JP2004178979A - High-pressure discharge lamp and its manufacturing method - Google Patents

High-pressure discharge lamp and its manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
JP2004178979A
JP2004178979A JP2002343811A JP2002343811A JP2004178979A JP 2004178979 A JP2004178979 A JP 2004178979A JP 2002343811 A JP2002343811 A JP 2002343811A JP 2002343811 A JP2002343811 A JP 2002343811A JP 2004178979 A JP2004178979 A JP 2004178979A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
halogen element
discharge lamp
pressure discharge
electrodes
halogen
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2002343811A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4186044B2 (en
Inventor
Kazuhisa Nishida
和久 西田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hotalux Ltd
Original Assignee
NEC Lighting Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Lighting Ltd filed Critical NEC Lighting Ltd
Priority to JP2002343811A priority Critical patent/JP4186044B2/en
Publication of JP2004178979A publication Critical patent/JP2004178979A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4186044B2 publication Critical patent/JP4186044B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high-pressure discharge lamp wherein a proper amount of halogen elements can be accurately filled. <P>SOLUTION: A pair of electrodes 2a, 2b are disposed in an airtightly sealed quartz bulb 101 to form this high-pressure discharge lamp, and as to the electrodes 2a, 2b, halogen elements are struck in the portions having prescribed depths from the surfaces of the respective tip parts 21a, 21b of the electrodes. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、放電ランプに関し、特にはハロゲンサイクルを利用する高圧放電ランプおよびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
キセノンランプ、高圧水銀ランプ、メタルハライドランプなどに代表される高圧放電ランプは、輝度が高く、演色性も良いことから、複写機やプロジェクター等の光源として広く用いられている。
【0003】
通常、高圧放電ランプは、ハロゲンサイクルを利用してバルブ壁の黒化を防止する構造になっている(特許文献1参照)。図4に、高圧放電ランプの概略構成を示し、以下に、その高圧放電ランプの構成および動作ならびにハロゲンサイクルの原理を説明する。
【0004】
図4を参照すると、この高圧放電ランプは、管状の石英ガラス製バルブ(以下、「石英バルブ」という)101内に、例えばタングステンよりなる一対の電極102a、102bが対向して配置された構造になっている。電極102a、102bは、先端部に冷却コイル104a、104bを備え、基部側がMo(モリブデン)箔103a、103bに接合されている。石英バルブ101の両端は、電極102a、102bの基部およびMo箔103a、103bとともに気密封止されている。電極102a、102bとMo箔103a、103bとの接合は、例えば溶接により行われる。石英バルブ101内には、少量のハロゲンガスが放電発光を維持するのに必要な例えば水銀(Hg)および不活性ガスとともに予め封入される。
【0005】
上記の高圧放電ランプでは、石英バルブ101の両端で封止されたMo箔103a、103bにそれぞれ外部リード線(不図示)が接合されており、これら外部リード線に所定のトリガー電圧が印加される。トリガー電圧が印加されると、石英バルブ101内の不活性ガスの雰囲気下で両電極102a、102b間にグロー放電が誘発され、これにより封入された水銀が気化し、高圧の水銀ガス中でプラズマ放電が生じる。
【0006】
上記の動作状態において、プラズマ放電時に、水銀イオンおよび電子によるスパッタ現象が生じて、両電極102a、102bからタングステン原子(イオン化状態)が放出される。このようにして放出されたタングステン原子が石英バルブ101の内壁に付着してしまうと、バルブ壁が黒化する。
【0007】
ハロゲンサイクルでは、両電極102a、102bから放出されたタングステン原子(イオン化状態)を予め封入しておいたハロゲン原子と結合させてハロゲン化タングステンを形成する。このハロゲン化タングステンは、石英バルブ101内を熱対流により浮遊し、電極102a、102b付近で高温にさらされることによって、タングステン原子とハロゲン原子に分離される。分離したタングステン原子は、電極102a、102bに付着し、これにより電極再生が行われる。一方、分離したハロゲン原子は再びハロゲン化タングステン形成に寄与する。この一連の反応の繰り返しがハロゲンサイクルであり、これにより、上記のバルブ壁の黒化が防止される。
【0008】
【特許文献1】
特開2002−124210号公報
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来の高圧放電ランプにおいては、ハロゲンガスを取り扱うため、大型のガス供給装置および除害設備が必要である。このため、製造設備が非常に高価なものになっていた。
【0010】
また、ハロゲンサイクルの効率は、
(1)放出されるタングステン原子の量に対してハロゲン原子の量が少ない。
【0011】
(2)石英バルブ内の不純物ガスの量が多いために、タングステン原子がハロゲン原子と結合する確率が少なくなる。
【0012】
(3)動作条件により、スパッタリングされるタングステン原子の量が多くなる。
などの要因により低下する。ハロゲンサイクルを効率良く行うためには、石英バルブ内に適切な量のハロゲン元素を精度良く封入する必要がある。現在、ハロゲン元素の石英バルブ内への封入は、ハロゲン元素を不活性ガスと混合し、その混合ガスを既知の排気台装置を利用して石英バルブ内に封入することで行われているが、石英バルブの排気台装置への取り付け精度や混合ガスの封入精度が悪いため、石英バルブ内に封入されるハロゲンガスの量に数%のばらつきを生じるのが現状である。このため、超高圧水銀ランプのような体積の小さなランプ内に適切な量のハロゲンガスを高精度に封入することは困難であった。
【0013】
本発明の目的は、上記各問題を解決し、適切な量のハロゲン元素を高精度に封入することのできる、高圧放電ランプおよびその製造方法を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】
本発明の高圧放電ランプは、気密封止されたガラス製バルブ内に一対の電極が配置された高圧放電ランプであって、前記一対の電極は、少なくとも一方の電極に所定の量のハロゲン元素が添加されていることを特徴とする。この構成によれば、ハロゲン元素の電極への添加量は原子数単位で制御することができるので、バルブ内に所望の量のハロゲン元素を容易、かつ、高精度に封入することが可能となる。
【0015】
上記の場合、前記一対の電極は、前記先端部が互いに対向するように配置されており、それぞれの先端部の表面から所定の深さの部分に前記ハロゲン元素が打ち込まれていてもよい。この構成によれば、ランプ組み立て時の電極熱処理における、ハロゲン元素の熱による脱離がないので、バルブ内に封入されるハロゲン元素の量を正確に制御することが可能となる。
【0016】
また、前記ハロゲン元素の量は、前記ガラス製バルブ内に放出された状態で10−8〜10−2μmol/mmの範囲、より望ましくは、10−7〜10−4μmol/mmの範囲としてもよい。これにより、ハロゲンサイクルをより効率的に機能させることが可能となる。
【0017】
本発明の高圧放電ランプの製造方法は、一対の電極の少なくとも一方に所定量のハロゲン元素を添加した後、該一対の電極をガラス製バルブ内に組み込むことを特徴とする。この手法によれば、ハロゲンガスを取り扱う必要がないので、非常に高価で大型のハロゲンガスの関連設備(例えば、ガス供給装置や除外装置など)を導入する必要がない。
【0018】
上記の場合、前記ハロゲン元素を添加する工程は、前記一対の電極のそれぞれの先端部の表面から所定の深さの部分に前記ハロゲン元素をイオン注入により打ち込むイオン注入工程を含んでいてもよい。この手法によれば、ランプ組み立て時の電極熱処理における、ハロゲン元素の熱による脱離がないので、バルブ内に封入されるハロゲン元素の量を正確に制御することが可能となる。
【0019】
また、前記ハロゲン元素の量は、前記ガラス製バルブ内に放出された状態で10−8〜10−2μmol/mmの範囲、より望ましくは、10−7〜10−4μmol/mmの範囲としてもよい。これにより、ハロゲンサイクルをより効率的に機能させることが可能となる。
【0020】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
【0021】
図1は、本発明の一実施形態である高圧放電ランプの要部を示す模式図である。本実施形態の高圧放電ランプは、電極2a、2bのそれぞれの先端部21a、21bの表面に所定の量のハロゲン元素がイオン注入により添加されている以外は、基本的には図4に示した従来のものと同じである。図1中、従来のものと同じ部分には同じ符号を付している。
【0022】
電極2a、2bは例えばタングステンよりなり、互いの先端部21a、21bが対向するようにして石英バルブ101内に配置されている。電極2a、2bの基部側は、それぞれMo箔103a、103bに接合されており、この接合部近傍において石英バルブ101の両端が気密封止されている。それぞれの先端部21a、21bには、例えばタングステンよりなる線を密に巻いた冷却コイル104a、104bが隣接して設けられている。先端部21a、21bは、YAGレーザ等により電極の一部と冷却コイルの一部を溶融することにより形成されたものであって、表面が滑らかな半球状(円錐台状)の形状をしている。先端部21a、21bの表面に打ち込まれるハロゲン元素(イオン)としては、例えば塩素(Cl)、臭素(Br)、ヨウ素(I)などがある。
【0023】
石英バルブ101内には、放電発光を維持するのに必要な例えば水銀(Hg)および不活性ガス(例えばアルゴン(Ar)やキセノン(Xe)など)が封入されるが、従来のようなハロゲンガスの封入は行われない。ハロゲンガスの封入の代わりに、電極2a、2bのそれぞれの先端部21a、21bの表面にハロゲン元素が添加されている。水銀の封入量は、例えば0.12〜0.30mg/mmの範囲が望ましい。不活性ガスの封入量は、分圧で約20kPa程度が望ましい。
【0024】
本実施形態の高圧放電ランプでは、Mo箔103a、103bにそれぞれ接続された外部リード線(不図示)に所定のトリガー電圧が印加されると、石英バルブ101内の不活性ガスの雰囲気下で両電極2a、2b間にグロー放電が誘発され、これにより封入された水銀が気化し、高圧の水銀ガス中でプラズマ放電が生じる。また、トリガー電圧の印加と同時に、両電極2a、2bが所定の温度(2000℃以上)まで瞬時に加熱され、それぞれの先端部21a、21bからハロゲン元素(イオン)が放出される。このようにして放出されたハロゲン元素(イオン)によってハロゲンサイクルが行われ、バルブ壁の黒化が防止される。
【0025】
石英バルブ101内に放出されるハロゲン元素(イオン)の量は、ハロゲンサイクルを効率的に機能させる範囲、例えば10−8〜10−2μmol/mmの範囲、より望ましくは、10−7〜10−4μmol/mmの範囲である。ハロゲン元素(イオン)の放出量がその範囲から外れると、黒化が生じてしまい、安定したランプ動作は困難となる。本実施形態では、電極2a、2bへのハロゲン元素のイオン注入を制御することで、そのような好適な範囲でのハロゲン元素(イオン)の放出量を実現している。
【0026】
以下、電極2a、2bへのハロゲン元素のイオン注入について説明する。
【0027】
電極2a、2bに添加されたハロゲン元素は熱によって脱離することから、ハロゲン元素を電極2a、2bにイオン注入する際は、ランプ組み立ての際に行われる熱処理を考慮する必要がある。具体的には、そのような熱処理工程における電極加熱処理温度は最大で1100℃程度であることから、イオン注入されたハロゲン元素は、その電極加熱処理温度より十分に高く、ランプ動作時の温度(例えば、2000℃程度)以下においてそのほとんどが放出されるようにする必要がある。
【0028】
ハロゲン元素を、例えば、表面から50nm程度の深さにイオン注入した場合、注入されたハロゲン元素は、1100℃程度の温度では放出されず、ランプ動作時における温度(2000℃程度)においてそのほとんどが放出される。しかし、ハロゲン元素の注入深さが表面から20nm以下である場合は、注入されたハロゲン元素は、1100℃程度の温度で脱離してしまう。実験的には、1100℃程度の温度でハロゲン元素の脱離を生じない注入深さの臨界点は、電極材料がタングステンの場合で30〜40nmであり、少なくともこの臨海点以上の注入深さでハロゲン元素をイオン注入する必要がある。例えば、タングステン電極に臭素(Br)イオンを注入深さ50nmで打ち込んだ場合は、電極加熱処理後において、注入した臭素(Br)イオンは電極内に99.9%の確率で残存することがこれまでの実験で確認されている。
【0029】
注入深さは、イオン注入電圧(加速電圧)によって制御することができる。図2に、タングステン電極に臭素(Br)をイオン注入した場合の、注入電圧と注入深さの関係を示す。この図2に示した関係から分かるように、注入電圧が小さければ、注入深さは浅くなり、注入電圧が大きければ、注入深さは深くなる。このように、注入電圧を制御することで、ハロゲン元素を所望の注入深さでイオン注入することができる。例えば、注入電圧を約300keVとすることで、注入深さを表面から50nm程度にすることが可能である。
【0030】
本実施形態の高圧放電ランプでは、電極2a、2bのそれぞれの先端部21a、21bに注入されるハロゲン元素の注入深さは、表面から50nm程度としている。このため、イオン注入されたハロゲン元素は、ランプ組み立て工程における電極加熱処理温度でも脱離することがなく、ランプ動作時の温度(例えば、2000℃程度)においてそのほとんどが放出される。この場合、石英バルブ101内に放出されるハロゲン元素(イオン)の量は、イオン注入されたハロゲン元素の量に応じて決まる。したがって、石英バルブ101の体積に応じてハロゲン元素の注入量を制御すれば、石英バルブ101内に放出されるハロゲン元素(イオン)の量を10−8〜10−2μmol/mmの範囲(より望ましくは、10−7〜10−4μmol/mmの範囲)内に抑えることができる。
【0031】
例えば、体積が150mmの石英バルブ101を用いて高圧放電ランプを作製する場合は、タングステンよりなる電極2a、2bのそれぞれの先端部21a、21bに9×1013個(これはモル数にして1.5×10−4μmolに相当する)の臭素(Br)イオンを表面から50nmの深さに打ち込むことで、ランプ動作時における、石英バルブ101内のハロゲン元素の含有量をほぼ1×10−4μmol/mmにすることができる。
【0032】
以上のように、本実施形態の高圧放電ランプによれば、ランプ動作時における、石英バルブ101内のハロゲン元素の含有量を、イオン注入されるハロゲン元素の量によって制御することが可能である。この場合、原子数単位での注入量の制御が可能であるので、石英バルブ101内に、所望の量のハロゲン元素を容易、かつ、高精度に封入することができる。
【0033】
次に、本実施形態の高圧放電ランプの製造手法を具体的に説明する。図3に、図1に示した高圧放電ランプの製造工程を示す。以下、図1および図3を参照して製造工程を説明する。
【0034】
(バルブ形成工程:S1)
石英ガラス管を用いて、中央に膨らみ部を持つ石英バルブ101を作製する。この時点では、石英バルブ101の両端は未だ封止されていない。
【0035】
(電極組み立て工程:S2)
タングステンよりなる棒状の電極2a、2bにそれぞれの先端部21a、21b近傍に所定の金属よりなる冷却コイル104、104bを取り付けるとともに、それぞれの基部をMo箔103a、103bに溶接する。さらに、Mo箔103a、103bのそれぞれにリード線を接続する。そして、既存のイオン注入装置を用いて、電極2a、2bのそれぞれの先端部21a、21bに、ハロゲン元素を表面から50nmの深さまでイオン注入する。こうして、ハロゲン元素がイオン注入された一対の電極アセンブリを作製する。なお、ハロゲン元素をイオン注入する工程は、熱的な問題(熱による脱離)がないのであれば、どのタイミングで行ってもよい。
【0036】
(第1の電極組み込み工程:S3)
上記電極組み立て工程で作製した一対の電極アセンブリのうちの一方(以下、第1の電極アセンブリという)を、石英バルブ101の一端の開口(以下開口Aという。)から挿入し、所定の位置に配置する。
【0037】
(第1の排気工程:S4)
第1の電極アセンブリが配置された石英バルブ101の開口Aを周知の排気台に取り付け、例えば10−2Pa以下の真空度まで排気する。その後、不活性ガスを導入し、開口A端を封じ切る。
【0038】
(第1の封止工程:S5)
上記第1の排気工程で封じ切った、石英バルブ101の封止部分をガスバーナ等の局部加熱治具で加熱し、第1の電極アセンブリの、リード線、Mo箔、および電極基部を封止部分に埋設する。
【0039】
(水銀導入工程:S6)
石英バルブ104の他端の開口(以下開口Bという)から、所定の量の水銀(Hg)を専用治具を用いて導入する。
【0040】
(第2の電極組み込み工程:S7)
もう一方の電極アセンブリ(以下、第2の電極アセンブリという)を石英バルブ101の開口Bから挿入し、周知の治具を用いて、第1、第2の電極アセンブリの電極(電極2a、2b)が所定の間隔となるように配置する。
【0041】
(第2の排気工程:S8)
石英バルブ101の開口B側を排気台に取り付け、バルブ内の酸素分圧が例えば2.0×10−3Paになるまで排気する。
【0042】
(不活性ガス導入工程:S9)
石英バルブ101の開口Bから、不活性ガスとして、例えば分圧で20kPaとなる量のアルゴンガスを導入する。従来は、この不活性ガス導入工程の後、ハロゲンガスの導入が行われるが、本実施形態の高圧放電ランプの作製では、そのようなハロゲンガスの導入工程は不要である。不活性ガス導入後、石英バルブ101の開口B端をガスバーナで封じ切る。
【0043】
(第2の封止工程:S10)
石英バルブ101の封止部分(開口B側)をガスバーナ等の局部加熱治具で加熱し、第2の電極アセンブリの、リード線、Mo箔、および電極基部をその封止部分に埋設する。
【0044】
上述の製造工程において、電極2a、2bのそれぞれの先端部21a、21bは、数回1000℃以下の熱履歴を受けるが、ハロゲン元素は表面から50nm程度の深さにイオン注入されているので、それらの熱履歴において熱による脱離はほとんど生じない。
【0045】
上述した製造工程によれば、ランプ組み立て時にハロゲンガスを取り扱う必要がないので、従来使用されていたような、非常に高価で大型のハロゲンガスの関連設備(例えば、ガス供給装置や除外装置など)を導入する必要がなくなる。よって、非常にコンパクトな製造ラインでの製造が可能となる。
【0046】
なお、上述した製造工程は、一例であって、適宜、工程を入れ替えても良い。例えば、水銀導入工程、不活性ガス導入工程はその順序が逆になってもよい。
【0047】
以上説明した実施形態において、イオン注入を行う電極は一対の電極のいずれか一方だけでもよい。
【0048】
また、所定の量のハロゲン元素を電極に添加して、石英バルブ101内のハロゲン元素の含有量を所望の値に制御することができるのであれば、イオン注入の他、どのような添加手法を用いてもよい。例えば、半導体製造工程で良く用いられている熱的な方法(溶融状態での添加や熱拡散など)を用いて、所定の量のハロゲン元素を電極に添加してもよい。この場合は、電極全体にハロゲン元素が添加されることになるので、組み立て工程における熱よって放出されるハロゲン元素が放出された後の、ランプ動作時において放出されるハロゲン元素の量を予め実験により取得しておき、その結果から、最適な添加量を推定する必要がある。
【0049】
さらに、一対の電極は図1に示した構造に限定されるものではなく、高圧放電ランプに適用することができ、ハロゲン元素を添加することが可能なものであれば、どのような形状、構造のものを用いてもよい。
【0050】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、ハロゲン元素の電極への添加量は原子数単位で制御することで、石英バルブ内に所望の量のハロゲン元素を容易、かつ、高精度に封入することができる。この結果、黒化等の不具合のバラツキが非常に少なく、動作の安定した高圧放電ランプを提供することができる。
【0051】
さらに、本発明によれば、ハロゲンガスを取り扱う必要がないので、非常に高価で大型のハロゲンガスの関連設備(例えば、ガス供給装置や除外装置など)を導入する必要がない。よって、従来のものと比べて、よりコンパクトで安価な製造設備でランプの生産を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態である高圧放電ランプの要部を模式的に示す断面図である。
【図2】図1に示す高圧放電ランプにおける注入電圧と注入深さの関係を示すグラフである。
【図3】図1に示す高圧放電ランプの一連の製造手順を示す工程図である。
【図4】従来の高圧放電ランプの概略構成を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
2a、2b、102a、102b 電極
21a、21b 先端部
101 石英バルブ
103a、103b Mo箔
104a、104b 冷却コイル
[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a discharge lamp, and more particularly, to a high-pressure discharge lamp using a halogen cycle and a method for manufacturing the same.
[0002]
[Prior art]
High-pressure discharge lamps, such as xenon lamps, high-pressure mercury lamps, and metal halide lamps, are widely used as light sources for copiers and projectors because of their high luminance and good color rendering properties.
[0003]
Normally, a high pressure discharge lamp has a structure in which a halogen cycle is used to prevent blackening of a bulb wall (see Patent Document 1). FIG. 4 shows a schematic configuration of the high-pressure discharge lamp. Hereinafter, the configuration and operation of the high-pressure discharge lamp and the principle of the halogen cycle will be described.
[0004]
Referring to FIG. 4, this high-pressure discharge lamp has a structure in which a pair of electrodes 102a and 102b made of, for example, tungsten are opposed to each other in a tubular quartz glass bulb (hereinafter referred to as "quartz bulb") 101. Has become. The electrodes 102a and 102b are provided with cooling coils 104a and 104b at the distal ends, and the base sides are joined to Mo (molybdenum) foils 103a and 103b. Both ends of the quartz bulb 101 are hermetically sealed together with the bases of the electrodes 102a and 102b and the Mo foils 103a and 103b. The electrodes 102a, 102b and the Mo foils 103a, 103b are joined by, for example, welding. In the quartz bulb 101, a small amount of halogen gas is previously sealed together with, for example, mercury (Hg) and an inert gas necessary for maintaining discharge light emission.
[0005]
In the above-mentioned high-pressure discharge lamp, external lead wires (not shown) are bonded to Mo foils 103a and 103b sealed at both ends of the quartz bulb 101, and a predetermined trigger voltage is applied to these external lead wires. . When a trigger voltage is applied, a glow discharge is induced between the two electrodes 102a and 102b in an atmosphere of an inert gas in the quartz bulb 101, whereby the enclosed mercury is vaporized, and a plasma is generated in a high-pressure mercury gas. Discharge occurs.
[0006]
In the above operation state, a sputtering phenomenon occurs due to mercury ions and electrons at the time of plasma discharge, and tungsten atoms (ionized state) are released from both electrodes 102a and 102b. When the tungsten atoms thus released adhere to the inner wall of the quartz bulb 101, the bulb wall becomes black.
[0007]
In the halogen cycle, tungsten atoms (ionized state) released from both electrodes 102a and 102b are combined with previously sealed halogen atoms to form tungsten halide. This tungsten halide floats in the quartz bulb 101 by thermal convection, and is exposed to a high temperature near the electrodes 102a and 102b, thereby being separated into tungsten atoms and halogen atoms. The separated tungsten atoms adhere to the electrodes 102a and 102b, whereby the electrodes are regenerated. On the other hand, the separated halogen atoms again contribute to tungsten halide formation. The repetition of this series of reactions is a halogen cycle, which prevents the above-described blackening of the valve wall.
[0008]
[Patent Document 1]
JP, 2002-124210, A
[Problems to be solved by the invention]
However, the conventional high-pressure discharge lamp described above requires a large-sized gas supply device and abatement equipment in order to handle halogen gas. For this reason, the manufacturing equipment has become very expensive.
[0010]
The efficiency of the halogen cycle is
(1) The amount of halogen atoms is smaller than the amount of released tungsten atoms.
[0011]
(2) Since the amount of the impurity gas in the quartz bulb is large, the probability that tungsten atoms are bonded to halogen atoms is reduced.
[0012]
(3) Depending on operating conditions, the amount of sputtered tungsten atoms increases.
And other factors. In order to carry out the halogen cycle efficiently, it is necessary to accurately enclose an appropriate amount of a halogen element in the quartz bulb. At present, encapsulation of a halogen element in a quartz bulb is performed by mixing the halogen element with an inert gas and encapsulating the mixed gas in the quartz bulb using a known exhaust stand device. At present, the amount of halogen gas sealed in the quartz bulb varies by several% due to poor mounting accuracy of the quartz bulb to the exhaust stand apparatus and accuracy of enclosing the mixed gas. For this reason, it has been difficult to seal an appropriate amount of halogen gas into a small-sized lamp such as an ultra-high pressure mercury lamp with high accuracy.
[0013]
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a high-pressure discharge lamp capable of solving the above-mentioned problems and enclosing an appropriate amount of a halogen element with high accuracy, and a method of manufacturing the same.
[0014]
[Means for Solving the Problems]
The high-pressure discharge lamp of the present invention is a high-pressure discharge lamp in which a pair of electrodes is disposed in a hermetically sealed glass bulb, and the pair of electrodes has a predetermined amount of a halogen element in at least one of the electrodes. It is characterized by being added. According to this configuration, the addition amount of the halogen element to the electrode can be controlled in units of the number of atoms, so that a desired amount of the halogen element can be easily and accurately sealed in the bulb. .
[0015]
In the above case, the pair of electrodes may be arranged such that the tips are opposed to each other, and the halogen element may be implanted into a portion at a predetermined depth from the surface of each tip. According to this configuration, the amount of the halogen element sealed in the bulb can be accurately controlled because there is no thermal desorption of the halogen element during the electrode heat treatment at the time of assembling the lamp.
[0016]
Further, the amount of the halogen element is in the range of 10 −8 to 10 −2 μmol / mm 3 , more preferably 10 −7 to 10 −4 μmol / mm 3 when released into the glass bulb. It may be a range. This allows the halogen cycle to function more efficiently.
[0017]
A method of manufacturing a high-pressure discharge lamp according to the present invention is characterized in that a predetermined amount of a halogen element is added to at least one of a pair of electrodes, and then the pair of electrodes is incorporated in a glass bulb. According to this method, since there is no need to handle halogen gas, it is not necessary to introduce a very expensive and large-sized equipment related to halogen gas (for example, a gas supply device or an exclusion device).
[0018]
In the above case, the step of adding the halogen element may include an ion implantation step of implanting the halogen element into a portion at a predetermined depth from the surface of the tip of each of the pair of electrodes by ion implantation. According to this method, the amount of the halogen element sealed in the bulb can be accurately controlled because there is no thermal desorption of the halogen element in the electrode heat treatment at the time of assembling the lamp.
[0019]
Further, the amount of the halogen element is in the range of 10 −8 to 10 −2 μmol / mm 3 , more preferably 10 −7 to 10 −4 μmol / mm 3 when released into the glass bulb. It may be a range. This allows the halogen cycle to function more efficiently.
[0020]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0021]
FIG. 1 is a schematic diagram showing a main part of a high-pressure discharge lamp according to one embodiment of the present invention. The high-pressure discharge lamp of the present embodiment is basically shown in FIG. 4 except that a predetermined amount of a halogen element is added to the surface of each of the tips 21a and 21b of the electrodes 2a and 2b by ion implantation. It is the same as the conventional one. In FIG. 1, the same parts as those of the related art are denoted by the same reference numerals.
[0022]
The electrodes 2a and 2b are made of, for example, tungsten, and are arranged in the quartz bulb 101 such that their tips 21a and 21b face each other. The bases of the electrodes 2a and 2b are joined to Mo foils 103a and 103b, respectively, and both ends of the quartz bulb 101 are hermetically sealed near the joint. Cooling coils 104a and 104b, each of which is formed by densely winding a wire made of, for example, tungsten, are provided adjacent to each of the tips 21a and 21b. The tip portions 21a and 21b are formed by melting a part of an electrode and a part of a cooling coil with a YAG laser or the like, and have a smooth hemispherical (frustoconical shape) surface. I have. Examples of the halogen elements (ions) implanted on the surfaces of the tips 21a and 21b include chlorine (Cl ), bromine (Br ), and iodine (I ).
[0023]
The quartz bulb 101 is filled with, for example, mercury (Hg) and an inert gas (for example, argon (Ar), xenon (Xe), etc.) necessary for maintaining the discharge light emission. Is not encapsulated. Instead of filling the halogen gas, a halogen element is added to the surfaces of the tips 21a and 21b of the electrodes 2a and 2b. The amount of mercury enclosed is desirably in the range of, for example, 0.12 to 0.30 mg / mm 3 . The amount of the inert gas charged is preferably about 20 kPa in partial pressure.
[0024]
In the high-pressure discharge lamp of the present embodiment, when a predetermined trigger voltage is applied to the external lead wires (not shown) connected to the Mo foils 103a and 103b, both of them are placed under an inert gas atmosphere in the quartz bulb 101. A glow discharge is induced between the electrodes 2a and 2b, whereby the enclosed mercury is vaporized and a plasma discharge occurs in a high-pressure mercury gas. Simultaneously with the application of the trigger voltage, both electrodes 2a and 2b are instantaneously heated to a predetermined temperature (2000 ° C. or higher), and halogen elements (ions) are emitted from the respective tips 21a and 21b. A halogen cycle is performed by the halogen element (ion) thus released, and blackening of the bulb wall is prevented.
[0025]
The amount of the halogen element (ion) released into the quartz bulb 101 is in a range that allows the halogen cycle to function efficiently, for example, in the range of 10 −8 to 10 −2 μmol / mm 3 , more preferably, in the range of 10 −7 to 10 −7 μmol / mm 3. It is in the range of 10 −4 μmol / mm 3 . If the emission amount of the halogen element (ion) is out of the range, blackening occurs, and stable lamp operation becomes difficult. In the present embodiment, by controlling the ion implantation of the halogen element into the electrodes 2a and 2b, the emission amount of the halogen element (ion) in such a preferable range is realized.
[0026]
Hereinafter, ion implantation of a halogen element into the electrodes 2a and 2b will be described.
[0027]
Since the halogen element added to the electrodes 2a and 2b is desorbed by heat, when the halogen element is ion-implanted into the electrodes 2a and 2b, it is necessary to consider a heat treatment performed at the time of assembling the lamp. Specifically, since the electrode heat treatment temperature in such a heat treatment step is about 1100 ° C. at the maximum, the ion-implanted halogen element is sufficiently higher than the electrode heat treatment temperature and the temperature during lamp operation ( For example, it is necessary to release most of them below about 2000 ° C.).
[0028]
When a halogen element is ion-implanted, for example, to a depth of about 50 nm from the surface, the implanted halogen element is not emitted at a temperature of about 1100 ° C. Released. However, when the implantation depth of the halogen element is 20 nm or less from the surface, the implanted halogen element is desorbed at a temperature of about 1100 ° C. Experimentally, the critical point of the implantation depth at which the desorption of the halogen element does not occur at a temperature of about 1100 ° C. is 30 to 40 nm when the electrode material is tungsten, and at least at the implantation depth above this critical point. It is necessary to ion-implant a halogen element. For example, when bromine (Br) ions are implanted into a tungsten electrode at an implantation depth of 50 nm, the implanted bromine (Br) ions may remain in the electrode with a probability of 99.9% after the electrode heat treatment. Confirmed in experiments up to.
[0029]
The implantation depth can be controlled by the ion implantation voltage (acceleration voltage). FIG. 2 shows the relationship between implantation voltage and implantation depth when bromine (Br) is ion-implanted into a tungsten electrode. As can be seen from the relationship shown in FIG. 2, if the injection voltage is low, the injection depth becomes shallow, and if the injection voltage is high, the injection depth becomes deep. As described above, by controlling the implantation voltage, the halogen element can be ion-implanted at a desired implantation depth. For example, by setting the implantation voltage to about 300 keV, the implantation depth can be reduced to about 50 nm from the surface.
[0030]
In the high-pressure discharge lamp of the present embodiment, the implantation depth of the halogen element implanted into the tips 21a, 21b of the electrodes 2a, 2b is about 50 nm from the surface. For this reason, the ion-implanted halogen element does not desorb even at the electrode heat treatment temperature in the lamp assembling process, and almost all of the halogen element is released at the temperature during lamp operation (for example, about 2000 ° C.). In this case, the amount of the halogen element (ion) released into the quartz bulb 101 is determined according to the amount of the ion-implanted halogen element. Therefore, if the injection amount of the halogen element is controlled in accordance with the volume of the quartz bulb 101, the amount of the halogen element (ion) released into the quartz bulb 101 is in the range of 10 −8 to 10 −2 μmol / mm 3 ( More preferably, it can be suppressed within the range of 10 −7 to 10 −4 μmol / mm 3 ).
[0031]
For example, when manufacturing a high-pressure discharge lamp using a quartz bulb 101 having a volume of 150 mm 3 , 9 × 10 13 pieces (this is expressed in terms of moles) are provided at the tips 21 a and 21 b of the electrodes 2 a and 2 b made of tungsten. (Corresponding to 1.5 × 10 −4 μmol) of bromine (Br) ions at a depth of 50 nm from the surface to reduce the halogen element content in the quartz bulb 101 to approximately 1 × 10 4 during lamp operation. −4 μmol / mm 3 .
[0032]
As described above, according to the high-pressure discharge lamp of the present embodiment, the content of the halogen element in the quartz bulb 101 during the lamp operation can be controlled by the amount of the halogen element ion-implanted. In this case, since the injection amount can be controlled in the unit of the number of atoms, a desired amount of a halogen element can be easily and precisely sealed in the quartz bulb 101.
[0033]
Next, a method for manufacturing the high-pressure discharge lamp of the present embodiment will be specifically described. FIG. 3 shows a manufacturing process of the high-pressure discharge lamp shown in FIG. Hereinafter, the manufacturing process will be described with reference to FIGS.
[0034]
(Bulb forming step: S1)
Using a quartz glass tube, a quartz bulb 101 having a bulge at the center is manufactured. At this point, both ends of the quartz bulb 101 have not yet been sealed.
[0035]
(Electrode assembly process: S2)
Cooling coils 104 and 104b made of a predetermined metal are attached to the rod-like electrodes 2a and 2b made of tungsten near the respective tips 21a and 21b, and the bases are welded to the Mo foils 103a and 103b. Further, a lead wire is connected to each of the Mo foils 103a and 103b. Then, a halogen element is ion-implanted into the respective tips 21a and 21b of the electrodes 2a and 2b from the surface to a depth of 50 nm using an existing ion implantation apparatus. Thus, a pair of electrode assemblies into which the halogen element is ion-implanted is manufactured. Note that the step of ion-implanting a halogen element may be performed at any timing as long as there is no thermal problem (desorption due to heat).
[0036]
(First electrode assembling step: S3)
One of the pair of electrode assemblies (hereinafter, referred to as a first electrode assembly) manufactured in the electrode assembling step is inserted through an opening (hereinafter, referred to as an opening A) at one end of the quartz bulb 101 and arranged at a predetermined position. I do.
[0037]
(First exhaust step: S4)
The opening A of the quartz bulb 101 in which the first electrode assembly is disposed is attached to a well-known evacuation table, and evacuation is performed to, for example, a vacuum of 10 −2 Pa or less. Thereafter, an inert gas is introduced, and the end of the opening A is completely closed.
[0038]
(First sealing step: S5)
The sealed portion of the quartz bulb 101, which has been sealed off in the first evacuation step, is heated by a local heating jig such as a gas burner, and the lead wire, Mo foil, and electrode base of the first electrode assembly are sealed. Buried in
[0039]
(Mercury introduction step: S6)
A predetermined amount of mercury (Hg) is introduced from an opening at the other end of the quartz bulb 104 (hereinafter referred to as opening B) using a dedicated jig.
[0040]
(Second electrode assembling step: S7)
The other electrode assembly (hereinafter, referred to as a second electrode assembly) is inserted through the opening B of the quartz bulb 101, and the electrodes (electrodes 2a, 2b) of the first and second electrode assemblies are inserted using a known jig. Are arranged at predetermined intervals.
[0041]
(Second exhaust step: S8)
The opening B side of the quartz valve 101 is attached to an exhaust table, and the exhaust is performed until the oxygen partial pressure in the valve reaches, for example, 2.0 × 10 −3 Pa.
[0042]
(Inert gas introduction step: S9)
Through the opening B of the quartz bulb 101, an inert gas, for example, an argon gas having a partial pressure of 20 kPa is introduced as an inert gas. Conventionally, a halogen gas is introduced after the inert gas introduction step, but such a halogen gas introduction step is unnecessary in the production of the high-pressure discharge lamp of the present embodiment. After the introduction of the inert gas, the end of the opening B of the quartz bulb 101 is sealed off with a gas burner.
[0043]
(Second sealing step: S10)
The sealed portion (opening B side) of the quartz bulb 101 is heated by a local heating jig such as a gas burner, and the lead wire, Mo foil, and electrode base of the second electrode assembly are embedded in the sealed portion.
[0044]
In the above-described manufacturing process, the respective tips 21a and 21b of the electrodes 2a and 2b receive a thermal history of 1000 ° C. or less several times, but the halogen element is ion-implanted to a depth of about 50 nm from the surface. Almost no thermal desorption occurs in their thermal history.
[0045]
According to the above-described manufacturing process, there is no need to handle halogen gas at the time of assembling the lamp, and therefore, equipment related to a very expensive and large halogen gas used conventionally (for example, a gas supply device and an exclusion device). Need to be introduced. Therefore, production on a very compact production line becomes possible.
[0046]
Note that the above-described manufacturing process is an example, and the process may be appropriately replaced. For example, the order of the mercury introduction step and the inert gas introduction step may be reversed.
[0047]
In the embodiment described above, the electrode for performing ion implantation may be only one of the pair of electrodes.
[0048]
If a predetermined amount of a halogen element is added to the electrode and the content of the halogen element in the quartz bulb 101 can be controlled to a desired value, any addition method other than ion implantation may be used. May be used. For example, a predetermined amount of a halogen element may be added to the electrode by using a thermal method often used in a semiconductor manufacturing process (such as addition in a molten state or thermal diffusion). In this case, since the halogen element is added to the entire electrode, the amount of the halogen element released at the time of lamp operation after the halogen element released by heat in the assembly process is released is determined in advance by an experiment. It is necessary to obtain it and estimate the optimum amount of addition from the result.
[0049]
Further, the pair of electrodes is not limited to the structure shown in FIG. 1, but may be applied to a high-pressure discharge lamp, and may have any shape and structure as long as a halogen element can be added. May be used.
[0050]
【The invention's effect】
As described above, according to the present invention, a desired amount of a halogen element is easily and precisely enclosed in a quartz bulb by controlling the addition amount of a halogen element to an electrode in units of the number of atoms. be able to. As a result, it is possible to provide a high-pressure discharge lamp with a stable operation, which has a very small variation in troubles such as blackening.
[0051]
Furthermore, according to the present invention, since there is no need to handle halogen gas, it is not necessary to introduce very expensive and large-sized equipment related to halogen gas (for example, a gas supply device or an exclusion device). Therefore, the production of the lamp can be performed with a more compact and less expensive manufacturing equipment than the conventional one.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a main part of a high-pressure discharge lamp according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a graph showing a relationship between an injection voltage and an injection depth in the high-pressure discharge lamp shown in FIG.
FIG. 3 is a process chart showing a series of manufacturing procedures of the high-pressure discharge lamp shown in FIG.
FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing a schematic configuration of a conventional high-pressure discharge lamp.
[Explanation of symbols]
2a, 2b, 102a, 102b Electrodes 21a, 21b Tip 101 Quartz bulb 103a, 103b Mo foil 104a, 104b Cooling coil

Claims (10)

気密封止されたガラス製バルブ内に一対の電極が配置された高圧放電ランプであって、
前記一対の電極は、少なくとも一方の電極に所定の量のハロゲン元素が添加されていることを特徴とする高圧放電ランプ。
A high-pressure discharge lamp in which a pair of electrodes are arranged in a hermetically sealed glass bulb,
The high-pressure discharge lamp according to claim 1, wherein a predetermined amount of a halogen element is added to at least one of the pair of electrodes.
前記一対の電極は、前記先端部が互いに対向するように配置されており、それぞれの先端部の表面から所定の深さの部分に前記ハロゲン元素が打ち込まれていることを特徴とする請求項1に記載の高圧放電ランプ。The said pair of electrodes are arrange | positioned so that the said front-end | tip part may mutually oppose, The said halogen element is implanted in the part of predetermined depth from the surface of each front-end | tip part, The said 1st element | device The high-pressure discharge lamp according to claim 1. 前記ハロゲン元素の量は、前記ガラス製バルブ内に放出された状態で10−8〜10−2μmol/mmの範囲であることを特徴とする請求項1または2に記載の高圧放電ランプ。 3. The high-pressure discharge lamp according to claim 1, wherein the amount of the halogen element is in a range of 10 −8 to 10 −2 μmol / mm 3 when released into the glass bulb. 4. 前記ハロゲン元素の量は、前記ガラス製バルブ内に放出された状態で10−7〜10−4μmol/mmの範囲であることを特徴とする請求項1または2に記載の高圧放電ランプ。 3. The high-pressure discharge lamp according to claim 1, wherein the amount of the halogen element is in a range of 10 −7 to 10 −4 μmol / mm 3 when the halogen element is released into the glass bulb. 4 . 前記ハロゲン元素は、塩素、臭素、ヨウ素のいずれかであることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の高圧放電ランプ。The high-pressure discharge lamp according to any one of claims 1 to 4, wherein the halogen element is one of chlorine, bromine, and iodine. 一対の電極の少なくとも一方に所定量のハロゲン元素を添加した後、該一対の電極をガラス製バルブ内に組み込むことを特徴とする高圧放電ランプの製造方法。A method for manufacturing a high-pressure discharge lamp, comprising adding a predetermined amount of a halogen element to at least one of a pair of electrodes, and then incorporating the pair of electrodes into a glass bulb. 前記ハロゲン元素を添加する工程は、前記一対の電極のそれぞれの先端部の表面から所定の深さの部分に前記ハロゲン元素をイオン注入により打ち込むイオン注入工程を含むことを特徴とする請求項6に記載の高圧放電ランプの製造方法。7. The method according to claim 6, wherein the step of adding the halogen element includes an ion implantation step of implanting the halogen element by ion implantation into a portion at a predetermined depth from a surface of each of the pair of electrodes. A method for manufacturing the high-pressure discharge lamp according to the above. 前記ハロゲン元素の量は、前記ガラス製バルブ内に放出された状態で10−8〜10−2μmol/mmの範囲であることを特徴とする請求項6または7に記載の高圧放電ランプの製造方法。8. The high-pressure discharge lamp according to claim 6, wherein the amount of the halogen element is in a range of 10 −8 to 10 −2 μmol / mm 3 when released into the glass bulb. 9. Production method. 前記ハロゲン元素の量は、前記ガラス製バルブ内に放出された状態で10−7〜10−4μmol/mmの範囲であることを特徴とする請求項6または7に記載の高圧放電ランプの製造方法。8. The high-pressure discharge lamp according to claim 6, wherein the amount of the halogen element is in a range of 10 −7 to 10 −4 μmol / mm 3 when released in the glass bulb. 9. Production method. 前記ハロゲン元素は、塩素、臭素、ヨウ素のいずれかであることを特徴とする請求項6から9のいずれか1項に記載の高圧放電ランプの製造方法。The method according to any one of claims 6 to 9, wherein the halogen element is any of chlorine, bromine, and iodine.
JP2002343811A 2002-11-27 2002-11-27 High pressure discharge lamp and manufacturing method thereof Expired - Fee Related JP4186044B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002343811A JP4186044B2 (en) 2002-11-27 2002-11-27 High pressure discharge lamp and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002343811A JP4186044B2 (en) 2002-11-27 2002-11-27 High pressure discharge lamp and manufacturing method thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004178979A true JP2004178979A (en) 2004-06-24
JP4186044B2 JP4186044B2 (en) 2008-11-26

Family

ID=32705506

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002343811A Expired - Fee Related JP4186044B2 (en) 2002-11-27 2002-11-27 High pressure discharge lamp and manufacturing method thereof

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4186044B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015128754A1 (en) * 2014-02-27 2015-09-03 Koninklijke Philips N.V. Electrode for a short-arc high pressure lamp

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015128754A1 (en) * 2014-02-27 2015-09-03 Koninklijke Philips N.V. Electrode for a short-arc high pressure lamp

Also Published As

Publication number Publication date
JP4186044B2 (en) 2008-11-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100324051B1 (en) Electrodeless fluorescent lamp
JP3298466B2 (en) Short arc type discharge lamp and method of manufacturing the same
US4672270A (en) Metal vapor discharge lamp having a starting device of a thermal switch type
JP3555889B2 (en) High pressure discharge lamp and method of manufacturing the same
JP3204189B2 (en) Short arc type ultra-high pressure discharge lamp
JP2001023573A (en) Arc tube for discharge lamp device and its manufacture
JP4186044B2 (en) High pressure discharge lamp and manufacturing method thereof
JP2001256918A (en) High-pressure discharge lamp and its manufacture
EP2149146B1 (en) High pressure sodium lamp
US6679746B2 (en) Method for producing discharge lamp and discharge lamp
JP2001006549A (en) Manufacture of arc tube for discharge lamp device and arc tube
JP2003331780A (en) Electrode structure for short-arc discharge lamp
JP3927136B2 (en) Manufacturing method of discharge lamp
JP2006164533A (en) Arc tube for discharge lamp device and manufacturing method for the arc tube
JP6120182B2 (en) Both ends sealed short arc flash lamp
JP2002279937A (en) Electrodeless discharge tube and its manufacturing method
JP3330592B2 (en) Discharge lamp manufacturing method and discharge lamp
JPH10321135A (en) High pressure discharge lamp and its manufacture
JP2000100386A (en) High-pressure metal vapor discharge lamp
JP4453487B2 (en) Oxygen sealing method for high pressure discharge lamp
JP2022061375A (en) Structure for sealing lamp, lamp, and method for sealing lamp
JP2004335245A (en) Manufacturing method of discharge tube
JPH01243339A (en) Manufacture of fluorescent lamp
JPH04280033A (en) Manufacture of fluorescent lamp
JP3319265B2 (en) High pressure metal vapor discharge lamp

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040420

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20040420

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20041220

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20041220

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20060130

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20070313

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080514

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080709

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080813

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080826

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4186044

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110919

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120919

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130919

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130919

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140919

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees