JP2004146442A - Thin film transistor and its manufacturing method - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
アクティブマトリックス型液晶表示装置においては、1画素の液晶を駆動するのに1つの薄膜トランジスタを用いている。この薄膜トランジスタは以下のようにして製造されている。
【0003】
まず、ガラス基板上に、島状に加工された多結晶半導体層を形成し、多結晶半導体層を覆うようにゲート絶縁膜を形成する。ゲート絶縁膜上に、ゲート電極、ゲート線及び補助容量配線(Cs線)としてのメタル電極を形成する。次に、ゲート電極をマスクとして、多結晶半導体層にPH3もしくはB2H5を不純物として注入して、ソース・ドレイン部を形成する。次に、上記ゲート電極等を覆うように、層間絶縁膜を成膜する。
【0004】
上記層間絶縁膜についてもう少し詳しく説明する。
【0005】
現在、アクティブマトリクス型液晶表示装置は高速応答及び高精細化が進んでおり、ゲート線と信号線との間、及び補助容量線と信号線との間の寄生容量を小さくする必要がある。これは以下の理由による。ゲート線と信号線との間、及び補助容量線と信号線との間の寄生容量が大きくなると、画素書き込みに大きく影響する信号線の時定数が大きくなって補助容量への書き込み不足を生じさせる。また、ゲート線と信号線との間、及び補助容量線と信号線との間の寄生容量が大きくなると大きなクロストークを生じさせる。これら補助容量への書き込み不足及びクロストークの結果、いわゆるゴースト等の表示不良が引き起こされるのである。このような表示不良を招く原因の一つである寄生容量を小さくするため、層間絶縁膜として、寄生容量を小さくできる、誘電率の低い膜を用いるのが望ましい。以前は、層間絶縁膜として、誘電率が例えば4.2前後と高い値を有するシリコン酸化膜が用いられることが多かった。しかし近年では、上記のように配線間の寄生容量を小さくするため、誘電率の低い膜、例えばポーラス酸化シリコン膜やフッ素化シリコン酸化膜、シリコン原子及び酸素原子にメチル基(CH3基)を付した有機絶縁膜(例えば、有機シロキサン膜、メチルポリシロキサン膜)等が注目されている。中でも特に、低誘電率の層間絶縁膜として、上記メチル基を含む有機絶縁膜が広く用いられるようになってきている。このメチル基を含む有機絶縁膜の誘電率は例えば2.2〜3.5であり、上記シリコン酸化膜の誘電率4.2と比べて低いものである。
【0006】
上記のような層間絶縁膜を前述のように前記ゲート電極等を覆うように形成した後、この層間絶縁膜の表面から内部に向けてエッチングして、ソース・ドレイン部へ通ずるコンタクトホールをそれぞれ形成する。コンタクトホールを微細なものとするため、コンタクトホールはプラズマエッチングによって形成されることが多い。プラズマエッチングとは、真空中においてエッチングガスを電離させることで活性種を発生させ、活性種が被エッチング物と気層−固層反応して生じる揮発性生成物を形成除去する技術である。このプラズマエッチングを用いてコンタクトホールを形成した後は、それぞれのコンタクトホール内にソース・ドレイン電極(信号線電極)を埋め込み形成する。このとき、層間絶縁膜上には、ソース電極と電気的に接続された信号線等を形成する。信号線等はアルミニウム(Al)等の金属で構成されることが多い。
【0007】
このようにコンタクトホール内にソース・ドレイン電極を形成した後は、上記層間絶縁膜上の信号線等を覆うように保護膜を成膜する。そして、この保護膜の表面から内部に向けて上記ドレイン電極に通ずるコンタクトホールを形成し、このコンタクトホールを介して前記ドレイン電極と電気的に接続した画素電極を上記保護膜上に形成する。
【0008】
さて、以上のような工程を経て形成される薄膜トランジスタの半導体層の移動度を高速化させるためには、上記のように非結晶シリコン膜をビームアニールによって結晶化させて多結晶シリコン膜とし、さらにこの多結晶シリコン膜の膜厚を例えば50nm前後と非常に薄くする必要がある。従って、このように膜厚の薄くされた多結晶シリコン膜(ソース・ドレイン部)へのコンタクトホールを形成するエッチングでは、ソース・ドレイン部に対しての高選択比エッチングが必要とされる。ここで、コンタクトホール形成にはリアクティブ・イオン・エッチング(RIE)装置が用いられることが少なくない。特にイオンの引き込み電圧とプラズマ生成のための電圧発生装置とが分離した2周波の電源をもつリアクタが用いられることが多い。誘導結合型プラズマによるエッチングや、ECRプラズマによるエッチングもこの装置を用いて行われることが多い。
【0009】
上記したように、ソース・ドレイン部に通ずるコンタクトホールを形成するには、ソース・ドレイン部に対する高選択比エッチングが必要となる。薄膜トランジスタの層間絶縁膜として誘電率の高いシリコン酸化膜を用いた場合、このシリコン酸化膜をソース・ドレイン部に対して高選択比エッチングするため、エッチングガスとして例えばCF4、C2HF5、CHF3及びC4F8のいずれかとH2との混合ガスを用いる。このCF4、C2HF5、CHF3及びC4F8のいずれかとH2との混合ガスを用いると、エッチング対象としてのシリコン酸化膜(層間絶縁膜及びゲート絶縁膜)の表面では、ガス自身の重合によるデポジションと、プラズマで生成したフッ素イオンによるエッチングとによる競争反応が高選択比エッチングとして行われる。よって、上記CF4、C2HF5、CHF3及びC4F8のいずれかとH2との混合ガスを用いると、シリコン酸化膜をジャストエッチングできるので、ソース・ドレイン電極とのコンタクトに必要なソース・ドレイン部をエッチングさせることなくコンタクトホールを形成できる。ここで、このCF4、C2HF5、CHF3及びC4F8のいずれかとH2との混合ガスを用いた高選択比エッチングのメカニズムについて詳しく述べると以下の通りである。即ち、この混合ガスを用いてシリコン酸化膜をエッチングすると、シリコン酸化膜中に酸素が含まれているため、エッチング時にシリコン酸化膜から酸素が供給され、この酸素が炭素主体の重合膜と結合して二酸化炭素などになる。従って、このエッチング工程ではデポジションよりもエッチングが優勢になり、この結果エッチングが進行する。一方、シリコン酸化膜の下地層のソース・ドレイン部をエッチングする段になると、ソース・ドレイン部中からの酸素供給が無いため、炭素主体の重合膜が上記のようにして気化されずに堆積し、この結果、デポジションが優勢になりエッチングが進行しなくなる。なお、混合ガスに対する水素ガスの比が大きいほどデポジションは優勢になる。このようなメカニズムによりシリコン酸化膜のソース・ドレイン部に対しての高選択比エッチングがなされる。
【0010】
【特許文献1】
特開2002−289864号公報
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
一方、ソース・ドレイン部へのコンタクトホールの形成に当たり、薄膜トランジスタの層間絶縁膜として誘電率の低い有機絶縁膜、例えばメチルポリシロキサン膜を用いた場合は、メチルポリシロキサン膜とシリコン酸化膜(ゲート絶縁膜)との2種類の膜をエッチングする必要がある。ここで、一般に、シリコン酸化膜の膜厚は、薄膜トランジスタの高速化のため100nm以下、メチルポリシロキサン膜の膜厚は、低容量化のため500〜700nm以上とされている。しかし、このメチルポリシロキサン膜及びシリコン酸化膜(ゲート絶縁膜)を、上記シリコン酸化膜のエッチングに用いたのと同じCF4、C2HF5、CHF3及びC4F8のいずれかとH2との混合ガスを用いてエッチングしようとすると、デポジションが優勢となりエッチングが進行しなくなり、コンタクトホール30a、30bがソース・ドレイン部26a、26bに達しないものとなる(図5(a)参照)。より詳しくは以下の通りである。即ち、一般にメチルポリシロキサン膜中には12%以上のメチル基が存在し、メチルポリシロキサン膜のエッチング中にはこのメチル基から炭素や水素が発生する。これら炭素や水素がエッチングガス中のフッ素ラジカル等と反応して例えばCxFy(フロロカーボン)となって堆積し、この結果デポジションがエッチングに勝って、図5(a)に示すように、途中でエッチングが進行しなくなる。なお、エッチング進行時のメチルポリシロキサン膜のエッチングレートの平均は、例えば上記シリコン酸化膜のエッチングレートのおよそ10分の1以下であり極めて遅いものである。このように、上記CF4、C2HF5、CHF3及びC4F8のいずれかとH2との混合ガスを用いてメチルポリシロキサン膜をエッチングエッチングしようとすると、途中でエッチングが停止してコンタクトホールを形成できない。このことは、図5(a)に示される。このTFTについて簡単に説明する。ガラス基板21上にアンダーコート層22が形成されており、アンダーコート層22上には、半導体層23、ゲート絶縁膜24、ゲート電極25、ソース・ドレイン部26a、26bからなるTFTが形成されている。そして、TFTを覆うように有機絶縁膜27が形成されており、途中まで形成されたコンタクトホール内にはソース・ドレイン電極28a、28bが形成されている。
【0012】
上述のように、メチルポリシロキサン膜及びシリコン酸化膜のエッチングガスとしてCF4、C2HF5、CHF3及びC4F8のいずれかとH2との混合ガスを用いると、メチルポリシロキサン膜のエッチングが途中で停止してしまう。そこで、メチルポリシロキサン膜及びシリコン酸化膜のエッチングガスとして、上記CF4、C2HF5、CHF3及びC4F8のいずれかとH2との混合ガスとは異なり、デポジションの大きな原因の一つと考えられるH2を含まないガス、例えばCやFからなるCF4等のガスを用いる場合を考える。このようにH2を含まないCF4等からなるエッチングガスを用いた場合、確かにメチルポリシロキサン膜及びシリコン酸化膜(ゲート絶縁膜)はそれぞれ速いレートでエッチングされる。しかし、このH2を含まないCF4等からなるガスでのメチルポリシロキサン膜及びシリコン酸化膜のエッチングではソース・ドレイン部に対しての高選択比エッチングができない。このため、図5(b)に示すように、ソース・ドレイン部が貫通するエッチングが行われ、結果的にコンタクトホール30a’、30b’に不良が発生する。そして、ここにソース・ドレイン電極29a、29bを形成すると、図5(b)のような装置となる。
【0013】
このように、CF4、C2HF5、CHF3及びC4F8のいずれかとH2との混合ガスではエッチングが進行せずアンダーエッチングとなり、また、H2を含まないCF4等のエッチングガスではソース・ドレイン部を貫通してオーバーエッチングとなる。そこで、メチルポリシロキサン膜とシリコン酸化膜とをそれぞれ別のガスを用いてエッチングする、いわゆる2段階エッチングを用いてコンタクトホールを形成することが考えられる。即ち、この2段階エッチングは以下の通りである。例えば、まず、H2を含まないC、F等を含んだガスを用いてメチルポリシロキサン膜を低選択比エッチング(高速エッチング)する。次いで、メチルポリシロキサン膜とシリコン酸化膜との界面近傍までメチルポリシロキサン膜のエッチングが進んだら、エッチングガスをCF4、C2HF5、CHF3及びC4F8のいずれかとH2との混合ガスに切り替えてシリコン酸化膜をソース・ドレイン部に対して高選択比エッチングする。而して、一般に、液晶表示素子用の大面積のガラス基板上に形成された膜の膜厚は面内で不均一であるため、上記メチルポリシロキサン膜のエッチングでは、エッチング残りを確実に防ぐべく、25%程度のオーバーエッチングをする必要がある。ところが、このようにオーバーエッチングをやると、メチルポリシロキサン膜の下地層のシリコン酸化膜は膜厚が薄いため、上記メチルポリシロキサン膜のオーバーエッチング中にシリコン酸化膜が貫通させられてシリコン酸化膜の下側のソース・ドレイン部が部分的にエッチングされてしまう(図5(b)参照)。このように2段階エッチングを用いても、オーバーエッチングによりソース・ドレイン部がエッチングされ、不良のないコンタクトホールを形成することができなかった。
【0014】
以上に述べたところをまとめると以下にようになる。
【0015】
画素への書き込み等に大きく影響を与える配線間の寄生容量を小さくするために、配線間の層間絶縁膜として、配線間の寄生容量を小さくできる、低誘電率の有機絶縁膜を用いる必要がある。しかしながら、配線間の層間絶縁膜として、低誘電率の有機絶縁膜を用いると、ソース・ドレイン部へ通ずるコンタクトホールの形成工程で、エッチング残りやソース・ドレイン部の貫通エッチング等を生じさせる。このため、配線間の層間絶縁膜として、低誘電率の有機絶縁膜を用いた場合、不良のないコンタクトホールを形成するのは非常に困難であった。
【0016】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、配線間の層間絶縁膜として有機絶縁膜を用いつつもコンタクトホール加工不良を可及的に低減させた薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供することにある。
【0017】
【課題を解決するための手段】
本発明の薄膜トランジスタは、絶縁基板の上方にアンダーコートを介して形成された半導体層による、チャネル領域、及びそれを挟むソース・ドレイン領域と、前記チャネル領域及び前記ソース・ドレイン領域上に形成されたシリコン酸化膜によるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極及び前記ゲート絶縁膜を覆うように順次形成された、シリコン窒化膜による第1層間絶縁膜部及び有機絶縁膜による第2層間絶縁膜部を有する層間絶縁膜と、を備えるものとして構成される。
【0018】
本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、薄膜トランジスタにおけるシリコン酸化膜によるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたシリコン窒化膜による第1層間絶縁膜部と、前記第1層間絶縁膜部上に形成された有機絶縁膜による第2層間絶縁膜部とをエッチングし、ソース・ドレイン領域に通じるコンタクトホールを形成する工程を有する薄膜トランジスタの製造方法において、前記第2層間絶縁膜部及び前記第1層間絶縁膜部に第1のホールを形成する第1のエッチング工程と、前記ゲート絶縁膜に、前記第1のホールに連通し、この第1のホールとでコンタクトホールをなす、第2のホールを形成する第2のエッチング工程とを備え、前記第1のエッチング工程では、炭素、フッ素、窒素ガスを少なくとも含んだ混合ガスでエッチングをし、前記第2のエッチング工程では、炭素、フッ素、水素ガスを少なくとも含んだ混合ガスでエッチングをする、ものとして構成される。
【0019】
また、本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、薄膜トランジスタにおけるシリコン酸化膜によるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたシリコン窒化膜による第1層間絶縁膜部と、前記第1層間絶縁膜部上に形成された有機絶縁膜による第2層間絶縁膜部とをエッチングして、ソース・ドレイン領域に通ずるコンタクトホールを形成する工程を有する薄膜トランジスタの製造方法において、前記第2層間絶縁膜部に第1のホールを形成する第1のエッチング工程と、前記第1層間絶縁膜部に、前記第1のホールに連通する第2のホールを形成する第2のエッチング工程と、前記ゲート絶縁膜に、前記第2のホールに連通し、前記第1のホール及び前記第2のホールとでコンタクトホールをなす、第3のホールを形成する第3のエッチング工程とを備え、前記第1のエッチング工程では、炭素、フッ素ガスを少なくとも含んだ混合ガスでエッチングをし、前記第2のエッチング工程では、炭素、フッ素、窒素ガスを少なくとも含んだ混合ガスでエッチングをし、前記第3のエッチング工程では、炭素、フッ素、水素ガスを少なくとも含んだ混合ガスでエッチングをする、ものとして構成される。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施の形態を説明する。
【0021】
先ず、本発明の一実施の形態によって製造しようとする薄膜トランジスタ(TFT)について説明する。
【0022】
このTFTの一例を、図2(d)として示す。
【0023】
即ち、ガラス基板1上にアンダーコート層2を介して、チャネル層(多結晶シリコン膜)3が形成されている。このチャネル層(多結晶シリコン膜)3cの両側にソース・ドレイン部6a、6bが形成されている。このチャネル層(多結晶シリコン膜)3cの上方にはゲート絶縁膜4を介してゲート電極5が形成されている。ソース・ドレイン部6a、6bには、有機絶縁膜9、シリコン窒化膜8、前記ゲート絶縁膜4に形成したコンタクトホール7(1)、7(2)を通るソース・ドレイン電極11a、11bが接続されている。
【0024】
以下、図面を参照しながら、本発明の薄膜トランジスタ(TFT)の製造方法の一実施の形態について説明する。ここでは、1つのTFTに着目して説明する。
【0025】
図1(a)−(c)及び図2(a)−(d)は、本発明の実施の形態としてのTFTの製造工程断面図である。
【0026】
まず、図1(a)から分かるように、例えば、400×500mmのガラス基板1上にアンダーコート層2を形成する。アンダーコート層2は、ガラス基板1に含まれるナトリウムやカリウム等の不純物が、熱拡散によって、この後の工程でガラス基板1上に形成される多結晶シリコン膜3cに入り込むのを防ぐためのものである。次に、アンダーコート層2上にCVD法を用いて非結晶シリコン膜3aを例えば膜厚50nm程度成膜する。この非結晶シリコン3aをエキシマレーザアニールにより結晶化して、多結晶シリコン膜3bとする。この多結晶シリコン膜3bをパターニングして、島状の多結晶シリコン膜3c、3c、3c・・・を形成する。
【0027】
次に、図1(b)から分かるように、周知の方法で、各多結晶シリコン膜3cを覆うゲート絶縁膜(シリコン酸化膜)4を、例えば膜厚10nmにて形成する。次いで、シリコン酸化膜4上にゲート電極5形成用の金属膜を塗布し、これをパターニングして、ゲート電極5、5、5・・・とする。
【0028】
次に、図1(c)から分かるように、各ゲート電極5をマスクとして、多結晶シリコン膜3cにホスフィン(PH3)を注入し、ソース・ドレイン部6a、6bを形成する。この注入は、多結晶シリコン膜3cの抵抗を下げて、後工程で形成されるソース・コンタクト電極(信号線電極)とオーミック接触させるために行われるものである。さらに、この注入は、図中、ソース・ドレイン部6a、6bの内側部6a’、6b’を、リーク電流の低減、信頼性の向上を図るための低濃度領域となるように行われる。
【0029】
次に、図2(a)から分かるように、各ゲート電極5を覆うように、シリコン窒化物をCVD法によって例えば膜厚200nmで成膜して、第1層目の層間絶縁膜(シリコン窒化膜)8を形成する。このシリコン窒化膜8の成膜ガスとして、例えばSiH4、NH3、N2の混合ガスを用いる。次いで、シリコン窒化膜8上に、第2層目の層間絶縁膜(有機絶縁膜)、例えばメチルポリシロキサン膜9をCVD法によって形成する。メチルポリシロキサン膜9の成膜ガスとして、例えばトリメチルシランと、酸素もしくは一酸化二窒素とからなる混合ガスを用いる。このメチルポリシロキサン膜9は、質量比で、シリコン原子(Si)及び酸素原子(O)に対して炭素原子(C)及び水素原子(H)を12%以上含んだものとして構成されている。このメチルポリシロキサン膜を形成する方法としては、上記のようなCVD法に代えて、例えば塗布法を用いて形成してもよい。この塗布法によるメチルポリシロキサン膜の形成工程としては、まず、上記第1層目の層間絶縁膜としてのシリコン窒化膜8の表面にメチルポリシロキサン溶液を塗布する。次に、このメチルポリシロキサン溶液中の溶媒をとばすために、このメチルポリシロキサン溶液を80℃から段階的に200℃までベークする。そして、このように段階的にベークされたメチルポリシロキサン溶液を最後に300℃にて焼成処理し、これによりメチルポリシロキサン膜を得る。このようなCVD法や塗布法を用いて形成されたメチルポリシロキサン膜は、後工程で用いられる剥離液や現像液などでダメージを受けやすいため、このメチルポリシロキサン膜上に、例えばシリコン窒化膜によるキャップ層を形成しておいてもよい。次に、図2(b)から分かるように、メチルポリシロキサン膜9上にフォトリソグラフィ技術を用いてコンタクトホール形成のためのレジストパターン(図示せず)を形成する。このコンタクトホールを形成するためのレジストパターンを用いてメチルポリシロキサン膜9及びシリコン窒化膜8を順次連続してエッチングしてホール7a(1)、7b(1)及びホール7a(2)、7b(2)を形成する(第1のエッチング工程)。引き続いて、ホール7b(1)、7b(2)の底面に露呈されたシリコン酸化膜4をエッチングして、図2(c)に示すように、上記ホール7b(1)、7b(2)に連通するコンタクトホール7c(1)、7c(2)を形成する(第2のエッチング工程)。このような第1及び第2のエッチング工程とからなる2段階エッチングによって、ソース部・ドレイン部6a、6bへのコンタクトホール7(1)、7(2)(図2(c)参照)を最終的に完成させる。なお、上記第1及び第2のエッチング工程で用いるエッチング装置としては、例えばイオン引き込み電源を有する誘導結合型プラズマエッチング装置を用いる。
【0030】
以上のような第1及び第2のエッチング工程についてさらに詳しく説明する。
【0031】
先ず、この第1及び第2のエッチング工程の特徴について簡単に説明する。
【0032】
表1は、上記第1及び第2のエッチング工程で用いる各ガス種のエッチング膜に対するレートの一例を示す。表1は、本発明者らの独自の実験に基づいて得た結果を示すものである。
【表1】
表1に示すように、ガス種の覧の中段のCF4/O2/N2ガスによれば、メチルポリシロキサン膜9及びシリコン窒化膜8を高速エッチングでき、且つ、シリコン酸化膜4に対するシリコン窒化膜8の選択比を例えば6(=600/100)と大きくとれる。従って、このようなCF4/O2/N2ガスの特徴を用いて、第1のエッチングでは、メチルポリシロキサン膜9及びシリコン窒化膜8を連続してエッチングして、高速且つ高選択比エッチングを行う。
【0033】
また、表1のガス種の覧の下段のC2HF5/H2/Arガスでは、多結晶シリコン膜(ソース・ドレイン部6a、6b)に対するシリコン酸化膜4の選択比を例えば10(=200/20)と大きくとれる。従って、このようなC2HF5/H2/Arガスの特徴を用いて、第2のエッチングでは、シリコン酸化膜4をソース・ドレイン部6a、6bに対して高選択比エッチングする。
【0034】
このような2段階エッチングによってソース・ドレイン部6a、6bへ通ずるコンタクトホールを不良を生じさせることなく形成する。
【0035】
まず、第1のエッチング工程について説明する。
【0036】
図2(b)から分かるように、この第1のエッチング工程は、メチルポリシロキサン膜9及びシリコン窒化膜8を順次エッチングして、ホール7a(1)、7b(1)とホール7a、7b(2)とを形成する工程である。より詳しくは、表1のガス種の覧の中段に示すCF4ガス、O2ガス、N2ガスを3:2:1で混合したガスを用いてメチルポリシロキサン膜9とシリコン窒化膜8とを連続してプラズマエッチングする。このCF4ガス、O2ガス、N2ガスの混合ガスは、表1の中段に示すように、メチルポリシロキサン膜9とシリコン窒化膜8とをそれぞれエッチングレート300〜400、600(nm/min)で高速エッチングできる。また、この混合ガスは、シリコン窒化膜8のシリコン酸化膜4に対する選択比を上記したように例えば6(=600/100)と大きくとれる。従って、この混合ガスを用いれば、メチルポリシロキサン膜9とシリコン窒化膜8のエッチング速度を高速でエッチングでき、且つ、高選択比でシリコン窒化膜8をシリコン酸化膜4に対してエッチングできる。なお、上記プラズマエッチングで用いるプラズマエッチング装置の上部のRFパワー/基板バイアスパワーは例えば3kW/0.5kWに設定するものとする。また、メチルポリシロキサン膜9及びシリコン窒化膜8のそれぞれのエッチング時間は、メチルポリシロキサン膜9及びシリコン窒化膜8のそれぞれの膜厚等を考慮して算出するものとする。
【0037】
ここで、上記CF4ガス、O2ガス、N2ガスの混合ガスによってシリコン窒化膜8がシリコン酸化膜4に対して高選択比エッチングされるメカニズムについて説明すると以下の通りである。
【0038】
即ち、上記CF4ガス、O2ガス、N2ガスの混合ガスを用いてシリコン窒化膜8をエッチングすると、このシリコン窒化膜8に含まれるシリコン原子がエッチングガス中のフッ素ラジカルによって引き抜かれて、四フッ化シリコンガスとされる。シリコン原子が引き抜かれた後シリコン窒化膜8に残った窒素原子は、放電によって窒素ガスから生成された窒素原子と急速に再結合して窒素ガスとなり除去される。このようにシリコン窒化膜8中のシリコン原子及び窒素原子がフッ素ラジカルや窒素原子と結びついて順次気化されることでシリコン窒化膜8は高速でエッチングされる。これに対し、シリコン窒化膜8の下地層としてのシリコン酸化膜4は、このCF4ガス、O2ガス、N2ガスの混合ガスではエッチングレートが遅いためシリコン酸化膜4の膜厚はほとんど減少しない。以上のようなメカニズムによって、シリコン窒化膜8はその下地層としてのシリコン酸化膜4に対して高選択比エッチングされる。なお、当然ながら、シリコン酸化膜4に対しての選択比が低いエッチングガスを用いてシリコン窒化膜8をエッチングすれば、シリコン窒化膜8の下地層としてのシリコン酸化膜4がオーバーエッチングされ、シリコン酸化膜4の下側のソース・ドレイン部6a、6bもエッチングにより貫通する。
【0039】
次に、第2のエッチング工程について説明する。
【0040】
図2(c)から分かるように、第2のエッチング工程は、ホール7b(1)、7b(2)の底面に露呈されたシリコン酸化膜4をエッチングして、ホール7b(1)、7b(2)に連通するコンタクトホール7c(1)、7c(2)をそれぞれ形成する工程である。
【0041】
このため、第2のエッチング工程では、ソース・ドレイン部6a、6bに対するシリコン酸化膜4の選択比を大きいものとする必要がある。ソース・ドレイン部6a、6bに対する選択比を大きくするため、シリコン酸化膜4のエッチングガスとして、表1のガス種の覧の下段に示すC2HF5ガス、H2ガス、Arガスを2:2:1で混合した混合ガスを用いる。つまり、このC2HF5ガス、H2ガス、Arガスの混合ガスによれば、シリコン酸化膜4のソース・ドレイン部6a、6bに対する選択比を、表1の下段に示すように、例えば10(=200/20)と大きくとれる。従って、このC2HF5ガス、H2ガス、Arガスを用いることによりシリコン酸化膜4をソース・ドレイン部6a、6bに対して高選択比エッチングが可能となる。ここで、ホール7c(1)、7c(2)を形成するためのシリコン酸化膜4のエッチング終了時点の捻出は、シリコン酸化膜4のエッチング時に生成されるガスのプラズマ発光をエッチング中にモニターすることによって行う。但し、この第2のエッチング工程においては、基板の不均一性に基づくシリコン酸化膜4の面内分布をも考慮した上で、シリコン酸化膜4のエッチング残りを確実に防ぐ必要がある。従って、このエッチング残りを確実に防ぐため、上記終了時点の検出までに要したエッチング時間の例えば30%の時間だけ、上記終了時点の検出後も、さらにシリコン酸化膜4を追加エッチングする。但し、ソース・ドレイン部6a、6bの膜厚は例えば50nmと薄いため、この追加エッチングでは、ソース部・ドレイン部6aに対する選択比を十分に高いものにしておく必要があり、上記選択比を例えば10〜20となる条件にする。本発明者らの実際に行った実験によれば、この追加エッチングによりソース・ドレイン部6a、6bが例えば最大で20nm削れたが、この20nmという値は、上記したソース・ドレイン部6a、6bの膜厚の50nmに比べて薄く十分実用に耐え得る値であるといえる。なお、第2のエッチング工程で用いるエッチング装置の上部のRFパワー/基板バイアスパワーは例えば2kW/2kWに設定するものとする。以上により、コンタクトホール7(1)、7(2)を完成させる。
【0042】
以上に説明した2段階エッチングによってコンタクトホール7(1)、7(2)を完成させた後は、図2(c)に示すように、エッチング時に、ソース・ドレイン部6a、6b上、及びレジスト(図示せず)上に堆積したフロロカーボンを、酸素ガスを用いたエッチング(O2アッシング)等より除去する。次いで、レジスト用剥離液を用いて45秒、基板を洗浄処理して、上記レジストを除去する。その後、コンタクトホール7(1)、7(2)内を含めて、全面に導電性材料を被覆形成し、パターニングすることによりソース・ドレイン電極11a、11b及び信号線(図示せず)を形成する。即ち、図2(d)に示すように、ソース・ドレイン部6a、6bにつながるソース・ドレイン電極11a、11bをコンタクトホール7(1)、7(2)内に埋め込み形成する。また、これと同一工程において、メチルポリシロキサン膜9上に上記ソース電極11aに接続された信号線(図示)等を形成する。信号線の材料としては、例えばアルミニウム(Al),モリブデン(Mo),チタン(Ti)等の金属を用いる。
【0043】
以上のように、本発明の第1の実施形態によれば、図2(d)から分かるように、メチルポリシロキサン膜9とシリコン酸化膜4との間にシリコン窒化膜8を形成したので、メチルポリシロキサン膜9のエッチング速度を高いものとしつつ、シリコン酸化膜4に対する高選択比エッチングが可能となる。従って、シリコン酸化膜4に対する高選択エッチングを行った後、このシリコン酸化膜4をソース・ドレイン部6a、6bに対して高選択エッチングすることで、ソース・ドレイン部6a、6bへ通ずるコンタクトホールを不良の発生を可及的に抑えて形成することができる。
【0044】
図3(a)−(c)及び図4(a)、(b)は、本発明の第2の実施の形態としてのTFTの製造工程を示す断面図である。図3及び図4中、図1及び図2に示されるのと同等部分については同一の符号を付して説明を省略する。
【0045】
本実施の形態が、上記の第1の実施形態と異なる点は、第1の実施形態ではソース・ドレイン部へ通ずるコンタクトホールを2段階エッチングにより形成しているのに対して、本実施の形態では3段階エッチングにより形成している点にある。
【0046】
以下、この3段階エッチングによるコンタクトホールの形成工程を中心に、薄膜トランジスタの製造工程について説明する。
【0047】
図3(a)は、前述の図2(a)と同じ工程を示す。即ち、第1の実施形態における図1(a)、(b)、(c)の工程を経て、図3(a)に示すように、ゲート電極5を覆うように、シリコン窒化膜8及びメチルポリシロキサン膜9を順次形成する。
【0048】
次に、図3(b)、図3(c)及び図4(a)から分かるように、メチルポリシロキサン膜9、シリコン窒化膜8及びシリコン酸化膜4を3段階でエッチング(3段階エッチング)し、最終的に図4(a)に示すソース部・ドレイン部6a、6bに通ずるコンタクトホール10(1)、10(2)を完成させる。
【0049】
以下、この3段階エッチングについて詳しく述べる。
【0050】
まず、第1番目のエッチング工程では、図3(b)から分かるように、メチルポリシロキサン膜9をエッチングして、ホール10a(1)、10a(2)を形成する。前述の第1の実施形態では、メチルポリシロキサン膜9及びシリコン窒化膜8を連続してエッチングしたので、エッチングガスとして、シリコン酸化膜4に対しての選択比が大きなCF4ガス、O2ガス、N2ガスの混合ガス(表1中段参照)を用いた。しかし、この第1番目のエッチング工程では、最上層のメチルポリシロキサン膜9のみをエッチングするため、全体としてのコンタクトホールの形成時間を短縮すべく、メチルポリシロキサン膜9のエッチングレートが速いガスを用いる。具体的には、例えば表1の上段に示すように、メチルポリシロキサン膜9のエッチングレートが550〜700nm/minの、CF4ガス、O2ガスの混合ガスを用いる。このCF4ガス、O2ガスの混合ガスを用いることによって、メチルポリシロキサン膜9のエッチングレートを、第1の実施の形態に比べて、300〜400nm/minから550〜700nm/minへと向上させて(表1上段参照)、メチルポリシロキサン膜9のより高速なエッチングを実現させる。
【0051】
続いて、第2番目のエッチングでは、図3(c)に示すように、ホール10a(1)、10a(2)の底面に露呈したシリコン窒化膜8をエッチングして、ホール10a(1)、10a(2)に連通するホール10b(1)、10b(2)を形成する。このシリコン窒化膜8のエッチングガスとしては、シリコン酸化膜4に対しての選択比を大きくとるため、第1の実施の形態と同様に、CF4ガス、O2ガス、N2ガスの混合ガス(表1中段参照)を用いる。
【0052】
続いて、第3番目のエッチングでは、図4(a)から分かるように、ホール10b(1)、10b(2)の底面に露呈したシリコン酸化膜4をエッチングして、ホール10b(1)、10b(2)に連通するコンタクトホール10c(1)、10c(2)を形成する。このシリコン酸化膜4のエッチングガスとしては、ソース・ドレイン部6a、6bに対しての選択比を大きくとるため、第1の実施の形態と同様に、C2HF5ガス、H2ガス、Arガスの混合ガス(表1下段参照)を用いる。
【0053】
以上のようにしてコンタクトホール10(1)、10(2)を完成させた後は、図4(b)から分かるように、ソース部・ドレイン部6a、6bにつながるソース・ドレイン電極11a、11bをコンタクトホール10(1)、10(2)内に埋め込み形成等する。
【0054】
以上のように、本発明の第2の実施形態によれば、メチルポリシロキサン膜9をエッチングレートの速いガスを用いてエッチングするようにしたので、コンタクトホールを短時間で効率よく形成することができる。
【0055】
上述した第1及び第2の実施形態においては、誘電率の低い有機絶縁膜としてメチルポリシロキサン膜を用いたが、他の有機材料膜、例えば有機シロキサン樹脂膜等を用いてもよい。また、炭素、フッ素、水素ガスを少なくとも含んだ混合ガスとしては、C2HF5ガス、H2ガス、Arガスの混合ガスに代えて、CHF3ガス、H2ガス、Arガスの混合ガス、或いはC4F8ガス、H2ガス、Arガスの混合ガスを用いてもよい。
【0056】
以上のように、本発明の第1及び第2の実施の形態によれば、メチルポリシロキサン膜9とシリコン酸化膜4との間にシリコン窒化膜8を挟んで形成したので、メチルポリシロキサン膜9のエッチングレートを高いものとしつつ、シリコン酸化膜4に対しての高選択比エッチングが可能となる。そして、このエッチングにより形成されたホールの底面に露呈されたシリコン酸化膜4をさらに多結晶シリコン膜(ソース・ドレイン部)に対して高選択比エッチングすることで、ソース・ドレイン部への不良のないコンタクトホールを最終的に形成することができる。つまり、大型の基板の全面にわたって、エッチング残りによるコンタクト抵抗の増加やオーバーエッチングによるソース・ドレイン部の消失等のない、ソース・ドレイン部へのコンタクトホールを形成することができる。
【0057】
また、配線間の層間絶縁膜として低誘電率である有機絶縁膜を用いたので、配線間の寄生容量は低減され、これによりゴースト等の表示不良を効果的に回避することができる。
【0058】
以上により、コンタクトホール不良及び表示不良の低減された、高速且つ高精細のアクティブマトリクス型液晶表示素子を歩留良く製造することができる。
【0059】
【発明の効果】
本発明によれば、薄膜トランジスタにおけるシリコン酸化膜によるゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜の上方に形成する有機絶縁膜による層間絶縁膜との間に、ゲート絶縁膜(シリコン酸化膜)に対する選択比を大きくとれるシリコン窒化膜による層間絶縁膜を形成したので、ゲート絶縁膜(シリコン酸化膜)の下地層としての多結晶シリコン膜(ソース・ドレイン領域)に対しての適正なコンタクトホールを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態としてのTFTの製造工程を途中まで示す断面図である。
【図2】図1に続いて、TFTの製造工程を示す断面図である。
【図3】本発明の第2の実施形態としてのTFTの製造工程を途中まで示す断面図である。
【図4】図3に続いて、TFTの製造工程を示す断面図である。
【図5】従来のTFTの縦断面図を示す。
【符号の説明】
1 ガラス基板(絶縁基板)
2 アンダーコート層
3a 非晶質シリコン膜
3b、3c 多結晶シリコン膜
4 シリコン酸化膜(ゲート絶縁膜)
5 ゲート電極
6a、6b ソース/ドレイン部(ソース/ドレイン領域)
7(1)、7(2)、10(1)、10(2) コンタクトホール
7a(1)〜7c(1)、7a(2)〜7c(2)、10a(1)〜10c(1)、10a(2)〜10c(2) ホール
8 シリコン窒化膜(第1層間絶縁膜部)
9 メチルポリシロキサン膜(有機絶縁膜、第2層間絶縁膜部)
11a ソース電極(信号線電極)
11b ドレイン電極(信号線電極)[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a thin film transistor and a method for manufacturing the thin film transistor.
[0002]
[Prior art]
In an active matrix type liquid crystal display device, one thin film transistor is used to drive one pixel of liquid crystal. This thin film transistor is manufactured as follows.
[0003]
First, an island-shaped polycrystalline semiconductor layer is formed over a glass substrate, and a gate insulating film is formed so as to cover the polycrystalline semiconductor layer. On the gate insulating film, a gate electrode, a gate line, and a metal electrode as an auxiliary capacitance line (Cs line) are formed. Next, PH is applied to the polycrystalline semiconductor layer using the gate electrode as a mask. 3 Or B 2 H 5 Is implanted as an impurity to form a source / drain portion. Next, an interlayer insulating film is formed so as to cover the gate electrode and the like.
[0004]
The interlayer insulating film will be described in more detail.
[0005]
At present, high-speed response and high definition of active matrix type liquid crystal display devices are progressing, and it is necessary to reduce parasitic capacitance between a gate line and a signal line and between an auxiliary capacitance line and a signal line. This is for the following reason. When the parasitic capacitance between the gate line and the signal line and between the auxiliary capacitance line and the signal line increases, the time constant of the signal line that greatly affects pixel writing increases, causing insufficient writing to the auxiliary capacitance. . Further, when the parasitic capacitance between the gate line and the signal line and between the auxiliary capacitance line and the signal line becomes large, a large crosstalk occurs. As a result of insufficient writing to these auxiliary capacitors and crosstalk, display defects such as so-called ghosts are caused. In order to reduce the parasitic capacitance, which is one of the causes of such display failure, it is desirable to use a film having a low dielectric constant, which can reduce the parasitic capacitance, as the interlayer insulating film. Previously, a silicon oxide film having a high dielectric constant of, for example, about 4.2 was often used as an interlayer insulating film. However, in recent years, in order to reduce the parasitic capacitance between wirings as described above, a film having a low dielectric constant, such as a porous silicon oxide film or a fluorinated silicon oxide film, a silicon atom and an oxygen atom having a methyl group (CH 3 Organic insulating films (for example, organic siloxane films, methylpolysiloxane films) and the like provided with a group are attracting attention. In particular, the organic insulating film containing a methyl group has been widely used as an interlayer insulating film having a low dielectric constant. The dielectric constant of the organic insulating film containing a methyl group is, for example, 2.2 to 3.5, which is lower than the dielectric constant 4.2 of the silicon oxide film.
[0006]
After the interlayer insulating film as described above is formed so as to cover the gate electrode and the like as described above, etching is performed inward from the surface of the interlayer insulating film to form contact holes leading to the source / drain portions, respectively. I do. In order to make the contact hole fine, the contact hole is often formed by plasma etching. Plasma etching is a technique for generating active species by ionizing an etching gas in a vacuum and forming and removing volatile products generated by the gas-solid reaction of the active species with an object to be etched. After forming the contact holes using this plasma etching, source / drain electrodes (signal line electrodes) are buried in the respective contact holes. At this time, a signal line or the like electrically connected to the source electrode is formed on the interlayer insulating film. Signal lines and the like are often made of metal such as aluminum (Al).
[0007]
After the source / drain electrodes are formed in the contact holes as described above, a protective film is formed to cover the signal lines and the like on the interlayer insulating film. Then, a contact hole communicating with the drain electrode is formed from the surface of the protective film toward the inside, and a pixel electrode electrically connected to the drain electrode via the contact hole is formed on the protective film.
[0008]
Now, in order to increase the mobility of the semiconductor layer of the thin film transistor formed through the above steps, the amorphous silicon film is crystallized by beam annealing as described above to form a polycrystalline silicon film. The thickness of this polycrystalline silicon film needs to be extremely thin, for example, around 50 nm. Therefore, in the etching for forming a contact hole in the polycrystalline silicon film (source / drain portion) thus reduced in thickness, a high selectivity etching is required for the source / drain portion. Here, a reactive ion etching (RIE) apparatus is often used for forming a contact hole. In particular, a reactor having a two-frequency power source in which an ion pull-in voltage and a voltage generator for plasma generation are separated is often used. Etching using inductively coupled plasma or etching using ECR plasma is often performed using this apparatus.
[0009]
As described above, in order to form a contact hole leading to a source / drain portion, high selectivity etching for the source / drain portion is required. When a silicon oxide film having a high dielectric constant is used as an interlayer insulating film of a thin film transistor, the silicon oxide film is etched at a high selectivity with respect to a source / drain portion. 4 , C 2 HF 5 , CHF 3 And C 4 F 8 Any of and H 2 Is used. This CF 4 , C 2 HF 5 , CHF 3 And C 4 F 8 Any of and H 2 When a gas mixture of the above is used, on the surface of the silicon oxide film (interlayer insulating film and gate insulating film) to be etched, a competitive reaction is caused by deposition of the gas itself and etching by fluorine ions generated by plasma. Performed as high selectivity etching. Therefore, the above CF 4 , C 2 HF 5 , CHF 3 And C 4 F 8 Any of and H 2 By using a mixed gas of the above, a silicon oxide film can be just etched, so that a contact hole can be formed without etching a source / drain portion necessary for contact with a source / drain electrode. Here, this CF 4 , C 2 HF 5 , CHF 3 And C 4 F 8 Any of and H 2 The mechanism of the high selectivity etching using a mixed gas of the following is described in detail below. That is, when the silicon oxide film is etched using this mixed gas, oxygen is supplied from the silicon oxide film at the time of etching because oxygen is contained in the silicon oxide film, and the oxygen is combined with the carbon-based polymer film. To carbon dioxide. Therefore, in this etching step, etching becomes dominant over deposition, and as a result, etching proceeds. On the other hand, when it comes to the step of etching the source / drain portion of the underlying layer of the silicon oxide film, there is no supply of oxygen from inside the source / drain portion, so that the carbon-based polymer film is deposited without being vaporized as described above. As a result, the deposition becomes dominant and the etching does not proceed. The deposition becomes more predominant as the ratio of the hydrogen gas to the mixed gas increases. By such a mechanism, high selectivity etching is performed on the source / drain portions of the silicon oxide film.
[0010]
[Patent Document 1]
JP-A-2002-289864
[0011]
[Problems to be solved by the invention]
On the other hand, when an organic insulating film having a low dielectric constant, for example, a methylpolysiloxane film is used as an interlayer insulating film of a thin film transistor when forming a contact hole in the source / drain portion, a methylpolysiloxane film and a silicon oxide film (gate insulating film) are used. 2) need to be etched. Here, in general, the thickness of the silicon oxide film is 100 nm or less for speeding up the thin film transistor, and the thickness of the methylpolysiloxane film is 500 to 700 nm or more for low capacitance. However, the same methyl polysiloxane film and silicon oxide film (gate insulating film) as the CF used for etching the silicon oxide film are used. 4 , C 2 HF 5 , CHF 3 And C 4 F 8 Any of and H 2 If the etching is performed using a mixed gas of, the deposition becomes dominant and the etching does not proceed, and the
[0012]
As described above, CF is used as an etching gas for the methylpolysiloxane film and the silicon oxide film. 4 , C 2 HF 5 , CHF 3 And C 4 F 8 Any of and H 2 If a mixed gas of the above is used, the etching of the methylpolysiloxane film is stopped halfway. Therefore, the above CF is used as an etching gas for the methylpolysiloxane film and the silicon oxide film. 4 , C 2 HF 5 , CHF 3 And C 4 F 8 Any of and H 2 Unlike the mixed gas with H, H is considered to be one of the major causes of deposition. 2 Containing no gas, such as CF made of C or F 4 Consider the case of using such a gas. Thus H 2 Without CF 4 When an etching gas composed of the above is used, the methylpolysiloxane film and the silicon oxide film (gate insulating film) are surely etched at a high rate. But this H 2 Without CF 4 Etching of the methylpolysiloxane film and the silicon oxide film with a gas composed of such as cannot perform high-selectivity etching on the source / drain portions. Therefore, as shown in FIG. 5B, etching is performed to penetrate the source / drain portions, and as a result, defects occur in the
[0013]
Thus, CF 4 , C 2 HF 5 , CHF 3 And C 4 F 8 Any of and H 2 With a mixed gas of
[0014]
The above points are summarized as follows.
[0015]
In order to reduce the parasitic capacitance between wirings that greatly affects writing to pixels, it is necessary to use, as an interlayer insulating film between wirings, an organic insulating film having a low dielectric constant that can reduce parasitic capacitance between wirings. . However, if an organic insulating film having a low dielectric constant is used as an interlayer insulating film between wirings, an unetched portion or penetrating etching of the source / drain portion occurs in a process of forming a contact hole leading to a source / drain portion. For this reason, when an organic insulating film having a low dielectric constant is used as an interlayer insulating film between wirings, it is very difficult to form a contact hole having no defect.
[0016]
The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a thin film transistor in which a contact hole processing defect is reduced as much as possible while using an organic insulating film as an interlayer insulating film between wirings. And a method for manufacturing the same.
[0017]
[Means for Solving the Problems]
The thin film transistor of the present invention is formed on a channel region, a source / drain region sandwiching the channel region, and the channel region and the source / drain region by a semiconductor layer formed above the insulating substrate via an undercoat. A gate insulating film made of a silicon oxide film, a gate electrode provided on the gate insulating film, a first interlayer insulating film portion made of a silicon nitride film, which is sequentially formed so as to cover the gate electrode and the gate insulating film; An interlayer insulating film having a second interlayer insulating film portion made of an organic insulating film.
[0018]
The method of manufacturing a thin film transistor according to the present invention includes the steps of: forming a gate insulating film of a silicon oxide film in the thin film transistor; a first interlayer insulating film portion of a silicon nitride film formed on the gate insulating film; A method of manufacturing a thin film transistor, comprising: etching a second interlayer insulating film portion formed of an organic insulating film and forming a contact hole communicating with a source / drain region, wherein the second interlayer insulating film portion and the first interlayer film are formed. A first etching step of forming a first hole in the insulating film portion, and a second hole communicating with the first hole and forming a contact hole with the first hole in the gate insulating film. Forming a second etching step, wherein in the first etching step, a mixed gas containing at least carbon, fluorine and nitrogen gas is provided. And etching, in the second etching step, carbon, fluorine, etching at least inclusive mixed gas of hydrogen gas, and as things.
[0019]
Further, the method of manufacturing a thin film transistor according to the present invention may further comprise a gate insulating film formed of a silicon oxide film in the thin film transistor, a first interlayer insulating film portion formed of a silicon nitride film formed on the gate insulating film, and the first interlayer insulating film portion. Forming a contact hole communicating with a source / drain region by etching a second interlayer insulating film portion formed of an organic insulating film formed thereon; A first etching step of forming one hole; a second etching step of forming a second hole communicating with the first hole in the first interlayer insulating film portion; A third hole forming a third hole communicating with the second hole and forming a contact hole with the first hole and the second hole; Wherein the first etching step includes etching with a mixed gas containing at least carbon and fluorine gas, and the second etching step uses a mixed gas containing at least carbon, fluorine and nitrogen gas. Etching is performed, and in the third etching step, etching is performed using a mixed gas containing at least carbon, fluorine, and hydrogen gas.
[0020]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0021]
First, a thin film transistor (TFT) to be manufactured according to an embodiment of the present invention will be described.
[0022]
An example of this TFT is shown in FIG.
[0023]
That is, a channel layer (polycrystalline silicon film) 3 is formed on a
[0024]
Hereinafter, an embodiment of a method for manufacturing a thin film transistor (TFT) of the present invention will be described with reference to the drawings. Here, the description will focus on one TFT.
[0025]
FIGS. 1A to 1C and 2A to 2D are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of a TFT according to an embodiment of the present invention.
[0026]
First, as can be seen from FIG. 1A, an
[0027]
Next, as can be seen from FIG. 1B, a gate insulating film (silicon oxide film) 4 covering each
[0028]
Next, as can be seen from FIG. 1C, phosphine (PH3) is implanted into the
[0029]
Next, as can be seen from FIG. 2A, a silicon nitride film is formed to a thickness of, for example, 200 nm by a CVD method so as to cover each
[0030]
The first and second etching processes as described above will be described in more detail.
[0031]
First, the features of the first and second etching steps will be briefly described.
[0032]
Table 1 shows an example of the rate of each gas type used in the first and second etching steps with respect to the etching film. Table 1 shows the results obtained based on the inventors' original experiments.
[Table 1]
As shown in Table 1, CF in the middle row of gas type list 4 / O 2 / N 2 According to the gas, the
[0033]
Also, C at the bottom of the gas type list in Table 1 2 HF 5 / H 2 With the / Ar gas, the selectivity of the
[0034]
By such two-stage etching, contact holes leading to the source /
[0035]
First, the first etching step will be described.
[0036]
As can be seen from FIG. 2B, in the first etching step, the
[0037]
Here, the CF 4 Gas, O 2 Gas, N 2 The mechanism by which the
[0038]
That is, the above CF 4 Gas, O 2 Gas, N 2 When the
[0039]
Next, the second etching step will be described.
[0040]
As can be seen from FIG. 2C, in the second etching step, the
[0041]
For this reason, in the second etching step, it is necessary to increase the selectivity of the
[0042]
After the contact holes 7 (1) and 7 (2) are completed by the two-step etching described above, as shown in FIG. 2 (c), the source and
[0043]
As described above, according to the first embodiment of the present invention, as can be seen from FIG. 2D, since the
[0044]
FIGS. 3A to 3C and FIGS. 4A and 4B are cross-sectional views showing steps of manufacturing a TFT according to the second embodiment of the present invention. 3 and FIG. 4, the same reference numerals are given to the same parts as those shown in FIG. 1 and FIG.
[0045]
This embodiment is different from the above-described first embodiment in that a contact hole leading to a source / drain portion is formed by two-step etching in the first embodiment. Is that it is formed by three-step etching.
[0046]
Hereinafter, the manufacturing process of the thin film transistor will be described focusing on the process of forming the contact hole by the three-stage etching.
[0047]
FIG. 3A shows the same step as that of FIG. 2A described above. That is, through the steps of FIGS. 1A, 1B, and 3C in the first embodiment, as shown in FIG. 3A, the
[0048]
Next, as can be seen from FIGS. 3B, 3C and 4A, the
[0049]
Hereinafter, the three-stage etching will be described in detail.
[0050]
First, in the first etching step, as can be seen from FIG. 3B, the
[0051]
Subsequently, in the second etching, as shown in FIG. 3C, the
[0052]
Subsequently, in the third etching, as can be seen from FIG. 4A, the
[0053]
After the contact holes 10 (1) and 10 (2) are completed as described above, as can be seen from FIG. 4B, the source /
[0054]
As described above, according to the second embodiment of the present invention, since the
[0055]
In the first and second embodiments described above, the methylpolysiloxane film is used as the organic insulating film having a low dielectric constant. However, another organic material film, for example, an organic siloxane resin film or the like may be used. Further, as a mixed gas containing at least carbon, fluorine and hydrogen gas, C 2 HF 5 Gas, H 2 CHF instead of a mixed gas of gas and Ar gas 3 Gas, H 2 Gas, mixed gas of Ar gas, or C 4 F 8 Gas, H 2 A mixed gas of gas and Ar gas may be used.
[0056]
As described above, according to the first and second embodiments of the present invention, since the
[0057]
In addition, since an organic insulating film having a low dielectric constant is used as an interlayer insulating film between the wirings, parasitic capacitance between the wirings is reduced, whereby display defects such as ghosts can be effectively avoided.
[0058]
As described above, a high-speed and high-definition active matrix liquid crystal display element with reduced contact hole defects and display defects can be manufactured with a high yield.
[0059]
【The invention's effect】
According to the present invention, the selectivity with respect to the gate insulating film (silicon oxide film) is set between the gate insulating film of the silicon oxide film in the thin film transistor and the interlayer insulating film of the organic insulating film formed above the gate insulating film. Since an interlayer insulating film made of a large silicon nitride film is formed, it is possible to form an appropriate contact hole for a polycrystalline silicon film (source / drain region) as a base layer of a gate insulating film (silicon oxide film). it can.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view partially showing a manufacturing process of a TFT according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a manufacturing step of the TFT, following FIG. 1;
FIG. 3 is a cross-sectional view partially showing a manufacturing process of a TFT according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a manufacturing step of the TFT, following FIG. 3;
FIG. 5 shows a vertical sectional view of a conventional TFT.
[Explanation of symbols]
1 Glass substrate (insulating substrate)
2 Undercoat layer
3a Amorphous silicon film
3b, 3c Polycrystalline silicon film
4 Silicon oxide film (gate insulating film)
5 Gate electrode
6a, 6b Source / drain part (source / drain region)
7 (1), 7 (2), 10 (1), 10 (2) Contact hole
7a (1) to 7c (1), 7a (2) to 7c (2), 10a (1) to 10c (1), 10a (2) to 10c (2) Hole
8 Silicon nitride film (first interlayer insulating film)
9 Methylpolysiloxane film (organic insulating film, second interlayer insulating film)
11a Source electrode (signal line electrode)
11b Drain electrode (signal line electrode)
Claims (7)
前記チャネル領域及び前記ソース・ドレイン領域上に形成されたシリコン酸化膜によるゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極及び前記ゲート絶縁膜を覆うように順次形成された、シリコン窒化膜による第1層間絶縁膜部及び有機絶縁膜による第2層間絶縁膜部を有する層間絶縁膜と、
を備えることを特徴とする薄膜トランジスタ。A channel region and a source / drain region sandwiching the channel region by a semiconductor layer formed via an undercoat over the insulating substrate;
A gate insulating film of a silicon oxide film formed on the channel region and the source / drain region;
A gate electrode provided on the gate insulating film;
An interlayer insulating film having a first interlayer insulating film portion made of a silicon nitride film and a second interlayer insulating film portion made of an organic insulating film, sequentially formed so as to cover the gate electrode and the gate insulating film;
A thin film transistor comprising:
前記第2層間絶縁膜部及び前記第1層間絶縁膜部に第1のホールを形成する第1のエッチング工程と、
前記ゲート絶縁膜に、前記第1のホールに連通し、この第1のホールとでコンタクトホールをなす、第2のホールを形成する第2のエッチング工程とを備え、
前記第1のエッチング工程では、炭素、フッ素、窒素ガスを少なくとも含んだ混合ガスでエッチングをし、前記第2のエッチング工程では、炭素、フッ素、水素ガスを少なくとも含んだ混合ガスでエッチングをする、
ことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。A gate insulating film formed of a silicon oxide film in a thin film transistor, a first interlayer insulating film formed of a silicon nitride film formed on the gate insulating film, and a second formed of an organic insulating film formed on the first interlayer insulating film; A method for manufacturing a thin film transistor, comprising the steps of: etching an interlayer insulating film portion and forming a contact hole leading to a source / drain region;
A first etching step of forming a first hole in the second interlayer insulating film portion and the first interlayer insulating film portion;
A second etching step of forming a second hole in the gate insulating film, the second etching step communicating with the first hole and forming a contact hole with the first hole;
In the first etching step, etching is performed with a mixed gas containing at least carbon, fluorine and nitrogen gas, and in the second etching step, etching is performed with a mixed gas containing at least carbon, fluorine and hydrogen gas,
A method for manufacturing a thin film transistor, comprising:
前記第2のエッチング工程において、前記炭素、フッ素、水素ガスを少なくとも含んだ混合ガスとしてC2HF5/H2/Arガス、CHF3/H2/Arガス及びC4F8/H2/Arガスのいずれかを用いる
ことを特徴とする請求項4に記載の薄膜トランジスタの製造方法。In the first etching step, a CF 4 / O 2 / N 2 gas is used as a mixed gas containing at least the carbon, fluorine, and nitrogen gas,
In the second etching step, C 2 HF 5 / H 2 / Ar gas, CHF 3 / H 2 / Ar gas and C 4 F 8 / H 2 / The method for manufacturing a thin film transistor according to claim 4, wherein any one of Ar gas is used.
前記第2層間絶縁膜部に第1のホールを形成する第1のエッチング工程と、
前記第1層間絶縁膜部に、前記第1のホールに連通する第2のホールを形成する第2のエッチング工程と、
前記ゲート絶縁膜に、前記第2のホールに連通し、前記第1のホール及び前記第2のホールとでコンタクトホールをなす、第3のホールを形成する第3のエッチング工程とを備え、
前記第1のエッチング工程では、炭素、フッ素ガスを少なくとも含んだ混合ガスでエッチングをし、前記第2のエッチング工程では、炭素、フッ素、窒素ガスを少なくとも含んだ混合ガスでエッチングをし、前記第3のエッチング工程では、炭素、フッ素、水素ガスを少なくとも含んだ混合ガスでエッチングをする、
ことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。A gate insulating film of a silicon oxide film in a thin film transistor, a first interlayer insulating film portion of a silicon nitride film formed on the gate insulating film, and a second interlayer film of an organic insulating film formed on the first interlayer insulating film portion; A method for manufacturing a thin film transistor, comprising the steps of: etching an interlayer insulating film portion and forming a contact hole leading to a source / drain region;
A first etching step of forming a first hole in the second interlayer insulating film portion;
A second etching step of forming a second hole communicating with the first hole in the first interlayer insulating film portion;
A third etching step of forming a third hole in the gate insulating film, the third etching step communicating with the second hole and forming a contact hole with the first hole and the second hole;
In the first etching step, etching is performed with a mixed gas containing at least carbon and fluorine gas, and in the second etching step, etching is performed with a mixed gas containing at least carbon, fluorine and nitrogen gas, In the third etching step, etching is performed with a mixed gas containing at least carbon, fluorine and hydrogen gas.
A method for manufacturing a thin film transistor, comprising:
前記第2のエッチング工程において、前記炭素、フッ素、窒素ガスを少なくとも含んだ混合ガスとしてCF4/O2/N2ガスを用い、
前記第3のエッチング工程において、前記炭素、フッ素、水素ガスを少なくとも含んだ混合ガスとしてC2HF5/H2/Arガス、CHF3/H2/Arガス及びC4F8/H2/Arガスのいずれかを用いる
ことを特徴とする請求項6に記載の薄膜トランジスタの製造方法。In the first etching step, a CF 4 / O 2 gas is used as a mixed gas containing at least the carbon and fluorine gases;
In the second etching step, CF 4 / O 2 / N 2 gas is used as a mixed gas containing at least the carbon, fluorine, and nitrogen gas,
In the third etching step, C 2 HF 5 / H 2 / Ar gas, CHF 3 / H 2 / Ar gas and C 4 F 8 / H 2 / 7. The method according to claim 6, wherein any one of Ar gas is used.
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