JP2004152477A - 酸化コバルトを含む熱伝導度の高い絶縁体材料を有する磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

【課題】 磁気ヘッドの熱伝導度を向上する。
【解決手段】 磁気ヘッド４０に、酸化コバルトを含む熱伝導度の高い絶縁体材料が用いられ、それにより磁気ヘッドから熱がより効果的に放散され得る。磁気ヘッドは第１及び第２のギャップ層６０、６２と、これら第１・第２ギャップ層の間に挟まれた読み出しセンサ５８を持つ。第１ならびに第２のギャップ層は酸化コバルト（ＣｏＯ_ｘ）（例えばＣｏＯ又はＣｏ_２Ｏ_３）で作られるのが有利であり、酸化コバルトは５〜８ワット／メートル・ケルビン以上の熱伝導度を有している。
【選択図】図５

Description

本発明は、一般的にはディスクドライブの磁気ヘッドに関し、より詳しくは、酸化コバルトを含んでおり、磁気ヘッドから熱を効果的に放散させることができる絶縁体材料を有する磁気ヘッドに関する。

書き込みヘッドは、典型的には、磁気抵抗（ＭＲ）読み出しヘッド又はジャイアント磁気抵抗（ＧＭＲ）読み出しヘッドと組み合わされて、合体式ヘッドを形成し、その構成要素の一部は空気ベアリング面（ＡＢＳ）に露出している。書き込みヘッドは、ＡＢＳから引っ込んだバックギャップで接続されている第１及び第２の磁極片を構成要素として含む。第１及び第２の磁極片はＡＢＳに終端を持ち、そこで第１及び第２の磁極端が定義される。第１及び第２磁極片の間には複数の絶縁層を含む絶縁スタック（ｉｎｓｕｌａｔｉｏｎ ｓｔａｃｋ）が挟まれ、該絶縁スタック中に１個のコイル層が埋め込まれている。処理回路が、書き込み電流をコイル層に導くためにコイル層に接続されており、コイル層が第１及び第２の磁極片に書き込み磁場を誘起する。第１及び第２の磁極端の間に、非磁性のギャップ層が挟まれている。ＡＢＳに位置する第１及び第２磁極端の書き込み磁界は、該ギャップ層を横断して房状に並ぶ。磁気ディスクドライブ内では、１個の磁気ディスクがＡＢＳから僅かの距離（フライ高）を隔て、近傍を回転するため、書き込み磁界によって該ディスクは円形のトラックに沿って磁化される。かくして、書き込みされた円形のトラックは、ＭＲもしくはＧＭＲ読み出しヘッドによって検出可能な磁場を持つ磁化されたセグメントの形の情報を含む。

ＭＲ読み出しヘッドは、第１及び第２の非磁性ギャップ層に挟まれ、ＡＢＳの位置にある１個のＭＲセンサを含んでいる。第１ならびに第２ギャップ層は、第１及び第２の遮蔽層に挟まれている。合体式ＭＲヘッドにおいては、第２遮蔽層と第１磁極片とは、共通の１層である。第１遮蔽層は下地層の上に、下地層は基板上に形成される。ＭＲセンサは、回転するディスクの円形トラックから、磁界の強さに応じて抵抗が変化することによって磁界を検出する。読み取り電流がＭＲセンサを通して流されており、抵抗が変化すれば電圧が変化し、その電圧変化が処理回路により、リードバック信号として受信される。

他方、ＧＭＲ読み出しヘッドは、ＧＭＲ効果を示すＧＭＲセンサを構成要素として含む。ＧＭＲセンサ内では、ＭＲ読み取り層の抵抗値は非磁性層（スペーサ）によって隔てられた磁性層の間の、スピンに依存する伝導電子の伝送、ならびにそれに伴って磁性層と非磁性層の界面及び磁性層内部で発生する、スピンに依存する散乱の関数として変動する。１個の非磁性材料（例えば銅）層で隔てられた２個の強磁性材料（例えば、ニッケル鉄合金、コバルト、あるいはニッケル鉄コバルト合金）層だけを使用するＧＭＲセンサは、一般にスピンバルブ（ＳＶ）センサと呼ばれ、これはＳＶ効果を示す。記録されている磁気記録媒体からの外部磁場（信号フィールド）が自由層内の磁化方向の変化を起こし、それがＳＶセンサの抵抗値の変化と、それに対応する、検知される電流値もしくは電圧値の変化を起こす故に、記録されているデータを磁気記録媒体から読み出すことができる。ＧＭＲヘッドは、典型的には、第２の遮蔽層と第１の磁極片が共通の１層でない設計と関連している。これらの構成部分（ｐｉｅｃｅｓ）は、典型的には物理蒸着技術もしくは電着技術を用いて被着された非磁性材料又は金属によって隔てられている。

ディスクドライブが作動中である時、磁気ヘッドの内部に熱が発生する。有効に放散させなければ、その熱が磁気ヘッド内に好ましくない問題を起こすおそれがある。例えば、読み出しセンサに印加されるバイアス電流の最大振幅が、該センサの熱放散能力によって制限される。この制限がリードバック信号の振幅と読み出しセンサの信号対ノイズ比（ＳＮ比）に制約を加える。読み出しセンサの伝熱冷却は、在来の、典型的にはアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）で作られ、センサを遮蔽層から物理的に隔離する誘電ギャップ層を使用することにより、甚だしく妨げられる。磁性材料の工夫（ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ）だけでは、特に記録の空中密度が急速に増え続けている現状では、読み出しセンサ出力に求められる改良を達成するには不十分である。磁気ヘッド内の熱にまつわるもう一つの問題は、熱によってヘッド内の複数の層が書き込み作業中に熱膨張するかも知れないことである。これらの層の熱膨張は、ややもすれば機械的な突出の原因となり、ひいてはヘッドとディスクのインタフェース信頼性に問題を起こすおそれがある。

本発明の一具体例では、磁気ヘッドは第１及び第２のギャップ層と、該第１・第２ギャップ層の間に配置された読み出しセンサを持つ。これら第１及び第２ギャップ層の内の少なくとも一方は酸化コバルト（ＣｏＯ_ｘ）で作られており、式中のｘの実際値は、０．８ないし１．５（例えばＣｏＯ又はＣｏ_２Ｏ_３）である。好ましくは、各ギャップ層は１０００Ω・ｃｍ以上の抵抗率と、２ワット／メートル・ケルビン（Ｗ／ｍ・Ｋ）以上の熱伝導度を持つ。読み出しセンサの性能を向上させるためには、磁気ヘッドから熱がより効果的に放散される方が有利である。

本発明の別の一具体例では、磁気ヘッドは１個の基板、第１ならびに第２の遮蔽層、基板と第１遮蔽層の間に形成された下地層、第１及び第２遮蔽層の間に形成された第１ならびに第２のギャップ層、及び第１・第２ギャップ層の間に形成された読み出しセンサで構成されている。下地層は酸化コバルト（ＣｏＯ_ｘ）でできており、式中のｘの実際値は、０．８ないし１．５（例えばＣｏＯ又はＣｏ_２Ｏ_３）である。好ましくは、下地層は１０００Ωｃｍ以上の抵抗率と、２Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導度を持つ。ヘッドからの機械的突出を軽減するために、熱を磁気ヘッドからより有効に放散せしめ得る方が有利である。

本発明により、磁気ヘッドに熱伝導度の高い酸化コバルト（ＣｏＯ_ｘ）含有絶縁体材料を利用する結果、熱は磁気ヘッドからより効果的に消散し得る。

以下の説明は、本発明を実施するための、現在考えられる最善の具体例である。この説明は本発明の一般原理を例示するために行われるものであり、本明細書中に主張されている発明のコンセプトを制限することを意図するものではない。

本発明の性格と利点、及び好ましい使用態様のより完全な理解のために、以下の詳細な説明を付属の図面と併せて読み、参考とされたい。

さて、各図面について、複数の図を通じて同じ参照番号は同一もしくは類似の部品を示し、図１〜図３には在来の磁気ディスクドライブ３０が示されている。ディスクドライブ３０は、磁気ディスク３４を支え、回転させるスピンドル３２を含む。スピンドル３２はモータ３６によって回転させられ、該モータはモータ制御装置３８によって制御される。読み出しと記録のための横型複合磁気ヘッド４０は、スライダ４２上にマウントされている。スライダ４２は、サスペンション４４及びアクチュエータ・アーム４６に支えられている。図３に示されているように、大容量の直接アクセス記憶デバイス（ＤＡＳＤ）では、複数のディスク、スライダ及びサスペンションが使用される場合もある。サスペンション４４とアクチュエータ・アーム４６が、スライダ４２を位置決めし、磁気ヘッド４０を磁気ディスク３４の表面と変換を行う位置関係に置く。ディスク３４がモータ３６によって回転させられる時、スライダはディスクと空気ベアリング面（ＡＢＳ）４８の間の薄い（例えば０．０５ｍｍ厚の）空気のクッション（空気ベアリング）によって支えられる。

磁気ヘッド４０はディスク３４の表面上にある多数の円形トラックに情報を書き込むためにも、また該トラックから情報を読み出すためにも使用することができる。処理回路５０は、ヘッド４０とそれらの情報を表す信号を交換し、モータ駆動信号を発信し、またスライダ４２を種々のトラックに移動させるための制御信号をも発信する。図１及び図４中に示されているスライダ４２は、サスペンション４４に取り付けられたヘッド・ジンバル・アセンブリ（ＨＧＡ）５２にマウントされている。上記の部品はすべて、基礎５３上に保持されている。

図５は図２の磁気ヘッド４０をＶ−Ｖ線に沿って縦断した立面断面図であり、該ヘッドの書き込みヘッド部分５４及び読み出しヘッド部分５６が示されている。図７はスライダを図５のＶＩＩ−ＶＩＩ面に沿って見た場合のＡＢＳの部分図であり、同じ構成部分が示されている。ここに示されている具体例では、読み出しヘッド部分５６は磁気抵抗（ＭＲ）型の読み出しセンサ５８を含んでいる。しかしながら、読み出しヘッド部分５６は、適当な任意の読み出しセンサ（例えばジャイアント磁気抵抗（ＧＭＲ）センサ）を含むことができる。読み出し作業中、読み出しセンサ５８の抵抗値は外部磁場に応じて変化する。センサに通じられている読み取り電流がこの抵抗変化を電位の変化として表示させ、それが処理回路５０（図３）で処理される。

図５と図７に示されているように、読み出しセンサ５８は第１及び第２のギャップ層６０及び６２の間に挟まれており、これらギャップ層は更に第１及び第２の遮蔽層６４及び６６の間に挟まれている。ギャップ層６０及び６２は、読み出しセンサ５８を第１及び第２の遮蔽層６４及び６６から電気的に絶縁するために設けられている。ギャップ層６０及び６２は、外部キャッピング層（図示されていない）と接触しており、キャッピング層は典型的にはタンタル（Ｔａ）で作られている。第１遮蔽層６４の下部には下地層２０があり、該下地層は基板２２上に作られている。第１及び第２の遮蔽層６４及び６６は典型的にはパーマロイのような磁性材料で作られ、基板２２は典型的にはセラミック（ＡｌＴｉＣ）で作られている。先行技術においては、第１及び第２のギャップ層６０及び６２、ならびに下地層２０は、典型的には誘電性材料であるアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）で作られている。アルミナの抵抗率は１０^８Ωのオーダーであり、熱伝導度は１．５〜２．０ワット／メートル・ケルビン（Ｗ／ｍ・Ｋ）である。

ヘッドの書き込み部分５４は、第１及び第２の絶縁層７０及び７２の間に挟まれた１個のコイル層６８を含んでいる。第１及び第２の絶縁層７０及び７２は「絶縁スタック」と呼ばれる。コイル層６８と第１及び第２の絶縁層７０及び７２は、第１及び第２の磁極片７６及び７８の間に挟まれている。第１及び第２の磁極片７６及び７８は、バックギャップ８０において磁気的に結合されており、かつＡＢＳの位置に１個の非磁性ギャップ層８６によって隔てられた第１及び第２の磁極端８２及び８４を持つ。図２及び図４に示されているように、第１及び第２のはんだ付け接続部分８８及び９０が、読み出しセンサ５８からの接続リード線（図示されていない）をサスペンション４４上の接続リード線９６及び９８に接続しており、第３及び第４のはんだ付け接続部分１００及び１０２が、コイル６８（図６参照）からの接続リード線１０４及び１０６をサスペンション上の接続リード線１０８及び１１０に接続している。

図５及び図７に戻り、ギャップ層６０及び６２と、下地層２０とは、本発明に従って酸化コバルト（ＣｏＯ_ｘ）で作られている。ＣｏＯ_ｘの成分比率は、比較的耐熱性の高い適切な電気絶縁体を得るのに十分な範囲に定められる。ｘの実際値が０．８〜１．５である場合に、酸化コバルトの抵抗率は数千オーム・センチメートル以上のオーダーであり、熱伝導度は約２〜８ワット／メートル・ケルビン（Ｗ／ｍ・Ｋ）であることが認められている。従って、ギャップ層６０及び６２ならびに下地層２０は、ＣｏＯ_ｘ（式中、ｘは０．８〜１．５の値）で作られることが好ましい。このような酸化コバルト絶縁体は、１０００Ωｃｍ以上の抵抗率と、２Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導度を持つ。更に好ましくは、用いられるＣｏＯ_ｘはＣｏＯ（ｘ＝１）、Ｃｏ_２Ｏ_３（ｘ＝１．５）、もしくはそれらの安定な混合体である。また、ギャップ層６０及び６２ならびに下地層２０が、すべてＣｏＯ_ｘ 絶縁体で作られていることが好ましい。

酸化コバルトは、適当な任意の在来プロセスを用いてギャップ層６０及び６２として、また下地層２０として形作ることができる。例えば、これらの層は、在来の反応スパッタリング（例えばアルゴン及び酸素の混合ガス環境下における）、イオンビームスパッタリング蒸着、あるいはＲＦスパッタリング技術を用いて被着させることが可能である。ギャップ層６０及び６２のそれぞれは、約５０〜１０００オングストロームの厚さに形成され、本具体例における各ギャップ層は、約２００オングストロームの厚さを有する。酸化コバルトを用いる場合、ギャップ層６０及び６２のそれぞれは、センサ５８と遮蔽との間に１メガオームを超える抵抗をもたらす。下地層は約０．５〜５マイクロメートル（μｍ）の厚さに形成され、本具体例の場合には約３〜４μｍの厚さを有する。但し、これらの層には、適当な任意の厚さを適用して良い。

下の表１は、酸化コバルト（ＣｏＯ_ｘ）を含む数種類の誘電性材料の耐熱性測定値を比較したものである。

これら薄膜の熱伝導度は、リソグラフィー法でパターニングされた薄膜４点プローブ・ヒーター構造を使用して測定した。ＣｏＯ_ｘ薄膜は、反応スパッタリング法を用いて調製した。酸化コバルト薄膜の熱伝導度が、スパッタリング法で形成された酸化アルミニウム薄膜の約４倍であることは重要である。

有利なことに、酸化コバルト絶縁体材料を使用する磁気ヘッドからは、熱がより効果的に放散される。このような熱伝導度の高い薄膜を読み出しセンサ周りのギャップ層として使用すれば、読み出しセンサの熱放散が良くなり、そのために信号出力が改善される。また、下地層を通る熱伝導が良くなると書き込み作業中の温度上昇も減少し、それによって機械的な突出もヘッドとディスクのインタフェースに関わる問題も軽減される。

本明細書中に述べるように、磁気ヘッドに酸化コバルト（ＣｏＯ_ｘ）を含む熱伝導度の高い絶縁体材料を利用するため、磁気ヘッドから熱がより効果的に放散される。ある特別の適用例では、磁気ヘッドは第１及び第２のギャップ層と、これら第１・第２ギャップ層の間に配置された読み出しセンサを持つ。第１及び第２ギャップ層の少なくとも一方は、酸化コバルト（ＣｏＯ_ｘ）で作られており、式中のｘの実際値は０．８〜１．５である。好ましくは、これらＣｏＯ_ｘギャップ層は、１０００オーム・センチメートル以上の抵抗率と、２ワット／メートル・ケルビン（Ｗ／ｍ・Ｋ）以上の熱伝導度を持つ。最も好ましくは、用いられるＣｏＯ_ｘはＣｏＯ（ｘ＝１）、Ｃｏ_２Ｏ_３（ｘ＝１．５）、もしくはそれらの混合体である。読み出しセンサの性能を高めるために、熱が磁気ヘッドからより効果的に放散される方が有利である。

別の特別な適用では、磁気ヘッドは１個の基板；第１及び第２の遮蔽層；基板と第１遮蔽層の間に形成された下地層；第１及び第２遮蔽層の間に形成された第１及び第２のギャップ層；及び第１及び第２ギャップ層の間に形成された読み出しセンサで構成される。下地層は酸化コバルト（ＣｏＯ_ｘ）で作られ、式中のｘの実際値は０．８〜１．５である。好ましくは、下地層は１０００オーム・センチメートル以上の抵抗率と、２Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導度を持つ。最も好ましくは、用いられるＣｏＯ_ｘはＣｏＯ（ｘ＝１）、Ｃｏ_２Ｏ_３（ｘ＝１．５）、もしくはそれらの混合体である。上に述べた問題及びその他の問題を軽減するために、熱が磁気ヘッドからより効果的に放散される方が有利である。

種々の構成部分における酸化コバルトの同時使用について述べてきたが、酸化コバルトは１層のみもしくは磁気ヘッドの一部分に使用されても良いことが理解される。また、該磁気ヘッドの１個の機能層が、異なった材料から成り、その内の１層以上に酸化コバルト層が含まれる多数の層が使用されても良い。例えば、１個のギャップ層（又は下地層）に、酸化コバルトの第１部分層、及び酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、又はそれらの結合体から成る第２部分層が含まれていても良い。これらのような場合には、酸化コバルト層が層全体の多数部分を構成するか、層全体を支配することが好ましい。

以上は、本発明の好ましい具体的態様に過ぎず、種々の変化、変更、及び変異が、付属の請求項に規定されている本発明の真の精神と範囲から離反することなくなされ得ると理解される。例えば、ＭＲ型の磁気ヘッドにおける酸化コバルトの使用が詳細に記述されているが、酸化コバルトはＧＭＲ型の磁気ヘッドにも同じ態様で使用され得るのである。詳細説明ならびに請求項中の用語もしくは語句が、当該技術に精通する者にとって平易な意味とは異なる特定の意味を与えることは意図しておらず、それ故に本明細書は、用語を不当に狭い意味で定義するために用いられてはならない。

磁気ディスクドライブの１例の平面図。 ディスクドライブの磁気ヘッド付きスライダをＩＩ−ＩＩ面で見た端面図。 多数のディスクと磁気ヘッドが用いられる磁気ディスクドライブの立面図。 スライダと磁気ヘッドを支えるサスペンションシステムの１例を示した説明図。 スライダ、及び磁気読み出しヘッドならびに書き込みヘッドを図２のＶ−Ｖ面で見た部分的立面図で、読み出しセンサの周囲に形成されている複数のギャップ層、及び基板と遮蔽層の間に形成されている下地層が示されている。 その一部が図５に示されている第２磁極片とコイル層の一部の俯瞰図で、絶縁材料はすべて除去されている。 磁気ヘッドの読み出し素子ならびに書き込み素子を示すために図５のＶＩＩ−ＶＩＩ面に沿って作図されたスライダＡＢＳの部分図であって、読み出しセンサの周囲に形成されたギャップ層、ならびに基板と遮蔽層の間に形成された下地層が示されている。

符号の説明

２０…下地層、３０…磁気ディスクドライブ、３４…磁気ディスク、３２…スピンドル、３６…モータ、３８…モータ制御装置、４０…横型複合磁気ヘッド、４２…スライダ、４４…サスペンション、４６…アクチュエータ・アーム、４８…空気ベアリング面（ＡＢＳ）、５０…処理回路、５２…ヘッド・ジンバル・アセンブリ（ＨＧＡ）、５３…基礎、５４…書き込み部分、５６…読み出しヘッド部分、５８…読み出しセンサ、６０、６２…第１及び第２のギャップ層、６４、６６…第１及び第２の遮蔽層、６８…コイル層、７０，７２…第１及び第２の絶縁層、７６、７８…第１及び第２の磁極片、８０…バックギャップ、８６…非磁性ギャップ層、８２、８４…第１及び第２の磁極端、８８，９０…第１及び第２のはんだ付け接続部分、９６，９８…接続リード線、１００，１０２…第３及び第４のはんだ付け接続部分、１０４，１０６…接続リード線、１０８、１１０…接続リード線。

Claims (29)

1. 磁気ヘッドにおいて、第１及び第２のギャップ層、ならびに第１及び第２ギャップ層の間に配置された読み出しセンサを構成要素として含み、かつこれら第１及び第２ギャップ層の少なくとも一方が酸化コバルト（ＣｏＯ_ｘ）を含むことを特徴とする磁気ヘッド。
2. 請求項１の磁気ヘッドにおいて、酸化コバルト（ＣｏＯ_ｘ）を含む少なくとも１個のギャップ層が電気絶縁体であることを特徴とする磁気ヘッド。
3. 請求項１の磁気ヘッドにおいて、酸化コバルト（ＣｏＯ_ｘ）を含む少なくとも１個のギャップ層が、２ワット／メートル・ケルビン（Ｗ／ｍ・Ｋ）以上の熱伝導度を有することを特徴とする磁気ヘッド。
4. 請求項１の磁気ヘッドにおいて、ｘの実際値が０．８〜１．５であることを特徴とする磁気ヘッド。
5. 請求項１の磁気ヘッドにおいて、酸化コバルトがＣｏＯ及びＣｏ_２Ｏ_３の一方を含むことを特徴とする磁気ヘッド。
6. 請求項１の磁気ヘッドにおいて、酸化コバルト（ＣｏＯ_ｘ）を含む少なくとも１個のギャップ層が、２ワット／メートル・ケルビン（Ｗ／ｍ・Ｋ）以上の熱伝導度を有し、熱を読み出しセンサから熱伝導によって除去することを特徴とする磁気ヘッド。
7. 請求項１の磁気ヘッドにおいて、酸化コバルト（ＣｏＯ_ｘ）を含む少なくとも１個のギャップ層が、熱を読み出しセンサから熱伝導によって除去し、該読み出しセンサの性能を向上せしめることを特徴とする磁気ヘッド。
8. 磁気記録デバイスにおいて、構成要素として：
   １個以上の磁気ディスク；
   上記１個以上の磁気ディスクを支えるスピンドル；
   上記１個以上の磁気ディスクを回転させるためのディスク駆動モータ；
   上記１個以上の磁気ディスクからデータを読み出すための磁気ヘッド；
   上記磁気ヘッドを支える１個のスライダ；
   を含み、かつ上記磁気ヘッドが構成要素として：
   第１及び第２のギャップ層；
   上記第１及び第２のギャップ層の間に挟まれた読み出しセンサ；
   を含むと共に、上記第１及び第２のギャップ層の少なくとも一方が酸化コバルト（ＣｏＯ_ｘ）を含むことを特徴とする磁気記録デバイス。
9. 請求項８の磁気記録デバイスにおいて、酸化コバルト（ＣｏＯ_ｘ）を含む少なくとも１個のギャップ層が電気絶縁体であることを特徴とする磁気記録デバイス。
10. 請求項８の磁気記録デバイスにおいて、酸化コバルト（ＣｏＯ_ｘ）を含む少なくとも１個のギャップ層が、２ワット／メートル・ケルビン（Ｗ／ｍ・Ｋ）以上の熱伝導度を有することを特徴とする磁気記録デバイス。
11. 請求項８の磁気記録デバイスにおいて、ｘの実際値が約０．８〜１．５であることを特徴とする磁気記録デバイス。
12. 請求項８の磁気記録デバイスにおいて、酸化コバルトがＣｏＯ及びＣｏ_２Ｏ_３の一方を含むことを特徴とする磁気記録デバイス。
13. 請求項８の磁気記録デバイスにおいて、酸化コバルト（ＣｏＯ_ｘ）を含む少なくとも１個のギャップ層が、２ワット／メートル・ケルビン（Ｗ／ｍ・Ｋ）以上の熱伝導度を有し、熱を読み出しセンサから熱伝導によって除去することを特徴とする磁気記録デバイス。
14. 請求項８の磁気記録デバイスにおいて、酸化コバルト（ＣｏＯ_ｘ）を含む少なくとも１個のギャップ層が、熱を読み出しセンサから熱伝導によって除去し、該読み出しセンサの性能を向上せしめることを特徴とする磁気記録デバイス。
15. 磁気ヘッドにおいて、構成要素として：
    基板；
    第１及び第２の遮蔽層；
    基板と第１遮蔽層の間に形成された下地層；
    上記第１及び第２遮蔽層の間に形成された第１及び第２のギャップ層；及び
    上記第１及び第２ギャップ層の間に形成された読み出しセンサ；
    を含み、かつ上記下地層が酸化コバルト（ＣｏＯ_ｘ）を含むことを特徴とする磁気ヘッド。
16. 請求項１５の磁気ヘッドにおいて、酸化コバルト（ＣｏＯ_ｘ）を含む下地層が電気絶縁体であることを特徴とする磁気ヘッド。
17. 請求項１５の磁気ヘッドにおいて、酸化コバルト（ＣｏＯ_ｘ）を含む下地層が、２ワット／メートル・ケルビン（Ｗ／ｍ・Ｋ）以上の熱伝導度を有することを特徴とする磁気ヘッド。
18. 請求項１５の磁気ヘッドにおいて、ｘの実際値が約０．８〜１．５であることを特徴とする磁気ヘッド。
19. 請求項１５の磁気ヘッドにおいて、酸化コバルトがＣｏＯ（ｘ＝１）及びＣｏ_２Ｏ_３（ｘ＝１．５）の一方を含むことを特徴とする磁気ヘッド。
20. 請求項１５の磁気ヘッドにおいて、酸化コバルト（ＣｏＯ_ｘ）を含む下地層が、２ワット／メートル・ケルビン（Ｗ／ｍ・Ｋ）以上の熱伝導度を有し、熱を読み出しセンサから熱伝導によって除去することを特徴とする磁気ヘッド。
21. 請求項１５の磁気ヘッドにおいて、酸化コバルト（ＣｏＯ_ｘ）を含む下地層が磁気ヘッド内の熱を熱的に放散させ、熱膨張を減らすことを特徴とする磁気ヘッド。
22. 請求項１５の磁気ヘッドにおいて、更に第１及び第２ギャップ層の少なくとも一方が酸化コバルト（ＣｏＯ_ｘ）を含有することを特徴とする磁気ヘッド。
23. 磁気記録デバイスにおいて、構成要素として：
    １個以上の磁気ディスク；
    上記１個以上の磁気ディスクを支えるスピンドル；
    上記１個以上の磁気ディスクを回転させるためのディスク駆動モータ；
    上記１個以上の磁気ディスクからデータを読み出すための磁気ヘッド；
    上記磁気ヘッドを支えるスライダ；
    を含み、かつ上記磁気ヘッドが構成要素として：
    基板；
    第１及び第２の遮蔽層；
    基板と第１遮蔽層の間に形成された下地層；
    上記第１及び第２の遮蔽層の間に挟まれた、第１及び第２のギャップ層；
    上記第１及び第２のギャップ層の間に挟まれた読み出しセンサ；
    を含むと共に、上記下地層が酸化コバルト（ＣｏＯ_ｘ）を含むことを特徴とする磁気記録デバイス。
24. 請求項２３の磁気記録デバイスにおいて、酸化コバルト（ＣｏＯ_ｘ）を含む下地層が電気絶縁体であることを特徴とする磁気記録デバイス。
25. 請求項２３の磁気記録デバイスにおいて、酸化コバルト（ＣｏＯ_ｘ）を含む下地層が、２ワット／メートル・ケルビン（Ｗ／ｍ・Ｋ）以上の熱伝導度を有することを特徴とする磁気記録デバイス。
26. 請求項２３の磁気記録デバイスにおいて、ｘの実際値が約０．８〜１．５であることを特徴とする磁気記録デバイス。
27. 請求項２３の磁気記録デバイスにおいて、酸化コバルトがＣｏＯ及びＣｏ_２Ｏ_３の一方を含むことを特徴とする磁気記録デバイス。
28. 請求項２３の磁気記録デバイスにおいて、酸化コバルト（ＣｏＯ_ｘ）を含む下地層が、２ワット／メートル・ケルビン（Ｗ／ｍ・Ｋ）以上の熱伝導度を有し、熱を読み出しセンサから熱伝導によって除去することを特徴とする磁気記録デバイス。
29. 請求項２３の磁気記録デバイスにおいて、酸化コバルト（ＣｏＯ_ｘ）を含む下地層が磁気ヘッド内の熱を熱的に放散させ、熱膨張を減らすことを特徴とする磁気記録デバイス。
    

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