JP2004094197A - Electrooptical device, driving apparatus and method for electrooptical device, and electronic equipment - Google Patents

Electrooptical device, driving apparatus and method for electrooptical device, and electronic equipment Download PDF

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青木　透
Masaya Ishii
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce uneven pixels and flickers at both of a center and periphery of an image display area in an electrooptical device such as a liquid crystal device. <P>SOLUTION: The electrooptical device is provided with a plurality of pixel electrodes (9a), a TFT (thin film transistor) (30) which performs switching control of the pixel electrodes, a scanning line (3a) which supplies scanning signals to a gate of the TFT, a data line (6a) which supplies image signals to the pixel electrodes via the TFT when the TFT is made into an on state and a scanning signal supply circuit (104) which supplies the scanning signals in line sequence on a substrate (10). The scanning line supply circuit fixes the scanning signals at intermediate potential in process of high potential for making the TFT into the on state and low potential for making the TFT into an off state just for a prescribed time. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶装置等の電気光学装置の技術分野に属し、特にマトリクス状に配列された画素電極をスイッチング制御するトランジスタを備えており画素行毎に設けられた走査線に走査信号を線順次に供給することでアクティブマトリクス駆動を行う形式の電気光学装置、そのような電気光学装置に好適に用いられる駆動装置、及びそのような電気光学装置を備えた電子機器の技術分野に属する。
【０００２】
【背景技術】
この種の電気光学装置は、基板上に、画素電極、該画素電極をスイッチングするための薄膜トランジスタ（以下適宜、ＴＦＴと称する）、該ＴＦＴのゲートに走査信号を供給する走査線、該ＴＦＴのソースに画像信号を供給するデータ線、画素電極に接続された蓄積容量等が、画像表示領域に設けられている。そして、画像表示領域の周辺に位置する周辺領域には、走査線に走査信号を供給する走査線駆動回路が設けられ、データ線に画像信号を供給するデータ線駆動回路やサンプリング回路等の駆動回路が設けられる。
【０００３】
より具体的には、走査線駆動回路は、パルス状の波形を持つ走査信号を走査線毎或いは行毎に線順次で供給する。即ち、第ｍ（但し、ｍは自然数）行目の走査線に接続されたＴＦＴをオフし、これと同時に、第ｍ＋１行目の走査線に接続されたＴＦＴをオンするように走査信号を供給する。これと並行して、データ線駆動回路は、走査信号によりオンされたＴＦＴのソースからドレインを介して画素電極に画像信号を書き込むように、水平走査期間毎に、各データ線に画像信号を供給する。そして、このような走査信号及び画像信号の供給により、一水平走査期間で一行分の画像が書き込まれる。更に、この書き込み動作が、垂直走査期間で全行に対して順次行われることで、一枚分の画像が書き込まれるように構成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、マトリクス状に平面配列された画素電極の間隙に、ＴＦＴ、走査線、容量線、データ線等は、作り込まれるので、第ｍ＋１行目の画素電極は、第ｍ行目のＴＦＴのドレイン、走査線、容量線等との間に寄生容量を有する。このため、パルス状の波形を持つ走査信号を用いて、第ｍ行目のＴＦＴをオフする瞬間に、第ｍ＋１行目のＴＦＴをオンすると、第ｍ行目の画素電極に書き込まれる画像信号中に第ｍ＋１行目における走査信号等がノイズとして飛び込む。これにより、各画素電極で本来保持すべき画素電位が変動してしまう。特に寄生容量には画素単位でムラがあるために、最終的に表示される画像上で画素ムラが生じるという問題点がある。
【０００５】
しかも、表示画像の高精細化という当該技術分野における一般的要請に沿うべく、画素ピッチを微細化するのに応じて、上述の第ｍ＋１行目の画素電極と第ｍ行目のＴＦＴのドレイン、走査線、容量線等との間の寄生容量は相対的に大きくなるため、上記問題はより深刻化してしまう。
【０００６】
更に、走査信号の波形は、その配線容量に応じてなまる。このため、走査信号がなまる度合いは、走査線駆動回路に近い画像表示領域の周辺部と、走査線駆動回路から遠い画像表示領域の中央部とでは、後者の方が大きくなる。このため、ＴＦＴのオンオフのタイミングは、走査信号の波形のなまる度合いに応じて、周辺部と中央部とで相異なってしまう。この結果、上述の如くＴＦＴをオフする際に画像信号に飛び込む次行の走査信号等によるノイズの影響も、周辺部と中央部とで相互に異なる。従って特に、液晶等の劣化防止やフリッカ防止用に、フィールド周期等で各画素電極に係る駆動電位を反転させる交流反転駆動を採用する場合には、画像表示領域の中央部で、液晶にかかる電位に直流成分が生じないように対向電極の電位を調節すると、周辺部ではこのような直流成分が生じてしまう。逆に、画像表示領域の周辺部で、液晶にかかる電位に直流成分が生じないように走査信号の電位等を調節すると、中央でこのような直流成分が生じてしまう。このために、周辺部又は中央部で、フリッカが発生するという問題点がある。
【０００７】
他方、第ｍ行目の走査線及びこれにより駆動させる第ｍ行目のＴＦＴについて考慮しても、走査線とＴＦＴのドレインとの間には、寄生容量が存在するので、走査信号のパルス状の波形がドレインにおける画素電位に影響を与える。具体的には、対応するゲートがオフされる瞬間に、画像信号の電位に、走査線のパルス状の波形に応じたパルス状の電位がノイズとしてのって画素電位として保持される。従って、この場合にも、周辺部と中央部とで走査信号がなまる度合いが相異なることに起因して、画像信号に飛び込むノイズの影響も、周辺部と中央部とで相互に異なる。このために、液晶にかかる電位が異なり、輝度レベルが異なるとともに、交流反転時には、周辺部と中央部とのいずれかでフリッカが発生するという問題点がある。尚、このようなフリッカの発生を防止するために走査信号の立下り波形を、矩形波形ではなく、ランプ波形或いは階段状波形にする技術が、特開平６−１１００３５号公報に開示されている。しかしながら、この方法では、上述した第ｍ＋１行目の画素電極と第ｍ行目のＴＦＴのドレイン、走査線、容量線等との間の寄生容量に起因した画素ムラやフリッカの発生を防止することはできない。
【０００８】
本発明は上記問題点に鑑みなされたものであり、画像表示領域の中央部及び周辺部の両者における輝度ムラやフリッカの低減を可能ならしめ、高品位の画像表示が可能な電気光学装置、そのような電気光学装置に好適に用いられる駆動装置、及びそのような電気光学装置を備えた電子機器を提供することを課題とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上に、マトリクス状に配置された複数の画素電極と、該画素電極をスイッチング制御する薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタのゲートに対して前記薄膜トランジスタをオン状態又はオフ状態にする走査信号を供給すべく前記画素電極の行に対応して設けられた走査線と、前記薄膜トランジスタが前記オン状態にされた際、そのソース及びドレインを介して画像信号を前記画素電極に供給すべく前記画素電極の列に対応して設けられたデータ線と、前記走査信号を前記走査線に線順次で供給する走査信号供給手段とを備えており、前記走査信号供給手段は、前記薄膜トランジスタを前記オン状態にする高電位から前記オフ状態にする低電位まで前記走査信号の電位を変化させる途中及び前記低電位から前記高電位まで前記走査信号の電位を変化させる途中に、前記走査信号の電位を前記高電位及び前記低電位間にある中間電位に所定時間だけ固定する。
【００１０】
本発明の電気光学装置によれば、その動作時には、走査信号供給手段から基板上に備えられた走査線を介して走査信号が線順次で薄膜トランジスタのゲートに供給される。これと並行して、データ線を介して画像信号が薄膜トランジスタのソースに供給される。すると、走査信号によりオン状態にされた薄膜トランジスタを介して、各画素電極に画像信号が書き込まれる。従って、アクティブマトリクス駆動方式による電気光学動作が可能となる。
【００１１】
ここで特に、走査信号供給手段は、各走査線について、高電位から低電位まで走査信号の電位を変化させる途中に、走査信号の電位を中間電位に所定時間だけ固定する。更に、各走査線について、低電位から高電位まで走査信号の電位を変化させる途中に、走査信号の電位を中間電位に所定時間だけ固定する。従って、ｍ行目及びｍ＋１行目の走査線について考察すれば、ｍ行目の走査線の電位が高電位から中間電位に下がる期間と、ｍ＋１行目の走査線の電位が低電位から中間電位に上がる期間とを重ねることができる。或いは、ｍ行目の走査線の電位が高電位から中電位に下がる期間と、ｍ＋１行目の走査線の電位が低電位から中電位に上がる期間とを重ねることができる。これらの結果、第ｍ行目のＴＦＴをオフする際に、ｍ＋１行目の画素電極とｍ行目の薄膜トランジスタのドレイン、走査線等との間の寄生容量に応じて、第ｍ行目の画素電極に書き込まれる画像信号中に第ｍ＋１行目における走査信号等がノイズとして飛び込んでも、第ｍ行目のトランジスタが完全にオフしていないので、各画素電極で本来保持すべき画素電位の変動量は低減される。即ち、走査信号を高電位から低電位に直接変化させたり、低電位から高電位に直接変化させる場合と比較して、一時における走査信号の電位変化量を低減することで、係る寄生容量の大きさに対する相対的なノイズ量を低減できる。従って、係る寄生容量には画素単位でムラがあるものの、最終的に表示される画像上で生じる画素ムラを低減できる。従ってまた、係る寄生容量が、画素ピッチの微細化により相対的に大きくなっても、その画質への悪影響を低減できる。
【００１２】
更に、交流反転駆動を採用する場合、画像表示領域の中央部と周辺部との両者において、画素電位に直流成分の差が生じないように走査信号の波形形状を調節可能となるので、両者にてフリッカを低減可能となる。同様に、第ｍ行目の走査線及びこれにより駆動させる第ｍ行目のＴＦＴのドレインとの間に存在する寄生容量により走査信号等が画素電位に及ぼす悪影響についても、周辺部と中央部とで同程度とすることができ、やはり交流反転時に周辺部と中央部との両者でフリッカを低減できる。
【００１３】
以上の結果、画像表示領域の中央部及び周辺部の両者における画素ムラやフリッカの低減が可能となり、高品位の画像表示が可能となる。
【００１４】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記走査信号供給手段は、相隣接する走査線に供給される二つの走査信号のうち先行する走査信号が前記高電位から前記中間電位に変化する期間と後続する走査信号が前記低電位から前記中間電位に変化する期間とが重なるように、前記走査信号を供給する。
【００１５】
この態様によれば、ｍ行目の走査線にて先行する走査信号が、高電位から中間電位に変化する期間と、ｍ＋１行目の走査線にて後続する走査信号が低電位から中間電位に変化する期間とが重なる。よって、第ｍ行目の画素電極に書き込まれる画像信号中に、第ｍ＋１行目における走査信号等がノイズとして飛び込んでも、走査信号を高電位及び低電位間で直接変化させる場合と比較して、ノイズ量を低減できる。
【００１６】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記中間電位は、前記薄膜トランジスタを不完全なオン状態にする電位に設定されている。
【００１７】
この態様によれば、ｍ行目の薄膜トランジスタが、完全なオン状態から不完全なオフ状態とされた際に、ｍ＋１行目の薄膜トランジスタが完全なオフ状態から不完全なオン状態とされる。よって、第ｍ行目の画素電極に書き込まれる画像信号中に、第ｍ＋１行目における走査信号等がノイズとして飛び込んでも、薄膜トランジスタを完全なオン状態と完全なオフ状態とに直接変化させる場合と比較して、ノイズ量を低減できる。
【００１８】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記走査信号供給手段は、前記走査信号の電位を前記高電位から前記低電位まで変化させる途中に、前記中間電位を含む複数の相異なる電位に夫々所定期間だけ固定し、前記走査信号の電位を前記低電位から前記高電位まで変化させる途中に、前記中間電位を含む複数の相異なる電位に夫々所定期間だけ固定する。
【００１９】
この態様によれば、走査信号は、高電位及び低電位間で変化する際に、階段状に電位変化する。よって、走査信号を高電位及び低電位間で直接変化させる場合と比較して、一時における走査信号の電位変化量を低減すること或いは走査信号における高周波成分を低減することが可能となる。これにより、上述の如き寄生容量の大きさに対する相対的なノイズ量を低減できる。
【００２０】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記走査信号供給手段は、前記走査線毎に転送信号を順次出力するシフトレジスタ回路と、該転送信号が入力されると共にこれに応じて前記走査信号を前記走査線に線順次で出力する出力回路と、該出力回路の出力側における高電位を規定する外部電源を２値変化させる電源変動手段とを含む。
【００２１】
この態様によれば、走査信号供給手段は、その動作時には、シフトレジスタ回路によって、走査線毎に転送信号を順次出力する。そして、出力回路によって、この転送信号に応じて、走査信号を走査線に線順次で出力する。ここで特に、電源変動手段によって、出力回路の出力側における高電位を規定する外部電源を２値変化させる。このため、ｍ行目の走査信号の電位を、高電位から中間電位に変化させ更に所定時間を経て中間電位から低電位に変化させることができ、同時に、ｍ＋１行目の走査信号の電位を、低電位から中間電位に変化させ更に所定時間を経て中間電位から高電位に変化させることができる。
【００２２】
このシフトレジスタ回路等に係る態様では、前記出力回路は、前記外部電源が高電位側に接続された相補型トランジスタ回路を含んでなるインバータ回路又はバッファ回路からなってよい。
【００２３】
このように構成すれば、インバータ回路又はバッファ回路によって、その出力側における高電位を規定する外部電源を電源変動手段で２値変化させることで、比較的容易に、走査信号を中間電位に変化させることが可能となる。尚、インバータ回路やバッファ回路は、増幅機能を有していてもよい。
【００２４】
このシフトレジスタ回路等に係る態様では、前記電源変動手段は、二つの電源を切り替えて出力するスイッチを含んでなってよい。
【００２５】
このように構成すれば、出力回路の出力側における高電位を、確実に２値変化させることが可能となり、よって比較的容易に、走査信号を中間電位に変化させることが可能となる。
【００２６】
このシフトレジスタ回路等に係る態様では、前記電源変動手段は、二つの電源を切り替えて出力するプログラマブルＤＡ（デジタル−アナログ）コンバータを含んでなってよい。
【００２７】
このように構成すれば、出力回路の出力側における高電位を、確実に２値変化させることが可能となり、よって比較的容易に、走査信号を中間電位に変化させることが可能となる。
【００２８】
このシフトレジスタ回路等に係る態様では、前記出力回路は、前記複数の走査線のうち奇数行の走査線に対して前記走査信号を順次出力する第１系統部と前記複数の走査線のうち偶数行の走査線に対して前記走査信号を順次出力する第２系統部とからなり、前記電源変動手段は、前記第１系統部及び前記第２系統部の別に前記外部電源を２値変化させるように構成してもよい。
【００２９】
このように構成すれば、第１系統と第２系統部とで、走査信号の電位を中間電位に変化させるので、走査線毎に画素電極の駆動電位を交流反転させる１Ｈ反転駆動方式を採用した際に、上述の如き寄生容量に応じて走査信号等がノイズとして飛び込んでも、フリッカの発生を効果的に防止できる。
【００３０】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記基板に対向する対向基板と、前記基板及び前記対向基板間に挟持された電気光学物質層とを更に備える。
【００３１】
この態様によれば、一対の基板及び対向基板間に電気光学物質層が挟持されてなる、液晶装置等の電気光学装置を実現できる。
【００３２】
本発明の電気光学装置の駆動装置は上記課題を解決するために、基板上に、マトリクス状に配置された複数の画素電極と、該画素電極をスイッチング制御する薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタのゲートに対して前記薄膜トランジスタをオン状態又はオフ状態にする走査信号を供給すべく前記画素電極の行に対応して設けられた走査線と、前記薄膜トランジスタが前記オン状態にされた際、そのソース及びドレインを介して画像信号を前記画素電極に供給すべく前記画素電極の列に対応して設けられたデータ線とを備えた電気光学装置に対して、前記走査信号を供給する電気光学装置の駆動装置であって、前記薄膜トランジスタを前記オン状態にする高電位から前記オフ状態にする低電位まで前記走査信号の電位を変化させる途中及び前記低電位から前記高電位まで前記走査信号の電位を変化させる途中に、前記走査信号の電位を前記高電位及び前記低電位間にある中間電位に所定時間だけ固定する走査信号供給手段を備える。
【００３３】
本発明の電気光学装置の駆動装置によれば、上述した本発明の電気光学装置の場合と同様の作用により、画像表示領域の中央部及び周辺部の両者における画素ムラやフリッカの低減が可能となり、高品位の画像表示が可能となる。
【００３４】
本発明の電気光学装置の駆動装置の一態様では、前記走査信号供給手段は、前記走査線毎に転送信号を順次出力するシフトレジスタ回路と、該転送信号が入力されると共にこれに応じて前記走査信号を前記走査線に線順次で出力する出力回路と、該出力回路の出力側における高電位を規定する外部電源を２値変化させる電源変動手段とを含む。
【００３５】
この態様によれば、走査信号供給手段は、その動作時には、シフトレジスタ回路によって、走査線毎に転送信号を順次出力する。そして、出力回路によって、この転送信号に応じて、走査信号を走査線に線順次で出力する。ここで特に、電源変動手段によって、出力回路の出力側における高電位を規定する外部電源を２値変化させる。このため、ｍ行目の走査信号の電位を、高電位から中間電位に変化させ更に所定時間を経て中間電位から低電位に変化させることができ、同時に、ｍ＋１行目の走査信号の電位を、低電位から中間電位に変化させ更に所定時間を経て中間電位から高電位に変化させることができる。
【００３６】
本発明の電気光学装置の駆動装置の他の態様では、前記データ線に前記画像信号を供給する画像信号供給手段を更に備える。
【００３７】
この態様によれば、走査信号供給手段によって走査信号を供給しつつ、画像信号供給手段によって画像信号を供給できる。このような走査信号供給手段及び画像信号供給手段を含む駆動装置は、電気光学装置の基板上に作り込まれてもよいし、電気光学装置に後付けされる外付けＩＣ（集積回路）として構築されてもよい。
【００３８】
本発明の電気光学装置の駆動方法は、薄膜トランジスタのゲートに対して前記薄膜トランジスタをオン状態又はオフ状態にする走査信号を備え、前記走査信号を低電位から中間電位に所定時間、保持するステップと、前記中間電位から高電位に所定時間、保持するステップと、前記高電位から中間電位に所定時間、保持するステップと、前記中間電位から低電位に変化さえるステップとを具備することを特徴とする。
【００３９】本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様を含む）を具備する。
本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備して構成されているので、画素ムラやフリッカが低減されており、表示品質に優れた、プロジェクタ、液晶テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。
【００４０】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【００４１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。
【００４２】
（第１実施形態）
本発明の電気光学装置に係る第１実施形態ついて、図１から図５を参照して説明する。
【００４３】
先ず第１実施形態における電気光学装置の基本構成について図１から図３を参照して説明する。ここに図１は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路を、その周辺駆動回路と共に示した回路図であり、図２は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。図３は、図２のＫ−Ｋ’断面図である。尚、図３においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００４４】
図１において、本実施形態における電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素には夫々、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。走査信号が供給される走査線３ａが、ＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続されている。画素電極９ａ及び蓄積容量７０が、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。
【００４５】
電気光学装置は、画像表示領域の周辺に位置する周辺領域に、データ信号供給回路１０１及び走査信号供給回路１０４を備えて構成されている。
【００４６】
データ信号供給回路１０１は、データ線駆動回路、サンプリング回路等を含み、画像信号線上の画像信号を所定タイミングでサンプリングして、画像信号画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎとして、各データ線６ａに順次書き込むように構成されている。
【００４７】
他方、走査信号供給回路１０４は、パルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、所定のタイミングでこの順に線順次で、走査線３ａに供給するように構成されている。
【００４８】
尚、本実施形態では特に、走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍは、ＴＦＴ３０をオン状態にするハイレベル及びＴＦＴ３０をオフ状態にするローレベルの他に、ＴＦＴ３０を不完全なオン状態或いは不完全なオフ状態にする中間レベルの電位を取り得る。このような走査信号に係る詳細については後に詳述する。
【００４９】
画像表示領域内では、ＴＦＴ３０のゲートに、走査信号供給回路１０４から走査線３ａを介して走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが線順次で印加される。画素電極９ａには、画素スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、後述する対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストを持つ光が出射する。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。蓄積容量７０は、後に詳述する如く、画素電極９ａに接続された画素電位側容量電極と、これに誘電体膜を挟んで対向配置された固定電位側容量電極とを含んでなる。走査線３ａと並んで配列された固定電位の容量線３００の一部が、このような固定電位側容量電極とされている。
【００５０】
次に図２に示すように、電気光学装置のＴＦＴアレイ基板上には、マトリクス状に複数の透明な画素電極９ａ（点線部９ａ’により輪郭が示されている）が設けられており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び走査線３ａが設けられている。
【００５１】
また、半導体層１ａのうち図２中右上がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ’に対向するように走査線３ａが配置されており、走査線３ａはゲート電極を含む。走査線３ａは、チャネル領域１ａ’に対向するゲート電極部分が幅広に構成されている。
【００５２】
このように、走査線３ａとデータ線６ａの本線部６１ａとの交差する個所には夫々、チャネル領域１ａ’に走査線３ａの一部がゲート電極として対向配置された画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。
【００５３】
中継層７１は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域及び画素電極９ａに接続された画素電位側容量電極として設けられている。中継層７１の上側には、走査線３ａに沿って固定電位側容量電極としての容量線３００の一部が設けられており、これらが、誘電体膜を介して対向配置されることにより、画素電極９ａに接続された蓄積容量が形成されている。容量線３００は平面的に見て、走査線３ａに沿ってストライプ状に伸びており、ＴＦＴ３０に重なる個所が図２中上下に突出している。ＴＦＴアレイ基板１０上におけるＴＦＴ３０の下側には、下側遮光膜１１ａが格子状に設けられている。走査線３ａ上には、データ線６ａから高濃度ソース領域へ通じるコンタクトホール８１及び中継層７１から高濃度ドレイン領域へ通じるコンタクトホール８３が各々開孔された層間絶縁膜が形成されている。データ線６ａ上には、画素電極９ａから中継層７１へ通じるコンタクトホール８５が形成された層間絶縁膜が形成されており、更にその上に画素電極９ａが設けられている。
【００５４】
次に、図１から図５を参照して、上述した走査信号供給回路の詳細について説明する。ここに図３は、比較例におけるデータ信号、走査信号等のタイミングチャートである。図４は、本実施形態における中段波回路及び走査信号供給回路のブロック図であり、図５は、本実施形態におけるデータ信号、走査信号等のタイミングチャートである。
【００５５】
尚、本実施形態では、同一フィールド内では全画素電極９ａを同一極性の電位により駆動しつつ、これらの電位をフィールド周期で反転させるフィールド反転駆動が行われるものとする。即ち、データ信号供給回路１０１から供給される画像信号は、フィールド単位で交流反転される画像信号である。
【００５６】
図２において、画素電極９ａのうち第ｍ行目に位置する画素電極Ｂに接続されるＴＦＴ３０のゲートをゲート４０２とし、このゲート４０２に供給される走査信号を走査信号Ｇｍとする。他方、画素電極９ａのうち第ｍ＋１行目に位置する画素電極Ｃに接続されるＴＦＴ３０のゲートをゲート４０４とし、このゲート４０４に供給される走査信号を走査信号Ｇｍ＋１とする。
【００５７】
図２に示した構成において、走査信号Ｇｍが供給される走査線３ａ上に、その次行の画素電極Ｃのうちハッチングで示した一部分Ｅが重なっている。そして、これら重なる両者間に積層された層間絶縁膜は比較的薄いため、両者間に寄生容量が生じている。更に、ＴＦＴ３０のドレイン、データ線６ａ及び容量線３００についても夫々、その次行の画素電極Ｃとの間に大なり小なり寄生容量が生じている。
【００５８】
従って、仮にこのような構成において、第ｍ行目のＴＦＴ３０をオフ状態にする瞬間に第ｍ＋１行目のＴＦＴ３０をオン状態にするように仮に走査信号供給回路１０４からパルス状の矩形波の走査信号Ｇｍ、Ｇｍ＋１、…を供給すると、上述の寄生容量によって、第ｍ行目の画素電極Ｂの画素電位に、第ｍ＋１行目の走査信号、画像信号等がノイズとして飛び込んでしまう。
【００５９】
より具体的には図３に示すように、走査信号Ｇｍの立下り４５２で画素電極Ｂのゲート４０２が閉じようとする瞬間に、走査信号Ｇｍ＋１の立上り４５４で、画素電極Ｃのゲート４０４を開くと、ゲート４０４を介しての画素電極Ｃにおける電圧変化は、上述した寄生容量により、例えば走査信号Ｇｍの電位を変化させる。これにより、例えば、走査信号Ｇｍの立下り４５２が曲線４５６のように振られて、画素電極Ｂのゲート４０２が閉じなくなる。よって、画素電極Ｃに書き込むべき画像信号４６４も、画素電極Ｂに書き込むべき画像信号４６２にノイズとして飛び込むことになる。そして、上述の寄生容量には、画素単位でムラがあるため、このような書き込み電位変化は、画素ムラを引き起こすのである。尚、図３に示した画像信号Ｓｎは、フィールド反転駆動のために、例えば０Ｖである基準電圧４５８を基準に、画像信号４６２及び画像信号４６４は同一極性とされている。
【００６０】
更に図３に示した比較例の場合、走査信号Ｇｍ、Ｇｍ＋１、…の波形は、実際には、走査線３ａの配線容量に応じてなまる。このため、ＴＦＴ３０のオンオフのタイミングは、走査信号の波形のなまる度合いに応じて、図１及び図２において、左右方向についての周辺部と中央部とで相異なる。この結果、上述の如くＴＦＴ３０をオフする瞬間に画像信号に飛び込む次行の走査信号等によるノイズの影響も、周辺部と中央部とで相互に異なる。従って特に、フィールド周期等で各画素電極に係る駆動電位を反転させる交流反転駆動を採用する場合には、画像表示領域の中央部で、このようなノイズにより駆動電位に直流成分が生じないように走査信号の電位等を調節すると、周辺部ではこのようなノイズにより直流成分が生じてしまう。逆に、画像表示領域の周辺部で、このようなノイズにより駆動電位に直流成分が生じないように走査信号の電位等を調節すると、中央でこのようなノイズにより直流成分が生じてしまう。
【００６１】
以上の結果、図３に示した比較例によれば、画素ムラが生じると共に、周辺部又は中央部でフリッカが発生するのである。
【００６２】
これに対し本実施形態では特に図４及び図５に示すように、走査信号供給回路１０４は、その最終段のバッファ回路５０８に供給される電源電圧Ｖｄｄ２が、中段波回路５５０により電圧Ｖｍと電圧Ｖｃｌとに２値変化するように構成されている。そして、各走査線について、高電位Ｖｃｌから低電位０まで走査信号Ｇ１〜Ｇｍの電位を変化させる途中に走査信号Ｇ１〜Ｇｍの電位を中間電位Ｖｍに所定時間だけ固定し、更に、各走査線について、低電位０から高電位Ｖｃｌまで走査信号Ｇ１〜Ｇｍの電位を変化させる途中に走査信号Ｇ１〜Ｇｍの電位を中間電位Ｖｍに所定時間だけ固定するように構成されている。
【００６３】
以下に、図４及び図５を参照して、このように構成される走査信号供給回路１０４及び中段波回路５５０の詳細構成をその動作と共に更に説明する。
【００６４】
図４において、走査信号供給回路１０４は、シフトレジスタ回路５０４、インバータ回路５０６及びバファ回路５０８を備える。シフトレジスタ回路５０４は、クロックＶｄｄ１から各走査信号Ｇ１〜Ｇｍの基本波形Ｐ１を作り出す。基本波形Ｐ１は走査信号Ｇ１〜Ｇｍの順にシフトする転送出力である。基本波形Ｐ１は、インバータ回路５０６及びバッファ回路５０８を通して、図５に示すように二段階波形状の走査信号Ｇ１〜Ｇｍとされる。
【００６５】
中段波回路５５０は、ＤＡＣ５２０、可変抵抗器５２２、５２８及び５３０、増幅器５２４、トランジスタ５３２、５３４及び５３６、並びにパルス発生回路５２６を備えて構成されている。
【００６６】
中間電位Ｖｍを決めるため、ＤＡコンバータ５２０の出力が、可変抵抗器５２２に入力される。これは、ＤＡコンバータ５２０によりデジタル信号（Ｄ）からアナログ電位量（Ａ）を定め、さらに可変抵抗器５２２でも電位を決めることができるようにするためである。この可変抵抗器５２２の出力を増幅器５２４によりインピーダンス変換を行う。この増幅器５２４の出力が中間電位Ｖｍとされる。
【００６７】
一方、クロックＶｄｄ１から、パルス発生回路５２６によって、基本波形Ｐ１の立上りよりもｔａ時間遅く立上り、基本波形Ｐ１の立下がりよりもｔｂ時間早く立下がるパルスが生成される。ここでｔａ時間及びｔｂ時間は、可変抵抗器５２８及び５３０により変更可能である。パルス発生回路５２６の出力は、トランジスタ５３２に通されて、ピーク電圧が中間電位Ｖｍであるパルスが生成される。このパルスは、トランジスタ５３４で電圧レベルシフトされて、更にトランジスタ５３６によって、ピーク電圧が電源電圧Ｖｃｌであり且つ下の電位が中間電位Ｖｍであるパルスとされる。
【００６８】
このようにして中段波回路５５０により、図５に示した如き、パルスの下の電位が中間電位Ｖｍであり、基本波形Ｐ１の立上りよりもｔａ時間遅く立上り、ピーク電圧の電源電圧Ｖｃｌに達すると共に、基本波形Ｐ１の立下りよりもｔｂ時間早く立下り、中間電位Ｖｍに達する電源電圧Ｖｄｄ２が生成される。尚、画像信号Ｓｎは、電源電圧Ｖｄｄ２のパルスの立下りを含んでいる。
【００６９】
そして、このような電源電圧Ｖｄｄ２は、バッファ回路５０８の相補型ＴＦＴのソースに高電源として入力される。すると、バッファ回路５０８の相補型ＴＦＴのゲートには、基本波形Ｐ１の反転波形が入力されているため、バッファ回路５０８の出力は、その合成波形となる。即ち、バッファ回路５０８の出力は、図５に示した二段階波形６０４を有する走査信号Ｇ１、Ｇ２、…となる。より具体的には、二段階波形６０４を有する走査信号Ｇ１、Ｇ２、…は、アースの基準電位（０Ｖ）から始まり、基本波形Ｐ１の立上りとほぼ同時に立上り中間電位Ｖｍに達する。ここで走査信号はｔａ時間だけ中間電位Ｖｍに保持される。ｔａ時間後さらに電源電圧Ｖｃｌの電位に達し、保持される。これにより画素スイッチング用のＴＦＴのゲートを開き、画像信号Ｓｎの書き込みが開始される。その後、走査信号Ｇ１、Ｇ２、…は、基本波形Ｐ１の立下りよりもｔｂ時間早く立下がり中間電位Ｖｍに達する。基本波形Ｐ１の立下りタイミングとほぼ同時にアースの基準電位（０Ｖ）まで立下る。そして、データ信号Ｓｎは、走査信号の立下りを含んでいるので、画素スイッチング用のＴＦＴのゲートは閉られ、画像信号Ｓｎの書き込みが終了される。
【００７０】
以上の如く生成される二段階波形を有する走査信号Ｇ１、Ｇ２、…の中間電位Ｖｍは、各ＴＦＴ３０を、不完全なオン状態にする電位に設定されている。よって、図３に示した如き完全なオン状態と完全なオフ状態とに直接切り替える比較例の場合と比較して、上述の寄生容量により第ｍ＋１行目の走査信号、画像信号等の成分が、第ｍ行目の走査信号、画像信号等にノイズ成分として飛び込んでも、当該ノイズ成分による電位変動を低減できる。
【００７１】
以上のように本実施形態によれば、図１及び図２において、第ｍ行目のＴＦＴ３０をオフする際に、上述した寄生容量により、第ｍ＋１行目における走査信号等がノイズとして飛び込んでも、各画素電極９ａで本来保持すべき画素電位の変動量を、二段階波形を有する走査信号Ｇ１〜Ｇｍによって低減できる。従って、最終的に表示される画像上で生じる画素ムラを低減できる。特に、画素ピッチを微細化して上述の寄生容量が大きくなっても、これによる画質への悪影響を低減できる。更に、交流反転駆動を採用する場合、画像表示領域の中央部と周辺部との両者においてフリッカを低減可能となる。これらにより、最終的には、画素ムラやフリッカが低減された高品位の画像表示が可能となる。
【００７２】
尚、以上説明した実施形態では、画素スイッチング用のＴＦＴ３０は、トップゲート型とされているが、ボトムゲート型のＴＦＴであってもよい。加えて、ＴＦＴ３０は、貼り合わせＳＯＩによる単結晶半導体層を含んでなるように構成してもよい。また、スイッチング用ＴＦＴ３０は、好ましくはＬＤＤ構造を持つが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物イオンの打ち込みを行わないオフセット構造を持ってよいし、走査線３ａの一部からなるゲート電極をマスクとして高濃度で不純物イオンを打ち込み、自己整合的に高濃度ソース及びドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。更にまた本実施形態では、画素スイッチング用のＴＦＴ３０のゲート電極を高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅ間に１個のみ配置したシングルゲート構造としたが、これらの間に２個以上のゲート電極を配置してもよい。更にまた、投射型或いは透過型の液晶装置に限らず、反射型の液晶装置に本発明を適用しても、本実施形態による画素ムラやフリッカを低減する効果は同様に得られる。
【００７３】
（第２実施形態）
次に電気光学装置の第２実施形態について図６及び図７を参照して説明する。ここに、図６は第２実施形態におけるデータ線駆動信号及び走査信号のタイミングを示すタイミングチャートであり、図７は二系統の走査信号を発生させるように構成された本実施形態における中段波回路及び走査信号供給回路のブロック図である。
【００７４】
第２実施形態では、同一行の画素電極９ａを同一極性の電位により駆動しつつ、係る電位極性を行毎にフィールド周期で反転させる１Ｈ反転駆動が行われる。即ち、データ信号供給回路１０１から供給される画像信号は、フィールド単位で行毎に極性反転を伴う信号である。これにより液晶における直流電圧印加による劣化を効果的に避けることができる。第２実施形態の電気光学装置の基本構成については、図１及び図２を参照して説明した第１実施形態の場合と同様である。
【００７５】
即ち図６に示すように、第２実施形態では、画像信号Ｓｎは、水平走査期間毎に固定電位Ｖｂに対して、その電位極性が反転する。より具体的には図６中、初めの水平走査期間では、画像信号Ｓｎの書込電位７２２は、固定電位ＶｂよりもＶｓ１だけ高く、次の水平走査期間では、画像信号Ｓｎの書込電位７２４は、固定電位ＶｂよりもＶｓ２低い。更に次の水平走査期間では、画像信号Ｓｎの書込電位７２６は、固定電位ＶｂよりもＶｓ１だけ高くなっている。
【００７６】
第２実施形態では、このような画像信号Ｓｎを用いて表示を行うため、常に同一電位極性で駆動される奇数行と偶数行とに分けて、上述の寄生容量による行間ノイズの飛び込みや走査信号のなまりに対処する方が、これらによる悪影響を一層低減することが可能となる。そこで、第２実施形態では、図４に示した第１実施形態の中段波回路を、走査線の奇数行用と偶数行用とに対して別系統とする。
【００７７】
即ち図７に示すように、第１中段波回路８６２から、奇数行の走査線に接続されたバッファ回路８５４、８５８、…に電源電圧を供給し、第２中段波回路８６４から、奇数行の走査線に接続されたバッファ回路８５６、８６０、…に電源電圧を供給するように構成されている。
【００７８】
第１中段波回路８６２は、第１実施形態で述べた中段波回路５５０と類似の構成を有し、電源電圧ＶｃｌとクロックＶｄｄ１から、ピーク電圧Ｖｃｌ２と中間電位Ｖｍ２を生成する。中間電位Ｖｍ２の具体的値については、実験的或いは経験的に、フリッカの状況を見て決めればよい。
【００７９】
図６に示すように、走査信号Ｇ１に対応する第１中段波Ｖｐ１では、フリッカが低減するように、そのピーク電圧Ｖｃｌ２、中間電位Ｖｍ２、中間電位が保持されるｔａ時間及びｔｂ時間が設定されている。そして、各奇数行の走査線に対して、二段階波形７０４、７０６、７１２、…を有する走査信号Ｇ１、Ｇ３、Ｇ５、…が供給される。他方、偶数行の走査線に対応しても、第２中段波Ｖｐ２としてピーク電圧Ｖｃｌ３であり、中間電位Ｖｍ３に対応する二段階波形７０６、７１０、…を有する走査信号Ｇ２、Ｇ４、…が、奇数の場合と同様に供給される。中間電位Ｖｍ３の具体的値についても、実験的或いは経験的に、フリッカの状況を見て決めればよい。このように、第１中段波と第２中段波の中間電位、第１中段波と第２中段波の高電位は各々異なるように設定されている。
【００８０】
以上のように本実施形態によれば、１Ｈ反転駆動方式においても、第ｍ行目のＴＦＴ３０をオフする際に、上述した寄生容量により、第ｍ＋１行目における走査信号等がノイズとして飛び込んでも、各画素電極９ａで本来保持すべき画素電位の変動量を、二段階波形を有する走査信号Ｇ１、Ｇ２、…によって低減できる。従って、最終的に表示される画像上で生じる画素ムラを低減できる。特に、画像表示領域の中央部と周辺部との両者においてフリッカを低減可能となる。これらにより、最終的には、画素ムラやフリッカが低減された高品位の画像表示が可能となる。
【００８１】
尚、本実施形態における１Ｈ反転駆動方式では、駆動電圧の極性を、一行毎に反転させてもよいし、相隣接する２行毎に或いは複数行毎に反転させてもよい。
【００８２】
（変形形態）
上述の各実施形態では、ＤＡコンバータと可変抵抗器により中間電位を設定しているが、画素ムラやフリッカを出荷前に予め或いは通常動作中に検知して、その程度により自動的にデジタル信号を発生させ、ＤＡコンバータ５２０のデジタル入力信号とすることで、中間電位を設定してもよい。
【００８３】
また上述の各実施形態では、二段階波形を有する走査信号の中間電位の保持時間、即ちｔａ時間又はｔｂ時間の設定は、可変抵抗器５２８及び５３０により変えているが、これも画素ムラやフリッカを検知して、その程度により自動的にデジタル信号を発生させ、ＤＡコンバータのデジタル入力信号とし、更に出力のアナログ電圧をパルス発生回路５２６に入力することで設定してもよい。
【００８４】
このように、画素ムラやフリッカを検知して走査信号における二段階波形を制御すれば、製品毎のバラツキや経時変化による画素ムラやフリッカに対処でき有利である。
【００８５】
更に、上述の各実施形態では、立下り時及び立上り時に夫々、中間電位を一つとしたが、これに代えて、複数の中間電位を設定して階段状の複数段階波形を有する走査信号を生成しても、類似の効果が得られる。
【００８６】
（電気光学装置の全体構成）
以上のように構成された各実施形態における電気光学装置の全体構成を図８及び図９を参照して説明する。尚、図８は、ＴＦＴアレイ基板１０をその上に形成された各構成要素と共に対向基板２０の側から見た平面図であり、図９は、図８のＨ−Ｈ’断面図である。
【００８７】
図８において、ＴＦＴアレイ基板１０の上には、シール材５２がその縁に沿って設けられており、その内側に並行して、画像表示領域１０ａの周辺を規定する額縁としての遮光膜５３が設けられている。シール材５２の外側の領域には、データ信号供給回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられており、走査信号供給回路１０４が、この一辺に隣接する２辺に沿って設けられている。走査線３ａに供給される走査信号遅延が問題にならないのならば、走査信号供給回路１０４は片側だけでも良いことは言うまでもない。また、データ信号供給回路１０１を画像表示領域１０ａの辺に沿って両側に配列してもよい。更にＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０ａの両側に設けられた走査信号供給回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的に導通をとるための導通材１０６が設けられている。そして、図９に示すように、図８に示したシール材５２とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板２０が当該シール材５２によりＴＦＴアレイ基板１０に固着されている。
【００８８】
尚、ＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ信号供給回路１０１、走査信号供給回路１０４等に加えて、複数のデータ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００８９】
以上図１から図９を参照して説明した実施形態では、データ信号供給回路１０１及び走査信号供給回路１０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に設ける代わりに、例えばＴＡＢ（Ｔａｐｅ　Ａｕｔｏｍａｔｅｄ　ｂｏｎｄｉｎｇ）基板上に実装された駆動用ＬＳＩに、ＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。また、対向基板２０の投射光が入射する側及びＴＦＴアレイ基板１０の出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ　Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ　Ａｌｉｇｎｅｄ）モード、ＰＤＬＣ（Ｐｏｌｙｍｅｒ　Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ　Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌ）モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。
【００９０】
以上説明した実施形態における電気光学装置は、プロジェクタに適用されるため、３枚の電気光学装置がＲＧＢ用のライトバルブとして各々用いられ、各ライトバルブには各々ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになる。従って、各実施形態では、対向基板２０に、カラーフィルタは設けられていない。しかしながら、画素電極９ａに対向する所定領域にＲＧＢのカラーフィルタをその保護膜と共に、対向基板２０上に形成してもよい。このようにすれば、プロジェクタ以外の直視型や反射型のカラー電気光学装置について、各実施形態における電気光学装置を適用できる。また、対向基板２０上に１画素１個対応するようにマイクロレンズを形成してもよい。あるいは、ＴＦＴアレイ基板１０上のＲＧＢに対向する画素電極９ａ下にカラーレジスト等でカラーフィルタ層を形成することも可能である。このようにすれば、入射光の集光効率を向上することで、明るい電気光学装置が実現できる。更にまた、対向基板２０上に、何層もの屈折率の相違する干渉層を堆積することで、光の干渉を利用して、ＲＧＢ色を作り出すダイクロイックフィルタを形成してもよい。このダイクロイックフィルタ付き対向基板によれば、より明るいカラー電気光学装置が実現できる。
【００９１】
（電子機器の実施形態）
次に、以上詳細に説明した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する。ここに図１０は、投射型カラー表示装置の図式的断面図である。
【００９２】
図１０において、本実施形態における投射型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ１１００は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装置１００を含む液晶モジュールを３個用意し、夫々ＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジェクタとして構成されている。液晶プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によって、ＲＧＢの３原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ、Ｂに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂに夫々導かれる。この際特にＢ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにより夫々変調された３原色に対応する光成分は、ダイクロイックプリズム１１１２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投射される。
【００９３】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴なう電気光学装置、その駆動回路及び電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電気光学装置に係る実施形態における画像表示領域を構成するマトリクス状の複数の画素に設けられた各種素子、配線等の等価回路を、その周辺駆動回路と共に示した回路図である。
【図２】実施形態の電気光学装置におけるデータ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の平面図である。
【図３】比較例におけるデータ信号、走査信号等のタイミングチャートである。
【図４】本実施形態における中段波回路及び走査信号供給回路のブロック図である。
【図５】本実施形態におけるデータ信号、走査信号等のタイミングチャートである。
【図６】本発明の第２実施形態におけるデータ線駆動信号及び走査信号のタイミングを示すタイミングチャートである。
【図７】第２実施形態における中段波回路及び走査信号供給回路のブロック図である。
【図８】実施形態の電気光学装置におけるＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図である。
【図９】図８のＨ−Ｈ’断面図である。
【図１０】本発明の電子機器の実施形態である投射型カラー表示装置の一例たるカラー液晶プロジェクタを示す図式的断面図である。
【符号の説明】
３ａ…走査線
６ａ…データ線
９ａ…画素電極
１０…ＴＦＴアレイ基板
２０…対向基板
３０…ＴＦＴ
５０…液晶層
１０１…走査信号供給回路
１０４…データ信号供給回路
５０４…シフトレジスタ回路
５０６…インバータ回路
５０８…バッファ回路
５２０…ＤＡコンバータ
５２４…増幅器
５２６…パルス発生回路
５５０…中段波回路
８６２…第１中段波回路
８６４…第２中段波回路[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention belongs to the technical field of an electro-optical device such as a liquid crystal device, and particularly includes a transistor that controls switching of pixel electrodes arranged in a matrix and applies a scanning signal line-sequentially to a scanning line provided for each pixel row. The present invention belongs to the technical field of an electro-optical device of a type in which active matrix driving is performed by supplying the electro-optical device, a driving device suitably used for such an electro-optical device, and an electronic apparatus including such an electro-optical device.
[0002]
[Background Art]
An electro-optical device of this type includes a pixel electrode, a thin film transistor (hereinafter, appropriately referred to as a TFT) for switching the pixel electrode, a scanning line for supplying a scanning signal to a gate of the TFT, and a source of the TFT on a substrate. In the image display area, there are provided a data line for supplying an image signal, a storage capacitor connected to a pixel electrode, and the like. A scanning line driving circuit that supplies a scanning signal to a scanning line is provided in a peripheral area located around the image display area, and a driving circuit such as a data line driving circuit or a sampling circuit that supplies an image signal to a data line. Is provided.
[0003]
More specifically, the scanning line driving circuit supplies a scanning signal having a pulse-like waveform line-sequentially for each scanning line or each row. That is, a scanning signal is supplied so as to turn off the TFT connected to the scanning line in the m-th (m is a natural number) row and simultaneously turn on the TFT connected to the scanning line in the (m + 1) -th row. I do. In parallel with this, the data line driving circuit supplies an image signal to each data line every horizontal scanning period so that an image signal is written from the source of the TFT turned on by the scanning signal to the pixel electrode via the drain. I do. Then, by supplying such a scanning signal and an image signal, an image for one row is written in one horizontal scanning period. Further, the writing operation is sequentially performed on all the rows in the vertical scanning period, so that one image is written.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, since TFTs, scanning lines, capacitance lines, data lines, and the like are formed in the gaps between the pixel electrodes arranged in a matrix, the pixel electrodes in the (m + 1) th row are connected to the drains of the TFTs in the mth row. , Scanning lines, capacitance lines, and the like. For this reason, when the TFT on the (m + 1) th row is turned on at the moment when the TFT on the mth row is turned off using a scanning signal having a pulse-like waveform, an image signal written to the pixel electrode on the mth row is turned on. Then, the scanning signal and the like in the (m + 1) -th row jump in as noise. As a result, the pixel potential that should be held in each pixel electrode fluctuates. In particular, since the parasitic capacitance has unevenness in pixel units, there is a problem that pixel unevenness occurs in an image finally displayed.
[0005]
Moreover, in order to meet the general demand in the technical field of high definition of a display image, the above-described pixel electrode of the (m + 1) th row and the drain of the TFT of the m-th row, Since the parasitic capacitance between the scanning line and the capacitance line becomes relatively large, the above problem becomes more serious.
[0006]
Further, the waveform of the scanning signal is reduced according to the wiring capacitance. Therefore, the degree of blunting of the scanning signal is greater in the peripheral portion of the image display area near the scanning line driving circuit and in the center of the image display area far from the scanning line driving circuit. For this reason, the on / off timing of the TFT is different between the peripheral portion and the central portion depending on the degree of the blunting of the waveform of the scanning signal. As a result, the influence of noise due to the scanning signal of the next row that jumps into the image signal when the TFT is turned off as described above also differs between the peripheral portion and the central portion. Therefore, in particular, in the case of employing AC inversion driving for inverting the driving potential of each pixel electrode in a field cycle or the like to prevent deterioration of the liquid crystal or the like and to prevent flicker, the potential applied to the liquid crystal in the central part of the image display area. If the potential of the counter electrode is adjusted such that no DC component is generated, such a DC component is generated in the peripheral portion. Conversely, if the potential or the like of the scanning signal is adjusted at the peripheral portion of the image display area so that no DC component is generated in the potential applied to the liquid crystal, such a DC component is generated at the center. For this reason, there is a problem that flicker occurs in the peripheral portion or the central portion.
[0007]
On the other hand, even when the scanning line in the m-th row and the TFT in the m-th row driven by the scanning line are considered, since a parasitic capacitance exists between the scanning line and the drain of the TFT, the scanning signal pulse Affects the pixel potential at the drain. Specifically, at the moment when the corresponding gate is turned off, a pulse-like potential corresponding to the pulse-like waveform of the scanning line is held as a pixel potential as noise in the potential of the image signal. Therefore, also in this case, the influence of the noise jumping into the image signal is different between the peripheral portion and the central portion due to the difference in the degree of blunting of the scanning signal between the peripheral portion and the central portion. For this reason, there is a problem that the potential applied to the liquid crystal is different, the luminance level is different, and at the time of AC reversal, flicker occurs in either the peripheral part or the central part. Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-110035 discloses a technique for preventing the occurrence of such flicker by making the falling waveform of the scanning signal a ramp waveform or a step-like waveform instead of a rectangular waveform. However, in this method, it is possible to prevent the occurrence of pixel unevenness and flicker due to the parasitic capacitance between the pixel electrode on the (m + 1) th row and the drain, scanning line, capacitance line, etc. of the TFT on the mth row. Can not.
[0008]
The present invention has been made in view of the above problems, an electro-optical device capable of reducing brightness unevenness and flicker in both the central portion and the peripheral portion of the image display area, and capable of high-quality image display, It is an object to provide a driving device suitably used for such an electro-optical device, and an electronic apparatus including such an electro-optical device.
[0009]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above problems, an electro-optical device according to the present invention includes a plurality of pixel electrodes arranged in a matrix on a substrate, a thin film transistor for controlling switching of the pixel electrodes, and the thin film transistor with respect to a gate of the thin film transistor. A scanning line provided corresponding to the row of the pixel electrodes to supply a scanning signal for turning on or off, and an image signal via the source and the drain when the thin film transistor is turned on. A data line provided to correspond to the column of the pixel electrodes so as to supply the scanning signal to the pixel electrode, and a scanning signal supply unit that supplies the scanning signal to the scanning line in a line-sequential manner. The supply unit changes the potential of the scanning signal from a high potential for turning on the thin film transistor to a low potential for turning off the thin film transistor. And wherein the middle of changing the potential of the scanning signal from the low potential to the high potential, a predetermined time is fixed to an intermediate potential which is the potential of the scanning signal between the high potential and the low potential.
[0010]
According to the electro-optical device of the present invention, at the time of its operation, the scanning signal is supplied to the gate of the thin film transistor line by line from the scanning signal supply means via the scanning line provided on the substrate. In parallel with this, an image signal is supplied to the source of the thin film transistor via the data line. Then, an image signal is written to each pixel electrode via the thin film transistor turned on by the scanning signal. Therefore, the electro-optical operation by the active matrix driving method can be performed.
[0011]
Here, in particular, the scanning signal supply unit fixes the potential of the scanning signal to the intermediate potential for a predetermined time while changing the potential of the scanning signal from the high potential to the low potential for each scanning line. Further, for each scanning line, the potential of the scanning signal is fixed at the intermediate potential for a predetermined time while changing the potential of the scanning signal from the low potential to the high potential. Therefore, considering the m-th and m + 1-th scanning lines, the period during which the potential of the m-th scanning line falls from the high potential to the intermediate potential, and the time when the potential of the m + 1-th scanning line falls from the low potential to the intermediate potential The period of rising can be repeated. Alternatively, a period in which the potential of the m-th scanning line drops from the high potential to the middle potential and a period in which the potential of the (m + 1) th scanning line rises from the low potential to the middle potential can be overlapped. As a result, when the TFT in the m-th row is turned off, the pixel in the m-th row depends on the parasitic capacitance between the pixel electrode in the (m + 1) -th row and the drain and the scanning line of the thin-film transistor in the m-th row. Even if a scanning signal or the like on the (m + 1) -th row jumps into the image signal written into the electrode as noise, since the transistor on the (m) -th row is not completely turned off, the amount of variation of the pixel potential that should be originally held at each pixel electrode Is reduced. That is, compared to the case where the scanning signal is directly changed from the high potential to the low potential or the case where the scanning signal is directly changed from the low potential to the high potential, the potential change amount of the scanning signal at one time is reduced, thereby increasing the parasitic capacitance. The amount of noise relative to the noise can be reduced. Therefore, although the parasitic capacitance has unevenness on a pixel-by-pixel basis, it is possible to reduce pixel unevenness that occurs on an image finally displayed. Therefore, even if the parasitic capacitance becomes relatively large due to the miniaturization of the pixel pitch, the adverse effect on the image quality can be reduced.
[0012]
Furthermore, in the case of employing the AC inversion drive, the waveform shape of the scanning signal can be adjusted in both the central part and the peripheral part of the image display area so that a difference in DC component does not occur in the pixel potential. Thus, flicker can be reduced. Similarly, the adverse effect of the scanning signal and the like on the pixel potential due to the parasitic capacitance existing between the m-th row scanning line and the drain of the m-th TFT driven by the same is described in the peripheral part and the central part. And the flicker can be reduced both in the peripheral portion and in the central portion at the time of AC reversal.
[0013]
As a result, it is possible to reduce pixel unevenness and flicker in both the central part and the peripheral part of the image display area, and it is possible to display a high-quality image.
[0014]
In one aspect of the electro-optical device according to the aspect of the invention, the scan signal supply unit may include a period in which a preceding scan signal of two scan signals supplied to adjacent scan lines changes from the high potential to the intermediate potential. The scanning signal is supplied such that a period during which a subsequent scanning signal changes from the low potential to the intermediate potential overlaps.
[0015]
According to this aspect, the period in which the preceding scanning signal in the m-th scanning line changes from the high potential to the intermediate potential, and the subsequent scanning signal in the (m + 1) th scanning line changes from the low potential to the intermediate potential The changing period overlaps. Therefore, even if the scanning signal or the like in the (m + 1) th row jumps into the image signal written to the pixel electrode in the mth row as noise, compared with the case where the scanning signal is directly changed between the high potential and the low potential, The amount of noise can be reduced.
[0016]
In another aspect of the electro-optical device of the present invention, the intermediate potential is set to a potential that causes the thin-film transistor to be in an incomplete ON state.
[0017]
According to this aspect, when the thin-film transistor on the m-th row is changed from a complete on state to an incomplete off-state, the thin-film transistor on the (m + 1) -th row is changed from a complete off state to an incomplete on state. Therefore, even if a scanning signal or the like in the (m + 1) -th row jumps into the image signal written to the pixel electrode in the m-th row as noise, it is compared with a case where the thin film transistor is directly changed between a completely on state and a completely off state. Thus, the amount of noise can be reduced.
[0018]
In another aspect of the electro-optical device according to the aspect of the invention, the scanning signal supply unit may change the potential of the scanning signal to a plurality of different potentials including the intermediate potential while changing the potential of the scanning signal from the high potential to the low potential. While the potential of the scanning signal is changed from the low potential to the high potential for a predetermined period, the scanning signal is fixed to a plurality of different potentials including the intermediate potential for a predetermined period.
[0019]
According to this aspect, when the scanning signal changes between the high potential and the low potential, the potential changes stepwise. Therefore, compared to the case where the scanning signal is directly changed between the high potential and the low potential, it is possible to reduce the potential change amount of the scanning signal at a time or to reduce the high frequency component in the scanning signal. This makes it possible to reduce the amount of noise relative to the magnitude of the parasitic capacitance as described above.
[0020]
In another aspect of the electro-optical device of the present invention, the scanning signal supply unit includes: a shift register circuit that sequentially outputs a transfer signal for each of the scanning lines; And a power supply changing means for changing an external power supply that defines a high potential on the output side of the output circuit into two levels.
[0021]
According to this aspect, during the operation, the scanning signal supply means sequentially outputs the transfer signal for each scanning line by the shift register circuit. Then, the output circuit outputs the scanning signals to the scanning lines line-sequentially in response to the transfer signal. Here, in particular, the external power supply that defines the high potential on the output side of the output circuit is binary-changed by the power supply variation means. For this reason, the potential of the scanning signal on the m-th row can be changed from the high potential to the intermediate potential and further from the intermediate potential to the low potential after a predetermined time, and at the same time, the potential of the scanning signal on the (m + 1) -th row can be The potential can be changed from the low potential to the middle potential, and further changed from the middle potential to the high potential after a predetermined time.
[0022]
In this aspect of the shift register circuit or the like, the output circuit may be an inverter circuit or a buffer circuit including a complementary transistor circuit in which the external power supply is connected to a high potential side.
[0023]
According to this structure, the scanning signal can be relatively easily changed to the intermediate potential by changing the external power supply for defining the high potential on the output side of the output power by the inverter circuit or the buffer circuit using the power supply variation means. It becomes possible. Note that the inverter circuit and the buffer circuit may have an amplifying function.
[0024]
In the aspect according to the shift register circuit or the like, the power supply variation unit may include a switch that switches between two power supplies and outputs the power.
[0025]
With this configuration, it is possible to reliably change the high potential on the output side of the output circuit into two values, and it is possible to relatively easily change the scanning signal to the intermediate potential.
[0026]
In the aspect according to the shift register circuit or the like, the power supply variation means may include a programmable DA (digital-analog) converter that switches between two power supplies and outputs the result.
[0027]
With this configuration, it is possible to reliably change the high potential on the output side of the output circuit into two values, and it is possible to relatively easily change the scanning signal to the intermediate potential.
[0028]
In this aspect of the shift register circuit or the like, the output circuit includes a first system unit that sequentially outputs the scan signals to odd-numbered scan lines of the plurality of scan lines, and an even-numbered scan line of the plurality of scan lines. A second system unit for sequentially outputting the scanning signal to the scanning lines of the row, wherein the power supply variation means changes the external power supply in a binary manner separately for the first system unit and the second system unit. May be configured.
[0029]
According to this structure, the potential of the scanning signal is changed to the intermediate potential between the first system and the second system, so that the 1H inversion driving method of alternating the driving potential of the pixel electrode for each scanning line is employed. In this case, even if a scanning signal or the like enters as noise according to the parasitic capacitance as described above, it is possible to effectively prevent the occurrence of flicker.
[0030]
In another aspect of the electro-optical device of the present invention, the electro-optical device further includes a counter substrate facing the substrate, and an electro-optical material layer sandwiched between the substrate and the counter substrate.
[0031]
According to this aspect, it is possible to realize an electro-optical device such as a liquid crystal device in which an electro-optical material layer is sandwiched between a pair of substrates and a counter substrate.
[0032]
In order to solve the above problems, a driving device for an electro-optical device according to the present invention has a plurality of pixel electrodes arranged in a matrix on a substrate, a thin film transistor for controlling switching of the pixel electrode, and a gate for the thin film transistor. A scanning line provided for a row of the pixel electrodes to supply a scanning signal for turning the thin film transistor on or off, and a source and a drain when the thin film transistor is turned on. And a data line provided corresponding to the column of the pixel electrodes so as to supply an image signal to the pixel electrode. In the course of changing the potential of the scanning signal from a high potential for turning on the thin film transistor to a low potential for turning off the thin film transistor, Serial during changing a potential of the scanning signal from the low potential to the high potential, and a scanning signal supply means for fixing to an intermediate potential for a predetermined time in the electric potential of the scanning signal between the high potential and the low potential.
[0033]
According to the electro-optical device driving device of the present invention, it is possible to reduce pixel unevenness and flicker in both the central portion and the peripheral portion of the image display area by the same operation as in the above-described electro-optical device of the present invention. Thus, high-quality image display is possible.
[0034]
In one aspect of the electro-optical device driving device according to the aspect of the invention, the scan signal supply unit includes a shift register circuit that sequentially outputs a transfer signal for each of the scanning lines, and the transfer signal is input and the An output circuit that outputs a scanning signal to the scanning line in a line-sequential manner; and a power supply variation unit that changes an external power supply that defines a high potential at an output side of the output circuit into two values.
[0035]
According to this aspect, during the operation, the scanning signal supply means sequentially outputs the transfer signal for each scanning line by the shift register circuit. Then, the output circuit outputs the scanning signals to the scanning lines line-sequentially in response to the transfer signal. Here, in particular, the external power supply that defines the high potential on the output side of the output circuit is binary-changed by the power supply variation means. For this reason, the potential of the scanning signal on the m-th row can be changed from the high potential to the intermediate potential and further from the intermediate potential to the low potential after a predetermined time, and at the same time, the potential of the scanning signal on the (m + 1) -th row can be The potential can be changed from the low potential to the middle potential, and further changed from the middle potential to the high potential after a predetermined time.
[0036]
In another aspect of the electro-optical device driving device according to the present invention, the device further includes an image signal supply unit that supplies the image signal to the data line.
[0037]
According to this aspect, the image signal can be supplied by the image signal supply unit while the scan signal is supplied by the scan signal supply unit. A driving device including such a scanning signal supply unit and an image signal supply unit may be built on a substrate of an electro-optical device, or may be constructed as an external IC (integrated circuit) that is retrofitted to the electro-optical device. You may.
[0038]
The driving method of the electro-optical device according to the present invention includes a scan signal for turning on or off the thin film transistor with respect to the gate of the thin film transistor, and holding the scan signal from a low potential to an intermediate potential for a predetermined time, The method includes a step of maintaining the intermediate potential at a high potential for a predetermined time, a step of maintaining the high potential at an intermediate potential for a predetermined time, and a step of changing the intermediate potential to a low potential.
An electronic apparatus according to the present invention includes the above-described electro-optical device (including various aspects thereof) according to the present invention in order to solve the above problems.
According to the electronic apparatus of the present invention, since it is configured to include the above-described electro-optical device of the present invention, pixel unevenness and flicker are reduced, and a projector, a liquid crystal television, and a mobile phone are excellent in display quality. Various electronic devices such as an electronic organizer, a word processor, a viewfinder type or a monitor direct-view type video tape recorder, a workstation, a videophone, a POS terminal, and a touch panel can be realized.
[0040]
The operation and other advantages of the present invention will become more apparent from the embodiments explained below.
[0041]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, the electro-optical device of the present invention is applied to a liquid crystal device.
[0042]
(1st Embodiment)
A first embodiment according to the electro-optical device of the present invention will be described with reference to FIGS.
[0043]
First, the basic configuration of the electro-optical device according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a circuit diagram showing an equivalent circuit such as various elements and wirings in a plurality of pixels formed in a matrix forming an image display area of the electro-optical device together with a peripheral driving circuit. FIG. 4 is a plan view of a plurality of adjacent pixel groups on a TFT array substrate on which data lines, scanning lines, pixel electrodes, and the like are formed. FIG. 3 is a sectional view taken along the line KK 'of FIG. In FIG. 3, the scale of each layer and each member is made different so that each layer and each member have a size recognizable in the drawing.
[0044]
In FIG. 1, a plurality of pixels formed in a matrix forming an image display area of the electro-optical device according to the present embodiment are each provided with a pixel electrode 9a and a TFT 30 for controlling the switching of the pixel electrode 9a. The data line 6a to which an image signal is supplied is electrically connected to the source of the TFT 30. The scanning line 3a to which the scanning signal is supplied is electrically connected to the gate of the TFT 30. The pixel electrode 9a and the storage capacitor 70 are electrically connected to the drain of the TFT 30.
[0045]
The electro-optical device is provided with a data signal supply circuit 101 and a scanning signal supply circuit 104 in a peripheral area located around the image display area.
[0046]
The data signal supply circuit 101 includes a data line driving circuit, a sampling circuit, and the like, samples the image signal on the image signal line at a predetermined timing, and outputs the sampled image signal to each data line 6a as image signals S1, S2,. It is configured to write sequentially.
[0047]
On the other hand, the scanning signal supply circuit 104 is configured to supply the scanning signals G1, G2,..., Gm in a pulsed manner to the scanning line 3a line by line at a predetermined timing in this order.
[0048]
In this embodiment, in particular, the scanning signals G1, G2,..., Gm are not only a high level for turning on the TFT 30 and a low level for turning off the TFT 30, but also an incomplete on state or incomplete state of the TFT 30. It can take an intermediate-level potential to make it an off state. Details of such a scanning signal will be described later.
[0049]
In the image display area, scanning signals G1, G2,..., Gm are applied line by line to the gate of the TFT 30 from the scanning signal supply circuit 104 via the scanning line 3a. Image signals S1, S2,..., And Sn supplied from the data lines 6a are written at predetermined timings in the pixel electrodes 9a by closing the switches of the TFTs 30 as pixel switching elements for a predetermined period. The image signals S1, S2,..., Sn of a predetermined level written in the liquid crystal as an example of the electro-optical material via the pixel electrodes 9a are held for a certain period between the image signals S1, S2,. You. The liquid crystal modulates light by changing the orientation and order of the molecular assembly depending on the applied voltage level, thereby enabling gray scale display. In the normally white mode, the transmittance for the incident light decreases according to the voltage applied in each pixel unit, and in the normally black mode, the light enters according to the voltage applied in each pixel unit Light transmittance is increased, and light having a contrast corresponding to an image signal is emitted from the electro-optical device as a whole. Here, in order to prevent the held image signal from leaking, a storage capacitor 70 is added in parallel with a liquid crystal capacitor formed between the pixel electrode 9a and the counter electrode. As will be described in detail later, the storage capacitor 70 includes a pixel potential side capacitor electrode connected to the pixel electrode 9a, and a fixed potential side capacitor electrode disposed opposite to the pixel potential side capacitor electrode with a dielectric film interposed therebetween. A part of the fixed potential capacitance line 300 arranged alongside the scanning line 3a is such a fixed potential side capacitance electrode.
[0050]
Next, as shown in FIG. 2, on the TFT array substrate of the electro-optical device, a plurality of transparent pixel electrodes 9a (indicated by dotted lines 9a ') are provided in a matrix, and A data line 6a and a scanning line 3a are provided along the vertical and horizontal boundaries of the electrode 9a.
[0051]
In addition, a scanning line 3a is arranged so as to face a channel region 1a 'indicated by a hatched region ascending in FIG. 2 in the semiconductor layer 1a, and the scanning line 3a includes a gate electrode. The scanning line 3a has a wide gate electrode portion facing the channel region 1a '.
[0052]
As described above, at the intersections of the scanning lines 3a and the main lines 61a of the data lines 6a, the pixel switching TFTs 30 in which a part of the scanning lines 3a are opposed to each other as gate electrodes are provided in the channel region 1a '. Have been.
[0053]
The relay layer 71 is provided as a pixel potential side capacitor electrode connected to the high concentration drain region of the TFT 30 and the pixel electrode 9a. Above the relay layer 71, a part of the capacitance line 300 as a fixed potential side capacitance electrode is provided along the scanning line 3a, and these are arranged to face each other with a dielectric film interposed therebetween. A storage capacitor connected to the electrode 9a is formed. The capacitor line 300 extends in a stripe shape along the scanning line 3a when viewed in a plan view, and a portion overlapping the TFT 30 projects vertically in FIG. Below the TFT 30 on the TFT array substrate 10, a lower light-shielding film 11a is provided in a lattice shape. On the scanning line 3a, an interlayer insulating film is formed in which a contact hole 81 communicating from the data line 6a to the high-concentration source region and a contact hole 83 communicating from the relay layer 71 to the high-concentration drain region are respectively formed. On the data line 6a, an interlayer insulating film in which a contact hole 85 is formed from the pixel electrode 9a to the relay layer 71 is formed, and the pixel electrode 9a is further provided thereon.
[0054]
Next, details of the above-described scanning signal supply circuit will be described with reference to FIGS. FIG. 3 is a timing chart of a data signal, a scanning signal, and the like in the comparative example. FIG. 4 is a block diagram of a middle-wave circuit and a scanning signal supply circuit in the present embodiment, and FIG. 5 is a timing chart of a data signal, a scanning signal, and the like in the present embodiment.
[0055]
In the present embodiment, it is assumed that field inversion driving is performed in which all the pixel electrodes 9a are driven by the same polarity potential in the same field, and these potentials are reversed in the field cycle. That is, the image signal supplied from the data signal supply circuit 101 is an image signal that is AC-inverted in a field unit.
[0056]
In FIG. 2, the gate of the TFT 30 connected to the pixel electrode B located on the m-th row in the pixel electrode 9a is defined as a gate 402, and the scanning signal supplied to the gate 402 is defined as a scanning signal Gm. On the other hand, the gate of the TFT 30 connected to the pixel electrode C located on the (m + 1) -th row in the pixel electrode 9a is a gate 404, and the scanning signal supplied to the gate 404 is a scanning signal Gm + 1.
[0057]
In the configuration shown in FIG. 2, a portion E of the pixel electrode C of the next row, which is indicated by hatching, overlaps the scanning line 3a to which the scanning signal Gm is supplied. Since the interlayer insulating film stacked between these overlapping layers is relatively thin, a parasitic capacitance is generated between them. Furthermore, the parasitic capacitance of the drain of the TFT 30, the data line 6a, and the capacitance line 300 is generated between the pixel electrode C and the next row.
[0058]
Therefore, in such a configuration, the scanning signal supply circuit 104 temporarily sets the pulse-like rectangular wave scanning signal so that the TFT 30 in the (m + 1) th row is turned on at the moment when the TFT 30 in the mth row is turned off. When Gm, Gm + 1,... Are supplied, the scanning signal and the image signal on the (m + 1) -th row jump into the pixel potential of the pixel electrode B on the m-th row as noise due to the parasitic capacitance.
[0059]
More specifically, as shown in FIG. 3, at the moment when the gate 402 of the pixel electrode B tries to close at the falling edge 452 of the scanning signal Gm, the gate 404 of the pixel electrode C is opened at the rising edge 454 of the scanning signal Gm + 1. The change in the voltage at the pixel electrode C via the gate 404 changes the potential of the scanning signal Gm, for example, due to the parasitic capacitance described above. Thereby, for example, the falling edge 452 of the scanning signal Gm is swung like a curve 456, and the gate 402 of the pixel electrode B is not closed. Therefore, the image signal 464 to be written to the pixel electrode C also jumps into the image signal 462 to be written to the pixel electrode B as noise. Since the parasitic capacitance has unevenness in pixel units, such a change in the writing potential causes pixel unevenness. In the image signal Sn shown in FIG. 3, the image signal 462 and the image signal 464 have the same polarity with respect to a reference voltage 458 of 0 V, for example, for field inversion driving.
[0060]
Further, in the case of the comparative example shown in FIG. 3, the waveforms of the scanning signals Gm, Gm + 1,... Actually decrease according to the wiring capacitance of the scanning line 3a. For this reason, the on / off timing of the TFT 30 differs between the peripheral portion and the central portion in the left-right direction in FIGS. 1 and 2 in accordance with the degree to which the waveform of the scanning signal is blunted. As a result, as described above, the influence of noise due to the scanning signal of the next row that jumps into the image signal at the moment when the TFT 30 is turned off is different between the peripheral portion and the central portion. Therefore, in particular, in the case of employing AC inversion drive for inverting the drive potential of each pixel electrode in a field cycle or the like, a DC component is not generated in the drive potential due to such noise at the center of the image display area. If the potential or the like of the scanning signal is adjusted, a DC component is generated in the peripheral portion due to such noise. Conversely, if the potential of the scanning signal is adjusted at the periphery of the image display area so that no DC component is generated in the driving potential due to such noise, a DC component is generated at the center due to such noise.
[0061]
As a result, according to the comparative example shown in FIG. 3, pixel unevenness occurs, and flicker occurs at the peripheral portion or the central portion.
[0062]
On the other hand, in this embodiment, as shown in FIGS. 4 and 5, the scanning signal supply circuit 104 changes the power supply voltage Vdd2 supplied to the last-stage buffer circuit 508 to the voltage Vm and the voltage Vm by the middle-stage wave circuit 550. It is configured to change to binary with Vcl. Then, while changing the potentials of the scanning signals G1 to Gm from the high potential Vcl to the low potential 0 for each scanning line, the potentials of the scanning signals G1 to Gm are fixed to the intermediate potential Vm for a predetermined time. Is configured such that the potentials of the scanning signals G1 to Gm are fixed to the intermediate potential Vm for a predetermined time while changing the potentials of the scanning signals G1 to Gm from the low potential 0 to the high potential Vcl.
[0063]
Hereinafter, with reference to FIGS. 4 and 5, the detailed configurations of the scanning signal supply circuit 104 and the middle-stage wave circuit 550 configured as described above will be further described along with their operations.
[0064]
4, the scanning signal supply circuit 104 includes a shift register circuit 504, an inverter circuit 506, and a buffer circuit 508. The shift register circuit 504 generates a basic waveform P1 of each of the scanning signals G1 to Gm from the clock Vdd1. The basic waveform P1 is a transfer output that shifts in the order of the scanning signals G1 to Gm. The basic waveform P1 passes through the inverter circuit 506 and the buffer circuit 508, and becomes two-step waveform scanning signals G1 to Gm as shown in FIG.
[0065]
The middle stage circuit 550 includes a DAC 520, variable resistors 522, 528 and 530, an amplifier 524, transistors 532, 534 and 536, and a pulse generation circuit 526.
[0066]
To determine the intermediate potential Vm, the output of the DA converter 520 is input to the variable resistor 522. This is for the purpose of determining the analog potential amount (A) from the digital signal (D) by the DA converter 520 and determining the potential with the variable resistor 522. The output of the variable resistor 522 is subjected to impedance conversion by the amplifier 524. The output of the amplifier 524 is set to the intermediate potential Vm.
[0067]
On the other hand, from the clock Vdd1, the pulse generation circuit 526 generates a pulse that rises later by the time ta than the rise of the basic waveform P1 and falls earlier by the time tb than the fall of the basic waveform P1. Here, the ta time and the tb time can be changed by the variable resistors 528 and 530. The output of the pulse generation circuit 526 is passed to the transistor 532 to generate a pulse having a peak voltage of the intermediate potential Vm. This pulse is shifted in voltage level by the transistor 534, and further converted by the transistor 536 into a pulse whose peak voltage is the power supply voltage Vcl and whose lower potential is the intermediate potential Vm.
[0068]
In this way, as shown in FIG. 5, the potential under the pulse is the intermediate potential Vm, rises later by the time ta than the rise of the basic waveform P1, and reaches the power supply voltage Vcl of the peak voltage, as shown in FIG. The power supply voltage Vdd2 falls earlier than the fall of the basic waveform P1 by the time tb and reaches the intermediate potential Vm. Note that the image signal Sn includes a falling edge of a pulse of the power supply voltage Vdd2.
[0069]
Then, such a power supply voltage Vdd2 is input to the source of the complementary TFT of the buffer circuit 508 as a high power supply. Then, since the inverted waveform of the basic waveform P1 is input to the gate of the complementary TFT of the buffer circuit 508, the output of the buffer circuit 508 becomes a composite waveform. That is, the output of the buffer circuit 508 becomes the scanning signals G1, G2,... Having the two-step waveform 604 shown in FIG. More specifically, the scanning signals G1, G2,... Having the two-step waveform 604 start from the ground reference potential (0 V) and reach the rising intermediate potential Vm almost simultaneously with the rising of the basic waveform P1. Here, the scanning signal is held at the intermediate potential Vm for a time ta. After ta time, the potential further reaches the potential of the power supply voltage Vcl and is maintained. As a result, the gate of the pixel switching TFT is opened, and writing of the image signal Sn is started. After that, the scanning signals G1, G2,... Fall to the intermediate potential Vm earlier by the time tb than the falling of the basic waveform P1. Almost simultaneously with the fall timing of the basic waveform P1, the voltage falls to the ground reference potential (0 V). Since the data signal Sn includes the falling edge of the scanning signal, the gate of the pixel switching TFT is closed, and the writing of the image signal Sn is completed.
[0070]
The intermediate potential Vm of the scanning signals G1, G2,... Having the two-step waveform generated as described above is set to a potential that causes each TFT 30 to be in an incomplete ON state. Therefore, compared to the case of the comparative example of directly switching between the complete on state and the complete off state as shown in FIG. 3, the components such as the scanning signal and the image signal on the (m + 1) th row are reduced by the parasitic capacitance. Even if a noise component jumps into a scanning signal, an image signal, or the like on the m-th row, potential fluctuation due to the noise component can be reduced.
[0071]
As described above, according to the present embodiment, in FIG. 1 and FIG. 2, when the TFT 30 in the m-th row is turned off, even if the scanning signal or the like in the (m + 1) -th row jumps as noise due to the parasitic capacitance described above. The amount of change in pixel potential that should be held by each pixel electrode 9a can be reduced by the scanning signals G1 to Gm having a two-step waveform. Therefore, it is possible to reduce pixel unevenness that occurs on an image finally displayed. In particular, even if the pixel capacitance is reduced to increase the parasitic capacitance, the adverse effect on the image quality can be reduced. Further, when the AC inversion drive is adopted, flicker can be reduced in both the central part and the peripheral part of the image display area. As a result, finally, high-quality image display with reduced pixel unevenness and flicker can be realized.
[0072]
In the embodiment described above, the pixel switching TFT 30 is of a top gate type, but may be a bottom gate type TFT. In addition, the TFT 30 may be configured to include a single crystal semiconductor layer formed by bonded SOI. Further, the switching TFT 30 preferably has an LDD structure, but may have an offset structure in which impurity ions are not implanted into the low-concentration source region 1b and the low-concentration drain region 1c, or may be a part of the scanning line 3a. A self-aligned TFT in which impurity ions are implanted at a high concentration using the gate electrode as a mask to form high-concentration source and drain regions in a self-aligned manner may be used. Furthermore, in the present embodiment, a single gate structure in which only one gate electrode of the pixel switching TFT 30 is disposed between the high-concentration source region 1d and the high-concentration drain region 1e has been described. Electrodes may be arranged. Furthermore, even if the present invention is applied not only to a projection type or transmission type liquid crystal device but also to a reflection type liquid crystal device, the effect of reducing pixel unevenness and flicker according to the present embodiment can be similarly obtained.
[0073]
(2nd Embodiment)
Next, a second embodiment of the electro-optical device will be described with reference to FIGS. Here, FIG. 6 is a timing chart showing the timing of the data line drive signal and the scanning signal in the second embodiment, and FIG. 7 is a middle stage circuit in the present embodiment configured to generate two systems of scanning signals. And a block diagram of a scanning signal supply circuit.
[0074]
In the second embodiment, 1H inversion driving is performed in which the pixel electrodes 9a in the same row are driven with the same polarity of potential and the potential polarity is inverted in a field cycle for each row. That is, the image signal supplied from the data signal supply circuit 101 is a signal accompanied by polarity reversal for each row in a field unit. As a result, the deterioration of the liquid crystal due to the application of the DC voltage can be effectively avoided. The basic configuration of the electro-optical device according to the second embodiment is the same as that of the first embodiment described with reference to FIGS.
[0075]
That is, as shown in FIG. 6, in the second embodiment, the potential polarity of the image signal Sn is inverted with respect to the fixed potential Vb every horizontal scanning period. More specifically, in FIG. 6, the writing potential 722 of the image signal Sn is higher than the fixed potential Vb by Vs1 in the first horizontal scanning period, and in the next horizontal scanning period, the writing potential 724 of the image signal Sn is higher. Is lower than the fixed potential Vb by Vs2. In the next horizontal scanning period, the writing potential 726 of the image signal Sn is higher than the fixed potential Vb by Vs1.
[0076]
In the second embodiment, since display is performed using such an image signal Sn, odd-numbered rows and even-numbered rows, which are always driven with the same potential polarity, are divided into two sections. Dealing with dullness can further reduce the adverse effects of these. Therefore, in the second embodiment, the middle-stage circuit of the first embodiment shown in FIG. 4 is provided as a separate system for odd-numbered scan lines and even-numbered scan lines.
[0077]
That is, as shown in FIG. 7, the power supply voltage is supplied from the first middle-stage wave circuit 862 to the buffer circuits 854, 858,... Connected to the odd-numbered scan lines, and the second middle-stage wave circuit 864 supplies the odd-numbered row lines. It is configured to supply a power supply voltage to the buffer circuits 856, 860,... Connected to the scanning lines.
[0078]
The first middle-stage circuit 862 has a configuration similar to the middle-stage circuit 550 described in the first embodiment, and generates a peak voltage Vcl2 and an intermediate potential Vm2 from the power supply voltage Vcl and the clock Vdd1. The specific value of the intermediate potential Vm2 may be determined experimentally or empirically by checking the state of flicker.
[0079]
As shown in FIG. 6, in the first middle stage wave Vp1 corresponding to the scanning signal G1, the peak voltage Vcl2, the intermediate potential Vm2, and the ta time and the tb time during which the intermediate potential is held are set so as to reduce flicker. ing. Then, the scanning signals G1, G3, G5,... Having the two-stage waveforms 704, 706, 712,. On the other hand, even when the scanning signals G2, G4,... Having the two-step waveforms 706, 710,. Supplied as in the odd case. The specific value of the intermediate potential Vm3 may also be determined experimentally or empirically by checking the state of flicker. Thus, the intermediate potential of the first middle stage wave and the second middle stage wave and the high potential of the first middle stage wave and the second middle stage wave are set to be different from each other.
[0080]
As described above, according to the present embodiment, even in the 1H inversion driving method, when the TFT 30 in the m-th row is turned off, even if the scanning signal or the like in the (m + 1) -th row jumps as noise due to the parasitic capacitance described above, The amount of change in pixel potential that should be held by each pixel electrode 9a can be reduced by the scanning signals G1, G2,... Having a two-stage waveform. Therefore, it is possible to reduce pixel unevenness that occurs on an image finally displayed. In particular, flicker can be reduced at both the center and the periphery of the image display area. As a result, finally, high-quality image display with reduced pixel unevenness and flicker can be realized.
[0081]
In the 1H inversion driving method according to the present embodiment, the polarity of the driving voltage may be inverted for each row, or may be inverted for every two adjacent rows or for a plurality of rows.
[0082]
(Modified form)
In each of the above embodiments, the intermediate potential is set by the DA converter and the variable resistor, but pixel unevenness and flicker are detected in advance before shipment or during normal operation, and a digital signal is automatically generated depending on the degree. The intermediate potential may be set by generating the digital input signal of the DA converter 520 and generating the digital input signal.
[0083]
In each of the above-described embodiments, the holding time of the intermediate potential of the scanning signal having the two-step waveform, that is, the setting of the ta time or the tb time is changed by the variable resistors 528 and 530. May be detected, a digital signal may be automatically generated according to the degree of the detection, the digital signal may be used as a digital input signal of the DA converter, and an analog voltage output may be input to the pulse generation circuit 526 for setting.
[0084]
As described above, if the two-step waveform of the scanning signal is controlled by detecting the pixel unevenness and the flicker, it is advantageous because the unevenness and the flicker due to the variation of each product and the aging change can be dealt with.
[0085]
Furthermore, in each of the above-described embodiments, one intermediate potential is used at the time of falling and one rising, but a plurality of intermediate potentials are set instead to generate a scanning signal having a stair-like multi-step waveform. However, a similar effect can be obtained.
[0086]
(Overall configuration of electro-optical device)
The overall configuration of the electro-optical device according to each embodiment configured as described above will be described with reference to FIGS. FIG. 8 is a plan view of the TFT array substrate 10 together with the components formed thereon as viewed from the counter substrate 20, and FIG. 9 is a cross-sectional view taken along the line HH 'of FIG.
[0087]
8, a sealing material 52 is provided on the TFT array substrate 10 along the edge thereof, and a light shielding film 53 as a frame defining the periphery of the image display area 10a is provided in parallel with the inside of the sealing material 52. Is provided. A data signal supply circuit 101 and an external circuit connection terminal 102 are provided along a side of the TFT array substrate 10 in a region outside the sealing material 52, and a scanning signal supply circuit 104 is provided on two sides adjacent to the one side. It is provided along. If the delay of the scanning signal supplied to the scanning line 3a does not matter, it goes without saying that the scanning signal supply circuit 104 may be provided on only one side. Further, the data signal supply circuits 101 may be arranged on both sides along the side of the image display area 10a. Further, on one remaining side of the TFT array substrate 10, a plurality of wirings 105 for connecting between the scanning signal supply circuits 104 provided on both sides of the image display area 10a are provided. In at least one of the corners of the opposing substrate 20, a conductive material 106 for electrically connecting the TFT array substrate 10 and the opposing substrate 20 is provided. Then, as shown in FIG. 9, the opposite substrate 20 having substantially the same contour as the sealing material 52 shown in FIG. 8 is fixed to the TFT array substrate 10 by the sealing material 52.
[0088]
On the TFT array substrate 10, in addition to the data signal supply circuit 101 and the scanning signal supply circuit 104, a precharge signal of a predetermined voltage level is supplied to the plurality of data lines 6a in advance of the image signal. A precharge circuit to be performed, an inspection circuit for inspecting the quality, defects, and the like of the electro-optical device during manufacturing or shipping may be formed.
[0089]
In the embodiment described with reference to FIGS. 1 to 9, the data signal supply circuit 101 and the scan signal supply circuit 104 are mounted on, for example, a TAB (Tape Automated Bonding) substrate instead of being provided on the TFT array substrate 10. The driving LSI thus formed may be electrically and mechanically connected via an anisotropic conductive film provided on the periphery of the TFT array substrate 10. For example, a TN (Twisted Nematic) mode, an STN (Super Twisted Nematic) mode, and a VA (Vertically Aligned) mode are respectively provided on the side of the opposite substrate 20 on which the projected light is incident and on the side of the TFT array substrate 10 from which the emitted light is emitted. A polarizing film, a retardation film, a polarizing plate, and the like are arranged in a predetermined direction according to an operation mode such as a mode, a PDLC (Polymer Dispersed Liquid Crystal) mode, and a normally white mode / a normally black mode.
[0090]
Since the electro-optical device in the embodiment described above is applied to a projector, three electro-optical devices are used as light valves for RGB, respectively, and each light valve is provided with a dichroic mirror for RGB color separation. The light of each color decomposed is then incident as projection light. Therefore, in each embodiment, the opposing substrate 20 is not provided with a color filter. However, an RGB color filter may be formed on the opposing substrate 20 in a predetermined area facing the pixel electrode 9a together with its protective film. In this way, the electro-optical device in each embodiment can be applied to a direct-view or reflective color electro-optical device other than the projector. Further, a micro lens may be formed on the counter substrate 20 so as to correspond to one pixel. Alternatively, it is also possible to form a color filter layer with a color resist or the like under the pixel electrode 9a facing the RGB on the TFT array substrate 10. With this configuration, a bright electro-optical device can be realized by improving the efficiency of collecting incident light. Furthermore, a dichroic filter that produces RGB colors using light interference may be formed by depositing a number of interference layers having different refractive indexes on the counter substrate 20. According to the counter substrate with the dichroic filter, a brighter color electro-optical device can be realized.
[0091]
(Embodiment of electronic device)
Next, an overall configuration, particularly an optical configuration, of an embodiment of a projection type color display device as an example of an electronic apparatus using the electro-optical device described above in detail as a light valve will be described. FIG. 10 is a schematic sectional view of a projection type color display device.
[0092]
In FIG. 10, a liquid crystal projector 1100, which is an example of a projection type color display device according to the present embodiment, prepares three liquid crystal modules each including a liquid crystal device 100 in which a driving circuit is mounted on a TFT array substrate, and respectively supplies light for RGB. The projector is used as the bulbs 100R, 100G, and 100B. In the liquid crystal projector 1100, when projection light is emitted from a lamp unit 1102 of a white light source such as a metal halide lamp, three mirrors 1106 and two dichroic mirrors 1108 light components R, G, and R corresponding to the three primary colors of RGB. B, and are led to the light valves 100R, 100G, and 100B corresponding to each color. At this time, in particular, the B light is guided through a relay lens system 1121 including an entrance lens 1122, a relay lens 1123, and an exit lens 1124 in order to prevent light loss due to a long optical path. The light components corresponding to the three primary colors modulated by the light valves 100R, 100G, and 100B, respectively, are recombined by the dichroic prism 1112, and then projected as a color image on the screen 1120 via the projection lens 1114.
[0093]
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be appropriately changed without departing from the gist or the idea of the invention which can be read from the claims and the entire specification, and the electro-optic with such changes The device, its driving circuit, and the electronic device are also included in the technical scope of the present invention.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a circuit diagram showing an equivalent circuit such as various elements and wiring provided in a plurality of pixels in a matrix forming an image display area in an embodiment according to an electro-optical device of the present invention, together with a peripheral driving circuit thereof. It is.
FIG. 2 is a plan view of a TFT array substrate on which data lines, scanning lines, pixel electrodes, and the like are formed in the electro-optical device according to the embodiment.
FIG. 3 is a timing chart of a data signal, a scanning signal, and the like in a comparative example.
FIG. 4 is a block diagram of a middle-stage wave circuit and a scanning signal supply circuit according to the embodiment.
FIG. 5 is a timing chart of a data signal, a scanning signal, and the like in the embodiment.
FIG. 6 is a timing chart showing timings of a data line driving signal and a scanning signal according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a block diagram of a middle-stage wave circuit and a scanning signal supply circuit according to a second embodiment.
FIG. 8 is a plan view of the TFT array substrate in the electro-optical device according to the embodiment together with the components formed thereon as viewed from the counter substrate side.
FIG. 9 is a sectional view taken along the line HH ′ of FIG. 8;
FIG. 10 is a schematic sectional view showing a color liquid crystal projector as an example of a projection type color display device which is an embodiment of the electronic apparatus of the invention.
[Explanation of symbols]
3a scanning line 6a data line 9a pixel electrode 10 TFT array substrate 20 counter substrate 30 TFT
50 liquid crystal layer 101 scanning signal supply circuit 104 data signal supply circuit 504 shift register circuit 506 inverter circuit 508 buffer circuit 520 DA converter 524 amplifier 526 pulse generation circuit 550 middle stage wave circuit 862 first Middle stage wave circuit 864: 2nd middle stage wave circuit

Claims (18)

基板上に、
マトリクス状に配置された複数の画素電極と、
該画素電極をスイッチング制御する薄膜トランジスタと、
該薄膜トランジスタのゲートに対して前記薄膜トランジスタをオン状態又はオフ状態にする走査信号を供給すべく設けられた走査線と、
前記薄膜トランジスタが前記オン状態にされた際、そのソース及びドレインを介して画像信号を前記画素電極に供給すべく設けられたデータ線と、
前記走査信号を前記走査線に線順次で供給する走査信号供給手段と
を備えており、
前記走査信号供給手段は、前記薄膜トランジスタを前記オン状態にする高電位から前記オフ状態にする低電位まで前記走査信号の電位を変化させる途中及び前記低電位から前記高電位まで前記走査信号の電位を変化させる途中に、前記走査信号の電位を前記高電位及び前記低電位間にある中間電位に所定時間だけ固定することを特徴とする電気光学装置。On the substrate,
A plurality of pixel electrodes arranged in a matrix,
A thin film transistor for switching control of the pixel electrode;
A scanning line provided to supply a scanning signal for turning on or off the thin film transistor to the gate of the thin film transistor;
A data line provided to supply an image signal to the pixel electrode via its source and drain when the thin film transistor is turned on;
Scanning signal supply means for supplying the scanning signal line-sequentially to the scanning line,
The scanning signal supply unit changes the potential of the scanning signal during the course of changing the potential of the scanning signal from a high potential for turning on the thin film transistor to a low potential for turning off the thin film transistor and from the low potential to the high potential. An electro-optical device wherein the potential of the scanning signal is fixed to an intermediate potential between the high potential and the low potential for a predetermined time during the change. 前記走査信号供給手段は、相隣接する走査線に供給される二つの走査信号のうち先行する走査信号が前記中間電位から前記低電位に変化する期間と後続する走査信号が前記低電位から前記中間電位に変化する期間とが重なるように、前記走査信号を供給することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。The scanning signal supply unit includes a period in which a preceding scanning signal of the two scanning signals supplied to the adjacent scanning lines changes from the intermediate potential to the low potential and a subsequent scanning signal changes from the low potential to the intermediate potential. 2. The electro-optical device according to claim 1, wherein the scanning signal is supplied such that a period during which the potential changes is overlapped. 前記中間電位は、前記薄膜トランジスタを不完全なオン状態にする電位に設定されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。3. The electro-optical device according to claim 1, wherein the intermediate potential is set to a potential that causes the thin film transistor to be in an incomplete ON state. 4. 前記走査信号供給手段は、前記走査信号の電位を前記高電位から前記低電位まで変化させる途中に、前記中間電位を含む複数の相異なる電位に夫々所定期間だけ固定し、前記走査信号の電位を前記低電位から前記高電位まで変化させる途中に、前記中間電位を含む複数の相異なる電位に夫々所定期間だけ固定することを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。The scan signal supply unit fixes the potential of the scan signal to a plurality of different potentials including the intermediate potential for a predetermined period of time while changing the potential of the scan signal from the high potential to the low potential. 4. The electro-optic device according to claim 1, wherein during the change from the low potential to the high potential, each of the potentials is fixed to a plurality of different potentials including the intermediate potential for a predetermined period. 5. apparatus. 前記走査信号供給手段は、
前記走査線毎に転送信号を順次出力するシフトレジスタ回路と、
該転送信号が入力されると共にこれに応じて前記走査信号を前記走査線に線順次で出力する出力回路と、
該出力回路の出力側における高電位を規定する外部電源を２値変化させる電源変動手段と
を含むことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置。The scanning signal supply means,
A shift register circuit for sequentially outputting a transfer signal for each scanning line;
An output circuit that receives the transfer signal and outputs the scanning signal to the scanning line in a line-sequential manner in response thereto;
5. The electro-optical device according to claim 1, further comprising a power supply changing unit that changes an external power supply that defines a high potential at an output side of the output circuit into two values. 6. 前記出力回路は、前記外部電源が高電位側に接続された相補型トランジスタ回路を含んでなるインバータ回路又はバッファ回路からなることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。The electro-optical device according to claim 5, wherein the output circuit comprises an inverter circuit or a buffer circuit including a complementary transistor circuit in which the external power supply is connected to a high potential side. 前記電源変動手段は、二つの電源を切り替えて出力するスイッチを含んでなることを特徴とする請求項５又は６に記載の電気光学装置。The electro-optical device according to claim 5, wherein the power supply variation unit includes a switch that switches between two power supplies and outputs the power. 前記電源変動手段は、二つの電源を切り替えて出力するプログラマブルＤＡ（デジタル−アナログ）コンバータを含んでなることを特徴とする請求項５又は６に記載の電気光学装置。The electro-optical device according to claim 5, wherein the power supply variation unit includes a programmable DA (digital-analog) converter that switches and outputs two power supplies. 前記出力回路は、前記複数の走査線のうち奇数行の走査線に対して前記走査信号を順次出力する第１系統部と前記複数の走査線のうち偶数行の走査線に対して前記走査信号を順次出力する第２系統部とからなり、
前記電源変動手段は、前記第１系統部及び前記第２系統部の別に前記外部電源を２値変化させることを特徴とする請求項５から８のいずれか一項に記載の電気光学装置。The output circuit includes a first system unit that sequentially outputs the scan signals to odd-numbered scan lines of the plurality of scan lines, and the scan signal to an even-numbered scan line of the plurality of scan lines. And a second system unit that sequentially outputs
9. The electro-optical device according to claim 5, wherein the power supply variation unit changes the external power supply in a binary manner for each of the first system unit and the second system unit. 10. 前記基板に対向する対向基板と、
前記基板及び前記対向基板間に挟持された電気光学物質層と
を更に備えたことを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の電気光学装置。A counter substrate facing the substrate,
The electro-optical device according to any one of claims 1 to 9, further comprising an electro-optical material layer sandwiched between the substrate and the counter substrate. 基板上に、マトリクス状に配置された複数の画素電極と、該画素電極をスイッチング制御する薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタのゲートに対して前記薄膜トランジスタをオン状態又はオフ状態にする走査信号を供給すべく設けられた走査線と、前記薄膜トランジスタが前記オン状態にされた際、そのソース及びドレインを介して画像信号を前記画素電極に供給すべく設けられたデータ線とを備えた電気光学装置に対して、前記走査信号を供給する電気光学装置の駆動装置であって、
前記薄膜トランジスタを前記オン状態にする高電位から前記オフ状態にする低電位まで前記走査信号の電位を変化させる途中及び前記低電位から前記高電位まで前記走査信号の電位を変化させる途中に、前記走査信号の電位を前記高電位及び前記低電位間にある中間電位に所定時間だけ固定する走査信号供給手段を備えたことを特徴とする電気光学装置の駆動装置。A plurality of pixel electrodes arranged in a matrix on a substrate, a thin film transistor for controlling switching of the pixel electrode, and a scanning signal for turning the thin film transistor on or off with respect to a gate of the thin film transistor are provided. For the electro-optical device having a scanning line and a data line provided to supply an image signal to the pixel electrode via its source and drain when the thin film transistor is turned on, A driving device for the electro-optical device that supplies the scanning signal,
The scanning is performed while changing the potential of the scanning signal from a high potential for turning on the thin film transistor to a low potential for turning off the thin film transistor, and during changing the potential of the scanning signal from the low potential to the high potential. A driving apparatus for an electro-optical device, comprising: a scanning signal supply unit for fixing a signal potential to an intermediate potential between the high potential and the low potential for a predetermined time. 前記走査信号供給手段は、
前記走査線毎に転送信号を順次出力するシフトレジスタ回路と、
該転送信号が入力されると共にこれに応じて前記走査信号を前記走査線に線順次で出力する出力回路と、
該出力回路の出力側における高電位を規定する外部電源を２値変化させる電源変動手段と
を含むことを特徴とする請求項１１に記載の電気光学装置の駆動装置。The scanning signal supply means,
A shift register circuit for sequentially outputting a transfer signal for each scanning line;
An output circuit that receives the transfer signal and outputs the scanning signal to the scanning line in a line-sequential manner in response thereto;
12. The driving apparatus for an electro-optical device according to claim 11, further comprising: a power supply changing unit that changes an external power supply that defines a high potential on an output side of the output circuit into two values. 前記データ線に前記画像信号を供給する画像信号供給手段を更に備えたことを特徴とする請求項１１又は１２に記載の電気光学装置の駆動装置。13. The driving apparatus according to claim 11, further comprising an image signal supply unit configured to supply the image signal to the data line. 電気光学装置の駆動方法であって、
薄膜トランジスタのゲートに対して前記薄膜トランジスタをオン状態又はオフ状態にする走査信号を備え、
前記走査信号を低電位から中間電位に所定時間、保持するステップと、
前記中間電位から高電位に所定時間、保持するステップと、
前記高電位から中間電位に所定時間、保持するステップと、
前記中間電位から低電位に変化さえるステップとを具備することを特徴とする電気光学装置の駆動方法。A method for driving an electro-optical device, comprising:
A scanning signal for turning the thin film transistor on or off with respect to the gate of the thin film transistor,
Holding the scanning signal from a low potential to an intermediate potential for a predetermined time,
Holding from the intermediate potential to the high potential for a predetermined time,
Maintaining the high potential to the intermediate potential for a predetermined time;
Changing the potential from the intermediate potential to a low potential. 前記中間電位は、前記トランジスタを不完全なオン状態にする電位に設定されることを特徴とする請求項１４に記載の電気光学装置の駆動方法。15. The method according to claim 14, wherein the intermediate potential is set to a potential that causes the transistor to be in an incomplete ON state. 線順次で駆動される複数本の走査線を備え、
互いに隣接する走査線に対する走査信号の中間電位の設定が異なることを特徴とする請求項１４又１５に記載の電気光学装置の駆動方法。Equipped with a plurality of scanning lines driven line-sequentially,
16. The method of driving an electro-optical device according to claim 14, wherein a setting of an intermediate potential of a scanning signal for scanning lines adjacent to each other is different. 線順次で駆動される複数本の走査線を備え、
互いに隣接する走査線に対する走査信号の高電位の設定が異なることを特徴とする請求項１４から１６のいずれか一項に記載の電気光学装置の駆動方法。Equipped with a plurality of scanning lines driven line-sequentially,
17. The method of driving an electro-optical device according to claim 14, wherein the setting of the high potential of the scanning signal for the scanning lines adjacent to each other is different. 請求項１から１０のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 1.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017126010A (en) * 2016-01-15 2017-07-20 株式会社ジャパンディスプレイ Gate voltage generation circuit, transistor substrate and display device

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