【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造工程において用いられる露光装置で、レチクルパターンをシリコンウエハ上に投影して転写する投影露光装置に関するものであり、その中でも、特にEUV光（Extreme Ultraviolet 極紫外光）である13〜14nm程度の波長の露光光を光源として使用するEUV露光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来例を第７〜８図に示す。
【０００３】
１０１．は励起レーザーで、光源の発光点となる光源材料をガス化、液化、噴霧ガス化させたポイントに向けて照射することにより、光源材料原子をプラズマ励起することにより発光させる為の励起レーザーで、YAG固体レーザー等を用いる。
【０００４】
１０２．は光源発光部で内部は真空に維持された構造を持つ、内部構造を第０８図に示す。
【０００５】
ここで、１０２A．は光源Aで、実際の露光光源の発光ポイントを示す。
【０００６】
１０２Aa．は光源ミラーAaで、１０２A．光源Aからの全球面光を発光方向に揃え集光反射する為に、１０２A．光源A中心に半球面状のミラーとして配置される。
【０００７】
１０２Ab．はXe（液化、噴霧、ガス）で、発光元素として液化Xeあるいは液化Xe噴霧あるいはXeガスを１０２A．光源Aのポイントに突出させる。
【０００８】
１０２Ac．は１０２A．光源Aの発光時にプラズマ励起された部位で不純物及び光源部Xe突出部の１０２Ae．ノズル等から発生する飛散物質（デブリス）で、１０２Aa．光源ミラーAaの反射面に付着し、１０２Ad．飛散物質付着汚染（ミラー面曇り）が発生し、ミラー面の反射率を低下させる。
【０００９】
１０３．は露光装置全体を格納する真空チャンバーで、１０４．真空ポンプにより真空状態を維持することを可能にするチャンバー。
【００１０】
１０５．は１０２．光源発光部からの露光光を導入成形する露光光導入部で、１０５A．〜１０５D．ミラーA〜Dにより構成され、露光光を均質化かつ整形する。
【００１１】
１０６．はレチクルステージで、レチクルステージ上の可動部には、露光パターンの反射原盤である１０６A．原盤が搭載されている。
【００１２】
１０７．は１０６A．原盤から反射した露光パターンを縮小投影する、縮小投影ミラー光学系で、１０７A．〜１０７E．ミラーＡ〜Ｅに順次投影反射し最終的に規定の縮小倍率比で縮小投影される。
【００１３】
１０８．はウエハステージで、１０５A．原盤により反射縮小投影されたパターンを露光するSi基板である１０８A．ウエハを、所定の露光位置に位置決めする為に、XYZ、XY軸回りのチルト、Z軸回りの回転方向の６軸駆動可能に位置決め制御される。
【００１４】
１０９．はレチクルステージ支持体で、１０５．レチクルステージを装置設置床に対して支持する。
【００１５】
１１０．は投影系本体で、１０７．縮小投影ミラー光学系を装置設置床に対して支持する。
【００１６】
１１１．はウエハステージ支持体で、１０８．ウエハステージを装置設置床に対して支持する。
【００１７】
以上の１０９．レチクルステージ支持体と１１０．投影系本体と１１１．ウエハステージ支持体により分離独立して支持された、１０５．レチクルステージと、１０７．縮小投影ミラー光学系間及び１０７．縮小投影ミラー光学系と１０８．ウエハステージと間は、相対位置を位置計測し所定の相対位置に連続して維持制御する手段（不図示）が設けられている。
【００１８】
また、１０９．レチクルステージ支持体と１１０．投影系本体と１１１．ウエハステージ支持体には、装置設置床からの振動を絶縁するマウント（不図示）が設けられている。
【００１９】
以上の構成の露光装置で連続して露光を行う際に、光源部に発生するミラー部劣化を、第０８図に示す。
【００２０】
ここで、１０２．光源発光部の１０２A．光源A部に対して、１０２Ab．Xe（液化、噴霧、ガス）を突出させる１０２Ae．ノズルの近傍及びその周辺に存在する不純物等が１０１．励起レーザーによるアタックと発光時のアタックにより１０２Ac．飛散物質（デブリス）が飛散し、1０２Aa．光源ミラーAaの反射面側に付着し、１０２Ad．飛散物質付着汚染（ミラー面曇り）が発生する。
【００２１】
１０２Ad．飛散物質付着汚染（ミラー面曇り）が発生することにより、結果として露光光量ダウンにつながり、適正な露光量の露光光が１０５A．原盤に到達せず、適正な露光条件でのパターン露光が出来なくなった。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明では複数の発光光源部を設け、従来例の問題である、飛散物質付着汚染（ミラー面曇り）が発生することにより、結果として露光光量ダウンにつながり、適正な露光量の露光光が原盤に到達せず、適正な露光条件でのパターン露光が出来なくなった際に、複数の発光光源部あるいは光源部集光ミラーを切り換えることにより、適正な露光量に速やかに戻す。
【００２３】
【発明の実施の形態】
（実施例）
以下に本発明の実施例を説明する。
【００２４】
第01〜06図に、本実施例及び他の実施例を示す。
【００２５】
１．は励起レーザーで、光源の発光点となる光源材料をガス化、液化、噴霧ガス化させたポイントに向けて照射することにより、光源材料原子をプラズマ励起することにより発光させる為の励起レーザーで、YAG固体レーザー等を用いる。
【００２６】
２．は光源発光部で内部は真空に維持された構造を持つ、光源発光部の内部構造を第０２図に示す。
【００２７】
ここで、２A．は光源Aで、実際の露光光源の発光ポイントを示す。
【００２８】
２Aa．は光源ミラーAaで、２A．光源Aからの全球面光を発光方向に揃え集光反射する為に、２A．光源A中心に半球面状のミラーとして配置される。
【００２９】
２Ab．はXe（液化、噴霧、ガス）で、発光元素として液化Xeあるいは液化Xe噴霧あるいはXeガスを２A．光源Aのポイントに突出させる。
【００３０】
２Ac．は２A．光源Aの発光時にプラズマ励起された部位で不純物及び光源部Xe突出部の２Ae．ノズル等から発生する飛散物質（デブリス）で、２Aa．光源ミラーAaの反射面に付着し、２Ad．飛散物質付着汚染（ミラー面曇り）が発生し、ミラー面の反射率を低下させる。
【００３１】
2B．は光源Bで、2A．光源と同一構成で2C．光源切り換えミラーに対して互いに光軸が直交するように配置されている。
【００３２】
2C．光源切り換えミラーが図示矢印方向に回転することにより、両光源を切り換えることが出来る。
【００３３】
３．は露光装置全体を格納する真空チャンバーで、４．真空ポンプにより真空状態を維持することを可能にするチャンバー。
【００３４】
５．は２．光源発光部からの露光光を導入成形する露光光導入部で、５A．〜５D．ミラーA〜Dにより構成され、露光光を均質化かつ整形する。
【００３５】
６．はレチクルステージで、レチクルステージ上の可動部には、露光パターンの反射原盤である６A．原盤が搭載されている。
【００３６】
７．は６A．原盤から反射した露光パターンを縮小投影する、縮小投影ミラー光学系で、７A．〜７E．ミラーＡ〜Ｅに順次投影反射し最終的に規定の縮小倍率比で縮小投影される。
【００３７】
８．はウエハステージで、５A．原盤により反射縮小投影されたパターンを露光するSi基板である８A．ウエハを、所定の露光位置に位置決めする為に、XYZ、XY軸回りのチルト、Z軸回りの回転方向の６軸駆動可能に位置決め制御される。
【００３８】
９．はレチクルステージ支持体で、５．レチクルステージを装置設置床に対して支持する。
【００３９】
１０．は投影系本体で、７．縮小投影ミラー光学系を装置設置床に対して支持する。
【００４０】
１１．はウエハステージ支持体で、８．ウエハステージを装置設置床に対して支持する。
【００４１】
以上の９．レチクルステージ支持体と１０．投影系本体と１１．ウエハステージ支持体により分離独立して支持された、５．レチクルステージと、７．縮小投影ミラー光学系間及び７．縮小投影ミラー光学系と８．ウエハステージと間は、相対位置を位置計測し所定の相対位置に連続して維持制御する手段（不図示）が設けられている。
【００４２】
また、９．レチクルステージ支持体と１０．投影系本体と１１．ウエハステージ支持体には、装置設置床からの振動を絶縁するマウント（不図示）が設けられている。
【００４３】
以上の構成の露光装置で連続して露光を行う際に、光源部に発生するミラー部劣化を、第０２図（２）に示す。
【００４４】
ここで、２．光源発光部の２A．光源A部に対して、２Ab．Xe（液化、噴霧、ガス）を突出させる２Ae．ノズルの近傍及びその周辺に存在する不純物等が１．励起レーザーによるアタックと発光時のアタックにより２Ac．飛散物質（デブリス）が飛散し、２Aa．光源ミラーAaの反射面側に付着し、２Ad．飛散物質付着汚染（ミラー面曇り）が発生する。
【００４５】
２Ad．飛散物質付着汚染（ミラー面曇り）が発生することにより、結果として露光光量ダウンにつながり、適正な露光量の露光光が５A．原盤に到達せず、適正な露光条件でのパターン露光が出来なくなる。
【００４６】
このような状態になった時に、適正な露光量でなくなったことを検出する露光量モニター（不図示）からの情報により、２C．光源切り換えミラーを回転させ、第０２図（１）に示す実線位置から破線位置に移動位置決めする。
【００４７】
２C．光源切り換えミラーの移動により、２A．光源Aから２B．光源Bからの露光光に切り換え、適正な露光量に戻し露光装置を連続運転する。
【００４８】
２A．光源Aは、汚染ミラーをメンテナンスする為に、回収交換しておくことにより。次に２B．光源Bが劣化した際には、２C．光源切り換えミラーを逆の動作で移動させ、２A．光源Aに切り換える。
【００４９】
（他の実施例１）
他の実施例を、第03図に示す。
【００５０】
ここで、２．光源発光部の複数光源である２D．光源Dと２E．光源Eを、１．励起レーザーからの複数の出射位置に対して、略平行位置に並べて設ける。
【００５１】
その際、光源間の切り換えを、２Ｄ．光源Ｄを使用する際には、２Ｆ．光源切り換えミラーを図示破線位置にすることにより使用し、２Ｅ．光源Ｅを使用するには、２Ｆ．光源切り換えミラーを実線位置に退避させ、５．露光光導入部の第１ミラーである５Ａ．ミラーＡを用いる。
【００５２】
この様に、光源の切り換えを、５．露光光導入部に設けられる、１段目のミラーである５Ａ．ミラーＡ及び２Ｆ．光源切り換えミラー間で行うことで、光源間のミラー構成枚数を変えずに光源の交換を可能にする。
【００５３】
（他の実施例２）
他の実施例を、第04図に示す。
【００５４】
ここで、２．光源発光部の複数光源である２G．光源Gと２H．光源Hを、１．励起レーザーからの単一出射光軸位置に対して、略平行位置に並べて設ける。
【００５５】
光源間の切り換えをする際には、２G．光源Gと２H．光源Hを図示矢印方向に移動させる２I．光源切り換え手段が設けられ、２I．光源切り換え手段を移動させることにより、２G．光源Gと２H．光源Hをスライド移動させ、１．励起レーザーの出射口に対して切り換える。移動後に、破線位置に退避した２G．光源Gを外しミラー部のメンテナンスを行うことにより、次に２H．光源Hが汚染劣化した際に移動交換することが可能になる。
【００５６】
（他の実施例３）
他の実施例を、第05図（１）（２）に示す。
【００５７】
ここで、２．光源発光部の複数の光源と集光ミラーから成る光源である、２J．光源Jと２K．光源Kと２L．光源Lと２M．光源Mを、１．励起レーザーからの単一出射光軸位置に対して、略平行位置に並べて設ける。また、それら複数の光源は、第05図（２）に示すように、ターレット状の回転板である２N．光源切り換え手段に、回転対称に配置固定されている。
【００５８】
光源間の切り換えをする際には、２N．光源切り換え手段を回転駆動させ、１．励起レーザー光軸位置に対して、２J．光源Jを退避させ２L．光源Lを新たに位置決めする。その後、次の交換の際は、順次２M．光源M、２K．光源Kを新たに位置決めし光源として使用する。
【００５９】
また、第０５図（３）（４）に示す様に、２、光源発光部の２J．光源に対して、集光ミラーのみが複数設けられ、上記ターレット状の回転板に取り付けられた、２Ja〜２Ma．集光ミラーを、2Na．集光ミラー切り換え手段により切り換えることにより、汚染劣化した集光ミラー部を交換し、光源の光量を復元することも可能である。
【００６０】
（他の実施例４）
他の実施例を、第06図に示す。
【００６１】
前記実施例では、光源元素のXe (液化、噴霧、ガス化)の励起手段として、励起レーザー（YAG固体レーザー等）を用いてプラズマ励起していたが、他の実施例として電極放電励起方式がある。
【００６２】
ここで、２P．光源Pの位置を挟む構造で、2Ra．放電電極aと２Rb．放電電極bが設けられ、これらの電極間で高圧電位差による放電を発生させ、封入された光源元素である２Q．Xeガスを励起発光させる。
【００６３】
このような、放電管方式の光源に関しても、複数の光源を設け、２P．光源Pと２T．光源Tを切り換えることにより、汚染劣化した光源を交換することが可能になる。
【００６４】
もちろん、放電管方式の光源に関しても、前記実施例１）〜４）の交換方法に対して適用可能となる。
【００６５】
【発明の効果】
本発明により、複数の発光光源部を設け、適正な露光光量が得られなくなった際に、自動的に発光光源部を切り換えることにより、適正な露光量に速やかに復元し、露光装置を光源のメンテナンスで停止させることなく連続稼動させることにより、高生産性でかつ高精度の露光が可能な露光装置を提供出来る効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施例に示す露光装置全体図。
【図２】本実施例に示す光源部詳細図。
【図３】他実施例に示す露光装置全体図。
【図４】他実施例に示す露光装置全体図。
【図５】他実施例に示す露光装置全体図。
【図６】他実施例に示す光源部詳細図。
【図７】従来例に示す露光装置全体図。
【図８】従来例に示す光源部詳細図。
【符号の説明】
１ 励起レーザー
２ 光源発光部
２A 光源A
２Aa 光源ミラーAa
２Ab Xe（液化、噴霧、ガス）
２Ac 飛散物質（デブリス）
２Ad 飛散物質付着汚染（ミラー曇り）
２B 光源B
２C 光源切り換えミラー
２D 光源D
２E 光源E
２F 光源切り換えミラー
２G 光源G
２H 光源H
２I 光源切り換え手段
２J 光源J
２Ja 集光ミラー
２K 光源K
２Ka 集光ミラー
２L 光源L
２La 集光ミラー
２M 光源M
２Ma 集光ミラー
２N 光源切り換え手段
２Na 集光ミラー切り換え手段
２P 光源P
２Q Xeガス
２Ra 放電電極a
２Rb 放電電極b
２S 光源ミラーS
２T 光源T
３ 真空チャンバー
４ 真空ポンプ
５ 露光光導入部
５A ミラーA
５B ミラーB
５C ミラーC
５D ミラーD
６ レチクルステージ
６A 原盤
７ 縮小投影ミラー光学系
７A ミラーA
７B ミラーB
７C ミラーC
７D ミラーD
７E ミラーE
８ ウエハステージ
８A ウエハ
９ レチクルステージ支持体
１０ 露光装置本体
１１ ウエハステージ支持体
（従来例）
１０１ 励起レーザー
１０２ 光源発光部
１０２A 光源A
１０２Aa 光源ミラーAa
１０２Ab Xe（液化、噴霧、ガス）
１０２Ac 飛散物質（デブリス）
１０２Ad 飛散物質付着汚染（ミラー曇り）
１０３ 真空チャンバー
１０４ 真空ポンプ
１０５ 露光光導入部
１０５A ミラーA
１０５B ミラーB
１０５C ミラーC
１０５D ミラーD
１０６ レチクルステージ
１０６A 原盤
１０７ 縮小投影ミラー光学系
１０７A ミラーA
１０７B ミラーB
１０７C ミラーC
１０７D ミラーD
１０７E ミラーE
１０８ ウエハステージ
１０８A ウエハ
１０９ レチクルステージ支持体
１１０ 露光装置本体
１１１ ウエハステージ支持体[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a projection exposure apparatus for projecting and transferring a reticle pattern onto a silicon wafer, and particularly to EUV light (Extreme Ultraviolet light). The present invention relates to an EUV exposure apparatus that uses exposure light having a wavelength of about 14 nm as a light source.
[0002]
[Prior art]
Conventional examples are shown in FIGS.
[0003]
101. Is an excitation laser that emits light by illuminating the light source material, which is the light emitting point of the light source, to the gasified, liquefied, and spray gasified points, thereby exciting the light source material atoms by plasma to emit light. A YAG solid laser or the like is used.
[0004]
102. Is a light source light emitting portion, the inside of which has a structure maintained in a vacuum. FIG. 08 shows the internal structure.
[0005]
Here, 102A. Denotes a light source A, which indicates an emission point of an actual exposure light source.
[0006]
102Aa. Is a light source mirror Aa, 102A. In order to align the entire spherical light from the light source A in the light emitting direction and converge and reflect the light, 102A. It is arranged as a hemispherical mirror at the center of the light source A.
[0007]
102Ab. Is Xe (liquefaction, spray, gas), and liquefied Xe or liquefied Xe spray or Xe gas is 102 A. Protrude to the point of light source A.
[0008]
102Ac. Is 102A. Impurities and 102 Ae. Scattered substances (debris) generated from nozzles etc., 102 Aa. Attached to the reflection surface of the light source mirror Aa, 102 Ad. Contamination of scattered substances (mirror surface fogging) occurs, which reduces the reflectance of the mirror surface.
[0009]
103. Reference numeral 104 denotes a vacuum chamber for housing the entire exposure apparatus. A chamber that enables a vacuum to be maintained by a vacuum pump.
[0010]
105. Is 102. An exposure light introduction unit for introducing and molding exposure light from a light source light emitting unit. ~ 105D. It is constituted by mirrors A to D, and homogenizes and shapes the exposure light.
[0011]
106. Is a reticle stage, and a movable portion on the reticle stage has a reflective master 106A. The master is mounted.
[0012]
107. Is 106A. A reduction projection mirror optical system for reducing and projecting the exposure pattern reflected from the master, 107A. ~ 107E. The light is sequentially projected and reflected on the mirrors A to E and finally reduced and projected at a specified reduction ratio.
[0013]
108. Is a wafer stage, 105A. 108A which is a Si substrate that exposes a pattern projected and reduced by reflection on the master. In order to position the wafer at a predetermined exposure position, positioning control is performed so that the wafer can be driven in six axes in tilt directions around the XYZ and XY axes and a rotation direction around the Z axis.
[0014]
109. Is a reticle stage support; The reticle stage is supported on the installation floor.
[0015]
110. Is a projection system body; The reduction projection mirror optical system is supported on the floor on which the apparatus is installed.
[0016]
111. Is a wafer stage support; The wafer stage is supported on the installation floor.
[0017]
The above 109. Reticle stage support and 110. Projection system main body and 111. 105. independently supported by a wafer stage support; Reticle stage, 107. 107. between reduction projection mirror optical systems and 107. 108. reduction projection mirror optical system and Means (not shown) for measuring the relative position and continuously maintaining and controlling the relative position at a predetermined relative position is provided between the wafer stage and the wafer stage.
[0018]
109. Reticle stage support and 110. Projection system main body and 111. The wafer stage support is provided with a mount (not shown) for isolating vibration from the apparatus installation floor.
[0019]
FIG. 08 shows the deterioration of the mirror portion which occurs in the light source portion when the exposure apparatus having the above configuration continuously performs exposure.
[0020]
Here, 102. 102A. 102 Ab. Protrude Xe (liquefaction, spray, gas) 102 Ae. 101. Impurities and the like existing near and around the nozzle are 101. 102Ac. Due to the attack by the excitation laser and the attack at the time of light emission. Scattered substances (debris) are scattered, and 102Aa. Attached to the reflection surface side of the light source mirror Aa, 102Ad. Scattered substances adhered contamination (mirror surface fogging) occurs.
[0021]
102Ad. As a result, the amount of exposure light is reduced, and the exposure light having an appropriate amount of exposure is 105A. The pattern could not be exposed under the proper exposure conditions because it did not reach the master.
[0022]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, in the present invention, a plurality of light emitting light sources are provided, and contamination of scattered substances (mirror surface fogging), which is a problem of the conventional example, occurs, and as a result, the exposure light amount is reduced, and When the exposure light with a large amount of exposure does not reach the master disk and pattern exposure cannot be performed under the proper exposure conditions, multiple light source units or light source unit converging mirrors can be switched to achieve the proper exposure. Return to
[0023]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
(Example)
Hereinafter, examples of the present invention will be described.
[0024]
This embodiment and other embodiments are shown in FIGS.
[0025]
1. Is an excitation laser that emits light by illuminating the light source material, which is the light emitting point of the light source, to the gasified, liquefied, and spray gasified points, thereby exciting the light source material atoms by plasma to emit light. A YAG solid laser or the like is used.
[0026]
2. FIG. 02 shows the internal structure of the light source light emitting unit, which has a structure in which the inside is maintained in a vacuum.
[0027]
Here, 2A. Denotes a light source A, which indicates an emission point of an actual exposure light source.
[0028]
2Aa. Is a light source mirror Aa and 2A. In order to align the spherical light from the light source A in the direction of light emission and to collect and reflect the light, 2A. It is arranged as a hemispherical mirror at the center of the light source A.
[0029]
2Ab. Is Xe (liquefaction, spray, gas), and liquefied Xe or liquefied Xe spray or Xe gas is used as a light emitting element at 2A. Protrude to the point of light source A.
[0030]
2Ac. Is 2A. Impurities and 2Ae. Of the light source part Xe protruding part at the part excited by plasma when light source A emits light 2Aa. Scattered substance (debris) generated from nozzles Adhered to the reflection surface of the light source mirror Aa, 2Ad. Contamination of scattered substances (mirror surface fogging) occurs, which reduces the reflectance of the mirror surface.
[0031]
2B. Is light source B, 2A. 2C with the same configuration as the light source. The light source switching mirrors are arranged such that their optical axes are orthogonal to each other.
[0032]
2C. The two light sources can be switched by rotating the light source switching mirror in the direction indicated by the arrow.
[0033]
3. 3. a vacuum chamber for storing the entire exposure apparatus; A chamber that enables a vacuum to be maintained by a vacuum pump.
[0034]
5. Is 2. Exposure light introduction section for introducing and molding exposure light from the light source light emitting section. ~ 5D. It is constituted by mirrors A to D, and homogenizes and shapes the exposure light.
[0035]
6. Denotes a reticle stage, and a movable portion on the reticle stage has a reflection master 6A. The master is mounted.
[0036]
7. Is 6A. 7A. A reduced projection mirror optical system that reduces and projects the exposure pattern reflected from the master. ~ 7E. The light is sequentially projected and reflected on the mirrors A to E and finally reduced and projected at a specified reduction ratio.
[0037]
8. Is a wafer stage, 5A. 8A. This is a Si substrate that exposes the pattern projected and reduced by the master. In order to position the wafer at a predetermined exposure position, positioning control is performed so that the wafer can be driven in six axes in tilt directions around the XYZ and XY axes and a rotation direction around the Z axis.
[0038]
9. Is a reticle stage support; The reticle stage is supported on the installation floor.
[0039]
10. Is a projection system main body; The reduction projection mirror optical system is supported on the floor on which the apparatus is installed.
[0040]
11. Is a wafer stage support; The wafer stage is supported on the installation floor.
[0041]
9 above. 9. reticle stage support and 10. Projection system body and 4. Separately and independently supported by the wafer stage support 6. reticle stage; 6. between reduction projection mirror optics and 7. Reduction projection mirror optical system and Means (not shown) for measuring the relative position and continuously maintaining and controlling the relative position at a predetermined relative position is provided between the wafer stage and the wafer stage.
[0042]
Also, 9. 9. reticle stage support and 10. Projection system body and The wafer stage support is provided with a mount (not shown) for isolating vibration from the apparatus installation floor.
[0043]
FIG. 02 (2) shows the deterioration of the mirror portion which occurs in the light source portion when performing continuous exposure by the exposure apparatus having the above configuration.
[0044]
Here, 2. 2A. 2Ab. XA (liquefaction, spray, gas) 2Ae. The impurities and the like existing near and around the nozzle are: Due to the attack by the excitation laser and the attack at the time of light emission, 2Ac. Scattered substances (debris) are scattered and 2Aa. Attached to the reflection surface side of the light source mirror Aa, 2Ad. Scattered substances adhered contamination (mirror surface fogging) occurs.
[0045]
2Ad. The occurrence of contamination due to scattered substances (mirror surface fogging) results in a reduction in the amount of exposure light. It does not reach the master and pattern exposure under proper exposure conditions becomes impossible.
[0046]
When such a state occurs, information from an exposure monitor (not shown) that detects that the exposure is no longer appropriate is 2C. The light source switching mirror is rotated to move and position from the solid line position shown in FIG. 02 (1) to the broken line position.
[0047]
2C. By moving the light source switching mirror, 2A. Light source A to 2B. Switch to the exposure light from the light source B, return to the appropriate exposure, and operate the exposure device continuously.
[0048]
2A. Light source A can be collected and replaced for maintenance of the contaminated mirror. Next, 2B. When light source B deteriorates, 2C. The light source switching mirror is moved in the reverse operation, and 2A. Switch to light source A.
[0049]
(Other Example 1)
Another embodiment is shown in FIG.
[0050]
Here, 2. 2D. Light source D and 2E. Light source E: A plurality of emission positions from the excitation laser are provided side by side at substantially parallel positions.
[0051]
At this time, switching between the light sources is performed in 2D. When the light source D is used, 2F. The light source switching mirror is used by setting it to the position indicated by the broken line in FIG. To use the light source E, 2F. 4. retract the light source switching mirror to the solid line position; The first mirror 5A. Mirror A is used.
[0052]
As described above, the switching of the light source is performed as described in 5. 5A. A first-stage mirror provided in the exposure light introduction unit. Mirror A and 2F. By performing the operations between the light source switching mirrors, the light sources can be exchanged without changing the number of mirrors between the light sources.
[0053]
(Other Example 2)
Another embodiment is shown in FIG.
[0054]
Here, 2. 2G. Light source G and 2H. Light source H It is provided side by side in a substantially parallel position with respect to the position of a single emission optical axis from the excitation laser.
[0055]
When switching between light sources, 2G. Light source G and 2H. Move the light source H in the direction of the arrow shown 2I. Light source switching means is provided, and 2I. By moving the light source switching means, 2G. Light source G and 2H. Slide the light source H, and Switch to the exit of the excitation laser. After moving, 2G. By removing the light source G and performing maintenance on the mirror unit, 2H. When the light source H is contaminated and deteriorated, it can be moved and replaced.
[0056]
(Other Embodiment 3)
Another embodiment is shown in FIGS. 05 (1) and (2).
[0057]
Here, 2. 2J. A light source comprising a plurality of light sources of a light source light emitting unit and a condensing mirror. Light source J and 2K. Light source K and 2L. Light source L and 2M. The light source M is: It is provided side by side in a substantially parallel position with respect to the position of a single emission optical axis from the excitation laser. Further, as shown in FIG. 05 (2), the plurality of light sources are 2N. It is rotationally symmetrically arranged and fixed to the light source switching means.
[0058]
When switching between light sources, 2N. The light source switching means is driven to rotate. 2J. Retract light source J and 2L. The light source L is newly positioned. Then, for the next exchange, 2M. Light source M, 2K. Light source K is newly positioned and used as a light source.
[0059]
In addition, as shown in FIGS. 05 (3) and (4), 2; 2J. For the light source, only a plurality of condensing mirrors are provided and attached to the turret-shaped rotating plate. The collecting mirror is 2Na. By switching the light by the light collecting mirror switching means, it is possible to replace the contaminated and deteriorated light collecting mirror and restore the light amount of the light source.
[0060]
(Other Example 4)
Another embodiment is shown in FIG.
[0061]
In the above-described embodiment, plasma excitation was performed using an excitation laser (such as a YAG solid-state laser) as an excitation means of the light source element Xe (liquefaction, spraying, gasification). is there.
[0062]
Here, 2P. With a structure sandwiching the position of the light source P, 2Ra. Discharge electrodes a and 2Rb. Discharge electrodes b are provided, and a discharge is generated between these electrodes due to a high-voltage potential difference, and 2Q. The Xe gas is excited to emit light.
[0063]
For such a discharge tube type light source, a plurality of light sources are provided and 2P. Light source P and 2T. By switching the light source T, it is possible to replace the light source that has been deteriorated by contamination.
[0064]
Of course, the light source of the discharge tube type can be applied to the replacement methods of the above-mentioned embodiments 1) to 4).
[0065]
【The invention's effect】
According to the present invention, a plurality of light emitting light source units are provided, and when an appropriate amount of exposure light cannot be obtained, the light emitting light source unit is automatically switched to quickly restore an appropriate amount of exposure light, and the exposure device is connected to the light source. By operating continuously without being stopped by maintenance, there is an effect that an exposure apparatus capable of performing high-precision exposure with high productivity can be provided.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an overall view of an exposure apparatus shown in this embodiment.
FIG. 2 is a detailed view of a light source unit shown in the present embodiment.
FIG. 3 is an overall view of an exposure apparatus shown in another embodiment.
FIG. 4 is an overall view of an exposure apparatus shown in another embodiment.
FIG. 5 is an overall view of an exposure apparatus shown in another embodiment.
FIG. 6 is a detailed view of a light source unit shown in another embodiment.
FIG. 7 is an overall view of an exposure apparatus shown in a conventional example.
FIG. 8 is a detailed view of a light source unit shown in a conventional example.
[Explanation of symbols]
1 Excitation laser 2 Light emitting unit 2A Light source A
2Aa Light source mirror Aa
2Ab Xe (liquefaction, spray, gas)
2Ac flying substance (debris)
2Ad Contamination of flying substances (mirror fogging)
2B Light source B
2C Light source switching mirror 2D Light source D
2E Light source E
2F Light source switching mirror 2G Light source G
2H Light source H
2I Light source switching means 2J Light source J
2Ja focusing mirror 2K light source K
2Ka condenser mirror 2L light source L
2La condenser mirror 2M light source M
2Ma focusing mirror 2N light source switching means 2Na focusing mirror switching means 2P light source P
2Q Xe gas 2Ra Discharge electrode a
2Rb Discharge electrode b
2S light source mirror S
2T light source T
3 vacuum chamber 4 vacuum pump 5 exposure light introducing part 5A mirror A
5B mirror B
5C mirror C
5D mirror D
6 Reticle stage 6A Master 7 Reduction projection mirror optical system 7A Mirror A
7B Mirror B
7C mirror C
7D Mirror D
7E Mirror E
Reference Signs List 8 wafer stage 8A wafer 9 reticle stage support 10 exposure apparatus body 11 wafer stage support (conventional example)
101 Excitation laser 102 Light emitting unit 102A Light source A
102Aa Light source mirror Aa
102Ab Xe (liquefaction, spray, gas)
102Ac flying substance (debris)
102Ad Contamination of scattered substances (mirror fogging)
103 vacuum chamber 104 vacuum pump 105 exposure light introducing unit 105A mirror A
105B mirror B
105C mirror C
105D mirror D
106 Reticle stage 106A Master 107 Reduction projection mirror optical system 107A Mirror A
107B Mirror B
107C Mirror C
107D mirror D
107E Mirror E
108 Wafer stage 108A Wafer 109 Reticle stage support 110 Exposure apparatus main body 111 Wafer stage support
