JP2004095682A

JP2004095682A - Solar cell film forming device

Info

Publication number: JP2004095682A
Application number: JP2002252058A
Authority: JP
Inventors: Kenji Katsuki; 香月　謙二; Yukimi Takahira; 高比良　幸美; Taizo Fujiyama; 藤山　泰三; Masayuki Fukagawa; 深川　雅幸
Original assignee: Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Current assignee: Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Priority date: 2002-08-29
Filing date: 2002-08-29
Publication date: 2004-03-25

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a solar cell film forming device that can be controlled to always form solar cell films at a preset substrate temperature when the solar cell films are repetitively formed in a film forming chamber. <P>SOLUTION: This solar cell film forming device 200 is provided with the film forming chamber 12 in which solar cell films PL-NL are repetitively formed on substrates 13a-15a. In the chamber 12, a supporting plate 18 which supports the substrates 13a-15a and heaters 16-i which heat the supporting plate 18 are installed. This device 200 is also provided with supporting plate temperature detecting sections (1)-(3) for detecting supporting plate temperatures 26-i which are the temperature of the supporting plate 18; and a supporting plate temperature adjusting section 10B which adjusts the supporting plate temperatures 26-i, based on the temperatures 26-i detected by means of the detecting sections (1)-(3) and a second set supporting plate temperature ST2 decided based on the fluctuation band of the temperatures 26-i caused, when the solar cell films PL-NL are repetitively formed in the film forming chamber 12 so that the temperatures 26-i may become a first set supporting plate temperature ST1. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、太陽電池膜の形成において用いられる装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
添付図面を参照して、本発明の太陽電池膜形成装置に係る従来の技術について説明する。本発明の太陽電池膜形成装置を用いて形成される太陽電池は、特に、図１５に示すアモルファス型太陽電池１０ａである。アモルファス型太陽電池１０ａは、ガラス基板１１ａ、透明電極膜１２ａ、Ｐ膜ＰＬ、Ｉ膜ＩＬ、Ｎ膜ＮＬの各々からなる構造を有している。
【０００３】
アモルファス型太陽電池１０ａは、次の（ａ）〜（ｄ）を経て形成される。（ａ）〜（ｄ）には、（ａ）ガラス基板１１ａ上に透明電極膜１２ａを形成することで中間生成物１３ａを形成し、（ｂ）中間生成物１３ａ上にＰ膜ＰＬを形成することで中間生成物１４ａを形成し、（ｃ）中間生成物１４ａ上にＩ膜ＩＬを形成することで中間生成物１５ａを形成し、（ｄ）中間生成物１５ａ上にＮ膜ＮＬを形成することでアモルファス型太陽電池１０ａを形成する過程が含まれる。（ｂ）で形成されるＰ膜ＰＬ、（ｃ）で形成されるＩ膜ＩＬ、（ｄ）で形成されるＮ膜ＮＬの各々は、複数の膜形成室（Ｐ膜ＰＬを形成するための第１膜形成室、Ｉ膜ＩＬを形成するための第２膜形成室、Ｎ膜ＮＬを形成するための第３膜形成室を含む）を有する膜形成室内において、プラズマＣＶＤ法を用いた蒸着により形成される。
【０００４】
プラズマＣＶＤ法は、次の（１）、（２）の手順を経て行われる。（１）膜形成室内を高真空状態として、膜ＰＬ、ＩＬ、ＮＬの形成の対象となる形成物（中間生成物１３ａ、中間生成物１４ａ、中間生成物１５ａのいずれか）を一定温度（２００〜２５０℃程度に設定される）の支持板上に載せる。（２）膜形成室内に備えられる電極を用いてグロー放電を行い、プラズマを発生させる。膜形成室内に、Ｐ膜ＰＬ、Ｉ膜ＩＬ、Ｎ膜ＮＬのいずれかの原料である原料ガスを封入する。封入された原料ガスは分解され、中間生成物１３ａ〜１５ａ上に蒸着する。この蒸着の結果、膜ＰＬ、ＩＬ、ＮＬが形成される。複数のアモルファス型太陽電池１０ａを形成するときには、上記の（１）、（２）の手順が連続して繰り返し行われる。
【０００５】
（１）においては、形成される膜ＰＬ、ＩＬ、ＮＬを支持する支持板上に載せられる中間生成物１３ａ〜１５ａ（いずれも、底部にガラス基板１１ａが備えられている）の温度は、通常、設定温度と比較して低い。従って、支持板上に中間生成物１３ａ〜１５ａが設置されることで、設定温度（２００〜２５０℃）に保たれていた支持板の温度は下降する。（２）においては、グロー放電が行われることで、（１）において下降した支持板の温度は、再び設定温度の前後にまで上昇する。また、（２）においては、膜ＰＬ、ＩＬ、ＮＬの形成の際、支持板の温度が時間的（膜形成の回数に対応する）に、又は局所的に異なると、最終的に形成されるアモルファス型太陽電池１０ａの品質（光電効率）に影響を与えることがある。これは、プラズマによって分解された原料ガスが支持板上で膜ＰＬ、ＩＬ、ＮＬを形成する速度が、支持板の温度によって異なるためである。そのため、カートリッジヒータによって加熱される支持板の温度を熱電対等の温度センサを用いて計測し、計測された温度（以下、「支持板温度計測値」と記す）と、支持板の温度に対する上記の設定温度とに基づいて、カートリッジヒータによる加熱の程度を制御する処理が行われている。この制御は、一般的に、支持板温度計測値と設定温度とを用いた、ＰＩＤ演算（他の演算形態であっても構わない。以下同）によって行われることが多い。
【０００６】
上記の膜形成室を用いて膜形成を繰り返し行うときにおいても、設定温度で膜形成を行うように制御することを可能とする、太陽電池膜形成装置が望まれる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、膜形成室内において太陽電池膜の形成を繰り返し行うときに、常に予め設定された支持板温度（上記の設定温度）で膜形成を行うように制御することを可能とする、太陽電池膜形成装置を提供することにある。
【０００８】
本発明の他の目的は、上記の太陽電池膜形成装置を用いた太陽電池膜形成方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
以下に、［発明の実施の形態］で使用される番号・符号を括弧付で用いて、課題を解決するための手段を説明する。これらの符号は、［特許請求の範囲］の記載と［発明の実施の形態］の記載との対応を明らかにするために付加されたものであり、［特許請求の範囲］に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。
【００１０】
本発明の太陽電池膜形成装置（２００）は、太陽電池膜（ＰＬ〜ＮＬ）の基板（１３ａ〜１５ａ）上への形成を繰り返し行うための膜形成室（１２）を具備している。前記膜形成室（１２）には、前記基板（１３ａ〜１５ａ）が支持される支持板（１８）と、前記支持板（１８）を加熱するヒータ（１６−ｉ）とが設置される。また、本発明の太陽電池膜形成装置（２００）は、前記支持板（１８）の温度である支持板温度（２６−ｉ）を検出する支持板温度検出部（▲１▼〜▲３▼）と、前記支持板温度（２６−ｉ）が第１設定支持板温度（ＳＴ１）となるように、前記支持板温度検出部（▲１▼〜▲３▼）が検出した支持板温度（２６−ｉ）と、前記太陽電池膜（ＰＬ〜ＮＬ）を前記膜形成室（１２）で繰り返し形成するときの前記支持板温度（２６−ｉ）の変動幅に基づいて決定された第２設定支持板温度（ＳＴ２）とに基づいて、前記支持板温度（２６−ｉ）を調節する支持板温度調節部（１０Ｂ）とを具備する。
【００１１】
本発明の太陽電池膜形成装置（２００）において、前記太陽電池膜（ＰＬ〜ＮＬ）が前記膜形成室（１２）で形成されるときには、前記膜形成室（１２）において放電が行われる。前記支持板温度（２６−ｉ）は、前記支持板（１８）上に前記基板（１３ａ〜１５ａ）が設置されることにより降下する。前記降下した支持板温度（２６−ｉ）は、前記放電と、前記支持板温度調節部（１０Ｂ）による前記ヒータ（１６−ｉ）の加熱の制御とによって上昇する。前記変動幅は、前記降下した支持板温度（２６−ｉ）と前記上昇した支持板温度（２６−ｉ）との温度差を示す。前記第２設定支持板温度（ＳＴ２）は、前記第１設定支持板温度（ＳＴ１）から前記温度差に基づいて決定された設定値（ＳＴＡ）を減算することで算出される。前記支持板温度調節部（１０Ｂ）は、前記算出された第２設定支持板温度（ＳＴ２）と、前記支持板温度検出部（▲１▼〜▲３▼）が検出した支持板温度（２６−ｉ）とに基づいて前記支持板温度（２６−ｉ）を調節する。
【００１２】
本発明の太陽電池膜形成装置（２００）において、前記設定値（ＳＴＡ）は、前記チャンバー（１２）で前記太陽電池膜（ＰＬ〜ＮＬ）が繰り返し形成されるときにおける、前記上昇した支持板温度（２６−ｉ）と前記降下した支持板温度（２６−ｉ）の各々の変動と前記温度差とに基づいて決定される。
【００１３】
前記支持板温度調節部（１０Ｂ）は、前記第１設定支持板温度（ＳＴ１）から前記決定された設定値（ＳＴＡ）を減算することで算出された前記第２設定支持板温度（ＳＴ２）と、前記支持板温度検出部（▲１▼〜▲３▼）が検出した支持板温度（２６−ｉ）とに基づいて前記支持板温度（２６−ｉ）を調節する。
【００１４】
本発明の太陽電池膜形成装置（３００）は、太陽電池膜（ＰＬ〜ＮＬ）の基板（１３ａ〜１５ａ）上への形成を繰り返し行うための膜形成室（１２）を具備している。前記膜形成室（１２）には、前記基板（１３ａ〜１５ａ）が支持される支持板（１８）と、前記支持板（１８）を加熱するヒータ（１６−ｉ）とが設置される。本発明の太陽電池膜形成装置（３００）は、前記支持板（１８）の温度である支持板温度（２６−ｉ）を検出する支持板温度検出部（▲１▼〜▲３▼）を具備する。更に、本発明の太陽電池膜形成装置（３００）は、前記支持板温度（２６−ｉ）が設定支持板温度（ＳＴ１）となるように、前記支持板温度検出部（▲１▼〜▲３▼）が検出した支持板温度（２６−ｉ）を、前記太陽電池膜（ＰＬ〜ＮＬ）を前記膜形成室（１２）で繰り返し形成するときの前記支持板温度（２６−ｉ）の変動幅に基づいて変換し、前記変換された支持板温度（（２６−ｉ）´）と前記設定支持板温度（ＳＴ１）とに基づいて前記支持板温度（２６−ｉ）を調節する支持板温度調節部（１０Ｃ）を具備する。
【００１５】
本発明の太陽電池膜形成装置（３００）において、前記太陽電池膜（ＰＬ〜ＮＬ）が前記膜形成室（１２）で形成されるときには、前記膜形成室（１２）において放電が行われる。前記支持板温度（２６−ｉ）は前記支持板（１８）上に前記基板（１３ａ〜１５ａ）が設置されることにより降下し、前記降下した支持板温度（２６−ｉ）は前記放電と、前記支持板温度調節部（１０Ｃ）による前記ヒータ（１６−ｉ）の加熱の制御とによって上昇する。前記変動幅は、前記降下した支持板温度（２６−ｉ）と前記上昇した支持板温度（２６−ｉ）との温度差を示す。前記支持板温度調節部（１０Ｃ）が変換した支持板温度（（２６−ｉ）´）は、前記支持板温度検出部（▲１▼〜▲３▼）が検出した支持板温度（２６−ｉ）に、前記温度差に基づいて決定された設定値（ＳＴＢ）を加算することで算出される。前記支持板温度調節部（１０Ｃ）は、前記設定支持板温度（ＳＴ１）と前記算出された支持板温度（（２６−ｉ）´）とに基づいて前記支持板温度（２６−ｉ）を調節する。
【００１６】
本発明の太陽電池膜形成装置（３００）において、前記設定値（ＳＴＢ）は、前記膜形成室（１２）で前記太陽電池膜（ＰＬ〜ＮＬ）が繰り返し形成されるときにおける、前記上昇した支持板温度（２６−ｉ）と前記降下した支持板温度（２６−ｉ）の各々の変動と前記温度差とに基づいて決定される。前記支持板温度調節部（１０Ｃ）は、前記支持板温度検出部（▲１▼〜▲３▼）が検出した支持板温度（２６−ｉ）に、前記決定された設定値（ＳＴＢ）を加算することで算出された支持板温度（（２６−ｉ）´）と前記設定支持板温度（ＳＴ１）とに基づいて前記支持板温度（２６−ｉ）を調節する。
【００１７】
本発明の太陽電池膜形成装置（１００）は、太陽電池膜（ＰＬ〜ＮＬ）の基板（１３ａ〜１５ａ）上への形成を繰り返し行うための膜形成室（１２）と、前記膜形成室（１２）には、前記基板（１３ａ〜１５ａ）が支持される支持板（１８）と、前記支持板（１８）を加熱するヒータ（１６−ｉ）とが設置される。また、本発明の太陽電池膜形成装置（１００）は、前記支持板（１８）の温度である支持板温度（２６−ｉ）を検出する支持板温度検出部（▲１▼〜▲３▼）と、前記支持板（１８）上に前記太陽電池膜（ＰＬ〜ＮＬ）が設定支持板温度（ＳＴ１）で形成されるように、前記支持板温度検出部（▲１▼〜▲３▼）が検出した支持板温度（２６−ｉ）と前記設定支持板温度（ＳＴ１）とに基づいて前記支持板温度（２６−ｉ）を調節する支持板温度調節部（１０Ａ）とを具備する。
【００１８】
本発明の太陽電池膜形成装置（１００）において、前記太陽電池膜（ＰＬ〜ＮＬ）が前記膜形成室（１２）で形成されるときには、前記膜形成室（１２）において放電が行われる。前記支持板温度（２６−ｉ）は前記支持板（１８）上に前記基板（１３ａ〜１５ａ）が設置されることにより降下し、前記降下した支持板温度（２６−ｉ）は前記放電と、前記支持板温度調節部（１０Ａ）による前記ヒータ（１６−ｉ）の加熱の制御とによって上昇する。前記支持板温度調節部（１０Ａ）は、前記設定支持板温度（ＳＴ１）、前記上昇した支持板温度（２６−ｉ）、前記降下した支持板温度（２６−ｉ）の各々に基づいて前記支持板温度（２６−ｉ）を調節する。
【００１９】
本発明の太陽電池膜形成方法は、太陽電池膜（ＰＬ〜ＮＬ）の基板（１３ａ〜１５ａ）上への形成を繰り返し行うための膜形成室（１２）、支持板温度検出部（▲１▼〜▲３▼）、支持板温度調節部（１０Ｂ）の各々を具備する太陽電池膜形成装置（２００）により実行される。前記膜形成室（１２）には、前記基板（１３ａ〜１５ａ）が支持される支持板（１８）と、前記支持板（１８）を加熱するヒータ（１６−ｉ）とが設置される。また、本発明の太陽電池膜形成方法は、前記支持板温度検出部（▲１▼〜▲３▼）が、前記支持板（１８）の温度である支持板温度（２６−ｉ）を検出するステップ（Ｓ２ｂ）を具備する。更に、本発明の太陽電池膜形成方法は、前記支持板温度調節部（１０Ｃ）が、前記支持板温度（２６−ｉ）が第１設定支持板温度（ＳＴ１）となるように、前記支持板温度検出部（▲１▼〜▲３▼）が検出した支持板温度（２６−ｉ）と、前記太陽電池膜（ＰＬ〜ＮＬ）を前記膜形成室（１２）で繰り返し形成するときの前記支持板温度（２６−ｉ）の変動幅に基づいて決定された第２設定支持板温度（ＳＴ２）とに基づいて、前記支持板温度（２６−ｉ）を調節するステップ（Ｓ３ｂ、Ｓ４ｂ、Ｓ５ｂｂ）を具備する。
【００２０】
本発明の太陽電池膜形成方法は、太陽電池膜（ＰＬ〜ＮＬ）の基板（１３ａ〜１５ａ）上への形成を繰り返し行うための膜形成室（１２）、支持板温度検出部（▲１▼〜▲３▼）、及び支持板温度調節部（１０Ｃ）の各々を具備する太陽電池膜形成装置（３００）により実行される。前記膜形成室（１２）には、前記基板（１３ａ〜１５ａ）が支持される支持板（１８）と、前記支持板（１８）を加熱するヒータ（１６−ｉ）とが設置される。また、本発明の太陽電池膜形成方法は、前記支持板温度検出部（▲１▼〜▲３▼）が、前記支持板（１８）の温度である支持板温度（１６−ｉ）を検出するステップ（Ｓ２ｃ）と、前記支持板温度調節部（１０Ｃ）が、前記支持板温度（１６−ｉ）が設定支持板温度（ＳＴ１）となるように、前記支持板温度検出部（▲１▼〜▲３▼）が検出した支持板温度（２６−ｉ）を、前記支持板温度検出部（▲１▼〜▲３▼）が検出した支持板温度（２６−ｉ）と、前記太陽電池膜（ＰＬ〜ＮＬ）を前記膜形成室（１２）で繰り返し形成するときの前記支持板温度（２６−ｉ）の変動幅とに基づいて変換し、前記変換された支持板温度（（２６−ｉ）´）と前記設定支持板温度（ＳＴ１）とに基づいて前記支持板温度（２６−ｉ）を調節するステップ（Ｓ３ｃ、Ｓ４ｃ、Ｓ５ｃ、Ｓ６ｃ）とを具備する。
【００２１】
【発明の実施の形態】
添付図面を参照して、本発明の太陽電池膜形成装置、及び太陽電池膜形成方法に係る実施の形態１〜５について説明する。
【００２２】
（実施の形態１）
図１に、本発明の実施の形態１に係る太陽電池膜形成装置１００の構成を示す。太陽電池膜形成装置１００は、膜形成室１２、膜形成室１２に隣接して設置される第１室１１、第２室１３の各々を備えるチャンバー１０Ａ´、及び膜形成室１２と接続される制御装置１０Ａを具備している。第１室１１にはガスボンベ１４−１、膜形成室１２にはガスボンベ１４−２、１４−３、１４−４、第２室１３にはガスボンベ１４−５が接続されている。ガスボンベ１４−ｈ（ｈ＝１，２，３，４，５）には各々、栓１５−ｈ（ｈ＝１，２，３，４，５）が備えられている。膜形成室１２は、内部にカートリッジヒータ１６−ｉ（ｉ＝１，２，３）、水冷式反射板１７、ヒータカバー１８、電極１９、防着板１９Ａ、ガス流入口２０−ｊ（ｊ＝１，２）、弁２１−２の各々を具備している。また、第１室１１には弁２１−１、第２室１３には弁２１−３の各々が備えられている。ヒータカバー１８は、中間生成物１３ａ〜１５ａのいずれかを支持し、また、複数の熱電対▲１▼，▲２▼，▲３▼（以下、「熱電対▲１▼〜▲３▼」と記す）が備えられる。制御装置１０Ａは、出力装置２２、減算器２３、表示部２４、ＰＩＤ演算器２５、サイクリスタ２５Ａの各々を具備している。
【００２３】
図１においては、チャンバー１０Ａ´は、第１室１１と第２室１３に加えて、１室の膜形成室１２を具備するように示されている。しかしながら、実際には、図１の右端から第１室１１、隔離板１１Ａ、Ｐ膜ＰＬを形成するための膜形成室１２、隔離板、Ｉ膜ＩＬを形成するための膜形成室１２、隔離板、Ｎ膜ＮＬを形成するための膜形成室１２、隔離板１２Ａ、第２室１３が順に設置される構成になっている。即ち、第１室１１は、隔離板１１Ａを介してＰ膜ＰＬを形成するための膜形成室１２と接しており、第２室１３は、隔離板１２Ａを介してＮ膜ＮＬを形成するための膜形成室１２と接している。従って、各々の膜形成室１２を用いて、（ａ）Ｐ膜ＰＬの形成、（ｂ）Ｉ膜ＩＬの形成、（ｃ）Ｎ膜ＮＬの形成を連続して繰り返し行う（即ち、複数のアモルファス型太陽電池１０ａを連続して形成する）ことが可能となっている。
【００２４】
以下の説明においては、Ｐ膜ＰＬを形成するための膜形成室１２を主に例に挙げて説明を行うが、特に断りの無い限り、Ｉ膜ＩＬを形成するための膜形成室１２、Ｎ膜ＮＬを形成するための膜形成室１２のいずれにおいても同様である。Ｉ膜ＩＬを形成するための膜形成室１２においては、以下の説明において、「Ｐ膜ＰＬ」は「Ｉ膜ＩＬ」、「原料ガス２６Ｐ」は「原料ガス２６Ｉ」、「中間生成物１３ａ」は「中間生成物１４ａ」にそれぞれ読み替えられる。一方、Ｎ膜ＮＬを形成するための膜形成室１２においては、以下の説明において、「Ｐ膜ＰＬ」は「Ｎ膜ＮＬ」、「原料ガス２６Ｐ」は「原料ガス２６Ｎ」、「中間生成物１３ａ」は「中間生成物１５ａ」にそれぞれ読み替えられる。
【００２５】
ガスボンベ１４−２、１４−３、１４−４には、Ｐ膜ＰＬ、Ｉ膜ＩＬ、Ｎ膜ＮＬの原料となる複数種類のガスのいずれかが充填されており、これらのガスが所定の割合で混合される（各々の栓１５−２、１５−３、１５−４の開度が所定開度に調節される）ことで原料ガス２６Ｐ（Ｉ膜ＩＬの原料となる原料ガス２６Ｉ、Ｎ膜ＮＬの原料となる原料ガス２６Ｎでも同様）が生成される。生成された原料ガス２６Ｐは、ガス流入口２０−ｊを通過し、その結果、膜形成室１２の内部（但し、ヒータカバー１４上の中間生成物１３ａから上方の領域。以下、「第１所定領域」と記す）は均一な濃度の原料ガス２６Ｐで充填される。ガスボンベ１４−１、１４−５には、空気（又は酸素ガス等）ＡＩＲが充填されている。ガスボンベ１４−１（又は１４−５）に充填される空気ＡＩＲは、膜形成室１２における膜形成が全て終了した後に、栓１５−１（又は１５−５）を所定の開度で開けることで、第１室１１（又は第２室１３）の内部に充填される。その後、第２室１３から、形成されたアモルファス型太陽電池１０ａが取り出される。
【００２６】
カートリッジヒータ１６−ｉは各々、筒型の放熱口（丸型の斜線部分）を有しており、制御装置１０Ａからの制御電流ΔＩ１−ｉ（ｉ＝１，２，３）に応答してヒータカバー１８を加熱する（又は、加熱の程度を調節する）ことで、ヒータカバー１８の表面の全体が設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１になるように制御する。複数のカートリッジヒータ１６−ｉが設置されていることから、ヒータカバー１８表面上の複数の箇所（熱電対▲１▼〜▲３▼の設置される箇所に対応）におけるヒータカバー表面温度２６−ｉ（ｉ＝１，２，３）の違いに基づいた、ヒータカバー表面温度２６−ｉの制御が可能となっている。水冷式反射板１７は、膜形成室１２の底部の壁とカートリッジヒータ１６−ｉとの隙間に設けられており、内部又は周辺部を流通する冷却水によって、各々のカートリッジヒータ１６−ｉから放出される熱を吸収することで、冷却を行う。
【００２７】
ヒータカバー１８は、中間生成物１３ａを支持しており、この支持される中間生成物１３ａ上に、原料ガス２６Ｐが分解されて生成した、電子とイオンとを含む電離種（又は、分子ラジカル種）が蒸着することで、Ｐ膜ＰＬ（Ｉ膜ＩＬ、Ｎ膜ＮＬのときでも同様）が形成される。
【００２８】
熱電対▲１▼〜▲３▼は、ヒータカバー１８の表面上の複数の箇所に設けられており、各々の箇所におけるヒータカバー表面温度２６−ｉ（ｉ＝１，２，３）、及びその変動を検出する。熱電対▲１▼は、カートリッジヒータ２６−１による加熱の程度（カートリッジヒータ１６−１へ流す制御電流ΔＩ１−１によって調節される）に基づいたヒータカバー温度２６−１、及びその変動を検出する。熱電対▲２▼は、カートリッジヒータ２６−２による加熱の程度（カートリッジヒータ１６−２へ流す制御電流ΔＩ１−２によって調節される）に基づいたヒータカバー温度２６−２、及びその変動を検出する。熱電対▲３▼は、カートリッジヒータ２６−３による加熱の程度（カートリッジヒータ１６−３へ流す制御電流ΔＩ１−３によって調節される）に基づいたヒータカバー温度２６−３、及びその変動を検出する。
【００２９】
また、熱電対▲１▼〜▲３▼の各々は、検出されたヒータカバー表面温度２６−ｉを示す情報（以下、単に「ヒータカバー表面温度２６−ｉ」と記す）を制御装置１０Ａに出力する。このとき、各々の熱電対▲１▼〜▲３▼を示す情報（以下、「熱電対指示情報２６−ｋ（ｋ＝▲１▼，▲２▼，▲３▼）」と記す）も共に制御装置１０Ａに出力される。熱電対▲１▼は、検出されたヒータカバー表面温度２６−１と共に、その番号を示す熱電対指示情報２６−▲１▼を制御装置１０Ａに出力する。熱電対▲２▼は、検出されたヒータカバー表面温度２６−２と共に、その番号を示す熱電対指示情報２６−▲２▼を制御装置１０Ａに出力する。熱電対▲３▼は、検出されたヒータカバー表面温度２６−３と共に、その番号を示す熱電対指示情報２６−▲３▼を制御装置１０Ａに出力する。ヒータカバー表面温度２６−ｉと共に、その番号を示す熱電対指示情報２６−ｋが出力されることで、制御装置１０Ａにおいては、後述する電流制御対象カートリッジヒータ表示テーブルを参照して、どのカートリッジヒータ１６−ｉに対する制御電流ΔＩ１−ｉを調節すればよいかを判断することが可能となる。
【００３０】
電極１９は、電圧を印加され、膜形成室１２内においてグロー放電を発生する。このグロー放電によって、膜形成室１２内に注入された原料ガス２６Ｐは、電子とイオン（又は、分子ラジカル種同士）に電離して、最終的にヒータカバー１８上の中間生成物１３ａ上に蒸着する。防着板１９Ａは、分解された原料（以下、「分解原料」と記す）が膜形成室１２の内壁に付着するのを可能な限り防止している。この防着板１９Ａを設置することで、膜形成室１２の内壁へ分解原料が付着することによる、膜形成室１２の腐食を可能な限り防止することが可能となる。
【００３１】
弁２１−１からは、３室の膜形成室１２における膜形成が行われる前（このとき、第１室１１内には中間生成物１３ａが入れられており、また、各々の膜形成室１２は高真空状態となっている）に、第１室１１内の空気が放出され、その結果、第１室１１内は高真空状態になるように制御される。３室の膜形成室１２とは、Ｐ膜ＰＬを形成するための膜形成室１２、Ｉ膜ＩＬを形成するための膜形成室１２、Ｎ膜ＮＬを形成するための膜形成室１２の各々を含んでいる。
【００３２】
弁２１−２からは、膜形成室１２における膜形成が行われる前に、膜形成室１２内の空気が放出され、その結果、膜形成室１２内は高真空状態になるように制御される（この制御は、３室の膜形成室１２の各々に対して行われる）。その後、隔離板１１Ａが開けられ、中間生成物１３ａに対する、第１室１１からＰ膜ＰＬを形成するための膜形成室１２への移動が行われる。中間生成物１４ａの生成後、中間生成物１４ａに対する、Ｐ膜ＰＬを形成するための膜形成室１２からＩ膜ＩＬを形成するための膜形成室１２への移動が行われる。中間生成物１５ａの生成後、中間生成物１５ａに対する、Ｉ膜ＩＬを形成するための膜形成室１２からＮ膜ＮＬを形成するための膜形成室１２への移動が行われる。
【００３３】
弁２１−３からは、膜形成室１２における膜形成が行われる前に、第２室１３内の空気が放出され、その結果、第２室１３内は高真空状態になるように制御される。これにより、Ｎ膜ＮＬを形成するための膜形成室１２への空気ＡＩＲの混入を可能な限り防止することが可能となる。膜形成室１２における膜形成が終了した後、隔離板１２Ａが開けられ、アモルファス型太陽電池１０ａに対する、Ｎ膜ＮＬを形成するための膜形成室１２から第２室１３への移動が行われる。
【００３４】
出力装置２２は、ヒータカバー表面温度２６−ｉに対して設定された設定ヒータカバー表面温度（ヒータカバー表面温度２６−ｉの各々は、同一の温度になるように設定される）ＳＴ１を、太陽電池膜形成装置１００の操作者（以下、「操作者」と記す）の操作に基づいて、予め減算器２３に出力する。出力装置２２は、表示部２４に接続されており、表示部２４は、図２に示す表示画面ＳＣ１を表示する。表示画面ＳＣ１は、演算データ１Ｄ、Ｐ膜演算データ表示要求ボタン１Ｂ、Ｉ膜演算データ表示要求ボタン２Ｂ、Ｎ膜演算データ表示要求ボタン３Ｂ、設定ボタン４Ｂの各々を示している。演算データ１Ｄは、Ｐ膜演算データ、Ｉ膜演算データ、Ｎ膜演算データのいずれかである（図２の例では、Ｐ膜演算データが表示されている。Ｐ膜演算データ、Ｉ膜演算データ、Ｎ膜演算データの各々は、予め操作者によって出力装置２２に入力され、出力装置２２によって記憶される）。
【００３５】
演算データ１Ｄは、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１（ＳＴ１ａ、ＳＴ１ｂ、ＳＴ１ｃ、ＳＴ１ｄ）、比例ゲイン：Ｋ_ｐ（Ｋ_ｐ１、Ｋ_ｐ２、Ｋ_ｐ３、Ｋ_ｐ４）、比例帯：ｐ（ｐ_１、ｐ_２、ｐ_３、ｐ_４）、積分時間：Ｔ_Ｉ（Ｔ_Ｉ１、Ｔ_Ｉ２、Ｔ_Ｉ３、Ｔ_Ｉ４）、微分時間：Ｔ_Ｄ（Ｔ_Ｄ１、Ｔ_Ｄ２、Ｔ_Ｄ３、Ｔ_Ｄ４）の各々を対応付けて示している。比例ゲイン：Ｋ_ｐ、比例帯：ｐ、積分時間：Ｔ_Ｉ、微分時間：Ｔ_Ｄは、ＰＩＤ演算器２５がＰＩＤ演算を行うときに用いられる（組み合わせは、（１）〜（４）のいずれかである）。但し、実際のＰＩＤ演算は、比例ゲイン：Ｋ_ｐと比例帯：ｐのいずれか一方を用いて行われる（比例ゲイン：Ｋ_ｐを用いたときには制御電流ΔＩ１−ｉが算出され、比例帯：ｐを用いたときにはカートリッジヒータ操作量（後述）が算出される）。
【００３６】
表示画面ＳＣ１からは、タッチパネル式の操作が可能であり、操作者は、図２に示される演算データ１Ｄのうち、（１）〜（４）のいずれかをタッチ操作によって指定する。（１）〜（４）のいずれかが指定された上で設定ボタン４Ｂがタッチ操作されると、操作者によって指定された設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１は出力装置２２から減算器２３に出力され、比例ゲイン：Ｋ_ｐ、比例帯：ｐ_１、積分時間：Ｔ_Ｉ、微分時間：Ｔ_Ｄの各々は、出力装置２２からＰＩＤ演算器２５に出力される。例えば、（１）が指定されたときには、Ｐ膜演算データについて、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１ａが減算器２３に出力され、比例ゲイン：Ｋ_ｐ、比例帯：ｐ_１、積分時間：Ｔ_Ｉ１、微分時間：Ｔ_Ｄ１の各々がＰＩＤ演算器２５に出力される。
【００３７】
図２における演算データ１Ｄ（Ｐ膜演算データ）は、Ｐ膜ＰＬが形成されるときの演算処理に用いられる、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１、比例ゲイン：Ｋ_ｐ、比例帯：ｐ、積分時間：Ｔ_Ｉ、微分時間：Ｔ_Ｄの各々を示している。しかしながら、Ｉ膜ＩＬが形成されるときの演算処理に用いられる、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１、比例ゲイン：Ｋ_ｐ、比例帯：ｐ、積分時間：Ｔ_Ｉ、微分時間：Ｔ_Ｄの各々（値はＰ膜演算データのものと異なる）を示した演算データ１Ｄ（Ｉ膜演算データ）についても、図２と同様の形式で表示画面ＳＣ１に示される。また、Ｎ膜ＮＬが形成されるときの演算処理に用いられる、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１、比例ゲイン：Ｋ_ｐ、比例帯：ｐ、積分時間：Ｔ_Ｉ、微分時間：Ｔ_Ｄの各々（値はＰ膜演算データのものと異なる）を示した演算データ１Ｄ（Ｎ膜演算データ）についても、図２と同様の形式で表示画面ＳＣ１に示される。図２の状態からＩ膜演算データ表示要求ボタン２Ｂが操作されると、Ｐ膜演算データはＩ膜演算データに切り替わり、Ｎ膜演算データ表示要求ボタン３Ｂが操作されると、Ｐ膜演算データはＮ膜演算データに切り替わる。Ｉ膜演算データ、Ｎ膜演算データの各々に対しても、Ｐ膜演算データのときと同様の形態で設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１、比例ゲイン：Ｋ_ｐ、比例帯：ｐ、積分時間：Ｔ_Ｉ、微分時間：Ｔ_Ｄの各々が指定され、ＰＩＤ演算器２５、又は減算器２３に出力される。
【００３８】
減算器２３は、出力装置２２から入力した設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１を記憶する。また、減算器２３は、熱電対▲１▼〜▲３▼から熱電対指示情報２６−ｋとヒータカバー表面温度２６−ｉとを入力したときに、記憶される設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１と、入力したヒータカバー表面温度２６−ｉとの差Δ１を算出する。更に、減算器２３は、算出された差Δ１と熱電対指示情報２６−ｋとをＰＩＤ演算器２５に出力する。
【００３９】
ＰＩＤ演算器２５は、減算器２３から熱電対指示情報２６−ｋと差Δ１とを入力し、出力装置２２から比例ゲイン：Ｋ_ｐ、比例帯：ｐ、積分時間：Ｔ_Ｉ、微分時間：Ｔ_Ｄの各々を入力する。ＰＩＤ演算器２５は、入力した比例ゲイン：Ｋ_ｐ、積分時間：Ｔ_Ｉ、微分時間：Ｔ_Ｄ、ヒータカバー表面温度２６−ｉ、差Δ１を所定のＰＩＤ演算式に代入することで、ＰＩＤ演算を行う。このＰＩＤ演算の結果、ヒータカバー表面温度２６−ｉの各々を設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１にする（このとき、中間生成物１４ａ、１５ａ、アモルファス型太陽電池１０ａがヒータカバー１８上において、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１で形成される）ための、各々のカートリッジヒータ１６−ｉに対する制御電流ΔＩ１−ｉが算出される。制御電流ΔＩ１−ｉは、ＰＩＤ演算器２１からカートリッジヒータ１６−ｉに流す電流の増加分（ヒータカバー表面温度２６−ｉは上昇）、又は減少分（ヒータカバー表面温度２６−ｉは降下）を示している。即ち、制御電流ΔＩ１−ｉは、ヒータカバー表面温度２６−ｉの各々を設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１とするように制御するための値である。
【００４０】
ＰＩＤ演算器２５は、図３に示す電流制御対象カートリッジヒータ表示テーブル１Ｔを記憶している。電流制御対象カートリッジヒータ表示テーブル１Ｔには、熱電対指示情報２６−ｋに示される熱電対▲１▼〜▲３▼と、制御電流ΔＩ１−ｉに基づいた制御の対象となるカートリッジヒ−タ１６−ｉとが対応付けて示されている。ＰＩＤ演算器２１は、熱電対指示情報２６−ｋと電流制御対象カートリッジヒータ表示テーブル１Ｔとを参照して、いずれかのカートリッジヒ−タ１６−ｉに対して、上記の形態で算出された制御電流ΔＩ１−ｉによる制御（流す電流を制御電流ΔＩ１−ｉの分だけ増加、又は減少）を行う。これにより、熱電対▲１▼〜▲３▼によって検出されるヒータカバー温度２６−ｉが、設定ヒータカバー温度ＳＴ１になるように制御することが可能となる。サイクリスタ２５Ａは、ＰＩＤ演算器２５から出力された制御電流ΔＩ１−ｉを、カートリッジヒータ１６−ｉが使用可能な形態に変化させて出力する。
【００４１】
ＰＩＤ演算器２５は、図４に示す外乱表示データ２Ｄ、数値表示データ２Ｄ´を生成して出力装置２２を介し、表示部２４に出力する（表示部２４は、外乱表示データ２Ｄを図４の表示画面ＳＣ２によって表示する）。外乱表示データ２Ｄは、膜形成室１２において膜形成を行わずに、外乱（後述）によるヒータカバー表面温度２６−ｉの変動を測定したときのデータである。また、ＰＩＤ演算器２５は、図５に示すヒータカバー表面温度・カートリッジヒータ操作量表示データ３Ｄ、数値表示データ３Ｄ´の各々を生成して出力装置２２を介し、表示部２４に出力する（表示部２４は、これらのデータを図５の表示画面ＳＣ３によって表示する）。表示画面ＳＣ２には、表示画面ＳＣ３表示要求ボタン１Ｂ´が表示されており、操作者はこの表示画面ＳＣ３表示要求ボタン１Ｂ´を操作することで、表示画面ＳＣ２を表示画面ＳＣ３に切り替えることが可能である。表示画面ＳＣ３には、表示画面ＳＣ２表示要求ボタン２Ｂ´が表示されており、操作者はこの表示画面ＳＣ２表示要求ボタン２Ｂ´を操作することで、表示画面ＳＣ３を表示画面ＳＣ２に切り替えることが可能である。
【００４２】
外乱表示データ２Ｄには、第１曲線１Ｃが示されている。第１曲線１Ｃは、膜形成室１２においてＰ膜ＰＬ、Ｉ膜ＩＬ、Ｎ膜ＮＬのいずれかが形成されるときの、外乱が原因となる、時間ｔの経過によるヒータカバー表面温度２６−ｉを示している。外乱とは、ヒータカバー表面温度２６−ｉを設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１（図５の例では２３０℃）から乱す要因となる現象のことである。具体的には、ヒータカバー表面温度２６−ｉが設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１に保たれているヒータカバー１８上に、その設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１と比較して表面温度の低い中間生成物１３ａが設置されたときに、ヒータカバー表面温度２６−ｉは設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１から降下する。図４の例では、この温度降下は時間ｔ_１の範囲内で起こっており、１０℃の温度降下が見られる。その後、膜形成室１２内でグロー放電が行われることで、降下した温度は設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１にまで再び上昇する。図４の例では、この温度上昇は時間ｔ_２の範囲内で起こっており、１０℃の温度上昇が見られる。ヒータカバー表面温度２６−ｉが設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１にまで再び上昇すると、暫くの間（図４の例では時間ｔ_３の間）、ヒータカバー表面温度２６−ｉはほぼ設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１で安定する。図４においては、外乱による、ヒータカバー表面温度２６−ｉの温度上昇の期間（ｔ_２）、温度降下の期間（ｔ_１）、及び温度一定の期間（ｔ_３）とを含む（膜形成）サイクルＣＣが時間０〜ｔ_４の間に１１回繰り返されており、この回数は、時間０〜ｔ_４の間に膜形成室１２において膜形成の行われた回数に対応する。数値表示データ２Ｄ´は、各々の点（１）´〜（１２）´におけるヒータカバー表面温度２６−ｉを示している。
【００４３】
上記の例では外乱による温度降下を、中間生成物１３ａの表面温度が設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１より低いことに起因するものとしている。これは、Ｐ膜ＰＬを形成するための膜形成室１２、及び第１室１１を高真空状態とした上で隔離板１１Ａを開放して、中間生成物１３ａを第１室１１からＰ膜ＰＬを形成するための膜形成室１２へ移動させることから、第１室１１からＰ膜ＰＬを形成するための膜形成室１２へのガス流入に伴うヒータカバー温度２６−ｉへの影響を考慮する必要は無いためである。同様にして、Ｐ膜ＰＬを形成するための膜形成室１２からＩ膜ＩＬを形成するための膜形成室１２への中間生成物１４ａの移動、及びＩ膜ＩＬを形成するための膜形成室１２からＮ膜ＮＬを形成するための膜形成室１２への中間生成物１５ａの移動のいずれも、互いの室を高真空状態にした上で行われるため、一方の室から他方の室へのガス流入に伴うヒータカバー表面温度２６−ｉへの影響を考慮する必要は無い。
【００４４】
ヒータカバー表面温度・カートリッジヒータ操作量表示データ３Ｄは第２曲線２Ｃと第３曲線３Ｃの各々を示している。第２曲線２Ｃは、第１曲線１Ｃに対応しており、膜形成室１２においてＰ膜ＰＬ、Ｉ膜ＩＬ、Ｎ膜ＮＬのいずれかが形成されるときの、時間ｔの経過によるヒータカバー表面温度２６−ｉの変動を示している（例えばサイクルＣＣは、サイクルＣＣ´に対応する）。第２曲線２Ｃに示されるヒータカバー表面温度２６−ｉの変動は、上記の外乱によるヒータカバー表面温度２６−ｉの変化と、ＰＩＤ演算器２５によって出力された制御電流ΔＩ１−ｉに基づいてカートリッジヒータ１６−ｉがヒータカバー１８を加熱したことによる、ヒータカバー表面温度２６−ｉの変化（上昇）とが合成されたものである。（１）は（１）´、（２）は（２）´、（３）は（３）´、（４）は（４）´、（５）は（５）´、（６）は（６）´、（７）は（７）´、（８）は（８）´、（９）は（９）´、（１０）は（１０）´、（１１）は（１１）´、（１２）は（１２）´にそれぞれ対応する。
【００４５】
例えば、（４）´→（４）におけるヒータカバー表面温度２６−ｉの上昇（２３０℃→２３１℃）は、ＰＩＤ演算器２５によって制御電流ΔＩ１−ｉの分だけカートリッジヒータ１６−ｉへ流す電流が増大され、その結果、ヒータカバー表面温度２６−ｉが１℃上昇したことを示している（他も同様）。ＰＩＤ演算器２５が、制御電流ΔＩ１−ｉの分だけカートリッジヒータ１６−ｉへ流す電流が増大するように制御するのは、時間ｔ_Ａ（１バッチであり、ｔ_Ｂ（ｔ_１＋ｔ_２）：成膜時）、ｔ_Ｃ（＝ｔ_３）：非成膜時とを含む）の間のヒータカバー表面温度２６−ｉが、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１（図４、図５では２３０℃）以下であるためである。ＰＩＤ演算器２５は、ヒータカバー表面温度２６−ｉが設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１よりも低いときには制御電流ΔＩ１−ｉだけカートリッジヒータ１６−ｉに流す電流を増大させ、ヒータカバー表面温度２６−ｉが設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１よりも高いときには制御電流ΔＩ１−ｉだけカートリッジヒータ１６−ｉに流す電流を減少させる。従って、１回のサイクルにおける制御電流ΔＩ１−ｉが±０となったとき（ΔＩａ＝ΔＩｂのときであり、時間ｔ＝ｔ_４ａの後に相当する）後に、ヒータカバー表面温度２６−ｉの温度変動は安定することになる（時間ｔ＝ｔ_４ａの後は、膜形成が行われる度に、２２５℃〜２３５℃の間の温度変動が繰り返される）。
【００４６】
第３曲線３Ｃは、第２曲線２Ｃに対応しており、膜形成室１２においてＰ膜ＰＬ、Ｉ膜ＩＬ、Ｎ膜ＮＬのいずれかが形成されるときの、時間ｔの経過によるカートリッジヒータ操作量Ｍ１−ｉ（ｉ＝１，２，３）（単位：％）の変化を示している。カートリッジヒータ操作量Ｍ１−ｉは、比例帯：ｐ、積分時間：Ｔ_Ｉ、微分時間：Ｔ_Ｄ、差Δ１の各々を用いて算出されたものであり、比例ゲイン：Ｋ_ｐ、積分時間：Ｔ_Ｉ、微分時間：Ｔ_Ｄ、差Δ１の各々を用いて算出される制御電流ΔＩ１−ｉに対応している。カートリッジヒータ操作量Ｍ１−１は制御電流ΔＩ１−１に対応する値であり、カートリッジヒータ操作量Ｍ１−２は制御電流ΔＩ１−２に対応する値であり、カートリッジヒータ操作量Ｍ１−３は制御電流ΔＩ１−３に対応する値である（比例ゲイン：Ｋ_ｐと比例帯：ｐとが対応しているため）。
【００４７】
次に、本発明の太陽電池膜形成方法に係る処理の過程について説明する。太陽電池膜形成方法に係る処理が行われる前に、（Ａａ）、（Ａｂ）に述べられる準備が行われる。
【００４８】
（Ａａ）操作者によって、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１が出力装置２２から減算器２３に出力され、比例ゲイン：Ｋ_ｐ、比例帯：ｐ、積分時間：Ｔ_Ｉ、微分時間：Ｔ_Ｄの各々が出力装置２２からＰＩＤ演算器２５に出力される。減算器２３は出力装置２２から入力した設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１を記憶し、ＰＩＤ演算器２５は出力装置２２から入力した比例ゲイン：Ｋ_ｐ、比例帯：ｐ、積分時間：Ｔ_Ｉ、微分時間：Ｔ_Ｄの各々を記憶する。（Ａｂ）第１室１１内に中間生成物１３ａが設置される。弁２１−１、２１−２、２１−３から、各々の室に残存する空気を排気することで、第１室１１内、第２室１３内の各々と、膜形成室１２の第１所定領域内を高真空状態とする。制御装置１０Ａから電流を、各々の膜形成室１２のカートリッジヒータ１６−ｉに流すことで、カートリッジヒータ１６−ｉによるヒータカバー１８の加熱を開始する（ヒータカバー表面温度２６−ｉは、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１にまで上昇する）。
【００４９】
（Ａａ）、（Ａｂ）の後に、（Ａｃ）〜（Ａｈ）の処理が順次行われると共に、図６に示されるステップＳ１ａ〜Ｓ４ａの処理が行われる。
【００５０】
（Ａｃ）〜（Ａｈ）には、（Ａｃ）第１室１１内の中間生成物１３ａの第１室１１から、Ｐ膜ＰＬを形成するための膜形成室１２のヒータカバー１８上への移動、（Ａｄ）Ｐ膜ＰＬを形成するための膜形成室１２においてのグロー放電の開始、及び原料ガス２６Ｐの供給が含まれる。また、（Ａｃ）〜（Ａｈ）には、（Ａｅ）中間生成物１４ａに対する、Ｐ膜ＰＬを形成するための膜形成室１２からＩ膜ＩＬを形成するための膜形成室１２のヒータカバー１８上への移動、（Ａｆ）Ｉ膜ＩＬを形成するための膜形成室１２においてのグロー放電の開始、及び原料ガス２６Ｉの供給が含まれる。更に、（Ａｃ）〜（Ａｈ）には、（Ａｇ）中間生成物１５ａに対する、Ｉ膜ＩＬを形成するための膜形成室１２からＮ膜ＮＬを形成するための膜形成室１２のヒータカバー１８上への移動、（Ａｈ）Ｎ膜ＮＬを形成するための膜形成室１２においてのグロー放電の開始、及び原料ガス２６Ｎの供給が含まれる。
【００５１】
熱電対▲１▼〜▲３▼は、ヒータカバー表面温度２６−ｉ（及びその変動）を検出し、検出されたヒータカバー温度２６−ｉと、熱電対指示情報２６−ｋとを制御装置１０Ａに出力する（ステップＳ１ａ）。減算器２３は、熱電対▲１▼〜▲３▼から熱電対指示情報２６−ｋとヒータカバー表面温度２６−ｉとを入力したときに、記憶される設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１と、入力したヒータカバー表面温度２６−ｉとの差Δ１を算出し、算出された差Δ１と熱電対指示情報２６−ｋとをＰＩＤ演算器２５に出力する（ステップＳ２ａ）。ＰＩＤ演算器２５は、減算器２３から入力した比例ゲイン：Ｋ_ｐ、積分時間：Ｔ_Ｉ、微分時間：Ｔ_Ｄ、ヒータカバー表面温度２４−ｉ、差Δ１を所定のＰＩＤ演算式に代入することでＰＩＤ演算を行い、制御電流ΔＩ１−ｉを算出する。ＰＩＤ演算器２５は、減算器２３から入力した比例帯：ｐ、積分時間：Ｔ_Ｉ、微分時間：Ｔ_Ｄ、ヒータカバー表面温度２４−ｉ、差Δ１を所定のＰＩＤ演算式に代入することでＰＩＤ演算を行い、カートリッジヒータ操作量Ｍ１−ｉを算出する（ステップＳ３ａ）。
【００５２】
ＰＩＤ演算器２５は、算出されたカートリッジヒータ操作量Ｍ１−ｉ、ヒータカバー表面温度２６−ｉの各々に基づいて、ヒータカバー表面温度・カートリッジヒータ操作量表示データ３Ｄ、数値表示データ３Ｄ´の各々を生成して減算器２３、出力装置２２の各々を介し、表示部２４に出力する。表示部２４は、これらのデータを表示画面ＳＣ３によって表示する（ステップＳ４ａ）。ＰＩＤ演算器２５は、熱電対指示情報２６−ｋと電流制御対象カートリッジヒータ表示テーブル１Ｔとを参照して、いずれかのカートリッジヒ−タ１６−ｉに対して制御電流ΔＩ１−ｉに基づいた制御を行う（ステップＳ５ａ）。尚、ステップＳ４ａにおいては、表示画面ＳＣ２に示される外乱表示データ２Ｄ、数値表示データ２Ｄ´の各々についても、操作者の操作に基づいて表示部２４に表示させることが可能である。
【００５３】
（実施の形態２）
図７に、本発明の実施の形態２、３に係る太陽電池膜形成装置２００の構成を示す。太陽電池膜形成装置２００は、膜形成室１２、膜形成室１２に隣接して設置される第１室１１、第２室１３の各々を備えるチャンバー１０Ａ´、及び膜形成室１２と接続される制御装置１０Ｂを具備している。チャンバー１０Ａ´については実施の形態１において上述したものと同様であるので、その詳細な説明は省略する。制御装置１０Ｂは、出力装置２７、表示部２８、切替装置２８Ａ、ＬＡＧ装置２９、減算器３０、減算器３１、ＰＩＤ演算器３２、サイクリスタ３３の各々を具備している。
【００５４】
尚、図７と図１で同一の番号が付されている構成要素については、特に断りのない限りは実施の形態１と同様であるので、以下においてその詳細な説明は省略する。また、カートリッジヒータ１６−ｉについては、
【００２６】における「制御装置１０Ａ」を「制御装置１０Ｂ」、「制御電流ΔＩ１−ｉ」を「制御電流ΔＩ２−ｉ」に読み替えたものと同様であるので、その詳細な説明は省略する。
更に、熱電対▲１▼〜▲３▼については、
【００２８】と
【００２９】における「制御電流ΔＩ１−１」を「制御電流ΔＩ２−１」、「制御電流ΔＩ１−２」を「制御電流ΔＩ２−２」、「制御電流ΔＩ１−３」を「制御電流ΔＩ２−３」、「制御装置１０Ａ」を「制御装置１０Ｂ」に読み替えたものと同様であるので、その詳細な説明は省略する。
【００５５】
出力装置２７は、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１を操作者の操作に基づいて予め減算器３０に出力する。出力装置２７は、表示部２８に接続されており、表示部２８は図２に示される表示画面ＳＣ１を表示する。表示画面ＳＣ１には、実施の形態１で説明したように、演算データ１Ｄ、Ｐ膜演算データ表示要求ボタン１Ｂ、Ｉ膜演算データ表示要求ボタン２Ｂ、Ｎ膜演算データ表示要求ボタン３Ｂ、設定ボタン４Ｂの各々が示される。表示画面ＳＣ１、及びそれに示されるデータについては、
【００３４】、
【００３５】、
【００３６】において「ＰＩＤ演算器２５」を「ＰＩＤ演算器３２」、「制御電流ΔＩ１−ｉ」を「制御電流ΔＩ２−ｉ」、「出力装置２２」を「出力装置２７」、「減算器２３」を「減算器３０」にそれぞれ読み替えたものと同様であるので、それらの詳細な説明は省略する。
【００５６】
減算器３０は、操作者の操作に基づいて、出力装置２７から設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１と、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１に対して予め定められた設定ヒータカバー表面温度減算値ＳＴＡとを入力する。また、減算器３０は、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１と設定ヒータカバー表面温度減算値ＳＴＡとの差（＝設定ヒータカバー表面温度ＳＴ２）を算出して減算器３１に出力する。減算器３１は、減算器３０から入力した設定ヒータカバー表面温度ＳＴ２を記憶する。また、減算器３１は、熱電対▲１▼〜▲３▼から熱電対指示情報２６−ｋとヒータカバー表面温度２６−ｉとを入力したときに、記憶される設定ヒータカバー表面温度ＳＴ２と、入力したヒータカバー表面温度２６−ｉとの差Δ２を算出する。更に、減算器３１は、算出された差Δ２と熱電対指示情報２６−ｋとをＰＩＤ演算器３２に出力する。
【００５７】
ＰＩＤ演算器２５によるＰＩＤ演算の処理の形態については、
【００３８】と
【００３９】において「ＰＩＤ演算器２５」を「ＰＩＤ演算器３２」、「減算器２３」を「減算器３１」、「差Δ１」を「差Δ２」、「出力装置２２」を「出力装置２７」に読み替えたものと同様である。また、そのＰＩＤ演算の処理の形態については、
【００４０】と
【００４１】において、「設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１」を「設定ヒータカバー表面温度ＳＴ２」、「制御電流ΔＩ１−ｉ」を「制御電流ΔＩ２−ｉ」、「サイクリスタ２５Ａ」を「サイクリスタ３３」に読み替えたものと同様である。従って、実施の形態２においては、ＰＩＤ演算器２５によるＰＩＤ演算（制御電流ΔＩ２−ｉの算出）の処理の形態についての詳細な説明は省略する。
【００５８】
ＰＩＤ演算器３２は、外乱表示データ２Ｄ、数値表示データ２Ｄ´を生成して出力装置２７を介し、表示部２８に出力する（表示部２８は、外乱表示データ２Ｄを表示画面ＳＣ２によって表示する）。また、ＰＩＤ演算器３２は、図８に示すヒータカバー表面温度・カートリッジヒータ操作量表示データ３Ｄ、数値表示データ３Ｄ´の各々を生成して出力装置２７を介し、表示部２８に出力する（表示部２８は、これらのデータを図８の表示画面ＳＣ４によって表示する）。外乱表示データ２Ｄ、及び外乱については、実施の形態１において述べたので、ここではその説明を省略する。
【００５９】
ヒータカバー表面温度・カートリッジヒータ操作量表示データ４Ｄは第４曲線４Ｃと第５曲線５Ｃの各々を示している。第４曲線４Ｃは、第２曲線２Ｃに対応しており、膜形成室１２においてＰ膜ＰＬ、Ｉ膜ＩＬ、Ｎ膜ＮＬのいずれかが形成されるときの、時間ｔの経過によるヒータカバー表面温度２６−ｉの変動を示している。例えば１回の膜形成のサイクルＣ´Ｃ´は、サイクルＣＣに対応する。時間ｔ＝０は、膜形成室１２（３室のいずれでもよい）内において、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ２のヒータカバー１８上に中間生成物１３ａ（中間生成物１４ａ、１５ａでも同様）を設置したときに相当する。第４曲線４Ｃに示されるヒータカバー表面温度２６−ｉの変動は、上記の外乱によるヒータカバー表面温度２６−ｉの変化と、ＰＩＤ演算器３２によって出力された制御電流ΔＩ２−ｉに基づいてカートリッジヒータ１６−ｉがヒータカバー１８を加熱したことによる、ヒータカバー表面温度２６−ｉの変化（上昇）との合成を示している。ここで、設定ヒータカバー表面温度減算値ＳＴＡ＝５℃に設定されている。即ち、第４曲線４Ｃでは、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ２が設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１＝２３０℃と比較して５℃低くなる（設定ヒータカバー表面温度ＳＴ２＝２２５℃となる）ように設定されたときのヒータカバー表面温度２６−ｉが示されている。（１ａ）は（１）、（２ａ）は（２）、（３ａ）は（３）、（４ａ）は（４）、（５ａ）は（５）、（６ａ）は（６）、（７ａ）は（７）、（８ａ）は（８）、（９ａ）は（９）、（１０ａ）は（１０）、（１１ａ）は（１１）、（１２ａ）は（１２）にそれぞれ対応する。数値表示データ４Ｄ´と数値表示データ３Ｄ´とに示される値の差（（１ａ）−（１）、（２ａ）−（２）、（３ａ）−（３）、（４ａ）−（４）、（５ａ）−（５）、（６ａ）−（６）、（７ａ）−（７）、（８ａ）−（８）、（９ａ）−（９）、（１０ａ）−（１０）、（１１ａ）−（１１）、（１２ａ）−（１２））は各々、５℃である。尚、設定ヒータカバー表面温度減算値ＳＴＡは、ヒータカバー表面温度２６−ｉの変動幅（いずれも１０℃）を考慮して決定されたものである。
【００６０】
時間ｔ＝ｔ_４ａの後は、実施の形態１で述べたことと同様の理由で、ヒータカバー表面温度２６−ｉの温度変動は安定することになる。即ち、時間ｔ＝ｔ_４ａの後は、膜形成の行われる１回のサイクル毎に、２２０〜２３０℃での温度変化が繰り返される。従って、時間ｔ＝ｔ_４ａの後（１０回目以後の膜形成に対応する）においては、ヒータカバー表面温度２６−ｉを設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１（＝２３０℃）として膜形成を行うことが可能となる。即ち、一定温度での膜形成が可能となる（膜形成が行われるのは、降下したヒータカバー表面温度２６−ｉが、グロー放電により設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１にまで再び上昇した後である）。実施の形態１のとき（２２５〜２３５℃）と比較して低い値の範囲での温度変化となっているのは、差Δ２が、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１とヒータカバー表面温度２６−ｉとの差と比較して小さいことから、ＰＩＤ演算において算出される制御電流ΔＩ２−ｉもその分少なくなり、結果的に、カートリッジヒータ１６−ｉによるヒータカバー１８の加熱の程度も少なくなることによる。
【００６１】
第５曲線５Ｃは、膜形成室１２においてＰ膜ＰＬ、Ｉ膜ＩＬ、Ｎ膜ＮＬのいずれかが形成されるときの、時間ｔの経過によるカートリッジヒータ操作量Ｍ２−ｉ（単位：％）の変化を示している。カートリッジヒータ操作量Ｍ２−ｉは、比例帯：ｐ、積分時間：Ｔ_Ｉ、微分時間：Ｔ_Ｄ、差Δ２の各々を用いて算出されたものであり、比例ゲイン：Ｋ_ｐ、積分時間：Ｔ_Ｉ、微分時間：Ｔ_Ｄ、差Δ２の各々を用いて算出される制御電流ΔＩ２−ｉに対応している。カートリッジヒータ操作量Ｍ２−１は制御電流ΔＩ２−１、カートリッジヒータ操作量Ｍ２−２は制御電流ΔＩ２−２、カートリッジヒータ操作量Ｍ２−３は制御電流ΔＩ２−３にそれぞれ対応する。
【００６２】
切替装置２８Ａは、操作者の操作に基づいて、膜形成室１２における膜形成が開始されたことを通知する膜形成開始通知を、ＬＡＧ装置２９、減算器３０を介して減算器３１に出力する。また、切替装置２８Ａは、膜形成室１２における膜形成が終了したことを通知する膜形成終了通知を、ＬＡＧ装置２９、減算器３０を介して減算器３１に出力する。減算器３１は、膜形成開始通知を入力した後において、熱電対▲１▼〜▲３▼からヒータカバー表面温度２６−ｉを入力したときに、入力したヒータカバー表面温度２６−ｉと設定ヒータカバー表面温度ＳＴ２とを用いて差Δ２を算出してＰＩＤ演算器３２に出力する。
【００６３】
（実施の形態３）
実施の形態３においては、ＬＡＧ装置２９は、図９に示す膜形成回数−設定ヒータカバー表面温度減算値対応表示テーブル２Ｔを記憶している。膜形成回数−設定ヒータカバー表面温度減算値対応表示テーブル２Ｔは、膜形成回数２〜１０／回と設定ヒータカバー表面温度減算値ＳＴＡとの対応を示している。膜形成回数２〜１０／回には、各々の回数目における膜形成開始時の時間ｔ／ｍｉｎも付記されている。膜形成回数−設定ヒータカバー表面温度減算値対応表示テーブル２Ｔは、例えば、２回目の膜形成においては、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ２＝（（設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１）−１）に設定されることが示されている。実施の形態１、２において上述したことを例に挙げると、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１＝２３０℃であることから、２回目の膜形成において、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ２＝２２９℃となる。４回目、６回目、８回目、１０回目の膜形成における設定ヒータカバー表面温度ＳＴ２は各々、２２８℃、２２７℃、２２６℃、２２５℃となる。尚、図９においては偶数回目の膜形成に対応する設定ヒータカバー表面温度減算値ＳＴＡのみが示されているが、実際には、膜形成回数−設定ヒータカバー表面温度減算値対応表示テーブル２Ｔには、奇数回目の膜形成に対応する設定ヒータカバー表面温度減算値ＳＴＡも同様の形態で示される。
【００６４】
ＬＡＧ装置２９は、切替装置２８Ａから膜形成開始要求を入力したときに、時間ｔの計測を開始する。また、ＬＡＧ装置２９は、その計測結果と膜形成回数−設定ヒータカバー表面温度減算値対応表示テーブル２Ｔとを参照し、計測された時間ｔと参照結果とに基づいて（各々の回数目における膜形成の開始される時間ｔの直前等に）減算器３０に対し、設定ヒータカバー温度ＳＴ２を設定ヒータカバー表面温度減算値ＳＴＡに基づいて切替えることを要求する切替要求と、膜形成回数２〜１０／回に対応する設定ヒータカバー表面温度減算値ＳＴＡとを出力する。減算器３０は、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ２を算出して減算器３１に出力する。尚、実施の形態３においては、上記のようにＬＡＧ装置２９から設定ヒータカバー表面温度減算値ＳＴＡが出力されるので、実施の形態２においてのように、出力装置２７からの設定ヒータカバー表面温度減算値ＳＴＡの出力は行われない。減算器３１は、熱電対▲１▼〜▲３▼からヒータカバー表面温度２６−ｉを入力したときに、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ２とヒータカバー表面温度２６−ｉを用いて差Δ２を算出してＰＩＤ演算器３２に出力する。
【００６５】
ＰＩＤ演算器３２は、減算器３１から入力した差Δ２に基づいてＰＩＤ演算を行う。ＰＩＤ演算器３２は、図１０に示すヒータカバー表面温度・カートリッジヒータ操作量表示データ５Ｄ、数値表示データ５Ｄ´とを生成する。生成されたヒータカバー表面温度・カートリッジヒータ操作量表示データ５Ｄと数値表示データ５Ｄ´の各々は、表示部２８が表示画面ＳＣ５によって表示する。
【００６６】
ヒータカバー表面温度・カートリッジヒータ操作量表示データ５Ｄは第６曲線６Ｃと第７曲線７Ｃの各々を示している。第６曲線６Ｃは、第４曲線４Ｃに対応しており、膜形成室１２においてＰ膜ＰＬ、Ｉ膜ＩＬ、Ｎ膜ＮＬのいずれかが形成されるときの、時間ｔの経過によるヒータカバー表面温度２６−ｉの変動を示している。例えば１回の膜形成のサイクルＣ´´は、サイクルＣ´Ｃ´に対応する。時間ｔ＝０は、膜形成室１２（３室のいずれでもよい）内において、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ２のヒータカバー１８上に中間生成物１３ａ（中間生成物１４ａ、１５ａでも同様）を設置したときに相当する。第６曲線６Ｃに示されるヒータカバー表面温度２６−ｉの変動は、上記の外乱によるヒータカバー表面温度２６−ｉの変化と、ＰＩＤ演算器３２によって出力された制御電流ΔＩ２−ｉに基づいてカートリッジヒータ１６−ｉがヒータカバー１８を加熱したことによる、ヒータカバー表面温度２６−ｉの変化（上昇）との合成を示している。（１ｂ）は（１ａ）、（２ｂ）は（２ａ）、（３ｂ）は（３ａ）、（４ｂ）は（４ａ）、（５ｂ）は（５ａ）、（６ｂ）は（６ａ）、（７ｂ）は（７ａ）、（８ｂ）は（８ａ）、（９ｂ）は（９ａ）、（１０ｂ）は（１０ａ）、（１１ｂ）は（１１ａ）、（１２ｂ）は（１２ａ）にそれぞれ対応する。
【００６７】
実施の形態３においては、実施の形態２とは異なり、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１＝２３０℃としたときにおける、ヒータカバー表面温度２６−ｉの温度変動幅（２２０〜２３０℃）は常にほぼ一定している。即ち、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１＝２３０℃としたとき、全ての時間ｔにおいて、膜形成の行われる１回のサイクルＣ´´毎に、２２０〜２３０℃の範囲での温度変化が繰り返される。これは、ヒータカバー表面温度２６−ｉの変動幅と、ヒータカバー１８上に中間生成物１３ａを設置したときのヒータカバー表面温度２６−ｉ、及びグロー放電後のヒータカバー表面温度２６−ｉの各々の時間ｔによる差異とを考慮して、設定ヒータカバー表面温度減算値ＳＴＡを設定したことによるものである。これにより、実施の形態３においては、常にヒータカバー表面温度２６−ｉを設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１として膜形成を行うことが可能となり、実施の形態２と比較して更に安定した膜形成が可能となる。
【００６８】
第５曲線５Ｃは、第４曲線４Ｃに対応しており、膜形成室１２においてＰ膜ＰＬ、Ｉ膜ＩＬ、Ｎ膜ＮＬのいずれかが形成されるときの、時間ｔの経過によるカートリッジヒータ操作量Ｍ２−ｉ（単位：％）の変化を示している。カートリッジヒータ操作量Ｍ２−ｉは、比例帯：ｐ、積分時間：Ｔ_Ｉ、微分時間：Ｔ_Ｄ、差Δ２の各々を用いて算出されたものであり、比例ゲイン：Ｋ_ｐ、積分時間：Ｔ_Ｉ、微分時間：Ｔ_Ｄ、差Δ２の各々を用いて算出される制御電流ΔＩ２−ｉに対応している。カートリッジヒータ操作量Ｍ２−１は制御電流ΔＩ２−１、カートリッジヒータ操作量Ｍ２−２は制御電流ΔＩ２−２、カートリッジヒータ操作量Ｍ２−３は制御電流ΔＩ２−３にそれぞれ対応する値である（比例帯：ｐは比例ゲイン：Ｋ_ｐの逆数に比例するため）。
【００６９】
次に、本発明の実施の形態２、３に係る太陽電池膜形成方法の処理の過程について説明する。太陽電池膜形成方法に係る処理が行われる前に、上記の
【００４８】の（Ａａ）、（Ａｂ）に述べられる準備が行われる。但し、実施の形態２、３においては、
【００４８】における「出力装置２２」は「出力装置２７」、「減算器２３」は「減算器３０」、「ＰＩＤ演算器２５」は「ＰＩＤ演算器３２」、「制御装置１０Ａ」は「制御装置１０Ｂ」に読み替えられる。また、（Ａａ）において、出力装置２７は操作者の操作に基づいて、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１に加えて、設定ヒータカバー表面温度減算値ＳＴＡを減算器３０に出力する（但し、実施の形態３においては、出力装置２７から設定ヒータカバー表面温度減算値ＳＴＡは出力されない）。また、図１１を参照して以下に述べるステップＳ１ｂａ（又はステップＳ１ｂｂ）〜Ｓ５ｂａ、Ｓ５ｂｂの処理と平行して、
【００５０】において上述した（Ａｃ）〜（Ａｈ）の処理が行われるが、この処理については上述したものと同様であるので、その説明は省略する。
【００７０】
減算器３０は、出力装置２７から入力した設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１と設定ヒータカバー表面温度減算値ＳＴＡとを用いて、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ２を算出して減算器３１に出力する（ステップＳ１ｂａ）。熱電対▲１▼〜▲３▼は、ヒータカバー表面温度２６−ｉ（及びその変動）を検出し、検出されたヒータカバー温度２６−ｉと、熱電対指示情報２６−ｋとを減算器３２に出力する（ステップＳ２ｂ）。減算器３２は、熱電対▲１▼〜▲３▼から熱電対指示情報２６−ｋとヒータカバー表面温度２６−ｉとを入力したときに、記憶される設定ヒータカバー表面温度ＳＴ２と、入力したヒータカバー表面温度２６−ｉとの差Δ２を算出し、算出された差Δ２と熱電対指示情報２６−ｋとをＰＩＤ演算器３２に出力する（ステップＳ３ｂ）。ＰＩＤ演算器３２は、減算器３１から入力した比例ゲイン：Ｋ_ｐ、積分時間：Ｔ_Ｉ、微分時間：Ｔ_Ｄ、ヒータカバー表面温度２６−ｉ、差Δ２を所定のＰＩＤ演算式に代入することでＰＩＤ演算を行い、制御電流ΔＩ２−ｉを算出する。ＰＩＤ演算器３２は、減算器３１から入力した比例帯：ｐ、積分時間：Ｔ_Ｉ、微分時間：Ｔ_Ｄ、ヒータカバー表面温度２６−ｉ、差Δ２を所定のＰＩＤ演算式に代入することでＰＩＤ演算を行い、カートリッジヒータ操作量Ｍ２−ｉを算出する（ステップＳ４ｂ）。
【００７１】
ＰＩＤ演算器３２は、算出されたカートリッジヒータ操作量Ｍ２−ｉ、ヒータカバー表面温度２６−ｉの各々に基づいて、ヒータカバー表面温度・カートリッジヒータ操作量表示データ４Ｄ、数値表示データ４Ｄ´の各々を生成して出力装置２７を介し、表示部２８に出力する。表示部２８は、これらのデータを図５の表示画面ＳＣ４によって表示する（ステップＳ５ｂａ）。ＰＩＤ演算器３２は、熱電対指示情報２６−ｋと電流制御対象カートリッジヒータ表示テーブル１Ｔとを参照して、いずれかのカートリッジヒ−タ１６−ｉに対して制御電流ΔＩ２−ｉに基づいた制御を行う（ステップＳ５ｂｂ）。
【００７２】
上記の
【００７０】、
【００７１】は、本発明の実施の形態２に係る太陽電池膜形成方法の説明である。本発明の実施の形態３に係る太陽電池膜形成方法においては、
【００７０】におけるステップＳ１ｂａは、ステップＳ１ｂｂに置き換えられ、その他は
【００７０】、
【００７１】と同様である。ステップＳ５ｂａ、ステップＳ５ｂｂについては、実施の形態２、３のいずれにおいても行われる。
【００７３】
切替装置２８Ａは、操作者の操作に基づいて、膜形成室１２における膜形成が開始されたことを通知する膜形成開始通知をＬＡＧ装置２９に出力する。ＬＡＧ装置２９は、切替装置２８Ａから膜形成開始要求を入力したときに、時間ｔの計測を開始する（ステップＳ１ｂｂ）。
【００７４】
また、実施の形態３においては、ステップＳ１ｂｂの後、ステップＳ２ｂ〜Ｓ５ｂａ、Ｓ５ｂｂの処理と平行して、以下の
【００７５】において述べられる処理が行われる。
【００７５】
ＬＡＧ装置２９は、時間ｔの計測結果と膜形成回数−設定ヒータカバー表面温度減算値対応表示テーブル２Ｔとを参照し、計測された時間ｔと参照結果とに基づいて（各々の回数目の膜形成の開始される時間ｔの直前等に）減算器３０に対し、設定ヒータカバー温度ＳＴ２を設定ヒータカバー表面温度減算値ＳＴＡに基づいて切替えることを要求する切替要求と、膜形成回数２〜１０／回に対応する設定ヒータカバー表面温度減算値ＳＴＡとを出力する。減算器３０は、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ２を算出して減算器３１に出力する。
【００７６】
（実施の形態４）
図１２に、本発明の実施の形態４、５に係る太陽電池膜形成装置３００の構成を示す。太陽電池膜形成装置３００は、膜形成室１２、膜形成室１２に隣接して設置される第１室１１、第２室１３の各々を備えるチャンバー１０Ａ´、及び膜形成室１２と接続される制御装置１０Ｃを具備している。チャンバー１０Ａ´については実施の形態１において上述したものと同様であるので、その詳細な説明は省略する。制御装置１０Ｃは、出力装置４１、表示部４２、切替装置４３、ＬＡＧ装置４４、加算器４５、減算器４６、ＰＩＤ演算器４７、サイクリスタ４８の各々を具備している。
【００７７】
尚、図１２と図１（及び図７）で同一の番号が付されている構成要素については、特に断りのない限りは実施の形態１〜３と同様であるので、以下においてその詳細な説明は省略する。また、カートリッジヒータ１６−ｉについては、
【００２６】における「制御装置１０Ａ」を「制御装置１０Ｃ」、「制御電流ΔＩ１−ｉ」を「制御電流ΔＩ３−ｉ」に読み替えたものと同様であるので、その詳細な説明は省略する。更に、熱電対▲１▼〜▲３▼については、
【００２８】と
【００２９】における「制御電流ΔＩ１−１」を「制御電流ΔＩ３−１」、「制御電流ΔＩ１−２」を「制御電流ΔＩ３−２」、「制御電流ΔＩ１−３」を「制御電流ΔＩ３−３」、「制御装置１０Ａ」を「制御装置１０Ｃ」に読み替えたものと同様であるので、その詳細な説明は省略する。
【００７８】
出力装置４１は、操作者の操作に基づいて、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１を予め減算器４６に出力し、ヒータカバー表面温度減算値ＳＴＢを加算器４５に出力する。出力装置４１は、表示部４２に接続されており、表示部４２は図２に示される表示画面ＳＣ１を表示する。表示画面ＳＣ１には、実施の形態１で説明したように、演算データ１Ｄ、Ｐ膜演算データ表示要求ボタン１Ｂ、Ｉ膜演算データ表示要求ボタン２Ｂ、Ｎ膜演算データ表示要求ボタン３Ｂ、設定ボタン４Ｂの各々が示される。表示画面ＳＣ１、及びそれに示されるデータについては、
【００３４】、
【００３５】、
【００３６】において「ＰＩＤ演算器２５」を「ＰＩＤ演算器４７」、「制御電流ΔＩ１−ｉ」を「制御電流ΔＩ３−ｉ」、「出力装置２２」を「出力装置４１」、「減算器２３」を「減算器４６」にそれぞれ読み替えたものと同様であるので、それらの詳細な説明は省略する。
【００７９】
加算器４５は、操作者の操作に基づいて、出力装置４１からヒータカバー表面温度減算値ＳＴＢを入力する。また、加算器４５は、熱電対▲１▼〜▲３▼から入力したヒータカバー表面温度２６−ｉに、出力装置４１から入力したヒータカバー表面温度加算値ＳＴＢを加算して、ヒータカバー表面温度変換値（２６−ｉ）´を算出して減算器４６に出力する。減算器４６は、操作者の操作に基づいて、出力装置４１から設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１を入力して記憶する。また、減算器４６は、加算器４５からヒータカバー表面温度変換値（２６−ｉ）´を入力したときには、入力したヒータカバー表面温度変換値（２６−ｉ）´と設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１との差Δ３を算出してＰＩＤ演算器４７に出力する。
【００８０】
ＰＩＤ演算器４７によるＰＩＤ演算の処理の形態については、
【００３８】と
【００３９】において「ＰＩＤ演算器２５」を「ＰＩＤ演算器４７」、「減算器２３」を「減算器４６」、「差Δ１」を「差Δ３」、「出力装置２２」を「出力装置４１」に読み替えたものと同様である。また、そのＰＩＤ演算の処理の形態については、
【００４０】と
【００４１】において、「制御電流ΔＩ１−ｉ」を「制御電流ΔＩ３−ｉ」、「サイクリスタ２５Ａ」を「サイクリスタ４８」に読み替えたものと同様である。従って、実施の形態４においては、ＰＩＤ演算器４７によるＰＩＤ演算（制御電流ΔＩ３−ｉの算出）の処理の形態についての詳細な説明は省略する。
【００８１】
ＰＩＤ演算器４７は、外乱表示データ２Ｄ、数値表示データ２Ｄ´を生成して出力装置４１を介し、表示部４２に出力する（表示部４２は、外乱表示データ２Ｄを表示画面ＳＣ２によって表示する）。また、ＰＩＤ演算器４７は、図８に示すヒータカバー表面温度・カートリッジヒータ操作量表示データ４Ｄ、数値表示データ４Ｄ´の各々を生成して出力装置４１を介し、表示部４２に出力する（表示部４２は、これらのデータを図８の表示画面ＳＣ４によって表示する）。外乱表示データ２Ｄ、数値表示データ２Ｄ´、及び外乱については、実施の形態１において述べたので、ここではその説明を省略する。また、ヒータカバー表面温度・カートリッジヒータ操作量表示データ４Ｄ、数値表示データ４Ｄ´の各々については、実施の形態２で説明したので、その説明を省略する。
【００８２】
実施の形態４においては、
【００６０】で述べたことと同様の理由で、時間ｔ＝ｔ_４の後においては、ヒータカバー表面温度２６−ｉを設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１（＝２３０℃）として膜形成を行うことが可能となる。実施の形態１のとき（２２５〜２３５℃）と比較して、時間ｔ＝ｔ_４の後で低い値の範囲での温度変化（２２０〜２３０℃）となっている。これは、差Δ３が、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１とヒータカバー表面温度２６−ｉとの差と比較して小さいことから、ＰＩＤ演算において算出される制御電流ΔＩ３−ｉも小さくなり、結果的に、カートリッジヒータ１６−ｉによるヒータカバー１８の加熱の程度も小さくなることによる。
【００８３】
切替装置４３は、操作者の操作に基づいて、膜形成室１２における膜形成が開始されたことを通知する膜形成開始通知を、ＬＡＧ装置２９を介して加算器４５に出力する。また、切替装置４３は、膜形成室１２における膜形成が終了したことを通知する膜形成終了通知を、ＬＡＧ装置２９を介して加算器４５に出力する。加算器４５は、膜形成開始通知を入力した後において、熱電対▲１▼〜▲３▼からヒータカバー表面温度２６−ｉを入力したときに、入力したヒータカバー表面温度２６−ｉをヒータカバー表面温度変換値（２６−ｉ）´に変換して減算器４６に出力する。
【００８４】
（実施の形態５）
実施の形態５においては、ＬＡＧ装置４４は、図１３に示す膜形成回数−設定ヒータカバー表面温度加算値対応表示テーブル３Ｔを記憶している。膜形成回数−設定ヒータカバー表面温度加算値対応表示テーブル３Ｔは、膜形成回数２〜１０／回とヒータカバー表面温度加算値ＳＴＢとの対応を示している。膜形成回数２〜１０／回には、膜形成開始時からの時間ｔ／ｍｉｎも付記されている。ヒータカバー表面温度変換値（２６−ｉ）´＝（（ヒータカバー表面温度２６−ｉ）＋ヒータカバー表面温度加算値ＳＴＢ）である。例えば、２回目の膜形成において、熱電対▲１▼〜▲３▼によってヒータカバー表面温度２６−ｉ＝２１９〜２２９℃と検出され、２回目の膜形成において、熱電対▲１▼〜▲３▼によってヒータカバー表面温度２６−ｉ＝２１８〜２２８℃と検出されたときには、図１３に基づいていずれも２２０〜２３０℃に変換されて減算器４６に出力される。尚、図１３においては偶数回目の膜形成に対応するヒータカバー表面温度加算値ＳＴＢのみが示されているが、実際には、膜形成回数−ヒータカバー表面温度加算値対応表示テーブル３Ｔには、奇数回目の膜形成に対応するヒータカバー表面温度加算値ＳＴＢも同様の形態で示される。
【００８５】
ＬＡＧ装置４４は、切替装置４３から膜形成開始要求を入力したときに、時間ｔの計測を開始する。また、ＬＡＧ装置４４は、その計測結果と膜形成回数−ヒータカバー表面温度加算値対応表示テーブル３Ｔとを参照し、計測された時間ｔと参照結果とに基づいて（各々の回数目の膜形成の開始される時間ｔの直前等に）加算器４５に対し、入力したヒータカバー表面温度２６−ｉをヒータカバー表面温度変換値（２６−ｉ）´に切替えることを要求する切替要求と、膜形成回数２〜１０／回に対応するヒータカバー表面温度加算値ＳＴＢとを出力する。尚、上記のように、実施の形態５においては、ＬＡＧ装置４４からヒータカバー表面温度加算値ＳＴＢが出力されるため、実施の形態４とは異なり、出力装置４１からのヒータカバー表面温度加算値ＳＴＢの出力は行われない。
【００８６】
加算器４５は、ヒータカバー表面温度２６−ｉとヒータカバー表面温度加算値ＳＴＢとを用いてヒータカバー表面温度変換値（２６−ｉ）´を算出して減算器４６に出力する。減算器４６は、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１とヒータカバー表面温度変換値（２６−ｉ）´を用いて差Δ３を算出してＰＩＤ演算器４７に出力する。
【００８７】
ＰＩＤ演算器４７は、減算器４６から入力した差Δ３に基づいてＰＩＤ演算を行う。ＰＩＤ演算器４７は、図１０に示すヒータカバー表面温度・カートリッジヒータ操作量表示データ５Ｄ、数値表示データ５Ｄ´とを生成する。生成されたヒータカバー表面温度・カートリッジヒータ操作量表示データ５Ｄと数値表示データ５Ｄ´の各々は、表示部２８が表示画面ＳＣ５によって表示する。ヒータカバー表面温度・カートリッジヒータ操作量表示データ５Ｄ、数値表示データ５Ｄ´の各々については、実施の形態３で説明したので、その説明を省略する。
【００８８】
実施の形態５においては、
【００６７】で述べたことと同様の理由で、実施の形態４とは異なり、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１＝２３０℃としたときにおける、ヒータカバー表面温度２６−ｉの温度変動幅（２２０〜２３０℃）は常にほぼ一定している。即ち、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１＝２３０℃としたとき、全ての時間ｔにおいて、膜形成の行われる１回のサイクルＣ´´毎に、２２０〜２３０℃の範囲での温度変化が繰り返される。これは、ヒータカバー表面温度２６−ｉの変動幅と、ヒータカバー１８上に中間生成物１３ａを設置したときのヒータカバー表面温度２６−ｉ、及びグロー放電後のヒータカバー表面温度２６−ｉの各々の時間ｔによる差異とを考慮して、設定ヒータカバー表面温度加算値ＳＴＢを設定したことによるものである。従って、常にヒータカバー表面温度２６−ｉを設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１として膜形成を行うことが可能となり、実施の形態４と比較して更に安定した膜形成が可能となる。
【００８９】
次に、本発明の実施の形態４、５に係る太陽電池膜形成方法の処理の過程について説明する。太陽電池膜形成方法に係る処理が行われる前に、上記の
【００４８】の（Ａａ）、（Ａｂ）に述べられる準備が行われる。但し、実施の形態４、５においては、
【００４８】における「出力装置２２」は「出力装置４１」、「減算器２３」は「減算器４６」、「ＰＩＤ演算器２５」は「ＰＩＤ演算器４７」、「制御装置１０Ａ」は「制御装置１０Ｃ」に読み替えられる。また、（Ａａ）において、出力装置４１は操作者の操作に基づいて、設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１に加えて、設定ヒータカバー表面温度加算値ＳＴＢを減算器４６に出力する（但し、実施の形態５においては、設定ヒータカバー表面温度加算値ＳＴＢの出力装置４１からの出力は行われない）。また、図１４を参照して以下に述べるステップＳ１ｃ〜Ｓ６ｃの処理と平行して、
【００５０】において上述した（Ａｃ）〜（Ａｈ）の処理が行われるが、この処理については上述したものと同様であるので、その説明は省略する。
【００９０】
切替装置４３は、操作者の操作に基づいて、膜形成室１２における膜形成が開始されたことを通知する膜形成開始通知をＬＡＧ装置４４に出力する。ＬＡＧ装置４４は、切替装置４３から膜形成開始要求を入力したときに、時間ｔの計測を開始する（ステップＳ１ｃ）。熱電対▲１▼〜▲３▼は、ヒータカバー表面温度２６−ｉ（及びその変動）を検出し、検出されたヒータカバー温度２６−ｉと、熱電対指示情報２６−ｋとを制御装置１０Ｃに出力する（ステップＳ２ｃ）。加算器４５は、熱電対▲１▼〜▲３▼から熱電対指示情報２６−ｋとヒータカバー表面温度２６−ｉを入力したときに、記憶される設定ヒータカバー表面温度加算値ＳＴＢを用いてヒータカバー表面温度変換値（２６−ｉ）´を算出し、算出されたヒータカバー表面温度変換値（２６−ｉ）´と熱電対指示情報２６−ｋとを減算器４６に出力する（ステップＳ３ｃ）。減算器４６は、記憶する設定ヒータカバー表面温度ＳＴ１とヒータカバー表面温度変換値（２６−ｉ）´との差Δ３を算出してＰＩＤ演算器４７に出力する（ステップＳ４ｃ）。
【００９１】
ＰＩＤ演算器４７は、減算器３１から入力した比例ゲイン：Ｋ_ｐ、積分時間：Ｔ_Ｉ、微分時間：Ｔ_Ｄ、ヒータカバー表面温度２６−ｉ、差Δ２を所定のＰＩＤ演算式に代入することでＰＩＤ演算を行い、制御電流ΔＩ３−ｉを算出する。ＰＩＤ演算器３２は、減算器３１から入力した比例帯：ｐ、積分時間：Ｔ_Ｉ、微分時間：Ｔ_Ｄ、ヒータカバー表面温度２６−ｉ、差Δ３を所定のＰＩＤ演算式に代入することでＰＩＤ演算を行い、カートリッジヒータ操作量Ｍ３−ｉを算出する（ステップＳ５ｃ）。ＰＩＤ演算器３２は、算出されたカートリッジヒータ操作量Ｍ３−ｉ、ヒータカバー表面温度２６−ｉの各々に基づいて、ヒータカバー表面温度・カートリッジヒータ操作量表示データ４Ｄ、数値表示データ４Ｄ´の各々を生成して出力装置４１を介し、表示部４２に出力する。表示部４２は、これらのデータを図８の表示画面ＳＣ４によって表示する（ステップＳ５ｃａ）。ＰＩＤ演算器３２は、熱電対指示情報２６−ｋと電流制御対象カートリッジヒータ表示テーブル１Ｔとを参照して、いずれかのカートリッジヒ−タ１６−ｉに対して制御電流ΔＩ３−ｉに基づいた制御を行う（ステップＳ５ｃｂ）。
【００９２】
尚、ステップＳ１ｃは、実施の形態５においてのみ行われる。また、ステップＳ５ｃａ、ステップＳ５ｃｂについては、実施の形態４、５のいずれにおいても行われる。また、実施の形態５においては、ステップＳ１ｃの後、ステップＳ２ｃ〜Ｓ５ｃａ、Ｓ５ｃｂの処理と共に、以下の
【００９３】において述べられる処理が行われる。
【００９３】
ＬＡＧ装置４４は、時間ｔの計測結果と膜形成回数−設定ヒータカバー表面温度加算値対応表示テーブル３Ｔとを参照し、計測された時間ｔと参照結果とに基づいて（各々の回数目の膜形成の開始される時間ｔの直前等に）加算器４５に対し、入力したヒータカバー表面温度２６−ｉを、膜形成回数２〜１０／回に対応する設定ヒータカバー温度加算値ＳＴＢに基づいて、ヒータカバー表面温度変換値（２６−ｉ）´に切替えることを要求する切替要求を出力する。加算器４５は、切替要求に応答して算出したヒータカバー表面温度変換値（２６−ｉ）´を減算器４６に出力する。
【００９４】
【発明の効果】
本発明の太陽電池膜形成装置により、膜形成室内において太陽電池膜の形成を繰り返し行うときに、常に予め設定された支持板温度（上記の設定温度）で膜形成を行うように制御することが可能となる。
【００９５】
本発明の太陽電池膜形成装置により、上記の太陽電池膜形成装置を用いた太陽電池膜形成方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の太陽電池膜形成装置の実施の形態１に係る構成を示す図である。
【図２】本発明の太陽電池膜形成装置の実施の形態１〜５に係る、表示画面ＳＣ１を示す図である。
【図３】本発明の太陽電池膜形成装置の実施の形態１〜５に係る、電流制御カートリッジヒータ表示テーブルを示す図である。
【図４】本発明の太陽電池膜形成装置の実施の形態１〜５に係る、表示画面ＳＣ２を示す図である。
【図５】本発明の太陽電池膜形成装置の実施の形態１に係る、表示画面ＳＣ３を示す図である。
【図６】本発明の太陽電池膜形成方法の実施の形態１に係る処理の過程を示す図である。
【図７】本発明の太陽電池膜形成装置の実施の形態２、３に係る構成を示す図である。
【図８】本発明の太陽電池膜形成装置の実施の形態２、４に係る、表示画面ＳＣ４を示す図である。
【図９】本発明の太陽電池膜形成装置の実施の形態２、３に係る、膜形成回数−設定ヒータカバー温度減算値対応表示テーブルを示す図である。
【図１０】本発明の太陽電池膜形成装置の実施の形態３、５に係る、表示画面ＳＣ４を示す図である。
【図１１】本発明の太陽電池膜形成方法の実施の形態２、３に係る処理の過程を示す図である。
【図１２】本発明の太陽電池膜形成装置の実施の形態４、５に係る構成を示す図である。
【図１３】本発明の太陽電池膜形成装置の実施の形態３、５に係る、膜形成回数−設定ヒータカバー温度加算値表示テーブルを示した図である。
【図１４】本発明の太陽電池膜形成方法の実施の形態４、５に係る処理の過程を示す図である。
【図１５】本発明の太陽電池膜形成装置の実施の形態１〜５、及び従来の技術に係る、アモルファス型太陽電池を示す図である。
【符号の説明】
▲１▼〜▲３▼：熱電対
１０Ａ´：チャンバー
１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ：制御装置
１１：第１室
１１Ａ：隔離板
１２：膜形成室
１２Ａ：隔離板
１３：第２室
１４−１、１４−２、１４−３、１４−４、１４−５：ガスボンベ
１５−１、１５−２、１５−３、１５−４、１５−５：栓
１６−１、１６−２、１６−３：カートリッジヒータ
１７：水冷式反射板
１８：ヒータカバー
１９：電極
１９Ａ：防着板
２０−１、２０−２：ガス流入口
２１−１、２１−２、２１−３：弁
２２：出力装置
２３：減算器
２４：表示部
２５：ＰＩＤ演算器
２５Ａ：サイクリスタ
２６Ｐ、２６Ｉ、２６Ｎ：原料ガス
２６−ｉ（ｉ＝１、２、３）：ヒータカバー表面温度
（２６−ｉ）´（ｉ＝１、２、３）：ヒータカバー表面温度変換値
２６−ｋ（ｋ＝▲１▼，▲２▼，▲３▼）
ＡＩＲ：空気
２７：出力装置
２８：表示部
２９：ＬＡＧ装置
３０：減算器
３１：加算器
３２：ＰＩＤ演算器
３３：サイクリスタ
４１：出力装置
４２：表示部
４３：切替装置
４４：ＬＡＧ装置
４５：加算器
４６：減算器
４７：ＰＩＤ演算器
４８：サイクリスタ
１００、２００、３００：太陽電池膜形成装置
１１ａ：ガラス基板
１２ａ：透明電極膜
１３ａ、１４ａ、１５ａ：中間生成物
ＳＴ：設定ヒータカバー表面温度
ＴＳ：設定ヒータ表面温度
Ｋ_ｐ：比例ゲイン
ｐ：比例帯
Ｔ_Ｉ：積分時間
Ｔ_Ｄ：微分時間
１Ｂ：Ｐ膜演算データ表示要求ボタン
２Ｂ：Ｉ膜演算データ表示要求ボタン
３Ｂ：Ｎ膜演算データ表示要求ボタン
４Ｂ：設定ボタン
１Ｃ〜７Ｃ：第１〜第７曲線
１Ｄ：演算データ
２Ｄ：外乱表示データ
３Ｄ、４Ｄ、５Ｄ：ヒータカバー表面温度−カートリッジヒータ操作量表示データ
３Ｄ´、４Ｄ´、５Ｄ´：数値表示データ
ΔＩ１−ｉ、ΔＩ２−ｉ、ΔＩ３−ｉ（ｉ＝１，２，３）：制御電流
Ｍ１−ｉ、Ｍ２−ｉ、Ｍ３−ｉ：カートリッジヒータ操作量
Δ１、Δ２、Δ３：差
ＰＬ：Ｐ膜
ＩＬ：Ｉ膜
ＮＬ：Ｎ膜
ＳＴ１、ＳＴ２：設定ヒータカバー表面温度
１Ｔ、２Ｔ：電流制御対象カートリッジヒータ表示テーブル[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to an apparatus used in forming a solar cell film.
[0002]
[Prior art]
With reference to the accompanying drawings, a conventional technique according to the solar cell film forming apparatus of the present invention will be described. A solar cell formed by using the solar cell film forming apparatus of the present invention is an amorphous solar cell 10a shown in FIG. The amorphous solar cell 10a has a structure including a glass substrate 11a, a transparent electrode film 12a, a P film PL, an I film IL, and an N film NL.
[0003]
The amorphous solar cell 10a is formed through the following (a) to (d). In (a) to (d), (a) an intermediate product 13a is formed by forming a transparent electrode film 12a on a glass substrate 11a, and (b) a P film PL is formed on the intermediate product 13a. Thus, the intermediate product 14a is formed, (c) the intermediate film 15a is formed by forming the I film IL on the intermediate product 14a, and (d) the N film NL is formed on the intermediate product 15a. This includes the process of forming the amorphous solar cell 10a. Each of the P film PL formed in (b), the I film IL formed in (c), and the N film NL formed in (d) has a plurality of film forming chambers (for forming the P film PL). In a film formation chamber including a first film formation chamber, a second film formation chamber for forming the I film IL, and a third film formation chamber for forming the N film NL), deposition using a plasma CVD method is performed. Formed by
[0004]
The plasma CVD method is performed through the following procedures (1) and (2). (1) The film formation chamber is placed in a high vacuum state, and the formation target of the formation of the films PL, IL, and NL (one of the intermediate products 13a, 14a, and 15a) is heated to a constant temperature (200 (Set to about 250 ° C.). (2) Glow discharge is performed using an electrode provided in the film formation chamber to generate plasma. A source gas which is one of the source materials of the P film PL, the I film IL, and the N film NL is sealed in the film forming chamber. The enclosed source gas is decomposed and deposited on the intermediate products 13a to 15a. As a result of this vapor deposition, films PL, IL, and NL are formed. When forming a plurality of amorphous solar cells 10a, the above procedures (1) and (2) are continuously and repeatedly performed.
[0005]
In (1), the temperature of the intermediate products 13a to 15a (all of which have the glass substrate 11a at the bottom) placed on the support plate supporting the films PL, IL, and NL to be formed is usually , Lower than the set temperature. Therefore, by installing the intermediate products 13a to 15a on the support plate, the temperature of the support plate maintained at the set temperature (200 to 250 ° C.) decreases. In (2), the glow discharge is performed, so that the temperature of the support plate lowered in (1) rises again to around the set temperature. In (2), when the films PL, IL, and NL are formed, if the temperature of the support plate is temporally (corresponding to the number of times of film formation) or locally different, the film is finally formed. This may affect the quality (photoelectric efficiency) of the amorphous solar cell 10a. This is because the rate at which the source gas decomposed by the plasma forms the films PL, IL, and NL on the support plate varies depending on the temperature of the support plate. Therefore, the temperature of the support plate heated by the cartridge heater is measured using a temperature sensor such as a thermocouple, and the measured temperature (hereinafter, referred to as “support plate temperature measurement value”) and the above-described temperature with respect to the support plate temperature are measured. Processing for controlling the degree of heating by the cartridge heater based on the set temperature is performed. In general, this control is often performed by PID calculation (another calculation form may be used. The same applies hereinafter) using the support plate temperature measurement value and the set temperature.
[0006]
Even when film formation is repeatedly performed using the above-described film formation chamber, a solar cell film formation apparatus that enables control to form a film at a set temperature is desired.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
An object of the present invention is to make it possible to perform control so that film formation is always performed at a preset support plate temperature (the above-mentioned set temperature) when a solar cell film is repeatedly formed in a film formation chamber. An object of the present invention is to provide a solar cell film forming apparatus.
[0008]
Another object of the present invention is to provide a method for forming a solar cell film using the above-described solar cell film forming apparatus.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
Hereinafter, means for solving the problem will be described using the numbers and symbols used in [Embodiments of the invention] in parentheses. These reference numerals are added to clarify the correspondence between the description of [Claims] and the description of [Embodiment of the Invention], and are described in [Claims]. It should not be used to interpret the technical scope of the invention.
[0010]
The solar cell film forming apparatus (200) of the present invention includes a film forming chamber (12) for repeatedly forming a solar cell film (PL to NL) on a substrate (13a to 15a). A support plate (18) for supporting the substrates (13a to 15a) and a heater (16-i) for heating the support plate (18) are installed in the film formation chamber (12). Further, the solar cell film forming apparatus (200) of the present invention includes a support plate temperature detector ((1) to (3)) for detecting a support plate temperature (26-i) that is the temperature of the support plate (18). And the support plate temperature (26-i) detected by the support plate temperature detectors (1) to (3) so that the support plate temperature (26-i) becomes the first set support plate temperature (ST1). i) and a second setting support plate determined based on a variation width of the support plate temperature (26-i) when the solar cell films (PL to NL) are repeatedly formed in the film formation chamber (12). A support plate temperature controller (10B) for controlling the support plate temperature (26-i) based on the temperature (ST2).
[0011]
In the solar cell film forming apparatus (200) of the present invention, when the solar cell films (PL to NL) are formed in the film forming chamber (12), discharge is performed in the film forming chamber (12). The temperature of the support plate (26-i) is lowered by installing the substrates (13a to 15a) on the support plate (18). The lowered support plate temperature (26-i) rises due to the discharge and the control of the heating of the heater (16-i) by the support plate temperature controller (10B). The fluctuation range indicates a temperature difference between the lowered support plate temperature (26-i) and the raised support plate temperature (26-i). The second set support plate temperature (ST2) is calculated by subtracting a set value (STA) determined based on the temperature difference from the first set support plate temperature (ST1). The support plate temperature controller (10B) is configured to calculate the calculated second set support plate temperature (ST2) and the support plate temperature detected by the support plate temperature detectors (1) to (3). The temperature of the support plate (26-i) is adjusted based on i).
[0012]
In the solar cell film forming apparatus (200) of the present invention, the set value (STA) is the raised support plate temperature when the solar cell films (PL to NL) are repeatedly formed in the chamber (12). (26-i) and the temperature of the dropped support plate (26-i).
[0013]
The support plate temperature adjustment unit (10B) is configured to subtract the determined set value (STA) from the first set support plate temperature (ST1) to calculate the second set support plate temperature (ST2). The support plate temperature (26-i) is adjusted based on the support plate temperature (26-i) detected by the support plate temperature detectors (1) to (3).
[0014]
The solar cell film forming apparatus (300) of the present invention includes a film forming chamber (12) for repeatedly forming the solar cell films (PL to NL) on the substrates (13a to 15a). A support plate (18) for supporting the substrates (13a to 15a) and a heater (16-i) for heating the support plate (18) are installed in the film formation chamber (12). The solar cell film forming apparatus (300) of the present invention includes a support plate temperature detector ((1) to (3)) for detecting a support plate temperature (26-i) that is the temperature of the support plate (18). I do. Furthermore, the solar cell film forming apparatus (300) according to the present invention provides the support plate temperature detectors (1) to (3) such that the support plate temperature (26-i) becomes the set support plate temperature (ST1). The fluctuation width of the support plate temperature (26-i) when the solar cell films (PL to NL) are repeatedly formed in the film formation chamber (12) with the support plate temperature (26-i) detected by ▼). , And adjusts the support plate temperature (26-i) based on the converted support plate temperature ((26-i) ′) and the set support plate temperature (ST1). (10C).
[0015]
In the solar cell film forming apparatus (300) of the present invention, when the solar cell films (PL to NL) are formed in the film forming chamber (12), discharge is performed in the film forming chamber (12). The support plate temperature (26-i) drops due to the installation of the substrates (13a to 15a) on the support plate (18), and the dropped support plate temperature (26-i) decreases with the discharge, The temperature rises due to the control of the heating of the heater (16-i) by the support plate temperature controller (10C). The fluctuation range indicates a temperature difference between the lowered support plate temperature (26-i) and the raised support plate temperature (26-i). The support plate temperature ((26-i) ′) converted by the support plate temperature adjustment unit (10C) is the support plate temperature (26-i) detected by the support plate temperature detection unit (1) to (3). ) Is added to the set value (STB) determined based on the temperature difference. The support plate temperature controller (10C) adjusts the support plate temperature (26-i) based on the set support plate temperature (ST1) and the calculated support plate temperature ((26-i) ′). I do.
[0016]
In the solar cell film forming apparatus (300) according to the present invention, the set value (STB) is the raised support when the solar cell films (PL to NL) are repeatedly formed in the film forming chamber (12). The temperature is determined based on the variation of the plate temperature (26-i) and the lowered support plate temperature (26-i) and the temperature difference. The support plate temperature adjustment unit (10C) adds the determined set value (STB) to the support plate temperature (26-i) detected by the support plate temperature detection unit (1) to (3). Then, the support plate temperature (26-i) is adjusted based on the calculated support plate temperature ((26-i) ′) and the set support plate temperature (ST1).
[0017]
The solar cell film forming apparatus (100) of the present invention includes a film forming chamber (12) for repeatedly forming a solar cell film (PL to NL) on a substrate (13a to 15a), and the film forming chamber (100). 12) is provided with a support plate (18) for supporting the substrates (13a to 15a) and a heater (16-i) for heating the support plate (18). Further, the solar cell film forming apparatus (100) of the present invention includes a support plate temperature detector ((1) to (3)) for detecting a support plate temperature (26-i) that is the temperature of the support plate (18). And the support plate temperature detectors (1) to (3) so that the solar cell films (PL to NL) are formed at the set support plate temperature (ST1) on the support plate (18). A support plate temperature controller (10A) that adjusts the support plate temperature (26-i) based on the detected support plate temperature (26-i) and the set support plate temperature (ST1).
[0018]
In the solar cell film forming apparatus (100) of the present invention, when the solar cell films (PL to NL) are formed in the film forming chamber (12), discharge is performed in the film forming chamber (12). The support plate temperature (26-i) drops due to the installation of the substrates (13a to 15a) on the support plate (18), and the dropped support plate temperature (26-i) decreases with the discharge, The temperature rises due to the control of heating of the heater (16-i) by the support plate temperature controller (10A). The support plate temperature adjusting unit (10A) is configured to perform the support based on each of the set support plate temperature (ST1), the raised support plate temperature (26-i), and the lowered support plate temperature (26-i). Adjust plate temperature (26-i).
[0019]
The method for forming a solar cell film according to the present invention includes a film forming chamber (12) for repeatedly forming a solar cell film (PL to NL) on a substrate (13a to 15a), and a support plate temperature detector (1). To {circle around (3)}), and is performed by the solar cell film forming apparatus (200) including each of the support plate temperature controllers (10B). A support plate (18) for supporting the substrates (13a to 15a) and a heater (16-i) for heating the support plate (18) are installed in the film formation chamber (12). Further, in the method for forming a solar cell film according to the present invention, the support plate temperature detectors (1) to (3) detect a support plate temperature (26-i) that is the temperature of the support plate (18). Step (S2b) is provided. Further, in the method for forming a solar cell film according to the present invention, the support plate temperature adjusting section (10C) may adjust the support plate temperature (26-i) to a first set support plate temperature (ST1). The support plate temperature (26-i) detected by the temperature detectors (1) to (3) and the support when the solar cell films (PL to NL) are repeatedly formed in the film forming chamber (12). Adjusting the support plate temperature (26-i) based on the second set support plate temperature (ST2) determined based on the fluctuation range of the plate temperature (26-i) (S3b, S4b, S5bb). Is provided.
[0020]
The method for forming a solar cell film according to the present invention includes a film forming chamber (12) for repeatedly forming a solar cell film (PL to NL) on a substrate (13a to 15a), and a support plate temperature detector (1). To (3)), and a solar cell film forming apparatus (300) including each of the support plate temperature control sections (10C). A support plate (18) for supporting the substrates (13a to 15a) and a heater (16-i) for heating the support plate (18) are installed in the film formation chamber (12). In the method for forming a solar cell film according to the present invention, the support plate temperature detectors (1) to (3) detect a support plate temperature (16-i) that is a temperature of the support plate (18). In step (S2c), the support plate temperature adjustment unit (10C) adjusts the support plate temperature detection units (1) to (4) so that the support plate temperature (16-i) becomes the set support plate temperature (ST1). The support plate temperature (26-i) detected by (3)) is detected by the support plate temperature (26-i) detected by the support plate temperature detectors (1) to (3) and the solar cell film (26). PL to NL) in the film formation chamber (12) when the support plate temperature (26-i) is changed, and the converted support plate temperature ((26-i) ') And adjusting the support plate temperature (26-i) based on the set support plate temperature (ST1). S3c, comprising S4c, S5c, the S6c) and.
[0021]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Embodiments 1 to 5 relating to a solar cell film forming apparatus and a solar cell film forming method of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
[0022]
(Embodiment 1)
FIG. 1 shows a configuration of a solar cell film forming apparatus 100 according to Embodiment 1 of the present invention. The solar cell film forming apparatus 100 is connected to the film forming chamber 12, a chamber 10A 'including each of the first chamber 11 and the second chamber 13 installed adjacent to the film forming chamber 12, and the film forming chamber 12. A control device 10A is provided. A gas cylinder 14-1 is connected to the first chamber 11, a gas cylinder 14-2, 14-3, 14-4 is connected to the film forming chamber 12, and a gas cylinder 14-5 is connected to the second chamber 13. Each of the gas cylinders 14-h (h = 1, 2, 3, 4, 5) is provided with a stopper 15-h (h = 1, 2, 3, 4, 5). The film forming chamber 12 has a cartridge heater 16-i (i = 1, 2, 3), a water-cooled reflection plate 17, a heater cover 18, an electrode 19, a deposition prevention plate 19A, and a gas inlet 20-j (j = 1, 2) and each of the valves 21-2. The first chamber 11 is provided with a valve 21-1, and the second chamber 13 is provided with a valve 21-3. The heater cover 18 supports any of the intermediate products 13a to 15a, and has a plurality of thermocouples (1), (2), and (3) (hereinafter, “thermocouples (1) to (3)”). Note) is provided. The control device 10A includes an output device 22, a subtractor 23, a display unit 24, a PID calculator 25, and a cyclist 25A.
[0023]
In FIG. 1, the chamber 10 </ b> A ′ is shown to include one film forming chamber 12 in addition to the first chamber 11 and the second chamber 13. However, actually, the first chamber 11, the separator 11A, the film forming chamber 12 for forming the P film PL, the separator, and the film forming chamber 12 for forming the I film IL are separated from the right end of FIG. A plate, a film forming chamber 12 for forming an N film NL, a separator 12A, and a second chamber 13 are sequentially installed. That is, the first chamber 11 is in contact with the film forming chamber 12 for forming the P film PL via the separator 11A, and the second chamber 13 is for forming the N film NL via the separator 12A. Is in contact with the film formation chamber 12 of FIG. Therefore, using each of the film forming chambers 12, (a) formation of the P film PL, (b) formation of the I film IL, and (c) formation of the N film NL are continuously and repeatedly performed (that is, a plurality of amorphous films are formed). The solar cell 10a can be formed continuously).
[0024]
In the following description, the film forming chamber 12 for forming the P film PL will be mainly described as an example, but unless otherwise specified, the film forming chamber 12 for forming the I film IL, N The same applies to any of the film forming chambers 12 for forming the film NL. In the film forming chamber 12 for forming the I film IL, in the following description, “P film PL” is “I film IL”, “source gas 26P” is “source gas 26I”, and “intermediate product 13a”. Is read as "intermediate product 14a", respectively. On the other hand, in the film forming chamber 12 for forming the N film NL, in the following description, “P film PL” is “N film NL”, “source gas 26P” is “source gas 26N”, and “intermediate product”. "13a" is read as "intermediate product 15a".
[0025]
The gas cylinders 14-2, 14-3, and 14-4 are filled with any one of a plurality of types of gases serving as raw materials for the P film PL, the I film IL, and the N film NL. (The opening degrees of the respective stoppers 15-2, 15-3, and 15-4 are adjusted to predetermined opening degrees), so that the raw material gas 26P (the raw material gas 26I serving as the raw material of the I film IL and the N film) is formed. The same applies to the source gas 26N serving as the NL source). The generated source gas 26P passes through the gas inlet 20-j, and as a result, the inside of the film forming chamber 12 (however, a region above the intermediate product 13a on the heater cover 14; Region) is filled with the source gas 26P having a uniform concentration. The gas cylinders 14-1 and 14-5 are filled with air (or oxygen gas or the like) AIR. The air AIR filled in the gas cylinder 14-1 (or 14-5) is obtained by opening the stopper 15-1 (or 15-5) at a predetermined opening after all the film formation in the film forming chamber 12 is completed. , The inside of the first chamber 11 (or the second chamber 13). Thereafter, the formed amorphous solar cell 10a is taken out of the second chamber 13.
[0026]
Each of the cartridge heaters 16-i has a cylindrical heat radiating port (circular hatched portion), and responds to the control current ΔI1-i (i = 1, 2, 3) from the control device 10A. By heating the cover 18 (or adjusting the degree of heating), the entire surface of the heater cover 18 is controlled so as to reach the set heater cover surface temperature ST1. Since the plurality of cartridge heaters 16-i are installed, the heater cover surface temperature 26-i at a plurality of locations (corresponding to locations where the thermocouples (1) to (3) are installed) on the surface of the heater cover 18 is set. It is possible to control the heater cover surface temperature 26-i based on the difference (i = 1, 2, 3). The water-cooled reflecting plate 17 is provided in a gap between the bottom wall of the film forming chamber 12 and the cartridge heater 16-i, and is discharged from each cartridge heater 16-i by cooling water flowing inside or around the periphery. Cooling is performed by absorbing the heat generated.
[0027]
The heater cover 18 supports the intermediate product 13a. On the supported intermediate product 13a, ionized species (or molecular radical species) containing electrons and ions generated by the decomposition of the raw material gas 26P are formed. ) Is deposited to form a P film PL (same for the I film IL and the N film NL).
[0028]
The thermocouples {circle around (1)} to {circle around (3)} are provided at a plurality of locations on the surface of the heater cover 18, and the heater cover surface temperature 26-i (i = 1, 2, 3) at each location, and Detect fluctuations. The thermocouple {circle around (1)} detects the heater cover temperature 26-1 based on the degree of heating by the cartridge heater 26-1 (adjusted by the control current ΔI1-1 flowing to the cartridge heater 16-1) and its fluctuation. . The thermocouple {circle around (2)} detects the heater cover temperature 26-2 based on the degree of heating by the cartridge heater 26-2 (adjusted by the control current ΔI1-2 flowing to the cartridge heater 16-2) and its fluctuation. . The thermocouple {circle around (3)} detects the heater cover temperature 26-3 based on the degree of heating by the cartridge heater 26-3 (adjusted by the control current ΔI1-3 flowing to the cartridge heater 16-3) and its fluctuation. .
[0029]
Each of the thermocouples (1) to (3) outputs information indicating the detected heater cover surface temperature 26-i (hereinafter simply referred to as “heater cover surface temperature 26-i”) to the control device 10A. I do. At this time, information indicating the thermocouples (1) to (3) (hereinafter, referred to as "thermocouple instruction information 26-k (k = 1), (2), (3))" is also controlled. Output to the device 10A. The thermocouple {circle around (1)} outputs the thermocouple instruction information 26- (1) indicating the number of the detected heater cover surface temperature 26-1 to the control device 10A together with the detected number. The thermocouple {circle around (2)} outputs thermocouple instruction information 26- {circle around (2)} indicating the number of the detected heater cover surface temperature 26-2 to the control device 10A. The thermocouple {circle around (3)} outputs the thermocouple instruction information 26- {3} indicating the detected number to the control device 10A together with the detected heater cover surface temperature 26-3. By outputting the thermocouple instruction information 26-k indicating the number together with the heater cover surface temperature 26-i, the controller 10A refers to a current control target cartridge heater display table to be described later, It is possible to determine whether the control current ΔI1-i for 16-i should be adjusted.
[0030]
A voltage is applied to the electrode 19 to generate a glow discharge in the film forming chamber 12. By this glow discharge, the source gas 26P injected into the film forming chamber 12 is ionized into electrons and ions (or molecular radical species), and finally deposited on the intermediate product 13a on the heater cover 18. I do. The deposition preventing plate 19A prevents the decomposed raw material (hereinafter, referred to as “decomposed raw material”) from adhering to the inner wall of the film forming chamber 12 as much as possible. By installing the deposition-preventing plate 19A, it is possible to prevent corrosion of the film forming chamber 12 as much as possible due to the adhesion of the decomposition raw material to the inner wall of the film forming chamber 12.
[0031]
From the valve 21-1, before the film formation in the three film formation chambers 12 is performed (at this time, the intermediate product 13a is contained in the first chamber 11, and each of the film formation chambers 12 Is in a high vacuum state), the air in the first chamber 11 is released, and as a result, the inside of the first chamber 11 is controlled to be in a high vacuum state. The three film forming chambers 12 are a film forming chamber 12 for forming the P film PL, a film forming chamber 12 for forming the I film IL, and a film forming chamber 12 for forming the N film NL. Contains.
[0032]
Before the film formation in the film formation chamber 12 is performed, the air in the film formation chamber 12 is released from the valve 21-2, and as a result, the inside of the film formation chamber 12 is controlled to be in a high vacuum state. (This control is performed for each of the three film forming chambers 12). Thereafter, the separator 11A is opened, and the intermediate product 13a is moved from the first chamber 11 to the film forming chamber 12 for forming the P film PL. After the generation of the intermediate product 14a, the intermediate product 14a is moved from the film formation chamber 12 for forming the P film PL to the film formation chamber 12 for forming the I film IL. After the generation of the intermediate product 15a, the intermediate product 15a is moved from the film formation chamber 12 for forming the I film IL to the film formation chamber 12 for forming the N film NL.
[0033]
The air in the second chamber 13 is released from the valve 21-3 before the film is formed in the film forming chamber 12, and as a result, the inside of the second chamber 13 is controlled to be in a high vacuum state. . This makes it possible to prevent air AIR from entering the film forming chamber 12 for forming the N film NL as much as possible. After the film formation in the film formation chamber 12 is completed, the separator 12A is opened, and the amorphous solar cell 10a is moved from the film formation chamber 12 for forming the N film NL to the second chamber 13.
[0034]
The output device 22 outputs the set heater cover surface temperature ST1 (each heater cover surface temperature 26-i is set to be the same temperature) ST1 set for the heater cover surface temperature 26-i to the sun. Output to the subtractor 23 in advance based on the operation of the operator (hereinafter, referred to as “operator”) of the battery film forming apparatus 100. The output device 22 is connected to the display unit 24, and the display unit 24 displays a display screen SC1 shown in FIG. The display screen SC1 shows each of the calculation data 1D, the P film calculation data display request button 1B, the I film calculation data display request button 2B, the N film calculation data display request button 3B, and the setting button 4B. The operation data 1D is one of P film operation data, I film operation data, and N film operation data (in the example of FIG. 2, P film operation data is displayed. P film operation data, I film operation data , N-film operation data are input to the output device 22 by an operator in advance and stored by the output device 22).
[0035]
The calculation data 1D includes a set heater cover surface temperature ST1 (ST1a, ST1b, ST1c, ST1d), and a proportional gain: K _p (K _p1 , K _p2 , K _p3 , K _p4 ), Proportional band: p (p ₁ , P ₂ , P ₃ , P ₄ ), Integration time: T _I (T _I1 , T _I2 , T _I3 , T _I4 ), Differentiation time: T _D (T _D1 , T _D2 , T _D3 , T _D4 ) Are shown in association with each other. Proportional gain: K _p , Proportional band: p, integration time: T _I , Differentiation time: T _D Is used when the PID calculator 25 performs the PID calculation (the combination is any of (1) to (4)). However, the actual PID calculation is proportional gain: K _p And a proportional band: p (proportional gain: K _p Is used, the control current ΔI1-i is calculated, and when the proportional band p is used, the cartridge heater operation amount (described later) is calculated).
[0036]
From the display screen SC1, a touch panel type operation is possible, and the operator designates any of (1) to (4) among the calculation data 1D shown in FIG. 2 by a touch operation. When any one of (1) to (4) is specified and the setting button 4B is touched, the set heater cover surface temperature ST1 specified by the operator is output from the output device 22 to the subtractor 23, Proportional gain: K _p , Proportional band: p ₁ , Integration time: T _I , Differentiation time: T _D Are output from the output device 22 to the PID calculator 25. For example, when (1) is designated, the set heater cover surface temperature ST1a is output to the subtractor 23 for the P film calculation data, and the proportional gain: K _p , Proportional band: p ₁ , Integration time: T _I1 , Differentiation time: T _D1 Are output to the PID calculator 25.
[0037]
The calculation data 1D (P film calculation data) in FIG. 2 is a set heater cover surface temperature ST1 and a proportional gain: K used for calculation processing when the P film PL is formed. _p , Proportional band: p, integration time: T _I , Differentiation time: T _D Are shown. However, the set heater cover surface temperature ST1 and the proportional gain: K, which are used in the arithmetic processing when the I film IL is formed. _p , Proportional band: p, integration time: T _I , Differentiation time: T _D (The value is different from that of the P film calculation data), the calculation data 1D (I film calculation data) is also shown on the display screen SC1 in the same format as that of FIG. Also, the set heater cover surface temperature ST1 and the proportional gain: K used in the arithmetic processing when the N film NL is formed. _p , Proportional band: p, integration time: T _I , Differentiation time: T _D (The value is different from that of the P film calculation data), the calculation data 1D (N film calculation data) is also shown on the display screen SC1 in the same format as in FIG. When the I-membrane operation data display request button 2B is operated from the state of FIG. 2, the P-film operation data is switched to the I-film operation data, and when the N-film operation data display request button 3B is operated, the P-film operation data is changed. Switching to N film calculation data. For each of the I film calculation data and the N film calculation data, the heater cover surface temperature ST1 and the proportional gain: K are set in the same manner as the P film calculation data. _p , Proportional band: p, integration time: T _I , Differentiation time: T _D Are designated and output to the PID calculator 25 or the subtractor 23.
[0038]
The subtractor 23 stores the set heater cover surface temperature ST1 input from the output device 22. When the thermocouple instruction information 26-k and the heater cover surface temperature 26-i are input from the thermocouples (1) to (3), the subtractor 23 stores the set heater cover surface temperature ST1 and The difference Δ1 from the input heater cover surface temperature 26-i is calculated. Further, the subtractor 23 outputs the calculated difference Δ1 and the thermocouple indication information 26-k to the PID calculator 25.
[0039]
The PID calculator 25 receives the thermocouple indication information 26-k and the difference Δ1 from the subtractor 23, and outputs a proportional gain: K from the output device 22. _p , Proportional band: p, integration time: T _I , Differentiation time: T _D Enter each of The PID calculator 25 calculates the input proportional gain: K _p , Integration time: T _I , Differentiation time: T _D The PID calculation is performed by substituting the heater cover surface temperature 26-i and the difference Δ1 into a predetermined PID calculation expression. As a result of the PID calculation, each of the heater cover surface temperatures 26-i is set to the set heater cover surface temperature ST1 (at this time, the intermediate products 14a and 15a and the amorphous solar cell 10a A control current ΔI1-i for each of the cartridge heaters 16-i (formed at the surface temperature ST1) is calculated. The control current ΔI1-i is determined by increasing (decreasing the heater cover surface temperature 26-i) or decreasing (decreasing the heater cover surface temperature 26-i) the current flowing from the PID calculator 21 to the cartridge heater 16-i. Is shown. That is, the control current ΔI1-i is a value for controlling each of the heater cover surface temperatures 26-i to be the set heater cover surface temperature ST1.
[0040]
The PID calculator 25 stores a current control target cartridge heater display table 1T shown in FIG. The current control target cartridge heater display table 1T includes the thermocouples (1) to (3) indicated by the thermocouple instruction information 26-k and the cartridge heater 16 to be controlled based on the control current ΔI1-i. -I are shown in association with each other. The PID calculator 21 refers to the thermocouple instruction information 26-k and the current control target cartridge heater display table 1T, and controls any one of the cartridge heaters 16-i in the above-described manner. Control by the current ΔI1-i (increase or decrease of the flowing current by the control current ΔI1-i) is performed. As a result, it is possible to control the heater cover temperature 26-i detected by the thermocouples (1) to (3) to become the set heater cover temperature ST1. The cyclist 25A changes the control current ΔI1-i output from the PID calculator 25 to a form in which the cartridge heater 16-i can be used, and outputs it.
[0041]
The PID calculator 25 generates the disturbance display data 2D and the numerical display data 2D ′ shown in FIG. 4 and outputs them to the display unit 24 via the output device 22 (the display unit 24 converts the disturbance display data 2D of FIG. It is displayed on the display screen SC2). The disturbance display data 2D is data obtained by measuring a change in the heater cover surface temperature 26-i due to a disturbance (described later) without forming a film in the film forming chamber 12. The PID calculator 25 generates the heater cover surface temperature / cartridge heater operation amount display data 3D and the numerical display data 3D ′ shown in FIG. 5 and outputs them to the display unit 24 via the output device 22 (display). The unit 24 displays these data on the display screen SC3 in FIG. 5). A display screen SC2 display request button 1B 'is displayed on the display screen SC2, and the operator can switch the display screen SC2 to the display screen SC3 by operating the display screen SC3 display request button 1B'. It is. A display screen SC2 display request button 2B 'is displayed on the display screen SC3, and the operator can switch the display screen SC3 to the display screen SC2 by operating the display screen SC2 display request button 2B'. It is.
[0042]
The disturbance display data 2D shows a first curve 1C. The first curve 1C shows the heater cover surface temperature 26-i due to disturbance when one of the P film PL, the I film IL, and the N film NL is formed in the film forming chamber 12 due to the passage of time t. Is shown. The disturbance is a phenomenon that causes the heater cover surface temperature 26-i to be disturbed from the set heater cover surface temperature ST1 (230 ° C. in the example of FIG. 5). Specifically, on the heater cover 18 in which the heater cover surface temperature 26-i is maintained at the set heater cover surface temperature ST1, the intermediate product 13a having a lower surface temperature than the set heater cover surface temperature ST1 is provided. When installed, the heater cover surface temperature 26-i drops from the set heater cover surface temperature ST1. In the example of FIG. ₁ And a temperature drop of 10 ° C. is observed. Thereafter, the glow discharge is performed in the film forming chamber 12, so that the lowered temperature rises again to the set heater cover surface temperature ST1. In the example of FIG. ₂ And a temperature rise of 10 ° C. is observed. When the heater cover surface temperature 26-i rises again to the set heater cover surface temperature ST1, for a while (time t in the example of FIG. 4). ₃ During this period), the heater cover surface temperature 26-i is almost stabilized at the set heater cover surface temperature ST1. In FIG. 4, the period (t) of the temperature rise of the heater cover surface temperature 26-i due to disturbance ₂ ), Temperature drop period (t ₁ ) And a fixed temperature period (t ₃ (Film formation) cycle CC including time 0 to t ₄ Is repeated 11 times during the period from time 0 to t ₄ During the film formation in the film formation chamber 12. Numerical display data 2D 'indicates the heater cover surface temperature 26-i at each point (1)' to (12) '.
[0043]
In the above example, the temperature drop due to the disturbance is caused by the surface temperature of the intermediate product 13a being lower than the set heater cover surface temperature ST1. This is because the film formation chamber 12 for forming the P film PL and the first chamber 11 are brought into a high vacuum state, the separator 11A is opened, and the intermediate product 13a is removed from the first chamber 11 by the P film PL. Is moved to the film forming chamber 12 for forming the P film PL, the influence on the heater cover temperature 26-i due to the gas flowing into the film forming chamber 12 for forming the P film PL from the first chamber 11 is considered. It is not necessary. Similarly, the transfer of the intermediate product 14a from the film formation chamber 12 for forming the P film PL to the film formation chamber 12 for forming the I film IL, and the film formation chamber for forming the I film IL All of the movement of the intermediate product 15a from the chamber 12 to the film forming chamber 12 for forming the N film NL is performed after the respective chambers are placed in a high vacuum state, so that the transfer from one chamber to the other chamber is performed. It is not necessary to consider the influence on the heater cover surface temperature 26-i due to the gas inflow.
[0044]
The heater cover surface temperature / cartridge heater operation amount display data 3D indicates each of the second curve 2C and the third curve 3C. The second curve 2C corresponds to the first curve 1C, and when any one of the P film PL, the I film IL, and the N film NL is formed in the film forming chamber 12, the surface of the heater cover due to the passage of time t. This indicates a change in the temperature 26-i (for example, the cycle CC corresponds to the cycle CC ′). The variation of the heater cover surface temperature 26-i indicated by the second curve 2C is based on the change of the heater cover surface temperature 26-i due to the disturbance and the control current ΔI1-i output by the PID calculator 25. The change (rise) of the heater cover surface temperature 26-i due to the heating of the heater cover 18 by the heater 16-i is synthesized. (1) is (1) ', (2) is (2)', (3) is (3) ', (4) is (4)', (5) is (5) ', and (6) is ( 6) ', (7) is (7)', (8) is (8) ', (9) is (9)', (10) is (10) ', (11) is (11)', ( 12) corresponds to (12) ′, respectively.
[0045]
For example, the rise (230 ° C. → 231 ° C.) of the heater cover surface temperature 26-i in (4) ′ → (4) is caused by the PID calculator 25 supplying the control current ΔI1-i to the cartridge heater 16-i. Has been increased, and as a result, the heater cover surface temperature 26-i has increased by 1 ° C. (the same applies to other cases). The PID calculator 25 controls the current flowing to the cartridge heater 16-i to increase by the control current ΔI1-i for the time t. _A (One batch, t _B (T ₁ + T ₂ ): During film formation), t _C (= T ₃ This is because the heater cover surface temperature 26-i during the non-film formation period) is equal to or lower than the set heater cover surface temperature ST1 (230 ° C. in FIGS. 4 and 5). When the heater cover surface temperature 26-i is lower than the set heater cover surface temperature ST1, the PID calculator 25 increases the current flowing through the cartridge heater 16-i by the control current ΔI1-i. When the temperature is higher than the set heater cover surface temperature ST1, the current flowing through the cartridge heater 16-i is reduced by the control current ΔI1-i. Therefore, when the control current ΔI1-i in one cycle becomes ± 0 (when ΔIa = ΔIb, time t = t _4a After that, the temperature fluctuation of the heater cover surface temperature 26-i becomes stable (time t = t). _4a Thereafter, each time the film is formed, the temperature fluctuation between 225 ° C and 235 ° C is repeated).
[0046]
The third curve 3C corresponds to the second curve 2C, and when any one of the P film PL, the I film IL, and the N film NL is formed in the film forming chamber 12, the operation of the cartridge heater due to the elapse of the time t. It shows a change in the amount M1-i (i = 1, 2, 3) (unit:%). The cartridge heater operation amount M1-i is proportional band: p, integration time: T _I , Differentiation time: T _D , The difference Δ1 and the proportional gain: K _p , Integration time: T _I , Differentiation time: T _D , The difference Δ1 and the control current ΔI1-i calculated using each of the differences Δ1. The cartridge heater operation amount M1-1 is a value corresponding to the control current ΔI1-1, the cartridge heater operation amount M1-2 is a value corresponding to the control current ΔI1-2, and the cartridge heater operation amount M1-3 is the control current It is a value corresponding to ΔI1-3 (proportional gain: K _p And proportional band: p correspond).
[0047]
Next, the process of the process according to the solar cell film forming method of the present invention will be described. Preparations described in (Aa) and (Ab) are performed before the processing according to the solar cell film forming method is performed.
[0048]
(Aa) The set heater cover surface temperature ST1 is output from the output device 22 to the subtractor 23 by the operator, and the proportional gain: K _p , Proportional band: p, integration time: T _I , Differentiation time: T _D Are output from the output device 22 to the PID calculator 25. The subtractor 23 stores the set heater cover surface temperature ST1 input from the output device 22, and the PID calculator 25 stores the proportional gain: K input from the output device 22. _p , Proportional band: p, integration time: T _I , Differentiation time: T _D Are stored. (Ab) The intermediate product 13a is installed in the first chamber 11. By exhausting air remaining in each of the chambers from the valves 21-1, 21-2, and 21-3, each of the inside of the first chamber 11, the inside of the second chamber 13, and the first predetermined A high vacuum state is set in the region. By passing a current from the control device 10A to the cartridge heaters 16-i of the respective film forming chambers 12, the heating of the heater cover 18 by the cartridge heaters 16-i is started (the heater cover surface temperature 26-i depends on the set heater temperature). The temperature rises to the cover surface temperature ST1).
[0049]
After (Aa) and (Ab), the processes of (Ac) to (Ah) are sequentially performed, and the processes of steps S1a to S4a illustrated in FIG. 6 are performed.
[0050]
In (Ac) to (Ah), (Ac) the intermediate product 13a in the first chamber 11 is moved from the first chamber 11 to the heater cover 18 of the film forming chamber 12 for forming the P film PL. , (Ad) start of glow discharge in the film forming chamber 12 for forming the P film PL, and supply of the source gas 26P. Also, (Ac) to (Ah) include (Ae) a heater cover 18 of the film formation chamber 12 for forming the P film PL from the film formation chamber 12 for forming the I film IL for the intermediate product 14a. Upward movement, start of glow discharge in the film formation chamber 12 for forming the (Af) I film IL, and supply of the source gas 26I are included. Further, (Ac) to (Ah) include (Ag) a heater cover 18 of the film formation chamber 12 for forming the N film NL from the film formation chamber 12 for forming the I film IL for the intermediate product 15a. Upward movement, (Ah) start of glow discharge in the film forming chamber 12 for forming the N film NL, and supply of the source gas 26N are included.
[0051]
The thermocouples {circle around (1)} to {circle around (3)} detect the heater cover surface temperature 26-i (and fluctuations thereof) and transmit the detected heater cover temperature 26-i and the thermocouple instruction information 26-k to the control device 10A. (Step S1a). When the thermocouple instruction information 26-k and the heater cover surface temperature 26-i are input from the thermocouples (1) to (3), the subtractor 23 inputs the set heater cover surface temperature ST1 to be stored. A difference Δ1 from the heater cover surface temperature 26-i is calculated, and the calculated difference Δ1 and thermocouple instruction information 26-k are output to the PID calculator 25 (step S2a). The PID calculator 25 calculates the proportional gain: K input from the subtractor 23. _p , Integration time: T _I , Differentiation time: T _D Then, the PID calculation is performed by substituting the heater cover surface temperature 24-i and the difference Δ1 into a predetermined PID calculation expression to calculate the control current ΔI1-i. The PID calculator 25 calculates the proportional band: p and the integration time: T input from the subtractor 23. _I , Differentiation time: T _D The PID calculation is performed by substituting the heater cover surface temperature 24-i and the difference Δ1 into a predetermined PID calculation expression to calculate the cartridge heater operation amount M1-i (step S3a).
[0052]
The PID calculator 25 calculates the heater cover surface temperature / cartridge heater operation amount display data 3D and the numerical display data 3D ′ based on the calculated cartridge heater operation amount M1-i and the heater cover surface temperature 26-i, respectively. Is generated and output to the display unit 24 via each of the subtractor 23 and the output device 22. The display unit 24 displays these data on the display screen SC3 (Step S4a). The PID calculator 25 refers to the thermocouple instruction information 26-k and the current control target cartridge heater display table 1T, and controls any one of the cartridge heaters 16-i based on the control current ΔI1-i. Is performed (step S5a). In step S4a, each of the disturbance display data 2D and the numerical display data 2D 'shown on the display screen SC2 can also be displayed on the display unit 24 based on the operation of the operator.
[0053]
(Embodiment 2)
FIG. 7 shows a configuration of a solar cell film forming apparatus 200 according to Embodiments 2 and 3 of the present invention. The solar cell film forming apparatus 200 is connected to the film forming chamber 12, a chamber 10A 'provided with each of the first chamber 11 and the second chamber 13 installed adjacent to the film forming chamber 12, and the film forming chamber 12. A control device 10B is provided. Since the chamber 10A 'is the same as that described in the first embodiment, a detailed description thereof will be omitted. The control device 10B includes an output device 27, a display unit 28, a switching device 28A, a LAG device 29, a subtractor 30, a subtractor 31, a PID calculator 32, and a cyclist 33.
[0054]
Note that components denoted by the same reference numerals in FIG. 7 and FIG. 1 are the same as those in Embodiment 1 unless otherwise specified, and a detailed description thereof will be omitted below. Further, regarding the cartridge heater 16-i,
Since "control device 10A" is replaced with "control device 10B" and "control current ΔI1-i" is replaced with "control current ΔI2-i", detailed description thereof will be omitted.
Furthermore, for thermocouples (1) to (3),
And
The "control current .DELTA.I1-1" is "control current .DELTA.I2-1", "control current .DELTA.I1-2" is "control current .DELTA.I2-2", and "control current .DELTA.I1-3" is "control current .DELTA.I2-3". , "Control device 10A" is replaced with "control device 10B", and a detailed description thereof will be omitted.
[0055]
The output device 27 outputs the set heater cover surface temperature ST1 to the subtractor 30 in advance based on the operation of the operator. The output device 27 is connected to a display unit 28, and the display unit 28 displays a display screen SC1 shown in FIG. As described in the first embodiment, the display screen SC1 displays the operation data 1D, the P film operation data display request button 1B, the I film operation data display request button 2B, the N film operation data display request button 3B, and the setting button 4B. Are shown. For the display screen SC1 and the data shown therein,
[0034]
[0035]
In "PID operator 25", "PID operator 32", "control current ΔI1-i" is "control current ΔI2-i", "output device 22" is "output device 27", and "subtractor 23". Is replaced with "subtractor 30", respectively, and a detailed description thereof will be omitted.
[0056]
The subtractor 30 inputs the set heater cover surface temperature ST1 and a set heater cover surface temperature subtraction value STA predetermined with respect to the set heater cover surface temperature ST1 from the output device 27 based on the operation of the operator. . The subtractor 30 calculates a difference between the set heater cover surface temperature ST1 and the set heater cover surface temperature subtraction value STA (= set heater cover surface temperature ST2) and outputs the difference to the subtractor 31. The subtractor 31 stores the set heater cover surface temperature ST2 input from the subtractor 30. When the thermocouple instruction information 26-k and the heater cover surface temperature 26-i are input from the thermocouples (1) to (3), the subtractor 31 stores the set heater cover surface temperature ST2, The difference Δ2 from the input heater cover surface temperature 26-i is calculated. Further, the subtractor 31 outputs the calculated difference Δ2 and the thermocouple indication information 26-k to the PID calculator 32.
[0057]
Regarding the processing form of the PID calculation by the PID calculator 25,
And
In "PID operator 25", "PID operator 32", "Subtractor 23" is "Subtractor 31", "Difference Δ1" is "Difference Δ2", and "Output device 22" is "Output device 27". ". Regarding the processing form of the PID calculation,
And
In the table, "set heater cover surface temperature ST1" is set to "set heater cover surface temperature ST2", "control current ΔI1-i" is set to "control current ΔI2-i", and "cyclistor 25A" is set to "cyclister 33". Is the same as the one read as Therefore, in the second embodiment, a detailed description of the processing of the PID calculation (calculation of the control current ΔI2-i) by the PID calculator 25 is omitted.
[0058]
The PID calculator 32 generates the disturbance display data 2D and the numerical display data 2D 'and outputs them to the display unit 28 via the output device 27 (the display unit 28 displays the disturbance display data 2D on the display screen SC2). . The PID calculator 32 generates the heater cover surface temperature / cartridge heater operation amount display data 3D and the numerical display data 3D ′ shown in FIG. 8 and outputs them to the display unit 28 via the output device 27 (display). The unit 28 displays these data on the display screen SC4 in FIG. 8). Since the disturbance display data 2D and the disturbance have been described in the first embodiment, the description thereof is omitted here.
[0059]
The heater cover surface temperature / cartridge heater operation amount display data 4D shows a fourth curve 4C and a fifth curve 5C. The fourth curve 4C corresponds to the second curve 2C, and when any one of the P film PL, the I film IL, and the N film NL is formed in the film forming chamber 12, the surface of the heater cover due to the lapse of time t. This shows the fluctuation of the temperature 26-i. For example, one film formation cycle C′C ′ corresponds to cycle CC. At time t = 0, the intermediate product 13a (the same applies to the intermediate products 14a and 15a) is installed on the heater cover 18 at the set heater cover surface temperature ST2 in the film forming chamber 12 (any of three chambers). Sometimes equivalent. The fluctuation of the heater cover surface temperature 26-i indicated by the fourth curve 4C is based on the change of the heater cover surface temperature 26-i due to the disturbance and the control current ΔI2-i output by the PID calculator 32. This shows a combination with a change (increase) in the heater cover surface temperature 26-i due to the heating of the heater cover 18 by the heater 16-i. Here, the set heater cover surface temperature subtraction value STA = 5 ° C. is set. That is, in the fourth curve 4C, the set heater cover surface temperature ST2 is set to be 5 ° C. lower than the set heater cover surface temperature ST1 = 230 ° C. (set heater cover surface temperature ST2 = 225 ° C.). The heater cover surface temperature 26-i at the time is shown. (1a) is (1), (2a) is (2), (3a) is (3), (4a) is (4), (5a) is (5), (6a) is (6), (7a ) Corresponds to (7), (8a) corresponds to (8), (9a) corresponds to (9), (10a) corresponds to (10), (11a) corresponds to (11), and (12a) corresponds to (12). The difference between the values shown in the numerical display data 4D 'and the numerical display data 3D' ((1a)-(1), (2a)-(2), (3a)-(3), (4a)-(4) , (5a)-(5), (6a)-(6), (7a)-(7), (8a)-(8), (9a)-(9), (10a)-(10), ( 11a)-(11) and (12a)-(12)) are each at 5 ° C. The set heater cover surface temperature subtraction value STA is determined in consideration of the fluctuation width of the heater cover surface temperature 26-i (in each case, 10 ° C.).
[0060]
Time t = t _4a After that, the temperature fluctuation of the heater cover surface temperature 26-i becomes stable for the same reason as described in the first embodiment. That is, time t = t _4a Thereafter, the temperature change at 220 to 230 ° C. is repeated every cycle in which the film is formed. Therefore, time t = t _4a After this (corresponding to the tenth and subsequent film formation), film formation can be performed with the heater cover surface temperature 26-i set as the heater cover surface temperature ST1 (= 230 ° C.). That is, the film can be formed at a constant temperature (the film is formed after the lowered heater cover surface temperature 26-i is again increased to the set heater cover surface temperature ST1 by the glow discharge). . The temperature change in the range of a lower value compared to the case of Embodiment 1 (225 to 235 ° C.) is that the difference Δ2 is different from the set heater cover surface temperature ST1 and the heater cover surface temperature 26-i. , The control current ΔI2-i calculated in the PID calculation is correspondingly reduced, and as a result, the degree of heating of the heater cover 18 by the cartridge heater 16-i is also reduced.
[0061]
The fifth curve 5C indicates the cartridge heater operation amount M2-i (unit:%) over time t when one of the P film PL, the I film IL, and the N film NL is formed in the film forming chamber 12. The change is shown. The cartridge heater operation amount M2-i is proportional band: p, integration time: T _I , Differentiation time: T _D , The difference Δ2, and the proportional gain: K _p , Integration time: T _I , Differentiation time: T _D , The difference Δ2, and the control current ΔI2-i calculated using each of the differences Δ2. The cartridge heater operation amount M2-1 corresponds to the control current ΔI2-1, the cartridge heater operation amount M2-2 corresponds to the control current ΔI2-2, and the cartridge heater operation amount M2-3 corresponds to the control current ΔI2-3.
[0062]
The switching device 28A outputs a film formation start notification for notifying that film formation in the film formation chamber 12 has been started to the subtractor 31 via the LAG device 29 and the subtractor 30 based on the operation of the operator. . Further, the switching device 28A outputs a film formation end notification for notifying that the film formation in the film formation chamber 12 has been completed to the subtractor 31 via the LAG device 29 and the subtractor 30. When the heater cover surface temperature 26-i is input from the thermocouples (1) to (3) after the film formation start notification is input, the subtractor 31 sets the input heater cover surface temperature 26-i and the set heater. The difference Δ2 is calculated using the cover surface temperature ST2 and output to the PID calculator 32.
[0063]
(Embodiment 3)
In the third embodiment, the LAG device 29 stores a display table 2T corresponding to the number of times of film formation-set heater cover surface temperature subtraction value shown in FIG. The display table 2T for the number of film formation times-set heater cover surface temperature subtraction value shows the correspondence between the number of film formation times 2 to 10 / times and the set heater cover surface temperature subtraction value STA. The time t / min at the start of film formation at each of the number of times of film formation is 2 to 10 / times. In the display table 2T corresponding to the number of times of film formation-set heater cover surface temperature subtraction value, for example, in the second film formation, set heater cover surface temperature ST2 = ((set heater cover surface temperature ST1) -1). It has been shown. For example, in the first and second embodiments, since the set heater cover surface temperature ST1 is 230 ° C., the set heater cover surface temperature ST2 is 229 ° C. in the second film formation. The set heater cover surface temperatures ST2 in the fourth, sixth, eighth, and tenth film formation are 228 ° C, 227 ° C, 226 ° C, and 225 ° C, respectively. Although only the set heater cover surface temperature subtraction value STA corresponding to the even-numbered film formation is shown in FIG. 9, actually, the film formation frequency-set heater cover surface temperature subtraction value correspondence display table 2T is displayed. In the same manner, the set heater cover surface temperature subtraction value STA corresponding to the odd-numbered film formation is shown in the same manner.
[0064]
The LAG device 29 starts measuring the time t when a film formation start request is input from the switching device 28A. In addition, the LAG device 29 refers to the measurement result and the film formation frequency-set heater cover surface temperature subtraction value correspondence display table 2T, and based on the measured time t and the reference result (the film count at each time). A switching request for requesting the subtractor 30 to switch the set heater cover temperature ST2 based on the set heater cover surface temperature subtraction value STA (immediately before the time t at which the formation is started, etc.) And the set heater cover surface temperature subtraction value STA corresponding to the number of times / output. The subtractor 30 calculates the set heater cover surface temperature ST2 and outputs the same to the subtractor 31. In the third embodiment, since the set heater cover surface temperature subtracted value STA is output from the LAG device 29 as described above, the set heater cover surface temperature from the output device 27 is output as in the second embodiment. The output of the subtraction value STA is not performed. When the heater cover surface temperature 26-i is input from the thermocouples (1) to (3), the subtractor 31 calculates a difference Δ2 using the set heater cover surface temperature ST2 and the heater cover surface temperature 26-i. And outputs it to the PID calculator 32.
[0065]
The PID calculator 32 performs a PID calculation based on the difference Δ2 input from the subtractor 31. The PID calculator 32 generates the heater cover surface temperature / cartridge heater operation amount display data 5D and numerical display data 5D 'shown in FIG. The display unit 28 displays the generated heater cover surface temperature / cartridge heater operation amount display data 5D and numerical display data 5D 'on the display screen SC5.
[0066]
The heater cover surface temperature / cartridge heater operation amount display data 5D indicates a sixth curve 6C and a seventh curve 7C. The sixth curve 6C corresponds to the fourth curve 4C, and when any one of the P film PL, the I film IL, and the N film NL is formed in the film forming chamber 12, the surface of the heater cover due to the lapse of time t. This shows the fluctuation of the temperature 26-i. For example, one cycle C ″ of film formation corresponds to cycle C′C ′. At time t = 0, the intermediate product 13a (the same applies to the intermediate products 14a and 15a) is installed on the heater cover 18 at the set heater cover surface temperature ST2 in the film forming chamber 12 (any of three chambers). Sometimes equivalent. The fluctuation of the heater cover surface temperature 26-i shown in the sixth curve 6C is based on the change of the heater cover surface temperature 26-i due to the above-described disturbance and the control current ΔI2-i output by the PID calculator 32. This shows a combination with a change (increase) in the heater cover surface temperature 26-i due to the heating of the heater cover 18 by the heater 16-i. (1b) is (1a), (2b) is (2a), (3b) is (3a), (4b) is (4a), (5b) is (5a), (6b) is (6a), (7b ) Corresponds to (7a), (8b) corresponds to (8a), (9b) corresponds to (9a), (10b) corresponds to (10a), (11b) corresponds to (11a), and (12b) corresponds to (12a).
[0067]
In the third embodiment, different from the second embodiment, when the set heater cover surface temperature ST1 is 230 ° C., the temperature fluctuation range (220 to 230 ° C.) of the heater cover surface temperature 26-i is almost always constant. are doing. That is, when the set heater cover surface temperature ST1 is set to 230 ° C., the temperature change in the range of 220 to 230 ° C. is repeated at every time t in each cycle C ″ in which the film is formed. This is because of the fluctuation width of the heater cover surface temperature 26-i, the heater cover surface temperature 26-i when the intermediate product 13a is installed on the heater cover 18, and the heater cover surface temperature 26-i after glow discharge. This is because the set heater cover surface temperature subtraction value STA is set in consideration of the difference due to each time t. Thereby, in the third embodiment, it is possible to form a film with the heater cover surface temperature 26-i always being the set heater cover surface temperature ST1, and a more stable film formation is possible as compared with the second embodiment. It becomes.
[0068]
The fifth curve 5C corresponds to the fourth curve 4C, and when any one of the P film PL, the I film IL, and the N film NL is formed in the film forming chamber 12, the operation of the cartridge heater due to the elapse of the time t. It shows a change in the amount M2-i (unit:%). The cartridge heater operation amount M2-i is proportional band: p, integration time: T _I , Differentiation time: T _D , The difference Δ2, and the proportional gain: K _p , Integration time: T _I , Differentiation time: T _D , The difference Δ2, and the control current ΔI2-i calculated using each of the differences Δ2. The cartridge heater operation amount M2-1 is a value corresponding to the control current ΔI2-1, the cartridge heater operation amount M2-2 is a value corresponding to the control current ΔI2-2, and the cartridge heater operation amount M2-3 is a value corresponding to the control current ΔI2-3. Band: p is proportional gain: K _p Because it is proportional to the reciprocal of
[0069]
Next, the process of the solar cell film forming method according to Embodiments 2 and 3 of the present invention will be described. Before the process according to the solar cell film forming method is performed,
The preparation described in (Aa) and (Ab) is performed. However, in Embodiments 2 and 3,
The "output device 22" is "output device 27", the "subtractor 23" is "subtractor 30", the "PID calculator 25" is "PID calculator 32", and the "control device 10A" is "control device 10A". Device 10B ". In (Aa), the output device 27 outputs the set heater cover surface temperature subtraction value STA to the subtractor 30 in addition to the set heater cover surface temperature ST1 based on the operation of the operator (however, in the embodiment). In 3, the output heater 27 does not output the set heater cover surface temperature subtraction value STA). Further, in parallel with the processing of steps S1ba (or step S1bb) to S5ba, S5bb described below with reference to FIG.
The processing of (Ac) to (Ah) described above is performed in step (a). However, this processing is the same as that described above, and a description thereof will be omitted.
[0070]
Using the set heater cover surface temperature ST1 and the set heater cover surface temperature subtraction value STA input from the output device 27, the subtractor 30 calculates a set heater cover surface temperature ST2 and outputs it to the subtractor 31 (step S1ba). ). The thermocouples {circle around (1)} to {circle around (3)} detect the heater cover surface temperature 26-i (and fluctuations thereof), and subtract the detected heater cover temperature 26-i and thermocouple instruction information 26-k into a subtractor 32. (Step S2b). When the thermocouple instruction information 26-k and the heater cover surface temperature 26-i are input from the thermocouples (1) to (3), the subtractor 32 inputs the set heater cover surface temperature ST2 to be stored. The difference Δ2 from the heater cover surface temperature 26-i is calculated, and the calculated difference Δ2 and the thermocouple instruction information 26-k are output to the PID calculator 32 (Step S3b). The PID calculator 32 calculates the proportional gain: K input from the subtractor 31. _p , Integration time: T _I , Differentiation time: T _D Then, the PID calculation is performed by substituting the heater cover surface temperature 26-i and the difference Δ2 into a predetermined PID calculation expression to calculate the control current ΔI2-i. The PID calculator 32 calculates the proportional band: p and the integration time: T input from the subtractor 31. _I , Differentiation time: T _D The PID calculation is performed by substituting the heater cover surface temperature 26-i and the difference Δ2 into a predetermined PID calculation expression to calculate the cartridge heater operation amount M2-i (step S4b).
[0071]
The PID calculator 32 calculates the heater cover surface temperature / cartridge heater operation amount display data 4D and the numerical display data 4D 'based on the calculated cartridge heater operation amount M2-i and the heater cover surface temperature 26-i, respectively. Is generated and output to the display unit 28 via the output device 27. The display unit 28 displays these data on the display screen SC4 of FIG. 5 (Step S5ba). The PID calculator 32 refers to the thermocouple instruction information 26-k and the current control target cartridge heater display table 1T and controls any one of the cartridge heaters 16-i based on the control current ΔI2-i. Is performed (step S5bb).
[0072]
above
[0070]
FIG. 11 is a description of a method for forming a solar cell film according to Embodiment 2 of the present invention. In the method for forming a solar cell film according to Embodiment 3 of the present invention,
Step S1ba in step S1bb is replaced by step S1bb,
[0070]
Is the same as Steps S5ba and S5bb are performed in any of the second and third embodiments.
[0073]
The switching device 28A outputs, to the LAG device 29, a film formation start notification for notifying that the film formation in the film formation chamber 12 has been started based on the operation of the operator. The LAG device 29 starts measuring the time t when a request for starting film formation is input from the switching device 28A (step S1bb).
[0074]
Further, in the third embodiment, after step S1bb, in parallel with the processing of steps S2b to S5ba and S5bb, the following
The processing described in the above is performed.
[0075]
The LAG device 29 refers to the measurement result of the time t and the display number table 2T corresponding to the number of times of film formation-set heater cover surface temperature subtraction value, and based on the measured time t and the reference result (the film count of each time). A switching request for requesting the subtractor 30 to switch the set heater cover temperature ST2 based on the set heater cover surface temperature subtraction value STA (immediately before the time t at which the formation is started, etc.) And the set heater cover surface temperature subtraction value STA corresponding to the number of times / output. The subtractor 30 calculates the set heater cover surface temperature ST2 and outputs the same to the subtractor 31.
[0076]
(Embodiment 4)
FIG. 12 shows a configuration of a solar cell film forming apparatus 300 according to Embodiments 4 and 5 of the present invention. The solar cell film forming apparatus 300 is connected to the film forming chamber 12, a chamber 10A 'including each of the first chamber 11 and the second chamber 13 installed adjacent to the film forming chamber 12, and the film forming chamber 12. A control device 10C is provided. Since the chamber 10A 'is the same as that described in the first embodiment, a detailed description thereof will be omitted. The control device 10C includes an output device 41, a display unit 42, a switching device 43, a LAG device 44, an adder 45, a subtractor 46, a PID calculator 47, and a cyclist 48.
[0077]
Note that components denoted by the same reference numerals in FIG. 12 and FIG. 1 (and FIG. 7) are the same as those in Embodiments 1 to 3 unless otherwise specified, and will be described in detail below. Is omitted. Further, regarding the cartridge heater 16-i,
Since "control device 10A" is replaced with "control device 10C" and "control current ΔI1-i" is replaced with "control current ΔI3-i", detailed description thereof will be omitted. Furthermore, for thermocouples (1) to (3),
And
The "control current .DELTA.I1-1" is "control current .DELTA.I3-1", "control current .DELTA.I1-2" is "control current .DELTA.I3-2", and "control current .DELTA.I1-3" is "control current .DELTA.I3-3". , "Control device 10A" is replaced with "control device 10C", and a detailed description thereof will be omitted.
[0078]
The output device 41 outputs the set heater cover surface temperature ST1 to the subtractor 46 in advance and outputs the heater cover surface temperature subtracted value STB to the adder 45 based on the operation of the operator. The output device 41 is connected to the display unit 42, and the display unit 42 displays a display screen SC1 shown in FIG. As described in the first embodiment, the display screen SC1 displays the operation data 1D, the P film operation data display request button 1B, the I film operation data display request button 2B, the N film operation data display request button 3B, and the setting button 4B. Are shown. For the display screen SC1 and the data shown therein,
[0034]
[0035]
In "PID operator 25", "PID operator 47", "control current ΔI1-i" is "control current ΔI3-i", "output device 22" is "output device 41", and "subtractor 23". Is replaced with "subtractor 46", respectively, and a detailed description thereof will be omitted.
[0079]
The adder 45 inputs the heater cover surface temperature subtraction value STB from the output device 41 based on the operation of the operator. The adder 45 adds the heater cover surface temperature addition value STB input from the output device 41 to the heater cover surface temperature 26-i input from the thermocouples (1) to (3) to obtain the heater cover surface temperature. The conversion value (26-i) ′ is calculated and output to the subtractor 46. The subtractor 46 receives and stores the set heater cover surface temperature ST1 from the output device 41 based on the operation of the operator. When the heater cover surface temperature conversion value (26-i) ′ is input from the adder 45, the subtractor 46 sets the input heater cover surface temperature conversion value (26-i) ′, the set heater cover surface temperature ST1 and Is calculated and output to the PID calculator 47.
[0080]
Regarding the processing form of the PID calculation by the PID calculator 47,
And
In "PID operator 25", "PID operator 47", "Subtractor 23" is "Subtractor 46", "Difference .DELTA.1" is "Difference .DELTA.3", and "Output device 22" is "Output device 41". ". Regarding the processing form of the PID calculation,
And
This is the same as that in which "control current ΔI1-i" is replaced with "control current ΔI3-i" and "cyclist 25A" is replaced with "cyclist 48". Therefore, in the fourth embodiment, a detailed description of the processing of the PID calculation (calculation of the control current ΔI3-i) by the PID calculator 47 is omitted.
[0081]
The PID calculator 47 generates the disturbance display data 2D and the numerical display data 2D ′ and outputs them to the display unit 42 via the output device 41 (the display unit 42 displays the disturbance display data 2D on the display screen SC2). . The PID calculator 47 generates the heater cover surface temperature / cartridge heater operation amount display data 4D and the numerical display data 4D ′ shown in FIG. 8 and outputs them to the display unit 42 via the output device 41 (display). The unit 42 displays these data on the display screen SC4 in FIG. 8). Since the disturbance display data 2D, the numerical display data 2D ', and the disturbance have been described in the first embodiment, description thereof will be omitted here. In addition, each of the heater cover surface temperature / cartridge heater operation amount display data 4D and the numerical value display data 4D 'has been described in the second embodiment, and a description thereof will be omitted.
[0082]
In the fourth embodiment,
For the same reason as described above, the time t = t ₄ Thereafter, the film formation can be performed with the heater cover surface temperature 26-i set to the set heater cover surface temperature ST1 (= 230 ° C.). As compared with the case of Embodiment 1 (225 to 235 ° C.), time t = t ₄ After that, the temperature changes in a low value range (220 to 230 ° C.). This is because the difference Δ3 is smaller than the difference between the set heater cover surface temperature ST1 and the heater cover surface temperature 26-i, so that the control current ΔI3-i calculated in the PID calculation also becomes smaller. This is because the degree of heating of the heater cover 18 by the cartridge heater 16-i is also reduced.
[0083]
The switching device 43 outputs a film formation start notification for notifying that the film formation in the film formation chamber 12 has been started to the adder 45 via the LAG device 29 based on the operation of the operator. Further, the switching device 43 outputs a film formation end notification for notifying that the film formation in the film formation chamber 12 has been completed to the adder 45 via the LAG device 29. When the heater cover surface temperature 26-i is input from the thermocouples (1) to (3) after the film formation start notification is input, the adder 45 converts the input heater cover surface temperature 26-i into the heater cover. It is converted into a surface temperature conversion value (26-i) 'and output to the subtractor 46.
[0084]
(Embodiment 5)
In the fifth embodiment, the LAG device 44 stores a display table 3T corresponding to the number of times of film formation-added heater cover surface temperature shown in FIG. The display table 3T for the number of film formation times-set heater cover surface temperature addition value shows the correspondence between the number of film formation times 2 to 10 / times and the heater cover surface temperature addition value STB. The time t / min from the start of film formation is also appended to the number of film formations of 2 to 10 / times. Heater cover surface temperature conversion value (26-i) ′ = ((heater cover surface temperature 26-i) + heater cover surface temperature addition value STB). For example, in the second film formation, the thermocouples (1) to (3) detect the heater cover surface temperature 26-i = 219 to 229 ° C., and in the second film formation, the thermocouples (1) to (3) When ▼ detects that the heater cover surface temperature 26-i = 218 to 228 ° C., it is converted to 220 to 230 ° C. based on FIG. Although FIG. 13 shows only the heater cover surface temperature addition value STB corresponding to the even-numbered film formation, actually, the film formation frequency-heater cover surface temperature addition value correspondence display table 3T includes: The heater cover surface temperature addition value STB corresponding to the odd-numbered film formation is also shown in a similar form.
[0085]
The LAG device 44 starts measuring time t when a film formation start request is input from the switching device 43. Further, the LAG device 44 refers to the measurement result and the display number table 3T corresponding to the number of times of film formation-heater cover surface temperature addition, and based on the measured time t and the reference result (for each number of times of film formation). A change request for requesting the adder 45 to switch the input heater cover surface temperature 26-i to the heater cover surface temperature conversion value (26-i) ', immediately before the time t at which The heater cover surface temperature addition value STB corresponding to the number of formations of 2 to 10 times is output. As described above, in the fifth embodiment, since the heater cover surface temperature addition value STB is output from the LAG device 44, unlike the fourth embodiment, the heater cover surface temperature addition value from the output device 41 is different. STB is not output.
[0086]
The adder 45 calculates a heater cover surface temperature conversion value (26-i) ′ using the heater cover surface temperature 26-i and the heater cover surface temperature addition value STB, and outputs the converted value to the subtractor 46. The subtractor 46 calculates a difference Δ3 using the set heater cover surface temperature ST1 and the converted value of the heater cover surface temperature (26-i) ′, and outputs the difference Δ3 to the PID calculator 47.
[0087]
The PID calculator 47 performs a PID calculation based on the difference Δ3 input from the subtractor 46. The PID calculator 47 generates the heater cover surface temperature / cartridge heater operation amount display data 5D and the numerical display data 5D 'shown in FIG. The display unit 28 displays the generated heater cover surface temperature / cartridge heater operation amount display data 5D and numerical display data 5D 'on the display screen SC5. Each of the heater cover surface temperature / cartridge heater operation amount display data 5D and the numerical value display data 5D 'has been described in the third embodiment, and a description thereof will be omitted.
[0088]
In the fifth embodiment,
For the same reason as described above, unlike the fourth embodiment, when the set heater cover surface temperature ST1 = 230 ° C., the temperature fluctuation range of the heater cover surface temperature 26-i (220 to 230) ° C) is always almost constant. That is, when the set heater cover surface temperature ST1 is set to 230 ° C., the temperature change in the range of 220 to 230 ° C. is repeated at every time t in each cycle C ″ in which the film is formed. This is because of the fluctuation width of the heater cover surface temperature 26-i, the heater cover surface temperature 26-i when the intermediate product 13a is installed on the heater cover 18, and the heater cover surface temperature 26-i after glow discharge. This is because the set heater cover surface temperature addition value STB is set in consideration of the difference due to each time t. Therefore, it is possible to always perform the film formation with the heater cover surface temperature 26-i set to the set heater cover surface temperature ST1, and it is possible to form a more stable film as compared with the fourth embodiment.
[0089]
Next, the process of the solar cell film forming method according to Embodiments 4 and 5 of the present invention will be described. Before the process according to the solar cell film forming method is performed,
The preparation described in (Aa) and (Ab) is performed. However, in Embodiments 4 and 5,
The "output device 22" is "output device 41", the "subtractor 23" is "subtractor 46", the "PID operator 25" is "PID operator 47", and the "control device 10A" is "control device 10A". Device 10C ". In (Aa), the output device 41 outputs the set heater cover surface temperature addition value STB to the subtractor 46 in addition to the set heater cover surface temperature ST1 based on the operation of the operator (however, in the embodiment). In No. 5, the output device 41 of the set heater cover surface temperature addition value STB is not output). In parallel with the processing of steps S1c to S6c described below with reference to FIG.
The processing of (Ac) to (Ah) described above is performed in step (a). However, this processing is the same as that described above, and a description thereof will be omitted.
[0090]
The switching device 43 outputs a film formation start notification for notifying that the film formation in the film formation chamber 12 has been started to the LAG device 44 based on the operation of the operator. The LAG device 44 starts measuring the time t when a film formation start request is input from the switching device 43 (Step S1c). The thermocouples {circle around (1)} to {circle around (3)} detect the heater cover surface temperature 26-i (and fluctuations thereof), and transmit the detected heater cover temperature 26-i and the thermocouple instruction information 26-k to the control device 10C. (Step S2c). The adder 45 uses the set heater cover surface temperature addition value STB stored when the thermocouple instruction information 26-k and the heater cover surface temperature 26-i are input from the thermocouples (1) to (3). The heater cover surface temperature conversion value (26-i) 'is calculated, and the calculated heater cover surface temperature conversion value (26-i)' and thermocouple instruction information 26-k are output to the subtractor 46 (step S3c). ). The subtractor 46 calculates the difference Δ3 between the stored set heater cover surface temperature ST1 and the converted value of the heater cover surface temperature (26-i) ′ and outputs it to the PID calculator 47 (Step S4c).
[0091]
The PID calculator 47 calculates the proportional gain: K input from the subtractor 31. _p , Integration time: T _I , Differentiation time: T _D Then, the PID calculation is performed by substituting the heater cover surface temperature 26-i and the difference Δ2 into a predetermined PID calculation expression, and the control current ΔI3-i is calculated. The PID calculator 32 calculates the proportional band: p and the integration time: T input from the subtractor 31. _I , Differentiation time: T _D The PID calculation is performed by substituting the heater cover surface temperature 26-i and the difference Δ3 into a predetermined PID calculation expression to calculate the cartridge heater operation amount M3-i (step S5c). The PID calculator 32 calculates the heater cover surface temperature / cartridge heater operation amount display data 4D and the numerical display data 4D 'based on the calculated cartridge heater operation amount M3-i and the heater cover surface temperature 26-i, respectively. Is generated and output to the display unit 42 via the output device 41. The display unit 42 displays these data on the display screen SC4 of FIG. 8 (Step S5ca). The PID calculator 32 refers to the thermocouple instruction information 26-k and the current control target cartridge heater display table 1T and controls any one of the cartridge heaters 16-i based on the control current ΔI3-i. Is performed (step S5cb).
[0092]
Step S1c is performed only in the fifth embodiment. Steps S5ca and S5cb are performed in any of the fourth and fifth embodiments. In the fifth embodiment, after step S1c, the following processes are performed together with the processes of steps S2c to S5ca and S5cb.
The processing described in [1] is performed.
[0093]
The LAG device 44 refers to the measurement result of the time t and the display table 3T corresponding to the number of times of film formation-the set heater cover surface temperature added value, and based on the measured time t and the reference result (the film count of each time). The input heater cover surface temperature 26-i is input to the adder 45 based on the set heater cover temperature addition value STB corresponding to the number of film formations of 2 to 10 / times (just before the time t when the formation is started). And outputs a switching request for switching to the heater cover surface temperature conversion value (26-i) ′. The adder 45 outputs the heater cover surface temperature conversion value (26-i) ′ calculated in response to the switching request to the subtractor 46.
[0094]
【The invention's effect】
With the solar cell film forming apparatus of the present invention, when forming a solar cell film repeatedly in the film forming chamber, it is possible to control so that the film formation is always performed at a preset support plate temperature (the above set temperature). It becomes possible.
[0095]
According to the solar cell film forming apparatus of the present invention, a method of forming a solar cell film using the above solar cell film forming apparatus is provided.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a diagram showing a configuration according to a first embodiment of a solar cell film forming apparatus of the present invention.
FIG. 2 is a view showing a display screen SC1 according to Embodiments 1 to 5 of the solar cell film forming apparatus of the present invention.
FIG. 3 is a diagram showing a current control cartridge heater display table according to the first to fifth embodiments of the solar cell film forming apparatus of the present invention.
FIG. 4 is a view showing a display screen SC2 according to Embodiments 1 to 5 of the solar cell film forming apparatus of the present invention.
FIG. 5 is a diagram showing a display screen SC3 according to Embodiment 1 of the solar cell film forming apparatus of the present invention.
FIG. 6 is a view showing a process of a process according to Embodiment 1 of the method for forming a solar cell film of the present invention.
FIG. 7 is a view showing a configuration according to Embodiments 2 and 3 of a solar cell film forming apparatus of the present invention.
FIG. 8 is a diagram showing a display screen SC4 according to Embodiments 2 and 4 of the solar cell film forming apparatus of the present invention.
FIG. 9 is a diagram showing a display table corresponding to the number of times of film formation-set heater cover temperature subtraction value according to the second and third embodiments of the solar cell film forming apparatus of the present invention.
FIG. 10 is a view showing a display screen SC4 according to Embodiments 3 and 5 of the solar cell film forming apparatus of the present invention.
FIG. 11 is a view showing a process of processing according to Embodiments 2 and 3 of the solar cell film forming method of the present invention.
FIG. 12 is a diagram showing a configuration according to Embodiments 4 and 5 of a solar cell film forming apparatus of the present invention.
FIG. 13 is a diagram showing a film formation frequency-set heater cover temperature addition value display table according to the third and fifth embodiments of the solar cell film forming apparatus of the present invention.
FIG. 14 is a view showing a process of a process according to Embodiments 4 and 5 of the solar cell film forming method of the present invention.
FIG. 15 is a diagram showing an amorphous solar cell according to Embodiments 1 to 5 of the solar cell film forming apparatus of the present invention and a conventional technique.
[Explanation of symbols]
(1)-(3): Thermocouple
10A ': chamber
10A, 10B, 10C: Control device
11: Room 1
11A: Separator
12: film formation chamber
12A: Separator
13: Room 2
14-1, 14-2, 14-3, 14-4, 14-5: Gas cylinder
15-1, 15-2, 15-3, 15-4, 15-5: stopper
16-1, 16-2, 16-3: cartridge heater
17: Water-cooled reflector
18: Heater cover
19: Electrode
19A: Deposition plate
20-1, 20-2: Gas inlet
21-1, 21-2, 21-3: Valve
22: Output device
23: Subtractor
24: Display section
25: PID calculator
25A: cyclista
26P, 26I, 26N: source gas
26-i (i = 1, 2, 3): heater cover surface temperature
(26-i) ′ (i = 1, 2, 3): heater cover surface temperature conversion value
26-k (k = (1), (2), (3))
AIR: air
27: Output device
28: Display section
29: LAG device
30: subtractor
31: Adder
32: PID calculator
33: cyclista
41: Output device
42: Display section
43: Switching device
44: LAG device
45: Adder
46: Subtractor
47: PID calculator
48: Cyclista
100, 200, 300: Solar cell film forming apparatus
11a: glass substrate
12a: transparent electrode film
13a, 14a, 15a: Intermediate product
ST: Set heater cover surface temperature
TS: Set heater surface temperature
K _p : Proportional gain
p: proportional band
T _I : Integration time
T _D : Differentiation time
1B: P film calculation data display request button
2B: I film operation data display request button
3B: N film operation data display request button
4B: Setting button
1C to 7C: first to seventh curves
1D: Calculation data
2D: disturbance display data
3D, 4D, 5D: Heater cover surface temperature-cartridge heater operation amount display data
3D ', 4D', 5D ': Numerical display data
ΔI1-i, ΔI2-i, ΔI3-i (i = 1, 2, 3): control current
M1-i, M2-i, M3-i: cartridge heater operation amount
Δ1, Δ2, Δ3: difference
PL: P film
IL: I film
NL: N film
ST1, ST2: Set heater cover surface temperature
1T, 2T: Cartridge heater display table for current control

Claims

A film formation chamber for repeatedly forming a solar cell film on a substrate, a support plate on which the substrate is supported, and a heater for heating the support plate are installed in the film formation chamber,
A support plate temperature detection unit that detects a support plate temperature that is the temperature of the support plate,
The support plate temperature detected by the support plate temperature detection unit and the support plate temperature when the solar cell film is repeatedly formed in the film forming chamber so that the support plate temperature becomes the first set support plate temperature. A solar cell film forming apparatus, comprising: a support plate temperature adjusting unit that adjusts the support plate temperature based on the second set support plate temperature determined based on the fluctuation width.

In claim 1,
When the solar cell film is formed in the film forming chamber, discharge is performed in the film forming chamber, and the temperature of the support plate drops due to the substrate being placed on the support plate, and the temperature of the support plate drops. The support plate temperature is increased by the discharge and the control of the heating of the heater by the support plate temperature adjustment unit, and the variation width is a temperature difference between the lowered support plate temperature and the increased support plate temperature. The second set support plate temperature is calculated by subtracting a set value determined based on the temperature difference from the first set support plate temperature,
The solar cell film forming apparatus, wherein the support plate temperature controller adjusts the support plate temperature based on the calculated second set support plate temperature and the support plate temperature detected by the support plate temperature detector.

In claim 2,
The set value, when the solar cell film is repeatedly formed in the film forming chamber, is determined based on each of the raised support plate temperature and each of the lowered support plate temperature and the temperature difference,
The support plate temperature adjustment unit includes a second set support plate temperature calculated by subtracting the determined set value from the first set support plate temperature, and a support plate temperature detected by the support plate temperature detection unit. A solar cell film forming apparatus that adjusts the temperature of the support plate based on the above.

A film formation chamber for repeatedly forming a solar cell film on a substrate, a support plate on which the substrate is supported, and a heater for heating the support plate are installed in the film formation chamber,
A support plate temperature detection unit that detects a support plate temperature that is the temperature of the support plate,
The support plate temperature detected by the support plate temperature detection unit, the support plate temperature detected by the support plate temperature detection unit, and the film formation of the solar cell film so that the support plate temperature becomes the set support plate temperature. A support plate temperature adjustment unit that converts the temperature based on the variation width of the support plate temperature when repeatedly forming the chamber and adjusts the support plate temperature based on the converted support plate temperature and the set support plate temperature. A solar cell film forming apparatus comprising:

In claim 4,
When the solar cell film is formed in the film forming chamber, discharge is performed in the film forming chamber, and the temperature of the support plate is lowered by installing the substrate on the support plate. The plate temperature is increased by the discharge and the control of the heating of the heater by the support plate temperature adjustment unit, and the fluctuation range indicates a temperature difference between the lowered support plate temperature and the increased support plate temperature, The support plate temperature converted by the support plate temperature adjustment unit is calculated by adding a set value determined based on the temperature difference to the support plate temperature detected by the support plate temperature detection unit,
The solar cell film forming apparatus, wherein the support plate temperature controller adjusts the support plate temperature based on the set support plate temperature and the calculated support plate temperature.

In claim 5,
The set value, when the solar cell film is repeatedly formed in the film forming chamber, is determined based on each of the raised support plate temperature and each of the lowered support plate temperature and the temperature difference,
The support plate temperature adjustment unit, based on the support plate temperature and the set support plate temperature calculated by adding the determined set value to the support plate temperature detected by the support plate temperature detection unit. A solar cell film forming device that adjusts the temperature of the support plate.

A film formation chamber for repeatedly forming a solar cell film on a substrate, a support plate on which the substrate is supported, and a heater for heating the support plate are installed in the film formation chamber,
A support plate temperature detection unit that detects a support plate temperature that is the temperature of the support plate,
The support plate temperature is adjusted based on the support plate temperature detected by the support plate temperature detection unit and the set support plate temperature so that the solar cell film is formed at the set support plate temperature on the support plate. A solar cell film forming apparatus comprising: a support plate temperature controller.

In claim 7,
When the solar cell film is formed in the film forming chamber, discharge is performed in the film forming chamber, and the temperature of the support plate is lowered by installing the substrate on the support plate. The plate temperature is increased by the discharge and the control of heating of the heater by the support plate temperature adjustment unit,
The solar cell film forming apparatus, wherein the support plate temperature controller adjusts the support plate temperature based on each of the set support plate temperature, the raised support plate temperature, and the lowered support plate temperature.

In a solar cell film forming method performed by a solar cell film forming apparatus including each of a film forming chamber, a support plate temperature detecting unit, and a support plate temperature adjusting unit for repeatedly performing formation of a solar cell film on a substrate,
In the film forming chamber, a support plate on which the substrate is supported, and a heater for heating the support plate are installed,
The support plate temperature detection unit detects a support plate temperature that is the temperature of the support plate,
The support plate temperature adjustment unit repeatedly forms the solar cell film in the film formation chamber and the support plate temperature detected by the support plate temperature detection unit so that the support plate temperature becomes the first set support plate temperature. Adjusting the temperature of the support plate based on the second set support plate temperature determined based on the fluctuation range of the temperature of the support plate.

In a solar cell film forming method performed by a solar cell film forming apparatus including each of a film forming chamber, a support plate temperature detecting unit, and a support plate temperature adjusting unit for repeatedly forming a solar cell film on a substrate. ,
In the film forming chamber, a support plate on which the substrate is supported, and a heater for heating the support plate are installed,
The support plate temperature detection unit detects a support plate temperature that is the temperature of the support plate,
The support plate temperature adjustment unit, the support plate temperature detected by the support plate temperature detection unit, the support plate temperature detected by the support plate temperature detection unit, so that the support plate temperature becomes the set support plate temperature, Converting based on the fluctuation width of the support plate temperature when the solar cell film is repeatedly formed in the film forming chamber, the support plate temperature based on the converted support plate temperature and the set support plate temperature. Adjusting the temperature of the solar cell.