JP2004119885A - Optical receiver and peak sensor - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光受信装置とこの光受信装置に用いられるピーク検出器に関する。
【0002】
【従来の技術】
光受信装置は、到来した光を光電変換素子により電気信号に変換し、得られた電気信号を増幅器により所定の利得で増幅するという構成が普通である。光電変換素子としてはPIN型フォトダイオード、増幅器としてはトランスインピーダンス型増幅回路が一般的である。
【0003】
光電変換素子と増幅器とを同一の素子基板上にワンプロセスで形成することは困難である。よって、光電変換素子を素子チップとして、増幅器を集積回路としてそれぞれ個別に作製し、両者を基板上で近接させボンディングワイヤを介して互いに電気的に結合するといった製造プロセスが一般的である。
【0004】
ところで、近年では光通信システムにおける伝送レートの増大に伴い、光受信装置においても広帯域化信号の受信性能の向上が求められている。しかしながら帯域が数GHzオーダにまで及ぶと、上記のボンディングワイヤの長さが受信性能に影響をおよぼす。高周波領域においてはボンディングワイヤのインダクタンス成分が支配的になり、高周波信号が光電変換素子から増幅器へと通過しにくくなる。
【0005】
増幅器のなかでも、トランスインピーダンス型増幅器の利得Ztは一般に次式(1)で表される。
【0006】
【数1】
【0007】
ここで、S11、S21はそれぞれSパラメタの入力反射成分と入力信号通過成分を示し、Zoは系のインピーダンスを示す。式(1)から明らかなように、利得Ztは入力反射成分であるS11の値により大きく変動する。すなわち、S11が1に近づくにつれZtが無限大へ増大する。一方、ボンディングワイヤのインダクタンス成分によるインピーダンスは周波数とともに増大する。このことが入力反射成分S11の値を1に近づける作用を及ぼし、結果として受信利得は高周波領域にピークを示す。これが、いわゆるピーキングと呼ばれる現象である。
【0008】
ピーキングが生じると、ある特定周波数の利得が増大し利得偏差が生じる。その結果として受信信号にリンギングなどが重畳され、受信信号の波形が劣化する。このような事態に陥るとビットエラー率が増加するなどの悪影響が生じ、通信システムの性能に害を及ぼす。
【0009】
なお、光通信システムにおける受信帯域の拡大に関する技術を開示した公知文献として、下記の特許文献1がある。この文献には、ボンディングワイヤの長さを極力短くすることでインダクタンス成分を抑圧できることが述べられている。また、光/電気変換素子の信号側ラインのみならず電源側ラインについてもその長さを十分に短くできるようにし、GHz帯のような広帯域光信号を良好に受信できるようにした発明が開示されている。
【0010】
しかしながら近年においては、通信システムにおける帯域需要はますます大きくなってきており、受信装置において求められる性能も厳しさを増しているため、現時点では下記特許文献が出願された時点におけるよりもさらに高度な性能が求められている。
【0011】
【特許文献1】
特開2000−269541号公報(段落番号[0006]、[0013])
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
上記したように、PIN型フォトダイオードと電気信号増幅器とは、光受信装置への実装にあたり互いにボンディングワイヤを介して接続される。ボンディングワイヤのインダクタンス成分によるインピーダンスは高周波領域において顕著となるため、特に広帯域信号を受信する際にはピーキングを生じて信号波形が劣化するという不具合がある。
【0013】
本発明は上記事情によりなされたもので、その目的は、ボンディングワイヤのインダクタンス性に伴う受信利得のピーキングを抑圧し、これにより受信性能の向上を図った光受信装置およびピーク検出器を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明は、光信号を光/電気変換素子により電気信号に変換し、この電気信号を集積回路内に入力して該集積回路内の増幅器により増幅する光受信装置において、前記光/電気変換素子に前記集積回路の内部を通して電源電流を供給する電源供給手段と、所定のインダクタンス成分を有し前記光/電気変換素子の電源側端子を前記集積回路に接続する接続手段(例えばボンディングワイヤなど)と、前記電源供給手段と前記電源側端子との間に設けられ、前記インダクタンス成分に基づく前記電気信号のピーキングを制御するピーキング制御手段とを具備することを特徴とする。
【0015】
ピーキング制御手段は、例えば前記光/電気変換素子の電源側端子と前記電源供給手段との接続経路中に直列に設けられる抵抗素子と、この抵抗素子と前記集積回路の内部接地電位との間に並列に設けられるキャパシタ素子とを備え手構成される。
【0016】
このような構成とすると、光/電気変換素子の寄生容量Cpdとボンディングワイヤのインダクタンス成分Lwとが共振状態にある場合でも、抵抗素子およびキャパシタ素子により光/電気変換素子から増幅器への入力インピーダンスZinを有限な値に保つことができるようになる。従ってボンディングワイヤのインダクタンス性により生じるピーキングを抑圧することができ、利得偏差の少ない良好な周波数特性が得られる。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。
【0018】
(第1の実施形態)
図1は本発明に係わる光受信装置の第1の実施の形態を示す機能ブロック図である。図1において、光信号入力部1を介して導入された光信号は光/電気変換素子2により電気信号に変換される。この電気信号は増幅器5により所定の利得で増幅されて電気信号出力部6から出力される。
【0019】
光/電気変換素子2は電源電圧供給部3から駆動電圧の供給を受けて動作する。本実施形態では光/電気変換素子2と電源電圧供給部3との間にピーキング調整部41を設ける。増幅器5とピーキング調整部41はともに集積化され、共通の集積回路内に設けられる。
【0020】
図2は、図1に示される光受信装置の一実施の形態を示す回路図である。図2におけるフォトダイオード(PD)が図1の光/電気変換素子2に対応する。好ましくは、フォトダイオードPDとしてPIN型フォトダイオードを用いると良い。このフォトダイオードPDは、等価回路におけるキャパシタCpdとして表される寄生容量を有する。また増幅器5としては、トランスインピーダンスアンプなどを用いるのが好ましい。フォトダイオードPDはボンディングワイヤを介して増幅器5に接続され、そのインダクタンス成分を等価回路インダクタLwとして示す。
【0021】
ピーキング調整部41は集積回路内部において、フォトダイオードPDとその電源供給ラインとの間に設けられる。ピーキング調整部41は、フォトダイオードPDと電源供給ラインとの間に直列に接続される抵抗R1、および、電源供給ラインと集積回路内部の接地電位との間に接続されるキャパシタC1とを備える。このような構成において、光入力信号はフォトダイオードPDにおいて電流信号に変換され、この電流信号は増幅器5へと伝達される。
【0022】
一般に、この電流信号に含まれる高周波信号(例えばGHz帯)は、Cpd,Lwなどの寄生成分により増幅器5へ伝達されにくくなる。フォトダイオードPDの純ダイオード成分から増幅器5への入力インピーダンスZinを求めると、R1が0の場合、すなわち従来の光受信装置におけるZinは、次式(2)で表される。
【0023】
【数2】
【0024】
式(2)において、例えばCpd=0.3pF、Lw=1nHのとき、およそ9.2GHzで共振状態となり、Zinは無限大となる。よって式(1)から利得Ztも無限大となり、ピーキングが発生する。
【0025】
一方、本実施形態においては、R1として或る適切な有限値を選ぶことが可能である。図2の構成においてZinは次式(3)となる。
【0026】
【数3】
【0027】
すなわち、CpdとLwが共振状態でもZinは有限値を持ち、従って式(1)式から利得Ztの値に大きな変化は生じなくなる。これによりピーキングを抑圧することができ、理想的な出力信号波形を得ることができる。
【0028】
図3は、本実施形態の光受信装置のトランスインピーダンスアンプの利得の周波数特性を従来と比較して示す図である。図3(1)に示される従来の特性では、10GHz付近に8dB前後のピーキングが発生している。これに対し本実施形態の光受信装置の特性は、図3(2)に示されるように良好な結果を得られている。
【0029】
図4は、本実施形態の光受信装置のトランスインピーダンスアンプの群遅延特性を従来と比較して示す図である。図4(1)に示される従来の特性では、ピーキングが生じている10GHz付近で群遅延偏差が急激に増加している。これに対し本実施形態の光受信装置の特性は、図4(2)に示されるように、群遅延偏差が全ての周波数帯域にわたり非常に少ないことがわかる。
【0030】
このように本実施形態では、フォトダイオードPDと電源供給ラインとの間に直列に接続される抵抗器R1、および、電源供給ラインと集積回路内部の接地電位との間に接続されるキャパシタC1とを備えるピーキング調整部41を、フォトダイオードPDとその電源供給ラインとの間にピーキング調整部41を設ける。そして、抵抗器R1として適切な値を設定し、CpdとLwが共振状態にある場合でもZinに有限値をとらせるようにして、利得Ztの値の変化を抑圧する。これによりピーキングの発生を防止するようにしている。
【0031】
これにより、本実施形態の光受信装置を例えば高速光通信の受信装置に使用した場合でも、フォトダイオードPDと増幅器5とをボンディングワイヤを介して接続することにより生じるピーキングを効果的に抑制することができ、波形劣化の無い良好な信号を出力することができる。
【0032】
(第2の実施形態)
図5は本発明に係わる光受信装置の第2の実施の形態を示す機能ブロック図である。この実施形態は、特性可変型のピーキング調整部42(図1との区別のため参照符号42を付す)を設ける。また増幅器5と電気信号出力部6との間にピーク検出器7を設け、ピーク検出器7におけるピーキングの検出結果によりピーキング調整部42の特性を制御するようにしたものである。
【0033】
図6は、図5に示される光受信装置の一実施の形態を示す回路図である。図6においてピーキング調整部42は、それぞれ抵抗値の異なる抵抗器R1,R2を備える。これらの抵抗器はピーク検出器7から与えられるピーク検知信号により切り替えられ、ピーキング調整部42のピーキング抑圧特性を可変する。なお図6においても、フォトダイオードPDへの電源供給ラインと集積回路内部の接地電位との間に、キャパシタC1を接続してもよい。また、複数の抵抗器を切り替える代わりに、可変抵抗器を用いるようにしても良い。
【0034】
図7は、図6のピーク検出器7の一構成例を示す回路図である。図7において、増幅器5からの電気出力信号はその一部が分岐され、それぞれ周波数特性の異なる微分回路421,422に入力される。各微分回路421,422は電気出力信号の異なる周波数帯における微分値を出力し、減算器423に入力する。減算器423は各微分値の差を求め、これをピーク検出信号としてピーキング調整部に与える。
【0035】
このような構成であるから、本実施形態の光受信装置は、如何なる使用状態においてもピーキング抑圧特性を最適な状態に自動的に調整することが可能となる。従ってこの実施形態の光受信装置は、幹線系システムから家庭用の用途に至るまで、幅広く利用することができる。
【0036】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明によれば、ボンディングワイヤのインダクタンス性に伴う受信利得のピーキングを抑圧でき、これにより受信性能の向上を図った光受信装置およびピーク検出器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係わる光受信装置の第1の実施の形態を示す機能ブロック図。
【図2】図1に示される光受信装置の一実施の形態を示す回路図。
【図3】本発明の実施の形態に係わる光受信装置のトランスインピーダンスアンプの利得の周波数特性を従来と比較して示す図。
【図4】本発明の実施の形態に係わる光受信装置のトランスインピーダンスアンプの群遅延特性を従来と比較して示す図。
【図5】本発明に係わる光受信装置の第2の実施の形態を示す機能ブロック図。
【図6】図5に示される光受信装置の一実施の形態を示す回路図。
【図7】図6のピーク検出器7の一構成例を示す回路図。
【符号の説明】
1…光信号入力部
2…光/電気変換素子
3…電源電圧供給部
41,42…ピーキング調整部
5…増幅器
6…電気信号出力部
7…ピーク検出器[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to an optical receiving device and a peak detector used in the optical receiving device.
[0002]
[Prior art]
2. Description of the Related Art An optical receiving apparatus generally has a configuration in which incoming light is converted into an electric signal by a photoelectric conversion element, and the obtained electric signal is amplified with a predetermined gain by an amplifier. A PIN photodiode is generally used as the photoelectric conversion element, and a transimpedance amplifier circuit is generally used as the amplifier.
[0003]
It is difficult to form a photoelectric conversion element and an amplifier on the same element substrate in one process. Therefore, a manufacturing process is generally used in which a photoelectric conversion element is used as an element chip and an amplifier is individually manufactured as an integrated circuit, and both are brought close to each other on a substrate and electrically connected to each other via bonding wires.
[0004]
By the way, in recent years, with an increase in transmission rate in an optical communication system, an improvement in reception performance of a broadband signal has been demanded also in an optical receiver. However, when the band extends to the order of several GHz, the length of the bonding wire affects the reception performance. In the high frequency region, the inductance component of the bonding wire becomes dominant, and it becomes difficult for a high frequency signal to pass from the photoelectric conversion element to the amplifier.
[0005]
Among the amplifiers, the gain Zt of the transimpedance amplifier is generally represented by the following equation (1).
[0006]
(Equation 1)
[0007]
Here, S11 and S21 indicate the input reflection component and the input signal passing component of the S parameter, respectively, and Zo indicates the impedance of the system. As is clear from the equation (1), the gain Zt greatly varies depending on the value of S11 which is an input reflection component. That is, as S11 approaches 1, Zt increases to infinity. On the other hand, the impedance due to the inductance component of the bonding wire increases with the frequency. This has the effect of bringing the value of the input reflection component S11 closer to 1, and as a result, the reception gain shows a peak in the high frequency region. This is a phenomenon called so-called peaking.
[0008]
When the peaking occurs, the gain of a specific frequency increases and a gain deviation occurs. As a result, ringing or the like is superimposed on the received signal, and the waveform of the received signal deteriorates. When such a situation occurs, adverse effects such as an increase in the bit error rate occur, which adversely affects the performance of the communication system.
[0009]
As a known document that discloses a technique related to expansion of a reception band in an optical communication system, there is
[0010]
However, in recent years, the bandwidth demand in the communication system has become more and more strict, and the performance required in the receiving apparatus has also been increasing strictly. Performance is required.
[0011]
[Patent Document 1]
JP-A-2000-269541 (paragraph numbers [0006] and [0013])
[0012]
[Problems to be solved by the invention]
As described above, the PIN photodiode and the electric signal amplifier are connected to each other via the bonding wire when mounted on the optical receiver. Since the impedance due to the inductance component of the bonding wire becomes remarkable in a high frequency region, there is a problem that peaking occurs and a signal waveform is deteriorated particularly when a broadband signal is received.
[0013]
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide an optical receiver and a peak detector that suppress peaking of a reception gain due to the inductance property of a bonding wire and thereby improve reception performance. It is in.
[0014]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, the present invention relates to an optical receiver for converting an optical signal into an electric signal by an optical / electrical conversion element, inputting the electric signal into an integrated circuit, and amplifying the electric signal by an amplifier in the integrated circuit. Power supply means for supplying a power current to the optical / electrical conversion element through the inside of the integrated circuit; and connecting means having a predetermined inductance component and connecting a power supply side terminal of the optical / electrical conversion element to the integrated circuit. (E.g., a bonding wire) and a peaking control unit provided between the power supply unit and the power supply side terminal and configured to control peaking of the electric signal based on the inductance component.
[0015]
The peaking control means includes, for example, a resistance element provided in series in a connection path between the power supply side terminal of the optical / electrical conversion element and the power supply means, and between the resistance element and an internal ground potential of the integrated circuit. And a capacitor element provided in parallel.
[0016]
With such a configuration, even when the parasitic capacitance Cpd of the optical / electrical conversion element and the inductance component Lw of the bonding wire are in a resonance state, the input impedance Zin from the optical / electrical conversion element to the amplifier by the resistance element and the capacitor element. Can be kept at a finite value. Therefore, peaking caused by the inductance of the bonding wire can be suppressed, and good frequency characteristics with little gain deviation can be obtained.
[0017]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
[0018]
(1st Embodiment)
FIG. 1 is a functional block diagram showing a first embodiment of the optical receiver according to the present invention. In FIG. 1, an optical signal introduced via an optical
[0019]
The optical /
[0020]
FIG. 2 is a circuit diagram showing an embodiment of the optical receiver shown in FIG. The photodiode (PD) in FIG. 2 corresponds to the light /
[0021]
The peaking
[0022]
Generally, a high-frequency signal (for example, a GHz band) included in the current signal is difficult to be transmitted to the
[0023]
(Equation 2)
[0024]
In the equation (2), for example, when Cpd = 0.3 pF and Lw = 1 nH, a resonance state occurs at about 9.2 GHz, and Zin becomes infinite. Therefore, from equation (1), the gain Zt is also infinite, and peaking occurs.
[0025]
On the other hand, in the present embodiment, it is possible to select a certain appropriate finite value as R1. In the configuration of FIG. 2, Zin is given by the following equation (3).
[0026]
[Equation 3]
[0027]
That is, even when Cpd and Lw are in a resonance state, Zin has a finite value, so that the value of the gain Zt does not greatly change from the expression (1). As a result, peaking can be suppressed, and an ideal output signal waveform can be obtained.
[0028]
FIG. 3 is a diagram showing the frequency characteristic of the gain of the transimpedance amplifier of the optical receiver of the present embodiment in comparison with the conventional one. In the conventional characteristic shown in FIG. 3A, peaking of about 8 dB occurs near 10 GHz. On the other hand, in the characteristics of the optical receiver of the present embodiment, good results are obtained as shown in FIG.
[0029]
FIG. 4 is a diagram illustrating the group delay characteristics of the transimpedance amplifier of the optical receiver according to the present embodiment in comparison with the related art. In the conventional characteristic shown in FIG. 4A, the group delay deviation sharply increases around 10 GHz where peaking occurs. On the other hand, as shown in FIG. 4B, the characteristics of the optical receiver according to the present embodiment show that the group delay deviation is very small over the entire frequency band.
[0030]
As described above, in the present embodiment, the resistor R1 connected in series between the photodiode PD and the power supply line, and the capacitor C1 connected between the power supply line and the ground potential inside the integrated circuit. And the peaking
[0031]
Thereby, even when the optical receiver of the present embodiment is used, for example, as a receiver for high-speed optical communication, peaking caused by connecting the photodiode PD and the
[0032]
(Second embodiment)
FIG. 5 is a functional block diagram showing a second embodiment of the optical receiver according to the present invention. In this embodiment, a variable characteristic peaking adjustment unit 42 (
[0033]
FIG. 6 is a circuit diagram showing an embodiment of the optical receiving device shown in FIG. 6, the peaking
[0034]
FIG. 7 is a circuit diagram showing a configuration example of the
[0035]
With such a configuration, the optical receiver according to the present embodiment can automatically adjust the peaking suppression characteristic to an optimum state in any use state. Therefore, the optical receiver of this embodiment can be widely used from a trunk system to home use.
[0036]
【The invention's effect】
As described above in detail, according to the present invention, it is possible to provide an optical receiver and a peak detector that can suppress the peaking of the reception gain due to the inductance property of the bonding wire and thereby improve the reception performance.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a functional block diagram showing a first embodiment of an optical receiver according to the present invention.
FIG. 2 is a circuit diagram showing an embodiment of the optical receiving device shown in FIG.
FIG. 3 is a diagram showing a frequency characteristic of a gain of a transimpedance amplifier of the optical receiver according to the embodiment of the present invention, as compared with a conventional example.
FIG. 4 is a diagram showing a group delay characteristic of a transimpedance amplifier of the optical receiver according to the embodiment of the present invention, as compared with the related art.
FIG. 5 is a functional block diagram showing a second embodiment of the optical receiver according to the present invention.
FIG. 6 is a circuit diagram showing an embodiment of the optical receiver shown in FIG. 5;
FIG. 7 is a circuit diagram showing one configuration example of a
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF
Claims (8)
前記光/電気変換素子に前記集積回路の内部を通して電源電流を供給する電源供給手段と、
所定のインダクタンス成分を有し前記光/電気変換素子の電源側端子を前記集積回路に接続する接続手段と、
前記電源供給手段と前記電源側端子との間に設けられ、前記インダクタンス成分に基づく前記電気信号のピーキングを制御するピーキング制御手段とを具備することを特徴とする光受信装置。In an optical receiver, an optical signal is converted into an electric signal by an optical / electrical conversion element, and the electric signal is input into an integrated circuit and amplified by an amplifier in the integrated circuit.
Power supply means for supplying a power current to the optical / electrical conversion element through the inside of the integrated circuit;
Connecting means having a predetermined inductance component and connecting a power supply side terminal of the optical / electrical conversion element to the integrated circuit;
An optical receiving device, comprising: a peaking control unit provided between the power supply unit and the power supply terminal, for controlling peaking of the electric signal based on the inductance component.
前記光/電気変換素子の電源側端子と前記電源供給手段との接続経路中に直列に設けられる抵抗素子と、
この抵抗素子と前記集積回路の内部接地電位との間に並列に設けられるキャパシタ素子とを備えることを特徴とする請求項1に記載の光受信装置。The peaking control means includes:
A resistance element provided in series in a connection path between a power supply side terminal of the light / electricity conversion element and the power supply means;
The optical receiver according to claim 1, further comprising a capacitor element provided in parallel between the resistance element and an internal ground potential of the integrated circuit.
前記ピーキング制御手段は、前記ピーク検出信号に基づいて前記電気信号のピーキングを制御することを特徴とする請求項1に記載の光受信装置。Further, the apparatus further includes peak detection means for detecting peaking in the amplified output of the amplifier and outputting a peak detection signal based on the result.
The optical receiving apparatus according to claim 1, wherein the peaking control unit controls peaking of the electric signal based on the peak detection signal.
それぞれ前記増幅器の増幅出力が与えられ、互いに異なる周波数帯域に設定される第1および第2の微分回路と、
これらの第1および第2の微分回路の出力の差から前記ピーク検知信号を生成する減算器とを備えることを特徴とする請求項3に記載の光受信装置。The peak detecting means,
First and second differentiating circuits to which amplified outputs of the amplifiers are respectively given and set to mutually different frequency bands;
The optical receiving apparatus according to claim 3, further comprising: a subtractor that generates the peak detection signal from a difference between the outputs of the first and second differentiating circuits.
それぞれ前記増幅器の増幅出力が与えられ、互いに異なる周波数帯域に設定される第1および第2の微分回路と、
これらの第1および第2の微分回路の出力の差から前記増幅器の増幅出力におけるピーキングを検知する減算器とを備えることを特徴とするピーク検出器。An optical signal is converted into an electric signal by an optical / electrical conversion element, and the electric signal is provided in an optical receiver for inputting the electric signal into an integrated circuit and amplifying the signal by an amplifier in the integrated circuit. A peak detector for detecting,
First and second differentiating circuits to which amplified outputs of the amplifiers are respectively given and set to mutually different frequency bands;
A peak detector for detecting peaking in the amplified output of the amplifier based on a difference between outputs of the first and second differentiating circuits.
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