JP2004177405A - Humidity detecting device of electrical capacitance type and method of manufacturing the same - Google Patents

Humidity detecting device of electrical capacitance type and method of manufacturing the same Download PDF

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Yutaka Katagiri
裕 片桐
Akira Shibue
明 渋江
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electrical capacitance type humidity detecting device and a method of manufacturing the same with high volume productivity in which a humidity-sensitive film is formed at a low temperature and in a short time. <P>SOLUTION: The electrical capacitance type humidity detecting device comprises a substrate 1 and the humidity-sensitive film 3 having a first electrode layer 2 and a second electrode layer 4. The humidity-sensitive film 3 has polyimide as the main ingredient made by the polymerization of biphenylsulfone tetracarboxylic dianhydride and aromatic diamine. An example of biphenylsulfone tetracarboxylic dianhydride is 3,3',4,4'-diphenylsulfone tetracarboxylic dianhydride. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

本発明は、有機高分子樹脂材料を感湿膜とする電気容量式湿度検知素子及びその製造方法に関する。   The present invention relates to a capacitance type humidity sensing element using an organic polymer resin material as a moisture-sensitive film and a method for manufacturing the same.

電気容量式湿度検知素子は、吸着した水分子の関数として誘電率が変化する誘電体を感湿膜として用い、それを挟んで対向する一対の電極層を配置して感湿膜の電気容量の変化を検出し、その電気容量の変化に基づいた湿度を検知するものである。   The capacitance-type humidity sensing element uses a dielectric whose dielectric constant changes as a function of adsorbed water molecules as a moisture-sensitive film, and arranges a pair of electrode layers facing each other with the dielectric interposed therebetween to reduce the capacitance of the moisture-sensitive film. The change is detected, and the humidity is detected based on the change in the electric capacity.

この種の湿度検知素子としては、有機極性溶媒に可溶なポリイミド膜を感湿膜として用いた電気容量式湿度検知素子が提案されており、ポリイミド膜は、ビフェニルテトラカルボン酸成分と芳香族ジアミン成分とを重合およびイミド化することにより得られる(例えば、特許文献1、2参照)。
特開平4−250352号公報 特公平8−23542号公報(特開平6−148122号公報)
As a humidity detecting element of this type, a capacitive humidity detecting element using a polyimide film soluble in an organic polar solvent as a moisture-sensitive film has been proposed.A polyimide film is composed of a biphenyltetracarboxylic acid component and an aromatic diamine. It is obtained by polymerizing and imidizing a component (for example, see Patent Documents 1 and 2).
JP-A-4-250352 Japanese Patent Publication No. Hei 8-23542 (Japanese Unexamined Patent Publication No. Hei 6-148122)

しかし、従来の電気容量式湿度検知素子においては、ポリイミド膜を得るために、基板上でビフェニルテトラカルボン酸成分と芳香族ジアミン成分とを重合およびイミド化する必要があるため、感湿膜形成時の熱処理温度(加熱硬化温度)が300〜350℃と高くなり、時間も30分以上かかる。そのため、感湿膜を形成する過程で基板が劣化する恐れがあり、量産性も低かった。特に、上記ポリイミド膜を製造する場合、得られる感湿膜の均質性が低下し、感湿膜の表面にうねりが生じるため、そのうねりに起因する感湿膜への加工等が必要となり、量産性が低いものとなっていた。
更にこのようにして得られる湿度検知素子の場合、湿度検知素子としての信頼性も低下し、相対湿度に対する出力値が、温度により変動したり、高温高湿環境下の放置により出力値のドリフトが生じる等の不具合も生じていた。
However, in the conventional capacitive humidity sensing element, it is necessary to polymerize and imidize a biphenyltetracarboxylic acid component and an aromatic diamine component on a substrate in order to obtain a polyimide film. The heat treatment temperature (heat hardening temperature) becomes as high as 300 to 350 ° C., and it takes 30 minutes or more. Therefore, the substrate may be deteriorated in the process of forming the moisture-sensitive film, and the mass productivity is low. In particular, when producing the above polyimide film, the homogeneity of the obtained moisture-sensitive film is reduced, and undulation is generated on the surface of the moisture-sensitive film. Had low quality.
Further, in the case of the humidity detecting element obtained in this way, the reliability as the humidity detecting element is also reduced, and the output value with respect to the relative humidity fluctuates depending on the temperature, or the output value drifts due to being left in a high temperature and high humidity environment. Inconveniences, such as occurrence, also occurred.

本発明はこのような問題点を解決するもので、比較的低温、短時間で感湿膜を成形することができ、量産性に優れた電気容量式湿度検知素子の製造方法及び、出力値の温度依存性が小さく、高温高湿環境下においてもドリフト変化の小さい高信頼性の電気容量式湿度検知素子を提供することを目的とする。   The present invention solves such a problem, a method of manufacturing a humidity sensor capable of forming a moisture-sensitive film at a relatively low temperature and in a short time, and excellent in mass productivity, and a method of producing an output value. An object of the present invention is to provide a highly reliable capacitance-type humidity detecting element having a small temperature dependency and a small drift change even in a high-temperature and high-humidity environment.

上記目的を達成するため、本発明の電気容量式湿度検知素子は、基板と、少なくとも2つの電極層を備えた感湿膜と、を含み、感湿膜は、ビフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミンとを重合したポリイミドを主成分とすることを特徴とする。なお、本発明において、「ポリイミドを主成分とする」とは、感湿膜がポリイミドを50質量%以上含有することを言うものとする。   In order to achieve the above object, a capacitance-type humidity detecting element of the present invention includes a substrate and a moisture-sensitive film provided with at least two electrode layers, wherein the moisture-sensitive film is biphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride. And a polyimide obtained by polymerizing an aromatic diamine. In the present invention, “having polyimide as a main component” means that the moisture-sensitive film contains 50% by mass or more of polyimide.

本発明で用いるポリイミドは、有機極性溶媒に溶解して調整し、基板に塗布した後、比較的低温な100〜280℃、数分〜二十数分程度の熱処理で成膜することが可能である。したがって、本発明の電気容量式湿度検知素子は、基板の熱劣化を防止でき、かつ量産性が高い。また、本発明の電気容量式湿度検知素子によれば、高温高湿環境下においても、感湿膜の膨潤が十分に防止される。このため、感湿膜の厚さ変化が十分に防止され、厚さ変化による容量の変化も十分に防止される。従って、本発明の電気容量式湿度検知素子によれば、高温高湿環境下においても、本来の湿度を的確に示すことが可能となる。即ち高温高湿環境下においても、相対湿度に対する出力値のドリフト変化を十分に小さくすることができる。更には、相対湿度に対する出力値の温度依存性を小さくすることもできる。   The polyimide used in the present invention can be formed by dissolving in an organic polar solvent, adjusting the composition, applying the composition to a substrate, and then performing heat treatment at a relatively low temperature of 100 to 280 ° C. for several minutes to about twenty minutes. is there. Therefore, the capacitance type humidity detecting element of the present invention can prevent thermal deterioration of the substrate and has high mass productivity. Further, according to the capacitance type humidity detecting element of the present invention, the swelling of the moisture-sensitive film is sufficiently prevented even in a high-temperature and high-humidity environment. Therefore, a change in the thickness of the moisture-sensitive film is sufficiently prevented, and a change in the capacitance due to the change in the thickness is also sufficiently prevented. Therefore, according to the capacitance type humidity detecting element of the present invention, it is possible to accurately indicate the original humidity even under a high temperature and high humidity environment. That is, even under a high-temperature and high-humidity environment, the drift change of the output value with respect to the relative humidity can be sufficiently reduced. Further, the temperature dependency of the output value with respect to the relative humidity can be reduced.

感湿膜の成膜のための熱処理温度は、好ましくは200〜250℃である。また、熱処理時間は、好ましくは10分から20分である。熱処理温度を高くするほど、熱処理時間は短くなる。   The heat treatment temperature for forming the moisture-sensitive film is preferably 200 to 250C. The heat treatment time is preferably from 10 minutes to 20 minutes. The higher the heat treatment temperature, the shorter the heat treatment time.

上記発明に用いられるビフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物としては、好ましくは、3,3’,4,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物を用いることができる。この場合、3,3’,4,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物以外のビフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物が用いられる場合と比べて、耐熱性が高くなる。   As the biphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride used in the present invention, preferably, 3,3 ', 4,4'-diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride can be used. In this case, heat resistance is higher than in the case where biphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride other than 3,3 ', 4,4'-diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride is used.

また、上記発明に用いられる芳香族ジアミンとしては、水素原子、ハロゲン元素、または炭素数が0〜4の置換基を含んでいてもよい2つのフェニル基を有する化合物が好ましい。フェニル基が4つ以上となり、ポリマー単位が長くなる場合には、耐熱性が落ちる。具体的には、p‐フェニレンジアミン、m‐フェニレンジアミン、4,4’‐ジアミノジフェニルメタン、、4,4’‐ジアミノジフェニルエーテル、硫化4,4’‐ジアミノジフェニル、ジアミノトルエン、ジアミノジフェニルスルホン、ビス(アミノフェノキシ‐フェニル)スルホンのうち少なくとも1つを有するものがより好ましい。このような芳香族ジアミンを使用することで、ポリイミド化後であっても有機溶媒に可溶となり、基板上で重合させるものと比して、残留応力の低減により、高湿環境下においても電気容量のドリフトを小さくすることができる。また、芳香族ジアミンは、下記構造式(1):

Figure 2004177405
(上記式中、Rは、単結合、−SO−、−CO−、−O−、−S−、アルキレン基又はアリーレン基を表し、R、Rは、それぞれ独立にアルキル基又はハロゲン原子を表し、p、qはそれぞれ0〜4の整数を表す)
で表されるものであってもよい。この場合、ポリイミドが有機極性溶媒に可溶になる。 Further, as the aromatic diamine used in the above invention, a compound having a hydrogen atom, a halogen element, or two phenyl groups which may contain a substituent having 0 to 4 carbon atoms is preferable. When the number of phenyl groups becomes four or more and the polymer unit becomes longer, the heat resistance decreases. Specifically, p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 4,4′-diaminodiphenylmethane, 4,4′-diaminodiphenyl ether, 4,4′-diaminodiphenyl sulfide, diaminotoluene, diaminodiphenylsulfone, bis ( Those having at least one of (aminophenoxy-phenyl) sulfones are more preferred. By using such an aromatic diamine, it becomes soluble in an organic solvent even after polyimide, and the residual stress is reduced compared with the case where it is polymerized on a substrate. Capacitance drift can be reduced. The aromatic diamine has the following structural formula (1):
Figure 2004177405
(In the above formula, R 0 represents a single bond, —SO 2 —, —CO—, —O—, —S—, an alkylene group or an arylene group, and R 1 and R 2 each independently represent an alkyl group or Represents a halogen atom, p and q each represent an integer of 0 to 4)
May be represented by In this case, the polyimide becomes soluble in the organic polar solvent.

本発明の湿度検知素子において、少なくとも2つの電極層のうち少なくとも1つは感湿膜の基板側の面上に形成されている場合に、この電極層の前記感湿膜と接する面の少なくとも一部は、シラン系カップリング剤で表面処理されていることが望ましい。これにより感湿膜とこの電極層との界面強度が強化され、接着性が高まる。その結果、感湿膜と第1の電極層との剥離が長期間にわたって十分に防止され、界面への水分の侵入が減少し、高温高湿環境下での容量のドリフト変化を長期間にわたって有効に抑制することができる。   In the humidity sensing element according to the present invention, when at least one of the at least two electrode layers is formed on the surface of the moisture-sensitive film on the substrate side, at least one of the surfaces of the electrode layer in contact with the moisture-sensitive film is provided. The part is desirably surface-treated with a silane coupling agent. Thereby, the interface strength between the moisture-sensitive film and the electrode layer is enhanced, and the adhesiveness is enhanced. As a result, peeling of the moisture-sensitive film from the first electrode layer is sufficiently prevented for a long period of time, penetration of moisture into the interface is reduced, and a change in capacitance drift under a high-temperature and high-humidity environment is effective for a long period of time. Can be suppressed.

シラン系カップリング剤としては、末端に単数または複数の機能性末端基を有する有機機能性シラン類のシラン系カップリング剤を用いることができる。機能性末端基としては、例えばフェニル基、アミノ基、ウレイド基等が挙げられる。上記機能性末端基を有する有機機能性シラン類のシラン系カップリング剤としては、例えばγ−アニリノプロピルトリメトキシシラン(AnPS)、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−β−アミノエチル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシランを用いることができる。   As the silane coupling agent, a silane coupling agent of an organic functional silane having one or more functional terminal groups at the terminal can be used. Examples of the functional terminal group include a phenyl group, an amino group, and a ureido group. Examples of the silane coupling agent for the organic functional silane having a functional terminal group include γ-anilinopropyltrimethoxysilane (AnPS), γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-β-aminoethyl-γ-aminopropyltrimethoxysilane and γ-ureidopropyltriethoxysilane can be used.

表面処理の方法としては、例えば、電極層を形成した基板をシラン系カップリング剤に浸漬する方法、又は電極層上にシラン系カップリング剤を滴下し、その後、乾燥し、熱処理を施す方法が挙げられる。   As a method of surface treatment, for example, a method of immersing the substrate on which the electrode layer is formed in a silane coupling agent, or a method of dropping a silane coupling agent on the electrode layer, followed by drying and heat treatment. No.

また、少なくとも2つの電極層のうち、第1の電極層は感湿膜の基板側の面上に形成され、第2の電極層は感湿膜の基板とは反対側の面上に形成されている場合、第2の電極層は、透湿性を有することが望ましい。第2の電極層が透湿性を有することにより、湿度変化に対する湿度検知素子の感度が、第2の電極層が透湿性を有しない場合に比べてより十分に高くなる。   Further, of the at least two electrode layers, the first electrode layer is formed on the surface of the moisture-sensitive film on the substrate side, and the second electrode layer is formed on the surface of the moisture-sensitive film opposite to the substrate. In this case, the second electrode layer desirably has moisture permeability. When the second electrode layer has moisture permeability, the sensitivity of the humidity detecting element to a change in humidity becomes sufficiently higher than when the second electrode layer does not have moisture permeability.

また、更に好ましくは、第2の電極層はメッシュ状にすることができる。電極形状をメッシュ状にすることにより、充分な通気性が確保され、かつ第2の電極層の厚さを厚くすることが出来るので、感湿膜と第2の電極層との接着性と機械的強度が高まる。   Further, more preferably, the second electrode layer can be formed in a mesh shape. By forming the electrode into a mesh shape, sufficient air permeability can be ensured and the thickness of the second electrode layer can be increased, so that the adhesion between the moisture-sensitive film and the second electrode layer and the mechanical properties are improved. Target strength is increased.

メッシュ状の電極層は、例えば、真空蒸着法を用い櫛形もしくはメッシュ状に形成することができる。   The mesh-shaped electrode layer can be formed in a comb shape or a mesh shape by using, for example, a vacuum evaporation method.

更に好ましくは、基板はプラスチック材料を主成分とすることができる。プラスチック材料を主成分とする基板を用いることにより、プラスチック材料以外の材料を主成分とする基板を用いる場合と比べて、湿度検知素子の軽量化、及び耐衝撃性の向上を図ることができる。   More preferably, the substrate can be based on a plastic material. By using a substrate containing a plastic material as a main component, it is possible to reduce the weight of the humidity detecting element and improve impact resistance as compared with a case where a substrate containing a material other than the plastic material as a main component is used.

このプラスチック材料としては、耐熱温度が感湿膜の熱処理温度以上であれば、公知の材料を用いることができ、例えば、ポリイミド、フッ素高分子等を用いることができる。湿度検知素子の感度を高めるためには、このプラスチック材料は、感湿膜より吸湿性が低いことが好ましい。   As the plastic material, a known material can be used as long as the heat-resistant temperature is equal to or higher than the heat treatment temperature of the moisture-sensitive film. For example, polyimide, a fluoropolymer, or the like can be used. In order to increase the sensitivity of the humidity detecting element, it is preferable that the plastic material has lower hygroscopicity than the moisture-sensitive film.

上記ビフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物は、下記一般構造式(2):

Figure 2004177405
(上記式中、Rは−SO−又は又は下記構造式(3):
Figure 2004177405
で表される基を表し、R,Rはそれぞれ独立に、水素原子、−SO又は上記構造式(3)で表される基を表し、Rはアリール基又は炭化水素基を表す)
で表されるものであることが好ましい。ビフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物として、上記一般構造式(2)で表されるものが用いられることにより、ポリイミドが有機極性溶媒に可溶となる。そのため基板上でポリイミド化することなく、ポリイミド化後に基板上に塗布することができ、感湿膜の均質性がより向上する。このため、感湿膜が不均質であることに起因する感湿膜への加工が不要となり、歩留まりの低下を十分に防止することができる。 The biphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride has the following general structural formula (2):
Figure 2004177405
(In the above formula, R 3 is —SO 2 — or or the following structural formula (3):
Figure 2004177405
Wherein R 4 and R 5 each independently represent a hydrogen atom, —SO 2 R 6 or a group represented by the above structural formula (3), and R 6 is an aryl group or a hydrocarbon group Represents)
It is preferably represented by By using the biphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride represented by the general structural formula (2), the polyimide becomes soluble in an organic polar solvent. Therefore, it can be applied on the substrate after the polyimide, without the polyimide on the substrate, and the uniformity of the moisture sensitive film is further improved. Therefore, it is not necessary to process the moisture-sensitive film due to the non-uniformity of the moisture-sensitive film, and it is possible to sufficiently prevent the yield from decreasing.

また、上記目的を達成するための本発明の電気容量式湿度検知素子の製造方法は、基板上に、電極層及び感湿膜を順次形成する工程を含み、感湿膜を形成する工程は、ビフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミンとを重合したポリイミドを有機極性溶媒に溶解してポリイミド溶液を得る段階と、このポリイミド溶液を前記電極層上に塗布する段階と、この塗布したポリイミド溶液を加熱する段階と、を有することを特徴とする。   Further, a method of manufacturing the capacitance-type humidity sensing element of the present invention for achieving the above object includes a step of sequentially forming an electrode layer and a moisture-sensitive film on a substrate, wherein the step of forming a moisture-sensitive film comprises: Dissolving a polyimide obtained by polymerizing biphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride and an aromatic diamine in an organic polar solvent to obtain a polyimide solution; applying the polyimide solution onto the electrode layer; and Heating the solution.

本発明の製造方法によれば、基板上でポリイミド溶液から溶媒を除去することにより感湿膜を形成するため、比較的低温・短時間で感湿膜を形成することができる。このため、湿度検知素子の量産性を高めることができる。また、基板の熱劣化を防ぐことが可能となる。更に、基板上でポリイミド溶液から溶媒を除去することにより感湿膜を形成するため、基板上で重合およびイミド化により感湿膜を形成する場合に比べて、得られる感湿膜の均質性がより高くなり、感湿膜表面におけるうねりの発生が十分に防止される。このため、そのうねりに起因する感湿膜への加工等が不要となり、量産性を十分に高くすることが可能となる。更に、本発明の電気容量式湿度検知素子の製造方法によれば、高温高湿環境下においても本来の湿度を的確に示すことが可能な電気容量式湿度検知素子を得ることができる。   According to the production method of the present invention, since the moisture-sensitive film is formed by removing the solvent from the polyimide solution on the substrate, the moisture-sensitive film can be formed at a relatively low temperature in a short time. For this reason, mass productivity of the humidity detecting element can be improved. Further, thermal deterioration of the substrate can be prevented. Furthermore, since the moisture-sensitive film is formed by removing the solvent from the polyimide solution on the substrate, the homogeneity of the obtained moisture-sensitive film is lower than when the moisture-sensitive film is formed by polymerization and imidization on the substrate. The undulation on the surface of the moisture-sensitive film is sufficiently prevented. For this reason, it is not necessary to process the moisture-sensitive film due to the undulation, and the mass productivity can be sufficiently improved. Further, according to the method of manufacturing the capacitance-type humidity detection element of the present invention, it is possible to obtain the capacitance-type humidity detection element capable of accurately indicating the original humidity even in a high-temperature and high-humidity environment.

ポリイミド溶液を加熱する温度は、100〜280℃が好ましく、200〜250℃とすることが更に好ましい。ポリイミド溶液の加熱温度が100℃未満では、溶媒が残存し、誘電率の経時変化の原因となる傾向がある。   The temperature at which the polyimide solution is heated is preferably from 100 to 280 ° C, more preferably from 200 to 250 ° C. If the heating temperature of the polyimide solution is lower than 100 ° C., the solvent tends to remain and cause a change with time in the dielectric constant.

また、加熱時間は、数分から二十数分が好ましく、10分から20分とすることが更に好ましい。   The heating time is preferably several minutes to twenty and several minutes, and more preferably 10 minutes to 20 minutes.

更にまた、基板として、耐熱温度が高いプラスチック材料を主成分とする基板を採用することが好ましい。この場合、プラスチック材料以外の材料を主成分とする基板を用いる場合と比べて、軽量性及び耐衝撃性が向上した湿度検知素子を得ることができる。このプラスチック材料としては、耐熱温度が感湿膜の熱処理温度以上であれば、公知の材料を採用でき、例えば、ポリイミド、フッ素高分子等を用いることができる。湿度検知素子の感度をより高めるためには、このプラスチック材料は、感湿膜より低い吸湿性を有するものであることが好ましい。   Furthermore, it is preferable to use a substrate mainly composed of a plastic material having a high heat-resistant temperature as the substrate. In this case, it is possible to obtain a humidity detecting element having improved lightness and impact resistance as compared with a case where a substrate mainly containing a material other than the plastic material is used. As the plastic material, a known material can be used as long as the heat resistance temperature is equal to or higher than the heat treatment temperature of the moisture-sensitive film. For example, polyimide, a fluoropolymer, or the like can be used. In order to further increase the sensitivity of the humidity detecting element, it is preferable that the plastic material has a lower hygroscopic property than the moisture-sensitive film.

感湿膜とこの電極層との接着性をさらに強固にするには、電極層を形成する工程の後、感湿膜を形成する工程の前に、電極層の感湿膜を形成する面の少なくとも一部を、シラン系カップリング剤で表面処理する工程を有することが望ましい。これにより感湿膜と前記電極層との界面強度が強化され、接着性が高まる。その結果、得られる湿度検知素子において、界面への水分の侵入が減少し、高温高湿環境下での容量のドリフトの変化を長期間にわたって有効に抑制することができる。   In order to further strengthen the adhesion between the moisture-sensitive film and the electrode layer, the surface of the electrode layer on which the moisture-sensitive film is to be formed is formed after the step of forming the electrode layer and before the step of forming the moisture-sensitive film. It is desirable to have a step of at least partially treating the surface with a silane coupling agent. Thereby, the interface strength between the moisture-sensitive film and the electrode layer is enhanced, and the adhesiveness is enhanced. As a result, in the obtained humidity detecting element, the intrusion of moisture into the interface is reduced, and the change in the capacity drift under a high-temperature and high-humidity environment can be effectively suppressed for a long period of time.

本発明によれば、比較的低温、短時間で成膜可能であり、量産性が高い電気容量式感湿素子及び電気容量式感湿素子の製造方法を提供することができる。
なお、本発明は、これら効果に依存することはない。
Advantageous Effects of Invention According to the present invention, it is possible to provide a capacitance-type moisture-sensitive element and a method for manufacturing the capacitance-type moisture-sensitive element which can be formed at a relatively low temperature in a short time and have high mass productivity.
Note that the present invention does not depend on these effects.

以下、本発明の一実施形態を図面を用いて説明する。図1は本発明の第1の実施の形態における電気容量式湿度検知素子の一部切欠き斜視図である。図1において、感湿膜3は第1の電極層2と第2の電極層4とで挟まれている。第1の電極層2および第2の電極層4には、それぞれリード線5が接続され、感湿膜3の相対湿度に対応する電気容量値の変化が検出可能となっている。従って、検出された感湿膜3の電気容量値の変化と、予め求められた電気容量値及び相対湿度の相関関係とに基づき、相対湿度を求めることが可能である。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a partially cutaway perspective view of a capacitance type humidity detecting element according to a first embodiment of the present invention. In FIG. 1, the moisture-sensitive film 3 is sandwiched between a first electrode layer 2 and a second electrode layer 4. Lead wires 5 are connected to the first electrode layer 2 and the second electrode layer 4, respectively, so that a change in the capacitance value corresponding to the relative humidity of the moisture-sensitive film 3 can be detected. Therefore, the relative humidity can be determined based on the detected change in the capacitance value of the moisture-sensitive film 3 and the correlation between the previously determined capacitance value and the relative humidity.

第1の電極層2、感湿膜3および第2の電極層4により湿度検知素子本体が形成されており、この湿度検知素子本体は基板1上に設けられている。ここで、湿度検知素子本体の第1の電極層2が基板1側に向けられ、第2の電極層4が基板1と反対側に向けられている。すなわち、湿度検知素子においては、第1の電極層2は感湿膜3の基板1側に形成され、第2の電極層4は感湿膜3の基板1と反対側の面上に形成されている。   The first electrode layer 2, the moisture-sensitive film 3, and the second electrode layer 4 form a humidity detecting element main body, and the humidity detecting element main body is provided on the substrate 1. Here, the first electrode layer 2 of the humidity sensing element main body is directed to the substrate 1 side, and the second electrode layer 4 is directed to the opposite side to the substrate 1. That is, in the humidity sensing element, the first electrode layer 2 is formed on the substrate 1 side of the moisture sensitive film 3 and the second electrode layer 4 is formed on the surface of the moisture sensitive film 3 opposite to the substrate 1. ing.

感湿膜3は、ビフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミンとを重合してなるポリイミドを主成分とする。感湿膜3をこのような構成とすることで、高温高湿環境下においても、相対湿度に対する出力値のドリフト変化を十分に小さくすることができる。更には、相対湿度に対する出力値の温度依存性を小さくすることもできる。ここで、ビフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物としては、耐熱性が高いという理由から、3,3’,4,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物が好ましく用いられる。また、このビフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物を用いてポリイミドを重合する場合、上記芳香族ジアミンとしては、ポリイミドが水素原子、ハロゲン元素、または炭素数が0〜4の置換基を含んでいてもよい2つのフェニル基を有する化合物が好ましい。このような化合物とすることで、Tg(ガラス転移点)が高く、結果として素子のドリフトが小さく、温度依存性も小さくなる傾向がある。そして、このような化合物の中でも、p‐フェニレンジアミン、m‐フェニレンジアミン、4,4’‐ジアミノジフェニルメタン、4,4’‐ジアミノジフェニルエーテル、硫化4,4’‐ジアミノジフェニル、ジアミノトルエン、ジアミノジフェニルスルホン、ビス(アミノフェノキシ‐フェニル)スルホンのうち少なくとも1つを有するものがより好ましく用いられる。このような芳香族ジアミンを使用することで、重合後のポリイミドであっても有機極性溶媒に可溶となる。基板上で重合及びイミド化する従来のプロセスに比して、感湿膜内の残留応力の低減により、ドリフトを小さくすることができる。なお、芳香族ジアミンは、下記構造式(1):

Figure 2004177405
(上記式中、Rは、単結合、−SO−、−CO−、−O−、−S−、アルキレン基又はアリーレン基を表し、R、Rは、それぞれ独立にアルキル基又はハロゲン原子を表し、p、qはそれぞれ0〜4の整数を表す)で表されるものであってもよい。この芳香族ジアミンを用いることで、ポリイミドが有機極性溶媒に可溶になる。上記一般構造式(1)で表される芳香族ジアミンとしては、例えば4、4’−ジアミノジフェニルスルホン等が用いられる。 The moisture-sensitive film 3 contains, as a main component, a polyimide obtained by polymerizing biphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride and an aromatic diamine. With such a configuration of the moisture-sensitive film 3, the drift change of the output value with respect to the relative humidity can be sufficiently reduced even in a high-temperature and high-humidity environment. Further, the temperature dependency of the output value with respect to the relative humidity can be reduced. Here, as the biphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride is preferably used because of its high heat resistance. Further, when a polyimide is polymerized by using this biphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride, the aromatic diamine may be a polyimide containing a hydrogen atom, a halogen element, or a substituent having 0 to 4 carbon atoms. Compounds having two good phenyl groups are preferred. With such a compound, Tg (glass transition point) tends to be high, and as a result, the drift of the element tends to be small and the temperature dependency tends to be small. And among such compounds, p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylether, 4,4'-diaminodiphenyl sulfide, diaminotoluene, diaminodiphenylsulfone And at least one of bis (aminophenoxy-phenyl) sulfone are more preferably used. By using such an aromatic diamine, even a polyimide after polymerization becomes soluble in an organic polar solvent. The drift can be reduced by reducing the residual stress in the moisture-sensitive film as compared with the conventional process of polymerizing and imidizing on the substrate. The aromatic diamine is represented by the following structural formula (1):
Figure 2004177405
(In the above formula, R 0 represents a single bond, —SO 2 —, —CO—, —O—, —S—, an alkylene group or an arylene group, and R 1 and R 2 each independently represent an alkyl group or A halogen atom, and p and q each represent an integer of 0 to 4). By using this aromatic diamine, the polyimide becomes soluble in the organic polar solvent. As the aromatic diamine represented by the general structural formula (1), for example, 4,4′-diaminodiphenyl sulfone or the like is used.

第1の電極層2の表面の少なくとも一部は、シラン系カップリング剤により表面処理されていることが好ましい。この場合、感湿膜3と第1の電極層2との界面強度が強化され、感湿膜3と第1の電極層2の剥離が長期間にわたって十分に防止され、界面への水分の侵入が減少し、高温高湿環境下での容量のドリフトの変化を長期間にわたって有効に抑制することができる。   It is preferable that at least a part of the surface of the first electrode layer 2 is surface-treated with a silane coupling agent. In this case, the interfacial strength between the moisture-sensitive film 3 and the first electrode layer 2 is enhanced, the peeling of the moisture-sensitive film 3 and the first electrode layer 2 is sufficiently prevented for a long period of time, and the penetration of moisture into the interface is prevented. And a change in drift of the capacity under a high-temperature and high-humidity environment can be effectively suppressed over a long period of time.

また、図1に示すように、本実施形態の電気容量式湿度検知素子においては、第2の電極層4はメッシュ状となっている。すなわち第2の電極層4は、多数の貫通穴4aを有している。このように第2の電極層4をメッシュ状にすることにより、充分な通気性が確保され、かつ第2の電極層4の厚さを大きくすることができる。このため、第2の電極層4がメッシュ状でない場合、すなわち多数の貫通穴がない場合に比べて、感湿膜3と第2の電極層4との接着性および機械的強度を十分に高めることができる。   Further, as shown in FIG. 1, in the capacitance type humidity detecting element of the present embodiment, the second electrode layer 4 has a mesh shape. That is, the second electrode layer 4 has a large number of through holes 4a. By forming the second electrode layer 4 in a mesh shape in this manner, sufficient air permeability can be ensured, and the thickness of the second electrode layer 4 can be increased. For this reason, the adhesiveness and mechanical strength between the moisture-sensitive film 3 and the second electrode layer 4 are sufficiently increased as compared with the case where the second electrode layer 4 is not mesh-shaped, that is, the case where there are not many through holes. be able to.

第1の電極層2の材料は、導電性材料であれば特に制限されず、第1の電極層2の材料としては、例えばニッケル、クロム、チタン、タンタル、モリブデン、シリコン等、又はそれら2種以上を組合せて使用することができる。   The material of the first electrode layer 2 is not particularly limited as long as it is a conductive material. Examples of the material of the first electrode layer 2 include nickel, chromium, titanium, tantalum, molybdenum, silicon, and the like. The above can be used in combination.

第2の電極層4の材料は、透湿電極層を形成できるもの、即ち透湿性を有する導電性材料であればよい。このような導電性材料としては、耐食性及び密着性の観点から適宜選択すれば良く、例えば金、白金、アルミニウム、クロム、炭素等又はそれら2種以上組み合わせて用いることができる。   The material of the second electrode layer 4 may be any material that can form a moisture-permeable electrode layer, that is, any conductive material having moisture permeability. Such a conductive material may be appropriately selected from the viewpoint of corrosion resistance and adhesion, and for example, gold, platinum, aluminum, chromium, carbon, or the like, or a combination of two or more thereof can be used.

基板1としては、例えば、ガラス基板、アルミナ基板、石英基板、熱酸化シリコンからなる基板、プラスチック材料を主成分とする基板等を用いることができる。これらのうち、プラスチック材料を主成分とする基板が好ましい。プラスチック材料を主成分とする基板を用いることにより、プラスチック材料以外の材料を主成分とする基板を用いる場合と比べて、湿度検知素子の軽量化、及び耐衝撃性の向上を図ることができる。このプラスチック材料としては、湿度検知素子の軽量化及び耐衝撃性の向上を図ることができ且つ耐熱温度が感湿膜3の熱処理温度以上であれば、公知の材料を用いることができ、例えば、ポリイミド、フッ素高分子等を用いることができる。湿度検知素子の感度を高めるためには、このプラスチック材料は、感湿膜3より吸湿性が低いことが好ましい。   As the substrate 1, for example, a glass substrate, an alumina substrate, a quartz substrate, a substrate made of thermally oxidized silicon, a substrate mainly composed of a plastic material, or the like can be used. Among them, a substrate mainly composed of a plastic material is preferable. By using a substrate containing a plastic material as a main component, it is possible to reduce the weight of the humidity detecting element and improve impact resistance as compared with a case where a substrate containing a material other than the plastic material as a main component is used. As the plastic material, a known material can be used as long as the weight of the humidity detecting element can be reduced and the impact resistance can be improved and the heat resistance temperature is equal to or higher than the heat treatment temperature of the moisture sensitive film 3. Polyimide, fluoropolymer, or the like can be used. In order to increase the sensitivity of the humidity detecting element, it is preferable that this plastic material has lower hygroscopicity than the moisture sensitive film 3.

なお、例えば、ガラス基板上にクロム電極を第1の電極層とし、感湿膜を3,3’,4,4’−ビフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物と4,4’−ジアミノジフェニルエーテルとを重合したポリイミドとし、第2の電極層を金とした構成の素子とすることで、電極と感湿膜の密着性が特に良好となり、高信頼性の電気容量式湿度探知素子となる。   For example, a chromium electrode is used as a first electrode layer on a glass substrate, and a moisture-sensitive film is formed of 3,3 ′, 4,4′-biphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride and 4,4′-diaminodiphenyl ether. By using an element having a configuration in which polymerized polyimide is used and the second electrode layer is made of gold, the adhesion between the electrode and the moisture-sensitive film is particularly improved, and a highly reliable capacitance-type humidity detecting element is obtained.

本実施の形態における湿度感知素子の製造方法は以下の通りである。   The method for manufacturing the humidity sensing element in the present embodiment is as follows.

まず、基板1上に第1の電極層2を形成する。基板1としては、上述したように、例えば、ガラス基板、アルミナ基板、石英基板、熱酸化シリコンからなる基板、プラスチック材料を主成分とする基板等を用いることができる。ここで、プラスチック材料を主成分とする基板が好ましいのは上記と同様である。プラスチック材料としては、上述したように、耐熱温度が感湿膜3の熱処理温度以上であるプラスチック材料、例えば、ポリイミド、フッ素高分子等を用いることもできる。   First, a first electrode layer 2 is formed on a substrate 1. As described above, as the substrate 1, for example, a glass substrate, an alumina substrate, a quartz substrate, a substrate made of thermally oxidized silicon, a substrate mainly composed of a plastic material, or the like can be used. Here, a substrate mainly composed of a plastic material is preferably the same as described above. As described above, as the plastic material, a plastic material whose heat-resistant temperature is equal to or higher than the heat treatment temperature of the moisture-sensitive film 3, for example, polyimide, fluoropolymer, or the like can also be used.

第1の電極層2の形成は、蒸着法、スパッタリング法等により行うことができる。また、第1の電極層2のパターニングについては、フォトリソグラフィーによるレジストパターンの形成及びエッチングにより行うことができる。第1の電極層2の材料としては、上述したように、例えば、クロム、チタン、タンタル等を用いることができる。   The first electrode layer 2 can be formed by an evaporation method, a sputtering method, or the like. The patterning of the first electrode layer 2 can be performed by forming a resist pattern by photolithography and etching. As a material of the first electrode layer 2, for example, chromium, titanium, tantalum, or the like can be used as described above.

ここで、シラン系カップリング剤により第1の電極層2に対し表面処理を行う場合は、その表面処理は第1の電極層2の形成後に行う。この表面処理により、シラン系カップリング剤による感湿膜3と第1の電極層2との界面強度が強化され、感湿膜3と第1の電極層2との接着性を十分に高めることができる。その結果、得られる湿度検知素子において、感湿膜3と第1の電極層2の剥離が長期間にわたって十分に防止され、界面への水分の侵入が減少し、高温高湿環境下での容量のドリフトの変化を長期間にわたって有効に抑制することができる。表面処理は、例えば、第1の電極層2を形成した基板1をシラン系カップリング剤に浸漬し乾燥・熱処理を施したり、又は、第1の電極層2上にシラン系カップリング剤を滴下しその後乾燥・熱処理を施したりすることにより行うことができる。   Here, when surface treatment is performed on the first electrode layer 2 with a silane-based coupling agent, the surface treatment is performed after the formation of the first electrode layer 2. By this surface treatment, the interface strength between the moisture-sensitive film 3 and the first electrode layer 2 by the silane coupling agent is enhanced, and the adhesion between the moisture-sensitive film 3 and the first electrode layer 2 is sufficiently increased. Can be. As a result, in the obtained humidity detecting element, the peeling of the moisture-sensitive film 3 and the first electrode layer 2 is sufficiently prevented for a long period of time, the penetration of moisture into the interface is reduced, and the capacity in a high-temperature and high-humidity environment is reduced. Can effectively be suppressed from changing over a long period of time. In the surface treatment, for example, the substrate 1 on which the first electrode layer 2 is formed is immersed in a silane coupling agent and subjected to drying and heat treatment, or the silane coupling agent is dropped on the first electrode layer 2 Then, drying and heat treatment are performed.

次に、第1の電極層2上に感湿膜3を形成する。感湿層3の形成は、ポリイミドを有機極性溶媒に溶解したポリイミド溶液を第1の電極層2上にスピンコートした後、このポリイミド溶液を加熱することにより行うことができる。ポリイミド溶液の加熱温度は100〜280℃であることが好ましく、200〜250℃とすることがより好ましい。加熱温度が100℃未満では、溶媒が残存し、誘電率の経時変化の原因となる傾向がある。また、加熱時間は、数分から二十数分であることが好ましく、10分から20分とすることがより好ましい。   Next, the moisture-sensitive film 3 is formed on the first electrode layer 2. The moisture-sensitive layer 3 can be formed by spin-coating a polyimide solution obtained by dissolving polyimide in an organic polar solvent on the first electrode layer 2, and then heating the polyimide solution. The heating temperature of the polyimide solution is preferably 100 to 280C, more preferably 200 to 250C. If the heating temperature is lower than 100 ° C., the solvent tends to remain and cause a change with time in the dielectric constant. The heating time is preferably from several minutes to twenty and several minutes, more preferably from 10 minutes to 20 minutes.

上記有機極性溶媒は、ポリイミドを溶解できるものであれば特に制限されず、このような有機極性溶媒としては、例えば、N−メチル−2−ピロドリンを用いることができる。   The organic polar solvent is not particularly limited as long as it can dissolve the polyimide. As such an organic polar solvent, for example, N-methyl-2-pyrroline can be used.

感湿層3のパターニングは、フォトリソグラフィーによるレジストパターンの形成及びエッチングにより行うことができる。第1の電極層2と感湿膜3との密着性を高めるためには、レジスト除去後に再度熱処理を行うことが好ましい。   The patterning of the moisture-sensitive layer 3 can be performed by forming a resist pattern by photolithography and etching. In order to increase the adhesion between the first electrode layer 2 and the moisture-sensitive film 3, it is preferable to perform heat treatment again after removing the resist.

次に、第2の電極層4を感湿膜3上に形成する。第2の電極層4の材料としては、上述したように、透湿電極層を形成できるものであればよく、例えば、金、白金、アルミニウム、クロム等を用いることができる。第2の電極層4の形成は、蒸着法、スパッタリング法等により行うことができる。また、第2の電極層4のパターニングについては、フォトリソグラフィーによるレジストパターンの形成及びエッチングにより行うことができる。   Next, a second electrode layer 4 is formed on the moisture-sensitive film 3. As described above, the material of the second electrode layer 4 may be any material that can form a moisture-permeable electrode layer, and for example, gold, platinum, aluminum, chromium, or the like can be used. The formation of the second electrode layer 4 can be performed by an evaporation method, a sputtering method, or the like. The patterning of the second electrode layer 4 can be performed by forming a resist pattern by photolithography and etching.

感湿膜3と第2の電極層4との接着性を強固にするためには、図1に示すように、前記第2の電極層4を、メッシュ状に形成する。この場合、第2の電極層4は、レジストパターン又は、櫛歯状若しくはメッシュ状のマスクを用い、蒸着により形成することができる。   In order to strengthen the adhesion between the moisture-sensitive film 3 and the second electrode layer 4, as shown in FIG. 1, the second electrode layer 4 is formed in a mesh shape. In this case, the second electrode layer 4 can be formed by evaporation using a resist pattern or a comb-shaped or mesh-shaped mask.

上記製造方法は、基板1上に、重合体であるポリイミドを含むポリイミド溶液を塗布しこの溶液から有機極性溶媒を除去することによって感湿膜3を形成するため、比較的低温・短時間で感湿膜3を形成することができる。このため、湿度検知素子の量産性を高めることができる。また、基板1の熱劣化を防ぐことが可能となる。更に、基板1上でポリイミド溶液から溶媒を除去することにより感湿膜3を形成するため、基板1上で重合およびイミド化により感湿膜3を形成する場合に比べて、得られる感湿膜3の均質性がより高くなり、感湿膜3の表面におけるうねりの発生が十分に防止される。このため、うねりに起因する感湿膜3への加工等が不要となり、量産性を十分に高くすることが可能となる。更に、上記製造方法により、高温高湿環境下においても本来の湿度を的確に示すことが可能な電気容量式湿度検知素子を得ることができる。   In the above manufacturing method, a moisture-sensitive film 3 is formed by applying a polyimide solution containing a polyimide which is a polymer on the substrate 1 and removing the organic polar solvent from the solution. The wet film 3 can be formed. For this reason, mass productivity of the humidity detecting element can be improved. In addition, it is possible to prevent thermal deterioration of the substrate 1. Furthermore, since the moisture-sensitive film 3 is formed by removing the solvent from the polyimide solution on the substrate 1, the obtained moisture-sensitive film 3 can be compared with the case where the moisture-sensitive film 3 is formed on the substrate 1 by polymerization and imidization. 3 becomes more uniform, and the occurrence of undulation on the surface of the moisture-sensitive film 3 is sufficiently prevented. For this reason, it is not necessary to process the moisture-sensitive film 3 due to the undulation, and the mass productivity can be sufficiently increased. Further, by the above manufacturing method, it is possible to obtain a capacitance type humidity detecting element capable of accurately indicating the original humidity even under a high temperature and high humidity environment.

次に、本発明の電気容量式湿度検知素子の第2の実施形態について図2を用いて説明する。   Next, a second embodiment of the capacitance type humidity detecting element of the present invention will be described with reference to FIG.

図2は、本発明の第2の実施の形態における電気容量式湿度検知素子の分解斜視図である。なお、図2において、第1実施形態に係る湿度検知素子と同一又は同等の構成要素については同一の符号を付してある。   FIG. 2 is an exploded perspective view of the capacitance type humidity detecting element according to the second embodiment of the present invention. Note that, in FIG. 2, the same or equivalent components as those of the humidity detecting element according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals.

図2に示すように、本実施形態の電気容量式湿度検知素子は、第2の電極層としての電極層6が、感湿層3の基板1側と反対側の面上に設けられているのではなく、感湿層3の基板1側の面上に設けられている点で第1の湿度検知素子と相違する。すなわち本実施形態では、第1の電極層である電極層6および第2の電極層である電極層7が、感湿膜3に対して基板1と同じ側に設けられており、図2においては、電極層6および電極層7は、感湿膜3と基板1とで挟まれている。電極層6および電極層7にはそれぞれリード線5が接続され、感湿膜3の相対湿度に対応する電気容量値の変化が検出可能となっている。従って、検出された感湿膜3の電気容量値の変化と、予め求められた電気容量値及び相対湿度の相関関係とに基づき、相対湿度を求めることが可能である。   As shown in FIG. 2, in the capacitance type humidity detecting element of the present embodiment, the electrode layer 6 as the second electrode layer is provided on the surface of the moisture sensitive layer 3 on the side opposite to the substrate 1 side. However, the second embodiment differs from the first humidity sensing element in that the first moisture sensing element is provided on the surface of the moisture sensitive layer 3 on the substrate 1 side. That is, in the present embodiment, the electrode layer 6 as the first electrode layer and the electrode layer 7 as the second electrode layer are provided on the same side as the substrate 1 with respect to the moisture-sensitive film 3. The electrode layer 6 and the electrode layer 7 are sandwiched between the moisture-sensitive film 3 and the substrate 1. A lead wire 5 is connected to each of the electrode layers 6 and 7 so that a change in the capacitance value corresponding to the relative humidity of the moisture-sensitive film 3 can be detected. Therefore, the relative humidity can be determined based on the detected change in the capacitance value of the moisture-sensitive film 3 and the correlation between the previously determined capacitance value and the relative humidity.

本実施形態の湿度検知素子の製造方法は、第2の電極層4を、感湿膜3を形成する前に第1の電極層2とともに基板1上に形成する点以外は第1の実施形態に係る湿度検知素子の製造方法と同様である。   The method of manufacturing the humidity detecting element of the present embodiment is similar to that of the first embodiment except that the second electrode layer 4 is formed on the substrate 1 together with the first electrode layer 2 before the formation of the moisture-sensitive film 3. This is the same as the method for manufacturing the humidity detecting element according to the above.

本発明は、前述した実施形態に限定されるものではない。例えば上記実施形態では、ビフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物として、3,3’,4,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物が用いられているが、ビフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物は、下記一般構造式(2):

Figure 2004177405
で表されるものであってもよい。 The present invention is not limited to the embodiments described above. For example, in the above embodiment, 3,3 ′, 4,4′-diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride is used as biphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride. And the following general structural formula (2):
Figure 2004177405
May be represented by

但し、上記式中、Rは−SO−又は下記構造式(3):

Figure 2004177405
で表される基を表し、R,Rはそれぞれ独立に、水素原子、−SO又は前記構造式(3)で表される基を表し、Rはアリール基又は炭化水素基を表す。 However, in the above formula, R 3 is —SO 2 — or the following structural formula (3):
Figure 2004177405
Wherein R 4 and R 5 each independently represent a hydrogen atom, —SO 2 R 6 or a group represented by the structural formula (3), and R 6 represents an aryl group or a hydrocarbon group. Represents

ビフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物として、上記一般構造式(2)で表されるものが用いられることにより、感湿膜3の均質性がより向上する。このため、感湿膜3が不均質であることに起因する感湿膜3への加工が不要となり、歩留まりの低下を十分に防止することができ、ひいては低コスト化を図ることができる。   By using the biphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride represented by the general structural formula (2), the homogeneity of the moisture-sensitive film 3 is further improved. For this reason, processing on the moisture-sensitive film 3 due to the non-uniformity of the moisture-sensitive film 3 becomes unnecessary, and it is possible to sufficiently prevent a decrease in the yield, thereby achieving cost reduction.

上記構造式で表されるビフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物としては通常、Rが−SO−または、上記構造式(3)で表される化合物であり且つR、Rが水素原子であるものが用いられるが、Rが−SO−で且つR、Rが−SOであるもの等を用いることもできる。 As biphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride represented by the above structural formula, R 3 is —SO 2 — or a compound represented by the above structural formula (3), and R 4 and R 5 are each a hydrogen atom. However, it is also possible to use those in which R 3 is —SO 2 — and R 4 and R 5 are —SO 2 R 6 .

以下、本発明を実施例及び比較例を用いて更に詳細に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples.

(実施例1)
実施例1では、電気容量変化型湿度素子は、次のようにして作成した。まず、ガラス基板上に、メタルマスクでマスキングしてクロムを真空蒸着法により蒸着し、第1の電極層2(厚さ0.2μm)を形成した。その後、3,3’,4,4’−ビフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物と4,4’−ジアミノジフェニルエーテルとを重合したポリイミドを、有機極性溶媒であるN−メチル−2−ピロリドンで溶解してポリイミド溶液を調製し、このポリイミド溶液を第1の電極層2上でスピンコートし、200℃で10分ベークした。次に、ポジ型のフォトレジストをスピンコートし、プリベーク、露光、現像およびレジスト除去を行い、感湿膜3(厚さ2μm)を形成した。最後に、メッシュ状メタルマスクによりマスキングをし、金を真空蒸着法により蒸着し、第2の電極層4(厚さ1μm)を形成した。
(Example 1)
In Example 1, the variable-capacitance humidity element was prepared as follows. First, a first electrode layer 2 (0.2 μm thick) was formed on a glass substrate by masking with a metal mask and chromium was deposited by a vacuum deposition method. Thereafter, a polyimide obtained by polymerizing 3,3 ′, 4,4′-biphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride and 4,4′-diaminodiphenyl ether was dissolved in N-methyl-2-pyrrolidone as an organic polar solvent. Then, a polyimide solution was prepared, and the polyimide solution was spin-coated on the first electrode layer 2 and baked at 200 ° C. for 10 minutes. Next, a positive type photoresist was spin-coated, prebaked, exposed, developed, and resist-removed to form a moisture-sensitive film 3 (2 μm thick). Finally, masking was performed using a mesh-shaped metal mask, and gold was deposited by a vacuum deposition method to form a second electrode layer 4 (1 μm in thickness).

(実施例2)
下記構造式(4):

Figure 2004177405
で表されるγ−アニリノプロピルトリメトキシシラン(AnPS)及び酢酸を、水とイソプロピルアルコール(IPA)とを10:90の割合で混合した混合溶媒にそれぞれ溶解した溶液を作成した。このとき、AnPS及び酢酸の濃度はそれぞれ1質量%となるようにした。そして、その溶液を第1の電極層を形成したガラス基板上に滴下し、120℃のオーブンにて20分間熱処理して、第1の電極層の全体をシラン系カップリング剤で表面処理した。その他の湿度検知素子の製造条件、即ち感湿膜の形成条件及びその後の第2の電極層の形成条件は、実施例1と同様とした。 (Example 2)
The following structural formula (4):
Figure 2004177405
Were prepared by dissolving γ-anilinopropyltrimethoxysilane (AnPS) and acetic acid, respectively, in a mixed solvent of water and isopropyl alcohol (IPA) at a ratio of 10:90. At this time, the concentrations of AnPS and acetic acid were each set to 1% by mass. Then, the solution was dropped on the glass substrate on which the first electrode layer was formed, and heat-treated in an oven at 120 ° C. for 20 minutes, and the entire first electrode layer was surface-treated with a silane coupling agent. The other manufacturing conditions for the humidity detecting element, that is, the conditions for forming the moisture-sensitive film and the subsequent conditions for forming the second electrode layer were the same as those in Example 1.

(比較例1)
実施例1との比較のために、実施例1の感湿膜3の作製時に用いた3,3’,4,4’−ビフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物の替わりに、3,3’,4,4’−ピロメリット酸二無水物を用いて4,4’−ジアミノジフェニルエーテルと重合し、イミド化処理が必要なポリアミド酸に調整した。このポリアミド酸を第1の電極層2上にスピンコートして140℃で10分プリベークした。次に、ポジ型のフォトレジストをスピンコートし、プリベーク、露光、現像およびレジスト除去を行った。その後、350℃で1時間熱処理して感湿膜3を2μmの膜厚で形成した。その他の湿度検知素子の製造条件、即ち使用した基板の材質、第1の電極層の形成条件及び第2の電極層の形成条件は、実施例1と同様とした。
(Comparative Example 1)
For comparison with Example 1, instead of 3,3 ′, 4,4′-biphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride used in producing the moisture-sensitive film 3 of Example 1, 3,3 ′, It was polymerized with 4,4'-diaminodiphenyl ether using 4,4'-pyromellitic dianhydride to prepare a polyamic acid requiring imidization treatment. This polyamic acid was spin-coated on the first electrode layer 2 and prebaked at 140 ° C. for 10 minutes. Next, a positive photoresist was spin-coated, and prebaking, exposure, development, and resist removal were performed. Thereafter, heat treatment was performed at 350 ° C. for 1 hour to form a moisture-sensitive film 3 having a thickness of 2 μm. The other manufacturing conditions of the humidity detecting element, that is, the material of the substrate used, the conditions for forming the first electrode layer, and the conditions for forming the second electrode layer were the same as those in Example 1.

(比較例2)
実施例1との比較のために、実施例1の感湿膜3の替わりに、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物と4,4’−ジアミノジフェニルエーテルとを重合してなるポリイミドを用いた。その他の湿度検知素子の製造条件、即ち使用した基板の材質、第1の電極層の形成条件、感湿膜の形成条件及び第2の電極層の形成条件は、実施例1と同様とした。
(Comparative Example 2)
For comparison with Example 1, instead of the moisture-sensitive film 3 of Example 1, 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride and 4,4′-diaminodiphenyl ether were polymerized. The resulting polyimide was used. Other manufacturing conditions of the humidity detecting element, that is, the material of the substrate used, the forming condition of the first electrode layer, the forming condition of the moisture sensitive film, and the forming condition of the second electrode layer were the same as those of the first embodiment.

(比較例3)
実施例1との比較のために、実施例1の感湿膜3の替わりに、3,3’,4,4’−ビフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物と下記構造式(5):

Figure 2004177405
で表される化合物とを重合してなるポリイミドを用いた。その他の湿度検知素子の製造条件、即ち使用した基板の材質、第1の電極層の形成条件、感湿膜の形成条件及び第2の電極層の形成条件は、実施例1と同様とした。 (Comparative Example 3)
For comparison with Example 1, instead of the moisture-sensitive film 3 of Example 1, 3,3 ′, 4,4′-biphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride and the following structural formula (5):
Figure 2004177405
A polyimide obtained by polymerizing a compound represented by the following formula was used. Other manufacturing conditions of the humidity detecting element, that is, the material of the substrate used, the forming condition of the first electrode layer, the forming condition of the moisture sensitive film, and the forming condition of the second electrode layer were the same as those of the first embodiment.

以上のようにして作製した実施例1,2及び比較例1,2,3の湿度検知素子について、以下のように感湿特性の評価を行った。   With respect to the humidity detecting elements of Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1, 2 and 3 manufactured as described above, the moisture sensitivity was evaluated as follows.

感湿特性の評価を行う条件は、次の通りである。まず、実施例1で得られた素子について、5℃、25℃、45℃において、相対湿度5〜95%の範囲で電気容量値を測定した。図3に測定結果を示す。   The conditions for evaluating the humidity sensitivity are as follows. First, the capacitance value of the device obtained in Example 1 was measured at 5 ° C., 25 ° C., and 45 ° C. in a relative humidity range of 5 to 95%. FIG. 3 shows the measurement results.

なお、分流式精密湿度発生装置(神栄製)を用いて所定の湿度雰囲気を作った。電気容量の測定は、LCRメーター(HEWLETT PACKARD製)を使用し、周波数10KHzで行った。   In addition, a predetermined humidity atmosphere was created using a split flow type precision humidity generator (manufactured by Shinei). The electric capacity was measured at a frequency of 10 KHz using an LCR meter (manufactured by HEWLETT PACKARD).

上記測定結果より、実施例1の湿度検知素子については、いずれの相対湿度においても温度依存性は±2%以内であり、温度依存性が少なく良好な感湿特性が得られることがわかった。   From the above measurement results, it was found that the humidity dependency of the humidity detecting element of Example 1 was within ± 2% at any relative humidity, and that the humidity sensing element had low temperature dependency and good moisture sensitivity was obtained.

また、実施例1、実施例2及び比較例1,2,3について、高温高湿環境下(60℃、95%RH、1000時間)での容量のドリフト量を相対湿度換算で測定した。   Further, for Example 1, Example 2, and Comparative Examples 1, 2, and 3, the drift amount of the capacity under a high-temperature and high-humidity environment (60 ° C., 95% RH, 1000 hours) was measured in terms of relative humidity.

その結果、容量のドリフト量は、実施例1の湿度検知素子では、相対湿度換算で初期値に対して3%RH、実施例2の湿度検知素子では、2%RHであったのに対し、比較例1の湿度検知素子では、初期値に対して18%RHであり、比較例2の湿度検知素子では、初期値に対して6%RHであり、比較例3の湿度検知素子では、初期値に対して5%RHであった。すなわち実施例1,2における湿度検知素子は、比較例1,2,3における湿度検知素子よりも、高温高湿下での容量のドリフト量が少なかった。したがって、実施例1,2における湿度検知素子は、比較例1,2,3における湿度検知素子に比べ、初期値への回復性において優れていることが分かった。   As a result, the drift amount of the capacitance was 3% RH relative to the initial value in terms of relative humidity in the humidity detecting element of Example 1 and 2% RH in the humidity detecting element of Example 2, The humidity detecting element of Comparative Example 1 has an initial value of 18% RH, the humidity detecting element of Comparative Example 2 has an initial value of 6% RH, and the humidity detecting element of Comparative Example 3 has an initial value of 18% RH. It was 5% RH for the value. In other words, the humidity sensing elements in Examples 1 and 2 had less capacitance drift under high temperature and high humidity than the humidity sensing elements in Comparative Examples 1, 2 and 3. Therefore, it was found that the humidity detecting elements in Examples 1 and 2 were superior to the humidity detecting elements in Comparative Examples 1, 2 and 3 in recoverability to the initial value.

以上より、本発明によれば、感湿膜の感湿特性を良好なものとするために、比較的低温な200℃、数分〜十数分程度の熱処理で成膜が可能であることが分かった。このことから、基板の熱劣化を防止できかつ量産性が高い湿度検知素子を得ることができることが分かった。また、実施例1の感湿特性の温度依存性の評価結果より、本発明の電気容量式湿度検知素子によれば、高温高湿環境下においても、実用上の目標となるドリフト量3%以下にすることができ、本来の湿度を的確に示すことが可能となることが分かった。   As described above, according to the present invention, it is possible to form a film by heat treatment at a relatively low temperature of 200 ° C. and several minutes to about several tens of minutes in order to improve the moisture sensitivity of the moisture sensitive film. Do you get it. From this, it was found that a humidity detecting element which can prevent thermal deterioration of the substrate and has high mass productivity can be obtained. Further, from the evaluation results of the temperature dependence of the humidity sensitivity characteristics of Example 1, according to the capacitance-type humidity detecting element of the present invention, the drift amount of 3% or less, which is a practical target, even in a high-temperature and high-humidity environment. It was found that it was possible to accurately indicate the original humidity.

更に、実施例1の湿度検知素子と実施例2の湿度検知素子とでは、実施例2の湿度検知素子の方が容量のドリフト量が小さくなっていることから、第1の電極層がシラン系カップリング剤で表面処理される場合には、高温高湿雰囲気下に長時間放置しても容量値の増加を抑制することが可能であることが分かった。これは、第1の電極層がシラン系カップリング剤で表面処理されることにより、感湿膜と金属電極との密着性が向上したためと考えられる。   Further, in the humidity detecting element of the first embodiment and the humidity detecting element of the second embodiment, the humidity detecting element of the second embodiment has a smaller capacitance drift amount. It has been found that when surface treatment is performed with a coupling agent, an increase in the capacitance value can be suppressed even when left for a long time in a high-temperature, high-humidity atmosphere. This is presumably because the surface treatment of the first electrode layer with the silane coupling agent improved the adhesion between the moisture-sensitive film and the metal electrode.

以上、本発明を実施の形態及び実施例により説明したが、いわゆる当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。   Although the present invention has been described with reference to the embodiment and the examples, those skilled in the art can arrive at various changes or modifications within the scope of the technical idea described in the claims. It is obvious that they belong to the technical scope of the present invention.

本発明による湿度検知素子の第1の実施の形態による構成を示す一部切欠斜視図である。1 is a partially cutaway perspective view showing a configuration of a humidity detecting element according to a first embodiment of the present invention. 本発明による湿度検知素子の第2の実施の形態による構成を示す分解斜視図である。It is an exploded perspective view showing the composition by the 2nd embodiment of the humidity sensing element by the present invention. 本発明による湿度検知素子の一実施例による感湿特性を示す図である。FIG. 4 is a diagram illustrating humidity sensitivity characteristics according to an embodiment of the humidity detecting element according to the present invention.

符号の説明Explanation of reference numerals

1…基板
2…第1の電極層
3…感湿膜
4…第2の電極層
5…リード線
6,7…電極層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate 2 ... 1st electrode layer 3 ... Moisture sensitive film 4 ... 2nd electrode layer 5 ... Lead wire 6, 7 ... Electrode layer

Claims (11)

基板と、少なくとも2つの電極層を備えた感湿膜と、を含み、
前記感湿膜は、ビフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミンとを重合したポリイミドを主成分とすることを特徴とする電気容量式湿度検知素子。
A substrate, and a moisture-sensitive film having at least two electrode layers,
The humidity sensor according to claim 1, wherein the moisture-sensitive film is mainly composed of polyimide obtained by polymerizing biphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride and aromatic diamine.
前記ビフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物は、3,3’,4,4’−ビフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物であることを特徴とする請求項1に記載の電気容量式湿度検知素子。   The capacitance type humidity sensing element according to claim 1, wherein the biphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride is 3,3 ', 4,4'-biphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride. 前記芳香族ジアミンは、下記(a)〜(h)のうち少なくとも1つを有することを特徴とする請求項1又は2に記載の電気容量式湿度検知素子。
(a)p‐フェニレンジアミン
(b)m‐フェニレンジアミン
(c)4,4’‐ジアミノジフェニルメタン
(d)4,4’‐ジアミノジフェニルエーテル
(e)硫化4,4’‐ジアミノジフェニル
(f)ジアミノトルエン
(g)ジアミノジフェニルスルホン
(h)ビス(アミノフェノキシ‐フェニル)スルホン
The capacitance-type humidity sensing element according to claim 1, wherein the aromatic diamine has at least one of the following (a) to (h).
(A) p-phenylenediamine (b) m-phenylenediamine (c) 4,4'-diaminodiphenylmethane (d) 4,4'-diaminodiphenyl ether (e) 4,4'-diaminodiphenyl sulfide (f) diaminotoluene (G) diaminodiphenyl sulfone (h) bis (aminophenoxy-phenyl) sulfone
前記芳香族ジアミンが、下記構造式(1):
Figure 2004177405
(上記式中、Rは、単結合、−SO−、−CO−、−O−、−S−、アルキレン基又はアリーレン基を表し、R、Rは、それぞれ独立にアルキル基又はハロゲン原子を表し、p、qはそれぞれ0〜4の整数を表す)
で表されるものであることを特徴とする請求項1又は2に記載の電気容量式湿度検知素子。
The aromatic diamine has the following structural formula (1):
Figure 2004177405
(In the above formula, R 0 represents a single bond, —SO 2 —, —CO—, —O—, —S—, an alkylene group or an arylene group, and R 1 and R 2 each independently represent an alkyl group or Represents a halogen atom, p and q each represent an integer of 0 to 4)
The capacitance-type humidity detecting element according to claim 1 or 2, wherein:
前記少なくとも2つの電極層のうち、少なくとも1つの電極層は前記感湿膜の前記基板側の面上に形成され、この電極層の前記感湿膜と接する面の少なくとも一部は、シラン系カップリング剤で表面処理されていることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の電気容量式湿度検知素子。   At least one of the at least two electrode layers is formed on a surface of the moisture-sensitive film on the substrate side, and at least a part of a surface of the electrode layer that contacts the moisture-sensitive film is a silane-based cup. The capacitance-type humidity detecting element according to any one of claims 1 to 4, which is surface-treated with a ring agent. 前記少なくとも2つの電極層のうち、第1の電極層は前記感湿膜の前記基板側の面上に形成され、第2の電極層は前記感湿膜の前記基板とは反対側の面上に形成され、前記第2の電極層は透湿性を有することを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の電気容量式湿度検知素子。   Of the at least two electrode layers, a first electrode layer is formed on a surface of the moisture-sensitive film on the substrate side, and a second electrode layer is formed on a surface of the moisture-sensitive film on the opposite side to the substrate. The capacitance type humidity sensing element according to claim 1, wherein the second electrode layer has moisture permeability. 前記第2の電極層はメッシュ状に形成されていることを特徴とする請求項6に記載の電気容量式湿度検知素子。   The capacitance type humidity sensing element according to claim 6, wherein the second electrode layer is formed in a mesh shape. 前記基板は、プラスチック材料を主成分とすることを特徴とする請求項1から7のいずれか一項に記載の電気容量式湿度検知素子。   The capacitance-type humidity detecting element according to claim 1, wherein the substrate is mainly composed of a plastic material. 前記ビフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物が、下記一般構造式(2):
Figure 2004177405
(上記式中、Rは−SO−又は下記構造式(3):
Figure 2004177405
で表される基を表し、R,Rはそれぞれ独立に、水素原子、−SO又は前記構造式(3)で表される基を表し、Rはアリール基又は炭化水素基を表す)
で表されるものであることを特徴とする請求項1から8のいずれか一項に記載の電気容量式湿度検知素子。
The biphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride has the following general structural formula (2):
Figure 2004177405
(In the above formula, R 3 is —SO 2 — or the following structural formula (3):
Figure 2004177405
Wherein R 4 and R 5 each independently represent a hydrogen atom, —SO 2 R 6 or a group represented by the structural formula (3), and R 6 represents an aryl group or a hydrocarbon group. Represents)
The capacitance-type humidity detecting element according to claim 1, wherein the element is represented by:
基板上に、電極層及び感湿膜を順次形成する工程を含む電気容量式湿度検知素子の製造方法であって、
前記感湿膜を形成する工程は、ビフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミンとを重合したポリイミドを有機極性溶媒に溶解してポリイミド溶液を得る段階と、
前記ポリイミド溶液を前記電極層上に塗布する段階と、
前記ポリイミド溶液を加熱する段階と、
を有することを特徴とする電気容量式湿度検知素子の製造方法。
A method for manufacturing a capacitance-type humidity sensing element including a step of sequentially forming an electrode layer and a moisture-sensitive film on a substrate,
The step of forming the moisture-sensitive film, dissolving a polyimide obtained by polymerizing biphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride and an aromatic diamine in an organic polar solvent to obtain a polyimide solution,
Applying the polyimide solution on the electrode layer,
Heating the polyimide solution,
A method for manufacturing a capacitance-type humidity detecting element, comprising:
前記電極層を形成する工程の後、前記感湿膜を形成する工程の前に、前記電極層の前記感湿膜を形成する面の少なくとも一部を、シラン系カップリング剤で表面処理する工程を更に有することを特徴とする請求項10に記載の電気容量式湿度検知素子の製造方法。   After the step of forming the electrode layer and before the step of forming the moisture-sensitive film, a step of surface-treating at least a part of the surface of the electrode layer on which the moisture-sensitive film is formed with a silane coupling agent. The method for manufacturing a capacitance-type humidity sensing element according to claim 10, further comprising:
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