の裏面を基板に対して電気的に接続すると共に、半導体チップ(ダイ)の動作中の発熱を効率的に基板に放熱するために、図4に示すように、半導体チップ(ダイ)30の裏面に電極31を形成し、この電極31を導電性、かつ、良熱伝導性のろう材32を用いてリードフレームなどの基板33に固着している。
【0003】
前記リードフレームなどの基板33は、例えば、図5(A)に示すように、良導電性でかつ良熱伝導性の銅または銅系の基板33aをそのまま用いたベアボンディング用のもの、図5(B)に示すように、良導電性でかつ良熱伝導性の銅または銅系の基板33aの両面にニッケル,金,銀などの発錆し難く、かつろう材が濡れ易いめっき層33bを形成したもの、図5(C)に示すように、良導電性でかつ良熱伝導性の銅または銅系の基板33aの半導体チップ(ダイ)のボンディング位置のみにニッケル,金,銀などの発錆し難く、かつろう材が濡れ易いめっき層33cを形成したもの、図5(D)に示すように、良導電性でかつ良熱伝導性の銅または銅系の基板33aの両面にニッケルなどの発錆し難く比較的安価なめっき層33dを形成し、さらに、このめっき層33dの半導体チップ(ダイ)のボンディング位置のみに金,銀などの発錆し難く、かつろう材が濡れ易いめっき層33eを形成したものなどが使用されている。
【0004】
前記ろう材を用いる方式には、金−シリコン共晶などを用いる硬ろう方式と、所謂、半田を用いる軟ろう方式とがある。前者の硬ろう方式は、半導体チップ(ダイ)と基板との固着の信頼性は高いが、ろう材が高価であり、しかも、硬ろうを溶融させるためのトンネル炉の加熱温度が高いために、コスト高となる理由で、高信頼性が要求される特殊の用途にしか用いられていない。
【0005】
後者の軟ろう方式は、ろう材が安価であり、ろう材を溶融するための基板の加熱温度も低いため、低コストであり、民生用半導体装置には最も広く採用されている。この軟ろう方式には、半導体チップ(ダイ)の裏面に予め半田層を形成しておいて、この半導体チップ(ダイ)を加熱された基板に押し付けて、半田層を溶融させて固着する予備半田方式、加熱された基板に半田片を供給して半田片を溶融する半田片供給方式、長尺の半田ワイヤを巻回したフィーダーローラーから引き出した半田ワイヤを半田供給ツールに挿通しその先端部から所定長さだけ突出させ、その先端部を加熱された基板に接触させて溶融させることによって供給するようにした半田ワイヤ供給方式などがある。
【0006】
予備半田方式は、半導体ウェーハの裏面に半田層を形成しておくので、後でダイシングソウ(ダイヤモンドカッタ)などにより各半導体チップ(ダイ)に切断分離する際に、軟らかい半田が目詰まりして、半田層の切断が困難であるという問題点がある。また、半田片供給方式は、微小な半田片を供給する際に、半田片の供給位置が一定しないため、高精度のダイボンドが実施できないという問題点がある。半田ワイヤ供給方式は、ノズル位置を高精度で制御できることによって、半田供給位置も高精度で制御できるので、高精度のダイボンドが実施できる。
そこで、近時は半田ワイヤ供給方式が広く採用されるようになってきている。
【0007】
従来の半田ワイヤ供給方式に用いられている半田供給ツールについて説明する。
図6に示すように、この半田供給ツール41は、半田ワイヤが挿入されるガイドパイプ42と、ガイドパイプ42を保持するツール本体43と、該ツール本体43の下部に固定されると共に、前記ガイドパイプ42の下端部に外嵌された外嵌部材44とにより構成されており、前記ガイドパイプ42の下端には、先細りの送出ヘッド45が設けられている。該送出ヘッド45には、案内孔46が設けられており、半田ワイヤは、前記ガイドパイプ42の上端から挿入され、案内孔46に案内されて送出されるようになっている。
【0008】
前記ツール本体43の側部には、冷却流体の流入口47と流出口48とが設けられており、流入口47から流入された水や空気などの冷却流体は、前記ガイドパイプ42と前記ツール本体43との間に形成された流入路49を通って前記ガイドパイプ42の下端部へ通流されると共に、前記ツール本体43と前記外嵌部材44との間に形成された間隙50を介して、流出口48から流出されるように構成されている。これにより、加熱されたリードフレームの上方に配置され、リードフレームを加熱するトンネル炉内の混合ガスに曝された前記ガイドパイプ42の下端部を、前記冷却流体によって冷却できるように構成されている。(例えば、特許文献1参照)。
【0009】
また、上記の水や空気などの冷却流体による冷却効果を改善するために、図7に示すような半田供給ツール51も提案されている。この半田供給ツール51は、フィードローラー61から引き出された半田ワイヤ32が挿入されるガイドパイプ52と、ガイドパイプ52を保持するツール本体53と、該ツール本体53の下部に固定されると共に、前記ガイドパイプ52の下端部に外嵌された外嵌部材54とにより構成されており、前記ガイドパイプ52の下端には、先細りの送出ヘッド55が設けられている。該送出ヘッド55には、案内孔56が設けられており、半田ワイヤは、前記ガイドパイプ52の上端から挿入され、案内孔56に案内されて送出されるようになっている。また、前記ガイドパイプ52の外周面に沿って、複数のヒートパイプ57が配置されている。
【0010】
前記ツール本体53には冷却流体の流入口58と流出口59とが設けられている。流入口58から流入された水や空気などの冷却流体は、前記ツール本体53とヒートパイプ57との間に形成された流通路60を通って、前記ヒートパイプ57に沿って上部へ通流されると共に、前記流出口59から流出されるように構成されている。これにより、加熱されたリードフレームの上方に配置され、リードフレームを加熱するトンネル炉内の混合ガスに曝された前記ガイドパイプ52の下端部を、前記冷却流体によって冷却できるように構成されている(例えば、特許文献1参照)。
【0011】
上記の半田供給ツール41,51を、図8(A)に示すように、混合ガス雰囲気内で所定温度に加熱されたリードフレームなどの基板33を収容したトンネル炉(図示省略)の上方に配置させ、半田供給ツール41,51の先端から半田ワイヤ32を所定寸法だけ突出させ、図8(B)に示すように、下降させて半田ワイヤ32の先端を加熱された基板33に接触させて溶融させると、図8(C)に示すように、基板33上に所定量の溶融半田32が供給される。
【0012】
上記のように、半田供給ツール41,51内に冷却手段を設ける理由は、半田ワイヤ32の先端部を加熱されたリードフレームなどの基板33に接触させ溶融させて基板33上に供給する際に、半田ワイヤ32が必要以上に溶融したり、半田ワイヤ32中の融点の低い特定成分(Sn)が溶け別れをしたり、半田ワイヤ32の表面に2次酸化膜が形成されたりしないようにするためである。
【0013】
【特許文献1】
特開2000−252032号公報([0002]〜[0021]、図1〜図3参照。)。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、最近は、半導体装置を組み込む電子部品の小型化に伴い、半導体チップ(ダイ)の小型化、そのリードフレームなどの基板に対するボンディング位置の高精度化および半導体チップ(ダイ)と基板との間の低電気抵抗化、低放熱抵抗化が要求されている。そのためには、基板に対する半田の濡れ性が重要な要因となる。基板に対する半田の濡れ性は、基板表面のめっきの種類および状態、表面の汚染状況、および酸化状態に大きく左右されるが、従来の半田供給ツールでは、これらの外乱因子を完全に除去することができず、半田供給位置精度の悪化、微量塗布の限界およびサイクルタイムの遅延という解決すべき課題があった。
【0015】
なお、上記の「半田供給位置精度」とは、基板上に供給された溶融半田が基板上を流れ広がった後の半田位置が、所期の供給位置に対して正確に一致しているかどうかの精度を意味する。すなわち、図9(A)に示すように、基板33上に供給された溶融半田32は、本来、基板33上を同心円状に流れ広がって2点鎖線32aに示すようになるべきであるが、基板33の表面状態などによって、溶融半田32が同心円状に流れ広がらないで、図9(B)の2点鎖線32bに示すように、基板33上を移動して、最初の供給位置(32)から全くずれてしまったり、最初の供給位置から、2点鎖線32cや32dのように、偏って流れ広がるために、半導体チップ(ダイ)が正確な位置にボンディングできなかったり、正確な位置にボンディングしようとすると、その位置の半田量が不足して、前述の半導体チップ(ダイ)と基板との間の低電気抵抗化、低放熱抵抗化が実現できなくなるといった不具合が発生する。したがって、このような不都合を無くすためには、半田供給位置精度を向上することが必要である。
【0016】
上記のリードフレームなどの基板33が有する外乱因子は、半導体製造装置において、混合ガス雰囲気中で基板33を予備加熱することによるクリーニング効果による除去に依存しているが、この手法だけでは、半田供給位置精度の悪化の原因となる外乱因子を除去し切れないことによる。また、従来の半田供給ツール41,51では、半田の供給量を制御するもので、半田の濡れ性を改善する機能に欠けているという解決すべき課題を有していた。
【0017】
さらに、半田の供給量について言えば、図6の半田供給ツール41は、ガイドパイプ42と半田ワイヤとのクリアランスが大きく、半田ワイヤの冷却効果が十分でないため、半田の供給量を正確に制御することができず、図10(A)に示すように、半田の供給量が実線で示す正規の供給量32よりも2点鎖線32’で示すように過剰となって、この過剰な溶融半田32’の上に半導体チップ(ダイ)30を供給して加圧した場合、図10(B)に示すように、余剰の半田32′が半導体チップ(ダイ)30の周囲から食み出し、半導体チップ(ダイ)30の端面に盛り上がったり、甚だしい場合は半導体チップ(ダイ)30の上面にまで這い上がってショートしたりするという解決すべき課題があった。また、図7の半田供給ツール51は、ヒートパイプ47を用いるため高価になるという課題があった。
【0018】
さらにまた、冷却媒体として、水などの液体を用いると、シール構造が複雑になるのみならず、万一、漏出した場合は、ダイボンダそのものや、近接した設備を濡らしたり、漏出した液体が蒸発した蒸気によって、半導体チップ(ダイ)が汚染されて、特性変動を生じたりするといった問題があった。さらに、冷却水を循環させるチラー(定温液体循環装置)などを具備しなければならず、コストアップの要因となっていた。
【0019】
そこで、本発明は上記の課題を解決して、半田などの軟ろうや、Pb−Sn−Ag系などの硬ろうや、Pbフリーの半田代替ろう材などのワイヤ状ろう材を、リードフレームなどの基板に対して所定位置に所定量だけ高精度で供給できる、ろう材供給ノズルを提供することを目的とする。
【0020】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項1に記載されたろう材供給ノズルは、長尺のワイヤ状ろう材を巻回したフィーダーローラーから引き出したろう材を挿通し、下端から突出したろう材の先端部を加熱された基板に接触させて溶融させるようにしたろう材供給ノズルにおいて、前記挿通したろう材に超音波振動を付与する超音波振動付与手段を設けたことを特徴とするものである。
【0021】
上記のろう材供給ノズルによれば、超音波振動付与手段によってろう材に超音波振動が付与されることによって、超音波の縦成分の振動と、ろう材とリードフレームなどの基板との摩擦熱との相乗効果により、基板表面の酸化膜や汚染物質を突き破ってピュアな基材表面またはめっき表面を露出させ、しかも、ろう材自体を活性化することにより、基板に対するろう材の濡れ性が改善される。また、超音波振動によって溶融したろう材の撹拌効果も得られ、撹拌効果による酸化還元反応などの化学的反応が促進される。これらの相乗作用によって、ろう材の基板への濡れ性が大きく改善されて、溶融したろう材が基板表面の酸化膜や汚染物質によって、基板上を移動したり、供給位置から偏って流れ広がったりすることが無くなり、ろう材の供給位置精度が格段に向上すると共に、半導体チップ(ダイ)と基板との接着性が格段に向上して、低電気抵抗化および低放熱抵抗化が実現でき、信頼性の高い半導体チップ(ダイ)のボンディングが可能になる。
【0022】
また、本発明の請求項2に記載されたろう材供給ノズルは、前記超音波振動付与手段が、圧電素子であることを特徴とするものである。
【0023】
上記のろう材供給ノズルによれば、圧電素子によって、ろう材に超音波振動を付与することができ、前述のような優れた効果を得ることができる。この圧電素子は、圧電セラミック等の市場で入手可能な公知のものを用いることができる。
【0024】
また、本発明の請求項3に記載されたろう材供給ノズルは、前記に超音波振動付与手段の下方側を能動固定部材で固定し、上方側を自由側部材で支持したことを特徴とするものである。
【0025】
上記のろう材供給ノズルによれば、超音波振動付与手段の下方側を能動固定部材によって固定し、上方側を自由側部材で支持しているので、超音波振動付与手段による超音波振動によって自由側部材が自在に振動して、この自由側部材に挿通されているろう材に効果的に超音波振動を付与することができる。
【0026】
また、本発明の請求項4に記載されたろう材供給ノズルは、前記超音波振動付与手段の下方側に、挿通したろう材を冷却する冷却手段を設けたことを特徴とするものである。
【0027】
上記のろう材供給ノズルによれば、ノズル内に挿通されたろう材を冷却手段によって適度に冷却できるので、ろう材が必要以上に加熱溶融されてリードフレームなどの基板上に過剰に供給されることが防止できると共に、ろう材の2次表面酸化を防止することができる。
【0028】
また、本発明の請求項5に記載されたろう材供給ノズルは、前記ろう材の冷却手段が、冷却気体による空冷方式であり、ノズル内に冷却気体を供給する供給口と、ノズル内でろう材を冷却した冷却気体を排気する排気口とを有することを特徴とするものである。
【0029】
上記のろう材供給ノズルによれば、供給口から供給された空気などの冷却気体が、ノズル内を循環してろう材を冷却し、排気口から排出されることによって、ろう材を冷却することができる。特に、冷却流体として冷却気体を用いるので、冷却液体を用いる場合に比較して、熱の拡散性に優れ、しかも、接続部などのシールが容易になるため構成が簡単になり、また、万一、冷却気体漏れを生じても、冷却液体のようにろう材供給ノズルを搭載したダイボンダそのもの、あるいは近接した設備や床面を濡らしたり、あるいは漏洩した液体による蒸気によって半導体装置の特性を悪化させたりすることがない。
【0030】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明のろう材供給ノズルの実施形態について説明する。図1(A)は本発明のろう材供給ノズルの縦断面図で、図1(B)は図1(A)のろう材供給ノズルの下面図を示す。図2(A)〜図2(D)はそれぞれ図1(A)のろう材供給ノズルのA−A線に沿った横断面図、B−B線に沿った横断面図、C−C線に沿った横断面図、および平面図である。
【0031】
図1において、1は所謂半田と称される軟ろう(Sn−Pb合金)や、硬ろう(Pb−Sn−Ag系など)や、最近、Pbによる環境汚染問題を解決するために開発されたPbフリーの半田代替ろう材(Sn−Zn系、Sn−Ag系、Sn−Ag−Cu系など)のワイヤ状のろう材2を巻回したフィードローラーで、3はろう材2を挿通してリードフレームなどの基板に供給するろう材供給ノズルである。このろう材供給ノズル3は、内部に空洞5を有するノズル本体4と、このノズル本体4の空洞5に内装される冷却気体の隔壁ブッシュ6と、この隔壁ブッシュ6によって区画されたノズル本体4の上部に設けられた冷却気体を供給する流入口7と、ノズル本体4の下部に設けられた使用済みの冷却気体を排気する排出口8とを有する。流入口7および排出口8には、それぞれ冷却気体の供給パイプ7aおよび排気パイプ8aが接続されている。
【0032】
前記ノズル本体4は、前記流入口7に対応する内周面に環状溝4aを有する。
また、前記隔壁ブッシュ6は、図2(A)から明らかなように、環状溝4aと対応する部分が、中心の縦孔に連通する複数の横孔6aを放射状に有し、これらのいずれかの横孔6aが前記流入口7の位置と一致し易いようにして、ノズル本体4との組み付けが容易になるようにされている。また、この隔壁ブッシュ6は、前記縦孔に沿って下方に延びるパイプ部6bを有する。
【0033】
前記ノズル本体4の下面部には、銅製のパイプ部材9が取り付けられており、前記隔壁ブッシュ6のパイプ部6b内に、ろう材2を案内するステンレス製のガイドパイプ10が挿通されている。パイプ部材9は、ノズル本体4の下面に固着されるフランジ部9aと、前記隔壁ブッシュ6との間に冷却気体を案内する隙間を形成するパイプ部9bとを有する。そして、図3(A)(B)に示すように、ガイドパイプ10の下端は、隔壁ブッシュ9から所定寸法だけ突出させて、銀ろう11により固着されている。
【0034】
前記ガイドパイプ10の中途部は、位置決め部材12によってこのガイドパイプ10を隔壁ブッシュ6の中心軸に同心状に位置決めされており、この位置決め部材12がカバー部材13によって所定位置に保持されている。なお、ガイドパイプ10の上端は、後述する超音波振動付与手段によりろう材2に超音波振動を付与するために、このカバー部材13よりも大きく突出されている。
【0035】
前記ノズル本体4と隔壁ブッシュ6との間、ノズル本体4の下面とパイプ部材9のフランジ部9aとの間、ノズル本体4の上面と位置決め部材12の下面との間、および位置決め部材12とガイドパイプ10との間には、それぞれ耐熱性のOリング14,15,16,17が介装されており、気密にシールされている。
【0036】
以上がろう材を供給するノズルの主要部を構成する。このノズル主要部の上に、ろう材2に超音波振動を付与する超音波振動付与手段18が配置される。この超音波振動付与手段18は、圧電セラミック振動子19を下方の能動固定側金属体20と上方の自由側金属体21とによって挟持したものである。圧電セラミック振動子19は、例えば、BaTiO3、PZT、PbTiO3などの高純度の原料粉体を高温度で環状に焼き固めた多結晶セラミックスを分極処理して得られ、その上下両面にメタライズ法により電極を形成したものである。この圧電セラミック振動子19の中心孔19aには、連結ボルト22が固定されている。
【0037】
前記能動固定側金属体20は、カバー部材13の上に取り付けられており、中心軸に沿って前記ガイドパイプ10を挿通する縦孔20aと、下部および上部に雌ねじ部20b,20cと、上部外周部にフランジ部20dとを有し、このフランジ部20dがノズル3を固定する部材に対してOリング23,24によって能動固定されていると共に、下部の雌ねじ部20bにカバー部材13の雄ねじ部が螺合され、上部の雌ねじ部20cに連結ボルト22が螺合されている。
【0038】
また、前記自由側金属体21は、中心軸に沿って前記ガイドパイプ10を挿通する縦孔21aと、下部および上部に雌ねじ部21b,21cとを有し、下部の雌ねじ部21bに連結ボルト22が螺合されていると共に、上部の雌ねじ部21cにノズルガイド25の雄ねじ部が螺合されている。
【0039】
前記ノズルガイド25の上方には、ろう材2を巻回したフィードローラー1と、必要に応じてバックローラー26が配置されており、フィードローラー1から引き出したろう材2をノズルガイド25の開口部からガイドパイプ10に挿通して、ガイドパイプ10の先端部から、適当な引出抵抗を付与して所定寸法ずつ繰り出すようにしている。
【0040】
次に、上記のろう材供給ノズル3の動作について説明する。まず、フィードローラー1からろう材2を引き出し、ノズルガイド25の開口部からガイドパイプ10にろう材2を挿入し、ガイドパイプ10の下端から所定寸法だけ突出させる。
【0041】
そして、流入口7からノズル本体4内に冷却空気などの冷却気体を供給する。
すると、ノズル本体4内に供給された冷却気体は、ノズル本体4の環状溝4aから隔壁ブッシュ6の放射状の横孔6aを通り、パイプ部6bの内周面とガイドパイプ10の外周面とで形成される隙間27を通って下降していき、隔壁ブッシュ6のパイプ部6bの下端から出た後Uターンして、今度はパイプ部材9の内周面と隔壁ブッシュ6の内周面とで形成される隙間28を通って上昇し、排出口8から排出される。ここで、主として、冷却気体が前記隔壁ブッシュ6のパイプ部6bの内周面とガイドパイプ10の外周面とで形成される隙間27を通って下降する過程で、ガイドパイプ10を冷却し、このガイドパイプ10に挿通されたろう材2を冷却する。ガイドパイプ10とろう材2とのクリアランスは小さく、また、空気の熱拡散率は2.2×10−5m2/sであり、水の熱拡散率1.9×10−7m2/sの116倍もあり、水冷式に比較して、短時間で効果的にろう材2を冷却することができる。
【0042】
また、圧電セラミック振動子19の電極に通電すると、圧電セラミック振動子19が超音波振動し、それによって自由側金属体21が振動して、ろう材2に縦振動が付与される。
【0043】
そして、ガイドパイプ10の下端から突出したろう材2を、加熱されたリードフレームなどの基板に接触させる。すると、ろう材2の先端部が基板の表面を超音波振動によって摺動して、基板表面の酸化膜や汚染物質を剥離することによって、基板のピュアな表面が露出すると共に、ろう材2の先端部が基板からの熱伝導によって溶融して、基板上に供給される。この基板上に供給された溶融ろう材に対して、ろう材2を介して超音波振動が付与されるので、溶融したろう材が撹拌されて、酸化物や汚染物質が溶融ろう材の表面を覆うことを防止する。このような基板表面のピュアな面の露出および溶融したろう材の撹拌作用の相乗効果によって、溶融ろう材は、図9(A)の実線に示すように、基板の所定位置に高精度で供給することができる。
【0044】
しかも、前述のように基板表面の酸化膜や汚染物質が除去され、かつ、溶融ろう材の表面が酸化物や汚染物質によって覆われていないため、基板上に供給された溶融ろうは、基板上を移動したり、偏って流れ広がったりすることなく、最初の上記の供給位置から同心状に流れ広がっていくので、ろう材の供給位置精度が著しく向上する。
【0045】
さらに、ノズル3内のろう材2が冷却気体によって適度に冷却されているので、基板上へのろう材2の供給量を所定量に正確に制御することができる。したがって、この溶融ろう材の上に半導体チップ(ダイ)を供給して加圧すると、半導体チップ(ダイ)を基板の所定位置に高精度でボンディングすることが可能になるのみならず、ろう材供給量が所定値に制御されているので、図10(B)に示すように、余剰のろう材が半導体チップ(ダイ)の側面に盛り上がったり、半導体チップ(ダイ)の上面に流れたりするといった不都合がなく、低電気抵抗化、低放熱抵抗化が実現された高品質の半導体装置が得られる。
【0046】
なお、上記実施形態は、本発明の一実施形態について説明したもので、本発明がこの実施形態に限定されないことは勿論である。
【0047】
例えば、上記実施形態では、超音波振動付与手段18を取り付けないタイプと共用化するために、ノズル本体4の上に、位置決め部材12およびカバー部材13を取り付けた上に、超音波振動付与手段18を取り付けるようにしたが、ノズル本体4あるいは金属体20に、位置決め部材12やカバー部材13の機能を持たせるようにしてもよい。
【0048】
また、ガイドパイプ10は、図3(A)(B)に示すように、パイプ部材9の下端から突出させる場合に限らず、パイプ部材9の下端部と一致させたり、あるいは隔壁ブッシュ9の下端部から若干凹入させたりしてもよい。
【0049】
【発明の効果】
本発明のろう材供給ノズルは、長尺のワイヤ状ろう材を巻回したフィーダーローラーから引き出したろう材を挿通し、下端から突出したろう材の先端部を加熱された基板に接触溶融させて基板に供給するようにしたろう材供給ノズルにおいて、前記挿通したろう材に超音波振動を付与する超音波振付与手段を設けたことを特徴とするものであるから、ろう材に超音波振動を付与することができ、超音波振動が付与されたろう材によってリードフレームなどの基板表面を摺動することによって、基板表面の酸化膜や汚染物質が除去されて、基板のピュアな表面が露出して、ろう材の濡れ性が向上するので、基板上に供給された溶融ろう材が、基板上を移動したり、最初の供給位置から偏心して流れ広がったりすることがなくなると共に、基板上に供給された溶融ろう材に対する超音波振動による撹拌効果によって、溶融ろう材表面を酸化物や汚染物質が覆うことが防止され、基板に対するろう材の濡れ性が格段に向上して、ろう材を基板の所定位置に高精度で供給することができる。したがって、半導体チップ(ダイ)のボンディング位置精度が向上し、しかも、ろう材の低電気抵抗化および低放熱抵抗化が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(A)は本発明の実施形態に係るろう材供給ノズルの縦断面図、
(B)は(A)のろう材供給ノズルの下面図である。
【図2】(A)は図1のろう材供給ノズルにおけるA−A線に沿った横断面図、
(B)は図1のろう材供給ノズルにおけるB−B線に沿った横断面図、
(C)は図1のろう材供給ノズルにおけるC−C線に沿った横断面図、
(D)は図1のろう材供給ノズルにおける平面図である。
【図3】(A)は図1のろう材供給ノズルにおける先端部の拡大縦断面図、
(B)は(A)のろう材供給ノズルにおけるD−D線に沿った横断面図である。
【図4】半導体チップ(ダイ)を基板にろう付けした半導体装置の正面図である。
【図5】リードフレームなどの基板の各種形態を示し、
(A)は基材を露出したベアボンディング用の基板の拡大縦断面図、
(B)は基材の両面にめっき層を形成した全面めっき基板の拡大縦断面図、
(C)は基材の半導体チップ(ダイ)のボンディング位置のみにめっき層を形成した部分めっき基板の拡大縦断面図、
(D)は基材の両面にめっき層を形成し、さらに半導体チップ(ダイ)のボンディング位置のみに他のめっき層を形成した基板の拡大縦断面図である。
【図6】従来のろう材供給ツールの縦断面図である。
【図7】他の従来のろう材供給ツールにおける縦断面図である。
【図8】(A)はろう材供給ツールにおける待機状態の拡大縦断面図、
(B)はろう材供給ツールが下降してろう材が基板に接触した状態の拡大縦断面図、
(C)はろう材供給ツールによりろう材が基板に供給された状態の拡大縦断面図である。
【図9】(A)は基板上に供給された半田が同心円状に流れ広がる状態の平面図、
(B)は基板の表面状態によって供給された溶融半田が基板上を移動したり偏って流れ広がったりする課題に付いて説明する平面図である。
【図10】(A)は基板上に過剰な半田が供給された状態の正面図、
(B)は(A)の過剰な半田の上に半導体チップ(ダイ)を加圧してボンディングした場合の課題に付いて説明する正面図である。
【符号の説明】
1 フィードローラー
2 ろう材
3 ろう材供給ノズル
4 ノズル本体
4a 環状溝
5 空洞
6 隔壁ブッシュ
6a 横孔
6b パイプ部
7 冷却気体の流入口
8 冷却気体の排出口
9 パイプ部材
9a フランジ部
9b パイプ部
10 ガイドパイプ
12 位置決め部材
13 カバー部材
14〜17,23,24 Oリング
18 超音波振動付与手段
19 圧電素子(圧電セラミック振動子)
20 能動固定側金属体
21 自由側金属体
22 連結ボルト
25 ノズルガイド
26 バックアップローラー
27,28 隙間[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a brazing material supply nozzle, and particularly to a method in which when a semiconductor chip (die) is bonded to a substrate such as a lead frame, the tip of a long brazing material is supplied by contact melting to a heated substrate. And a brazing material supply nozzle.
[0002]
[Prior art]
When the semiconductor chip (die) is fixed to a substrate such as a lead frame, and when it is not necessary to electrically connect the back surface of the semiconductor chip (die) to the substrate, a resin bond method using an insulating resin to fix the semiconductor chip (die) to the substrate However, in general, in order to electrically connect the back surface of the semiconductor chip (die) to the substrate and efficiently radiate heat generated during operation of the semiconductor chip (die) to the substrate. Next, as shown in FIG. 4, an
[0003]
As shown in FIG. 5 (A), for example, as shown in FIG. 5 (A), the
[0004]
The method using the brazing material includes a hard soldering method using gold-silicon eutectic and the like, and a so-called soft soldering method using solder. The former hard soldering method has high reliability in fixing the semiconductor chip (die) to the substrate, but the brazing material is expensive, and the heating temperature of the tunnel furnace for melting the hard solder is high. Because of high cost, it is used only for special applications requiring high reliability.
[0005]
The latter soft soldering method is inexpensive because the brazing material is inexpensive and the heating temperature of the substrate for melting the brazing material is low, so that the cost is low and it is most widely used in consumer semiconductor devices. In this soft soldering method, a solder layer is formed in advance on the back surface of a semiconductor chip (die), and the semiconductor chip (die) is pressed against a heated substrate to melt and fix the solder layer. Method, a solder piece supply method that supplies solder pieces to a heated substrate and melts the solder pieces, inserts a solder wire drawn from a feeder roller around which a long solder wire is wound into a solder supply tool, and from the tip There is a solder wire supply method in which a predetermined length is protruded, and the tip is brought into contact with a heated substrate to be melted and supplied.
[0006]
In the pre-soldering method, since a solder layer is formed on the back surface of the semiconductor wafer, when the semiconductor chip (die) is cut and separated later by a dicing saw (diamond cutter) or the like, the soft solder is clogged, There is a problem that it is difficult to cut the solder layer. Further, the solder piece supply method has a problem that when supplying a minute solder piece, the supply position of the solder piece is not constant, so that high-precision die bonding cannot be performed. In the solder wire supply method, since the nozzle position can be controlled with high precision, the solder supply position can also be controlled with high precision, so that high-precision die bonding can be performed.
Therefore, recently, a solder wire supply system has been widely adopted.
[0007]
A solder supply tool used in a conventional solder wire supply system will be described.
As shown in FIG. 6, the
[0008]
An
[0009]
In addition, a
[0010]
The
[0011]
As shown in FIG. 8A, the
[0012]
As described above, the reason why the cooling means is provided in the
[0013]
[Patent Document 1]
Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-252032 ([0002] to [0021]; see FIGS. 1 to 3).
[0014]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, recently, with the miniaturization of electronic components incorporating a semiconductor device, the size of a semiconductor chip (die) has been reduced, the bonding position of the semiconductor chip (die) to a substrate such as a lead frame has been increased, and the distance between the semiconductor chip (die) and the substrate has increased. Are required to have low electric resistance and low heat radiation resistance. For that purpose, the wettability of the solder to the substrate is an important factor. The wettability of the solder on the board is greatly influenced by the type and condition of plating on the board surface, the state of contamination on the surface, and the oxidation state.However, with a conventional solder supply tool, it is impossible to completely remove these disturbance factors. However, there is a problem to be solved such as deterioration of solder supply position accuracy, limitation of a small amount of coating, and delay of cycle time.
[0015]
In addition, the above “solder supply position accuracy” refers to whether or not the solder position after the molten solder supplied on the substrate flows and spreads on the substrate, exactly matches the intended supply position. Means precision. That is, as shown in FIG. 9A, the
[0016]
The disturbance factor of the
[0017]
Further, regarding the supply amount of the solder, the
[0018]
Furthermore, if a liquid such as water is used as a cooling medium, not only does the sealing structure become complicated, but in the event of leakage, the die bonder itself or nearby equipment becomes wet, or the leaked liquid evaporates. There has been a problem in that the semiconductor chip (die) is contaminated by the vapor, causing characteristic fluctuation. Further, a chiller (constant-temperature liquid circulation device) for circulating cooling water must be provided, which has been a factor of cost increase.
[0019]
Therefore, the present invention solves the above-mentioned problems, and uses a wire brazing material such as a soft brazing material such as solder, a hard brazing material such as a Pb-Sn-Ag system, or a Pb-free solder substitute brazing material. It is an object of the present invention to provide a brazing material supply nozzle capable of supplying a predetermined amount to a predetermined position of a substrate with high precision.
[0020]
[Means for Solving the Problems]
The brazing material supply nozzle according to claim 1 of the present invention is configured to insert a brazing material drawn out from a feeder roller around which a long wire-shaped brazing material is wound, and to heat a tip end of the brazing material protruding from a lower end. In the brazing material supply nozzle adapted to be brought into contact with and melted, an ultrasonic vibration applying means for applying ultrasonic vibration to the inserted brazing material is provided.
[0021]
According to the above brazing material supply nozzle, the ultrasonic vibration is applied to the brazing material by the ultrasonic vibration applying means, so that the vibration of the longitudinal component of the ultrasonic wave and the frictional heat between the brazing material and the substrate such as the lead frame. The synergistic effect with this material breaks through the oxide film and contaminants on the substrate surface, exposing the pure substrate surface or plating surface, and activating the brazing material itself to improve the wettability of the brazing material to the substrate Is done. In addition, the effect of stirring the brazing material melted by the ultrasonic vibration is obtained, and a chemical reaction such as an oxidation-reduction reaction due to the stirring effect is promoted. Due to these synergistic effects, the wettability of the brazing material to the substrate is greatly improved, and the molten brazing material moves on the substrate due to an oxide film or a contaminant on the substrate surface, or flows unevenly from the supply position. In addition, the supply position accuracy of the brazing material is greatly improved, and the adhesiveness between the semiconductor chip (die) and the substrate is significantly improved. This makes it possible to bond a semiconductor chip (die) having high performance.
[0022]
Further, in the brazing material supply nozzle according to a second aspect of the present invention, the ultrasonic vibration applying means is a piezoelectric element.
[0023]
According to the brazing material supply nozzle described above, ultrasonic vibration can be applied to the brazing material by the piezoelectric element, and the above-described excellent effects can be obtained. As the piezoelectric element, a publicly-known piezoelectric element such as a piezoelectric ceramic can be used.
[0024]
Further, the brazing material supply nozzle according to claim 3 of the present invention is characterized in that the lower side of the ultrasonic vibration applying means is fixed by an active fixing member and the upper side is supported by a free side member. It is.
[0025]
According to the brazing material supply nozzle described above, the lower side of the ultrasonic vibration applying means is fixed by the active fixing member, and the upper side is supported by the free side member. The side member vibrates freely, and ultrasonic vibration can be effectively applied to the brazing material inserted through the free side member.
[0026]
A brazing material supply nozzle according to a fourth aspect of the present invention is characterized in that a cooling means for cooling the brazing material inserted is provided below the ultrasonic vibration applying means.
[0027]
According to the brazing material supply nozzle described above, the brazing material inserted into the nozzle can be appropriately cooled by the cooling means, so that the brazing material is heated and melted more than necessary and is excessively supplied onto a substrate such as a lead frame. Can be prevented, and the secondary surface oxidation of the brazing material can be prevented.
[0028]
Further, in the brazing material supply nozzle according to
[0029]
According to the brazing material supply nozzle described above, the cooling gas such as air supplied from the supply port circulates through the nozzle to cool the brazing material and is discharged from the exhaust port to cool the brazing material. Can be. In particular, since a cooling gas is used as a cooling fluid, compared with the case where a cooling liquid is used, the heat diffusion property is excellent, and the sealing of the connection portion and the like becomes easy, so that the configuration is simplified. Even if a cooling gas leak occurs, the die bonder itself equipped with a brazing filler nozzle, like a cooling liquid, wets nearby equipment and floors, or deteriorates the characteristics of semiconductor devices due to vapors from the leaked liquid. I can't.
[0030]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of a brazing material supply nozzle of the present invention will be described with reference to the drawings. 1A is a longitudinal sectional view of the brazing material supply nozzle of the present invention, and FIG. 1B is a bottom view of the brazing material supply nozzle of FIG. 1A. FIGS. 2A to 2D are cross-sectional views of the brazing material supply nozzle of FIG. 1A taken along line AA, cross-sectional views taken along line BB, and lines CC, respectively. Are a cross-sectional view and a plan view taken along the line.
[0031]
In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a soft solder (Sn-Pb alloy) or a so-called solder (Pb-Sn-Ag type), which has been recently developed to solve the environmental pollution problem caused by Pb. A feed roller around which a wire-shaped
[0032]
The
As apparent from FIG. 2A, the
[0033]
A
[0034]
An intermediate portion of the
[0035]
Between the
[0036]
The above constitutes the main part of the nozzle for supplying the brazing material. An ultrasonic vibration applying means 18 for applying ultrasonic vibration to the
[0037]
The active fixed
[0038]
The free-
[0039]
Above the
[0040]
Next, the operation of the brazing material supply nozzle 3 will be described. First, the
[0041]
Then, a cooling gas such as cooling air is supplied into the
Then, the cooling gas supplied into the
[0042]
When electricity is supplied to the electrodes of the piezoelectric
[0043]
Then, the
[0044]
Moreover, as described above, since the oxide film and contaminants on the substrate surface are removed and the surface of the molten brazing material is not covered with oxides and contaminants, the molten braze supplied on the substrate is The flow of the brazing material is concentrically spread from the above-mentioned supply position without moving or unevenly spreading the flow, so that the supply position accuracy of the brazing material is significantly improved.
[0045]
Further, since the
[0046]
The above embodiment has been described for one embodiment of the present invention, and the present invention is of course not limited to this embodiment.
[0047]
For example, in the above-described embodiment, the positioning
[0048]
Further, as shown in FIGS. 3A and 3B, the
[0049]
【The invention's effect】
The brazing material supply nozzle of the present invention inserts a brazing material drawn from a feeder roller wound with a long wire-shaped brazing material, and contacts and melts the tip of the brazing material protruding from the lower end with the heated substrate. In the brazing material supply nozzle adapted to supply the brazing material, ultrasonic vibration applying means for applying ultrasonic vibration to the inserted brazing material is provided. By sliding the surface of a substrate such as a lead frame with a brazing material to which ultrasonic vibrations have been applied, oxide films and contaminants on the substrate surface are removed, and the pure surface of the substrate is exposed. Since the wettability of the brazing material is improved, the molten brazing material supplied on the substrate does not move on the substrate or spread eccentrically from the initial supply position, and also spread on the substrate. The stirring effect of the supplied brazing filler metal by ultrasonic vibration prevents the surface of the molten brazing filler metal from being covered with oxides and contaminants, significantly improving the wettability of the brazing filler metal with respect to the substrate. Can be supplied to a predetermined position with high precision. Therefore, the bonding position accuracy of the semiconductor chip (die) can be improved, and the electric resistance and the heat radiation resistance of the brazing material can be reduced.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1A is a longitudinal sectional view of a brazing material supply nozzle according to an embodiment of the present invention,
(B) is a bottom view of the brazing material supply nozzle of (A).
FIG. 2A is a cross-sectional view of the brazing material supply nozzle of FIG. 1 taken along line AA.
(B) is a cross-sectional view of the brazing material supply nozzle of FIG. 1 along the line BB,
(C) is a cross-sectional view of the brazing material supply nozzle of FIG. 1 along the line CC,
(D) is a plan view of the brazing material supply nozzle of FIG. 1.
FIG. 3A is an enlarged vertical sectional view of a tip end of the brazing material supply nozzle of FIG. 1;
(B) is a cross-sectional view of the brazing material supply nozzle of (A) taken along the line DD.
FIG. 4 is a front view of a semiconductor device in which a semiconductor chip (die) is brazed to a substrate.
FIG. 5 shows various forms of a substrate such as a lead frame;
(A) is an enlarged vertical sectional view of a bare bonding substrate exposing the base material,
(B) is an enlarged vertical cross-sectional view of the entire plating substrate having plating layers formed on both surfaces of the base material,
(C) is an enlarged vertical sectional view of a partially plated substrate in which a plating layer is formed only at a bonding position of a semiconductor chip (die) on a substrate;
(D) is an enlarged vertical cross-sectional view of a substrate in which plating layers are formed on both surfaces of a substrate, and another plating layer is formed only at a bonding position of a semiconductor chip (die).
FIG. 6 is a longitudinal sectional view of a conventional brazing material supply tool.
FIG. 7 is a longitudinal sectional view of another conventional brazing material supply tool.
FIG. 8A is an enlarged vertical sectional view of the brazing material supply tool in a standby state,
(B) is an enlarged vertical sectional view showing a state where the brazing material supply tool is lowered and the brazing material contacts the substrate;
(C) is an enlarged longitudinal sectional view of a state where the brazing material is supplied to the substrate by the brazing material supply tool.
FIG. 9A is a plan view of a state in which solder supplied on a substrate flows concentrically and spreads;
(B) is a plan view explaining the problem that the molten solder supplied depending on the surface state of the substrate moves on the substrate or flows unevenly.
FIG. 10A is a front view of a state in which excessive solder is supplied on a substrate,
(B) is a front view explaining a problem in the case where a semiconductor chip (die) is bonded by pressing on an excessive solder of (A).
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
Claims (5)
前記挿通したろう材に超音波振動を付与する超音波振付与手段を設けたことを特徴とするろう材供給ノズル。A brazing material supply in which a brazing material drawn out from a feeder roller wound with a long wire-like brazing material is inserted, and the tip of the brazing material protruding from the lower end is brought into contact with the heated substrate to be melted and supplied to the substrate. At the nozzle
An ultrasonic vibration applying means for applying ultrasonic vibration to the inserted brazing material is provided.
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007335478A (en) * | 2006-06-13 | 2007-12-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solder supply apparatus and method of manufacturing semiconductor device using the same |
JP2009123854A (en) * | 2007-11-14 | 2009-06-04 | Juki Corp | Component retaining apparatus and component arranging apparatus |
JP2009177142A (en) * | 2007-12-07 | 2009-08-06 | Asm Assembly Automation Ltd | Solder discharging for mounting semiconductor chip |
JP2011238924A (en) * | 2010-05-04 | 2011-11-24 | Asm Assembly Automation Ltd | System for dispensing soft solder for mounting semiconductor chips using multiple solder wires |
CH704991A1 (en) * | 2011-05-23 | 2012-11-30 | Esec Ag | Soldering method for dispensing solder on substrate when mounting semiconductor chips on metallic substrate such as leadframe involves applying ultrasonic sound to pin to produce ultrasonic waves in pin |
US8573467B2 (en) | 2011-05-23 | 2013-11-05 | Esec Ag | Method for dispensing solder on a substrate and method for mounting semiconductor chips |
JP2014014868A (en) * | 2012-07-05 | 2014-01-30 | Vesi Switzerland Ag | Method and apparatus for supplying flux free solder to substrate |
FR3008015A1 (en) * | 2013-07-08 | 2015-01-09 | Besi Switzerland Ag | APPARATUS FOR DISTRIBUTION AND DISTRIBUTION OF BRASURE WITHOUT FLUX, ON A SUBSTRATE |
CN108311766A (en) * | 2018-03-13 | 2018-07-24 | 摩比天线技术(深圳)有限公司 | phase shifter automatic welding device |
CN112276289A (en) * | 2020-10-21 | 2021-01-29 | 珠海格力智能装备有限公司 | Brazing structure |
-
2002
- 2002-12-27 JP JP2002380992A patent/JP4080326B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007335478A (en) * | 2006-06-13 | 2007-12-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solder supply apparatus and method of manufacturing semiconductor device using the same |
JP2009123854A (en) * | 2007-11-14 | 2009-06-04 | Juki Corp | Component retaining apparatus and component arranging apparatus |
JP2009177142A (en) * | 2007-12-07 | 2009-08-06 | Asm Assembly Automation Ltd | Solder discharging for mounting semiconductor chip |
JP2011238924A (en) * | 2010-05-04 | 2011-11-24 | Asm Assembly Automation Ltd | System for dispensing soft solder for mounting semiconductor chips using multiple solder wires |
CH704991A1 (en) * | 2011-05-23 | 2012-11-30 | Esec Ag | Soldering method for dispensing solder on substrate when mounting semiconductor chips on metallic substrate such as leadframe involves applying ultrasonic sound to pin to produce ultrasonic waves in pin |
US8573467B2 (en) | 2011-05-23 | 2013-11-05 | Esec Ag | Method for dispensing solder on a substrate and method for mounting semiconductor chips |
JP2014014868A (en) * | 2012-07-05 | 2014-01-30 | Vesi Switzerland Ag | Method and apparatus for supplying flux free solder to substrate |
US9339885B2 (en) | 2012-07-05 | 2016-05-17 | Besi Switzerland Ag | Method and apparatus for dispensing flux-free solder on a substrate |
CN103521871B (en) * | 2012-07-05 | 2016-12-28 | 贝思瑞士股份公司 | For the method and apparatus distributing fluxless solder on substrate |
FR3008015A1 (en) * | 2013-07-08 | 2015-01-09 | Besi Switzerland Ag | APPARATUS FOR DISTRIBUTION AND DISTRIBUTION OF BRASURE WITHOUT FLUX, ON A SUBSTRATE |
JP2015016505A (en) * | 2013-07-08 | 2015-01-29 | ベシ スウィツァーランド アーゲー | Device of supplying and arranging flux free solder to substrate |
US9889516B2 (en) | 2013-07-08 | 2018-02-13 | Besi Switzerland Ag | Device for dispensing and distributing flux-free solder on a substrate |
CN108311766A (en) * | 2018-03-13 | 2018-07-24 | 摩比天线技术(深圳)有限公司 | phase shifter automatic welding device |
CN108311766B (en) * | 2018-03-13 | 2023-08-25 | 摩比天线技术(深圳)有限公司 | Automatic welding equipment for phase shifter |
CN112276289A (en) * | 2020-10-21 | 2021-01-29 | 珠海格力智能装备有限公司 | Brazing structure |
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