JP2004145026A - Driving gear for light emission element - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機EL発光素子によってディスプレイを構成する有機ELディスプレイの駆動回路の技術分野に属する。
【0002】
【従来の技術】
エレクトロルミネッセンス(EL:ElectroLuminescence)素子には、セレンや亜鉛などの無機化合物薄膜を発光材料として用いる無機発光素子と、有機化合物を発光材料として用いる有機EL発光素子とがある。
【0003】
有機EL発光素子には、(1)発光効率が高い、(2)駆動電圧が低い、(3)発光材料を選択することで様々な色(緑、赤、青、黄など)を表示可能、(4)自発光型であるため表示が鮮明でバックライトが不要、(5)面発光であり、視野角依存性が無い、(6)薄型で軽量、(7)製造プロセスの最高温度が低いため、基板材料にプラスチックフィルムなどのような柔らかい材質を用いることが可能、などの優れた特徴がある。
【0004】
そこで、近年、CRTやLCDに代わり、車載用AV機器や、携帯機器であるPDA、携帯電話機など表示装置として、有機EL発光素子を用いたディスプレイ(以下、有機ELディスプレイという。)が注目されている。
【0005】
有機EL発光素子をディスプレイに応用する場合は、ドットマトリクス表示が一般的である。このドットマトリクス表示の有機ELディスプレイの駆動には、パッシブ方式とアクティブ方式とがある。
【0006】
前者のアクティブ方式では、画素を構成する有機EL発光素子の個々に薄膜トランジスタ(TFT)からなるスイッチング素子が接続されており、駆動時は、常時点灯する、いわゆる、スタティック駆動が行なわれるようになっている(例えば、特許文献1参照。)。
【0007】
一方、後者のパッシブ方式では、陰陽各電極が、複数の行と列から構成されるマトリックス状のライン電極群として形成されるとともに、陰陽各電極のラインを走査することによって順次選択され、列ラインと行ラインとが選択された時にのみ点灯する、いわゆる、デューティ駆動が行なわれるようになっている。
【0008】
上記2方式のディスプレイのうち、パッシブ方式のディスプレイは、アクティブ方式と比較して、製造プロセスが簡単であり、低コストで製造できる一方、アクティブ方式は、TFTを必要とし、高価ではあるが、低消費電力で駆動できる点および画素感のクロストークが少ない点を有し、特に、大画面ディスプレイや高精細度のディスプレイに適している。
【0009】
【特許文献1】
特開2001−117534号公報
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、アクティブ方式のディスプレイを駆動する際には、有機EL発光素子を発光するために、当該発光素子に高電圧を印加する必要があり、当該ディスプレイを駆動する駆動装置においても高耐圧にさせる必要があるので、当該駆動装置を半導体チップなどに実装する際に、当該駆動回路の微細化が困難になるという問題を有していた。
【0011】
本発明は、上記の各問題点に鑑みて為されたもので、その課題の一例としては、駆動装置を半導体チップなどに実装する際にも微細化可能な低電圧により駆動する駆動回路を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、請求項1に記載の発明は、複数の発光素子がマトリックス状に形成されるとともに、前記発光素子を走査して発光する表示部を駆動する発光素子の駆動装置であって、前記表示部における一方の走査線の走査方向である第1走査方向の各走査線毎に、前記各発光素子を駆動する際に基準となる基準電流を供給する第1駆動手段と、前記表示部における他方の走査方向である第2走査方向の各走査線毎に、予め定められた電圧を印加する第2駆動手段と、前記外部から入力された入力電圧に基づいて前記第1駆動手段によって供給される各基準電流を調整する調整手段と、を備え、少なくとも前記第1駆動手段を1の半導体チップに設けるとともに、前記調整手段を前記1の半導体チップとは別の半導体チップに設けた構成を有している。
【0013】
【発明の実施の形態】
次に、本願の実施の形態について、図面に基づいて説明する。
【0014】
図1および図2を用いてアクティブ方式の有機ELディスプレイにおける有機ELパネル(以下、単に有機ELパネルという。)とその駆動装置について説明する。
【0015】
なお、図1は、有機ELパネルとその駆動装置の概要構成を示す構成図であり、図2は、有機ELパネルとその駆動装置の一部の構成を示す図である。
【0016】
また、本実施形態では、データ電極線の基準電流を制御する電界効果トランジスタを有する有機ELパネルと駆動装置をそれぞれ異なる半導体チップに設けるようになっている。
【0017】
さらに、本実施形態では、データ電極線は256本およびアドレス走査電極線は64本として説明する。
【0018】
有機ELパネル10には、図1および図2に示すように、アドレス信号が供給されるアドレス走査電極線(B)とデータ信号が供給されるデータ電極線(A)がマトリックス(格子)状に配設されており、この有機ELパネル10では、このマトリックス状に配設されたアドレス走査電極線(A)とデータ電極線(B)の各交点位置に、各発光素子(E)の発光のスイッチング制御を行う薄膜トランジスタTFT(以下、単にTFTという。)と発光素子(E)とが接続され、発光素子(E)は、TFTを介して、データ電極線(A)とアドレス走査電極線(B)と接続されている。
【0019】
具体的には、TFTがP型トランジスタの場合、このTFTのゲートには、当該各TFTに対応するデータ電極線(A)が接続されるとともに、このTFTのソースには、当該各TFTに対応するアドレス走査電極線が接続されるようになっており、このデータ電極(A)によって印加されるゲート電圧に応じた電流がアドレス走査電極線を介して当該TFTのソース、ドレイン間に流れるようになっている。
【0020】
また、このTFTのドレインは、P型のトランジスタTrで構成されたカレントミラー回路を介して発光素子(E)に接続されており、カレントミラー回路は、各トランジスタTrに接続された電源電圧VDDを用いてTFTのソース、ドレイン間に流れた電流を正確に発光素子(E)に供給するようになっている。
【0021】
例えば、本実施形態では、カレントミラー回路を構成する各トランジスタTrのゲートには、スイッチ(SW)を介してTFTn、nのドレインが接続されるとともに、一方のトランジスタTrnnAのソースには電源電圧VDDが接続されるようになっており、他の電界効果トランジスタTrnnBのドレインには、電源電圧VDDが接続されるとともに、当該トランジスタTrnnBのソースには発光素子(E)が接続されるようになっている。
【0022】
また、カレントミラー回路を構成する各トランジスタTrのゲートには、コンデンサ(C)を介して電源電圧VDDと接続されるようになっており、このコンデンサ(C)は、TFTn、nが動作したとき、すなわち、データが書き込まれた場合に、書き込まれた電荷を保持し、当該保持した電荷(電圧)に応じて、カレントミラー回路を構成するトランジスタTrnnAおよびトランジスタTrnnBをONするようになっている。
【0023】
なお、各トランジスタTrのゲートに接続されたスイッチ(SW)は、このコンデンサ(C)に保持された電荷のリークを抑制するものであり、外部制御により、書き込み走査時のみONにするようになっている。
【0024】
また、本実施形態では、有機ELパネル10において、配設された各データ電極線の先頭に電界効果トランジスタ(TrnA)11が配設されており、このトランジスタ(TrnA)11によってデータ電極線に供給された基準電流(i)を調整するようになっている。
【0025】
具体的には、トランジスタ(TrnA)11には、n型のトランジスタが用いられるとともに、当該トランジスタ(TrnA)11のゲートには、電源電圧VDDが接続され、ドレイン、ソースをそれぞれデータ電極線に接続するようになっている。
【0026】
なお、この電源電圧VDDは、後述するようにデータ電極線駆動回路120のトランジスタTr0のドレインに供給される電源電圧VDDとともに、外部の電源電圧VDDと接続されている。
【0027】
本実施形態では、このような構成を有することにより、トランジスタ(TrnA)11のゲートに印加されるゲート電圧、すなわち、外部より供給された電源電圧VDDに応じて各データ電極線に供給される基準電流(i)を調整することができるようになっている。
【0028】
なお、例えば、本実施形態のトランジスタ(TrnA)11は、本発明に係る調整手段およびスイッチング回路を構成している。
【0029】
駆動装置100は、図1および図2に示すように、アドレス走査電極線(B)を一定の時間間隔で順次選択して走査するアドレス走査電極線駆動回路110と、駆動源たる電流源を駆動することにより、任意の交点位置の発光素子(E)を発光させるデータ電極線駆動回路120と、アドレス走査電極線駆動回路110、および、データ電極線駆動回路120を制御する発光制御回路130とを備えている。
【0030】
なお、例えば、アドレス走査電極線駆動回路110は、本発明に係る第2駆動手段を構成し、データ電極線回路120は、本発明に係る第1駆動手段を構成している。
【0031】
アドレス走査電極線駆動回路110は、各アドレス走査電極毎に電圧の印加を制御することによって各アドレス走査電極線(B)を順次走査するようになっており、例えば、電圧の電源電圧とアース電位とを各アドレス走査電極毎に切り換えることによって各アドレス走査電極線(B)を順次走査するようになっている。
【0032】
具体的には、アドレス走査電極線駆動回路110は、各アドレス走査電極線(B1)〜(B64)を順次走査するための走査スイッチ1111 〜11164を備えており、各走査スイッチ1111 〜11164の一方の端子は、電源電圧に接続され、他方の端子は、アース電位にそれぞれ接続されている。
【0033】
データ電極線駆動回路120は、各データ電極走査線(A)毎に駆動源を有しており、各データ電極走査線(A)毎に各駆動源から基準電流の供給を制御するようになっている。
【0034】
具体的には、データ電極線駆動回路120は、電界効果トランジスタTr0を有する電流源1211 〜121256 と、各データ電極線(A1)〜(A256)を選択するための駆動スイッチ1221 〜122256 と、を備えており、駆動用の電流源1211〜121256は、各駆動スイッチ1221 〜122256をONすることにより、当該データ電極線(A)に接続されるようになっている。
【0035】
また、このトランジスタTr0のドレインは、上述した有機ELパネル10の各電界効果トランジスタ(TrnA)11のドレインに供給される電源電圧VDDとともに、外部の電源電圧VDDと接続されている。
【0036】
なお、本実施形態では、このようにトランジスタTr0に供給する電源電圧VDDと電界効果トランジスタ(TrnA)11に供給するVDDとを共通にすることにより、データ電極線駆動回路120側の電源電圧VDDによってFET(TrnA)に印加すれば、電源電圧VDD以上の電位がデータ電極線駆動回路120に印加されなくなるので、後述するように低電圧駆動を行うことができるようになっている。
【0037】
発光制御回路130は、入力された発光データに基づいて各走査線毎に、電圧の切換、または、基準電流(i)の供給をアドレス走査電極線駆動回路110およびデータ電極線駆動回路120に行わせるようになっている。
【0038】
この1画素の発光動作は、例えば、発光制御回路130によって発光素子(E1、1)の発光が指示されると、アドレス走査電極線駆動回路110は、アドレス走査電極線B1を走査するための走査スイッチ1111をONにし、TFT1、1のゲートに所定の電圧を印加して当該TFT1、1をON状態にするようになっている。
【0039】
一方、データ電極線駆動回路120は、発光制御回路130によって発光素子(E1、1)の発光が指示されると、駆動スイッチ(SW)1221をONにしてデータ電極線(A1)に基準電流(i)を供給するようになっている。
【0040】
このため、データ電極線(A1)に基準電流(i)が供給されると、有機ELパネル10では、トランジスタ(Tr1A)11には予め所定の電源電圧VDDが印加されているため、当該電源電圧VDDに応じた基準電流(i)がトランジスタ(Tr1A)11のドレイン、ソース間に流れ、有機ELパネル10内では、調整された基準電流(i)がデータ電極線(A)に供給されることになる。
【0041】
また、トランジスタ(Tr1A)11のドレイン、ソース間に基準電流(i)が流れると、当該TFT1、1のソース、ドレイン間に基準電流(i)が流れ、トランスミラー回路を介して、当該TFT1、1に接続された発光素子(E)に基準電流(i)が供給されるようになっており、これにより、当該発光素子(E)が発光するようになっている。
【0042】
以上本実施形態によれば、前記表示部におけるデータ電極線の各走査線毎に、前記各発光素子を駆動する際に基準となる基準電流を供給するデータ電極線駆動回路120と、前記アドレス走査電極線の各走査線毎に、予め定められた電圧を印加するアドレス走査電極線駆動回路110と、外部から入力された電源電圧に基づいてデータ電極線駆動回路120によって供給される各基準電流を調整する電界効果トランジスタTr11と、を備え、少なくともデータ電極線駆動回路120を1の半導体チップに設けるとともに、トランジスタTr11をデータ電極線駆動回路120を搭載した半導体チップとは別の半導体チップに設けた構成を有している。
【0043】
この構成により、本実施形態では、発光素子(E)を駆動する基準電流を電解効果トランジスタによって調整するようになっているので、データ電極線駆動回路を高電圧により駆動する必要が無く、低電圧駆動を行うことができるので、駆動装置を組み込む半導体チップを微細化することができる。
【0044】
すなわち、従来の駆動装置では、上述のようなデータ電極線駆動回路から供給される基準電流(i)を調整するトランジスタ11を有していないため、データ電極線駆動回路120において、有機EL素子を駆動する際には、最低でも7V〜8V程度の高電圧が必要となる。
【0045】
また、通常、半導体チップの信号ラインを0.35μmによって製造する0.35μプロセスの場合には、最大定格電圧3.3V、半導体チップの信号ラインを0.25μmによって製造する0.25μプロセスの場合には、最大定格電圧2.5Vとなる。
【0046】
しかしながら、本実施形態では、基準電流(i)の調整をデータ電極線駆動回路の半導体チップとは異なる半導体チップで構成することにより、データ電極線駆動回路において、基準電流(i)を高電圧によって発生させなくても、当該発生された基準電流(i)を異なる半導体チップに設けられた電界効果トランジスタによって発光素子(E)が駆動する基準電流(i)に調整することができるので、駆動装置を高電圧で駆動する必要がなくなり、当該データ電極線駆動回路の駆動を低電圧で行うことができる。
【0047】
したがって、駆動装置を半導体チップなどに実装する際に、その信号ラインの幅を小さくすることができるので、当該駆動回路の微細化が可能になる。
【0048】
また、基準電流を調整する電界効果トランジスタを有する半導体チップには、発光素子を制御するTFTおよび発光素子が設けられた構成を有している。
【0049】
この構成により、本実施形態では、駆動装置を搭載する半導体チップとは異なる半導体チップにTFTおよび発光素子が設けられるので、有機ELパネルおよび駆動装置を少ない半導体チップで実現することができる
なお、本実施形態では、有機ELパネル10のアドレス走査電極線(A)とデータ電極線(B)の各交点位置に、P型のTFTを配設するようになっているが、P型に代えてN型のTFTを配するようにしてもよい。
【0050】
この場合は、アドレス走査電極線駆動回路110によって印加する電圧は、当該印加電圧(例えば5V程度)を高電圧にする必要がないので、アドレス走査電極駆動回路110を高耐圧仕様にする必要がなく、当該アドレス走査電極駆動回路110を低電圧駆動することができる。
【0051】
この結果、駆動装置を半導体チップなどに実装する際に、その信号ラインの幅を小さくすることができるので、当該駆動回路の微細化が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、有機ELパネルとその駆動装置の概要構成を示す構成図である。
【図2】図2は、有機ELパネルとその駆動装置の一部の構成を示す図である。
【符号の説明】
E … 発光素子(有機EL)
10 … 有機ELパネル(TFTパネル)
11 … トランジスタTrnA
100 …駆動装置
110 … アドレス走査電極線駆動回路
120 … データ電極線駆動回路[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention belongs to the technical field of a drive circuit of an organic EL display in which a display is constituted by organic EL elements.
[0002]
[Prior art]
Electroluminescence (EL) elements include an inorganic light emitting element using a thin film of an inorganic compound such as selenium or zinc as a light emitting material, and an organic EL light emitting element using an organic compound as a light emitting material.
[0003]
The organic EL light-emitting device can display (1) high luminous efficiency, (2) low drive voltage, (3) various colors (green, red, blue, yellow, etc.) by selecting a light-emitting material, (4) The display is clear and does not require a backlight because it is a self-luminous type. (5) Surface emission and has no viewing angle dependence. (6) Thin and lightweight. (7) Maximum temperature of the manufacturing process is low. Therefore, there is an excellent feature that a soft material such as a plastic film can be used as a substrate material.
[0004]
Therefore, in recent years, a display using an organic EL light emitting element (hereinafter, referred to as an organic EL display) has attracted attention as a display device such as an in-vehicle AV device, a portable device such as a PDA and a mobile phone, instead of a CRT or LCD. I have.
[0005]
When an organic EL element is applied to a display, a dot matrix display is generally used. There are a passive system and an active system for driving the organic EL display of the dot matrix display.
[0006]
In the former active method, a switching element composed of a thin film transistor (TFT) is connected to each of the organic EL light emitting elements constituting a pixel, and when driving, a so-called static drive is performed, which is always lit. (For example, see Patent Document 1).
[0007]
On the other hand, in the latter passive method, each of the yin and yang electrodes is formed as a matrix line electrode group composed of a plurality of rows and columns, and is sequentially selected by scanning the lines of each of the yin and yang electrodes. That is, so-called duty driving is performed, which is lit only when the row line is selected.
[0008]
Among the above two types of displays, the passive type display has a simpler manufacturing process and can be manufactured at low cost as compared with the active type display, whereas the active type requires TFTs and is expensive, but has a low cost. It has a point that it can be driven with power consumption and a point that there is little crosstalk in pixel sense, and is particularly suitable for a large screen display and a display with high definition.
[0009]
[Patent Document 1]
JP 2001-117534 A
[Problems to be solved by the invention]
However, when driving an active type display, it is necessary to apply a high voltage to the light emitting element in order to emit light from the organic EL light emitting element, and a driving device for driving the display needs to have a high breakdown voltage. Therefore, when the driving device is mounted on a semiconductor chip or the like, there is a problem that miniaturization of the driving circuit becomes difficult.
[0011]
The present invention has been made in view of the above-described problems, and an example of the problem is to provide a driving circuit that can be driven by a low voltage that can be miniaturized even when a driving device is mounted on a semiconductor chip or the like. Is to do.
[0012]
[Means for Solving the Problems]
According to an aspect of the present invention, there is provided a driving apparatus for a light emitting element, wherein a plurality of light emitting elements are formed in a matrix, and a light emitting element is driven by scanning the light emitting element. A first driving unit that supplies a reference current serving as a reference when each of the light emitting elements is driven, for each scanning line in a first scanning direction that is a scanning direction of one scanning line in the display unit. A second driving unit for applying a predetermined voltage for each scanning line in a second scanning direction, which is the other scanning direction in the display unit, and the first driving unit based on an input voltage input from the outside. Adjusting means for adjusting each reference current supplied by the driving means, wherein at least the first driving means is provided on one semiconductor chip, and the adjusting means is provided on a semiconductor chip different from the one semiconductor chip. It has the only configuration.
[0013]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Next, an embodiment of the present application will be described with reference to the drawings.
[0014]
An organic EL panel (hereinafter simply referred to as an organic EL panel) in an active type organic EL display and a driving device thereof will be described with reference to FIGS.
[0015]
FIG. 1 is a configuration diagram showing a schematic configuration of an organic EL panel and its driving device, and FIG. 2 is a diagram showing a partial configuration of the organic EL panel and its driving device.
[0016]
In the present embodiment, the organic EL panel having the field-effect transistor for controlling the reference current of the data electrode line and the driving device are provided on different semiconductor chips.
[0017]
Further, in the present embodiment, description will be made on the assumption that 256 data electrode lines and 64 address scanning electrode lines are provided.
[0018]
In the organic EL panel 10, as shown in FIGS. 1 and 2, address scanning electrode lines (B) to which address signals are supplied and data electrode lines (A) to which data signals are supplied are arranged in a matrix (lattice). In the organic EL panel 10, the light emission of each light emitting element (E) is provided at each intersection of the address scanning electrode lines (A) and the data electrode lines (B) arranged in a matrix. A thin film transistor TFT (hereinafter simply referred to as TFT) for performing switching control is connected to a light emitting element (E). The light emitting element (E) is connected to the data electrode line (A) and the address scanning electrode line (B) via the TFT. ) And connected.
[0019]
Specifically, when the TFT is a P-type transistor, the gate of the TFT is connected to the data electrode line (A) corresponding to the TFT, and the source of the TFT is connected to the TFT corresponding to the TFT. Address scanning electrode lines to be connected, and a current corresponding to the gate voltage applied by the data electrode (A) is caused to flow between the source and the drain of the TFT via the address scanning electrode lines. Has become.
[0020]
The drain of the TFT is connected to the light emitting element (E) via a current mirror circuit composed of a P-type transistor Tr, and the current mirror circuit is connected to a power supply voltage V DD connected to each transistor Tr. The current flowing between the source and the drain of the TFT is accurately supplied to the light emitting element (E) by using.
[0021]
For example, in this embodiment, the gates of the transistors Tr forming the current mirror circuit are connected to the drains of the TFTs n and n via switches (SW), and the source of one of the transistors Tr nnA is connected to the power supply. being adapted to the voltage V DD is connected to the drain of the other field effect transistor Tr NNB, together with the power supply voltage V DD is connected, the light-emitting element (E) is connected to the source of the transistor Tr NNB It is supposed to be.
[0022]
Further, the gate of each transistor Tr constituting the current mirror circuit is connected to the power supply voltage VDD via a capacitor (C). In this capacitor (C), TFTs n and n operate. when, i.e., when data is written, holds the written charge, in accordance with the held charge (voltage), so as to turn oN the transistor Tr NNA and the transistor Tr NNB constitute a current mirror circuit Has become.
[0023]
The switch (SW) connected to the gate of each transistor Tr suppresses the leakage of the electric charge held in the capacitor (C), and is turned ON only during writing scan by external control. ing.
[0024]
In the present embodiment, in the organic EL panel 10, a field-effect transistor (Tr nA ) 11 is provided at the head of each data electrode line provided, and the transistor (Tr nA ) 11 provides a data electrode line. To adjust the reference current (i) supplied to.
[0025]
More specifically, the transistor (Tr nA) 11, together with the n-type transistors are used, the gate of the transistor (Tr nA) 11 is connected the power supply voltage V DD, a drain, each of the data electrodes source It is designed to connect to a wire.
[0026]
Incidentally, the power supply voltage VDD, along with the power supply voltage VDD supplied to the drain of the transistor Tr 0 of the data electrode
[0027]
In the present embodiment, by adopting such a configuration, the voltage is supplied to each data electrode line in accordance with the gate voltage applied to the gate of the transistor (Tr nA ) 11, that is, the power supply voltage VDD supplied from the outside. The reference current (i) can be adjusted.
[0028]
In addition, for example, the transistor (Tr nA ) 11 of the present embodiment constitutes an adjusting unit and a switching circuit according to the present invention.
[0029]
As shown in FIGS. 1 and 2, the driving
[0030]
Note that, for example, the address scanning electrode
[0031]
The address scan electrode
[0032]
Specifically, the address scan electrode
[0033]
The data electrode
[0034]
Specifically, the data electrode
[0035]
The drain of the transistor Tr 0, together with the power supply voltage V DD supplied to the drain of the field effect transistor (Tr nA) 11 of the organic EL panel 10 described above, is connected to an external power supply voltage V DD.
[0036]
In the present embodiment, by a common and V DD supply thus the transistor Tr 0 to supply the power supply voltage V DD and the field effect transistor (Tr nA) 11, the data electrode
[0037]
The light
[0038]
Light emitting operation of the pixel is, for example, when the light emission of the light emitting element (E1, 1) is indicated by the light
[0039]
On the other hand, the data electrode
[0040]
Therefore, when the reference current (i) is supplied to the data electrode line (A 1 ), a predetermined power supply voltage V DD is applied to the transistor (Tr 1A ) 11 in the organic EL panel 10 in advance. A reference current (i) corresponding to the power supply voltage VDD flows between the drain and the source of the transistor (Tr 1A ) 11, and the adjusted reference current (i) is applied to the data electrode line (A) in the organic EL panel 10. Will be supplied.
[0041]
Also, when a reference current (i) flows between the drain and the source of the transistor (Tr 1A ) 11, a reference current (i) flows between the source and the drain of the TFTs 1 and 1 , and the TFT 1 via the transformer mirror circuit. , 1 is supplied with the reference current (i) to the light emitting element (E), whereby the light emitting element (E) emits light.
[0042]
As described above, according to the present embodiment, for each scanning line of the data electrode line in the display unit, the data electrode
[0043]
With this configuration, in the present embodiment, since the reference current for driving the light emitting element (E) is adjusted by the field effect transistor, it is not necessary to drive the data electrode line drive circuit with a high voltage, and the low voltage is not required. Since driving can be performed, a semiconductor chip in which the driving device is incorporated can be miniaturized.
[0044]
That is, since the conventional driving device does not include the transistor 11 for adjusting the reference current (i) supplied from the data electrode line driving circuit as described above, the data electrode
[0045]
Normally, in the case of a 0.35 μ process for manufacturing a semiconductor chip signal line with 0.35 μm, the maximum rated voltage is 3.3 V, and in the case of a 0.25 μ process for manufacturing a semiconductor chip signal line with 0.25 μm. Has a maximum rated voltage of 2.5V.
[0046]
However, in the present embodiment, the reference current (i) is adjusted by a high voltage in the data electrode line drive circuit by configuring the reference electrode (i) with a semiconductor chip different from the semiconductor chip of the data electrode line drive circuit. Even if the reference current (i) is not generated, the generated reference current (i) can be adjusted to the reference current (i) that drives the light emitting element (E) by a field effect transistor provided on a different semiconductor chip. Need not be driven at a high voltage, and the data electrode line drive circuit can be driven at a low voltage.
[0047]
Therefore, when the driving device is mounted on a semiconductor chip or the like, the width of the signal line can be reduced, so that the driving circuit can be miniaturized.
[0048]
A semiconductor chip having a field-effect transistor for adjusting a reference current has a configuration in which a TFT for controlling a light-emitting element and a light-emitting element are provided.
[0049]
With this configuration, in the present embodiment, the TFT and the light emitting element are provided on a semiconductor chip different from the semiconductor chip on which the driving device is mounted, so that the organic EL panel and the driving device can be realized with a small number of semiconductor chips. In the embodiment, a P-type TFT is provided at each intersection of the address scanning electrode line (A) and the data electrode line (B) of the organic EL panel 10. However, instead of the P-type TFT, an N-type TFT is provided. A type TFT may be provided.
[0050]
In this case, since the voltage applied by the address scan electrode
[0051]
As a result, when the drive device is mounted on a semiconductor chip or the like, the width of the signal line can be reduced, so that the drive circuit can be miniaturized.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a configuration diagram illustrating a schematic configuration of an organic EL panel and a driving device thereof.
FIG. 2 is a diagram showing a configuration of an organic EL panel and a part of a driving device thereof.
[Explanation of symbols]
E: Light-emitting element (organic EL)
10… Organic EL panel (TFT panel)
11: Transistor Tr nA
100: drive device 110: address scan electrode line drive circuit 120: data electrode line drive circuit
Claims (3)
前記表示部における一方の走査線の走査方向である第1走査方向の各走査線毎に、前記各発光素子を駆動する際に基準となる基準電流を供給する第1駆動手段と、
前記表示部における他方の走査方向である第2走査方向の各走査線毎に、予め定められた電圧を印加する第2駆動手段と、
前記外部から入力された入力電圧に基づいて前記第1駆動手段によって供給される各基準電流を調整する調整手段と、
を備え、
少なくとも前記第1駆動手段を1の半導体チップに設けるとともに、前記調整手段を前記1の半導体チップとは別の半導体チップに設けたことを特徴とする発光素子の駆動装置。A plurality of light emitting elements are formed in a matrix, a driving device of a light emitting element to drive a display unit that emits light by scanning the light emitting element,
A first driving unit that supplies a reference current serving as a reference when each of the light emitting elements is driven, for each scanning line in a first scanning direction that is a scanning direction of one of the scanning lines in the display unit;
A second driving unit that applies a predetermined voltage to each scanning line in a second scanning direction that is the other scanning direction in the display unit;
Adjusting means for adjusting each reference current supplied by the first driving means based on the input voltage input from the outside;
With
A driving device for a light emitting element, wherein at least the first driving means is provided on one semiconductor chip, and the adjusting means is provided on a semiconductor chip different from the one semiconductor chip.
前記調整手段が、前記第1走査方向の各走査線毎に、前記外部から入力される入力電圧に基づいて前記第1駆動手段によって当該各走査線へ供給する基準電流を調整するスイッチング回路から構成されることを特徴とする発光素子の駆動装置。The driving device for a light emitting device according to claim 1,
The adjusting means comprises a switching circuit for adjusting a reference current supplied to each scanning line by the first driving means based on the input voltage inputted from the outside for each scanning line in the first scanning direction. A driving device for a light-emitting element, characterized in that:
前記調整手段を有する半導体チップには、前記発光素子を走査して発光する表示部が設けられたことを特徴とする発光素子の駆動装置。The light-emitting element driving device according to claim 1 or 2,
A driving device for a light-emitting element, wherein a display unit that scans the light-emitting element and emits light is provided on a semiconductor chip having the adjusting unit.
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