JP2004130509A - 連続可変変位型マイクロエレクトロメカニカルデバイス - Google Patents

連続可変変位型マイクロエレクトロメカニカルデバイス Download PDF

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Abstract

【課題】 連続的に変位を可変させることができる静電的なマイクロエレクトロメカニカルデバイスを提供する。
【解決手段】 連続的に可変変位の静電的マイクロメカニカルデバイス5aは、第1電極22を有する可動部材23aと、第2電極12を有する対向面10と、前記可動部材を前記対向面から分離しているチャネル25と、前記チャネル内を満たす液体であって、前記チャネルの少なくとも半分にわたる運動範囲において、前記第1電極と前記第2電極との間に電圧を印加することによって生じる前記可動部材の変位を連続的に可変で安定して制御可能にする高誘電率を有する液体と、前記第1電極と前記第2電極との間に配置された少なくとも一つの固体誘電体層14とを備える。
【選択図】   図6

Description

 本発明は、静電的マイクロエレクトロメカニカルデバイスに関し、特に所望されている性能として、広い運動範囲にわたって連続的に可変変位させることができると共に、安定に変位させることができる可動部材を備えたマイクロエレクトロメカニカルデバイスに関する。
 可変キャパシタ、エレクトロメカニカルグレーティング及びミラー、インクジェットプリントヘッド、及び種々のセンサ等の多くのタイプのマイクロエレクトロメカニカル(MEMS)デバイスは、2つの電極間の静電力によって可動部材の制御された作動を実現している。しかし、周知のように、可動部材の変位を連続的に制御することは、静電力の非線形性のために2つの電極間の一部分(およそ1/3)にわたってのみ行うことができる。いったんこの部分を超えると「プルイン(pull-in)」や「プルダウン(pull-down)」が生じ、その結果、非線形な静電力が部材の機械的な復元力を圧倒してしまう。
 静電的MEMSデバイスにおいて、プルダウン不安定性を避けながら連続的な可変変位を実現するために、別の試みがなされている。最も簡単な方法は、2つの電極間を十分に離してデバイスを設計することであり、それによって不安定点に達する前に十分な変位を得ることができる(例えば、特許文献1参照。)。電極間隔を増したことによって生じる高い操作電圧を避けるために、特にアナログGLV(Grating Light Valve)は、機械的復元力が低くなるように設計される。別の例としては、エレクトロメカニカルグレーティングにおいて、広い運動範囲にわたって連続的作動を得るために、より複雑な構造設計が用いられてもよい(例えば、特許文献2参照。)。さらに別例(例えば、特許文献3参照。)があり、それによって、可変キャパシタのエレクトロメカニカルの波長可変性(tunability)を広げるために、固定系キャパシタが可変MEMSキャパシタに追加される。最後の試みの欠点は、必要とされる作動電圧が大きく増加することである。
 近年、周期列の中間支持体によって基板上に浮かせたリボン部材を備えたエレクトロメカニカル等角(conformal)グレーティングデバイスや光MEMSデバイスがある(例えば、特許文献4参照。)。このエレクトロメカニカル等角グレーティングデバイスは、静電的作動によって操作され、それによってリボン部材を支持サブ構造の周りに合せることができ、グレーティングを形成できる。米国特許第6307663号に記載のデバイスは、グレーティングエレクトロメカニカルシステムを意味する等角GEMSデバイスとして最も最近知られるようになったものである。等角GEMSデバイスによって、高コントラスト、高効率、及びデジタル操作性を備えた高速光変調を実現できる。しかし、光強度の振幅変調を必要とする用途に関して、リボン部材の変位を連続的にコントロールするアナログ操作性も必要とされる。さらに、プルダウン不安定性を避ける一方で、変位を連続的に可変にするためのアプローチは等角GEMSデバイスには不向きである。
米国特許第6215579号 米国特許第6329738号 米国特許第6362018号 米国特許第6307663号
 そこで、連続的に変位を可変させることができ、上述の問題を避けることができる静電的なマイクロエレクトロメカニカルデバイスが必要とされている。
 上記要求は、本発明の連続的可変変位の静電的マイクロエレクトロメカニカルデバイスによって満たすことができる。このマイクロエレクトロメカニカルデバイスは、
 第1電極を有する可動部材と、
 第2電極を有する対向面と、
 前記対向面から前記可動部材を分離しているチャネルと、
 前記チャネル内に位置している液体であって、前記可動部材を前記チャネルの少なくとも半分にわたる運動範囲において連続的に可変変位であって安定に変位させることができるように、十分に高い誘電率を有する液体と、
 前記第1電極と前記第2電極との間に配置された少なくとも一つの固体誘電体層と
を備え、
 前記変位は、前記第1電極と前記第2電極との間に電圧を印加することによって生じることを特徴とする。
 最も広い実施の形態では、本発明によって、静電的なマイクロエレクトロメカニカル(MEMS)デバイスに用いられる様々な可動部材の利用可能な運動範囲を広げることができる。利用可能な運動範囲内では、可動部材の変位は連続的に可変であって、安定である。本発明は、一以上の伸張リボン部材を有する静電的MEMSデバイスの特定の場合について主に記載しているが、本発明はまた他のマイクロエレクトロメカニカル構造を含むデバイスにも関するものであることは当業者において明らかである。これらの可動部材には、例えば、シングルクランプビーム、ダブルクランプビーム、ねじりヒンジ上のメンブラン又は剛体板を含んでいる。さらに、複数の可動部材を用いて、静電的櫛型デバイス又はエレクトロメカニカルグレーティング等のより複雑な動的構造を創造することができる。
 図1(a)は、MEMSデバイスの可動部材である伸張リボン部材の断面図である。誘電的リボン材7の伸張ストレスによって、伸張リボン部材2aを対向面と導体基板9から離したままにすることができる。チャネル4は、通常、真空引きされているか、又は、窒素や希ガス等の不活性ガスで満たされている。チャネル4内のリボンの形を崩すために、第1電極6と第2電極として働く導体基板9との間に電圧を印加する。図1(a)及び(b)では印加電圧は0である。図1(b)は、隣り合う部材2b、2cを伴う同じリボン部材2aの回転させた断面図である。図2(a)及び(b)は、第1電極6と導体基板9との間に電圧を印加した場合の伸張リボン部材2aの断面図である。印加電圧がプルダウン電圧VPDよりわずかに低い場合には、図2(a)に示すように、伸張リボン部材2aは引っ張られる。いったん印加電圧がVPDを超えると、非線形的な静電引力が伸張復元力を完全に圧倒する。そして伸張リボン部材2aは、突然、導体基板9に接触してしまい、図2(a)に示すようなリボン形状となる。すでに示したように、VPDに近い印加電圧については連続的に可変な外形を得ることはできない。
 本発明においては、チャネル4は、高誘電率であって高い静電場に耐えられる液体で満たされている。この液体を注意深く選択することによってプルダウン不安定性を除くことができ、それによって伸張リボン部材2aをチャネル4全体にわたる運動範囲において連続的に可変変位させ、安定に変位させることができる。
 液体に必要とされる誘電率は、デバイスの有効静電的厚さtを考慮することによって見積もることができる。液体を満たしたチャネル4の効果を含めると、第1電極6と導体基板9との間の層の有効静電的厚さtは、以下の式によって得られる。
t=d+εtε
ここで、
Figure 2004130509
は、固体誘電体層の総誘電体厚さであり、dは、チャネル4の深さであり、εは液体の誘電率である。総誘電体厚さtεにおいて、2つの電極の間の誘電率εに低下した厚さtのそれぞれの誘電体層の全てにわたる合計である。チャネル深さdがおよそ0.388t未満の場合には伸張リボン部材2aをチャネル4の全体にわたる運動範囲中を滑らかに動かすことができる。この要求を満足させるために液体の誘電率は下記の不等式(1)を満たさなければならない。
ε>1.58d/tε      (1)
 上記式(1)を満たす液体によってプルダウン不安定性を消すことができ、それによって、チャネル4の深さ全体にわたって連続的に可変変位させることができ、安定して変位させることができる。低誘電率の液体は、通常、ガスで満たされるか真空引きされるチャネル4で可能な運動範囲を広げるために用いることができる。そのような低誘電率の液体の場合もなお本発明の範囲に含まれる。
 図3(a)から図5には、液体を用いて、伸張リボン部材のプルダウン不安定性を解消することを示している。例えば、チャネル深さdは150nm、総誘電体層厚さtεは24nmである。式(1)によれば、9.8より大きな誘電率を有する液体によって、チャネル4全体にわたる運動範囲を可能にする。図3(a)は、ガスを満たしたチャネル(ε=1)についての電圧の関数としてリボン外形を示す図である。リボン外形の変化はプルダウン電圧VPD=22.6V付近で不連続となり、不安定となっている。図3(b)は、誘電率ε=18の液体を満たしたチャネル4を備えるデバイスについて示す図である。チャネル4の全体にわたる運動範囲において連続的な可変変位及び安定な変位が得られ、必要な電圧がわずかに増えるのみである。
 図4(a)及び(b)は、図3(a)及び(b)のガスを満たしたデバイス、液体を満たしたデバイスのそれぞれについて、リボンの中点の曲がりの変化を電圧の関数として比較している。ガスを満たしたデバイスの場合(図4(a))には、電圧がプルダウン電圧の22.6Vに達するまでは電圧が0から増すにつれて中点の変位は連続的に増える。この点において、リボンは基板に強くたたきつけられ、さらに電圧が増すとリボンの外形は図3(a)に示すように変形する。リボンが基板に接触した状態で電圧をプルダウン電圧に下げた場合には、接触したままとなる。リリース電圧VRL11.7Vで伸張ストレスは静電的引力に打ち勝って、リボンは基板から解放される。このタイプのヒステリシス曲線は静電的MEMSデバイスにはよく知られており、静電的作動に関連づけられた不安定性を記述するためによく用いられている。図4(a)に示すように、この応答は負の印加電圧の場合にも同様である。
 液体を満たしたデバイスの場合(ε=18)には、図4(b)に示すように、中点の変位は印加電圧のなめらかな関数となる。プルダウン臨界及びリリース電圧に関連した不安定性はなく、ヒステリシスも現れない。図5は、2つの臨界電圧VPDとVRLを液体の誘電率の関数としてプロットしたものである。これらの2つの電圧が一致する場合、すなわちε=9.8の場合には、例えば、運動範囲はチャネル4の深さ全体にわたって拡がる。さらに、誘電率が増えると、変位の電圧に対する感度が減るので、変位を制御する性能を改善できる。
 周知のように、上述された伸張リボン部材は、基本的な成形ブロックであり、より複雑なMEMSデバイスを構成するために用いられる。例えば、複数の平行リボン部材を用いて、等角GEMSデバイスやGLV等のエレクトロメカニカルグレーティングが形成される。個々のリボン部材は可変キャパシタや容量センサを形成するために用いられる。
 米国特許第6307663号に記載の等角グレーティングエレクトロメカニカルシステム(GEMS)デバイスについて図6から図9にわたって示している。図6には、作動状態でない2つの隣接する等角GEMSデバイス5a、5bが示されている。等角GEMSデバイス5a、5bは、基板10の頂部を覆っており、デバイス5a、5bを作動させる電極として機能する底部導体層12の上に形成されている。底部導体層12は、誘電体保護層14によって覆われており、さらにスタンドオフ層16とスペーサ層18が誘電体保護層14の上を覆っている。スペーサ層18の上にリボン層20が形成されており、その上を反射及び導体層22が覆っている。反射及び導体層22は、等角GEMSデバイス5a、5bの作動に関する電極の役割を果たしている。その結果、反射及び導体層22がパターニングされ、2つの等角GEMSデバイス5a、5bの電極となる。リボン層20は、大きな復元力を得るために十分な伸張ストレスを有する材料からなることが好ましい。2つの等角GEMSデバイス5a、5bのそれぞれは、反射及び導体層22とリボン層20からパターニングされた関連付けられた細長リボン部材23a、23bを有している。細長リボン部材23a、23bは、スペーサ層18から形成された端部支持体24a、24bと、同じ幅のチャネル25を画成するために均等に離して設けられた一以上の中間支持体27とによって支持されている。細長リボン部材23a、23bは、端部支持体24a、24bと、中間支持体27とに固定されている。複数のスタンドオフ部29は、チャネル25の底面にスタンドオフ層16からパターニングされている。これらのスタンドオフ部29によって作動時に細長リボン部材23a、23bのくっつきが生じる可能性を減らすことができる。
 図7は、4つの線形アレイの等角GEMSデバイス5a、5b、5c、5dの平面図である。細長リボン部材23a、23b、23c、23dは、下にある構造を表すために線A−Aに沿って部分的に除いて示されている。最もよい光特性と最大のコントラストのためには、中間支持体27は、細長リボン部材23a、23b、23c、23dの下に完全に隠れていることが好ましい。そのため、頂部から見た場合には、中間支持体27は、等角GEMSデバイス5a−5dの間のギャップ28に見えるべきではない。ここで、等角GEMSデバイス5a−5dのそれぞれは、3つの中間支持体27と4つの等幅チャネル25とを有している。中間支持体27の中心と中心との間の間隔Λは、作動状態の等角GEMSデバイスの周期を画定する。細長リボン部材23a−23dは、互いに機械的及び電気的に隔離されており、4つの等角GEMSデバイス5a−5dを独立して作動させることができる。図6の底部導体層12は、全ての等角GEMSデバイス5a−5dについて共通である。
 図8(a)は、作動前の等角GEMSデバイス5bの2つのチャネル25における図7の線8−8に沿った側面図である。図8(b)は、作動時の同様の図である。デバイスの操作に関しては、細長リボン部材23bの底部導体層12と反射及び導体層22との間に電位差を印加することによって静電引力が生じる。動作前(図8(a))には、電位差は0であり、リボン部材23bは支持体間に平坦になっている。この状態では、入射光30は、単純な平面鏡についてと同様に、主に0次光ビーム32として反射される。作動状態を得るには、電圧を等角GEMSデバイス5bに印加すると、細長リボン部材23bの形を崩し、周期Λの部分等角GEMSを画成できる。図8(b)は、図6及び図7で示されたように、細長リボン部材23bがスタンドオフ部29に接触しているフル作動状態にあるデバイス5bを示す図である。部材23bの底面とスタンドオフ部29の頂部との間の高さはおよそ入射光の波長λの1/4に設定される。最適な高さは作動デバイスの特定の等角形状に依存する。作動状態では、入射光ビーム30は、主に+1次光ビーム35a、−1次光ビーム35bに分散し、さらに+2次光ビーム36a、−2次光ビーム36bに分散する。わずかな光はさらに高次の光ビームに分散し、いくらかは0次光ビームにとどまる。一般には、用途に応じて様々なビームのいくつかが集められ、光学システムで用いられる。印加電圧を除くと、伸張ストレスや曲がりによる力によってリボン部材は復元され図8(a)に示す元の作動前の状態に戻る。
 図9(a)及び(b)は、図7の線9−9に沿った側面図であり、それぞれ作動前の状態、作動状態の等角GEMSデバイス5bを示している。導電性の反射リボン部材23bは、端部支持体24bと隣接する中間支持体27(この図には示していない)とによって吊り下げられている。図9(b)に示すように、電圧印加によってデバイスを作動させることができる。
 図10及び11は、等角GEMSデバイスにおけるプルダウン及びリリース不安定性を解消するための本発明の応用について示している。デバイスに印加する電圧を変化させて分散光又は反射光の強度を連続的に制御することによって、これらの不安定性を解消できる可能性がある。チャネル25は高電場に耐えることができる透明な液体で満たされている。さらに、光強度を連続的に制御することに加えて、液体によって作動させた等角GEMSデバイスの有効光学深さを増すことができ、それによって必要とされるリボン部材の運動範囲を減らすことができる。例えば、0次光ビーム32を最小にするか、又は0次でない分散光(+1次光35a、−1次光35b、+2次光36a、−2次光36b、あるいはさらに高次光)を最大にするために必要な運動範囲は、液体の屈折率nによって減らすことができる。特に、+1次光35a及び−1次光35bの分散を最大にするために必要な運動範囲は、ガス雰囲気の場合の約λ/4から、液体を満たした場合には約λ/4nに減らすことができる。実際には、多くの液体の屈折率は1.4に近いので、必要とされる運動範囲は約30%減らすことができる。
 図10を参照すると、ガス雰囲気の場合を液体に浸す場合と比較して、印加電圧に対する等角GEMSデバイスの理論的な応答が示されている。図10の曲線は、標準化された0次反射光ビームを表しており、プルダウン不安定性が解消されたことを示している。ガス雰囲気の場合ε=1.0、プルダウンは24V付近で生じる。標準化された反射強度はプルダウン電圧で0.85から0.22へと劇的に大きく落ちる。さらに電圧を増しても24Vより大きな電圧では、リボン部材は下にあるスタンドオフ部と接触しているので強度はほとんど変わらない。相対的に大きな誘電率を有する液体によって、印加電圧の関数として、反射強度を滑らかに、より制御して減少させることが期待される。実際に、誘電率ε=18.0の液体と誘電率ε=37.0の液体では、反射光強度を連続的に制御できる理論的可能性が示されている。誘電率ε=37.0より大きな誘電率の場合、電圧に対する強度の感度を減じることができ、それによって制御性を改善できる。しかし、より大きな誘電率の場合には必要な電圧が増す。
 図11を参照すると、異なる誘電率の既知の物質に浸された等角GEMSデバイスの実際の応答が示されており、上記図10の理論的に期待される応答に近いことが示されている。期待されているように、誘電率が1.0の空気中のデバイスでは、約24Vでリボン部材に鋭いプルダウン不安定性が現れる。これに対して、誘電率18のイソプロパノールアルコールによって、印加電圧についてのリボン部材の制御範囲を大きく増すことができる。誘電率37のエチレングリコールによって、さらに印加電圧に対する感度を下げることができ、それによってより正確な制御ができる。図11に示していない様々な他の液体に浸した等角GEMSデバイスの応答は、例えば、エクソンモービル社のイソパール(Isopar:商標)やメタノールによって特徴付けられる。誘電率2のイソパールによって運動範囲は広がるが、プルダウン不安定性を完全に解消することはできない。しかし、メタノールの場合には静電的な反応を生じるので、問題が起きる。
 本発明の健全な実施には、印加電圧の波形と液体の両方の注意深い選択が必要である。米国特許第6144481号に記載のように、バイポーラ電圧波形によってエレクトロメカニカルリボンにおけるチャージングが減ってしまう。さらに、米国特許第6419335号に記載のように、高周波数のバイポーラ波形と、液体を満たした静電的MEMSデバイスとを組み合わせるとエレクトロメカニカル反応が減じて、液体の絶縁破壊が生じる。図11に示された結果を得るために、一定の2乗平均平方根(RMS)値の4MHzのバイポーラ電圧波形を用いて等角GEMSデバイスを作動させた。液体による粘性減衰のためにリボン部材は、高周波数には対応せず、わずかに2乗平均平方根値に応答するのみである。そのため、高周波数成分は光応答には現れない。
 なお、本発明に係る連続的に可変変位の静電的マイクロメカニカルデバイスは、上記構成に限られるものではなく、他の構成によるものであってもよい。例えば、第1の構成によれば、連続的に可変変位の静電的マイクロメカニカルデバイスであって、前記運動範囲は前記チャネルの全体にわたっていてもよい。
 また、第2の構成によれば、連続的に可変変位の静電的マイクロメカニカルデバイスであって、前記運動範囲は前記チャネルの全体にわたっており、前記可動部材と前記対向面との間の間隔がdであって、前記少なくとも一つの固体誘電体層の合計の誘電体層厚さがtεである場合に、前記液体の誘電率はおよそ1.5d/tεより大きい。
 第3の構成によれば、連続的に可変変位の静電的マイクロメカニカルデバイスであって、前記液体の誘電率は2より大きい。
 第4の構成によれば、連続的に可変変位の静電的マイクロメカニカルデバイスであって、前記運動範囲は前記チャネルの全体にわたっており、前記液体の誘電率は5より大きい。
 第5の構成によれば、連続的に可変変位の静電的マイクロメカニカルデバイスであって、前記運動範囲は前記チャネルの全体にわたっており、前記液体の誘電率は5から100の間にある。
 第6の構成によれば、連続的に可変変位の静電的マイクロメカニカルデバイスであって、前記液体はアルコールである。
 第7の構成によれば、連続的に可変変位の静電的マイクロメカニカルデバイスであって、前記液体はエチレングリコールである。
 第8の構成によれば、連続的に可変変位の静電的マイクロメカニカルデバイスであって、前記可動部材は伸張リボン部材である。
 第9の構成によれば、連続的に可変変位の静電的マイクロメカニカルデバイスであって、前記可動部材は2脚支持型ビームである。
 第10の構成によれば、連続的に可変変位の静電的マイクロメカニカルデバイスであって、前記可動部材は単脚支持型ビームである。
 第11の構成によれば、連続的に可変変位の静電的マイクロメカニカルデバイスであって、前記可動部材はメンブランである。
 第12の構成によれば、連続的に可変変位の静電的マイクロメカニカルデバイスであって、前記可動部材は板状体である。
 第13の構成によれば、連続的に可変変位の静電的マイクロメカニカルデバイスであって、前記可動部材はシリコン基板である。
 第14の構成によれば、連続的に可変変位の静電的マイクロメカニカルデバイスであって、前記可動部材は窒化シリコンである。
 第15の構成によれば、連続的に可変変位の静電的マイクロメカニカルデバイスであって、前記可動部材は酸化シリコンである。
 第16の構成によれば、連続的に可変変位の静電的マイクロメカニカルデバイスであって、前記可動部材の上に固体誘電体層がある。
 第17の構成によれば、連続的に可変変位の静電的マイクロメカニカルデバイスであって、前記対向面の上に固体誘電体層がある。
 第18の構成によれば、連続的に可変変位の静電的マイクロメカニカルデバイスであって、前記液体は前記静電的マイクロメカニカルデバイスの周囲を囲み、前記チャネル内を満たしている。
 第19の構成によれば、連続的に可変変位の静電的マイクロオプトメカニカルデバイスであって、前記液体は透明である。
 第20の構成によれば、連続的に可変変位の静電的マイクロオプトメカニカルデバイスであって、前記少なくとも一つの可動部材は反射体である。
 第21の構成によれば、連続的に可変変位の静電的マイクロオプトメカニカルデバイスであって、前記少なくとも一つの可動部材は反射体であって、前記少なくとも一つの反射可動部材は、マイクロミラーである。
 第22の構成によれば、連続的に可変変位の静電的マイクロオプトメカニカルデバイスであって、前記少なくとも一つの可動部材は反射体であって、複数の反射可動部材は、エレクトロマイクロメカニカルグレーティングを含む。
 第23の構成によれば、連続的に可変変位の静電的マイクロオプトメカニカルデバイスであって、前記少なくとも一つの可動部材は反射体であって、複数の反射可動部材は、エレクトロマイクロメカニカルグレーティングを含み、前記エレクトロマイクロメカニカルグレーティングは、等角GEMSデバイスである。
 第24の構成によれば、連続的に可変変位の静電的マイクロオプトメカニカルデバイスであって、前記少なくとも一つの可動部材は反射体であって、複数の反射可動部材は、エレクトロマイクロメカニカルグレーティングを含み、前記エレクトロマイクロメカニカルグレーティングは、グレーティング光弁(light valve)である。
 第25の構成によれば、連続的に可変変位の静電的マイクロオプトメカニカルデバイスであって、前記運動範囲は前記チャネル全体にわたっている。
 第26の構成によれば、連続的に可変変位の静電的マイクロオプトメカニカルデバイスであって、前記運動範囲は前記チャネル全体にわたっており、前記液体の誘電率はおよそ1.5d/dεより大きい。ここでdは前記少なくとも一つの可動部材と前記対向面との間の間隔であり、tεは前記少なくとも一つの固体誘電体層の総誘電体厚さである。
 第27の構成によれば、連続的に可変変位の静電的マイクロオプトメカニカルデバイスであって、前記液体の誘電率は、2より大きい。
 第28の構成によれば、連続的に可変変位の静電的マイクロオプトメカニカルデバイスであって、前記運動範囲は前記チャネル全体にわたっており、前記液体の誘電率は5より大きい。
 第29の構成によれば、連続的に可変変位の静電的マイクロオプトメカニカルデバイスであって、前記運動範囲は前記チャネル全体にわたっており、前記液体の誘電率は5から100の間である。
 第30の構成によれば、連続的に可変変位の静電的マイクロオプトメカニカルデバイスであって、前記液体はアルコールである。
 第31の構成によれば、連続的に可変変位の静電的マイクロオプトメカニカルデバイスであって、前記液体はエチレングリコールである。
 第32の構成によれば、連続的に可変変位の静電的マイクロオプトメカニカルデバイスであって、前記少なくとも一つの可動部材は伸張リボン部材である。
 第33の構成によれば、連続的に可変変位の静電的マイクロオプトメカニカルデバイスであって、前記少なくとも一つの可動部材は2脚支持ビームである。
 第34の構成によれば、連続的に可変変位の静電的マイクロオプトメカニカルデバイスであって、前記少なくとも一つの可動部材は単脚支持ビームである。
 第35の構成によれば、連続的に可変変位の静電的マイクロオプトメカニカルデバイスであって、前記少なくとも一つの可動部材はメンブランである。
 第36の構成によれば、連続的に可変変位の静電的マイクロオプトメカニカルデバイスであって、前記少なくとも一つの可動部材は板状体である。
 第37の構成によれば、連続的に可変変位の静電的マイクロメカニカルデバイスの製造方法であって、
 前記可動部材と前記対向面との間の間隔がdであって、前記少なくとも一つの固体誘電体層の総誘電体厚さがtεである場合、およそ1.5d/tεより大きな誘電率を有する液体を前記チャネル内に満たすステップを含んでいる。
 第38の構成によれば、連続的に可変変位の静電的マイクロオプトメカニカルデバイスのであって、前記少なくとも一つの可動部材は反射体であって、複数の反射可動部材は、エレクトロメカニカルグレーティングを含み、前記液体の屈折率がnの場合に前記運動範囲はおよそλ/(4n)に等しい。
(a)は従来の伸張リボン部材の作動前の状態における断面図であり、(b)は従来の3つの平行に配列した伸張リボン部材の作動前の状態における断面図である。 (a)は従来の伸張リボン部材の一部作動状態における断面図であり、(b)は従来の伸張リボン部材の完全作動状態における断面図である。 (a)は、ガス雰囲気中の従来のリボン部材の作動電圧を変化させた場合のプロファイルを示す図であり、(b)は、高誘電率の液体中に浸漬させたリボン部材の作動電圧を変化させた場合のプロファイルを示す図である。 (a)は、ガス雰囲気中のリボン部材の曲がりの中点を印加電圧の関数として示した図であって、プルダウン不安定性及びリリース不安定性の存在を示しており、(b)は、高誘電率の液体中のリボン部材の曲がりの中点を印加電圧の関数として示した図であって、プルダウン不安定性及びリリース不安定性の消失を示す図である。 液体中のリボン部材の臨界電圧を液体の誘電率の関数として示す図である。 リニアアレイ中の2つの等角GEMSデバイスの部分切断された斜視図である。 リニアアレイ中の4つの等角GEMSデバイスの平面図である。 図7の線8−8に沿った断面図であって、(a)は作動状態でない場合、(b)は最大に作動させた状態の等角GEMSデバイスの動作をそれぞれ示している。 図7の線9−9に沿った断面図であって、(a)は作動状態でない場合、(b)は最大に作動させた状態の等角GEMSデバイスの動作をそれぞれ示している。 様々な液体をガス雰囲気と比較して、等角GEMSデバイスについての理論的な反射光強度を印加電圧の関数として示した図である。 様々な液体をガス雰囲気と比較して、等角GEMSデバイスについての実際の反射光強度を印加電圧の関数として示した図である。
符号の説明
 2a、2b、2c 伸張リボン部材、4 チャネル、5a、5b、5c、5d 等角GEMSデバイス、6 第1電極、7 誘電体リボン材料、9 導体基板、10 基板、12 底部導体層、14 誘電体保護層、16 スタンドオフ層、18 スペーサ層、20 リボン層、22 反射・導体層、23a、23b、23c、23d 細長リボン部材、24a、24b 端部支持体、25 チャネル、27 中間支持体、28 ギャップ、30 スタンドオフ部、30 光ビーム、32 0次光ビーム、35a +1次光ビーム、35b −1次光ビーム、36a +2次光ビーム、36b −2次光ビーム

Claims (3)

  1.  a)第1電極を有する可動部材と、
     b)第2電極を有する対向面と、
     c)前記可動部材を前記対向面から分離しているチャネルと、
     d)前記チャネル内を満たす高誘電率を有する液体であって、前記チャネルの少なくとも半分にわたる運動範囲において、前記第1電極と前記第2電極との間に電圧を印加することによって生じる前記可動部材の変位を連続的に可変で安定して制御可能にする液体と、
     e)前記第1電極と前記第2電極との間に配置された少なくとも一つの固体誘電体層と
    を備えることを特徴とする連続的に可変変位の静電的マイクロメカニカルデバイス。
  2.  a)第1電極を有する少なくとも一つの可動部材と、
     b)第2電極を有する対向面と、
     c)前記少なくとも一つの可動部材を前記対向面から分離しているチャネルと、
     d)前記チャネル内を満たす高誘電率を有する液体であって、前記チャネルの少なくとも半分にわたっており、入射光の波長λに比例する運動範囲において、前記第1電極と前記第2電極との間に電圧を印加することによって生じる前記可動部材の変位を連続的に可変で安定して制御可能にする液体と、
     e)前記第1電極と前記第2電極との間に配置された少なくとも一つの固体誘電体層と
    を備えることを特徴とする連続的に可変変位の静電的マイクロオプトメカニカルデバイス。
  3.  a)第1電極を有する可動部材を第2電極を有する対向面からチャネルによって分離して設けるステップと、
     b)前記第1電極と前記第2電極の間に少なくとも一つの固体誘電体層を含めるステップと、
     c)前記チャネルの少なくとも半分にわたる運動範囲において、前記第1電極と前記第2電極との間に電圧を印加することによって生じる前記可動部材の変位を連続的に可変で安定して制御可能にする高誘電率を有する液体を前記チャネル内に満たすステップと
    を含むことを特徴とする連続的に可変変位の静電的マイクロメカニカルデバイスを構成する方法。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005340536A (ja) * 2004-05-27 2005-12-08 Kyocera Corp 可変容量コンデンサ
JP2006165380A (ja) * 2004-12-09 2006-06-22 Kyocera Corp 可変容量コンデンサ
JP2008147707A (ja) * 2004-09-27 2008-06-26 Idc Llc Rfデバイス
US8078128B2 (en) 2004-09-27 2011-12-13 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Selectable capacitance circuit
JP2013543579A (ja) * 2010-09-13 2013-12-05 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 電源の電圧状況を検出するための方法及び装置

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7385268B2 (en) * 2002-03-08 2008-06-10 Trustees Of Boston University Method for linearizing deflection of a MEMS device using binary electrodes and voltage modulation
US7053519B2 (en) * 2002-03-29 2006-05-30 Microsoft Corporation Electrostatic bimorph actuator
US6844960B2 (en) * 2002-09-24 2005-01-18 Eastman Kodak Company Microelectromechanical device with continuously variable displacement
CN1732401A (zh) * 2002-12-30 2006-02-08 皇家飞利浦电子股份有限公司 含有聚合物致动器的光学装置
US7573631B1 (en) 2005-02-22 2009-08-11 Silicon Light Machines Corporation Hybrid analog/digital spatial light modulator
US7566582B2 (en) * 2005-10-25 2009-07-28 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Systems, methods and devices relating to actuatably moveable machines
US20070090732A1 (en) * 2005-10-25 2007-04-26 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Systems, methods and devices relating to actuatably moveable machines
JP2007273932A (ja) * 2006-03-06 2007-10-18 Fujitsu Ltd 可変キャパシタおよび可変キャパシタ製造方法
US7780300B2 (en) * 2006-06-01 2010-08-24 Falk R Aaron Variable focus deformable surface using rotation means for rotating the upper and lower material layers about a center axis
WO2008088898A1 (en) * 2007-01-19 2008-07-24 Sierra Scientific Instruments, Inc. Micro-remote gastrointestinal physiological measurement device
WO2008133942A2 (en) * 2007-04-23 2008-11-06 Sierra Scientific Instruments, Inc. Suspended membrane pressure sensing array
JP2010135614A (ja) * 2008-12-05 2010-06-17 Fujitsu Ltd 可変容量素子
US9821340B2 (en) 2014-07-28 2017-11-21 Kolo Medical Ltd. High displacement ultrasonic transducer
FI20175691A1 (en) 2017-07-14 2019-01-15 Senseg Oy Electrostatic actuator structure
CN107634675B (zh) * 2017-10-26 2019-05-10 南京航空航天大学 一种大推力静电电机
US11245344B2 (en) * 2018-06-07 2022-02-08 Encite Llc Micro electrostatic motor and micro mechanical force transfer devices
US20210091682A1 (en) * 2019-09-25 2021-03-25 Wisconsin Alumni Research Foundation Hybrid Electrostatic Actuator
CN113391443B (zh) * 2021-06-28 2023-06-06 武汉大学 基于纳米微腔的光学调制器、超表面及信息加密方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58132782A (ja) * 1982-02-01 1983-08-08 エヌ・ベ−・フイリツプス・フル−イランペンフアブリケン 受動表示装置およびその製造方法
JP2001215317A (ja) * 2000-01-26 2001-08-10 Eastman Kodak Co 順応型回折格子装置を具備した空間光変調器
US6323834B1 (en) * 1998-10-08 2001-11-27 International Business Machines Corporation Micromechanical displays and fabrication method
US6359757B1 (en) * 1999-06-02 2002-03-19 Maxtor Corporation Electrostatic actuator

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2829192B2 (ja) * 1992-05-15 1998-11-25 住友電気工業株式会社 レ−ザビ−ムスキャナ
US6356248B1 (en) * 1993-03-04 2002-03-12 Tektronix, Inc. Spacers for use in an electro-optical addressing structure
DE19501159B4 (de) * 1995-01-06 2004-05-13 Ehwald, Rudolf, Prof. Dr.sc.nat. Mikrosensor zur Bestimmung der Konzentration von Glukose und anderen Analyten in Flüssigkeiten auf der Basis der Affinitätsviskosimetrie
RU2165853C2 (ru) * 1996-04-23 2001-04-27 Ксаар Текнолоджи Лимитед Устройство нанесения капель
WO1998022625A1 (en) * 1996-11-20 1998-05-28 The Regents Of The University Of Michigan Microfabricated isothermal nucleic acid amplification devices and methods
US6215579B1 (en) * 1998-06-24 2001-04-10 Silicon Light Machines Method and apparatus for modulating an incident light beam for forming a two-dimensional image
US6284149B1 (en) * 1998-09-18 2001-09-04 Applied Materials, Inc. High-density plasma etching of carbon-based low-k materials in a integrated circuit
US6061166A (en) * 1998-10-15 2000-05-09 Eastman Kodak Company Diffractive light modulator
US6144481A (en) 1998-12-18 2000-11-07 Eastman Kodak Company Method and system for actuating electro-mechanical ribbon elements in accordance to a data stream
US6329738B1 (en) * 1999-03-30 2001-12-11 Massachusetts Institute Of Technology Precision electrostatic actuation and positioning
TW410400B (en) * 1999-04-20 2000-11-01 Winbond Electronics Corp Method for improving step coverage of trench film deposition and its applications
US6575020B1 (en) * 1999-05-03 2003-06-10 Cantion A/S Transducer for microfluid handling system
US6346977B1 (en) * 1999-09-28 2002-02-12 Sharp Laboratories Of America, Inc. Reflective liquid crystal display panel with diffraction grating between pixel electrodes
US6603902B1 (en) * 1999-10-26 2003-08-05 Bti Photonics Inc. Wavelength selective variable reflector
US6362018B1 (en) 2000-02-02 2002-03-26 Motorola, Inc. Method for fabricating MEMS variable capacitor with stabilized electrostatic drive
US6702483B2 (en) * 2000-02-17 2004-03-09 Canon Kabushiki Kaisha Optical element
AU2001278039A1 (en) * 2000-07-27 2002-02-13 Holl Technologies, Inc. Flexureless magnetic micromirror assembly
US6599781B1 (en) * 2000-09-27 2003-07-29 Chou H. Li Solid state device
US6419335B1 (en) 2000-11-24 2002-07-16 Xerox Corporation Electronic drive systems and methods
US6892003B2 (en) * 2001-04-03 2005-05-10 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Variable dispersion compensator and optical transmission system
US6700556B2 (en) * 2001-07-26 2004-03-02 Xerox Corporation Display sheet with stacked electrode structure
US6829092B2 (en) * 2001-08-15 2004-12-07 Silicon Light Machines, Inc. Blazed grating light valve
US6639722B2 (en) * 2001-08-15 2003-10-28 Silicon Light Machines Stress tuned blazed grating light valve
US6822797B1 (en) * 2002-05-31 2004-11-23 Silicon Light Machines, Inc. Light modulator structure for producing high-contrast operation using zero-order light
US6714337B1 (en) * 2002-06-28 2004-03-30 Silicon Light Machines Method and device for modulating a light beam and having an improved gamma response
US6844960B2 (en) * 2002-09-24 2005-01-18 Eastman Kodak Company Microelectromechanical device with continuously variable displacement
US6724515B1 (en) * 2002-12-31 2004-04-20 Eastman Kodak Company Conformal grating device for producing enhanced gray levels

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58132782A (ja) * 1982-02-01 1983-08-08 エヌ・ベ−・フイリツプス・フル−イランペンフアブリケン 受動表示装置およびその製造方法
US6323834B1 (en) * 1998-10-08 2001-11-27 International Business Machines Corporation Micromechanical displays and fabrication method
US6359757B1 (en) * 1999-06-02 2002-03-19 Maxtor Corporation Electrostatic actuator
JP2001215317A (ja) * 2000-01-26 2001-08-10 Eastman Kodak Co 順応型回折格子装置を具備した空間光変調器

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005340536A (ja) * 2004-05-27 2005-12-08 Kyocera Corp 可変容量コンデンサ
JP2008147707A (ja) * 2004-09-27 2008-06-26 Idc Llc Rfデバイス
US8078128B2 (en) 2004-09-27 2011-12-13 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Selectable capacitance circuit
US8340615B2 (en) 2004-09-27 2012-12-25 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Selectable capacitance circuit
JP2006165380A (ja) * 2004-12-09 2006-06-22 Kyocera Corp 可変容量コンデンサ
JP2013543579A (ja) * 2010-09-13 2013-12-05 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 電源の電圧状況を検出するための方法及び装置

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