JP2004184142A - Defect inspection method and apparatus therefor - Google Patents

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JP2004184142A
JP2004184142A JP2002349357A JP2002349357A JP2004184142A JP 2004184142 A JP2004184142 A JP 2004184142A JP 2002349357 A JP2002349357 A JP 2002349357A JP 2002349357 A JP2002349357 A JP 2002349357A JP 2004184142 A JP2004184142 A JP 2004184142A
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light
pattern
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defect
inspection target
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JP2002349357A
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Rei Hamamatsu
玲 浜松
Minoru Noguchi
稔 野口
Hidetoshi Nishiyama
英利 西山
Yoshimasa Oshima
良正 大島
Takahiro Jingu
孝広 神宮
Yukio Uto
幸雄 宇都
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Hitachi Ltd
Hitachi High Tech Corp
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Hitachi Ltd
Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To efficiently separate a signal from a pattern from a signal from a defect, in a technique for inspecting a micro circuit pattern using an image formed by irradiation with a white light, a laser beam or an electron beam. <P>SOLUTION: This inspection apparatus for a semiconductor device is provided with a function for shielding selectively diffracted light of the circuit pattern existing on an object to be inspected. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO&NCIPI

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置や液晶または磁気ヘッド等の製造ラインにおいて、パターンを形成した被処理基板上に発生した欠陥を、光学的に検査する方法及びその装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体ウェハの検査を一例として説明する。
【0003】
従来の半導体製造工程では、半導体基板(ウエハ)上に異物が存在すると配線の絶縁不良や短絡などの不良原因になり、さらに半導体素子が、微細化して半導体基板中に微細な異物が存在した場合にこの異物が、キャパシタの絶縁不良やゲート酸化膜などの破壊の原因にもなる。これらの異物は、搬送装置の可動部から発生するものや、人体から発生するもの、プロセスガスによる処理装置内で反応生成されたもの、薬品や材料に混入していたものなど種々の原因により種々の状態で混入される。同様の液晶表示素子製造工程でも、パターン上に異物が混入したり、何らかの欠陥が生じると、表示素子として使えないものになってしまう。
【0004】
プリント基板の製造工程でも状況は同じであって、異物の混入はパターンの短絡、不良接続の原因に成る。従来のこの種の半導体基板上の異物を検出する技術の1つとして、特許文献1に記載されているように、半導体基板上にレーザを照射して半導体基板上に異物が付着している場合に発生する異物からの散乱光を検出し、直前に検査した同一品種半導体基板の検査結果と比較することにより、パターンによる虚報を無くし、高感度かつ高信頼度な異物及び欠陥検査を可能にするものがある。
【0005】
また、上記異物を検査する技術として、ウエハにコヒーレント光を照射してウエハ上の繰り返しパターンから射出する光を空間フィルターで除去し繰り返し性を持たない異物や欠陥を強調して検出する方法が知られている。また、ウエハ上に形成された回路パターンに対して該回路パターンの主要な直線群に対して45度傾けた方向から照射して主要な直線群からの0次回折光を対物レンズの開口内に入力させないようにした異物検査装置が、特許文献2において知られている。この従来技術3においては、主要な直線群ではない他の直線群を空間フィルタで遮光することについても記載されている。また、異物等の欠陥検査装置およびその方法に関する従来技術としては、特許文献3、特許文献4、特許文献5、特許文献6、および特許文献7が知られている。
【0006】
【特許文献1】
特開昭62−89336号公報
【特許文献2】
特開平1−117024号公報
【特許文献3】
特開平1−250847号公報
【特許文献4】
特開平6−258239号公報
【特許文献5】
特開平6−324003号公報
【特許文献6】
特開平8−210989号公報
【特許文献7】
特開平8−271437号公報
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来技術に記載したように半導体装置をはじめとする各種微細なパターンを検査する装置においては、空間フィルタリングにより欠陥からの信号とパターンからの信号(パターンノイズ)を効率よく分離していたが、機械的な精度の問題から幅の広い遮光板を使っているため、遮光可能なパターンからの回折光の数が限られていた。
【0008】
本発明の目的は白色光、単一波長光、レーザ光、を照射して形成された画像を用いて微細な回路パターンを検査する技術において、高精度な空間フィルタリングにより、高感度に異物欠陥を検出することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
第1の目的を達成するために、回折光の遮光手段として(1)ミラーアレイもしくは反射型液晶、または(2)透化型液晶、または(3)光学的に透明な基板に遮光パターンを転写したもの、または(4)遮光パターンを残してエッチングされた基板若しくはフィルム、または(5)加熱、急冷もしくは光の照射、もしくは電界または磁界の変化によって透過率を変化することが可能な光学的に透明な基板、または(6)棒状または板状の遮光板を備えた。
【0010】
第2の目的を達成するために被検査対象上に存在する回路パターンの場所ごとの形状の違いに起因する回折光のパターン変化に応じて遮光パターンを変化させる機能を備えた。
【0011】
第3の目的を達成するために被検査対象上に存在する回路パターンの場所ごとの形状の違いに起因する回折光のパターン変化に応じて、少なくとも2つ以上の回折光パターンに応じて遮光パターンを変化させる機能を備えた。
【0012】
【発明の実施の形態】
図1に検査装置の構成の1例を示す。ウエハからの散乱光はフーリエ変換レンズを通過し、センサ面にウエハの像が結像するように構成されている。繰り返しパターンからの散乱光は周期的な光強度分布を持っており、そのためレンズのフーリエ変換面でパターンの繰り返しのピッチに応じた回折像を結ぶ。一方で欠陥からの散乱光の光強度分布は一般にランダムな周波数成分から構成されるため、フーリエ変換面では結像しない。ここで繰り返しパターンからの回折光を空間フィルタにより遮光することで、パターンからの散乱光の大部分を遮光し、一方で欠陥からの散乱光の大部分を通過させることができる。これによりパターンからの散乱光を除去し、欠陥からの散乱光のみをセンサに結像するこができ、高いS/Nで欠陥の信号を得ることが可能となる。
【0013】
さて、遮光板は回折光を遮光することが目的であるため、回折光の幅よりも広くする必要がある。またフーリエ変換面の開口の大きさはレンズの設計によって決まる有限の大きさであるため、空間フィルタの最大本数は(フーリエ変換面開口部直径)÷(フィルタ幅)で定まる。従来の検査装置では機械的精度の問題から回折光の幅に比べて、十分に広いフィルタを使用していたため、遮光板の本数が少なかった。そのためウエハ上で5mmピッチ以下の繰り返しパターンの回折光しか遮光できず、パターンピッチの大きいSRAMエリアやCCD回路、液晶回路のパターンからの回折光はその一部しか遮光ができなかった。
【0014】
本発明においては、空間フィルタの構造を変えることにより、高精度に位置決めすることを可能とした。それによってフィルタ幅を狭くすることが可能となり、多くの本数のフィルタを使用して、25mmピッチ以下までの繰り返しパターンからの回折光を遮光することを可能とした。
【0015】
図2は、遮光機構の1例である。弦巻バネにプレートを半田付けしたものである。これはバネが弾性変形の範囲内ではフックの法則に従い精度よく伸縮することを利用しているものである。2本のバネの対応する部分に遮光材をとりつけると、2本のバネを同時に伸縮させることでフィルタのピッチを精度よく変化させることができる。
【0016】
バネに遮光材を取りつける手法としては半田づけ、接着材、溶接などが考えられる。フィルタ及びバネが太い時は溶接が可能であるが、フィルタとバネが細くなると溶接の際、フィルタまたはバネが溶融してしまうため取りつけが困難になる。そのため、フィルタとバネが細くなるときには、半田つけ、接着剤がよい。
【0017】
図4は、遮光板をエッチングを利用して作成したものの例である。バネとり付け部の太さはバネ径とほぼ同じ大きさであるほうが半田付けがしやすい。また、遮光板の太さは回折光の集光径および、フィルタリングユニットの機械精度から決まるため、バネとり付け部と、遮光位置で遮光板の太さが異なる場合がある。このような場合は、バネ伸縮時の機械的応力、半田とり付け時の熱応力の集中を防ぐため図4の拡大図のように円弧状の加工をするのが望ましい。
【0018】
同じ巻き方向のバネを使うとバネを伸縮させたときにフィルタとばねの間に発生する応力が問題となる。右巻きバネと左巻きバネを組合わせることで遮光材の両側で発生する応力を打ち消すことが可能となりさらなる高精度化が可能となる。
【0019】
図3は、右巻きバネと左巻きバネを組み合わせた空間フィルタの1例である。図19のグラフはフィルタバネを伸縮させたときの遮光板の傾きをプロットしたものであり、巻き方向のことなるバネを使用することで精度が向上していることが分かる。
【0020】
空間フィルタとしてはバネと遮光材の組合せ以外にも、透化型液晶やミラーアレイ装置などを利用することが考えられる。
【0021】
図5は、透化型液晶の例である。画素ごとにON、OFFを設定することで、光の透過、遮光を選択可能であるため、先ほどのバネ式の空間フィルタに比べて、遮光パターン生成の自由度が高くなる。一般に液晶デバイスは偏光を利用しているため光量が落ちてしまうが、照明光の強度を上げることで対策可能である。
【0022】
また図7にもあるように一般に液晶デバイスは各画素ごとに駆動回路を持っているため、開口率が低いという問題がある。開口率の低さは、透過率の低下、液晶画素の格子による回折現象をまねくため、できるだけ開口率の高い(少なくとも60%以上)の液晶デバイスを使用するのが望ましい。一方で遮光性能という観点から考えると、遮光時の透過率は可能な限り低いほうが望ましい。
【0023】
一般に透過時の透過光量、遮光時の透過光量の比をとって液晶デバイスのコントラストを定義しているが、コントラストの値は800:1以上であることが望ましい。図6は、ミラーアレイデバイスである。ミラーアレイデバイスは一般に高開口率80%以上であるため、光量の減衰、画素の格子による回折の影響は透化型液晶デバイスよりも低く、空間フィルタリング装置として望ましい。
【0024】
図8は、ミラーアレイデバイスを使用した場合の検査装置の構成である。光学系の途中に光路を分岐する機構をそなえ、同時に空間フィルタ面を観察するセンサを備える。センサに取りこまれた空間フィルタの画像をもとに遮光パターンを生成し、ミラーアレイを制御するユニットによってミラーを駆動する。この時遮光したい回折光はミラーによってセンサのない方向に反射させる。遮光されなかった光はミラーによりそのまま反射され、センサに光が取りこまれる。
【0025】
また図9、図10は、2種のミラーアレイの断面を例示したものである。ミラーは半導体プロセスなどをもちいて作られたマイクロエレクトロニクスデバイスである。支柱に支えられたミラーは電極との静電引力、斥力によって駆動される。光学的にフラットな状態が保てる図10の方式が結像光学系と組み合わせる上で、結像精度が高くなり、望ましい。
【0026】
図14に示すように、半導体はチップ(ダイ)の中でもその機能によって配線パターンが異なっている。そのため、領域によって図15に示すように、回折光のパターンとそれに対応する最適な遮光パターンも異なっている。
【0027】
図16は、検査方法の1例であるが面積の1番広いパターンに空間フィルタを合わせて、ウェハを検査する方法である。この方法はフィルタを合わせた領域は高感度に検査できるが、その他のエリアは感度が低くなってしまうという課題がある。
【0028】
図17は、各パターンの回折光をマージして(論理和をとって)遮光パターンを生成し、検査する方法である。この方式だとパターン形状に関わらずまんべんなく検査できるが、高感度な検査が出来ないという課題がある。
【0029】
図18は、各パターンに空間フィルタをあわせ、複数回検査する方法である。複数回の検査結果をマージすることで、どの領域も高感度な検査が可能となる。ただし複数回の検査をするためスループットが落ちてしまうことが課題である。効率的な検査という戦略を考えると、半導体のプロセスに対して十分感度が高い検査装置を利用する場合は図17の検査方法が望ましい。また新プロセスの導入時や、ラインの立上げ時などで特定のパターンを高感度に検査したいという場合は図16、または図18の検査方法が望ましい。
【0030】
図11は、複数の空間フィルタユニットを備えた検査装置の一例であり、十分な照明光量が確保できれば本方式によりすべての領域を高感度、高スループットで検査することが可能となる。図12はフーリエ光学系を示したものである。図13は、フーリエ変換面を観察する光学系を示したものである。
【0031】
図20は、空間フィルタを自動設定する場合に1チップ分の回折像を取り込む時のスキャン方法の例である。図21に示すように、回折光のパターンはチップの回路パターンによって決まるため、回折光のパターンの変化をみることでチップ上の回路パターンがあるパターンから別のパターンに変化した事がわかる。すなわち回折光のパターンの変化に着目することでチップのレイアウト情報が分かることとなる。この点に着目し、1チップ分の回折光パターンを取り込み、各回折パターンを調べることで、どの領域は、どの空間フィルタを使用すればよいかを決定することが可能となる。これにより1チップ分の回折光パターンの取り込みと、画像処理を組合わせることで、空間フィルタを自動設定することが可能となる。
【0032】
図22は、空間フィルタの設定シーケンスを示したものである。設計データ、またはウェハパターン、または回折光パターンを直接観察する事により、回折像を取得する。その後、画像処理により、遮光パターンを生成し、求めるフィルタパターンの生成が可能となる。図23は検査条件設定シーケンスの1例を示したものである。
【0033】
図24は、パターンピッチから回折光のピッチを求める方法を示したものである。
【0034】
図25は、空間フィルタを使用した場合と使用しなかった場合のパターンの信号強度を示したものである。空間フィルタを使用していない場合はパターンの信号により、欠陥の信号が検出できないが、空間フィルタを使用することで、パターンの信号を大幅に減衰し、欠陥の信号を高いS/Nで取得することが可能となる。
【0035】
図26は検査装置と半導体の製造工程の関係を示したものである。特定の工程通過後のウェハを検査装置で検査する。検査後はレビュー装置などで欠陥の詳細を付き止める事で元の工程にフィードバックをかけることが可能となる。この繰返しにより半導体デバイスの歩留りを向上することが可能となる。
【0036】
【発明の効果】
本発明によれば、白色光、単一波長光、レーザ光、を照射して形成された画像を用いて微細な回路パターンを検査する技術において、高精度な空間フィルタリングにより、高感度に異物欠陥を検出することが可能になった。
【図面の簡単な説明】
【図1】空間フィルタリングを用いた検査装置の概略構成を示す正面図である。
【図2】空間フィルタの例1(遮光板と右バネを使ったもの)の正面図である。
【図3】空間フィルタの例II(遮光板と右バネと左バネを組合わせたもの)の正面図である。
【図4】エッチングプレートの正面図である。
【図5】空間フィルタの例3(透化型液晶)の正面図である。
【図6】空間フィルタの例4(ミラー アレイ デバイス)の正面図である。
【図7】透化型液晶とミラーアレイデバイスの比較図である。
【図8】ミラーアレイデバイスを空間フィルタリングユニットとして使用した場合の検査装置の概略構成を示す正面図である。
【図9】ミラーアレイデバイスの例1示す正面図である。
【図10】ミラーアレイデバイスの例2示す正面図である。
【図11】複数の空間フィルタリングユニットを使用した検査装置の概略構成を示す正面図である。
【図12】フーリエ光学系の光路図を示すフーリエ光学系の正面図である。
【図13】フーリエ変換面を観察する光学系の光路図を示すフーリエ光学系の正面図である。
【図14】チップ(ダイ)レイアウト図である。
【図15】チップの領域ごとの回折光パターンと最適な遮光パターンとを比較する図である。
【図16】検査方法例1を示す図である。
【図17】検査方法例2を示す図である。
【図18】検査方法例3を示す図である。
【図19】右バネ方式と右バネ、左バネ組合せ方式の空間フィルタの構成とフィルタ傾きとを比較する図である。
【図20】1チップ(ダイ)のスキャン例を示すチップの平面図である。
【図21】領域ごとの回折光パターンとチップ内の対応位置関係を示す図である。
【図22】フィルタパターンの設定方法の例を示す図である。
【図23】検査条件の設定方法の例を示す図である。
【図24】空間フィルタの設定方法の例を示す図である。
【図25】空間フィルタ使用時/非使用時のパターン信号を示す図である。
【図26】歩留り向上システムの例を示すブロック図である。
【符号の説明】
1・・・ウェハ 21・・・回折光パターン1 22・・・回折光パターン2 23・・・回折光パターン3 24・・・回折光パターン4 25・・・回折光パターン5 31・・・遮光パターン1 32・・・遮光パターン2 33・・・遮光パターン3 34・・・遮光パターン4 35・・・遮光パターン5 41・・・遮光パターン6 50・・・フィルタパターン設定シーケンス 60・・・検査条件設定シーケンス 81・・・工程管理システム 82・・・欠陥管理システム 91・・・検査装置
92・・・レビュー装置 100・・・照明光学系 101・・・レーザ光源 200・・・検出光学系 400・・・演算処理システム 500・・・表示装置 600・・・フーリエ変換面観察光学系 601・・・光路分岐装置 603・・・光路分岐装置 605・・・センサ700・・・ウェハ観察光学系 2000・・・空間フィルタユニット 2100・・・右バネ方式空間フィルタ 2300・・・透化型液晶空間フィルタ 2400・・・ミラーアレイデバイス空間フィルタ 2410・・・ミラーアレイデバイスコントローラ
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a method and an apparatus for optically inspecting a defect generated on a substrate on which a pattern is formed in a manufacturing line of a semiconductor device, a liquid crystal, a magnetic head, or the like.
[0002]
[Prior art]
The inspection of a semiconductor wafer will be described as an example.
[0003]
In the conventional semiconductor manufacturing process, the presence of foreign matter on a semiconductor substrate (wafer) causes defects such as wiring insulation failure and short circuit, and furthermore, when a semiconductor element is miniaturized and fine foreign matter is present in the semiconductor substrate. In addition, the foreign matter causes a failure in insulation of the capacitor and a destruction of the gate oxide film. These contaminants are generated by various causes such as those generated from the movable part of the transfer device, those generated from the human body, those generated by reaction in the processing device by process gas, and those mixed in chemicals and materials. It is mixed in the state of. In a similar liquid crystal display element manufacturing process, if a foreign substance enters the pattern or some kind of defect occurs, the pattern cannot be used as a display element.
[0004]
The situation is the same in the manufacturing process of a printed circuit board, and the intrusion of foreign matter causes a short circuit of a pattern and a defective connection. As one of the conventional techniques for detecting foreign matter on a semiconductor substrate of this type, as described in Patent Document 1, when a semiconductor substrate is irradiated with a laser and foreign matter adheres to the semiconductor substrate, By detecting the scattered light from the foreign matter generated in the above and comparing it with the inspection result of the same type of semiconductor substrate inspected immediately before, eliminating false alarms due to patterns, enabling highly sensitive and highly reliable inspection of foreign matter and defects. There is something.
[0005]
Further, as a technique for inspecting the foreign matter, there is known a method of irradiating a wafer with coherent light, removing light emitted from a repetitive pattern on the wafer with a spatial filter, and emphasizing and detecting a foreign matter or defect having no repeatability. Have been. Further, a circuit pattern formed on the wafer is irradiated from a direction inclined by 45 degrees with respect to a main straight line group of the circuit pattern, and zero-order diffracted light from the main straight line group is input into the aperture of the objective lens. A foreign matter inspection apparatus that does not allow the foreign matter to be inspected is known from Patent Document 2. This prior art 3 also describes that a line group other than the main line group is shielded from light by a spatial filter. Patent Document 3, Patent Document 4, Patent Document 5, Patent Document 6, and Patent Document 7 are known as conventional techniques relating to a defect inspection apparatus for foreign matter and the like and a method therefor.
[0006]
[Patent Document 1]
JP 62-89336 A [Patent Document 2]
Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-117024 [Patent Document 3]
JP-A-1-250847 [Patent Document 4]
JP-A-6-258239 [Patent Document 5]
JP-A-6-324003 [Patent Document 6]
Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-21089 [Patent Document 7]
JP-A-8-271437
[Problems to be solved by the invention]
As described in the above prior art, in an apparatus for inspecting various fine patterns including a semiconductor device, a signal from a defect and a signal from the pattern (pattern noise) are efficiently separated by spatial filtering. Since a wide light-shielding plate is used due to the problem of mechanical accuracy, the number of diffracted lights from a light-shieldable pattern is limited.
[0008]
An object of the present invention is to inspect fine circuit patterns using an image formed by irradiating white light, single-wavelength light, or laser light. Is to detect.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the first object, a light-shielding pattern is transferred to (1) a mirror array or a reflective liquid crystal, or (2) a transparent liquid crystal, or (3) an optically transparent substrate as a means for shielding diffracted light. Or (4) a substrate or film etched leaving a light-shielding pattern, or (5) optically capable of changing the transmittance by heating, quenching or light irradiation, or a change in an electric or magnetic field. A transparent substrate or (6) a rod-shaped or plate-shaped light shielding plate was provided.
[0010]
In order to achieve the second object, a function is provided for changing a light-shielding pattern in accordance with a change in the pattern of diffracted light caused by a difference in the shape of a circuit pattern present on a test object at each location.
[0011]
In order to achieve the third object, a light-shielding pattern according to at least two or more diffracted light patterns in accordance with a change in the pattern of diffracted light resulting from a difference in the shape of a circuit pattern present on an object to be inspected at each location. With the ability to change
[0012]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
FIG. 1 shows an example of the configuration of the inspection apparatus. The scattered light from the wafer passes through the Fourier transform lens, and an image of the wafer is formed on the sensor surface. The scattered light from the repetitive pattern has a periodic light intensity distribution, and therefore forms a diffraction image on the Fourier transform surface of the lens according to the pattern repetition pitch. On the other hand, since the light intensity distribution of the scattered light from the defect is generally composed of random frequency components, no image is formed on the Fourier transform plane. Here, by shielding the diffracted light from the repetitive pattern by the spatial filter, most of the scattered light from the pattern can be shielded, while most of the scattered light from the defect can be passed. Thus, the scattered light from the pattern can be removed, and only the scattered light from the defect can be imaged on the sensor, so that a defect signal can be obtained with a high S / N.
[0013]
Since the purpose of the light-shielding plate is to shield the diffracted light, the light-shielding plate needs to be wider than the width of the diffracted light. Since the size of the aperture of the Fourier transform surface is a finite size determined by the design of the lens, the maximum number of spatial filters is determined by (Fourier transform surface opening diameter) 直径 (filter width). The conventional inspection apparatus uses a filter that is sufficiently wide compared to the width of the diffracted light due to the problem of mechanical accuracy, so that the number of light shielding plates is small. Therefore, only the diffracted light of the repetitive pattern of 5 mm pitch or less can be shielded on the wafer, and only a part of the diffracted light from the pattern of the SRAM area, the CCD circuit, and the liquid crystal circuit having the large pattern pitch can be shielded.
[0014]
In the present invention, high-precision positioning is enabled by changing the structure of the spatial filter. As a result, the filter width can be reduced, and it becomes possible to shield diffracted light from a repetitive pattern having a pitch of 25 mm or less using a large number of filters.
[0015]
FIG. 2 shows an example of the light blocking mechanism. A plate is soldered to a helical spring. This utilizes the fact that the spring expands and contracts accurately within the range of elastic deformation according to Hook's law. When a light-shielding material is attached to the corresponding portions of the two springs, the pitch of the filter can be accurately changed by simultaneously expanding and contracting the two springs.
[0016]
As a method of attaching the light shielding material to the spring, soldering, an adhesive, welding, or the like can be considered. When the filter and the spring are thick, welding is possible, but when the filter and the spring are thin, the filter or the spring is melted during welding, so that it becomes difficult to mount the filter and the spring. Therefore, when the filter and the spring become thin, soldering and an adhesive are preferred.
[0017]
FIG. 4 shows an example in which a light shielding plate is formed by using etching. It is easier to solder when the thickness of the spring attachment portion is almost the same as the diameter of the spring. Further, since the thickness of the light shielding plate is determined by the condensing diameter of the diffracted light and the mechanical accuracy of the filtering unit, the thickness of the light shielding plate may be different between the spring mounting portion and the light shielding position. In such a case, it is desirable to perform an arc-shaped processing as shown in an enlarged view of FIG. 4 in order to prevent concentration of mechanical stress at the time of spring expansion and contraction and thermal stress at the time of soldering.
[0018]
When springs having the same winding direction are used, stress generated between the filter and the spring when the spring is expanded and contracted becomes a problem. By combining the right-handed spring and the left-handed spring, it is possible to cancel the stress generated on both sides of the light-shielding material, and it is possible to further improve the accuracy.
[0019]
FIG. 3 is an example of a spatial filter combining a right-handed spring and a left-handed spring. The graph of FIG. 19 plots the inclination of the light shielding plate when the filter spring is expanded and contracted, and it can be seen that the accuracy is improved by using a spring having a different winding direction.
[0020]
As the spatial filter, it is conceivable to use a transparent liquid crystal, a mirror array device, or the like in addition to the combination of the spring and the light shielding material.
[0021]
FIG. 5 is an example of a transmissive liquid crystal. By setting ON and OFF for each pixel, light transmission and light shielding can be selected, so that the degree of freedom in generating a light shielding pattern is higher than that of the above-described spring-type spatial filter. In general, a liquid crystal device uses polarized light to reduce the amount of light. However, a countermeasure can be taken by increasing the intensity of illumination light.
[0022]
Also, as shown in FIG. 7, a liquid crystal device generally has a drive circuit for each pixel, and thus has a problem that the aperture ratio is low. Since a low aperture ratio causes a decrease in transmittance and a diffraction phenomenon due to a lattice of liquid crystal pixels, it is desirable to use a liquid crystal device having an aperture ratio as high as possible (at least 60% or more). On the other hand, from the viewpoint of light shielding performance, it is desirable that the transmittance at the time of light shielding be as low as possible.
[0023]
In general, the contrast of a liquid crystal device is defined by the ratio of the amount of transmitted light during transmission and the amount of transmitted light during light shielding. The contrast value is preferably 800: 1 or more. FIG. 6 shows a mirror array device. Since the mirror array device generally has a high aperture ratio of 80% or more, the attenuation of the light amount and the influence of diffraction by the pixel grid are lower than those of the transmissive liquid crystal device, which is desirable as a spatial filtering device.
[0024]
FIG. 8 shows the configuration of the inspection apparatus when a mirror array device is used. The optical system has a mechanism for splitting an optical path in the middle of the optical system, and a sensor for observing a spatial filter surface at the same time. A light-shielding pattern is generated based on the image of the spatial filter captured by the sensor, and the mirror is driven by a unit that controls the mirror array. At this time, the diffracted light to be shielded is reflected by a mirror in a direction without a sensor. The light that is not blocked is reflected by the mirror as it is, and the light is captured by the sensor.
[0025]
FIGS. 9 and 10 illustrate cross sections of two types of mirror arrays. Mirrors are microelectronic devices made using semiconductor processes. The mirror supported by the support is driven by electrostatic attraction and repulsion with the electrode. When the system shown in FIG. 10 that can maintain an optically flat state is combined with an image forming optical system, the image forming accuracy is increased, which is desirable.
[0026]
As shown in FIG. 14, a semiconductor has a different wiring pattern depending on its function among chips (dies). Therefore, as shown in FIG. 15, the pattern of the diffracted light and the optimal light-shielding pattern corresponding thereto differ depending on the region.
[0027]
FIG. 16 shows an example of an inspection method, which is a method of inspecting a wafer by adjusting a spatial filter to a pattern having the largest area. This method has a problem that the sensitivity of an area where the filter is combined can be inspected with high sensitivity, but the sensitivity of other areas is reduced.
[0028]
FIG. 17 shows a method in which diffracted light of each pattern is merged (by taking a logical sum) to generate and inspect a light-shielding pattern. With this method, inspection can be performed evenly regardless of the pattern shape, but there is a problem that high-sensitivity inspection cannot be performed.
[0029]
FIG. 18 shows a method of inspecting a plurality of times by matching a spatial filter to each pattern. By merging inspection results of a plurality of times, highly sensitive inspection can be performed in any region. However, the problem is that the throughput is reduced because the inspection is performed a plurality of times. Considering a strategy of efficient inspection, the inspection method shown in FIG. 17 is desirable when an inspection apparatus sufficiently sensitive to a semiconductor process is used. When it is desired to inspect a specific pattern with high sensitivity when introducing a new process or starting up a line, the inspection method shown in FIG. 16 or FIG. 18 is desirable.
[0030]
FIG. 11 shows an example of an inspection apparatus provided with a plurality of spatial filter units. If a sufficient amount of illumination light can be secured, this method can inspect all areas with high sensitivity and high throughput. FIG. 12 shows a Fourier optical system. FIG. 13 shows an optical system for observing a Fourier transform plane.
[0031]
FIG. 20 shows an example of a scanning method when a diffraction image for one chip is taken in when a spatial filter is automatically set. As shown in FIG. 21, since the pattern of the diffracted light is determined by the circuit pattern of the chip, the change in the pattern of the diffracted light indicates that the circuit pattern on the chip has changed from one pattern to another. That is, by paying attention to the change in the pattern of the diffracted light, the layout information of the chip can be understood. Paying attention to this point, by taking in a diffraction light pattern for one chip and examining each diffraction pattern, it is possible to determine which region should use which spatial filter. This makes it possible to automatically set the spatial filter by combining the capturing of the diffracted light pattern for one chip with the image processing.
[0032]
FIG. 22 shows a setting sequence of the spatial filter. A diffraction image is obtained by directly observing design data, a wafer pattern, or a diffracted light pattern. Thereafter, a light-shielding pattern is generated by image processing, and a desired filter pattern can be generated. FIG. 23 shows an example of the inspection condition setting sequence.
[0033]
FIG. 24 shows a method of obtaining the pitch of the diffracted light from the pattern pitch.
[0034]
FIG. 25 shows the signal intensity of the pattern when the spatial filter is used and when it is not used. When a spatial filter is not used, a signal of a defect cannot be detected by a signal of a pattern. However, by using a spatial filter, a signal of a pattern is greatly attenuated, and a signal of a defect is acquired with a high S / N. It becomes possible.
[0035]
FIG. 26 shows the relationship between the inspection apparatus and the semiconductor manufacturing process. The inspection device inspects the wafer after the specific process. After the inspection, it is possible to give feedback to the original process by determining the details of the defect using a review device or the like. By repeating this, the yield of the semiconductor device can be improved.
[0036]
【The invention's effect】
According to the present invention, in a technology for inspecting a fine circuit pattern using an image formed by irradiating white light, single-wavelength light, or laser light, a foreign object defect can be detected with high sensitivity by high-precision spatial filtering. Can be detected.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a front view showing a schematic configuration of an inspection apparatus using spatial filtering.
FIG. 2 is a front view of a spatial filter example 1 (using a light-shielding plate and a right spring).
FIG. 3 is a front view of a spatial filter example II (combination of a light shielding plate, a right spring, and a left spring).
FIG. 4 is a front view of an etching plate.
FIG. 5 is a front view of a spatial filter example 3 (transmissive liquid crystal).
FIG. 6 is a front view of a spatial filter example 4 (mirror array device).
FIG. 7 is a comparison diagram of a transmissive liquid crystal and a mirror array device.
FIG. 8 is a front view showing a schematic configuration of an inspection apparatus when a mirror array device is used as a spatial filtering unit.
FIG. 9 is a front view showing Example 1 of a mirror array device.
FIG. 10 is a front view showing Example 2 of the mirror array device.
FIG. 11 is a front view showing a schematic configuration of an inspection apparatus using a plurality of spatial filtering units.
FIG. 12 is a front view of the Fourier optical system showing an optical path diagram of the Fourier optical system.
FIG. 13 is a front view of the Fourier optical system showing an optical path diagram of the optical system for observing the Fourier transform plane.
FIG. 14 is a chip (die) layout diagram.
FIG. 15 is a diagram comparing a diffracted light pattern for each chip area with an optimal light-shielding pattern.
FIG. 16 is a diagram showing an inspection method example 1;
FIG. 17 is a diagram showing an inspection method example 2;
FIG. 18 is a diagram showing an inspection method example 3;
FIG. 19 is a diagram comparing a configuration of a spatial filter of a right spring type, a combination of a right spring and a left spring type, and a filter inclination.
FIG. 20 is a plan view of a chip showing an example of scanning one chip (die).
FIG. 21 is a diagram showing a diffracted light pattern for each region and a corresponding positional relationship in a chip.
FIG. 22 is a diagram illustrating an example of a setting method of a filter pattern.
FIG. 23 is a diagram illustrating an example of a method of setting inspection conditions.
FIG. 24 is a diagram illustrating an example of a setting method of a spatial filter.
FIG. 25 is a diagram showing pattern signals when a spatial filter is used / not used.
FIG. 26 is a block diagram illustrating an example of a yield improvement system.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Wafer 21 ... Diffraction light pattern 1 22 ... Diffraction light pattern 2 23 ... Diffraction light pattern 3 24 ... Diffraction light pattern 425 ... Diffraction light pattern 5 31 ... Light shielding Pattern 1 32 ... Light-shielding pattern 2 33 ... Light-shielding pattern 3 34 ... Light-shielding pattern 4 35 ... Light-shielding pattern 5 41 ... Light-shielding pattern 6 50 ... Filter pattern setting sequence 60 ... Inspection Condition setting sequence 81: Process management system 82: Defect management system 91: Inspection device 92: Review device 100: Illumination optical system 101: Laser light source 200: Detection optical system 400 ··· Arithmetic processing system 500 ··· display device 600 ··· Fourier transform surface observation optical system 601 ··· optical path branching device 603 ··· optical path branching device 605: sensor 700: wafer observation optical system 2000: spatial filter unit 2100: right spring type spatial filter 2300: transparent liquid crystal spatial filter 2400: mirror array device spatial filter 2410 ..Mirror array device controllers

Claims (5)

表面にパターンが形成された検査対象基板に光を照射し、該照射による前記検査対象基板からの反射光のうち前記検査対象基板に存在する回路パターンの回折光を選択的に遮光して前記反射光を検出し、該検出した反射光の信号を処理することにより前記検査対象基板の表面の欠陥を検出する欠陥検査方法であって、前記検査対象基板に存在する回路パターンの回折光を選択的に遮光することを、ミラーアレイもしくは反射型液晶、または透化型液晶、または、光学的に透明な基板に遮光パターンを転写したもの、または遮光パターンを残してエッチングされた基板若しくはフィルム、または加熱、急冷もしくは光の照射、もしくは電界または磁界の変化によって透過率を変化することが可能な光学的に透明な基板、または棒状または板状の遮光板のうちの何れかを用いて行うことを特徴とする欠陥検査方法。The inspection target substrate having a pattern formed on its surface is irradiated with light, and of the reflected light from the inspection target substrate due to the irradiation, the diffraction light of the circuit pattern present on the inspection target substrate is selectively shielded to reflect the light. A defect inspection method for detecting a light and processing a signal of the detected reflected light to detect a defect on a surface of the inspection target substrate, wherein a diffraction light of a circuit pattern present on the inspection target substrate is selectively emitted. To shield light, a mirror array or reflective liquid crystal, or transparent liquid crystal, or a transfer of a light-shielding pattern to an optically transparent substrate, or a substrate or film etched leaving the light-shielding pattern, or heating Optically transparent substrate, or rod-shaped or plate-shaped, whose transmittance can be changed by quenching or light irradiation, or by changing the electric or magnetic field Defect inspection method and performing using any of the light plate. 前記検査対象基板には同一形状の回路パターンが形成された複数のチップが形成されており、前記回路パターンの回折光を選択的に遮光することを、前記検査対象基板に形成された1チップ分の回折光パターンを検出し、該1チップ内の領域ごとの回折パターンの変化に応じて前記回路パターンの回折光を選択的に遮光する空間フィルタを設定することを特徴とする請求項1記載の欠陥検査方法。A plurality of chips on which a circuit pattern having the same shape is formed are formed on the inspection target substrate, and selectively cutting off the diffracted light of the circuit pattern is performed for one chip formed on the inspection target substrate. 2. A spatial filter for detecting a diffracted light pattern of the circuit pattern and setting a spatial filter for selectively blocking the diffracted light of the circuit pattern in accordance with a change in the diffracted pattern for each area in the one chip. Defect inspection method. 表面にパターンが形成された検査対象基板の前記表面の欠陥を検査する装置であって、前記検査対象基板の表面を照明する照明光学系手段と、該照明光学系手段により照明された前記検査対象基板からの散乱光を検出する検出手段と、該検出手段で検出した散乱光の検出信号を処理して前記検査対象基板の表面の欠陥を検出する処理手段とを備え、前記検出手段は、前記照明光学系手段により照明された前記検査対象基板からの散乱光のうち前記検査対象基板に存在する回路パターンの回折光を該回折光のパターンに応じて選択的に遮光する遮光部を有していることを特徴とする欠陥検査装置。An apparatus for inspecting a defect on the surface of a substrate to be inspected having a pattern formed on the surface, comprising: an illumination optical system illuminating a surface of the substrate to be inspected; and the inspection object illuminated by the illumination optical system. Detecting means for detecting scattered light from the substrate, and processing means for processing a detection signal of the scattered light detected by the detecting means to detect a defect on the surface of the inspection target substrate, the detecting means, A light-shielding portion that selectively shields the diffracted light of the circuit pattern present on the inspection target substrate out of the scattered light from the inspection target substrate illuminated by the illumination optical system means according to the pattern of the diffracted light; A defect inspection apparatus. 前記回折光のパターンに応じて選択的に遮光する遮光部は、ミラーアレイもしくは反射型液晶、または透化型液晶、または、光学的に透明な基板に遮光パターンを転写したもの、または遮光パターンを残してエッチングされた基板若しくはフィルム、または加熱、急冷もしくは光の照射、もしくは電界または磁界の変化によって透過率を変化することが可能な光学的に透明な基板、または棒状または板状の遮光板のうちの何れかであることを特徴とする請求項3記載の欠陥検査装置。The light-shielding portion that selectively shields light in accordance with the pattern of the diffracted light is a mirror array or a reflective liquid crystal, or a transmissive liquid crystal, or a light-shielded pattern transferred to an optically transparent substrate, or a light-shielded pattern. An etched substrate or film, or an optically transparent substrate whose transmittance can be changed by heating, quenching or light irradiation, or a change in electric or magnetic field, or a rod-shaped or plate-shaped light shielding plate The defect inspection apparatus according to claim 3, wherein the defect inspection apparatus is any one of the above. 前記検査対象基板には同一形状の回路パターンが形成された複数のチップが形成されており、前記回折光のパターンに応じて選択的に遮光する遮光部は、
前記処理手段で処理して得た前記検査対象基板に形成された1チップ分の回折光パターンの該1チップ内の領域ごとの変化の情報に基づいて前記回路パターンの回折光を選択的に遮光することを特徴とする請求項3記載の欠陥検査装置。
A plurality of chips on which a circuit pattern of the same shape is formed are formed on the inspection target substrate, and a light shielding unit that selectively shields light in accordance with the pattern of the diffracted light,
The diffracted light of the circuit pattern is selectively blocked based on information on a change in a diffracted light pattern for one chip formed on the substrate to be inspected obtained by the processing means for each region in the one chip. 4. The defect inspection apparatus according to claim 3, wherein the defect inspection is performed.
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