JP2004207671A

JP2004207671A - Release layer transfer film and laminated film

Info

Publication number: JP2004207671A
Application number: JP2003068864A
Authority: JP
Inventors: Masaru Sakata; 賢坂田; Katsuhiko Hayashi; 克彦林
Original assignee: Mitsui Mining and Smelting Co Ltd
Current assignee: Mitsui Mining and Smelting Co Ltd
Priority date: 2002-03-13
Filing date: 2003-03-13
Publication date: 2004-07-22
Anticipated expiration: 2023-03-13
Also published as: JP3772843B2; JP4058443B2; JP3914165B2; JP2008053761A; JP2006041548A; JP2006054476A; JP3808049B2; JP2008016871A; JP2004207670A; JP2004207669A; JP4038517B2

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a release layer transfer film and a laminated film capable of enhancing the reliability and productivity of a semiconductor chip packaging line by forming the release layer easily on a flexible printed wiring board for COF while preventing thermal fusion of an insulating layer and a heating tool. <P>SOLUTION: The release layer transfer film 1 for forming a release layer on an insulating layer becoming the material of a flexible printed wiring board for COF comprises a transfer film 2, and a transfer release layer 3 provided on one surface of the transfer film 2 wherein the transfer release layer 3 is formed of a release agent and can be transferred to the insulating layer. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO&NCIPI

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＩＣあるいはＬＳＩなどの電子部品を実装するＣＯＦフィルムキャリアテープ、ＣＯＦ用フレキシブルプリント回路（ＦＰＣ）などのフレキシブルプリント配線板に離型層を形成するための離型層転写用フィルムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
エレクトロニクス産業の発達に伴い、ＩＣ（集積回路）、ＬＳＩ（大規模集積回路）等の電子部品を実装するプリント配線板の需要が急激に増加しているが、電子機器の小型化、軽量化、高機能化が要望され、これら電子部品の実装方法として、最近ではＴＡＢ（ＴａｐｅＡｕｔｏｍａｔｅｄＢｏｎｄｉｎｇ）テープ、Ｔ−ＢＧＡ（ＢａｌｌＧｒｉｄＡｒｒａｙ）テープ、ＡＳＩＣテープ、ＦＰＣ（フレキシブルプリント回路）等の電子部品実装用フィルムキャリアテープを用いた実装方式が採用されている。特に、パーソナルコンピュータ、携帯電話等のように、高精細化、薄型化、液晶画面の額縁面積の狭小化が要望されている液晶表示素子（ＬＣＤ）を使用する電子産業において、その重要性が高まっている。
【０００３】
また、より小さいスペースで、より高密度の実装を行う実装方法として、裸のＩＣチップをフレキシブルプリント配線板上に直接搭載するＣＯＦ（チップ・オン・フィルム）が実用化されている。
【０００４】
このＣＯＦに用いられるフレキシブルプリント配線板はデバイスホールを具備しないので、導体層と絶縁層とが予め積層された積層フィルムが用いられ、ＩＣチップの配線パターン上への直接搭載の際には、例えば、絶縁層を透過して視認されるインナーリードや位置決めマークを介して位置決めを行い、その状態で加熱ツールによりＩＣチップと、配線パターン、すなわちインナーリードとの接合が行われる（例えば、特許文献１等参照）。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００２−２８９６５１号公報（図４〜図６、段落［０００４］、［０００５］等）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
このような半導体チップの実装は、絶縁層が加熱ツールに直接接触した状態で行われるが、この状態で加熱ツールによりかなり高温に加熱されるので、絶縁層が加熱ツールに融着する現象が生じ、製造装置の停止の原因となり、また、テープの変形が生じるという問題がある。また、加熱ツールと融着した場合には、加熱ツールに汚れが発生し、信頼性、生産性を阻害するという問題があった。
【０００７】
このような加熱ツールの融着は、デバイスホールのないＣＯＦフィルムキャリアテープやＣＯＦ用ＦＰＣへの半導体チップの実装の際に問題となる。
【０００８】
本発明は、このような事情に鑑み、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板に容易に離型層を形成でき、絶縁層が加熱ツールに熱融着することがなく、半導体チップ実装ラインの信頼性及び生産性を向上させることができる離型層転写用フィルム及び積層フィルムを提供することを課題とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決する本発明の第１の態様は、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の材料となる絶縁層に離型層を形成するための離型層転写用フィルムであって、転写用フィルムと、この転写用フィルムの一面に設けられた転写用離型層とを具備し、前記転写用離型層が、離型剤により形成され且つ前記絶縁層に転写可能であることを特徴とする離型層転写用フィルムにある。
【００１０】
かかる第１の態様では、転写用フィルムに形成された転写用離型層をＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の材料となる絶縁層に転写することにより、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の絶縁層に離型層を比較的容易に形成できる。
【００１１】
本発明の第２の態様は、第１の態様において、前記転写用離型層が、シリコーン系化合物からなることを特徴とする離型層転写用フィルムにある。
【００１２】
かかる第２の態様では、加熱ツールと接触する離型層がシリコーン系離型剤からなので、熱融着等が確実に防止される。
【００１３】
本発明の第３の態様は、第１又は２の態様において、前記転写用離型層が、シロキサン化合物、シラン化合物、及びシリカゾルから選択される少なくとも一種を含有する離型剤により形成されたことを特徴とする離型層転写用フィルムにある。
【００１４】
かかる第３の態様では、転写用離型層が、シロキサン化合物、シラン化合物、又はシリカゾルからなる離型剤により形成され、有効にＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の絶縁層に転写される。
【００１５】
本発明の第４の態様は、第１又は２の態様において、前記転写用離型層が、シラン化合物、及びシリカゾルから選択される少なくとも一種を含有する離型剤により形成されたことを特徴とする離型層転写用フィルムにある。
【００１６】
かかる第４の態様では、転写用離型層が、シラン化合物、又はシリカゾルからなる離型剤により形成され、有効にＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の絶縁層に転写される。
【００１７】
本発明の第５の態様は、第４の態様において、前記転写用離型層が、シラザン化合物を含有する離型剤により形成されたことを特徴とする離型層転写用フィルムにある。
【００１８】
かかる第５の態様では、転写用離型層が、シラン化合物の一種であるシラザン化合物からなる離型剤により形成され、有効にＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の絶縁層に転写される。
【００１９】
本発明の第６の態様は、第３〜５の何れかの態様において、前記転写用離型層が、前記離型剤の溶液を塗布し、加熱処理することにより形成されたものであることを特徴とする離型層転写用フィルムにある。
【００２０】
かかる第６の態様では、塗布法により熱融着が確実に防止される離型層を形成するための転写用離型層が転写用フィルムの面上に形成される。
【００２１】
本発明の第７の態様は、第１〜６の何れかの態様において、前記転写用離型層は、前記絶縁層に密着させた後、加熱処理することにより転写されることを特徴とする離型層転写用フィルムにある。
【００２２】
かかる第７の態様では、転写用離型層は、絶縁層に密着された後、加熱処理することにより、有効に転写される。
【００２３】
本発明の第８の態様は、第１〜７の何れかの態様において、前記転写用離型層は、前記転写用フィルムの一方面に連続的に又は間欠的な島状に設けられていることを特徴とする離型層転写用フィルムにある。
【００２４】
かかる第８の態様では、転写用離型層が、連続的に又は間欠的な島状に設けられていれば、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の絶縁層に有効に転写される。
【００２５】
本発明の第９の態様は、第１〜８の何れかの態様において、前記転写用離型層は、前記絶縁層に連続的に又は間欠的な島状に転写されることを特徴とする離型層転写用フィルムにある。
【００２６】
かかる第９の態様では、転写用離型層の少なくとも一部が絶縁層に転写され、その絶縁層の面上に連続的に又は間欠的な島状の転写用離型層が有効に形成される。
【００２７】
本発明の第１０の態様は、第１〜９の何れかの態様において、前記転写用離型層は、前記ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の少なくとも二列のスプロケットホールの列間に存在する前記配線パターンの形成領域に対応して設けられていることを特徴とする離型層転写用フィルムにある。
【００２８】
かかる第１０の態様では、転写用離型層が、スプロケットホールの列間に存在していれば、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板に絶縁層が有効に形成される。
【００２９】
本発明の第１１の態様は、第１０の態様において、前記配線パターンの形成領域が少なくとも二列以上あり、当該配線パターンの列毎に対応して前記転写用離型層が多条に設けられていることを特徴とする離型層転写用フィルムにある。
【００３０】
かかる第１１の態様では、多条のＣＯＦ用フィレキシブルプリント配線板の絶縁層に、各配線パターンの列毎に対応して多条の離型層が形成される。
【００３１】
本発明の第１２の態様は、第１〜１１の何れかの態様において、前記転写用フィルムと前記転写用離型層の間には、当該転写用離型層のみと剥離可能な粘着層が設けられていることを特徴とする離型層転写用フィルムにある。
【００３２】
かかる第１２の態様では、転写用離型層が粘着層を介して転写用フィルムの一方面上に形成される。
【００３３】
本発明の第１３の態様は、第１〜１２の何れかの態様において、前記転写用フィルムは、前記ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の製造工程にて前記絶縁層に粘着されて補強フィルムとして使用されることを特徴とする離型層転写用フィルムにある。
【００３４】
かかる第１３の態様では、離型層転写用フィルムを補強フィルムとして利用することで、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の製造工程における絶縁層の剛性が高められ、所望のテープ搬送強度が得られる。
【００３５】
本発明の第１４の態様は、第１〜１３の何れかの態様において、前記転写用離型層の面上には、当該転写用離型層と剥離可能な剥離フィルムが設けられていることを特徴とする離型層転写用フィルムにある。
【００３６】
かかる第１４の態様では、剥離フィルムにより転写用離型層の表面が保護される。
【００３７】
本発明の第１５の態様は、基材フィルムと、該基材フィルムの表面にシラン化合物、及びシリカゾルから選択される少なくとも一種を含有する離型剤により形成された離型層と、該離型層の前記基材フィルムとは反対側の面上に設けられ且つＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の材料となる絶縁層とを有することを特徴とする積層フィルムにある。
【００３８】
かかる第１５の態様では、基材フィルムを剥がすことで、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の材料となる絶縁層に離型層を比較的容易に形成でき、半導体チップ（ＩＣ）実装時の加熱ツールとの熱融着が防止される。
【００３９】
本発明の第１６の態様は、第１５の態様において、前記離型層が、シラザン化合物を含有する離型剤により形成されたことを特徴とする積層フィルムにある。
【００４０】
かかる第１６の態様では、離型層が、シラン化合物の一種であるシラザン化合物からなる離型剤により形成され、有効にＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の絶縁層に形成される。
【００４１】
本発明の第１７の態様は、第１５又は１６の態様において、前記絶縁層の前記離型層側とは反対側の面上には導体層が設けられていることを特徴とする積層フィルムにある。
【００４２】
かかる第１７の態様では、絶縁層の離型層が形成された面側とは反対側の面上に設けられた導体層をパターニングして配線パターンを形成することで、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板を製造できる。
【００４３】
本発明の第１８の態様は、第１５〜１７の何れかの態様において、前記基材フィルムと前記離型層の間には、当該離型層のみと剥離可能な粘着層が設けられていることを特徴とする積層フィルムにある。
【００４４】
かかる第１８の態様では、離型層が粘着層を介して基材フィルムの一方面上に形成される。
【００４５】
本発明の第１９の態様は、第１５〜１８の何れかの態様において、前記基材フィルムは、前記ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の製造工程にて前記絶縁層に粘着されて補強フィルムとして使用されることを特徴とする積層フィルムにある。
【００４６】
かかる第１９の態様では、基材フィルムを補強フィルムとして利用することで、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の製造工程におけるキャリアテープの剛性が高められ、所望のテープ搬送強度が得られる。
【００４７】
本発明の第２０の態様は、第１５〜１９の何れかの態様において、前記基材フィルムを前記ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板に半導体チップを実装する前に剥がすことで前記絶縁層上に前記離型層を残すことを特徴とする積層フィルムにある。
【００４８】
かかる第２０の態様では、半導体チップ実装時に、加熱ツールと絶縁層とが直接接触することがなく、熱融着等が確実に防止できる。
【００４９】
本発明の第２１の態様は、第２０の態様において、前記基材フィルムを剥がす際に、加熱処理することで前記離型層が前記絶縁層に転写されることを特徴とする積層フィルムにある。
【００５０】
かかる第２１の態様では、離型層は、加熱処理することにより、絶縁層と密着して有効に形成される。
【００５１】
本発明の第２２の態様は、第２１の態様において、前記離型層は、前記絶縁層の一方面に連続的に又は間欠的な島状に転写されることを特徴とする積層フィルムにある。
【００５２】
かかる第２２の態様では、離型層が、連続的に又は間欠的な島状にＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の絶縁層に形成され、有効に機能する。
【００５３】
本発明の離型層転写用フィルムは、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の材料となる絶縁層に離型層を形成するものであり、転写用フィルムと、この転写用フィルムの一面に設けられた転写用離型層とを具備する。
【００５４】
ここで、転写用フィルムは、特に限定されないが、転写用離型層をＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の絶縁層に離型層として有効に転写し得るものであればよい。転写の際には、絶縁層に転写用離型層を密着させ、必要に応じて加熱処理を行うので、このような転写処理に耐えられる強度及び耐熱性を有していればよい。転写用フィルムの材質としては、例えば、プラスチックフィルムを用いることができ、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＩ（ポリイミド）、及び液晶ポリマー等からなるフィルムが挙げられる。このような転写用フィルムの厚さとしては、例えば、１５〜１００μｍ、好ましくは、２０〜７５μｍである。
【００５５】
このような転写用フィルムの一方面に設けられる転写用離型層は、半導体チップの実装時に加熱ツールと密着しないような離型性を有しており且つこのような加熱により熱融着しない材料で形成されていればよく、有機材料でも無機材料でもよい。例えば、シリコーン系離型剤、エポキシ系離型剤、フッ素系離型剤などを用いるのが好ましい。
【００５６】
このような転写用離型層は、シリコーン系化合物、エポキシ系化合物又はフッ素系化合物からなるのが好ましいが、特に、シリコーン系化合物からなるもの、すなわち、シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合）を有する化合物を形成するものがよい。シリコーン系化合物からなる転写用離型層は、比較的容易に形成でき、半導体装置実装面に転写したとしても、半導体チップ実装後のモールド樹脂の接着性に悪影響を起こし難いからである。
【００５７】
ここで、シリコーン系化合物、すなわち、シロキサン結合を有する化合物からなる転写用離型層を形成する離型剤としては、シリコーン系離型剤を挙げることができ、具体的には、ジシロキサン、トリシロキサンなどのシロキサン化合物から選択される少なくとも一種を含有するものである。
【００５８】
また、好ましい離型剤としては、塗布後反応によりシリコーン系化合物に変化する化合物、すなわち、モノシラン、ジシラン、トリシランなどのシラン化合物、又はシリカゾル系化合物等を含む離型剤を用いるのが好ましい。
【００５９】
さらに、特に好ましい離型剤としては、シラン化合物の一種であるアルコキシシラン化合物や、シロキサン結合の前駆体であるＳｉ−ＮＨ−Ｓｉ構造を有する、ヘキサメチルジシラザン、ペルヒドロポリシラザンなどのシラザン化合物を含有する離型剤を挙げることができる。これらは、塗布することにより、又は塗布後空気中の水分等と反応することにより、シロキサン結合を有する化合物となるが、例えば、シラザン化合物については、Ｓｉ−ＮＨ−Ｓｉ構造が残存している状態であってもよい。
【００６０】
このように、離型剤を塗布した後、反応により変化して形成されたシリコーン系化合物からなる離型層が特に好ましい。
【００６１】
このような各種離型剤は、一般的には溶剤として有機溶剤を含有しているが、水溶液タイプのもの又はエマルジョンタイプのものを用いてもよい。
【００６２】
具体例としては、ジメチルシロキサンを主成分とするシリコーン系オイル、メチルトリ（メチルエチルケトオキシム）シラン、トルエン、リグロインを成分とするシリコーン系レジンＳＲ２４１１（商品名：東レ・ダウコーニング・シリコーン社製）、シラザン、合成イソパラフィン、酢酸エチルを成分とするシリコーン系レジンＳＥＰＡ−ＣＯＡＴ（商品名：信越化学工業社製）などを挙げることができる。また、シラン化合物を含有するコルコートＳＰ−２０１４Ｓ（商品名：コルコート株式会社製）などを挙げることができる。さらに、シリカゾルを含有する離型剤としては、コルコートＰ、Ｎ−１０３Ｘ（商品名：コルコート株式会社製）などを挙げることができる。なお、シリカゾルに含まれるシリカの粒子径は、例えば、０．００５〜０．００８μｍ［５０〜８０Å（オングストローム）］である。
【００６３】
ここで、半導体チップの実装時に加熱ツールと密着しないという離型性を有しており且つこのような加熱により熱融着しないという効果の点では、シラザン化合物を含有する離型剤でシリコーン系化合物からなる転写用離型層を設けるのが特に好ましい。このようなシラザン化合物を含有する離型剤の一例としては、シラザン、合成イソパラフィン、酢酸エチルを成分とするシリコーン系レジンＳＥＰＡ−ＣＯＡＴ（商品名：信越化学工業社製）を挙げることができる。
【００６４】
このような転写用離型層を転写用フィルムの一方面に形成する方法は特に限定されず、例えば、塗布法、転写法等が挙げられる。塗布法では、転写用フィルムの一方面上に離型剤又はその溶液をスプレー、ディッピング、又はローラー塗布などにより塗布し、加熱処理することで転写用離型層が形成される。また、転写用離型層を転写法により形成する場合にも、加熱処理するようにしてもよい。転写用離型層の厚さは、例えば、０．０５〜０．５μｍであり、好ましくは０．１〜０．３μｍである。また、転写用離型層は、必ずしも全体的に均一に設けられている必要はなく、間隔をおいて島状に設けられていてもよい。さらに、転写用離型層が転写用フィルムの一方面の全面に設けられた離型剤転写用フィルムテープによって絶縁層の面上に必ずしも全体的に離型層を転写できなくてもよく、連続的に又は間欠的な島状に転写できればよい。これは、絶縁層の面上に島状の離型層が形成されれば、加熱ツールと絶縁層とが直接接触するのを確実に防止でき、加熱ツールと絶縁層との熱融着が有効に防止できるからである。
【００６５】
また、本発明では、転写用フィルムの一方面上、すなわち、転写用フィルムと転写用離型層との間に粘着層を設けるようにしてもよい。このような粘着層の材質は、例えば、アクリル系、ゴム系、及びエポキシ系等の樹脂材料が挙げられる。また、粘着層の厚さは、例えば、３〜２５μｍであり、好ましくは５〜１５μｍである。かかる粘着層の形成方法としては、例えば、スプレー、ディッピング、又はローラー塗布などにより塗布する方法が挙げられる。
【００６６】
ここで、上述した転写用離型層は、絶縁層の導体層とは反対側、すなわち、半導体チップ（ＩＣ）を実装する側とは反対側の面上に転写されるが、この際、加圧してもよいし、その加圧と共に加熱してもよく、加熱だけ行うようにしてもよい。例えば、このときの転写条件としては、加熱温度を１５〜２００℃とし、ローラー又はプレスによる荷重を５〜５０ｋｇ／ｃｍ^２とし、処理時間を０．１秒〜２時間とするのがよい。
【００６７】
また、絶縁層と離型層との間の剥離を防止するために、転写後、加熱処理等により両者の間の接合力を高めるようにしてもよい。このときの加熱条件としては、例えば、加熱温度を５０〜２００℃、好ましくは、１００〜２００℃とし、加熱時間を１分〜１２０分、好ましくは、３０分〜１２０分とするのがよい。
【００６８】
かかる離型層は、半導体実装時までに設けられていればよいので、導体層を設けていない絶縁層に予め設けるようにしてもよいし、導体層を設ける際に同時に設けるようにしてもよい。勿論、離型層は、導体層をパターニングする前に必ずしも転写して設ける必要はなく、導体層をパターニングした後設けるようにしてもよい。
【００６９】
例えば、導体層を設けていない絶縁層に設ける場合などは、転写法を行うのに好適である。また、製造工程の初期段階で転写法により離型層を設ける場合、離型層が形成された転写用フィルムを剥がさないで補強フィルムとして使用し、最終工程で転写用フィルムを剥がすようにしてもよい。このように、離型層転写用フィルムを補強フィルムとして利用することで、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の製造工程におけるテープ搬送強度が高められる。
【００７０】
このようなＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板は、導体層と絶縁層とを有する。かかるＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板に用いられる導体層と絶縁層とのＣＯＦ用積層フィルムとしては、ポリイミドフィルムなどの絶縁フィルムにニッケルなどの密着強化層をスパッタした後、銅メッキを施したＣＯＦ用積層フィルムを挙げることができる。また、ＣＯＦ用積層フィルムとしては、銅箔にポリイミドフィルムを塗布法により積層したキャスティングタイプや、銅箔に熱可塑性樹脂・熱硬化性樹脂などを介し絶縁フィルムを熱圧着した熱圧着タイプのＣＯＦ用積層フィルムを挙げることができる。本発明では、何れを用いてもよい。
【００７１】
ここで、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板は、半導体チップを実装して用いられる。この際、実装方法は特に限定されないが、例えば、チップステージ上に載置された半導体チップ上にＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板を位置決め配置し、加熱ツールをＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板に押しあてて半導体チップを実装する。この際に、加熱ツールは、最低でも２００℃以上、場合によっては３５０℃以上に加熱されるが、絶縁層上に離型層が形成されているので、両者の間に熱融着が生じる虞がないという効果を奏する。
【００７２】
また、本発明の離型層転写用フィルムは、上述した転写用離型層の面上に、この転写用離型層と剥離可能な剥離フィルムを設けるようにしてもよい。この剥離フィルムは、転写用離型層の表面を保護する役割がある。
【００７３】
何れにしても、本発明の離型層転写用フィルムは、半導体チップ実装前に転写用フィルムを剥がすことで、絶縁層の導体層とは反対側、すなわち、半導体チップを実装する側とは反対側の面上に離型層を転写できれるものであれば特に限定されるものではない。
【００７４】
また、本発明の積層フィルムは、基材フィルムと、この基材フィルムの表面にシラン化合物、及びシリカゾルから選択される少なくとも一種を含有する離型剤により形成された離型層と、この離型層の基材フィルムとは反対側の面上に設けられてＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の材料となる絶縁層とを有する。
【００７５】
また、このような積層フィルムは、これら基材フィルム、離型層、及び絶縁層３層タイプの積層フィルムに限定されるものではなく、例えば、絶縁層の基材フィルム側とは反対側の面上に導体層を設けた４層タイプの積層フィルム、あるいは基材フィルムと離型層の間に、離型層のみと剥離可能な粘着層を設けた５層タイプの積層フィルムであってもよい。
【００７６】
また、このような本発明の積層フィルムを用いると、少なくとも、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板に半導体チップを実装する前に基材フィルムを剥がすことで、絶縁層上に離型層を残すことができる。この際、加熱処理を行った後、基材フィルムを剥がすことで、離型層を絶縁層の面上により有効に転写することができる。
【００７７】
そして、このような離型層は、上述した離型層転写用フィルムと同様に、必ずしも、基材フィルムの面上に設けられた全てを転写できなくてもよく、少なくとも、絶縁層の一方面に連続的に又は間欠的な島状に転写されればよい。
【００７８】
また、このような本発明の積層フィルムは、上述した離型層転写用フィルムの転写用離型層の面上に絶縁層を形成することにより、または、更にこの絶縁層の面上に導体層を形成することにより製造でき、あるいは、絶縁層と導電層との２層を貼着すること、あるいは、絶縁層と導体層との２層タイプの積層フィルムを貼着することで製造することができる。若しくは、その逆で、絶縁層の一方面上に、離型層を形成した後、この離型層の面上に少なくとも基材フィルムを形成することで製造するようにしてもよい。
【００７９】
このような本発明の積層フィルムによれば、少なくとも半導体チップを実装する前に、基材フィルムを剥がし、絶縁層に離型層を形成するようにすれば、上述したように、絶縁層と加熱ツールとが直接接触することがなく、熱融着等が確実に防止される。
【００８０】
また、このような積層フィルムによれば、基材フィルムを剥がさずに、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の製造工程を行うようにすれば、製造の際、この基材テープが、絶縁層に粘着されて補強フィルムとして作用する。したがって、このような場合には、製造の際、所望のテープ搬送強度を確保できるという効果がある。
【００８１】
何れにしても、本発明の積層フィルムは、半導体チップ実装前に基材フィルムを剥がすことで、絶縁層の導体層とは反対側、すなわち、半導体チップを実装する側とは反対側の面上に離型層を形成できれるものであれば特に限定されるものではない。
【００８２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態に係る離型層転写用フィルムを実施例に基づいて説明する。なお、図１には、一実施形態に係る離型層転写用フィルムを示す。
【００８３】
図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施形態の離型層転写用フィルム１は、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板の材料となる絶縁層に離型剤を形成するものであり、転写用フィルム２と、この転写用フィルム２の一面に設けられた転写用離型層３とを具備する。
【００８４】
転写用離型層３は、転写用フィルム２の一方面上の全面に設けられていてもよく、連続的又は間欠的な島状に設けられていてもよい。例えば、ＣＯＦフィルムキャリアテープに転写する場合には、後述するスプロケットホールの間の領域、あるいは後工程にて半導体チップ（ＩＣ）を実装する領域に対応して連続的に又は間欠的な島状に設けられていてもよい。すなわち、転写用フィルム２の転写用離型層３の形成領域については、転写用離型層３を転写する対象であるＣＯＦフィルムキャリアテープの半導体チップが実装される領域に対応して、任意に設定すればよい。例えば、多条のフィルムキャリアテープの場合には、２つの塗布用ローラを用いて、長尺の転写用フィルムの面上に幅方向に所定の間隔をおいて離型剤を塗布し、２条の転写用離型層を長手方向に亘って連続的に設けるようにしてもよい。または、転写用フィルムの長手方向に所定の間隔をおいて、例えば、半導体チップの実装間隔と同じ間隔で断続的に、且つ半導体チップの絶縁層への投影面積と同じ面積で、離型層を島状に設けるようにしてもよい。例えば、本実施形態では、転写用フィルム２の全面に転写用離型層３を設けた。また、このような転写用離型層３は、転写用フィルム２の一方面上に離型剤を塗布することにより設けられる。なお、転写用離型層３の厚さは、例えば、０．０５〜１μｍであり、好ましくは、０．１〜０．５μｍである。そして、このような転写用離型層３は、詳しくは後述するが、絶縁層の面上に転写されて離型層となり、半導体チップ実装時の加熱ツールに絶縁層が熱融着するのを有効に防止するものである。
【００８５】
以上説明した離型層転写用フィルム１は、少なくともＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板に半導体チップを実装する前に、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板を構成する絶縁層に離型層を転写するために用いられる。
【００８６】
ここで、このようなＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板として、図２に示すようなＣＯＦフィルムキャリアテープを例にとって説明するが、ＣＯＦ用ＦＰＣについても同様に実施できることはいうまでもない。なお、図２には、一実施形態に係るＣＯＦフィルムキャリアテープ２０を示す。
【００８７】
図２（ａ）、（ｂ）に示すように、本実施形態のＣＯＦフィルムキャリアテープ２０は、銅層からなる導体層１１とポリイミドフィルムからなる絶縁層１２とからなるＣＯＦ用積層フィルム１０を用いて製造されたものであり、導体層１１をパターニングした配線パターン２１と、配線パターン２１の幅方向両側に設けられたスプロケットホール２２とを有する。また、配線パターン２１は、絶縁層１２の表面に連続的に設けられている。さらに、配線パターン２１上には、ソルダーレジスト材料塗布溶液をスクリーン印刷法にて塗布して形成したソルダーレジスト層２３を有する。なお、配線パターンは、絶縁層の両面に形成されていてもよく（２−ｍｅｔａｌＣＯＦフィルムキャリアテープ）、この場合には、加熱ツールが接触する領域のみに離型剤を塗布、あるいは転写用離型層を転写することで、離型層を形成すればよい。
【００８８】
ここで、導体層１１としては、銅の他、アルミニウム、金、銀などを使用することもできるが、銅層が一般的である。また、銅層としては、蒸着やメッキで形成した銅層、電解銅箔、圧延銅箔など何れも使用することができる。導体層１１の厚さは、一般的には、１〜７０μｍであり、好ましくは、５〜３５μｍである。
【００８９】
一方、絶縁層１２としては、ポリイミドの他、ポリエステル、ポリアミド、ポリエーテルサルホン、液晶ポリマーなどを用いることができるが、ピロメリット酸２無水物と４，４’−ジアミノジフェニルエーテルの重合によって得られる全芳香族ポリイミドを用いるのが好ましい。なお、絶縁層１２の厚さは、一般的には、１２．５〜１２５μｍであり、好ましくは、１２．５〜７５μｍ、さらに好ましくは１２．５〜５０μｍである。
【００９０】
ここで、ＣＯＦ用積層フィルムは、例えば、銅箔からなる導体層１１上に、ポリイミド前駆体やワニスを含むポリイミド前駆体樹脂組成物を塗布して塗布層を形成し、溶剤を乾燥させて巻き取り、次いで、酸素をパージしたキュア炉内で熱処理し、イミド化して絶縁層１２とすることにより形成されるが、勿論、これに限定されるものではない。
【００９１】
そして、このような絶縁層１２の配線パターン２１側とは反対側の面上には、上述した離型層転写用フィルム１により転写用離型層３が転写され、離型層１３が形成されている。
【００９２】
このようなＣＯＦフィルムキャリアテープ２０は、例えば、搬送されながら半導体チップの実装やプリント基板などへの電子部品の実装工程に用いられ、ＣＯＦ実装されるが、この際、絶縁層１２の光透過性が５０％以上あるので、絶縁層１２側から配線パターン２１（例えば、インナーリード）をＣＣＤ等で画像認識することができ、さらに、実装する半導体チップやプリント基板の配線パターン２１を認識することができ、画像処理により相互の位置合わせを良好に行うことができ、高精度に電子部品を実装することができる。
【００９３】
次に、上述したＣＯＦフィルムキャリアテープ２０の一製造方法を図３及び図４を参照しながら説明する。なお、図３は、本発明の一実施形態に係る積層フィルム及びＣＯＦ用積層フィルム並びにこれらの製造方法の一例を示す図であり、図４は、ＣＯＦフィルムキャリアテープの一製造方法を説明する図である。
【００９４】
ここで、本実施形態では、図３に示すように、積層フィルム１００及びＣＯＦ用積層フィルム１０を形成した後、このＣＯＦ用積層フィルム１０を用いてＣＯＦフィルムキャリアテープを製造する。
【００９５】
具体的には、ＣＯＦ用積層フィルムは、まず、銅箔からなる導体層１１上に（図３（ａ））、ポリイミド前駆体やワニスを含むポリイミド前駆体樹脂組成物を塗布して塗布層１２ａを形成し（図３（ｂ））、溶剤を乾燥させて巻き取る。次に、キュア炉内で熱処理し、イミド化して絶縁層１２とする（図３（ｃ））。次に、基材フィルムとなる転写用フィルム２上に形成された転写用離型層３を絶縁層１２の導体層１１とは反対側に密着させて積層フィルム１００を製造する（図３（ｄ））。ここでの積層フィルム１００は、図３（ｄ）に示すように、転写用フィルム２（基材フィルム）、転写用離型層３（離型層１３）、絶縁層１２、及び導体層１１から構成される。そして、このような積層フィルム１００を加熱処理した後、転写用フィルム２を剥がし、絶縁層１２の導体層１１側とは反対側の面上に離型層１３を有するＣＯＦ用積層フィルム１０としたものである（図３（ｅ））。
【００９６】
ここで、転写条件としては、例えば、加熱温度を１５〜２００℃とし、ローラー又はプレスによる荷重を５〜５０ｋｇ／ｃｍ^２とし、処理時間を０．１秒〜２時間とするのがよい。また、加熱条件としては、例えば、加熱温度を５０〜２００℃、好ましくは、１００〜２００℃とし、加熱時間を１分〜１２０分、好ましくは、３０分〜１２０分とするのがよい。ここで、転写用フィルム２の材質は、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＩ（ポリイミド）、及び液晶ポリマー等が挙げられる。このような転写用フィルム２の厚さとしては、例えば、１５〜１００μｍ、好ましくは、２０〜７５μｍである。
【００９７】
次に、図４（ａ）に示すような導体層１１及び絶縁層１２からなるＣＯＦ用積層フィルム１０をパンチング等によって貫通することで、図４（ｂ）に示すようなスプロケットホール２２を形成する。このスプロケットホール２２は、絶縁層１２の表面上から形成してもよく、また、絶縁層１２の裏面から形成してもよい。次に、図４（ｃ）に示すように、一般的なフォトリソグラフィー法を用いて、導体層１１上の配線パターン２１が形成される領域に亘って、例えば、ネガ型フォトレジスト材料塗布溶液を塗布してフォトレジスト材料塗布層３０を形成する。勿論、ポジ型フォトレジスト材料を用いてもよい。さらに、スプロケットホール２２内に位置決めピンを挿入して絶縁層１２の位置決めを行った後、フォトマスク３１を介して露光・現像することで、フォトレジスト材料塗布層３０をパターニングして、図４（ｄ）に示すような配線パターン用レジストパターン３２を形成する。次に、配線パターン用レジストパターン３２をマスクパターンとして導体層１１をエッチング液で溶解して除去し、さらに配線パターン用レジストパターン３２をアルカリ溶液等にて溶解除去することにより、図４（ｅ）に示すように配線パターン２１を形成する。続いて、必要に応じて配線パターン２１全体にスズメッキなどのメッキ処理を行った後、図４（ｆ）に示すように、例えば、スクリーン印刷法を用いて、ソルダーレジスト層２３を形成する。そして、ソルダーレジスト層２３で覆われていないインナーリード及びアウターリードに必要に応じて金属メッキ層を施す。金属メッキ層は特に限定されず、用途に応じて適宜設ければよく、スズメッキ、スズ合金メッキ、ニッケルメッキ、金メッキ、金合金メッキなどを施す。
【００９８】
以上説明した実施形態では、離型層１３の形成をスプロケットホール２２形成する前に行ったが、これに限定されず、ＣＯＦ用積層フィルム１０の導体層１２をパターニングする前に行ってもよく、配線パターン用レジストパターン３２をアルカリ溶液等にて溶解除去した後、ソルダーレジスト層２３を設ける前に行うようにしてもよい。また、ソルダーレジスト層２３を設けた後のソルダーレジスト製造工程最後に離型層１３を形成するようにしてもよい。このように離型層１３を形成すると、離型層１３がエッチング液やフォトレジストの剥離液等に曝されないので、離型効果が高いという利点がある。なお、ここで製造工程最後とは、製品検査工程の前を意味する。
【００９９】
このように、本発明の離型層は、配線パターン２１を形成するフォトリソグラフィー工程後そして半導体チップとのボンディング前までに形成するのが好ましい。これはフォトレジスト層の剥離工程で離型層が溶解する可能性があるからである。したがって、フォトレジスト工程終了直後、又はメッキ処理後、さらには、ソルダーレジスト層２３形成後等に離型層を設けるのが好ましい。勿論、フォトリソグラフィー工程より前に行ってもよい。
【０１００】
また、本実施形態のように、予めＣＯＦ用積層フィルム１０に離型層１３を設けるようにすれば、ＣＯＦフィルムキャリアテープ２０を製造する際、所望のテープ搬送強度を確保することができるという効果もある。そして、本実施形態では、基材である転写用フィルム２を剥がして、ＣＯＦ用積層フィルム１０としたが、これに限定されず、ＣＯＦ用積層フィルム１０に予め離型層転写用フィルム１を貼って、そのまま転写用フィルム２を剥がさずに各製造工程を行い、製造工程最後に転写用フィルム２を剥がすようにしてもよい。これにより、テープ搬送強度を十分に確保できる。
【０１０１】
さらに、本発明では、上述したように、転写用フィルム２の一方面上に転写用離型層３を設けたが、図５に示すように、転写用フィルム２と転写用離型層３Ａの間に粘着層４を設けるようにしてもよい。図５に示す離型層転写用フィルム１Ａは、例えば、まず、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等からなる転写用フィルム２の一方面上に、厚さ３〜２５μｍ程度の粘着剤を塗布し、転写用離型層３Ａのみと剥離可能な粘着層４を形成する（図５（ａ））。次に、この粘着層４の面上に離型剤を塗布し、転写用離型層３Ａを形成することにより製造される（図５（ｂ））。そして、このような構成の離型層転写用フィルム１Ａは、基材フィルムとなる転写用フィルム２上に粘着層４を介して形成された転写用離型層３Ａを絶縁層１２の導体層１１とは反対側に密着させて積層フィルム１００Ａを製造する（図５（ｃ））。なお、ここでの積層フィルム１００Ａは、図５（ｃ）に示すように、転写用フィルム２（基材フィルム）、粘着層４、転写用離型層３Ａ（離型層１３Ａ）、絶縁層１２、及び導体層１１から構成される。そして、このような積層フィルム１００Ａを加熱処理した後、転写用フィルム２を剥がし、絶縁層１２の導体層１１側とは反対側の面上に離型層１３Ａを有するＣＯＦ用積層フィルム１０Ａを製造する（図５（ｄ））。このとき、粘着層４は、転写用フィルム２とは粘着しているが離型層１３Ａとは剥離可能であるため、転写用フィルム２を剥がす際に同時に剥がれる。なお、ここでの転写条件としては、上述したのと同様であり、特に限定されるものではない。また、転写フィルム２を剥がすタイミングについても、ＣＯＦフィルムキャリアテープの製造工程前としてもよく、勿論、製造工程後としてもよい。このように、製造工程後に転写フィルム２を剥がすようにすれば、所望の搬送強度を確保することができる。また、製造工程前に剥がす場合でも、その後の製造工程において離型層１３Ａが形成されているため、ＣＯＦ用積層フィルム１０Ａの搬送強度を十分に確保できる。
【０１０２】
何れにしても、本発明に係る離型層転写用フィルム及び積層フィルムは、上述した構成のものに限定されず、少なくとも半導体チップ実装前に、転写用フィルム又は基材フィルムを剥がすことで、後述する加熱ツールと絶縁層との間の領域に対応して、絶縁層の半導体チップが実装される側とは反対側の面上に、特定のシリコーン系化合物からなる離型層を形成できるものであればよい。
【０１０３】
ここで、本発明では、上述したようにして製造されたＣＯＦフィルムキャリアテープ２０は、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、半導体チップ３０を実装することにより製造される。すなわち、半導体チップ３０をチップステージ４１上に載置し、ＣＯＦフィルムキャリアテープ２０を搬送する。この状態で、所定位置に位置決めした後、上部クランパー４２が下降すると共に下部クランパー４３が上昇してＣＯＦフィルムキャリアテープ２０を固定し、この状態で加熱ツール４５が下降してテープを押し付け、加熱しながらさらに下降してＣＯＦフィルムキャリアテープ２０のインナーリードを半導体チップ３０のバンプ３１に所定時間押圧し、両者を接合する。なお、接合後、樹脂封止を行い、半導体装置とする。
【０１０４】
なお、加熱ツール４５の温度は、押圧時間、圧力等の条件によっても異なるが、２００℃以上、好ましくは３５０℃以上である。本発明では、このように加熱ツール４５の温度を高温にしても、ＣＯＦフィルムキャリアテープ２０の加熱ツール４５との接触面に離型層１３が設けられているので、加熱ツール４５と熱融着することがない。すなわち、本発明によると、接合条件の温度を十分に高くできるので、十分な接合強度が確保でき、逆に、一定の接合強度を得るのに、加熱温度を高くすることにより、圧着時間を短縮することができるという利点がある。
【０１０５】
（実施例１）
まず、厚さ５０μｍのＰＥＴフィルムからなる転写用フィルムの一方面上に塗布法によりシリコーン系離型剤を塗布し、厚さ０．１μｍのシランを含むシリコーン系化合物からなる転写用離型層を形成した離型層転写用フィルムを用意した。次に、導体層としての厚さ９μｍの超低粗度銅箔上に、絶縁層として塗布法により厚さ４０μｍのポリイミド層を形成し、さらに、この絶縁層の導体層とは反対側の面上に、上述した離型層転写用フィルムを用いて転写法により厚さ０．１μｍの転写用離型層からなる離型層を設けて実施例のＣＯＦ用積層フィルムとした。なお、シリコーン系化合物からなる離型層を転写した後、１２０℃で加熱処理した。
【０１０６】
（実施例２）
実施例１でシリコーン系化合物からなる離型層を転写後、加熱処理を行わない以外は同様にして実施例２のＣＯＦ用積層フィルムとした。
【０１０７】
（実施例３）
実施例１において、シリコーン系化合物からなる離型層を形成する離型剤として、シラザン化合物を含有するＳＥＰＡ−ＣＯＡＴ（商品名：信越化学工業社製）を用いて転写用離型層を形成した離型層転写用フィルムを用意し、この離型層転写用フィルムにより絶縁層の面上に離型層を転写した以外は同様にして実施例３のＣＯＦ用積層フィルムとした。
【０１０８】
（実施例４）
実施例１において、シリコーン系化合物からなる離型層を形成する離型剤として、シリカゾルを含有するコルコートＰ（商品名：コルコート株式会社）を用いた以外同様に転写用離型層を形成した離型層転写用フィルムを用意した。そして、この離型層転写用フィルムを用いて転写する際、１２０℃で加熱すると共に２０ｋｇ／ｃｍ^２の荷重を加えて、３０分間ホットプレスすることにより、転写用離型層からなる離型層を形成して実施例４のＣＯＦ用積層フィルムとした。
【０１０９】
（比較例１）
離型層を設けない以外は実施例１と同様にしてＣＯＦ用積層フィルムとした。
【０１１０】
（試験例１）
実施例１〜４および比較例１のＣＯＦ用積層フィルムの導体層をパターニングし、その後、配線パターン全体にスズメッキを施した後、ソルダーレジスト層を形成し、ＣＯＦフィルムキャリアテープを製造した。そして、これら各ＣＯＦフィルムキャリアテープを用い、加熱ツール温度を２６０℃〜４４０℃の範囲で変化させながら離型層側へ押し当てて半導体チップを実装し、加熱ツールとの付着性を観察した。この結果を表１に示す。
【０１１１】
【表１】

【０１１２】
この結果、比較例１では３００℃を超えると付着が生じたが、実施例２では３２０℃を超えた際に一部に付着が生じる程度まで付着性が良好になり、実施例１、３及び４では４００℃を越えるまでは付着が全く生じなかった。なお、実施例２は、比較例１と差はあるものの、効果は顕著ではなかったが、加熱融着温度は、加熱ツール、実装する半導体チップの種類、実装品の用途等により異なり、一般的には２００〜３５０℃程度の場合もあるので、付着温度が上昇する点では有効である。
【０１１３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の離型層転写用フィルムは、特定のシリコーン系化合物からなる転写用離型層を絶縁層の面上に離型層として転写できるので、ＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板に容易に離型層を形成できる、絶縁層が加熱ツールに熱融着することがなく、半導体チップ実装ラインの信頼性及び生産性を向上させるという効果を奏する。
【０１１４】
また、本発明の積層フィルムについても、単に基材フィルムを剥がすことで、特定のシリコーン系化合物からなる離型層を絶縁層の面上に比較的容易に形成できるので、上述した離型層転写用フィルムと同様の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係る離型層転写用フィルムを示す断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るＣＯＦフィルムキャリアテープを示す概略構成図であって、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る積層フィルム及びＣＯＦ用積層フィルム並びにこれらの製造方法の一例を示す断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係るＣＯＦフィルムキャリアテープの製造方法の一例を示す断面図である。
【図５】本発明の他の実施形態に係る離型層転写用フィルム及び積層フィルムの製造方法の一例を示す断面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る半導体装置及びその製造方法を示す断面図である。
【符号の説明】
１離型層転写用フィルム
２転写用フィルム（基材フィルム）
３，３Ａ転写用離型層
１０，１０ＡＣＯＦ用積層フィルム
１１導体層
１２絶縁層
１３，１３Ａ離型層
２０ＣＯＦフィルムキャリアテープ
２１配線パターン
２２スプロケットホール
２３ソルダーレジスト層
３０半導体チップ
３１バンプ
１００，１００Ａ積層フィルム[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a release layer transfer film for forming a release layer on a flexible printed wiring board such as a COF film carrier tape on which electronic components such as an IC or LSI are mounted and a flexible printed circuit (FPC) for COF.
[0002]
[Prior art]
With the development of the electronics industry, demand for printed wiring boards on which electronic components such as ICs (integrated circuits) and LSIs (large-scale integrated circuits) are mounted has been rapidly increasing. There is a demand for higher functionality, and as a mounting method for these electronic components, recently, for mounting of electronic components such as TAB (Tape Automated Bonding) tape, T-BGA (Ball Grid Array) tape, ASIC tape, FPC (Flexible Printed Circuit), etc. A mounting method using a film carrier tape is employed. In particular, the importance thereof is increasing in the electronic industry using a liquid crystal display device (LCD), such as a personal computer and a mobile phone, for which high definition, thinness, and a narrow frame area of a liquid crystal screen are required. ing.
[0003]
Further, as a mounting method for mounting at a higher density in a smaller space, a COF (chip-on-film) in which a bare IC chip is directly mounted on a flexible printed wiring board has been put to practical use.
[0004]
Since the flexible printed wiring board used for this COF does not have a device hole, a laminated film in which a conductor layer and an insulating layer are preliminarily used is used. When the IC chip is directly mounted on a wiring pattern, for example, Then, positioning is performed via inner leads and positioning marks which are visible through the insulating layer, and in this state, the IC chip and the wiring pattern, that is, the inner leads are joined by a heating tool (for example, Patent Document 1). Etc.).
[0005]
[Patent Document 1]
JP-A-2002-289651 (FIGS. 4 to 6, paragraphs [0004], [0005], etc.)
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
Such a semiconductor chip is mounted in a state where the insulating layer is in direct contact with the heating tool. In this state, the heating tool is heated to a considerably high temperature. In addition, there is a problem that the manufacturing apparatus stops, and the tape is deformed. Further, when the heating tool is fused with the heating tool, there is a problem that the heating tool is stained, thereby impairing reliability and productivity.
[0007]
Such fusion of the heating tool poses a problem when a semiconductor chip is mounted on a COF film carrier tape without device holes or an FPC for COF.
[0008]
In view of such circumstances, the present invention can easily form a release layer on a flexible printed wiring board for COF, does not cause an insulating layer to be thermally fused to a heating tool, and provides reliability and production of a semiconductor chip mounting line. An object of the present invention is to provide a release layer transfer film and a laminated film that can improve the releasability.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
A first aspect of the present invention that solves the above problems is a release layer transfer film for forming a release layer on an insulating layer that is a material of a flexible printed wiring board for COF, and a transfer film; A transfer release layer provided on one surface of the transfer film, wherein the transfer release layer is formed of a release agent and is transferable to the insulating layer. In the layer transfer film.
[0010]
In the first aspect, the transfer release layer formed on the transfer film is transferred to the insulating layer serving as the material of the flexible printed wiring board for COF, so that the release layer is transferred to the insulating layer of the flexible printed wiring board for COF. The layers can be formed relatively easily.
[0011]
According to a second aspect of the present invention, there is provided a film for transferring a release layer according to the first aspect, wherein the release layer for transfer comprises a silicone compound.
[0012]
In the second aspect, since the release layer that comes into contact with the heating tool is made of the silicone release agent, heat fusion and the like are reliably prevented.
[0013]
According to a third aspect of the present invention, in the first or second aspect, the transfer release layer is formed of a release agent containing at least one selected from a siloxane compound, a silane compound, and a silica sol. And a release layer transfer film.
[0014]
In the third aspect, the transfer release layer is formed of a release agent composed of a siloxane compound, a silane compound, or a silica sol, and is effectively transferred to the insulating layer of the flexible printed wiring board for COF.
[0015]
According to a fourth aspect of the present invention, in the first or second aspect, the transfer release layer is formed of a release agent containing at least one selected from a silane compound and a silica sol. Release layer transfer film.
[0016]
In the fourth aspect, the transfer release layer is formed of a release agent composed of a silane compound or a silica sol, and is effectively transferred to the insulating layer of the flexible printed wiring board for COF.
[0017]
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a film for transferring a release layer according to the fourth aspect, wherein the transfer release layer is formed of a release agent containing a silazane compound.
[0018]
In the fifth aspect, the release layer for transfer is formed of a release agent composed of a silazane compound, which is a type of silane compound, and is effectively transferred to the insulating layer of the flexible printed wiring board for COF.
[0019]
In a sixth aspect of the present invention, in any one of the third to fifth aspects, the release layer for transfer is formed by applying a solution of the release agent and performing a heat treatment. And a release layer transfer film.
[0020]
In the sixth aspect, a transfer release layer for forming a release layer in which thermal fusion is reliably prevented by a coating method is formed on the surface of the transfer film.
[0021]
According to a seventh aspect of the present invention, in any one of the first to sixth aspects, the transfer release layer is transferred by heating after being brought into close contact with the insulating layer. In the release layer transfer film.
[0022]
In the seventh aspect, the transfer release layer is effectively transferred by being subjected to heat treatment after being adhered to the insulating layer.
[0023]
According to an eighth aspect of the present invention, in any one of the first to seventh aspects, the transfer release layer is provided continuously or intermittently on one surface of the transfer film. A film for releasing a release layer.
[0024]
In the eighth aspect, if the transfer release layer is provided continuously or in an intermittent island shape, the transfer is effectively transferred to the insulating layer of the flexible printed wiring board for COF.
[0025]
According to a ninth aspect of the present invention, in any one of the first to eighth aspects, the release layer for transfer is transferred to the insulating layer continuously or in an intermittent island shape. In the release layer transfer film.
[0026]
In the ninth aspect, at least a part of the transfer release layer is transferred to the insulating layer, and the continuous or intermittent island-like transfer release layer is effectively formed on the surface of the insulating layer. You.
[0027]
According to a tenth aspect of the present invention, in any one of the first to ninth aspects, the transfer release layer is provided between at least two rows of sprocket holes of the COF flexible printed wiring board. A release layer transfer film, which is provided corresponding to a pattern formation region.
[0028]
In the tenth aspect, if the transfer release layer is present between the rows of sprocket holes, the insulating layer is effectively formed on the flexible printed wiring board for COF.
[0029]
According to an eleventh aspect of the present invention, in the tenth aspect, the wiring pattern forming region has at least two or more rows, and the transfer release layer is provided in multiple rows corresponding to each row of the wiring pattern. And a release layer transfer film.
[0030]
In the eleventh aspect, multiple release layers are formed on the insulating layer of the flexible flexible printed wiring board for COF for each row of the wiring pattern.
[0031]
In a twelfth aspect of the present invention, in any one of the first to eleventh aspects, between the transfer film and the transfer release layer, an adhesive layer that can be peeled off only from the transfer release layer is provided. And a release layer transfer film.
[0032]
In the twelfth aspect, the transfer release layer is formed on one surface of the transfer film via the adhesive layer.
[0033]
According to a thirteenth aspect of the present invention, in any one of the first to twelfth aspects, the transfer film is used as a reinforcing film by being adhered to the insulating layer in a process of manufacturing the COF flexible printed wiring board. And a release layer transfer film.
[0034]
In the thirteenth aspect, by using the release layer transfer film as the reinforcing film, the rigidity of the insulating layer in the process of manufacturing the flexible printed wiring board for COF is increased, and desired tape transport strength can be obtained.
[0035]
In a fourteenth aspect of the present invention, in any one of the first to thirteenth aspects, a release film that can be peeled off from the transfer release layer is provided on a surface of the transfer release layer. And a release layer transfer film.
[0036]
In the fourteenth aspect, the surface of the release layer for transfer is protected by the release film.
[0037]
A fifteenth aspect of the present invention is directed to a base film, a release layer formed on the surface of the base film by a release agent containing at least one selected from a silane compound and a silica sol; A laminated film provided on a surface of the layer opposite to the base film and serving as a material of a flexible printed wiring board for COF.
[0038]
In the fifteenth aspect, the release layer can be relatively easily formed on the insulating layer serving as the material of the flexible printed wiring board for COF by peeling the base film, and a heating tool for mounting a semiconductor chip (IC) can be provided. Is prevented from being thermally fused.
[0039]
A sixteenth aspect of the present invention is the laminated film according to the fifteenth aspect, wherein the release layer is formed of a release agent containing a silazane compound.
[0040]
In the sixteenth aspect, the release layer is formed of a release agent composed of a silazane compound, which is a kind of a silane compound, and is effectively formed on the insulating layer of the flexible printed wiring board for COF.
[0041]
A seventeenth aspect of the present invention is the laminate film according to the fifteenth or sixteenth aspect, wherein a conductor layer is provided on a surface of the insulating layer opposite to the release layer side. is there.
[0042]
In the seventeenth aspect, a flexible printed wiring board for COF is formed by patterning a conductor layer provided on a surface of the insulating layer opposite to the surface on which the release layer is formed to form a wiring pattern. Can be manufactured.
[0043]
In an eighteenth aspect of the present invention, in any one of the fifteenth to seventeenth aspects, between the base film and the release layer, an adhesive layer that can be peeled off from only the release layer is provided. The laminated film is characterized in that:
[0044]
In the eighteenth aspect, the release layer is formed on one surface of the base film via the adhesive layer.
[0045]
According to a nineteenth aspect of the present invention, in any one of the fifteenth to eighteenth aspects, the base film is used as a reinforcing film by being adhered to the insulating layer in a process of manufacturing the flexible printed wiring board for COF. The laminated film is characterized in that:
[0046]
In the nineteenth aspect, by using the base film as the reinforcing film, the rigidity of the carrier tape in the process of manufacturing the flexible printed wiring board for COF is increased, and a desired tape transport strength can be obtained.
[0047]
According to a twentieth aspect of the present invention, in any one of the fifteenth to nineteenth aspects, the base film is peeled before mounting the semiconductor chip on the COF flexible printed wiring board, so that the separation film is formed on the insulating layer. A laminated film characterized by leaving a mold layer.
[0048]
In the twentieth aspect, at the time of mounting the semiconductor chip, the heating tool and the insulating layer do not come into direct contact with each other, so that heat fusion and the like can be reliably prevented.
[0049]
A twenty-first aspect of the present invention is the laminated film according to the twentieth aspect, wherein the release layer is transferred to the insulating layer by heat treatment when the base film is peeled off. .
[0050]
In the twenty-first aspect, the release layer is effectively formed in close contact with the insulating layer by performing a heat treatment.
[0051]
A twenty-second aspect of the present invention is the laminate film according to the twenty-first aspect, wherein the release layer is transferred onto one surface of the insulating layer continuously or intermittently. .
[0052]
In the twenty-second aspect, the release layer is formed on the insulating layer of the flexible printed wiring board for COF continuously or in an intermittent island shape, and functions effectively.
[0053]
The release layer transfer film of the present invention comprises a release layer formed on an insulating layer which is a material of a flexible printed wiring board for COF, and a transfer film and a transfer film provided on one surface of the transfer film. And a release layer.
[0054]
Here, the transfer film is not particularly limited as long as it can effectively transfer the transfer release layer to the insulating layer of the flexible printed wiring board for COF as a release layer. At the time of transfer, a transfer release layer is brought into close contact with the insulating layer, and a heat treatment is performed as necessary. Therefore, it is sufficient that the transfer layer has strength and heat resistance that can withstand such transfer treatment. As a material of the transfer film, for example, a plastic film can be used, and examples thereof include a film made of PET (polyethylene terephthalate), PI (polyimide), and a liquid crystal polymer. The thickness of such a transfer film is, for example, 15 to 100 μm, or preferably 20 to 75 μm.
[0055]
The transfer release layer provided on one surface of such a transfer film has a release property such that it does not adhere to a heating tool when mounting a semiconductor chip, and does not thermally fuse by such heating. The material may be any of an organic material and an inorganic material. For example, it is preferable to use a silicone release agent, an epoxy release agent, a fluorine release agent, or the like.
[0056]
Such a transfer release layer is preferably made of a silicone-based compound, an epoxy-based compound, or a fluorine-based compound. In particular, a silicone-based compound, that is, a siloxane bond (Si-O-Si bond) is used. It is preferable to form a compound having the same. This is because the transfer release layer made of a silicone-based compound can be formed relatively easily, and even when transferred to the semiconductor device mounting surface, it is unlikely to adversely affect the adhesiveness of the mold resin after mounting the semiconductor chip.
[0057]
Here, the silicone-based compound, that is, the release agent for forming the transfer release layer made of a compound having a siloxane bond includes a silicone-based release agent. It contains at least one selected from siloxane compounds such as siloxane.
[0058]
As a preferable release agent, it is preferable to use a compound that changes to a silicone compound by a reaction after coating, that is, a release agent containing a silane compound such as monosilane, disilane, trisilane, or a silica sol compound.
[0059]
Further, as a particularly preferable release agent, an alkoxysilane compound which is a kind of a silane compound, or a silazane compound such as hexamethyldisilazane or perhydropolysilazane having a Si-NH-Si structure which is a precursor of a siloxane bond is used. Release agents contained therein. These become compounds having a siloxane bond by being applied or reacting with moisture or the like in the air after being applied. For example, in the case of a silazane compound, a state in which the Si—NH—Si structure remains It may be.
[0060]
As described above, a release layer composed of a silicone-based compound formed by a reaction after the release agent is applied is particularly preferable.
[0061]
Such various release agents generally contain an organic solvent as a solvent, but an aqueous solution type or an emulsion type may be used.
[0062]
Specific examples thereof include silicone oil containing dimethylsiloxane as a main component, methyltri (methylethylketoxime) silane, toluene, and silicone resin SR2411 (product name: Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd.) containing ligroin, silazane, Examples include silicone resin SEPA-COAT (product name: manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) containing synthetic isoparaffin and ethyl acetate as components. Moreover, Colcoat SP-2014S (trade name: manufactured by Colcoat Co., Ltd.) containing a silane compound can be exemplified. Further, examples of the release agent containing silica sol include Colcoat P, N-103X (trade name: manufactured by Colcoat). The particle size of the silica contained in the silica sol is, for example, 0.005 to 0.008 μm [50 to 80 ° (angstrom)].
[0063]
Here, a silicone-based compound is used as a release agent containing a silazane compound in terms of the effect of having a releasing property of not adhering to a heating tool at the time of mounting a semiconductor chip and of being effective in preventing heat fusion by such heating. It is particularly preferable to provide a transfer release layer made of An example of such a release agent containing a silazane compound is a silicone resin SEPA-COAT (trade name: manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) containing silazane, synthetic isoparaffin, and ethyl acetate as components.
[0064]
The method for forming such a transfer release layer on one surface of the transfer film is not particularly limited, and examples thereof include a coating method and a transfer method. In the coating method, a release agent or a solution thereof is applied on one surface of a transfer film by spraying, dipping, roller coating, or the like, and is subjected to a heat treatment to form a transfer release layer. Also, when the transfer release layer is formed by a transfer method, heat treatment may be performed. The thickness of the transfer release layer is, for example, 0.05 to 0.5 μm, and preferably 0.1 to 0.3 μm. Further, the transfer release layer does not necessarily need to be provided uniformly on the whole, and may be provided in an island shape at intervals. Furthermore, the release layer for transfer may not necessarily be able to transfer the release layer entirely on the surface of the insulating layer by the release agent transfer film tape provided on the entire surface of one side of the transfer film. It is sufficient that the image can be transferred in an intermittent or intermittent island shape. This means that if an island-shaped release layer is formed on the surface of the insulating layer, it is possible to reliably prevent direct contact between the heating tool and the insulating layer, and effective heat fusion between the heating tool and the insulating layer is effective. This is because it can be prevented.
[0065]
In the present invention, an adhesive layer may be provided on one surface of the transfer film, that is, between the transfer film and the transfer release layer. Examples of the material of such an adhesive layer include resin materials such as acrylic, rubber, and epoxy. The thickness of the adhesive layer is, for example, 3 to 25 μm, and preferably 5 to 15 μm. As a method for forming such an adhesive layer, for example, a method of applying by spraying, dipping, or roller coating may be mentioned.
[0066]
Here, the transfer release layer described above is transferred onto the surface of the insulating layer opposite to the conductor layer, that is, the surface opposite to the side on which the semiconductor chip (IC) is mounted. Pressure may be applied, heating may be performed together with the pressurization, or only heating may be performed. For example, the transfer conditions at this time include a heating temperature of 15 to 200 ° C. and a load of 5 to 50 kg / cm by a roller or a press. ² And the processing time is preferably 0.1 second to 2 hours.
[0067]
Further, in order to prevent the separation between the insulating layer and the release layer, the bonding strength between the two may be increased by a heat treatment or the like after the transfer. The heating conditions at this time are, for example, a heating temperature of 50 to 200 ° C., preferably 100 to 200 ° C., and a heating time of 1 to 120 minutes, preferably 30 to 120 minutes.
[0068]
Such a release layer may be provided before the semiconductor mounting, and may be provided in advance on an insulating layer on which no conductor layer is provided, or may be provided simultaneously with the provision of the conductor layer. . Of course, the release layer does not necessarily need to be transferred and provided before patterning the conductor layer, and may be provided after patterning the conductor layer.
[0069]
For example, when the conductive layer is provided on an insulating layer where the conductive layer is not provided, the transfer method is suitable. Further, when the release layer is provided by the transfer method at an initial stage of the manufacturing process, the transfer film on which the release layer is formed is used as a reinforcing film without peeling, and the transfer film may be peeled in the final step. Good. As described above, by using the release layer transfer film as the reinforcing film, the tape transport strength in the manufacturing process of the flexible printed wiring board for COF can be increased.
[0070]
Such a flexible printed wiring board for COF has a conductor layer and an insulating layer. As a COF laminated film of a conductor layer and an insulating layer used in such a flexible printed wiring board for COF, an insulating film such as a polyimide film is sputtered with an adhesion reinforcing layer of nickel or the like, and then subjected to copper plating. Films may be mentioned. In addition, as a laminated film for COF, there are a casting type in which a polyimide film is laminated on a copper foil by a coating method, and a thermocompression bonding type in which an insulating film is thermocompression-bonded to a copper foil through a thermoplastic resin or a thermosetting resin. A laminated film can be mentioned. In the present invention, any of them may be used.
[0071]
Here, the flexible printed wiring board for COF is used by mounting a semiconductor chip. At this time, the mounting method is not particularly limited. For example, a COF flexible printed wiring board is positioned and arranged on a semiconductor chip mounted on a chip stage, and a heating tool is pressed against the COF flexible printed wiring board to press the semiconductor chip. Mount the chip. At this time, the heating tool is heated to at least 200 ° C. or more, and in some cases 350 ° C. or more. However, since the release layer is formed on the insulating layer, there is a possibility that heat fusion may occur between the two. There is an effect that there is no.
[0072]
Further, in the release layer transfer film of the present invention, a release film that can be peeled off from the transfer release layer may be provided on the surface of the transfer release layer described above. This release film has a role of protecting the surface of the transfer release layer.
[0073]
In any case, the release layer transfer film of the present invention is obtained by peeling off the transfer film before mounting the semiconductor chip, so that the insulating layer is opposite to the conductor layer, that is, opposite to the semiconductor chip mounting side. There is no particular limitation as long as the release layer can be transferred onto the side surface.
[0074]
Further, the laminated film of the present invention is a base film, a release layer formed by a release agent containing at least one selected from a silane compound and a silica sol on the surface of the base film; An insulating layer provided on the surface of the layer opposite to the base film and serving as a material for a flexible printed wiring board for COF.
[0075]
Further, such a laminated film is not limited to these base film, release layer, and three-layer type laminated film of the insulating layer, for example, the surface of the insulating layer opposite to the substrate film side It may be a four-layer type laminated film provided with a conductor layer thereon, or a five-layer type laminated film provided with an adhesive layer that can be peeled off only from the release layer between the base film and the release layer. .
[0076]
Further, when such a laminated film of the present invention is used, at least a release layer can be left on the insulating layer by peeling the base film before mounting the semiconductor chip on the flexible printed wiring board for COF. . At this time, after performing the heat treatment, the release layer can be more effectively transferred onto the surface of the insulating layer by peeling the base film.
[0077]
And, such a release layer, like the release layer transfer film described above, may not necessarily be able to transfer everything provided on the surface of the base film, at least one surface of the insulating layer The image may be transferred continuously or in an intermittent island shape.
[0078]
Further, such a laminated film of the present invention may be obtained by forming an insulating layer on the surface of the transfer release layer of the above-described release layer transfer film, or by further forming a conductor layer on the surface of the insulating layer. Or by attaching two layers of an insulating layer and a conductive layer, or by attaching a two-layer type laminated film of an insulating layer and a conductive layer. it can. Or, conversely, after forming a release layer on one surface of the insulating layer, it may be manufactured by forming at least a base film on the surface of the release layer.
[0079]
According to such a laminated film of the present invention, at least before mounting the semiconductor chip, the base film is peeled off, and the release layer is formed on the insulating layer. There is no direct contact with the tool, and heat fusion and the like are reliably prevented.
[0080]
According to such a laminated film, if the manufacturing process of the flexible printed wiring board for COF is performed without peeling the base film, the base tape is adhered to the insulating layer at the time of manufacturing. Acts as a reinforcing film. Therefore, in such a case, there is an effect that a desired tape transport strength can be ensured during manufacturing.
[0081]
In any case, the laminated film of the present invention is obtained by peeling the base film before mounting the semiconductor chip, so that the insulating layer is on the side opposite to the conductor layer, that is, on the surface opposite to the side on which the semiconductor chip is mounted. There is no particular limitation as long as a release layer can be formed on the substrate.
[0082]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, a release layer transfer film according to an embodiment of the present invention will be described based on examples. FIG. 1 shows a release layer transfer film according to one embodiment.
[0083]
As shown in FIGS. 1A and 1B, the release layer transfer film 1 of the present embodiment forms a release agent on an insulating layer which is a material of a flexible printed wiring board for COF. The transfer film 2 includes a transfer film 2 and a transfer release layer 3 provided on one surface of the transfer film 2.
[0084]
The transfer release layer 3 may be provided on the entire surface on one surface of the transfer film 2, or may be provided in a continuous or intermittent island shape. For example, when transferring to a COF film carrier tape, a continuous or intermittent island shape corresponding to a region between sprocket holes to be described later or a region where a semiconductor chip (IC) is mounted in a later process. It may be provided. That is, the formation area of the transfer release layer 3 of the transfer film 2 is arbitrarily set corresponding to the area where the semiconductor chip of the COF film carrier tape to which the transfer release layer 3 is transferred is mounted. Just set it. For example, in the case of a multi-layered film carrier tape, a release agent is applied on the surface of a long transfer film at predetermined intervals in the width direction using two application rollers, May be provided continuously over the longitudinal direction. Alternatively, at a predetermined interval in the longitudinal direction of the transfer film, for example, intermittently at the same interval as the mounting interval of the semiconductor chip, and with the same area as the projected area of the semiconductor chip to the insulating layer, the release layer It may be provided in an island shape. For example, in the present embodiment, the transfer release layer 3 is provided on the entire surface of the transfer film 2. Further, such a transfer release layer 3 is provided by applying a release agent on one surface of the transfer film 2. The thickness of the transfer release layer 3 is, for example, 0.05 to 1 μm, and preferably 0.1 to 0.5 μm. As will be described later in detail, such a transfer release layer 3 is transferred onto the surface of the insulating layer to become a release layer, and the heat release of the insulating layer to a heating tool when mounting a semiconductor chip is prevented. It effectively prevents it.
[0085]
The release layer transfer film 1 described above is used to transfer the release layer to the insulating layer constituting the COF flexible printed wiring board at least before mounting the semiconductor chip on the COF flexible printed wiring board. .
[0086]
Here, a COF film carrier tape as shown in FIG. 2 will be described as an example of such a flexible printed wiring board for COF, but it goes without saying that the same can be applied to an FPC for COF. FIG. 2 shows a COF film carrier tape 20 according to one embodiment.
[0087]
As shown in FIGS. 2A and 2B, the COF film carrier tape 20 of the present embodiment uses a COF laminated film 10 including a conductor layer 11 made of a copper layer and an insulating layer 12 made of a polyimide film. It has a wiring pattern 21 in which the conductor layer 11 is patterned, and sprocket holes 22 provided on both sides of the wiring pattern 21 in the width direction. The wiring pattern 21 is provided continuously on the surface of the insulating layer 12. Further, on the wiring pattern 21, there is a solder resist layer 23 formed by applying a solder resist material coating solution by a screen printing method. The wiring pattern may be formed on both sides of the insulating layer (2-metal COF film carrier tape). In this case, a release agent is applied only to a region where the heating tool contacts, or a release agent for transfer is used. The release layer may be formed by transferring the mold layer.
[0088]
Here, as the conductor layer 11, aluminum, gold, silver, or the like can be used in addition to copper, but a copper layer is generally used. Further, as the copper layer, any of a copper layer formed by vapor deposition or plating, an electrolytic copper foil, a rolled copper foil, and the like can be used. The thickness of the conductor layer 11 is generally 1 to 70 μm, preferably 5 to 35 μm.
[0089]
On the other hand, as the insulating layer 12, in addition to polyimide, polyester, polyamide, polyethersulfone, a liquid crystal polymer, or the like can be used. The insulating layer 12 is obtained by polymerization of pyromellitic dianhydride and 4,4′-diaminodiphenyl ether. It is preferable to use wholly aromatic polyimide. In addition, the thickness of the insulating layer 12 is generally 12.5 to 125 μm, preferably 12.5 to 75 μm, and more preferably 12.5 to 50 μm.
[0090]
Here, the laminated film for COF is formed, for example, by applying a polyimide precursor resin composition containing a polyimide precursor or a varnish on the conductor layer 11 made of a copper foil to form a coating layer, and drying and winding the solvent. Then, the insulating layer 12 is formed by heat treatment in a curing furnace purged with oxygen and imidization to form the insulating layer 12, but of course, the present invention is not limited to this.
[0091]
Then, on the surface of the insulating layer 12 opposite to the wiring pattern 21 side, the transfer release layer 3 is transferred by the above-described release layer transfer film 1, and the release layer 13 is formed. ing.
[0092]
Such a COF film carrier tape 20 is used, for example, in a process of mounting a semiconductor chip or mounting an electronic component on a printed circuit board while being conveyed, and is COF mounted. Is 50% or more, the wiring pattern 21 (for example, inner lead) can be image-recognized by the CCD or the like from the insulating layer 12 side, and furthermore, the wiring pattern 21 of a semiconductor chip or a printed board to be mounted can be recognized. Therefore, mutual alignment can be favorably performed by image processing, and electronic components can be mounted with high accuracy.
[0093]
Next, a method for manufacturing the above-described COF film carrier tape 20 will be described with reference to FIGS. FIG. 3 is a diagram showing an example of a laminated film and a laminated film for COF according to an embodiment of the present invention, and a method for producing them, and FIG. 4 is a diagram illustrating one method for producing a COF film carrier tape. It is.
[0094]
Here, in this embodiment, as shown in FIG. 3, after forming the laminated film 100 and the laminated film for COF 10, a COF film carrier tape is manufactured using the laminated film 10 for COF.
[0095]
Specifically, the laminated film for COF is formed by first applying a polyimide precursor resin composition containing a polyimide precursor or a varnish onto a conductor layer 11 made of copper foil (FIG. 3A). Is formed (FIG. 3B), and the solvent is dried and wound up. Next, heat treatment is performed in a curing furnace, and imidization is performed to form an insulating layer 12 (FIG. 3C). Next, the transfer release layer 3 formed on the transfer film 2 serving as the base film is brought into close contact with the insulating layer 12 on the side opposite to the conductor layer 11 to manufacture the laminated film 100 (FIG. 3 (d)). )). As shown in FIG. 3D, the laminated film 100 includes a transfer film 2 (base film), a transfer release layer 3 (release layer 13), an insulating layer 12, and a conductor layer 11. Be composed. Then, after such a laminated film 100 is subjected to a heat treatment, the transfer film 2 is peeled off to obtain a COF laminated film 10 having a release layer 13 on the surface of the insulating layer 12 opposite to the conductor layer 11 side. (FIG. 3E).
[0096]
Here, the transfer conditions include, for example, a heating temperature of 15 to 200 ° C. and a load of 5 to 50 kg / cm by a roller or a press. ² And the processing time is preferably 0.1 second to 2 hours. The heating conditions include, for example, a heating temperature of 50 to 200 ° C., preferably 100 to 200 ° C., and a heating time of 1 to 120 minutes, preferably 30 to 120 minutes. Here, examples of the material of the transfer film 2 include PET (polyethylene terephthalate), PI (polyimide), and liquid crystal polymer. The thickness of such a transfer film 2 is, for example, 15 to 100 μm, or preferably 20 to 75 μm.
[0097]
Next, a sprocket hole 22 as shown in FIG. 4B is formed by penetrating the COF laminated film 10 including the conductor layer 11 and the insulating layer 12 as shown in FIG. 4A by punching or the like. . The sprocket holes 22 may be formed on the front surface of the insulating layer 12, or may be formed on the back surface of the insulating layer 12. Next, as shown in FIG. 4C, for example, using a general photolithography method, a negative photoresist material coating solution is applied over the region where the wiring pattern 21 is formed on the conductor layer 11. The coating is performed to form a photoresist material coating layer 30. Of course, a positive photoresist material may be used. Further, after positioning the insulating layer 12 by inserting a positioning pin into the sprocket hole 22, the photoresist material coating layer 30 is patterned by exposing and developing through the photomask 31 to obtain a pattern shown in FIG. A resist pattern 32 for a wiring pattern as shown in d) is formed. Next, by using the resist pattern for wiring pattern 32 as a mask pattern and dissolving and removing the conductive layer 11 with an etchant, the resist pattern for wiring pattern 32 is dissolved and removed with an alkaline solution or the like to obtain FIG. The wiring pattern 21 is formed as shown in FIG. Subsequently, if necessary, a plating process such as tin plating is performed on the entire wiring pattern 21, and then, as shown in FIG. 4F, a solder resist layer 23 is formed using, for example, a screen printing method. Then, a metal plating layer is applied to the inner leads and the outer leads that are not covered with the solder resist layer 23 as necessary. The metal plating layer is not particularly limited, and may be appropriately provided depending on the application, and tin plating, tin alloy plating, nickel plating, gold plating, gold alloy plating, or the like is applied.
[0098]
In the embodiment described above, the release layer 13 is formed before the sprocket holes 22 are formed, but is not limited thereto, and may be formed before the conductor layer 12 of the COF laminated film 10 is patterned. It may be performed after dissolving and removing the wiring pattern resist pattern 32 with an alkaline solution or the like and before providing the solder resist layer 23. Alternatively, the release layer 13 may be formed at the end of the solder resist manufacturing process after the solder resist layer 23 is provided. When the release layer 13 is formed in this manner, the release layer 13 is not exposed to an etching solution, a photoresist stripping solution, or the like, and thus has an advantage that the release effect is high. Here, the end of the manufacturing process means before the product inspection process.
[0099]
As described above, the release layer of the present invention is preferably formed after the photolithography step for forming the wiring pattern 21 and before bonding to the semiconductor chip. This is because the release layer may be dissolved in the photoresist layer peeling step. Therefore, it is preferable to provide a release layer immediately after the completion of the photoresist step, after the plating process, and further after the formation of the solder resist layer 23. Of course, it may be performed before the photolithography step.
[0100]
Further, if the release layer 13 is provided in advance on the COF laminated film 10 as in the present embodiment, the desired tape transport strength can be secured when the COF film carrier tape 20 is manufactured. There is also. In the present embodiment, the transfer film 2 as the base material is peeled off to obtain the COF laminated film 10, but the present invention is not limited to this, and the release layer transfer film 1 is pasted on the COF laminated film 10 in advance. Then, each manufacturing process may be performed without peeling the transfer film 2 as it is, and the transfer film 2 may be peeled off at the end of the manufacturing process. As a result, sufficient tape transport strength can be ensured.
[0101]
Further, in the present invention, the transfer release layer 3 is provided on one surface of the transfer film 2 as described above, but as shown in FIG. 5, the transfer release layer 3 and the transfer release layer 3A are formed as shown in FIG. An adhesive layer 4 may be provided between them. The release layer transfer film 1A shown in FIG. 5 is formed, for example, by applying an adhesive having a thickness of about 3 to 25 μm on one surface of a transfer film 2 made of polyethylene terephthalate (PET) or the like. An adhesive layer 4 that can be separated from only the release layer 3A is formed (FIG. 5A). Next, a release agent is applied onto the surface of the adhesive layer 4 to form a transfer release layer 3A (FIG. 5B). Then, the release layer transfer film 1A having such a configuration is configured such that the transfer release layer 3A formed on the transfer film 2 serving as the base film via the adhesive layer 4 is connected to the conductor layer 11 of the insulating layer 12. Then, the laminated film 100A is manufactured by closely contacting the opposite side (FIG. 5C). As shown in FIG. 5C, the laminated film 100A includes a transfer film 2 (base film), an adhesive layer 4, a transfer release layer 3A (release layer 13A), and an insulating layer 12A. , And the conductor layer 11. After the heat treatment of such a laminated film 100A, the transfer film 2 is peeled off to produce a COF laminated film 10A having a release layer 13A on the surface of the insulating layer 12 opposite to the conductor layer 11 side. (FIG. 5D). At this time, since the adhesive layer 4 is adhered to the transfer film 2 but is releasable from the release layer 13A, the adhesive layer 4 is peeled off when the transfer film 2 is peeled off. Note that the transfer conditions here are the same as those described above, and are not particularly limited. The transfer film 2 may be peeled off before or after the production process of the COF film carrier tape. As described above, if the transfer film 2 is peeled off after the manufacturing process, a desired transport strength can be secured. Further, even when the film is peeled off before the manufacturing process, since the release layer 13A is formed in the subsequent manufacturing process, the transport strength of the COF laminated film 10A can be sufficiently ensured.
[0102]
In any case, the release layer transfer film and the laminated film according to the present invention are not limited to those having the above-described configuration, and at least before the semiconductor chip is mounted, the transfer film or the base film is peeled off, and described later. A mold release layer made of a specific silicone compound can be formed on the surface of the insulating layer opposite to the side on which the semiconductor chip is mounted, corresponding to the area between the heating tool and the insulating layer. I just need.
[0103]
Here, in the present invention, the COF film carrier tape 20 manufactured as described above is manufactured by mounting the semiconductor chip 30 as shown in FIGS. 6A and 6B. That is, the semiconductor chip 30 is placed on the chip stage 41 and the COF film carrier tape 20 is transported. In this state, after being positioned at a predetermined position, the upper clamper 42 is lowered and the lower clamper 43 is raised to fix the COF film carrier tape 20. In this state, the heating tool 45 is lowered to press the tape and heat the tape. Then, the inner leads of the COF film carrier tape 20 are further pressed down to the bumps 31 of the semiconductor chip 30 for a predetermined time to join them. After joining, resin sealing is performed to obtain a semiconductor device.
[0104]
The temperature of the heating tool 45 is 200 ° C. or higher, preferably 350 ° C. or higher, although it varies depending on conditions such as pressing time and pressure. According to the present invention, even when the temperature of the heating tool 45 is increased, the release layer 13 is provided on the contact surface of the COF film carrier tape 20 with the heating tool 45. I can't. That is, according to the present invention, the temperature of the bonding conditions can be sufficiently increased, so that sufficient bonding strength can be ensured. Conversely, to obtain a fixed bonding strength, the heating time is increased to shorten the crimping time. There is an advantage that can be.
[0105]
(Example 1)
First, a silicone release agent is applied on one surface of a transfer film made of a PET film having a thickness of 50 μm by a coating method, and a transfer release layer made of a silicone compound containing silane having a thickness of 0.1 μm is formed. The formed release layer transfer film was prepared. Next, a polyimide layer having a thickness of 40 μm is formed as an insulating layer on the ultra-low roughness copper foil having a thickness of 9 μm as a conductor layer by a coating method, and a surface of the insulating layer opposite to the conductor layer is further formed. A release layer composed of a transfer release layer having a thickness of 0.1 μm was provided on the release film by the transfer method using the above-described release layer transfer film, to obtain a COF laminated film of the example. After transfer of the release layer made of the silicone-based compound, heat treatment was performed at 120 ° C.
[0106]
(Example 2)
A laminated film for COF of Example 2 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the heat treatment was not performed after transferring the release layer made of the silicone compound.
[0107]
(Example 3)
In Example 1, the release layer for transfer was formed using SEPA-COAT (trade name: manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) containing a silazane compound as a release agent for forming a release layer made of a silicone-based compound. A release film was prepared in the same manner as in Example 3 except that a release layer transfer film was prepared, and the release layer was transferred onto the surface of the insulating layer by the release layer transfer film.
[0108]
(Example 4)
In the same manner as in Example 1, except that Colcoat P containing silica sol (trade name: Colcoat Co., Ltd.) was used as a release agent for forming a release layer composed of a silicone-based compound, a release layer for transfer was formed. A mold layer transfer film was prepared. When transferring using the release layer transfer film, the film is heated at 120 ° C. and transferred at 20 kg / cm. ² And a hot press for 30 minutes to form a release layer composed of a release layer for transfer to obtain a laminated film for COF of Example 4.
[0109]
(Comparative Example 1)
A laminated film for COF was prepared in the same manner as in Example 1 except that the release layer was not provided.
[0110]
(Test Example 1)
The conductor layers of the laminated films for COF of Examples 1 to 4 and Comparative Example 1 were patterned, and thereafter, the entire wiring pattern was tin-plated, and then a solder resist layer was formed to produce a COF film carrier tape. Using each of these COF film carrier tapes, the semiconductor chip was mounted by pressing against the release layer while changing the temperature of the heating tool in the range of 260 ° C. to 440 ° C., and the adhesion to the heating tool was observed. Table 1 shows the results.
[0111]
[Table 1]

[0112]
As a result, in Comparative Example 1, adhesion occurred when the temperature exceeded 300 ° C., but in Example 2, the adhesion was improved to such an extent that adhesion occurred partially when the temperature exceeded 320 ° C. In No. 4, no adhesion occurred at temperatures exceeding 400 ° C. In Example 2, although there was a difference from Comparative Example 1, the effect was not remarkable, but the heat fusing temperature differs depending on the heating tool, the type of the semiconductor chip to be mounted, the use of the mounted product, and the like. Is about 200 to 350 ° C. in some cases, which is effective in increasing the adhesion temperature.
[0113]
【The invention's effect】
As described above, the release layer transfer film of the present invention can transfer a transfer release layer made of a specific silicone-based compound as a release layer onto the surface of an insulating layer. In this case, the release layer can be easily formed, and the insulating layer does not thermally fuse to the heating tool, thereby improving the reliability and productivity of the semiconductor chip mounting line.
[0114]
Also, with respect to the laminated film of the present invention, the release layer made of a specific silicone compound can be relatively easily formed on the surface of the insulating layer by simply peeling the base film. The same effect as the film for use can be obtained.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a release layer transfer film according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic configuration diagram showing a COF film carrier tape according to an embodiment of the present invention, wherein (a) is a plan view and (b) is a cross-sectional view.
FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating an example of a laminated film and a laminated film for COF according to an embodiment of the present invention, and a method for producing the same.
FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating an example of a method for manufacturing a COF film carrier tape according to an embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating an example of a method for producing a release layer transfer film and a laminated film according to another embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a semiconductor device and a method for manufacturing the same according to an embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
1 Release layer transfer film
2 Transfer film (base film)
3,3A Transfer release layer
10,10A COF laminated film
11 conductor layer
12 Insulating layer
13, 13A Release layer
20 COF film carrier tape
21 Wiring pattern
22 sprocket holes
23 Solder resist layer
30 semiconductor chip
31 Bump
100,100A laminated film

Claims

A release layer transfer film for forming a release layer on an insulating layer serving as a material of a flexible printed wiring board for COF, comprising: a transfer film; and a transfer release provided on one surface of the transfer film. A transfer layer, wherein the transfer release layer is formed of a release agent and is transferable to the insulating layer.

2. The release layer transfer film according to claim 1, wherein the transfer release layer comprises a silicone compound.

The release layer transfer film according to claim 1 or 2, wherein the transfer release layer is formed of a release agent containing at least one selected from a siloxane compound, a silane compound, and a silica sol. .

3. The release layer transfer film according to claim 1, wherein the transfer release layer is formed of a release agent containing at least one selected from a silane compound and a silica sol.

5. The release layer transfer film according to claim 4, wherein the transfer release layer is formed of a release agent containing a silazane compound.

The release layer transfer film according to any one of claims 3 to 5, wherein the transfer release layer is formed by applying a solution of the release agent and performing a heat treatment. .

The release layer transfer film according to any one of claims 1 to 6, wherein the transfer release layer is transferred by being heated after being brought into close contact with the insulating layer.

The release layer transfer according to any one of claims 1 to 7, wherein the transfer release layer is provided continuously or intermittently on one surface of the transfer film. the film.

The release layer transfer film according to any one of claims 1 to 8, wherein the transfer release layer is transferred to the insulating layer continuously or intermittently.

The transfer release layer according to any one of claims 1 to 9, wherein the transfer release layer is provided corresponding to a region where the wiring pattern is present between at least two rows of sprocket holes of the flexible printed wiring board for COF. A release layer transfer film, characterized in that:

11. The release layer according to claim 10, wherein the wiring pattern is formed in at least two rows, and the transfer release layer is provided in multiple rows corresponding to each row of the wiring pattern. Transfer film.

The release according to any one of claims 1 to 11, wherein an adhesive layer that can be peeled off from only the transfer release layer is provided between the transfer film and the transfer release layer. Mold layer transfer film.

The release layer transfer according to any one of claims 1 to 12, wherein the transfer film is used as a reinforcing film by being adhered to the insulating layer in a process of manufacturing the flexible printed wiring board for COF. For film.

The release layer transfer film according to any one of claims 1 to 13, wherein a release film releasable from the transfer release layer is provided on a surface of the transfer release layer. .

A base film, a release layer formed by a release agent containing at least one selected from a silane compound and a silica sol on the surface of the base film, and the release layer opposite to the base film of the release layer. And an insulating layer provided on the side surface and serving as a material of the flexible printed wiring board for COF.

The laminated film according to claim 15, wherein the release layer is formed of a release agent containing a silazane compound.

17. The laminated film according to claim 15, wherein a conductor layer is provided on a surface of the insulating layer opposite to the release layer side. 18.

The laminated film according to any one of claims 15 to 17, wherein an adhesive layer that can be peeled off from only the release layer is provided between the base film and the release layer.

The laminated film according to any one of claims 15 to 18, wherein the base film is adhered to the insulating layer in a process of manufacturing the flexible printed wiring board for COF and used as a reinforcing film.

The laminate according to any one of claims 15 to 19, wherein the release layer is left on the insulating layer by peeling the base film before mounting a semiconductor chip on the flexible printed wiring board for COF. the film.

21. The laminated film according to claim 20, wherein the release layer is transferred to the insulating layer by heat treatment when the base film is peeled off.

22. The laminated film according to claim 21, wherein the release layer is transferred to one surface of the insulating layer continuously or intermittently.