【０００１】
【従来の技術】
【０００２】
【特許文献１】
ＷＯ９８／１３８５０号公報
【０００３】
【特許文献２】
特開平１１−３０７９８７号公報
【０００４】
ＰＤＰでは、人体に有害な電磁波（周波数：３０〜１０００ＭＨｚ）或いは周辺の家電機器のリモコンの誤動作を招く恐れがある近赤外線（波長：８５０〜１０００ｎｍ）が放出されるので、これらを効率的に遮蔽する必要がある。このための対策としては従来、ガラス基板上に電磁波と近赤外線を遮蔽する目的で透明導電膜が被覆されたＰＤＰ用フィルタ基板を該ＰＤＰの前面に装着することが知られている。
【０００５】
例えば、ＷＯ９８／１３８５０号公報においては、基体側から１種以上の金属を含有するＺｎＯを主成分とする酸化物層とＡｇを主成分とする金属層とが交互に（２ｎ＋１）層積層された多層の導電膜が被覆されたＰＤＰ用保護板について記載されており、また、特開平１１−３０７９８７号公報においては、基板側から屈折率が１．６〜２．８の誘電体層と銀主成分層とを交互に積層した７層の積層体とし、銀主成分層を銀に対して０．１〜０．５原子％のＰｄを含有させた電磁遮蔽膜を有するＰＤＰ用の電磁波フィルターについて記載されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ＷＯ９８／１３８５０号公報の発明は、Ａｇ層としてＰｄ等を添加したＡｇ層が用いられており、コスト的に不利であるとともに該Ａｇ層にＰｄ等を添加しているために膜厚の同じ他の金属層と比較して抵抗値が高くなる等の問題がある。また、特開平１１−３０７９８７号公報記載の電磁遮蔽膜は、耐湿性を確保する目的で前記と同様に金属膜として高価なＰｄを添加したＡｇ膜を使用しているが、該Ｐｄを多く添加すると電磁波シールド性に寄与する透明導電膜の抵抗値が増加し、電磁波シールド性が低下する等の問題が生じるとともにコスト的に不利である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、従来のかかる課題に鑑みてなしたものであって、光学干渉を利用した誘電体層とＡｇ層と非Ａｇ合金層を含む１０層の多層膜を採用した透明導電膜とすることにより、該膜の抵抗値（シート抵抗 Ω／□）が２．５Ω／□以下と低くして電磁遮蔽性能を高めるとともに、可視光線透過率を７０％以上と高くして充分に明るい画像表示を得ることが可能であり、さらに低可視光線反射率を有するバランスのとれた電磁波シールド膜付き基板を安価に提供するものである。
【０００８】
すなわち、本発明の電磁波シールド膜付き基板は、基板側から透明基板表面に、誘電体層、Ａｇ層、非Ａｇ合金層がこの順に繰り返し９層積層され、さらにその上層に誘電体層が積層されてなる透明導電膜が被覆され、該膜表面の抵抗値（シート抵抗）として２．５Ω／□以下であり、可視光線透過率が７０％以上であることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の電磁波シールド膜付き基板は、各Ａｇ層の厚さが９〜１５ｎｍであることを特徴とし、さらに、いずれのＡｇ層もＡｇの純度が５Ｎ以上であることを特徴とする。Ａｇ層は、ポリコールド等の使用により成膜時のベース圧を高真空にすることで高密度の構造が形成され、これにより低比抵抗の薄膜とすることができる。
【００１０】
またさらに、本発明の電磁波シールド膜付き基板は透明基板上に、透明金属酸化物層よりなる第１誘電体層／第１Ａｇ層／ＺｎＡｌよりなる第１非Ａｇ合金層／透明金属酸化物層よりなる第２誘電体層／第２Ａｇ層／ＺｎＡｌよりなる第２非Ａｇ合金層／透明金属酸化物層よりなる第３誘電体層／第３Ａｇ層／ＺｎＡｌよりなる第３非Ａｇ合金層／透明金属酸化物層よりなる第４誘電体層からなる透明導電膜が積層された基板であって、各Ａｇ層の膜厚がそれぞれ９〜１５ｎｍ、ＺｎＡｌよりなる非Ａｇ合金層の膜厚がそれぞれ１．０〜３．０ｎｍ、第１誘電体層および第４誘電体層の膜厚が４０〜５０ｎｍ、第２誘電体層および第３誘電体層の膜厚が７５〜８５ｎｍからなることを特徴とする。
【００１１】
さらに、本発明の電磁波シールド膜付き基板は、該基板の前面及び／又は裏面に樹脂フィルムよりなる保護板を設けてなることを特徴とする。
また、本発明の電磁波シールド膜付き基板は、プラズマデイスプレイの前面に装着されてなることを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明の電磁波シールド膜付き基板は、透明基板表面に、誘電体層、Ａｇ層、非Ａｇ合金層がこの順に繰り返し９層積層され、さらにその上層に誘電体層が積層されてなる透明導電膜が被覆され、該膜表面の抵抗値がシート抵抗値として２．５Ω／□以下であり、可視光線透過率が７０％以上であることを特徴とする。さらに、前記透明導電膜は、基板側から、透明金属酸化物層よりなる第１誘電体層／第１Ａｇ層／ＺｎＡｌよりなる第１非Ａｇ合金層／透明金属酸化物層よりなる第２誘電体層／第２Ａｇ層／ＺｎＡｌよりなる第２非Ａｇ合金層／透明金属酸化物層よりなる第３誘電体層／第３Ａｇ層／ＺｎＡｌよりなる第３非Ａｇ合金層／透明金属酸化物層よりなる第４誘電体層から構成され、各Ａｇ層の膜厚がそれぞれ９〜１５ｎｍ、ＺｎＡｌよりなる非Ａｇ合金層の膜厚がそれぞれ１．０〜３．０ｎｍ、第１誘電体層および第４誘電体層の膜厚が４０〜５０ｎｍ、第２誘電体層および第３誘電体層の膜厚が７５〜８５ｎｍからなることを特徴とする。
【００１３】
電磁遮蔽性能を左右するＡｇ層は、該Ａｇ層の膜厚が電磁遮蔽性、可視光線透過率および可視光線反射率に影響を及ぼし、３０ｄＢ以上の高電磁遮蔽性を得るためには各Ａｇ層ともに１０ｎｍ以上の膜厚が必要であり、一方画像を明るくして視認性をよくするために、可視光線透過率を７０％以上確保し、かつ画像コントラストを高めるために可視光線反射率を４％以下と低くするためには各Ａｇ層ともに１５ｎｍ以下とすることが好ましく、特に、第１Ａｇ層の膜厚は９〜１０ｎｍ、第２Ａｇ層の膜厚は１３〜１４ｎｍ、第３銀層の膜厚は１１〜１２ｎｍとすることがより好ましい。Ａｇ層を２層設けただけでは、本発明のような膜表面の表面抵抗値が２．５Ω／□以下で、可視光線透過率が７０％以上で、可視光線反射率が４％以下であるものを得ることは容易ではない。
さらに、本発明で用いるＡｇ層は、いずれのＡｇ層もＰｄなどの添加物を含有していないもの、特に５Ｎ以上の純度のＡｇ、を用いることが好ましく、Ａｇを成膜する時のベース圧をポリコールド（真空チャンバーに存在する水蒸気をクライオコイルと呼ばれる低温冷却表面に凝縮させる事によりトラップし真空チャンバーに高真空を得られる様にする装置である。ポリコールドは米国ＰＯＬＹＣＯＬＤ ＳＹＳＴＥＭＳの商品名）等の使用により高真空にする事により高密度の構造とすることで低比抵抗のＡｇ膜とすることが可能となる。
次に透明酸化物層よりなる各誘電体層は、少なくとも酸化亜鉛層または酸化錫層より形成され、各誘電体層におけるこれらの膜厚は第１誘電体層における酸化錫層は３〜５０ｎｍ、酸化亜鉛層は５〜５０ｎｍ、第２誘電体層における酸化錫層は０〜８５ｎｍ、酸化亜鉛層は５〜８５ｎｍ、第３誘電体層における酸化錫層は５〜８５ｎｍ、酸化亜鉛層は５〜８５ｎｍ、第４誘電体層における酸化錫層は０〜５０ｎｍ、酸化亜鉛層は０〜５０ｎｍとすることが好ましく、上記範囲以外の膜厚では可視光線透過率を７０％以上とすることができなくなる。
【００１４】
そのうち、酸化物層としての酸化錫層よりなる非晶質の被膜は、化学的にも機械的にも強く、且つ非晶質のルーズな構造のためガラスとの密着力も強く、内部応力も発生しにくい。従ってガラスの直上に被覆することが望ましい。この酸化錫層はガラスとの密着力を高めるだけでなく、アルカリイオンの影響を断つための役割も担う。なお、誘電体層は、前記の酸化亜鉛層、酸化錫層に限定されるものではなく、酸化チタン、ＳｎＺｎＯ、ＺｎＡｌＯ、ＩＴＯ等を用いることも出来る。
【００１５】
しかし、前記酸化錫層は、特に銀との密着力が劣り酸化錫層／銀層界面での剥離が起こりやすい。又、酸化錫はそのイオン化傾向から分かるように酸素との結合が弱く、被膜内の酸素の化学的ポテンシャルが高いため、銀層に酸素が拡散しやすく電気抵抗が上り、高電磁波遮蔽を達成し難い。
これらの理由より、酸化錫層は銀層と接触させないことが好ましい。なお、酸化錫層には化学的、機械的特性を向上し、またガラスとの密着力も強くする非晶質の被膜成分としての元素が含まれても良い。
【００１６】
一方、酸化亜鉛層は、銀層との密着力が高く、又酸素との高い結合力によって層内の酸素のポテンシャルが低いため、銀層内に酸素が拡散しにくい。従って銀層直下の層は酸化亜鉛層が望ましい。なお、酸化亜鉛層には銀層との密着力を低下せず、銀層内に酸素が拡散しにくくするような被膜の成分としての公知の元素（Ａｌ、Ｓｎ等）が含まれても良い。
【００１７】
なお、銀層に接触する酸化物層中の酸素の化学ポテンシャルはできる限り低く保つことが肝要で、酸化亜鉛成膜時の雰囲気は酸素と共にできるだけ多くのアルゴンを添加するのが望ましい。望ましいアルゴンの添加率は設備によって異なるが概ね１０〜３０％である。この値は酸素雰囲気から徐々にアルゴンを添加していき、ターゲットに掛かる電圧が急に上がるか、電流が急に下がる現象を観測し、そこからアルゴンを若干減らすことで決められる。
また、酸化亜鉛層は緻密で大気中の腐食性ガスの拡散を防ぐ効果があり、また太陽光線に含まれる紫外線を吸収する働きがあるが化学的耐久性が低いため、第３銀層の上層に酸化亜鉛層を用いる場合には、さらにその上層に非晶質酸化物である酸化錫層を設けることが望ましい。
【００１８】
また、誘電体層としての金属酸化物層としては、前記ＺｎＯ層のほかにＺｎＡｌｘＯｙ（ｘ＝１〜２、ｙ＝１〜４）層を用いることが好ましい。このＺｎＡｌｘＯｙ層は、特に、曲げ及び／又は強化（半強化も含む）のために導電膜を形成後にガラスの軟化点以上の高温で熱処理する場合、Ａｇ層の酸化を防止するのに特に有効であり、後述するＺｎＡｌよりなる非Ａｇ合金層の直上に設けることが好ましい。
【００１９】
次に、Ａｇ層の直上部には、Ａｇ層と酸化物誘電体層の界面の凹凸に起因する光散乱を防止するための非Ａｇ合金層が設けられる。Ａｇ層の直接上に酸化物誘電体層を形成すると、Ａｇ／誘電体界面に凹凸が形成され、この凹凸が光散乱の原因となり光線透過率が大幅に低下してしまう。しかしながらこの非Ａｇ合金層は光吸収層であるため、厚すぎても光線透過率を低下させてしまう。適切な透過率を得るためには非Ａｇ合金層の厚みを１．０〜３．０ｎｍとする必要がある。さらに非Ａｇ合金層はＡｌを含むＺｎＡｌ合金層からなり、ＺｎにＡｌをドープすることにより表面に凹凸の少ない平滑な層を形成させることができる。またＡｌの含有量が多すぎるとＺｎＡｌ合金層の消衰係数が大きくなり、光線透過率が大幅に低下してしまう。適切な透過率を得るためにはＡｌの含有量を１〜１０重量％とする必要がある。なお、ここでいう非Ａｇ合金層とは、Ａｇ層の直上に非Ａｇ合金層を成膜した直後は全厚が合金層であるが、ついで、例えば、該合金層の上層に誘電体の金属酸化物を成膜する時、酸化性雰囲気（例えば酸素８０％、アルゴン２０％）で成膜するため、該合金層の上層部の一部が酸化物に変換される。この上層部が酸化された一部の酸化物層と大部分の合金層を含めて非Ａｇ合金層と呼ぶ。すなわち非Ａｇ合金層の膜厚とは、最初にＺｎＡｌ合金層を成膜したときの膜厚を示す。
【００２０】
本発明の電磁波シールド膜付き基板表面に被覆される透明導電膜は、膜表面の抵抗値がシート抵抗として２．５Ω／□以下であり、可視光線透過率が７０％以上であることを特徴とするが、抵抗値が低くなればなるほど高い電磁波遮蔽性能が得られ、例えば、該抵抗値であるシート抵抗が２．５Ω／□以下の場合には、周波数１ＧＨｚにおける電磁波遮蔽性能が３０ｄＢ以上が得られ、ＰＤＰ等の機器から放射される電磁波をある程度までシールドすることが可能となる。また、可視光線透過率が７０％以上と高いので充分に明るい画像表示を得ることが可能となる。また、ガラス面側の可視光線反射率が約４％以下であるので周囲の景色の像の映り込みが少なく、コントラストの優れた画像表示が可能となる等の利点を有する。
【００２１】
本発明の透明基板としては、透明のガラス、プラスチック等を用いることが出来、例えばガラス基板としては、汎用の普通板ガラス、所謂フロート板ガラスなどであり、クリアをはじめグリ−ン、ブロンズ等各種着色ガラスや各種機能性ガラス、強化ガラスやそれに類するガラス、合せガラスのほか複層ガラス等、さらに平板あるいは曲げ板等各種板ガラス製品として使用できることは言うまでもない。また、ガラスは透明プラスチック板等との積層体であってもよい。なお、ガラスの組成は、ソーダ石灰ガラス、アルミノシリケートガラス等であるが、これらに限定されないことは、言うまでもない。
なお、強化された強化ガラス（例えば、表面圧縮応力が１００ＭＮ／ｍ２程度）、或いは半強化ガラス（例えば、表面圧縮応力が４０〜８０ＭＮ／ｍ２程度）を用いるとガラスが割れにくいのでより好ましい。
また、本発明の導電膜の成膜方法は、生産性の点よりスパッタリング法が好ましいが、その他の成膜法である真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＰＣＶＤ（プラズマＣＶＤ）法等で成膜することも可能である。
【００２２】
なお、本発明の電磁波シールド膜付き基板は、ＰＤＰ、ＣＲＴなどのディスプレイ前面から発生する電磁波、或いはリモコンの誤動作を生じる近赤外線の遮蔽機能を有する電磁波シールド膜付き基板に用いることが可能であり、例えば、ＰＤＰ用に用いる場合には、本発明の電磁波シールド膜付き基板の表面及び裏面に粘着剤等により反射防止、銀系透明導電膜の防湿、ガラス割れ時の飛散防止、粘着層の色素添加によるフィルタ全体の色度調整などの機能を有する透明フィルムを貼り付け、ＰＤＰの前面（電磁遮蔽膜はＰＤＰ側）に装着して用いることが出来る。
【００２３】
【実施例】
以下、実施例により本発明を具体的に説明する。なお、成膜はＤＣマグネトロンスパッタリング法により行った。ただし本発明はかかる実施例に限定されるものではない。
【００２４】
なお、下記に示す実施例、比較例で得られた電磁波シールド膜付き基板のサンプルの性能評価は以下の方法で評価した。
（１）可視光線透過率、可視光線反射率：
ＪＩＳ Ｒ ３１０６に準拠し、分光光度計（４０００型、日立製作所製スペクトロフォトメーター）により波長３８０〜７８０ｎｍ間の可視光線透過率Ｔｖ、可視光線反射率（膜面側）を測定した。
（２）抵抗値：
４探針プローブ抵抗計（エプソン社製）
（３）膜厚：
段差測定器ｄｅｋｔａｋ３（Ｓｌｏａｎ社製）により測定した。
（４）電磁遮蔽性：
米国軍用規格ＭＩＬ−ｓｔｄ２８５に準じる
実施例１
大きさが１０００ｍｍ×５８０ｍｍ×約３ｍｍ（厚さ）のフロートガラス基板（可視光線透過率：９０．４％、ガラスの周縁部の黒枠プリントおよびブスバー付き、半強化加工品）の表面上に、スパッタ装置を用いて下記順序で被膜を形成した。
【００２５】
先ず、スパッタ装置に、カソードに予めＳｎ、Ｚｎ（３台）、Ａｇ、ＺｎＡｌ（Ａｌ含有率４ｗｔ％）の各金属ターゲットを取り付けたのち、成膜前の圧力が１．５×１０−４Ｐａ以下となるまで真空チャンバー内の排気を充分に行った。なお、本方法は、真空チャンバー内のターゲットの下方に搬送ロールが設置され、そのロール上をガラス基板が往復動する時に電力が印加されたターゲットより所定の金属層あるいは金属酸化物層がガラス板上に成膜されるようになっている。
【００２６】
１パス目として、成膜室の雰囲気を酸化性雰囲気（Ｏ２：Ａｒ＝９：１）に保持し、Ｓｎターゲットにより第１誘電体層の１層目としてのＳｎＯ２層を３ｎｍ成膜した後、１層目と同条件でＺｎターゲットにより２層目のＺｎＯ層を３８ｎｍ成膜した。
【００２７】
２パス目として雰囲気をＡｒ１００％の不活性雰囲気に保持し、Ａｇターゲットにより第１Ａｇ層としてのＡｇ層を１０ｎｍ、ＺｎＡｌターゲットにより第１非Ａｇ合金層としてのＺｎＡｌ合金層を１．６ｎｍ成膜した。
【００２８】
３パス目として成膜室の雰囲気を再び酸化性雰囲気（Ｏ２：Ａｒ＝９：１）に保持し、第２誘電体層の金属酸化物層を形成した。第２誘電体層の１層目としてのＺｎＡｌｘＯｙ層を３．３ｎｍ、２層目としてのＳｎＯ２層を１．８ｎｍ、３層目としてのＺｎＯ層を４５ｎｍ、４層目としてのＳｎＯ２層を３．５ｎｍ、５層目としてのＺｎＯ層を２２．４ｎｍ順次成膜した。
【００２９】
４パス目として雰囲気をＡｒ１００％の不活性雰囲気に保持し、Ａｇターゲットにより第２Ａｇ層としてのＡｇ層を１４ｎｍ、ＺｎＡｌターゲットにより第２非Ａｇ合金層としてのＺｎＡｌ合金層を１．６ｎｍ成膜した。
５パス目として成膜室の雰囲気を再び酸化性雰囲気（Ｏ２：Ａｒ＝９：１）に保持し、第３誘電体層の１層目としてのＺｎＡｌｘＯｙ層を３．４ｎｍ、２層目としてのＳｎＯ２層を１．８ｎｍ、３層目としてのＺｎＯ層を４６ｎｍ、４層目としてのＳｎＯ２層を３．６ｎｍ、５層目としてのＺｎＯ層を２３．２ｎｍ順次成膜した。
【００３０】
６パス目として雰囲気をＡｒ１００％の不活性雰囲気に保持し、Ａｇターゲットにより第３Ａｇ層としてのＡｇ層を１２ｎｍ、ＺｎＡｌターゲットにより第３の非Ａｇ合金層としてのＺｎＡｌ合金層を２．２ｎｍ成膜した。
【００３１】
７パス目として成膜室の雰囲気を再び酸化性雰囲気（Ｏ２：Ａｒ＝９：１）に保持し、第４誘電体層の１層目としてのＺｎＡｌｘＯｙ層を１．３ｎｍ、２層目としてのＳｎＯ２層を０．７ｎｍ、３層目としてのＺｎＯ層を１８．４ｎｍ、４層目としてのＳｎＯ２層を１．４ｎｍ、５層目としてのＺｎＯ層を１８．５ｎｍ、６層目としてのＳｎＯ２層を０．７ｎｍ順次成膜し、透明導電膜が被覆された電磁波シールド膜付き基板を成膜室より取り出した。得られた透明導電膜の層構成を図１に示した。
【００３２】
以上のようにして本発明の電磁波シールド膜付き基板サンプルを作製した。
【００３３】
得られた電磁波シールド膜付き用基板の特性を評価した結果、表面抵抗：２．５Ω／□、電磁波シールド性（３０〜１０００ＭＨｚ）：３０ｄＢ以上、可視光線透過率７０％、可視光反射率４％と優れた特性を有するものであった。次に、上記で得られた透明導電膜が被覆された電磁波シールド膜付き用基板の表面と裏面に、粘着剤を有したＡＲ（反射防止）処理付きのＡＲフィルム（日本油脂製Ｒｅａｌｏｏｋ、基材はＴＡＣ樹脂製、粘着剤はアクリル系樹脂）を貼り付け電磁波シールドフィルターを作製した。このＡＲフィルムは、反射防止を行うとともに透明導電膜の保護とガラス基板の割れ飛散防止等の機能を有するものである。なお、該透明導電膜は、ガラス基板表面の周縁部にプリント印刷された黒枠の上面に設けられたブスバーに接続された。
【００３４】
この作製した電磁波シールドフィルターの特性を評価した結果、表面抵抗：２．５Ω／□、電磁波シールド性（３０〜１０００ＭＨｚ）：３０ｄＢ以上、可視光線透過率７１％、可視光線反射率：近赤外線透過率（９５０ｎｍ）：２．８％を示すとともに、耐湿性（６０℃、９０％ＲＨ、１０００ｈ）も評価した結果、０．２ｍｍ以上の大きさをもつ顕著な膜欠陥や色度変化は無くＰＤＰ用の電磁波シ−ルドフィルターとして優れた性能を有していた。
【００３５】
実施例２
実施例１と同じ成膜基板を用い、実施例１と同じ成膜条件によって第１誘電体層の膜厚が４１ｎｍ、第１Ａｇ層膜厚が９．５ｎｍ、第１非Ａｇ合金層膜厚が１．６ｎｍ、第２誘電体層膜厚が８０ｎｍ、第２Ａｇ層膜厚が１３．５ｎｍ、第２非Ａｇ合金層膜厚が１．６ｎｍ、第３誘電体層膜厚が８２ｎｍ、第３Ａｇ層膜厚が１１．５ｎｍ、第３非Ａｇ合金層膜厚が２．２ｎｍ、第４誘電体層膜厚が４２ｎｍとなるように成膜時間を調節して透明導電膜が被覆された電磁波シールド膜付き基板を作製した。
【００３６】
実施例３
実施例１と同じ成膜基板を用い、実施例１と同じ成膜条件によって第１誘電体層の膜厚が４１ｎｍ、第１Ａｇ層膜厚が１０ｎｍ、第１非Ａｇ合金層膜厚が２．０ｎｍ、第２誘電体層膜厚が７６ｎｍ、第２Ａｇ層膜厚が１４ｎｍ、第２非Ａｇ合金層膜厚が２．０ｎｍ、第３誘電体層膜厚が７８ｎｍ、第３Ａｇ層膜厚が１２ｎｍ、第３非Ａｇ合金層膜厚が２．６ｎｍ、第４誘電体層膜厚が４１ｎｍとなるように成膜時間を調節して透明導電膜が被覆された電磁波シールド膜付き基板を作製した。
【００３７】
実施例４
実施例１と同じ成膜基板を用い、実施例１と同じ成膜条件によって第１誘電体層の膜厚が４１ｎｍ、第１Ａｇ層膜厚が９ｎｍ、第１非Ａｇ合金層膜厚が１．６ｎｍ、第２誘電体層膜厚が７６ｎｍ、第２Ａｇ層膜厚が１３ｎｍ、第２非Ａｇ合金層膜厚が１．６ｎｍ、第３誘電体層膜厚が７８ｎｍ、第３Ａｇ層膜厚が１１ｎｍ、第３非Ａｇ合金層膜厚が２．２ｎｍ、第４誘電体層膜厚が４１ｎｍとなるように成膜時間を調節して透明導電膜が被覆された電磁波シールド膜付き基板を作製した。
【００３８】
表１に実施例１〜４の透明導電膜の各層膜厚および可視光線透過率、可視光線反射率、表面抵抗値を示した。
【００３９】
【表１】
【００４０】
比較例１
実施例１と同じ成膜基板を用い、実施例１と同じ成膜条件によって第１誘電体層の膜厚が３５ｎｍ、第１Ａｇ層膜厚が１０ｎｍ、第１非Ａｇ合金層膜厚が１．６ｎｍ、第２誘電体層膜厚が７０ｎｍ、第２Ａｇ層膜厚が１４ｎｍ、第２非Ａｇ合金層膜厚が１．６ｎｍ、第３誘電体層膜厚が７０ｎｍ、第３Ａｇ層膜厚が１２ｎｍ、第３非Ａｇ合金層膜厚が２．２ｎｍ、第４誘電体層膜厚が３５ｎｍとなるように成膜時間を調節して透明導電膜が被覆された電磁波シールド膜付き基板を作製した。
【００４１】
比較例２
実施例１と同じ成膜基板を用い、実施例１と同じ成膜条件によって第１誘電体層の膜厚が４１ｎｍ、第１Ａｇ層膜厚が１０ｎｍ、第１非Ａｇ合金層膜厚が０ｎｍ、第２誘電体層膜厚が７６ｎｍ、第２Ａｇ層膜厚が１４ｎｍ、第２非Ａｇ合金層膜厚が０ｎｍ、第３誘電体層膜厚が７８ｎｍ、第３Ａｇ層膜厚が１２ｎｍ、第３非Ａｇ合金層膜厚が０ｎｍ、第４誘電体層膜厚が４１ｎｍとなるように成膜時間を調節して透明導電膜が被覆された電磁波シールド膜付き基板を作製した。
【００４２】
比較例３
実施例１と同じ成膜基板を用い、実施例１と同じ成膜条件によって第１誘電体層の膜厚が４１ｎｍ、第１Ａｇ層膜厚が１０ｎｍ、第１非Ａｇ合金層膜厚が３．２ｎｍ、第２誘電体層膜厚が７６ｎｍ、第２Ａｇ層膜厚が１４ｎｍ、第２非Ａｇ合金層膜厚が３．２ｎｍ、第３誘電体層膜厚が７８ｎｍ、第３Ａｇ層膜厚が１２ｎｍ、第３非Ａｇ合金層膜厚が３．２ｎｍ、第４誘電体層膜厚が４１ｎｍとなるように成膜時間を調節して透明導電膜が被覆された電磁波シールド膜付き基板を作製した。
【００４３】
比較例４
実施例１と同じ成膜基板を用い、スパッタ装置のカソードに予め取り付けるＺｎＡｌターゲットのＡｌ含有率を１５ｗｔ％とする以外はすべて実施例１と同じ成膜条件および膜厚で成膜し、透明導電膜が被覆された電磁波シールド膜付き基板を作製した。
【００４４】
表２に比較例１〜４の透明導電膜の各層膜厚および可視光線透過率、可視光線反射率、表面抵抗値を示した。
【００４５】
【表２】
【００４６】
【発明の効果】
本発明の電磁波シールド膜付き基板は、透明導電膜の抵抗値が２．５Ω／□以下で電磁遮蔽性能に優れるとともに、可視光透過率が７０％以上で反射率も低いために画像表示が見易いバランスのとれた電磁波シールド膜付き基板を安価に提供できるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態である透明導電膜の層構成の断面図である。[0001]
[Prior art]
[0002]
[Patent Document 1]
WO98 / 13850 [0003]
[Patent Document 2]
JP-A-11-307987
PDPs emit electromagnetic waves harmful to the human body (frequency: 30 to 1000 MHz) or near-infrared rays (wavelength: 850 to 1000 nm) that may cause malfunctions of remote controllers of peripheral home appliances. There is a need to. As a countermeasure for this, it is conventionally known that a PDP filter substrate in which a transparent conductive film is coated on a glass substrate for the purpose of shielding electromagnetic waves and near infrared rays is mounted on the front surface of the PDP.
[0005]
For example, in WO98 / 13850, an oxide layer containing ZnO as a main component containing one or more metals and a metal layer containing Ag as a main component are alternately laminated (2n + 1) layers from the substrate side. A PDP protective plate covered with a multilayer conductive film is described. In Japanese Patent Application Laid-Open No. H11-307987, a dielectric layer having a refractive index of 1.6 to 2.8 and a silver main layer are referred to from the substrate side. An electromagnetic wave filter for a PDP having a seven-layer laminate in which component layers are alternately laminated, and an electromagnetic shielding film in which a silver main component layer contains 0.1 to 0.5 atomic% of Pd with respect to silver. Has been described.
[0006]
[Problems to be solved by the invention]
However, the invention disclosed in WO98 / 13850 uses an Ag layer to which Pd or the like is added as an Ag layer, which is disadvantageous in cost, and the addition of Pd or the like to the Ag layer causes a reduction in film thickness. There is a problem that the resistance value becomes higher than that of the other metal layers. The electromagnetic shielding film described in Japanese Patent Application Laid-Open No. H11-307987 uses an Ag film to which expensive Pd is added as a metal film in the same manner as described above for the purpose of securing moisture resistance. Then, the resistance value of the transparent conductive film that contributes to the electromagnetic wave shielding property increases, causing problems such as a decrease in the electromagnetic wave shielding property, and is disadvantageous in cost.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
The present invention has been made in view of the above-described conventional problems, and has a transparent conductive film that employs a multilayer film of 10 layers including a dielectric layer using optical interference, an Ag layer, and a non-Ag alloy layer. As a result, the resistance value (sheet resistance Ω / □) of the film is reduced to 2.5 Ω / □ or less to enhance the electromagnetic shielding performance, and the visible light transmittance is increased to 70% or more to provide a sufficiently bright image display. The present invention provides a well-balanced substrate having an electromagnetic wave shielding film having a low visible light reflectance and a low visible light reflectance.
[0008]
That is, in the substrate with an electromagnetic wave shielding film of the present invention, a dielectric layer, an Ag layer, and a non-Ag alloy layer are repeatedly laminated in nine layers in this order from the substrate side to the transparent substrate surface, and further a dielectric layer is laminated thereon. The transparent conductive film thus formed is characterized by having a surface resistance (sheet resistance) of 2.5 Ω / □ or less and a visible light transmittance of 70% or more.
[0009]
Further, the substrate with an electromagnetic wave shielding film according to the present invention is characterized in that each Ag layer has a thickness of 9 to 15 nm, and further, that any of the Ag layers has an Ag purity of 5N or more. The Ag layer forms a high-density structure by setting the base pressure at the time of film formation to a high vacuum by using polycold or the like, whereby a thin film having a low specific resistance can be obtained.
[0010]
Furthermore, the substrate with an electromagnetic wave shielding film of the present invention is obtained by forming a first dielectric layer composed of a transparent metal oxide layer / a first Ag layer / a first non-Ag alloy layer composed of ZnAl / a transparent metal oxide layer on a transparent substrate. Second dielectric layer / second Ag layer / second non-Ag alloy layer made of ZnAl / third dielectric layer made of transparent metal oxide layer / third Ag layer / third non-Ag alloy layer made of ZnAl / transparent metal A substrate on which a transparent conductive film composed of a fourth dielectric layer composed of an oxide layer is laminated, wherein the thickness of each Ag layer is 9 to 15 nm, and the thickness of a non-Ag alloy layer composed of ZnAl is 1. 0 to 3.0 nm, the first and fourth dielectric layers have a thickness of 40 to 50 nm, and the second and third dielectric layers have a thickness of 75 to 85 nm. .
[0011]
Further, the substrate with an electromagnetic wave shielding film of the present invention is characterized in that a protective plate made of a resin film is provided on the front and / or back surface of the substrate.
Further, the substrate with an electromagnetic wave shielding film according to the present invention is characterized in that it is mounted on the front surface of a plasma display.
[0012]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
The substrate with an electromagnetic wave shielding film of the present invention is a transparent conductive film in which a dielectric layer, an Ag layer, and a non-Ag alloy layer are repeatedly laminated in nine layers on a transparent substrate surface in this order, and a dielectric layer is further laminated thereon. , And the sheet has a sheet resistance of 2.5 Ω / □ or less and a visible light transmittance of 70% or more. Further, the transparent conductive film is, from the substrate side, a first dielectric layer composed of a transparent metal oxide layer / a first Ag layer / a first non-Ag alloy layer composed of ZnAl / a second dielectric composed of a transparent metal oxide layer. Layer / second Ag layer / second non-Ag alloy layer made of ZnAl / third dielectric layer made of transparent metal oxide layer / third Ag layer / third non-Ag alloy layer made of ZnAl / transparent metal oxide layer The first dielectric layer and the fourth dielectric layer are formed of a fourth dielectric layer, each of the Ag layers has a thickness of 9 to 15 nm, the thickness of the non-Ag alloy layer made of ZnAl is 1.0 to 3.0 nm, respectively. The thickness of the body layer is 40 to 50 nm, and the thickness of the second dielectric layer and the third dielectric layer is 75 to 85 nm.
[0013]
The Ag layer which affects the electromagnetic shielding performance, the thickness of the Ag layer affects the electromagnetic shielding property, the visible light transmittance and the visible light reflectance, and in order to obtain a high electromagnetic shielding property of 30 dB or more, each Ag layer is required. In both cases, a film thickness of 10 nm or more is required. On the other hand, visible light transmittance is maintained at 70% or more for brightening an image and visibility is improved, and visible light reflectance is 4% for enhancing image contrast. In order to make the thickness as low as possible, the thickness of each Ag layer is preferably 15 nm or less. In particular, the thickness of the first Ag layer is 9 to 10 nm, the thickness of the second Ag layer is 13 to 14 nm, and the thickness of the third silver layer. Is more preferably 11 to 12 nm. When only two Ag layers are provided, the surface resistance of the film surface as in the present invention is 2.5Ω / □ or less, the visible light transmittance is 70% or more, and the visible light reflectance is 4% or less. Getting things is not easy.
Further, the Ag layer used in the present invention is preferably a layer that does not contain an additive such as Pd, particularly Ag having a purity of 5N or more. (Polycold is a product name of POLYCOLD SYSTEMS in the United States.) It is possible to form an Ag film having a low specific resistance by forming a high-density structure by applying a high vacuum by using such a method.
Next, each dielectric layer composed of a transparent oxide layer is formed at least of a zinc oxide layer or a tin oxide layer, and the thickness of each dielectric layer is 3 to 50 nm for the tin oxide layer of the first dielectric layer. The zinc oxide layer is 5 to 50 nm, the tin oxide layer in the second dielectric layer is 0 to 85 nm, the zinc oxide layer is 5 to 85 nm, the tin oxide layer in the third dielectric layer is 5 to 85 nm, and the zinc oxide layer is 5 to 85 nm. The thickness of the tin oxide layer in the fourth dielectric layer is preferably 0 to 50 nm, and the thickness of the zinc oxide layer is preferably 0 to 50 nm. If the thickness is outside the above range, the visible light transmittance cannot be 70% or more. .
[0014]
Of these, the amorphous coating consisting of a tin oxide layer as an oxide layer is chemically and mechanically strong, and has a strong adhesive force with glass due to its amorphous loose structure, and also generates internal stress. Hard to do. Therefore, it is desirable to coat directly on the glass. The tin oxide layer not only enhances adhesion to glass, but also plays a role in cutting off the influence of alkali ions. The dielectric layer is not limited to the zinc oxide layer and the tin oxide layer, but may be titanium oxide, SnZnO, ZnAlO, ITO, or the like.
[0015]
However, the tin oxide layer has particularly poor adhesion to silver and is likely to peel off at the tin oxide layer / silver layer interface. In addition, tin oxide has a weak bond with oxygen, as can be seen from its ionization tendency, and because of the high chemical potential of oxygen in the coating, oxygen easily diffuses into the silver layer, increasing the electrical resistance and achieving high electromagnetic wave shielding. hard.
For these reasons, it is preferred that the tin oxide layer not be in contact with the silver layer. Note that the tin oxide layer may contain an element as an amorphous coating component that improves the chemical and mechanical properties and increases the adhesion to glass.
[0016]
On the other hand, the zinc oxide layer has a high adhesion to the silver layer and a low oxygen potential in the layer due to a high bonding force with oxygen, so that oxygen hardly diffuses into the silver layer. Therefore, the layer immediately below the silver layer is preferably a zinc oxide layer. Note that the zinc oxide layer may contain a known element (Al, Sn, or the like) as a component of a film that does not reduce the adhesion to the silver layer and makes oxygen less likely to diffuse into the silver layer. .
[0017]
It is important to keep the chemical potential of oxygen in the oxide layer in contact with the silver layer as low as possible, and it is desirable to add as much argon as possible together with oxygen to the atmosphere during the formation of zinc oxide. A desirable argon addition rate varies depending on the equipment, but is generally 10 to 30%. This value is determined by gradually adding argon from an oxygen atmosphere, observing a sudden increase in the voltage applied to the target or a sudden decrease in the current, and then slightly reducing the argon.
In addition, the zinc oxide layer is dense and has an effect of preventing the diffusion of corrosive gas in the atmosphere, and has a function of absorbing ultraviolet rays contained in sunlight, but has low chemical durability. When a zinc oxide layer is used, it is preferable to further provide a tin oxide layer, which is an amorphous oxide, on the zinc oxide layer.
[0018]
Further, as the metal oxide layer as the dielectric layer, it is preferable to use a ZnAl x O y (x = 1 to 2, y = 1 to 4) layer in addition to the ZnO layer. This ZnAl x O y layer is particularly useful for preventing oxidation of the Ag layer when a heat treatment is performed at a temperature higher than the softening point of glass after forming a conductive film for bending and / or strengthening (including semi-strengthening). It is particularly effective, and is preferably provided immediately above a non-Ag alloy layer made of ZnAl described later.
[0019]
Next, immediately above the Ag layer, a non-Ag alloy layer for preventing light scattering due to unevenness at the interface between the Ag layer and the oxide dielectric layer is provided. When the oxide dielectric layer is formed directly on the Ag layer, irregularities are formed at the Ag / dielectric interface, and the irregularities cause light scattering, which significantly reduces the light transmittance. However, since this non-Ag alloy layer is a light absorbing layer, even if it is too thick, the light transmittance is reduced. In order to obtain an appropriate transmittance, the thickness of the non-Ag alloy layer needs to be 1.0 to 3.0 nm. Further, the non-Ag alloy layer is composed of a ZnAl alloy layer containing Al, and by doping Zn with Al, a smooth layer with less unevenness can be formed on the surface. On the other hand, if the content of Al is too large, the extinction coefficient of the ZnAl alloy layer becomes large, and the light transmittance is greatly reduced. To obtain an appropriate transmittance, the Al content needs to be 1 to 10% by weight. Note that the non-Ag alloy layer referred to here is an alloy layer having the entire thickness immediately after the formation of the non-Ag alloy layer immediately above the Ag layer. When the oxide is formed, a part of the upper layer of the alloy layer is converted to the oxide because the oxide is formed in an oxidizing atmosphere (for example, oxygen 80%, argon 20%). A non-Ag alloy layer including a part of the oxide layer whose upper part is oxidized and a part of the alloy layer is referred to as a non-Ag alloy layer. That is, the thickness of the non-Ag alloy layer indicates the thickness when the ZnAl alloy layer is formed first.
[0020]
The transparent conductive film coated on the substrate surface with the electromagnetic wave shielding film of the present invention is characterized in that the resistance value of the film surface is 2.5 Ω / □ or less as sheet resistance and the visible light transmittance is 70% or more. However, the lower the resistance value, the higher the electromagnetic wave shielding performance is obtained. For example, when the sheet resistance, which is the resistance value, is 2.5 Ω / □ or less, the electromagnetic wave shielding performance at a frequency of 1 GHz is 30 dB or more. This makes it possible to shield electromagnetic waves radiated from devices such as PDPs to a certain extent. Further, since the visible light transmittance is as high as 70% or more, a sufficiently bright image display can be obtained. Further, since the visible light reflectance on the glass surface side is about 4% or less, there is an advantage that an image of the surrounding scenery is less reflected and an image display with excellent contrast can be performed.
[0021]
As the transparent substrate of the present invention, transparent glass, plastic, and the like can be used. For example, the glass substrate is a general-purpose ordinary plate glass, so-called float plate glass, and various colored glass such as clear, green, and bronze. Needless to say, it can be used as various kinds of glass products such as glass, various functional glasses, tempered glass and similar glasses, laminated glass, double-glazed glass and the like, and furthermore, flat and bent plates. Further, the glass may be a laminate with a transparent plastic plate or the like. The glass composition is soda lime glass, aluminosilicate glass, or the like, but it is needless to say that the glass composition is not limited to these.
Note that it is more preferable to use reinforced tempered glass (for example, surface compressive stress is about 100 MN / m2) or semi-tempered glass (for example, surface compressive stress is about 40 to 80 MN / m2) because the glass is hard to break.
The method for forming a conductive film of the present invention is preferably a sputtering method from the viewpoint of productivity, but is formed by other film forming methods such as a vacuum deposition method, an ion plating method, and a PCVD (plasma CVD) method. It is also possible.
[0022]
The substrate with an electromagnetic wave shielding film of the present invention can be used as a substrate with an electromagnetic wave shielding film having a shielding function of an electromagnetic wave generated from the front surface of a display such as a PDP or a CRT or a near infrared ray that causes a malfunction of a remote controller. For example, when used for a PDP, the front and back surfaces of the substrate with an electromagnetic wave shielding film of the present invention are used to prevent reflection by an adhesive or the like, to prevent moisture from the silver-based transparent conductive film, to prevent scattering when glass breaks, and to add a dye to the adhesive layer. A transparent film having a function of adjusting the chromaticity of the entire filter is attached to the front surface of the PDP (the electromagnetic shielding film is on the PDP side) and used.
[0023]
【Example】
Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples. The film was formed by DC magnetron sputtering. However, the present invention is not limited to such an embodiment.
[0024]
In addition, the performance evaluation of the sample of the board | substrate with an electromagnetic wave shielding film obtained by the following Example and the comparative example was evaluated by the following methods.
(1) Visible light transmittance, visible light reflectance:
According to JIS R 3106, a visible light transmittance Tv and a visible light reflectance (film surface side) between 380 and 780 nm in wavelength were measured by a spectrophotometer (Model 4000, a spectrophotometer manufactured by Hitachi, Ltd.).
(2) Resistance value:
4-probe probe resistance meter (Epson)
(3) Film thickness:
It was measured by a step difference measuring instrument dektak3 (manufactured by Sloan).
(4) Electromagnetic shielding:
Example 1 according to US military standard MIL-std285
Sputtering is performed on the surface of a float glass substrate (visible light transmittance: 90.4%, black frame printed on the periphery of glass and with a bus bar, semi-reinforced product) having a size of 1000 mm × 580 mm × about 3 mm (thickness). Coatings were formed using the apparatus in the following order.
[0025]
First, after a metal target of Sn, Zn (three), Ag, and ZnAl (Al content: 4 wt%) was previously attached to the cathode of the sputtering apparatus, the pressure before film formation was 1.5 × 10 −4 Pa. The vacuum chamber was sufficiently evacuated until the following conditions were reached. In this method, a transfer roll is installed below a target in a vacuum chamber, and when a glass substrate reciprocates on the roll, a predetermined metal layer or metal oxide layer is applied to the glass plate from the target to which power is applied. A film is formed thereon.
[0026]
As a first pass, the atmosphere in the film forming chamber is kept in an oxidizing atmosphere (O2: Ar = 9: 1), and a SnO2 layer as the first layer of the first dielectric layer is formed to a thickness of 3 nm using a Sn target. Under the same conditions as the first layer, a second ZnO layer was formed to a thickness of 38 nm using a Zn target.
[0027]
In the second pass, the atmosphere was maintained in an inert atmosphere of Ar 100%, and an Ag layer was formed as a first Ag layer to a thickness of 10 nm using an Ag target, and a ZnAl alloy layer as a first non-Ag alloy layer was formed to a thickness of 1.6 nm using a ZnAl target. .
[0028]
As the third pass, the atmosphere in the film formation chamber was again kept in the oxidizing atmosphere (O 2 : Ar = 9: 1), and the metal oxide layer as the second dielectric layer was formed. The ZnAl x O y layer as the first layer of the second dielectric layer is 3.3 nm, the SnO 2 layer as the second layer is 1.8 nm, the ZnO layer as the third layer is 45 nm, and the SnO layer as the fourth layer is Two layers were sequentially formed at 3.5 nm, and a fifth ZnO layer was formed at 22.4 nm.
[0029]
In the fourth pass, the atmosphere was kept in an inert atmosphere of 100% Ar, and an Ag layer as a second Ag layer was formed to a thickness of 14 nm using an Ag target, and a ZnAl alloy layer as a second non-Ag alloy layer was formed to a thickness of 1.6 nm using a ZnAl target. .
In the fifth pass, the atmosphere in the film forming chamber is again kept in the oxidizing atmosphere (O 2 : Ar = 9: 1), and the ZnAl x O y layer as the first layer of the third dielectric layer is 3.4 nm, The first SnO 2 layer was 1.8 nm, the third ZnO layer was 46 nm, the fourth SnO 2 layer was 3.6 nm, and the fifth ZnO layer was 23.2 nm. .
[0030]
At the sixth pass, the atmosphere is maintained in an inert atmosphere of 100% Ar, and an Ag layer is formed as a third Ag layer with a thickness of 12 nm using an Ag target, and a ZnAl alloy layer as a third non-Ag alloy layer is formed with a thickness of 2.2 nm using a ZnAl target. did.
[0031]
At the seventh pass, the atmosphere in the film forming chamber is again kept at the oxidizing atmosphere (O 2 : Ar = 9: 1), and the ZnAlxOy layer as the first layer of the fourth dielectric layer is 1.3 nm and the second layer is the second layer. The SnO 2 layer of 0.7 nm, the ZnO layer as the third layer was 18.4 nm, the SnO 2 layer as the fourth layer was 1.4 nm, the ZnO layer as the fifth layer was 18.5 nm, and the sixth layer was the SnO 2 layer are sequentially deposited 0.7 nm, it was taken out from the deposition chamber an electromagnetic wave shielding film coated substrate a transparent conductive film is coated. FIG. 1 shows the layer structure of the obtained transparent conductive film.
[0032]
As described above, a substrate sample with an electromagnetic wave shielding film of the present invention was produced.
[0033]
As a result of evaluating the characteristics of the obtained substrate with an electromagnetic wave shielding film, the surface resistance was 2.5Ω / □, the electromagnetic wave shielding property (30 to 1000 MHz) was 30 dB or more, the visible light transmittance was 70%, and the visible light reflectance was 4%. And excellent characteristics. Next, an AR (anti-reflection) -treated AR film having an adhesive (Nippon Oil & Fat, Realook, base material) is provided on the front and back surfaces of the substrate for electromagnetic wave shielding film covered with the transparent conductive film obtained above. Is a TAC resin, and the adhesive is an acrylic resin) to produce an electromagnetic wave shield filter. The AR film has functions of preventing reflection, protecting the transparent conductive film, and preventing the glass substrate from cracking and scattering. The transparent conductive film was connected to a bus bar provided on the upper surface of a black frame printed and printed on the periphery of the glass substrate surface.
[0034]
As a result of evaluating the characteristics of the produced electromagnetic wave shielding filter, the surface resistance was 2.5Ω / □, the electromagnetic wave shielding property (30 to 1000 MHz) was 30 dB or more, the visible light transmittance was 71%, and the visible light reflectance was the near infrared transmittance. (950 nm): 2.8% and moisture resistance (60 ° C., 90% RH, 1000 h) was evaluated. As a result, there was no remarkable film defect having a size of 0.2 mm or more and no change in chromaticity. Of the present invention as an electromagnetic shield filter.
[0035]
Example 2
Using the same film forming substrate as in Example 1, under the same film forming conditions as in Example 1, the first dielectric layer had a thickness of 41 nm, the first Ag layer had a thickness of 9.5 nm, and the first non-Ag alloy layer had a thickness of 9.5 nm. 1.6 nm, second dielectric layer thickness 80 nm, second Ag layer thickness 13.5 nm, second non-Ag alloy layer thickness 1.6 nm, third dielectric layer thickness 82 nm, third Ag layer An electromagnetic wave shielding film coated with a transparent conductive film by adjusting the film forming time so that the film thickness becomes 11.5 nm, the third non-Ag alloy layer thickness becomes 2.2 nm, and the fourth dielectric layer film thickness becomes 42 nm. The attached substrate was produced.
[0036]
Example 3
The film thickness of the first dielectric layer was 41 nm, the thickness of the first Ag layer was 10 nm, and the thickness of the first non-Ag alloy layer was 2. using the same deposition substrate as in Example 1 and the same deposition conditions as in Example 1. 0 nm, the second dielectric layer thickness is 76 nm, the second Ag layer thickness is 14 nm, the second non-Ag alloy layer thickness is 2.0 nm, the third dielectric layer thickness is 78 nm, and the third Ag layer thickness is 12 nm. A substrate with an electromagnetic shielding film covered with a transparent conductive film was manufactured by adjusting the film forming time so that the thickness of the third non-Ag alloy layer was 2.6 nm and the thickness of the fourth dielectric layer was 41 nm.
[0037]
Example 4
Using the same film-forming substrate as in Example 1, under the same film-forming conditions as in Example 1, the first dielectric layer has a thickness of 41 nm, the first Ag layer has a thickness of 9 nm, and the first non-Ag alloy layer has a thickness of 1. 6 nm, the second dielectric layer thickness is 76 nm, the second Ag layer thickness is 13 nm, the second non-Ag alloy layer thickness is 1.6 nm, the third dielectric layer thickness is 78 nm, and the third Ag layer thickness is 11 nm. By adjusting the film forming time so that the thickness of the third non-Ag alloy layer was 2.2 nm and the thickness of the fourth dielectric layer was 41 nm, a substrate with an electromagnetic shielding film covered with a transparent conductive film was produced.
[0038]
Table 1 shows the thickness of each layer, the visible light transmittance, the visible light reflectance, and the surface resistance of the transparent conductive films of Examples 1 to 4.
[0039]
[Table 1]
[0040]
Comparative Example 1
Using the same film-forming substrate as in Example 1, under the same film-forming conditions as in Example 1, the first dielectric layer has a thickness of 35 nm, the first Ag layer has a thickness of 10 nm, and the first non-Ag alloy layer has a thickness of 1. 6 nm, the second dielectric layer thickness is 70 nm, the second Ag layer thickness is 14 nm, the second non-Ag alloy layer thickness is 1.6 nm, the third dielectric layer thickness is 70 nm, and the third Ag layer thickness is 12 nm. By adjusting the film formation time so that the thickness of the third non-Ag alloy layer was 2.2 nm and the thickness of the fourth dielectric layer was 35 nm, a substrate with an electromagnetic shielding film covered with a transparent conductive film was produced.
[0041]
Comparative Example 2
Using the same deposition substrate as in Example 1, under the same deposition conditions as in Example 1, the thickness of the first dielectric layer was 41 nm, the thickness of the first Ag layer was 10 nm, the thickness of the first non-Ag alloy layer was 0 nm, The second dielectric layer has a thickness of 76 nm, the second Ag layer has a thickness of 14 nm, the second non-Ag alloy layer has a thickness of 0 nm, the third dielectric layer has a thickness of 78 nm, the third Ag layer has a thickness of 12 nm, and the third non-Ag layer has a thickness of 12 nm. The film formation time was adjusted so that the thickness of the Ag alloy layer was 0 nm and the thickness of the fourth dielectric layer was 41 nm, to produce a substrate with an electromagnetic wave shielding film covered with a transparent conductive film.
[0042]
Comparative Example 3
The film thickness of the first dielectric layer was 41 nm, the thickness of the first Ag layer was 10 nm, and the thickness of the first non-Ag alloy layer was 3. using the same deposition substrate as in Example 1 and the same deposition conditions as in Example 1. 2 nm, the second dielectric layer thickness is 76 nm, the second Ag layer thickness is 14 nm, the second non-Ag alloy layer thickness is 3.2 nm, the third dielectric layer thickness is 78 nm, and the third Ag layer thickness is 12 nm. By adjusting the film formation time so that the thickness of the third non-Ag alloy layer was 3.2 nm and the thickness of the fourth dielectric layer was 41 nm, a substrate with an electromagnetic shielding film covered with a transparent conductive film was produced.
[0043]
Comparative Example 4
The same film-forming substrate as in Example 1 was used, and a film was formed under the same film-forming conditions and film thickness as in Example 1 except that the Al content of the ZnAl target previously attached to the cathode of the sputtering apparatus was 15 wt%. A substrate with an electromagnetic wave shielding film coated with the film was produced.
[0044]
Table 2 shows the thickness of each layer of the transparent conductive films of Comparative Examples 1 to 4, the visible light transmittance, the visible light reflectance, and the surface resistance.
[0045]
[Table 2]
[0046]
【The invention's effect】
The substrate with an electromagnetic wave shielding film of the present invention is excellent in electromagnetic shielding performance when the resistance value of the transparent conductive film is 2.5Ω / □ or less, and has a visible light transmittance of 70% or more and a low reflectance, so that image display is easy to see. A well-balanced substrate with an electromagnetic wave shielding film can be provided at low cost.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a sectional view of a layer configuration of a transparent conductive film according to an embodiment of the present invention.
