JP2004212291A - Adjusting device and testing device - Google Patents
Adjusting device and testing device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004212291A JP2004212291A JP2003001402A JP2003001402A JP2004212291A JP 2004212291 A JP2004212291 A JP 2004212291A JP 2003001402 A JP2003001402 A JP 2003001402A JP 2003001402 A JP2003001402 A JP 2003001402A JP 2004212291 A JP2004212291 A JP 2004212291A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- delay
- delay amount
- setting information
- unit
- amount
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Pulse Circuits (AREA)
Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、調整装置及び試験装置に関する。特に本発明は、可変遅延回路の遅延量を調節する調整装置及び試験装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体試験装置は、互いに異なる遅延量遅延させた複数の入力信号を、試験対象の半導体デバイスに入力し、入力信号に応じて適切な出力が得られるか否かを試験する。これにより、半導体試験装置は、予め定められた規格範囲内の遅延量、入力信号を遅延させた場合であっても、試験対象の半導体デバイスが適切に動作するか否かを試験することができる。
従来、半導体試験装置は、複数の互いに異なるシフト量だけシフトさせた複数のシフト器から、適切な遅延量遅延させることの出来るシフト器を予め選択することにより、入力信号を適切に遅延させることができる(特許文献1参照。)。
【0003】
【特許文献1】
特開2000−332583号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、入力信号の遅延に用いられる遅延回路の遅延量は、遅延素子のばらつき等の要因により、予め正確に設定するのは困難である。従って、試験の開始前等に、遅延回路の遅延量を調節する必要がある。
そこで本発明は、上記の課題を解決することのできる調整装置及び試験装置を提供することを目的とする。この目的は特許請求の範囲における独立項に記載の特徴の組み合わせにより達成される。また従属項は本発明の更なる有利な具体例を規定する。
【0005】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明の第1の形態によると、可変遅延回路に設定すべき遅延量を調整する調整装置であって、可変遅延回路に設定すべき複数の遅延量のそれぞれに対応付けて、当該遅延量を調整する設定情報を格納する設定情報メモリと、複数の遅延量のそれぞれに対応付けて、当該遅延量の期待値を格納する期待値メモリと、設定情報を格納すべき設定情報メモリのアドレスを、調整対象の遅延量である対象遅延量に応じて選択し、設定情報メモリに出力するアドレス出力部と、設定情報の候補である一の設定値を、可変遅延回路に設定し、可変遅延回路の遅延量を測定する遅延量測定部と、一の設定値を設定情報メモリのアドレスに書き込む書込部と、測定された遅延量が期待値を満たす場合に、設定情報メモリに出力するアドレスを他の対象遅延量に対応するアドレスに更新し、測定された遅延量が期待値を満たさない場合に、他の設定値を可変遅延回路に設定し、可変遅延回路の遅延量の測定を遅延量測定部に行わせるアドレス更新部とを備える調整装置を提供する。
【0006】
可変遅延回路の遅延量の、温度に対する変化量を格納する遅延量格納部と、可変遅延回路が用いられる場合の温度及び遅延量の調整を行う場合の温度の差に基づき、期待値を変化量分調整する期待値調整部とを更に備えてもよい。
遅延量測定部は、一の測定値を含む複数の設定値のそれぞれを、順次可変遅延回路に設定して、可変遅延回路の遅延量を測定し、当該調整装置は、複数の設定値のそれぞれについて、期待値との誤差である遅延誤差を算出する遅延誤差算出部と、一の設定値に対応する遅延誤差と、複数の設定値において一の設定値より以前に遅延量を測定した設定値に対応する遅延誤差の最小値とを比較する比較部とを更に備え、書込部は、一の設定値に対応する遅延誤差が最小値より小さい場合に、一の設定値を設定情報メモリのアドレスに書き込んでもよい。
遅延量測定部は、更に、複数の設定値のそれぞれを、順次設定情報メモリに対して出力し、書込部は、一の設定値に対応する遅延誤差が最小値より小さい場合に、設定情報メモリに対してデータの書き込みを指示する書込信号を入力して、一の設定値を設定情報メモリのアドレスに書き込んでもよい。
【0007】
本発明の第2の形態によると、電子デバイスを試験する試験装置であって、電子デバイスの試験に用いる複数の試験信号のそれぞれを、当該試験信号に対応して指定された遅延量遅延させる可変遅延回路と、可変遅延回路に設定すべき複数の遅延量のそれぞれに対応付けて、当該遅延量を調整する設定情報を格納する設定情報メモリと、複数の遅延量のそれぞれに対応付けて、当該遅延量の期待値を格納する期待値メモリと、設定情報を格納すべき設定情報メモリのアドレスを、調整対象の遅延量である対象遅延量に応じて選択し、設定情報メモリに出力するアドレス出力部と、設定情報の候補である一の設定値を、可変遅延回路に設定し、可変遅延回路の遅延量を測定する遅延量測定部と、一の設定値を設定情報メモリのアドレスに書き込む書込部と、測定された遅延量が期待値を満たす場合に、設定情報メモリに出力するアドレスを他の対象遅延量に対応するアドレスに更新し、測定された遅延量が期待値を満たさない場合に、他の設定値を可変遅延回路に設定し、可変遅延回路の遅延量の測定を遅延量測定部に行わせるアドレス更新部とを備え、可変遅延回路により遅延された複数の試験信号を電子デバイスに出力することを特徴とする試験装置を提供する。
なお上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群のサブコンビネーションも又発明となりうる。
【0008】
【発明の実施の形態】
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではなく、又実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【0009】
図1は、試験装置100の機能ブロック図を示す。試験装置100は、互いにタイミングの異なる複数の入力信号に対して、電子デバイス200が出力する出力信号の値を検出することにより、電子デバイス200を試験する。
【0010】
試験装置100は、タイミング発生器10と、パターン発生器12と、波形整形器14と、比較判定部18とを備える。タイミング発生器10は、試験装置100を動作させるためのタイミング信号を生成する。例えば、タイミング発生器10は、電子デバイス200に試験パターンを供給するタイミングを示すテストセット信号をパターン発生器12から受け取り、電子デバイス200に試験パターンを供給するタイミングを示す信号を、波形整形器14に供給する。また、タイミング発生器10は、試験装置100の動作を同期させる基準クロックを生成し、タイミング発生器10の各構成要素に供給する。
【0011】
パターン発生器12は、電子デバイス200を試験するための試験パターンを生成し、波形整形器14に供給する。また、パターン発生器12は、試験パターンを遅延すべき遅延量を示す制御信号を波形整形器14に供給する。波形整形器14は、受け取った試験パターンを整形し、タイミング発生器10から受け取った信号に応じて、整形した試験パターンを電子デバイス200に供給する。例えば、波形整形器14は、パターン発生器12から受け取った試験パターンを示す信号を、受け取った制御信号に応じて遅延させて電子デバイス200に供給する可変遅延回路16−1〜Nと、可変遅延回路16−1〜Nのそれぞれに設定すべき遅延量を調整する調整装置30とを有する。可変遅延回路16−1〜Nのそれぞれは、例えば、電子デバイス200の各ピンに対応して設けられており、電子デバイス200の複数のピンに対してそれぞれ入力される信号を遅延させる。可変遅延回路16−2〜Nは、可変遅延回路16−1と略同一の構成をとるので、以降の説明を省略する。比較判定部18は、与えられた試験パターンに応じて電子デバイス200が出力する出力信号に基づいて、電子デバイス200の良否を判定する。
【0012】
また、電子デバイス200は、例えばDDR−SDRAMであって、比較判定部18は、出力信号としてDDR−SDRAMのデータ信号、及びデータ信号に同期して出力されるクロック信号であるDQSを受け取ってよい。この場合、比較判定部18は、受け取ったデータ信号及びDQSに基づいて、電子デバイス200のセットアップ/ホールド試験を行い、電子デバイス200の良否を判定してよい。
【0013】
図2は、可変遅延回路16−1のブロック図を示す。可変遅延回路16−1は、62.5ps単位で遅延量を指定する制御信号をパターン発生器12から受け取り、パターン発生器12から受け取った試験パターンを当該制御信号に応じて遅延させ、電子デバイス200に出力する。可変遅延回路16−1は、制御部120と、デコーダ130と、可変遅延部140と、固定遅延部150A〜Cとを備える。制御部120は、パターン発生器12から受け取った、遅延量を指定する制御信号に応じて、1ns(ナノセカンド)単位で0nsから3nsまでの遅延量を指定する2ビットの信号をデコーダ130に出力すると伴に、62.5ps単位で0psから937.5psまでの遅延量を指定する4ビットの信号を設定情報メモリ450に出力する。
【0014】
デコーダ130は、制御部120から受け取った2ビットの信号をデコードし、00(0ns)、01(1ns)、10(2ns)、11(3ns)に対応するANDゲート132−A〜Dの何れかに信号”1”を出力する。ANDゲート132A〜Dのそれぞれは、デコーダ130から受け取った信号及びパターン発生器12から受け取った試験パターンの論理積を、それぞれORゲート134C、ORゲート134B、ORゲート134A、及び固定遅延部150Aに出力する。
【0015】
固定遅延部150Aは、受け取った試験パターンを予め定められた遅延量遅延させ、ORゲート134Aに出力する。ORゲート134Aは、ANDゲート132C及び固定遅延部150Aから受け取った試験パターンの論理和を、固定遅延部150Bに出力する。固定遅延部150Bは、受け取った試験パターンを予め定められた遅延量遅延させ、ORゲート134Bに出力する。ORゲート134Bは、ANDゲート132B及び固定遅延部150Bから受け取った試験パターンの論理和を、固定遅延部150Cに出力する。固定遅延部150Cは、受け取った試験パターンを予め定められた遅延量遅延させ、ORゲート134Cに出力する。ORゲート134Cは、ANDゲート132A及び固定遅延部150Cから受け取った試験パターンの論理和を可変遅延部140に出力する。
この結果、デコーダ130は、制御部120から指定された遅延量である0ns、1ns、2ns、3nsに応じて、パターン発生器12から供給される試験パターンを、固定遅延部150の遅延量の0、1、2、3倍遅延させることができる。なお、固定遅延部150A〜Cのそれぞれは、1nsより小さく、かつ1ns程度の遅延量を有することが望ましい。後述する140が、この試験パターンを更に微小に遅延させることにより、遅延量を調節できるからである。
【0016】
設定情報メモリ450は、制御部120から62.5ps単位で指定された、可変遅延回路16−1に設定すべき複数の遅延量のそれぞれに対応付けて、遅延量を調整すべく可変遅延部140に指定する設定情報を格納する。例えば、設定情報メモリ450は、リニアライズメモリと呼ばれる記憶装置として実現され、調整装置30内の書込部430から書込指示を受け取った場合に、調整装置30内のアドレス出力部330から指定されたアドレスに、調整装置30内の遅延量測定部350から設定されたデータを、設定情報として格納する。そして、設定情報メモリ450は、制御部120から指定されたアドレスに格納されたデータを、設定情報として可変遅延部140に出力する。
【0017】
可変遅延部140は、ORゲート134Cから受け取った試験パターンを、遅延量測定部350又は設定情報メモリ450により指定された設定情報に応じた遅延量遅延させて、電子デバイス200に出力する。例えば、可変遅延部140は、10ps(ピコセカンド)単位で0psから2550psまでの遅延量を指定する8ビットの制御信号を、遅延量測定部350又は設定情報メモリ450から受け取る。そして、可変遅延部140は、これらの制御信号により指定された遅延量に応じて、ORゲート134Cから受け取った試験パターンを遅延させる。すなわち、可変遅延部140は、固定遅延部150A〜Cにより遅延された試験パターンの遅延量を、更に、0psから2550psまで10ps毎に遅延させることができる。
【0018】
図3は、調整装置30のブロック図を示す。調整装置30は、可変遅延回路16−1〜Nのそれぞれについて、設定情報メモリ450に格納すべき可変遅延部140の設定値を、期待値メモリ370に格納される遅延量の期待値に基づき調整することを目的とする。
【0019】
調整装置30は、シーケンス制御部310と、エラー検出出力部325と、遅延量格納部355と、期待値調整部360と、期待値メモリ370とを有する。
シーケンス制御部310は、アドレス更新部320と、アドレス出力部330と、ピン設定部340と、遅延量測定部350とを有する。
【0020】
アドレス出力部330は、設定情報を格納すべき設定情報メモリ450のアドレスを、調整対象の遅延量である対象遅延量に応じて選択し、設定情報メモリ450に出力する。また、アドレス出力部330は、対象遅延量を示す情報を期待値メモリ370に送る。更に、アドレス出力部330は、アドレスを更新する指示をアドレス更新部320から受け取った場合に、設定情報メモリ450に送るアドレスを更新する。アドレス出力部330は、設定情報メモリ450に指定可能な全てのアドレスに対して設定情報メモリ450に設定を終えた場合に、電子デバイス200の他のピンに対応する可変遅延回路16について調整を行う旨を示すピン更新指示をピン設定部340に送る。
【0021】
アドレス更新部320は、アドレス出力部330及び遅延量測定部350を制御することにより、設定情報を格納すべきアドレスと、当該アドレスに格納すべき設定値とを、順次設定情報メモリ450に与える。より具体的には、アドレス更新部320は、可変遅延回路16−1において測定された遅延量が期待値を満たす旨の通知であるスペック充足通知を、スペック判断部440から受け取った場合に、設定情報メモリ450に出力するアドレスを他の対象遅延量に対応するアドレスに更新する指示をアドレス出力部330に送る。一方、アドレス更新部320は、可変遅延回路16−1において測定された遅延量が期待値を満たさない旨の通知であるスペック未充足通知を受け取った場合に、設定値を更新する指示を遅延量測定部350に送る。
【0022】
また、アドレス更新部320は、一の対象遅延量に対する全ての設定値について、スペック充足通知を受信できなかった場合に、エラーが発生した旨の通知をエラー検出出力部325に送る。これを受けて、エラー検出出力部325は、調整対象の回路(例えば可変遅延回路16−1)にエラーが発生した旨の情報を、制御用メモリのフラグとして設定する。これを受けて、調整装置30は、エラーが発生した旨の情報を試験装置100の管理者等に対して出力してもよい。
【0023】
ピン設定部340は、受け取ったピン更新指示に応じて、調整すべきピンを遅延量測定部350に通知する。遅延量測定部350は、通知されたピンについて、次のように遅延量を測定する。まず、遅延量測定部350は、設定情報の候補である複数の設定値を、アドレス更新部320からの指示に応じて、可変遅延部140に順次設定する。そして、遅延量測定部350は、各設定値について、可変遅延回路16−1の接点50に信号を入力した後、可変遅延回路16−1の接点60から出力されるまでの遅延量を、可変遅延回路16−1の遅延量として測定し、遅延誤差算出部400に出力する。遅延量測定部350は、ピン更新指示を受ける毎に、可変遅延回路16−2〜Nについても同様に順次遅延量を測定し、遅延誤差算出部400に出力する。また、遅延量測定部350は、測定ミスを検出した場合に、エラーが発生した旨の情報をエラー検出出力部325に出力する。
なお、測定対象の遅延量が、遅延量の測定精度に比べて小さい場合には、遅延量測定部350は、接点50及び接点60間を所定回数通過した信号について遅延量を測定してもよい。この場合、期待値メモリ370は、測定された遅延量と比較される期待値として、接点50及び接点60間を所定回数通過した信号が遅延されるべき合計の遅延量を格納してもよい。
【0024】
遅延量格納部355は、可変遅延回路16−1の遅延量の、可変遅延回路16−1の温度に対する変化量を格納する。期待値調整部360は、可変遅延回路16−1が試験に用いられる場合の可変遅延回路16−1の温度を予め格納している。そして、期待値調整部360は、可変遅延回路16−1の現在温度、即ち遅延量の調整を行う場合の温度を計測する。期待値調整部360は、可変遅延回路16−1が試験に用いられる場合の温度及び遅延量の調整を行う場合の温度の差に基づき、調整すべき遅延量を遅延量格納部355内の情報に基づき算出し、期待値メモリ370中の期待値を調整する。
【0025】
期待値メモリ370は、複数の対象遅延量のそれぞれに対応付けて、遅延量の期待値を格納する。例えば、遅延量測定部350が、可変遅延回路16−1により1回遅延された遅延量を測定する場合においては、期待値メモリ370は、対象遅延量に対応付けられる期待値として、当該対象遅延量と同一の値を格納する。一方、遅延量測定部350が、可変遅延回路16−1により所定回数遅延された遅延量を測定する場合においては、期待値メモリ370は、対象遅延量に対応付けられる期待値として、当該対象遅延量に当該所定回数を乗じた値を格納している。そして、期待値メモリ370は、アドレス出力部330から受け取った対象遅延量を示す情報に応じて期待値を選択し、遅延誤差算出部400に送る。
【0026】
差分検出部380は、遅延誤差算出部400と、最小値メモリ410と、比較部420と、書込部430と、スペック判断部440と、設定情報メモリ450とを有する。遅延誤差算出部400は、複数の設定値のそれぞれに対する可変遅延回路16−1の遅延量を順次遅延量測定部350から受け取る。そして、遅延誤差算出部400は、当該遅延量と、期待値メモリ370から受け取った期待値との誤差である遅延誤差を順次算出して、最小値メモリ410、比較部420、及びスペック判断部440に送る。
【0027】
最小値メモリ410は、複数の設定値において一の設定値より以前に遅延量を測定した設定値に対応する遅延誤差の最小値を格納している。例えば、初期状態として、最小値メモリ410は、最小値メモリ410に格納し得る最大の値を予め格納している。そして、最小値メモリ410は、書込部430からの指示に応じて、遅延誤差算出部400から受け取った遅延誤差を格納する。
【0028】
比較部420は、遅延誤差算出部400から受け取った遅延誤差と、最小値メモリ410から取得した最小値とを比較する。そして、比較部420は、遅延誤差算出部400から受け取った遅延誤差が、最小値メモリ410から取得した最小値より小さい場合に、書込指示を書込部430に送る。この場合、書込部430は、遅延誤差を最小値メモリ410に書き込ませる書込指示を、最小値メモリ410に送る。また、書込部430は、設定情報メモリ450に対して書込指示を入力することにより、遅延量測定部350から設定情報メモリ450のデータ線に対して出力されている一の設定値を、アドレス出力部330から設定情報メモリ450のアドレス線に対して出力されているアドレスに書き込む。
【0029】
スペック判断部440は、遅延誤差算出部400から受け取った遅延誤差が、予め定められた許容範囲内に収まったか否かを判断する。すなわち、スペック判断部440は、測定された遅延量と、期待値との差が許容範囲内である場合には、測定された遅延量が期待値を満たすとして、スペック充足通知をアドレス更新部320に送る。一方、スペック判断部440は、測定された遅延量の、期待値との差が許容範囲外である場合には、測定された遅延量が期待値を満たさないとして、スペック未充足通知をアドレス更新部320に送る。
【0030】
設定情報メモリ450は、書込部430から書込指示を受け取った場合に、アドレス出力部330から指定されたアドレスに、遅延量測定部350から指定された設定値を書き込む。これにより、設定情報メモリ450は、可変遅延回路16−1に設定すべき複数の遅延量のそれぞれに対応付けて、当該遅延量を調整する設定情報を格納する。
【0031】
図4は、遅延量格納部355の一例を示す。遅延量格納部355は、可変遅延回路16−1の遅延量の、可変遅延回路16−1の温度に対する変化量を格納する。例えば、遅延量格納部355は、可変遅延回路16−1の温度が10℃である場合に、可変遅延回路16−1の遅延量が1.0nsである旨を格納している。また、遅延量格納部355は、可変遅延回路16−1の温度が20℃である場合に、可変遅延回路16−1の遅延量が1.2nsである旨を格納している。なお、可変遅延回路16−1の遅延量とは、例えば、対象遅延量を1nsに設定した場合に測定される実際の遅延量である。これに代えて、遅延量格納部355は、図2で示した固定遅延部150A〜Cの遅延量の、温度に対する変化量を格納してもよい。
【0032】
このように、期待値調整部360は、遅延量格納部355に格納された、可変遅延回路16−1の遅延量の、温度に対する変化量に基づき、期待値を調整する。例えば、期待値調整部360は、遅延量を調整している場合より、電子デバイス200の試験をしている場合の方が、遅延量が大きくなる場合には、期待値メモリ370内の期待値が、設定されるべき期待値より小さくなるように調整する。従って、調整装置30は、電子デバイス200の試験をしている場合に正しい遅延量となるように期待値を調整することができる。
【0033】
図5は、調整装置30の動作フローを示す。調整装置30は、S610からS630により構成されるソフトウェア処理と、S640からS720により構成されるハードウェア処理とにより動作する。
【0034】
調整装置30は、初期設定、例えば、ソフトウェアのブート処理、メモリ領域の初期化等を行う(S610)。そして、調整装置30は、ハードウェア処理をスタートさせる(S620)。後述するハードウェア処理の終了を待って、調整装置30は、ソフトウェア処理の終了処理を行う(S630)。シーケンス制御部310は、S620においてハードウェア処理のスタート指示を受けて、シーケンス処理を開始する(S640)。例えば、シーケンス制御部310は、ピンの選択、アドレスの設定、及び設定値の出力に用いるカウンタを初期化してもよい。そして、ピン設定部340は、測定すべきピンを選択する(S650)。
【0035】
アドレス更新部320は、対象遅延量に対応するアドレスを選択し、設定情報メモリ450に出力する(S655)。そして、遅延量測定部350は、一の設定値を可変遅延部140に設定し(S660)、遅延量を測定する(S670)。そして、遅延量測定部350は、エラーを検出した場合に(S680:YES)、エラーが発生した旨を示すエラーフラグを、制御用メモリに設定する(S690)。一方、エラーが検出されない場合に(S680:NO)、アドレス更新部320は、調整対象である一の対象遅延量について、全ての設定値が期待値を満たさなかったか否かを判断する(S700)。
【0036】
何れの設定値も期待値を満たさない場合に(S700:YES)、エラー検出出力部325は、エラーフラグを設定する(S690)。何れかの設定値が期待値を満たしている場合又は全ての設定値に対する遅延誤差が未だ測定されていない場合に(S700:NO)、スペック判断部440は、S670で測定された一の設定値に対する遅延誤差が、期待値を満たしたか否かを判断する(S710)。期待値を満たさない場合に(S710:YES)、アドレス更新部320は、S660に戻り、他の設定値を可変遅延部140に設定し、可変遅延回路の遅延量の測定を再び遅延量測定部350に行わせる。アドレス更新部320は、他の設定値を設定する処理として、例えば、設定値を出力するカウンタをインクリメント処理する。
【0037】
一方、期待値を満たす場合に(S710:NO)、アドレス出力部330は、全ての対象遅延量に対する遅延量の調整を終えたか否かを判断する(S715)。全ての対象遅延量に対する遅延量の調整を終えていない場合に(S715:NO)、アドレス更新部320は、S655に処理を戻し、他の対象遅延量に対応するアドレスを選択する。全ての対象遅延量に対する遅延量の調整を終えた場合に(S715:YES)、ピン設定部340は、調整すべき全てのピンに対して設定情報が設定されたか否かを判断する(S720)。何れかのピンに対して設定されていない場合に(S720:NO)、ピン設定部340は、S650に戻り設定対象のピンを更新する。ピン設定部340は、設定対象のピンを更新する処理として、例えば、設定対象のピン番号を示すカウンタをインクリメント処理する。全てのピンに対して設定情報が設定された場合に(S720:YES)、調整装置30は、ハードウェア処理を終了する。
【0038】
以上の説明から明らかなように、調整装置30は、可変遅延回路16−1〜Nのそれぞれの遅延量を適切に調整することができる。そして、調整装置30は、可変遅延回路の遅延量を調整する一連の処理、即ち、複数の設定値を順次設定する処理と、期待値を満たすか否かの判断と、及び期待値を満たす場合に設定値をメモリに書き込む処理とを、ハードウェアにより高速に行うことができる。
【0039】
以上、本発明を実施形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施形態に記載の範囲には限定されない。上記実施形態に、多様な変更または改良を加えることができる。そのような変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。例えば、試験装置100は、複数の調整装置30を、複数の可変遅延回路16に対応付けて備えてもよい。この場合、可変遅延回路16の遅延量の調節を並列に行うことができる。
【0040】
【発明の効果】
上記説明から明らかなように、本発明によれば可変遅延回路の遅延量を適切に調節することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、試験装置100の機能ブロック図。
【図2】図2は、可変遅延回路16−1のブロック図。
【図3】図3は、調整装置30のブロック図。
【図4】図4は、遅延量格納部355の一例を示す図。
【図5】図5は、調整装置30の動作フロー図。
【符号の説明】
10 タイミング発生器
12 パターン発生器
14 波形整形器
16 可変遅延回路
18 比較判定部
30 調整装置
50 接点
60 接点
100 試験装置
120 制御部
130 デコーダ
132 ANDゲート
134 ORゲート
140 可変遅延部
150 固定遅延部
200 電子デバイス
310 シーケンス制御部
320 アドレス更新部
325 エラー検出出力部
330 アドレス出力部
340 ピン設定部
350 遅延量測定部
355 遅延量格納部
360 期待値調整部
370 期待値メモリ
380 差分検出部
400 遅延誤差算出部
410 最小値メモリ
420 比較部
430 書込部
440 スペック判断部
450 設定情報メモリ[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to an adjustment device and a test device. In particular, the present invention relates to an adjustment device and a test device for adjusting a delay amount of a variable delay circuit.
[0002]
[Prior art]
The semiconductor test apparatus inputs a plurality of input signals delayed by different delay amounts to a semiconductor device to be tested, and tests whether an appropriate output is obtained according to the input signals. Accordingly, the semiconductor test apparatus can test whether or not the semiconductor device to be tested operates properly even when the delay amount and the input signal are delayed within a predetermined standard range. .
Conventionally, a semiconductor test apparatus can appropriately delay an input signal by previously selecting a shifter capable of delaying an appropriate delay amount from a plurality of shifters shifted by a plurality of different shift amounts. (See Patent Document 1).
[0003]
[Patent Document 1]
JP-A-2000-332584
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, it is difficult to accurately set the delay amount of the delay circuit used for delaying the input signal in advance due to factors such as variations in delay elements. Therefore, it is necessary to adjust the delay amount of the delay circuit before starting the test.
Therefore, an object of the present invention is to provide an adjustment device and a test device that can solve the above-described problems. This object is achieved by a combination of features described in the independent claims. The dependent claims define further advantageous embodiments of the present invention.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
That is, according to the first embodiment of the present invention, there is provided an adjustment device for adjusting a delay amount to be set in a variable delay circuit, the delay device being associated with each of a plurality of delay amounts to be set in the variable delay circuit. A setting information memory for storing setting information for adjusting the amount, an expected value memory for storing an expected value of the delay amount in association with each of the plurality of delay amounts, and an address of a setting information memory for storing the setting information Is selected according to a target delay amount that is an adjustment target delay amount, and an address output unit that outputs the setting information to a setting information memory, and one setting value that is a setting information candidate is set in a variable delay circuit. A delay amount measuring unit for measuring a delay amount of the circuit, a writing unit for writing one set value to an address of the setting information memory, and an address to be output to the setting information memory when the measured delay amount satisfies an expected value. The other subject Update to the address corresponding to the delay amount, and if the measured delay amount does not meet the expected value, set another setting value to the variable delay circuit, and measure the delay amount of the variable delay circuit to the delay amount measurement unit. The present invention provides an adjustment device including an address updating unit for performing the adjustment.
[0006]
A delay amount storage unit for storing a change amount of the delay amount of the variable delay circuit with respect to a temperature, and an expected value based on a difference between a temperature when the variable delay circuit is used and a temperature when the delay amount is adjusted. An expected value adjustment unit for performing minute adjustment may be further provided.
The delay amount measuring unit sequentially sets each of the plurality of set values including one measured value in the variable delay circuit, measures the delay amount of the variable delay circuit, and the adjustment device adjusts each of the plurality of set values. A delay error calculator that calculates a delay error that is an error from an expected value, a delay error corresponding to one set value, and a set value obtained by measuring a delay amount before the one set value in a plurality of set values And a comparing unit for comparing the delay error corresponding to the one set value with the minimum value of the delay error corresponding to the one set value. It may be written to the address.
The delay amount measuring section further outputs each of the plurality of setting values to the setting information memory sequentially, and the writing section outputs the setting information when the delay error corresponding to the one setting value is smaller than the minimum value. A set signal may be written to an address of the setting information memory by inputting a write signal instructing writing of data to the memory.
[0007]
According to a second aspect of the present invention, there is provided a test apparatus for testing an electronic device, wherein each of the plurality of test signals used for testing the electronic device is variable to delay a designated delay amount corresponding to the test signal. A delay circuit, a setting information memory that stores setting information for adjusting the delay amount in association with each of the plurality of delay amounts to be set in the variable delay circuit, and a corresponding setting information memory in correspondence with each of the plurality of delay amounts. An address output for selecting an expected value memory for storing an expected value of the delay amount and an address of the setting information memory in which the setting information is to be stored according to a target delay amount which is a delay amount to be adjusted, and outputting the selected information to the setting information memory And a delay value measuring unit that sets one set value that is a candidate for setting information to the variable delay circuit and measures the delay amount of the variable delay circuit, and writes one set value to an address of the setting information memory. When the writing unit and the measured delay amount satisfy the expected value, the address output to the setting information memory is updated to an address corresponding to another target delay amount, and the measured delay amount does not satisfy the expected value. In the case, an address update unit that sets another set value to the variable delay circuit and causes the delay amount measurement unit to measure the delay amount of the variable delay circuit is provided, and a plurality of test signals delayed by the variable delay circuit are provided. A test apparatus characterized by outputting to an electronic device is provided.
Note that the above summary of the present invention does not list all of the necessary features of the present invention, and a sub-combination of these features may also be an invention.
[0008]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, the present invention will be described through embodiments of the present invention. However, the following embodiments do not limit the invention according to the claims, and all of the combinations of the features described in the embodiments are not limited thereto. It is not always essential to the solution of the invention.
[0009]
FIG. 1 shows a functional block diagram of the
[0010]
The
[0011]
The
[0012]
Further, the
[0013]
FIG. 2 shows a block diagram of the variable delay circuit 16-1. The variable delay circuit 16-1 receives a control signal designating a delay amount in units of 62.5 ps from the
[0014]
The
[0015]
As a result, in accordance with the delay amounts 0 ns, 1 ns, 2 ns, and 3 ns specified by the
[0016]
The setting
[0017]
The
[0018]
FIG. 3 shows a block diagram of the adjusting
[0019]
The
The
[0020]
The
[0021]
By controlling the
[0022]
In addition, when the specification update notification has not been received for all the set values for one target delay amount, the
[0023]
The
If the delay amount of the measurement target is smaller than the delay amount measurement accuracy, the delay
[0024]
The delay
[0025]
The expected
[0026]
The
[0027]
The
[0028]
The
[0029]
The
[0030]
When receiving a write instruction from the
[0031]
FIG. 4 illustrates an example of the delay
[0032]
As described above, the expected
[0033]
FIG. 5 shows an operation flow of the adjusting
[0034]
The
[0035]
The
[0036]
If none of the set values satisfy the expected value (S700: YES), the error
[0037]
On the other hand, if the expected value is satisfied (S710: NO), the
[0038]
As is clear from the above description, the adjusting
[0039]
As described above, the present invention has been described using the embodiment. However, the technical scope of the present invention is not limited to the scope described in the embodiment. Various changes or improvements can be added to the above embodiment. It is apparent from the description of the appended claims that embodiments with such changes or improvements can be included in the technical scope of the present invention. For example, the
[0040]
【The invention's effect】
As is clear from the above description, according to the present invention, the delay amount of the variable delay circuit can be appropriately adjusted.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a functional block diagram of a
FIG. 2 is a block diagram of a variable delay circuit 16-1.
FIG. 3 is a block diagram of an
FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a delay
FIG. 5 is an operation flowchart of the adjusting
[Explanation of symbols]
10 Timing generator
12 Pattern generator
14 Waveform shaper
16 Variable delay circuit
18 Comparison judgment section
30 Adjustment device
50 contacts
60 contacts
100 test equipment
120 control unit
130 decoder
132 AND gate
134 OR gate
140 Variable delay unit
150 fixed delay unit
200 Electronic Device
310 Sequence control unit
320 Address update unit
325 Error detection output unit
330 Address output unit
340 pin setting section
350 Delay measurement section
355 delay amount storage
360 expected value adjustment unit
370 Expected value memory
380 Difference detection unit
400 Delay error calculator
410 Minimum value memory
420 comparison section
430 Writing unit
440 Specification judgment unit
450 Setting information memory
Claims (5)
前記可変遅延回路に設定すべき複数の遅延量のそれぞれに対応付けて、当該遅延量を調整する設定情報を格納する設定情報メモリと、
前記複数の遅延量のそれぞれに対応付けて、当該遅延量の期待値を格納する期待値メモリと、
前記設定情報を格納すべき前記設定情報メモリのアドレスを、調整対象の前記遅延量である対象遅延量に応じて選択し、前記設定情報メモリに出力するアドレス出力部と、
前記設定情報の候補である一の設定値を、前記可変遅延回路に設定し、前記可変遅延回路の遅延量を測定する遅延量測定部と、
前記一の設定値を前記設定情報メモリの前記アドレスに書き込む書込部と、
測定された前記遅延量が前記期待値を満たす場合に、前記設定情報メモリに出力する前記アドレスを他の対象遅延量に対応するアドレスに更新し、測定された前記遅延量が前記期待値を満たさない場合に、他の前記設定値を前記可変遅延回路に設定し、前記可変遅延回路の遅延量の測定を前記遅延量測定部に行わせるアドレス更新部とを備えることを特徴とする調整装置。An adjusting device for adjusting a delay amount to be set in a variable delay circuit,
A setting information memory that stores setting information for adjusting the delay amount in association with each of a plurality of delay amounts to be set in the variable delay circuit;
An expected value memory storing an expected value of the delay amount in association with each of the plurality of delay amounts;
An address output unit that selects an address of the setting information memory in which the setting information is to be stored, according to a target delay amount that is the delay amount to be adjusted, and outputs the setting information to the setting information memory;
One set value that is a candidate for the setting information, set in the variable delay circuit, a delay amount measurement unit that measures the delay amount of the variable delay circuit,
A writing unit that writes the one set value to the address of the setting information memory;
When the measured delay amount satisfies the expected value, the address output to the setting information memory is updated to an address corresponding to another target delay amount, and the measured delay amount satisfies the expected value. An adjusting unit that sets the other set value in the variable delay circuit when the variable delay circuit does not exist, and causes the delay amount measurement unit to measure a delay amount of the variable delay circuit.
前記可変遅延回路が用いられる場合の温度及び前記遅延量の調整を行う場合の温度の差に基づき、前記期待値を前記変化量分調整する期待値調整部とを更に備えることを特徴とする請求項1記載の調整装置。A delay amount storage unit that stores a change amount of the delay amount of the variable delay circuit with respect to a temperature;
An expected value adjustment unit that adjusts the expected value by the change amount based on a difference between a temperature when the variable delay circuit is used and a temperature when the delay amount is adjusted. Item 2. The adjusting device according to Item 1.
当該調整装置は、
前記複数の設定値のそれぞれについて、前記期待値との誤差である遅延誤差を算出する遅延誤差算出部と、
前記一の設定値に対応する前記遅延誤差と、前記複数の設定値において前記一の設定値より以前に遅延量を測定した設定値に対応する前記遅延誤差の最小値とを比較する比較部とを更に備え、
前記書込部は、前記一の設定値に対応する前記遅延誤差が前記最小値より小さい場合に、前記一の設定値を前記設定情報メモリの前記アドレスに書き込むことを特徴とする請求項1記載の調整装置。The delay amount measurement unit, each of the plurality of setting values including the one measurement value is sequentially set in the variable delay circuit, to measure the delay amount of the variable delay circuit,
The adjustment device is
For each of the plurality of setting values, a delay error calculation unit that calculates a delay error that is an error with the expected value,
The delay error corresponding to the one set value, and a comparing unit that compares the minimum value of the delay error corresponding to the set value measured delay amount earlier than the one set value in the plurality of set values. Further comprising
2. The writing unit writes the one set value to the address of the setting information memory when the delay error corresponding to the one set value is smaller than the minimum value. Adjustment device.
前記書込部は、前記一の設定値に対応する前記遅延誤差が前記最小値より小さい場合に、前記設定情報メモリに対してデータの書き込みを指示する書込信号を入力して、前記一の設定値を前記設定情報メモリの前記アドレスに書き込むことを特徴とする請求項3記載の調整装置。The delay amount measurement unit further outputs each of the plurality of setting values sequentially to the setting information memory,
The writing unit, when the delay error corresponding to the one set value is smaller than the minimum value, inputs a write signal instructing the setting information memory to write data, and 4. The adjusting device according to claim 3, wherein a setting value is written to the address of the setting information memory.
前記電子デバイスの試験に用いる複数の試験信号のそれぞれを、当該試験信号に対応して指定された遅延量遅延させる可変遅延回路と、
前記可変遅延回路に設定すべき複数の遅延量のそれぞれに対応付けて、当該遅延量を調整する設定情報を格納する設定情報メモリと、
前記複数の遅延量のそれぞれに対応付けて、当該遅延量の期待値を格納する期待値メモリと、
前記設定情報を格納すべき前記設定情報メモリのアドレスを、調整対象の前記遅延量である対象遅延量に応じて選択し、前記設定情報メモリに出力するアドレス出力部と、
前記設定情報の候補である一の設定値を、前記可変遅延回路に設定し、前記可変遅延回路の遅延量を測定する遅延量測定部と、
前記一の設定値を前記設定情報メモリの前記アドレスに書き込む書込部と、
測定された前記遅延量が前記期待値を満たす場合に、前記設定情報メモリに出力する前記アドレスを他の対象遅延量に対応するアドレスに更新し、測定された前記遅延量が前記期待値を満たさない場合に、他の前記設定値を前記可変遅延回路に設定し、前記可変遅延回路の遅延量の測定を前記遅延量測定部に行わせるアドレス更新部とを備え、
前記可変遅延回路により遅延された前記複数の試験信号を前記電子デバイスに出力することを特徴とする試験装置。A test apparatus for testing an electronic device,
A variable delay circuit that delays each of a plurality of test signals used for testing the electronic device by a delay amount specified according to the test signal,
A setting information memory that stores setting information for adjusting the delay amount in association with each of a plurality of delay amounts to be set in the variable delay circuit;
An expected value memory storing an expected value of the delay amount in association with each of the plurality of delay amounts;
An address output unit that selects an address of the setting information memory in which the setting information is to be stored, according to a target delay amount that is the delay amount to be adjusted, and outputs the setting information to the setting information memory;
One set value that is a candidate for the setting information, set in the variable delay circuit, a delay amount measurement unit that measures the delay amount of the variable delay circuit,
A writing unit that writes the one set value to the address of the setting information memory;
When the measured delay amount satisfies the expected value, the address output to the setting information memory is updated to an address corresponding to another target delay amount, and the measured delay amount satisfies the expected value. If not, setting the other set value in the variable delay circuit, comprising an address update unit that causes the delay amount measurement unit to measure the delay amount of the variable delay circuit,
A test apparatus for outputting the plurality of test signals delayed by the variable delay circuit to the electronic device.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003001402A JP2004212291A (en) | 2003-01-07 | 2003-01-07 | Adjusting device and testing device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003001402A JP2004212291A (en) | 2003-01-07 | 2003-01-07 | Adjusting device and testing device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004212291A true JP2004212291A (en) | 2004-07-29 |
Family
ID=32819434
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003001402A Pending JP2004212291A (en) | 2003-01-07 | 2003-01-07 | Adjusting device and testing device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004212291A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006139519A (en) * | 2004-11-11 | 2006-06-01 | Advantest Corp | Power supply circuit and testing device |
JP2006300894A (en) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Advantest Corp | Testing device, and program |
WO2007138814A1 (en) * | 2006-05-26 | 2007-12-06 | Advantest Corporation | Testing apparatus and test module |
-
2003
- 2003-01-07 JP JP2003001402A patent/JP2004212291A/en active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006139519A (en) * | 2004-11-11 | 2006-06-01 | Advantest Corp | Power supply circuit and testing device |
JP4549160B2 (en) * | 2004-11-11 | 2010-09-22 | 株式会社アドバンテスト | Test equipment |
KR101218910B1 (en) * | 2004-11-11 | 2013-01-07 | 주식회사 아도반테스토 | Power supply circuit and test device |
JP2006300894A (en) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Advantest Corp | Testing device, and program |
US7343259B2 (en) | 2005-04-25 | 2008-03-11 | Advantest Corporation | Test apparatus and program therefor |
WO2006115175A3 (en) * | 2005-04-25 | 2008-11-06 | Advantest Corp | Test instrument, program and recording medium |
JP4721762B2 (en) * | 2005-04-25 | 2011-07-13 | 株式会社アドバンテスト | Test equipment |
WO2007138814A1 (en) * | 2006-05-26 | 2007-12-06 | Advantest Corporation | Testing apparatus and test module |
US7782064B2 (en) | 2006-05-26 | 2010-08-24 | Advantest Corporation | Test apparatus and test module |
JP5100645B2 (en) * | 2006-05-26 | 2012-12-19 | 株式会社アドバンテスト | Test equipment and test modules |
TWI404958B (en) * | 2006-05-26 | 2013-08-11 | Advantest Corp | Testing apparatus and testing module |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7834615B2 (en) | Bist DDR memory interface circuit and method for self-testing the same using phase relationship between a data signal and a data strobe signal | |
US7355387B2 (en) | System and method for testing integrated circuit timing margins | |
US7036055B2 (en) | Arrangements for self-measurement of I/O specifications | |
US7782064B2 (en) | Test apparatus and test module | |
US7283920B2 (en) | Apparatus and method for testing semiconductor device | |
JP2010536267A (en) | Circuit apparatus and method for measuring clock jitter | |
JP2008541059A (en) | Parallel data transmission test circuit and test method | |
US7949080B2 (en) | Phase adjusting function evaluating method, transmission margin measuring method, information processing apparatus and computer readable information recording medium | |
JPWO2007077839A1 (en) | Test apparatus, test method, and program | |
US20090013228A1 (en) | Bist ddr memory interface circuit and method for testing the same | |
US7196534B2 (en) | Semiconductor test instrument | |
KR20070065211A (en) | Test apparatus, regulating apparatus, regulating method, and computer readable medium on which regulating program is recorded | |
JP2002025294A (en) | Test method for semiconductor device, and test device for semiconductor device | |
JP2004212291A (en) | Adjusting device and testing device | |
JP2006054731A (en) | Timing generator, testing device, and skew adjustment method | |
US20050253631A1 (en) | Internal signal replication device and method | |
KR100864633B1 (en) | Semiconductor memory test apparatus and method of testing a semiconductor memory | |
JP2007024524A (en) | Testing device, control method, and control program | |
JP4849996B2 (en) | Delay circuit, test apparatus, program, semiconductor chip, initialization method, and initialization circuit | |
US20080228417A1 (en) | Changing point detecting circuit, jitter measuring apparatus and test apparatus | |
JP5205881B2 (en) | Semiconductor integrated circuit and method for measuring power supply voltage drop in semiconductor integrated circuit | |
TWI220934B (en) | Ate calibration method | |
US7797593B2 (en) | Method and apparatus for memory AC timing measurement | |
JP2002139556A (en) | Semiconductor testing apparatus | |
US7475310B2 (en) | Signal output circuit, and test apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051012 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071226 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080108 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080507 |