【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶素子（ＬＣＤ）、エレクトロルミネッセンス素子（ＥＬ）、タッチパネル素子（ＴＰ）等に代表されるエレクトロニクス素子用のバリア性を付与したフィルム電極基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、液晶素子（ＬＣＤ）、エレクトロルミネッセンス素子（ＥＬ）、タッチパネル素子（ＴＰ）等のエレクトロニクス素子においては、従来の電極付きガラス基板を用いた素子から、高分子有機材料からなる透明プラスチックフィルム上に透明電極を成膜した透明電極付きフィルムへの需要が高まりつつある。その利点は、軽量、屈曲性、耐衝撃性、大面積化が容易であることなどが挙げられる。しかし、その一方でフィルムは、ガラス基板と比較して水蒸気や酸素などのガスバリア性に劣り、表示性能に支障を及ぼす要因となる。
【０００３】
この様なガスバリアの劣性を補う方法として、透明プラスチックフィルム上にバリア層を設ける検討がなされている。このバリア層は、主にケイ素、アルミニウムなどの金属酸化物層があげられ、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法などにより形成される。
【０００４】
更に、金属酸化物層のバリア性を向上させ薬品から保護するために、金属酸化物層上にさらに耐薬品層を設ける検討もなされている。この薬品とは、透明電極付きバリアフィルムの透明電極をパターン化する際のエッチング工程で用いる、アルカリ性水溶液や酸性水溶液である。一般的に透明電極のエッチング工程は、レジスト被覆、レジスト露光、レジスト現像、透明電極エッチング、レジスト剥離の手順であり、レジスト現像工程とレジスト剥離工程でアルカリ性水溶液を、透明電極エッチング工程で酸性水溶液を用いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、この様な透明電極のパターニング等での後加工によるバリア層へのダメージを軽減させ、バリア劣化の少ない透明電極付きバリアフィルムを提供することを課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記課題を達成するためのもので、請求項１に記載される発明は、透明性プラスチックフィルム（１）の少なくとも片側に、バリア性を有する金属酸化物層（２）、その反対面に透明電極層（５）を積層したことを特徴とする透明電極付きバリアフィルムである。
【０００７】
請求項２記載の発明はバリア性を有する金属酸化物層が酸化珪素、酸化アルミニウムまたは、酸化マグネシウムあるいはそれらの２種以上の混合物であることを特徴とする請求項１に記載の透明電極付きバリアフィルムである。
【０００８】
請求項３記載の発明はバリア性を有する金属酸化物の上に、金属酸化物を保護する保護層（３）または保護シート（４）を積層したことを特徴とする請求項１または２に記載の透明電極付きバリアフィルムである。
【０００９】
【作用】
本発明によれば、透明プラスチック基材の上の少なくとも片面にバリア性を有する金属酸化物層、あるいはさらに保護層または、保護シートを順次積層した積層フィルムの反対面に透明電極層を積層することにより、優れたバリア性を有するとともに、積層フィルムの透明電極層の面のみ後加工ができるので、後加工によるバリア層へのダメージを軽減させ、バリア劣化の少ない透明電極付きバリアフィルムが得られる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下本発明を詳細に説明する。図１に本発明の透明電極付きバリアフィルムの実施の形態例を側断面で示した説明図で、（ａ）は金属酸化物層に保護層を積層した図で、（ｂ）は金属酸化物層に保護シートを積層した図である。
本発明に用いる透明プラスチックフィルム（１）は、ポリエチレンテレフタレートフィルム（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム（ＰＥＮ）、ポリカーボネートフィルム、ポリアリレートフィルム、ポリエーテルスルホンフィルム（ＰＥＳ）、ポリスルホンフィルム、アモルファスポリオレフィンフィルムなどがあげられる。基材フィルム層の厚みは任意であるが、一般的には数十μｍ から数百μｍ である。
【００１１】
金属酸化物層（２）は酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウムあるいはそれら混合物などの金属酸化物の蒸着膜からなり、透明性を有しかつ酸素、水蒸気等のガスバリア性を有するものであればよい。その中では酸化アルミニウムまたは、酸化珪素あるいはその混合物が特に好ましい。
【００１２】
透明プラスチックフィルム（１）上に金属酸化物層（２）を積層する方法としては種々あり、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法、プラズマＣＶＤ法、フォトＣＶＤ法などにより形成される。またプラスチック基材の特徴を活かした巻き取り式による連続蒸着を行うことできる、巻き取り式の真空成膜装置を用いることが好ましい。
【００１３】
次に、この金属酸化物層を形成するための巻き取り式真空成膜機の例を示す。
図１はその概略図である。本透明ガスバリアフィルムを作成する真空成膜装置には、ウエブ状のプラスチック基材の巻出し・巻き取り室（６）に、トルクモータ等の一定の張力にて巻き取り可能な巻き取り手段をもつ巻き取り軸（８）、かつパウダークラッチ等のトルク制御手段により一定のバックテンションをかけつつウエブ状のプラスチックフィルム基材の巻出しを可能にする巻出し軸（９）、プラスチック基材の走行を規制する複数のアイドルローラ（１３，１４）、適宣にフィードバックを行うための張力検出器を具備したテンションロール（１５，１６）、フィルム表面の温度温度を監視するための温度センサー（１９，２０）を有しており、また成膜室（７）には、成膜時のフィルム表面の温度をコントロールし、表面に膜を形成するための温調入りドラム（２１）、プロセスガスまたは原料ガスを導入するシャワーヘッドをもつプラズマＣＶＤ用の電極（２２）でなる成膜部を配置することによりなる真空成膜装置である。
【００１４】
成膜部としては、プラズマＣＶＤ法のほかにも、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等が考えられるが、成膜中の雰囲気温度を考えると、熱に弱いプラスチック基材を温度コントロールするには、最も低温で成膜が可能なプラズマＣＶＤが好ましいと考えられる。プラズマ発生法としては直流（ＤＣ）プラズマ、低周波プラズマ、高周波（ＲＦ）プラズマ、パルス波プラズマ、３極構造プラズマ、マイクロ波プラズマ、ダウンストリームプラズマ、カラムナープラズマ、プラズマアシステッドエピタキシー等の低温プラズマ発生装置が用いられる。
【００１５】
プラズマＣＶＤ法にて作成される酸化珪素膜は、有機珪素化合物と酸素ガスを加えたもの、場合によってはそれに不活性ガスを加えたものを原料として用いて成膜される。有機珪素化合物としては、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、テトラメトキシシラン（ＴＭＯＳ）、テトラメチルシラン（ＴＭＳ）、ヘキサメチルジシラン、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）、テトラメチルジシロキサン、メチルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン、テトラメチルジシラザン等の比較的低分子量の有機珪素化合物を選択し、これらシラン化合物の一つまたは、複数を選択しても良い。これらの有機珪素化合物を気化させ、酸素ガスと混合し、上記、真空成膜装置の電極（２２）へと導入し、温調ドラム（２１）と電極（２２）間にプラズマを発生させ、プラズマＣＶＤ法にて酸化珪素膜をプラスチック基材上に成膜する。
【００１６】
バリア層である酸化珪素膜の膜厚は特に限定されるものではないが、あまり薄すぎるとバリア性の発現が難しいため、５ｎｍ以上は必要である。これ以上の膜厚は、透明性が損なわれない範囲において、必要なバリア性能に合わせて膜厚をコントロールすることが可能である。しかし、ある程度の膜厚となると十分なバリア性に達し、柔軟性、経済性の面で問題を生じるため１０〜５００ｎｍの範囲が好ましい。
【００１７】
また、本発明の透明電極付きバリアフィルムは、上記バリア層の反対面の最表面に透明電極層を設置することにより得ることができる。
【００１８】
透明電極層（５）は、操作性、コスト、エッチング性などを総合考慮すると、事実上スパッタリング法をもちいたＩＴＯ（インジウム−スズ複合酸化物）が好適である。
スッパッタリングによるＩＴＯの成膜はＤＣ（直流）スパッタリング法、高周波スパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法、デュアルマグネトロンスパッタリング法等があり、従来の公知の技術を用いることができる。スパッタリング法による成膜はターゲットにアルミニウムを用いチャンバー内にアルゴンガス等の不活性ガスを導入し、ターゲットのアルミニウムを表面に設置した電極にＤＣ、高周波または、パルス電圧を印可することにより成膜が可能である。またターゲットを設置する電極内部に永久磁石または、電磁石を設置し、磁界を利用したマグネトロンスパッタリングを用いて成膜しても良い。
透明電極層の厚みは、１０〜１５０ｎｍである。
【００１９】
しかし、バリア層として用いられる金属酸化物層（２）は非常に薄いため、後加工行程において、キズによるバリア性の低下を防ぐため、金属酸化物層（２）上に保護層（３）を設けるか、または、保護シート（４）を張り合わせることが好ましい。この保護層（３）、保護シート（４）は基材の透明性を妨げるものでなければ特に限定されるものではない。
【００２０】
【実施例】
次に実施例をあげて本発明をさらに説明する。
【００２１】
＜実施例１＞
透明プラスチックフィルム層として厚み１００μｍ のポリエチレンナフタレートフィルム（ＰＥＮ）の片面に、透明電極層としてＤＣスパッタリング法によりＩＴＯ層１００ｎｍ成膜を行った。さらにＩＴＯ成膜を行った反対面に上記に示した巻き取り式のＣＶＤ装置により４０ｎｍの酸化珪素膜を成膜し、目的である透明電極付きバリアフィルムを得た。ここまでの構成でモコン法による水蒸気バリア、酸素バリアを測定した結果、それぞれ０．０１（ｇ／ｍ２・ｄａｙ）、０．０２（ｃｍ３／ｍ２・ｄａｙ）であった。
【００２２】
＜実施例２＞
実施例１と同様の透明プラスチックフィルム、金属酸化物層を用い、透明電極付きバリアフィルムを作製し、さらに酸化珪素膜の上に保護層（３）として下記の塗布液１で０．３μｍの膜厚にロールコーティング法で塗布した。ここまでの構成でモコン法による水蒸気バリア、酸素バリアを測定した結果、それぞれ０．０１（ｇ／ｍ２・ｄａｙ）、０．０１（ｃｍ３／ｍ２・ｄａｙ）であった。
【００２３】
塗布液１の組成
・感光性モノマー：ペンタエリスリトールトリアクリレート
・希釈溶媒：イソプロピルアルコール
・光重合開始剤：イルガキュア１８４
上記の重量組成比＝３０：７０：１（重量部）
塗布液１の硬化条件＝高圧水銀ランプ、出力１２０Ｗ／ｃｍ１灯、照射量５００ｍＪ／ｃｍ２
【００２４】
＜比較例１＞
透明プラスチックフィルム層として厚み１００μｍ のポリエチレンナフタレートフィルム（ＰＥＮ）の片面に、上記に示した巻き取り式のＣＶＤ装置により４０ｎｍの酸化珪素膜を成膜した。さらにその上に、透明電極層としてＤＣスパッタリング法によりＩＴＯ層１００ｎｍの成膜し、目的である透明電極付きバリアフィルムを得た。ここまでの構成でモコン法による水蒸気バリア、酸素バリアを測定した結果、それぞれ０．０１（ｇ／ｍ２・ｄａｙ）、０．０２（ｃｍ３／ｍ２・ｄａｙ）であった。
【００２５】
実施例１、２および、比較例１により得られた電極付きバリアフィルムのＩＴＯ面を、透明電極のエッチング工程で用いる１ＮＨＣｌ水溶液（５０℃６０秒）、１ｗｔ％ＮａＯＨ水溶液（５０℃３０秒）に浸漬した。その結果、比較例１により得られた電極付きバリアフィルムでは水蒸気バリア、酸素バリアはそれぞれ２．２８（ｇ／ｍ２・ｄａｙ）、４．８２（ｃｍ３／ｍ２・ｄａｙ）であり、おおきくバリア性能の劣化していたのに対し、実施例１、２では得られた電極付きバリアフィルムはＩＴＯ面へのエッチングを行ってもバリア層への影響は無く、バリア性の劣化は認められなかった。
【００２６】
【発明の効果】
本発明の透明電極付きバリアフィルムによれば、透明プラスチックを基板として透明度が高く且つ、ガスバリア性の高い特性が得られる。また透明電極層と反対面にバリア層を成膜することにより透明電極のパターニング等での後加工によるバリア層へのダメージを軽減させることが可能であり、バリア劣化の少ない透明電極付きバリアフィルムを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の透明電極付きバリアフィルムの実施の形態例を側断面で表した説明図である。
【図２】本発明に関わる巻き取り式真空成膜装置の全体図を示す概略説明図である。
【符号の説明】
１・・・・プラスチックフィルム
２・・・・金属酸化物層
３・・・・保護層
４・・・・保護シート
５・・・・透明電極層
６・・・・巻出し・巻き取り室
７・・・・成膜室
８・・・・巻き取り軸
９・・・・巻出し軸
１０・・・プラスチックフィルム
１１・・・ウエブ状のプラスチックフィルム原反
１２・・・ウエブ状の成膜済みフィルム
１３，１４・・・アイドルロール
１５，１６・・・テンションロール
１７，１８・・・ニップローラー
１９，２０・・・温度センサー
２１・・・・温調入りドラム
２２・・・・シャワーヘッドをもつプラズマＣＶＤ用の電極[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a film electrode substrate provided with a barrier property for an electronic element such as a liquid crystal element (LCD), an electroluminescence element (EL), and a touch panel element (TP).
[0002]
[Prior art]
In recent years, electronic devices such as liquid crystal devices (LCD), electroluminescence devices (EL), and touch panel devices (TP) have been changed from devices using conventional glass substrates with electrodes to transparent plastic films made of high-molecular organic materials. Demand for a film with a transparent electrode on which a transparent electrode is formed is increasing. Its advantages include light weight, flexibility, impact resistance, and easy area enlargement. However, on the other hand, the film is inferior to the glass substrate in the gas barrier properties of water vapor, oxygen, and the like, and becomes a factor that hinders display performance.
[0003]
As a method of compensating for such inferiority of the gas barrier, studies have been made to provide a barrier layer on a transparent plastic film. The barrier layer mainly includes a metal oxide layer of silicon, aluminum, or the like, and is formed by a sputtering method, an ion plating method, a vacuum evaporation method, a CVD method, or the like.
[0004]
Furthermore, in order to improve the barrier properties of the metal oxide layer and protect it from chemicals, studies have been made to further provide a chemical resistant layer on the metal oxide layer. This chemical is an alkaline aqueous solution or an acidic aqueous solution used in the etching step when patterning the transparent electrode of the barrier film with a transparent electrode. Generally, the transparent electrode etching step is a procedure of resist coating, resist exposure, resist development, transparent electrode etching, and resist peeling. An alkaline aqueous solution is used in the resist developing step and the resist peeling step, and an acidic aqueous solution is used in the transparent electrode etching step. Used.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
An object of the present invention is to provide a barrier film with a transparent electrode that reduces damage to the barrier layer due to such post-processing such as patterning of the transparent electrode, and that causes little barrier deterioration.
[0006]
[Means for Solving the Problems]
The present invention has been made to achieve the above object, and the invention described in claim 1 is a metal plastic layer (2) having a barrier property on at least one side of a transparent plastic film (1), and an opposite surface thereof. And a transparent electrode layer (5) laminated on the barrier film.
[0007]
The invention according to claim 2 is characterized in that the metal oxide layer having a barrier property is silicon oxide, aluminum oxide, magnesium oxide or a mixture of two or more thereof. Film.
[0008]
The invention according to claim 3 is characterized in that a protective layer (3) or a protective sheet (4) for protecting the metal oxide is laminated on the metal oxide having a barrier property. Is a barrier film with a transparent electrode.
[0009]
[Action]
According to the present invention, a metal oxide layer having a barrier property on at least one surface of a transparent plastic substrate, or a protective layer or a transparent electrode layer is laminated on the opposite surface of a laminated film in which protective sheets are sequentially laminated. Accordingly, the barrier film having excellent barrier properties can be post-processed only on the surface of the transparent electrode layer of the laminated film, so that damage to the barrier layer due to the post-processing can be reduced, and a barrier film with a transparent electrode with less barrier deterioration can be obtained.
[0010]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, the present invention will be described in detail. FIG. 1 is an explanatory view showing an embodiment of a barrier film with a transparent electrode according to the present invention in a side cross section, in which (a) is a diagram in which a protective layer is laminated on a metal oxide layer, and (b) is a metal oxide layer. It is the figure which laminated the protective sheet on the layer.
The transparent plastic film (1) used in the present invention includes polyethylene terephthalate film (PET), polybutylene terephthalate film, polyethylene naphthalate film (PEN), polycarbonate film, polyarylate film, polyethersulfone film (PES), polysulfone film, Amorphous polyolefin films and the like can be mentioned. The thickness of the substrate film layer is arbitrary, but is generally several tens μm to several hundred μm.
[0011]
The metal oxide layer (2) is made of a vapor-deposited film of a metal oxide such as silicon oxide, aluminum oxide, magnesium oxide or a mixture thereof, and has only to have transparency and a gas barrier property against oxygen, water vapor and the like. . Among them, aluminum oxide, silicon oxide or a mixture thereof is particularly preferred.
[0012]
There are various methods for laminating the metal oxide layer (2) on the transparent plastic film (1), and it is formed by a sputtering method, an ion plating method, a vacuum evaporation method, a plasma CVD method, a photo CVD method, or the like. In addition, it is preferable to use a winding type vacuum film forming apparatus capable of performing continuous deposition by a winding type utilizing characteristics of a plastic substrate.
[0013]
Next, an example of a winding type vacuum film forming machine for forming the metal oxide layer will be described.
FIG. 1 is a schematic diagram thereof. The vacuum film forming apparatus for producing the transparent gas barrier film has a winding means capable of winding with a constant tension, such as a torque motor, in the unwinding / winding chamber (6) for a web-shaped plastic substrate. A take-up shaft (8), and a take-up shaft (9) that enables unwinding of a web-like plastic film base while applying a constant back tension by a torque control means such as a powder clutch, and the running of the plastic base. A plurality of idler rollers (13, 14) for regulating, tension rolls (15, 16) having tension detectors for appropriately providing feedback, and temperature sensors (19, 20) for monitoring the temperature and temperature of the film surface. ), And a film forming chamber (7) is provided with a temperature-adjusted driver for controlling the temperature of the film surface during film formation and forming a film on the surface. (21), a vacuum deposition apparatus made by placing a film formation portion comprising the electrode for plasma CVD with shower head (22) for introducing a process gas or feed gas.
[0014]
As the film forming unit, in addition to the plasma CVD method, a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, and the like can be considered. In order to achieve this, plasma CVD that can form a film at the lowest temperature is considered preferable. Plasma generation methods include low-temperature plasma generation such as direct current (DC) plasma, low frequency plasma, high frequency (RF) plasma, pulse wave plasma, triode structure plasma, microwave plasma, downstream plasma, columnar plasma, and plasma assisted epitaxy. A device is used.
[0015]
A silicon oxide film formed by a plasma CVD method is formed using a material to which an organic silicon compound and an oxygen gas are added, or a material to which an inert gas is added in some cases as a raw material. Examples of the organic silicon compound include tetraethoxysilane (TEOS), tetramethoxysilane (TMOS), tetramethylsilane (TMS), hexamethyldisilane, hexamethyldisiloxane (HMDSO), tetramethyldisiloxane, methyltrimethoxysilane, and hexamethylsilane. A relatively low molecular weight organic silicon compound such as methyldisilazane or tetramethyldisilazane may be selected, and one or more of these silane compounds may be selected. These organic silicon compounds are vaporized, mixed with oxygen gas, introduced into the electrode (22) of the above-mentioned vacuum film forming apparatus, and plasma is generated between the temperature control drum (21) and the electrode (22). A silicon oxide film is formed on a plastic substrate by a CVD method.
[0016]
The thickness of the silicon oxide film serving as a barrier layer is not particularly limited, but if it is too thin, it is difficult to develop a barrier property, so that a thickness of 5 nm or more is required. When the film thickness is larger than this, the film thickness can be controlled in accordance with necessary barrier performance as long as the transparency is not impaired. However, when the film thickness reaches a certain level, a sufficient barrier property is reached, and problems arise in terms of flexibility and economy, so that the range of 10 to 500 nm is preferable.
[0017]
Further, the barrier film with a transparent electrode of the present invention can be obtained by disposing a transparent electrode layer on the outermost surface opposite to the above-mentioned barrier layer.
[0018]
The transparent electrode layer (5) is preferably made of ITO (indium-tin composite oxide) using a sputtering method in consideration of operability, cost, etching properties, and the like.
ITO film formation by sputtering is performed by a DC (direct current) sputtering method, a high-frequency sputtering method, a magnetron sputtering method, a dual magnetron sputtering method, or the like, and a conventionally known technique can be used. Film formation by the sputtering method uses aluminum as the target, introduces an inert gas such as an argon gas into the chamber, and applies DC, high frequency, or pulse voltage to the electrode on the surface of which the target aluminum is placed to form the film. It is possible. Alternatively, a permanent magnet or an electromagnet may be provided inside the electrode on which the target is provided, and the film may be formed by magnetron sputtering using a magnetic field.
The thickness of the transparent electrode layer is 10 to 150 nm.
[0019]
However, since the metal oxide layer (2) used as a barrier layer is very thin, a protective layer (3) is provided on the metal oxide layer (2) in order to prevent a decrease in barrier properties due to scratches in a post-processing step. It is preferable to provide or attach a protective sheet (4). The protective layer (3) and the protective sheet (4) are not particularly limited as long as they do not hinder the transparency of the substrate.
[0020]
【Example】
Next, the present invention will be further described with reference to examples.
[0021]
<Example 1>
On one side of a 100 μm-thick polyethylene naphthalate film (PEN) as a transparent plastic film layer, a 100 nm ITO layer was formed as a transparent electrode layer by DC sputtering. Further, a silicon oxide film having a thickness of 40 nm was formed on the opposite surface on which the ITO film was formed by the above-described winding type CVD apparatus, thereby obtaining a barrier film with a transparent electrode as a target. As a result of measuring the water vapor barrier and the oxygen barrier by the Mocon method with the configurations described above, the values were 0.01 (g / m 2 · day) and 0.02 (cm 3 / m 2 · day), respectively.
[0022]
<Example 2>
A barrier film with a transparent electrode was prepared using the same transparent plastic film and metal oxide layer as in Example 1, and a 0.3 μm film of the following coating solution 1 was formed on the silicon oxide film as a protective layer (3). It was applied to a thickness by a roll coating method. As a result of measuring the water vapor barrier and the oxygen barrier by the Mocon method with the above configuration, they were 0.01 (g / m 2 · day) and 0.01 (cm 3 / m 2 · day), respectively.
[0023]
Composition of coating solution 1-Photosensitive monomer: pentaerythritol triacrylate-Diluent solvent: isopropyl alcohol-Photopolymerization initiator: Irgacure 184
The above composition ratio by weight = 30: 70: 1 (parts by weight)
Curing conditions for coating liquid 1 = high-pressure mercury lamp, output 120 W / cm1, lamp 500 mJ / cm 2
[0024]
<Comparative Example 1>
As a transparent plastic film layer, a 40-nm-thick silicon oxide film was formed on one side of a polyethylene naphthalate film (PEN) having a thickness of 100 μm by the above-mentioned winding CVD apparatus. Further thereon, an ITO layer having a thickness of 100 nm was formed as a transparent electrode layer by a DC sputtering method to obtain a target barrier film with a transparent electrode. As a result of measuring the water vapor barrier and the oxygen barrier by the Mocon method with the configurations described above, they were 0.01 (g / m 2 · day) and 0.02 (cm 3 / m 2 · day), respectively.
[0025]
The ITO surface of the electrode-attached barrier film obtained in Examples 1 and 2 and Comparative Example 1 was immersed in a 1N HCl aqueous solution (50 ° C. for 60 seconds) and a 1 wt% NaOH aqueous solution (50 ° C. for 30 seconds) used in a transparent electrode etching step. Dipped. As a result, in the barrier film with an electrode obtained in Comparative Example 1, the water vapor barrier and the oxygen barrier were 2.28 (g / m 2 · day) and 4.82 (cm 3 / m 2 · day), respectively. While the barrier performance was deteriorated, the barrier films with electrodes obtained in Examples 1 and 2 had no effect on the barrier layer even when the ITO surface was etched, and no deterioration in the barrier performance was observed. Was.
[0026]
【The invention's effect】
ADVANTAGE OF THE INVENTION According to the barrier film with a transparent electrode of this invention, the property with high transparency and high gas barrier property is obtained using a transparent plastic as a board | substrate. Further, by forming a barrier layer on the surface opposite to the transparent electrode layer, it is possible to reduce damage to the barrier layer due to post-processing such as patterning of the transparent electrode. Can be provided.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an explanatory view showing an embodiment of a barrier film with a transparent electrode of the present invention in a side cross section.
FIG. 2 is a schematic explanatory view showing an overall view of a winding type vacuum film forming apparatus according to the present invention.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Plastic film 2 ... Metal oxide layer 3 ... Protective layer 4 ... Protective sheet 5 ... Transparent electrode layer 6 ... Unwinding / winding chamber 7 ··· Film forming chamber 8 ··· Winding shaft 9 ··· Unwinding shaft 10 ··· Plastic film 11 ··· Web-shaped plastic film raw material 12 ··· Web-formed film Films 13, 14 ... Idle rolls 15, 16 ... Tension rolls 17, 18 ... Nip rollers 19, 20 ... Temperature sensor 21 ... Temperature control drum 22 ... Shower head Electrode for plasma CVD
