JP2004101819A - Negative type resist composition - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a negative type resist composition which has superior storage stability for resist liquid and post-exposure temporal stability as well as high sensitivity and high resolving power in pattern formation by irradiation with an electron beam or EUV in microprocessing of a semiconductor element. <P>SOLUTION: This negative type resist composition contains (A) an alkali-soluble resin, (B) a compound which generates acid by irraditation with an electron beam or EUV, and (C) a compound which has a specific radical having a hydroxyl group or protected hydroxyl group. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【００１３】
Ｒ^１〜Ｒ^１０は、各々独立に、水素原子、アルキル基、アラルキル基、アリール基、ヘテロ環基、又は、オリゴアルキレンオキシ基を表す。但し、Ｒ^３〜Ｒ^５又はＲ^６〜Ｒ^１０が、同時に水素原子となることはない。
【００１４】
（２）（Ａ）アルカリ可溶性樹脂、
（Ｂ）電子線又はＥＵＶの照射により酸を発生する化合物、及び、
（Ｃ’）一般式（ＩＶ）〜（ＶＩ）で表される基を有する化合物を少なくとも１種含有することを特徴とするネガ型レジスト組成物。
【００１５】
【化６】

【００１６】
Ｒ^１〜Ｒ^１０は、各々独立に、水素原子、アルキル基、アラルキル基、アリール基、ヘテロ環基、又は、オリゴアルキレンオキシ基を表す。但し、Ｒ^３〜Ｒ^５又はＲ^６〜Ｒ^１０が、同時に水素原子となることはない。Ｒは酸解離性基である。
【００１７】
（３）（Ａ）成分の樹脂が、一般式（ａ）で表される繰り返し単位を含有することを特徴とする上記（１）又は（２）に記載のネガ型レジスト組成物。
【００１８】
【化７】

【００１９】
式中、　Ｒ_１は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、オキシアルキル基又はハロアルキル基を表す。ｘは０〜３の整数を表す。Ｒ_２は水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基、アリール基、あるいはアシル基を表す。Ｒ_２が複数存在するとき、複数のＲ_２は同じでも異なっていてもよい。Ｒ_３は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基、もしくはアリール基を表す。Ｒ_３が複数存在するとき、複数のＲ_３は同じでも異なっていてもよい。また複数のＲ_２のうちの二つ、複数のＲ_３のうちの二つ、又はＲ_２とＲ_３は、結合して環を形成しても良い。Ａ_１は単結合、アルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基、もしくはアリーレン基、又は−Ｏ−、−ＳＯ_２−、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ_５−、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ_６−、又は−ＣＯ−Ｎ（Ｒ_７）−Ｒ_８−を表す。Ｒ_５、Ｒ_６及びＲ_８は、同じでも異なっていても良く、単結合、又はエーテル基、エステル基、アミド基、ウレタン基もしくはウレイド基を有しても良い、アルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基又はアリーレン基を表す。Ｒ_７は水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、又はアリール基を表す。
【００２０】
（４）（Ｂ）成分の酸発生剤が、下記一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）で表わされる化合物のうち少なくとも１種を含むことを特徴とする上記（１）〜（３）のいずれかに記載のネガ型レジスト組成物。
【００２１】
【化８】

【００２２】
〔一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）において、Ｒ_１〜Ｒ_３７は、水素原子、アルキル基、アルコキシル基、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、又は−Ｓ−Ｒ_３８で示せる基を表す。−Ｓ−Ｒ_３８中のＲ_３８は、アルキル基又はアリール基を表す。Ｒ_１〜Ｒ_３８は、同一であってもよく、異なっていてもよい。Ｒ_１〜Ｒ_１５の場合、その中から選択される二つ以上は互いに直接末端で結合しあい、あるいは酸素、イオウ及び窒素から選ばれる元素を介して結合しあって環構造を形成していてもよい。Ｒ_１６〜Ｒ_２７の場合も、同じように環構造を形成していてもよい。Ｒ_２８〜Ｒ_３７の場合も、同じように環構造を形成していてもよい。
Ｘ⁻は酸のアニオンである。アニオンを形成している酸は、ベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、又はアントラセンスルホン酸の中から選択される酸である。又はその酸は、アルキル基、アルコキシル基、アシル基、アシロキシル基、スルホニル基、スルホニルオキシ基、スルホニルアミノ基、アリール基、アラルキル基、アルコキシカルボニル基からなる群から選択された少なくとも１種の有機基を有する。〕
【００２３】
（５）更に、架橋剤として酸により架橋する架橋剤が分子内にベンゼン環原子団を３〜５個含み、ヒドロキシメチル基及び／又はアルコキシメチル基をそのベンゼン環原子団に２個以上有するフェノール誘導体を含有することを特徴とする上記（１）〜（４）のいずれかに記載のネガ型レジスト組成物。
【００２４】
尚、更に以下の態様が好ましい。
【００２５】
（６）（Ａ）成分の樹脂が一般式（１）で表される構造単位を含有する樹脂であることを特徴とする上記（１）〜（５）のいずれかに記載のネガ型レジスト組成物。
【００２６】
【化９】

【００２７】
式（１）中、Ｒ_１ａは、水素原子又はメチル基を表す。
【００２８】
（７）（Ａ）成分の樹脂が、下記一般式（２）で表わされる樹脂であることを特徴とする上記（６）に記載のネガ型レジスト組成物。
【００２９】
【化１０】

【００３０】
式（２）中、Ｒ_１ａ〜Ｒ_５ａは、各々独立に水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ_６ａ〜Ｒ_１１ａは、水素原子、炭素数１〜４個のアルキル基あるいはアルコキシ基、水酸基又は−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−Ｒ_１４ａを表す。Ｒ_１４ａは、水素原子または炭素数１〜４個のアルキル基を表す。）を表す。
Ｒ_１２ａは、−ＣＯＯＲ_１５ａ（Ｒ_１５ａは、水素原子又は炭素数１〜４個のアルキル基を表す）を表す。
０＜ｌ≦１００
０≦ｍ、ｎ、ｏ、ｐ＜１００
ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｏ＋ｐ＝１００
【００３１】
（８）有機塩基性化合物を含むことを特徴とする（１）〜（７）のいずれかに記載のネガ型レジスト組成物。
（９）フッ素系及び／またはシリコン系界面活性剤を含むことを特徴とする（１）〜（８）のいずれかに記載のネガ型レジスト組成物。
（１０）下記溶剤Ａ群から選択される少なくとも１種と下記溶剤Ｂ群から選択される少なくとも１種を含有する混合溶剤、もしくは溶剤Ａ群から選択される少なくとも１種と下記溶剤Ｃ群から選択される少なくとも１種を含有する混合溶剤を含有することを特徴とする上記（１）〜（９）のいずれかに記載のネガ型レジスト組成物。
Ａ群：プロピレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート
Ｂ群：プロピレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキル、酢酸エステル、鎖状ケトン及びアルコキシプロピオン酸アルキル
Ｃ群：γ−ブチロラクトン、エチレンカーボネート及びプロピレンカーボネート
【００３２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に使用する化合物について説明する。
〔１〕アルカリ可溶性樹脂（Ａ成分）
本発明において使用されるアルカリ可溶性樹脂は、水不溶でアルカリ水溶液に可溶な樹脂である。
このアルカリ可溶性樹脂のアルカリ溶解速度は、０．２６１Ｎテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）で測定（２３℃）して２０Å／秒以上のものが好ましい。特に好ましくは２００Å／秒以上のものである。
【００３３】
アルカリ可溶性樹脂として具体的には、例えば、ノボラック樹脂、水素化ノボラツク樹脂、アセトン−ピロガロール樹脂、ポリ−ｏ−ヒドロキシスチレン、ポリ−ｍ−ヒドロキシスチレン、ポリ−ｐ−ヒドロキシスチレン、水素化ポリヒドロキシスチレン、ハロゲンもしくはアルキル置換ポリヒドロキシスチレン、ヒドロキシスチレン−Ｎ−置換マレイミド共重合体、ｏ／ｐ−及びｍ／ｐ−ヒドロキシスチレン共重合体、ポリヒドロキシスチレンの水酸基に対する一部Ｏ−アルキル化物（例えば、５〜３０モル％のＯ−メチル化物、Ｏ−（１−メトキシ）エチル化物、Ｏ−（１−エトキシ）エチル化物、Ｏ−２−テトラヒドロピラニル化物、Ｏ−（ｔ−ブトキシカルボニル）メチル化物等）もしくはＯ−アシル化物（例えば、５〜３０モル％のｏ−アセチル化物、Ｏ−（ｔ−ブトキシ）カルボニル化物等）、スチレン−無水マレイン酸共重合体、スチレン−ヒドロキシスチレン共重合体、α−メチルスチレン−ヒドロキシスチレン共重合体、カルボキシル基含有メタクリル系樹脂及びその誘導体を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
上記のアルカリ可溶性樹脂の中でも、好ましいアルカリ可溶性樹脂はノボラック樹脂及びポリ−ｏ−ヒドロキシスチレン、ポリ−ｍ−ヒドロキシスチレン、ポリ−ｐ−ヒドロキシスチレン及びこれらの共重合体、アルキル置換ポリヒドロキシスチレン、ポリヒドロキシスチレンの一部Ｏ−アルキル化、もしくはＯ−アシル化物、スチレン−ヒドロキシスチレン共重合体、α−メチルスチレン−ヒドロキシスチレン共重合体である。
【００３４】
上記のノボラック樹脂は、所定のモノマーを主成分として、酸性触媒の存在下、アルデヒド類と付加縮合させることにより得られる。
所定のモノマーとしては、フェノール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｏ−クレゾール等のクレゾール類、２，５−キシレノール、３，５−キシレノール、３，４−キシレノール、２，３−キシレノール等のキシレノール類、ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノール、ｏ−エチルフェノール、ｐ−ｔ−ブチルフェノール、ｐ−オクチルフエノール、２，３，５−トリメチルフェノール等のアルキルフェノール類、ｐ−メトキシフェノール、ｍ−メトキシフェノール、３，５−ジメトキシフェノール、２−メトキシ−４−メチルフェノール、ｍ−エトキシフェノール、ｐ−エトキシフェノール、ｍ−プロポキシフェノール、ｐ−プロポキシフェノール、ｍ−ブトキシフェノール、ｐ−ブトキシフェノール等のアルコキシフェノール類、２−メチル−４−イソプロピルフェノール等のビスアルキルフェノール類、ｍ−クロロフェノール、ｐ−クロロフェノール、ｏ−クロロフェノール、ジヒドロキシビフェニル、ビスフェノールＡ、フェニルフェノール、レゾルシノール、ナフトール等のヒドロキシ芳香化合物を単独もしくは２種類以上混合して使用することができるが、これらに限定されるものではない。
【００３５】
アルデヒド類としては、例えばホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、β−フェニルプロピルアルデヒド、ｏ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｍ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｐ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｏ−クロロベンズアルデヒド、ｍ−クロロベンズアルデヒド、ｐ−クロロベンズアルデヒド、ｏ−ニトロベンズアルデヒド、ｍ−ニトロベンズアルデヒド、ｐ−ニトロベンズアルデヒド、ｏ−メチルベンズアルデヒド、ｍ−メチルベンズアルデヒド、ｐ−メチルベンズアルデヒド、ｐ−エチルベンズアルデヒド、ｐ−ｎ−ブチルベンズアルデヒド、フルフラール、クロロアセトアルデヒド及びこれらのアセタール体、例えばクロロアセトアルデヒドジエチルアセタール等を使用することができるが、これらの中で、ホルムアルデヒドを使用するのが好ましい。
これらのアルデヒド類は、単独でもしくは２種類以上組み合わせて用いられる。酸性触媒としては塩酸、硫酸、ギ酸、酢酸、シュウ酸等を使用することができる。
【００３６】
本発明において使用されるアルカリ可溶性樹脂は、下記一般式（ａ）で表される繰り返し単位を含有することが好ましい。
【００３７】
【化１１】

【００３８】
式中、Ｒ_１は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、オキシアルキル基又はハロアルキル基を表す。
ｘは０〜３の整数を表す。
Ｒ_２は水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基、アリール基、あるいはアシル基を表す。Ｒ_２が複数存在するとき、複数のＲ_２は同じでも異なっていてもよい。
Ｒ_３は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基、もしくはアリール基を表す。Ｒ_３が複数存在するとき、複数のＲ_３は同じでも異なっていてもよい。
また複数のＲ_２のうちの二つ、複数のＲ_３のうちの二つ、又はＲ_２とＲ_３は、結合して環を形成しても良い。
【００３９】
Ａ_１は単結合、アルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、−Ｏ−、−ＳＯ_２−、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ_５−、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ_６−、又は−ＣＯ−Ｎ（Ｒ_７）−Ｒ_８−を表す。Ｒ_５、Ｒ_６、Ｒ_８は、同じでも異なっていても良く、単結合、又はエーテル基、エステル基、アミド基、ウレタン基もしくはウレイド基を有しても良い、アルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基、又はアリーレン基を表す。Ｒ_７は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基又はアリール基を表す。
【００４０】
Ｒ_１〜Ｒ_３、Ｒ_７のアルキル基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数１〜８個のアルキル基であって、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基を挙げることができる。
Ｒ_２〜Ｒ_３、Ｒ_７のシクロアルキル基は、置換基を有していてもよく、また、単環型でも多環型でも良い。単環型としては炭素数３〜８個の例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基を好ましく挙げることができる。多環型としては例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α−ピネル基、トリシクロデカニル基等を好ましく挙げることができる。
【００４１】
Ｒ_２〜Ｒ_３のアルケニル基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数２〜８個のアルケニル基であり、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基、シクロヘキセニル基を挙げることができる。
Ｒ_２〜Ｒ_３、Ｒ_７のアリール基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数６〜１５個のアリール基であり、例えば、フェニル基、トリル基、ジメチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、ナフチル基、アントリル基等を挙げることができる。
Ｒ_２〜Ｒ_３、Ｒ_７のアラルキル基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数７〜１２個のアラルキル基であり、例えば、ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基等を挙げることができる。
【００４２】
Ｒ_１のオキシアルキル基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数１〜４個のオキシアルキル基であり、例えばヒドロキシ基、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜４個のアルコキシ基、もしくはアセトキシ基、プロパノイルオキシ基、ブタノイルオキシ基等の炭素数１〜４個のアシル基が置換したオキシメチル基、オキシエチル基、オキシプロピル基、オキシブチル基等を挙げることができる。
Ｒ_１のハロアルキル基としては、好ましくは炭素数１〜４個のハロアルキル基であり、例えばクロロメチル基、クロロエチル基、クロロプロピル基、クロロブチル基、ブロモメチル基、ブロモエチル基等を挙げることができる。Ｒ_２のアシル基としては、好ましくは炭素数１〜１０個のアシル基であり、例えばホルミル基、アセチル基、プロパノイル基、ブタノイル基、ピバロイル基、ベンゾイル基等を挙げることができる。
【００４３】
Ａ_１、Ｒ_５、Ｒ_６、Ｒ_８のアルキレン基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数１〜８個のアルキレン基であり、例えばメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、オクチレン基等を挙げることができる。アルケニレン基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数２〜６個のアルケニレン基であり、例えばエテニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基等を挙げることができる。
シクロアルキレン基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数５〜８個のシクロアルキレン基であり、例えばシクロペンチレン基、シクロヘキシレン基等を挙げることができる。
アリーレン基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数６〜１２個のアリーレン基であり、例えばフェニレン基、トリレン基、キシリレン基、ナフチレン基等を挙げることができる。
【００４４】
これらの基が有してもよい置換基としては、例えば、アミノ基、アミド基、ウレイド基、ウレタン基、ヒドロキシル基、カルボキシル基等の活性水素を有するものや、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子）、アルコキシ基（メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等）、チオエーテル基、アシル基（アセチル基、プロパノイル基、ベンゾイル基等）、アシロキシ基（アセトキシ基、プロパノイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基等）、アルコキシカルボニル基（メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基等）、シアノ基、ニトロ基等を挙げることができる。特にアミノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基等の活性水素を有するものが好ましい。
アリール基、アリーレン基等のアリール部位については、更にアルキル基（メチル基、エチル基、プロピル基等）を挙げることができる。
【００４５】
また、複数のＲ_２のうちの二つ、複数のＲ_３のうちの二つ、又はＲ_２とＲ_３が結合して形成してもよい環としては、４〜７員環のヘテロ原子（酸素原子、窒素原子、硫黄原子）を含有しても良い環であり、形成した構造として、具体的にはベンゾフラン環、ベンゾジオキソノール環、ベンゾピラン環、インドール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾピラゾール環、ベンゾチオフェン環等を好ましく挙げることができる。
【００４６】
一般式（ａ）で表される繰り返し単位を有する樹脂は、他の共重合モノマーに由来する繰り返し単位を有していても良い。
【００４７】
使用することができる共重合モノマーとしては、以下に示すものが含まれる。例えば、上記以外のアクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリル酸エステル類、メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類、スチレン類、クロトン酸エステル類などから選ばれる付加重合性不飽和結合を１個有する化合物である。
【００４８】
具体的には、例えばアクリル酸エステル類、例えばアルキル（アルキル基の炭素原子数は１〜１０のものが好ましい）アクリレート（例えば、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、アクリル酸ｔ−ブチル、アクリル酸アミル、アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸エチルヘキシル、アクリル酸オクチル、アクリル酸−ｔ−オクチル、クロルエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート２，２−ジメチルヒドロキシプロピルアクリレート、５−ヒドロキシペンチルアクリレート、トリメチロールプロパンモノアクリレート、ペンタエリスリトールモノアクリレート、グリシジルアクリレート、ベンジルアクリレート、フルフリルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、など）アリールアクリレート（例えばフェニルアクリレートなど）；
【００４９】
メタクリル酸エステル類、例えば、アルキル（アルキル基の炭素原子数は１〜１０のものが好ましい）メタクリレート（例えば、メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、プロピルメタクリレート、イソプロピルメタクリレート、ｔ−ブチルメタクリレート、アミルメタクリレート、ヘキシルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、クロルベンジルメタクリレート、オクチルメタクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、４−ヒドロキシブチルメタクリレート、５−ヒドロキシペンチルメタクリレート、２，２−ジメチル−３−ヒドロキシプロピルメタクリレート、トリメチロールプロパンモノメタクリレート、ペンタエリスリトールモノメタクリレート、グリシジルメタクリレート、フルフリルメタクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレートなど）、アリールメタクリレート（例えば、フェニルメタクリレート、クレジルメタクリレート、ナフチルメタクリレートなど）；
【００５０】
アクリルアミド類、例えば、アクリルアミド、Ｎ−アルキルアクリルアミド、（アルキル基としては、炭素原子数１〜１０のもの、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ｔ−ブチル基、ヘプチル基、オクチル基、シクロヘキシル基、ベンジル基、ヒドロキシエチル基、ベンジル基などがある。）、Ｎ−アリールアクリルアミド（アリール基としては、例えばフェニル基、トリル基、ニトロフェニル基、ナフチル基、シアノフェニル基、ヒドロキシフェニル基、カルボキシフェニル基などがある。）、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアクリルアミド（アルキル基としては、炭素原子数１〜１０のもの、例えば、メチル基、エチル基、ブチル基、イソブチル基、エチルヘキシル基、シクロヘキシル基などがある。）、Ｎ，Ｎ−ジアリールアクリルアミド（アリール基としては、例えばフェニル基などがある。）、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルアクリルアミド、Ｎ−ヒドロキシエチル−Ｎ−メチルアクリルアミド、Ｎ−２−アセトアミドエチル−Ｎ−アセチルアクリルアミドなど；
【００５１】
メタクリルアミド類、例えば、メタクリルアミド、Ｎ−アルキルメタクリルアミド（アルキル基としては、炭素原子数１〜１０のもの、例えば、メチル基、エチル基、ｔ−ブチル基、エチルヘキシル基、ヒドロキシエチル基、シクロヘキシル基などがある。）、Ｎ−アリールメタクリルアミド（アリール基としては、フェニル基などがある。）、Ｎ，Ｎ−ジアルキルメタクリルアミド（アルキル基としては、エチル基、プロピル基、ブチル基などがある。）、Ｎ，Ｎ−ジアリールメタクリルアミド（アリール基としては、フェニル基などがある。）、Ｎ−ヒドロキシエチル−Ｎ−メチルメタクリルアミド、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルメタクリルアミド、Ｎ−エチル−Ｎ−フェニルメタクリルアミドなど；アリル化合物、例えば、アリルエステル類（例えば、酢酸アリル、カプロン酸アリル、カプリル酸アリル、ラウリン酸アリル、パルミチン酸アリル、ステアリン酸アリル、安息香酸アリル、アセト酢酸アリル、乳酸アリルなど）、アリルオキシエタノールなど；
【００５２】
ビニルエーテル類、例えば、アルキルビニルエーテル（例えば、ヘキシルビニルエーテル、オクチルビニルエーテル、デシルビニルエーテル、エチルヘキシルビニルエーテル、メトキシエチルビニルエーテル、エトキシエチルビニルエーテル、クロルエチルビニルエーテル、１−メチル−２，２−ジメチルプロピルビニルエーテル、２−エチルブチルビニルエーテル、ヒドロキシエチルビニルエーテル、ジエチレングリコールビニルエーテル、ジメチルアミノエチルビニルエーテル、ジエチルアミノエチルビニルエーテル、ブチルアミノエチルビニルエーテル、ベンジルビニルエーテル、テトラヒドロフルフリルビニルエーテルなど）、ビニルアリールエーテル（例えばビニルフェニルエーテル、ビニルトリルエーテル、ビニルクロルフェニルエーテル、ビニル−２，４−ジクロルフェニルエーテル、ビニルナフチルエーテル、ビニルアントラニルエーテルなど）；
【００５３】
ビニルエステル類、例えば、ビニルブチレート、ビニルイソブチレート、ビニルトリメチルアセテート、ビニルジエチルアセテート、ビニルバレート、ビニルカプロエート、ビニルクロルアセテート、ビニルジクロルアセテート、ビニルメトキシアセテート、ビニルブトキシアセテート、ビニルフェニルアセテート、ビニルアセトアセテート、ビニルラクテート、ビニル−β−フェニルブチレート、ビニルシクロヘキシルカルボキシレート、安息香酸ビニル、サルチル酸ビニル、クロル安息香酸ビニル、テトラクロル安息香酸ビニル、ナフトエ酸ビニルなど；
【００５４】
スチレン類、例えば、スチレン、アルキルスチレン（例えば、メチルスチレン、ジメチルスチレン、トリメチルスチレン、エチルスチレン、ジエチルスチレン、イソプロピルスチレン、ブチルスチレン、ヘキシルスチレン、シクロヘキシルスチレン、デシルスチレン、ベンジルスチレン、クロルメチルスチレン、トリフルオルメチルスチレン、エトキシメチルスチレン、アセトキシメチルスチレンなど）、アルコキシスチレン（例えば、メトキシスチレン、４−メトキシ−３−メチルスチレン、ジメトキシスチレンなど）、ハロゲンスチレン（例えば、クロルスチレン、ジクロルスチレン、トリクロルスチレン、テトラクロルスチレン、ペンタクロルスチレン、ブロムスチレン、ジブロムスチレン、ヨードスチレン、フルオルスチレン、トリフルオルスチレン、２−ブロム−４−トリフルオルメチルスチレン、４−フルオル−３−トリフルオルメチルスチレンなど）、カルボキシスチレン、ビニルナフタレン；
【００５５】
クロトン酸エステル類、例えば、クロトン酸アルキル（例えば、クロトン酸ブチル、クロトン酸ヘキシル、グリセリンモノクロトネートなど）；イタコン酸ジアルキル類（例えば、イタコン酸ジメチル、イタコン酸ジエチル、イタコン酸ジブチルなど）；マレイン酸あるいはフマール酸のジアルキルエステル類（例えば、ジメチルマレレート、ジブチルフマレートなど）、無水マレイン酸、マレイミド、アクリロニトリル、メタクリロニトリル、マレイロニトリル等がある。その他、一般的には共重合可能である付加重合性不飽和化合物であればよい。
【００５６】
この中で、カルボキシスチレン、Ｎ−（カルボキシフェニル）アクリルアミド、Ｎ−（カルボキシフェニル）メタクリルアミド等のようなカルボキシル基を有するモノマー、マレイミド等、アルカリ溶解性を向上させるモノマーが共重合成分として好ましい。
本発明における樹脂中の他の重合性モノマーの含有量としては、全繰り返し単位に対して、７０モル％以下が好ましく、より好ましくは５０モル％以下である。
【００５７】
以下に一般式（ａ）で表される繰り返し構造単位を有する樹脂の具体例を示すが、本発明がこれに限定されるものではない。
【００５８】
【化１２】

【００５９】
【化１３】

【００６０】
【化１４】

【００６１】
【化１５】

【００６２】
【化１６】

【００６３】
【化１７】

【００６４】
【化１８】

【００６５】
【化１９】

【００６６】
上記具体例中のｎは正の整数を表す。ｘ、ｙ、ｚは樹脂組成のモル比を表し、２成分からなる樹脂では、ｘ＝３０〜９５、ｙ＝５〜７０、好ましくはｘ＝５０〜９０、ｙ＝１０〜５０の範囲で使用される。３成分からなる樹脂では、ｘ＝３０〜９０、ｙ＝５〜６５、ｚ＝５〜６５、好ましくはｘ＝５０〜９０、ｙ＝５〜４５、ｚ＝５〜４５の範囲で使用される。
【００６７】
本発明に用いられる樹脂は、例えば特開平４−１９５１３８号、特開平４−３５０６５７号、特開平４−３５０６５８号、特開平６−４１２２２号、特開平６−６５３３３号の各明細書、Ｐｏｌｙｍ．Ｊ．，１８巻，１０３７頁（１９８６年）、Ｐｏｌｙｍ．Ｊ．，２２巻，３８６頁（１９９０年）、Ｍａｋｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｕｐｐｌ．，１５巻，１６７頁（１９８９年）等に記載された方法により合成することができる。即ち、所謂リビングアニオン重合法により目的のアルカリ可溶性樹脂を得ることができる。またラジカル重合で合成された樹脂を溶解性の良溶剤、貧溶剤を組み合わせて、分子量分別するか、ゲルクロマトグラフィーにより分画することによっても得ることができる。
これらの樹脂は１種で使用しても良いし、複数を混合して用いても良い。
【００６８】
尚、一般式（ａ）で表される繰り返し単位を含有する樹脂として、一般式（１）で表される繰り返し単位を含有する樹脂が好ましい。
【００６９】
【化２０】

【００７０】
式（１）中、Ｒ_１ａは、水素原子又はメチル基を表す。
【００７１】
更に、下記一般式（２）で表わされる樹脂が好ましい。
【００７２】
【化２１】

【００７３】
式（２）中、Ｒ_１ａ〜Ｒ_５ａは、各々独立に水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ_６ａ〜Ｒ_１１ａは、水素原子、炭素数１〜４個のアルキル基あるいはアルコキシ基、水酸基又は−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−Ｒ_１４ａを表す。Ｒ_１４ａは、水素原子または炭素数１〜４個のアルキル基を表す。）を表す。
Ｒ_１２ａは、−ＣＯＯＲ_１５ａ（Ｒ_１５ａは、水素原子又は炭素数１〜４個のアルキル基を表す）を表す。
０＜ｌ≦１００
０≦ｍ、ｎ、ｏ、ｐ＜１００
ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｏ＋ｐ＝１００
【００７４】
上記一般式（１）で表わされる構造単位を含有するアルカリ可溶性樹脂は、他の繰返し構造単位を含んでいてもよい。このような他の共重合成分としては、下記モノマー（４）〜（７）に相当する繰返し構造単位が好ましい。
【００７５】
一般式（１）で表わされる構造単位を含有するアルカリ可溶性樹脂は、下記モノマー（３）、必要により（４）〜（７）をラジカル重合もしくはリビングアニオン重合法により目的のアルカリ可溶性樹脂を得ることができる。
【００７６】
【化２２】

【００７７】
上記において、Ｒ_１ａ〜Ｒ_１２ａは、前記と同義である。
上記の内、分子内に水酸基を有するモノマーを使用する場合は、あらかじめ水酸基を保護しておき重合後に保護基を外す方法が好ましい。
本発明において、前記一般式（１）で表される繰り返し構造単位の樹脂中の含有量としては、本発明の効果が発現できうる量であればいずれでもよいが、具体的には全繰り返し単位に対して好ましくは３０〜１００モル％であり、より好ましくは５０〜９０モル％である。
本発明において、アルカリ可溶性樹脂は、好ましくは一般式（２）で表わされるものである。これにより、本発明の効果がより顕著になる。
一般式（２）のＲ_１ａ〜Ｒ_５ａは、水素原子もしくはメチル基である。Ｒ_６ａ〜Ｒ_１１ａ、Ｒ_１４ａ、Ｒ_１５ａの炭素数１〜４個のアルキル基あるいはアルコキシ基は、直鎖状でも分岐状でもよく、アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基が、またアルコキシ基としてはメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔ−ブトキシ基等を挙げることができる。
Ｒ_１６ａは、炭素数１〜１０個の置換されていてもよい分岐状あるいは環状のアルキル基（具体的には、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、シクロヘキシル基、シクロヘキシルエチル基、フェノキシエチル基等が挙げられる。）、炭素数６〜２０個の置換されていてもよいアリール基（具体的には、フェニル基、トリル基、キシリル基、ビフェニル基、ナフチル基、ハロゲン置換フェニル基、ニトロ置換フェニル基等が挙げられる。）、炭素数７〜２０個の置換されていてもよいアラルキル基（具体的には、ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基等が挙げられる。）を表す。
【００７８】
一般式（２）において、０＜ｌ≦１００であるが、好ましくは３０＜ｌ≦１００であり、より好ましくは５０＜ｌ≦９０である。ｍ、ｎ、ｏ、ｐについては、０≦ｍ、ｎ、ｏ、ｐ＜１００であるが、好ましくは２０≦ｍ、ｎ、ｏ、ｐ≦７０であり、より好ましくは３０≦ｍ、ｎ、ｏ、ｐ≦５０である。ｌ＋ｍ＋ｎ＋ｏ＋ｐ＝１００。
【００７９】
本発明において使用するアルカリ可溶性樹脂の重量平均分子量は、１，０００〜３０，０００の範囲であることが好ましい。１，０００未満では露光部の現像後の膜減りが大きく、３０，０００を越えると現像速度が小さくなってしまう。さらに好適なのは２，０００〜２０，０００の範囲である。
感度が特に優れている点で特に好ましいアルカリ可溶性樹脂の重量平均分子量は、２，０００〜９，０００の範囲であり、より好ましくは２，５００〜９，０００の範囲であり、さらに好ましくは３，０００〜９，０００の範囲である。
また、アルカリ可溶性樹脂の分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、１．０〜１．５となる（単分散ポリマー）ほうが現像残さが少なくなり好ましい。感度が特に優れている点で特に好ましいアルカリ可溶性樹脂の分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は、１．０〜１．４であり、より好ましくは１．０〜１．３であり、さらに好ましくは１．０〜１．２である。
ここで、重量平均分子量はゲルパーミエーションクロマトグラフィーのポリスチレン換算値をもって定義される。
【００８０】
本発明における、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．０〜１．４、好ましくは１．０〜１．３、より好ましくは１．０〜１．２のアルカリ可溶性樹脂は、公知のリビングアニオン重合によって合成でき、また、分子量分別によっても得ることができる。　リビングアニオン重合については、新実験化学講座１９（丸善）高分子化学（Ｉ）５９頁〜７３頁に記載されており、分子量分別については、新実験化学講座１９（丸善）高分子化学（ＩＩ）５２２〜５２７頁に記載されている。
【００８１】
式（ａ）の繰り返し単位を含有するアルカリ可溶性樹脂は、単独で用いても良いが、他のアルカリ可溶性樹脂を併用することもできる。使用比率は式（ａ）の繰り返し単位を含有するアルカリ可溶性樹脂１００質量部に対して他のアルカリ可溶性樹脂を通常１００質量部まで併用することができる。
【００８２】
併用できるアルカリ可溶性樹脂としては、例えば、上述した、ノボラック樹脂、水素化ノボラツク樹脂、アセトン−ピロガロール樹脂、ポリ−ｏ−ヒドロキシスチレン、ポリ−ｐ−ヒドロキシスチレン、水素化ポリヒドロキシスチレン、ハロゲンもしくはアルキル置換ポリヒドロキシスチレン、ヒドロキシスチレン−Ｎ−置換マレイミド共重合体、ｏ／ｐ−ヒドロキシスチレン共重合体、ポリヒドロキシスチレンの水酸基に対する一部Ｏ−アルキル化物（例えば、５〜３０モル％のＯ−メチル化物、Ｏ−（１−メトキシ）エチル化物、Ｏ−（１−エトキシ）エチル化物、Ｏ−２−テトラヒドロピラニル化物、Ｏ−（ｔ−ブトキシカルボニル）メチル化物等）もしくはＯ−アシル化物（例えば、５〜３０モル％のｏ−アセチル化物、Ｏ−（ｔ−ブトキシ）カルボニル化物等）、スチレン−無水マレイン酸共重合体、スチレン−ヒドロキシスチレン共重合体、α−メチルスチレン−ヒドロキシスチレン共重合体、カルボキシル基含有メタクリル系樹脂及びその誘導体を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
【００８３】
本発明において、アルカリ可溶性樹脂の総量は、レジスト組成物の全質量（溶媒を除く）を基準として、通常３０〜９０質量％、好ましくは５０〜８０質量％である。
【００８４】
〔２〕酸発生剤（Ｂ成分）
アルカリ可溶性樹脂とともに酸発生剤を用いる。アルカリ可溶性樹脂とともに用いられる酸発生剤は、電子線はＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）の照射により酸を発生する化合物であればいずれの化合物でも用いることができる。
そのような酸発生剤としては、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用されている電子線又はＥＵＶの照射により酸を発生する化合物及びそれらの混合物を適宜に選択して使用することができる。
例えば、ジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、ヨードニウム塩、スルホニウム塩、セレノニウム塩、アルソニウム塩等のオニウム塩、有機ハロゲン化合物、有機金属／有機ハロゲン化物、ｏ−ニトロベンジル型保護基を有する酸発生剤、イミノスルフォネ−ト等に代表される光分解してスルホン酸を発生する化合物、ジスルホン化合物を挙げることができる。
また、これらの光により酸を発生する基、あるいは化合物をポリマーの主鎖または側鎖に導入した化合物、たとえば、特開昭６３−２６６５３号、特開昭５５−１６４８２４号、特開昭６２−６９２６３号、特開昭６３−１４６０３８号、特開昭６３−１６３４５２号、特開昭６２−１５３８５３号、特開昭６３−１４６０２９号等に記載の化合物を用いることができる。
さらに米国特許第３，７７９，７７８号、欧州特許第１２６，７１２号等に記載の光により酸を発生する化合物も使用することができる。
【００８５】
本発明においては、前記一般式（Ｉ）〜一般式（ＩＩＩ）で示されるオニウム塩化合物を使用することが好ましい。
また、フッ素原子を有する有機酸を発生するオニウム塩化合物を使用することも好ましい。
【００８６】
【化２３】

【００８７】
一般式（Ｉ）〜一般式（ＩＩＩ）中のＲ_１〜Ｒ_３７は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、または、−Ｓ−Ｒ_３８で示すことができる基である。
Ｒ_１〜Ｒ_３７が表すアルキル基は、直鎖状でもよく、分岐状でもよく、環状でもよい。直鎖状又は分岐状アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基など、例えば炭素数１〜４個のアルキル基を挙げることができる。環状アルキル基としては、例えばシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基など炭素数３〜８個のアルキル基を挙げることができる。
Ｒ_１〜Ｒ_３７が表すアルコキシ基は、直鎖状でもよく、分岐状でもよく、環状アルコキシ基でもよい。直鎖状又は分岐状アルコキシ基としては、例えば炭素数１〜８個のもの例えばメトキシ基、エトキシ基、ヒドロキシエトキシ基、プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、オクチルオキシ基などを挙げることができる。環状アルコキシ基としては、例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基が挙げられる。
【００８８】
Ｒ_１〜Ｒ_３７が表すハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。
Ｒ_１〜Ｒ_３７が表す−Ｓ−Ｒ_３８中のＲ_３８は、アルキル基、又はアリール基である。Ｒ_３８が表すアルキル基の範囲としては、例えばＲ_１〜Ｒ_３７が表すアルキル基として既に列挙したアルキル基中のいずれをも挙げることができる。
Ｒ_３８が表すアリール基は、フェニル基、トリル基、メトキシフェニル基、ナフチル基など、炭素数６〜１４個のアリール基を挙げることができる。
Ｒ_１〜Ｒ_３８が表すアルキル基以下、アリール基までは、いずれも基の一部に更に置換基を結合して炭素数を増やしていてもよく、置換基を有していなくてもよい。更に結合していてもよい置換基としては、好ましくは、炭素数１〜４個のアルコキシ基、炭素数６〜１０個のアリール基、炭素数２〜６個のアルケニル基を挙げることができ、シアノ基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、ニトロ基等も挙げることができる。その他、ハロゲン原子でもよい。たとえば、フッ素原子、塩素原子、沃素原子を挙げることができる。
【００８９】
一般式（Ｉ）中のＲ_１〜Ｒ_１５で示す基は、そのうちの２つ以上が結合し、環を形成していてもよい。環は、Ｒ_１〜Ｒ_１５で示す基の末端が直接結合して形成してもよい。炭素、酸素、イオウ、及び窒素から選択される１種又は２種以上の元素を介して間接的に結びあい、環を形成していてもよい。Ｒ_１〜Ｒ_１５のうちの２つ以上が結合して形成する環構造としては、フラン環、ジヒドロフラン環、ピラン環、トリヒドロピラン環、チオフェン環、ピロール環などに見られる環構造と同一の構造を挙げることができる。一般式（ＩＩ）中のＲ_１６〜Ｒ_２７についても同様のことを言うことができる。２つ以上が直接又は間接に結合し、環を形成していてもよい。一般式（ＩＩＩ）中のＲ_２８〜Ｒ_３７についても同様である。
一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）はＸ⁻を有する。一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）が有するＸ⁻は、酸のアニオンである。アニオンを形成している酸は、ベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、又はアントラセンスルホン酸の中から選択される酸である。酸には１以上のフッ素原子が置換していることがより好ましい。又はその酸は、アルキル基、アルコキシル基、アシル基、アシロキシル基、スルホニル基、スルホニルオキシ基、スルホニルアミノ基、アリール基、アラルキル基、アルコキシカルボニル基、からなる群から選択された少なくとも１種の有機基を有する。更に、その有機基は少なくとも１個のフッ素原子を更に置換していることがより好ましい。また、上記のベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、又はアントラセンスルホン酸は、フッ素以外のハロゲン原子、水酸基、ニトロ基等で置換されていてもよい。
【００９０】
Ｘ⁻のアニオンを形成するベンゼンスルホン酸などに結合するアルキル基は、例えば炭素数１〜１２のアルキル基である。アルキル基は、直鎖状でもよく、分岐状でもよく、環状でもよい。好ましくは１〜２５個のフッ素原子が置換している。具体的にはトリフロロメチル基、ペンタフロロエチル基、２，２，２−トリフロロエチル基、ヘプタフロロプロピル基、ヘプタフロロイソプロピル基、パーフロロブチル基、パーフロロオクチル基、パーフロロドデシル基、パーフロロシクロヘキシル基等を挙げることができる。なかでも、全てフッ素で置換された炭素数１〜４のパーフロロアルキル基が好ましい。
アルキル基とともにあるいは単独で上記のベンゼンスルホン酸などに結合するアルコキシ基は、炭素数が１〜１２のアルコキシ基である。アルコキシ基は、直鎖状でもよく、分岐状でもよく、環状でもよい。好ましくは１〜２５個のフッ素原子が置換している。具体的にはトリフロロメトキシ基、ペンタフロロエトキシ基、ヘプタフロロイソプロピルオキシ基、パーフロロブトキシ基、パーフロロオクチルオキシ基、パーフロロドデシルオキシ基、パーフロロシクロヘキシルオキシ基等を挙げることができる。なかでも、全てフッ素で置換された炭素数１〜４のパーフロロアルコキシ基が好ましい。
アルキル基とともにあるいは単独で上記のベンゼンスルホン酸などに結合するアシル基は、炭素数２〜１２、１〜２３個のフッ素原子で置換されているものが好ましい。具体的にはトリフロロアセチル基、フロロアセチル基、ペンタフロロプロピオニル基、ペンタフロロベンゾイル基等を挙げることができる。
【００９１】
アルキル基とともにあるいは単独で上記のベンゼンスルホン酸などに結合するアシロキシ基は、炭素数が２〜１２、１〜２３個のフッ素原子で置換されているものが好ましい。具体的にはトリフロロアセトキシ基、フロロアセトキシ基、ペンタフロロプロピオニルオキシ基、ペンタフロロベンゾイルオキシ基等を挙げることができる。
アルキル基とともにあるいは単独で上記のベンゼンスルホン酸などに結合するスルホニル基としては、炭素数が１〜１２、１〜２５個のフッ素原子で置換されているものが好ましい。具体的にはトリフロロメタンスルホニル基、ペンタフロロエタンスルホニル基、パーフロロブタンスルホニル基、パーフロロオクタンスルホニル基、ペンタフロロベンゼンスルホニル基、４−トリフロロメチルベンゼンスルホニル基等を挙げることができる。
アルキル基とともにあるいは単独で上記のベンゼンスルホン酸などに結合する上記スルホニルオキシ基としては、炭素数が１〜１２、１〜２５個のフッ素原子で置換されているものが好ましい。具体的にはトリフロロメタンスルホニルオキシ、パーフロロブタンスルホニルオキシ基、４−トリフロロメチルベンゼンスルホニルオキシ基等を挙げることができる。
アルキル基とともにあるいは単独で上記のベンゼンスルホン酸などに結合する上記スルホニルアミノ基としては、炭素数が１〜１２であって、１〜２５個のフッ素原子で置換されているものが好ましい。具体的にはトリフロロメタンスルホニルアミノ基、パーフロロブタンスルホニルアミノ基、パーフロロオクタンスルホニルアミノ基、ペンタフロロベンゼンスルホニルアミノ基等を挙げることができる。
【００９２】
アルキル基とともにあるいは単独で上記のベンゼンスルホン酸などに結合する上記アリール基としては、炭素数が６〜１４、１〜９個のフッ素原子で置換されているものが好ましい。具体的にはペンタフロロフェニル基、４−トリフロロメチルフェニル基、ヘプタフロロナフチル基、ノナフロロアントラニル基、４−フロロフェニル基、２，４−ジフロロフェニル基等を挙げることができる。
アルキル基とともにあるいは単独で上記のベンゼンスルホン酸などに結合する上記アラルキル基としては、炭素数が７〜１０、１〜１５個のフッ素原子で置換されているものが好ましい。具体的にはペンタフロロフェニルメチル基、ペンタフロロフェニルエチル基、パーフロロベンジル基、パーフロロフェネチル基等を挙げることができる。
アルキル基とともにあるいは単独で上記のベンゼンスルホン酸などに結合する上記アルコキシカルボニル基としては、炭素数が２〜１３、１〜２５個のフッ素原子で置換されているものが好ましい。具体的にはトリフロロメトキシカルボニル基、ペンタフロロエトキシカルボニル基、ペンタフロロフェノキシカルボニル基、パーフロロブトキシカルボニル基、パーフロロオクチルオキシカルボニル基等を挙げることができる。
【００９３】
このようなアニオンの中で、最も好ましいＸ⁻はフッ素置換ベンゼンスルホン酸アニオンであり、中でもペンタフルオロベンゼンスルホン酸アニオンが特に好ましい。
また、上記含フッ素置換基を有するベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、又はアントラセンスルホン酸は、さらに直鎖状、分岐状あるいは環状アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、スルホニル基、スルホニルオキシ基、スルホニルアミノ基、アリール基、アラルキル基、アルコキシカルボニル基（これらの炭素数範囲は前記のものと同様）、ハロゲン（フッ素を除く）、水酸基、ニトロ基等で置換されてもよい。
以下に、これらの一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）で表される化合物の具体例を示すが、これに限定されるものではない。
【００９４】
【化２４】

【００９５】
【化２５】

【００９６】
【化２６】

【００９７】
【化２７】

【００９８】
【化２８】

【００９９】
【化２９】

【０１００】
一般式（Ｉ）、一般式（ＩＩ）の化合物は、次のような方法で合成できる。例えば、アリールマグネシウムブロミドなどのアリールグリニャール試薬とフェニルスルホキシドとを反応させ、得られたトリアリールスルホニウムハライドを対応するスルホン酸と塩交換する。別の方法もある。例えば、フェニルスルホキシドと対応する芳香族化合物をメタンスルホン酸／五酸化二リンあるいは塩化アルミなどの酸触媒を用いて縮合、塩交換する方法がある。また、ジアリールヨードニウム塩とジアリールスルフィドを酢酸銅などの触媒を用いて縮合、塩交換する方法などによって合成できる。上記のいずれの方法でも、フェニルスルホキシドは、置換基をベンゼン環に置換させていてもよく、そのような置換基がなくてもよい。
一般式（ＩＩＩ）の化合物は過ヨウ素酸塩を用いて芳香族化合物を反応させることにより合成可能である。
本発明で使用する酸発生剤の含有量は、ネガ型レジスト組成物の全固形分に
対し、０．１〜２０質量％が適当であり、好ましくは０．５〜１０質量％、更に好ましくは１〜７質量％である。
【０１０１】
（他の光酸発生剤）
本発明においては、上記一般式（Ｉ）〜一般式（ＩＩＩ）で表わされる化合物以外に、あるいはこれらと共に、電子線又はＥＵＶの照射により分解して酸を発生する他の化合物を用いることができる。一般式（Ｉ）〜一般式（ＩＩＩ）で表わされる化合物とともに電子線又はＥＵＶの照射により分解して酸を発生する他の化合物を用いる場合には、電子線又はＥＵＶの照射により分解して酸を発生する他の化合物の比率は、モル比で１００／０〜２０／８０、好ましくは９０／１０〜４０／６０、更に好ましくは８０／２０〜５０／５０である。
【０１０２】
〔３〕一般式（Ｉ）〜（ＶＩ）の構造を有する化合物（Ｃ及びＣ’成分）
本発明のネガ型レジスト組成物は、一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）のいずれかで表される基を有する化合物（Ｃ成分）及び一般式（ＩＶ）〜（ＶＩ）のいずれかで表される基を有する化合物（Ｃ’成分）のいずれか少なくともひとつを含有する。尚、一般式（ＩＶ）〜（ＶＩ）のいずれかで表される基を有する化合物（Ｃ’成分）が好ましい。
本発明におけるＣ成分及びＣ’成分は、酸（例えば露光により発生した酸）の存在下で、樹脂（Ａ）に例えば架橋反応を生起させ、その結果、該樹脂のアルカリ現像液に対する溶解性を抑制する作用を示す成分である。
【０１０３】
まず、一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）のいずれかで表される基を有する化合物（Ｃ成分）について説明する。
【０１０４】
【化３０】

【０１０５】
Ｒ^１〜Ｒ^１０は、各々独立に、水素原子、アルキル基、アラルキル基、アリール基、ヘテロ環基、又は、オリゴアルキレンオキシ基を表す。但し、Ｒ^３〜Ｒ^５又はＲ^６〜Ｒ^１０が、同時に水素原子となることはない。
【０１０６】
Ｒ^１〜Ｒ^１０のアルキル基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数１〜１２のアルキル基であり、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基等の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、及びシクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボニル基、ボロニル基等の環状のアルキル基を挙げることができる。
【０１０７】
アラルキル基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数６〜２０のアラルキル基であり、例えば、ベンジル基、フェネチル基、クミル基等を挙げることができる。
【０１０８】
アリール基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数６〜２０のアリール基であり、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基等を挙げることができる。
ヘテロ環基は、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数６〜２０、例えば、フラン、チオフェン、ピロール、ピリジン、インドール等、アリール基の環を構成する炭素原子をヘテロ原子で置き換えたものが挙げられる。
【０１０９】
オリゴアルキレンオキシ基は、置換基を有していてもよく、また、末端がエーテル化されていてもよく、好ましくは、炭素数２〜３５であり、例えば、下記のようなオリゴエチレンオキシ基、オリゴプロピレンオキシ基が挙げられる。
【０１１０】
【化３１】

【０１１１】
上記のアルキル基、アラルキル基、複素環基、オリゴアルキレンオキシ基が有していてもよい置換基としては、例えば、ニトロ基、ハロゲン原子、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、シアノ基、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜５）等が挙げられる。アリール基、アラルキル基、複素環基については、置換基として更にアルキル基（好ましくは炭素数１〜５）が挙げられる。
【０１１２】
次に、一般式（ＩＶ）〜（ＶＩ）で表される基を有する化合物（Ｃ’成分）について説明する。
【０１１３】
【化３２】

【０１１４】
Ｒ^１〜Ｒ^１０は、各々独立に、水素原子、アルキル基、アラルキル基、アリール基、ヘテロ環基、又は、オリゴアルキレンオキシ基を表す。但し、Ｒ^３〜Ｒ^５又はＲ^６〜Ｒ^１０が、同時に水素原子となることはない。Ｒは酸解離性基である。
【０１１５】
Ｒ^１〜Ｒ^１０の詳細は、一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）におけるものと同様である。
Ｒの酸解離性基は、電子線またはＥＵＶの照射により酸発生剤から発生した酸により解離する基であり、より具体的には、Ｒと結合している酸素原子とともにアセタールを形成する基、アシル基、１−分岐アルコキシカルボニル基等を挙げることができる。
アセタールを形成する基としては、例えば、１−メトキシエチル基、１−エトキシエチル基、１−ｎ−プロポキシエチル基、１−ｉ−プロポキシエチル基、１−ｎ−ブトキシエチル基、１−フェニルオキシエチル基、１−ベンジルオキシエチル基、２−テトラヒドロフラニル基、２−テトラヒドロピラニル基等を挙げることができる。
前記アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基等を挙げることができる。
前記１−分岐アルコキシカルボニル基としては、例えば、イソプロポキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、１，１−ジメチルプロポキシカルボニル基等を挙げることができる。
さらに、前記以外の酸解離性基としては、例えば、置換メチル基（メトキシメチル基、エトキシメチル基等）、１−置換エチル基（１−メトキシエチル基、１−エトキシエチル基等）、１−置換プロピル基（１−メトキシプロピル基、１−エトキシプロピル基等）、シリル基（トリメチルシリル基、トリエチルシリル基等）、ゲルミル基（トリメチルゲルミル基、トリエチルゲルミル基等）、脂環基（シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）等を挙げることができる。
【０１１６】
Ｃ成分が有する一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）で表される基の具体例としては、以下のものが挙げられる。
【０１１７】
【化３３】

【０１１８】
Ｃ’成分が有する一般式（ＩＶ）〜（ＶＩ）で表される基の具体例としては、以下のものが挙げられる。
【０１１９】
【化３４】

【０１２０】
上記におけるＲ（酸解離性基）としては以下のものが挙げられる。
【０１２１】
【化３５】

【０１２２】
Ｃ成分としての一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）で表される基を有する化合物及びＣ’成分としての一般式（ＩＶ）〜（ＶＩ）で表される基を有する化合物としては、例えば、下記一般式（ｉ）で表される化合物（以下、「ベンゼン系化合物（ｉ）」という。）、下記一般式（ｉｉ）で表される化合物（以下、「ジフェニル系化合物（ｉｉ）」という。）、下記一般式（ｉｉｉ）で表される化合物（以下、「ナフタレン系化合物（ｉｉｉ）」という。）、下記一般式（ｉｖ）で表される化合物（以下、「フラン系化合物（ｉｖ）」という。）等を挙げることができる。
【０１２３】
尚、下記各一般式におけるＡが上記一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）のいずれかで表される基であるとき、その化合物はＣ成分であり、Ａが上記一般式（ＩＶ）〜（ＶＩ）で表される基であるとき、その化合物はＣ’成分である。
【０１２４】
【化３６】

【０１２５】
〔一般式（ｉ）において、Ａは、各々独立に、上記一般式（Ｉ）〜（ＶＩ）のいずれかで表される基または水素原子を表し、但し、複数あるＡのうちの少なくともひとつは、上記一般式（Ｉ）〜（ＶＩ）のいずれかで表される基である。
Ｒ^１１は水素原子、ヒドロキシル基、炭素数２〜６の直鎖状もしくは分岐状のアルキルカルボニル基または炭素数２〜６の直鎖状もしくは分岐状のアルコキシカルボニル基を示す。〕
【０１２６】
【化３７】

【０１２７】
〔一般式（ｉｉ）において、Ａは、各々独立に、上記一般式（Ｉ）〜（ＶＩ）のいずれかで表される基または水素原子を表し、但し、複数あるＡのうちの少なくともひとつは、上記一般式（Ｉ）〜（ＶＩ）のいずれかで表される基である。
Ｒ^１２は単結合、炭素数１〜５の直鎖状もしくは分岐状のアルキレン基、−Ｏ−、−ＣＯ−または−ＣＯＯ−を示す。〕
【０１２８】
【化３８】

【０１２９】
〔一般式（ｉｉｉ）において、Ａは、各々独立に、上記一般式（Ｉ）〜（ＶＩ）のいずれかで表される基または水素原子を表し、但し、複数あるＡのうちの少なくともひとつは、上記一般式（Ｉ）〜（ＶＩ）のいずれかで表される基である。〕
【０１３０】
【化３９】

【０１３１】
〔一般式（ｉｖ）において、Ａは、各々独立に、上記一般式（Ｉ）〜（ＶＩ）のいずれかで表される基または水素原子を表し、但し、ふたつのＡのうちの少なくともひとつは、上記一般式（Ｉ）〜（ＶＩ）のいずれかで表される基である。
Ｒ^１３およびＲ^１４は、各々独立に、水素原子または炭素数１〜５の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基を示す。〕
【０１３２】
以下、代表として上記各一般式におけるＡが上記一般式（Ｉ）で表される１−ヒドロキシエチルであるときのＣ成分の化合物の具体例を挙げる。
Ａが他の一般式（Ｉ）〜（ＶＩ）で表される基である場合の化合物例としては、下記の具体例において１−ヒドロキシエチルを他の一般式（Ｉ）〜（ＶＩ）で表される基で置き換えて得られる化合物を挙げることができる。
【０１３３】
ベンゼン系化合物（ｉ）の具体例としては、１−ヒドロキシエチルベンゼン、１，３−ビス（１−ヒドロキシエチル）ベンゼン、１，４−ビス（１−ヒドロキシエチル）ベンゼン、１，２，４−トリス（１−ヒドロキシエチル）ベンゼン、１，３，５−トリス（１−ヒドロキシエチル）ベンゼン等の１−ヒドロキシエチルベンゼン類；３−１−ヒドロキシエチルフェノール、４−（１−ヒドロキシエチル）フェノール、３，５−ビス（１−ヒドロキシエチル）フェノール、２，４，６−トリス（１−ヒドロキシエチル）フェノール等の１−ヒドロキシエチルフェノール類；
【０１３４】
３−（１−ヒドロキシエチル）フェニル・メチルケトン、４−（１−ヒドロキシエチル）フェニル・メチルケトン、４−（１−ヒドロキシエチル）フェニル・エチルケトン、４−（１−ヒドロキシエチル）フェニル・ｎ−プロピルケトン、４−（１−ヒドロキシエチル）フェニル・イソプロピルケトン、４−（１−ヒドロキシエチル）フェニル・ｎ−ブチルケトン、４−（１−ヒドロキシエチル）フェニル・ｔ−ブチルケトン、４−（１−ヒドロキシエチル）フェニル・ｎ−ペンチルケトン、３，５−ビス（１−ヒドロキシエチル）フェニル・メチルケトン、３，５−ビス（１−ヒドロキシエチル）フェニル・エチルケトン、２，４，６−トリス（１−ヒドロキシエチル）フェニル・メチルケトン等の（１−ヒドロキシエチル）フェニル・アルキルケトン類；
【０１３５】
３−（１−ヒドロキシエチル）安息香酸メチル、４−（１−ヒドロキシエチル）安息香酸メチル、４−（１−ヒドロキシエチル）安息香酸エチル、４−（１−ヒドロキシエチル）安息香酸ｎ−プロピル、４−（１−ヒドロキシエチル）安息香酸イソプロピル、４−（１−ヒドロキシエチル）安息香酸ｎ−ブチル、４−（１−ヒドロキシエチル）安息香酸ｔ−ブチル、４−（１−ヒドロキシエチル）安息香酸ｎ−ペンチル、３，５−ビス（１−ヒドロキシエチル）安息香酸メチル、３，５−ビス（１−ヒドロキシエチル）安息香酸エチル、２，４，６−トリス（１−ヒドロキシエチル）安息香酸メチル等の４−（１−ヒドロキシエチル）安息香酸アルキル類等を挙げることができる。
【０１３６】
また、ジフェニル系化合物（ｉｉ）の具体例としては、３−（１−ヒドロキシエチル）ビフェニル、４−（１−ヒドロキシエチル）ビフェニル、３，５−ビス（１−ヒドロキシエチル）ビフェニル、３，３’−ビス（１−ヒドロキシエチル）ビフェニル、３，４’−ビス（１−ヒドロキシエチル）ビフェニル、４，４’−ビス（１−ヒドロキシエチル）ビフェニル、２，４，６−トリス（１−ヒドロキシエチル）ビフェニル、３，３’，５−トリス（１−ヒドロキシエチル）ビフェニル、３，４’，５−トリス（１−ヒドロキシエチル）ビフェニル、２，３’，４，６，−テトラキス（１−ヒドロキシエチル）ビフェニル、２，４，４’，６，−テトラキス（１−ヒドロキシエチル）ビフェニル、３，３’，５，５’−テトラキス（１−ヒドロキシエチル）ビフェニル、２，３’，４，５’，６−ペンタキス（１−ヒドロキシエチル）ビフェニル、２，２’，４，４’，６，６’−ヘキサキス（１−ヒドロキシエチル）ビフェニル等の（１−ヒドロキシエチル）ビフェニル類；
【０１３７】
３−（１−ヒドロキシエチル）ジフェニルメタン、４−（１−ヒドロキシエチル）ジフェニルメタン、１−（４−（１−ヒドロキシエチル）フェニル）−２−フェニルエタン、１−（４−（１−ヒドロキシエチル）フェニル）−２−フェニルプロパン、２−（４−（１−ヒドロキシエチル）フェニル）−２−フェニルプロパン、１−（４−（１−ヒドロキシエチル）フェニル）−３−フェニルプロパン、１−（４−（１−ヒドロキシエチル）フェニル）−４−フェニルブタン、１−（４−（１−ヒドロキシエチル）フェニル）−５−フェニルペンタン、３，５−ビス（１−ヒドロキシエチル）ジフェニルメタン、３，３’−ビス（１−ヒドロキシエチル）ジフェニルメタン、３，４’−ビス（１−ヒドロキシエチル）ジフェニルメタン、４，４’−ビス（１−ヒドロキシエチル）ジフェニルメタン、１，２−ビス（４−（１−ヒドロキシエチル）フェニル）エタン、１，２−ビス（４−α−ヒドロキシプロピルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−α−ヒドロキシプロピルフェニル）プロパン、１，３−ビス（４−α−ヒドロキシプロピルフェニル）プロパン、２，４，６−トリス（１−ヒドロキシエチル）ジフェニルメタン、３，３’，５−トリス（１−ヒドロキシエチル）ジフェニルメタン、３，４’，５−トリス（１−ヒドロキシエチル）ジフェニルメタン、２，３’，４，６−テトラキス（１−ヒドロキシエチル）ジフェニルメタン、２，４，４’，６−テトラキス（１−ヒドロキシエチル）ジフェニルメタン、３，３’，５，５’−テトラキス（１−ヒドロキシエチル）ジフェニルメタン、２，３’，４，５’，６−ペンタキス（１−ヒドロキシエチル）ジフェニルメタン、２，２’，４，４’，６，６’−ヘキサキス（１−ヒドロキシエチル）ジフェニルメタン等の（１−ヒドロキシエチル）ジフェニルアルカン類；
【０１３８】
３−（１−ヒドロキシエチル）ジフェニルエーテル、４−（１−ヒドロキシエチル）ジフェニルエーテル、３，５−ビス（１−ヒドロキシエチル）ジフェニルエーテル、３，３’−ビス（１−ヒドロキシエチル）ジフェニルエーテル、３，４’−ビス（１−ヒドロキシエチル）ジフェニルエーテル、４，４’−ビス（１−ヒドロキシエチル）ジフェニルエーテル、２，４，６−トリス（１−ヒドロキシエチル）ジフェニルエーテル、３，３’，５−トリス（１−ヒドロキシエチル）ジフェニルエーテル、３，４’，５−トリス（１−ヒドロキシエチル）ジフェニルエーテル、２，３’４，，６−テトラキス（１−ヒドロキシエチル）ジフェニルエーテル、２，４，４’，６−テトラキス（１−ヒドロキシエチル）ジフェニルエーテル、３，３’，５，５’−テトラキス（１−ヒドロキシエチル）ジフェニルエーテル、２，３’，４，５’，６−ペンタキス（１−ヒドロキシエチル）ジフェニルエーテル、２，２’，４，４’，６，６’−ヘキサキス（１−ヒドロキシエチル）ジフェニルエーテル等の（１−ヒドロキシエチル）ジフェニルエーテル類；
【０１３９】
３−（１−ヒドロキシエチル）ジフェニルケトン、４−（１−ヒドロキシエチル）ジフェニルケトン、３，５−ビス（１−ヒドロキシエチル）ジフェニルケトン、３，３’−ビス（１−ヒドロキシエチル）ジフェニルケトン、３，４’−ビス（１−ヒドロキシエチル）ジフェニルケトン、４，４’−ビス（１−ヒドロキシエチル）ジフェニルケトン、２，４，６−トリス（１−ヒドロキシエチル）ジフェニルケトン、３，３’，５−トリス（１−ヒドロキシエチル）ジフェニルケトン、３，４’，５−トリス（１−ヒドロキシエチル）ジフェニルケトン、２，３’，４，６−テトラキス（１−ヒドロキシエチル）ジフェニルケトン、２，４，４’，６−テトラキス（１−ヒドロキシエチル）ジフェニルケトン、３，３’，５，５’−テトラキス（１−ヒドロキシエチル）ジフェニルケトン、２，３’，４，５’，６−ペンタキス（１−ヒドロキシエチル）ジフェニルケトン、２，２’，４，４’，６，６’−ヘキサキス（１−ヒドロキシエチル）ジフェニルケトン等の（１−ヒドロキシエチル）ジフェニルケトン類；
【０１４０】
３−（１−ヒドロキシエチル）安息香酸フェニル、４−（１−ヒドロキシエチル）安息香酸フェニル、安息香酸３−（１−ヒドロキシエチル）フェニル、安息香酸４−（１−ヒドロキシエチル）フェニル、３，５−ビス（１−ヒドロキシエチル）安息香酸フェニル、３−（１−ヒドロキシエチル）安息香酸３−（１−ヒドロキシエチル）フェニル、３−（１−ヒドロキシエチル）安息香酸４−（１−ヒドロキシエチル）フェニル、４−（１−ヒドロキシエチル）安息香酸３−（１−ヒドロキシエチル）フェニル、４−（１−ヒドロキシエチル）安息香酸４−（１−ヒドロキシエチル）フェニル、安息香酸３，５−ビス（１−ヒドロキシエチル）フェニル、２，４，６−トリス（１−ヒドロキシエチル）安息香酸フェニル、３，５−ビス（１−ヒドロキシエチル）安息香酸３−（１−ヒドロキシエチル）フェニル、３，５−ビス（１−ヒドロキシエチル）安息香酸４−（１−ヒドロキシエチル）フェニル、３−（１−ヒドロキシエチル）安息香酸３，５−ビス（１−ヒドロキシエチル）フェニル、４−（１−ヒドロキシエチル）安息香酸３，５−ビス（１−ヒドロキシエチル）フェニル、安息香酸２，４，６−トリス（１−ヒドロキシエチル）フェニル、
【０１４１】
２，４，６−トリス（１−ヒドロキシエチル）安息香酸３−（１−ヒドロキシエチル）フェニル、２，４，６−トリス（１−ヒドロキシエチル）安息香酸４−（１−ヒドロキシエチル）フェニル、３，５−ビス（１−ヒドロキシエチル）安息香酸３，５−ビス（１−ヒドロキシエチル）フェニル、３−（１−ヒドロキシエチル）安息香酸２，４，６−トリス（１−ヒドロキシエチル）フェニル、４−（１−ヒドロキシエチル）安息香酸２，４，６−トリス（１−ヒドロキシエチル）フェニル、２，４，６−トリス（１−ヒドロキシエチル）安息香酸３，５−ビス（１−ヒドロキシエチル）フェニル、３，５−ビス（１−ヒドロキシエチル）安息香酸２，４，６−トリス（１−ヒドロキシエチル）フェニル、２，４，６−トリス（１−ヒドロキシエチル）安息香酸２，４，６−トリス（１−ヒドロキシエチル）フェニル等の（１−ヒドロキシエチル）安息香酸フェニル類等を挙げることができる。
【０１４２】
また、ナフタレン系化合物（ｉｉｉ）の具体例としては、１−（１−ヒドロキシエチル）ナフタレン、２−（１−ヒドロキシエチル）ナフタレン、１，３−ビス（１−ヒドロキシエチル）ナフタレン、１，４−ビス（１−ヒドロキシエチル）ナフタレン、１，５−ビス（１−ヒドロキシエチル）ナフタレン、１，６−ビス（１−ヒドロキシエチル）ナフタレン、１，７−ビス（１−ヒドロキシエチル）ナフタレン、２，６−ビス（１−ヒドロキシエチル）ナフタレン、２，７−ビス（１−ヒドロキシエチル）ナフタレン、１，３，５−トリス（１−ヒドロキシエチル）ナフタレン、１，３，６−トリス（１−ヒドロキシエチル）ナフタレン、１，３，７−トリス（１−ヒドロキシエチル）ナフタレン、１，４，６−トリス（１−ヒドロキシエチル）ナフタレン、１，４，７−トリス（１−ヒドロキシエチル）ナフタレン、１，３，５，７−テトラキス（１−ヒドロキシエチル）ナフタレン等を挙げることができる。
【０１４３】
さらに、フラン系化合物（ｉｖ）の具体例としては、３−（１−ヒドロキシエチル）フラン、２−メチル−３−（１−ヒドロキシエチル）フラン、２−メチル−４−（１−ヒドロキシエチル）フラン、２−エチル−４−（１−ヒドロキシエチル）フラン、２−ｎ−プロピル−４−（１−ヒドロキシエチル）フラン、２−イソプロピル−４−（１−ヒドロキシエチル）フラン、２−ｎ−ブチル−４−（１−ヒドロキシエチル）フラン、２−ｔ−ブチル−４−（１−ヒドロキシエチル）フラン、２−ｎ−ペンチル−４−（１−ヒドロキシエチル）フラン、２，５−ジメチル−３−（１−ヒドロキシエチル）フラン、２，５−ジエチル−３−（１−ヒドロキシエチル）フラン、３，４−ビス（１−ヒドロキシエチル）フラン、２，５−ジメチル−３，４−ビス（１−ヒドロキシエチル）フラン、２，５−ジエチル−３，４−ビス（１−ヒドロキシエチル）フラン等を挙げることができる。
【０１４４】
Ｃ成分としては、式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）で表される基を２〜６個有する化合物がより好ましい。化合物が式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）で表される基を２〜６個有する場合、レジスト組成物の性能が特に向上する。
更に好ましくは、式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）で表される基を２〜６個有するベンゼン系化合物、式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）で表される基を２〜６個有するヒドロキシアルキルビフェニル類、式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）で表される基を２〜６個有するナフタレン類である。
Ｃ’成分としては、式（ＩＶ）〜（ＶＩ）で表される基を２〜６個有する化合物がより好ましい。化合物が式（ＩＶ）〜（ＶＩ）で表される基を２〜６個有する場合、レジスト組成物の性能が特に向上する。
更に好ましくは、式（ＩＶ）〜（ＶＩ）で表される基を２〜６個有するベンゼン系化合物、式（ＩＶ）〜（ＶＩ）で表される基を２〜６個有するヒドロキシアルキルビフェニル類、式（ＩＶ）〜（ＶＩ）で表される基を２〜６個有するナフタレン類である。
Ｃ及びＣ’成分は、各々単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。また、Ｃ成分とＣ’成分とを併用することもできる。
【０１４５】
Ｃ成分の化合物は、例えば、対応するケトンあるいはアルデヒドの酸化反応、ケトン、アルデヒド、エステル、グリニヤール試薬との反応などにより合成することができる。
Ｃ’成分の化合物は、Ｃ成分の化合物を定法により保護することにより合成することができる。
【０１４６】
本発明のネガ型レジスト組成物におけるＣ成分及びＣ’成分の化合物の添加量は、総量として、ネガ型レジスト組成物の全固形分に対し、一般的に５〜５０質量％、好ましくは７〜４０質量％、より好ましくは１０〜３０質量％である。
【０１４７】
〔４〕架橋剤（Ｄ成分）
本発明のネガ型レジスト組成物では、酸により架橋する化合物（以下、適宜、酸架橋剤又は単に架橋剤と称する）を含有することもできる。
架橋剤としては、フェノール誘導体を使用することができる。
好ましくは、分子内にベンゼン環を３〜５個含み、さらにヒドロキシメチル基またはアルコキシメチル基を合わせて２個以上有し、そのヒドロキシメチル基、アルコキシメチル基を少なくともいずれかのベンゼン環に集中させ、あるいは振り分けて結合してなるフェノール誘導体を挙げることができる。このようなフェノール誘導体を用いることにより、本発明の効果をより顕著にすることができる。尚、フェノール誘導体の分子量は、好ましくは１２００以下、より好ましくは２５０〜１０００、特に好ましくは２５０〜８００である。
ベンゼン環に結合するアルコキシメチル基としては、炭素数６個以下のものが好ましい。具体的にはメトキシメチル基、エトキシメチル基、ｎ−プロポキシメチル基、ｉ−プロポキシメチル基、ｎ−ブトキシメチル基、ｉ−ブトキシメチル基、ｓｅｃ−ブトキシメチル基、ｔ−ブトキシメチル基が好ましい。さらに、２
【０１４８】
【化４０】

【０１４９】
【化４１】

【０１５０】
【化４２】

【０１５１】
【化４３】

【０１５２】
【化４４】

【０１５３】
（式中、Ｌ^１〜Ｌ^８は、同じであっても異なっていてもよく、ヒドロキシメチル基、メトキシメチル基又はエトキシメチル基を示す。）
ヒドロキシメチル基を有するフェノール誘導体は、対応するヒドロキシメチル基を有さないフェノール化合物（上記式においてＬ^１〜Ｌ^８が水素原子である化合物）とホルムアルデヒドを塩基触媒下で反応させることによって得ることができる。この際、樹脂化やゲル化を防ぐために、反応温度を６０℃以下で行うことが好ましい。具体的には、特開平６−２８２０６７号、特開平７−６４２８５号等に記載されている方法にて合成することができる。
アルコキシメチル基を有するフェノール誘導体は、対応するヒドロキシメチル基を有するフェノール誘導体とアルコールを酸触媒下で反応させることによって得ることができる。この際、樹脂化やゲル化を防ぐために、反応温度を１００℃以下で行うことが好ましい。具体的には、欧州特許ＥＰ６３２００３Ａ１等に記載されている方法にて合成することができる。
このようにして合成されたヒドロキシメチル基またはアルコキシメチル基を有するフェノール誘導体は、保存時の安定性の点で好ましいが、アルコキシメチル基を有するフェノール誘導体は保存時の安定性の観点から特に好ましい。
ヒドロキシメチル基またはアルコキシメチル基を合わせて２個以上有し、いずれかのベンゼン環に集中させ、あるいは振り分けて結合してなるこのようなフェノール誘導体は、単独で使用してもよく、また２種以上を組み合わせて使用してもよい。
更に上記フェノール誘導体以外にも、下記の（ｉ）、（ｉｉ）の化合物が架橋剤として使用できる。
（ｉ）Ｎ−ヒドロキシメチル基、Ｎ−アルコキシメチル基、若しくはＮ−アシルオキシメチル基を有する化合物
（ｉｉ）エポキシ化合物
【０１５４】
これらの架橋剤については以下に詳細に説明する。
（ｉ）　Ｎ−ヒドロキシメチル基、Ｎ−アルコキシメチル基、若しくはＮ−アシルオキシメチル基を有する化合物としては、欧州特許公開（以下、「ＥＰ−Ａ」と記載する）第０，１３３，２１６号、西独特許第３，６３４，６７１号、同第３，７１１，２６４号に開示された単量体及びオリゴマー−メラミン−ホルムアルデヒド縮合物並びに尿素−ホルムアルデヒド縮合物、ＥＰ−Ａ第０，２１２，４８２号に開示されたアルコキシ置換化合物等に開示されたベンゾグアナミン−ホルムアルデヒド縮合物等が挙げられる。
更に好ましい例としては、例えば、少なくとも２個の遊離Ｎ−ヒドロキシメチル基、Ｎ−アルコキシメチル基、若しくはＮ−アシルオキシメチル基を有するメラミン−ホルムアルデヒド誘導体が挙げられ、中でもＮ−アルコキシメチル誘導体が特に好ましい。
【０１５５】
（ｉｉ）　エポキシ化合物としては、一つ以上のエポキシ基を含む、モノマー、ダイマー、オリゴマー、ポリマー状のエポキシ化合物を挙げることができる。例えば、ビスフェノールＡとエピクロルヒドリンとの反応生成物、低分子量フェノール−ホルムアルデヒド樹脂とエピクロルヒドリンとの反応生成物等が挙げられる。その他、米国特許第４，０２６，７０５号公報、英国特許第１，５３９，１９２号公報に記載され、使用されているエポキシ樹脂を挙げることができる。
【０１５６】
本発明においては、上記のフェノール誘導体が好ましい。
上記のフェノール誘導体に加え、例えば上述のような他の架橋剤（ｉ）、（ｉｉ）を併用することもできる。
上記のフェノール誘導体に加えて併用しうる他の架橋剤の比率は、モル比で１００／０〜２０／８０、好ましくは９０／１０〜４０／６０、更に好ましくは８０／２０〜５０／５０である。
【０１５７】
架橋剤の添加量は、架橋剤／（Ｃ成分＋Ｃ’成分＋架橋剤）の質量比として、一般的に３／１００〜９７／１００、好ましくは５／１００〜９５／１００、より好ましくは７／１００〜９３／１００である。
【０１５８】
〔５〕溶剤（Ｅ成分）
本発明の組成物は、上記各成分を溶剤に溶かして支持体上に塗布する。
溶剤としては、エチレンジクロライド、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、２−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、メチルエチルケトン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、２−メトキシエチルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、トルエン、酢酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロリドン、テトラヒドロフラン等が好ましく、これらの溶媒を単独あるいは混合して使用する。
溶剤の添加量は、塗布する塗膜の厚みにより適宜設定できるが、８０〜９７質量％が好ましい。
【０１５９】
尚、本発明のネガ型レジスト組成物は、溶剤として、以下の（Ｅ）混合溶剤を使用することが好ましい。
（Ｅ）成分としては、プロピレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレートのうち少なくとも１種（Ａ群の溶剤ともいう）と、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキル、酢酸エステル、鎖状ケトン及びアルコキシプロピオン酸アルキルのうち少なくとも１種（Ｂ群の溶剤ともいう）及び／
又はγ−ブチロラクトン、エチレンカーボネート及びプロピレンカーボネート（Ｃ群の溶剤ともいう）とを含有する混合溶剤である。
即ち、（Ｅ）成分としては、Ａ群の溶剤とＢ群の溶剤との組み合わせ、Ａ群の溶剤とＣ群の溶剤との組み合わせ、Ａ群の溶剤とＢ群の溶剤とＣ群の溶剤との組み合わせを用いる。
【０１６０】
プロピレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレートとしては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルプロピオネートを好ましく挙げることができる。
【０１６１】
プロピレングリコールモノアルキルエーテルとしては、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテルを好ましく挙げることができる。
乳酸アルキルとしては、乳酸メチル、乳酸エチルを好ましく挙げることができる。
酢酸エステル溶剤としては酢酸ブチル、酢酸ペンチル、酢酸ヘキシルを好ましく挙げることができ、より好ましくは酢酸ブチルである。
鎖状ケトンとしてはヘプタノンが挙げられ、ヘプタノンとしては、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノンを挙げることができ、好ましくは２−ヘプタノンである。
アルコキシプロピオン酸アルキルとしては、３−エトキシプロピオン酸エチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸メチルを好ましく挙げることができる。
【０１６２】
上記Ａ群の溶剤とＢ群の溶剤の使用質量比率（Ａ：Ｂ）は、９０：１０〜１５：８５が好ましく、より好ましくは８５：１５〜２０：８０であり、更に好ましくは８０：２０〜２５：７５である。
上記Ａ群の溶剤とＣ群の溶剤の使用質量比率（Ａ：Ｃ）は、９９．９：０．１〜７５：２５が好ましく、より好ましくは９９：１〜８０：２０であり、更に好ましくは９７：３〜８５：１５である。
【０１６３】
この３種の溶剤を組み合わせる場合には、Ｃ群の溶剤の使用質量比率は、全溶剤に対して０．１〜２５質量％が好ましく、より好ましくは１〜２０質量％、更に好ましくは３〜１７質量％である。
本発明において、上記各成分を含むレジスト組成物の固形分を、上記混合溶剤に固形分濃度として３〜２５質量％溶解することが好ましく、より好ましくは５〜２２質量％であり、更に好ましくは７〜２０質量％である。
【０１６４】
本発明の組成物は、上記各成分を本発明の（Ｅ）成分の混合溶剤に溶かして支持体上に塗布する。本発明では、（Ｅ）成分の混合溶剤に加えて他の溶剤を適宜混合してもよい。このような他の溶剤としては、エチレンジクロライド、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、２−メトキシエチルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、トルエン、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルウレア、Ｎ−メチルピロリドン、テトラヒドロフラン、β−メトキシイソ酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸プロピル等が好ましく、これらの溶媒を（ｄ）の混合溶剤に加えて、１種以上混合して使用してもよい。これらの他の溶剤の添加量は、（Ｅ）成分の混合溶剤の１００質量部に対して、通常１００質量部以下である。
【０１６５】
〔６〕本発明の組成物に使用される他の成分
本発明のネガ型レジスト組成物には必要に応じて、更に有機塩基性化合物、界面活性剤、染料などを含有させることができる。
１．有機塩基性化合物
本発明で用いることのできる好ましい有機塩基性化合物とは、フェノールよりも塩基性の強い化合物である。中でも含窒素塩基性化合物が好ましい。
化学的環境として、下記式（Ａ）〜（Ｅ）の構造を有する含窒素塩基性化合物が好ましい。
【０１６６】
【化４５】

【０１６７】
ここで、Ｒ^２５０　、Ｒ^２５１　及びＲ^２５２　は、同一でも異なってもよく、水素原子、炭素数１〜６個のアルキル基、炭素数１〜６個のアミノアルキル基、炭素数１〜６個のヒドロキシアルキル基又は炭素数６〜２０個の置換もしくは非置換のアリール基を表し、ここで、Ｒ^２５１とＲ^２５２は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ^２５３　、Ｒ^２５４　、Ｒ^２５５　及びＲ^２５６　は、同一でも異なってもよく、炭素数１〜６個のアルキル基を表す。
更に好ましい化合物は、一分子中に異なる化学的環境の窒素原子を２個以上有する含窒素塩基性化合物であり、特に好ましくは、置換もしくは未置換のアミノ基と窒素原子を含む環構造の両方を含む化合物もしくはアルキルアミノ基を有する化合物である。
【０１６８】
好ましい具体例としては、置換もしくは未置換のグアニジン、置換もしくは未置換のアミノピリジン、置換もしくは未置換のアミノアルキルピリジン、置換もしくは未置換のアミノピロリジン、置換もしくは未置換のインダゾール、イミダゾール、置換もしくは未置換のピラゾール、置換もしくは未置換のピラジン、置換もしくは未置換のピリミジン、置換もしくは未置換のプリン、置換もしくは未置換のイミダゾリン、置換もしくは未置換のピラゾリン、置換もしくは未置換のピペラジン、置換もしくは未置換のアミノモルフォリン、置換もしくは未置換のアミノアルキルモルフォリン等が挙げられる。好ましい置換基は、アミノ基、アミノアルキル基、アルキルアミノ基、アミノアリール基、アリールアミノ基、アルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ニトロ基、水酸基、シアノ基である。
【０１６９】
特に好ましい化合物として、グアニジン、１，１−ジメチルグアニジン、１，１，３，３，−テトラメチルグアニジン、イミダゾール、２−メチルイミダゾール、４−メチルイミダゾール、Ｎ−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、４，５−ジフェニルイミダゾール、２，４，５−トリフェニルイミダゾール、２−アミノピリジン、３−アミノピリジン、４−アミノピリジン、２−ジメチルアミノピリジン、４−ジメチルアミノピリジン、２−ジエチルアミノピリジン、２−（アミノメチル）ピリジン、２−アミノ−３−メチルピリジン、２−アミノ−４−メチルピリジン、２−アミノ−５−メチルピリジン、２−アミノ−６−メチルピリジン、３−アミノエチルピリジン、４−アミノエチルピリジン、３−アミノピロリジン、ピペラジン、Ｎ−（２−アミノエチル）ピペラジン、Ｎ−（２−アミノエチル）ピペリジン、４−アミノ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−ピペリジノピペリジン、２−イミノピペリジン、１−（２−アミノエチル）ピロリジン、ピラゾール、３−アミノ−５−メチルピラゾール、５−アミノ−３−メチル−１−ｐ−トリルピラゾール、ピラジン、２−（アミノメチル）−５−メチルピラジン、ピリミジン、２，４−ジアミノピリミジン、４，６−ジヒドロキシピリミジン、２−ピラゾリン、３−ピラゾリン、Ｎ−アミノモルフォリン、Ｎ−（２−アミノエチル）モルフォリンなどが挙げられるがこれに限定されるものではない。
これらの含窒素塩基性化合物は、単独であるいは２種以上一緒に用いられる。酸発生剤と有機塩基性化合物の組成物中の使用割合は、（酸発生剤）／（有
機塩基性化合物）（モル比）＝２．５〜３００であることが好ましい。該モル比が２．５未満では低感度となり、解像力が低下する場合があり、また、３００を越えると露光後加熱処理までの経時でレジストパターンの太りが大きくなり、解像力も低下する場合がある。（酸発生剤）／（有機塩基性化合物）（モル比）
は、好ましくは５．０〜２００、更に好ましくは７．０〜１５０である。これら含窒素塩基性化合物の添加は、レジスト膜の引き置き経時安定性（ＰＣＤ安定性及びＰＥＤ安定性）を改善する効果がある。
ここで、ＰＣＤ（Ｐｏｓｔ　Ｃｏａｔｉｎｇ　Ｄｅｌａｙ）安定性とは、基板にレジスト組成物を塗布後、照射装置内あるいは装置外に放置した場合の塗膜安定性であり、また、ＰＥＤ（Ｐｏｓｔ　Ｅｘｐｏｓｕｒｅ　Ｄｅｌａｙ）安定性とは、照射後に加熱操作を行うまでの間、照射装置内あるいは装置外に放置した場合の塗膜安定性である。
【０１７０】
２．界面活性剤類
本発明のネガ型レジスト組成物には、界面活性剤を加えることもできる。具体的には、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテ−ト、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤、エフトップＥＦ３０１，ＥＦ３０３，ＥＦ３５２（新秋田化成（株）製）、メガファックＦ１７１，Ｆ１７３　（大日本インキ化学工業（株）製）、フロラ−ドＦＣ４３０，ＦＣ４３１（住友スリーエム（株）製）、アサヒガードＡＧ７１０，サーフロンＳ−３８２，ＳＣ１０１，ＳＣ１０２，ＳＣ１０３，ＳＣ１０４，ＳＣ１０５，ＳＣ１０６（旭硝子（株）製）等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロキサンポリマーＫＰ３４１（信越化学工業（株）製）やアクリル酸系もしくはメタクリル酸系（共）重合ポリフローＮｏ．７５，Ｎｏ．９５（共栄社油脂化学工業（株）製）、トロイゾルＳ−３６６（トロイケミカル（株）製）等を挙げることができる。
【０１７１】
これらの界面活性剤の配合量は、本発明の組成物中の固形分１００質量部当たり、通常、０．００１〜２質量部、好ましくは０．０１〜１質量部である。これらの界面活性剤は単独で添加してもよいし、また、いくつかの組み合わせで添加することもできる。これらの界面活性剤の添加により、レジスト膜の面内均一性が増し、解像力が向上する効果がある。
【０１７２】
尚、界面活性剤としては、フッ素系及び／又はシリコン系界面活性剤（フッ素系界面活性剤及びシリコン系界面活性剤、フッ素原子と珪素原子の両方を含有する界面活性剤）のいずれか、あるいは２種以上を含有することが好ましい。
これらの界面活性剤として、例えば特開昭６２−３６６６３号公報、特開昭６１−２２６７４６号公報、特開昭６１−２２６７４５号公報、特開昭６２−１７０９５０号公報、特開昭６３−３４５４０号公報、特開平７−２３０１６５号公報、特開平８−６２８３４号公報、特開平９−５４４３２号公報、特開平９−５９８８号公報、特開２００２−２７７８６２号公報、米国特許第５４０５７２０号明細書、同５３６０６９２号明細書、同５５２９８８１号明細書、同５２９６３３０号明細書、同５４３６０９８号明細書、同５５７６１４３号明細書、同　５２９４５１１号明細書、同５８２４４５１号明細書記載の界面活性剤を挙げることができ、下記市販の界面活性剤をそのまま用いることもできる。
使用できる市販の界面活性剤として、例えばエフトップＥＦ３０１、ＥＦ３０３、（新秋田化成（株）製）、フロラードＦＣ４３０、４３１（住友スリーエム（株）製）、メガファックＦ１７１、Ｆ１７３、Ｆ１７６、Ｆ１８９、Ｒ０８（大日本インキ化学工業（株）製）、サーフロンＳ−３８２、ＳＣ１０１、１０２、１０３、１０４、１０５、１０６（旭硝子（株）製）、トロイゾルＳ−３６６（トロイケミカル（株）製）等のフッ素系界面活性剤又はシリコン系界面活性剤を挙げることができる。またポリシロキサンポリマーＫＰ−３４１（信越化学工業（株）製）もシリコン系界面活性剤として用いることができる。
【０１７３】
また、界面活性剤としては、上記に示すような公知のものの他に、テロメリゼーション法（テロマー法ともいわれる）もしくはオリゴメリゼーション法（オリゴマー法ともいわれる）により製造されたフルオロ脂肪族化合物から導かれたフルオロ脂肪族基を有する重合体を用いた界面活性剤を用いることが出来る。フルオロ脂肪族化合物は、特開２００２−９０９９１号公報に記載された方法によって合成することが出来る。
フルオロ脂肪族基を有する重合体としては、フルオロ脂肪族基を有するモノマーと（ポリ（オキシアルキレン））アクリレート及び／又は（ポリ（オキシアルキレン））メタクリレートとの共重合体が好ましく、不規則に分布しているものでも、ブロック共重合していてもよい。また、ポリ（オキシアルキレン）基としては、ポリ（オキシエチレン）基、ポリ（オキシプロピレン）基、ポリ（オキシブチレン）基などが挙げられ、また、ポリ（オキシエチレンとオキシプロピレンとオキシエチレンとのブロック連結体）やポリ（オキシエチレンとオキシプロピレンとのブロック連結体）基など同じ鎖長内に異なる鎖長のアルキレンを有するようなユニットでもよい。さらに、フルオロ脂肪族基を有するモノマーと（ポリ（オキシアルキレン））アクリレート（又はメタクリレート）との共重合体は２元共重合体ばかりでなく、異なる２種以上のフルオロ脂肪族基を有するモノマーや、異なる２種以上の（ポリ（オキシアルキレン））アクリレート（又はメタクリレート）などを同時に共重合した３元系以上の共重合体でもよい。
例えば、市販の界面活性剤として、メガファックＦ１７８、Ｆ−４７０、Ｆ−４７３、Ｆ−４７５、Ｆ−４７６、Ｆ−４７２（大日本インキ化学工業（株）製）を挙げることができる。さらに、Ｃ_６Ｆ_１３基を有するアクリレート（又はメタクリレート）と（ポリ（オキシアルキレン））アクリレート（又はメタクリレート）との共重合体、Ｃ_６Ｆ_１３基を有するアクリレート（又はメタクリレート）と（ポリ（オキシエチレン））アクリレート（又はメタクリレート）と（ポリ（オキシプロピレン））アクリレート（又はメタクリレート）との共重合体、Ｃ_８Ｆ_１７基を有するアクリレート（又はメタクリレート）と（ポリ（オキシアルキレン））アクリレート（又はメタクリレート）との共重合体、Ｃ_８Ｆ_１７基を有するアクリレート（又はメタクリレート）と（ポリ（オキシエチレン））アクリレート（又はメタクリレート）と（ポリ（オキシプロピレン））アクリレート（又はメタクリレート）との共重合体、などを挙げることができる。
【０１７４】
界面活性剤の使用量は、レジスト組成物全量（溶剤を除く）に対して、通常０．０００１〜２質量％、好ましくは０．００１〜２質量％、より好ましくは０．００１〜１質量％、特に好ましくは０．０１〜１質量％である。
【０１７５】
３．染料
好適な染料としては油性染料及び塩基性染料がある。具体的にはオイルイエロー＃１０１、オイルイエロー＃１０３、オイルピンク＃３１２、オイルグリーンＢＧ、オイルブルーＢＯＳ，オイルブルー＃６０３、オイルブラックＢＹ、オイルブラックＢＳ、オイルブラックＴ−５０５（以上オリエント化学工業株式会社製）、クリスタルバイオレット（ＣＩ４２５５５）、メチルバイオレット（ＣＩ４２５３５）、ローダミンＢ（ＣＩ４５１７０Ｂ）、マラカイトグリーン（ＣＩ４２０００）、メチレンブルー（ＣＩ５２０１５）等を挙げることができる。
【０１７６】
精密集積回路素子の製造などにおいてレジスト膜上へのパターン形成工程は、基板（例：シリコン／二酸化シリコン皮覆、ガラス基板、ＩＴＯ基板等の透明基板等）上に、本発明のネガ型レジスト組成物を塗布し、次に電子線又はＸ
線描画装置を用いて照射を行い、加熱、現像、リンス、乾燥することにより良好なレジストパターンを形成することができる。
本発明のネガ型レジスト組成物の現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエタノーアミン等のアルコ−ルアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリン等の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピペリジン等の環状アミン類、等のアルカリ類の水溶液（通常１〜１０質量％）を使用することができる。更に、上記アルカリ類の水溶液にイソプロピルアルコール等のアルコール類、ノニオン系等の界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。
これらの現像液の中で好ましくは第四アンモニウム塩、更に好ましくは、テトラメチルアンモニウムヒドロオキシド、コリンである。
【０１７７】
【実施例】
以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明の内容がこれにより限定されるものではない。
１．構成素材の合成例
（１）アルカリ可溶性樹脂
１）３−ｔ−ブトキシスチレン１７．６ｇを乾燥ＴＨＦ２７ｇに加えた後、窒素気流下７０℃に加熱した。反応温度が安定したところで、和光純薬（株）製アゾ系ラジカル開始剤Ｖ−６０１を前記モノマーの２モル％加え、反応を開始させた。３時間反応させた後、再びＶ−６０１を２モル％加え、さらに３時間反応させた。反応混合物をＴＨＦで希釈し、大量のメタノール中に投入し、析出させた。得られたポリマーを常法により塩酸酸性溶液下で分解し、ヘキサン中に析出させ、さらに再沈殿精製を二度繰り返し、減圧下乾燥して（Ｐ−１）を得た。ＴＨＦ溶媒ＧＰＣ測定により、分子量（Ｍｗ：ポリスチレン換算）、分子量分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）を求めた。
２）モノマーを変更した以外は、ほぼ同様にして（Ｐ−２）〜（Ｐ−４）、（Ｐ−６）、（Ｐ−７）、（Ｐ−１１）を得た。
【０１７８】
３）３−アセトキシスチレン１６．２ｇを乾燥ＴＨＦ２４ｇに加えた後、窒素気流下７０℃に加熱した。反応温度が安定したところで、和光純薬（株）製アゾ系ラジカル開始剤Ｖ−６０を前記モノマーの２モル％加え、反応を開始させた。３時間反応させた後、再びＶ−６０を２モル％加え、さらに３時間反応させた。反応混合物をＴＨＦで希釈し、大量のメタノール中に投入し、析出させた。得られたポリマーを常法により塩基性条件溶液下で加水分解し、ヘキサン中に析出させ、さらに再沈殿精製を二度繰り返し、減圧下乾燥して（Ｐ−５）を得た。
【０１７９】
４）上記１）と同様にして得たポリマー（Ｐ−１）１２ｇを、乾燥プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解し、β−シクロヘキシルエチルビニルエーテル１．０ｇ、ｐ−トルエンスルホン酸１０ｍｇを加え、室温にて１時間撹拌し、トリエチルアミンを加えた。
反応液を水に注いで析出した粉体をろ過して集め、減圧乾燥して（Ｐ−９）を得た。
５）上記４）に類似の方法で、試薬に応じて常法により（Ｐ−８）、（Ｐ−１０）を得た。
【０１８０】
６）３−ヒドロキシスチレン１１．３ｇ，４−ｔ−ブトキシスチレン５．３ｇを乾燥ＴＨＦ３０ｇに加えた後、窒素気流下７０℃に加熱した。反応温度が安定したところで、和光純薬（株）製アゾ系ラジカル開始剤Ｖ−６０１を前記モノマーの２モル％加え、反応を開始させた。３時間反応させた後、再びＶ−６０１を２モル％加え、さらに３時間反応させた。反応混合物をＴＨＦで希釈し、大量のメタノール中に投入し、析出させた。さらに再沈殿精製を二度繰り返し、減圧下乾燥して（Ｐ−１２）を得た。
７）上記６）と同様にして、（ｐ−１３）を得た。
【０１８１】
８）３−ｔ−ブトキシスチレン１７．６ｇを−７８℃の脱気乾燥ＴＨＦ中、ｓ−ブチルリチウムを開始剤としてリビングアニオン重合した。３時間の反応後、脱気したメタノールで反応を終了した。更に、大量のメタノール中に投入し、析出した粉体をろ過して集め、更に再沈殿精製を２度繰り返し、減圧乾燥して樹脂を得た。常法により、塩酸酸性下、ｔ−ブトキシ基を分解してポリマー（Ｐ−２１）を得た。
９）開始剤量を調節して同様な操作を行い、ポリマー（Ｐ−２２）を得た。
１０）モノマーとしてそれぞれ、１０質量％、２０質量％、３０質量％を４−ｔ−ブトキシスチレンに置き換え、開始剤量を調節して、８）と同様の操作を行い、それぞれポリマー（Ｐ−２３）〜（Ｐ−２８）を得た。
１１）３−ｔ−ブトキシスチレン／４−ｔ−ブトキシスチレン＝６０／４０（質量比）の混合物をモノマー原料として、１）と同様の操作を行い、ポリマーを得た。得られたポリマーのアセトン希薄溶液からの分別沈殿を行い、ポリマー（Ｐ−２９）を得た。
１２）開始剤量を調節して１１）と同様の操作を行い、ポリマー（Ｐ−３０）を得た。
１３）モノマーの２０モル％を３，４−ジ−ｔ−ブトキシスチレンに置き換え、開始剤量を調節して８）と同様の操作を行い、ポリマー（Ｐ−３１）、（Ｐ−３２）を得た。
１４）開始剤量を調節して８）と同様の操作を行い得たポリマーを定法によりそれぞれ保護して、それぞれポリマー（Ｐ−３３）、（Ｐ−３４）、（Ｐ−３７）〜（Ｐ−４０）を得た。
１５）上記１０）と同様に、モノマーを一部置き換え、開始剤量を調節して、８）と同様な操作を行い、それぞれポリマー（Ｐ−３５）、（Ｐ−３６）、（Ｐ−４１）〜（Ｐ−４４）を得た。
【０１８２】
【化４６】

【０１８３】
【化４７】

【化４８】

【０１８４】
【化４９】

【０１８５】
【化５０】

【０１８６】
【化５１】

【０１８７】
【化５２】

【０１８８】
（２）酸発生剤
１）ペンタフロロベンゼンスルホン酸テトラメチルアンモニウム塩の合成
ペンタフロロベンゼンスルホニルクロリド２５ｇを氷冷下メタノール１００ｍｌに溶解させ、これに２５％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液１００ｇをゆっくり加えた。室温で３時間攪拌するとペンタフロロベンゼンスルホン酸テトラメチルアンモニウム塩の溶液が得られた。この溶液をスルホニウム塩、ヨードニウム塩との塩交換に用いた。
【０１８９】
２）トリフェニルスルホニウムペンタフロロベンゼンスルホネートの合成
ジフェニルスルホキシド５０ｇをベンゼン８００ｍｌに溶解させ、これに塩化アルミニウム２００ｇを加え、２４時間還流した。反応液を氷２Ｌにゆっくりと注ぎ、これに濃塩酸４００ｍｌを加えて７０℃で１０分加熱した。この水溶液を酢酸エチル５００ｍｌで洗浄し、ろ過した後にヨウ化アンモニウム２００ｇを水４００ｍｌに溶解したものを加えた。析出した粉体をろ取、水洗した後酢酸エチルで洗浄、乾燥するとトリフェニルスルホニウムヨージドが７０ｇ得られた。
トリフェニルスルホニウムヨージド３０．５ｇをメタノール１０００ｍｌに溶解させ、この溶液に酸化銀１９．１ｇを加え、室温で４時間攪拌した。溶液をろ過し、これに過剰量のペンタフロロベンゼンスルホン酸テトラメチルアンモニウム塩の溶液を加えた。反応液を濃縮し、これをジクロロメタン５００ｍｌに溶解し、この溶液を５％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液、および水で洗浄した。有機相を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、濃縮するとトリフェニルスルホニウムペンタフロロベンゼンスルホネート（Ｉ−１）が得られた。
【０１９０】
（３）Ｃ’成分の合成
１，３−ビス（３−ヒドロキシ−３−ペンチル）ベンゼン２０ｇを無水テトラヒドロフランに溶解して１０質量％溶液としたものに、ｐ−トルエンスルホン酸ピリジニウム塩０．３ｇを加えて溶解した。この溶液について、カールフィッシャー法にて水分が５００ｐｐｍ以下であることを確認したのち、室温で攪拌しつつエチルビニルエーテル１５ｇをゆっくり加え、室温で８時間反応させた。その後、反応液を多量の水で再沈精製して、沈殿物を減圧ろ過したのち、真空乾燥して、１，３−ビス（３−ヒドロキシ−３−ペンチル）ベンゼンの水酸基を１−エトキシエチル基で保護した化合物２８ｇを得た。この化合物を、化合物（Ｃ’−１）　とする。
【０１９１】
２．実施例
（１）レジストの塗設
上記の合成例から選んだ本発明を構成する化合物と比較用化合物を用いて、下記表１に示す組成のレジスト組成物の溶液を調製した。
各試料溶液を０．１μｍのフィルターで濾過したのち、スピンコーターを利用して、シリコンウェハー上に塗布し、１１０℃、９０秒間真空吸着型のホットプレートで乾燥して、膜厚０．３μｍのレジスト膜を得た。
【０１９２】
【表１】

【０１９３】
【表２】

【０１９４】
表１において使用した略号は下記の内容を示す。
酸発生剤ＰＡＧＩ−１は、先に例示したものである。
【０１９５】
化合物（Ｃ）
Ｃ−１：　１，３−ビス（３−ヒドロキシ−３−ベンチル）ベンゼン
Ｃ−２：　１，３，５−トリス（３−ヒドロキシ−３−ベンチル）ベンゼン
Ｃ−３：　２，６−ビス（３−ヒドロキシ−３−ベンチル）ナフタレン
Ｃ−４：　４，４’−ビス（３−ヒドロキシ−３−ベンチル）ビフェニル
Ｃ’−１：　合成例で得た化合物
【０１９６】
【化５３】

【０１９７】
他の架橋剤
Ｄ−１：　Ｎ，Ｎ，Ｎ，Ｎ−テトラ（メトキシメチル）グリコールウリル
【０１９８】
【化５４】

【０１９９】
酸拡散抑制剤については、以下のとおりである。
Ｅ−１：　ジメチル−ｎ−ドデシルアミン
Ｅ−２：　トリフェニルスルホニウムサリチレート
Ｅ−３：　２−フェニルベンズイミダゾール
Ｅ−４：　ジフェニル−４−ヒドロキシフェニルスルホニウムサリチレート
【０２００】
溶剤については以下のとおりである。
Ｆ−１：乳酸エチル（２−ヒドロキシプロピオン酸エチル）
Ｆ−２：３−エトキシプロピオン酸エチル
Ｆ−３：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
【０２０１】
界面活性剤については、以下のとおりである。
Ｓ−１：トロイゾルＳ−３６６（トロイケミカル（株）製）
Ｓ−２：メガファックＦ１７６（大日本インキ化学工業（株）製）
Ｓ−３：メガファックＲ０８（大日本インキ化学工業（株）製）
Ｓ−４：ポリシロキサンポリマーＫＰ−３４１（信越化学工業（株）製）
Ｓ−５：サーフロンＳ−３８２（旭硝子（株）製）
【０２０２】
（２）レジストパターンの作製
このレジスト膜に電子線描画装置（加速電圧５０ＫｅＶ）を用いて照射を行った。照射後にそれぞれ１１０℃の真空吸着型ホットプレートで６０秒間加熱を行い、２．３８質量％テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）水溶液で６０秒間浸漬し、３０秒間水でリンスして乾燥した。得られたパターンの断面形状を走査型電子顕微鏡により観察した。
【０２０３】
（３）感度は、０．２０μｍライン（ライン：スペース＝１：１）を解像する時の最小照射量を感度とし、その照射量における限界解像力（ラインとスペースが分離解像）を解像力とした。０．２０μｍライン（ライン：スペース＝１：１）が解像しないものついては限界の解像力を解像力とし、その時の照射量を感度とした。
【０２０４】
〔引き置き経時安定性（ＰＣＤ）〕
上記（１）の方法で塗設されたレジスト膜を電子線描画装置内で１２０分放置した後、（２）の方法によりレジストパターンを形成した。（３）の方法により求めた最小照射量（この場合は、レジスト膜形成後、ただちに照射）と同一の照射量で解像できる最小のパターンサイズを求め、このサイズと（３）で得られた限界解像力との差が５％以内であるものをＰＣＤ安定性合格とした。
【０２０５】
〔保存安定性〕
上記のように調製したネガ型レイスト組成物溶液（塗液）について調液直後と、２３℃で一ヶ月放置した後において、上記（１）〜（３）に従い評価した感度及び解像度の変化がともに１％であるものを○、そうでないものを×とした。
表１のレジストの性能評価結果を表２に示した。
【０２０６】
【表３】

【０２０７】
表２の結果より、本発明のネガ型レジスト組成物は、比較例に比べ全ての特性において優れていることが判る。
【０２０８】
また、実施例において界面活性剤をＳ−１から、それぞれＳ−２、Ｓ−３、Ｓ−４、Ｓ−５に変更して実施したところ同等の性能が得られた。
【０２０９】
【発明の効果】
本発明のネガ型レジスト組成物により、感度、解像力に優れ、レジスト液の保存安定性、レジスト膜の引き置き安定性に優れた特性を有するネガ型感光性組成物を提供できる。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a negative resist composition suitably used in an ultramicrolithography process such as the manufacture of VLSI and high-capacity microchips and other photofabrication processes. More specifically, the present invention relates to a negative resist composition for pattern formation by irradiation with an electron beam or EUV (Extreme Ultraviolet: wavelength of about 13 nm).
[0002]
[Prior art]
Integrated circuits have been increasingly integrated, and in the manufacture of semiconductor substrates such as VLSI, processing of ultra-fine patterns having a line width of less than half a micron is required. In order to satisfy this need, the wavelength used by exposure apparatuses used in photolithography has become shorter, and far ultraviolet light and excimer laser light (XeCl, KrF, ArF, etc.) are now being studied. . Further, formation of a finer pattern with an electron beam or X-ray has been studied.
[0003]
In particular, electron beams or X-rays are positioned as next-generation or next-generation pattern forming technologies, and development of negative resists that can achieve high sensitivity, high resolution, and a rectangular profile shape is desired.
In the electron beam lithography, energy is released in the process in which an accelerated electron beam collides and scatters with atoms constituting the resist material, and the resist material is exposed. By using a highly accelerated electron beam, straightness is increased, the influence of electron scattering is reduced, and a rectangular pattern can be formed with high resolution, but on the other hand, the electron beam is highly transparent, Sensitivity will decrease. As described above, in electron beam lithography, sensitivity, resolution, and resist shape are in a trade-off relationship, and how to achieve both is a problem.
As a resist material for these, a chemically amplified resist mainly utilizing an acid-catalyzed reaction is used for the purpose of improving sensitivity, and as a main component for a negative resist, an alkali-soluble resin, an acid generator, and A chemically amplified composition containing an acid crosslinking agent is effectively used.
[0004]
For chemically amplified negative resists, various alkali-soluble resins such as partially alkyl etherified polyvinylphenol, copolymers of vinylphenol and styrene, novolac resins, monodisperse polyvinylphenol, and acid generators, Various acid generators such as organic halogen compounds, iodonium salts, sulfonium salts, acid generators containing Cl and Br, diazodisulfone compounds, diazosulfone compounds, triazine compounds, and sulfonate compounds have been studied. The trade-off between sensitivity, resolution, and resist shape was not sufficiently overcome.
[0005]
In addition, methylol melamine, resol resin, epoxidized novolak resin, urea resin, and the like have been used conventionally for the crosslinking agent, but these crosslinking agents are unstable to heat, and resist solution and In this case, there was a problem in storage stability, and further, high sensitivity and high resolution under electron beam irradiation and required characteristics of a rectangular resist shape were not satisfied.
[0006]
Patent Document 1 (Japanese Patent Laid-Open No. 2001-324811) describes a resist composition containing a compound having an α-hydroxyisopropyl group as a negative resist composition excellent in resolution, pattern shape, and focus margin.
Patent Document 2 (Japanese Patent Laid-Open No. 4-165359) discloses a radiation containing a secondary or tertiary alcohol having a hydroxyl group on carbon directly bonded to an aromatic ring as a composition having excellent thermal stability, sensitivity, and resolution. A sensitive composition is described.
[0007]
However, none of them is sufficiently satisfactory in the storage stability of the resist solution and the stability over time of the resist film. Resist film aging stability (post coating delay stability) is the stability of a coating film when the resist composition is applied to a substrate and then left inside or outside the irradiation apparatus.
Accordingly, there has been a demand for a negative resist composition which has excellent sensitivity and resolution, as well as storage stability of the resist solution and stability of the resist film over time.
[0008]
[Patent Document 1]
JP 2001-324811 A
[Patent Document 2]
JP-A-4-165359
[0009]
[Problems to be solved by the invention]
Accordingly, an object of the present invention is to solve the performance improvement and technical problems in microfabrication of semiconductor elements. In pattern formation by irradiation with an electron beam or EUV, the storage stability of a resist solution as well as high sensitivity and resolution is achieved. And providing a negative resist composition having excellent stability over time.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
As a result of intensive studies, the present inventors have found that the object of the present invention can be achieved by using the following specific composition, and have completed the present invention. That is, the present invention has the following configuration.
[0011]
(1) (A) an alkali-soluble resin,
(B) a compound that generates an acid upon irradiation with an electron beam or EUV, and
(C) A negative resist composition comprising at least one compound having a group represented by general formulas (I) to (III).
[0012]
[Chemical formula 5]

[0013]
R ¹ ~ R ¹⁰ Each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aralkyl group, an aryl group, a heterocyclic group, or an oligoalkyleneoxy group. However, R ³ ~ R ⁵ Or R ⁶ ~ R ¹⁰ However, it does not become a hydrogen atom at the same time.
[0014]
(2) (A) an alkali-soluble resin,
(B) a compound that generates an acid upon irradiation with an electron beam or EUV, and
(C ′) A negative resist composition comprising at least one compound having a group represented by general formulas (IV) to (VI).
[0015]
[Chemical 6]

[0016]
R ¹ ~ R ¹⁰ Each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aralkyl group, an aryl group, a heterocyclic group, or an oligoalkyleneoxy group. However, R ³ ~ R ⁵ Or R ⁶ ~ R ¹⁰ However, it does not become a hydrogen atom at the same time. R is an acid dissociable group.
[0017]
(3) The negative resist composition as described in (1) or (2) above, wherein the resin as the component (A) contains a repeating unit represented by the general formula (a).
[0018]
[Chemical 7]

[0019]
Where R ₁ Represents a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, an alkyl group, an oxyalkyl group or a haloalkyl group. x represents an integer of 0 to 3. R ₂ Represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, an aralkyl group, an aryl group, or an acyl group. R ₂ When there are multiple, there are multiple R ₂ May be the same or different. R ₃ Represents a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, an aralkyl group, or an aryl group. R ₃ When there are multiple, there are multiple R ₃ May be the same or different. Multiple R ₂ Two of them, multiple R ₃ Two of these, or R ₂ And R ₃ May combine to form a ring. A ₁ Is a single bond, an alkylene group, an alkenylene group, a cycloalkylene group, or an arylene group, or -O-, -SO ₂ -, -O-CO-R ₅ -, -CO-O-R ₆ -, Or -CO-N (R ₇ -R ₈ -Represents. R ₅ , R ₆ And R ₈ May be the same or different and each represents a single bond or an alkylene group, alkenylene group, cycloalkylene group or arylene group which may have an ether group, an ester group, an amide group, a urethane group or a ureido group. R ₇ Represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aralkyl group, or an aryl group.
[0020]
(4) Any of the above (1) to (3), wherein the acid generator of component (B) contains at least one of the compounds represented by the following general formulas (I) to (III) A negative resist composition as described in 1. above.
[0021]
[Chemical 8]

[0022]
[In the general formulas (I) to (III), R ₁ ~ R ₃₇ Is a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxyl group, a hydroxyl group, a halogen atom, or -SR ₃₈ Represents a group represented by -S-R ₃₈ R inside ₃₈ Represents an alkyl group or an aryl group. R ₁ ~ R ₃₈ May be the same or different. R ₁ ~ R ₁₅ In this case, two or more selected from them may be directly bonded to each other at the terminal, or may be bonded through an element selected from oxygen, sulfur and nitrogen to form a ring structure. R ₁₆ ~ R ₂₇ In this case, a ring structure may be formed in the same manner. R ₂₈ ~ R ₃₇ In this case, a ring structure may be formed in the same manner.
X ⁻ Is the anion of the acid. The acid forming the anion is an acid selected from benzene sulfonic acid, naphthalene sulfonic acid, or anthracene sulfonic acid. Alternatively, the acid is at least one organic group selected from the group consisting of alkyl groups, alkoxyl groups, acyl groups, acyloxyl groups, sulfonyl groups, sulfonyloxy groups, sulfonylamino groups, aryl groups, aralkyl groups, and alkoxycarbonyl groups. Have ]
[0023]
(5) Furthermore, a crosslinking agent that crosslinks with an acid as a crosslinking agent contains 3 to 5 benzene ring atom groups in the molecule, and has at least two hydroxymethyl groups and / or alkoxymethyl groups in the benzene ring atom group. The negative resist composition as described in any one of (1) to (4) above, which contains a derivative.
[0024]
Further, the following embodiments are more preferable.
[0025]
(6) The negative resist composition as described in any one of (1) to (5) above, wherein the resin of component (A) is a resin containing a structural unit represented by general formula (1) Stuff.
[0026]
[Chemical 9]

[0027]
In formula (1), R ₁ a represents a hydrogen atom or a methyl group.
[0028]
(7) The negative resist composition as described in (6) above, wherein the resin of component (A) is a resin represented by the following general formula (2).
[0029]
[Chemical Formula 10]

[0030]
In formula (2), R ₁ a ~ R ₅ a represents a hydrogen atom or a methyl group each independently.
R ₆ a ~ R ₁₁ a is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group, a hydroxyl group, or -C (= O) O-R. ₁₄ represents a. R ₁₄ a represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. ).
R ₁₂ a is -COOR ₁₅ a (R ₁₅ a represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms).
0 <l ≦ 100
0 ≦ m, n, o, p <100
l + m + n + o + p = 100
[0031]
(8) The negative resist composition as described in any one of (1) to (7), which comprises an organic basic compound.
(9) The negative resist composition as described in any one of (1) to (8) above, which contains a fluorine-based and / or silicon-based surfactant.
(10) A mixed solvent containing at least one selected from the following solvent A group and at least one selected from the following solvent B group, or selected from at least one selected from the solvent A group and the following solvent C group The negative resist composition as described in any one of (1) to (9) above, which further comprises a mixed solvent containing at least one kind.
Group A: Propylene glycol monoalkyl ether carboxylate
Group B: Propylene glycol monoalkyl ether, alkyl lactate, acetate, chain ketone and alkyl alkoxypropionate
Group C: γ-butyrolactone, ethylene carbonate and propylene carbonate
[0032]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, the compounds used in the present invention will be described.
[1] Alkali-soluble resin (component A)
The alkali-soluble resin used in the present invention is a resin that is insoluble in water and soluble in an alkaline aqueous solution.
The alkali dissolution rate of this alkali-soluble resin is preferably at least 20 kg / sec as measured with 0.261 N tetramethylammonium hydroxide (TMAH) (23 ° C.). Particularly preferred is 200 liters / second or more.
[0033]
Specific examples of the alkali-soluble resin include novolak resin, hydrogenated novolak resin, acetone-pyrogallol resin, poly-o-hydroxystyrene, poly-m-hydroxystyrene, poly-p-hydroxystyrene, hydrogenated polyhydroxystyrene. , Halogen- or alkyl-substituted polyhydroxystyrene, hydroxystyrene-N-substituted maleimide copolymer, o / p- and m / p-hydroxystyrene copolymer, partially O-alkylated product with respect to the hydroxyl group of polyhydroxystyrene (for example, 5-30 mol% O-methylated product, O- (1-methoxy) ethylated product, O- (1-ethoxy) ethylated product, O-2-tetrahydropyranylated product, O- (t-butoxycarbonyl) methylated product Etc.) or O-acylated product (for example, 5 to 30 mol%) o-acetylated compounds, O- (t-butoxy) carbonylated compounds, etc.), styrene-maleic anhydride copolymers, styrene-hydroxystyrene copolymers, α-methylstyrene-hydroxystyrene copolymers, carboxyl group-containing methacrylic compounds Examples thereof include, but are not limited to, resins and derivatives thereof.
Among the above alkali-soluble resins, preferred alkali-soluble resins are novolak resins, poly-o-hydroxystyrene, poly-m-hydroxystyrene, poly-p-hydroxystyrene and copolymers thereof, alkyl-substituted polyhydroxystyrene, poly A partially O-alkylated or O-acylated product of hydroxystyrene, a styrene-hydroxystyrene copolymer, and an α-methylstyrene-hydroxystyrene copolymer.
[0034]
The novolak resin is obtained by subjecting a predetermined monomer as a main component to addition condensation with an aldehyde in the presence of an acidic catalyst.
Examples of the predetermined monomer include cresols such as phenol, m-cresol, p-cresol, o-cresol, and xylenol such as 2,5-xylenol, 3,5-xylenol, 3,4-xylenol, and 2,3-xylenol. , Alkylphenols such as m-ethylphenol, p-ethylphenol, o-ethylphenol, pt-butylphenol, p-octylphenol, 2,3,5-trimethylphenol, p-methoxyphenol, m-methoxyphenol Alkoxyphenols such as 3,5-dimethoxyphenol, 2-methoxy-4-methylphenol, m-ethoxyphenol, p-ethoxyphenol, m-propoxyphenol, p-propoxyphenol, m-butoxyphenol, p-butoxyphenol Kind Bisalkylphenols such as 2-methyl-4-isopropylphenol, hydroxyaromatic compounds such as m-chlorophenol, p-chlorophenol, o-chlorophenol, dihydroxybiphenyl, bisphenol A, phenylphenol, resorcinol, naphthol alone or 2 It can be used by mixing more than one type, but is not limited thereto.
[0035]
Examples of aldehydes include formaldehyde, paraformaldehyde, acetaldehyde, propionaldehyde, benzaldehyde, phenylacetaldehyde, α-phenylpropylaldehyde, β-phenylpropylaldehyde, o-hydroxybenzaldehyde, m-hydroxybenzaldehyde, p-hydroxybenzaldehyde, o- Chlorobenzaldehyde, m-chlorobenzaldehyde, p-chlorobenzaldehyde, o-nitrobenzaldehyde, m-nitrobenzaldehyde, p-nitrobenzaldehyde, o-methylbenzaldehyde, m-methylbenzaldehyde, p-methylbenzaldehyde, p-ethylbenzaldehyde, p- n-butylbenzaldehyde, furfural, chloroacetaldehyde and the same These acetals, such as chloroacetaldehyde diethyl acetal, can be used, and among these, it is preferable to use formaldehyde.
These aldehydes may be used alone or in combination of two or more. As the acidic catalyst, hydrochloric acid, sulfuric acid, formic acid, acetic acid, oxalic acid and the like can be used.
[0036]
The alkali-soluble resin used in the present invention preferably contains a repeating unit represented by the following general formula (a).
[0037]
Embedded image

[0038]
Where R ₁ Represents a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, an alkyl group, an oxyalkyl group or a haloalkyl group.
x represents an integer of 0 to 3.
R ₂ Represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, an aralkyl group, an aryl group, or an acyl group. R ₂ When there are multiple, there are multiple R ₂ May be the same or different.
R ₃ Represents a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, an aralkyl group, or an aryl group. R ₃ When there are multiple, there are multiple R ₃ May be the same or different.
Multiple R ₂ Two of them, multiple R ₃ Two of these, or R ₂ And R ₃ May combine to form a ring.
[0039]
A ₁ Is a single bond, an alkylene group, an alkenylene group, a cycloalkylene group, an arylene group, -O-, -SO ₂ -, -O-CO-R ₅ -, -CO-O-R ₆ -, Or -CO-N (R ₇ -R ₈ -Represents. R ₅ , R ₆ , R ₈ May be the same or different and each represents a single bond or an ether group, an ester group, an amide group, a urethane group or a ureido group, an alkylene group, an alkenylene group, a cycloalkylene group, or an arylene group. . R ₇ Represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aralkyl group or an aryl group.
[0040]
R ₁ ~ R ₃ , R ₇ The alkyl group may have a substituent, preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group. Hexyl group, 2-ethylhexyl group, and octyl group.
R ₂ ~ R ₃ , R ₇ The cycloalkyl group may have a substituent, and may be monocyclic or polycyclic. As the monocyclic type, for example, a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, and a cyclohexyl group having 3 to 8 carbon atoms can be preferably exemplified. Preferred examples of the polycyclic type include an adamantyl group, norbornyl group, isobornyl group, camphanyl group, dicyclopentyl group, α-pinel group, tricyclodecanyl group and the like.
[0041]
R ₂ ~ R ₃ The alkenyl group may have a substituent and is preferably an alkenyl group having 2 to 8 carbon atoms, and examples thereof include a vinyl group, an allyl group, a butenyl group, and a cyclohexenyl group.
R ₂ ~ R ₃ , R ₇ The aryl group may have a substituent and is preferably an aryl group having 6 to 15 carbon atoms, such as a phenyl group, a tolyl group, a dimethylphenyl group, a 2,4,6-trimethylphenyl group. , Naphthyl group, anthryl group and the like.
R ₂ ~ R ₃ , R ₇ The aralkyl group may have a substituent and is preferably an aralkyl group having 7 to 12 carbon atoms, and examples thereof include a benzyl group, a phenethyl group, and a naphthylmethyl group.
[0042]
R ₁ The oxyalkyl group may have a substituent and is preferably an oxyalkyl group having 1 to 4 carbon atoms, such as a hydroxy group, a methoxy group, an ethoxy group, or a butoxy group. Oxymethyl group, oxyethyl group, oxypropyl group, oxybutyl group and the like substituted by 1 to 4 carbon acyl groups such as acetoxy group, acetoxy group, propanoyloxy group, butanoyloxy group, etc. it can.
R ₁ The haloalkyl group is preferably a haloalkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and examples thereof include a chloromethyl group, a chloroethyl group, a chloropropyl group, a chlorobutyl group, a bromomethyl group, and a bromoethyl group. R ₂ The acyl group is preferably an acyl group having 1 to 10 carbon atoms, and examples thereof include a formyl group, an acetyl group, a propanoyl group, a butanoyl group, a pivaloyl group, and a benzoyl group.
[0043]
A ₁ , R ₅ , R ₆ , R ₈ The alkylene group may have a substituent, and is preferably an alkylene group having 1 to 8 carbon atoms. Examples thereof include a methylene group, an ethylene group, a propylene group, a butylene group, a hexylene group, and an octylene group. be able to. The alkenylene group may have a substituent, and is preferably an alkenylene group having 2 to 6 carbon atoms, and examples thereof include an ethenylene group, a propenylene group, and a butenylene group.
The cycloalkylene group may have a substituent, and is preferably a cycloalkylene group having 5 to 8 carbon atoms, and examples thereof include a cyclopentylene group and a cyclohexylene group.
The arylene group may have a substituent, and is preferably an arylene group having 6 to 12 carbon atoms, and examples thereof include a phenylene group, a tolylene group, a xylylene group, and a naphthylene group.
[0044]
Examples of the substituent that these groups may have include, for example, those having active hydrogen such as amino group, amide group, ureido group, urethane group, hydroxyl group, and carboxyl group, and halogen atoms (fluorine atoms, chlorine atoms). , Bromine atom, iodine atom), alkoxy group (methoxy group, ethoxy group, propoxy group, butoxy group, etc.), thioether group, acyl group (acetyl group, propanoyl group, benzoyl group, etc.), acyloxy group (acetoxy group, propanoyl group) Oxy group, benzoyloxy group, etc.), alkoxycarbonyl group (methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, propoxycarbonyl group, etc.), cyano group, nitro group and the like. In particular, those having active hydrogen such as amino group, hydroxyl group and carboxyl group are preferred.
Examples of the aryl moiety such as an aryl group and an arylene group further include an alkyl group (such as a methyl group, an ethyl group, and a propyl group).
[0045]
Also, multiple R ₂ Two of them, multiple R ₃ Two of these, or R ₂ And R ₃ The ring that may be formed by bonding is a ring that may contain a 4- to 7-membered hetero atom (oxygen atom, nitrogen atom, sulfur atom). Preferred examples include benzofuran ring, benzodioxonol ring, benzopyran ring, indole ring, benzimidazole ring, benzopyrazole ring, benzothiophene ring and the like.
[0046]
The resin having a repeating unit represented by the general formula (a) may have a repeating unit derived from another copolymerizable monomer.
[0047]
Examples of copolymerizable monomers that can be used include those shown below. For example, an addition polymerizable unsaturated bond selected from acrylic acid esters, acrylamides, methacrylic acid esters, methacrylamides, allyl compounds, vinyl ethers, vinyl esters, styrenes, crotonic acid esters other than the above. A compound having one.
[0048]
Specifically, for example, acrylic acid esters, for example, alkyl (the alkyl group preferably has 1 to 10 carbon atoms) acrylate (for example, methyl acrylate, ethyl acrylate, propyl acrylate, t-butyl acrylate) , Amyl acrylate, cyclohexyl acrylate, ethyl hexyl acrylate, octyl acrylate, tert-octyl acrylate, chloroethyl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate 2,2-dimethylhydroxypropyl acrylate, 5-hydroxypentyl acrylate, trimethylol Propane monoacrylate, pentaerythritol monoacrylate, glycidyl acrylate, benzyl acrylate, furfuryl acrylate, tetrahydrofurfuryl acrylate, etc.) Rate (e.g., phenyl acrylate);
[0049]
Methacrylic acid esters, for example, alkyl (the alkyl group preferably has 1 to 10 carbon atoms) methacrylate (for example, methyl methacrylate, ethyl methacrylate, propyl methacrylate, isopropyl methacrylate, t-butyl methacrylate, amyl methacrylate, hexyl methacrylate) Cyclohexyl methacrylate, benzyl methacrylate, chlorobenzyl methacrylate, octyl methacrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 4-hydroxybutyl methacrylate, 5-hydroxypentyl methacrylate, 2,2-dimethyl-3-hydroxypropyl methacrylate, trimethylolpropane monomethacrylate, Pentaerythritol monomethacrylate, glycidyl methacrylate, Le furyl methacrylate, tetrahydrofurfuryl methacrylate), aryl methacrylates (e.g., phenyl methacrylate, cresyl methacrylate, naphthyl methacrylate, etc.);
[0050]
Acrylamides, for example, acrylamide, N-alkyl acrylamide, (the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, for example, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, t-butyl group, heptyl group, octyl Group, cyclohexyl group, benzyl group, hydroxyethyl group, benzyl group, etc.), N-arylacrylamide (as aryl group, for example, phenyl group, tolyl group, nitrophenyl group, naphthyl group, cyanophenyl group, hydroxyphenyl) Group, carboxyphenyl group, etc.), N, N-dialkylacrylamide (alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, for example, methyl group, ethyl group, butyl group, isobutyl group, ethylhexyl group, cyclohexyl) Group, etc.), N, N-diaryla (Examples of the aryl group include phenyl group.) Riruamido, N- methyl -N- phenyl acrylamide, N- hydroxyethyl -N- methylacrylamide, etc. N-2- acetamidoethyl -N- acetyl acrylamide;
[0051]
Methacrylamide, for example, methacrylamide, N-alkylmethacrylamide (the alkyl group has 1 to 10 carbon atoms, for example, methyl group, ethyl group, t-butyl group, ethylhexyl group, hydroxyethyl group, cyclohexyl Group, etc.), N-aryl methacrylamide (the aryl group includes phenyl group), N, N-dialkyl methacrylamide (the alkyl group includes ethyl group, propyl group, butyl group, etc.) ), N, N-diarylmethacrylamide (the aryl group includes phenyl group), N-hydroxyethyl-N-methylmethacrylamide, N-methyl-N-phenylmethacrylamide, N-ethyl-N -Phenylmethacrylamide and the like; allyl compounds such as allyl este Class (e.g., allyl acetate, allyl caproate, allyl caprylate, allyl laurate, allyl palmitate, allyl stearate, allyl benzoate, allyl acetoacetate, allyl lactate, etc.), and allyl oxyethanol;
[0052]
Vinyl ethers such as alkyl vinyl ethers (eg hexyl vinyl ether, octyl vinyl ether, decyl vinyl ether, ethyl hexyl vinyl ether, methoxyethyl vinyl ether, ethoxyethyl vinyl ether, chloroethyl vinyl ether, 1-methyl-2,2-dimethylpropyl vinyl ether, 2-ethylbutyl Vinyl ether, hydroxyethyl vinyl ether, diethylene glycol vinyl ether, dimethylaminoethyl vinyl ether, diethylaminoethyl vinyl ether, butylaminoethyl vinyl ether, benzyl vinyl ether, tetrahydrofurfuryl vinyl ether, etc., vinyl aryl ethers (eg, vinyl phenyl ether, vinyl tolyl ether, vinyl chloropheny) Ether, vinyl 2,4-dichlorophenyl ether, vinyl naphthyl ether, vinyl anthranyl ether);
[0053]
Vinyl esters such as vinyl butyrate, vinyl isobutyrate, vinyl trimethyl acetate, vinyl diethyl acetate, vinyl valate, vinyl caproate, vinyl chloroacetate, vinyl dichloroacetate, vinyl methoxyacetate, vinyl butoxyacetate, vinylphenyl Acetate, vinyl acetoacetate, vinyl lactate, vinyl-β-phenylbutyrate, vinyl cyclohexyl carboxylate, vinyl benzoate, vinyl salicylate, vinyl chlorobenzoate, vinyl tetrachlorobenzoate, vinyl naphthoate, etc .;
[0054]
Styrenes such as styrene, alkyl styrene (for example, methyl styrene, dimethyl styrene, trimethyl styrene, ethyl styrene, diethyl styrene, isopropyl styrene, butyl styrene, hexyl styrene, cyclohexyl styrene, decyl styrene, benzyl styrene, chloromethyl styrene, trifluoro Dimethyl styrene, ethoxymethyl styrene, acetoxymethyl styrene, etc.), alkoxy styrene (for example, methoxy styrene, 4-methoxy-3-methyl styrene, dimethoxy styrene, etc.), halogen styrene (for example, chloro styrene, dichloro styrene, trichloro styrene). , Tetrachlorostyrene, pentachlorostyrene, bromostyrene, dibromostyrene, iodostyrene, fluorostyrene, tri Ruorusuchiren, 2-bromo-4-trifluoromethyl styrene, 4-fluoro-3-trifluoromethyl styrene etc.), carboxy styrene, vinyl naphthalene;
[0055]
Crotonic esters such as alkyl crotonic acid (eg butyl crotonate, hexyl crotonate, glycerol monocrotonate); dialkyl itaconates (eg dimethyl itaconate, diethyl itaconate, dibutyl itaconate); Examples thereof include dialkyl esters of acid or fumaric acid (for example, dimethyl maleate and dibutyl fumarate), maleic anhydride, maleimide, acrylonitrile, methacrylonitrile, maleilonitrile and the like. In addition, any addition-polymerizable unsaturated compound that is generally copolymerizable may be used.
[0056]
Among these, monomers having a carboxyl group such as carboxystyrene, N- (carboxyphenyl) acrylamide, N- (carboxyphenyl) methacrylamide and the like, and monomers that improve alkali solubility, such as maleimide, are preferable as the copolymer component.
As content of the other polymerizable monomer in resin in this invention, 70 mol% or less is preferable with respect to all the repeating units, More preferably, it is 50 mol% or less.
[0057]
Specific examples of the resin having a repeating structural unit represented by the general formula (a) are shown below, but the present invention is not limited thereto.
[0058]
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[0059]
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[0060]
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[0061]
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[0062]
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[0063]
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[0064]
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[0065]
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[0066]
N in the above specific examples represents a positive integer. x, y, z represents the molar ratio of the resin composition, and in the case of a resin composed of two components, x = 30 to 95, y = 5 to 70, preferably x = 50 to 90, y = 10 to 50 Is done. In the resin composed of three components, x = 30 to 90, y = 5 to 65, z = 5 to 65, preferably x = 50 to 90, y = 5 to 45, z = 5 to 45 are used. .
[0067]
Resins used in the present invention are described in, for example, JP-A-4-195138, JP-A-4-350657, JP-A-4-350658, JP-A-6-41222, JP-A-6-65333, Polym. J. et al. 18: 1037 (1986), Polym. J. et al. , 22, 386 (1990), Makromol. Chem. Suppl. 15, 167 (1989) and the like. That is, the desired alkali-soluble resin can be obtained by a so-called living anion polymerization method. The resin synthesized by radical polymerization can also be obtained by combining a soluble good solvent and a poor solvent and fractionating the molecular weight or fractionating by gel chromatography.
These resins may be used alone or in combination.
[0068]
In addition, as resin containing the repeating unit represented by General formula (a), resin containing the repeating unit represented by General formula (1) is preferable.
[0069]
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[0070]
In formula (1), R ₁ a represents a hydrogen atom or a methyl group.
[0071]
Furthermore, a resin represented by the following general formula (2) is preferable.
[0072]
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[0073]
In formula (2), R ₁ a ~ R ₅ a represents a hydrogen atom or a methyl group each independently.
R ₆ a ~ R ₁₁ a is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group, a hydroxyl group, or -C (= O) O-R. ₁₄ represents a. R ₁₄ a represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. ).
R ₁₂ a is -COOR ₁₅ a (R ₁₅ a represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms).
0 <l ≦ 100
0 ≦ m, n, o, p <100
l + m + n + o + p = 100
[0074]
The alkali-soluble resin containing the structural unit represented by the general formula (1) may contain other repeating structural units. As such other copolymer components, repeating structural units corresponding to the following monomers (4) to (7) are preferable.
[0075]
The alkali-soluble resin containing the structural unit represented by the general formula (1) is obtained by subjecting the following monomer (3) and, if necessary, (4) to (7) to the target alkali-soluble resin by radical polymerization or living anion polymerization. Can do.
[0076]
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[0077]
In the above, R ₁ a ~ R ₁₂ a is as defined above.
Among the above, when using a monomer having a hydroxyl group in the molecule, a method in which the hydroxyl group is protected in advance and the protecting group is removed after polymerization is preferred.
In the present invention, the content of the repeating structural unit represented by the general formula (1) in the resin may be any amount as long as the effect of the present invention can be manifested. Preferably it is 30-100 mol%, More preferably, it is 50-90 mol%.
In the present invention, the alkali-soluble resin is preferably represented by the general formula (2). Thereby, the effect of this invention becomes more remarkable.
R in the general formula (2) ₁ a ~ R ₅ a is a hydrogen atom or a methyl group. R ₆ a ~ R ₁₁ a, R ₁₄ a, R _15a The alkyl group or alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms may be linear or branched, and examples of the alkyl group include methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, and t-butyl. Examples of the alkoxy group include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, an isopropoxy group, a butoxy group, an isobutoxy group, and a t-butoxy group.
R ₁₆ a represents a branched or cyclic alkyl group having 1 to 10 carbon atoms which may be substituted (specifically, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, isobutyl group, t-butyl group, cyclohexyl group). Group, cyclohexylethyl group, phenoxyethyl group, etc.), optionally substituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms (specifically, phenyl group, tolyl group, xylyl group, biphenyl group, naphthyl) Groups, halogen-substituted phenyl groups, nitro-substituted phenyl groups, etc.), aralkyl groups having 7 to 20 carbon atoms which may be substituted (specifically, benzyl group, phenethyl group, phenylpropyl group, etc.) It is mentioned.)
[0078]
In the general formula (2), 0 <l ≦ 100, preferably 30 <l ≦ 100, and more preferably 50 <l ≦ 90. For m, n, o, p, 0 ≦ m, n, o, p <100, preferably 20 ≦ m, n, o, p ≦ 70, more preferably 30 ≦ m, n, o, p ≦ 50. l + m + n + o + p = 100.
[0079]
The weight average molecular weight of the alkali-soluble resin used in the present invention is preferably in the range of 1,000 to 30,000. If it is less than 1,000, the film loss after development in the exposed area is large, and if it exceeds 30,000, the development speed becomes small. More preferred is the range of 2,000 to 20,000.
The weight average molecular weight of the alkali-soluble resin particularly preferable in terms of particularly excellent sensitivity is in the range of 2,000 to 9,000, more preferably in the range of 2,500 to 9,000, and still more preferably 3 , 000 to 9,000.
Further, it is preferable that the molecular weight distribution (Mw / Mn) of the alkali-soluble resin is 1.0 to 1.5 (monodispersed polymer) because the development residue is reduced. Particularly preferable molecular weight distribution (Mw / Mn) of the alkali-soluble resin in terms of excellent sensitivity is 1.0 to 1.4, more preferably 1.0 to 1.3, and even more preferably 1. 0.0 to 1.2.
Here, the weight average molecular weight is defined as a polystyrene equivalent value of gel permeation chromatography.
[0080]
In the present invention, an alkali-soluble resin having a molecular weight distribution (Mw / Mn) of 1.0 to 1.4, preferably 1.0 to 1.3, more preferably 1.0 to 1.2 is a known living anion. It can be synthesized by polymerization and can also be obtained by molecular weight fractionation. Living anionic polymerization is described in New Experimental Chemistry Course 19 (Maruzen) Polymer Chemistry (I), pages 59-73, and molecular weight fractionation is described in New Experimental Chemistry Course 19 (Maruzen) Polymer Chemistry (II). Pp. 522-527.
[0081]
The alkali-soluble resin containing the repeating unit of the formula (a) may be used alone, but other alkali-soluble resins can be used in combination. As for the use ratio, other alkali-soluble resins can be used in combination up to 100 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the alkali-soluble resin containing the repeating unit of the formula (a).
[0082]
Examples of the alkali-soluble resin that can be used in combination include the above-described novolak resin, hydrogenated novolak resin, acetone-pyrogallol resin, poly-o-hydroxystyrene, poly-p-hydroxystyrene, hydrogenated polyhydroxystyrene, halogen or alkyl-substituted. Polyhydroxystyrene, hydroxystyrene-N-substituted maleimide copolymer, o / p-hydroxystyrene copolymer, partially O-alkylated product with respect to hydroxyl group of polyhydroxystyrene (for example, 5-30 mol% O-methylated product) O- (1-methoxy) ethylated product, O- (1-ethoxy) ethylated product, O-2-tetrahydropyranylated product, O- (t-butoxycarbonyl) methylated product, etc.) or O-acylated product (for example, 5-30 mol% o-acetylated product, O- (t- And styrene-maleic anhydride copolymer, styrene-hydroxystyrene copolymer, α-methylstyrene-hydroxystyrene copolymer, carboxyl group-containing methacrylic resin and derivatives thereof. However, it is not limited to these.
[0083]
In the present invention, the total amount of the alkali-soluble resin is usually 30 to 90% by mass, preferably 50 to 80% by mass, based on the total mass (excluding the solvent) of the resist composition.
[0084]
[2] Acid generator (component B)
An acid generator is used together with an alkali-soluble resin. As the acid generator used together with the alkali-soluble resin, any compound can be used as long as the compound generates an acid upon irradiation with EUV (Extreme Ultraviolet).
Examples of such an acid generator include a photoinitiator for photocationic polymerization, a photoinitiator for photoradical polymerization, a photodecolorant for dyes, a photochromic agent, or an electron beam or EUV used for a microresist. A compound that generates an acid upon irradiation and a mixture thereof can be appropriately selected and used.
For example, diazonium salts, phosphonium salts, iodonium salts, sulfonium salts, selenonium salts, onium salts such as arsonium salts, organic halogen compounds, organic metal / organic halides, acid generators having o-nitrobenzyl type protecting groups, imino sulfonates Examples thereof include a compound that generates a sulfonic acid by photolysis, such as thiol and the like, and a disulfone compound.
Further, these light-generating groups or compounds having a compound introduced into the main chain or side chain of the polymer, for example, JP-A 63-26653, JP-A 55-164824, JP-A 62- 69263, JP-A-63-146038, JP-A-63-163452, JP-A-62-153853, JP-A-63-146029, and the like can be used.
Furthermore, compounds capable of generating an acid by light as described in US Pat. No. 3,779,778, European Patent 126,712 and the like can also be used.
[0085]
In the present invention, it is preferable to use the onium salt compounds represented by the general formulas (I) to (III).
It is also preferable to use an onium salt compound that generates an organic acid having a fluorine atom.
[0086]
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[0087]
R in general formula (I) to general formula (III) ₁ ~ R ₃₇ Is a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, a hydroxyl group, a halogen atom, or -SR ₃₈ It is group which can be shown by.
R ₁ ~ R ₃₇ The alkyl group represented by may be linear, branched or cyclic. Examples of the linear or branched alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, a t-butyl group, and the like, for example, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. be able to. Examples of the cyclic alkyl group include an alkyl group having 3 to 8 carbon atoms such as a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, and a cyclohexyl group.
R ₁ ~ R ₃₇ The alkoxy group represented by may be linear, branched, or cyclic alkoxy. Examples of the linear or branched alkoxy group include those having 1 to 8 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a hydroxyethoxy group, a propoxy group, an n-butoxy group, an isobutoxy group, a sec-butoxy group, and a t-butoxy group. Group, octyloxy group and the like. Examples of the cyclic alkoxy group include a cyclopentyloxy group and a cyclohexyloxy group.
[0088]
R ₁ ~ R ₃₇ Examples of the halogen atom represented by include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.
R ₁ ~ R ₃₇ -S-R represented by ₃₈ R inside ₃₈ Is an alkyl group or an aryl group. R ₃₈ As the range of the alkyl group represented by, for example, R ₁ ~ R ₃₇ Any of the alkyl groups already enumerated as the alkyl group represented by can be mentioned.
R ₃₈ Examples of the aryl group represented by include an aryl group having 6 to 14 carbon atoms such as a phenyl group, a tolyl group, a methoxyphenyl group, and a naphthyl group.
R ₁ ~ R ₃₈ From the alkyl group represented by and to the aryl group, the substituent may be further bonded to a part of the group to increase the number of carbon atoms, or may not have a substituent. Further, examples of the substituent which may be bonded to each other preferably include an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, an aryl group having 6 to 10 carbon atoms, and an alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms. A cyano group, a hydroxy group, a carboxy group, an alkoxycarbonyl group, a nitro group and the like can also be mentioned. In addition, a halogen atom may be used. For example, a fluorine atom, a chlorine atom, and an iodine atom can be mentioned.
[0089]
R in general formula (I) ₁ ~ R ₁₅ Two or more of these groups may be bonded to form a ring. The ring is R ₁ ~ R ₁₅ The terminal of the group shown by may be formed by directly bonding. They may be indirectly linked through one or more elements selected from carbon, oxygen, sulfur, and nitrogen to form a ring. R ₁ ~ R ₁₅ Examples of the ring structure formed by combining two or more of them include the same structures as those found in furan ring, dihydrofuran ring, pyran ring, trihydropyran ring, thiophene ring, pyrrole ring, etc. Can do. R in general formula (II) ₁₆ ~ R ₂₇ The same can be said about. Two or more may be bonded directly or indirectly to form a ring. R in the general formula (III) ₂₈ ~ R ₃₇ The same applies to.
The general formulas (I) to (III) are represented by X ⁻ Have X which general formula (I)-(III) has ⁻ Is the anion of the acid. The acid forming the anion is an acid selected from benzene sulfonic acid, naphthalene sulfonic acid, or anthracene sulfonic acid. More preferably, the acid is substituted with one or more fluorine atoms. Alternatively, the acid is at least one organic compound selected from the group consisting of alkyl groups, alkoxyl groups, acyl groups, acyloxyl groups, sulfonyl groups, sulfonyloxy groups, sulfonylamino groups, aryl groups, aralkyl groups, and alkoxycarbonyl groups. Has a group. More preferably, the organic group is further substituted with at least one fluorine atom. The benzenesulfonic acid, naphthalenesulfonic acid, or anthracenesulfonic acid may be substituted with a halogen atom other than fluorine, a hydroxyl group, a nitro group, or the like.
[0090]
X ⁻ The alkyl group bonded to benzenesulfonic acid or the like that forms an anion is, for example, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms. The alkyl group may be linear, branched or cyclic. Preferably 1 to 25 fluorine atoms are substituted. Specifically, trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, 2,2,2-trifluoroethyl group, heptafluoropropyl group, heptafluoroisopropyl group, perfluorobutyl group, perfluorooctyl group, perfluorododecyl group, A perfluorocyclohexyl group can be exemplified. Especially, the C1-C4 perfluoroalkyl group substituted by the fluorine is preferable.
The alkoxy group bonded to the benzenesulfonic acid or the like together with the alkyl group alone is an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms. The alkoxy group may be linear, branched or cyclic. Preferably 1 to 25 fluorine atoms are substituted. Specific examples include a trifluoromethoxy group, a pentafluoroethoxy group, a heptafluoroisopropyloxy group, a perfluorobutoxy group, a perfluorooctyloxy group, a perfluorododecyloxy group, and a perfluorocyclohexyloxy group. Especially, the C1-C4 perfluoro alkoxy group substituted with the fluorine is preferable.
The acyl group bonded to the benzenesulfonic acid or the like together with the alkyl group alone is preferably one substituted with a fluorine atom having 2 to 12 or 1 to 23 carbon atoms. Specific examples include a trifluoroacetyl group, a fluoroacetyl group, a pentafluoropropionyl group, and a pentafluorobenzoyl group.
[0091]
The acyloxy group bonded to the benzenesulfonic acid or the like together with the alkyl group or alone is preferably one substituted with a fluorine atom having 2 to 12 or 1 to 23 carbon atoms. Specific examples include a trifluoroacetoxy group, a fluoroacetoxy group, a pentafluoropropionyloxy group, a pentafluorobenzoyloxy group, and the like.
As the sulfonyl group bonded to the benzenesulfonic acid or the like alone or together with an alkyl group, those substituted with a fluorine atom having 1 to 12 or 1 to 25 carbon atoms are preferable. Specific examples include a trifluoromethanesulfonyl group, a pentafluoroethanesulfonyl group, a perfluorobutanesulfonyl group, a perfluorooctanesulfonyl group, a pentafluorobenzenesulfonyl group, and a 4-trifluoromethylbenzenesulfonyl group.
As said sulfonyloxy group couple | bonded with said benzenesulfonic acid etc. with an alkyl group or independently, what is substituted by a C1-C12, C1-C25 fluorine atom is preferable. Specific examples include trifluoromethanesulfonyloxy, perfluorobutanesulfonyloxy group, 4-trifluoromethylbenzenesulfonyloxy group, and the like.
As said sulfonylamino group couple | bonded with said benzenesulfonic acid etc. with an alkyl group or independently, the thing which is C1-C12 and substituted by 1-25 fluorine atoms is preferable. Specific examples include a trifluoromethanesulfonylamino group, a perfluorobutanesulfonylamino group, a perfluorooctanesulfonylamino group, and a pentafluorobenzenesulfonylamino group.
[0092]
As said aryl group couple | bonded with said benzenesulfonic acid etc. with an alkyl group or independently, what is substituted by the C6-C14 and C1-C9 fluorine atom is preferable. Specific examples include a pentafluorophenyl group, a 4-trifluoromethylphenyl group, a heptafluoronaphthyl group, a nonafluoroanthranyl group, a 4-fluorophenyl group, and a 2,4-difluorophenyl group.
As said aralkyl group couple | bonded with said benzenesulfonic acid etc. with an alkyl group or independently, what is substituted by a C7-C10, C1-C15 fluorine atom is preferable. Specific examples include a pentafluorophenylmethyl group, a pentafluorophenylethyl group, a perfluorobenzyl group, and a perfluorophenethyl group.
As said alkoxycarbonyl group couple | bonded with said benzenesulfonic acid etc. with an alkyl group or independently, what is substituted by a C2-C13, C1-C25 fluorine atom is preferable. Specific examples include trifluoromethoxycarbonyl group, pentafluoroethoxycarbonyl group, pentafluorophenoxycarbonyl group, perfluorobutoxycarbonyl group, perfluorooctyloxycarbonyl group, and the like.
[0093]
Among such anions, the most preferred X ⁻ Is a fluorine-substituted benzenesulfonate anion, and among them, a pentafluorobenzenesulfonate anion is particularly preferable.
Further, the benzenesulfonic acid, naphthalenesulfonic acid or anthracenesulfonic acid having the above-mentioned fluorine-containing substituent is further a linear, branched or cyclic alkoxy group, acyl group, acyloxy group, sulfonyl group, sulfonyloxy group, sulfonylamino group. Group, aryl group, aralkyl group, alkoxycarbonyl group (these carbon number ranges are the same as those described above), halogen (excluding fluorine), hydroxyl group, nitro group and the like.
Specific examples of the compounds represented by the general formulas (I) to (III) are shown below, but are not limited thereto.
[0094]
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[0095]
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[0096]
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[0097]
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[0098]
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[0099]
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[0100]
The compounds of general formula (I) and general formula (II) can be synthesized by the following method. For example, an aryl Grignard reagent such as arylmagnesium bromide is reacted with phenyl sulfoxide, and the resulting triarylsulfonium halide is salt-exchanged with the corresponding sulfonic acid. There is another way. For example, there is a method in which an aromatic compound corresponding to phenyl sulfoxide is condensed and salt-exchanged using an acid catalyst such as methanesulfonic acid / diphosphorus pentoxide or aluminum chloride. Further, it can be synthesized by a method in which a diaryl iodonium salt and a diaryl sulfide are condensed and salt exchanged using a catalyst such as copper acetate. In any of the above methods, phenyl sulfoxide may have a substituent substituted on the benzene ring, or may not have such a substituent.
The compound of the general formula (III) can be synthesized by reacting an aromatic compound with periodate.
The content of the acid generator used in the present invention is the total solid content of the negative resist composition.
On the other hand, 0.1-20 mass% is suitable, Preferably it is 0.5-10 mass%, More preferably, it is 1-7 mass%.
[0101]
(Other photoacid generators)
In the present invention, in addition to or in addition to the compounds represented by the general formulas (I) to (III), other compounds capable of generating an acid upon decomposition by electron beam or EUV irradiation can be used. . In the case of using other compounds that generate an acid by being irradiated with an electron beam or EUV together with the compound represented by the general formula (I) to the general formula (III), the acid is decomposed by irradiation with an electron beam or EUV. The ratio of the other compounds that generate s is 100/0 to 20/80, preferably 90/10 to 40/60, and more preferably 80/20 to 50/50 in molar ratio.
[0102]
[3] Compounds having structures of general formulas (I) to (VI) (C and C ′ components)
The negative resist composition of the present invention is represented by any of the compound (C component) having a group represented by any one of the general formulas (I) to (III) and the general formulas (IV) to (VI). And at least one of compounds having a group (C ′ component). In addition, the compound (C 'component) which has group represented by either of general formula (IV)-(VI) is preferable.
In the present invention, the C component and the C ′ component cause, for example, a crosslinking reaction in the resin (A) in the presence of an acid (for example, an acid generated by exposure), and as a result, the solubility of the resin in an alkali developer is increased. It is a component that exhibits an inhibitory action.
[0103]
First, the compound (C component) having a group represented by any one of the general formulas (I) to (III) will be described.
[0104]
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[0105]
R ¹ ~ R ¹⁰ Each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aralkyl group, an aryl group, a heterocyclic group, or an oligoalkyleneoxy group. However, R ³ ~ R ⁵ Or R ⁶ ~ R ¹⁰ However, it does not become a hydrogen atom at the same time.
[0106]
R ¹ ~ R ¹⁰ The alkyl group may have a substituent and is preferably an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, a sec-butyl group, t Examples thereof include linear or branched alkyl groups such as a butyl group, and cyclic alkyl groups such as a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, an adamantyl group, a norbornyl group, and a boronyl group.
[0107]
The aralkyl group may have a substituent and is preferably an aralkyl group having 6 to 20 carbon atoms, and examples thereof include a benzyl group, a phenethyl group, and a cumyl group.
[0108]
The aryl group may have a substituent and is preferably an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, and examples thereof include a phenyl group, a tolyl group, and a naphthyl group.
The heterocyclic group may have a substituent, and preferably has 6 to 20 carbon atoms, such as furan, thiophene, pyrrole, pyridine, indole, and the like. Can be mentioned.
[0109]
The oligoalkyleneoxy group may have a substituent and may be etherified at the end, and preferably has 2 to 35 carbon atoms. For example, the following oligoethyleneoxy group, An oligopropyleneoxy group is mentioned.
[0110]
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[0111]
Examples of the substituent that the alkyl group, aralkyl group, heterocyclic group, and oligoalkyleneoxy group may have include a nitro group, a halogen atom, a carboxyl group, a hydroxyl group, an amino group, a cyano group, and an alkoxy group ( Preferably, the number of carbon atoms is 1 to 5). As for the aryl group, aralkyl group and heterocyclic group, examples of the substituent further include an alkyl group (preferably having 1 to 5 carbon atoms).
[0112]
Next, the compound (C ′ component) having a group represented by general formulas (IV) to (VI) will be described.
[0113]
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[0114]
R ¹ ~ R ¹⁰ Each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aralkyl group, an aryl group, a heterocyclic group, or an oligoalkyleneoxy group. However, R ³ ~ R ⁵ Or R ⁶ ~ R ¹⁰ However, it does not become a hydrogen atom at the same time. R is an acid dissociable group.
[0115]
R ¹ ~ R ¹⁰ The details of are the same as those in formulas (I) to (III).
The acid dissociable group of R is a group dissociated by an acid generated from an acid generator by irradiation with an electron beam or EUV, more specifically, a group that forms an acetal with an oxygen atom bonded to R, An acyl group, a 1-branched alkoxycarbonyl group, etc. can be mentioned.
Examples of the group that forms an acetal include 1-methoxyethyl group, 1-ethoxyethyl group, 1-n-propoxyethyl group, 1-i-propoxyethyl group, 1-n-butoxyethyl group, 1-phenyloxy. An ethyl group, 1-benzyloxyethyl group, 2-tetrahydrofuranyl group, 2-tetrahydropyranyl group, etc. can be mentioned.
Examples of the acyl group include an acetyl group, a propionyl group, and a butyryl group.
Examples of the 1-branched alkoxycarbonyl group include an isopropoxycarbonyl group, a sec-butoxycarbonyl group, a t-butoxycarbonyl group, and a 1,1-dimethylpropoxycarbonyl group.
Furthermore, examples of the acid dissociable group other than those described above include, for example, a substituted methyl group (methoxymethyl group, ethoxymethyl group, etc.), 1-substituted ethyl group (1-methoxyethyl group, 1-ethoxyethyl group, etc.), 1- Substituted propyl group (1-methoxypropyl group, 1-ethoxypropyl group, etc.), silyl group (trimethylsilyl group, triethylsilyl group, etc.), germyl group (trimethylgermyl group, triethylgermyl group, etc.), alicyclic group (cyclopentyl) Group, cyclohexyl group, etc.).
[0116]
Specific examples of the group represented by the general formulas (I) to (III) of the component C include the following.
[0117]
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[0118]
Specific examples of the groups represented by the general formulas (IV) to (VI) included in the C ′ component include the following.
[0119]
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[0120]
Examples of R (acid-dissociable group) in the above include the following.
[0121]
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[0122]
Examples of the compound having a group represented by general formulas (I) to (III) as the C component and the compound having a group represented by general formulas (IV) to (VI) as the C ′ component include, for example, A compound represented by the general formula (i) (hereinafter referred to as “benzene compound (i)”) and a compound represented by the following general formula (ii) (hereinafter referred to as “diphenyl compound (ii)”). , A compound represented by the following general formula (iii) (hereinafter referred to as “naphthalene compound (iii)”), a compound represented by the following general formula (iv) (hereinafter referred to as “furan compound (iv)”) Etc.).
[0123]
When A in each of the following general formulas is a group represented by any one of the above general formulas (I) to (III), the compound is a C component, and A is the above general formula (IV) to (VI). ), The compound is a C ′ component.
[0124]
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[0125]
[In the general formula (i), each A independently represents a group or a hydrogen atom represented by any one of the above general formulas (I) to (VI), provided that at least one of the plural As is And a group represented by any one of the above general formulas (I) to (VI).
R ¹¹ Represents a hydrogen atom, a hydroxyl group, a linear or branched alkylcarbonyl group having 2 to 6 carbon atoms, or a linear or branched alkoxycarbonyl group having 2 to 6 carbon atoms. ]
[0126]
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[0127]
[In the general formula (ii), each A independently represents a group or a hydrogen atom represented by any one of the general formulas (I) to (VI), provided that at least one of the plurality of A is And a group represented by any one of the above general formulas (I) to (VI).
R ¹² Represents a single bond, a linear or branched alkylene group having 1 to 5 carbon atoms, —O—, —CO— or —COO—. ]
[0128]
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[0129]
[In the general formula (iii), each A independently represents a group or a hydrogen atom represented by any one of the general formulas (I) to (VI), provided that at least one of the plurality of A is And a group represented by any one of the above general formulas (I) to (VI). ]
[0130]
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[0131]
[In the general formula (iv), each A independently represents a group or a hydrogen atom represented by any one of the above general formulas (I) to (VI), provided that at least one of the two A is And a group represented by any one of the above general formulas (I) to (VI).
R ¹³ And R ¹⁴ Each independently represents a hydrogen atom or a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. ]
[0132]
Hereinafter, specific examples of the compound of the component C when A in each of the above general formulas is 1-hydroxyethyl represented by the above general formula (I) will be given.
Examples of compounds in which A is a group represented by other general formulas (I) to (VI) include 1-hydroxyethyl represented by other general formulas (I) to (VI) in the following specific examples. The compound obtained by substituting with the group to be mentioned can be mentioned.
[0133]
Specific examples of the benzene compound (i) include 1-hydroxyethylbenzene, 1,3-bis (1-hydroxyethyl) benzene, 1,4-bis (1-hydroxyethyl) benzene, 1,2,4-tris. 1-hydroxyethylbenzenes such as (1-hydroxyethyl) benzene and 1,3,5-tris (1-hydroxyethyl) benzene; 3-1-hydroxyethylphenol, 4- (1-hydroxyethyl) phenol, 3, 1-hydroxyethylphenols such as 5-bis (1-hydroxyethyl) phenol and 2,4,6-tris (1-hydroxyethyl) phenol;
[0134]
3- (1-hydroxyethyl) phenyl methyl ketone, 4- (1-hydroxyethyl) phenyl methyl ketone, 4- (1-hydroxyethyl) phenyl ethyl ketone, 4- (1-hydroxyethyl) phenyl n-propyl ketone 4- (1-hydroxyethyl) phenyl isopropyl ketone, 4- (1-hydroxyethyl) phenyl n-butyl ketone, 4- (1-hydroxyethyl) phenyl tert-butyl ketone, 4- (1-hydroxyethyl) Phenyl n-pentyl ketone, 3,5-bis (1-hydroxyethyl) phenyl methyl ketone, 3,5-bis (1-hydroxyethyl) phenyl ethyl ketone, 2,4,6-tris (1-hydroxyethyl) (1-Hydroxyethyl) phenyl amine such as phenyl methyl ketone Kirketon the like;
[0135]
Methyl 3- (1-hydroxyethyl) benzoate, methyl 4- (1-hydroxyethyl) benzoate, ethyl 4- (1-hydroxyethyl) benzoate, n-propyl 4- (1-hydroxyethyl) benzoate, Isopropyl 4- (1-hydroxyethyl) benzoate, n-butyl 4- (1-hydroxyethyl) benzoate, t-butyl 4- (1-hydroxyethyl) benzoate, 4- (1-hydroxyethyl) benzoic acid n-pentyl, methyl 3,5-bis (1-hydroxyethyl) benzoate, ethyl 3,5-bis (1-hydroxyethyl) benzoate, methyl 2,4,6-tris (1-hydroxyethyl) benzoate 4- (1-hydroxyethyl) benzoic acid alkyls and the like.
[0136]
Specific examples of the diphenyl compound (ii) include 3- (1-hydroxyethyl) biphenyl, 4- (1-hydroxyethyl) biphenyl, 3,5-bis (1-hydroxyethyl) biphenyl, 3,3. '-Bis (1-hydroxyethyl) biphenyl, 3,4'-bis (1-hydroxyethyl) biphenyl, 4,4'-bis (1-hydroxyethyl) biphenyl, 2,4,6-tris (1-hydroxy Ethyl) biphenyl, 3,3 ′, 5-tris (1-hydroxyethyl) biphenyl, 3,4 ′, 5-tris (1-hydroxyethyl) biphenyl, 2,3 ′, 4,6, -tetrakis (1- Hydroxyethyl) biphenyl, 2,4,4 ′, 6, -tetrakis (1-hydroxyethyl) biphenyl, 3,3 ′, 5,5′-tetrakis (1-hydroxyethyl) (1) such as biphenyl, 2,3 ′, 4,5 ′, 6-pentakis (1-hydroxyethyl) biphenyl, 2,2 ′, 4,4 ′, 6,6′-hexakis (1-hydroxyethyl) biphenyl -Hydroxyethyl) biphenyls;
[0137]
3- (1-hydroxyethyl) diphenylmethane, 4- (1-hydroxyethyl) diphenylmethane, 1- (4- (1-hydroxyethyl) phenyl) -2-phenylethane, 1- (4- (1-hydroxyethyl) Phenyl) -2-phenylpropane, 2- (4- (1-hydroxyethyl) phenyl) -2-phenylpropane, 1- (4- (1-hydroxyethyl) phenyl) -3-phenylpropane, 1- (4 -(1-hydroxyethyl) phenyl) -4-phenylbutane, 1- (4- (1-hydroxyethyl) phenyl) -5-phenylpentane, 3,5-bis (1-hydroxyethyl) diphenylmethane, 3,3 '-Bis (1-hydroxyethyl) diphenylmethane, 3,4'-bis (1-hydroxyethyl) diphenylmethane, 4,4' Bis (1-hydroxyethyl) diphenylmethane, 1,2-bis (4- (1-hydroxyethyl) phenyl) ethane, 1,2-bis (4-α-hydroxypropylphenyl) propane, 2,2-bis (4 -Α-hydroxypropylphenyl) propane, 1,3-bis (4-α-hydroxypropylphenyl) propane, 2,4,6-tris (1-hydroxyethyl) diphenylmethane, 3,3 ', 5-tris (1 -Hydroxyethyl) diphenylmethane, 3,4 ', 5-tris (1-hydroxyethyl) diphenylmethane, 2,3', 4,6-tetrakis (1-hydroxyethyl) diphenylmethane, 2,4,4 ', 6-tetrakis (1-hydroxyethyl) diphenylmethane, 3,3 ′, 5,5′-tetrakis (1-hydroxyethyl) diphenyl (1) such as tan, 2,3 ′, 4,5 ′, 6-pentakis (1-hydroxyethyl) diphenylmethane, 2,2 ′, 4,4 ′, 6,6′-hexakis (1-hydroxyethyl) diphenylmethane -Hydroxyethyl) diphenylalkanes;
[0138]
3- (1-hydroxyethyl) diphenyl ether, 4- (1-hydroxyethyl) diphenyl ether, 3,5-bis (1-hydroxyethyl) diphenyl ether, 3,3′-bis (1-hydroxyethyl) diphenyl ether, 3,4 '-Bis (1-hydroxyethyl) diphenyl ether, 4,4'-bis (1-hydroxyethyl) diphenyl ether, 2,4,6-tris (1-hydroxyethyl) diphenyl ether, 3,3', 5-tris (1 -Hydroxyethyl) diphenyl ether, 3,4 ', 5-tris (1-hydroxyethyl) diphenyl ether, 2,3'4,6,6-tetrakis (1-hydroxyethyl) diphenyl ether, 2,4,4', 6-tetrakis (1-hydroxyethyl) diphenyl ether, 3,3 ′, 5,5 ′ Tetrakis (1-hydroxyethyl) diphenyl ether, 2,3 ′, 4,5 ′, 6-pentakis (1-hydroxyethyl) diphenyl ether, 2,2 ′, 4,4 ′, 6,6′-hexakis (1-hydroxy) (1-hydroxyethyl) diphenyl ethers such as ethyl) diphenyl ether;
[0139]
3- (1-hydroxyethyl) diphenyl ketone, 4- (1-hydroxyethyl) diphenyl ketone, 3,5-bis (1-hydroxyethyl) diphenyl ketone, 3,3′-bis (1-hydroxyethyl) diphenyl ketone 3,4′-bis (1-hydroxyethyl) diphenyl ketone, 4,4′-bis (1-hydroxyethyl) diphenyl ketone, 2,4,6-tris (1-hydroxyethyl) diphenyl ketone, 3,3 ', 5-tris (1-hydroxyethyl) diphenylketone, 3,4', 5-tris (1-hydroxyethyl) diphenylketone, 2,3 ', 4,6-tetrakis (1-hydroxyethyl) diphenylketone, 2,4,4 ′, 6-tetrakis (1-hydroxyethyl) diphenylketone, 3,3 ′, 5,5′-tetrakis (1-hydride) Xylethyl) diphenyl ketone, 2,3 ′, 4,5 ′, 6-pentakis (1-hydroxyethyl) diphenyl ketone, 2,2 ′, 4,4 ′, 6,6′-hexakis (1-hydroxyethyl) diphenyl (1-hydroxyethyl) diphenyl ketones such as ketones;
[0140]
3- (1-hydroxyethyl) phenyl benzoate, phenyl 4- (1-hydroxyethyl) benzoate, 3- (1-hydroxyethyl) phenyl benzoate, 4- (1-hydroxyethyl) phenyl benzoate, 3, 5-bis (1-hydroxyethyl) benzoic acid phenyl, 3- (1-hydroxyethyl) benzoic acid 3- (1-hydroxyethyl) phenyl, 3- (1-hydroxyethyl) benzoic acid 4- (1-hydroxyethyl) ) Phenyl, 4- (1-hydroxyethyl) benzoate 3- (1-hydroxyethyl) phenyl, 4- (1-hydroxyethyl) benzoate 4- (1-hydroxyethyl) phenyl, 3,5-bisbenzoate (1-hydroxyethyl) phenyl, 2,4,6-tris (1-hydroxyethyl) benzoate phenyl, 3,5-bis (1- Droxyethyl) benzoic acid 3- (1-hydroxyethyl) phenyl, 3,5-bis (1-hydroxyethyl) benzoic acid 4- (1-hydroxyethyl) phenyl, 3- (1-hydroxyethyl) benzoic acid 3,5 -Bis (1-hydroxyethyl) phenyl, 4- (1-hydroxyethyl) benzoate 3,5-bis (1-hydroxyethyl) phenyl, benzoate 2,4,6-tris (1-hydroxyethyl) phenyl,
[0141]
2,4,6-tris (1-hydroxyethyl) benzoate 3- (1-hydroxyethyl) phenyl, 2,4,6-tris (1-hydroxyethyl) benzoate 4- (1-hydroxyethyl) phenyl, 3,5-bis (1-hydroxyethyl) benzoic acid 3,5-bis (1-hydroxyethyl) phenyl, 3- (1-hydroxyethyl) benzoic acid 2,4,6-tris (1-hydroxyethyl) phenyl 4- (1-hydroxyethyl) benzoic acid 2,4,6-tris (1-hydroxyethyl) phenyl, 2,4,6-tris (1-hydroxyethyl) benzoic acid 3,5-bis (1-hydroxy) Ethyl) phenyl, 3,5-bis (1-hydroxyethyl) benzoic acid 2,4,6-tris (1-hydroxyethyl) phenyl, 2,4,6-tris (1-hydroxy) Ethyl) benzoic acid 2,4,6-tris (1-hydroxyethyl) phenyl such as (1-hydroxyethyl) phenyl benzoate and the like can be given.
[0142]
Specific examples of the naphthalene compound (iii) include 1- (1-hydroxyethyl) naphthalene, 2- (1-hydroxyethyl) naphthalene, 1,3-bis (1-hydroxyethyl) naphthalene, 1,4. -Bis (1-hydroxyethyl) naphthalene, 1,5-bis (1-hydroxyethyl) naphthalene, 1,6-bis (1-hydroxyethyl) naphthalene, 1,7-bis (1-hydroxyethyl) naphthalene, , 6-bis (1-hydroxyethyl) naphthalene, 2,7-bis (1-hydroxyethyl) naphthalene, 1,3,5-tris (1-hydroxyethyl) naphthalene, 1,3,6-tris (1- Hydroxyethyl) naphthalene, 1,3,7-tris (1-hydroxyethyl) naphthalene, 1,4,6-tris (1-hydroxyethyl) Le) naphthalene, 1,4,7-tris (1-hydroxyethyl) naphthalene, 1,3,5,7-tetrakis (1-hydroxyethyl) can be exemplified naphthalene.
[0143]
Furthermore, specific examples of the furan compound (iv) include 3- (1-hydroxyethyl) furan, 2-methyl-3- (1-hydroxyethyl) furan, 2-methyl-4- (1-hydroxyethyl). Furan, 2-ethyl-4- (1-hydroxyethyl) furan, 2-n-propyl-4- (1-hydroxyethyl) furan, 2-isopropyl-4- (1-hydroxyethyl) furan, 2-n- Butyl-4- (1-hydroxyethyl) furan, 2-t-butyl-4- (1-hydroxyethyl) furan, 2-n-pentyl-4- (1-hydroxyethyl) furan, 2,5-dimethyl- 3- (1-hydroxyethyl) furan, 2,5-diethyl-3- (1-hydroxyethyl) furan, 3,4-bis (1-hydroxyethyl) furan, 2,5-dimethyl-3 4- bis (1-hydroxyethyl) furan, 2,5-diethyl-3,4-bis (1-hydroxyethyl) can be given furan like.
[0144]
As the component C, compounds having 2 to 6 groups represented by formulas (I) to (III) are more preferable. When the compound has 2 to 6 groups represented by formulas (I) to (III), the performance of the resist composition is particularly improved.
More preferably, a benzene compound having 2 to 6 groups represented by formulas (I) to (III), and a hydroxyalkylbiphenyl having 2 to 6 groups represented by formulas (I) to (III) Naphthalenes having 2 to 6 groups represented by formulas (I) to (III).
As C ′ component, compounds having 2 to 6 groups represented by formulas (IV) to (VI) are more preferable. When the compound has 2 to 6 groups represented by formulas (IV) to (VI), the performance of the resist composition is particularly improved.
More preferably, a benzene compound having 2 to 6 groups represented by the formulas (IV) to (VI), and a hydroxyalkylbiphenyl having 2 to 6 groups represented by the formulas (IV) to (VI). And naphthalenes having 2 to 6 groups represented by formulas (IV) to (VI).
C and C ′ components can be used alone or in admixture of two or more. Further, the C component and the C ′ component can be used in combination.
[0145]
The compound of component C can be synthesized, for example, by oxidation of the corresponding ketone or aldehyde, reaction with a ketone, aldehyde, ester, Grignard reagent, or the like.
The compound of the C ′ component can be synthesized by protecting the compound of the C component by a usual method.
[0146]
The addition amount of the C component and C ′ component compounds in the negative resist composition of the present invention is generally 5 to 50% by mass, preferably 7 to 7%, based on the total solid content of the negative resist composition. It is 40 mass%, More preferably, it is 10-30 mass%.
[0147]
[4] Crosslinking agent (component D)
The negative resist composition of the present invention may also contain a compound that crosslinks with an acid (hereinafter, appropriately referred to as an acid crosslinker or simply a crosslinker).
A phenol derivative can be used as the crosslinking agent.
Preferably, the molecule contains 3 to 5 benzene rings and further has 2 or more hydroxymethyl groups or alkoxymethyl groups, and the hydroxymethyl group or alkoxymethyl group is concentrated on at least one of the benzene rings. Or phenol derivatives formed by sorting and binding. By using such a phenol derivative, the effect of the present invention can be made more remarkable. In addition, the molecular weight of a phenol derivative becomes like this. Preferably it is 1200 or less, More preferably, it is 250-1000, Most preferably, it is 250-800.
As the alkoxymethyl group bonded to the benzene ring, those having 6 or less carbon atoms are preferable. Specifically, methoxymethyl group, ethoxymethyl group, n-propoxymethyl group, i-propoxymethyl group, n-butoxymethyl group, i-butoxymethyl group, sec-butoxymethyl group, and t-butoxymethyl group are preferable. In addition, 2
[0148]
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[0149]
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[0150]
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[0151]
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[0152]
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[0153]
(Where L ¹ ~ L ⁸ May be the same or different and each represents a hydroxymethyl group, a methoxymethyl group or an ethoxymethyl group. )
A phenol derivative having a hydroxymethyl group is a phenol compound having no corresponding hydroxymethyl group (in the above formula, L ¹ ~ L ⁸ Can be obtained by reacting formaldehyde) with formaldehyde in the presence of a base catalyst. At this time, in order to prevent resinification or gelation, the reaction temperature is preferably 60 ° C. or lower. Specifically, it can be synthesized by the methods described in JP-A-6-282067, JP-A-7-64285 and the like.
A phenol derivative having an alkoxymethyl group can be obtained by reacting a corresponding phenol derivative having a hydroxymethyl group with an alcohol in the presence of an acid catalyst. At this time, in order to prevent resinification and gelation, the reaction temperature is preferably 100 ° C. or lower. Specifically, it can be synthesized by the method described in European Patent EP632003A1 and the like.
A phenol derivative having a hydroxymethyl group or an alkoxymethyl group synthesized in this manner is preferable from the viewpoint of stability during storage, but a phenol derivative having an alkoxymethyl group is particularly preferable from the viewpoint of stability during storage.
Such a phenol derivative having two or more hydroxymethyl groups or alkoxymethyl groups in total and concentrated on any benzene ring or distributed and bonded may be used alone or in combination of two kinds. A combination of the above may also be used.
In addition to the above phenol derivatives, the following compounds (i) and (ii) can be used as crosslinking agents.
(I) Compound having N-hydroxymethyl group, N-alkoxymethyl group, or N-acyloxymethyl group
(Ii) Epoxy compound
[0154]
These crosslinking agents will be described in detail below.
(I) As a compound having an N-hydroxymethyl group, an N-alkoxymethyl group, or an N-acyloxymethyl group, European Patent Publication (hereinafter referred to as “EP-A”) No. 0,133,216, Monomers and oligomers-melamine-formaldehyde condensates and urea-formaldehyde condensates disclosed in West German Patents 3,634,671 and 3,711,264, EP-A 0,212,482 And benzoguanamine-formaldehyde condensates disclosed in the alkoxy-substituted compounds disclosed in 1).
More preferred examples include, for example, melamine-formaldehyde derivatives having at least two free N-hydroxymethyl groups, N-alkoxymethyl groups, or N-acyloxymethyl groups, with N-alkoxymethyl derivatives being particularly preferred. .
[0155]
(Ii) Examples of the epoxy compound include monomers, dimers, oligomers, and polymeric epoxy compounds containing one or more epoxy groups. For example, the reaction product of bisphenol A and epichlorohydrin, the reaction product of low molecular weight phenol-formaldehyde resin and epichlorohydrin, etc. are mentioned. Other examples include epoxy resins described and used in US Pat. No. 4,026,705 and British Patent 1,539,192.
[0156]
In the present invention, the above phenol derivatives are preferred.
In addition to the above phenol derivatives, for example, other cross-linking agents (i) and (ii) as described above can be used in combination.
The ratio of the other crosslinking agent that can be used in combination with the phenol derivative is 100/0 to 20/80, preferably 90/10 to 40/60, and more preferably 80/20 to 50/50 in molar ratio. is there.
[0157]
The addition amount of the crosslinking agent is generally 3/100 to 97/100, preferably 5/100 to 95/100, more preferably 7 as a mass ratio of crosslinking agent / (C component + C ′ component + crosslinking agent). / 100 to 93/100.
[0158]
[5] Solvent (E component)
In the composition of the present invention, the above-described components are dissolved in a solvent and coated on a support.
Solvents include ethylene dichloride, cyclohexanone, cyclopentanone, 2-heptanone, γ-butyrolactone, methyl ethyl ketone, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, 2-methoxyethyl acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl. Ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, toluene, ethyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate, methyl methoxypropionate, ethyl ethoxypropionate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, propyl pyruvate, N, N-dimethylformamide, dimethyl sulfoxide N-methylpyrrolidone, tetrahydrofuran and the like are preferable, and these solvents are used alone or in combination. To use Te.
Although the addition amount of a solvent can be suitably set with the thickness of the coating film to apply | coat, 80-97 mass% is preferable.
[0159]
In addition, it is preferable that the negative resist composition of this invention uses the following (E) mixed solvents as a solvent.
As the component (E), at least one propylene glycol monoalkyl ether carboxylate (also referred to as a solvent of Group A), propylene glycol monoalkyl ether, alkyl lactate, acetate, chain ketone, and alkyl alkoxypropionate. At least one (also referred to as Group B solvent) and / or
Alternatively, it is a mixed solvent containing γ-butyrolactone, ethylene carbonate, and propylene carbonate (also referred to as a group C solvent).
That is, as the component (E), a combination of a group A solvent and a group B solvent, a combination of a group A solvent and a group C solvent, a group A solvent, a group B solvent, and a group C solvent Use a combination of
[0160]
Preferred examples of the propylene glycol monoalkyl ether carboxylate include propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether propionate, propylene glycol monoethyl ether acetate, and propylene glycol monoethyl ether propionate.
[0161]
Preferred examples of the propylene glycol monoalkyl ether include propylene glycol monomethyl ether and propylene glycol monoethyl ether.
Preferable examples of the alkyl lactate include methyl lactate and ethyl lactate.
Preferred examples of the acetate solvent include butyl acetate, pentyl acetate, and hexyl acetate, and more preferred is butyl acetate.
Examples of chain ketones include heptanone, and examples of heptanone include 2-heptanone, 3-heptanone, and 4-heptanone, with 2-heptanone being preferred.
Preferred examples of the alkyl alkoxypropionate include ethyl 3-ethoxypropionate, methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, and methyl 3-ethoxypropionate.
[0162]
The mass ratio (A: B) of the group A solvent and the group B solvent is preferably 90:10 to 15:85, more preferably 85:15 to 20:80, and still more preferably 80:20. ~ 25: 75.
The use mass ratio (A: C) of the solvent of the group A and the solvent of the group C is preferably 99.9: 0.1 to 75:25, more preferably 99: 1 to 80:20, and still more preferably. Is 97: 3-85: 15.
[0163]
In the case of combining these three solvents, the mass ratio of the group C solvent is preferably from 0.1 to 25 mass%, more preferably from 1 to 20 mass%, still more preferably from 3 to 3 mass% based on the total solvent. 17% by mass.
In the present invention, the solid content of the resist composition containing the above components is preferably dissolved in the mixed solvent in a solid content concentration of 3 to 25% by mass, more preferably 5 to 22% by mass, and still more preferably. 7 to 20% by mass.
[0164]
In the composition of the present invention, the above-described components are dissolved in the mixed solvent of the component (E) of the present invention and applied onto a support. In the present invention, in addition to the mixed solvent of component (E), other solvents may be appropriately mixed. Such other solvents include ethylene dichloride, cyclohexanone, cyclopentanone, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, 2-methoxyethyl acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, toluene, methyl pyruvate, pyruvate Ethyl, propyl pyruvate, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, N, N, N ′, N′-tetramethylurea, N-methylpyrrolidone, tetrahydrofuran, methyl β-methoxyisobutyrate, Ethyl butyrate, propyl butyrate and the like are preferable, and these solvents may be used by mixing one or more of them in addition to the mixed solvent of (d). The addition amount of these other solvents is usually 100 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the mixed solvent of component (E).
[0165]
[6] Other components used in the composition of the present invention
If necessary, the negative resist composition of the present invention can further contain an organic basic compound, a surfactant, a dye, and the like.
1. Organic basic compounds
A preferable organic basic compound that can be used in the present invention is a compound that is more basic than phenol. Of these, nitrogen-containing basic compounds are preferred.
As the chemical environment, nitrogen-containing basic compounds having structures of the following formulas (A) to (E) are preferable.
[0166]
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[0167]
Where R ²⁵⁰ , R ²⁵¹ And R ²⁵² May be the same or different and are a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an aminoalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a hydroxyalkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or 6 to 20 carbon atoms. Represents a substituted or unsubstituted aryl group, wherein R ²⁵¹ And R ²⁵² May combine with each other to form a ring. R ²⁵³ , R ²⁵⁴ , R ²⁵⁵ And R ²⁵⁶ May be the same or different and each represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
Further preferred compounds are nitrogen-containing basic compounds having two or more nitrogen atoms of different chemical environments in one molecule, and particularly preferably both a substituted or unsubstituted amino group and a ring structure containing a nitrogen atom. Or a compound having an alkylamino group.
[0168]
Preferred examples include substituted or unsubstituted guanidine, substituted or unsubstituted aminopyridine, substituted or unsubstituted aminoalkylpyridine, substituted or unsubstituted aminopyrrolidine, substituted or unsubstituted indazole, imidazole, substituted or unsubstituted Substituted pyrazole, substituted or unsubstituted pyrazine, substituted or unsubstituted pyrimidine, substituted or unsubstituted purine, substituted or unsubstituted imidazoline, substituted or unsubstituted pyrazoline, substituted or unsubstituted piperazine, substituted or unsubstituted Aminomorpholine, substituted or unsubstituted aminoalkylmorpholine, and the like. Preferred substituents are amino group, aminoalkyl group, alkylamino group, aminoaryl group, arylamino group, alkyl group, alkoxy group, acyl group, acyloxy group, aryl group, aryloxy group, nitro group, hydroxyl group, cyano group It is.
[0169]
Particularly preferred compounds include guanidine, 1,1-dimethylguanidine, 1,1,3,3-tetramethylguanidine, imidazole, 2-methylimidazole, 4-methylimidazole, N-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 4 , 5-diphenylimidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, 2-aminopyridine, 3-aminopyridine, 4-aminopyridine, 2-dimethylaminopyridine, 4-dimethylaminopyridine, 2-diethylaminopyridine, 2- (Aminomethyl) pyridine, 2-amino-3-methylpyridine, 2-amino-4-methylpyridine, 2-amino-5-methylpyridine, 2-amino-6-methylpyridine, 3-aminoethylpyridine, 4- Aminoethylpyridine, 3-aminopyrrolidine, Perazine, N- (2-aminoethyl) piperazine, N- (2-aminoethyl) piperidine, 4-amino-2,2,6,6-tetramethylpiperidine, 4-piperidinopiperidine, 2-iminopiperidine, 1- (2-aminoethyl) pyrrolidine, pyrazole, 3-amino-5-methylpyrazole, 5-amino-3-methyl-1-p-tolylpyrazole, pyrazine, 2- (aminomethyl) -5-methylpyrazine, Examples include, but are not limited to, pyrimidine, 2,4-diaminopyrimidine, 4,6-dihydroxypyrimidine, 2-pyrazoline, 3-pyrazoline, N-aminomorpholine, N- (2-aminoethyl) morpholine. It is not a thing.
These nitrogen-containing basic compounds are used alone or in combination of two or more. The ratio of the acid generator and the organic basic compound used in the composition is (acid generator) / (existence).
Organic basic compound) (molar ratio) = 2.5 to 300 is preferable. If the molar ratio is less than 2.5, the sensitivity may be low and the resolution may be reduced. If the molar ratio is more than 300, the resist pattern may increase in thickness over time until post-exposure heat treatment, and the resolution may also be reduced. . (Acid generator) / (Organic basic compound) (Molar ratio)
Is preferably 5.0 to 200, more preferably 7.0 to 150. The addition of these nitrogen-containing basic compounds has the effect of improving the retention time stability (PCD stability and PED stability) of the resist film.
Here, PCD (Post Coating Delay) stability is the stability of the coating film when the resist composition is applied to the substrate and then left in the irradiation apparatus or outside the apparatus, and PED (Post Exposure Delay) stability. The property is the stability of the coating film when left in the irradiation apparatus or outside the apparatus until the heating operation is performed after the irradiation.
[0170]
2. Surfactants
A surfactant can also be added to the negative resist composition of the present invention. Specifically, polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene cetyl ether, polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene octylphenol ether, polyoxyethylene nonylphenol ether, etc. Sorbitans such as polyoxyethylene alkyl allyl ethers, polyoxyethylene / polyoxypropylene block copolymers, sorbitan monolaurate, sorbitan monopalmitate, sorbitan monostearate, sorbitan monooleate, sorbitan trioleate, sorbitan tristearate Fatty acid esters, polyoxyethylene sorbitan monolaurate, polyoxyethylene sorbitan monopal Nonionic surfactants such as polyoxyethylene sorbitan fatty acid esters such as tate, polyoxyethylene sorbitan monostearate, polyoxyethylene sorbitan trioleate, polyoxyethylene sorbitan tristearate, Ftop EF301, EF303, EF352 (Manufactured by Shin-Akita Kasei Co., Ltd.), MegaFuck F171, F173 (manufactured by Dainippon Ink and Chemicals), Florad FC430, FC431 (manufactured by Sumitomo 3M), Asahi Guard AG710, Surflon S-382 , SC101, SC102, SC103, SC104, SC105, SC106 (made by Asahi Glass Co., Ltd.), etc., organosiloxane polymer KP341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), acrylic acid type or methacrylic acid type ( ) Polymerization Polyflow No. 75, no. 95 (manufactured by Kyoeisha Yushi Chemical Co., Ltd.), Troisol S-366 (manufactured by Troy Chemical Co., Ltd.) and the like.
[0171]
The compounding quantity of these surfactant is 0.001-2 mass part normally per 100 mass parts of solid content in the composition of this invention, Preferably it is 0.01-1 mass part. These surfactants may be added alone or in several combinations. The addition of these surfactants has the effect of increasing the in-plane uniformity of the resist film and improving the resolution.
[0172]
The surfactant is any one of fluorine and / or silicon surfactants (fluorine surfactants and silicon surfactants, surfactants containing both fluorine atoms and silicon atoms), or It is preferable to contain 2 or more types.
As these surfactants, for example, JP-A-62-36663, JP-A-61-226746, JP-A-61-226745, JP-A-62-170950, JP-A-63-34540 No. 7, JP-A-7-230165, JP-A-8-62834, JP-A-9-54432, JP-A-9-5988, JP-A 2002-277862, US Pat. No. 5,405,720. , No. 5,360,692, No. 5,529,881, No. 5,296,330, No. 5,543,098, No. 5,576,143, No. 5,294,511, No. 5,824,451. The following commercially available surfactants can also be used as they are.
Examples of commercially available surfactants that can be used include F-top EF301 and EF303 (manufactured by Shin-Akita Kasei Co., Ltd.), Florard FC430 and 431 (manufactured by Sumitomo 3M Co., Ltd.), MegaFuck F171, F173, F176, F189, and R08. (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd.), Surflon S-382, SC101, 102, 103, 104, 105, 106 (Asahi Glass Co., Ltd.), Troisol S-366 (Troy Chemical Co., Ltd.), etc. Fluorine type surfactant or silicon type surfactant can be mentioned. Polysiloxane polymer KP-341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) can also be used as a silicon-based surfactant.
[0173]
In addition to the known surfactants described above, the surfactant is derived from a fluoroaliphatic compound produced by a telomerization method (also called telomer method) or an oligomerization method (also called oligomer method). A surfactant using a polymer having a fluoroaliphatic group can be used. The fluoroaliphatic compound can be synthesized by the method described in JP-A-2002-90991.
As the polymer having a fluoroaliphatic group, a copolymer of a monomer having a fluoroaliphatic group and (poly (oxyalkylene)) acrylate and / or (poly (oxyalkylene)) methacrylate is preferable and distributed irregularly. Or may be block copolymerized. Examples of the poly (oxyalkylene) group include a poly (oxyethylene) group, a poly (oxypropylene) group, a poly (oxybutylene) group, and the like, and a poly (oxyethylene, oxypropylene, and oxyethylene group). A unit having different chain lengths in the same chain length, such as a block linked body) or a poly (block linked body of oxyethylene and oxypropylene) group, may be used. Furthermore, a copolymer of a monomer having a fluoroaliphatic group and (poly (oxyalkylene)) acrylate (or methacrylate) is not only a binary copolymer but also a monomer having two or more different fluoroaliphatic groups, Further, it may be a ternary or higher copolymer obtained by simultaneously copolymerizing two or more different (poly (oxyalkylene)) acrylates (or methacrylates).
Examples of commercially available surfactants include Megafac F178, F-470, F-473, F-475, F-476, and F-472 (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd.). In addition, C ₆ F ₁₃ Copolymer of acrylate (or methacrylate) having a group and (poly (oxyalkylene)) acrylate (or methacrylate), C ₆ F ₁₃ A copolymer of an acrylate (or methacrylate) having a group, (poly (oxyethylene)) acrylate (or methacrylate) and (poly (oxypropylene)) acrylate (or methacrylate), C ₈ F ₁₇ Copolymer of acrylate (or methacrylate) having a group and (poly (oxyalkylene)) acrylate (or methacrylate), C ₈ F ₁₇ And a copolymer of an acrylate (or methacrylate) having a group, (poly (oxyethylene)) acrylate (or methacrylate), and (poly (oxypropylene)) acrylate (or methacrylate).
[0174]
The amount of the surfactant used is usually 0.0001 to 2% by mass, preferably 0.001 to 2% by mass, more preferably 0.001 to 1% by mass, based on the total amount of the resist composition (excluding the solvent). Especially preferably, it is 0.01-1 mass%.
[0175]
3. dye
Suitable dyes include oily dyes and basic dyes. Specifically, Oil Yellow # 101, Oil Yellow # 103, Oil Pink # 312, Oil Green BG, Oil Blue BOS, Oil Blue # 603, Oil Black BY, Oil Black BS, Oil Black T-505 (oriental chemical industry) Co., Ltd.), crystal violet (CI42555), methyl violet (CI42535), rhodamine B (CI45170B), malachite green (CI42000), methylene blue (CI522015) and the like.
[0176]
In the manufacture of precision integrated circuit elements, the pattern forming process on the resist film is carried out by applying the negative resist composition of the present invention on a substrate (eg, transparent substrate such as silicon / silicon dioxide covering, glass substrate, ITO substrate, etc.). And then apply electron beam or X
Irradiation is performed using a line drawing apparatus, and a good resist pattern can be formed by heating, developing, rinsing and drying.
The developer of the negative resist composition of the present invention includes inorganic alkalis such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, aqueous ammonia, ethylamine, n-propylamine and the like. Monoamines, secondary amines such as diethylamine and di-n-butylamine, tertiary amines such as triethylamine and methyldiethylamine, alcoholamines such as dimethylethanolamine and triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide, tetraethyl An aqueous solution (usually 1 to 10% by mass) of an alkali such as a quaternary ammonium salt such as ammonium hydroxide or choline, a cyclic amine such as pyrrole or piperidine, or the like can be used. Furthermore, an appropriate amount of an alcohol such as isopropyl alcohol or a nonionic surfactant may be added to the alkaline aqueous solution.
Among these developers, quaternary ammonium salts are preferable, and tetramethylammonium hydroxide and choline are more preferable.
[0177]
【Example】
EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention still in detail, the content of this invention is not limited by this.
1. Composition example of composition material
(1) Alkali-soluble resin
1) 17.6 g of 3-t-butoxystyrene was added to 27 g of dry THF, and then heated to 70 ° C. in a nitrogen stream. When the reaction temperature was stabilized, 2 mol% of the monomer was added to an azo radical initiator V-601 manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd. to initiate the reaction. After reacting for 3 hours, 2 mol% of V-601 was added again, and the reaction was further continued for 3 hours. The reaction mixture was diluted with THF, poured into a large amount of methanol, and precipitated. The obtained polymer was decomposed in a hydrochloric acid acidic solution by a conventional method, precipitated in hexane, and reprecipitation purification was repeated twice and dried under reduced pressure to obtain (P-1). Molecular weight (Mw: polystyrene conversion) and molecular weight dispersity (Mw / Mn) were determined by THF solvent GPC measurement.
2) (P-2) to (P-4), (P-6), (P-7), and (P-11) were obtained in substantially the same manner except that the monomer was changed.
[0178]
3) After adding 16.2 g of 3-acetoxystyrene to 24 g of dry THF, the mixture was heated to 70 ° C. under a nitrogen stream. When the reaction temperature was stabilized, 2 mol% of the azo radical initiator V-60 manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd. was added to initiate the reaction. After reacting for 3 hours, 2 mol% of V-60 was added again, and the mixture was further reacted for 3 hours. The reaction mixture was diluted with THF, poured into a large amount of methanol, and precipitated. The obtained polymer was hydrolyzed under a basic condition solution by a conventional method, precipitated in hexane, and reprecipitation purification was repeated twice and dried under reduced pressure to obtain (P-5).
[0179]
4) 12 g of the polymer (P-1) obtained in the same manner as in 1) above was dissolved in dry propylene glycol monomethyl ether acetate, 1.0 g of β-cyclohexyl ethyl vinyl ether and 10 mg of p-toluenesulfonic acid were added, and the mixture was brought to room temperature. The mixture was stirred for 1 hour and triethylamine was added.
The reaction solution was poured into water and the precipitated powder was collected by filtration and dried under reduced pressure to obtain (P-9).
5) (P-8) and (P-10) were obtained by a conventional method according to the reagent in a manner similar to 4) above.
[0180]
6) After adding 11.3 g of 3-hydroxystyrene and 5.3 g of 4-t-butoxystyrene to 30 g of dry THF, the mixture was heated to 70 ° C. in a nitrogen stream. When the reaction temperature was stabilized, 2 mol% of the monomer was added to an azo radical initiator V-601 manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd. to initiate the reaction. After reacting for 3 hours, 2 mol% of V-601 was added again, and the reaction was further continued for 3 hours. The reaction mixture was diluted with THF, poured into a large amount of methanol, and precipitated. Further, reprecipitation purification was repeated twice and dried under reduced pressure to obtain (P-12).
7) In the same manner as in 6) above, (p-13) was obtained.
[0181]
8) Living anionic polymerization of 17.6 g of 3-t-butoxystyrene in degassed dry THF at −78 ° C. using s-butyllithium as an initiator. After the reaction for 3 hours, the reaction was terminated with degassed methanol. Further, it was put into a large amount of methanol, and the precipitated powder was collected by filtration. Further, reprecipitation purification was repeated twice and dried under reduced pressure to obtain a resin. By a conventional method, the t-butoxy group was decomposed under hydrochloric acid acidity to obtain a polymer (P-21).
9) The amount of initiator was adjusted and the same operation was performed to obtain a polymer (P-22).
10) 10% by mass, 20% by mass, and 30% by mass are replaced with 4-t-butoxystyrene as the monomer, and the amount of initiator is adjusted, and the same operation as in 8) is performed. ) To (P-28) were obtained.
11) The same operation as 1) was performed using a mixture of 3-t-butoxystyrene / 4-t-butoxystyrene = 60/40 (mass ratio) as a monomer raw material to obtain a polymer. The resulting polymer was subjected to fractional precipitation from a dilute acetone solution to obtain a polymer (P-29).
12) The amount of initiator was adjusted and the same operation as in 11) was performed to obtain a polymer (P-30).
13) 20 mol% of the monomer was replaced with 3,4-di-t-butoxystyrene, the amount of the initiator was adjusted, and the same operation as in 8) was performed, and the polymers (P-31) and (P-32) Obtained.
14) The polymers obtained by adjusting the amount of the initiator and performing the same operations as in 8) were respectively protected by a conventional method, and the polymers (P-33), (P-34), (P-37) to (P −40) was obtained.
15) As in the above 10), a part of the monomer is replaced and the amount of the initiator is adjusted, and the same operation as in 8) is performed, and the polymers (P-35), (P-36), (P-41) ) To (P-44).
[0182]
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[0183]
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[0188]
(2) Acid generator
1) Synthesis of tetramethylammonium salt of pentafluorobenzenesulfonic acid
25 g of pentafluorobenzenesulfonyl chloride was dissolved in 100 ml of methanol under ice cooling, and 100 g of 25% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution was slowly added thereto. When stirred for 3 hours at room temperature, a solution of pentamethylbenzenesulfonic acid tetramethylammonium salt was obtained. This solution was used for salt exchange with sulfonium salt and iodonium salt.
[0189]
2) Synthesis of triphenylsulfonium pentafluorobenzenesulfonate
50 g of diphenyl sulfoxide was dissolved in 800 ml of benzene, 200 g of aluminum chloride was added thereto, and the mixture was refluxed for 24 hours. The reaction solution was slowly poured into 2 L of ice, 400 ml of concentrated hydrochloric acid was added thereto, and the mixture was heated at 70 ° C. for 10 minutes. The aqueous solution was washed with 500 ml of ethyl acetate, filtered, and a solution prepared by dissolving 200 g of ammonium iodide in 400 ml of water was added. The precipitated powder was collected by filtration, washed with water, washed with ethyl acetate and dried to obtain 70 g of triphenylsulfonium iodide.
30.5 g of triphenylsulfonium iodide was dissolved in 1000 ml of methanol, and 19.1 g of silver oxide was added to this solution, followed by stirring at room temperature for 4 hours. The solution was filtered, and an excess amount of a solution of pentafluorobenzenesulfonic acid tetramethylammonium salt was added thereto. The reaction solution was concentrated, dissolved in 500 ml of dichloromethane, and this solution was washed with 5% aqueous tetramethylammonium hydroxide solution and water. The organic phase was dried over anhydrous sodium sulfate and concentrated to obtain triphenylsulfonium pentafluorobenzene sulfonate (I-1).
[0190]
(3) Synthesis of C ′ component
20 g of 1,3-bis (3-hydroxy-3-pentyl) benzene was dissolved in anhydrous tetrahydrofuran to obtain a 10% by mass solution, and 0.3 g of p-toluenesulfonic acid pyridinium salt was added and dissolved. After confirming that this solution had a water content of 500 ppm or less by the Karl Fischer method, 15 g of ethyl vinyl ether was slowly added while stirring at room temperature, and allowed to react at room temperature for 8 hours. Thereafter, the reaction solution is purified by reprecipitation with a large amount of water, and the precipitate is filtered under reduced pressure and then vacuum-dried, and the hydroxyl group of 1,3-bis (3-hydroxy-3-pentyl) benzene is converted to 1-ethoxyethyl. 28 g of the compound protected with a group were obtained. This compound is referred to as “compound (C′-1)”.
[0191]
2. Example
(1) Application of resist
A solution of a resist composition having the composition shown in Table 1 below was prepared using the compound constituting the present invention selected from the above synthesis examples and the comparative compound.
After each sample solution is filtered through a 0.1 μm filter, it is applied onto a silicon wafer using a spin coater and dried on a vacuum adsorption hot plate at 110 ° C. for 90 seconds to obtain a film thickness of 0.3 μm. A resist film was obtained.
[0192]
[Table 1]

[0193]
[Table 2]

[0194]
The abbreviations used in Table 1 indicate the following contents.
The acid generator PAGI-1 is exemplified above.
[0195]
Compound (C)
C-1: 1,3-bis (3-hydroxy-3-benzyl) benzene
C-2: 1,3,5-tris (3-hydroxy-3-benzyl) benzene
C-3: 2,6-bis (3-hydroxy-3-benzyl) naphthalene
C-4: 4,4′-bis (3-hydroxy-3-bentle) biphenyl
C′-1: Compound obtained in Synthesis Example
[0196]
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[0197]
Other cross-linking agents
D-1: N, N, N, N-tetra (methoxymethyl) glycoluril
[0198]
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[0199]
The acid diffusion inhibitor is as follows.
E-1: Dimethyl-n-dodecylamine
E-2: Triphenylsulfonium salicylate
E-3: 2-Phenylbenzimidazole
E-4: Diphenyl-4-hydroxyphenylsulfonium salicylate
[0200]
The solvent is as follows.
F-1: Ethyl lactate (ethyl 2-hydroxypropionate)
F-2: Ethyl 3-ethoxypropionate
F-3: Propylene glycol monomethyl ether acetate
[0201]
The surfactant is as follows.
S-1: Troisol S-366 (manufactured by Troy Chemical Co., Ltd.)
S-2: Megafuck F176 (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd.)
S-3: Megafuck R08 (Dainippon Ink Chemical Co., Ltd.)
S-4: Polysiloxane polymer KP-341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)
S-5: Surflon S-382 (Asahi Glass Co., Ltd.)
[0202]
(2) Preparation of resist pattern
The resist film was irradiated using an electron beam drawing apparatus (acceleration voltage 50 KeV). After irradiation, each was heated on a vacuum adsorption hot plate at 110 ° C. for 60 seconds, immersed in an aqueous 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) solution for 60 seconds, rinsed with water for 30 seconds and dried. The cross-sectional shape of the obtained pattern was observed with a scanning electron microscope.
[0203]
(3) Sensitivity is defined as sensitivity at the minimum dose when resolving a 0.20 μm line (line: space = 1: 1), and limiting resolution at that dose (line and space are separated and resolved) as resolution. did. For a 0.20 μm line (line: space = 1: 1) not resolving, the limiting resolving power was defined as resolving power, and the irradiation dose at that time was defined as sensitivity.
[0204]
[Stability over time (PCD)]
The resist film coated by the method (1) was left in an electron beam lithography apparatus for 120 minutes, and then a resist pattern was formed by the method (2). The minimum pattern size that can be resolved with the same dose as the minimum dose (in this case, irradiation immediately after formation of the resist film) obtained by the method of (3) was obtained, and this size and (3) were obtained. A PCD stability pass was defined as a difference from the limit resolution within 5%.
[0205]
[Storage stability]
The changes in sensitivity and resolution evaluated according to the above (1) to (3) were both immediately after the preparation of the negative type rust composition solution (coating solution) prepared as described above and after being left at 23 ° C. for one month. The one that was 1% was rated as ◯, and the other one was marked as ×.
Table 2 shows the performance evaluation results of the resists in Table 1.
[0206]
[Table 3]

[0207]
From the results in Table 2, it can be seen that the negative resist composition of the present invention is superior in all properties as compared with the comparative example.
[0208]
Moreover, when the surfactant was changed from S-1 to S-2, S-3, S-4, and S-5 in the examples, the same performance was obtained.
[0209]
【The invention's effect】
With the negative resist composition of the present invention, it is possible to provide a negative photosensitive composition having excellent sensitivity and resolving power, excellent resist solution storage stability, and resist film retention stability.

Claims (5)

(A) an alkali-soluble resin,
(B) a compound that generates an acid upon irradiation with an electron beam or EUV, and
(C) A negative resist composition comprising at least one compound having a group represented by any one of formulas (I) to (III).

R ^{1 to} R ¹⁰ each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aralkyl group, an aryl group, a heterocyclic group, or an oligoalkyleneoxy group. However, R ^{3 to} R ⁵ or R ^{6 to} R ¹⁰ are not simultaneously hydrogen atoms. (A) an alkali-soluble resin,
(B) a compound that generates an acid upon irradiation with an electron beam or EUV, and
(C ′) A negative resist composition comprising at least one compound having a group represented by any one of the general formulas (IV) to (VI).

R ^{1 to} R ¹⁰ each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group, an aralkyl group, an aryl group, a heterocyclic group, or an oligoalkyleneoxy group. However, R ^{3 to} R ⁵ or R ^{6 to} R ¹⁰ are not simultaneously hydrogen atoms. R is an acid dissociable group. The negative resist composition according to claim 1 or 2, wherein the resin of component (A) contains a repeating unit represented by formula (a).

In the formula, R ₁ represents a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, an alkyl group, an oxyalkyl group, or a haloalkyl group. x represents an integer of 0 to 3. R ₂ represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, an aralkyl group, an aryl group, or an acyl group. When R ₂ there are a plurality, the plurality of R ₂ may be the same or different. R ₃ represents a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkenyl group, an aralkyl group, or an aryl group. When R ₃ there are a plurality, the plurality of R ₃ may be the same or different. _Two of the plurality of R ₂ , two of the plurality of R ₃ , or R ₂ and R ₃ may be bonded to form a ring. A ₁ represents a single bond, an alkylene group, an alkenylene group, a cycloalkylene group, or an arylene group, or —O—, —SO ₂ —, —O—CO—R ₅ —, —CO—O—R ₆ —, or — _{CO-N (R 7) -R} 8 - represents a. R ₅ , R ₆ and R ₈ may be the same or different, and may have a single bond, an ether group, an ester group, an amide group, a urethane group or a ureido group, an alkylene group, an alkenylene group, a cyclo Represents an alkylene group or an arylene group; R ₇ represents a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aralkyl group, or an aryl group. The negative resist according to any one of claims 1 to 3, wherein the acid generator as the component (B) contains at least one of the compounds represented by the following general formulas (I) to (III). Composition.

[In General Formulas (I) to (III), R _{1 to} R ₃₇ represent a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxyl group, a hydroxyl group, a halogen atom, or a group represented by —S—R ₃₈ . _{R 38} in _{-S-R 38} represents an alkyl group or an aryl group. R _{1 to} R ₃₈ may be the same or different. In the case of R _{1 to} R ₁₅ , two or more selected from among them may be bonded directly to each other at the terminal, or may be bonded through an element selected from oxygen, sulfur and nitrogen to form a ring structure. Good. In the case of R _{16 to} R ₂₇ , a ring structure may be formed in the same manner. In the case of R _{28 to} R ₃₇ , a ring structure may be formed in the same manner.
X ⁻ is an anion of an acid. The acid forming the anion is an acid selected from benzene sulfonic acid, naphthalene sulfonic acid, or anthracene sulfonic acid. Alternatively, the acid is at least one organic group selected from the group consisting of alkyl groups, alkoxyl groups, acyl groups, acyloxyl groups, sulfonyl groups, sulfonyloxy groups, sulfonylamino groups, aryl groups, aralkyl groups, and alkoxycarbonyl groups. Have ] Furthermore, the crosslinking agent that crosslinks with an acid as a crosslinking agent contains a phenol derivative containing 3 to 5 benzene ring atomic groups in the molecule, and having two or more hydroxymethyl groups and / or alkoxymethyl groups in the benzene ring atomic groups. The negative resist composition according to claim 1, wherein the negative resist composition is a negative resist composition.